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KR20090068615A - MOSFF RDSOON measuring device and its method - Google Patents

MOSFF RDSOON measuring device and its method Download PDF

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KR20090068615A
KR20090068615A KR1020070136300A KR20070136300A KR20090068615A KR 20090068615 A KR20090068615 A KR 20090068615A KR 1020070136300 A KR1020070136300 A KR 1020070136300A KR 20070136300 A KR20070136300 A KR 20070136300A KR 20090068615 A KR20090068615 A KR 20090068615A
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drain
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최병문
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Abstract

본 발명은 MOSFET의 Rdson 측정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 MOSFET의 RDSON 측정을 위한 다수의 프로브 카드 니들에 별도의 저항을 추가하여 다수의 프로브 카드 니들 간에 측정되는 소오스와 드레인 간의 전류값의 오차의 범위를 줄여 보다 정확하게 MOSFET의 Rdson을 측정할 수 있는 MOSFET의 Rdson 측정 장치에 관한 것으로 본 발명의 MOSFET의 Rdson 측정 장치는, MOSFET의 드레인과 소오스 간에 흐르는 전류를 검출하기 위해 다수의 프로브 카드 니들 및 본딩와이어가 구비된 MOSFET의 Rdson 측정 장치에 있어서, 상기 프로브 카드 니들(200, 300, 400)에서 검출되는 드레인과 소오스 간에의 전류의 오차를 줄이기 위하여 상기 프로브 카드 니들(200, 300, 400)과 본딩와이어(210, 310, 410) 사이에 밸러스트 저항(ballast resist, R)을 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a device for measuring the Rdson of the MOSFET, and more particularly, by adding a separate resistor to the plurality of probe card needles for the RDSON measurement of the MOSFET, the error of the current value between the source and the drain measured between the plurality of probe card needles. Rdson measuring device of the MOSFET that can measure the Rdson of the MOSFET more accurately by reducing the range of the Rdson measuring device of the MOSFET of the present invention, a plurality of probe card needles and to detect the current flowing between the drain and source of the MOSFET In the Rdson measuring device of a MOSFET equipped with a bonding wire, in order to reduce the error of the current between the drain and the source detected by the probe card needle (200, 300, 400) and the probe card needle (200, 300, 400) A ballast resist (R) is included between the bonding wires 210, 310, and 410.

본 발명에 따른 MOSFET의 Rdson 측정 장치에 의하면, MOSFET의 RDSON 측정을 위한 다수의 프로브 카드 니들에 별도의 저항을 추가하여 다수의 프로브 카드 니들 간에 측정되는 소오스와 드레인 간의 전류값의 오차의 범위를 줄여 보다 정확하게 MOSFET의 Rdson을 측정할 수 있다.According to the Rdson measuring device of the MOSFET according to the present invention, by adding a separate resistor to the plurality of probe card needle for the RDSON measurement of the MOSFET to reduce the range of the error of the current value between the source and drain measured between the plurality of probe card needle The Rdson of the MOSFET can be measured more accurately.

Description

ＭＯＳＦＥＴ의 ＲＤＳＯＮ 측정 장치 및 그 방법{Apparatus and Method for Measuring Rdson of MOSFEET}Apparatus and Method for Measuring Rdson of MOSFEET}

본 발명은 MOSFET의 Rdson 측정 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 MOSFET의 RDSON 측정을 위한 다수의 프로브 카드 니들에 별도의 저항을 추가하여 다수의 프로브 카드 니들 간에 측정되는 소오스와 드레인 간의 전류값의 오차의 범위를 줄여 보다 정확하게 MOSFET의 Rdson을 측정할 수 있는 MOSFET의 Rdson 측정 장치 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an Rdson measuring device and method of the MOSFET, and more particularly, the current between the source and the drain measured between the plurality of probe card needle by adding a separate resistor to the plurality of probe card needle for the RDSON measurement of the MOSFET The present invention relates to a device for measuring Rdson of a MOSFET and a method for measuring the Rdson of a MOSFET more accurately by reducing a range of error of a value.

