[go: up one dir, main page]

KR20120129680A - Optical semiconductor based lighting apparatus - Google Patents

Optical semiconductor based lighting apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20120129680A
KR20120129680A KR1020110048080A KR20110048080A KR20120129680A KR 20120129680 A KR20120129680 A KR 20120129680A KR 1020110048080 A KR1020110048080 A KR 1020110048080A KR 20110048080 A KR20110048080 A KR 20110048080A KR 20120129680 A KR20120129680 A KR 20120129680A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor
optical
envelope
light
annular reflector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1020110048080A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
송태훈
Original Assignee
주식회사 포스코엘이디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 포스코엘이디 filed Critical 주식회사 포스코엘이디
Priority to KR1020110048080A priority Critical patent/KR20120129680A/en
Publication of KR20120129680A publication Critical patent/KR20120129680A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/237Details of housings or cases, i.e. the parts between the light-generating element and the bases; Arrangement of components within housings or cases
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/69Details of refractors forming part of the light source
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50Cooling arrangements
    • F21V29/70Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00Reflectors for light sources
    • F21V7/04Optical design
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

광반도체 기반 조명장치가 개시된다. 이 광반도체 기반 조명장치는, 소켓 베이스와; 상기 소켓 베이스에 결합된 벌브형의 투광성 엔벨롭과; 상기 소켓 베이스에 세워져 배치된 마운트 부재와; 상기 마운트 부재의 길이 방향을 따라 어레이된 복수의 반도체 광소자를 갖는 반도체 광소자 어레이 유닛과; 상기 투광성 엔벨롭의 길이 중간에 위치하여, 상기 반도체 광소자 어레이 유닛으로부터의 광을 전방과 후방 중 적어도 한 방향으로 반사시키는 환형 반사부를 포함한다.An optical semiconductor based lighting apparatus is disclosed. The optical semiconductor based illumination device includes a socket base; A bulb-type light transmitting envelope coupled to the socket base; A mount member standing upright on said socket base; A semiconductor optical element array unit having a plurality of semiconductor optical elements arranged along the longitudinal direction of the mount member; Located in the middle of the translucent envelope, and includes an annular reflector for reflecting light from the semiconductor optical element array unit in at least one of the front and rear.

Description

광반도체 기반 조명장치{OPTICAL SEMICONDUCTOR BASED LIGHTING APPARATUS}Optical semiconductor based lighting device {OPTICAL SEMICONDUCTOR BASED LIGHTING APPARATUS}

본 발명은 광반도체 기반 조명장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 배광 특성이 향상된 벌브형 광반도체 기반 조명장치에 관한 것이다. The present invention relates to an optical semiconductor-based lighting device, and more particularly, to a bulb-type optical semiconductor-based lighting device with improved light distribution characteristics.

아직까지 조명용 광원으로 형광등과 백열등이 많이 이용되어 왔다. 백열등은, 소비전력이 높아 효율 및 경제성이 떨어지며, 이러한 이유로, 그 수요가 크게 감소되는 추세이다. 이러한 감소 추세는 미래에도 계속될 것으로 예측되고 있다. 반면, 형광등은 소비전력이 백열등 소비전력의 대략 1/3 정도로 효율이 높고 경제적이다. 하지만, 형광등은 높은 인가 전압으로 인해 흑화 현상이 진행되어 수명이 짧다는 문제점을 갖는다. 또한, 형광등은, 아르곤 가스와 함께 유해 중금속 물질인 수은이 주입된 진공 유리관을 이용하므로, 환경 비친화적이라는 단점이 있다.Fluorescent and incandescent lamps have been widely used as light sources for illumination. Incandescent lamps have high power consumption and are inferior in efficiency and economy, and for this reason, their demand is greatly reduced. This decline is expected to continue in the future. On the other hand, fluorescent lamps are more efficient and economical at about one-third of the power consumption of incandescent lamps. However, fluorescent lamps have a problem in that blackening occurs due to a high applied voltage, resulting in short lifespan. In addition, since the fluorescent lamp uses a vacuum glass tube in which mercury, which is a harmful heavy metal material, is injected together with argon gas, there is a disadvantage of being unfriendly to the environment.

최근 들어서는 광원으로 엘이디와 같은 반도체 광 소자를 포함하는 조명장치, 즉, 엘이디 조명장치의 수요가 급격히 증가하고 있다. 엘이디 조명장치는 수명이 길고 저 전력 구동의 장점을 갖는다. 또한, 엘이디 조명장치는 수은과 같은 환경 유해물질을 이용하지 않으므로 환경 친화적이다. Recently, the demand for a lighting device including a semiconductor optical device such as an LED as a light source, that is, the LED lighting device is rapidly increasing. LED lighting devices have the advantage of long lifetime and low power driving. In addition, the LED illumination device is environmentally friendly since it does not use environmentally harmful substances such as mercury.

다양한 종류 그리고 다양한 구조를 갖는 엘이디 조명장치가 개발되고 있으며, 그 중 하나로 백열등의 형태를 유사하게 포함하는 벌브형 엘이디 조명장치가 개발된 바 있다.LED lighting apparatuses having various kinds and various structures have been developed, and one of them has been developed a bulb-type LED lighting apparatus including a similar form of incandescent lamp.

