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KR20070110684A - 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

유기전계 발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20070110684A
KR20070110684A KR1020060043465A KR20060043465A KR20070110684A KR 20070110684 A KR20070110684 A KR 20070110684A KR 1020060043465 A KR1020060043465 A KR 1020060043465A KR 20060043465 A KR20060043465 A KR 20060043465A KR 20070110684 A KR20070110684 A KR 20070110684A
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KR
South Korea
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electrode
light emitting
organic light
bank
auxiliary electrode
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Withdrawn
Application number
KR1020060043465A
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English (en)
Inventor
이영구
강성기
이호년
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

유기전계 발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 유기전계 발광소자는, 기판; 기판 상에 형성되는 다수의 제1 전극; 기판 상에 형성되어 제1 전극들 상에 픽셀들을 정의하는 뱅크; 픽셀들내에 채워지는 유기 발광층들; 뱅크 및 유기발광층들의 상면에 형성되며, 금속으로 이루어진 제2 전극; 및 뱅크의 상부에 위치하는 제2 전극의 상면에 소정 형태로 형성되며, 금속으로 이루어진 보조전극;을 구비한다.

Description

유기전계 발광소자 및 그 제조방법{Organic electro lumniscence device and method of manufacturing the same}
도 1은 종래 전면 발광형 유기전계 발광소자를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 본 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 변형예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ'선을 따라 본 단면도이다.
도 7 내지 도 10은 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110... 기판 112... 제1 전극
114... 뱅크 115R... 적색 발광층
115G... 녹색 발광층 115B... 청색 발광층
120... 제2 전극 122,222... 보조전극
130,131,132... 보호층
본 발명은 유기전계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 투과도 및 전도도를 향상시킬 수 있는 전극을 구비한 전면 발광형 유기전계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기전계 발광소자(organic electro luminescence device)는 애노드전극으로부터 공급되는 홀(hole)과 캐소드전극으로부터 공급되는 전자(electron)가 애노드전극과 캐소드전극 사이에 형성된 유기 발광층 내에서 결합하여 빛을 방출함으로서 화상을 형성하는 디스플레이 소자이다. 이러한 유기전계 발광소자는 넓은 시야각, 빠른 응답속도, 얇은 두께, 낮은 제조 비용 및 높은 콘트라스트(contrast) 등과 같은 우수한 디스플레이 특성을 나타냄으로써 차세대 평판 디스플레이 소자(flat panel display device)로서 각광을 받고 있다.
유기전계 발광소자는 구동 방식에 따라 수동 매트릭스(passive matrix) 방식의 유기전계 발광소자와 능동 매트릭스(active matrix) 방식의 유기전계 발광소자로 나눌 수 있다. 수동 매트릭스 방식의 유기전계 발광소자는 애노드전극과 캐소드전극이 매트릭스 형태로 형성되는 구조를 가지며, 능동 매트릭스 방식의 유기전계 발광소자는 각 픽셀(pixel) 마다 애노드전극 및 다수의 박막 트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor)와 커패시터(capacitor)가 마련되는 구조를 가지고 있다. 또한, 상기 유기전계 발광소자는 유기 발광층으로부터 발생된 빛이 방출되는 방향에 따라 배면 발광형 유기전계 발광소자와 전면 발광형 유기전계 발광소자로 나뉠 수 있다.
도 1에는 미국특허 제6,836,070호에 개시된 능동 매트릭스 방식의 전면 발광형 유기전계 발광소자의 단면이 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 기판(20) 상에는 다수의 박막 트랜지스터(TFT)에 의하여 구동되는 애노드전극들(22) 및 픽셀들을 정의하는 뱅크(24)가 형성되어 있다. 상기 픽셀들 내에는 각각 소정 색상의 유기 발광층(26)이 형성되어 있으며, 이러한 뱅크(24) 및 유기발광층들(26)의 상면에는 캐소드전극(28)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 캐소드전극(28) 상에는 투명한 물질로 이루어지는 보호층들(30,32,34)이 순차적으로 적층되어 있다. 상기와 같은 구조에서, 상기 애노드전극(22) 및 캐소드전극(28)에 각각 소정 전압이 인가되면 소정 픽셀내의 유기 발광층(26)으로부터 가시광이 발생되며, 이렇게 발생된 가시광은 캐소드전극(28) 및 보호층들(30,32,34)을 투과하여 외부로 출사된다.