MOSFET에서 Rdson이란 on 상태에서 소오스와 드레인 사이의 전체 저항을 의미한다.In MOSFETs, Rdson means the total resistance between the source and drain in the on state.

도 1은 종래 기술에 따른 Rdson의 측정을 위해 게이트에 전원을 인가한 모습을 나타내는 회로도, 도 2는 종래 기술에 따른 소오스용 본딩 패드의 다수의 지점으로부터의 전류 검출시 소오스용 본딩 패드와 본딩와이어 간의 접촉 저항을 설명 하기 위한 개념도이다.1 is a circuit diagram illustrating a state in which power is applied to a gate for measuring Rdson according to the prior art, and FIG. 2 is a source bonding pad and a bonding wire when current is detected from a plurality of points of the source bonding pad according to the prior art. Conceptual diagram for explaining contact resistance between the liver.

도 1에 도시된 바와 같이, Rdson의 측정 방법은 게이트에 전압(VGS)을 인가하여 FET를 온(on) 시키고 소오스에서 전류(ID)를 싱킹(sinking)하면서 전압(V)을 측정하여 옴의 법칙(R = V/I)을 적용하여 Rdson을 측정한다.As shown in FIG. 1, Rdson's measuring method applies a voltage (VGS) to a gate to turn on the FET and measures the voltage (V) while sinking the current (ID) in the source. Rdson is measured by applying the law (R = V / I).

여기서, 높은 전류값을 가지는 MOSFET의 Rdson을 측정할 때에는 도 2에 도시된 바와 같이, 드레인과 소오스간의 전류간의 전류율(Drain to Source Current Rating)를 좋게 하기 위하여 넓은 면적의 소오스용 본딩 패드(10)에 수개의 측정용 프로브 카트 니들(Probe Card Needle)을 전류 용량에 맞게 균일하게 분포하게 하여 Rdson을 측정한다.Here, when measuring the Rdson of the MOSFET having a high current value, as shown in FIG. 2, in order to improve the drain to source current rating between the drain and the source (source bonding pad for a large area 10) Rdson is measured by uniformly distributing several measuring probe card needles to the current capacity.

이때 수개의 본딩와이어(210, 310, 410)가 각각 소오스용 본딩 패드(10)와 접촉시 서로 상이한 접촉 저항을 가지게 되어 균일한 전류 통로를 형성하기 않아 측정시 오차를 유발하는 문제점이 있었다.At this time, several bonding wires 210, 310, and 410 have different contact resistances when contacted with the source bonding pads 10, respectively, and thus do not form a uniform current path, thereby causing errors in measurement.

즉, 상기 소오스용 본딩 패드(10)의 각 지점에서의 상기 본딩와이어(210, 310, 410)과의 접촉 저항(R1, R2, R3) 값이 각각 3, 5, 15 mΩ이라고 하면 옴의 법칙에 의해 각 지점에서 검출되는 드레인과 소오스 간의 전류값은 각각 V/3, V/5, V/15가 되어 각각의 프로브 카트 니들로부터 검출되는 전류의 양이 현저히 차이가 나게 된다.That is, when the contact resistances R1, R2, and R3 of the bonding wires 210, 310, and 410 at the respective points of the source bonding pad 10 are 3, 5, and 15 mΩ, respectively, Ohm's law The current values between the drain and the source detected at each point are V / 3, V / 5, and V / 15, respectively, so that the amount of current detected from each probe cart needle is significantly different.

