KR20070059990A

KR20070059990A - Heat treatment devices, heat treatment methods, computer readable storage media

Info

Publication number: KR20070059990A
Application number: KR1020060122100A
Authority: KR
Inventors: 야스타카 소우마
Original assignee: 동경 엘렉트론 주식회사
Priority date: 2005-12-06
Filing date: 2006-12-05
Publication date: 2007-06-12
Anticipated expiration: 2026-12-05
Also published as: JP2007158088A; TWI371777B; TW200802531A; CN100454482C; CN1979764A; JP4672538B2; KR101332120B1

Abstract

본 발명은 가열 처리 장치, 가열 처리 방법, 컴퓨터 독취 가능한 기억 매체로서, 가열 처리 장치 (28)은 기판 (G)를 한방향으로 반송하는 반송로로서의 회전자 반송 기구 (5)와 반송로를 반송되고 있는 기판 (G)를 가열하는 가열 기구 (7)을 구비하고 가열 기구 (7)은 반송로를 따라 반송 방향 상류측으로부터 예비 가열부 (7a)와 주가열부 (7b)가 배치되고, 주가열부 (7b)는 제1의 온도로 설정되어 예비 가열부 (7a)는 제1의 온도보다 높은 제2의 온도로 설정되어 있어 기판 (G)를 예비 가열부 (7a)에 있어서 제1의 온도 부근까지 가열한 후, 주가열부 (7b)에 있어서 제1의 온도로 가열하여 기판이 대형이라도 기판의 파손을 확실히 방지할 수가 있는 것과 동시에, 수율의 향상을 도모하는 것이 가능한 가열 처리 장치를 제공하는 기술을 제공한다. The present invention provides a heat treatment apparatus, a heat treatment method, and a computer-readable storage medium, wherein the heat treatment apparatus 28 conveys the rotor conveyance mechanism 5 and the conveyance path as a conveyance path for conveying the substrate G in one direction. The heating mechanism 7 is equipped with the heating mechanism 7 which heats the board | substrate G, and the preheating part 7a and the main heating part 7b are arrange | positioned from a conveyance direction upstream along a conveyance path, and the main heating part ( 7b) is set to a 1st temperature, and the preheating part 7a is set to the 2nd temperature higher than a 1st temperature, and the board | substrate G is moved to the 1st temperature vicinity in the preheating part 7a. After heating, the main heating unit (7b) is heated to the first temperature to provide a heat treatment apparatus capable of reliably preventing damage to the substrate even when the substrate is large, and at the same time improve the yield to provide.

Description

Heat treatment device, heat treatment method, computer readable storage medium {HEAT TREATMENT UNIT, HEAT TREATIMENT METHOD, COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM}

도 1은 FPD용의 유리 기판으로의 레지스트막의 형성 및 노광 처리 후의 레지스트막의 현상 처리를 실시하는, 본 발명과 관련되는 가열 처리 장치를 구비한 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 개략 평면도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic plan view of a resist coating / development processing system equipped with a heat treatment apparatus according to the present invention, which forms a resist film on a glass substrate for FPD and develops a resist film after an exposure process.

도 2는 가열 처리 장치의 평면 방향의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view in the planar direction of the heat treatment apparatus.

도 3은 가열 처리 장치의 측면 방향의 단면도이다.3 is a cross-sectional view in the lateral direction of the heat treatment apparatus.

도 4 가열 처리 장치를 구성하는 제1 및 제2의 면형상 히터의 개략 평면도이다.It is a schematic plan view of the 1st and 2nd surface heater which comprises the heat processing apparatus.

도 5는 제1 및 제2의 면형상 히터의 제어계를 나타내는 개념도이다.5 is a conceptual diagram showing a control system of the first and second surface heaters.

도 6은 가열 처리 장치에서의 기판의 가열 처리를 설명하기 위한 도이다.It is a figure for demonstrating the heat processing of the board | substrate in a heat processing apparatus.

도 7은 제1 및 제2의 면형상 히터의 제어계의 다른 예를 나타내는 개념도이다.7 is a conceptual diagram illustrating another example of the control system of the first and second surface heaters.

도 8은 가열 처리 장치를 구성하는 예비 가열부 및 주가열부의 가열 온도 분포를 설명하기 위한 모식도이다.It is a schematic diagram for demonstrating the heating temperature distribution of the preheating part and the main heating part which comprise a heat processing apparatus.

**주요부위를 나타내는 도면 부호의 설명**** Description of reference numerals indicating major parts **

28, 31···가열 처리 유니트(가열 처리 장치) 28, 31 ... Heating unit (heating unit)

5···회전자 반송 기구5. Rotor conveyance mechanism

6···케이싱 6 ... Casing

7···가열 기구7 ...

7a···예비 가열부 7a ... preliminary heating part

7b···주가열부 7b ... main heating part

61···반입구 61 entrance

62···반출구 62 ... outlet

67···배기구67 Exhaust vent

68···배기 장치 68 ... exhaust device

69···흡기구69 ...

104···히터 컨트롤러(제어부) 104 Heater controller (control unit)

G···기판G ...

본 발명은, 플랫 패널 디스플레이(FPD) 용의 유리 기판 등의 기판에 가열 처리를 가하는 가열 처리 장치, 가열 처리 방법, 제어 프로그램, 컴퓨터 독취 가능한 기억 매체에 관한다The present invention relates to a heat treatment apparatus for applying heat treatment to a substrate such as a glass substrate for a flat panel display (FPD), a heat treatment method, a control program, and a computer-readable storage medium.

FPD의 제조에 있어서는, FPD용의 유리 기판상에 회로 패턴을 형성하기 위해서 포토리소그래피 기술이 이용된다. 포토리소그래피에 의한 회로 패턴의 형성은, 유리 기판상에 레지스트액을 도포해 레지스트막을 형성해, 회로 패턴에 대응하도록레지스트막을 노광하고 이것을 현상 처리하는 순서로 행해진다.In manufacture of FPD, photolithography technique is used in order to form a circuit pattern on the glass substrate for FPD. Formation of the circuit pattern by photolithography is performed in order of applying a resist liquid on a glass substrate, forming a resist film, exposing a resist film so that it may correspond to a circuit pattern, and developing this.

포토리소그래피 기술에서는 일반적으로 레지스트막의 형성 후 및 현상 처리 후에 레지스트막을 건조시키기 위해서 유리 기판에 대해서 가열 처리가 실시된다. 이러한 가열 처리에는 유리 기판을 재치하여 가열하는 가열 플레이트와 가열 플레이트상으로부터 돌출 및 몰입하도록 승강 가능하게 설치되어 반송 아암에 의해 파지되어 반송된 유리 기판을 가열 플레이트상에 주고 받는 승강 핀을 구비한 가열 처리 장치가 이용되고 있다(예를 들면 특허 문헌 1, 2, 3 참조). In photolithography techniques, heat treatment is generally performed on a glass substrate in order to dry the resist film after the formation of the resist film and after the development treatment. In this heat treatment, a heating plate for placing and heating the glass substrate and a lifting pin provided to be capable of being raised and lowered from the heating plate so as to protrude and immerse the glass substrate, which is gripped by the transfer arm and conveyed on the heating plate, are heated. The processing apparatus is used (for example, refer patent document 1, 2, 3).

그렇지만, 최근, FPD의 대형화가 지향되어 한 변이 2 m 이상이나 되는 거대한 유리 기판이 출현하기에 이르고 있어 유리 기판은 대형화에 수반해 취급성이 나빠지기 때문에, 상술한 종래의 가열 처리 장치에서는 유리 기판이 대형이 되면 반송 아암과 승강 핀의 사이 또는 승강 핀과 가열 플레이트의 사이의 수수시의 충격에 의해 파손해 버릴 우려가 있다.However, in recent years, the increase in size of the FPD has led to the emergence of a huge glass substrate having a side of 2 m or more, and the glass substrate is poor in handling with the enlargement of the size. If it becomes large, it may be damaged by the impact at the time of transfer between a conveyance arm and a lifting pin, or between a lifting pin and a heating plate.

또, 가열 플레이트는 통상, 온도 제어 응답성이 나쁘고, 소정의 온도로 보지되는 것으로부터, 상술한 종래의 가열 처리 장치에서는, 유리 기판이 가열 플레이트상에 재치되고 나서 설정된 온도에 이르기까지 상당한 시간을 필요로 하게 된다. 또한, 이 가열 처리 장치는 가열 처리 전후의 유리 기판의 수수에도 새로운 시간을 필요로 하기 때문에, 수율이 낮다.In addition, the heating plate is generally poor in temperature control responsiveness and is held at a predetermined temperature. In the conventional heat treatment apparatus described above, a considerable time is reached after the glass substrate is placed on the heating plate. Needed. Moreover, since this heat processing apparatus requires a new time also in the sorghum of the glass substrate before and behind heat processing, a yield is low.

