KR20120016954A

KR20120016954A - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: KR20120016954A
Application number: KR1020100079510A
Authority: KR
Inventors: 이승호; 박귀수; 김순효; 강병철; 조원필; 장동혁
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2010-08-17
Filing date: 2010-08-17
Publication date: 2012-02-27
Anticipated expiration: 2030-08-17
Also published as: KR101395220B1

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 약액 공급 장치에 관한 것이다. 본 발명은 상기 기판 처리 유닛에 약액을 공급하는 약액 공급 장치를 포함하되, 상기 약액 공급 장치는, 제1,2약액 소스부; 상기 제1,2약액 소스부로부터 제1,2약액을 공급받아 혼합하는 용기인 복수 개의 약액 탱크; 상기 복수 개의 약액 탱크로부터 혼합된 고온의 약액을 공급받아 저장하는 그리고 저장된 고온의 약액을 상기 기판 처리 유닛의 노즐 유닛으로 공급하기 위한 메인 탱크; 상기 제1,2약액 소스부로부터 상기 복수개의 약액 탱크로 제1,2약액을 공급하는 제1,2메인 약액 공급라인; 및 상기 복수개의 약액 탱크에서 혼합되어 있는 혼합 약액의 농도 변화를 보상하기 위해 상기 약액 소스부로부터 상기 복수개의 약액 탱크로 농도보정을 위한 약액을 공급하는 제1,2 보충 약액 공급라인을 포함한다. The present invention relates to a chemical liquid supply apparatus for processing a substrate. The present invention includes a chemical liquid supply device for supplying a chemical liquid to the substrate processing unit, wherein the chemical liquid supply device comprises: first and second chemical liquid source portions; A plurality of chemical liquid tanks, which are containers for receiving and mixing the first and second chemical liquids from the first and second chemical liquid sources; A main tank for receiving and storing the mixed high temperature chemical liquid from the plurality of chemical liquid tanks and for supplying the stored high temperature chemical liquid to the nozzle unit of the substrate processing unit; First and second chemical liquid supply lines for supplying first and second chemical liquids from the first and second chemical liquid sources to the plurality of chemical tanks; And first and second replenishment chemical liquid supply lines for supplying chemical liquids for concentration correction from the chemical liquid source part to the plurality of chemical liquid tanks to compensate for the change in concentration of the mixed chemical liquids mixed in the plurality of chemical liquid tanks.

Description

[0001] SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판을 처리하는 약액의 공급 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a chemical liquid supply apparatus for processing a substrate.

기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 이러한 이물질을 제거를 위한 공정으로는 순수(Deionize Water) 또는 약액(Chemical)을 이용한 세정 공정이 있다. Contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the substrate surface have a great influence on the characteristics and production yield of semiconductor devices. For this reason, the cleaning process for removing various contaminants adhering to the substrate surface is very important in the semiconductor manufacturing process, and the process for cleaning the substrate is carried out at the front and rear stages of each unit process for manufacturing the semiconductor. A process for removing such foreign matters includes a washing process using deionize water or a chemical solution.

약액을 이용한 세정의 경우에는 일반적으로 산화성의 산이 사용된다. 특히, 황산(H2SO4), 과산화 수소(H2O2)를 혼합한 약액이 기판 세정 공정을 위한 약액으로 사용된다. In the case of washing with a chemical liquid, an oxidizing acid is generally used. In particular, a chemical liquid of sulfuric acid (H 2 SO 4) and hydrogen peroxide (H 2 O 2) is used as the chemical liquid for the substrate cleaning process.

본 발명은 혼합 약액의 재사용에 따른 농도 변화를 보상할 수 있는 것을 그 목적으로 한다. It is an object of the present invention to compensate for a change in concentration caused by reuse of a mixed chemical liquid.

본 발명은 혼합 약액의 과산화수소 농도를 일정하게 유지할 수 있는 것을 그 목적으로 한다.It is an object of the present invention to maintain a constant hydrogen peroxide concentration in a mixed chemical liquid.

본 발명은 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problem to be solved by the present invention is not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기한 과제를 달성하기 위하여 기판을 처리하는 기판 처리 유닛에 약액을 공급하는 장치는 제1,2약액 소스부; 상기 제1,2약액 소스부로부터 제1,2약액을 공급받아 혼합하는 용기인 복수 개의 약액 탱크; 상기 복수 개의 약액 탱크로부터 혼합된 고온의 약액을 공급받아 저장하는 그리고 저장된 고온의 약액을 상기 기판 처리 유닛의 노즐 유닛으로 공급하기 위한 메인 탱크; 상기 제1,2약액 소스부로부터 상기 복수개의 약액 탱크로 제1,2약액을 공급하는 제1,2메인 약액 공급라인; 및 상기 복수개의 약액 탱크에서 혼합되어 있는 혼합 약액의 농도 변화를 보상하기 위해 상기 약액 소스부로부터 상기 복수개의 약액 탱크로 농도보정을 위한 약액을 공급하는 제1,2 보충 약액 공급라인을 포함한다.In order to achieve the above object, an apparatus for supplying a chemical liquid to a substrate processing unit for processing a substrate comprises: first and second chemical liquid source portions; A plurality of chemical liquid tanks, which are containers for receiving and mixing the first and second chemical liquids from the first and second chemical liquid sources; A main tank for receiving and storing the mixed high temperature chemical liquid from the plurality of chemical liquid tanks and for supplying the stored high temperature chemical liquid to the nozzle unit of the substrate processing unit; First and second chemical liquid supply lines for supplying first and second chemical liquids from the first and second chemical liquid sources to the plurality of chemical tanks; And first and second replenishment chemical liquid supply lines for supplying chemical liquids for concentration correction from the chemical liquid source part to the plurality of chemical liquid tanks to compensate for the change in concentration of the mixed chemical liquids mixed in the plurality of chemical liquid tanks.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 약액 공급 장치는 상기 기판 처리 유닛의 노즐 유닛으로 공급된 혼합 약액의 농도 변화를 보상하기 위해 상기 제2약액 소스부로부터 상기 기판 처리 유닛의 노즐 유닛으로 제2약액을 공급하는 제3보충 약액 공급라인을 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the chemical liquid supply device is configured to compensate for the concentration change of the mixed chemical liquid supplied to the nozzle unit of the substrate processing unit from the second chemical liquid source part to the nozzle unit of the substrate processing unit. It further comprises a third supplement chemical supply line for supplying.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1약액은 황산(H2SO4)이고 상기 제2약액은 과산화 수소(H2O2)이다. According to an embodiment of the present invention, the first chemical solution is sulfuric acid (H2SO4) and the second chemical solution is hydrogen peroxide (H2O2).