종래의 벌브형 엘이디 조명장치는 벌브 형태를 갖는 투광성 엔벨롭(envelop)과, 그 엔벨롭의 상단에 결합된 소켓 베이스와, 엔벨롭 내에서 소켓 베이스 부근에 수평으로 배치된 PCB(Printed Circuit Board)를 포함하며, PCB 상에는 복수의 엘이디가 실장되어 엔벨롭의 하부를 향해 광을 발한다. 종래 벌브형 엘이디 조명장치는, 엘이디의 직진성으로 인해, 복수의 엘이디로부터 나온 광이 엔벨롭의 하부를 통해서만 주로 방출되고 엔벨롭의 측면 및 후방으로는 광이 거의 방출되지 않는 배광 특성에 있어서의 단점이 있다.Conventional bulb-type LED lighting device has a light-transmissive envelope having a bulb shape, a socket base coupled to the top of the envelope, and a printed circuit board (PCB) disposed horizontally near the socket base in the envelope It includes, and a plurality of LED is mounted on the PCB to emit light toward the bottom of the envelope. Conventional bulb-type LED lighting device, due to the linearity of the LED, the disadvantages in the light distribution characteristic that the light from the plurality of LEDs are mainly emitted only through the lower portion of the envelope and little light is emitted to the side and rear of the envelope There is this.

따라서, 본 발명이 해결하려는 과제는 투광성 엔벨롭 주변의 배광 분포를 확장하여 어두운 영역을 최소화한 광반도체 기반 조명장치를 제공하는 것이다. Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical semiconductor-based lighting apparatus which minimizes dark areas by expanding light distribution around the transmissive envelope.

본 발명이 해결하려는 다른 과제는 벌브형 엔벨롭의 전방 주변의 배광 분포를 후방까지 확장하여 후방의 어두운 영역을 없앤 광반도체 기반 조명장치를 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide an optical semiconductor-based lighting device that eliminates the dark region in the rear by extending the distribution of light distribution around the front of the bulb-type envelope to the rear.

본 발명의 일 측면에 따른 광반도체 기반 조명장치는, 소켓 베이스와; 상기 소켓 베이스에 결합된 벌브형의 투광성 엔벨롭과; 상기 소켓 베이스에 세워져 배치된 마운트 부재와; 상기 마운트 부재의 길이 방향을 따라 어레이된 복수의 반도체 광소자를 갖는 반도체 광소자 어레이 유닛과; 상기 투광성 엔벨롭의 길이 중간에 위치하여, 상기 반도체 광소자 어레이 유닛으로부터의 광을 전방과 후방 중 적어도 한 방향으로 반사시키는 환형 반사부를 포함한다.Optical semiconductor based lighting apparatus according to an aspect of the present invention, the socket base; A bulb-type light transmitting envelope coupled to the socket base; A mount member standing upright on said socket base; A semiconductor optical element array unit having a plurality of semiconductor optical elements arranged along the longitudinal direction of the mount member; Located in the middle of the translucent envelope, and includes an annular reflector for reflecting light from the semiconductor optical element array unit in at least one of the front and rear.

상세한 설명 및 특허청구범위에서, 용어 '환형 반사부'는 환형을 갖는 하나의 반사부재의 의미를 포함하는 것은 물론이고, 대략 환형을 갖도록 배열된 반사부재의 조합의 의미를 포함한다.In the description and claims, the term 'annular reflector' includes not only the meaning of one reflective member having an annular shape, but also the meaning of the combination of reflective members arranged to have an approximately annular shape.

일 실시예에 따라, 상기 마운트 부재의 둘레를 따라 상기 반도체 광소자 어레이 유닛이 복수개로 배열된다.According to one embodiment, a plurality of the semiconductor optical device array unit is arranged along the circumference of the mount member.

일 실시예에 따라, 상기 마운트 부재는 히트싱크를 포함한다.According to one embodiment, the mount member comprises a heat sink.

일 실시예에 따라, 상기 투광성 엔벨롭은 상기 소켓 베이스에 직접 결합되는 제1 투광성 커버와 상기 제1 투광성 커버에 결합되는 제2 투광성 커버를 포함하며, 상기 환형 반사부는 가장자리 부분이 상기 제1 투광성 커버와 상기 제2 투광성 커버 사이에서 고정된다.The translucent envelope includes a first translucent cover coupled directly to the socket base and a second transmissive cover coupled to the first transmissive cover, wherein the annular reflector has an edge portion at the first translucent portion. It is fixed between the cover and the second translucent cover.

일 실시예에 따라, 상기 광반도체 기반 조명장치는 상기 환형 반사부와 다른 높이로 설치되는 하나 이상의 다른 환형 반사부를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the optical semiconductor based lighting apparatus may further include one or more other annular reflectors installed at different heights from the annular reflectors.

일 실시예에 따라, 상기 반도체 광소자 어레이 유닛은, 상기 마운트 부재에 부착되는 기다란 PCB를 포함하며, 상기 PCB에는 상기 복수의 반도체 광소자가 상기 마운트 부재의 길이 방향으로 어레이되도록 실장된다.In example embodiments, the semiconductor optical device array unit may include an elongated PCB attached to the mount member, and the plurality of semiconductor optical devices may be mounted on the PCB so as to be arrayed in a length direction of the mount member.

일 실시예에 따라, 상기 투광성 엔벨롭 또는 상기 환형 반사부에는 광을 산란시키는 광 확산 재료가 적용될 수 있다.According to one embodiment, a light diffusing material for scattering light may be applied to the light transmitting envelope or the annular reflector.

일 실시예에 따라, 상기 투광성 엔벨롭 또는 상기 환형 반사부에는 파장변환재료 적용될 수 있다.According to an embodiment, a wavelength conversion material may be applied to the light transmitting envelope or the annular reflector.