[특허 문헌 1] 일본국 특개 2002-231792호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-231792

[특허 문헌 2] 일본국 특개2001-196299호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-196299

[특허 문헌 3] 일본국 특개평11-204428호 공보[Patent Document 3] Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-204428

본 발명은, 관련되는 사정에 비추어 이루어진 것으로서 기판이 대형이라도 기판의 파손을 확실히 방지할 수가 있는 것과 동시에 수율의 향상을 도모하는 것이 가능한 가열 처리 장치, 가열 처리 방법, 제어 프로그램, 컴퓨터 독취 가능한 기억 매체의 제공을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the related circumstances, and a heat treatment apparatus, a heat treatment method, a control program, and a computer-readable storage medium capable of reliably preventing damage to a substrate even when the substrate is large and improving the yield. For the purpose of providing

상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은 기판에 가열 처리를 가하는 가열 처리 장치로서 기판을 한방향으로 반송하는 반송로와 상기 반송로를 반송되고 있는 기판을 가열하는 가열 기구를 구비하고 상기 가열 기구는, 상기 반송로를 따라 반송 방향 상류측으로부터 차례로 예비 가열부와 주가열부가 배치되어, 상기 주가열부가 제1의 온도로 설정되어 상기 예비 가열부가 상기 제1의 온도보다 높은 제2의 온도로 설정되어 있어 기판을 상기 예비 가열부에 있어서 상기 제1의 온도 부근까지 가열한 후, 상기 주가열부에 있어서 상기 제1의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치를 제공한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, this invention is a heat processing apparatus which heat-processes a board | substrate, and has a conveyance path which conveys a board | substrate in one direction, and the heating mechanism which heats the board | substrate which conveys the said conveyance path, The said heating mechanism is the said The preheating unit and the main heating unit are arranged in turn from the upstream side in the conveying direction, the main heating unit is set to a first temperature, and the preheating unit is set to a second temperature higher than the first temperature. The substrate is heated to the vicinity of the first temperature in the preliminary heating section, and is then heated to the first temperature in the main heating section.

또, 본 발명은, 기판에 가열 처리를 가하는 가열 처리 장치로서, 기판을 한방향으로 반송하는 반송로와 상기 반송로를 포위하도록 설치된 케이싱과 상기 케이싱내에서 상기 반송로를 반송되고 있는 기판을 가열하는 가열 기구를 구비하고 상기 가열 기구는 상기 반송로를 따라 반송 방향 상류측으로부터 차례로 예비 가열부와 주가열부가 상기 케이싱내에 배치되고 상기 주가열부는 제1의 온도로 설정되고상기 예비 가열부는 상기 제1의 온도보다 높은 제2의 온도로 설정되어 있어 기판을 상기 예비 가열부에 있어서 상기 제1의 온도 부근까지 가열한 후, 상기 주가열부에 있어서 상기 제1의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치를 제공한다. 본 발명에 있어서, 상기 케이싱의 반송 방향 양단부에는 각각 상기 케이싱내의 배기를 실시하는 배기 기구가 설치되고 있는 것이 바람직하고, 이 경우에 상기 케이싱의 반송 방향 중앙부에는 상기 케이싱내의 흡기를 실시하는 흡기 기구가 설치되고 있는 것이 바람직하다.Moreover, this invention is a heat processing apparatus which heat-processes a board | substrate, Comprising: The conveyance path which conveys a board | substrate in one direction, the casing provided so as to surround the said conveyance path, and the board | substrate which conveys the said conveyance path in the said casing are heated. The heating mechanism is provided with a preheating part and a main heating part arranged in said casing, said main heating part being set to a first temperature from said upstream in a conveying direction along said conveying path, and said preheating part being said first. It is set to the 2nd temperature higher than the temperature of and heats a board | substrate to the said 1st temperature in the said main heating part, after heating a board | substrate to the said 1st temperature vicinity in the said preheating part. Provide the device. In this invention, it is preferable that the exhaust mechanism which exhausts in the said casing is provided in the conveyance direction both ends of the said casing, and in this case, the intake mechanism which performs intake in the said casing in the conveyance direction center part of the said casing is provided. It is preferable that it is provided.

이상의 본 발명에 있어서, 상기 예비 가열부는 상기 반송로를 반송되고 있는 기판이 가열에 의해 상기 제1의 온도 부근에 이른 시점에서 통과하도록 배치되고 있는 것이 바람직하다.In the above-mentioned this invention, it is preferable that the said preheating part is arrange | positioned so that the board | substrate which conveys the said conveyance path may pass at the time point which reached the said 1st temperature vicinity by heating.

또, 이상의 본 발명에 있어서 상기 주가열부는 반송 방향 하류측부가 반송 방향 상류측부보다 높은 온도가 되도록 상기 제1의 온도로 설정되고 상기 예비 가열부는 반송 방향 상류측부가 반송 방향 하류측부보다 높은 온도가 되도록 상기 제2의 온도로 설정되어 있는 것이 바람직하다.In the present invention, the main heating portion is set to the first temperature such that the downstream side in the conveying direction is higher than the upstream side in the conveying direction, and the preheating portion has a temperature higher than the downstream side in the conveying direction. It is preferable that it is set to the said 2nd temperature as much as possible.

또한 이상의 본 발명에 있어서 상기 주가열부 및 상기 예비 가열부는 각각, 상기 반송로의 폭방향 양측부가 상기 반송로의 폭방향 중앙부보다 높은 온도가 되도록 상기 제1의 온도 및 상기 제2의 온도로 설정되어 있는 것이 바람직하다.In the present invention described above, the main heating unit and the preliminary heating unit are set to the first temperature and the second temperature such that both widthwise side portions of the conveying path are higher than the widthwise center portion of the conveying path. It is desirable to have.

또, 본 발명은 기판에 가열 처리를 가하는 가열 처리 장치로서, 기판을 한방향으로 반송하는 반송로와 상기 반송로를 반송되고 있는 기판을 가열하는 가열 기구와 상기 가열 기구를 제어하는 제어부를 구비하고 상기 가열 기구는, 상기 반송로를 따라 반송 방향 상류측으로부터 예비 가열부와 주가열부가 배치되고 상기 제 어부는 상기 주가열부를 제1의 온도로 설정하고 상기 예비 가열부를 상기 제1의 온도보다 높은 제2의 온도로 설정하고 기판이, 상기 예비 가열부에 있어서 상기 제1의 온도 부근까지 가열된 후, 상기 주가열부에 있어서 상기 제1의 온도로 가열되도록 상기 가열 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 가열 처리 장치를 제공한다. 본 발명에 있어서, 상기 제어부는, 상기 주가열부를 반송 방향 하류측부가 반송 방향 상류측부보다 높은 온도가 되도록 상기 제1의 온도로 설정하고 상기 예비 가열부를 반송 방향 상류측부가 반송 방향 하류측부 보다 높은 온도가 되도록 상기 제2의 온도로 설정하는 것이 바람직하고, 상기 제어부는 상기 주가열부 및 상기 예비 가열부를 각각 상기 반송로의 폭방향 양측부가 상기 반송로의 폭방향 중앙부보다 높은 온도가 되도록 상기 제1의 온도 및 상기 제2의 온도로 설정하는 것이 바람직하다.Moreover, this invention is a heat processing apparatus which heat-processes a board | substrate, Comprising: The conveyance path which conveys a board | substrate in one direction, the heating mechanism which heats the board | substrate which conveys the said conveyance path, and the control part which controls the said heating mechanism, In the heating mechanism, a preheating unit and a main heating unit are disposed from the upstream side in the conveying direction along the conveying path, and the control unit sets the main heating unit to a first temperature and the preheating unit is higher than the first temperature. The heating mechanism is controlled to be set at a temperature of 2 so that the substrate is heated to the vicinity of the first temperature in the preliminary heating section and then heated to the first temperature in the main heating section. Provide a processing device. In this invention, the said control part sets the said main heating part to the said 1st temperature so that a conveyance direction downstream side part may become higher temperature than a conveyance direction upstream side part, and the said preheating part conveyance direction upstream side part is higher than a conveyance direction downstream side part. It is preferable to set it to the said 2nd temperature so that it may become a temperature, and the said control part is said 1st so that the width direction both sides of the said main heating part and the said preheater may be higher than the width direction center part of the said conveyance path, respectively. It is preferable to set the temperature at and the second temperature.

또한 본 발명은 반송로를 따라 한방향으로 반송되고 있는 기판에 상기 반송로를 따라 반송 방향 상류측으로부터 차례로 예비 가열부와 주가열부를 배치해 되는 가열 처리 장치로 가열 처리를 가하는 가열 처리 방법으로서, 상기 주가열부를 제1의 온도로 설정함과 함께, 상기 예비 가열부를 상기 제1의 온도보다 높은 제2의 온도로 설정해, 기판을 상기 예비 가열부에 있어서 상기 제1의 온도 부근까지 가열한 후 상기 주가열부에 있어서 상기 제1의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 가열 처리 방법을 제공한다.Moreover, this invention is a heat processing method which heat-processes by the heat processing apparatus which arrange | positions a preheating part and a main heating part in order from the conveyance direction upstream along the said conveyance path to the board | substrate conveyed in one direction along a conveyance path, The said The main heating unit is set to a first temperature, the preheating unit is set to a second temperature higher than the first temperature, and the substrate is heated to the vicinity of the first temperature in the preheating unit. A heating treatment method is provided in the main heating section, wherein the heating is performed at the first temperature.

또한 본 발명은 컴퓨터상에서 동작하고 실행시에, 상기 가열 처리 방법을 하도록 컴퓨터에 처리 장치를 제어시키는 것을 특징으로 하는 제어 프로그램을 제공한다.The present invention also provides a control program for controlling a processing apparatus in a computer to operate on the computer and to execute the heat treatment method.

또한 본 발명은 컴퓨터상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 독취 가능한 기억 매체로서, 상기 제어 프로그램은 실행시에, 상기 가열 처리 방법을 하도록 컴퓨터에 처리 장치를 제어시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 독취 가능한 기억 매체를 제공한다.The present invention also relates to a computer readable storage medium having stored thereon a control program for operating on a computer, wherein the control program controls a computer to process the processing device to perform the heat treatment method when the control program is executed. To provide.

이하, 첨부 도면을 참조해 본 발명의 실시 형태에 대해서 구체적으로 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described concretely with reference to an accompanying drawing.

도 1은, 본 발명의 일실시 형태와 관련되는 가열 처리 장치가 탑재된 FPD용의 유리 기판(이하, 단지 「기판」이라고 적는다)으로의 레지스트막의 형성 및 노광 처리 후의 레지스트막의 현상 처리를 실시하는 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 개략 평면도이다.Fig. 1 shows the formation of a resist film on a glass substrate for FPD (hereinafter simply referred to as a “substrate”) equipped with a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, and the development of the resist film after exposure treatment. A schematic plan view of a resist coating and developing treatment system.

