KR20080035468A

KR20080035468A - 프로브

Info

Publication number: KR20080035468A
Application number: KR1020070104223A
Authority: KR
Inventors: 군세이 기모토
Original assignee: 군세이 기모토
Priority date: 2006-10-18
Filing date: 2007-10-16
Publication date: 2008-04-23
Also published as: TWI345061B; TW200819754A; US7573281B2; CN101165494B; CN101165494A; JP2008122356A; US20080094090A1

Abstract

협피치의 패드에 대응가능하며 클리닝이 불필요한 프로브를 제공한다. 그러기 위해 수직 방향으로 스프링 변형하는 z변형부와, 해당 z변형부와 직렬로 접속하여 회전 동작 또는 적어도 수직 방향으로 스프링 변형하는 zθ변형부를 가지는 프로브를 실현하고, 그 zθ변형부에 1 또는 복수의 회전 중심을 마련한다. 그리고, 프로브 선단(先端)에는 zθ변형부가 패드와 접촉하여 검사시 오버드라이브 중에 상기 zθ변형부가 상기 회전 중심을 중심으로 회전하며, 프로브 선단이 패드 표면과 1점 또는 한정된 범위 내에서 접촉하여 패드 표면과 프로브 선단이 상대적으로 어긋나 접촉 초반에 얼룩을 제거하고 접촉 후반에 전기적 도통이 이루어지는 곡면을 마련한다.

프로브, 협피치, z변형부, zθ변형부, 거더

Description

프로브 {Probe}

본 발명은 LSI 등 전자 디바이스의 제조 공정에서 반도체 웨이퍼 상에 형성된 복수의 반도체 칩의 회로 검사에 사용하는 프로버 장치의 프로브(접촉자)에 관하여 특히, 반도체 칩 상에 배열되는 회로 단자(패드)에 대해 웨이퍼 상태 그대로 수직 프로브를 접촉시켜 일괄하여 반도체 칩의 전기적 도통을 측정하는 프로빙 테스트에 사용하는 프로버 장치의 프로브 구조에 관한 것이다.

반도체 기술의 진보와 함께 전자 디바이스의 집적도가 향상하고, 반도체 웨이퍼 상에 형성되는 각 반도체 칩에 있어서도 회로배선이 차지하는 영역이 증가하며, 그 때문에, 각 반도체 칩 상의 회로 단자(패드)의 수도 증가하고, 그에 따라 패드 면적의 축소화, 패드 피치의 협소화 등에 의한 패드 배열 미세화가 진행되고 있다. 그와 동시에 반도체 칩을 패키지에 수납하지 않고, 베어 칩 그대로 회로 기판 등에 탑재하는 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package)방식이 주류가 되고 있으며, 그를 위해서는 반도체 칩으로 분할하기 전의 웨이퍼 상태에서의 특성 체크나 양부(良否) 판정이 필수가 된다.

이 반도체 칩의 검사 수단으로는 피검사 반도체 칩의 패드와 검사 장치 사이 에 외력에 대해 탄성적으로 변형하는 탄성 변형부를 가지는 복수의 침상 프로브를 영역 배열한 접촉자 조립을 개재시키는 수단이 있다. 이 접촉자 조립과 반도체 칩의 시험 회로를 전기적으로 접속하는 수단으로 프로브 카드라고 불리는 프린트 배선 기판이 사용되고 있다.

패드 배열이 미세화(협피치화)함으로써 문제가 되는 것은 전자 디바이스의 전기적 특성 시험이나 회로 검사시 반도체 칩의 패드에 접촉시켜 전기적 도통을 얻기 위한 프로브의 구조를 패드 배열 미세화에 맞춰야 하며, 이 패드 배열의 미세화의 진보에 대응하기 위해 다양한 측정 수단이 사용되고 있다.

프로브 구조로 편지량(片持梁: 편(片)을 갖는 거더(梁))의 캔틸레버 구조를 가지는 침상 프로브가 있다. 그러나, 이 캔틸레버 구조는 패드와 접촉할 때 선단이 수평 방향으로 어긋나기 때문에 패드에 상처를 내거나 또 패드에서 벗어나 측정 수율의 저하를 초래하는 등의 문제가 있다. 나아가, 프로브 1개씩의 설치 정밀도에 불규칙이 있어 일정 접촉압의 콘트롤이 어려운 등의 문제가 있었다.

이 캔틸레버 구조를 대신하는 수직형 프로브, 즉, 프로브가 프로브 카드의 회로 단자에 수직으로 고정된 수직형 프로브에 있어서는 반도체 칩상의 패드 피치와 프로브 카드상의 회로 단자 피치가 동등한 피치 간격으로 구성되는 것이 필요하다. 그러나, 프린트 배선 기판인 프로브 카드상에서는 회로 패턴의 미세화에 제조 기술상의 한계가 있으며, 따라서 회로 단자가 차지하는 면적이나 배선 폭도 패드 피치에 맞춘 요구를 충족시키는 것은 어렵다. 나아가, 납땜 가능한 피치 간격에도 한계가 있기 때문에, 미세화가 진행됨에 따라 수직형 프로브를 반도체 칩의 패드 피치에 맞춰 프로브 카드와 수직으로 고정하는 것은 불가능했다. 또한 다음에 설명하는 스크럽 기능이 작용하지 않는다는 문제점이 있었다.

한편, 피검사물인 IC칩의 패드는 일반적으로 알루미늄 합금막이나 금도금 등으로 형성되며, 그 표면은 산화 피막 등으로 덮혀 있다. 이 패드에 프로브의 선단을 접촉시킬 때 후술하는 도 14A에 나타내는 바와 같이, 프로브 핀의 선단이 패드에 접촉한 후에 수직 방향으로 일정한 거리에서 압압(오버드라이브)되는 동시에, 패드 표면을 수평 방향으로 문지름(스크럽)으로써 산화 피막 등이 파괴되어 프로브와 패드의 확실한 도통을 얻는다는 기능이 있다.

상술한 바와 같은 프로브 핀 구조에 대한 요구, 즉, 패드 배열의 미세화 및 협피치화에의 대응, 오버드라이브 및 스크럽 기능을 포함하는 프로브의 접촉부 근처의 거동의 미세한 콘트롤을 실현하기 위해 지금까지 본 발명자 등은 이하와 같은 제안을 해 왔다.