일 실시예에 따라, 상기 파장변환재료는 리모트 포스퍼(remote phosphor)를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the wavelength conversion material may include a remote phosphor (remote phosphor).

일 실시예에 따라, 상기 마운트 부재는 중공을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the mount member may comprise a hollow.

본 발명의 따른 측면에 따라, 투광성 엔벨롭과; 상기 투광성 엔벨롭 내에 위치하는 복수의 반도체 광소자와; 상기 투광성 엔벨롭의 내주로부터 안쪽으로 연장되도록 설치되며, 상기 복수의 반도체 광소자로부터 나온 광의 진행 방향을 바꾸는 반사부재를 포함하는 광반도체 기반 조명장치가 제공된다. According to an aspect of the present invention, there is provided a light transmitting envelope; A plurality of semiconductor optical elements located within the translucent envelope; An optical semiconductor-based lighting apparatus is provided to extend inwardly from an inner circumference of the light transmitting envelope, and includes a reflective member that changes a traveling direction of light from the plurality of semiconductor optical devices.

바람직하게는, 상기 반사부재는, 상기 복수의 반도체 광소자로부터의 광을 상기 투광성 엔벨롭의 전방과 후방으로 반사시키도록, 상기 투광성 엔벨롭의 길이 중간에 설치된 환형 반사부일 수 있다.Preferably, the reflective member may be an annular reflector provided in the middle of the transmissive envelope so as to reflect the light from the plurality of semiconductor optical elements to the front and rear of the transmissive envelope.

바람직하게는, 상기 복수의 반도체 광소자는 상기 환형 반사부보다 낮게 위치한 하나 이상의 반도체 광소자와 상기 환형 반사부보다 높게 위치한 하나 이상의 반도체 광소자를 포함하며, 상기 환형 반사부는 상면과 저면 각각에서 광을 상기 투광성 엔벨롭의 후방과 전방으로 반사한다.Preferably, the plurality of semiconductor optical devices includes at least one semiconductor optical device positioned lower than the annular reflecting unit and at least one semiconductor optical element positioned higher than the annular reflecting unit, wherein the annular reflecting unit emits light at each of the top and bottom surfaces thereof. Reflects backward and forward of the translucent envelope.

바람직하게는, 상기 복수의 반도체 광소자 중 적어도 하나의 반도체 광소자는 상기 환형 반사부와 동일 높이에 위치한다.Preferably, at least one semiconductor optical device of the plurality of semiconductor optical devices is positioned at the same height as the annular reflector.

용어 '반도체 광소자'는 발광다이오드 칩 등과 같이 광반도체를 포함 또는 이용하는 소자를 의미한다. 상기 반도체 광소자가 발광다이오드 칩을 내부에 포함하는 패키지 레벨의 엘이디인 것이 바람직하다. The term 'semiconductor optical element' refers to a device including or using an optical semiconductor such as a light emitting diode chip. Preferably, the semiconductor optical device is a package level LED including a light emitting diode chip therein.

본 발명에 따른 광반도체 기반 조명장치는 투광성 엔벨롭 주변의 배광 분포를 확장하여 어두운 영역이 최소화된다는 장점이 있다. 더 나아가, 본 발명에 따른 광반도체 기반 조명장치는, 배광 분포가 벌브형 투광성 엔벨롭의 전방 주변에 제한되었던 종래 기술과 달리, 그 배광 분포가 후방까지 확장됨으로써, 후방의 어두운 영역을 없앤다는 장점을 갖는다. The optical semiconductor-based lighting apparatus according to the present invention has an advantage that the dark region is minimized by extending the distribution of light distribution around the transmissive envelope. Furthermore, the optical semiconductor-based illumination device according to the present invention, unlike the prior art in which the light distribution is limited to the front periphery of the bulb-type translucent envelope, has the advantage that the light distribution is extended to the rear, thereby eliminating the dark areas in the rear. Has

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광반도체 기반 조명장치의 부분 절개 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 광반도체 기반 조명장치의 분해 사시도.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 광반도체 기반 조명장치의 작용을 설명하기 위한 도면.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 다른 실시예들을 설명하기 위한 도면들.
1 is a partial cutaway perspective view of an optical semiconductor based lighting apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an exploded perspective view of the optical semiconductor based lighting apparatus shown in FIG. 1.
3 is a view for explaining the operation of the optical semiconductor-based lighting device shown in FIG.
4 to 6 are views for explaining other embodiments of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들을 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, and the like of the components may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 광반도체 기반 조명장치(1)는, 벌브형, 즉, 전구형의 광반도체 기반 조명장치로서, 소켓 베이스(10)와 상기 소켓 베이스(10)의 하단에 결합된 벌브형의 투광성 엔벨롭(20)과, 상기 투광성 엔벨롭(20) 내에 수직으로 세워져 위치하는 마운트 부재(30)와, 상기 마운트 부재(30)의 둘레를 따라 일정 간격으로 배치되는 복수의 반도체 광소자 어레이 유닛(40)을 포함한다. 또한, 상기 광반도체 기반 조명장치(1)는 상기 투광성 엔벨롭(20)의 내부에 위치하는 환형 반사부(50)를 포함한다.1 to 3, the optical semiconductor-based lighting device 1 according to an embodiment of the present invention is a bulb type, that is, a bulb-type optical semiconductor-based lighting device, and includes a socket base 10. Bulb-shaped light transmitting envelope 20 coupled to the lower end of the socket base 10, the mounting member 30 is vertically positioned in the light transmitting envelope 20, and the circumference of the mounting member 30 A plurality of semiconductor optical device array unit 40 is disposed along a predetermined interval along the. In addition, the optical semiconductor-based illumination device 1 includes an annular reflector 50 positioned inside the translucent envelope 20.

