KR20120059402A - Method for manufacturing liquid crystal display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 안정적으로 블루상이 발현될 수 있는 액정 표시 장치를 제작한다.
액정 조성물을 포함하는 액정층을 협지하여 씰재에 의하여 제 1 기판과 제 2 기판을 고착하고, 가열 처리에 의하여 액정층의 배향 상태를 등방상으로 하고, 액정층에 광 조사하여 액정층의 고분자 안정화 처리를 행함과 함께 광 조사 중에 액정층의 배향 상태를 등방상에서 블루상으로 상전이한다. 이로써, 블루상 외의 배향 상태를 나타내는 결함(배향 결함)을 억제한 액정 표시 장치를 제작한다.The present invention provides a liquid crystal display device in which a blue phase can be stably expressed.
The liquid crystal layer containing the liquid crystal composition is sandwiched and the first substrate and the second substrate are fixed by a seal material, the alignment state of the liquid crystal layer is isotropic by heat treatment, and the liquid crystal layer is light irradiated to stabilize the polymer of the liquid crystal layer. While the treatment is performed, the alignment state of the liquid crystal layer is phase-shifted from isotropic to blue during light irradiation. Thereby, the liquid crystal display device which suppressed the defect (orientation defect) which shows the orientation state other than a blue phase is produced.
Description
액정 표시 장치 및 그 제작 방법에 관한 것이다.A liquid crystal display device and its manufacturing method are related.
박형, 경량화를 도모한 표시 장치(소위, 플랫 패널 디스플레이)에는 액정 소자를 갖는 액정 표시 장치, 자발광 소자를 갖는 발광 장치, 필드 이미션 디스플레이(FED: Field Emission Display) 등이 경합하여 개발되고 있다.In display devices (so-called flat panel displays) that are designed to be thin and lightweight, a liquid crystal display device having a liquid crystal element, a light emitting device having a self-luminous element, a field emission display (FED) and the like have been developed in competition. .
액정 표시 장치에 있어서는, 액정 분자의 응답 속도의 고속화가 요구되고 있다. 각종 액정 표시 모드 중에서 고속 응답이 가능한 액정 모드로서, FLC(Ferroelectric Liquid Crystal) 모드, OCB(Optical Compensated Bend) 모드, 블루상(blue phase)을 나타내는 액정을 사용하는 모드를 들 수 있다.In a liquid crystal display device, the speed | rate of the response speed of liquid crystal molecules is calculated | required. Among various liquid crystal display modes, a liquid crystal mode capable of high-speed response may include a FLC (Ferroelectric Liquid Crystal) mode, an OCB (Optical Compensated Bend) mode, and a mode using a liquid crystal exhibiting a blue phase.
블루상은, 나선 피치가 비교적 짧은 키랄 네마틱(Chiral Nematic)상과 등방상 사이에 발현되는 액정상이며, 응답 속도가 매우 높은 특징을 갖는다. 또한, 블루상을 사용하는 경우에는, 배향막이 불필요하고 또 시야각이 넓기 때문에 실용화를 위한 연구가 진행되고 있다. 그러나, 블루상은 콜레스테릭상과 등방상 사이의 불과 1℃ 내지 3℃의 온도 범위에서밖에 발현되지 않기 때문에, 소자의 온도를 정밀하게 제어하여야 하는 것이 문제다.The blue phase is a liquid crystal phase expressed between a chiral nematic phase having a relatively short spiral pitch and an isotropic phase, and has a very high response speed. Moreover, when using a blue phase, since the orientation film is unnecessary and the viewing angle is wide, the research for practical use is advanced. However, since the blue phase is expressed only in the temperature range of only 1 ° C to 3 ° C between the cholesteric phase and the isotropic phase, it is a problem to precisely control the temperature of the device.
이 문제를 해결하기 위하여 고분자 안정화 처리를 행하여 블루상이 발현되는 온도 범위를 확대하는 것이 제안되어 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).In order to solve this problem, it is proposed to extend the temperature range where the blue phase is expressed by performing a polymer stabilization treatment (see
고분자 안정화 처리는 광 경화성 수지를 함유한 액정 조성물에 광 조사하고, 빛이 조사됨으로써 광 경화성 수지를 중합하여 액정층을 안정화시키는 처리다. 그러나, 기판 면 내에서 광 경화성 수지를 균일하게 중합시키기 어렵다. 고분자의 중합이 불균일하면, 액정층에서의 배향 상태도 불균일하게 되므로 블루상이 안정적으로 발현되지 않는다.A polymer stabilization process is a process which irradiates light to the liquid crystal composition containing photocurable resin, and irradiates light, superposes | polymerizes photocurable resin and stabilizes a liquid crystal layer. However, it is difficult to uniformly polymerize the photocurable resin in the substrate plane. If the polymerization of the polymer is nonuniform, the alignment state in the liquid crystal layer also becomes nonuniform, so that the blue phase is not stably expressed.
그래서, 본 발명의 일 형태에서는 블루상이 안정적으로 발현될 수 있는 액정 표시 장치의 제작 방법을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다.One object of one embodiment of the present invention is to provide a method for producing a liquid crystal display device in which a blue phase can be stably expressed.
개시하는 발명의 일 형태는 블루상이 발현될 수 있는 액정층을 갖는 액정 표시 장치를 제작할 때 등방상을 나타내는 온도에서 액정 조성물에 광 조사하여 상기 액정 조성물에 함유된 광 경화성 수지를 중합하고 또 광 조사 처리 중에 액정층의 배향 상태를 등방상에서 블루상으로 상전이시킴으로써 블루상 외의 배향 상태를 나타내는 결함(이하, 배향 결함)을 억제하는 것이다. 더 구체적으로는, 예를 들어, 이하의 제작 방법을 들 수 있다.One aspect of the disclosed invention is to irradiate a liquid crystal composition at a temperature exhibiting an isotropic phase when producing a liquid crystal display device having a liquid crystal layer in which a blue phase can be expressed to polymerize the photocurable resin contained in the liquid crystal composition and to further irradiate the light. It is to suppress the defect (henceforth orientation defect) which shows the orientation state other than a blue phase by phase-shifting the orientation state of a liquid crystal layer from an isotropic phase to a blue phase during a process. More specifically, the following production methods are mentioned, for example.
본 발명의 일 형태는 액정 조성물을 포함하는 액정층을 협지(挾持)하고 씰재에 의하여 제 1 기판과 제 2 기판을 고착하고, 가열 처리에 의하여 액정층의 배향 상태를 등방상으로 하고, 액정층에 광 조사하여 액정층의 고분자 안정화 처리를 행함과 함께 광 조사 중에 액정층의 배향 상태를 등방상에서 블루상으로 상전이시키는 액정 표시 장치의 제작 방법이다.In one embodiment of the present invention, a liquid crystal layer containing a liquid crystal composition is sandwiched, the first substrate and the second substrate are fixed by a sealing material, and the alignment state of the liquid crystal layer is isotropic by heat treatment, and the liquid crystal layer It irradiates into light and performs the polymer stabilization process of a liquid crystal layer, and is a manufacturing method of the liquid crystal display device which phase-transforms the orientation state of a liquid crystal layer from an isotropic phase to a blue phase during light irradiation.
또한, 본 발명의 다른 일 형태는 제 1 기판에 씰재를 틀 형상으로 형성하고, 씰재로 형성된 틀 내에 액정 조성물을 적하하고, 감압 분위기하에서 제 1 기판에 제 2 기판을 접합하여 액정층을 형성하고, 가열 처리에 의하여 액정층의 배향 상태를 등방상으로 하고, 액정층에 광 조사하여 액정층의 고분자 안정화 처리를 행함과 함께 광 조사 중에 액정층의 배향 상태를 등방상에서 블루상으로 상전이시키는 액정 표시 장치의 제작 방법이다.In another embodiment of the present invention, a sealing material is formed on the first substrate in a frame shape, the liquid crystal composition is dropped in a mold formed of the sealing material, and a second substrate is bonded to the first substrate in a reduced pressure atmosphere to form a liquid crystal layer. Liquid crystal display in which the alignment state of the liquid crystal layer is isotropic by heat treatment, the light is irradiated to the liquid crystal layer to perform the polymer stabilization treatment of the liquid crystal layer, and the phase change of the alignment state of the liquid crystal layer from isotropic phase to blue phase during light irradiation. It is a manufacturing method of a device.
또한, 본 발명의 다른 일 형태는 제 1 기판에 씰재를 틀 형상으로 형성하고, 광 조사함으로써 씰재를 임시 경화시키고, 임시 경화된 씰재로 형성된 틀 내에 액정 조성물을 적하하고, 감압 분위기하에서 제 1 기판에 제 2 기판을 접합하여 액정층을 형성하고, 가열 처리에 의하여 액정층의 배향 상태를 등방상으로 하고, 액정층에 광 조사하여 씰재의 완전 경화 및 액정층의 고분자 안정화 처리를 행함과 함께 광 조사 중에 액정층의 배향 상태를 등방상에서 블루상으로 상전이시키는 액정 표시 장치의 제작 방법이다.Another embodiment of the present invention is to form a seal member in a frame shape on a first substrate, temporarily harden the seal member by irradiating with light, and drop the liquid crystal composition into a mold formed of the temporarily cured seal member, and then, in a reduced pressure atmosphere, the first substrate. The second substrate is bonded to the substrate to form a liquid crystal layer, the alignment state of the liquid crystal layer is isotropic by heat treatment, the light is irradiated to the liquid crystal layer, and the curing of the seal material and the polymer stabilization treatment of the liquid crystal layer are performed. It is a manufacturing method of the liquid crystal display device which phase-transfers the orientation state of a liquid crystal layer from an isotropic phase to a blue phase during irradiation.
또한, 본 발명의 다른 일 형태는 제 1 기판에 씰재를 틀 형상으로 형성하고, 씰재로 형성된 틀 내에 액정 조성물을 적하하고, 광 조사함으로써 씰재를 임시 경화시키고, 감압 분위기하에서 제 1 기판에 제 2 기판을 접합하여 액정층을 형성하고, 가열 처리에 의하여 액정층의 배향 상태를 등방상으로 하고, 액정층에 광 조사하여 씰재의 완전 경화 및 액정층의 고분자 안정화 처리를 행함과 함께 광 조사 중에 액정층의 배향 상태를 등방상에서 블루상으로 상전이시키는 액정 표시 장치의 제작 방법이다.Another embodiment of the present invention is to form a seal member on a first substrate in a frame shape, to drop the liquid crystal composition into a mold formed of the seal member, and to temporarily cure the seal member by irradiating with light, and then to the first substrate under a reduced pressure atmosphere. The substrate is bonded to form a liquid crystal layer, the alignment state of the liquid crystal layer is isotropic by heat treatment, the light is irradiated to the liquid crystal layer to perform complete curing of the sealing material and polymer stabilization treatment of the liquid crystal layer, and liquid crystal during light irradiation. It is a manufacturing method of the liquid crystal display device which phase-changes the orientation state of a layer from an isotropic phase to a blue phase.
상기 액정 표시 장치의 제작 방법에서 액정 조성물로서 액정 재료, 키랄제, 광 경화성 수지, 및 광 중합 개시제를 함유한 조성물을 사용할 수 있다.In the manufacturing method of the said liquid crystal display device, the composition containing a liquid crystal material, a chiral agent, a photocurable resin, and a photoinitiator can be used as a liquid crystal composition.
개시하는 발명의 일 형태에서 액정 조성물로서 어느 온도 범위에서 블루상을 나타내는 재료를 사용하는 것으로 한다. 블루상을 나타내는 재료는 고속 응답이 가능하기 때문에 액정 표시 장치의 고성능화가 가능하다.In one embodiment of the disclosed invention, a material showing a blue phase in a certain temperature range is used as the liquid crystal composition. The material exhibiting a blue phase is capable of high-speed response, thereby enabling high performance of the liquid crystal display device.
또한, 본 명세서 중에서의 액정 표시 장치란 화상 표시 디바이스, 표시 디바이스, 또는 광원(조명 장치를 포함함)을 가리킨다. 또한, 커넥터, 예를 들어, FPC(Flexible printed circuit), TAB(Tape Automated Bonding) 테이프, 또는 TCP(Tape Carrier Package)가 장착된 모듈, TAB 테이프나 TCP 끝에 프린트 배선판이 형성된 모듈, 또는 표시 소자가 형성된 기판에 COG(Chip On Glass) 방식에 의하여 IC(집적 회로)가 직접 실장된 모듈도 모두 액정 표시 장치에 포함되는 것으로 한다.In addition, the liquid crystal display device in this specification refers to an image display device, a display device, or a light source (including an illumination device). In addition, a connector such as a flexible printed circuit (FPC), a tape automated bonding (TAB) tape, a module equipped with a tape carrier package (TCP), a module having a printed wiring board formed at the end of the TAB tape or the TCP, or a display element All modules in which ICs (integrated circuits) are directly mounted on a formed substrate by a chip on glass (COG) method are also included in the liquid crystal display.