따라서 본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, MOSFET의 RDSON 측정을 위한 다수의 프로브 카드 니들에 별도의 저항을 추가하여 다수의 프로브 카드 니들 간에 측정되는 소오스와 드레인 간의 전류값의 오차의 범위를 줄여 보다 정확하게 MOSFET의 Rdson을 측정할 수 있는 MOSFET의 Rdson 측정 장치 및 그 방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and by adding a separate resistor to the plurality of probe card needles for the RDSON measurement of the MOSFET, the error of the current value between the source and the drain measured between the plurality of probe card needles The purpose of the present invention is to provide an Rdson measuring device and a method for measuring the Rdson of a MOSFET by reducing the range more accurately.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 MOSFET의 Rdson 측정 장치는, MOSFET의 드레인과 소오스 간에 흐르는 전류를 검출하기 위해 다수의 프로브 카드 니들 및 본딩와이어가 구비된 MOSFET의 Rdson 측정 장치에 있어서, 상기 프로브 카드 니들에서 검출되는 드레인과 소오스 간에의 전류의 오차를 줄이기 위하여 상기 프로브 카드 니들과 본딩와이어 사이에 밸러스트 저항(ballast resist)을 포함하는 것을 특징으로 한다.Rdson measuring device of the MOSFET of the present invention for achieving the above object, in the Rdson measuring device of a MOSFET equipped with a plurality of probe card needles and bonding wires for detecting a current flowing between the drain and the source of the MOSFET, And a ballast resistor between the probe card needle and the bonding wire to reduce the error of the current between the drain and the source detected by the probe card needle.

또한, 상기 밸러스트 저항값은 상기 프로브 카드 니들과 소오스용 본딩 패드 간의 접촉 저항 값 중 최대값의 5 내지 7 배로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the ballast resistance value is characterized in that formed from 5 to 7 times the maximum value of the contact resistance value between the probe card needle and the bonding pad for the source.

본 발명의 또 다른 일 측면으로서, 본 발명의 MOSFET의 Rdson 측정 방법은 드레인과 소오스 간에 흐르는 전류를 검출하기 위해 다수의 프로브 카드 니들 및 본딩와이어가 구비된 MOSFET의 Rdson 측정 장치에 있어서, 상기 프로브 카드 니들에서 검출되는 드레인과 소오스 간의 전류의 오차를 줄이기 위하여 상기 프로브 카드 니들과 본딩와이어 사이에 밸러스트 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET의 Rdson 측정 장치를 구비하는 1 단계; 및 상기 프로브 카드 니들로부터 검출된 전류의 평균값을 산출하고 소오스와 드레인 간의 전압을 검출하여 Rdson을 계산하는 2 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In another aspect of the present invention, the Rdson measuring method of the MOSFET of the present invention is a Rdson measuring device of a MOSFET equipped with a plurality of probe card needles and bonding wires for detecting a current flowing between the drain and the source, the probe card A step 1 comprising an Rdson measurement device for a MOSFET, characterized in that it comprises a ballast resistor between said probe card needle and a bonding wire to reduce the error in current between the drain and source detected at the needle; And calculating Rdson by calculating an average value of currents detected from the probe card needles and detecting a voltage between the source and the drain.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 MOSFET의 Rdson 측정 장치 및 그 방법에 의하면, MOSFET의 RDSON 측정을 위한 다수의 프로브 카드 니들에 별도의 저항을 추가하여 다수의 프로브 카드 니들 간에 측정되는 소오스와 드레인 간의 전류값의 오차의 범위를 줄여 보다 정확하게 MOSFET의 Rdson을 측정할 수 있다.As described in detail above, according to the Rdson measuring apparatus and method of the MOSFET according to the present invention, by adding a separate resistor to the plurality of probe card needle for the RDSON measurement of the MOSFET and a source measured between the plurality of probe card needle The Rdson of the MOSFET can be measured more accurately by reducing the range of error of the current value between the drains.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 MOSFET의 Rdson 측정 장치를 도시한 개념도이다.3 is a conceptual diagram illustrating a device for measuring Rdson of a MOSFET according to the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 MOSFET의 Rdson 측정 장치는, MOSFET의 드레인과 소오스 간에 흐르는 전류를 검출하기 위해 다수의 프로브 카드 니들(200, 300, 400) 및 상기 프로브 카드 니들(200, 300, 400)과 소오스용 본딩 패드(10)를 전기적으로 연결하는 본딩와이어(210, 310, 410)를 구비한다.As shown in FIG. 3, the Rdson measuring apparatus of the MOSFET of the present invention includes a plurality of probe card needles 200, 300, and 400 and the probe card needle 200, for detecting a current flowing between the drain and the source of the MOSFET. Bonding wires 210, 310, and 410 for electrically connecting the bonding pads 10 and 300 to the source.