상기 마운트 부재(30)는 기둥 형태를 가지며, 상기 소켓 베이스(10)의 대략 중앙에 결합된 채 수직으로 연장되어 상기 투광성 엔벨롭(20)에 의해 주변이 둘러싸인다. 상기 마운트 부재(30)는 히트싱크로서의 기능을 하는 것이 바람직하며, 더 나아가, 금속과 같이 열전도성 좋은 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 마운트 부재(30)는 반도체 광소자 어레이 유닛(40)으로부터 열을 전달받아 이를 신속하게 방출하도록 수직 길이 방향으로 방열용 중공(31)을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 마운트 부재(30)는 평평한 복수의 마운트면(32)을 포함한다. 상기 복수의 마운트면(32)은 상기 마운트 부재(30)의 둘레를 따라 일정 간격으로 형성되며 길이 방향을 따라 길게 수직으로 형성된다. The mount member 30 has a columnar shape and extends vertically while being coupled to the center of the socket base 10 so as to be surrounded by the light transmitting envelope 20. It is preferable that the mount member 30 functions as a heat sink, and furthermore, it is preferable that the mount member 30 is made of a material having good thermal conductivity such as metal. The mount member 30 preferably includes a heat dissipation hollow 31 in the vertical length direction so as to receive heat from the semiconductor optical device array unit 40 and quickly discharge it. In addition, the mount member 30 includes a plurality of flat mounting surfaces 32. The plurality of mount surfaces 32 are formed at regular intervals along the circumference of the mount member 30 and are vertically formed long along the longitudinal direction.

상기 복수의 반도체 광소자 어레이 유닛(40)은 상기 복수의 마운트면(32)에 각각 배치된다. 상기 복수의 반도체 광소자 어레이 유닛(40)은 상기 복수의 마운트면(32) 각각에 장착되어 상기 마운트 부재(30)의 둘레를 따라 일정 간격으로 배치되는 복수의 PCB(42)와, 상기 복수의 PCB(42) 각각에 실장되어 상기 마운트 부재(30)의 길이 방향으로 길게 배열되는 반도체 광소자(44)들의 어레이를 포함한다. 또한, 상기 복수의 반도체 광소자 어레이 유닛(40) 내의 모든 반도체 광소자(44)들은 상기 투광성 엔벨롭(20)을 향해 광을 발하도록 배치된다.The plurality of semiconductor optical device array units 40 are disposed on the plurality of mount surfaces 32, respectively. The plurality of semiconductor optical device array units 40 may be mounted on each of the plurality of mounting surfaces 32, and may be disposed at predetermined intervals along a circumference of the mounting member 30, and the plurality of PCBs 42. And an array of semiconductor optical elements 44 mounted on each of the PCBs 42 and arranged in the longitudinal direction of the mount member 30. In addition, all the semiconductor optical elements 44 in the plurality of semiconductor optical element array units 40 are arranged to emit light toward the transmissive envelope 20.

전술한 구조에 따르면, 상기 투광성 엔벨롭(20) 내부에 상기 투광성 엔벨롭(20)의 길이 방향을 따라 길게 배열된 복수의 반도체 광소자(44)들이 존재함과 동시에, 상기 투광성 엔벨롭(20)의 내부에서 상기 투광성 엔벨롭(20)을 마주하며 환형으로 배열된 복수의 반도체 광소자(44)들이 존재한다.According to the above-described structure, a plurality of semiconductor optical elements 44 arranged long along the longitudinal direction of the translucent envelope 20 are present in the translucent envelope 20 and at the same time, the translucent envelope 20 There are a plurality of semiconductor optical elements 44 which are arranged in an annular manner facing the translucent envelope 20 inside the.

상기 투광성 엔벨롭(20)은 상기 소켓 베이스(10)에 직접 결합되어 있는 제1 투광성 커버(22)와, 상기 제1 투광성 커버(22)의 하단 개방부에 분리가능하게 결합되는 제2 투광성 커버(24)를 포함한다. 상기 제1 투광성 커버(22)와 상기 제2 투광성 커버(24) 각각에는 이들의 상호 결합을 위한 연결수단이 제공될 수 있다. 상기 연결수단은 상기 제1 투광성 커버(22)와 상기 제2 투광성 커버(24)가 접촉하는 부분에 각각 형성되는 암수 나사산일 수 있으며, 대안적으로, 암수 나사산 대신에 꼭 맞게 끼워지거나 맞물리는 형상일 수 있다. 상기 연결수단으로 접착제와 같은 추가적인 재료가 이용될 수 있다. 상기 제1 투광성 커버(22)와 상기 제2 투광성 커버(24)는 투광성을 갖는 수지 재료로 만들어지는 것이 선호되지만, 다른 투광성 재료로 만들어질 수도 있다.The transparent envelope 20 has a first transparent cover 22 directly coupled to the socket base 10, and a second transparent cover detachably coupled to a lower opening of the first transparent cover 22. (24). Each of the first light transmissive cover 22 and the second light transmissive cover 24 may be provided with connecting means for mutual coupling thereof. The connecting means may be male and female threads respectively formed at portions where the first transparent cover 22 and the second transparent cover 24 contact each other. Alternatively, the connecting means may be fitted or engaged instead of the male and female threads. Can be. As the connecting means, an additional material such as an adhesive may be used. The first light transmissive cover 22 and the second light transmissive cover 24 are preferably made of a light transmitting resin material, but may be made of other light transmitting materials.