본 발명자 등에 의해 제안된 종래 예를 도 14를 사용하여 설명한다. 도 14는 종래의 발명에 관한 캔틸레버 구조 및 평행 스프링 구조에서의 프로브 설명도로, 도 14A, 도 14B, 및 도 14C는 각각의 프로브의 선단부의 움직임을 나타내는 동작 설명도이다. 또한, 프로브의 선단은 반도체 칩 등의 패드부에 접촉할 때까지는 수직 상태를 유지하고 있다.

도 14A에 있어서, 길이(L)의 캔틸레버(201)의 선단부에 설치된 수직 프로브(202a)는 선단부가 반도체 칩 등의 패드(203)의 상면에 대하여 수직으로 대향하고 있고, 타단은 지지부(204)에 부착되어 수평 상태에 있다. 이어, 검사를 위해 패 드(203)를 상승시키거나 지지부(204)를 하강시키면 수직 프로브(202a)의 선단부와 패드(203)의 상면이 접촉하고, 길이(L)의 캔틸레버(201)는 계산상 약 (1/ 3)L의 위치를 중심으로 회전하며, 수직 프로브(202a)의 선단부는 패드(203)의 상면에 접촉하면서 거리(d0)만큼 크게 이동한다. 그 결과, 특히 미세화된 패드의 경우, 수직 프로브(202a)의 선단부가 패드(203)에서 벗어나 측정 불가능하게 되는 경우가 있다. 또한 수직 프로브의 선단에서의 압압력이 큰 경우, 패드(203)의 상면이 깎이거나 상처가 남게 되기 때문에, 후공정인 와이어 본딩 등의 수율 저하로 연결될 우려가 있다.

이 폐해를 없애기 위해 도 14B에 나타내는 바와 같이 캔틸레버(201)의 구조를 평행 스프링(205)에 의한 링크 구조로 하고, 링크(205)의 일단에 수직 프로브(202b)를 마련했다. 이 링크 구조에 의하면, 수직 프로브(202b)에 도 14A와 같은 수직 방향의 접촉 하중이 가해졌다 하더라도, 링크 구조이기 때문에 수직 프로브(202b)의 선단부의 이동량(d1)은 d1<d0이 되어 극히 소량으로 억제할 수 있다.

해당 평행 스프링이란, 복수의 거의 동일 형상의 거더(梁, girder)가 복수개 평행하게 배치되어 있으며, 해당 복수의 거더의 양단이 공통된 변형하지 않는 지지체에 고정되어 한쪽의 지지체를 고정하고, 다른 쪽의 지지체를 이동했을 때 어느 일정한 범위 내에서 병진 운동하는 것을 가리키고 있다.

나아가 도 14C는 캔틸레버를 구성하는 평행 스프링(205)의 형상을 미리 변형시켜 두는 링크 구조를 나타내는 것으로, 이 경우도 수직 프로브(202c)의 선단부의 이동량(d2)은 d2<d0이 되어 극히 소량으로 억제할 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 종래의 캔틸레버 구조 대신에 평행 스프링 구조에 의한 프로브 구조를 채용하여 형상 치수 및 재질 등을 선택함으로써 패드와 프로브 접촉부 근처의 거동의 미세한 콘트롤을 가능하게 해 왔다.

평행 스프링을 이용한 종래예를 도 15를 이용하여 설명한다. 도 15A, 도 15B, 도 15C는 각각 평행 스프링을 이용한 프로브의 선단부의 움직임과 패드의 관계를 나타내는 동작 설명도이다. 도면 15A에 있어서, 상대적으로 패드(213)가 수직 방향으로 이동하여 수직 프로브(212)의 선단부에 접촉할 때까지는 프로브의 평행 거더(girder)는 수평을 유지한 상태이다. 이어, 도 15B에 나타내는 바와 같이, 패드가 수직 프로브(212) 선단부와 접촉을 개시하고, 나아가 어느 일정량만큼 수직 방향으로 밀어 올리는 동작, 즉 오버드라이브가 작용하면, 프로브의 2개의 평행 거더(11a, 21lb)는 거의 평행으로 회전 이동하고, 그에 따라 수직 프로브(212)가 수직 방향으로 이동한다. 이 때, 수직 프로브(212)는 수직 이동과 동시에 패드(213)의 접촉 표면을 따라 수평 방향으로 d1의 거리를 이동한다. 이 이동 거리는 도 14A에 나타낸 종래의 캔틸레버 구조의 수직 프로브 선단의 이동 거리에 비해 충분히 작은 거리로 설정하는 것이 가능하여 패드(213)에서 프로브의 선단이 벗어나는 일은 없다. 이 프로브 접촉단의 수평 이동으로 패드(213)의 표면에 존재하는 산화 피막 등이 파괴되고, 프로브(212)와 패드(213)의 확실한 전기적 도통을 얻을 수 있다. 검사가 종료한 후에는 도 15C에 나타내는 바와 같이, 패드 및 프로브의 압압이 개방되어 본래의 상태로 되돌아온다.

상술한 바와 같이 오버드라이브 및 스크럽 동작에 의해 패드 표면의 산화 피 막 등이 제거되기 때문에, 양자의 전기적 도통을 얻을 수 있다. 그렇지만, 도 15C에 있어서 패드 표면에서 벗겨진 산화 피막 등이 수직 프로브(212)의 선단 부분(212c)에 부착된 상태 그대로라면, 다음 검사시에 프로브와 패드간의 도통을 방해하여 양자의 확실한 전기적 도통을 얻을 수 없다는 문제가 생긴다. 이에 대응하기 위해 프로브 핀의 선단을 자주 연마 등에 의해 클리닝하고, 선단의 부착물을 제거해야 하며, 클리닝에 의한 검사 공정의 중단이나 프로브의 수명 저하 등에 의한 비용 증대가 문제가 되었다.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 그 첫 번째 목적은 프로브 선단의 클리닝을 자주 할 필요없이 성능 유지가 쉬운 프로브를 제공하는 것이다.

본 발명의 두 번째 목적은 패드 배열의 미세화 및 협피치화에의 대응이 가능한 프로브를 제공하는 것이다.

본 발명의 세 번째 목적은 오버드라이브 및 스크럽 기능을 포함한 프로브의 접촉부 근처의 거동의 미세한 콘트롤을 가능하게 하는 프로브를 제공하는 것이다.