상기한 전면 발광형 유기전계 발광소자에서, 상기 캐소드전극(28)이 단층 또는 다층의 금속으로 이루어지는 경우에는 캐소드전극(28)의 광 투과도를 높이기 위해서 금속이 매우 얇은 두께로 형성되어야 한다. 그러나, 캐소드전극(28)의 두께가 너무 얇아지게 되면 전기 전도도 측면에서 문제가 발생할 수 있다. 또한, 금속을 수십 Å 정도의 두께로 증착하는 경우에는 미세한 두께 차이가 발생될 수 있는데, 이러한 정도의 두께 차이에 의해서도 광 투과도가 크게 달라지게 되어 공정의 재현성이 떨어지게 된다. 한편, 상기 캐소드전극(28)이 금속 및 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 도전성 물질로 이루어지는 경우에는 캐소드전극의 광 투과도를 향상시킬 수 있다는 장점이 있다. 그러나, ITO 등과 같은 투명한 도전성 물질을 증착시키기 위해서는 스퍼터링(sputtering) 공정이 사용되어야 하는데, 이러한 스퍼터링 공정에 의하여 유기 발광층(26)이 손상될 염려가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 광 투과도 및 전기 전도도를 향상시킬 수 있는 전극을 구비한 전면 발광형 유기전계 발광소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여,
본 발명의 구현예에 따른 유기전계 발광소자는,
기판;
상기 기판 상에 형성되는 다수의 제1 전극;
상기 기판 상에 형성되어 상기 제1 전극들 상에 픽셀들을 정의하는 뱅크;
상기 픽셀들내에 채워지는 유기 발광층들;
상기 뱅크 및 유기발광층들의 상면에 형성되며, 금속으로 이루어진 제2 전극; 및
상기 뱅크의 상부에 위치하는 제2 전극의 상면에 소정 형태로 형성되며, 금속으로 이루어진 보조전극;을 구비한다.
상기 제2 전극은 상기 뱅크 및 유기발광층들의 전 표면에 소정 두께로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제2 전극은 30nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.
상기 보조전극은 상기 뱅크의 상부에 위치하는 제2 전극의 상면 전체에 소정 두께로 형성되거나 또는 상기 픽셀들 사이에 위치하는 제2 전극의 상면에 스트라이프(stripe) 형태로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 보조전극은 10nm 이상의 두께로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 제2 전극 및 보조전극은 Al, Au, Pt, Ag, Yb, Cr, Mo, Ca, Ba 및 Mg로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어질 수 있다.
상기 제2 전극 및 보조전극을 덮도록 적어도 하나의 보호층이 형성될 수 있다. 상기 보호층들은 적어도 하나의 유기물 보호층과 적어도 하나의 무기물 보호층을 포함할 수 있으며, 이 경우 상기 유기물 보호층과 무기물 보호층은 서로 교대로 적층될 수 있다.
상기 기판으로는 유리 기판 또는 플라스틱 기판이 사용될 수 있다. 그리고, 상기 제1 전극들은 픽셀들에 대응하여 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법은,
기판 상에 다수의 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 픽셀들을 정의하는 뱅크를 형성하는 단계;
상기 픽셀들 내에 유기 발광층들을 형성하는 단계;
상기 뱅크 및 유기 발광층들의 상면에 금속으로 이루어진 제2 전극을 형성하는 단계; 및
상기 뱅크의 상부에 위치하는 제2 전극의 상면에 금속으로 이루어진 보조전극을 소정 형태로 형성하는 단계;를 포함한다.