한편, 상기 환형 반사부(50)는 상기 투광성 엔벨롭(20)의 길이(즉, 높이)의 중간에서 상기 투광성 엔벨롭(20)의 내주면으로부터 그 안쪽으로 연장된다. 이에 따라, 상기 투광성 엔벨롭(20) 내에는 상기 환형 반사부(50)보다 높게 아래에 위치하는 반도체 광소자(44)와 상기 환형 반사부(50)보다 낮게 위치하는 반도체 광소자(44)가 존재한다. 상기 환형 반사부(20)의 상면은 상기 환형 반사부(50)보다 높게 위치한 반도체 광소자(44)로부터의 광을 주로 반사하고, 상기 환형 반사부(20)의 저면은 상기 환형 반사부(50)보다 낮게 위치한 반도체 광소자(44)로부터의 광을 주로 반사한다. 또한, 상기 환형 반사부(50)는, 적어도 하나의 반도체 광소자(44)와 거의 동일 높이에 있을 수 있으며, 이 경우, 자신과 동일 높이에 있는 반도체 광소자(44)로부터의 광 중 일부를 상면에서 나머지를 저면에서 반사시킨다.On the other hand, the annular reflector 50 extends inward from the inner circumferential surface of the transparent envelope 20 in the middle of the length (that is, the height) of the transparent envelope 20. Accordingly, in the light transmitting envelope 20, the semiconductor optical element 44 positioned below the annular reflector 50 and the semiconductor optical element 44 positioned lower than the annular reflector 50 are disposed. exist. The upper surface of the annular reflector 20 mainly reflects light from the semiconductor optical element 44 located higher than the annular reflector 50, and the bottom of the annular reflector 20 is the annular reflector 50. It mainly reflects light from the semiconductor optical element 44 located lower than). In addition, the annular reflector 50 may be at approximately the same height as at least one semiconductor optical element 44, in which case part of the light from the semiconductor optical element 44 at the same height as itself. Reflect the rest from the top at the bottom.

또한, 상기 환형 반사부(50)는, 환형으로 배열된 복수의 반도체 광소자(44)들을 전체적으로 둘러싸고 있으므로, 그 반도체 광소자(44)들로부터 나온 광들을 방사상으로 거의 균등하게 반사시킬 수 있다. In addition, since the annular reflector 50 entirely surrounds the plurality of semiconductor optical elements 44 arranged in an annular shape, the annular reflector 50 can almost radially reflect light emitted from the semiconductor optical elements 44.

본 실시 예에 있어서, 상기 환형 반사부(50)는 상기 제1 투광성 커버(22)와 상기 제2 투광성 커버(24)가 결합되는 위치에 배치된다. 더 나아가, 상기 제1 투광성 커버(22)와 상기 제2 투광성 커버(24)가 결합되어 하나의 투광성 엔벨롭(20)을 형성할 때, 상기 환형 반사부(50)는 가장자리 부분이 상기 제1 투광성 커버(22)와 상기 제2 투광성 커버(24) 사이에 맞물려 고정될 수 있다. 이때, 상기 환형 반사부(50)는 상기 제1 투광성 커버(22)와 상기 제2 투광성 커버(24) 사이에 맞물려 압축될 수 있는 압축성 또는 점탄성 재료로 만들어질 수 있다. 대안적으로, 상기 환형 반사부(50)의 상하에 상기 제1 투광성 커버(22) 및 상기 제2 투광성 커버(24)에 대한 체결 또는 맞물림 형상을 마련하여, 상기 환형 반사부(50)를 매개로 하여 상기 제1 투광성 커버(22)와 상기 제2 투광성 커버(24)가 결합되도록 할 수도 있다.In the present exemplary embodiment, the annular reflector 50 is disposed at a position where the first transparent cover 22 and the second transparent cover 24 are coupled to each other. Furthermore, when the first translucent cover 22 and the second translucent cover 24 are combined to form one translucent envelope 20, the annular reflector 50 has an edge portion at the edge portion thereof. It may be engaged and fixed between the light transmissive cover 22 and the second light transmissive cover 24. In this case, the annular reflector 50 may be made of a compressible or viscoelastic material that can be compressed between the first transparent cover 22 and the second transparent cover 24. Alternatively, a fastening or engagement shape with respect to the first translucent cover 22 and the second translucent cover 24 may be provided above and below the annular reflector 50 to mediate the annular reflector 50. The first light transmissive cover 22 and the second light transmissive cover 24 may be coupled to each other.

상기 환형 반사부(50)는 백색, 은백색 또는 금속광택을 가질 수 있다. 또한, 상기 환형 반사부(50)는 광 일부만을 반사시키고 나머지는 투과시키거나 광의 진행 방향만을 바꾸도록 투광성을 갖는 소재로 만들어질 수 도 있다.The annular reflector 50 may have white, silver white or metallic luster. In addition, the annular reflector 50 may be made of a light-transmitting material to reflect only part of the light and transmit the rest or to change only the direction of the light.