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 복수개의 약액 탱크에서는 리사이클된 혼합약액과 순수 혼합된 약액을 번갈아 가며 상기 메인 탱크에 공급한다.According to an embodiment of the present invention, the plurality of chemical tanks are supplied to the main tank alternately with the recycled mixed chemical liquid and purely mixed chemical liquid.

본 발명의 실시예에 따르면, 혼합 약액을 공정 진행후 재사용시, 혼합약액의 과산화수소 농도가 점점 낮아지는 현상을 보정하기 위하여 노즐 유닛에 과산화수소를 추가 공급한다.According to an embodiment of the present invention, hydrogen peroxide is additionally supplied to the nozzle unit in order to correct a phenomenon in which the hydrogen peroxide concentration of the mixed chemical is gradually lowered when the mixed chemical is processed again.

본 발명에 의하면, 황산과 과산화수소를 혼합하는 과정에서 과산화수소의 농도가 점점 낮아지는 것을 제2 보충 약액 공급라인을 통해 추가 공급함으로써 농도를 유지할 수 있다. According to the present invention, the concentration of the hydrogen peroxide is gradually decreased in the process of mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide through the second supplemental chemical supply line to maintain the concentration.

본 발명에 의하면, 혼합 약액이 토출되는 노즐 유닛에 과산화수소를 추가 공급함으로써 과산화수소의 농도가 낮아지는 것을 보상해줄 수 있다.According to the present invention, by supplying hydrogen peroxide to the nozzle unit through which the mixed chemical liquid is discharged, the concentration of hydrogen peroxide can be compensated for.

도 1은 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 공정 챔버와 기판 처리 유닛을 나타낸 평면도이다.
도 3은 공정 챔버와 기판 처리 유닛를 나타낸 단면도이다.
도 4는 약액 공급 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus.
2 is a plan view showing a process chamber and a substrate processing unit.
3 is a cross-sectional view illustrating a process chamber and a substrate processing unit.
4 is a diagram schematically showing a configuration of a chemical liquid supply device.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the components in the drawings, etc. are exaggerated in order to emphasize a more clear description.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향의 수직인 방향을 제 2 방향이라 하며, 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향이라 정의한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing system 1000 of the present invention may include an index unit 10, a buffer unit 20, and a processing unit 50. The index unit 10, the buffer unit 20, and the processing unit are arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the index unit 10, the buffer unit 20, and the processing unit 50 are arranged is referred to as a first direction, and when viewed from the top, a direction perpendicular to the first direction is referred to as a second direction. The direction perpendicular to the plane including the first direction and the second direction is defined as the third direction.

인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 4개의 로드 포트(12) 및 1개의 인덱스 로봇(13)을 포함한다. The index unit 10 is disposed in front of the first direction of the substrate processing system 1000. The index unit 10 includes four load ports 12 and one index robot 13.

4개의 로드 포트(12)는 제 1 방향으로 인덱스부(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(예컨대, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(16)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. Four load ports 12 are disposed in front of the index portion 10 in the first direction. A plurality of load ports 12 are provided and they are arranged along the second direction. The number of load ports 12 may increase or decrease depending on process efficiency and footprint conditions of the substrate processing system 1000. The load ports 12 are mounted with carriers (eg, cassettes, FOUPs, etc.) in which the substrates W to be provided for the process and the substrates W having been processed are received. The carrier 16 is formed with a plurality of slots for accommodating the substrates in a state arranged horizontally with respect to the ground.

인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 버퍼부(20) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 버퍼부(20)의 상층에 대기하는 기판(W)을 캐리어(16)로 이송하거나, 캐리어(16)에서 대기하는 기판(W)을 버퍼부(20)의 하층으로 이송한다. The index robot 13 is disposed adjacent to the load port 12 in the first direction. The index robot 13 is installed between the load port 12 and the buffer unit 20. The index robot 13 transfers the substrate W waiting on the upper layer of the buffer unit 20 to the carrier 16, or transfers the substrate W waiting on the carrier 16 to the lower layer of the buffer unit 20. do.

버퍼부(20)는 인덱스부(10)와 처리부 사이에 설치된다. 버퍼부(20)는 인덱스 로봇(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(W) 또는 메인 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다. The buffer unit 20 is provided between the index unit 10 and the processing unit. The buffer unit 20 temporarily receives a substrate W to be provided to the process before being transferred by the index robot 13 or a substrate W which has been processed by the main processing robot 30 before being transferred by the index robot 13. It's a place to do it.

메인 이송 로봇(30)은 이동 통로(40)에 설치되며, 각 기판 처리 장치(1)들 및 버퍼부(20) 간에 기판을 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 버퍼부(20)에서 대기하는 공정에 제공될 기판을 각 기판 처리 장치(1)로 이송하거나, 각 기판 처리 장치(1)에서 공정 처리가 완료된 기판을 버퍼부(20)로 이송한다. The main transfer robot 30 is installed in the movement passage 40, and transfers the substrate between the substrate processing apparatuses 1 and the buffer unit 20. The main transfer robot 30 transfers the substrate to be provided to the process waiting in the buffer unit 20 to each substrate processing apparatus 1, or transfers the substrate on which the processing is completed in each substrate processing apparatus 1 to the buffer unit 20. Transfer to).