본 발명은 프로브가 수직 방향으로 스프링 변형하는 z변형부와, 해당 z변형부와 직렬로 접속되어 회전 동작하고 수직 방향으로 스프링 변형하는 zθ변형부를 가지는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성에 의해, 프로브의 회전 중심을 프로브의 선단 근처로 한다는 작용을 가지며, 필요한 오버드라이브량과 패드 표면 내에 한정할 필요가 있는 프로브 선단의 수평 방향의 미세한 이동량과 패드 표면상에서의 스크럽 동작을 각각 독립하여 설계할 수 있다는 효과가 생긴다.

본 발명은 또한 상기한 바와 같은 프로브의 구성에 있어서, zθ변형부는 1 또는 복수의 회전 중심을 가지며, 패드와 접촉하여 검사시의 오버드라이브 중에 해당 zθ변형부가 상기 회전 중심을 중심으로 회전하도록 하고, 또 프로브 선단은 패드 표면과 1점 또는 한정된 범위 내에서 접촉하여 패드 표면과 프로브 선단이 상대 적으로 어긋나 접촉 초반에 더러움을 제거하고 접촉 후반에 전기적 도통이 이루어지는 곡면을 가지는 것을 특징으로 한다. 이로써, 본 발명의 프로브에 의하면, 반도체 디바이스의 협피치화에 대응한 회로 검사 장치(프로버)에 있어서, 프로브 선단의 클리닝 처리가 불필요하게 된다.

또한 본 발명에 의하면, 복수의 프로브 출력단이 직선상에 배치되어 제1 배선군과 접속되는 구성을 가진다. 또한 복수의 제1 배선군의 출력단이 직선상에 배치되어 제2 배선군과 접속되는 구성을 가진다. 따라서, 제1 및 제2 배선군의 단자가 각각 접촉만으로 전기적 도통을 얻을 수 있고, 납땜이 불필요하며 보수가 쉽다는 효과가 생긴다.

본 발명의 상술한 효과 및 기타 효과는 도면을 참조하여 이루어지는 이하의 설명에서 더욱 명백해진다.

이상 상세히 설명한 바와 같이 본 발명의 프로브에 의하면, 반도체 디바이스의 협피치화에 대응한 회로 검사 장치(프로버)에 있어서, 프로브 선단의 클리닝 없이 적용할 수 있으며, 예를 들어, 직경 300mm에 반도체 칩이 수십부터 수백개 형성된 웨이퍼의 일괄 검사도 충분히 가능한 기능을 구비하고 있다.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 이 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.

(제1 실시형태)

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시형태에 관한 프로브 구조의 설명도로, 도 1A, 도 1B는 각각 프로브의 움직임을 나타내는 동작 설명도이다. 또한, 수직 프로브의 선단은 반도체 칩 등의 패드부에 접촉할 때까지는 수직 상태를 유지하고 있다. 도 2는 zθ변형부의 상세한 움직임을 나타내는 개략 동작 설명도이다.

도 1A에 있어서, 프로브를 평행 스프링(11)에 의한 링크 구조로 하여 편단(片端)(13)을 고정단으로 하고, z변형부를 구성하고 있다. 링크(11)의 수직 프로브부(12)와 직렬로, 회전 중심(14)을 가지는 zθ변형부(15)가 접속되고, zθ변형부(15)의 편단이 패드(16)의 표면과 접함으로써 패드와의 전기적 도통을 얻는 것이다. 본 실시형태에서는 zθ변형부(15)를 U자형의 형상으로 했다.

도 1A에 있어서, 상대적으로 패드(16)가 수직 방향으로 이동하여 수직 프로브(12)의 선단부에 접촉할 때까지는 프로브의 평행 거더부(11)는 수평을 유지한 상태에 있다. 이어, 도 1B에 나타내는 바와 같이, 패드(16)가 수직 프로브(12) 선단부와 접촉을 개시하고, 나아가 어느 일정량만큼 수직 방향으로 밀어 올리는 오버드라이브가 작용하면, 프로브의 2개의 평행 거더(1la, 1lb)가 거의 평행하게 회전 이동하고, 그에 따라 수직 프로브(12)가 수직 방향으로 이동한다. 이 때, 수직 프로브(12)는 수직 이동과 동시에 수평 방향으로 아주 작은 거리를 이동한다. 이 이동 거리는 평행 스프링에서의 거더의 길이, 두께, 개구 면적 및 재질에 따른 스프링 정수를 선택함으로써 임의로 설정할 수 있다.

한편, zθ변형부(15)는 수직 프로브(12)의 움직임에 따라 수직 및 수평 방향 으로 이동함과 동시에, 오버드라이브의 진행에 따라 회전 중심(14)을 중심으로 하여 시계 방향으로 회전 동작이 개시된다. 이 때 zθ변형부(15)의 동작을 도 2를 이용하여 상세히 설명한다.

도 2A, 도 2B 및 도 2C는 오버드라이브의 진행에 따른 zθ변형부(15)의 패드 접촉부 근처와 zθ변형부(15)의 중심선의 궤적을 3단계로 나타낸 도면이다. 여기서는 z변형부의 동작은 도시하지 않고 고정으로 하고 있다. 도 2에 있어서, 22는 프로브 선단의 패드 표면(21)과의 접촉부 근처에서의 부분 형상, 23은 zθ변형부(15)의 중심선을 나타낸다. 도 2A는 패드(21)와의 접촉 개시시를 나타낸 도면으로, 프로브 선단(22)이 패드(21)와 (22a)의 위치에서 접해 있다. 오버드라이브가 진행하고, 도 2B의 상태까지 패드(21)가 프로브(22)를 밀어 올리면, zθ변형부(15)의 선단부에 회전 중심(24)을 중심으로 하여 회전 동작이 가해져 프로브 선단과 패드의 접촉점이 22a에서 22b로 이동한다. 나아가, 오버드라이브가 진행하고, 도 2C의 상태까지 패드(21)가 프로브(22)를 밀어 올리면, 마찬가지로 회전 동작도 진행하여 패드와의 접촉점이 22b에서 22c로 이동한다. 이 때 회전 중심은 오버드라이브의 진행과 함께 24a→24b→24c로 변화해 나간다. 나아가, 본 도면에서는 도시하지 않은 z변형부의 변위가 이에 가해지게 된다.