상기 환형 반사부(50)의 설치 영역 부근이 어두워지는 현상을 억제 또는 감소시키기 위해 다양한 방식이 고려될 수 있다. 한 예로, 상기 투광성 엔벨롭(20) 및/또는 상기 환형 반사부(50)에 코팅 방식 또는 시트 부착 방식으로 광 확산 재료를 적용하여, 광 확산 재료에 의해 산란된 광이 상기 환형 반사부(50)의 설치 영역을 커버하도록 할 수 있다. 다른 한 예로, 상기 환형 반사부(50)의 광 투과도 및/또는 반사도를 적절히 조절하는 것이 고려될 수 있다. 더 나아가, 상기 환형 반사부(50)의 광 투과도와 광 반사도를 반지름 방향으로 다르게 할 수 있으며, 예컨대, 상기 투광성 엔벨롭(20)과 인접한 환형 반사부(50)의 일부의 광 투과도를 높게 할 수 있다. 이는 한 예로 직경이 다른 두 개 이상의 링 부재를 조립하여 하나의 환형 반사부를 만드는 방식으로 구현될 수 있을 것이다. Various methods may be considered to suppress or reduce a phenomenon in which the vicinity of the installation area of the annular reflector 50 becomes dark. For example, a light diffusing material is applied to the translucent envelope 20 and / or the annular reflecting part 50 in a coating method or a sheet attaching method so that light scattered by the light diffusing material is scattered by the annular reflecting part 50. ) To cover the installation area. As another example, it may be considered to appropriately adjust the light transmittance and / or reflectance of the annular reflector 50. Furthermore, the light transmittance and the light reflectivity of the annular reflector 50 may be different in the radial direction, for example, to increase the light transmittance of a part of the annular reflector 50 adjacent to the transmissive envelope 20. Can be. This may be implemented, for example, by assembling two or more ring members of different diameters to make one annular reflector.

도시하지는 않았지만, 상기 환형 반사부(50) 및/또는 상기 투광서 엔벨롭(20)에는 광 파장 변환을 위한 파장변환재료, 더 바람직하게는, 리모트 포스터(remote phosphor)를 적용할 수 있다.Although not shown, a wavelength converting material for converting optical wavelengths, more preferably, a remote poster, may be applied to the annular reflector 50 and / or the light beam envelope 20.

도 3에 잘 도시된 바와 같이, 투광성 엔벨롭(20) 내에서 환형 반사부(50) 보다 높게 위치한 반도체 광소자(44)로부터 나온 광은 주로 엔벨롭(20)의 측방으로 바로 방출되거나 환형 반사부(50)의 상면에 반사되어 엔벨롭(20)의 후방으로 방출된다. 또한, 투광 엔벨롭(20) 내에서 환형 반사부(50)보다 낮게 위치한 반도체 광소자(44)로부터 나온 광은 엔벨롭(20)의 측방으로 바로 방출되거나 환형 반사부(50)의 저면에 반사되어 엔벨롭(20)의 전방으로 방출된다. 이러한 광 방출 특성, 또는 배광 특성은, 상기 엔벨롭(20)의 둘레 전체에 걸쳐 거의 동일하다. 따라서, 본 실시예에 따른 광반도체 기반 조명장치는, 투광성 엔벨롭(20)의 전체 주변에 걸쳐 거의 골고루 광이 분포되는 우수한 배광 특성을 갖는다. As shown in FIG. 3, light from the semiconductor optical element 44 positioned higher than the annular reflector 50 in the transmissive envelope 20 is mainly emitted directly to the side of the envelope 20 or is annularly reflected. Reflected on the upper surface of the portion 50 is emitted to the rear of the envelope (20). In addition, the light emitted from the semiconductor optical element 44 positioned lower than the annular reflector 50 in the transmissive envelope 20 is emitted directly to the side of the envelope 20 or reflected on the bottom surface of the annular reflector 50. And is discharged forward of the envelope 20. These light emission characteristics, or light distribution characteristics, are almost the same throughout the circumference of the envelope 20. Therefore, the optical semiconductor-based lighting apparatus according to the present embodiment has excellent light distribution characteristics in which light is almost evenly distributed over the entire periphery of the translucent envelope 20.