상기 제2 전극 및 보조전극은 열증착(thermal evaporation), 스퍼터링(sputtering) 또는 프린팅 방법에 의하여 형성될 수 있다. 그리고, 상기 보조전극을 형성한 다음에는, 상기 제2 전극 및 보조전극을 덮도록 적어도 하나의 보호층을 형성하는 단계가 더 포함될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 능동 매트릭스(active matrix) 방식의 전면 발광형 유기전계 발광소자의 개략적인 평면도이다. 그리고, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ' 선을 따라 본 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 기판(110) 상에는 다수의 제1 전극(112)이 형성되어 있다. 상기 기판(110)으로는 유리 기판 또는 플라스틱 기판이 사용될 수 있다. 상기 제1 전극들(112)은 기판(110) 상에 픽셀들에 대응하도록 형성된다. 한편, 도면에는 도시되어 있지 않으나 상기 제1 전극들(112) 하부에는 상기 제1 전극들(112)을 구동하기 위한 다수의 박막 트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor)가 형성되어 있다. 상기 제1 전극들(112)은 애노드전극들이 될 수 있다. 한편, 전면 발광형 유기전계 발광소자에서는, 발광효율(luminous efficiency)을 향상시키기 위하여 후술하는 유기 발광층들(115R,115G,115B)에서 발생되어 하부의 기판(110) 쪽 으로 향하는 가시광이 제1 전극들(112)에 반사되어 상부 쪽으로 향하게 하는 것이 바람직하다. 이를 위하여, 상기 제1 전극들(112)은 가시광을 반사시키는 금속층을 포함하도록 형성될 수 있다.
상기 제1 전극들(112)이 형성된 기판(110) 상에는 픽셀들을 정의하는 뱅크(bank,114)가 소정 두께로 형성되어 있다. 여기서, 상기 뱅크(114)에 의하여 정의되는 픽셀들을 통하여 상기 제1 전극들(112)의 상면이 노출된다. 그리고, 상기 픽셀들 내부에는 소정 색상의 유기 발광층들, 예를 들면 적색 발광층(115R), 녹색 발광층(115G) 및 청색 발광층(115B)이 순차적으로 형성될 수 있다. 한편, 도면에 도시된 바와 달리 본 실시예에 따른 유기전계 발광소자에서는 단색 발광을 위하여 상기 픽셀들 전체에 동일 색상의 유기 발광층들이 형성될 수도 있으며, 백색 발광을 위하여 상기 픽셀들 각각에 적색, 녹색 및 청색 발광물질이 혼합된 유기발광층이 형성될 수도 있다.
상기 뱅크(114) 및 유기 발광층들(115R,115G,115B)의 상면에는 얇은 금속으로 이루어진 제2 전극(120)이 소정 두께로 형성되어 있다. 상기 제2 전극(120)은 뱅크(114) 및 유기 발광층들(115R,115G,115B)의 전 표면을 덮도록 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제2 전극(114)은 캐소드전극이 될 수 있다. 본 실시예에서와 같은 전면 발광형 유기전계 발광소자에서는, 제2 전극(120)의 광 투과도가 클수록 발광 효율이 향상될 수 있으며, 이와 같이 제2 전극(120)의 광 투과도를 향상시키기 위해서는 상기 제2 전극(120)이 두께가 얇은 금속으로 이루어지는 것이 바람직하다. 본 실시예서는 상기 제2 전극(120)은 대략 30nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 그리 고, 상기 제2 전극(120)은 예를 들면 Al, Au, Pt, Ag, Yb, Cr, Mo, Ca, Ba 및 Mg로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어질 수 있다.
