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KR20080101188A - Image sensor and manufacturing method - Google Patents

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KR20080101188A
KR20080101188A KR1020070047588A KR20070047588A KR20080101188A KR 20080101188 A KR20080101188 A KR 20080101188A KR 1020070047588 A KR1020070047588 A KR 1020070047588A KR 20070047588 A KR20070047588 A KR 20070047588A KR 20080101188 A KR20080101188 A KR 20080101188A
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KR
South Korea
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electrode
image sensor
layer
conductive layer
type conductive
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Application number
KR1020070047588A
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Korean (ko)
Inventor
심천만
Original Assignee
주식회사 동부하이텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 주식회사 동부하이텍 filed Critical 주식회사 동부하이텍
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Priority to US12/152,384 priority patent/US20080283954A1/en
Priority to CNA2008100992957A priority patent/CN101308861A/en
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Abstract

The cross talk between pixels can be prevented. Resolution and sensitivity can be improved. Defects in the photo diode can be prevented. An image sensor comprises the substrate(110) having the CMOS circuitry including a bottom wiring(120); the first electrode(140) and intrinsic layer(170) successively formed on the substrate; the second electrode and unexplosiveness transparent electrode formed on the second conductive type conductive layer. The first electrode, intrinsic layer, second conductive type conductive layer(180), second electrode(190) is separated respectively. The insulating layer(160) is formed between the separated first electrode, intrinsic layer, second conductive type conductive layer, second electrode.

Description

이미지센서 및 그 제조방법{Image Sensor and Method for Manufacturing thereof} Image sensor and method for manufacturing

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지센서의 단면도.1 is a cross-sectional view of an image sensor according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지센서의 단면도.2 is a cross-sectional view of an image sensor according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예는 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to an image sensor and a manufacturing method thereof.

일반적으로, 이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게 전하결합소자(charge coupled device: CCD) 이미지센서와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)(CIS)로 구분된다.In general, an image sensor is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal, and is mainly a charge coupled device (CCD) image sensor and a CMOS (Complementary Metal Oxide Silicon) It is divided into an image sensor (CIS).

씨모스 이미지센서는 단위 화소 내에 포토다이오드와 모스트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.The CMOS image sensor implements an image by sequentially detecting an electrical signal of each unit pixel by a switching method by forming a photodiode and a MOS transistor in the unit pixel.

종래기술에 의한 씨모스 이미지센서는 빛 신호를 받아서 전기 신호로 바꾸어 주는 포토다이오드(Photo Diode) 영역(미도시)과, 이 전기 신호를 처리하는 트랜지 스터 영역(미도시)으로 구분할 수 있다.The CMOS image sensor according to the related art may be divided into a photo diode region (not shown) for receiving a light signal and converting the light signal into an electrical signal, and a transistor region (not shown) for processing the electrical signal.

그런데, 종래기술에 따른 씨모스 이미지센서는 포토다이오드가 트랜지스터와 수평으로 배치되는 구조이다.However, the CMOS image sensor according to the related art has a structure in which a photodiode is horizontally disposed with a transistor.

물론, 종래기술에 의한 수평형의 씨모스 이미지센서에 의해 CCD 이미지센서의 단점이 해결되기는 하였으나, 종래기술에 의한 수평형의 씨모스 이미지센서에는 여전히 문제점들이 있다.Of course, although the disadvantages of the CCD image sensor are solved by the horizontal CMOS image sensor according to the prior art, there are still problems in the horizontal CMOS image sensor according to the prior art.

즉, 종래기술에 의한 수평형의 씨모스 이미지센서에 의하면 포토다이오드와 트랜지스터가 기판상에 상호 수평으로 인접하여 제조된다. 이에 따라, 포토다이오드를 위한 추가적인 영역이 요구되며, 이에 의해 필팩터(fill factor) 영역을 감소시키고 또한 레졀류션(Resolution)의 가능성을 제한하는 문제가 있다.That is, according to the horizontal CMOS image sensor of the prior art, a photodiode and a transistor are manufactured to be adjacent to each other horizontally on a substrate. Accordingly, an additional area for the photodiode is required, thereby reducing the fill factor area and limiting the possibility of resolution.

또한, 종래기술에 의한 수평형의 씨모스 이미지센서에 의하면 포토다이오드와 트랜지스터를 동시에 제조하는 공정에 대한 최적화를 달성하는 점이 매우 어려운 문제가 있다. 즉, 신속한 트랜지스터 공정에서는 작은 면저항(low sheet resistance)을 위해 샐로우 졍션(shallow junction)이 요구되나, 포토다이오드에는 이러한 샐로우 졍션(shallow junction)이 적절하지 않을 수 있다.In addition, according to the horizontal CMOS image sensor according to the prior art there is a problem that it is very difficult to achieve optimization for the process of manufacturing the photodiode and the transistor at the same time. That is, in a fast transistor process, a shallow junction is required for low sheet resistance, but such shallow junction may not be appropriate for a photodiode.