이런 일련의 동작에 있어서, 패드 표면(21)과 프로브 선단(22)에 문지름 동작(스크럽)에 의해 상대적으로 어긋나서 접촉 초반, 예를 들어 22a→22b의 이동시 산화 피막을 제거하고, 접촉 후반, 예를 들어 22b→22c의 이동시 전기적 도통을 할 수 있다는 효과가 생긴다. 이 동작으로 검사가 종료되어 패드 및 프로브의 압압이 개방되고 원래대로 돌아간 상태에서 산화 피막 등의 더러움이 프로브 선단에 부착되었다 하더라도, 다음 검사시 똑 같은 문지름 동작을 반복함으로써 항상 산화 피막 등의 더러움을 제거할 수 있기 때문에, 클리닝이 불필요한 프로브 구조가 실현 가능해진다.

도 3에 상술한 패드 표면(21)과 프로브 선단(22) 사이의 스크럽 작용을 효과적으로 발생시키기 위한 프로브 접촉면 형상의 작성 방법을 설명한다. 도 3에 있어서, 프로브 선단(22)이 패드 표면(21)에 스크럽 동작을 개시하고, 스크럽 동작을 종료할 때까지의 회전각(θ)을 n개의 아주 작은 각도 θ(1), θ(2),…, θ(n)로 분할한다. 각각의 회전에 대응하는 회전 중심을 O(O), O(1), …, O(n)로 하고, 각각의 회전에 대응하는 z방향 변위, 즉 오버드라이브의 요소를 Z(1), Z(2), …Z(n)로 한다.

프로브가 패드와 접촉하여 스크럽을 개시하는 접점을 P(0)로 하고, 제1 오버드라이브 Z(1)의 변위에 따라 회전 중심이 O(0)에서 O(1)로 이동하고, 그 동안의 제1 미소 회전 각도 θ(1)의 회전 후의 접점을 P(1), 접점 P(0)과 P(1)을 잇는 제1 선분을 S(1)이라고 한다. 제1 미소 회전 각도θ(1)에 대한 제1 선분 S(1)의 경사 Δd(1)가 거의 0도, 즉 패드 표면에 대하여 S(1)이 거의 평행이 되도록 P(1)을 설정하고, 스크럽 개시시 회전 중심 0(0)을 프로브와 패드의 접촉점 궤도, 즉 접점 P(0)을 통하는 수직선(C)으로부터 충분히 우측에 마련함으로써 패드가 제1 미소 회전 각도 θ(1) 상당의 제1 오버드라이브 z(1)만큼 상대적으로 이동한 경우, 프로브 선단에 회전 동작이 작용하여 프로브와 패드의 접점이 P(0)에서 P(1)로 마찰 이동 한다.

마찬가지로, 제2 오버드라이브 Z(2)(도시하지 않음)의 변위에 따라 회전 중심이 O(1)에서 O(2)(도시하지 않음)로 이동하고, 그 사이의 제2 미소 회전 각도 θ(2)의 회전 후의 접점을 P(2), 접점 P(1)과 P(2)를 잇는 제2 선분을 S(2)로 하여 제2 선분 S(2)의 경사 Δd(2)가 거의 0도가 되도록 P(2)를 설정함으로써 패드가 제2 미소 회전 각도 θ(2) 상당의 제2 오버드라이브Z(2)만큼 이동한 경우, 프로브 선단에 새로운 회전 동작이 작용하여 프로브와 패드의 접점이 P(1)에서 P(2)로 이동한다.

이것을 n개로 분할한 경우의 일반적인 표기로 설명하면, 제n 오버드라이브 요소 Z(n)의 변위에 따라 회전 중심이 O(n-1)에서 O(n)으로 이동하고, 그 사이의 제n 미소 회전 각도 θ(n)의 회전 후의 접점을 P(n), 접점 P(n- 1)과 P(n)을 잇는 제n 선분을 S(n)으로 하여, 제n 선분 S(n)의 경사 Δd(n)가 거의 O도가 되도록 P(n)을 설정함으로써 패드가 제n 미소 회전 각도 θ(n) 상당의 제n 오버드라이브 요소 Z(n)만큼 이동한 경우, 프로브 선단에 회전 동작이 작용하여 프로브와 패드의 접점이 P(n-1)에서 P(n)으로 이동한다.

이렇게 하여 오버드라이브 요소 Z(1), Z(2), …, Z(n)에 대응하는 모든 n개의 접점 P(1)∼P(n)에 대해 작용하도록 접점 P(1)∼P(n)의 위치를 결정하고, 이 접점 P(O), P(1), …, P(n)을 연속된 매끄러운 곡선으로 접속한 볼록한 모양의 곡선을 형성함으로써 패드와 접촉하도록 프로브의 선단 형상을 결정할 수 있다. 이로써 본 형상에 의해 프로브 선단이 패드 표면과 1점 또는 패드 표면상의 한정된 범위 내에서 접촉하여 패드 표면과 프로브 선단이 상대적으로 어긋나 접촉 초반에 더러움을 제거하고 접촉 후반에 전기적 도통이 이루어지는 효과를 갖는 것이 가능하다.

(제2 실시형태)

제2 실시형태로 본 발명자 등이 이미 제안해 왔던 필름 적층에 의한 프로브 구조에 본 발명을 적용한 형태를 나타낸다. 본 발명자 등에 의해 제안된 필름 적층에 의한 프로브 구조는 특개 2004-274010호 공보의 도 24 또는 특개 2005-300545호 공보의 도 1 등에 나타내는 바와 같이, 리본 모양(직사각형 모양)의 수지 필름면에 동박판을 붙이고, 이 동박판을 식각함으로써 수지 필름면에 만곡부를 가지는 구리제 프로브를 형성하고, 이 프로브가 형성된 수지 필름을 여러 장 적층시켜 프로브 조립을 구성하는 것이다.

도 4에 필름적층형 프로브 구조에 의한 실시 형태를 나타낸다. 도 4에 있어서 수지 필름(예를 들어, 폴리이미드 수지)(31) 위에 동박(예를 들어, 베릴륨 구리)을 접착하고, 동박을 식각가공함으로써 zθ변형부(32), 도전부(33), 신호선 단자부(34), 및 도전성 강화 더미부(35a, 35b, 35c, 35d)를 형성한다. 나아가 도전부(33)와 도전성 강화 더미부(35a, 35b, 35c, 35d)의 틈에 절연성 수지를 인쇄함으로써 절연성 더미부(39a, 39b, 39c)를 형성한다. 한편, 수지 필름(31)에는 미리 개구부(36), 그루브(groove)(37, 38)가 마련되어 있다.