개시하는 발명의 일 형태에 따르면, 블루상이 안정적으로 발현될 수 있는 신뢰성이 높은 액정 표시 장치를 제작할 수 있다. 또한, 액정 표시 장치의 제작시의 수율을 향상시킬 수 있다.According to one embodiment of the disclosed invention, a highly reliable liquid crystal display device in which a blue phase can be stably expressed can be manufactured. Moreover, the yield at the time of preparation of a liquid crystal display device can be improved.
도 1a 내지 도 1e는 액정 표시 장치의 제작 공정의 일례를 도시한 도면.
도 2는 액정 조성물의 배향 상태의 모델도.
도 3a, 도 3b, 및 도 3c는 액정 표시 장치의 구성예를 도시한 도면.
도 4는 액정 표시 장치의 구성예를 도시한 도면.
도 5a 및 도 5b는 액정 표시 장치의 사용 형태의 일례를 도시한 도면.
도 6a 내지 도 6f는 액정 표시 장치의 사용 형태의 일례를 도시한 도면.
도 7a 내지 도 7c는 실시예에서 제작한 액정 표시 장치외 외관 사진.1A to 1E illustrate an example of a manufacturing process of a liquid crystal display device.
2 is a model diagram of an alignment state of a liquid crystal composition.
3A, 3B, and 3C are diagrams showing an example of the configuration of a liquid crystal display device.
4 is a diagram showing a configuration example of a liquid crystal display device.
5A and 5B show an example of a usage form of a liquid crystal display device.
6A to 6F are diagrams showing an example of usage forms of the liquid crystal display device.
7A to 7C are external photographs of the liquid crystal display device produced in the embodiment.
이하에 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 사용하여 자세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하에 기재하는 실시형태의 기재 내용에 한정되지 않고, 발명의 취지에서 벗어남이 없이 그 형태 및 상세한 사항을 다양하게 변경할 수 있는 것은 당업자에게 자명하다. 따라서, 본 발명은 이하에 기재하는 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 또한, 상이한 실시형태 및 실시예에 따른 구성은 적절히 조합하여 실시할 수 있다. 또한, 이하에 설명하는 발명의 구성에서 동일 부분 및 같은 기능을 갖는 부분에는 동일 부호를 사용하여 그 반복 설명은 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, embodiment of this invention is described in detail using drawing. However, it is apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited to the contents of the embodiments described below, and that the form and details can be variously changed without departing from the spirit of the invention. Therefore, this invention is not limited to description content of embodiment described below. In addition, the structure which concerns on a different embodiment and an Example can be implemented in combination suitably. In addition, the same code | symbol is used for the same part and the part which has the same function in the structure of the invention demonstrated below, and the repeated description is abbreviate | omitted.
(실시형태 1)(Embodiment 1)
본 실시형태에서는 액정 표시 장치의 제작 방법의 일례에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 실시형태에서는 한 쌍의 기판을 사용하여 하나의 액정 표시 장치를 제작하는 방법을 기재하지만, 본 실시형태는 이것에 한정되지 않고, 대형 기판을 사용하여 복수의 액정 표시 장치를 제작(소위 다면 취득)하는 경우에 적용할 수도 있다.In this embodiment, an example of the manufacturing method of a liquid crystal display device is demonstrated with reference to drawings. In addition, in this embodiment, although the method of manufacturing one liquid crystal display device using a pair of board | substrate is described, this embodiment is not limited to this, A some liquid crystal display device is produced using a large sized board | substrate (so-called Multi-sided acquisition).
우선, 제 1 기판(100)을 준비하고, 상기 제 1 기판(100) 위에 씰재(102)를 형성한다(도 1a 참조).First, the
제 1 기판(100)으로서 알루미노 실리케이트 유리, 알루미노 보로실리케이트 유리, 바륨 보로실리케이트 유리 등 전자 공업용으로 사용되는 유리 기판("무알칼리 유리 기판"이라고도 불림), 석영 기판, 세라믹 기판, 플라스틱 기판, SOI 기판 등을 사용할 수 있다. 이들 기판 위에 액정 표시 장치의 화소 등을 구성하는 트랜지스터 등의 소자가 제공되어도 좋다.As the
씰재(102)로서는 광 경화성 수지, 열 경화성 수지, 또는 광 경화성 및 열 경화성 수지 등을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴레이트계(우레탄아크릴레이트) 수지, 아민계 수지, 아크릴계 수지와 에폭시계 수지를 혼합한 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 광(대표적으로는, 자외선) 중합 개시제, 열 경화제, 필러, 커플링제를 함유하여도 좋다. 또한, 광 경화성 수지란 광 조사함으로써 경화되는 수지를 말하고, 열 경화성 수지란 가열 처리에 의하여 경화되는 수지를 말한다. 또한, 광 경화성 및 열 경화성 수지란 광 조사함으로써 임시 경화되고, 그 후 가열 처리를 행함으로써 완전 경화되는 수지를 말한다.It is preferable to use photocurable resin, thermosetting resin, photocurable, thermosetting resin, etc. as the
씰재(102)는 틀 형상(닫힌 고리 형상)으로 형성하면 좋다. 도 1a에 씰재(102)를 직사각형으로 형성하는 경우를 도시한다. 다만, 씰재(102)의 형상은 직사각형으로 한정되지 않고, 원 형상, 타원 형상, 또는 직사각형 외의 다각 형상 등으로 형성하여도 좋다.The
다음에, 제 1 기판(100) 위이며 씰재(102)의 안쪽(틀 안쪽)에 액정 조성물(106)을 적하한다(도 1b 참조).Next, the
액정 조성물(106)로서 블루상을 나타내는 액정 조성물을 사용할 수 있다. 블루상을 나타내는 액정 조성물은 액정 재료, 키랄제, 광 경화성 수지, 및 광 중합 개시제를 함유한다. 또한, 블루상을 나타내는 액정 조성물은 제 1 기판(100) 위에 적하한 시점에서 블루상을 나타낼 필요는 없고, 온도 제어함으로써 어느 온도에서 블루상을 나타내는 액정 조성물이면 좋다.As the
액정 재료는 서모트로픽(thermotropic) 액정, 저분자 액정, 고분자 액정, 강유전성 액정, 반강유전성 액정 등을 사용할 수 있다.As the liquid crystal material, a thermotropic liquid crystal, a low molecular liquid crystal, a polymer liquid crystal, a ferroelectric liquid crystal, an antiferroelectric liquid crystal, or the like can be used.
키랄제는 액정 재료의 비틀림을 유기(誘起)하고, 액정 재료를 나선 구조로 배향시켜 블루상을 발현시키기 위하여 사용한다. 키랄제는 비대칭 중심(asymmetric center)을 갖는 화합물이고, 액정 조성물에 대한 상용성이 좋고, 또 비트는 힘(twisting power)이 강한 화합물을 사용한다. 또한, 키랄제는 광학 활성체이고, 광학 순도가 높을수록 바람직하고 99% 이상이 가장 바람직하다.A chiral agent is used in order to induce the twist of a liquid crystal material, orient a liquid crystal material in a spiral structure, and to express a blue phase. The chiral agent is a compound having an asymmetric center, and a compound having good compatibility with the liquid crystal composition and having a strong twisting power is used. In addition, the chiral agent is an optically active agent, the higher the optical purity is, the more preferable is 99% or more.
광 경화성 수지는 아크릴레이트, 메타크릴레이트 등의 단관능(monofunctional) 모노머라도 좋고, 디아크릴레이트, 트리아크릴레이트, 디메타크릴레이트, 트리메타크릴레이트 등의 다관능(polyfunctional) 모노머라도 좋고, 이들을 혼합시킨 것이라도 좋다. 또한, 액정성의 것이라도 좋고, 비액정성의 것이라도 좋고, 이들을 혼합시켜도 좋다. 광 경화성 수지는 액정 조성물에 사용되는 광 중합 개시제가 반응하는 파장의 빛으로 중합하는 수지를 선택하면 좋고, 대표적으로는 자외선 경화 수지를 사용할 수 있다.The photocurable resin may be a monofunctional monomer such as acrylate or methacrylate, or may be a polyfunctional monomer such as diacrylate, triacrylate, dimethacrylate, or trimethacrylate. It may be mixed. Moreover, a liquid crystalline thing may be sufficient, a non-liquid crystalline thing may be sufficient, and these may be mixed. What is necessary is just to select resin which superposes | polymerizes with the light of the wavelength with which the photoinitiator used for a liquid crystal composition reacts, and photocurable resin can use ultraviolet curable resin typically.
광 중합 개시제는 광 조사에 의하여 라디칼을 발생시키는 라디칼 중합 개시제라도 좋고, 산을 발생시키는 산 발생제라도 좋고, 염기를 발생시키는 염기 발생제라도 좋다.The photoinitiator may be a radical polymerization initiator which generates a radical by light irradiation, an acid generator which generates an acid, or a base generator which generates a base.
또한, 도 1b에 씰재(102)의 안쪽에 액정 조성물(106)을 한 방울 적하하는 경우를 도시한다. 다만, 본 실시형태에 기재하는 액정 표시 장치의 제작 방법은 이것에 한정되지 않고, 씰재(102)의 안쪽의 필요한 개소에 복수 방울 적하하여도 좋고, 필요한 양의 액정 조성물(106)을 적하하면 좋다.In addition, the case where the droplet of the
다음에, 제 1 기판(100)에 제 2 기판(108)을 접합한다(도 1c 참조). 제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)은 씰재(102)로 고착된다.Next, the
제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)을 접합함으로써 적하된 액정 조성물(106)이 씰재(102)의 틀 내에 퍼져 액정층(110)이 형성된다. 또한, 액정 조성물(106)은 키랄제를 함유하기 때문에 점성이 높다. 따라서, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)을 접합한 단계에서는 액정층(110)이 씰재(102)의 틀 내 전체 면에 퍼지지 않는(씰재(102)에 접촉되지 않는) 경우가 있다.The
제 2 기판(108)으로서 제 1 기판(100)과 같은 재료를 사용할 수 있다.As the
제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)의 접합은 감압 분위기하에서 행하는 것이 바람직하다. 감압 분위기하에서 접합함으로써 접합한 후에 대기 개방한 경우라도 씰재(102)의 틀 내를 감압 상태로 유지하고, 최종적으로 액정 조성물(106)을 씰재(102)에 접촉되는 영역까지 퍼지게 할 수 있기 때문이다.It is preferable to perform bonding of the 1st board |
또한, 제 1 기판(100) 위에 씰재(102)를 형성한 후(도 1a 공정 후), 또는 제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)을 접합한 후(도 1c 공정 후)에 광 조사 또는 가열 처리에 의하여 씰재(102)를 임시 경화시켜도 좋다. 씰재(102)를 임시 경화시킴으로써 그 후의 가열 처리 공정에서 열 변형으로 인한 기판의 위치 어긋남을 방지할 수 있다. 또한, 씰재(102)와 기판(제 1 기판(100) 및 제 2 기판(108))의 밀착성이 향상되기 때문에 액정 조성물(106)이 씰재를 넘어 외부(틀 외)로 새는 것을 방지할 수 있다. 또한, 액정 조성물(106)을 적하하기 전에 씰재(102)를 임시 경화시킴으로써, 액정 조성물(106)이 씰재(102)와 접촉된 경우에 씰재(102)로부터 액정 조성물(106) 내에 불순물이 혼입되는 것을 저감할 수 있다.In addition, after forming the sealing
다음에, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)에 협지된 액정층(110)에 가열 처리를 실시하고, 상기 가열 처리에 의하여 등방상을 나타내는 액정층(112)으로 한다(도 1d 참조). 가열 처리의 온도는 액정층을 구성하는 액정 조성물을 등방상이 발현될 수 있는 온도 이상으로 하면 좋고, 가열 처리 수단은, 예를 들어, 히터 등 열원을 갖는 스테이지를 사용할 수 있고, 거기에 기판을 배치하여 가열 처리를 행하면 좋다. 또한, 액정 조성물을 적하할 때 제 1 기판(100)에 적하 흔적이 형성되는 경우가 있지만, 액정 조성물을 블루상과 등방상의 상전이 온도보다 10℃ 이상 고온으로 하면 상기 적하 흔적을 소실할 수 있고, 적하 흔적으로 인한 액정층의 배향 흐트러짐을 방지할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 블루상과 등방상의 상전이 온도란 승온시에 블루상에서 등방상으로 상전이하는 온도, 또는 강온시에 등방상에서 블루상으로 상전이하는 온도를 말한다.Next, a heat treatment is performed on the
그 후, 등방상을 나타내는 액정층(112)에 고분자 안정화 처리를 실시하여 액정 조성물(106)에 함유된 광 경화성 수지를 중합함과 함께 액정 조성물(106)에 블루상을 발현시킨다. 이로써, 블루상을 나타내는 액정층(114)을 형성한다(도 1e 참조).Thereafter, a polymer stabilization treatment is performed on the
고분자 안정화 처리는 액정 재료, 키랄제, 광 경화성 수지, 및 광 중합 개시제를 함유한 액정 조성물에 광 경화성 수지, 및 광 중합 개시제가 반응하는 파장의 빛을 조사하여 행할 수 있다.The polymer stabilization treatment can be performed by irradiating light of a wavelength at which the photocurable resin and the photopolymerization initiator react with a liquid crystal composition containing a liquid crystal material, a chiral agent, a photocurable resin, and a photopolymerization initiator.