또한, 종래기술에 의한 수평형의 씨모스 이미지센서에 의하면 추가적인 온칩(on-chip) 기능들이 이미지센서에 부가되면서 단위화소의 크기가 이미지센서의 센서티버티(sensitivity)를 유지하기 위해 증가되거나 또는 포토다이오드를 위한 면적이 픽셀사이즈를 유지하기 위해 감소되야한다. 그런데, 픽셀사이즈가 증가되면 이미지센서의 레졀류션(Resolution)이 감소하게되며, 또한, 포토다이오드의 면적이 감소되면 이미지센서의 센서티버티(sensitivity)가 감소하는 문제가 발생한다.In addition, according to the horizontal CMOS image sensor according to the prior art, the size of the unit pixel is increased to maintain the sensor sensitivity of the image sensor as additional on-chip functions are added to the image sensor. The area for the photodiode must be reduced to maintain the pixel size. However, when the pixel size is increased, the resolution of the image sensor is reduced, and when the area of the photodiode is reduced, the sensor sensitivity of the image sensor is reduced.

본 발명의 실시예는 트랜지스터 회로(circuitry)와 포토다이오드의 새로운 집적을 제공할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.An embodiment of the present invention is to provide an image sensor and a method of manufacturing the same that can provide a new integration of a transistor circuit (circuitry) and a photodiode.

또한, 본 발명의 실시예는 비폭발성 투명전극을 채용할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.In addition, an embodiment of the present invention is to provide an image sensor and a method of manufacturing the same that can employ a non-explosive transparent electrode.

또한, 본 발명의 실시예는 제조비용이 저렴한 투명전극을 채용할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.In addition, an embodiment of the present invention is to provide an image sensor and a method of manufacturing the same that can employ a transparent electrode having a low manufacturing cost.

또한, 본 발명의 실시예는 픽셀간의 크로스토크(cross talk)를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.In addition, an embodiment of the present invention is to provide an image sensor and a method of manufacturing the same that can prevent cross talk between pixels (cross talk).

또한, 본 발명의 실시예는 레졀류션(Resolution)과 센서티버티(sensitivity)가 함께 개선될 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.In addition, an embodiment of the present invention is to provide an image sensor and a method of manufacturing the same that can be improved together with the resolution (Resolution) and sensor sensitivity (sensitivity).

또한, 본 발명의 실시예는 수직형의 포토다이오드를 채용하면서 포토다이오드 내에 디펙트를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.In addition, an embodiment of the present invention is to provide an image sensor and a manufacturing method thereof that can prevent the defect in the photodiode while employing a vertical photodiode.

본 발명의 실시예에 따른 이미지센서는 하부배선을 포함하는 씨모스 회로(circuitry)가 형성된 기판; 상기 기판상에 순차적으로 형성된 제1 전극, 진성층(intrinsic layer), 제2 도전형 전도층; 및 상기 제2 도전형 전도층 상에 형성된 비폭발성 투명전극인 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, an image sensor includes: a substrate on which a CMOS circuit including a lower wiring is formed; A first electrode, an intrinsic layer, and a second conductivity type conductive layer sequentially formed on the substrate; And a second electrode which is a non-explosive transparent electrode formed on the second conductivity type conductive layer.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서는 하부배선을 포함하는 씨모스 회로(circuitry)를 기판상에 형성하는 단계; 상기 기판상에 제1 전극, 진성층(intrinsic layer), 제2 도전형 전도층을 순차적으로 형성하는 단계; 및 상기 제2 도전형 전도층 상에 비폭발성 투명전극인 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the image sensor according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming a CMOS circuit (circuitry) including a lower wiring on the substrate; Sequentially forming a first electrode, an intrinsic layer, and a second conductivity type conductive layer on the substrate; And forming a second electrode which is a non-explosive transparent electrode on the second conductivity type conductive layer.