이상으로 구성된 필름적층형 프로브(30)의 기능 및 동작을 도면에 따라 설명한다. 검사 신호를 전달시키는 도전부(33)의 일단에 프로브 선단부(32a) 및 만곡부(32b)에 의해 zθ변형부(32)가 구성되어 있다. 그루브(37)를 마련함으로써 패 드(43)와의 접촉이 개시되어 압압이 진행됨에 따라 프로브 선단부(32a)가 회전 중심(32c)을 중심으로 회전을 시작한다. 또한 도전부 평행 거더(33a), 도전성 강화 더미부(35a, 35b) 및 절연성 더미부(39a)는 개구부(36) 및 그루브(38)를 마련함으로써 평행 스프링부, 즉 z변형부(40)를 구성하게 된다. 패드(43)과의 압압이 진행됨에 따라 도전성 강화 더미부(35c, 35d)를 주로 한 강성부를 고정단으로 하여 z방향의 변형이 개시된다. 한편, 도전부(33)의 타단에는 신호선 단자부(34)를 마련하고 검사 장치의 프린트 배선 기판 등으로 검사 신호가 출력된다.

필름적층형 프로브(30)에 있어서, 도전성 강화 더미부(35a, 35b, 35c, 35d)는 그들을 전기적으로 지면(earth)과 접속함으로써 신호 도전부의 정전용량이 감소하고, 자기 쉴드(shield) 기능이 구비됨으로써 고주파용 디바이스의 검사에 적용할 수 있게 되는 것이다. 또한 동시에, 절연성 수지를 인쇄한 절연성 더미부(39a, 39b, 39c)와 함께 수지 필름의 강성을 높여 좌굴(Buckling) 등에 의한 변형을 방지하는 기능을 가진다.

도 5는 필름적층형 프로브(30)를 n장 적층한 프로브 조립을 나타낸 것이다.필름적층형 프로브(30)에 마련한 구멍(41a, 41b)에 지지봉(42a, 42b)을 관통시키고, n장의 필름적층형 프로브(30)를 적층고정함으로써 필름의 두께(수십μm)에 상당하는 피치의 n개 패드를 동시에 검사하는 것이 가능하게 된다. 또한 필름적층형 프로브(30)의 배선 패턴, 프로브 선단부(32a)의 위치 및 신호선 단자부(34)의 위치를 각각 개별적으로 설정함으로써 지그재그 배열 패드 등에도 적용할 수 있고, 또한 검사 장치의 인쇄 배선판의 신호 입출력단 위치에 맞춘 신호선 단자 위치의 설 정이 가능하게 된다.

(제3 실시형태)

도 6은 제3 실시형태인 프로브 구조를 설명하는 도면이다. 도 6에 있어서, 51은 도 1에서의 zθ변형부만으로 구성되는 프로브를 나타낸다. zθ변형부의 일단은 고정단(53)으로 지지되고 있어 프로브 자체의 z방향으로의 이동을 수행하지 않는다. 도 6A는 패드(54)와의 접촉 개시 시점을 나타낸 도면으로, 프로브(51)의 선단이 패드(54)와 접해 있다. 오버드라이브가 진행되며 도 6B의 상태까지 패드(54)가 프로브(51)를 밀어 올리면, zθ변형부인 프로브 선단부에 회전 중심(52)을 중심으로 회전 동작이 가해지고, 도 2에서 나타낸 동작에 의해 패드(54)의 표면을 문지름으로써 패드와의 전기적 도통을 얻는다.

(제4 실시형태)

도 7은 제4 실시형태인 프로브 구조를 설명하는 도면이다. 도 7에 있어서, (61)은 도 1에서의 평행 스프링(11)의 수직 프로브부(12)와 직렬로 접속된 zθ변형부를 나타낸다. zθ변형부(61)는 편단이 수직 프로브부(12)로 지지된 캔틸레버 구조이다. 도 7A는 패드(64)와의 접촉 개시 시점을 나타낸 도면으로 프로브의 선단이 패드(64)와 접해 있다. 오버드라이브가 진행되며 도 7B의 상태까지 패드(64)가 프로브를 밀어 올리면, 평행 스프링(11)의 z방향 변위 및 zθ변형부(61)에 회전 중심(62)을 중심으로 한 회전 동작이 가해져 도 2에 나타낸 동작에 의해 패드(64)의 표면을 문지름으로써 패드와의 전기적 도통을 얻는다.

(제5 실시형태)

도 8은 제5 실시형태인 프로브 구조를 설명하는 도면이다. 도 8에 있어서 프로브(73)는 편단이 고정단(75)으로 지지되고, 제1 회전 중심(72a)을 회전 중심으로 하는 캔틸레버 구조만으로 구성된다. 프로브(73)의 선단부에 제2 회전 중심(72b)을 회전 중심으로 한 zθ변형부(71)를 가진다. 도 8A는 패드(74)와의 접촉 개시 시점을 나타낸 도면으로, zθ변형부(71)의 선단이 패드(74)와 접해 있다. 오버드라이브가 진행되며 도 8B의 상태까지 패드(74)가 프로브(73)를 밀어 올리면, 프로브(73)가 회전 중심(72a)을 중심으로 한 회전 동작을 하는 동시에, zθ변형부(71)가 회전 중심(72b)을 중심으로 회전 동작을 한다. 이로써 도 2에 나타낸 동작에 의해 패드와의 전기적 도통을 얻는다.

본 실시형태는 캔틸레버의 거더(girder) 길이가 비교적 긴 경우의 실시형태인데, 거더의 길이가 충분히 짧은 경우에는 회전 중심(72a 및 72b)은 같은 위치일 수도 있다.

(제6 실시형태)

도 9는 제6 실시형태를 나타내는 설명도로, 도 9A 및 도 9B는 각각 프로브의 기본 구조 및 선단부의 움직임을 나타내는 도면이다. 도 9A에 있어서, 전기적 도전재로 이루어지는 길이(L8)의 평행 거더(81a 및 81b)와, 변형되지 않는 지지체인 수직 거더(82a 및 82b)로 구성된 제1 평행 스프링(80a)과, 마찬가지로 전기적 도전재로 이루어지는 길이(L8)의 평행 거더(81c 및 81d)와, 변형되지 않는 지지체인 수직 거더(82c 및 82d)로 구성된 제2 평행 스프링(80b)이 각각의 수직 거더(82b, 82d)의 사이를 변형되지 않는 전기적 도전재로 이루어지는 수직 거더(82e)에 의해 접속되 어 있다. 또한 제1 평행 스프링(80a)의 다른 쪽의 수직 거더(82a)는 본 프로브 구조에서 고정단으로 여기는 곳의 검사 회로 패드(87)에 접속되는 신호 단자부(83)에 연결되고, 제2 평행 스프링(80b)의 다른 쪽의 수직 거더(82c)는 zθ변형부(85)에 접속되어 있다.