광 조사를 행하기 전(고분자 안정화 처리를 행하기 전)에는 액정 조성물에 함유된 광 경화성 수지는 모노머 상태이고, 광 조사에 의하여 광 경화성 수지가 중합하여 폴리머 상태로 서서히 변화된다. 블루상과 등방상의 상전이 온도는 액정 조성물 내의 액정 재료에 더하여 모노머 상태의 광 경화성 수지의 영향을 받는 한편, 폴리머 상태의 광 경화성 수지는 상기 온도에 영향을 미치기 어렵다. 따라서, 광 조사에 의하여 액정 조성물에 함유된 폴리머 상태의 광 경화성 수지의 비율이 증가됨에 따라 블루상과 등방상의 상전이 온도는 선형적으로 상승(또는 저하)한다. 일반적으로, 모노머 상태의 광 경화성 수지를 함유함으로써 블루상과 등방상의 상전이 온도는 저하된다.Before the light irradiation (before the polymer stabilization treatment), the photocurable resin contained in the liquid crystal composition is in a monomer state, and the photocurable resin polymerizes by light irradiation and gradually changes to a polymer state. The phase transition temperatures of the blue phase and the isotropic phase are affected by the photocurable resin in the monomer state in addition to the liquid crystal material in the liquid crystal composition, while the photocurable resin in the polymer state is less likely to affect the temperature. Therefore, as the ratio of the photocurable resin in the polymer state contained in the liquid crystal composition is increased by light irradiation, the phase transition temperatures of the blue phase and the isotropic phase linearly rise (or decrease). Generally, the phase transition temperature of a blue phase and an isotropic phase falls by containing the photocurable resin of a monomer state.
본 실시형태에서 사용하는 액정 조성물은 모노머 상태의 광 경화성 수지를 함유함으로써 액정 재료와 키랄제만을 함유한 경우와 비교하여 블루상과 등방상의 상전이 온도가 저하되도록 조정된다. 따라서, 광 조사에 의하여 폴리머 상태의 광 경화성 수지가 증가함으로써 액정 조성물의 블루상과 등방상의 상전이 온도가 상승한다.The liquid crystal composition used by this embodiment is adjusted so that the phase transition temperature of a blue phase and an isotropic phase may fall compared with the case where only a liquid crystal material and a chiral agent are contained by containing the photocurable resin of a monomer state. Therefore, the phase transition temperature of a blue phase and an isotropic phase of a liquid crystal composition increases by increasing light-curable resin of a polymer state by light irradiation.
도 2에 본 실시형태에 사용하는 액정 조성물에서의 배향 상태의 모델도를 도시한다. 도 2에서 가로 축은 액정 조성물로의 광 조사 시간, 세로 축은 액정 조성물의 온도를 나타낸다. 또한, 파선(200)은 블루상과 등방상의 상전이 온도를 나타낸 것이다. 또한, 도 2에서 Ta는 광 조사를 행하기 전의 액정 조성물에서의 블루상과 등방상의 상전이 온도를 나타낸다.The model figure of the orientation state in the liquid crystal composition used for this embodiment in FIG. 2 is shown. In FIG. 2, the horizontal axis represents light irradiation time to the liquid crystal composition, and the vertical axis represents temperature of the liquid crystal composition. In addition, the
본 실시형태에서 기재하는 액정 표시 장치의 제작 방법은 등방상을 나타내는 액정층(112), 즉 Ta보다 높은 온도를 갖는 액정층에 광 조사하여 고분자 안정화 처리를 행함과 함께 광 조사 처리 중에 등방상에서 블루상으로 상전이시킨다. 상술한 바와 같이, 본 실시형태에서 사용하는 액정 조성물은 광 조사에 의하여 폴리머 상태의 광 경화성 수지가 증가함으로써 액정 조성물의 블루상과 등방상의 상전이 온도가 상승하기 때문에, 예를 들어, 온도 Tb를 갖는 액정층에 t1 시간 동안 광 조사하는 경우에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 광 조사에 의하여 파선(200)으로 나타내어지는 블루상과 등방상의 상전이 온도도 상승한다. 따라서, 액정층의 온도를 Tb로 유지하여 광 조사함으로써 광 조사 종료시(t1 시간 지났을 때)에는 블루상을 나타내는 액정층(114)을 형성할 수 있다. 이와 같이, 본 실시형태에 기재하는 액정 표시 장치의 제작 방법에 의하면, 광 경화성 수지의 중합과 등방상에서 블루상으로의 상전이를 동시에(동일 공정으로) 행할 수 있다.The manufacturing method of the liquid crystal display device described in this embodiment is irradiated with light to a
블루상을 나타내는 액정층에 고분자 안정화 처리를 시작하는 경우에는, 블루상이 발현될 때 상전이로 인한 체적 수축에 의하여 응력 등의 변형이 집중되는 영역이 형성되기 때문에 광 조사시에 상기 영역에 배향 결함이 생길 경우가 있다. 그러나, 본 실시형태에 기재하는 바와 같이, 블루상의 발현과 고분자 안정화 처리(광 경화성 수지의 중합이라고 바꿔 말할 수도 있음)를 동시에 행함으로써 체적 수축에 의한 변형이 기판 면 내 전체에 분산되기 때문에 배향 결함을 억제할 수 있다.When the polymer stabilization process is started in the liquid crystal layer showing the blue phase, when the blue phase is expressed, an alignment defect is formed in the region during light irradiation because a region in which deformation such as stress is concentrated due to volume shrinkage due to phase transition is formed. It may occur. However, as described in this embodiment, the alignment defect is dispersed because the deformation due to volume shrinkage is dispersed throughout the entire surface of the substrate by simultaneously performing the expression of the blue phase and the polymer stabilization treatment (which may be referred to as polymerization of the photocurable resin). Can be suppressed.
또한, 블루상을 나타내는 액정층에 고분자 안정화 처리를 시작하는 경우에는, 고분자 안정화 처리를 행하기 전에 액정층을 다시 배향시키기 위하여 등방상이 발현될 때까지 가열하고, 그 후 블루상이 발현되는 온도까지 액정층을 서서히 냉각시킨다. 여기서, 액정층을 서서히 냉각시킬 때 배향 결함을 억제하기 위하여 온도를 치밀하게 제어할 필요가 있다. 그러나, 본 실시형태에 기재하는 액정 표시 장치의 제작 방법에 따르면, 온도를 복잡하게 제어하지 않고 등방상이 발현될 때까지 가열한 액정 조성물에 고분자 안정화 처리를 행할 수 있으므로 공정을 간략화할 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 필요하면 등방상이 발현될 때까지 가열한 후에 등방상이 발현되는 온도 범위 내에서 급속히 냉각시킬 수도 있으므로 액정 표시 장치 제작의 스루풋(throughput)도 향상된다.In addition, when starting a polymer stabilization process to the liquid crystal layer which shows a blue phase, in order to orientate a liquid crystal layer again before performing a polymer stabilization process, it heats until an isotropic phase is expressed, and after that, a liquid crystal is carried out to the temperature which a blue phase expresses. Cool the layer slowly. Here, it is necessary to control temperature precisely in order to suppress an orientation defect when cooling a liquid crystal layer gradually. However, according to the manufacturing method of the liquid crystal display device described in this embodiment, since the polymer stabilization process can be performed to the liquid crystal composition heated until an isotropic phase is expressed without complicated temperature control, a process can be simplified and a yield Can improve. In addition, since it is possible to cool rapidly within the temperature range in which the isotropic phase is expressed after heating until the isotropic phase is expressed if necessary, the throughput of manufacturing the liquid crystal display device is also improved.
고분자 안정화 처리 후, 씰재(102)의 경화 처리를 행한다. 경화 처리는 씰재의 재료에 따라 적절히 설정하면 좋고, 예를 들어, 씰재(102)로서 열 경화성 수지를 사용하는 경우에는, 가열 처리를 행함으로써 씰재(102)를 경화시킨다. 또는, 씰재(102)로서 광 경화성 수지를 사용하는 경우에는, 상기 광 경화성 수지가 반응하는 파장의 빛을 조사함으로써 씰재(102)를 경화시킨다. 또한, 제 1 기판(100) 위에 씰재(102)를 형성한 후 또는 제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)을 접합한 후에 씰재(102)를 임시 경화시키는 경우에는, 이 경화 처리에 의하여 씰재(102)를 완전 경화시킬 수 있다.After the polymer stabilization treatment, the
또한, 씰재(102)로서 광 경화성 수지를 사용하는 경우에는, 고분자 안정화 처리의 광 조사 공정에서 씰재(102)를 동시에 경화(또는 완전 경화)시켜도 좋다. 또한, 씰재(102)로서 열 경화성 수지를 사용하는 경우에는, 등방상을 발현시키기 위한 가열 처리에서 씰재(102)를 경화(또는 완전 경화)시켜도 좋다. 이러한 경우에는, 경화 처리 공정을 삭감할 수 있으므로 제작 프로세스를 간략화할 수 있다.In addition, when using photocurable resin as the sealing
또한, 도시하지 않지만, 액정 표시 장치에 편광판, 위상차판, 반사 방지막 등 광학 필름 등은 적절히 설치할 수 있는 것으로 한다. 예를 들어, 편광판 및 위상차판에 의한 원편광을 사용하여도 좋다. 또한, 광원으로서 백 라이트(backlight), 사이드 라이트 등을 사용하여도 좋다.In addition, although not shown in figure, an optical film, such as a polarizing plate, a retardation plate, and an anti-reflective film, can be installed suitably in a liquid crystal display device. For example, circularly polarized light by a polarizing plate and a retardation plate may be used. In addition, a backlight, a side light, or the like may be used as the light source.
본 명세서에 있어서, 액정 표시 장치가 광원의 빛을 투과하여 표시하는 투과형 액정 표시 장치(또는 반투광형 액정 표시 장치)인 경우에는, 적어도 화소 영역에서 빛을 투과시킬 필요가 있다. 따라서, 광이 투과하는 화소 영역에 존재하는 제 1 기판, 제 2 기판, 또는 제 1 기판 또는 제 2 기판에 제공된 절연막이나 도전막 등의 박막은 모두 가시광의 파장 영역의 빛에 투광성을 갖는 것으로 한다.In the present specification, when the liquid crystal display device is a transmissive liquid crystal display device (or semi-transmissive liquid crystal display device) that transmits and displays light of a light source, it is necessary to transmit light at least in the pixel region. Therefore, all the thin films, such as an insulating film and a conductive film provided in the 1st board | substrate, the 2nd board | substrate, or the 1st board | substrate or the 2nd board | substrate which exist in the pixel area through which light transmits, shall transmit light to the light of the wavelength range of visible light. .
액정층에 전압을 인가하는 전극층(화소 전극층, 공통 전극층, 대향 전극층 등이라고 함)은 투광성을 갖는 것이 바람직하지만, 전극층의 패턴에 따라서는 금속막 등 비투광성 재료를 사용하여도 좋다.The electrode layer (called a pixel electrode layer, a common electrode layer, a counter electrode layer, etc.) for applying a voltage to the liquid crystal layer preferably has light transmittance, but a non-transmissive material such as a metal film may be used depending on the pattern of the electrode layer.
전극층은 인듐주석 산화물(ITO), 산화인듐에 산화아연(ZnO)을 혼합한 도전 재료, 산화인듐에 산화실리콘(SiO2)을 혼합한 도전 재료, 유기 인듐, 유기 주석, 산화텅스텐을 함유한 인듐 산화물, 산화텅스텐을 함유한 인듐아연 산화물, 산화티타늄을 함유한 인듐 산화물, 산화티타늄을 함유한 인듐주석 산화물, 그래핀, 또는 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈(Ta), 크롬(Cr), 코발트(Co), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag) 등의 금속, 또는 그 합금, 또는 그 금속 질화물 중 하나 또는 복수 종류를 사용하여 형성할 수 있다.The electrode layer includes indium tin oxide (ITO), a conductive material in which zinc oxide (ZnO) is mixed with indium oxide, a conductive material in which silicon oxide (SiO 2 ) is mixed with indium oxide, indium containing organic indium, organic tin, and tungsten oxide Oxide, indium zinc oxide containing tungsten oxide, indium oxide containing titanium oxide, indium tin oxide containing titanium oxide, graphene or tungsten (W), molybdenum (Mo), zirconium (Zr), hafnium (Hf) ), Vanadium (V), niobium (Nb), tantalum (Ta), chromium (Cr), cobalt (Co), nickel (Ni), titanium (Ti), platinum (Pt), aluminum (Al), copper (Cu) ), Metals such as silver (Ag), alloys thereof, or one or more kinds of metal nitrides thereof can be formed.