레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)은, 복수의 기판 (G)를 수용하기 위한 카셋트 (C)가 재치되는 카셋트 스테이션 (1)과 기판 (G)에 레지스트 도포 및 현상을 포함한 일련의 처리를 가하는 처리 스테이션 (2)와 기판 (G)에 노광 처리를 가하는 노광 장치 (9)의 사이에 기판 (G)의 수수를 실시하는 인터페이스 스테이션 (4)를 구비하고 있고 카셋트 스테이션 (1) 및 인터페이스 스테이션 (4)는 각각 처리 스테이션 (2)의 양측으로 배치되고 있다. 또한 도 1에 있어서 레지스트 도포·현상 처리 시스템 (100)의 긴 방향을 X방향, 평면상에 있어서 X방향과 직교하는 방향을 Y방향으로 한다.The resist coating and developing processing system 100 applies a series of processes including resist coating and development to the cassette station 1 and the substrate G on which the cassette C for accommodating the plurality of substrates G is placed. The interface station 4 which carries out the board | substrate G is provided between the processing station 2 and the exposure apparatus 9 which applies an exposure process to the board | substrate G, The cassette station 1 and the interface station ( 4) is arrange | positioned at both sides of the processing station 2, respectively. In addition, in FIG. 1, the longitudinal direction of the resist coating and developing processing system 100 is made into the X direction, and the direction orthogonal to the X direction on a plane is made into the Y direction.

카셋트 스테이션 (1)은 카셋트 (C)를 Y방향으로 병렬로 재치 가능한 재치대 (12)와 처리 스테이션 (2)의 사이에 기판 (G)의 반입출을 실시하는 반송 장치 (11)을 구비하고 재치대 (12)와 외부의 사이에 카셋트 (C)의 반송을 한다. 반송 장치 (11)에 설치된 반송 아암 (11a)는 Y방향으로 연장하는 가이드 (10)을 따라 이동 가능함과 동시에, 상하로 이동, 전후로 이동 및 수평 회전 가능하고, 카셋트 (C)와 처리 스테이션 (2)의 사이에 기판 (G)의 반입출을 실시하는 것이다.The cassette station 1 is provided with the conveying apparatus 11 which carries in / out of the board | substrate G between the mounting base 12 and the processing station 2 which can mount the cassette C in parallel in a Y direction, and The cassette C is conveyed between the mounting table 12 and the outside. The conveying arm 11a provided in the conveying apparatus 11 is movable along the guide 10 extending in the Y direction, and can be moved up and down, back and forth, and horizontal rotation, and the cassette C and the processing station 2 In and out of the board | substrate G is performed between ().

처리 스테이션 (2)는 카셋트 스테이션 (1)과 인터페이스 스테이션 (4)의 사이에 X방향으로 연장하는 평행한 2열의 기판 (G)의 반송 라인(A,b)를 가지고 있다. 반송 라인 (A)는, 회전자 반송이나 벨트 반송 등의 소위 평류 반송에 의해 기판 (G)를 카셋트 스테이션 (1)측으로부터 인터페이스 스테이션 (4) 측에 향해 반송하도록 구성되고 반송 라인 (B)는 회전자 반송이나 벨트 반송 등의 소위 평류 반송에 의해 기판 (G)를 인터페이스 스테이션 (4)측으로부터 카셋트 스테이션 (1) 측에향하여 반송하도록 구성되고 있다.The processing station 2 has conveying lines A and b of two parallel rows of substrates G extending in the X direction between the cassette station 1 and the interface station 4. The conveying line A is configured to convey the substrate G from the cassette station 1 side to the interface station 4 side by so-called flat flow conveyance such as rotor conveyance or belt conveyance. It is comprised so that board | substrate G may be conveyed toward the cassette station 1 side from the interface station 4 side by so-called flat flow conveyance, such as rotor conveyance and belt conveyance.

반송 라인 (A)상에는 카셋트 스테이션 (1)측으로부터 인터페이스 스테이션 (4) 측에 향해, 엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 21), 스크러브 세정 유니트(SCR, 22), 플레이히트 유니트(PH, 23), 애드히젼유니트(AD, 24), 냉각 유니트(COL, 25), 레지스트 도포 유니트(CT, 26), 감압 건조 유니트(DP, 27), 가열 처리 유니트(HT, 28), 냉각 유니트(COL, 29)가 차례로 배열되고 있다.On the conveying line A, from the cassette station 1 side to the interface station 4 side, the excimer UV irradiation unit (e-UV, 21), the scrub cleaning unit (SCR, 22), the play heat unit (PH, 23) ADHION UNITS (AD, 24), Cooling Units (COL, 25), Resist Coating Units (CT, 26), Decompression Drying Units (DP, 27), Heat Treatment Units (HT, 28), Cooling Units ( COL, 29) are arranged in sequence.

엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 21)은 기판 (G)에 포함되는 유기물의 제거 처리를 실시하고 스크러브 세정 유니트(SCR, 22)는 기판 (G)의 스크러브 세정 처리 및 건조 처리를 실시한다. 플레이히트 유니트(PH, 23)은 기판 (G)의 가열 처리를 실시 하고 애드히젼유니트(AD, 24)는 기판 (G)의 소수화 처리를 실시하고 냉각 유니트(COL, 25)는 기판 (G)를 냉각한다. 레지스트 도포 유니트(CT, 26)은 기판 (G)상에 레지스트액을 공급해 레지스트막을 형성하고 감압 건조 유니트(DP, 27)은 감압하에서 기판 (G)상의 레지스트막에 포함되는 휘발 성분을 증발시켜 레지스트막을 건조시킨다. 후에 상술하는 가열 처리 유니트(HT, 28)은 기판 (G)의 가열 처리를 실시하고 냉각 유니트(COL, 29)는 냉각 유니트(COL, 25)와 동일하게 기판 (G)를 냉각한다.The excimer UV irradiation unit (e-UV) 21 performs the removal treatment of the organic matter contained in the substrate G, and the scrub cleaning unit SCR 22 performs the scrub cleaning treatment and the drying treatment of the substrate G. do. The play heat unit (PH, 23) performs the heat treatment of the substrate (G), the adhesion units (AD, 24) perform the hydrophobization treatment of the substrate (G), and the cooling unit (COL, 25) the substrate (G). To cool. The resist coating unit CT, 26 supplies a resist liquid on the substrate G to form a resist film, and the reduced pressure drying unit DP, 27 evaporates the volatile components contained in the resist film on the substrate G under reduced pressure. Dry the membrane. The heat treatment units HT and 28 described above perform heat treatment of the substrate G, and the cooling units COL and 29 cool the substrate G in the same manner as the cooling units COL 25.

반송 라인 (B)상에는, 인터페이스 스테이션 (4)측으로부터 카셋트 스테이션 (1) 측에 향해 현상 유니트(DEV, 30), 가열 처리 유니트(HT, 31), 냉각 유니트(COL, 32)가 차례로 배열되고 있다. 또한 냉각 유니트(COL, 32)와 세트 스테이션 (1)의 사이에는, 레지스트 도포 및 현상을 포함한 일련의 처리가 실시된 기판 (G)를 검사하는 검사 장치(IP, 35)가 설치되고 있다.On the conveying line B, the developing unit DEV, 30, the heat treatment unit HT, 31, and the cooling unit COL, 32 are arranged in order from the interface station 4 side to the cassette station 1 side. have. Moreover, between the cooling unit COL 32 and the set station 1, the test | inspection apparatus IP 35 which examines the board | substrate G by which a series of processes including application | coating of resist and image development was performed is provided.

현상 유니트(DEV, 30)은 기판 (G)상에의 현상액의 도포, 기판 (G)의 린스 처리, 기판 (G)의 건조 처리를 차례로 실시한다. 가열 처리 유니트(HT, 31)은 가열 처리 유니트(HT, 28)과 동일하게 기판 (G)의 가열 처리를 실시하고, 냉각 유니트(COL, 32)는, 냉각 유니트(COL, 25)와 동일하게 기판 (G)를 냉각한다.The developing unit DEV 30 performs application of the developer onto the substrate G, rinsing the substrate G, and drying of the substrate G in this order. The heat treatment units HT and 31 perform heat treatment of the substrate G in the same manner as the heat treatment units HT and 28, and the cooling units COL and 32 are the same as the cooling units COL and 25. Cool the substrate G.

인터페이스 스테이션 (4)는 기판 (G)를 수용 가능한 버퍼 카셋트가 배치된, 기판 (G)의 수수부인 로터리 스테이지(RS,44)와 반송 라인 (A)를 반송된 기판 (G)를 받아 로터리 스테이지(RS,44)에 반송하는 반송 아암 (43)을 구비하고 있다. 반송 아암 (43)은, 상하로 이동, 전후로 이동 및 수평 회전 가능하고, 반송 아암 (43)에 인접해 설치된 노광 장치 (9)와 반송 아암 (43) 및 현상 유니트(DEV, 30)에 인접해 설치된, 주변 노광 장치(EE) 및 타이틀러(TITLER)를 가지는 외부 장치 블럭 (90)에도 액세스 가능하다.The interface station 4 receives the rotary stage RS, 44, which is a receiving part of the substrate G, and the transfer line A, on which the buffer cassette capable of accommodating the substrate G is disposed, receives the substrate G conveyed by the rotary stage. The conveyance arm 43 which conveys to (RS, 44) is provided. The conveyance arm 43 can move up and down, move back and forth, and horizontally rotate, and is adjacent to the exposure apparatus 9 and the conveyance arm 43 and the developing unit DEV, 30 provided adjacent to the conveyance arm 43. It is also accessible to an external device block 90 having a peripheral exposure device EE and a titler TITLER.