상기 제2 전극(120)의 상면에는 두꺼운 금속으로 이루어진 보조전극(122)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 보조전극(122)은 픽셀들을 제외한 영역에 형성된 제2 전극(120)의 상면에 마련된다. 구체적으로, 상기 보조전극(120)은 도 2에 도시된 바와 같이 뱅크(114)의 상부에 위치하는 제2 전극(120)의 상면 전체에 소정 두께로 형성된다. 상기 보조전극(122)은 제2 전극이 얇게 형성됨에 따라 발생되는 제2 전극의 전기 전도도 저하 문제를 해결하기 위한 전극이다. 즉, 상기와 같은 보조전극(122)을 형성함이 없이 상기 뱅크(114) 및 유기 발광층들(115R,115G,115B)의 상면에 얇은 두께의 제2 전극(120)만을 형성하는 경우에는 광 투과도는 향상될 수 있으나, 제2 전극의 전기 전도도는 크게 떨어질 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는 픽셀들 이외의 영역에 형성된 제2 전극(120)의 상면에 두꺼운 금속으로 이루어진 보조전극(122)을 형성함으로써 광 투과도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 제2 전극(120)의 전기 전도도 문제도 해결할 수 있게 된다. 이를 위하여, 본 실시예에서는 상기 보조전극(122)은 대략 10nm 이상의 두께로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 보조전극(122)은 제2 전극(120)와 동일한 물질, 예를 들면 Al, Au, Pt, Ag, Yb, Cr, Mo, Ca, Ba 및 Mg로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어질 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 상기 제2 전극(120) 및 보조 전극(122)의 상면에 보호층(passivtion layer,130)이 더 형성될 수 있다. 상기 보호층(130)은 그 하부에 마련된 소자를 보호하기 위하여 것으로, 투명한 유기물 또는 무기물로 이루어질 수 있다.
이상과 같이, 본 실시예에 따른 전면 발광형 유기전계 발광소자에서는 뱅크 (114)및 유기 발광층들(115R,115G,115B)의 상면에 얇은 금속으로 이루어진 제2 전극(120)이 형성되고, 픽셀들의 제외한 영역에 형성되는 제2 전극(120)의 상면에 두꺼운 금속으로 이루어진 보조전극(122)이 형성된다. 이에 따라, 픽셀들의 상부에는 얇은 두께의 금속으로 이루어진 제2 전극(120)만이 마련됨으로써 광 투과도가 향상될 수 있으며, 픽셀들의 제외한 영역에 형성된 제2 전극(120)의 상면에는 두꺼운 금속으로 이루어진 보조전극(122)이 마련됨으로써 제2 전극의 전기 전도도 저하 문제가 해결될 수 있다. 한편, 이상의 실시예에서는 상기 제1 전극(112)이 애노드전극이 되고, 상기 제2 전극(120)이 캐소드전극이 되는 경우가 설명되었으나, 본 발명은 상기 제1 전극(112)이 캐소드 전극이 되고, 상기 제2 전극(120)이 애노드전극이 되는 경우에도 적용가능하다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전면 발광형 유기발광 소자의 변형예를 도시한 것이다. 이하에서는 전술한 실시예와 다른 만을 기술하기로 한다. 도 4를 참조하면, 제2 전극(120) 및 보조전극(122)의 상부에는 복수의 보호층(131,132)이 적층되어 있다. 도 4에는 두 개의 보호층(131,132)이 형성된 경우가 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 3개 이상의 보호층이 형성될 수 도 있다. 한편, 상기 보호층들(131,132)은 적어도 하나의 무기물 보호층과 적어도 하나의 유기물 보호층으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 무기물 보호층과 유기물 보호층은 서 로 교대로 적층될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전면 발광형 유기전계 발광소자를 개략적으로 도시한 평면도이다. 그리고, 도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ' 선을 따라 본 단면도이다. 이하에서는 전술한 실시예와 다른 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 기판(110) 상에는 다수의 제1 전극(112)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 제1 전극들(112)이 형성된 기판(110) 상에는 픽셀들을 정의하는 뱅크(114)가 소정 두께로 형성되어 있다. 상기 픽셀들 내부에는 소정 색상의 유기 발광층(115R,115G,115B)이 순차적으로 형성될 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 전술한 바와 같이 상기 픽셀들 전체에 동일 색상의 유기 발광층들이 형성될 수도 있으며, 상기 픽셀들 각각에 적색, 녹색 및 청색 발광물질이 혼합된 유기발광층이 형성될 수도 있다.