또한, 전극층으로서 도전성 고분자(도전성 폴리머라고도 함)를 함유한 도전성 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 도전성 조성물을 사용하여 형성한 화소 전극은 시트 저항이 10000Ω/sq. 이하, 파장 550nm에서의 투광률이 70% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 도전성 조성물에 함유된 도전성 고분자의 저항률이 0.1Ω?cm 이하인 것이 바람직하다.Moreover, it can form using the electroconductive composition containing a conductive polymer (also called a conductive polymer) as an electrode layer. The pixel electrode formed using the conductive composition has a sheet resistance of 10000 Ω / sq. Hereinafter, it is preferable that the light transmittance at wavelength 550nm is 70% or more. Moreover, it is preferable that the resistivity of the conductive polymer contained in a conductive composition is 0.1 ohm * cm or less.
도전성 고분자로서는 소위 π전자 공액계 도전성 고분자를 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리아닐린 또는 그 유도체, 폴리피롤 또는 그 유도체, 폴리티오펜 또는 그 유도체, 또는 아닐린, 피롤 및 티오펜 중 2종류 이상으로 이루어진 공중합체 또는 그 유도체 등을 들 수 있다.As the conductive polymer, a so-called π-electron conjugated conductive polymer can be used. For example, polyaniline or derivatives thereof, polypyrrole or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, or a copolymer consisting of two or more of aniline, pyrrole and thiophene or derivatives thereof may be mentioned.
상술한 공정을 거쳐 본 실시형태의 액정 표시 장치를 제작할 수 있다. 본 실시형태에 기재하는 제작 방법을 사용하여 제작된 액정 표시 장치는 배향 결함이 억제되고, 안정적으로 블루상이 발현될 수 있는 신뢰성이 높은 액정 표시 장치다. 또한, 본 실시형태를 적용함으로써 액정 표시 장치를 제작할 때의 수율을 향상시킬 수 있다.The liquid crystal display device of this embodiment can be manufactured through the above-mentioned process. The liquid crystal display device produced using the manufacturing method described in this embodiment is a highly reliable liquid crystal display device in which orientation defects can be suppressed and a blue phase can be stably expressed. Moreover, the yield at the time of manufacturing a liquid crystal display device can be improved by applying this embodiment.
또한, 본 실시형태는 다른 실시형태의 기재 내용과 적절히 조합하여 실시할 수 있다.In addition, this embodiment can be implemented in appropriate combination with the description content of another embodiment.
(실시형태 2)(Embodiment 2)
본 실시형태에서는 상기 실시형태에서 제작한 액정 표시 장치의 일례에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.In this embodiment, an example of the liquid crystal display device produced by the said embodiment is demonstrated with reference to drawings.
도 3a 및 도 3b는 제 1 기판(4001) 위에 형성된 트랜지스터(4010), 트랜지스터(4011), 및 액정 소자(4013)를 제 2 기판(4006)과의 사이에 씰재(4005)로 밀봉한 패널의 상면도이고, 도 3c는 도 3a 및 도 3b의 선 M-N을 따라 절단한 단면도에 상당한다.3A and 3B illustrate a panel in which a
제 1 기판(4001) 위에 제공된 화소부(4002)와 주사선 구동 회로(4004)를 둘러싸도록 씰재(4005)가 제공된다. 또한, 화소부(4002)와 주사선 구동 회로(4004) 위에 제 2 기판(4006)이 제공된다. 화소부(4002)와 주사선 구동 회로(4004)는 제 1 기판(4001), 씰재(4005), 제 2 기판(4006)으로 블루상을 나타내는 액정층(4008)과 함께 밀봉된다.A
또한, 도 3a는 제 1 기판(4001) 위의 씰재(4005)로 둘러싸인 영역과 다른 영역에 별도 준비된 기판 위에 단결정 반도체막 또는 다결정 반도체막으로 형성된 신호선 구동 회로(4003)가 실장된다. 또한, 도 3b는 신호선 구동 회로의 일부분을 제 1 기판(4001) 위에 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터로 형성하는 예이고, 제 1 기판(4001) 위에 신호선 구동 회로(4003b)가 형성되고, 또 별도 준비된 기판 위에 단결정 반도체막 또는 다결정 반도체막으로 형성된 신호선 구동 회로(4003a)가 실장된다.3A shows a signal
또한, 별도 형성한 구동 회로의 접속 방법은 특별히 한정되지 않고, COG 방법, 와이어 본딩 방법, 또는 TAB 방법 등을 사용할 수 있다. 도 3a는 COG 방법에 의하여 신호선 구동 회로(4003)를 실장하는 예이고, 도 3b는 TAB 방법에 의하여 신호선 구동 회로(4003a)를 실장하는 예이다.In addition, the connection method of the drive circuit formed separately is not specifically limited, A COG method, a wire bonding method, a TAB method, etc. can be used. 3A shows an example of mounting the signal
또한, 제 1 기판(4001) 위에 제공된 화소부(4002)와 주사선 구동 회로(4004)는 복수의 트랜지스터를 갖고, 도 3c에 화소부(4002)에 포함되는 트랜지스터(4010)와 주사선 구동 회로(4004)에 포함되는 트랜지스터(4011)를 예시한다. 트랜지스터(4010) 및 트랜지스터(4011) 위에 절연층(4020) 및 절연층(4021)이 형성된다.The
트랜지스터(4010) 및 트랜지스터(4011)는 특별히 한정되지 않고 다양한 트랜지스터를 적용할 수 있다. 트랜지스터(4010) 및 트랜지스터(4011)의 채널층은 실리콘(비정질 실리콘, 미결정(微結晶) 실리콘, 또는 폴리실리콘) 등의 반도체나 산화물 반도체를 사용할 수 있다. The
또한, 제 1 기판(4001) 위에 화소 전극층(4030) 및 공통 전극층(4031)이 제공되고, 화소 전극층(4030)은 트랜지스터(4010)와 전기적으로 접속된다. 액정 소자(4013)는 화소 전극층(4030), 공통 전극층(4031), 및 액정층(4008)을 포함한다.In addition, a
또한, 블루상을 나타내는 액정층(4008)을 갖는 액정 표시 장치에서 기판에 대략 평행(즉, 기판에 수평인 방향)으로 전계를 발생시켜 기판과 평행한 면내에서 액정 분자를 움직임으로써 계조(階調)를 제어하는 방식을 사용할 수 있다. 이와 같은 방식으로서 본 실시형태에서는 도 3c에 도시한 바와 같은 IPS(In Plane Switching) 모드에서 사용하는 전극 구성을 적용하는 경우를 기재한다. 또한, IPS 모드에 한정되지 않고, FFS(Fringe Field Switching) 모드에서 사용하는 전극 구성을 적용할 수도 있다.In addition, in a liquid crystal display device having a
또한, 제 1 기판(4001) 및 제 2 기판(4006)으로서는 투광성을 갖는 유리, 플라스틱 등을 사용할 수 있다. 플라스틱으로서는 폴리에테르설폰(PES), 폴리이미드, FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics)판, PVF(폴리비닐플루오라이드) 필름, 폴리에스테르 필름, 또는 아크릴 수지 필름을 사용할 수 있다. 또한, 알루미늄 포일을 PVF 필름이나 폴리에스테르 필름으로 끼운 구조의 시트를 사용할 수도 있다.As the
또한, 액정층(4008)의 막 두께(셀 갭)를 제어하기 위하여 설치되는 기둥 형상 스페이서(4035)는 절연막을 선택적으로 에칭함으로써 형성할 수 있다. 또한, 기둥 형상 스페이서(4035) 대신에 구(球) 형상 스페이서를 사용하여도 좋다.In addition, the
도 3c에서는 트랜지스터(4010) 및 트랜지스터(4011) 상방을 덮도록 차광층(4034)이 제 2 기판(4006) 측에 제공된다. 차광층(4034)을 제공함으로써 트랜지스터 안정화의 효과를 높일 수 있다. 이 차광층(4034)은 제 1 기판(4001) 측에 제공되어도 좋다. 이 경우에는, 제 2 기판(4006) 측에서 광 조사하여 고분자 안정화 처리를 행하였을 때 차광층(4034) 위의 액정 조성물에 함유된 광 경화성 수지도 중합시킬 수 있다.In FIG. 3C, a
차광층(4034)은 제 1 기판(4001) 측에 제공하는 경우에는, 차광층(4034)을 트랜지스터의 보호막으로서 기능하는 절연층(4020)으로 덮는 구성으로 하여도 좋지만, 특별히 한정되지 않는다.When the
또한, 보호막은 대기 중에 부유되는 유기물이나 금속물, 수증기 등의 오염 불순물의 침입을 방지하기 위한 것이고, 치밀한 막이 바람직하다. 보호막은 스퍼터링법을 사용하여 산화실리콘막, 질화실리콘막, 산화질화실리콘막, 질화산화실리콘막, 산화알루미늄막, 질화알루미늄막, 산화질화알루미늄막, 또는 질화산화알루미늄막을 단층으로 또는 적층하여 형성하면 좋다.In addition, the protective film is for preventing the ingress of contaminant impurities such as organic matter, metal matter, water vapor and the like suspended in the air, and a dense film is preferable. When the protective film is formed by sputtering, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, a silicon nitride oxide film, an aluminum oxide film, an aluminum nitride film, an aluminum oxynitride film, or an aluminum nitride oxide film is formed in a single layer or laminated. good.
또한, 보호막을 형성한 후에 반도체층을 300℃ 내지 400℃로 가열 처리하여도 좋다.In addition, after forming a protective film, you may heat-process a semiconductor layer at 300 degreeC-400 degreeC.
화소 전극층(4030) 및 공통 전극층(4031)은 산화텅스텐을 함유한 인듐 산화물, 산화텅스텐을 함유한 인듐아연 산화물, 산화티타늄을 함유한 인듐 산화물, 산화티타늄을 함유한 인듐주석 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물, 산화실리콘이 첨가된 인듐주석 산화물, 그래핀 등의 투광성을 갖는 도전성 재료를 사용할 수 있다.The
또한, 화소 전극층(4030) 및 공통 전극층(4031)으로서 도전성 고분자(도전성 폴리머라고도 함)를 함유한 도전성 조성물을 사용하여 형성할 수 있다.In addition, it can be formed using a conductive composition containing a conductive polymer (also referred to as a conductive polymer) as the
또한, 별도로 형성된 신호선 구동 회로(4003)와 주사선 구동 회로(4004), 또는 화소부(4002)에 FPC(4018)로부터 각종 신호 및 전위가 공급된다.In addition, various signals and potentials are supplied from the
또한, 트랜지스터는 정전기 등으로 인하여 파괴되기 쉬우므로, 구동 회로 보호용 보호 회로를 게이트선(gate line) 또는 소스선(source line)과 동일 기판 위에 제공하는 것이 바람직하다. 보호 회로는 산화물 반도체를 사용한 비선형 소자를 사용하여 구성하는 것이 바람직하다.In addition, since the transistor is easily destroyed by static electricity or the like, it is preferable to provide a protection circuit for driving circuit protection on the same substrate as the gate line or the source line. It is preferable to comprise a protection circuit using the nonlinear element using an oxide semiconductor.
도 3c에서는 접속 단자 전극(4015)이 화소 전극층(4030)과 같은 도전막으로 형성되고, 단자 전극(4016)은 트랜지스터(4010) 및 트랜지스터(4011)의 소스 전극층 및 드레인 전극층과 같은 도전막으로 형성된다.In FIG. 3C, the
접속 단자 전극(4015)은 FPC(4018)가 갖는 단자와 이방성 도전막(4019)을 통하여 전기적으로 접속된다.The
또한, 도 3a, 도 3b, 및 도 3c에서는 신호선 구동 회로(4003)를 별도로 형성하고, 제 1 기판(4001)에 실장하는 예를 도시하지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 주사선 구동 회로를 별도로 형성하고 실장하여도 좋고, 신호선 구동 회로의 일부분 또는 주사선 구동 회로의 일부분만을 별도로 형성하고 실장하여도 좋다.3A, 3B, and 3C show an example in which the signal
또한, 본 명세서에 개시하는 액정 표시 장치에 적용할 수 있는 트랜지스터의 구조는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 톱 게이트(top-gate) 구조 또는 보텀 게이트(bottom-gate) 구조의 스태거형(staggered) 및 플래너형(planar) 등을 사용할 수 있다. 또한, 트랜지스터는 채널 영역이 하나 형성되는 싱글 게이트 구조라도 좋고, 2개 형성되는 더블 게이트 구조 또는 3개 형성되는 트리플 게이트 구조라도 좋다. 또한, 채널 영역 상하에 게이트 절연층을 사이에 두고 배치된 2개의 게이트 전극층을 갖는 듀얼 게이트형이라도 좋다.In addition, the structure of the transistor which can be applied to the liquid crystal display device disclosed in the present specification is not particularly limited, and for example, a stagger type of a top-gate structure or a bottom-gate structure ( staggered and planar, etc. may be used. The transistor may be a single gate structure in which one channel region is formed, a double gate structure in which two channels are formed, or a triple gate structure in which three channels are formed. Alternatively, a dual gate type may be provided having two gate electrode layers arranged above and below the channel region with the gate insulating layer interposed therebetween.