이와 같은 본 발명의 실시예에 의하면 트랜지스터 회로(circuitry)와 포토다이오드의 수직형 집적을 제공할 수 있고, 또한 알루미늄이 도핑된 산화아연 또는 갈륨이 도핑된 산화아연을 이용한 투명전극을 채용함으로써 비폭발성 투명전극이 구비된 이미지센서를 제공하며, 또한 알루미늄이 도핑된 산화아연 또는 갈륨이 도핑된 산화아연을 이용한 투명전극을 채용함으로써 제조비용이 저렴한 투명전극이 구비된 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하며, 상부배선에 다크 메탈(Dark matal)을 채용함으로써 픽셀간의 크로스토크(cross talk)를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공할 수 있는 장점이 있다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to provide vertical integration of a transistor circuit and a photodiode, and also to adopt non-explosiveness by employing a transparent electrode using zinc oxide doped with aluminum or gallium doped zinc oxide. It provides an image sensor with a transparent electrode, and also provides an image sensor with a low-cost transparent electrode and a manufacturing method by employing a transparent electrode using aluminum oxide doped zinc oxide or gallium doped zinc oxide. By employing a dark metal (Dark matal) in the upper wiring, there is an advantage that can provide an image sensor and a method of manufacturing the same that can prevent cross talk between pixels (cross talk).

이하, 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an image sensor and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/아래(on/under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/아래는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.In the description of the embodiment according to the present invention, when described as being formed "on / under" of each layer, the top / bottom is directly or through another layer. ) Includes all that are formed.

(제1 실시예)(First embodiment)

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지센서의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an image sensor according to a first embodiment of the present invention.

도 1은 상호 분리된 제1 전극(140), 진성층(170), 제2 도전형 전도층(180), 제2 전극(190)에 대해 예를 들고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.1 illustrates an example of the first electrode 140, the intrinsic layer 170, the second conductive conductive layer 180, and the second electrode 190 separated from each other, but the present invention is not limited thereto. .

본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지센서는 하부배선(120)을 포함하는 씨모스 회로(circuitry)가 형성된 기판(110); 상기 기판(110)상에 순차적으로 형성된 제1 전극(140), 진성층(intrinsic layer)(170), 제2 도전형 전도층(180); 및 상기 제2 도전형 전도층(180) 상에 형성된 비폭발성 투명전극인 제2 전극(190);을 포함하는 것을 특징으로 한다.The image sensor according to the first exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 110 on which a CMOS circuit including a lower wiring 120 is formed; A first electrode 140, an intrinsic layer 170, and a second conductivity type conductive layer 180 sequentially formed on the substrate 110; And a second electrode 190 which is a non-explosive transparent electrode formed on the second conductivity type conductive layer 180.

또한, 본 발명의 제1 실시예는 상기 제1 전극(140), 진성층(170), 제2 도전형 전도층(180), 제2 전극(190)은 상호 분리되어 형성될 수 있으며, 상기 분리된 제1 전극(140), 진성층(170), 제2 도전형 전도층(180), 제2 전극(190) 사이에 형성된 절연층(160);을 더 포함할 수 있다.In addition, in the first embodiment of the present invention, the first electrode 140, the intrinsic layer 170, the second conductive conductive layer 180, and the second electrode 190 may be formed to be separated from each other. The insulating layer 160 formed between the separated first electrode 140, the intrinsic layer 170, the second conductivity type conductive layer 180, and the second electrode 190 may be further included.

본 발명의 제1 실시예서 상기 제2 전극(190)은 비폭발성 투명전극인 것을 특징으로 한다.In the first embodiment of the present invention, the second electrode 190 is characterized in that the non-explosive transparent electrode.

예들 들어, 상기 제2 전극(190)은 알루미늄이 도핑된 산화아연(Al doped ZnO), 갈륨이 도핑된 산화아연(Ga-doped zinc oxide) 또는 알루미늄과 갈륨이 함께 도핑된 산화아연(Al and Ga doped ZnO)으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the second electrode 190 may be formed of aluminum doped zinc oxide (Al doped ZnO), gallium doped zinc oxide (Ga-doped zinc oxide), or aluminum and gallium doped zinc oxide (Al and Ga). doped ZnO), but is not limited thereto.

또한, 본 발명의 제1 실시예는 상기 제1 전극(140)과 상기진성층(intrinsic layer)(170) 사이에 형성된 제1 도전형 전도층(150)을 더 포함할 수 있다.In addition, the first embodiment of the present invention may further include a first conductivity type conductive layer 150 formed between the first electrode 140 and the intrinsic layer 170.

본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지센서에 의하면 트랜지스터 회로(circuitry)와 포토다이오드의 수직형 집적을 제공할 수 있다.According to the image sensor according to the first embodiment of the present invention, it is possible to provide vertical integration of a transistor circuit and a photodiode.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 의하면 알루미늄이 도핑된 산화아연 또는 갈륨이 도핑된 산화아연을 이용한 투명전극을 채용함으로써 비폭발성 투명전극이 구비된 이미지센서를 제공할 수 있다.In addition, according to the first embodiment of the present invention, an image sensor having a non-explosive transparent electrode may be provided by employing a transparent electrode using zinc oxide doped with aluminum or zinc oxide doped with gallium.

