KR20090033935A

KR20090033935A - Chemical injection method

Info

Publication number: KR20090033935A
Application number: KR1020070099010A
Authority: KR
Inventors: 이광렬; 서강영
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2007-10-02
Filing date: 2007-10-02
Publication date: 2009-04-07

Abstract

케미컬 분사 방법이 개시된다. 외부로부터 제1 분사 노즐을 수납 용기에 수납된 웨이퍼로 이동한다. 이어, 제1 분사 노즐을 사용하여 제1 케미컬을 웨이퍼로 분사한다. 이어, 제1 케미컬을 분사한 제1 분사 노즐을 웨이퍼가 수납된 수납용기의 외부로 이동시킨다. 이어, 제1 분사 노즐의 이동에 의해 제1 분사 노즐이 수납 용기에 수납된 웨이퍼를 이탈하는 시점에 외부로부터 제2 분사 노즐을 수납 용기에 수납된 웨이퍼로 이동시킨다. 이어, 제2 분사 노즐을 사용하여 제2 케미컬을 웨이퍼로 분사한다. 따라서, 케미컬의 분사를 통한 웨이퍼의 세정 공정을 보다 짧은 시간으로 단축시켜 전체적인 생산성을 향상시킬 수 있다. A chemical spray method is disclosed. The first spray nozzle is moved from the outside to the wafer stored in the storage container. Then, the first chemical is sprayed onto the wafer using the first spray nozzle. Subsequently, the first injection nozzles injecting the first chemical are moved to the outside of the storage container in which the wafer is stored. Next, the second injection nozzle is moved from the outside to the wafer accommodated in the storage container at the time when the first injection nozzle leaves the wafer stored in the storage container by the movement of the first injection nozzle. The second chemical is then sprayed onto the wafer using a second spray nozzle. Therefore, it is possible to shorten the cleaning process of the wafer through chemical injection in a shorter time to improve the overall productivity.

Description

Chemical dispensing method {METHOD FOR DISPENSING CHEMICAL}

본 발명은 케미컬 분사 방법에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 반도체 소자의 제조에 사용되는 웨이퍼를 세정하기 위하여 케미컬을 상기 웨이퍼에 분사하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical spraying method, and more particularly, to a method of spraying chemicals onto a wafer for cleaning a wafer used in the manufacture of a semiconductor device.

일반적으로, 반도체 소자는 실리콘(silicon)을 기초로 한 웨이퍼로부터 제조된다. 구체적으로, 상기 반도체 소자는 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 이온 주입 공정, 세정 공정, 검사 공정 등을 포함하여 제조된다. In general, semiconductor devices are manufactured from wafers based on silicon. Specifically, the semiconductor device is manufactured including a deposition process, a photolithography process, an etching process, an ion implantation process, a cleaning process, an inspection process, and the like.

상기와 같은 공정들 중 세정 공정에서는 최근 상기 웨이퍼를 수납 용기에 수납시킨 다음, 여러 종류의 케미컬을 상기 웨이퍼에 분사하는 세정 방식이 사용되고 있다. Recently, in the cleaning process, a cleaning method of storing the wafer in a storage container and then spraying various kinds of chemicals onto the wafer is used.