도 4는 액정 표시 장치의 단면 구조의 일례이며, 소자 기판(2600)과 대향 기판(2601)이 씰재(2602)로 고착되고, 그 사이에 트랜지스터 등을 포함하는 소자층(2603), 액정층(2604)이 제공된다.4 shows an example of a cross-sectional structure of a liquid crystal display device, in which an
컬러 표시하는 경우에는, 백 라이트부에 복수 종류의 발광색을 사출하는 발광 다이오드를 배치한다. RGB 방식의 경우에는, 적색 발광 다이오드(2910R), 녹색 발광 다이오드(2910G), 청색 발광 다이오드(2910B)를 액정 표시 장치의 표시 에어리어(area)를 복수로 분할한 분할 영역에 각각 배치한다.In the case of color display, light emitting diodes emitting a plurality of types of light emitting colors are disposed in the backlight unit. In the case of the RGB system, the red
대향 기판(2601) 외측에 편광판(2606)이 제공되고, 소자 기판(2600) 외측에 편광판(2607) 및 광학 시트(2613)가 배치된다. 광원은 적색 발광 다이오드(2910R), 녹색 발광 다이오드(2910G), 청색 발광 다이오드(2910B), 및 반사판(2611)으로 구성되고, 회로 기판(2612)에 제공된 LED 제어 회로(2912)는 플렉시블 배선 기판(2609)을 통하여 소자 기판(2600)의 배선 회로부(2608)와 접속되고, 또한, 컨트롤 회로나 전원 회로 등의 외부 회로가 내장된다.The
이 LED 제어 회로(2912)에 의하여 개별적으로 LED를 발광시킴으로써 필드 시퀀셜(field-sequential) 방식의 액정 표시 장치로 할 수 있다.The
본 실시형태는 다른 실시형태에 기재한 구성과 적절히 조합하여 실시할 수 있다.This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the structures described in the other embodiments.
(실시형태 3)(Embodiment 3)
본 명세서에 개시하는 액정 표시 장치가 갖는 트랜지스터의 반도체층에 사용되는 반도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 본 실시형태에서 트랜지스터의 반도체층에 사용할 수 있는 재료의 예를 설명한다.The semiconductor material used for the semiconductor layer of the transistor which the liquid crystal display device disclosed by this specification has is not specifically limited. An example of the material that can be used for the semiconductor layer of the transistor in this embodiment will be described.
반도체 소자가 갖는 반도체층을 형성하는 재료는 스퍼터링법이나 실란이나 게르만으로 대표되는 반도체 재료 가스를 사용한 기상 성장법으로 제작되는 비정질(아모퍼스(amorphous), 이하 “AS”라고도 기재함) 반도체, 상기 비정질 반도체를 광 에너지나 열 에너지를 이용하여 결정화시킨 다결정 반도체, 또는 미결정(세미 아모퍼스 또는 마이크로 크리스털이라고도 불리고, 이하 “SAS”라고도 기재함) 반도체 등을 사용할 수 있다. 반도체층은 스퍼터링법, LPCVD법, 또는 플라즈마 CVD법 등에 의하여 형성할 수 있다.The material for forming the semiconductor layer of the semiconductor device is an amorphous (amorphous, also referred to as "AS") semiconductor produced by the sputtering method or the vapor phase growth method using a semiconductor material gas represented by silane or germane, the above-mentioned Polycrystalline semiconductors or microcrystalline (also referred to as semi-amorphous or microcrystals, also referred to as "SAS") semiconductors in which an amorphous semiconductor is crystallized using light energy or thermal energy, and the like can be used. The semiconductor layer can be formed by sputtering, LPCVD, plasma CVD, or the like.
미결정 반도체막은 깁스 자유 에너지(Gibbs free energy)를 고려하면 비정질과 단결정의 중간적인 준안정 상태에 속하는 것이다. 즉, 자유 에너지적으로 안정된 제 3 상태를 갖는 반도체이고, 단거리 질서를 갖고 격자 왜곡을 갖는다. 기둥 형상 결정 또는 침(針) 형상 결정이 기판 표면에 대하여 법선 방향으로 성장한다. 미결정 반도체의 대표적인 예인 미결정 실리콘은 그 라만 스펙트럼이 단결정 실리콘을 나타내는 520cm-1보다 저파수 측으로 시프트한다. 즉, 단결정 실리콘을 나타내는 520cm-1과 비정질 실리콘을 나타내는 480cm-1 사이에 미결정 실리콘의 라만 스펙트럼의 피크가 있다. 또한, 미결정 반도체막은 미결합수(댕글링 본드)를 종단하기 위하여 수소 또는 할로겐을 적어도 1at.%, 또는 그 이상 포함시킨다. 또한, 헬륨, 아르곤, 크립톤, 네온 등 희가스 원소를 함유시켜 격자 왜곡을 더 촉진시킴으로써 안정성이 증가되어 양호한 미결정 반도체막이 얻어진다.The microcrystalline semiconductor film belongs to an intermediate metastable state of amorphous and single crystal in consideration of Gibbs free energy. That is, it is a semiconductor having a free energy stable third state, has short-range order, and has lattice distortion. Columnar crystals or needle-shaped crystals grow in the normal direction with respect to the substrate surface. The microcrystalline silicon, a representative example of the microcrystalline semiconductor, shifts toward the lower wave side than the 520 cm -1 where the Raman spectrum represents single crystal silicon. In other words, the peak of the Raman spectrum of the microcrystalline silicon between 480cm -1 to 520cm -1 showing an amorphous silicon indicates a single crystalline silicon. Further, the microcrystalline semiconductor film contains at least 1 at.% Or more of hydrogen or halogen in order to terminate the unbound water (dangling bond). Further, by containing rare gas elements such as helium, argon, krypton, and neon to further promote lattice distortion, stability is increased to obtain a good microcrystalline semiconductor film.
이 미결정 반도체막은 주파수가 수십MHz 내지 수백MHz인 고주파 플라즈마 CVD법 또는 주파수가 1GHz 이상인 마이크로파 플라즈마 CVD 장치에 의하여 형성할 수 있다. 대표적으로는, SiH4, Si2H6, SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, SiF4 등의 수소화 실리콘을 수소로 희석하여 형성할 수 있다. 또한, 수소화 실리콘 및 수소에 더하여 헬륨, 아르곤, 크립톤, 네온 중에서 선택된 하나 또는 복수 종류의 희가스 원소로 희석하여 미결정 반도체막을 형성할 수 있다. 이 때, 수소화 실리콘에 대하여 수소의 유량 비율을 5배 이상 200배 이하, 바람직하게는, 50배 이상 150배 이하, 더 바람직하게는 100배로 한다.The microcrystalline semiconductor film can be formed by a high frequency plasma CVD method having a frequency of several tens of MHz to several hundred MHz or a microwave plasma CVD apparatus having a frequency of 1 GHz or more. Typically, hydrogenated silicon such as SiH 4 , Si 2 H 6 , SiH 2 Cl 2 , SiHCl 3 , SiCl 4 , SiF 4, and the like can be formed by diluting with hydrogen. Further, in addition to silicon hydride and hydrogen, a microcrystalline semiconductor film can be formed by diluting with one or a plurality of rare gas elements selected from helium, argon, krypton, and neon. At this time, the flow rate ratio of hydrogen to silicon hydride is 5 times or more and 200 times or less, preferably 50 times or more and 150 times or less, more preferably 100 times.
비정질 반도체로서 대표적으로는 수소화 비정질 실리콘, 결정성 반도체로서 대표적으로는 폴리실리콘 등을 들 수 있다. 폴리실리콘(다결정 실리콘)에는 800℃ 이상의 프로세스 온도로 형성되는 폴리실리콘을 주재료로서 사용한 소위 고온 폴리실리콘, 600℃ 이하의 프로세스 온도로 형성되는 폴리실리콘을 주재료로서 사용한 소위 저온 폴리실리콘, 결정화를 촉진시키는 원소 등을 사용하여 비정질 실리콘을 결정화시킨 폴리실리콘 등을 포함한다. 물론, 상술한 바와 같이, 미결정 반도체 또는 반도체층의 일부분에 결정상을 포함하는 반도체를 사용할 수도 있다.Typical examples of the amorphous semiconductor include hydrogenated amorphous silicon and typical examples of the crystalline semiconductor include polysilicon and the like. Polysilicon (polycrystalline silicon) includes so-called high-temperature polysilicon using polysilicon formed at a process temperature of 800 ° C. or higher as a main material, and so-called low-temperature polysilicon using polysilicon formed at a process temperature of 600 ° C. or lower as a main material, which promotes crystallization. Polysilicon obtained by crystallizing amorphous silicon using an element or the like. Of course, as described above, a microcrystalline semiconductor or a semiconductor including a crystal phase in a part of the semiconductor layer may be used.
또한, 반도체 재료로서 실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 등의 단체(單體) 외 GaAs, InP, SiC, ZnSe, GaN, SiGe 등 화합물 반도체도 사용할 수 있다.As the semiconductor material, compound semiconductors such as GaAs, InP, SiC, ZnSe, GaN, SiGe, etc., other than single bodies such as silicon (Si) and germanium (Ge) can also be used.
반도체층에 결정성 반도체막을 사용하는 경우에는, 그 결정성 반도체막의 제작 방법은 다양한 방법(레이저 결정화법, 열 결정화법, 또는 니켈 등의 결정화를 촉진시키는 원소를 사용한 열 결정화법 등)을 사용하면 좋다. 또한, SAS인 미결정 반도체를 레이저 조사하여 결정화하여 결정성을 높일 수도 있다. 결정화를 촉진시키는 원소를 도입하지 않는 경우에는, 비정질 실리콘막에 레이저 광을 조사하기 전에 질소 분위기하 500℃로 1시간 동안 가열함으로써 비정질 실리콘막의 함유 수소 농도를 1×1020atoms/cm3 이하까지 방출시킨다. 이것은 수소를 많이 함유한 비정질 실리콘막에 레이저 광을 조사하면 비정질 실리콘막이 파괴되기 때문이다.In the case of using a crystalline semiconductor film for the semiconductor layer, various methods (such as laser crystallization method, thermal crystallization method, or thermal crystallization method using an element that promotes crystallization such as nickel) can be used for the method for producing the crystalline semiconductor film. good. In addition, crystallinity may be enhanced by laser irradiation of a microcrystalline semiconductor which is SAS. If no element promoting crystallization is introduced, the hydrogen content of the amorphous silicon film is kept to 1 × 10 20 atoms / cm 3 or less by heating at 500 ° C. under nitrogen atmosphere for 1 hour before irradiating the laser light to the amorphous silicon film. Release. This is because irradiating laser light to an amorphous silicon film containing a lot of hydrogen destroys the amorphous silicon film.
비정질 반도체막에 금속 원소를 도입하는 방법은 상기 금속 원소를 비정질 반도체막의 표면 또는 그 내부에 존재시킬 수 있는 방법이라면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 스퍼터링법, CVD법, 플라즈마 처리법(플라즈마 CVD법도 포함함), 흡착법, 금속염의 용액을 도포하는 방법을 사용할 수 있다. 상기 방법 중 용액을 사용하는 방법은 간편하고, 금속 원소의 농도 조정이 용이한 점에서 유용하다. 또한, 이 때 비정질 반도체막 표면의 습윤성을 개선하고 비정질 반도체막 표면 전체에 수용액을 널리 퍼지게 하기 위하여 산소 분위기 중에서의 UV광 조사, 열 산화법, 하이드록시 라디칼을 포함하는 오존수 또는 과산화수소에 의한 처리 등에 의하여 산화막을 형성하는 것이 바람직하다.The method of introducing a metal element into an amorphous semiconductor film is not particularly limited as long as it can be present on or inside the amorphous semiconductor film. For example, a sputtering method, a CVD method, and a plasma processing method (plasma CVD method also) Containing), adsorption, or a method of applying a solution of a metal salt. The method of using a solution in the said method is useful at the point which is simple and the concentration adjustment of a metal element is easy. In this case, in order to improve the wettability of the surface of the amorphous semiconductor film and to spread the aqueous solution over the entire surface of the amorphous semiconductor film, UV light irradiation in an oxygen atmosphere, a thermal oxidation method, treatment with ozone water or hydrogen peroxide containing hydroxy radicals, or the like may be used. It is preferable to form an oxide film.