도 9A에 있어서, 검사 회로 패드(87)를 고정단으로 하면 피검사 패드(86)가 z방향으로 이동하여 프로브의 zθ변형부(85)의 선단부에 접촉할 때까지는 프로브의 평행 거더(81a∼81d)는 수평을 유지한 상태이다. 이어, 도 9B에 나타내는 바와 같이,패드(86)가 프로브 선단부와 접촉을 개시하여 오버드라이브가 작용하면, 2쌍의 평행 스프링(80a, 80b)의 평행 거더의 쌍((81a과 81b) 및 (81c와 81d))이 거의 평행하게 도시된 방향으로 회전 이동하고, 그에 따라 프로브 선단부가 z방향으로 이동한다.

한편, zθ변형부(85)는 평행 스프링(80a 및 80b)의 움직임에 따라 수직 및 수평 방향으로 이동함과 동시에, 오버드라이브의 진행에 따라 회전 중심(84)을 중심으로 시계 방향으로 회전 동작이 개시된다.

본 실시형태와 같이 2단 구성의 평행 스프링으로 함으로써 평행 거더의 길이(L8)를 짧게 해도 1단째 및 2단째의 수직 거더 각각의 z방향 이동(Zda 및 Zdb)이 가산되므로 비교적 큰 오버드라이브량을 얻을 수 있고, x방향으로 작은 공간, 예를 들어 하나의 LSI칩의 면적에 상당하는 공간에 수납할 수 있는 프로브를 실현할 수 있고, 하나의 LSI칩의 모든 패드에 대응하는 프로브군을 하나의 LSI칩 면적 내에서 구성할 수 있다는 효과가 생긴다.

(제7 실시형태)

도 10 및 도 11은 제7 실시형태에 관한 필름적층형 프로브를 나타낸 개략 측면도이다. 또한 도 12는 제7 실시형태의 필름적층형 프로브의 전체를 개략적으로 나타내는 조립도이다. 도 10 및 도 11은 또한 제6 실시형태를 더욱 구체화하도록 제2 실시형태에서 기술한 필름적층 프로브 구조를 적용한 것이다.

도 10에서 수지 필름(예를 들어, 폴리이미드 수지)(88) 상에 동박(예를 들어, 베릴륨 구리)을 접착하고, 동박을 식각 가공함으로써 도전부 평행 거더(91a, 91b, 91c, 91d), 도전부 수직 거더(92a, 92b, 92c, 92d, 92e), zθ변형부(93), 신호선 단자부(92f), 및 도전성 강화 더미부(96)를 형성한다. 나아가 도전부 수직 거더(92a) 및 신호선 단자부(92f)와 도전성 강화 더미부(96)의 틈에 절연성 수지를 인쇄함으로써 절연성 더미부(97a)를 형성한다. 한편, 수지 필름(88)에는 미리 후술하는 복수의 수지 필름을 고정하기 위한 지지봉을 삽입하는 구멍(95) 및 그루브(94a, 94b, 94c, 94d)가 마련되어 있다.

도 11은 필름적층형 프로브와 피검사 LSI칩(99) 및 검사 회로부(98)의 배치 관계를 나타내는 도면이다. 상술한 바와 같이 구성된 필름적층형 프로브(90a)와 거의 좌우 대칭 구조를 가지는 필름적층형 프로브(90b)를 도시한 바와 같이 병렬 배치하고, 피검사 LSI칩(99)의 패드(99p1, 99p2) 및 검사 회로부(98)의 기판 상의 패드(98p-i)에 접속함으로써 검사가 실시된다. 신호선 단자부(92f)의 위치는 미리 패드(98p-i)의 위치에 맞춰서 각각 각각 설치하는 것이 가능하다. 본 실시형태에서는 신호선 단자부(92f)가 직접 검사 회로부(98)의 기판 상의 패드(98p-i)에 접속하는 예이지만, 도 12에서 후술하는 중계용 배선 기판일 수도 있다.

이상에서 구성된 필름적층형 프로브(90a)에서의 기능 및 동작을 도면에 따라서 설명한다. 평행 거더(91a, 91b) 및 수직 거더(92a, 92b)에 의해 제1 평행 스프링을, 평행 거더(91c, 91d) 및 수직 거더(92c, 92d)에 의해 제2 평행 스프링을 형성하고, 수직 거더(92b와 92d) 사이는 수직 거더(92e)로 접속되어 있다. 수직 거더(92c)의 일단에 zθ변형부가 구성되며 프로브 선단부(93a)에 의해 피검사 LSI칩의 패드(99p1) 등과의 도통을 꾀한다. 그루브(94d)를 마련함으로써 패드(99p1) 등과의 접촉이 개시되어 압압이 진행됨에 따라 프로브 선단부(93a)가 회전 중심(93b)을 중심으로 하여 회전을 시작한다. 또한 제1 및 제2 평행 스프링은 그루브(94a, 94b 및 94c)를 마련함으로써 z변형부를 구성하고, 패드(99p1) 등과의 압압이 진행됨에 따라 z방향의 변형이 개시된다. 본 실시형태에서는 어떤 평행 거더(91a∼91d)도 곡선 형상으로 했지만, 평행 스프링의 변형량 등에 따라 직선 또는 다른 형상의 곡선일 수도 있다.

도 12는 상기한 기능을 가지는 필름적층형 프로브의 전체적인 조립도를 나타내는 것이다. 한 쪽에 n개의 패드(99p1-1∼99p1-n), 다른 쪽에 마찬가지로 n개의 패드(99p2-1∼99p2-n)를 가지는 LSI칩(99A)에 각각 대응하는 필름적층형 프로브(90a-1∼90a-n, 90b-1∼90b-n)를 적층하고, 지지봉(1OOa, 1OOb)을 삽입함으로써 필름적층형 프로브 조립(90A)을 구성한다. 마찬가지로 LSI칩(99B)에 대해 필름적층형 프로브 조립(90B)를, LSI칩(99C)에 대해 필름적층형 프로브 조립(90C)를, LSI칩(99D)에 대해 필름적층형 프로브 조립(90D)을 구성한다. 이상의 4쌍의 필름적층 형 프로브 조립을 다시 일괄 고정(도시하지 않음)함으로써 4개의 칩에 대응 가능한 프로브 조립을 구성할 수 있다.