이러한 상기 세정 방식은 먼저, 그 중심이 상기 수납 용기의 외부에 형성된 제1 분사 노즐을 그 중심축을 기준으로 회전시켜 상기 웨이퍼로 이동시킨다. 이어, 상기 제1 분사 노즐을 통해 상기 케미컬 중 어느 하나인 제1 케미컬을 상기 웨이퍼에 분사한다. 이어, 상기 제1 분사 노즐을 상기 웨이퍼로부터 상기 수납 용기의 외부로 이동시킨다. 이어, 그 중심축이 상기 제1 분사 노즐과 마찬가지로, 상기 수납 용기의 외부에 형성된 제2 분사 노즐을 그 중심축을 기준으로 회전시켜 상기 웨이퍼로 이동시킨다. 이어, 상기 제2 분사 노즐을 통해 상기 케미컬의 다른 하나인 제2 케미컬을 상기 웨이퍼에 분사시킨다. 이어, 상기 제2 분사 노즐을 상기 웨이퍼로부터 상기 수납 용기의 외부로 이동시킨다.In this cleaning method, first, the center of the first injection nozzle formed on the outside of the container is rotated about the central axis to move to the wafer. Subsequently, the first chemical, which is one of the chemicals, is sprayed onto the wafer through the first spray nozzle. The first spray nozzle is then moved out of the wafer to the outside of the storage container. Then, similarly to the first injection nozzle, the central axis thereof is moved to the wafer by rotating the second injection nozzle formed outside the storage container with respect to the central axis. Subsequently, the second chemical, which is the other one of the chemicals, is sprayed onto the wafer through the second spray nozzle. Then, the second spray nozzle is moved out of the wafer to the outside of the storage container.

그러나, 상기 제2 분사 노즐이 외부로부터 상기 웨이퍼로 이동하는 동작이 상기 제1 분사 노즐이 상기 수납 용기로부터 완전히 이탈한 다음 이루어짐으로써, 상기 제1 및 제2 케미컬을 분사하는 전체적인 공정 시간이 증가하는 문제점을 갖는다. However, the movement of the second spray nozzle from the outside to the wafer is performed after the first spray nozzle is completely removed from the storage container, thereby increasing the overall process time for spraying the first and second chemicals. I have a problem.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 제2 분사 노즐을 이동하는 시점을 변경하여 전체적인 공정 시간을 단축시킬 수 있는 케미컬 분사 방법을 제공하는 것이다. Accordingly, the present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a chemical spraying method capable of shortening the overall process time by changing a time point for moving the second spray nozzle.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 케미컬 분사 방법이 개시된다. 외부로부터 제1 분사 노즐을 수납 용기에 수납된 웨이퍼로 이동한다. 이어, 상기 제1 분사 노즐을 사용하여 제1 케미컬을 상기 웨이퍼로 분사한다. 이어, 상기 제1 케미컬을 분사한 상기 제1 분사 노즐을 상기 웨이퍼가 수납된 수납용기의 외부로 이동시킨다. 이어, 상기 제1 분사 노즐의 이동에 의해 상기 제1 분사 노즐이 상기 수납 용기에 수납된 웨이퍼를 이탈하는 시점에 외부로부터 제2 분사 노즐을 상기 수납 용기에 수납된 웨이퍼로 이동시킨다. 이어, 상기 제2 분사 노즐을 사용하여 제2 케미컬을 상기 웨이퍼로 분사한다.In order to achieve the above object of the present invention, a chemical injection method according to one aspect is disclosed. The first spray nozzle is moved from the outside to the wafer stored in the storage container. Subsequently, the first chemical is sprayed onto the wafer using the first spray nozzle. Subsequently, the first injection nozzle, in which the first chemical is injected, is moved to the outside of the storage container in which the wafer is accommodated. Subsequently, the second injection nozzle is moved from the outside to the wafer accommodated in the storage container when the first injection nozzle leaves the wafer accommodated in the storage container by the movement of the first injection nozzle. Subsequently, the second chemical is sprayed onto the wafer using the second spray nozzle.

상기 제1 분사 노즐과 상기 제2 분사 노즐이 상하로 적층된 구조를 가질 경우에는 상기 제1 분사 노즐과 상기 제2 분사 노즐은 동일 중심축을 기준으로 이동한다. 이와 달리, 상기 제1 분사 노즐과 상기 제2 분사 노즐이 동일 평면에 배치되는 구조를 가질 경우에는 상기 제1 분사 노즐과 상기 제2 분사 노즐은 서로 다른 중심축을 기준으로 이동한다. When the first injection nozzle and the second injection nozzle have a stacked structure up and down, the first injection nozzle and the second injection nozzle move with respect to the same central axis. On the contrary, when the first spray nozzle and the second spray nozzle have a structure arranged in the same plane, the first spray nozzle and the second spray nozzle move with respect to different central axes.