이동 통로(40)는 처리부 내의 제 1 방향을 따라 배치되며, 메인 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 기판 처리 장치(1)들이 서로 마주보며 제 1 방향을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(30)이 제 1 방향을 따라 이동하며, 기판 처리 장치(1)의 상하층, 그리고 버퍼부(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다. The movement passage 40 is disposed along the first direction in the processing unit and provides a passage in which the main transfer robot 30 moves. The substrate processing apparatuses 1 face each other and are disposed along the first direction on both sides of the movement passage 40. In the movement passage 40, the main transfer robot 30 moves along the first direction, and a moving rail capable of lifting up and down the upper and lower layers of the substrate processing apparatus 1 and the upper and lower layers of the buffer unit 20 is provided. .

기판 처리 장치(1)는 메인 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)의 양측에 서로 마주하게 배치된다. 기판 처리 시스템(1000)은 상하층으로 된 다수개의 기판 처리 장치(1)를 구비하나, 기판 처리 장치(1)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 기판 처리 장치(1)는 독립적인 하우징으로 구성되며, 이에 각각의 기판 처리 장치 내에서는 독립적인 형태로 기판을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다. The substrate processing apparatus 1 is disposed opposite to each other on both sides of the movement passage 40 on which the main transfer robot 30 is installed. The substrate processing system 1000 includes a plurality of substrate processing apparatuses 1 having upper and lower layers, but the number of substrate processing apparatuses 1 increases or decreases according to the process efficiency and the footprint of the substrate processing system 1000. You may. Each substrate processing apparatus 1 is composed of an independent housing, and thus, a process of processing a substrate in an independent form may be performed in each substrate processing apparatus.

아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다. In the following example, an apparatus for cleaning a substrate using processing fluids such as high temperature sulfuric acid, alkaline chemical liquid (including ozone water), acidic chemical liquid, rinse liquid, and dry gas (gas containing IPA) will be described as an example. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto, and the present invention may be applied to all kinds of apparatuses that perform a process while rotating a substrate such as an etching process.

도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다. 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다. 도 2에서는 도면 편의상 고정 노즐 부재를 생략하였다. 2 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention. 3 is a side cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention. In FIG. 2, the fixed nozzle member is omitted for convenience of drawing.

본 실시예에서는 매엽식 기판 처리 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판를 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다. In this embodiment, although the semiconductor substrate is illustrated and described as an example of the substrate processed by the sheet type substrate processing apparatus 1, the present invention is not limited thereto, and may be applied to various kinds of substrates such as glass substrates.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치(1)는 다양한 처리유체들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치로써, 챔버(700), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 이동 노즐 부재(300), 고정 노즐(500) 및 배기부재(400)를 포함한다. 2 and 3, the sheet type substrate processing apparatus 1 according to the present invention is a device for removing foreign matter and film remaining on the surface of the substrate using various processing fluids, the chamber 700, the processing container ( 100, the substrate support member 200, the moving nozzle member 300, the fixed nozzle 500, and the exhaust member 400.

챔버(700)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(710)이 설치된다. 팬필터유닛(710)은 챔버(700) 내부에 수직기류를 발생시킨다.The chamber 700 provides a sealed inner space, and a fan filter unit 710 is installed at the top. The fan filter unit 710 generates vertical airflow inside the chamber 700.

팬필터유닛(710)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 챔버 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(710)을 통과하여 챔버 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다. The fan filter unit 710 is a unit in which the filter and the air supply fan are modularized into one unit and filter the clean air to supply the inside of the chamber. The clean air passes through the fan filter unit 710 and is supplied into the chamber to form vertical airflow. The vertical airflow of the air provides a uniform airflow over the substrate, and contaminants (fumes) generated in the process of treating the substrate surface by the processing fluid are exhausted through the suction ducts of the processing vessel 100 together with the air. By being discharged to and removed from the member 400, high cleanliness in the processing container is maintained.

도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(700)는 수평 격벽(714)에 의해 공정 영역(716)과 유지보수 영역(718)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(718)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 서브배기라인(410) 이외에도 승강유닛의 구동부과, 이동 노즐 부재(300)의 노즐유닛(310)들과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(718)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 2, the chamber 700 is partitioned into a process region 716 and a maintenance region 718 by a horizontal partition 714. Although only a portion is shown in the drawing, the maintenance area 718 includes a driving unit of the elevating unit and a nozzle unit of the moving nozzle member 300 in addition to the discharge lines 141, 143, 145 and the sub-exhaust line 410 connected to the processing container 100. It is preferable that the maintenance area 718 be isolated from the process area where the substrate treatment is performed.

처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기판 지지부재(200)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판를 회전시킨다. The processing container 100 has a cylindrical shape with an open upper portion, and provides a process space for processing the substrate w. An open upper surface of the processing container 100 serves as a carrying-out and carrying-in passage of the substrate w. The substrate support member 200 is positioned in the process space. The substrate support member 200 supports the substrate W during the process and rotates the substrate.

처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간(132a)과, 상부공간(132a)과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간(132b)을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간(132a)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다. The processing container 100 is divided into an upper space 132a in which the spin head 210 is positioned and an upper space 132a by the spin head 210, and an exhaust duct 190 is disposed at a lower end of the processing chamber 100 to allow forced exhaust. It provides a connected lower space (132b). In the upper space 132a of the processing container 100, annular first, second, and third suction ducts 110, 120, and 130 for introducing and inhaling chemical liquid and gas scattered on a rotating substrate are disposed in multiple stages. .

환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다. The annular first, second and third suction ducts 110, 120, 130 have exhaust ports H communicating with one common annular space (corresponding to the lower space of the vessel). An exhaust duct 190 connected to the exhaust member 400 is provided in the lower space 132b.

구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.In detail, the first to third suction ducts 110, 120, and 130 each have a bottom surface having an annular ring shape and a sidewall extending from the bottom surface and having a cylindrical shape. The second suction duct 120 surrounds the first suction duct 110 and is spaced apart from the first suction duct 110. The third suction duct 130 surrounds the second suction duct 120 and is spaced apart from the second suction duct 120.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다. The first to third suction ducts 110, 120, and 130 provide first to third recovery spaces RS1, RS2, and RS3 into which air flows including the treatment liquid and the fume scattered from the substrate w flow. . The first recovery space RS1 is defined by the first suction duct 110, and the second recovery space RS2 is defined by the separation space between the first suction duct 110 and the second suction duct 120. The third recovery space RS3 is defined by the separation space between the second suction duct 120 and the third suction duct 130.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(w)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.The upper surface of each of the first to third suction ducts 110, 120, and 130 is formed as an inclined surface whose center portion is opened, and the distance from the corresponding bottom surface gradually increases from the connected side wall toward the opening side. Accordingly, the processing liquid scattered from the substrate w flows into the recovery spaces RS1, RS2, and RS3 along the upper surfaces of the first to third suction ducts 110, 120, and 130.

제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다. The first treatment liquid introduced into the first recovery space RS1 is discharged to the outside through the first recovery line 141. The second treatment liquid introduced into the second recovery space RS2 is discharged to the outside through the second recovery line 143. The third treatment liquid introduced into the third recovery space RS3 is discharged to the outside through the third recovery line 145.

한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. On the other hand, the processing container 100 is coupled with the lifting unit 600 for changing the vertical position of the processing container 100. The lifting unit 600 linearly moves the processing container 100 in the vertical direction. As the processing container 100 is moved up and down, the relative height of the processing container 100 with respect to the spin head 210 is changed.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다. The elevating unit 600 has a bracket 612, a moving shaft 614, and a driver 616. The bracket 612 is fixedly installed on the outer wall of the processing container 100, and the movement shaft 614, which is moved in the vertical direction by the driver 616, is fixedly coupled to the bracket 612. When the substrate W is loaded onto the spin head 210 or unloaded from the spin head 210, the processing container 100 descends such that the spin head 210 protrudes above the processing container 100. In addition, when the process is in progress, the height of the processing container 100 is adjusted to allow the processing liquid to flow into the predetermined suction ducts 110, 120, and 130 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W. Accordingly, the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate w is changed. Therefore, the processing container 100 may vary the types of the processing liquid and the contaminated gas recovered for each of the recovery spaces RS1, RS2, and RS3.

이 실시예에 있어서, 기판 처리장치(1)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리장치(1)는 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.In this embodiment, the substrate processing apparatus 1 changes the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate supporting member 200 by vertically moving the processing container 100. However, the substrate processing apparatus 1 may change the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate supporting member 200 by vertically moving the substrate supporting member 200.

기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부 면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹 핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.The substrate support member 200 is provided inside the processing container 100. The substrate support member 200 supports the substrate W during the process and may be rotated by the driver 240 to be described later during the process. The substrate support member 200 has a spin head 210 having a circular top surface, and the support pins 212 and chucking pins 214 supporting the substrate W are formed on the top surface of the spin head 210. Have The support pins 212 are disposed in a predetermined arrangement at a predetermined interval spaced apart from the upper surface edge of the spin head 210, and are provided to protrude upward from the spin head 210. The support pins 212 support the bottom surface of the substrate W so that the substrate W is supported while being spaced upward from the spin head 210. The chucking pins 214 are disposed on the outer side of the support pins 212, and the chucking pins 214 are provided to protrude upward. The chucking pins 214 align the substrate W such that the substrate W supported by the plurality of support pins 212 is placed in position on the spinhead 210. During the process, the chucking pins 214 are in contact with the side of the substrate W to prevent the substrate W from being displaced from its position.

스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다. A support shaft 220 supporting the spin head 210 is connected to the lower portion of the spin head 210, and the support shaft 220 is rotated by the driving unit 230 connected to the lower end thereof. The driving unit 230 may be provided by a motor or the like. As the support shaft 220 rotates, the spin head 210 and the substrate W rotate.

배기부재(400)는 공정시 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 흡입덕트에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 배기부재(400)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브배기라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브배기라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 메인배기라인과 연결된다. The exhaust member 400 is to provide an exhaust pressure (suction pressure) to the suction duct for recovering the processing liquid of the first to third suction ducts (110, 120, 130) during the process. The exhaust member 400 includes a sub exhaust line 410 and a damper 420 connected to the exhaust duct 190. The sub exhaust line 410 receives exhaust pressure from an exhaust pump (not shown) and is connected to the main exhaust line embedded in the bottom space of the semiconductor production line (fab).

고정 노즐(500)들은 처리 용기(100) 상단에 설치된다. 고정 노즐(500)은 스핀헤드(210)에 놓여진 기판(W)으로 처리유체를 분사한다. 고정 노즐(500)은 기판의 처리 위치에 따라 분사 각도 조절이 가능하다. The fixed nozzles 500 are installed on the top of the processing container 100. The fixed nozzle 500 sprays a processing fluid onto the substrate W placed on the spin head 210. The fixed nozzle 500 may adjust the spray angle according to the processing position of the substrate.

이동 분사 부재(300)는 처리 용기(100)의 외측에 위치되며, 이동 분사 부재(300)는 기판(w)을 세정 또는 식각하기 위한 처리유체를 기판 지지부재(200)에 고정된 기판(w)으로 공급한다. 이동 분사 부재(300)는 지지축(302), 구동기(303), 노즐 지지대(304) 그리고 노즐유닛(310)을 포함한다. The moving injection member 300 is positioned outside the processing container 100, and the moving injection member 300 has a substrate w fixed with a processing fluid for cleaning or etching the substrate w on the substrate support member 200. ). The moving injection member 300 includes a support shaft 302, a driver 303, a nozzle support 304, and a nozzle unit 310.

지지축(302)은 그 길이 방향이 제 3 방향으로 제공되며, 지지축(302)의 하단은 구동기(303)와 결합된다. 구동기(303)는 지지축(302)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐 지지대(304)는 구동기(303)와 결합된 지지축(302)의 끝단의 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐유닛(310)은 노즐 지지대(304)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐 유닛(310)은 구동기(303)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐 유닛(310)이 기판의 중심 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐 유닛(310)이 기판의 상부로부터 벗어난 위치이다. The support shaft 302 is provided in a longitudinal direction in a third direction, and the lower end of the support shaft 302 is coupled to the driver 303. The driver 303 rotates and raises and lowers the support shaft 302. The nozzle support 304 is coupled perpendicularly to the opposite side of the end of the support shaft 302 coupled with the driver 303. The nozzle unit 310 is installed at the bottom end of the nozzle support 304. The nozzle unit 310 is moved to the process position and the standby position by the driver 303. The process position is a position where the nozzle unit 310 is disposed above the center vertically of the substrate, and the standby position is a position where the nozzle unit 310 deviates from the upper portion of the substrate.

기판 처리 공정에 사용되는 처리유체는 불산(HF), 황산(H3SO4), 과산화수소(H₂O₂), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 오존수, 그리고 SC-1 용액(수산화암모늄(NH₄OH), 과산화수소(H₂O₂) 및 물(H₂O)의 혼합액)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 린스액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용될 수 있고, 건조 가스로는 이소프로필 알코올 가스(IPA:Isopropyl alcohol gas)가 사용될 수 있다. Process to be used in the substrate processing process fluid is hydrofluoric acid (HF), sulfuric acid (H3SO4), hydrogen peroxide (H _₂ O _2), nitric acid (HNO3), phosphoric acid (H3PO4), ozone water, and SC-1 solution (ammonium hydroxide (NH ₄ OH), hydrogen peroxide (H ₂ O ₂ ) and water (mixture of H ₂ O)) may be at least one selected from the group consisting of. Ultra rinse water (DIW: Deionized Water) may be used as the rinse liquid, and isopropyl alcohol gas (IPA: Isopropyl alcohol gas) may be used as the dry gas.

도 4는 약액 공급 장치(800)의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.4 is a diagram schematically showing the configuration of the chemical liquid supply apparatus 800.

도 4를 참조하면, 약액 공급 장치(800)는 기판 처리 장치(1)의 노즐유닛(310)으로 고온의 약액을 공급한다. 약액 공급 장치(800)는 회수 부재(810), 약액 소스부(820), 제 1 공급 유닛(830), 제 2 공급 유닛(850), 메인 공급 유닛 (870),분배 부재(890) 및 배출 부재(900)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the chemical liquid supply apparatus 800 supplies a high temperature chemical liquid to the nozzle unit 310 of the substrate processing apparatus 1. The chemical liquid supply device 800 includes a recovery member 810, a chemical liquid source part 820, a first supply unit 830, a second supply unit 850, a main supply unit 870, a distribution member 890, and a discharge. And a member 900.

회수 부재(810)는 회수 공급 라인(812), 회수 탱크(814) 및 재사용 공급 라인(816)을 포함한다. The recovery member 810 includes a recovery supply line 812, a recovery tank 814, and a reuse supply line 816.

회수 공급 라인(812)은 기판 처리 장치(1)에서 사용된 약액을 회수 탱크(814)로 회수하는 연결 부재이다. 회수 공급 라인(812)은 기판 처리 장치(1)의 처리용기(100)의 배출라인(141,143,145)과 연결된다. 회수 공급 라인(812) 상에는 필터와 펌프가 설치된다. 기판 처리 장치(1)에서 사용된 약액은 회수 공급 라이인(812) 상의 필터를 통과하면서 이물질이 필터링되고 펌프에 의해 가압되어 회수 탱크(814)로 회수된다.The recovery supply line 812 is a connecting member for recovering the chemical liquid used in the substrate processing apparatus 1 to the recovery tank 814. The recovery supply line 812 is connected to the discharge lines 141, 143, and 145 of the processing container 100 of the substrate processing apparatus 1. A filter and a pump are installed on the recovery supply line 812. The chemical liquid used in the substrate processing apparatus 1 passes through a filter on the recovery supply line 812, and foreign matter is filtered, pressurized by a pump, and recovered to the recovery tank 814.

회수 탱크(814)는 회수 공급 라인(812)을 통해 회수된 약액을 재사용할 수 있도록 저장하는 탱크이다. 회수 탱크(814)는 레벨 센서(813)와 순환 라인(815)을 포함한다. 레벨 센서(813)는 회수 탱크(814)의 회수된 약액의 수위를 감지한다. 순환 라인(815)은 회수 탱크(814)의 저장된 약액을 순환시킨다. 순환 라인(815) 상에는 펌프가 설치된다.The recovery tank 814 is a tank for storing the chemical liquid recovered through the recovery supply line 812 for reuse. Recovery tank 814 includes a level sensor 813 and a circulation line 815. The level sensor 813 senses the level of the recovered chemical liquid in the recovery tank 814. The circulation line 815 circulates the stored chemical liquid in the recovery tank 814. A pump is installed on the circulation line 815.

재사용 공급 라인(816)은 회수 탱크(814)에 저장된 약액을 제 1 공급 유닛(830)의 제 1 탱크(832)에 공급하는 연결 부재이다.The reuse supply line 816 is a connecting member for supplying the chemical liquid stored in the recovery tank 814 to the first tank 832 of the first supply unit 830.

약액 소스부(820)는 제 1 약액 소스부(820a)와 제 2 약액 소스부(820b)로 나눈다. 제 1 약액 소스부(820a)의 약액은 황산(H2SO4)일 수 있으며, 제 2 약액 소스부(820b)의 약액은 과산화수소(H2O2)일 수 있다.The chemical liquid source part 820 is divided into a first chemical liquid source part 820a and a second chemical liquid source part 820b. The chemical liquid of the first chemical liquid source part 820a may be sulfuric acid (H 2 SO 4), and the chemical liquid of the second chemical liquid source part 820b may be hydrogen peroxide (H 2 O 2).

제 1 약액 소스부(820a)는 제 1 약액 공급원(821a)과 제 1 메인 약액 공급 라인(822a) 그리고 제 1 메인 약액 공급라인으로부터 분기되고 제1메인 약액 공급라인보다는 직경이 작은 배관으로 이루어지는 제1보충 약액 공급라인(823a)을 포함하며, 제 2 약액 소스부(820b)는 제 2 약액 공급원(821b)과 제 2 약액 공급 라인(822b), 제 2 메인 약액 공급라인으로부터 분기되고 제2메인 약액 공급라인보다는 직경이 작은 배관으로 이루어지는 제2보충 약액 공급라인(823b) 그리고 제 2 메인 약액 공급라인으로부터 분기되고 제2메인 약액 공급라인보다는 직경이 작은 배관으로 이루어지며 노즐 유닛(310)으로 제2약액을 공급하는 제3보충 약액 공급라인(824)를 포함한다. 제 1 메인 약액 공급 라인(822a)과 제 2 메인 약액 공급 라인(823a)의 배관이 큰 이유는 신속하게 약액을 탱크로 공급하기 위함이고, 제1,2,3보충 약액 공급라인(823a.823b,824)의 배관이 작은 이유는 탱크 내부에 혼합된 약액의 농도 변화량 만큼 소량의 약액을 공급하기 용이하기 때문이다. The first chemical liquid source part 820a is formed of a first branch of the chemical liquid supply source 821a, the first main chemical liquid supply line 822a, and a pipe branched from the first main chemical liquid supply line and smaller in diameter than the first main chemical liquid supply line. And a supplemental chemical liquid supply line 823a, wherein the second chemical liquid source portion 820b is branched from the second chemical liquid supply 821b, the second chemical liquid supply line 822b, and the second main chemical liquid supply line, and the second main The second supplement chemical liquid supply line 823b made of a pipe having a smaller diameter than the chemical liquid supply line, and branched from the second main chemical liquid supply line, and made of a smaller diameter than the second main chemical liquid supply line, And a third supplemental chemical supply line 824 for supplying the two chemicals. The reason why the piping between the first main chemical supply line 822a and the second main chemical supply line 823a is large is to quickly supply the chemical to the tank, and the first, second and third supplement chemical supply lines 823a. 823b (824) is small because it is easy to supply a small amount of chemical liquid by the concentration change amount of the chemical liquid mixed inside the tank.

제 1 약액 공급원(821a)과 제 2 약액 공급원(821b)은 제 1 메인 약액 공급 라인(822a)과 제 2 메인 약액 공급 라인(823a)을 통해 제 1, 제 2 공급 유닛(830,850)의 제 1, 제 2 탱크(832,852)에 약액을 공급한다. 즉, 약액 소스부(820)는 제 1, 제 2 탱크(832,852)에 제1약액과 제2약액을 채울때에는 제 1 메인 약액 공급 라인(822a)과 제 2 메인 약액 공급 라인(823a)을 통해 제1,2약액을 공급받는다. 하지만, 약액 소스부(820)는 제 1, 제 2 탱크(832,852)에 회수 탱크(814)로부터 회수된 혼합약액을 공급받는 경우 혼합 약액의 농도 변화가 발생되고, 제 1, 제 2 탱크(832,852)에 혼합된 약액이 순환라인을 통해 순환 순환하는 과정에서도 농도 변화가 발생되는데, 이경우에는 제 1 메인 약액 공급 라인(822a)과 제 2 메인 약액 공급 라인(823a)이 아닌 제1,2보충 약액 공급라인(823a.823b)을 통해 농도 보정을 위한 소량의 약액을 공급받는다. 도시하지 않았지만 혼합 약액의 농도 체크를 위해 제 1, 제 2 탱크(832,852)에는 농도측정센서가 설치되어 있다. The first chemical supply source 821a and the second chemical supply source 821b are connected to the first and second supply units 830 and 850 through the first main chemical supply line 822a and the second main chemical supply line 823a. The chemical liquid is supplied to the second tanks 832 and 852. That is, the chemical liquid source part 820 fills the first chemical liquid and the second chemical liquid in the first and second tanks 832 and 852 through the first main chemical liquid supply line 822a and the second main chemical liquid supply line 823a. Receive the first and second drugs. However, when the chemical liquid source unit 820 receives the mixed chemical liquid recovered from the recovery tank 814 to the first and second tanks 832 and 852, a change in concentration of the mixed chemical liquid is generated, and the first and second tanks 832 and 852 are used. In the process of circulating through the circulation of the chemical mixed in the circulation) concentration change occurs, in this case, the first and second supplemental chemicals, not the first main chemical supply line 822a and the second main chemical supply line 823a The supply line 823a.823b receives a small amount of chemical liquid for concentration correction. Although not shown, a concentration measuring sensor is installed in the first and second tanks 832 and 852 to check the concentration of the mixed chemical liquid.

한편, 제3보충 약액 공급라인(824)은 제2메인 약액 공급라인(822b)으로부터 분기되어 노즐 유닛(310)으로 제2약액을 공급하게 되는데, 이때 제3보충 약액 공급라인(824)은 노즐 유닛(310)으로 공급되는 혼합된 약액의 과산화수소의 농도 변화량에 따라 약액을 추가 공급하여 혼합 약액의 농도를 일정하게 유지시킬 수 있다. Meanwhile, the third supplement chemical solution supply line 824 is branched from the second main chemical supply line 822b to supply the second chemical solution to the nozzle unit 310, wherein the third supplement chemical solution supply line 824 is a nozzle. The chemical liquid may be additionally supplied according to the change in the concentration of hydrogen peroxide in the mixed chemical liquid supplied to the unit 310 to keep the concentration of the mixed chemical liquid constant.

제 1 공급 유닛(830)은 제 1 탱크(832) 및 제 1 연결 라인(834)을 포함한다. The first supply unit 830 includes a first tank 832 and a first connection line 834.

제 1 탱크(832)는 회수 탱크(814)로부터 약액을 공급받거나 약액 소스부(820)로부터 약액을 공급받아 저장하는 탱크이다. 제 1 탱크(832)는 레벨 센서(833)와 순환 라인(835)을 포함한다. 레벨 센서(833)는 제 1 탱크(832) 내의 약액의 수위를 감지한다. 순환 라인(835)은 제 1 탱크(832) 내의 약액을 순환시키는 연결 부재이다. 순환 라인(835)상에 펌프, 히터, 압력계, 필터, 유량계 및 밸브가 설치된다. 제 1 탱크(832)는 메인 공급 유닛(870)의 메인 탱크(872)로 약액을 공급하는 주탱크이다. 제 1 탱크(832)는 메인 공급 유닛(870)의 메인 탱크(872)로 약액을 공급하기 전에 약액의 농도와 온도를 보정한다. 기판 처리 장치(1)에서 사용된 약액이 회수 탱크(814)를 거쳐 제 1 탱크(832)로 공급되는 경우, 약액의 농도와 온도가 설정된 기준에 미달되는 경우가 발생한다. 이 때, 제 1 탱크(832)는 약액의 농도를 보정하기 위해 약액 소스부(820)로부터 약액을 공급받으며, 약액을 순환 라인(835) 상의 가열기를 거쳐 온도를 보정한다.The first tank 832 is a tank that receives the chemical liquid from the recovery tank 814 or receives the chemical liquid from the chemical liquid source unit 820 and stores the chemical liquid. The first tank 832 includes a level sensor 833 and a circulation line 835. The level sensor 833 detects the level of the chemical liquid in the first tank 832. The circulation line 835 is a connecting member for circulating the chemical liquid in the first tank 832. Pump, heater, manometer, filter, flow meter and valve are installed on circulation line 835. The first tank 832 is a main tank that supplies the chemical liquid to the main tank 872 of the main supply unit 870. The first tank 832 corrects the concentration and temperature of the chemical liquid before supplying the chemical liquid to the main tank 872 of the main supply unit 870. When the chemical liquid used in the substrate processing apparatus 1 is supplied to the first tank 832 via the recovery tank 814, a case where the concentration and the temperature of the chemical liquid does not meet the set criteria occurs. At this time, the first tank 832 receives the chemical liquid from the chemical liquid source unit 820 to correct the concentration of the chemical liquid, and corrects the temperature of the chemical liquid via a heater on the circulation line 835.

제 1 연결 라인(834)은 제 1 탱크(832)에 저장된 약액을 메인 공급 유닛(870)의 메인 탱크(872)에 공급하는 연결부재이다.The first connection line 834 is a connection member for supplying the chemical liquid stored in the first tank 832 to the main tank 872 of the main supply unit 870.

제 2 공급 유닛(850)은 제 2 탱크(852) 및 제 2 연결 라인(854)을 포함한다.The second supply unit 850 includes a second tank 852 and a second connection line 854.

제 2 탱크(852)는 약액 소스부(820)로부터 공급된 약액을 저장하는 탱크이다. 제 2 탱크(852)는 레벨 센서(853)와 순환 라인(855)을 포함한다. 레벨 센서(853)는 제 2 탱크(852) 내의 약액 수위를 감지한다. 순환 라인(855)은 제 2 탱크(852) 내의 약액을 순환시키는 연결 부재이다. 순환 라인(855) 상에는 펌프, 히터, 압력계, 필터, 유량계 및 밸브가 설치된다. 제 2 탱크(852)는 제 1 탱크(832)의 보조 탱크로서, 제 1 탱크(832)가 약액을 교환하거나 제 1 탱크(832)의 하자가 발생한 경우에 메인 공급 장치(870)의 메인 탱크(872)로 약액을 공급한다.The second tank 852 is a tank for storing the chemical liquid supplied from the chemical liquid source unit 820. The second tank 852 includes a level sensor 853 and a circulation line 855. The level sensor 853 detects the level of the chemical liquid in the second tank 852. The circulation line 855 is a connecting member for circulating the chemical liquid in the second tank 852. On the circulation line 855, a pump, heater, manometer, filter, flow meter and valve are installed. The second tank 852 is an auxiliary tank of the first tank 832, and the main tank of the main supply device 870 when the first tank 832 exchanges chemical liquids or a defect of the first tank 832 occurs. Supply chemical liquid to (872).

제 2 연결 라인(854)은 제 2 탱크(852)에 저장된 약액을 메인 공급 유닛(870)의 메인 탱크(872)로 공급하는 연결 부재이다.The second connection line 854 is a connection member for supplying the chemical liquid stored in the second tank 852 to the main tank 872 of the main supply unit 870.

메인 공급 유닛(870)은 메인 탱크(872)와 메인탱크(872)를 예열하기 위한 예열 부재(840)를 포함한다.The main supply unit 870 includes a preheating member 840 for preheating the main tank 872 and the main tank 872.

메인 탱크(872)는 제 1 및 제 2 탱크(832,852)로부터 공급된 약액을 저장하는 탱크이다. 메인 탱크(872)는 레벨 센서(미도시됨)와 순환 라인(875)을 포함한다. 레벨 센서(873)는 메인 탱크(872) 내의 약액 수위를 감지한다. 순환 라인(875)은 메인 탱크(872)의 약액을 순환시키는 연결 부재이다. 순환 라인(875) 상에는 펌프, 히터, 압력계, 필터, 유량계 및 밸브를 포함한다. 메인 탱크(872)는 기판 처리 장치(1)로 약액을 공급하는 약액 공급 장치(800)의 최종 단계 탱크이다.The main tank 872 is a tank for storing chemical liquids supplied from the first and second tanks 832 and 852. Main tank 872 includes a level sensor (not shown) and circulation line 875. The level sensor 873 detects the level of the chemical liquid in the main tank 872. The circulation line 875 is a connecting member for circulating the chemical liquid in the main tank 872. On circulation line 875 includes a pump, heater, manometer, filter, flow meter and valve. The main tank 872 is a final stage tank of the chemical liquid supply apparatus 800 that supplies the chemical liquid to the substrate processing apparatus 1.

분배 부재(890)는 메인 탱크(872)로부터 약액을 공급받고 약액을 기판 처리 장치(1)에 분배한다. 분배 부재(890)는 분배기(892)와 분배 라인(894)을 포함한다. The distribution member 890 receives the chemical liquid from the main tank 872 and distributes the chemical liquid to the substrate processing apparatus 1. Dispensing member 890 includes a dispenser 892 and a dispensing line 894.

분배기(892)는 메인 탱크(872)로부터 약액을 공급받아 이를 수용한다. 분배 라인(894)은 복수 개가 구비될 수 있으며, 각각의 분배 라인(894)은 분배기(892)로부터 기판 처리 장치(1)의 노즐 유닛(310)으로 약액을 공급한다.The distributor 892 receives the chemical liquid from the main tank 872 to receive it. A plurality of distribution lines 894 may be provided, and each of the distribution lines 894 supplies the chemical liquid from the distributor 892 to the nozzle unit 310 of the substrate processing apparatus 1.

배출 부재(900)는 제 1, 제 2 탱크(832,852), 제 1, 제 2 및 메인 탱크(832,852,872)에 포함된 순환 라인(835,855,875) 및 제 1, 제 2 및 메인 탱크를 담고 있는 바닥 용기에 각각 연결된 배출 라인(881)을 포함한다. 배출라인(881)은 버퍼 탱크(882)를 거쳐 외부로 배출된다. The discharge member 900 is provided in the bottom container containing the circulation lines 835, 855, 875 included in the first, second tanks 832, 852, the first, second, and main tanks 832, 852, 872 and the first, second, and main tanks. Each comprising a discharge line 881 connected thereto. The discharge line 881 is discharged to the outside via the buffer tank (882).

상기에서 설명한 것처럼, 약액 공급 장치(800)는 약액 소스부(820)로부터 공급된 약액과 기판 처리 장치(1)에서 사용된 약액을 복수 개의 탱크(814,832,852,872)에 저장하고 이를 거쳐 기판 처리 장치(1)에 공급하는 장치이며, 기판 처리 장치(1)로 공급될 고온의 약액이 저장되는 메인 탱크(872)는 예열부재(840)에 의해 90℃ 고온으로 예열된 상태에서 고온(170℃~190℃)의 약액을 공급받는다.As described above, the chemical liquid supply apparatus 800 stores the chemical liquid supplied from the chemical liquid source unit 820 and the chemical liquid used in the substrate processing apparatus 1 in the plurality of tanks 814, 832, 852, 872, and through the substrate processing apparatus 1. The main tank 872, which stores the high temperature chemical liquid to be supplied to the substrate processing apparatus 1, is preheated to a high temperature of 90 ° C by the preheating member 840 (170 ° C to 190 ° C). Get medicine).

약액 공급 장치(800)를 이용한 약액의 공급 및 재사용 시스템에 대하여 설명한다. 약액 공급 및 재사용 시스템은 시스템 대기 단계, 시스템 진행 단계, 약액 교환 단계로 나뉜다. 시스템 대기 단계는 약액을 기판 처리 장치(1)에 공급하기 전에 비워진 제 1, 제 2 및 메인 탱크(832,852,872)에 약액을 저장하는 단계를 말한다. 시스템 진행 단계는 시스템을 작동시킨 후 약액을 기판 처리 장치(1)에 공급하고 사용된 약액을 회수하는 단계를 말한다. 시스템 진행 단계는 2 단계로 나눠 진행된다. 약액 교환 단계는 기판 처리 장치(1)에서 사용된 약액을 배출하고 새로운 약액을 공급하는 단계를 말한다. 이때, 약액을 저장하는 복수 개의 탱크(814,832,852,872)들은 약액이 탱크에 가득 채워진 수위를 기준으로 HH레벨, H 레벨, MR 레벨, M 레벨, L 레벨, LL 레벨로 나뉠 수 있다. A chemical supply and reuse system using the chemical supply device 800 will be described. The chemical supply and reuse system is divided into a system standby step, a system progress step, and a chemical liquid change step. The system standby step refers to the step of storing the chemical liquid in the empty first, second and main tanks 832, 852, 872 before supplying the chemical liquid to the substrate processing apparatus 1. The system progress step refers to a step of supplying the chemical liquid to the substrate processing apparatus 1 and recovering the used chemical liquid after operating the system. The system progress phase is divided into two stages. The chemical liquid exchange step refers to a step of discharging the chemical liquid used in the substrate processing apparatus 1 and supplying a new chemical liquid. In this case, the plurality of tanks 814, 832, 852, 872 storing the chemical liquid may be divided into HH level, H level, MR level, M level, L level, and LL level based on the level of the chemical liquid filled in the tank.

상기에서 설명한 약액 공급, 재사용 및 교환 시스템은 기판 세정 공정 뿐만 아니라 약액을 사용하여 기판을 처리하는 공정에도 사용될 수 있다.The chemical liquid supply, reuse and exchange system described above can be used not only for the substrate cleaning process but also for the process of treating the substrate using the chemical liquid.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the embodiments above, those skilled in the art will understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.

800 : 약액 공급 장치 810 : 회수 부재
820 : 약액 소스부 830 : 제 1 공급 유닛
840 : 예열 부재 850 : 제 2 공급 유닛
870 : 메인 공급 유닛 890 : 분배 부재 800: chemical liquid supply device 810: recovery member
820: chemical liquid source portion 830: first supply unit
840: preheat member 850: second supply unit
870: main supply unit 890: distribution member

Claims

A substrate processing unit comprising a housing, a spin head, a lifting unit, an injection member, and an exhaust member,
A chemical liquid supply device for supplying a chemical liquid to the substrate processing unit, wherein the chemical liquid supply device,
First and second drug source portion;
A plurality of chemical liquid tanks, which are containers for receiving and mixing the first and second chemical liquids from the first and second chemical liquid sources;
A main tank for receiving and storing the mixed hot chemical liquid from the plurality of chemical liquid tanks and for supplying the stored high temperature chemical liquid to the nozzle unit of the substrate processing unit;
First and second chemical liquid supply lines for supplying first and second chemical liquids from the first and second chemical liquid sources to the plurality of chemical tanks; And
And a first and a second supplement chemical solution supply lines for supplying a chemical solution for concentration correction from the chemical solution source unit to the plurality of chemical solution tanks to compensate for the change in concentration of the mixed chemical solution mixed in the plurality of chemical solution tanks. The substrate processing apparatus made into it.

The method of claim 1,
The chemical supply device
And a third supplement chemical solution supply line for supplying a second chemical solution from the second chemical source source to the nozzle unit of the substrate processing unit to compensate for a change in concentration of the mixed chemical solution supplied to the nozzle unit of the substrate processing unit. Substrate processing apparatus, characterized in that.