또한, 비정질 반도체막을 결정화하여 결정성 반도체막을 형성하는 결정화 공정에서 비정질 반도체막에 결정화를 촉진시키는 원소(촉매 원소, 금속 원소라고도 기재함)를 첨가하고 가열 처리(550℃ 내지 750℃로 3분 내지 24시간)에 의하여 결정화하여도 좋다. 결정화를 촉진시키는 원소로서, 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 구리(Cu), 및 금(Au) 중에서 선택된 하나 또는 복수 종류를 사용할 수 있다.In the crystallization step of crystallizing the amorphous semiconductor film to form a crystalline semiconductor film, an element (also referred to as a catalyst element or a metal element) that promotes crystallization is added to the amorphous semiconductor film, followed by heat treatment (from 3 minutes to 550 ° C. to 750 ° C.). Crystallization in 24 hours). Elements that promote crystallization include iron (Fe), nickel (Ni), cobalt (Co), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), osmium (Os), iridium (Ir), and platinum (Pt) ), Copper (Cu), and gold (Au) may be used one or a plurality of kinds.
결정화를 촉진시키는 원소를 결정성 반도체막으로부터 제거 또는 경감시키기 위하여 결정성 반도체막과 접촉되어 불순물 원소를 함유한 반도체막을 형성하고, 게터링 싱크(gettering sink)로서 기능시킨다. 불순물 원소로서는, n형을 부여하는 불순물 원소, p형을 부여하는 불순물 원소, 희가스 원소 등을 사용할 수 있고, 예를 들어, 인(P), 질소(N), 비소(As), 안티몬(Sb), 비스무트(Bi), 붕소(B), 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 크세논(Xe) 중에서 선택된 하나 또는 복수 종류를 사용할 수 있다. 결정화를 촉진시키는 원소를 함유한 결정성 반도체막에 접촉되어 희가스 원소를 함유한 반도체막을 형성하고 가열 처리(550℃ 내지 750℃로 3분 내지 24시간)를 행한다. 결정성 반도체막 내에 함유된 결정화를 촉진시키는 원소는 희가스 원소를 함유한 반도체막 내로 이동하여 결정성 반도체막 내의 결정화를 촉진시키는 원소는 제거 또는 경감된다. 그 후, 게터링 싱크가 된 희가스 원소를 함유한 반도체막을 제거한다.In order to remove or alleviate the element which promotes crystallization from the crystalline semiconductor film, it is contacted with the crystalline semiconductor film to form a semiconductor film containing impurity elements, and functions as a gettering sink. As the impurity element, an impurity element imparting an n-type, an impurity element imparting a p-type, a rare gas element, or the like can be used. For example, phosphorus (P), nitrogen (N), arsenic (As), and antimony (Sb) can be used. ), Bismuth (Bi), boron (B), helium (He), neon (Ne), argon (Ar), krypton (Kr), xenon (Xe) may be used. A crystalline semiconductor film containing an element that promotes crystallization is contacted to form a semiconductor film containing a rare gas element and subjected to heat treatment (3 minutes to 24 hours at 550 占 폚 to 750 占 폚). The element which promotes crystallization contained in the crystalline semiconductor film is moved into the semiconductor film containing the rare gas element so that the element which promotes crystallization in the crystalline semiconductor film is removed or reduced. Then, the semiconductor film containing the rare gas element which became a gettering sink is removed.
비정질 반도체막의 결정화는 가열 처리와 레이저 광 조사에 의한 결정화를 조합하여도 좋고, 가열 처리나 레이저 광 조사를 단독으로 복수 횟수 행하여도 좋다.Crystallization of the amorphous semiconductor film may be performed by combining heat treatment and crystallization by laser light irradiation, or may be performed a plurality of times by heat treatment or laser light irradiation alone.
또한, 플라즈마법에 의하여 결정성 반도체막을 기판에 직접 형성하여도 좋다. 또한, 플라즈마법에 의하여 결정성 반도체막을 기판에 선택적으로 형성하여도 좋다.Further, the crystalline semiconductor film may be formed directly on the substrate by the plasma method. Further, the crystalline semiconductor film may be selectively formed on the substrate by the plasma method.
또한, 반도체층에 산화물 반도체를 사용하여도 좋다. 예를 들어, 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2) 등도 사용할 수 있다. ZnO를 반도체층에 이용하는 경우에는, 게이트 절연층으로서 Y2O3, Al2O3, TiO2, 이들의 적층 등을 사용하고, 게이트 전극층, 소스 전극층, 드레인 전극층으로서 ITO, Au, Ti 등을 사용할 수 있다. 또한, ZnO에 In이나 Ga 등을 첨가할 수도 있다.In addition, an oxide semiconductor may be used for the semiconductor layer. For example, zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO 2 ), or the like can also be used. When ZnO is used for the semiconductor layer, Y 2 O 3 , Al 2 O 3 , TiO 2 , a lamination thereof, and the like are used, and ITO, Au, Ti, and the like are used as the gate electrode layer, the source electrode layer, and the drain electrode layer. Can be used. Moreover, In, Ga, etc. can also be added to ZnO.
산화물 반도체로서 InMO3(ZnO)m(m>0)으로 표기되는 박막을 사용할 수 있다. 또한, M은 갈륨(Ga), 철(Fe), 니켈(Ni), 망간(Mn), 및 코발트(Co) 중에서 선택된 하나의 금속 원소 또는 복수의 금속 원소를 나타낸다. 예를 들어, M이 Ga인 경우 외 Ga와 Ni 또는 Ga와 Fe 등 Ga 외의 상기 금속 원소가 함유되는 경우가 있다. 또한, 상기 산화물 반도체에서 M으로서 함유되는 금속 원소 외 불순물 원소로서 Fe, Ni 등의 전이 금속 원소 또는 상기 전이 금속의 산화물이 함유되는 경우가 있다. 예를 들어, 산화물 반도체층으로서 In-Ga-Zn-O계 비단결정막을 사용할 수 있다.As the oxide semiconductor, a thin film represented by InMO 3 (ZnO) m (m> 0) can be used. In addition, M represents one metal element or a plurality of metal elements selected from gallium (Ga), iron (Fe), nickel (Ni), manganese (Mn), and cobalt (Co). For example, when M is Ga, the said metallic elements other than Ga, such as Ga and Ni, or Ga and Fe, may be contained. In addition, a transition metal element such as Fe or Ni or an oxide of the transition metal may be contained as an impurity element in addition to the metal element contained as M in the oxide semiconductor. For example, an In—Ga—Zn—O based non-single crystal film can be used as the oxide semiconductor layer.
산화물 반도체층(InMO3(ZnO)m(m>0)막)으로서 In-Ga-Zn-O계 비단결정막 대신에 M을 다른 금속 원소로 하는 InMO3(ZnO)m(m>0)막을 사용하여도 좋다.As an oxide semiconductor layer (InMO 3 (ZnO) m (m> 0) film), an InMO 3 (ZnO) m (m> 0) film having M as another metal element is used instead of the In-Ga-Zn-O based non-single crystal film. You may also do it.
본 실시형태는 다른 실시형태에 기재한 구성과 적절히 조합하여 실시할 수 있다.This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the structures described in the other embodiments.
(실시형태 4)(Fourth Embodiment)
본 명세서에 개시하는 액정 표시 장치는 다양한 전자 기기(게임기도 포함함)에 적용할 수 있다. 전자 기기로서는, 예를 들어, 텔레비전 장치(텔레비전 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 카메라나 디지털 비디오 카메라 등의 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화기(휴대 전화, 휴대 전화 장치라고도 함), 휴대형 게임기, 휴대 정보 단말, 음향 재생 장치, 파친코기 등의 대형 게임기 등을 들 수 있다.The liquid crystal display device disclosed herein can be applied to various electronic devices (including game machines). As the electronic device, for example, a television device (also called a television or a television receiver), a monitor for a computer, a camera such as a digital camera or a digital video camera, a digital photo frame, a mobile phone (also called a mobile phone or a mobile phone device). ), Large game machines such as portable game machines, portable information terminals, sound reproducing apparatuses, and pachinko machines.
도 5a는 전자 서적(E-book이라고도 함)이며, 케이스(9630), 표시부(9631), 조작 키(9632), 태양 전지(9633), 충방전 제어 회로(9634)를 가질 수 있다. 도 5a에 도시한 전자 서적은 각종 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시하는 기능, 달력, 날짜 또는 시각 등을 표시부에 표시하는 기능, 표시부에 표시한 정보를 조작 또는 편집하는 기능, 각종 소프트웨어(프로그램)에 의하여 처리를 제어하는 기능 등을 가질 수 있다. 또한, 도 5a에는 충방전 제어 회로(9634)의 일례로서 배터리(9635), DCDC 컨버터(이하, 컨버터라고 약기함)(9636)를 갖는 구성을 도시한다. 상기 실시형태에 기재한 액정 표시 장치를 표시부(9631)에 적용함으로써 신뢰성이 높은 전자 서적으로 할 수 있다.FIG. 5A illustrates an electronic book (also referred to as an E-book) and may include a
표시부(9631)로서 반 투과형 액정 표시 장치 또는 반사형 액정 표시 장치를 사용하는 경우에는, 비교적 밝은 환경하에 사용되는 것도 예상되기 때문에 도 5a에 도시한 구성으로 함으로써 태양 전지(9633)에 의한 발전 및 배터리(9635)로의 충전을 효율적으로 행할 수 있어 바람직하다. 또한, 태양 전지(9633)는 케이스(9630)의 빈 스페이스(표면이나 이면)에 적절히 설치할 수 있으므로 배터리(9635)를 효율적으로 충전하는 구성으로 할 수 있어 바람직하다. 또한, 배터리(9635)로서 리튬 이온 전지를 사용하면, 소형화를 도모할 수 있는 등의 이점이 있다.In the case of using the transflective liquid crystal display device or the reflective liquid crystal display device as the
또한, 도 5a에 도시한 충방전 제어 회로(9634)의 구성 및 동작에 대하여 도 5b의 블록도를 사용하여 설명한다. 도 5b에는 태양 전지(9633), 배터리(9635), 컨버터(9636), 컨버터(9637), 스위치(SW1) 내지 스위치(SW3), 표시부(9631)를 도시하고, 배터리(9635), 컨버터(9636), 컨버터(9637), 스위치(SW1) 내지 스위치(SW3)가 충방전 제어 회로(9634)에 대응하는 개소다.The configuration and operation of the charge /
우선, 외광을 사용하여 태양 전지(9633)에 의하여 발전되는 경우의 동작예를 설명한다. 태양 전지(9633)에 의하여 발전된 전력은 배터리(9635)를 충전하기 위한 전압이 되도록 컨버터(9636)에 의하여 승압 또는 강압된다. 그리고, 표시부(9631)의 동작에 태양 전지(9633)로부터의 전력이 사용될 때는 스위치(SW1)를 온(on)으로 함으로써 컨버터(9637)에 의하여 표시부(9631)에 필요한 전압으로 승압 또는 강압한다. 또한, 표시부(9631)에서 표시하지 않을 때는 스위치(SW1)를 오프로 하고 스위치(SW2)를 온으로 함으로써 배터리(9635)를 충전하는 구성으로 하면 좋다.First, an example of operation in the case of generating power by the
다음에, 외광을 사용하여 태양 전지(9633)에 의하여 발전되지 않는 경우의 동작예를 설명한다. 배터리(9635)에 축전된 전력은 스위치(SW3)를 온으로 함으로써 컨버터(9637)에 의하여 승압 또는 강압된다. 그리고, 표시부(9631)의 동작에 배터리(9635)로부터의 전력이 사용된다.Next, an example of operation in the case where power is not generated by the
또한, 충전 수단의 일례로서 태양 전지(9633)를 사용하는 예를 기재하지만, 다른 수단에 의하여 배터리(9635)를 충전하는 구성이라도 좋다. 또한, 다른 충전 수단을 조합하여 충전하는 구성이라도 좋다.In addition, although the example which uses the
도 6a는 노트북형 퍼스널 컴퓨터이며, 본체(3001), 케이스(3002), 표시부(3003), 키보드(3004) 등에 의하여 구성된다. 상기 실시형태에 기재한 액정 표시 장치를 표시부(3003)에 적용함으로써, 신뢰성이 높은 노트북형 퍼스널 컴퓨터로 할 수 있다.Fig. 6A is a notebook personal computer, which is composed of a
도 6b는 휴대 정보 단말(PDA)이며, 본체(3021)에 표시부(3023), 외부 인터페이스(3025), 조작 버튼(3024) 등이 제공된다. 또한, 조작용 부속품으로서 스타일러스(stylus)(3022)가 있다. 상기 실시형태에 기재한 액정 표시 장치를 표시부(3023)에 적용함으로써, 신뢰성이 높은 휴대 정보 단말(PDA)로 할 수 있다.6B is a portable information terminal (PDA), and a