도 4는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 광반도체 기반 조명장치를 설명하기 위한 도면으로서, 도 4를 참조하면, 상기 환형 반사부(50)의 표면에 광을 산란시키는 요철 형태의 패턴(52)들이 형성되어 있다. 나머지 구성은 앞선 실시예와 같다.4 is a view illustrating an optical semiconductor-based lighting apparatus according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, a pattern 52 having an uneven shape scattering light on a surface of the annular reflector 50 is illustrated. Are formed. The rest of the configuration is the same as in the previous embodiment.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 광반도체 기반 조명장치를 설명하기 위한 도면으로서, 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 광반도체 기반 조명장치는 복수의 환형 반사부(50a, 50b, 50c)를 포함하며, 이 복수의 환형 반사부(50a, 50b, 50c)는 상기 투광성 엔벨롭(20)의 내주면에 다른 높이로 형성되어 있다. 상기 복수의 환형 반사부(50a, 50b, 50c)를 앞선 실시예와 유사한 방식으로 투광성 엔벨롭(20)에 결합시키도록, 상기 투광성 엔벨롭(20)은 상기 복수의 환형 반사부(50a, 50b, 50c) 각각을 사이에 두고 결합할 수 있는 3개 이상의 투광성 커버들을 포함할 수 있다. 다른 대안으로, 상기 복수의 환형 반사부(50a, 50b, 50c)가 서로 일체화된 구조와 상기 복수의 환형 반사부(50a, 50b, 50c) 중 적어도 하나가 상기 투광성 엔벨롭(20)과 미리 일체화된 구조가 고려될 수 있다. 나머지 구성은 앞선 실시예들과 같다.FIG. 5 is a view for explaining an optical semiconductor based lighting apparatus according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, the optical semiconductor based lighting apparatus according to the present embodiment includes a plurality of annular reflectors 50a and 50b. And 50c, and the plurality of annular reflectors 50a, 50b, and 50c are formed at different heights on the inner circumferential surface of the translucent envelope 20. The translucent envelope 20 allows the plurality of annular reflectors 50a, 50b to couple the plurality of annular reflectors 50a, 50b, 50c to the translucent envelope 20 in a manner similar to the previous embodiment. 50c) may include three or more translucent covers that can be coupled with each in between. Alternatively, the structure in which the plurality of annular reflectors 50a, 50b, 50c are integrated with each other and at least one of the plurality of annular reflectors 50a, 50b, 50c are previously integrated with the light transmitting envelope 20. Structure may be considered. The rest of the configuration is the same as in the previous embodiments.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 광반도체 기반 조명장치를 설명하기 위한 도면으로서, 도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 광반도체 기반 조명장치는 엔벨롭(20)의 측방을 향해 있는 제1 반도체 광소자(44a)와, 엔벨롭(20)의 전방을 향해 있는 제2 반도체 광소자(44) 포함한다. 제2 반도체 광소자(44b)는 전방으로의 광량을 늘리는데 기여한다.FIG. 6 is a view for explaining an optical semiconductor based lighting apparatus according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6, the optical semiconductor based lighting apparatus according to the present embodiment faces toward the side of the envelope 20. A first semiconductor optical element 44a and a second semiconductor optical element 44 facing the front of the envelope 20. The second semiconductor optical element 44b contributes to increasing the amount of light to the front.

10: 소켓 베이스 20: 투광성 엔벨롭
22, 24: 투광성 커버 30: 마운트 부재
40: 반도체 광소자 어레이 유닛 42: PCB
44: 반도체 광소자 50, 50a, 50b, 50c: 환형 반사부
10: socket base 20: translucent envelope
22, 24: transparent cover 30: mount member
40: semiconductor optical element array unit 42: PCB
44: semiconductor optical element 50, 50a, 50b, 50c: annular reflector

Claims (14)