그리고, 상기 프로브 카드 니들(200, 300, 400)에서 검출되는 드레인과 소오스 간에의 전류의 오차를 줄이기 위하여 상기 프로브 카드 니들(200, 300, 400)과 본딩와이어(210, 310, 410) 사이에 밸러스트 저항(ballast resist, R)을 포함한다.In addition, the probe card needles 200, 300, and 400 may be disposed between the probe card needles 200, 300, and 400 and the bonding wires 210, 310, and 410 to reduce an error in current between the drain and the source detected by the probe card needles 200, 300, and 400. Ballast resist (R).

여기서, 상기 밸러스트 저항값(R)은 상기 본딩와이어(210, 310, 410)와 소오스용 본딩 패드(10) 간의 접촉 저항 값 중 최대값의 5 내지 7 배로 형성되는 것이 바람직하다.Here, the ballast resistance (R) is preferably formed to be 5 to 7 times the maximum value of the contact resistance between the bonding wires (210, 310, 410) and the source bonding pad 10.

즉, 상기 배경기술에서 본 바와 같이, 상기 본딩와이어(210, 310, 410)와 소오스용 본딩 패드(10) 간의 접촉 저항(R1, R2, R3)이 각각 3, 5, 15 mΩ이라고 하면 상기 15 mΩ의 7 배가 되는 105 mΩ의 밸라스트 저항(R)을 연결한다.That is, as shown in the background art, if the contact resistances R1, R2, and R3 between the bonding wires 210, 310, and 410 and the source bonding pad 10 are 3, 5, and 15 mΩ, respectively, the 15 Connect a 105 mΩ ballast resistor (R), which is 7 times mΩ.

그러면, 상기 프로브 카드 니들(200, 300, 400)로부터 검출되는 전류의 값은 V/108, V/110, V/120이 된다.Then, the value of the current detected from the probe card needles 200, 300, and 400 becomes V / 108, V / 110, and V / 120.

따라서, 상기 프로브 카드 니들(200, 300, 400)로부터 검출되는 전류의 값의 차이가 현저히 개선되는 것을 알 수 있다.Therefore, it can be seen that the difference in the value of the current detected from the probe card needles 200, 300, and 400 is remarkably improved.

즉, 상기 밸라스트저항(R)을 통해 접촉 저항을 균일하게 분배하여 상기 프로브 카드 니들(200, 300, 400)로부터 검출되는 전류의 값을 균등하게 함으로서 Rdson을 보다 정확하게 측정할 수 있다.That is, Rdson can be measured more accurately by uniformly distributing the contact resistance through the ballast resistor R to equalize the value of the current detected from the probe card needles 200, 300, and 400.

여기서, 소오스와 드레인 간의 전압은 상기 밸라스트 저항(R)의 앞 부분인 소오스용 본딩 패드로부터 검출되므로 상기 밸라스트 저항(R)의 영향을 받지않는다.Here, the voltage between the source and the drain is detected from the source bonding pad, which is the front portion of the ballast resistor R, and thus is not affected by the ballast resistor R.

상기와 같은 구성을 가지는 MOSFET의 Rdson 측정 장치의 프로브 카드 니들(200, 300, 400)로부터 드레인과 소오스 간의 전류를 검출하고 상기 전류의 평균값을 산출을 한다.The current between the drain and the source is detected from the probe card needles 200, 300, and 400 of the Rdson measuring device of the MOSFET having the above configuration, and the average value of the current is calculated.