도 6c는 전자 서적의 일례를 도시한다. 예를 들어, 전자 서적(2700)은 케이스(2701) 및 케이스(2703)의 2개의 케이스로 구성된다. 케이스(2701) 및 케이스(2703)는 축부(2711)에 의하여 일체가 되고, 상기 축부(2711)를 축으로 하여 개폐 동작할 수 있다. 이러한 구성으로 함으로써 종이로 이루어진 서적처럼 다룰 수 있다.6C shows an example of an electronic book. For example, the
케이스(2701)에는 표시부(2705)가 내장되고, 케이스(2703)에는 표시부(2707)가 내장된다. 표시부(2705) 및 표시부(2707)는 연속된 화면을 표시하는 구성으로 하여도 좋고, 상이한 화면을 표시하는 구성으로 하여도 좋다. 상이한 화면을 표시하는 구성으로 함으로써, 예를 들어, 오른측의 표시부(도 6c에서는 표시부(2705))에 문장을 표시하고, 왼측의 표시부(도 6c에서는 표시부(2707))에 화상을 표시할 수 있다. 상기 실시형태에 기재한 액정 표시 장치를 표시부(2705), 표시부(2707)에 적용함으로써, 신뢰성이 높은 전자 서적으로 할 수 있다.The
또한, 도 6c에서는 케이스(2701)에 조작부 등을 구비한 예를 도시하고 있다. 예를 들어, 케이스(2701)에 있어서, 전원(2721), 조작 키(2723), 스피커(2725) 등을 구비한다. 조작 키(2723)에 의하여 페이지를 넘길 수 있다. 또한, 케이스의 표시부와 동일 면에 키보드나 포인팅 디바이스 등을 구비하는 구성으로 하여도 좋다. 또한, 케이스의 이면이나 측면에 외부 접속용 단자(이어폰 단자, USB 단자 등), 기록 매체 삽입부 등을 구비하는 구성으로 하여도 좋다. 또한, 전자 서적(2700)은 전자 사전으로서의 기능을 갖는 구성으로 하여도 좋다.6C illustrates an example in which the operation unit and the like are provided in the
또한, 전자 서적(2700)은 무선으로 정보를 송수신할 수 있는 구성으로 하여도 좋다. 무선에 의하여 전자 서적 서버에서 원하는 서적 데이터 등을 구입하고 다운로드하는 구성으로 할 수도 있다.The
도 6d는 휴대 전화이며, 케이스(2800) 및 케이스(2801)의 2개의 케이스로 구성된다. 케이스(2801)에는 표시 패널(2802), 스피커(2803), 마이크로폰(2804), 포인팅 디바이스(2806), 카메라용 렌즈(2807), 외부 접속 단자(2808) 등을 구비한다. 또한, 케이스(2800)에는 휴대 전화를 충전하는 태양 전지 셀(2810), 외부 메모리 슬롯(2811) 등을 구비한다. 또한, 안테나는 케이스(2801) 내부에 내장된다. 상기 실시형태에 기재한 액정 표시 장치를 표시 패널(2802)에 적용함으로써, 신뢰성이 높은 휴대 전화로 할 수 있다.6D shows a mobile phone and is composed of two cases, a
또한, 표시 패널(2802)은 터치 패널을 구비하며, 도 6d에 영상 표시되는 복수의 조작 키(2805)를 점선으로 도시한다. 또한, 태양 전지 셀(2810)로부터 출력되는 전압을 각 회로에 필요한 전압으로 승압하기 위한 승압 회로도 실장한다.In addition, the
표시 패널(2802)은 사용 형태에 따라 표시 방향이 적절히 변화된다. 또한, 표시 패널(2802)과 동일면 위에 카메라용 렌즈(2807)를 구비하기 때문에, 영상 전화가 가능하다. 스피커(2803) 및 마이크로폰(2804)은 음성 통화에 한정되지 않고, 영상 전화, 녹음, 재생 등이 가능하다. 또한, 도 6d와 같이, 케이스(2800)와 케이스(2801)는 펼쳐진 상태로부터 겹쳐진 상태로 슬라이드할 수 있어 휴대에 적합한 소형화가 가능하다.The display direction of the
외부 접속 단자(2808)는 USB 케이블 등의 각종 케이블 및 AC 어댑터와 접속할 수 있고, 충전 및 퍼스널 컴퓨터 등과 데이터 통신할 수 있다. 또한, 외부 메모리 슬롯(2811)에 기록 매체를 삽입하여 더 대량의 데이터 보존 및 이동에 대응할 수 있다.The
또한, 상기 기능에 더하여 적외선 통신 기능, 텔레비전 수신 기능 등을 구비한 것이라도 좋다.In addition to the above functions, an infrared communication function, a television reception function, or the like may be provided.
도 6e는 디지털 비디오 카메라이며, 본체(3051), 표시부(A)(3057), 접안부(3053), 조작 스위치(3054), 표시부(B)(3055), 배터리(3056) 등으로 구성된다. 상기 실시형태에 기재한 액정 표시 장치를 표시부(A)(3057), 표시부(B)(3055)에 적용함으로써, 신뢰성이 높은 디지털 비디오 카메라로 할 수 있다.FIG. 6E is a digital video camera, and is composed of a
도 6f는 텔레비전 장치의 일례를 도시한 것이다. 텔레비전 장치(9600)는 케이스(9601)에 표시부(9603)가 내장된다. 표시부(9603)에 영상을 표시할 수 있다. 또한, 여기서는, 스탠드(9605)에 의하여 케이스(9601)를 지지한 구성을 도시한다. 상기 실시형태에 기재한 액정 표시 장치를 표시부(9603)에 적용함으로써 신뢰성이 높은 텔레비전 장치로 할 수 있다.6F shows an example of a television apparatus. The
텔레비전 장치(9600)는 케이스(9601)가 구비하는 조작 스위치나, 별체의 리모트 컨트롤 조작기에 의하여 조작할 수 있다. 또한, 리모트 컨트롤 조작기에 상기 리모트 컨트롤 조작기로부터 출력되는 정보를 표시하는 표시부를 제공하는 구성으로 하여도 좋다.The
또한, 텔레비전 장치(9600)는 수신기나 모뎀 등을 구비한 구성으로 한다. 수신기에 의하여 일반적인 텔레비전 방송을 수신할 수 있고, 또한 모뎀을 통하여 유선 또는 무선에 의한 통신 네트워크에 접속함으로써, 한 방향(송신자로부터 수신자) 또는 쌍방향(송신자와 수신자 사이 또는 수신자들 사이 등)으로 정보 통신할 수도 있다.The
본 실시형태는 다른 실시형태에 기재한 구성과 적절히 조합하여 실시할 수 있다.This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the structures described in the other embodiments.
(실시예)(Example)
본 실시예에서는 실시형태 1을 적용하여 제작한 액정 표시 장치를 비교예와 함께 설명한다.In the present Example, the liquid crystal display device produced by applying
본 실시예에서 사용한 유기 화합물의 구조식을 이하에 나타낸다.The structural formula of the organic compound used in the present Example is shown below.
본 실시예의 액정 표시 장치와 비교예의 액정 표시 장치의 제작 방법을 이하에 기재한다.The manufacturing method of the liquid crystal display device of a present Example and the liquid crystal display device of a comparative example is described below.
(본 실시예의 액정 표시 장치의 제작 방법)(Manufacturing method of liquid crystal display device of this embodiment)
우선, 제 1 기판으로서 사용하는 5인치의 유리 기판 위에 높이가 4μm인 수지제 갭 스페이서와, 광 경화성 및 열 경화형 씰재(SD-25, SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. 제작)를 형성하였다. 또한, 제 2 기판으로서 사용하는 5인치의 유리 기판 위에 액정층을 구동하기 위한 전극층을 포함하는 트랜지스터 등의 회로를 형성하였다.First, a resin-made gap spacer having a height of 4 µm and a photocurable and heat curable seal material (SD-25, manufactured by SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.) Were formed on a 5-inch glass substrate used as the first substrate. In addition, a circuit such as a transistor including an electrode layer for driving the liquid crystal layer was formed on a 5-inch glass substrate used as the second substrate.
다음에, 씰재가 형성된 제 1 기판에 365nm를 주파장으로 하는 자외선(11mW/cm2)을 조사함으로써 씰재를 임시 경화시켰다.Next, the seal material was temporarily cured by irradiating ultraviolet rays (11 mW / cm 2 ) having 365 nm as the main wavelength to the first substrate on which the seal material was formed.
다음에, 제 1 기판 위의 씰재의 안쪽에 하기 표 1에 기재한 시판 재료를 갖는 액정 조성물을 적하하였다.Next, the liquid crystal composition which has a commercially available material shown in following Table 1 was dripped inside the sealing material on a 1st board | substrate.
표 1에 기재한 액정 조성물의 블루상과 등방상의 상전이 온도는 31.3℃이었다. 또한, 액정 조성물 중 액정 재료와 키랄제만을 혼합한 상태에서 블루상과 등방상의 상전이 온도는 44.7℃이었다.The phase transition temperature of the blue phase and isotropic phase of the liquid crystal composition shown in Table 1 was 31.3 degreeC. In addition, the phase transition temperature of the blue phase and the isotropic phase was 44.7 degreeC in the state which mixed only the liquid crystal material and a chiral agent in the liquid crystal composition.
액정 조성물을 적하할 때 액정 조성물의 온도를 등방상을 발현하는 70℃로 하고, 씰재의 안쪽에 양이 약 14mg인 액정 재료를 적하하였다.When the liquid crystal composition was added dropwise, the temperature of the liquid crystal composition was set to 70 ° C which expresses an isotropic phase, and a liquid crystal material having an amount of about 14 mg was dropped into the inside of the sealing material.
다음에, 제 1 기판에 제 2 기판을 접합하였다. 여기서는, 제 2 기판을 챔버 내 위측에 정전 척(electrostatic chuck)으로 고정하고, 액정 조성물이 적하된 제 1 기판을 챔버 내의 아래 측에 설치한 후, 챔버 내를 100Pa까지 감압하여 제 1 기판과 제 2 기판을 접합하였다. 그 후, 챔버를 대기 개방하였다.Next, the second substrate was bonded to the first substrate. Here, the second substrate is fixed to the upper side of the chamber by an electrostatic chuck, and the first substrate on which the liquid crystal composition is dropped is installed on the lower side of the chamber, and the inside of the chamber is decompressed to 100 Pa to reduce the first substrate and the first substrate. 2 substrates were bonded together. Thereafter, the chamber was opened to the atmosphere.
다음에, 열원을 갖는 스테이지 위에 기판을 배치하고 제 1 기판과 제 2 기판에 협지된 액정층을 70℃까지 가열함으로써 등방상을 발현시켰다.Next, an isotropic phase was expressed by arranging a substrate on a stage having a heat source and heating the liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate to 70 ° C.
다음에, 등방상을 나타내는 액정층에 고분자 안정화 처리를 행함과 함께 블루상을 나타내는 액정층으로 하였다. 고분자 안정화 처리는 액정층을 34℃까지 -5℃/min으로 급속히 냉각시킨 후, 등방상이 전체 면에 퍼진 34℃를 유지하고, 365nm를 주파장으로 하는 자외선(1.5mW/cm2)을 30분 조사하여 행하였다.Next, while performing a polymer stabilization process to the liquid crystal layer which shows an isotropic phase, it was set as the liquid crystal layer which shows a blue phase. In the polymer stabilization treatment, the liquid crystal layer is rapidly cooled to −5 ° C./min up to 34 ° C., followed by maintaining 34 ° C. in which the isotropic phase is spread over the entire surface, and applying ultraviolet light (1.5 mW / cm 2 ) having a wavelength of 365 nm for 30 minutes. Investigation was carried out.
다음에, 가열 처리함으로써 씰재를 완전 경화시켰다. 상술한 공정을 거쳐 본 실시예의 액정 표시 장치를 제작하였다.Next, the sealing material was completely cured by heat treatment. The liquid crystal display device of this example was produced through the above process.
(비교예의 액정 표시 장치의 제작 방법)(Production Method of Liquid Crystal Display of Comparative Example)
비교예의 액정 표시 장치에서는 제 1 기판과 제 2 기판을 접합하기까지의 공정은 상술한 본 실시예의 액정 표시 장치와 마찬가지로 행하였다.In the liquid crystal display device of a comparative example, the process until joining a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate was performed similarly to the liquid crystal display device of this Example mentioned above.
접합 공정 후, 제 1 기판과 제 2 기판에 협지된 액정층에 고분자 안정화 처리를 행하였다. 고분자 안정화 처리는 액정층을 70℃까지 가열한 후, 70℃에서 -1℃/min으로 강온시켜 등방상에서 블루상으로 상전이하고 블루상이 전체 면에 퍼진 온도를 유지하고 365nm를 주파장으로 하는 자외선(1.5mW/cm2)을 30분 조사하여 행하였다. 조사시의 온도는 28℃와 30℃의 2개의 조건을 채용하였다.After the bonding step, the polymer stabilization treatment was performed on the liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate. In the polymer stabilization treatment, the liquid crystal layer is heated to 70 ° C., and then cooled to 70 ° C. at −1 ° C./min. The phase transition from the isotropic phase to the blue phase is maintained and the temperature at which the blue phase is spread over the entire surface is maintained. 1.5mW / cm 2 ) was carried out for 30 minutes. The temperature at the time of irradiation employ | adopted two conditions, 28 degreeC and 30 degreeC.