레지스트 도포·현상 처리 장치 (100)은cPU를 구비한 프로세스 컨트롤러 (101)에 접속되어 제어되도록 구성되고 있다. 프로세스 컨트롤러 (101)에는, 공정관리자가 레지스트 도포·현상 처리 장치 (100)의 각부 또는 각 유니트를 관리하기 위해서 커멘드의 입력 조작등을 실시하는 키보드나, 각부 또는 각 유니트의 가동 상황을 가시화해 표시하는 디스플레이등으로 이루어지는 유저 인터페이스 (102)와 레지스트 도포·현상 처리 장치 (100)으로 실행되는 가열 처리나 냉각 처리등의 각종 처리를 프로세스 컨트롤러 (101)의 제어에서 실현하기 위한 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터등이 기록된 레시피가 격납된 기억부 (103)이 접속되고 있다.The resist coating and developing processing apparatus 100 is configured to be connected to and controlled by a process controller 101 provided with a CPU. In the process controller 101, a process manager visualizes and displays the operation status of each part or each unit, or a keyboard for performing command input operations for managing each part or each unit of the resist coating and developing processing apparatus 100. Control program and processing condition data for realizing various processes such as heating processing and cooling processing performed by the user interface 102 and the resist coating and developing processing apparatus 100 which are made of a display or the like, under the control of the process controller 101. The storage unit 103 in which the recipe on which the back is recorded is stored is connected.

그리고, 필요에 따라서, 유저 인터페이스 (102)로부터의 지시등에서 임의의 레시피를 기억부 (103)으로부터 호출해 프로세스 컨트롤러 (101)에 실행시키는 것으로, 프로세스 컨트롤러 (101)의 제어하에서 레지스트 도포·현상 처리 장치 (100)으로 원하는 처리를 한다. 또, 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터등의 레시피는 컴퓨터 독취 가능한 기억 매체, 예를 들면 CD-ROM, 하드 디스크, 플렉시블디스크, 플래쉬 메모리 등에 격납된 상태의 것을 이용하거나 혹은, 다른 장치로부터, 예를 들면 전용회선을 개재하여 수시 전송시켜 온라인으로 이용하거나 하는 것도 가능하다.Then, if necessary, a resist application and development process under the control of the process controller 101 by calling an arbitrary recipe from the storage unit 103 and executing it in the process controller 101 by an instruction or the like from the user interface 102. The device 100 performs the desired processing. In addition, recipes, such as a control program and processing condition data, use the computer-readable storage medium, for example, the state stored in CD-ROM, a hard disk, a flexible disk, a flash memory, etc., or from another apparatus, for example, It is also possible to use it online through a dedicated line at any time.

이와 같이 구성된 레지스트 도포 현상 처리 장치 (100)에 있어서는, 우선, 카셋트 스테이션 (1)의 재치대 (12)에 재치된 카셋트 (C)내의 기판 (G)가 반송 장치 (11)의 반송 아암 (11a)에 의해 처리 스테이션 (2)의 반송 라인 (A)의 상류측 단부에 반송되고 또한 반송 라인 (A)상을 반송되고, 엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 21)로 기판 (G)에 포함되는 유기물의 제거 처리를 한다. 엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 21)에서의 유기물의 제거 처리가 종료한 기판 (G)는, 반송 라인 (A)상을 반송되고 스크러브 세정 유니트(SCR, 22)로 스크러브 세정 처리 및 건조 처리가 실시된다.In the resist coating and developing apparatus 100 configured as described above, first, the substrate G in the cassette C placed on the mounting table 12 of the cassette station 1 is the transfer arm 11a of the transfer apparatus 11. Is conveyed to the upstream end part of the conveying line A of the processing station 2, and conveyed the conveying line A phase is included in the board | substrate G by the excimer UV irradiation unit (e-UV, 21). The removal process of organic substance becomes. The board | substrate G in which the removal process of the organic substance in the excimer UV irradiation unit (e-UV, 21) was complete | finished, the scrub cleaning process was carried out by the scrub cleaning unit (SCR, 22) conveyed on the conveyance line (A), and Drying treatment is performed.

스크러브 세정 유니트(SCR, 22)에서의 스크러브 세정 처리 및 건조 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고, 플레이히트 유니트(PH, 23)으로 가열 처리가 실시되고 탈수된다. 플레이히트 유니트(PH, 23)에서의 가열 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고, 애드히젼유니트(AD, 24)로 소수화 처리가 실시된다. 애드히젼유니트(AD, 24)에서의 소수화 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고 냉각 유니트(COL, 25)로 냉각된다.The board | substrate G in which the scrub cleaning process and the drying process in the scrub cleaning unit SCR 22 were complete | finished is conveyed on the conveyance line A, and heat-processed to the play heat unit PH and 23, Dehydrated. The board | substrate G by which the heat processing in the play heat unit PH and 23 was complete | finished is conveyed on the conveyance line A, and hydrophobization process is performed by the adhesion unit AD and 24. As shown in FIG. The board | substrate G in which the hydrophobization process in the adhigen unit AD AD 24 was complete | finished is conveyed on the conveyance line A, and is cooled by the cooling unit COL 25.

냉각 유니트(COL, 25)로 냉각된 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고 레지스트 도포 유니트(CT, 26)으로 레지스트막이 형성된다. 레지스트 도포 유니트(CT, 26)에서의 레지스트막의 형성은 기판 (G)가 반송 라인 (A)상을 반송되면서 기판 (G)상에 레지스트액이 공급되는 것으로 행해진다.The substrate G cooled by the cooling unit COL 25 is conveyed on the conveying line A and a resist film is formed by the resist coating unit CT 26. The formation of the resist film in the resist coating units CT and 26 is performed by supplying the resist liquid onto the substrate G while the substrate G is conveyed on the conveyance line A. FIG.

레지스트 도포 유니트(CT, 26)으로 레지스트막이 형성된 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고 감압 건조 유니트(DP, 27)으로 감압 환경에 노출되는 것으로 레지스트막의 건조 처리가 실시된다.The substrate G on which the resist film is formed by the resist coating units CT and 26 is conveyed on the conveying line A and exposed to the reduced pressure environment by the vacuum drying unit DP and 27, whereby the resist film is dried.

감압 건조 유니트(DP, 27)으로 레지스트막의 건조 처리가 실시된 기판 (G)는, 반송 라인 (A)상을 반송되고 가열 처리 유니트(HT, 28)로 가열 처리가 실시되고 레지스트막에 포함되는 용제가 제거된다. 기판 (G)의 가열 처리는 후술하는 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송 라인 (A)상을 반송되면서 행해진다. 가열 처리 유니트(HT, 28)에서의 가열 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 반송되고 냉각 유니트(COL, 29)로 냉각된다.The substrate G subjected to the drying treatment of the resist film by the vacuum drying unit DP, 27 is conveyed on the conveying line A, and is subjected to heat treatment by the heat treatment unit HT, 28 to be included in the resist film. The solvent is removed. The heat processing of the board | substrate G is performed, conveying the conveyance line A phase by the rotor conveyance mechanism 5 mentioned later. The board | substrate G in which the heat processing in the heat processing units HT and 28 was complete | finished is conveyed on the conveyance line A, and is cooled by the cooling unit COL and 29. As shown in FIG.

냉각 유니트(COL, 29)로 냉각된 기판 (G)는 반송 라인 (A)상을 하류측 단부까지 반송된 후, 인터페이스 스테이션 (4)의 반송 아암 (43)에 의해 로터리 스테이지(RS,44)에 반송된다. 다음에, 기판 (G)는 반송 아암 (43)에 의해 외부 장치 블럭 (90)의 주변 노광 장치(EE)에 반송되어 주변 노광 장치(EE)로 레지스트막의 외주부(불필요 부분)를 제거하기 위한 노광 처리가 실시된다. 계속되어, 기판 (G)는 반송 아암 (43)에 의해 노광 장치 (9)에 반송되어 레지스트막에 소정 패턴의 노광 처리가 실시된다. 또한 기판 (G)는 일시적으로 로터리 스테이지 (RS,44)상의 버퍼 카셋트에 수용된 후에 노광 장치 (9)에 반송되는 경우가 있다. 노광 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 아암 (43)에 의해 외부 장치 블럭 (90)의 타이틀러(TITLER)에 반송되어 타이틀러(TITLER)로 소정의 정보가 기록된다.After the board | substrate G cooled by the cooling unit COL and 29 was conveyed on the conveyance line A to the downstream end, the rotary stage RS44 by the conveyance arm 43 of the interface station 4 is carried out. Is returned. Next, the substrate G is conveyed to the peripheral exposure apparatus EE of the external device block 90 by the transfer arm 43, and the exposure for removing the outer peripheral portion (unnecessary portion) of the resist film by the peripheral exposure apparatus EE. Processing is carried out. Subsequently, the board | substrate G is conveyed to the exposure apparatus 9 by the conveyance arm 43, and the exposure process of a predetermined pattern is performed to a resist film. In addition, the board | substrate G may be conveyed to the exposure apparatus 9 after being temporarily accommodated in the buffer cassette on rotary stage RS44. The substrate G on which the exposure process is completed is conveyed to the titler TITLER of the external device block 90 by the transfer arm 43, and predetermined information is recorded by the titler TITLER.

타이틀러(TITLER)로 소정의 정보가 기록된 기판 (G)는 반송 라인 (B)상을 반송되고 현상 유니트(DEV, 30)으로 현상액의 도포 처리, 린스 처리 및 건조 처리가 차례로 실시된다. 현상액의 도포 처리, 린스 처리 및 건조 처리는 예를 들면, 기판 (G)가 반송 라인 (B)상을 반송되면서 기판 (G)상에 현상액이 액활성되어 다음에, 반송이 일단 정지되어 기판이 소정 각도 경사해 현상액이 흘러 떨어져 이 상태로 기판 (G)상에 린스액이 공급되어 현상액이 세정 되어 그 후, 기판 (G)가 수평 자세로 돌아가 다시 반송되면서 기판 (G)에 건조 가스가 분무되는 순서로 행해진다.The board | substrate G in which predetermined | prescribed information was recorded by the titler TITLER is conveyed on the conveyance line B, and a coating process, a rinse process, and a drying process of a developing solution are performed in order by the developing unit DEV 30. For example, the coating treatment, the rinsing treatment, and the drying treatment of the developing solution include, for example, the developing solution being activated on the substrate G while the substrate G is conveyed on the conveying line B. Then, the conveyance is stopped once and the substrate is stopped. The developer is inclined at a predetermined angle, so that the rinse liquid is supplied onto the substrate G in this state, and the developer is washed. Then, the drying gas is sprayed onto the substrate G while the substrate G is returned to the horizontal position and conveyed again. It is done in the order which becomes.

현상 유니트(DEV, 30)에서의 현상액의 도포 처리, 린스 처리 및 건조 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (B)상을 반송되고 가열 처리 유니트(HT, 31)으로 가열 처리가 실시되고 레지스트막에 포함되는 용제 및 수분이 제거된다. 기판 (G)의 가열 처리는 후술하는 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송 라인 (B)상을 반송되면서 행해진다. 또한 현상 유니트(DEV, 30)과 가열 처리 유니트(HT, 31)의 사이에는, 현상액의 탈색 처리를 실시하는 i선 UV조사 유니트를 설치해도 좋다. 가열 처리 유니트(HT, 31)에서의 가열 처리가 종료한 기판 (G)는 반송 라인 (B)상을 반송되고 냉각 유니트(COL, 32)로 냉각된다.The substrate G on which the coating, rinsing, and drying processing of the developing solution in the developing unit DEV 30 has been completed is conveyed on the conveying line B, and heated by the heat treating unit HT 31. The solvent and water contained in the resist film are removed. The heat processing of the board | substrate G is performed, conveying the conveyance line B phase by the rotor conveyance mechanism 5 mentioned later. An i-ray UV irradiation unit for decolorizing the developer may be provided between the developing unit DEV 30 and the heat treatment unit HT 31. The board | substrate G by which the heat processing in heat processing unit HT, 31 was complete | finished is conveyed on the conveyance line B, and is cooled by the cooling unit COL 32.

냉각 유니트(COL, 32)로 냉각된 기판 (G)는, 반송 라인 (B)상을 반송되고 검사 유니트(IP, 35)로 검사된다. 검사를 통과한 기판 (G)는 카셋트 스테이션 (1)에 설치된 반송 장치 (11)의 반송 아암 (11a)에 의해 재치대 (12)에 재치된 소정의 카셋트 (C)에 수용되게 된다.The board | substrate G cooled by the cooling unit COL 32 is conveyed on the conveyance line B, and is examined by the inspection unit IP, 35. FIG. The board | substrate G which passed the test | inspection is accommodated in the predetermined | prescribed cassette C mounted on the mounting table 12 by the conveyance arm 11a of the conveying apparatus 11 installed in the cassette station 1.

다음에, 가열 처리 유니트(HT, 28)에 대해서 상세하게 설명한다. 또한 가열 처리 유니트(HT, 31)도 가열 처리 유니트(HT, 28)과 완전히 같은 구조를 가지고 있다.Next, the heat treatment units HT and 28 will be described in detail. The heat treatment units HT and 31 also have the same structure as the heat treatment units HT and 28.

도 2는 가열 처리 유니트(HT,28,가열 처리 장치)를 나타내는 평면 방향의 단면도이고, 도 3은 그 측면 방향의 단면도이다.Fig. 2 is a sectional view in the planar direction showing the heat treatment unit (HT, 28 (heating apparatus)), and Fig. 3 is a sectional view in the lateral direction thereof.

가열 처리 유니트(HT, 28)은 기판 (G)를 X방향 한쪽 측에 향해 반송하는 회전자 반송 기구 (5)와 회전자 반송 기구 (5)를 포위 또는 수납하도록 설치된 케이싱 (6)과 케이싱 (6)내에서 회전자 반송 기구 (5)에 의해 회전자 반송되고 있는 기판 (G)를 가열하는 가열 기구 (7)을 구비하고 있다.The heat treatment units HT and 28 are casings 6 and casings provided so as to surround or accommodate the rotor conveyance mechanism 5 and the rotor conveyance mechanism 5 for conveying the substrate G toward one side in the X direction. 6) is provided with the heating mechanism 7 which heats the board | substrate G conveyed by the rotor conveyance mechanism 5 by the rotor.

회전자 반송 기구 (5)는 Y방향으로 연장하는 대략 원주상의 회전 가능한 회전자 부재 (50)을 X방향으로 간격을 두고 복수 가지고 있다. 회전자 부재 (50)은 각각, 회전축 (51)이 도시하지 않는 모터 등의 구동원에 직접적 또는 간접적으로 접속되어 구동원의 구동에 의해 회전해 이것에 의해 기판 (G)가 복수의 회전자 부재 (50)상을 X방향 한쪽 측에 향해 반송된다. 또, 회전자 부재 (50)은 각각, 기판 (G)의 전폭(Y방향)에 걸쳐서 접하는 형상을 가지고 있고 가열 기구 (7)에 의해 가열된 기판 (G)의 열이 전달하기 어렵게, 외주면부 (52)가 수지 등의 열전도율이 낮은 재료로 형성되어 회전축 (51)이 알루미늄, 스텐레스, 세라믹 등의 고강도면서도 열전도율이 비교적 낮은 재료로 형성되고 있다. 회전자 반송 기구 (5)는 그 반송로 또는 반송면이 반송 라인 (A, 가열 처리 유니트(HT, 31)에 있어서는 반송 라인 (B))의 한 부를 구성하고 있다.The rotor conveyance mechanism 5 has a plurality of substantially cylindrical rotatable rotor members 50 extending in the Y direction at intervals in the X direction. Each of the rotor members 50 is directly or indirectly connected to a drive source such as a motor (not shown) by the rotating shaft 51 and rotated by the drive of the drive source, whereby the substrate G causes the plurality of rotor members 50 to be rotated. ) Image is conveyed toward one side in the X direction. Moreover, the rotor member 50 has the shape which contact | abuts over the full width (Y direction) of the board | substrate G, respectively, and the outer peripheral surface part is hard to transmit the heat of the board | substrate G heated by the heating mechanism 7. The 52 is formed of a material having a low thermal conductivity such as resin, and the rotating shaft 51 is formed of a material having a high strength and a relatively low thermal conductivity such as aluminum, stainless steel or ceramic. As for the rotor conveyance mechanism 5, the conveyance path or conveyance surface comprises one part of conveyance line A, conveyance line (B) in heat processing unit (HT, 31).

케이싱 (6)은, 얇은형의 상자 모양으로 형성되어 기판 (G)를 대략 수평 상태로 수용 가능하고, X방향으로 대향하는 측벽부에 각각 반송 라인 (A, 가열 처리 유니트(HT) 31에서는 반송 라인 (B)) 상의 기판 (G)가 통과 가능한 Y방향으로 연장하는 슬릿 형상의 반입구 (61) 및 반출구 (62)를 가지고 있다. 회전자 반송 기구 (5)의 회전자 부재 (50)은 각각, 회전축 (51)이 케이싱 (6)의 Y방향으로 대향하는 측 벽부에 설치된 베어링 (60)에 회전 가능하게 지지를 받아 케이싱 (6)내에 배치되고 있다.The casing 6 is formed in a thin box shape and can accommodate the board | substrate G in a substantially horizontal state, and is conveyed by the conveyance line A and the heat processing unit HT 31 in the side wall part which opposes in the X direction, respectively. The board | substrate G on the line B has the slit-shaped inlet 61 and the outlet 62 which extend in the Y direction which can pass. The rotor member 50 of the rotor conveyance mechanism 5 is rotatably supported by the bearing 60 provided in the side wall part in which the rotating shaft 51 opposes the Y direction of the casing 6, and the casing 6 It is arranged in).

케이싱 (6)의 벽부 여기에서는 상벽부, 저벽부 및 Y방향으로 대향하는 측벽부는 서로 공간을 비워 설치된 내벽 (63) 및 외벽 (64)를 구비한 이중벽구조를 가지고 있고 내벽 (63) 및 외벽 (64)의 사이의 공간 (65)가 케이싱 (6) 내외를 단열하는 공기 단열층으로서 기능한다. 또한 외벽 (64)의 내측면에도, 케이싱 (6) 내외를 단열하기 위한 단열재 (66)이 설치되고 있다. Wall part of casing 6 Here, the upper wall part, the bottom wall part, and the side wall part facing in the Y direction have a double wall structure having an inner wall 63 and an outer wall 64 which are provided with a space therebetween, and the inner wall 63 and the outer wall ( The space 65 between 64 functions as an air insulation layer which insulates the inside and outside of the casing 6. Moreover, the heat insulating material 66 for heat-insulating inside and outside the casing 6 is provided also in the inner side surface of the outer wall 64. As shown in FIG.

가열 기구 (7)은, 회전자 반송 기구 (5)에 의한 기판 (G)의 반송로를 따라 케이싱 (6)내에 설치된 제1 및 제2의 면형상 히터 (71) (71a~71r), 72 (72a~72r)를 구비하고 있고 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)는 각각, 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판에 근접하도록 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판 (G)의 이면(하면) 측 및 표면(상면) 측에 설치되고 있다. 이것에 의해, 케이싱 (6)의 박형화가 도모되고 있다.The heating mechanism 7 is the first and second surface heaters 71 (71a to 71r) and 72 provided in the casing 6 along the conveyance path of the substrate G by the rotor conveyance mechanism 5. 72a-72r, and the 1st and 2nd surface heaters 71 and 72 are moved by the rotor conveyance mechanism 5 so that the board | substrate may be conveyed by the rotor conveyance mechanism 5, respectively. It is provided in the back surface (lower surface) side and the surface (upper surface) side of the board | substrate G conveyed. As a result, the casing 6 can be thinned.

제1의 면형상 히터 (71)은, Y방향으로 연장하는 단책(reed shape ) 형상으로 형성되어 회전자 부재 (50) 끼리의 사이에 각각 설치되어 X방향으로 복수(X방향 상류측으로부터 차례로 71a~71r) 배열되고 있다. 이것에 의해, 케이싱 (6)의 새로운 박형화가 도모되고 있다. 제1의 면형상 히터 (71)은 예를 들면, 케이싱 (6)의 Y방향으로 대향하는 측벽부에 장착되어 지지를 받고 있다. 제2의 면형상 히터 (72)는, Y방향으로 연장하는 단책 형상으로 형성되어 제1의 면형상 히터 (71)의 배열 피치와 대응하도록 X방향으로 복수(X방향 상류측으로부터 차례로 72a~72r) 배열되고 있 다. 제2의 면형상 히터 (72)는 케이싱 (6)의 상벽부에 장착되어 지지를 받고 있다. 제1의 면형상 히터 (71)과 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판 (G)의 반송 경로의 간격과 제2의 면형상 히터 (72)와 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송되는 기판 (G)의 반송 경로의 간격은 동일하게 되어 있다.The first surface heater 71 is formed in a reed shape extending in the Y direction and is provided between the rotor members 50, respectively, and is arranged in the X direction in a plurality (71a in turn from the X-direction upstream side). ~ 71r) is arranged. As a result, new thinning of the casing 6 is achieved. The 1st surface heater 71 is attached to the side wall part which opposes to the Y direction of the casing 6, for example, and is supported. The 2nd surface heater 72 is formed in the unitary shape extended in a Y direction, and is plurality (72a-72r in order from an X direction upstream side) in X direction so that the 2nd surface heater 72 may correspond to the arrangement pitch of the 1st surface heater 71. ) Are arranged. The second planar heater 72 is mounted on and supported by the upper wall portion of the casing 6. By the space | interval of the conveyance path of the board | substrate G conveyed by the 1st surface heater 71 and the rotor conveyance mechanism 5, and by the 2nd surface heater 72 and the rotor conveyance mechanism 5, The spacing of the conveyance path | route of the board | substrate G conveyed is the same.

본 실시 형태에서는, 기판 (G)를 가열하기 위한 제 1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)를 동일한 피치로 X방향으로 복수 배열한 것에 의해, 제1의 면형상 히터 (71) 끼리(또는 제2의 면형상 히터 (72) 끼리)의 사이의 위치(예를 들면 도 3의 부호 P위치)에서 케이싱 (6)을 X방향으로 복수 분할 가능하게 구성할 수가 있다. 이것에 의해, 기판 (G)가 대형화해도 가열 처리 장치 (28) 자체의 운반이 용이하다.In this embodiment, the 1st planar heater 71 comrades by arranging the 1st and 2nd planar heater 71 and 72 for heating the board | substrate G in the X direction at the same pitch. (Or the casing 6 can be divided | segmented in the X direction in the position (for example, P position of FIG. 3) between 2nd surface heater 72 comrades. Thereby, even if the board | substrate G enlarges, the conveyance of the heat processing apparatus 28 itself is easy.

또한 본 실시 형태에서는 기판 (G)를 가열하기 위한 제 2의 면형상 히터 (72)를 X방향으로 복수 배열한 것에 의해, 제2의 면형상 히터 (72) 끼리의 사이의 위치(예를 들면 도 3의 부호 P위치)에서, 케이싱 (6) 상벽부를 관음 도어형상으로 개폐 가능하게 구성할 수가 있다(도 3의 가상선참조). 이것에 의해, 케이싱 (6)내의 회전자 반송 기구 (5)나 가열 기구 (7)의 메인터넌스를 용이하게 실시할 수가 있다.In addition, in this embodiment, when the 2nd planar heater 72 for heating the board | substrate G is arrange | positioned in the X direction, the position (for example, between 2nd planar heaters 72 comrades) 3, the upper wall part of the casing 6 can be comprised so that opening and closing is possible in the shape of a Kannon door (refer to the virtual line of FIG. 3). Thereby, maintenance of the rotor conveyance mechanism 5 and the heating mechanism 7 in the casing 6 can be performed easily.

제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)는 각각, 도 4a에 나타나는 바와 같이(도 4는 가열 처리 장치 (28)을 구성하는 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)의 개략 평면도), 마이카(mica) 히터에 발열체를 설치하여 구성된 복수, 예를 들면 4매의 마이카 히터 (73, (73a, 73b, 73c, 73d))과 이들의 복수의 마이카 히터 (73)이 Y방향으로 배열되도록 장착된 단책 형상의 전열체 (74)를 가지고 있다.The first and second planar heaters 71 and 72 are respectively shown in FIG. 4A (FIG. 4 shows the first and second planar heaters 71 and 72 constituting the heat treatment apparatus 28). Outline)), a plurality of mica heaters 73, (73a, 73b, 73c, 73d) configured by providing a heating element in a mica heater, and a plurality of mica heaters 73 It has a single heat-transfer body 74 mounted so that it may be arranged in a Y direction.

복수의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71r, 72a~72r)은, 도 5에 나타나는 바와 같이)(도 5는 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)의 제어계를 나타내는 개념도), X방향으로 구분된 X방향 상류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71g, 72a~72g)의 마이카 히터 (73))와 X방향 하류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71r, 72~72r의 마이카 히터 (73))가 각각, 다른 히터 전원 (105a, 105b)에 접속되고 있다. X방향 상류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71g, 72a~72g))와 X방향 하류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71r, 72h~72r)에는 각각, 도시하지 않는 온도센서가 설치되어 히터 전원 (105a, 105b)는 각각, 온도센서의 검출 신호 및 프로세스 컨트롤러 (101)으로부터의 지령을 받은 히터 컨트롤러(제어부, 104)에 의해 제어된다. 즉, X방향 상류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71g, 72a~72g))와 X방향 하류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71r, 72h~72r)라는 것은 히터 컨트롤러 (104)에 의해 별개에 온도 제어되도록 구성되고 있다. X방향 상류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71g, 72a~72g)는 예비 가열부 (7a)를 구성해, X방향 하류측 그룹의 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71r, 72h~72r)는 주가열부 (7b)를 구성하고 있다. 또한 예비 가열부 (7a)와 주가열부 (7b)를 동일한 전원으로 접속해, 이 전원에 있어서의 예비 가열부 (7a)의 출력과 주가열부 (7b)의 출력을 바꾸도록 구성해도 괜찮다.The plurality of first and second planar heaters 71a to 71r and 72a to 72r are shown in FIG. 5 (FIG. 5 shows a control system of the first and second planar heaters 71 and 72). Conceptual diagram), the mica heater 73 of the first and second surface heaters 71a to 71g and 72a to 72g of the X-direction upstream group divided by the X-direction and the first and the X-direction downstream group Second planar heaters 71h to 71r and mica heaters 73 to 72r are connected to different heater power sources 105a and 105b, respectively. First and second planar heaters 71a to 71g and 72a to 72g of the X-direction upstream group and First and second planar heaters 71h to 71r and 72h to 72r of the X-direction downstream group The temperature sensor (not shown) is provided in each, and the heater power supply 105a, 105b is respectively controlled by the heater controller (control part 104) which received the detection signal of the temperature sensor, and the command from the process controller 101, respectively. That is, the first and second surface heaters 71a to 71g and 72a to 72g of the X-direction upstream group and the first and second surface heaters 71h to 71r and 72h to the X-direction downstream group. 72r) is configured to be temperature controlled separately by the heater controller 104. The first and second surface heaters 71a to 71g and 72a to 72g of the X-direction upstream group constitute the preheating part 7a, and the first and second surface heaters of the X-direction downstream group 71h-71r and 72h-72r comprise the main heating part 7b. In addition, the preheating unit 7a and the main heating unit 7b may be connected to the same power source so as to change the output of the preheating unit 7a and the output of the main heating unit 7b in this power source.

케이싱 (6)의 X방향 양단부의 예를 들면 상벽부 및 저벽부에는 각각 배기구 (67)이 설치되고 있어 배기구 (67)에는 배기 장치 (68)이 접속되고 있다. 그리고, 배기 장치 (68)이 작동함으로써, 배기구 (67)을 개재시켜 케이싱 (6)내의 배기를 하도록 구성되고 있다. 배기구 (67) 및 배기 장치 (68)은 케이싱 (6)내가 배기하는 배기 기구를 구성하고 있다. 배기구 (67)은 예를 들면, Y방향으로 복수 형성되고 있어도 좋고 Y방향으로 연장하는 긴 구멍 형상으로 형성되고 있어도 괜찮다. 배기 기구를 케이싱 (6)의 X방향 양단부에 각각 설치함으로, 반입구 (61) 및 반출구 (62)에 에어 커튼이 형성되어 외부의 진애 등이 반입구 (61) 및 반출구 (62)로부터 케이싱 (6)내에 침입해 버리는 것이 억제된다. 또한 배기구 (67)은 측벽부에 형성되고 있어도 좋고 이 경우에는, X방향으로 복수 혹은 X방향으로 연장하는 긴 구멍 형상으로 형성되고 있어도 괜찮다.For example, the exhaust port 67 is provided in the upper wall part and the bottom wall part of the X direction both ends of the casing 6, and the exhaust device 68 is connected to the exhaust port 67. As shown in FIG. The exhaust device 68 is operated to exhaust the gas in the casing 6 via the exhaust port 67. The exhaust port 67 and the exhaust device 68 constitute an exhaust mechanism through which the casing 6 exhausts. For example, a plurality of exhaust ports 67 may be formed in the Y direction or may be formed in an elongated hole shape extending in the Y direction. By installing the exhaust mechanisms at both ends of the casing 6 in the X direction, air curtains are formed at the inlet 61 and the outlet 62 so that external dust and the like are discharged from the inlet 61 and the outlet 62. Intrusion into the casing 6 is suppressed. In addition, the exhaust port 67 may be formed in the side wall part, and in this case, it may be formed in the elongate hole shape extended in the X direction in multiple or X directions.

한편, 케이싱 (6)의 X방향 중앙부의 예를 들면 상벽부 및 저벽부에는 케이싱내에 흡기를 실시하는 흡기 기구로서의 흡기구 (69)가 설치되고 있다. 흡기구 (69)는 예를 들면, Y방향으로 복수 형성되고 있어도 좋고 Y방향으로 연장하는 긴 구멍 형상으로 형성되고 있어도 괜찮다. 배기구 (67)은 대조적으로 흡기구 (69)를 케이싱 (6)의 X방향 중앙부에 설치함으로, 케이싱 (6)내의 환경의 체류를 확실히 방지할 수가 있기 때문에, 가열 기구 (7)에 의한 열을 케이싱 (6)내에 효과적으로 확산시키는 것과 동시에 가열 처리 시에 발생하는 레지스트막에 포함되는 승화물의 케이싱 (6)내로의 부착을 방지할 수가 있다. 또한 흡기구 (69)는 측벽부에 형성되고 있어도 좋고 이 경우에는 X방향으로 복수 혹은 X방향으로 연장하는 긴 구멍 형상으로 형성되고 있어도 괜찮다. 또, 흡기구 (69)에 흡기 장치(도시하지 않음)를 접속해 이 흡기 장치의 작동에 의해 가열된 공기가 케이싱 (6)내에 도입되도록 구성해도 좋다.On the other hand, for example, the upper wall portion and the lower wall portion of the central portion in the X-direction of the casing 6 are provided with an intake port 69 as an intake mechanism for intake air in the casing. The intake port 69 may be formed in multiple numbers in the Y direction, for example, and may be formed in the elongate hole shape extended in a Y direction. The exhaust port 67, on the contrary, is provided with the inlet port 69 at the center of the casing 6 in the X-direction, so that it is possible to reliably prevent the retention of the environment in the casing 6, thereby casing the heat generated by the heating mechanism 7 to the casing. It is possible to effectively diffuse into (6) and to prevent adhesion of the sublimation contained in the resist film generated during the heat treatment into the casing 6. In addition, the inlet port 69 may be formed in the side wall portion, and in this case, it may be formed in the shape of a long hole extending in the X direction or plural in the X direction. An intake device (not shown) may be connected to the intake port 69 so that the heated air is introduced into the casing 6 by the operation of the intake device.

다음에, 상술한 대로 구성된 가열 처리 유니트(HT, 28)에서의 기판 (G)의 가열 처리에 대해서 설명한다.Next, the heat processing of the board | substrate G in the heat processing units HT and 28 comprised as mentioned above is demonstrated.

가열 처리 유니트(HT, 28)에서는 감압 건조 유니트(DP, 27)측 (가열 처리 유니트(HT, 31)에서는 현상 유니트(DEV, 30)측)의 반송 기구에 의해 반송된 기판 (G)가, 반입구 (61)을 통과하면, 회전자 반송 기구 (5)로 수수되고 이 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송되면서, 히터 컨트롤러 (104)에 의해 온도 제어된 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)에 의해 케이싱 (6)내에서 가열된다. 따라서, 기판의 반송 및 가열이 병행하여 행해지기 때문에, 처리 시간의 단축화가 도모된다. 기판 (G)는 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)에 의해 양면측으로부터 가열되기 때문에, 휘어진 상태가 생기는 것이 억제된다. 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송된 기판 (G)가 반출구 (62)를 통과하면 냉각 유니트(COL, 29)측(가열 처리 유니트(HT, 31)에서는 냉각 유니트(COL, 32)측)의 반송 기구로 수수되고 이 평류식의 반송 기구에 의해 반송되게 된다. 따라서, 가열 처리시 및 가열 처리 전후의 기판 (G)의 반송이 회전자 반송 기구 (5)등에 의한 소위 평류식만이므로, 기판 (G)를 안전하게 반송할 수가 있다.In the heat treatment units HT and 28, the substrate G conveyed by the conveyance mechanism of the vacuum drying unit DP, 27 side (in the heat treatment units HT and 31, the developing unit DEV, 30 side) is When passing through the delivery opening 61, it is received by the rotor conveyance mechanism 5, and conveyed by this rotor conveyance mechanism 5, The 1st and 2nd surface shape controlled by the heater controller 104 and temperature controlled is carried out. Heated in casing 6 by heaters 71 and 72. Therefore, since conveyance and heating of a board | substrate are performed in parallel, processing time can be shortened. Since the board | substrate G is heated from both sides by the 1st and 2nd surface heaters 71 and 72, it is suppressed that a curved state arises. When the board | substrate G conveyed by the rotor conveyance mechanism 5 passes through the carrying out opening 62, the cooling unit COL and 29 side (heat processing unit HT and 31 side and cooling unit COL and 32 side). ) Is conveyed by the conveyance mechanism and conveyed by this flat flow conveyance mechanism. Therefore, since the conveyance of the board | substrate G at the time of heat processing and before and after heat processing is only the so-called flat flow type by the rotor conveyance mechanism 5 etc., the board | substrate G can be conveyed safely.

가열 처리에 대해서는, 기판 (G)를 소정의 온도, 예를 들면 130 ℃정도로 가열하는 경우에, 주가열부 (7b)가 소정의 온도와 대략 동일하거나, 혹은 소정의 온도보다 약간 높은 제1의 온도, 예를 들면 140~150 ℃정도로 설정되어 예비 가열부 (7a)가 제1의 온도보다 높은 제2의 온도, 예를 들면 170~180 ℃정도로 설정된다. 이것에 의해, 도 6에 나타나는 바와 같이(도 6은 가열 처리 유니트(HT, 28)에서의 기판 (G)의 가열 처리를 설명하기 위한 도), 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송되고 있는 기판 (G)를, 예비 가열부 (7a)에 있어서 제2의 온도로 가열해(도 6(a) 참조), 소정의 온도 또는 제1의 온도 부근까지 급속히 온도상승 시킨 후, 주가열부 (7b)에 있어서 제1의 온도로 가열해(도 6(b) 참조), 소정의 온도로 보온하는 것이 가능해지고, 가열 처리 시간의 단축화를 도모할 수가 있다. 예비 가열부 (7a)는 기판 (G)를 필요 이상으로 높은 온도로 가열해 버리지 않도록 회전자 반송 기구 (5)에 의해 반송되고 있는 기판 (G)가 가열에 의해 제1의 온도 부근에 이른 시점에서 통과하도록 배치되고 있는 것이 바람직하다.Regarding the heat treatment, when the substrate G is heated to a predetermined temperature, for example, about 130 ° C., the first heating portion 7b has a first temperature that is approximately equal to the predetermined temperature or slightly higher than the predetermined temperature. For example, it is set to about 140-150 degreeC, and the preheating part 7a is set to the 2nd temperature higher than a 1st temperature, for example, about 170-180 degreeC. Thereby, as shown in FIG. 6 (FIG. 6 is a figure for demonstrating the heat processing of the board | substrate G in heat processing unit HT, 28), it is conveyed by the rotor conveyance mechanism 5 After heating the board | substrate G to the 2nd temperature in the preheating part 7a (refer FIG. 6 (a)), and rapidly raising temperature to predetermined temperature or 1st temperature vicinity, the main heating part 7b ) Can be heated to the first temperature (see FIG. 6 (b)), and it can be maintained at a predetermined temperature, and the heat treatment time can be shortened. The preliminary heating part 7a has a point in time at which the substrate G conveyed by the rotor conveyance mechanism 5 reaches the first temperature vicinity by heating so as not to heat the substrate G to a higher temperature than necessary. It is preferable to arrange | position so that it may pass through.

또, 제1의 면형상 히터 (71)의 배열 피치와 제2의 면형상 히터 (72)의 배열 피치가 동일하기 때문에, 상하로 대응하는 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)를 대충 동일한 가열 온도로 설정함으로써, 기판 (G)의 휘어진 상태의 발생이 확실히 방지된다.Moreover, since the arrangement pitch of the 1st planar heater 71 and the arrangement pitch of the 2nd planar heater 72 are the same, the 1st and 2nd planar heaters 71 and 72 corresponding to up and down By setting to approximately the same heating temperature, the occurrence of the warped state of the substrate G is surely prevented.

다음에, 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)의 제어계의 다른 예에 대해서 설명한다. 도 7은 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)의 제어계의 다른 예를 나타내는 개념도이다.Next, another example of the control system of the first and second surface heaters 71 and 72 will be described. 7 is a conceptual diagram showing another example of the control system of the first and second surface heaters 71 and 72.