나아가, 본 도면에서는 y방향 배선군(101) 및 x방향 배선군(104)을 통해 검사 장치 프린트 기판(107)에 접속하는 실시형태를 나타낸다. 수지 필름(102)에 도체(103)를 배선하고, y방향 배선군(101)을 형성한다. 필름적층형 프로브 조립(90A) 중 선택된 하나의 직선 상에 있는 복수의 신호선 단자부(92f)의 피치(Pa-in)에 맞춰서 배치한 y방향 배선군 입력부(103in)가 수지 필름(102)으로부터 소량 돌출하여 형성되어 있다. 각각의 도체 패턴은 y방향 배선군 출력부(103out)에 도달하는 과정에서 y방향으로 피치가 확장되고, Pa-out의 피치를 가진 출력단이 된다. y방향 배선군 출력부(103out)도 마찬가지로 수지 필름(102)으로부터 소량 돌출하여 형성되어 있다.

마찬가지로, 수지 필름(105)에 도체(106)를 배선하고, x방향 배선군(104)을 형성한다. 복수의 y방향 배선군(101) 중 선택된 하나의 직선 상에 있는 복수의 y방향 배선군 출력부(103out)의 피치(Pb-in)에 맞춰서 배치한 x방향 배선군 입력부(106in)가 수지 필름(105)으로부터 소량 돌출하여 형성되어 있다. 각각의 도체 패턴은 x방향 배선군 출력부(106out)에 도달하는 과정에서 x방향으로 피치가 확장되고, 최종적으로 검사 장치 프린트 기판 입력단(108in)의 피치에 합치하는 Pb-out의 피치를 가진 출력단이 된다. x방향 배선군 출력부(106out)도 마찬가지로 수지 필름(104)으로부터 소량 돌출하여 형성되어 있다.

상기와 같이 형성된 y방향 배선군(101) 및 x방향 배선군(104)을 각각 적층 고정하고, 필름적층형 프로브 조립(90A)과 y방향 배선군(101), y방향 배선군(101)과 x방향 배선군(104), 및 x방향 배선군(104)과 검사 장치 프린트 기판(107)을 수지 필름으로부터 소량 돌출하여 형성된 각각의 입출력 단자끼리 접촉시킴으로써 전기적 도통을 얻을 수 있다.

검사 장치 프린트 기판(107) 상에서는 검사 장치 프린트 기판 입력단(108in)에서 다시 도체 패턴(108)에 의해 표준적인 피치(Pc-out)를 가진 출력단(108out)으로 인도되어 검사 장치의 포고핀(109)을 접촉시킴으로써 검사가 실시된다.

본 실시형태와 같이 평행 스프링 구조를 2단 구성으로 하고, 또한 필름적층형 프로브로 함으로써 하나의 LSI칩의 면적 범위 내에서 해당 LSI칩의 전패드에 대응 가능한 소형의 프로브를 구성할 수 있으므로, 동일 구성의 필름적층형 프로브군을 복수 연결시킴으로써 하나의 웨이퍼 상의 모든 패드에 대응 가능한 프로브 조립을 실현할 수 있다. 또한 본 실시형태에서는 LSI칩의 양단에 n개의 패드가 직선 균등하게 배열된 예인데, 프로브 선단부(93a)의 위치를 변경 또는 일부 삭제함으로써 지그재그 배열형이나 불균등한 패드 배열에도 대응 가능하게 된다.

나아가, 고밀도의 협피치 패드에 대응할 수 있을 뿐 아니라, 패드 근처의 고밀도 배선을 기존 검사 장치 기판 입력부의 큰(粗) 피치까지 단계적으로 확장할 수 있기 때문에, 기존 검사 장치 기판에 맞춘 설계가 가능하다는 효과를 가진다. 또한 검사 장치 기판의 입력단 위치를 임의로 설계할 수 있기 때문에, 종래의 다층(수십층) 기판에 비해 층수가 적은 기판을 실현할 수 있고, 저렴한 가격의 프로브 장치를 제공할 수 있다.

(제8 실시형태)

도 13은 제8 실시형태를 나타내는 필름적층형 프로브의 개략 측면도이다. 필름적층형 프로브(90a)에서 수직 거더 및 평행 거더의 일부를 도전성 부재 대신에 절연성 수지를 인쇄하고, 절연성 더미부(97b, 97c, 97d, 97e)로 만들었다. 이로써 평행 거더(91a) 및 수직 거더(92b)와 평행 거더(91c) 및 수직 거더(92c)의 도통이 차단되어 정전용량이 작은 도전부가 된다. 한편, 절연성 더미부(97b, 97c, 97d, 97e)는 절연성 수지에 의해 강성이 유지되므로, 기계적으로는 평행 스프링의 기능을 가진 구성이 된다. 이 때문에, 고속 대용량 신호를 가지는 칩의 검사가 가능한 프로브의 제공이 가능해진다.

본 발명은 도면에 나타내는 바람직한 실시형태를 토대로 설명되었지만, 당업자라면 본 발명의 사상을 벗어나지 않고 쉽게 각종 변경, 개변이 가능하다는 것은 명백하다. 본 발명은 그와 같은 변경예도 포함하는 것이다.

도 1은 본 발명의 제1 실시형태인 프로브 구조를 나타내는 설명도로, 도 1A, 도 1B, 도 1C는 각각 프로브 선단부의 움직임을 나타내는 동작 설명도이다.

도 2는 본 발명의 제1 실시형태를 설명하는 zθ변형부의 부분 확대도로, 도 2A, 도 2B, 도 2C는 각각 프로브 선단부 및 중심선의 궤적을 나타내는 동작 설명도이다.

도 3은 본 발명의 제1 실시형태를 설명하는 zθ변형부의 프로브 접촉면 형상의 작성 방법을 설명하는 개략 측면도이다.

도 4는 본 발명의 제2 실시형태를 나타내는 필름적층형 프로브의 개략 측면도이다.