그리고 소오스와 드레인 간의 전압을 검출하여 Rdson을 계산하게 된다.The voltage between the source and the drain is detected to calculate Rdson.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정·변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.It is apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited to the above embodiments and can be practiced in various ways without departing from the technical spirit of the present invention. will be.

도 1은 종래 기술에 따른 Rdson의 측정을 위해 게이트에 전원을 인가한 모습을 나타내는 회로도,1 is a circuit diagram illustrating a state in which power is applied to a gate for measuring Rdson according to the prior art;

도 2는 종래 기술에 따른 소오스용 본딩 패드의 다수의 지점으로부터의 전류 검출시 소오스용 본딩 패드와 본딩와이어 간의 접촉 저항을 설명하기 위한 개념도,2 is a conceptual diagram illustrating a contact resistance between a source bonding pad and a bonding wire when current is detected from a plurality of points of a source bonding pad according to the related art;

도 3은 본 발명에 따른 MOSFET의 Rdson 측정 장치를 도시한 개념도.3 is a conceptual diagram illustrating an Rdson measuring device of a MOSFET according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10 : 소오스용 본딩 패드10: bonding pad for source

R1, R2, R3 : 소오스용 본딩 패드와 본딩와이어 간의 접촉저항R1, R2, R3: contact resistance between the source bonding pad and the bonding wire

R : 밸라스트저항R: Ballast Resistance

200, 300, 400 : 프로브 카드 니들200, 300, 400: probe card needle

210, 310, 420 : 본딩와이어 210, 310, 420: bonding wire

Claims (3)

MOSFET의 드레인과 소오스 간에 흐르는 전류를 검출하기 위해 다수의 프로브 카드 니들 및 본딩와이어가 구비된 MOSFET의 Rdson 측정 장치에 있어서,In the Rdson measuring device of the MOSFET equipped with a plurality of probe card needles and bonding wires for detecting the current flowing between the drain and the source of the MOSFET, 상기 프로브 카드 니들에서 검출되는 드레인과 소오스 간에의 전류의 오차를 줄이기 위하여 상기 프로브 카드 니들과 본딩와이어 사이에 밸러스트 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET의 Rdson 측정 장치.And a ballast resistor between the probe card needle and the bonding wire to reduce the error of current between the drain and the source detected by the probe card needle. 제 1 항에 있어서, 상기 밸러스트 저항 값은 상기 본딩와이어와 소오스용 본딩 패드 간의 접촉 저항 값 중 최대값의 5 내지 7 배로 형성되는 것을 특징으로 하는 MOSFET의 Rdson 측정 장치.The Rdson measurement apparatus of claim 1, wherein the ballast resistance value is formed to be 5 to 7 times the maximum value of the contact resistance value between the bonding wire and the source bonding pad. MOSFET의 드레인과 소오스 간에 흐르는 전류를 검출하기 위해 다수의 프로브 카드 니들 및 본딩와이어가 구비된 MOSFET의 Rdson 측정 장치에 있어서, 상기 프로브 카드 니들에서 검출되는 드레인과 소오스 간의 전류의 오차를 줄이기 위하여 상기 프로브 카드 니들과 본딩와이어 사이에 밸러스트 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET의 Rdson 측정 장치를 구비하는 1 단계; 및In the Rdson measuring device of the MOSFET equipped with a plurality of probe card needles and bonding wires for detecting the current flowing between the drain and the source of the MOSFET, the probe to reduce the error of the current between the drain and the source detected by the probe card needle A first step comprising an Rdson measurement device for a MOSFET, characterized in that it comprises a ballast resistor between the card needle and the bonding wire; And 상기 프로브 카드 니들로부터 검출된 전류의 평균값을 산출하고 소오스와 드레인 간의 전압을 검출하여 Rdson을 계산하는 2 단계;Calculating Rdson by calculating an average value of the current detected from the probe card needle and detecting a voltage between the source and the drain; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET의 Rdson 측정 방법.Rdson measurement method of a MOSFET comprising a.
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