또한, 본 발명의 제1 실시예는 알루미늄이 도핑된 산화아연 또는 갈륨이 도핑된 산화아연을 이용한 투명전극을 채용함으로써 제조비용이 저렴한 투명전극이 구비된 이미지센서 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.In addition, the first embodiment of the present invention can provide an image sensor and a manufacturing method having a low-cost transparent electrode by adopting a transparent electrode using aluminum oxide doped zinc oxide or gallium doped zinc oxide. .

이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a manufacturing method of an image sensor according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1.

우선, 하부배선(120)을 포함하는 씨모스 회로(circuitry)를 기판(110)상에 형성한다. 상기 기판(110)에는 하부 층간절연층(115)을 형성 후 하부 트렌치(미도시)를 형성하고, 상기 하부 트렌치에 하부배선(120)을 형성할 수 있다.First, a CMOS circuit including a lower wiring 120 is formed on the substrate 110. After forming the lower interlayer insulating layer 115 on the substrate 110, a lower trench may be formed, and a lower wiring 120 may be formed on the lower trench.

다음으로, 상기 기판(110)상에 제1 전극(140), 진성층(intrinsic layer)(170), 제2 도전형 전도층(180), 제2 전극(190)을 순차적으로 형성한다. Next, a first electrode 140, an intrinsic layer 170, a second conductivity type conductive layer 180, and a second electrode 190 are sequentially formed on the substrate 110.

이때, 상기 기판(110)과 제1 전극(140) 사이에 배리어 메탈(미도시)을 더 형성할 수 있다. 예들 들어, 상기 배리어 메탈은 텅스텐, 타이타늄, 탄탈륨 또는 이들의 질화물 등으로 형성될 수 있다.In this case, a barrier metal (not shown) may be further formed between the substrate 110 and the first electrode 140. For example, the barrier metal may be formed of tungsten, titanium, tantalum or nitride thereof.

다음으로, 상기 배리어 메탈 상에 제1 전극(140)을 형성한다. 상기 제1 전극(140)은 금속, 합금 또는 실리사이드를 포함한 다양한 전도성 물질로 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(140)은 알루미늄, 구리, 코발트 등으로 형성할 수 있다.Next, the first electrode 140 is formed on the barrier metal. The first electrode 140 may be formed of various conductive materials including metals, alloys, or silicides. For example, the first electrode 140 may be formed of aluminum, copper, cobalt, or the like.

다음으로, 상기 제1 전극(140) 상에 제1 도전형 전도층(150)을 형성한다. 한편, 경우에 따라서는 상기 제1 도전형 전도층(150)이 형성되지 않고 이후의 공정이 진행될 수도 있다. 상기 제1 도전형 전도층(150)은 본 발명의 실시예에서 채용하는 PIN 다이오드의 N층의 역할을 할 수 있다. 즉, 상기 제1 도전형 전도층(150)은 N 타입 도전형 전도층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Next, a first conductivity type conductive layer 150 is formed on the first electrode 140. In some cases, the first conductive type conductive layer 150 may not be formed and subsequent processes may be performed. The first conductivity type conductive layer 150 may serve as the N layer of the PIN diode employed in the embodiment of the present invention. That is, the first conductivity type conductive layer 150 may be an N type conductivity type conductive layer, but is not limited thereto.

상기 제1 도전형 전도층(150)은 N 도핑된 비정질 실리콘(n-doped amorphous silicon)을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first conductivity type conductive layer 150 may be formed using N-doped amorphous silicon, but is not limited thereto.

즉, 상기 제1 도전형 전도층(150)은 비정질 실리콘에 게르마늄, 탄소, 질소 또는 산소 등을 첨가하여 a-Si:H, a-SiGe:H, a-SiC, a-SiN:H a-SiO:H 등으로 형성될 수도 있다.That is, the first conductivity type conductive layer 150 is a-Si: H, a-SiGe: H, a-SiC, a-SiN: H a- by adding germanium, carbon, nitrogen or oxygen to amorphous silicon. SiO: H or the like.

상기 제1 도전형 전도층(150)은 화학기상증착(CVD) 특히, PECVD 등에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 전도층(150)은 실란가스(SiH4)에 PH3, P2H5 등을 혼합하여 PECVD에 의해 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다.The first conductivity type conductive layer 150 may be formed by chemical vapor deposition (CVD), in particular, PECVD. For example, the first conductivity type conductive layer 150 may be formed of amorphous silicon by PECVD by mixing PH 3 , P 2 H 5, and the like with silane gas (SiH 4 ).

다음으로, 상기 제1 도전형 전도층(150) 상에 진성층(intrinsic layer)(170)을 형성한다. 상기 진성층(170)은 본 발명의 실시예에서 채용하는 PIN 다이오드의 I층의 역할을 할 수 있다.Next, an intrinsic layer 170 is formed on the first conductivity type conductive layer 150. The intrinsic layer 170 may serve as the I layer of the PIN diode employed in the embodiment of the present invention.

상기 진성층(170)은 비정질 실리콘(n-doped amorphous silicon)을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 진성층(170)은 화학기상증착(CVD) 특히, PECVD 등에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 진성층(170)은 실란가스(SiH4) 등을 이용하여 PECVD 에 의해 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다.The intrinsic layer 170 may be formed using n-doped amorphous silicon. The intrinsic layer 170 may be formed by chemical vapor deposition (CVD), in particular, PECVD. For example, the intrinsic layer 170 may be formed of amorphous silicon by PECVD using silane gas (SiH 4 ).

다음으로, 상기 진성층(170) 상에 제2 도전형 전도층(180)을 형성한다. 상기 제2 도전형 전도층(180)은 상기 진성층(170)의 형성과 연속공정으로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 전도층(180)은 본 발명의 실시예에서 채용하는 PIN 다이오드의 P층의 역할을 할 수 있다. 즉, 상기 제2 도전형 전도층(180)은 P 타입 도전형 전도층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Next, a second conductivity type conductive layer 180 is formed on the intrinsic layer 170. The second conductivity type conductive layer 180 may be formed in a continuous process with the formation of the intrinsic layer 170. The second conductivity type conductive layer 180 may serve as a P layer of a PIN diode employed in an embodiment of the present invention. That is, the second conductivity type conductive layer 180 may be a P type conductivity type conductive layer, but is not limited thereto.

상기 제2 도전형 전도층(180)은 P 도핑된 비정질 실리콘(p-doped amorphous silicon)을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The second conductivity type conductive layer 180 may be formed using P-doped amorphous silicon, but is not limited thereto.

상기 제2 도전형 전도층(180)은 화학기상증착(CVD) 특히, PECVD 등에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도전형 전도층(180)은 실란가스(SiH4)에 보론 등을 혼합하여 PECVD에 의해 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다.The second conductivity type conductive layer 180 may be formed by chemical vapor deposition (CVD), in particular, PECVD. For example, the second conductivity type conductive layer 180 may be formed of amorphous silicon by PECVD by mixing boron or the like with silane gas (SiH 4 ).

다음으로, 상기 제2 도전형 전도층(180) 상에 제2 전극(190)을 형성한다.Next, a second electrode 190 is formed on the second conductivity type conductive layer 180.

본 발명의 제1 실시예에서 상기 제2 전극(190)은 빛의 투과성이 높고 전도성이 높은 투명전극이면서 비폭발성의 물질로 형성될 수 있다.In the first embodiment of the present invention, the second electrode 190 may be formed of a non-explosive material while being a transparent electrode having high light transmittance and high conductivity.

예를 들어, 상기 제2 전극(190)은 상기 제2 전극(190)은 알루미늄이 도핑된 산화아연(Al doped ZnO), 갈륨이 도핑된 산화아연(Ga-doped zinc oxide) 또는 알루미늄과 갈륨이 함께 도핑된 산화아연(Al and Ga doped ZnO)으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the second electrode 190 may be formed of aluminum doped zinc oxide (Al doped ZnO), gallium doped zinc oxide (Ga-doped zinc oxide), or aluminum and gallium. It may be formed of zinc oxide doped together (Al and Ga doped ZnO), but is not limited thereto.

예를들어, 상기 제2 전극(190)이 알루미늄이 도핑된 산화아연(Al doped ZnO)(ZnO:Al2O3)으로 형성되는 경우 알루미늄이 약 2.0~10.0 원자 % 도핑된 산화아연을 사용하여 제2 전극(190)을 형성할 수 있다.For example, when the second electrode 190 is formed of Al doped ZnO (ZnO: Al 2 O 3 ), aluminum is doped using zinc oxide doped with about 2.0 to 10.0 atomic%. The second electrode 190 may be formed.

또한, 상기 제2 전극(190)이 갈륨이 도핑된 산화아연(Ga doped ZnO)(ZnO:Ga2O3)으로 형성되는 경우 갈륨이 약 0.5~5.0 원자 % 도핑된 산화아연을이용하여 제2 전극(190)을 형성할 수 있다.In addition, when the second electrode 190 is formed of gallium doped zinc oxide (Ga doped ZnO) (ZnO: Ga 2 O 3 ), the second electrode 190 may be formed of zinc by doping about 0.5 to 5.0 atomic% of gallium. The electrode 190 may be formed.

또한, 상기 제2 전극(190)이 알루미늄과 갈륨이 함께 도핑된 산화아연(Al and Ga doped ZnO)인 경우, 0.5 내지 5.0 원자%의 갈륨이 도핑된 산화아연과 알루미늄이 2.0 내지 10.0 원자 % 도핑된 산화아연을 사용하고, 기판으로는 예를들어 유리를 사용하고, 챔버 내부에 알곤 가스를 흘려주면서 유리 기판을 회전하면서 스퍼터링할 수 있다.Further, when the second electrode 190 is Al and Ga doped ZnO doped with aluminum and gallium, doped zinc oxide and aluminum doped with 0.5 to 5.0 atomic% and 2.0 to 10.0 atomic% doped with aluminum The used zinc oxide can be used, for example, glass can be used as the substrate, and sputtering can be performed while rotating the glass substrate while flowing argon gas into the chamber.

또한, 상기 제2 전극(190)은 스터터링 시스템(sputtering system), 이빔증착 시스템(e-beam evaporation system), 분자빔증착(molecular beam epitaxy:MBE)시스템, 레이저 시스템(laser system) 중 어느 하나 이상의 방법으로 형성될 수 있다. In addition, the second electrode 190 may be any one of a sputtering system, an e-beam evaporation system, a molecular beam epitaxy (MBE) system, and a laser system. It can be formed by the above method.

또한, 상기 제2 전극(190)은 상온(room temp)에서 400℃의 온도에서 형성됨으로써 배선층과 절연층의 열적 안정성을 확보할 수 있다. 예를 들어, 상기 상온(room temp)은 약 10℃~25℃의 온도일 수 있다.In addition, the second electrode 190 may be formed at a temperature of 400 ° C. at room temperature to ensure thermal stability of the wiring layer and the insulating layer. For example, the room temp may be about 10 ° C. to 25 ° C.

다음으로, 본 발명의 실시예는 상기 제1 전극(140), 진성층(170), 제2 도전형 전도층(180), 제2 전극(190)을 선택적으로 식각하여 트렌치(미도시)을 형성할 수 있다.Next, an exemplary embodiment of the present invention selectively etches the first electrode 140, the intrinsic layer 170, the second conductive conductive layer 180, and the second electrode 190 to form a trench (not shown). Can be formed.

다음으로, 상기 트렌치에 절연층(160)을 형성하여 상기 제1 전극(140), 진성층(170), 제2 도전형 전도층(180), 제2 전극(190)을 상호 전기적으로 분리한다. 상기 절연층(160)에 의해 단위 픽셀간의 절연이 확실하게 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(160)은 산화물, 질화물 또는 저 유전성 물질(low-k dielectric) 등으로 형성될 수 있다.Next, an insulating layer 160 is formed in the trench to electrically separate the first electrode 140, the intrinsic layer 170, the second conductive type conductive layer 180, and the second electrode 190 from each other. . Insulation between unit pixels may be ensured by the insulating layer 160. For example, the insulating layer 160 may be formed of an oxide, a nitride, or a low-k dielectric material.

이후, 상기 절연층(160)을 평탄화하는 공정 및 세정공정이 진행될 수 있다.Thereafter, a process of planarizing the insulating layer 160 and a cleaning process may be performed.

다음으로, 상기 분리된 제2 전극(190)을 전기적으로 연결하는 상부배선(240)을 형성하는 단계를 더 진행할 수 있다.Next, the step of forming the upper wiring 240 for electrically connecting the separated second electrode 190 may be further proceeded.

이후, 컬러필터층(미도시), 마이크로렌즈(미도시) 등이 더 형성될 수 있다.Thereafter, a color filter layer (not shown), a micro lens (not shown), or the like may be further formed.

(제2 실시예)(2nd Example)

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지센서의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of an image sensor according to a second exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지센서는 하부배선(120)을 포함하는 씨모스 회로(circuitry)가 형성된 기판(110); 상기 기판(110)상에 상호분리되어 순차적으로 형성된 제1 전극(140), 진성층(intrinsic layer)(170), 제2 도전형 전도층(180), 제2 전극(190); 및 상기 분리된 제1 전극(140), 진성층(170), 제2 도전형 전도층(180), 제2 전극(190) 사이에 형성된 절연층(160);을 포함하며, 특히, 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지센서는 상기 분리된 제2 전극(190)을 전기적으로 연결하도록 형성된 상부배선(245)을 더 포함하며, 상기 상부배선(245)은 다크 메탈(Dark matal)인 것을 특징으로 한다.An image sensor according to a second embodiment of the present invention includes a substrate 110 on which a CMOS circuit including a lower wiring 120 is formed; A first electrode 140, an intrinsic layer 170, a second conductive conductive layer 180, and a second electrode 190 sequentially formed on the substrate 110 to be separated from each other; And an insulating layer 160 formed between the separated first electrode 140, the intrinsic layer 170, the second conductive conductive layer 180, and the second electrode 190. The image sensor according to the second embodiment of the further comprises an upper wiring 245 formed to electrically connect the separated second electrode 190, the upper wiring 245 is a dark metal (Dark matal) It features.

예를 들어, 상기 상부배선(245)은 텅스텐(tungsten) 또는 타이타늄-텅스텐(titanium-tungsten)으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the upper wiring 245 may be formed of tungsten or titanium-tungsten, but is not limited thereto.

본 발명의 제2 실시예에 상기 상부배선(245)이 다크 메탈(Dark matal)로 형성됨으로써 상기 절연층(160)과 더불어 빛을 차단하는 기능을 하여 크로스토크(cross talk)를 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.In the second embodiment of the present invention, the upper wiring 245 is formed of a dark metal to function to block light together with the insulating layer 160 to more effectively prevent cross talk. Can be.

본 발명은 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 하기 된 청구항의 권리범위에 속하는 범위 안에서 다양한 다른 실시예가 가능하다.The present invention is not limited by the above-described embodiments and drawings, and various other embodiments are possible within the scope of the claims.

본 발명의 실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법에 의하면 트랜지스터 회로(circuitry)와 포토다이오드의 수직형 집적을 제공할 수 있다.According to an image sensor and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a vertical integration of a transistor circuit and a photodiode.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면 알루미늄이 도핑된 산화아연 또는 갈륨이 도핑된 산화아연을 이용한 투명전극을 채용함으로써 비폭발성 투명전극이 구비된 이미지센서를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, an image sensor having a non-explosive transparent electrode may be provided by employing a transparent electrode using zinc oxide doped with aluminum or zinc oxide doped with gallium.

또한, 본 발명의 실시예는 알루미늄이 도핑된 산화아연 또는 갈륨이 도핑된 산화아연을 이용한 투명전극을 채용함으로써 제조비용이 저렴한 투명전극이 구비된 이미지센서 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.In addition, the embodiment of the present invention can provide an image sensor and a manufacturing method having a transparent electrode having a low manufacturing cost by employing a transparent electrode using aluminum oxide doped zinc oxide or gallium doped zinc oxide.

또한, 본 발명의 실시예는 상부배선에 다크 메탈(Dark matal)을 채용함으로써 픽셀간의 크로스토크(cross talk)를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.In addition, an embodiment of the present invention can provide an image sensor and a method of manufacturing the same that can prevent cross talk between pixels by employing a dark metal (Dark matal) in the upper wiring.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면 트랜지스터 회로(circuitry)와 포토다이오 드의 수직형 집적에 의해 필팩터(fill factor)를 100%에 근접시킬 수 있다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present invention, the fill factor may be approached to 100% by vertical integration of the transistor circuit and the photodiode.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면 종래기술보다 수직형 집적에 의해 같은 픽셀 사이즈에서 높은 센서티버티(sensitivity)를 제공할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to provide higher sensitivity at the same pixel size by vertical integration than in the prior art.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면 종래기술보다 같은 레졀류션(Resolution)을 위해 공정비용을 감축할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention it is possible to reduce the process cost for the same resolution (Resolution) than the prior art.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면 각 단위 픽셀은 센서티버티(sensitivity)의 감소없이 보다 복잡한 회로(circuitry)를 구현할 수 있다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present invention, each unit pixel may implement a more complicated circuit without reducing the sensitivity.

또한, 본 발명의 실시예에 의해 집적될 수 있는 추가적인 온칩 회로(on-chip circuitry)는 이미지센서의 퍼포먼스(performance)를 증가시키고, 나아가 소자의 소형화 및 제조비용을 절감을 획득할 수 있다.In addition, the additional on-chip circuitry that can be integrated by the embodiment of the present invention can increase the performance of the image sensor, and further obtain the miniaturization and manufacturing cost of the device.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면 수직형의 포토다이오드를 채용하면서 포토다이오드 내에 디펙트를 방지할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, it is possible to prevent defects in the photodiode while employing a vertical photodiode.

Claims (12)

하부배선을 포함하는 씨모스 회로(circuitry)가 형성된 기판;A substrate on which a CMOS circuit including a lower wiring is formed; 상기 기판상에 순차적으로 형성된 제1 전극, 진성층(intrinsic layer), 제2 도전형 전도층; 및 A first electrode, an intrinsic layer, and a second conductivity type conductive layer sequentially formed on the substrate; And 상기 제2 도전형 전도층 상에 형성된 비폭발성 투명전극인 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.And a second electrode which is a non-explosive transparent electrode formed on the second conductive type conductive layer. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 제1 전극, 진성층, 제2 도전형 전도층, 제2 전극은 상호분리되어 형성되어 있으며,The first electrode, the intrinsic layer, the second conductivity type conductive layer, and the second electrode are formed to be separated from each other, 상기 분리된 제1 전극, 진성층, 제2 도전형 전도층, 제2 전극 사이에 형성된 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.And an insulating layer formed between the separated first electrode, the intrinsic layer, the second conductive conductive layer, and the second electrode. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 분리된 제2 전극을 전기적으로 연결하도록 형성된 상부배선을 더 포함하며,Further comprising an upper wiring formed to electrically connect the separated second electrode, 상기 상부배선은 다크 메탈(Dark matal)인 것을 특징으로 하는 이미지센서.The upper wiring is an image sensor, characterized in that the dark metal (Dark matal). 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 제1 전극과 상기 진성층(intrinsic layer) 사이에 형성된 제1 도전형 전도층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.And a first conductivity type conductive layer formed between the first electrode and the intrinsic layer. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 제2 전극은,The second electrode, 알루미늄이 도핑된 산화아연(Al doped ZnO), 갈륨이 도핑된 산화아연(Ga-doped zinc oxide) 또는 알루미늄과 갈륨이 함께 도핑된 산화아연(Al and Ga doped ZnO) 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 이미지센서.At least one of aluminum doped zinc oxide (Al doped ZnO), gallium doped zinc oxide (Ga-doped zinc oxide) or aluminum and gallium doped together (Al and Ga doped ZnO) Image sensor. 하부배선을 포함하는 씨모스 회로(circuitry)를 기판상에 형성하는 단계;Forming a CMOS circuit including a lower wiring on the substrate; 상기 기판상에 제1 전극, 진성층(intrinsic layer), 제2 도전형 전도층을 순차적으로 형성하는 단계; 및Sequentially forming a first electrode, an intrinsic layer, and a second conductivity type conductive layer on the substrate; And 상기 제2 도전형 전도층 상에 비폭발성 투명전극인 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.And forming a second electrode which is a non-explosive transparent electrode on the second conductive type conductive layer. 제6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1 전극, 진성층, 제2 도전형 전도층, 제2 전극을 선택적으로 식각하여 트렌치를 형성함으로써 상호 간에 분리하는 단계; 및Selectively etching the first electrode, the intrinsic layer, the second conductive conductive layer, and the second electrode to form a trench to separate each other; And 상기 트렌치에 절연층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.Forming an insulating layer in the trench; The manufacturing method of the image sensor, characterized in that it further comprises. 제7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 분리된 제2 전극을 전기적으로 연결하는 상부배선을 형성하는 단계를 더 포함하며,Forming an upper interconnection electrically connecting the separated second electrodes, 상기 상부배선은 다크 메탈(Dark matal)인 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.The upper wiring is a dark metal (Dark matal) manufacturing method of the image sensor, characterized in that. 제6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1 전극과 상기 진성층(intrinsic layer) 사이에 제1 도전형 전도층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.And forming a first conductivity type conductive layer between the first electrode and the intrinsic layer. 제6 항 내지 제9 항 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 6 to 9, 상기 제2 전극은The second electrode 알루미늄 도핑된 산화아연(Al doped ZnO), 갈륨이 도핑된 산화아연(Ga doped ZnO) 또는 알루미늄과 갈륨이 함께 도핑된 산화아연(Al and Ga doped ZnO) 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.An aluminum doped zinc oxide (Al doped ZnO), gallium doped zinc oxide (Ga doped ZnO) or aluminum and gallium doped together zinc oxide (Al and Ga doped ZnO) of any one or more of the image sensor Manufacturing method. 제6 항 내지 제9 항 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 6 to 9, 상기 제2 전극은,The second electrode, 스터터링 시스템(sputtering system), 이빔증착 시스템(e-beam evaporation system), 분자빔증착(molecular beam epitaxy:MBE)시스템, 레이저 시스템(laser system) 중 어느 하나 이상의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.Images formed by any one or more of a sputtering system, an e-beam evaporation system, a molecular beam epitaxy (MBE) system, and a laser system Method of manufacturing the sensor. 제6 항 내지 제9 항 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 6 to 9, 상기 제2 전극은,The second electrode, 10℃ 내지 400℃의 온도에서 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조방법.Image sensor manufacturing method characterized in that formed at a temperature of 10 ℃ to 400 ℃.
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