다음에, 가열 처리함으로써 씰재를 완전 경화시켰다. 상술한 공정을 거쳐 비교예의 액정 표시 장치를 제작하였다.Next, the sealing material was completely cured by heat treatment. The liquid crystal display device of a comparative example was produced through the above-mentioned process.
도 7a는 본 실시예의 액정 표시 장치의 외관 사진이다. 또한, 도 7b는 28℃를 유지하고 고분자 안정화 처리를 행한 비교예의 액정 표시 장치의 외관 사진이고, 도 7c는 30℃를 유지하고 고분자 안정화 처리를 행한 비교예의 액정 표시 장치의 외관 사진이다.7A is an appearance photograph of the liquid crystal display of the present embodiment. 7B is an external photograph of the liquid crystal display device of the comparative example which maintained the polymer stabilization process at 28 degreeC, and FIG. 7C is an external photograph of the liquid crystal display device of the comparative example which maintained the polymer stabilization process at 30 degreeC.
도 7b를 보면, 28℃를 유지하고 고분자 안정화 처리를 행한 비교예의 액정 표시 장치는 표시 영역 내의 전체 면에서 콜레스테릭상으로의 상전이에 기인하는 빛 누설이 발생하였다. 또한, 도 7c를 보면, 30℃를 유지하고 고분자 안정화 처리를 행한 비교예의 액정 표시 장치는 도 7b보다 배향 결함이 억제되지만 표시 영역 내, 특히, 씰재 주변에서 빛 누설이 발생한 영역이 존재하였다. 한편, 도 7a에 도시한 바와 같이, 본 실시예의 액정 표시 장치는 표시 영역 내에서 배향 결함이 확인되지 않았다.Referring to FIG. 7B, in the liquid crystal display device of the comparative example maintained at 28 ° C. and subjected to the polymer stabilization treatment, light leakage due to phase transition to the cholesteric phase occurred in the entire surface of the display area. In addition, in FIG. 7C, in the liquid crystal display device of the comparative example maintained at 30 ° C. and subjected to the polymer stabilization treatment, alignment defects were suppressed more than in FIG. 7B, but there were regions in which light leakage occurred in the display area, particularly around the sealant. On the other hand, as shown in FIG. 7A, the alignment defect was not confirmed in the display area of the liquid crystal display device of the present embodiment.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 형태인 제작 방법을 사용하면 액정 표시 장치의 배향 결함을 억제할 수 있는 것이 밝혀졌다.As mentioned above, it turned out that the orientation defect of a liquid crystal display device can be suppressed using the manufacturing method which is one form of this invention.
100: 기판
102: 씰재
106: 액정 조성물
108: 기판
110: 액정층
112: 액정층
114: 액정층
200: 파선
202: 파선
2600: 소자 기판
2601: 대향 기판
2602: 씰재
2603: 소자층
2604: 액정층
2606: 편광판
2607: 편광판
2608: 배선 회로부
2609: 플렉시블 배선 기판
2611: 반사판
2612: 회로 기판
2613: 광학 시트
2700: 전자 서적
2701: 케이스
2703: 케이스
2705: 표시부
2707: 표시부
2711: 축부
2721: 전원
2723: 조작 키
2725: 스피커
2800: 케이스
2801: 케이스
2802: 표시 패널
2803: 스피커
2804: 마이크로폰
2805: 조작 키
2806: 포인팅 디바이스
2807: 카메라용 렌즈
2808: 외부 접속 단자
2810: 태양 전지 셀
2910B: 발광 다이오드
2910G: 발광 다이오드
2910R: 발광 다이오드
2811: 외부 메모리 슬롯
2912: LED 제어 회로
3001: 본체
3002: 케이스
3003: 표시부
3004: 키보드
3021: 본체
3022: 스타일러스
3023: 표시부
3024: 조작 버튼
3025: 외부 인터페이스
3051: 본체
3053: 접안부
3054: 조작 스위치
3055: 표시부(B)
3056: 배터리
3057: 표시부(A)
4001: 기판
4002: 화소부
4003: 신호선 구동 회로
4003a: 신호선 구동 회로
4003b: 신호선 구동 회로
4004: 주사선 구동 회로
4005: 씰재
4006: 기판
4008: 액정층
4010: 트랜지스터
4011: 트랜지스터
4013: 액정 소자
4015: 접속 단자 전극
4016: 단자 전극
4018: FPC
4019: 이방성 도전막
4020: 절연층
4021: 절연층
4030: 화소 전극층
4031: 공통 전극층
4034: 차광층
4035: 스페이서
9600: 텔레비전 장치
9601: 케이스
9603: 표시부
9605: 스탠드
9630: 케이스
9631: 표시부
9632: 조작 키
9633: 태양 전지
9634: 충방전 제어 회로
9635: 배터리
9636: 컨버터
9637: 컨버터100: substrate
102: seal material
106: liquid crystal composition
108: substrate
110: liquid crystal layer
112: liquid crystal layer
114: liquid crystal layer
200: dashed line
202: dashed line
2600: device substrate
2601: opposing substrate
2602: sealing material
2603: device layer
2604: liquid crystal layer
2606: polarizer
2607: polarizer
2608: wiring circuit section
2609: flexible wiring board
2611: reflector
2612: circuit board
2613: optical sheet
2700: electronic books
2701: case
2703: case
2705: display unit
2707: display unit
2711: shaft
2721: power
2723: operation keys
2725: speaker
2800: case
2801: case
2802: display panel
2803: speaker
2804: microphone
2805: operation keys
2806: pointing device
2807: camera lens
2808: external connection terminal
2810: solar cell
2910B: Light Emitting Diode
2910G: Light Emitting Diodes
2910R: Light Emitting Diode
2811: external memory slot
2912: LED control circuit
3001: main body
3002: case
3003: display unit
3004: keyboard
3021: main body
3022: stylus
3023: display unit
3024: Operation Button
3025: external interface
3051: body
3053: eyepiece
3054: operation switch
3055: Display portion B
3056: battery
3057: display unit (A)
4001: substrate
4002: pixel portion
4003: signal line driver circuit
4003a: signal line driver circuit
4003b: signal line driver circuit
4004: scan line driving circuit
4005: seal material
4006: substrate
4008: liquid crystal layer
4010: transistor
4011: transistor
4013: liquid crystal element
4015: connecting terminal electrode
4016: terminal electrode
4018: FPC
4019: anisotropic conductive film
4020: insulation layer
4021: insulation layer
4030: pixel electrode layer
4031: common electrode layer
4034: shading layer
4035: spacer
9600: television device
9601 cases
9603: display unit
9605: stand
9630: case
9631: display unit
9632: Operation keys
9633: solar cell
9634: charge and discharge control circuit
9635: battery
9636: converter
9637: Converter
Claims (12)
상기 액정층의 배향 상태를 등방상으로 하기 위하여 가열 처리를 행하는 단계와;
상기 액정층에 고분자 안정화 처리가 행해지도록 상기 액정층에 빛을 조사하는 단계를 포함하고,
상기 액정층의 배향 상태는 상기 빛 조사 동안에 등방상에서 블루상(blue phase)으로 변화되는, 액정 표시 장치의 제작 방법.Sandwiching a liquid crystal layer containing a liquid crystal composition and preparing a first substrate and a second substrate bonded to each other using a sealing material;
Performing heat treatment to make the alignment state of the liquid crystal layer isotropic;
Irradiating light to the liquid crystal layer so that the polymer stabilization treatment is performed on the liquid crystal layer,
The alignment state of the liquid crystal layer is changed from an isotropic phase to a blue phase during the light irradiation.
상기 조성물은 액정 재료, 키랄제, 광 경화성 수지, 및 광 중합 개시제를 포함하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.The method of claim 1,
The said composition contains the liquid crystal material, a chiral agent, photocurable resin, and the photoinitiator, The manufacturing method of the liquid crystal display device.
상기 광 경화성 수지는 상기 빛에 의하여 중합되는, 액정 표시 장치의 제작 방법.The method of claim 2,
And said photocurable resin is polymerized by said light.
상기 씰재로 형성된 틀 내에 액정 조성물을 적하하는 단계와;
액정층을 형성하기 위하여 감압하에서 제 2 기판을 상기 제 1 기판에 접합하는 단계와;
상기 액정층의 배향 상태를 등방상으로 하기 위하여 가열 처리를 행하는 단계와;
상기 액정층에 고분자 안정화 처리가 행해지도록 상기 액정층에 빛을 조사하는 단계를 포함하고,
상기 액정층의 배향 상태는 상기 빛 조사 동안에 등방상에서 블루상으로 변화되는, 액정 표시 장치의 제작 방법.Forming a seal member to form a mold on the first substrate;
Dropping a liquid crystal composition into a mold formed of the seal member;
Bonding a second substrate to the first substrate under reduced pressure to form a liquid crystal layer;
Performing heat treatment to make the alignment state of the liquid crystal layer isotropic;
Irradiating light to the liquid crystal layer so that the polymer stabilization treatment is performed on the liquid crystal layer,
The alignment state of the liquid crystal layer is changed from an isotropic phase to a blue phase during the light irradiation.
상기 조성물은 액정 재료, 키랄제, 광 경화성 수지, 및 광 중합 개시제를 포함하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.The method of claim 4, wherein
The said composition contains the liquid crystal material, a chiral agent, photocurable resin, and the photoinitiator, The manufacturing method of the liquid crystal display device.
상기 광 경화성 수지는 상기 빛에 의하여 중합되는, 액정 표시 장치의 제작 방법.The method of claim 5, wherein
And said photocurable resin is polymerized by said light.
빛을 조사함으로써 상기 씰재를 임시 경화하는 단계와;
상기 임시 경화된 씰재로 형성된 틀 내에 액정 조성물을 적하하는 단계와;
액정층을 형성하기 위하여 감압하에서 제 2 기판을 상기 제 1 기판에 접합하는 단계와;
상기 액정층의 배향 상태를 등방상으로 하기 위하여 가열 처리를 행하는 단계와;
상기 씰재가 완전 경화되고 상기 액정층에 고분자 안정화 처리가 행해지도록 상기 액정층에 빛을 조사하는 단계를 포함하고,
상기 액정층의 배향 상태는 상기 빛 조사 동안에 등방상에서 블루상으로 변화되는, 액정 표시 장치의 제작 방법.Forming a seal member to form a mold on the first substrate;
Temporarily curing the seal member by irradiating light;
Dropping a liquid crystal composition into a mold formed of the temporarily cured seal material;
Bonding a second substrate to the first substrate under reduced pressure to form a liquid crystal layer;
Performing heat treatment to make the alignment state of the liquid crystal layer isotropic;
Irradiating light on the liquid crystal layer such that the seal material is completely cured and polymer stabilization is performed on the liquid crystal layer,
The alignment state of the liquid crystal layer is changed from an isotropic phase to a blue phase during the light irradiation.
상기 조성물은 액정 재료, 키랄제, 광 경화성 수지, 및 광 중합 개시제를 포함하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.The method of claim 7, wherein
The said composition contains the liquid crystal material, a chiral agent, photocurable resin, and the photoinitiator, The manufacturing method of the liquid crystal display device.
상기 광 경화성 수지는 상기 빛에 의하여 중합되는, 액정 표시 장치의 제작 방법.The method of claim 8,
And said photocurable resin is polymerized by said light.
상기 씰재로 형성된 틀 내에 액정 조성물을 적하하는 단계와;
빛을 조사함으로써 상기 씰재를 임시 경화하는 단계와;
액정층을 형성하기 위하여 감압하에서 제 2 기판을 상기 제 1 기판에 접합하는 단계와;
상기 액정층의 배향 상태를 등방상으로 하기 위하여 가열 처리를 행하는 단계와;
상기 씰재가 완전 경화되고 상기 액정층에 고분자 안정화 처리가 행해지도록 상기 액정층에 빛을 조사하는 단계를 포함하고,
상기 액정층의 배향 상태는 상기 빛 조사 동안에 등방상에서 블루상으로 변화되는, 액정 표시 장치의 제작 방법.Forming a seal member to form a mold on the first substrate;
Dropping a liquid crystal composition into a mold formed of the seal member;
Temporarily curing the seal member by irradiating light;
Bonding a second substrate to the first substrate under reduced pressure to form a liquid crystal layer;
Performing heat treatment to make the alignment state of the liquid crystal layer isotropic;
Irradiating light on the liquid crystal layer such that the seal material is completely cured and polymer stabilization is performed on the liquid crystal layer,
The alignment state of the liquid crystal layer is changed from an isotropic phase to a blue phase during the light irradiation.
상기 조성물은 액정 재료, 키랄제, 광 경화성 수지, 및 광 중합 개시제를 포함하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.11. The method of claim 10,
The said composition contains the liquid crystal material, a chiral agent, photocurable resin, and the photoinitiator, The manufacturing method of the liquid crystal display device.
상기 광 경화성 수지는 상기 빛에 의하여 중합되는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
The method of claim 11,
And said photocurable resin is polymerized by said light.
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|---|---|---|---|
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