이러한 케미컬 분사 방법에 따르면, 제1 분사 노즐을 통하여 웨이퍼에 제1 케미컬을 분사한 다음, 제2 분사 노즐을 상기 제1 분사 노즐이 상기 웨이퍼를 이탈하는 시점에, 외부로부터 상기 웨이퍼로 이동시켜 제2 케미컬을 분사시킴으로써, 상기 제2 분사 노즐이 이동하는 시점을 앞당길 수 있다. According to the chemical spraying method, the first chemical is sprayed onto the wafer through the first spray nozzle, and then the second spray nozzle is moved from the outside to the wafer at the time when the first spray nozzle leaves the wafer. By spraying 2 chemicals, it is possible to advance the time point at which the second injection nozzle moves.

이로써, 상기 제1 및 제2 분사 노즐을 통한 상기 웨이퍼의 세정 시간을 전체적으로 단축시킬 수 있고, 그 결과 반도체 소자의 제조에 따른 생산성의 향상을 기대할 수 있다. As a result, the cleaning time of the wafer through the first and second spray nozzles can be shortened as a whole, and as a result, an improvement in productivity due to the manufacture of a semiconductor device can be expected.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 케미컬 분사 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a chemical injection method according to an embodiment of the present invention. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described on the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.On the other hand, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 개략적인 사시이도이며, 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 세정 장치를 옆에서 바라본 도면이다. 1 is a schematic perspective view showing a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a side view of the wafer cleaning apparatus shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치(1000)는 수납 용기(100), 제1 분사 노즐(200) 및 제2 분사 노즐(300)을 포함한다. 1 and 2, a wafer cleaning apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention includes a storage container 100, a first spray nozzle 200, and a second spray nozzle 300.

상기 수납 용기(100)는 그 내부에 반도체 소자를 제조하는데 사용되는 웨이퍼(10)가 수납된다. 상기 수납 용기(100)는 상기 웨이퍼(10)를 세정하는데 사용되는 케미컬(20)을 수용하기 위한 공간을 제공한다. 일 예로, 상기 케미컬(20)은 황산(H2SO4), 염산(HCl), 불산(HF), 과산화 수소 용액(H2O2), 탈이온수(H2O) 등으로 이루어질 수 있다.The storage container 100 houses a wafer 10 used to manufacture a semiconductor device therein. The storage container 100 provides a space for accommodating the chemical 20 used to clean the wafer 10. For example, the chemical 20 may include sulfuric acid (H 2 SO 4), hydrochloric acid (HCl), hydrofluoric acid (HF), hydrogen peroxide solution (H 2 O 2), deionized water (H 2 O), and the like.

상기 수납 용기(100)는 상기 웨이퍼(10)의 면적보다 충분히 넓은 면적을 가질 수 있다. 또한, 상기 수납 용기(100)는 그 공간을 효율적으로 활용하기 위하여 상기 웨이퍼(10)의 형상과 동일한 원 형상을 가질 수 있다.The storage container 100 may have an area sufficiently wider than that of the wafer 10. In addition, the storage container 100 may have the same circular shape as the shape of the wafer 10 in order to effectively utilize the space.

한편, 상기 수납 용기(100)에는 상기 케미컬(20)을 배출시키기 위한 배출부가 형성될 수 있다. 상기 배출부는 상기 수납 용기(100)의 하부에서 관을 통해 외부의 보관 장소와 연결될 수 있다. 또한, 상기 배출부를 통해 상기 보관 장소로 이송된 상기 케미컬(20)은 별도의 여과 처리 과정을 거쳐 재활용될 수 있다. 이러면, 상기 웨이퍼(10)를 세정하는데 소모되는 비용을 일부 절감할 수 있다.Meanwhile, a discharge part for discharging the chemical 20 may be formed in the storage container 100. The discharge part may be connected to an external storage place through a tube at a lower portion of the storage container 100. In addition, the chemical 20 transferred to the storage place through the discharge portion may be recycled through a separate filtration process. In this way, the cost of cleaning the wafer 10 may be partially reduced.