소켓 베이스;
상기 소켓 베이스에 결합된 벌브형의 투광성 엔벨롭;
상기 소켓 베이스에 세워져 배치된 마운트 부재;
상기 마운트 부재의 길이 방향을 따라 어레이된 복수의 반도체 광소자를 갖는 반도체 광소자 어레이 유닛; 및
상기 투광성 엔벨롭의 길이 중간에 위치하여, 상기 반도체 광소자 어레이 유닛으로부터의 광을 전방과 후방 중 적어도 한 방향으로 반사시키는 환형 반사부를 포함하는 광반도체 기반 조명장치.
Socket base;
A bulb-type translucent envelope coupled to the socket base;
A mount member standing upright on the socket base;
A semiconductor optical element array unit having a plurality of semiconductor optical elements arranged along the longitudinal direction of the mount member; And
Located in the middle of the translucent envelope, the optical semiconductor-based illumination device including an annular reflector for reflecting light from the semiconductor optical element array unit in at least one of the front and rear direction.
청구항 1에 있어서, 상기 마운트 부재의 둘레를 따라 상기 반도체 광소자 어레이 유닛이 복수개로 배열된 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.The optical semiconductor based illuminating device according to claim 1, wherein a plurality of the semiconductor optical device array units are arranged along a circumference of the mount member. 청구항 2에 있어서, 상기 마운트 부재는 히트싱크를 포함하는 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.The optical semiconductor based illumination device of claim 2, wherein the mount member comprises a heat sink. 청구항 1에 있어서, 상기 투광성 엔벨롭은 상기 소켓 베이스에 직접 결합되는 제1 투광성 커버와 상기 제1 투광성 커버에 결합되는 제2 투광성 커버를 포함하며, 상기 환형 반사부는 가장자리 부분이 상기 제1 투광성 커버와 상기 제2 투광성 커버 사이에서 고정된 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.2. The translucent envelope of claim 1, wherein the translucent envelope includes a first translucent cover coupled directly to the socket base and a second transmissive cover coupled to the first transmissive cover, wherein the annular reflector has an edge portion at the first translucent cover. And the second translucent cover is fixed between the optical semiconductor based illumination device. 청구항 1에 있어서, 상기 환형 반사부와 다른 높이로 설치되는 하나 이상의 다른 환형 반사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.The optical semiconductor based illumination device of claim 1, further comprising at least one other annular reflector installed at a different height from the annular reflector. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 반도체 광소자 어레이 유닛은, 상기 마운트 부재에 부착되는 기다란 PCB를 포함하며, 상기 PCB에는 상기 복수의 반도체 광소자가 상기 마운트 부재의 길이 방향으로 어레이되도록 실장된 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.The semiconductor optical device array unit of claim 1, wherein the semiconductor optical device array unit includes an elongated PCB attached to the mount member, and the plurality of semiconductor optical devices are mounted on the PCB such that the plurality of semiconductor optical devices are arrayed in a length direction of the mount member. Optical semiconductor based lighting device. 청구항 1에 있어서, 상기 투광성 엔벨롭 또는 상기 환형 반사부에는 광을 산란시키는 광 확산 재료가 적용된 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.The optical semiconductor based illuminating device according to claim 1, wherein a light diffusing material for scattering light is applied to the light transmitting envelope or the annular reflector. 청구항 1에 있어서, 상기 투광성 엔벨롭 또는 상기 환형 반사부에는 파장변환재료가 적용된 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.The optical semiconductor based illuminating device according to claim 1, wherein a wavelength conversion material is applied to the translucent envelope or the annular reflector. 청구항 8에 있어서, 상기 파장변환재료는 리모트 포스퍼(remote phosphor)를 포함하는 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치. The optical semiconductor based illuminating device according to claim 8, wherein the wavelength conversion material comprises a remote phosphor. 청구항 1에 있어서, 상기 마운트 부재는 중공을 포함하는 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.The optical semiconductor based illumination device of claim 1, wherein the mount member comprises a hollow. 투광성 엔벨롭;
상기 투광성 엔벨롭 내에 위치하는 복수의 반도체 광소자; 및
상기 투광성 엔벨롭의 내주로부터 안쪽으로 연장되도록 설치되며, 상기 복수의 반도체 광소자로부터 나온 광의 진행 방향을 바꾸는 반사부재를 포함하는 광반도체 기반 조명장치.
Light transmitting envelope;
A plurality of semiconductor optical elements positioned within the translucent envelope; And
The optical semiconductor-based illuminating device is installed to extend inwardly from the inner circumference of the light-transmitting envelope, and comprises a reflecting member for changing the traveling direction of the light emitted from the plurality of semiconductor optical devices.
청구항 11에 있어서, 상기 반사부재는, 상기 복수의 반도체 광소자로부터의 광을 상기 투광성 엔벨롭의 전방과 후방으로 반사시키도록, 상기 투광성 엔벨롭의 길이 중간에 설치된 환형 반사부의 적어도 일부를 구성하는 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.The method according to claim 11, wherein the reflecting member, at least part of the annular reflector provided in the middle of the length of the translucent envelope to reflect the light from the plurality of semiconductor optical elements to the front and rear of the translucent envelope. Optical semiconductor-based lighting device, characterized in that. 청구항 12에 있어서, 상기 복수의 반도체 광소자는 상기 환형 반사부보다 낮게 위치한 하나 이상의 반도체 광소자와 상기 환형 반사부보다 높게 위치한 하나 이상의 반도체 광소자를 포함하며, 상기 환형 반사부는 상면과 저면 각각에서 광을 상기 투광성 엔벨롭의 후방과 전방으로 반사하는 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.The semiconductor device of claim 12, wherein the plurality of semiconductor optical devices include one or more semiconductor optical devices located lower than the annular reflector and one or more semiconductor optical devices located higher than the annular reflector, wherein the annular reflector receives light from an upper surface and a lower surface, respectively. Optical semiconductor-based illumination device, characterized in that for reflecting back and front of the translucent envelope. 청구항 12에 있어서, 상기 복수의 반도체 광소자 중 적어도 하나의 반도체 광소자는 상기 환형 반사부와 동일 높이에 위치하는 것을 특징으로 하는 광반도체 기반 조명장치.The optical semiconductor based illumination device of claim 12, wherein at least one semiconductor optical device of the plurality of semiconductor optical devices is positioned at the same height as the annular reflector.
KR1020110048080A 2011-05-20 2011-05-20 Optical semiconductor based lighting apparatus Withdrawn KR20120129680A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110048080A KR20120129680A (en) 2011-05-20 2011-05-20 Optical semiconductor based lighting apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110048080A KR20120129680A (en) 2011-05-20 2011-05-20 Optical semiconductor based lighting apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120129680A true KR20120129680A (en) 2012-11-28

Family

ID=47514141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110048080A Withdrawn KR20120129680A (en) 2011-05-20 2011-05-20 Optical semiconductor based lighting apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120129680A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104295945A (en) * 2013-07-18 2015-01-21 王芳 An all-angle light bulb and its manufacturing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104295945A (en) * 2013-07-18 2015-01-21 王芳 An all-angle light bulb and its manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9885457B2 (en) LED illumination lamp bulb with internal reflector
KR101227525B1 (en) Lighting apparatus
US9217553B2 (en) LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors
CN103032729B (en) Lighting device
KR101826946B1 (en) A led candle lamp
US8931929B2 (en) Light emitting diode primary optic for beam shaping
CN102661495A (en) Omnidirectional LED light bulb with large angle of light
JP5337786B2 (en) lamp
CN108361603A (en) A kind of optically focused searchlight and its means of illumination
KR20110040695A (en) LED lighting
US20130242566A1 (en) Light emitting diode lamp
JP6047488B2 (en) Single chamber lighting device
KR20100034588A (en) Radiating heat structure for led lighting lamp
KR20120129680A (en) Optical semiconductor based lighting apparatus
US20120224368A1 (en) Led lamp with high brightness and without overlapping
KR20120133056A (en) Optical semiconductor based lighting apparatus
KR101064760B1 (en) Street lighting equipment
JP2000353406A (en) Lamp made of many light emitting diode chips
KR20150075462A (en) LED illumination device
JP5551562B2 (en) lamp
KR100924911B1 (en) LED lighting
CN102235586A (en) LED bulbs for wide angle lighting
KR20120108623A (en) Lens for lamp and lamp including the same
KR101083431B1 (en) Street lighting equipment
JP3176524U (en) Wide-area light-emitting diode bulb

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20110520

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid