KR20110112727A - Pattern Forming Method of Semiconductor Device Using Double Patterning - Google Patents
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Abstract
본 발명의 더블 패터닝을 이용한 반도체소자의 패턴형성방법은, 기판 위의 식각 대상막 위에 제1 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 제1 포토마스크를 이용한 노광 및 현상으로 식각 대상막의 일부 표면을 노출시키는 제1 포토레지스트막패턴을 형성하는 단계와, 식각 대상막의 노출 표면 및 제1 포토레지스트막패턴 위에 제1 프리징 물질막을 형성하는 단계와, 제1 프리징 물질막을 베이크한 후 제거하는 단계와, 제1 프리징 물질막이 제거된 결과물 전면에 제2 프리징 물질막을 형성하는 단계와, 제2 프리징 물질막을 베이크한 후 제거하는 단계와, 제2 프리징 물질막이 제거된 결과물 전면에 제2 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 제2 포토마스크를 이용한 노광 및 현상으로 제1 포토레지스트막패턴 사이에 배치되는 제2 포토레지스트막패턴을 형성하는 단계와, 그리고 제1 포토레지스트막패턴 및 제2 포토레지스트막패턴을 식각마스크로 식각 대상막의 노출부분을 제거하는 단계를 포함한다.In the method of forming a semiconductor device using the double patterning of the present invention, forming a first photoresist film on the etching target film on the substrate, exposing a portion of the surface of the etching target film by exposure and development using the first photomask Forming a first photoresist film pattern, forming a first freezing material film on the exposed surface of the etch target film and the first photoresist film pattern, baking and removing the first freezing material film; Forming a second freezing material film on the entire surface of the resultant material from which the first freezing material film has been removed, baking and removing the second freezing material film, and a second photo on the entire surface of the resultant product from which the second freezing material film is removed. Forming a resist film, and forming a second photoresist film pattern disposed between the first photoresist film pattern by exposure and development using a second photomask. And a step with, and the first photoresist layer pattern and the step of the second photoresist film pattern to remove the etching target film is exposed portion as an etch mask.
Description
본 발명은 반도체소자의 패턴형성방법에 관한 것으로서, 특히 더블 패터닝을 이용한 반도체소자의 패턴형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a pattern of a semiconductor device, and more particularly to a pattern forming method of a semiconductor device using double patterning.
최근 반도체소자의 집적도가 증가함에 따라 웨이퍼상에 미세패턴을 형성하기 위한 여러가지 리소그라피(lithography) 방법들이 제안되고 있는데, 그 중 하나는 더블 패터닝(double patterning) 기술을 이용한 방법이다. 더블 패터닝 기술은 극자외선(EUV) 노광기술과 함께 40nm 노드 이하의 패턴 형성에 적용 가능할 것으로 기대되고 있는데, 식각을 수행하는 횟수에 따라 LELE(Litho-Etch-Litho-Etch) 방법과 LFLE(Litho-Freezing-Litho-Etch) 방법으로 구분된다. LELE 방법은 식각 단계가 2회 수행되어야 하는 반면에, LFLE 방법의 경우 1회의 식각단계만 수행해도 된다는 점에서 최근 관심이 집중되고 있다.Recently, as the degree of integration of semiconductor devices increases, various lithography methods for forming micropatterns on a wafer have been proposed. One of them is a method using a double patterning technique. Double patterning technology is expected to be applicable to pattern formation below 40nm node along with extreme ultraviolet (EUV) exposure technology. According to the number of etching, LELE (Litho-Etch-Litho-Etch) method and LFLE (Litho- Freezing-Litho-Etch) method. While the LELE method requires two etching steps, in the case of the LFLE method, attention has recently been focused on only one etching step.
LFLE 방법의 더블 패터닝을 이용한 반도체소자의 패턴형성방법을 개략적으로 설명하면, 먼저 패턴대상막 위에 제1 포토레지스트막을 도포한다. 그리고 제1 포토마스크를 이용한 노광 및 현상을 수행하여 패턴대상막의 일부를 노출시키는 제1 포토레지스트막패턴을 형성한다. 다음에 전면에 프리징(freezing) 물질막을 도포한 후 베이크(bake)를 수행한다. 이 과정에 의해 제1 포토레지스트막패턴의 표면 위에는 단단한 폴리머막이 형성된다. 다음에 프리징 물질막을 제거한 후에, 전면에 제2 포토레지스트막을 도포한다. 그리고 제2 포토마스크를 이용한 노광 및 현상을 수행하여 제1 포토레지스트막패턴 사이에 배치되는 제2 포토레지스트막패턴을 형성한다. 다음에 제1 포토레지스트막패턴 및 제2 포토레지스트막패턴을 이용한 식각을 수행하여 패턴대상막의 노출부분을 제거함으로써 미세 피치의 패턴이 형성된다.Referring to the method of forming a pattern of a semiconductor device using double patterning of the LFLE method, first, a first photoresist film is coated on the pattern target film. The first photoresist film pattern exposing a part of the pattern target film is formed by performing exposure and development using the first photomask. Next, a freezing material film is applied to the entire surface, followed by baking. By this process, a hard polymer film is formed on the surface of the first photoresist film pattern. Next, after the freezing material film is removed, a second photoresist film is applied to the entire surface. Exposure and development using a second photomask are performed to form a second photoresist film pattern disposed between the first photoresist film patterns. Next, etching is performed using the first photoresist film pattern and the second photoresist film pattern to remove the exposed portion of the pattern target film, thereby forming a fine pitch pattern.
이와 같이 LFLE 방법을 사용할 경우, 프리징 물질막에 의해 제1 포토레지스트막패턴의 표면 위에 단단한 폴리머막이 형성되고, 이에 따라 제2 포토레지스트막패턴을 형성하는 2차 패터닝 과정에서 제1 포토레지스트막패턴이 영향 받는 것을 억제할 수 있다. 그러나 프리징 물질막을 제거한 후, 제2 포토레지스트막을 도포하고 노광 및 현상을 수행하는 과정에서 제1 포토레지스트막패턴이 열화되는 현상이 여전히 발생될 수 있으며, 이 경우 제1 포토레지스트막패턴이 시디(CD; Critical Dimension)가 불균일해져, 전체적인 시디(CD) 균일도를 저하시킨다.As described above, when the LFLE method is used, a hard polymer film is formed on the surface of the first photoresist film pattern by the freezing material film, thereby forming the first photoresist film in the second patterning process of forming the second photoresist film pattern. The pattern can be suppressed from being affected. However, after the freezing material film is removed, the first photoresist film pattern may still be degraded in the process of applying the second photoresist film and performing exposure and development. In this case, the first photoresist film pattern may be formed. (CD; Critical Dimension) becomes nonuniform, reducing overall CD uniformity.
본 발명이 해결하려는 과제는, LFLE 방법의 더블 패터닝을 이용하여 패턴을 형성하는데 있어서 프리징 물질막을 제거한 후 수행되는 2차 패터닝 과정에서 1차 패터닝시 형성된 제1 포토레지스트막패턴이 열화되는 것을 방지함으로써 전체적인 시디(CD) 균일도를 향상시킬 수 있는 더블 패터닝을 이용한 반도체소자의 패턴형성방법을 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to prevent the first photoresist film pattern formed during the first patterning in the second patterning process performed after removing the freezing material film in forming the pattern by using the double patterning of the LFLE method By providing a pattern forming method of a semiconductor device using double patterning to improve the overall CD (CD) uniformity.
본 발명의 일 예에 따른 더블 패터닝을 이용한 반도체소자의 패턴형성방법은, 기판 위의 식각 대상막 위에 제1 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 제1 포토마스크를 이용한 노광 및 현상으로 식각 대상막의 일부 표면을 노출시키는 제1 포토레지스트막패턴을 형성하는 단계와, 식각 대상막의 노출 표면 및 제1 포토레지스트막패턴 위에 제1 프리징 물질막을 형성하는 단계와, 제1 프리징 물질막을 베이크한 후 제거하는 단계와, 제1 프리징 물질막이 제거된 결과물 전면에 제2 프리징 물질막을 형성하는 단계와, 제2 프리징 물질막을 베이크한 후 제거하는 단계와, 제2 프리징 물질막이 제거된 결과물 전면에 제2 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 제2 포토마스크를 이용한 노광 및 현상으로 제1 포토레지스트막패턴 사이에 배치되는 제2 포토레지스트막패턴을 형성하는 단계와, 그리고 제1 포토레지스트막패턴 및 제2 포토레지스트막패턴을 식각마스크로 식각 대상막의 노출부분을 제거하는 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a pattern forming method of a semiconductor device using double patterning may include forming a first photoresist layer on an etching target layer on a substrate, and exposing and developing a portion of the etching target layer by exposure and development using the first photomask. Forming a first photoresist film pattern exposing the surface, forming a first freezing material film on the exposed surface of the etch target film and the first photoresist film pattern, and baking and removing the first freezing material film Forming a second freezing material film on the entire surface of the product from which the first freezing material film has been removed; baking and removing the second freezing material film after the second freezing material film; Forming a second photoresist film on the second photoresist film; the second photoresist film pattern disposed between the first photoresist film pattern by exposure and development using a second photomask; Forming a turn, and removing the exposed portion of the etch target layer using the first photoresist layer pattern and the second photoresist layer pattern as an etch mask.
일 예에서, 상기 제1 프리징 물질막을 형성하는 단계는, 레진(resin)과 크로스-링커(cross-linker)로 구성된 프리징 에이전트(freezing agent)를 코팅하여 수행할 수 있다.In an example, the forming of the first freezing material layer may be performed by coating a freezing agent composed of a resin and a cross-linker.
일 예에서, 상기 제1 프리징 물질막은, 액상 형태의 폴리머일 수 있다.In one example, the first freezing material layer may be a polymer in a liquid form.
일 예에서, 상기 제2 프리징 물질막을 형성하는 단계는, 레진(resin)과 크로스-링커(cross-linker)로 구성된 프리징 에이전트(freezing agent)를 코팅하여 수행할 수 있다.In an example, the forming of the second freezing material layer may be performed by coating a freezing agent composed of a resin and a cross-linker.
일 예에서, 상기 제3 프리징 물질막은, 액상 형태의 폴리머일 수 있다.In one example, the third freezing material layer may be a polymer in a liquid form.
본 발명에 따르면, 1차 패터닝과 2차 패터닝 사이의 프리징(freezing) 단계를 2차례 반복하여 수행함으로써 1차 패터닝에 의해 형성된 제1 포토레지스막패턴의 표면을 보다 매끄럽게 하면서 보다 단단한 폴리머가 형성되도록 할 수 있으며, 이에 따라 2차 패터닝 과정에서 제1 포토레지스트막패턴의 시디(CD)가 변화하는 것을 방지하여 전체 시디 균일도를 향상시킬 수 있다는 이점이 제공된다.According to the present invention, by performing the freezing step between the primary patterning and the secondary patterning two times, a harder polymer is formed while smoothing the surface of the first photoresist film pattern formed by the primary patterning. In this case, the CD uniformity of the first photoresist film pattern is prevented from being changed in the second patterning process, thereby improving the overall CD uniformity.
도 1 내지 도 7은 본 발명에 따른 더블 패터닝을 이용한 반도체소자의 패턴형성방법을 설명하기 위해 나타내 보인 도면들이다.1 to 7 are views illustrating a method of forming a pattern of a semiconductor device using double patterning according to the present invention.
도 1을 참조하면, 실리콘(Si)기판과 같은 반도체기판(110) 위에 패턴 대상막(120)을 형성한다. 패턴 대상막(120)은 도전막이거나, 또는 절연막일 수 있다. 또한 반도체기판(110)과 패턴 대상막(120) 사이에는 다른 도전막이나 절연막이 배치될 수도 있다. 다음에 패턴 대상막(120) 위에 1차 패터닝을 위한 제1 포토레지스트막(130)을 형성한다. 제1 포토레지스트막(130)은 통상의 스핀코팅(spin coating)방법을 사용하여 형성할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 1, a
도 2를 참조하면, 제1 포토마스크(141)를 이용한 노광을 수행한다. 즉 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 일정 파장의 광을 제1 포토마스크(141)를 통해 제1 포토레지스트막(130)으로 조사되도록 한다. 이때 제1 포토마스크(141)의 광 투과영역을 통과하는 광은 제1 포토레지스막(130)으로 조사되는 반면, 제1 포토마스크(141)의 광 차단영역에 입사되는 광은 제1 포토레지스트막(130)으로 조사되지 않는다.Referring to FIG. 2, exposure using the
도 3을 참조하면, 노광이 이루어진 제1 포토레지스트막(도 2의 130)에 대해 현상을 수행하여 광이 조사된 부분을 제거한다. 이 현상공정에 의해 패턴 대상막(120) 위에는 제1 포토레지스트막패턴(131)이 형성된다. 다음에 패턴 대상막(120)의 노출표면과 제1 포토레지스트막패턴(131)을 모두 덮도록 전면에 제1 프리징 물질막(151)을 형성한다. 제1 프리징 물질막(151)은 레진(resin)과 크로스-링커(cross-linker)로 구성된 프리징 에이전트(freezing agent)를 코팅함으로써 형성할 수 있다. 일 예에서 프리징 에이전트는 액상의 폴리머일 수 있다.Referring to FIG. 3, a development is performed on the exposed first photoresist film 130 (refer to FIG. 2) to remove portions irradiated with light. By this developing process, the first
도 4를 참조하면, 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 제1 프리징 물질막(151)에 대한 베이크(bake) 공정을 수행한다. 이 베이크 공정에 의해, 제1 프리징 물질막(151)에 포함되어 있는 폴리머들이 제1 포토레지스트막패턴(131)의 액시드(acid) 성분과 크로스링킹(crosslinking) 화학적 반응을 하며, 이에 따라 제1 포토레지스트막패턴(131)의 표면에는 단단한 폴리머가 형성된다. 베이크 공정을 수행하여 제1 포토레지스트막패턴(131) 표면에 단단한 폴리머를 형성한 후에는, 현상공정을 수행하여 제1 프리징 물질막(151)을 제거한다. 제1 프리징 물질막(151)이 제거됨에 따라 패턴 대상막(120) 위에는 제1 표면에 단단한 폴리머가 형성된 제1 포토레지스트막패턴(131)이 노출된다. 일 예에서, 제1 프리징 물질막(151) 제거를 위한 현상공정은, TMAH(tetramethylammonium hydroxide) 현상액을 사용하여 수행할 수 있다.Referring to FIG. 4, as indicated by arrows in the drawing, a bake process is performed on the first
도 5를 참조하면, 패턴 대상막(120)의 노출 표면과 제1 포토레지스트막패턴(131)을 덮도록 전면에 제2 프리징 물질막(152)을 형성한다. 제2 프리징 물질막(152)은, 제1 프리징 물질막(151)과 동일하게, 즉 레진(resin)과 크로스-링커(cross-linker)로 구성된 프리징 에이전트(freezing agent)를 코팅함으로써 형성할 수 있다. 일 예에서 프리징 에이전트는 액상의 폴리머일 수 있다. 다음에 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 제2 프리징 물질막(152)에 대한 베이크(bake) 공정을 수행한다. 이 베이크 공정에 의해, 제2 프리징 물질막(152)에 포함되어 있는 폴리머들은 제1 포토레지스트막패턴(131)의 표면에 남아 있는 액시드(acid) 성분과 크로스링킹(crosslinking) 화학적 반응을 하며, 이에 따라 제1 포토레지스트막패턴(131)의 표면에는 보다 더 단단한 폴리머가 형성되며, 제1 포토레지스트막패턴(131)의 표면 상태는 보다 더 매끄러운 상태가 된다. 베이크 공정을 수행한 후에는 현상공정을 수행하여 제2 프리징 물질막(152)을 제거한다. 일 예에서, 제2 프리징 물질막(152) 제거를 위한 현상공정은, TMAH(tetramethylammonium hydroxide) 현상액을 사용하여 수행할 수 있다.Referring to FIG. 5, a second
도 6을 참조하면, 2차 패터닝을 수행하기 위해, 패턴 대상막(120)의 노출 표면과 제1 포토레지스트막패턴(131)을 덮도록 전면에 제2 포토레지스트막(160)을 형성한다. 이전에 프리징 물질막 도포 및 베이크 과정을 2회 반복하여 수행하였으므로, 제1 포토레지스트막패턴(131)의 표면은 매끄러운 상태를 유지하면서 보다 단단한 폴리머로 덮여 있으며, 따라서 제2 포토레지스트막(160)을 형성하는 과정에서 제1 포토레지스트막패턴(131)의 시디(CD)가 변화하는 현상이 방지된다. 다음에 제2 포토마스크(142)를 이용한 노광을 수행한다. 즉 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 일정 파장의 광을 제2 포토마스크(142)를 통해 제2 포토레지스트막(160)으로 조사되도록 한다. 이때 제2 포토마스크(142)의 광 투과영역을 통과하는 광은 제2 포토레지스막(160)으로 조사되는 반면, 제2 포토마스크(142)의 광 차단영역에 입사되는 광은 제2 포토레지스트막(160)으로 조사되지 않는다.Referring to FIG. 6, the second
도 7을 참조하면, 노광이 이루어진 제2 포토레지스트막(도 6의 160)에 대해 현상을 수행하여 광이 조사된 부분을 제거한다. 이 현상공정에 의해 패턴 대상막(120) 위에는 제1 포토레지스트막패턴(131) 사이에 배치되는 제2 포토레지스트막패턴(161)이 형성된다. 다음에 제1 포토레지스트막패턴(131) 및 제2 포토레지스트막패턴(161)을 식각마스크로 패턴 대상막(120)의 노출부분을 제거함으로써 미세 피치의 패턴을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 7, a development is performed on the exposed second photoresist film 160 (in FIG. 6) to remove a portion to which light is irradiated. By the development process, a second
110...기판 120...패턴 대상막
130...제1 포토레지스트막 131...제1 포토레지스트막패턴
141...제1 포토마스크 151...제1 프리징 물질막
152...제2 프리징 물질막 160...제2 포토레지스트막
161...제2 포토레지스트막패턴110
130
141 The
152 ... second freezing
161 ... Second Photoresist Film Pattern
Claims (5)
제1 포토마스크를 이용한 노광 및 현상으로 상기 식각 대상막의 일부 표면을 노출시키는 제1 포토레지스트막패턴을 형성하는 단계;
상기 식각 대상막의 노출 표면 및 제1 포토레지스트막패턴 위에 제1 프리징 물질막을 형성하는 단계;
상기 제1 프리징 물질막을 베이크한 후 제거하는 단계;
상기 제1 프리징 물질막이 제거된 결과물 전면에 제2 프리징 물질막을 형성하는 단계;
상기 제2 프리징 물질막을 베이크한 후 제거하는 단계;
상기 제2 프리징 물질막이 제거된 결과물 전면에 제2 포토레지스트막을 형성하는 단계;
제2 포토마스크를 이용한 노광 및 현상으로 상기 제1 포토레지스트막패턴 사이에 배치되는 제2 포토레지스트막패턴을 형성하는 단계; 및
상기 제1 포토레지스트막패턴 및 제2 포토레지스트막패턴을 식각마스크로 상기 식각 대상막의 노출부분을 제거하는 단계를 포함하는 반도체소자의 패턴형성방법.Forming a first photoresist layer on the etching target layer on the substrate;
Forming a first photoresist layer pattern exposing a portion of the surface of the etching target layer by exposure and development using a first photomask;
Forming a first freezing material layer on the exposed surface of the etching target layer and the first photoresist layer pattern;
Baking and removing the first freezing material layer;
Forming a second freezing material film on the entire surface of the product from which the first freezing material film is removed;
Baking and removing the second freezing material layer;
Forming a second photoresist film on the entire surface of the resultant material from which the second freezing material film is removed;
Forming a second photoresist film pattern disposed between the first photoresist film pattern by exposure and development using a second photomask; And
And removing the exposed portions of the etching target layer using the first photoresist layer pattern and the second photoresist layer pattern as an etching mask.
상기 제1 프리징 물질막을 형성하는 단계는, 레진(resin)과 크로스-링커(cross-linker)로 구성된 프리징 에이전트(freezing agent)를 코팅하여 수행하는 반도체소자의 패턴형성방법.The method of claim 1,
The forming of the first freezing material layer may be performed by coating a freezing agent including a resin and a cross-linker.
상기 제1 프리징 물질막은, 액상 형태의 폴리머인 반도체소자의 패턴형성방법.The method of claim 1,
The first freezing material film is a pattern forming method of a semiconductor device is a polymer in a liquid form.
상기 제2 프리징 물질막을 형성하는 단계는, 레진(resin)과 크로스-링커(cross-linker)로 구성된 프리징 에이전트(freezing agent)를 코팅하여 수행하는 반도체소자의 패턴형성방법.The method of claim 1,
The forming of the second freezing material layer may be performed by coating a freezing agent composed of a resin and a cross-linker.
상기 제2 프리징 물질막은, 액상 형태의 폴리머인 반도체소자의 패턴형성방법.The method of claim 1,
And the second freezing material layer is a polymer in a liquid form.
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|---|---|---|---|---|
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Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8906584B2 (en) | 2012-08-31 | 2014-12-09 | SK Hynix Inc. | Photomask and method for forming pattern of semiconductor device using the same |
| CN113380816A (en) * | 2020-05-29 | 2021-09-10 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | Memory device and method |
| KR20210148824A (en) * | 2020-05-29 | 2021-12-08 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Three-dimensional memory device and method |
| US11532640B2 (en) | 2020-05-29 | 2022-12-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing a three-dimensional memory |
| US12200940B2 (en) | 2020-05-29 | 2025-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Three-dimensional memory device |
| US12002534B2 (en) | 2020-06-19 | 2024-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Memory array word line routing |
| US12471346B2 (en) | 2020-06-30 | 2025-11-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Memory array isolation structures |
| KR20220009840A (en) * | 2020-07-16 | 2022-01-25 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Three-dimensional memory device and method |
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| US11903216B2 (en) | 2020-07-16 | 2024-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Three-dimensional memory device and method |
| US12464726B2 (en) | 2020-07-16 | 2025-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Three-dimensional memory device and method |
| US11647634B2 (en) | 2020-07-16 | 2023-05-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Three-dimensional memory device and method |
| US12501622B2 (en) | 2020-07-16 | 2025-12-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Three-dimensional memory device and method |
| US12148505B2 (en) | 2020-07-30 | 2024-11-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Memory array staircase structure |
| US11776602B2 (en) | 2020-07-30 | 2023-10-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Memory array staircase structure |
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