상기 제1 분사 노즐(200)은 상기 케미컬(20) 중 하나인 제1 케미컬(22)을 상기 웨이퍼(10)에 분사한다. 상기 제1 분사 노즐(200)은 가늘고 긴 막대 형상을 가지면서 그 단부에 상기 제1 케미컬(22)을 실질적으로, 분사하는 제1 분사부(210)가 형성된다. The first spray nozzle 200 injects the first chemical 22, which is one of the chemicals 20, onto the wafer 10. The first spray nozzle 200 has an elongated rod shape and a first spray unit 210 for spraying the first chemical 22 substantially at an end thereof is formed.

상기 제1 분사 노즐(200)은 그 중심축(NC1)이 상기 웨이퍼(10)가 수납된 상기 수납 용기(100)의 외부에 형성된다. 상기 제1 분사 노즐(200)은 그 중심축(NC1)을 기준으로 회전하면서 이동하여 상기 웨이퍼(10)로 진입하거나, 이탈하게 된다. 상기 제1 분사 노즐(200)의 중심축(NC1)은 상기 제1 분사부(210)와 반대되는 단부에 형성된다. 이에, 상기 제1 분사 노즐(200)의 중심축(NC1)에는 상기 제1 분사 노즐(200)의 회전을 위하여 제1 회전축(400)이 결합된다. The first spray nozzle 200 has a central axis NC1 formed outside the storage container 100 in which the wafer 10 is accommodated. The first spray nozzle 200 moves while rotating relative to the central axis NC1 to enter or exit the wafer 10. The central axis NC1 of the first injection nozzle 200 is formed at an end opposite to the first injection unit 210. Thus, the first rotation shaft 400 is coupled to the central axis NC1 of the first injection nozzle 200 to rotate the first injection nozzle 200.

이에, 상기 웨이퍼(10)는 상기 제1 분사 노즐(200)로부터 분사된 상기 제1 케미컬(22)이 그 상에서 균일하게 분산되도록 하기 위하여 그 중심(WC)을 기준으로 회전하게 된다. 이를 위해, 상기 웨이퍼(10)에는 그 회전을 위한 회전력을 제공하는 회전척(500)과 결합된다. 이와 달리, 상기 웨이퍼(10)를 수납하는 상기 수납 용기(100)가 자체적으로, 회전하여 상기 웨이퍼(10)에 회전력을 제공할 수 있다. Thus, the wafer 10 is rotated about its center WC to uniformly disperse the first chemical 22 injected from the first spray nozzle 200. To this end, the wafer 10 is coupled with a rotary chuck 500 that provides a rotational force for its rotation. Unlike this, the storage container 100 accommodating the wafer 10 may itself rotate to provide a rotational force to the wafer 10.

또한, 상기 제1 분사 노즐(200)의 제1 분사부(210)는 상기 제1 케미컬(22)이 상기 웨이퍼(10)에서 전체적으로 균일하게 분산되도록 하기 위하여 상기 웨이퍼(10)의 중심(WC)을 지나갈 필요성이 있다. In addition, the first injection unit 210 of the first injection nozzle 200 is the center (WC) of the wafer 10 in order to ensure that the first chemical 22 is uniformly distributed throughout the wafer 10 There is a need to pass.

상기 제2 분사 노즐(300)은 그 배치되는 위치를 제외하고는, 상기 제1 분사 노즐(200)과 동일할 수 있으므로, 그 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.Since the second injection nozzle 300 may be the same as the first injection nozzle 200 except for the position where the second injection nozzle 300 is disposed, detailed description thereof will be omitted.

즉, 상기 제2 분사 노즐(300)은 그 단부에 실질적으로, 상기 케미컬(20)의 다른 하나인 제2 케미컬(24)을 분사하는 제2 분사부(310)가 형성된다. 또한, 상기 제2 분사 노즐(300)은 상기 제2 분사부(310)와 반대되는 단부에 그 회전을 위한 중심축(NC2)이 형성된다. 상기 제2 분사 노즐(300)의 중심축(NC2)에는 제2 회전축(600)이 결합된다. That is, the second injection nozzle 300 is formed at the end thereof, the second injection unit 310 for injecting the second chemical 24, which is the other of the chemical 20. In addition, the second injection nozzle 300 has a central axis NC2 for rotation thereof at an end opposite to the second injection unit 310. The second rotating shaft 600 is coupled to the central axis NC2 of the second injection nozzle 300.

이때에도, 상기 제2 분사 노즐(300)의 제2 분사부(310)는 상기 제2 케미컬(24)이 회전하는 상기 웨이퍼(10)에 전체적으로 균일하게 분산되도록 하기 위하 여 상기 웨이퍼(10)의 중심(WC)을 지나갈 필요성이 있다. In this case, the second jetting unit 310 of the second jetting nozzle 300 is configured to uniformly distribute the second chemical 24 uniformly on the rotating wafer 10. There is a need to cross the center (WC).

상기 제2 분사 노즐(300)의 중심축(NC2)은 상기 제1 분사 노즐(200)의 중심축(NC1)보다 상기 웨이퍼(10)를 기준으로 바깥쪽에 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1 분사 노즐(200)과 상기 제2 분사 노즐(300)은 동일 평면에 배치된 구조를 갖는다. The central axis NC2 of the second spray nozzle 300 may be formed on the outside of the wafer 10 than the central axis NC1 of the first spray nozzle 200. In this case, the first spray nozzle 200 and the second spray nozzle 300 have a structure arranged in the same plane.

또한, 상기 제2 분사 노즐(300)은 상기 제1 분사 노즐(200)과 상하로 적층된 구조를 가질 수 있다. 이럴 경우, 상기 제2 분사 노즐(300)의 중심축(NC2)과 상기 제1 분사 노즐(200)의 중심축(NC1)은 동일한 위치에 형성될 수 있다. In addition, the second spray nozzle 300 may have a structure stacked up and down with the first spray nozzle 200. In this case, the central axis NC2 of the second injection nozzle 300 and the central axis NC1 of the first injection nozzle 200 may be formed at the same position.

이하, 상기 제1 및 제2 분사 노즐(200, 300)을 통하여 상기 제1 및 제2 케미컬(22, 24)을 상기 웨이퍼(10) 분사시키는 방법에 대하여 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, a method of spraying the wafer 10 on the first and second chemicals 22 and 24 through the first and second spray nozzles 200 and 300 will be described in detail.

먼저, 상기 제1 분사 노즐(200)은 그 중심축(NC1)을 기준으로 회전 이동하여 상기 제1 분사부(210)가 상기 웨이퍼(10) 상에 위치하도록 한다. 이때, 상기 제1 분사부(210)는 실질적으로, 상기 수납 용기(100)를 거치게 된다. First, the first spray nozzle 200 is rotated based on the central axis NC1 so that the first spray unit 210 is positioned on the wafer 10. In this case, the first injection unit 210 substantially passes through the storage container 100.

이런 와중에, 상기 제1 분사부(210)는 항상 상기 제1 케미컬(22)을 분사할 수 있다. 하지만, 상기 제1 분사부(210)는 상기 제1 케미컬(22)을 절약하기 위하여 그가 상기 웨이퍼(10) 상에 위치할 때에만 상기 제1 케미컬(22)을 상기 웨이퍼(10)에 분사하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 웨이퍼(10)는 상기 회전척(500)에 의하여 회전하게 된다. In the meantime, the first injector 210 may always inject the first chemical 22. However, the first injector 210 sprays the first chemical 22 onto the wafer 10 only when he is positioned on the wafer 10 in order to save the first chemical 22. It is preferable. In addition, the wafer 10 is rotated by the rotary chuck 500.

상기 제1 분사부(210)는 상기 웨이퍼(10)를 보다 효율적으로 세정하기 위하 여 사용자의 요구에 의해 스캔 방식에 따라 여러 번 반복적으로, 상기 제1 케미컬(22)을 상기 웨이퍼(10)에 분사할 수 있다. 이렇게 상기 제1 분사부(210)를 통해 분사된 상기 제1 케미컬(22)은 상기 수납 용기(100)에 수용되어 상기 배출구를 통하여 외부로 배출될 수 있다. In order to clean the wafer 10 more efficiently, the first injector 210 repeatedly repeats the first chemical 22 to the wafer 10 at a request of a user. Can spray The first chemical 22 injected through the first injection unit 210 may be accommodated in the storage container 100 and discharged to the outside through the discharge port.

이어, 상기 제1 분사 노즐(200)을 그 중심축(NC1)을 기준으로 회전시켜 상기 제1 분사부(210)를 상기 웨이퍼(10)로부터 상기 수납 용기(100)의 외부로 이동시킨다. 이때, 상기 제1 분사 노즐(200)의 회전 이동은 상기 제1 분사부(210)가 상기 웨이퍼(10)를 반드시 지나가도록 하는 위치에서 시작된다. Subsequently, the first spray nozzle 200 is rotated about its central axis NC1 to move the first spray unit 210 from the wafer 10 to the outside of the storage container 100. In this case, the rotational movement of the first spray nozzle 200 is started at a position such that the first spray unit 210 passes the wafer 10.

이어, 상기 제1 분사부(210)가 상기 웨이퍼(10)로부터 상기 수납 용기(100)의 외부로 이동하는 도중, 그가 상기 웨이퍼(10)를 이탈하는 시점에 상기 제2 분사 노즐(300)의 제2 분사부(310)를 외부로부터 상기 웨이퍼(10)로 이동시킨다. 여기서, 상기 제1 분사부(210)가 상기 웨이퍼(10)를 이탈하는 시점은 상기 웨이퍼(10)의 가장 자리가 만나는 시점을 의미한다. Subsequently, while the first jetting unit 210 moves from the wafer 10 to the outside of the storage container 100, the second jetting nozzle 300 of the second jetting nozzle 300 is moved at the time when the first jetting unit 210 moves away from the wafer 10. The second injector 310 is moved from the outside to the wafer 10. Here, the time point at which the first injector 210 leaves the wafer 10 means a time point where the edges of the wafer 10 meet.

이때, 상기 제1 분사부(210)와 상기 웨이퍼(10)가 만나는 시점은 상기 제1 분사 노즐(200)이 상기 웨이퍼(10)로 진입하는 경우도 있으므로, 이를 혼동하지 않도록 주의한다. At this time, since the first injection nozzle 200 may enter the wafer 10 at the point where the first injection unit 210 and the wafer 10 meet each other, care should be taken not to confuse it.

이로써, 상기 제1 분사부(210)와 상기 제2 분사부(310)는 일시적으로, 동시에 이동하는 동작이 이루어질 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 분사부(210)가 상기 웨이퍼(10)의 가장 자리로부터 상기 수납 용기(100)의 외부로 이동하는 도중, 상기 제2 분사부(310)는 외부로부터 상기 수납 용기(100)를 거쳐 상기 웨이퍼(10)로 이 동하게 된다. As a result, the first spraying unit 210 and the second spraying unit 310 may be moved temporarily and simultaneously. Specifically, while the first injection unit 210 moves from the edge of the wafer 10 to the outside of the storage container 100, the second injection unit 310 is external from the storage container 100. The wafer 10 moves to the wafer 10.

이어, 상기 웨이퍼(10)로 이동된 상기 제2 분사부(310)로부터 상기 제2 케미컬(24)을 상기 웨이퍼(10)로 분사시킨다. 이때, 상기 제2 케미컬(24)은 상기 제1 케미컬(22)이 황산(H2SO4) 또는 염산(HCl)과 같은 강산일 경우, 이를 씻을 수 있는 탈이온수(H2O)일 수 있다.Subsequently, the second chemical 24 is injected onto the wafer 10 from the second injection unit 310 moved to the wafer 10. In this case, when the first chemical 22 is a strong acid such as sulfuric acid (H 2 SO 4) or hydrochloric acid (HCl), the second chemical 24 may be deionized water (H 2 O).

이와 같이, 상기 제1 분사 노즐(200)의 제1 분사부(210)를 통하여 상기 웨이퍼(10)에 상기 제1 케미컬(22)을 분사한 다음, 상기 제2 분사 노즐(300)의 제2 분사부(310)를 상기 제1 분사부(210)가 상기 웨이퍼(10)를 이탈하는 시점에, 외부로부터 상기 웨이퍼(10)로 이동시켜 상기 제2 케미컬(24)을 분사시킴으로써, 상기 제2 분사부(310)가 이동하는 시점을 앞당길 수 있다. As such, after the first chemical 22 is injected onto the wafer 10 through the first injection unit 210 of the first injection nozzle 200, a second of the second injection nozzle 300 is applied. At the time when the first injection unit 210 leaves the wafer 10, the injection unit 310 is moved from the outside to the wafer 10 to inject the second chemical 24, thereby discharging the second chemicals 24. The injection unit 310 may move forward.

즉, 상기 제1 및 제2 케미컬(22, 24)을 이용하여 상기 웨이퍼(10)를 세정하기 위한 공정을 보다 효율적으로 진행시켜 반도체 소자의 제조에 따른 생산성을 향상시킬 수 있다.That is, the process for cleaning the wafer 10 using the first and second chemicals 22 and 24 may be performed more efficiently, thereby improving productivity of manufacturing a semiconductor device.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Although the detailed description of the present invention has been described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art will have the idea of the present invention described in the claims to be described later. It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.

상술한 본 발명은 적어도 두 개의 분사 노즐을 통해 케미컬을 분사하여 웨이 퍼를 세정하는 장치에서 상기 두 개의 분사 노즐의 이동을 일부 중복되도록 함으로써, 전체적인 세정 공정 시간을 단축하는데 이용될 수 있다. The present invention described above can be used to shorten the overall cleaning process time by partially overlapping the movement of the two spray nozzles in the apparatus for cleaning the wafer by spraying the chemical through at least two spray nozzles.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 개략적인 사시이도이다.1 is a schematic perspective view showing a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 세정 장치를 옆에서 바라본 도면이다. FIG. 2 is a side view of the wafer cleaning apparatus shown in FIG. 1.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 웨이퍼 20 : 케미컬10: wafer 20: chemical

100 : 수납 용기 200 : 제1 분사 노즐100: storage container 200: first injection nozzle

210 : 제1 분사부 300 : 제2 분사 노즐210: first injection unit 300: second injection nozzle

310 : 제2 분사부 400 : 제1 회전축310: second injection unit 400: first rotating shaft

500 : 회전척 600 : 제2 회전축500: rotation chuck 600: second rotation axis

1000 : 웨이퍼 세정 장치1000: Wafer Cleaning Device

Claims

Moving the first spray nozzle from the outside to the wafer housed in the storage container;

Spraying a first chemical onto the wafer using the first spray nozzle;

Moving the first spray nozzle, in which the first chemical is sprayed, to the outside of the container containing the wafer;

Moving the second spray nozzle from the outside to the wafer accommodated in the storage container when the first spray nozzle leaves the wafer stored in the storage container by the movement of the first spray nozzle; And

And spraying a second chemical onto the wafer using the second spray nozzle.

The method of claim 1, wherein when the first injection nozzle and the second injection nozzle have a structure stacked up and down, the first injection nozzle and the second injection nozzle move with respect to the same central axis, and the first When the injection nozzle and the second injection nozzle has a structure arranged in the same plane, the chemical injection method, characterized in that the first injection nozzle and the second injection nozzle is moved based on a different central axis.