상기 뱅크(114) 및 유기 발광층들(115R,115G,115B)의 상면에는 얇은 금속으로 이루어진 제2 전극(120)이 소정 두께로 형성되어 있다. 상기 제2 전극(120)은 대략 30nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 제2 전극(120)은 예를 들면 Al, Au, Pt, Ag, Yb, Cr, Mo, Ca, Ba 및 Mg로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어질 수 있다.
상기 제2 전극(120)의 상면에는 두꺼운 금속으로 이루어진 보조전극들(222)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 보조전극들(222)은 픽셀들 사이에 위치하는 제2 전극(120)의 상면에 스트라이프(stripe) 형태로 형성된다. 한편, 도 5에서는 스트라이프 형상의 보조전극들(222)이 동일 색상의 유기 발광층들(115R,115G,115B)이 형성된 픽셀들과 나란한 방향으로 형성된 경우가 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 상기 보조전극들(222)은 동일 색상의 유기 발광층들(115R,115G,115B)이 형성된 픽셀들과 직교하는 방향으로 스트라이프 형상으로 형성될 수도 있다. 한편, 본 발명에서는 상기 보조전극들(222)이 스트라이프 형상 이외에 다른 다양한 형상으로 형성되는 것도 얼마든지 가능하다. 이러한 보조전극들(222)은 전술한 실시예에서 설명한 바와 같이 제2 전극(120)이 얇은 두께로 형성됨에 따라 발생될 수 있는 전기 전도도 저하 문제를 해결하기 위한 전극이다. 상기 보조전극들(222)은 제2 전극(120)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 대략 10nm 이상의 두께로 형성될 수 있다.
상기 제2 전극(120) 및 보조전극들(222)의 상면에 보호층(130)이 더 형성될 수 있다. 도 6에는 제2 전극(120) 및 보조전극들(222)의 상부에 하나의 보호층(130)이 형성되는 경우가 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않고 상기 제2 전극(120) 및 보조전극들(222)의 상부에는 복수의 보호층이 적층될 수도 있다. 이때, 상기 보호층들은 적어도 하나의 무기물 보호층과 적어도 하나의 유기물 보호층으로 이루어질 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 전면 발광형 유기전계 발광소자의 제조방법을 설명하기로 한다. 도 7 내지 도 10은 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 7을 참조하면, 먼저 기판(110) 상에 다수의 제1 전극(112)을 형성한다. 상기 기판(110)으로는 유리 기판 또는 플라스틱 기판이 사용될 수 있다. 상기 제1 전극들(112)은 픽셀들에 대응하는 소정 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극들(112)은 기판(110) 상에 소정의 도전성 물질을 증착한 다음, 이를 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 본 실시예에서 상기 제1 전극들(112)은 가시광을 반사시키는 금속층을 포함할 수 있다. 이어서, 상기 제1 전극들(112)이 형성된 기판(110) 상에 픽셀들을 정의하는 뱅크(114)를 소정 두께로 형성한다. 상기 뱅크(114)는 제1 전극들(112)이 형성된 기판(110) 상에 소정의 물질을 도포한 다음, 이를 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 뱅크(114)에 의해 정의되는 픽셀들을 통하여 상기 제1 전극들(112)의 상면이 노출된다. 그리고, 상기 픽셀들 내에 소정 색상의 유기 발광층들, 예를 들면 적색 발광층(115R), 녹색 발광층(115G) 및 청색 발광층(115B)을 형성한다. 한편, 본 실시예에서는 전술한 바와 같이 단색 발광을 위하여 상기 픽셀들 전체에 동일 색상의 유기 발광층들이 형성될 수도 있으며, 백색 발광을 위하여 상기 픽셀들 각각에 적색, 녹색 및 청색 발광물질이 혼합된 유기발광층이 형성될 수도 있다.
도 8을 참조하면, 상기 뱅크(114) 및 유기 발광층들(115R,115G,115B)의 상면에 얇은 금속으로 이루어진 제2 전극(120)을 형성한다. 상기 제2 전극(120)은 소정의 광 투과도를 확보하기 위하여 대략 30nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(120)은 열증착(thermal evaporation), 스퍼터링(sputtering) 또는 프린팅 방법에 의하여 뱅크(114) 및 유기 발광층들(115R,115G,115B)의 전 표면을 덮도록 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(120)은 예를 들면 Al, Au, Pt, Ag, Yb, Cr, Mo, Ca, Ba 및 Mg로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어질 수 있 다.
도 9를 참조하면, 픽셀들을 제외한 영역에 형성된 제2 전극(120)의 상면에 두꺼운 금속으로 이루어진 보조전극(122)을 형성한다. 상기 보조전극(122)은 제2 전극(120)이 얇은 두께로 형성됨에 따라 발생될 수 있는 제2 전극(120)의 전기전도도 저하 문제를 해결하기 위한 전극으로, 대략 10nm 이상의 두께로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 보조전극(122)은 제2 전극(120)과 동일한 물질, 예를 들면 Al, Au, Pt, Ag, Yb, Cr, Mo, Ca, Ba 및 Mg로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어질 수 있다.
상기 보조전극(122)은 뱅크(114)의 상부에 위치하는 제2 전극(120)의 상면 전체에 소정 두께로 형성될 수 있다. 또한, 상기 보조전극(122)은 픽셀들 사이에 위치하는 제2 전극(120)의 상면에 스트라이프 형태로 형성될 수도 있으며, 그 이외에도 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 상기 보조전극(122)은 제2 전극(120)과 마찬가지로 열증착, 스퍼터링 또는 프린팅 방법에 의하여 소정 형상으로 형성될 수 있다. 여기서, 열증착 또는 스퍼터링에 의하여 보조전극(122)을 형성하는 경우에는 제2 전극(122)의 소정 영역을 노출시키는 패턴(pattern)이 형성된 마스크(mask)가 사용될 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 보조전극(122)을 형성한 다음에, 상기 제2 전극(120) 및 보조전극(122)의 상면에 투명한 물질로 이루어진 보호층(130)을 형성하는 단계가 더 포함될 수 있다. 한편, 도 10에는 하나의 보호층(130)이 형성된 경우가 도시되어 있으나, 본 발명에서는 이에 한정되지 않고 제2 전극(120) 및 보조전 극(122)의 상면에 복수의 보호층이 형성될 수도 있다. 그리고, 상기 보호층들은 적어도 하나의 유기물 보호층과 적어도 하나의 무기물 보호층을 포함할 수 있으며, 이때 상기 유기물 보호층과 무기물 보호층을 서로 교대로 적층될 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예가 상세히 설명되었지만, 본 발명의 범위는 이에 한정되지 않고, 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따르면 픽셀 상부에는 얇은 두께의 금속으로 이루어진 전극만을 형성함으로써 광 투과도를 향상시킬 수 있으며, 픽셀들을 제외한 영역에 형성된 전극의 상면에는 두꺼운 금속으로 이루어진 보조전극을 형성함으로써 전기전도도를 향상시킬 수 있다. 또한, 유기 발광층의 상부에는 금속으로 이루어진 전극만이 형성되므로, 종래 유기전계 발광소자에서 유기 발광층 상부에 ITO 등과 같은 투명한 도전성 물질을 형성함으로써 발생될 수 있는 유기 발광층의 손상 문제가 해결될 수 있다.

Claims (26)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성되는 다수의 제1 전극;
    상기 기판 상에 형성되어 상기 제1 전극들 상에 픽셀들을 정의하는 뱅크;
    상기 픽셀들내에 채워지는 유기 발광층들;
    상기 뱅크 및 유기발광층들의 상면에 형성되며, 금속으로 이루어진 제2 전극; 및
    상기 뱅크의 상부에 위치하는 제2 전극의 상면에 소정 형태로 형성되며, 금속으로 이루어진 보조전극;을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 뱅크 및 유기발광층들의 전 표면에 소정 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 전극의 두께는 30nm 이하인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 전극은 Al, Au, Pt, Ag, Yb, Cr, Mo, Ca, Ba 및 Mg로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조전극은 상기 뱅크의 상부에 위치하는 제2 전극의 상면 전체에 소정 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조전극은 상기 픽셀들 사이에 위치하는 제2 전극의 상면에 스트라이프(stripe) 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조전극의 두께는 10nm 이상인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조전극은 Al, Au, Pt, Ag, Yb, Cr, Mo, Ca, Ba 및 Mg로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 전극 및 보조전극을 덮도록 적어도 하나의 보호층이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 보호층들은 적어도 하나의 유기물 보호층 및 적어도 하나의 무기물 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 유기물 보호층 및 무기물 보호층은 서로 교대로 적층되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 유리 기판 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 전극들은 픽셀들에 대응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 전극들은 상기 유기 발광층에서 발생된 가시광을 반사시키는 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  15. 기판 상에 다수의 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 기판 상에 픽셀들을 정의하는 뱅크를 형성하는 단계;
    상기 픽셀들 내에 유기 발광층들을 형성하는 단계;
    상기 뱅크 및 유기 발광층들의 상면에 금속으로 이루어진 제2 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 뱅크의 상부에 위치하는 제2 전극의 상면에 금속으로 이루어진 보조전극을 소정 형태로 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 뱅크 및 유기 발광층들의 전 표면에 소정 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제2 전극은 30nm 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 제2 전극은 Al, Au, Pt, Ag, Yb, Cr, Mo, Ca, Ba 및 Mg로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 보조전극은 상기 뱅크의 상부에 위치하는 제2 전극의 상면 전체에 소정 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
  20. 제 15 항에 있어서,
    상기 보조전극은 상기 픽셀들 사이에 위치하는 제2 전극의 상면에 스트라이프 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
  21. 제 15 항에 있어서,
    상기 보조전극은 10nm 이상의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
  22. 제 15 항에 있어서,
    상기 보조전극은 Al, Au, Pt, Ag, Yb, Cr, Mo, Ca, Ba 및 Mg로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
  23. 제 15 항에 있어서,
    상기 제2 전극 및 보조전극은 열증착(thermal evaporation), 스퍼터링(sputtering) 또는 프린팅 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
  24. 제 15 항에 있어서,
    상기 보조전극을 형성한 다음, 상기 제2 전극 및 보조전극을 덮도록 적어도 하나의 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 보호층들은 적어도 하나의 유기물 보호층 및 적어도 하나의 무기물 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 유기물 보호층 및 무기물 보호층은 서로 교대로 적층되는 것을 특징으 로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190092349A (ko) * 2019-07-26 2019-08-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008170756A (ja) * 2007-01-12 2008-07-24 Sony Corp 表示装置
JP2009026619A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
US8933625B2 (en) 2008-03-18 2015-01-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus that can function as a mirror
KR100937865B1 (ko) * 2008-03-18 2010-01-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
CN103024960A (zh) * 2012-11-30 2013-04-03 昆山维信诺显示技术有限公司 Oled照明面板及制备方法以及一种oled照明器件
US11152587B2 (en) 2016-08-15 2021-10-19 Oti Lumionics Inc. Light transmissive electrode for light emitting devices
CN108400246A (zh) * 2017-02-07 2018-08-14 上海和辉光电有限公司 一种有机发光器件和显示装置
CN112968139B (zh) * 2021-02-05 2023-10-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及其制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
US6869635B2 (en) * 2000-02-25 2005-03-22 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescence device and manufacturing method therefor
TW519853B (en) * 2001-10-17 2003-02-01 Chi Mei Electronic Corp Organic electro-luminescent display and its packaging method
US7786496B2 (en) * 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP4373086B2 (ja) * 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190092349A (ko) * 2019-07-26 2019-08-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법

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