도 5는 본 발명의 제2 실시형태를 나타내는 필름적층형 프로브의 개략 조립도이다.

도 6은 본 발명의 제3 실시형태를 나타내는 설명도로, 도 6A, 도 6B는 각각 프로브 선단부의 움직임을 나타내는 동작 설명도이다.

도 7은 본 발명의 제4 실시형태를 나타내는 설명도로, 도 7A, 도 7B는 각각 프로브 선단부의 움직임을 나타내는 동작 설명도이다.

도 8은 본 발명의 제5 실시형태를 나타내는 설명도로, 도 8A, 도 8B는 각각 프로브 선단부의 움직임을 나타내는 동작 설명도이다.

도 9는 본 발명의 제6 실시형태를 나타내는 설명도로, 도 9A, 도 9B는 각각 프로브 선단부의 움직임을 나타내는 동작 설명도이다.

도 10은 본 발명의 제7 실시형태를 나타내는 설명도로, 필름적층형 프로브의 개략 측면도이다.

도 11은 본 발명의 제7 실시형태에 있어서, 도 10에 표시된 필름적층형 프로브 및 이와 좌우 대칭 구조로 제작된 또 하나의 필름적층형 프로브를 쌍으로 배치한 구성을 나타내는 개략 측면도이다.

도 12는 본 발명의 제7 실시형태에 있어서, 필름적층형 프로브의 개략 조립도이다.

도 13은 본 발명의 제8 실시형태를 나타내는 필름적층형 프로브의 개략 측면도이다.

도 14는 종래의 실시형태를 나타내는 캔틸레버 구조 및 평행 스프링 구조의 기본 설명도이다.

도 15는 종래의 평행 스프링 구조의 실시형태를 나타내는 개략 측면도로, 도 15A, 도 15B, 도 15C는 각각 프로브의 선단부의 움직임을 나타내는 동작 설명도이다.

Claims

적어도 수직 방향으로 스프링 변형하는 z변형부와, 해당 z변형부와 직렬로 접속하여 회전 동작, 또한 적어도 수직 방향으로 스프링 변형하는 zθ변형부를 가지는 것을 특징으로 하는 프로브.
zθ변형부는 1 또는 복수의 회전 중심을 가지고, 패드와 접촉하여 검사시 오버드라이브 중에 해당 zθ변형부가 상기 회전 중심을 중심으로 회전하고, 프로브 선단이 패드 표면과 1점 또는 한정된 범위 내에서 접촉하여 패드 표면과 프로브 선단이 상대적으로 어긋나 접촉 초반에 더러움을 제거하고 접촉 후반에 전기적 도통이 이루어지는 곡면을 가지는 것을 특징으로 하는 프로브.
회전각 θ가 θ(1), θ(2),…, θ(n)의 총합이고, 각각의 회전에 대응하는 회전 중심 O(O), O(1),…, O(n)을 가지며, 해당 회전과 대응하는 z방향 변위 z(1), z(2),…, z(n) 및 θ회전 변위의 변형을 가지는 프로브에 있어서, 패드와의 접촉점의 프로파일 곡선은 각각의 회전각 θ(1), θ(2),…, θ(n)에 대응하는 선분 S(1), S(2),…, S(n)의 꼭지점 P(0), P(1),…, P(n) 중 하나가 패드면과 접촉하고, 이 접촉하는 꼭지점을 포함하는 선분 S(1), S(2),…, S(n) 중 하나가 패드면에 거의 평행일 때, 상기 꼭지점 P(O), P(1),…, P(n)을 연속된 매끄러운 곡선으로 접속한 볼록한 곡선이 프로브의 선단 형상의 일부에 포함되는 것을 특징으로 하는 프로브.
제2항에 있어서,

zθ변형부만의 구성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브.
제1항에 있어서,

zθ변형부가 편(片)을 갖는 거더(梁)의 캔틸레버임을 특징으로 하는 프로브.
제4항에 있어서,

zθ변형부가 편(片)을 갖는 거더(梁)의 캔틸레버임을 특징으로 하는 프로브.
제1항에 있어서,

z변형부가 2개의 거의 평행한 곡선 또는 직선 또는 곡선과 직선으로 구성된 전기적 도전재로 이루어지는 거더와 해당 복수의 거더의 양단이 공통의 변형하지 않는 지지체로 고정되어, 한 쪽의 지지체를 고정하고 다른 쪽의 지지체를 이동했을 때 어느 일정한 범위 내에서 병진운동하는 2쌍의 평행 스프링과, 해당 2쌍의 평행 스프링을 수직 방향으로 2단 배치하는 것과, 상기 2쌍의 평행 스프링의 지지체를 전기적 도전재로 이루어지는 부재로 결합하는 수단을 가지며, 상기 1쌍의 평행 스프링의 지지체가 피계측단의 패드에 접속되는 입력단에 이어지고, 다른 1쌍의 평행 스프링의 지지체가 검사 회로에 접속되는 출력단에 이어지는 것을 특징으로 하는 프로브.
제7항에 있어서,

평행 스프링을 구성하는 거더 또는 지지체의 일부가 절연재로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브.
제7항에 있어서,

프로브 출력단이 해당 프로브 출력단 피치를 가진 입력단으로서 제1 수평 방향으로 해당 입력단 피치보다도 큰(粗) 피치를 출력단으로 하는 제1 배선군과, 제1 배선군의 출력단 피치를 가진 입력단으로서 제1 수평 방향에 직교하는 제2 수평 방향으로 해당 입력단 피치보다도 큰(粗) 피치를 출력단으로 하는 제2 배선군에 접속하는 것을 특징으로 하는 프로브.
제7항에 있어서,

프로브 출력 단자부는 복수의 프로브를 적층했을 때 각각의 배선 위치가 거의 같은 피치로 어긋나고, 해당 출력 단자부가 규칙적인 선택에 의해 큰(粗) 면배열이 되도록 각 수지 필름에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브.
제9항에 있어서,

제1 및 제2 배선군 각각의 배선은 수지 필름 상에 형성되고, 해당 배선군의 입력단 및 출력단은 수지 필름의 외주로부터 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 프 로브.
제9항에 있어서,

복수의 프로브 출력단이 직선상에 배치되며, 제1 배선군과 접속되는 것을 특징으로 하는 프로브.
제9항에 있어서,

복수의 제1 배선군의 출력단이 직선상에 배치되고, 제2 배선군과 접속되는 것을 특징으로 하는 프로브.