주가열부 (7b) 및 예비 가열부 (7a)를 한층 더 각각, X방향 및 Y방향으로 구분된 복수의 영역마다 온도 제어 가능하게 구성해도 괜찮다. 예를 들면, 예비 가열부 (7a)의 X방향 상류측부를 구성하는 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71c, 72a~72c의 Y방향 양측부의 마이카 히터 (73a, 73d)를 가지는 영역 (H)와 제1 및 제2의 면형상 히터 (71a~71c, 72a~72c)의 Y방향 중앙부의 마이카 히터 (73b, 73c)를 가지는 영역 (I)와 예비 가열부 (7a)의 X방향 하류측부를 구성하는 제1 및 제2의 면형상 히터 (71d~71g, 72d~72g)의 Y방향 양측부의 마이카 히터 (73a, 73d)를 가지는 영역 (J)와 제1 및 제2의 면형상 히터 (71d~71g, 72d~72g)의 Y방향 중앙부의 마이카 히터 (73b, 73c)를 가지는 K와 주가열부 (7b)의 X방향 상류측부를 구성하는 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71o, 72h~72o))의 Y방향 양측부의 마이카 히터 (73a, 73d)를 가지는 L과 제1 및 제2의 면형상 히터 (71h~71o, 72h~72o)의 Y방향 중앙부의 마이카 히터 (73b, 73c)를 가지는 M과 주가열부 (7b)의 X방향 하류측부를 구성하는 제1 및 제2의 면형상 히터 (71p~71r, 72p~72r)의 Y방향 양측부의 마이카 히터 (73a, 73d)를 가지는 N과 제1 및 제2의 면형상 히터 (71p~71r, 72p~72r)의 Y방향 중앙부의 마이카 히터 (73b, 73c)를 가지는 역역 O를 각각, 다른 히터 전원 (105c~105j)에 접속해, 히터 전원 (105c~105j)를 각각 온도센서의 검출 신호 및 프로세스 컨트롤러 (101)로부터의 지령을 받은 히터 컨트롤러 (104)에 의해 제어시켜도 괜찮다. 또한 영역 (H~O)를 동일한 전원으로 접속해, 이 전원에 있어서의 영역 (H~O)의 출력을 바꾸도록 구성해도 괜찮다.You may comprise the main heating part 7b and the preheating part 7a so that temperature control is possible for every some area divided | segmented by the X direction and the Y direction, respectively. For example, the area | region which has the mica heaters 73a and 73d of the Y-direction both sides of the 1st and 2nd surface heaters 71a-71c and 72a-72c which comprise the X-direction upstream side of the preheating part 7a. (H) and the region I having the mica heaters 73b and 73c in the center of the Y-direction of the first and second planar heaters 71a to 71c and 72a to 72c, and the X direction of the preliminary heating section 7a. Region J having first and second surface heaters 71d to 71g and 72d to 72g of mica heaters 73a and 73d in the Y-direction both sides and the first and second surface shapes constituting the downstream side portion. First and second surface heaters 71h constituting K having mica heaters 73b and 73c in the Y-direction central portion of the heaters 71d to 71g and 72d to 72g and the X-direction upstream side of the main heating unit 7b. Mica heaters (L) having mica heaters 73a and 73d at both sides of the Y direction of the < RTI ID = 0.0 > 71o, 72h-72o) < / RTI > M with 73b, 73c) and downstream of the main heating part 7b in the X direction N having mica heaters 73a and 73d in the Y-direction both sides of the first and second planar heaters 71p to 71r and 72p to 72r constituting the part, and the first and second planar heaters 71p to 71r. , The station O having the mica heaters 73b and 73c in the center of the Y direction of 72p to 72r is connected to the other heater power supplies 105c to 105j, respectively, and the heater power supplies 105c to 105j are respectively detected by the temperature sensor. And the heater controller 104 received the command from the process controller 101 may be controlled. In addition, the regions H to O may be connected to the same power supply, and the output of the regions H to O in the power supply may be changed.

가열 처리에 있어서는, 기판 (G)를 소정의 온도로 가열하는 경우에, 케이싱 (6)의 측벽부로부터의 열손실을 고려해, 주가열부 (7b)에 있어서 제1의 온도 또는 온도 범위내에서, 영역 (M)의 온도보다 영역 (o, L)의 온도가 높게 설정되고 또한영역 (o, L)의 온도보다 영역 N의 온도가 높게 설정되는 것과 동시에, 예비 가열부 (7a)에 있어서, 제2의 온도 또는 온도 범위내에서, 영역 (K)의 온도보다 영역 (I,j)의 온도가 높게 설정되고 또한, 영역 (I,j)의 온도보다 영역 (H)의 온도가 높 게 설정된다. 즉, 주가열부 (7b) 및 예비 가열부 (7a)는 각각, 도 8에 나타나는 바와 같이(가열 처리 장치 (28)을 구성하는 예비 가열부 (7a) 및 주가열부 (7b)의 가열 온도 분포를 설명하기 위한 도), 케이싱 (6)의 중앙부에서 각부로 향해 온도가 높아지도록 제어된다. 이것에 의해, 가열 처리 시간의 단축화를 도모할 수가 있는 것과 동시에, 예비 가열부 (7a) 및 주가열부 (7b)가 각각 케이싱 (6)내의 기판 (G)의 전면을 균등한 온도로 가열할 수 있고 가열 처리의 품질을 향상시키는 것이 가능해진다.In the heat treatment, when heating the substrate G to a predetermined temperature, considering the heat loss from the side wall portion of the casing 6, within the first temperature or temperature range in the main heating portion 7b, The temperature of the regions (o, L) is set higher than the temperature of the region (M), and the temperature of the region N is set higher than the temperatures of the regions (o, L). Within the temperature or temperature range of 2, the temperature of the region I, j is set higher than the temperature of the region K, and the temperature of the region H is set higher than the temperature of the region I, j. . That is, as shown in FIG. 8, the main heating part 7b and the preheating part 7a respectively show the heating temperature distribution of the preheating part 7a and the main heating part 7b which comprise the heat processing apparatus 28, respectively. For illustration, the temperature is controlled from the central portion of the casing 6 toward the respective portions. Thereby, while shortening heat processing time, the preheating part 7a and the main heating part 7b can respectively heat the whole surface of the board | substrate G in the casing 6 to equal temperature. And it becomes possible to improve the quality of the heat treatment.

또한 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)를 각각, 도 4(b)에 나타나는 바와 같이 Y방향으로 연장하는 복수의 시즈 히터 (75)와 이들의 복수의 시즈 히터 (75)가 X방향으로 배열되도록 장착된 판 형상의 전열체 (74)와 전열체 (74)의 Y방향 양측부에 각각 장착된 카트리지 히터 (76)으로 구성해도 괜찮다. 시즈 히터 (75)의 가열에 가세해 카트리지 히터 (76)을 가열시키는 것으로 제1 및 제2의 면형상 히터 (71, 72)는 Y방향 양측부가 Y방향 중앙부보다 높은 온도가 되기 때문에, 예비 가열부 (7a) 및 주가열부 (7b)가 각각 기판 (G)의 전면을 균등한 온도로 가열할 수가 있다. 또 주가열부 (7b)에 있어서 상벽부의 제 2 면형상 히터(72)는 예비가열부 (7a)로 기판의 휘어짐이 억제되면 설치하지 않아도 좋다.In addition, as shown in FIG.4 (b), the several sheath heater 75 and these several heaters 75 which extend the 1st and 2nd surface heater 71 and 72 respectively are shown. You may comprise with the plate-shaped heat-transfer body 74 attached so that it may be arranged in the X direction, and the cartridge heater 76 attached to the both sides of the Y-direction of the heat-transfer body 74, respectively. By heating the cartridge heater 76 in addition to the heating of the sheath heater 75, the first and second planar heaters 71 and 72 have a preliminary heating since both sides in the Y direction become higher than the center in the Y direction. The part 7a and the main heating part 7b can respectively heat the whole surface of the board | substrate G to equal temperature. Moreover, in the main heating part 7b, the 2nd surface heater 72 of the upper wall part does not need to be provided, if the bending of a board | substrate is suppressed by the preheating part 7a.

본 발명에 의하면, FPD용의 유리기판과 같이 특히 기판이 대형의 경우에 적합하지만 유리 기판에 한정하지 않고, 반도체 웨이퍼등의 다른 기판의 가열 처리에도 넓게 적용할 수 있다. According to the present invention, although the substrate is particularly suitable for a large size like a glass substrate for FPD, the present invention is not limited to a glass substrate, but can be widely applied to heat treatment of other substrates such as semiconductor wafers.

본 발명에 의하면 반송로를 따라 한방향으로 반송되고 있는 기판에 가열 처리를 가하도록 구성했기 때문에, 기판에 반송에 의한 큰 충격이 가해진 경우가 없고, 기판의 반송과 가열을 병행해 실시할 수가 있어 또한, 기판이 반송되는 반송로를 따라 반송 방향 상류측으로부터 차례로 예비 가열부와 주가열부를 배치해, 주가열부를 제1의 온도로 설정함과 동시에 예비 가열부를 제1의 온도보다 높은 제2의 온도로 설정해, 기판을 예비 가열부에 있어서 제1의 온도 부근까지 가열한 후, 주가열부에 있어서 제1의 온도로 가열하도록 구성했기 때문에, 예를 들면, 기판을 예비 가열부의 가열에 의해 소정의 온도까지 급속히 상승시키고 나서 주가열부의 가열에 의해 소정의 온도로 유지한다는 것이 가능해져, 종래의 가열 처리 기술과 비교해 가열 시간을 큰폭으로 단축할 수가 있다. 따라서, 기판이 대형으로서도 기판의 파손을 확실히 방지할 수가 있는 것과 동시에, 수율의 향상을 도모하는 것이 가능해진다.According to the present invention, since the heat treatment is applied to the substrate being conveyed in one direction along the conveying path, a large impact due to the conveyance is not applied to the substrate, and the substrate can be conveyed and heated in parallel. The preheating part and the main heating part are sequentially arranged from the upstream side in the conveying direction along the conveying path where the substrate is conveyed, the main heating part is set to the first temperature, and the preheating part has a second temperature higher than the first temperature. And the substrate is heated to around the first temperature in the preliminary heating section and then heated to the first temperature in the main heating section. For example, the substrate is heated to a predetermined temperature by heating the preliminary heating section. It is possible to maintain it at a predetermined temperature by heating the main heating section after rapidly increasing the temperature to a large extent, and greatly increase the heating time compared with the conventional heat treatment technology. It can be shortened to. Therefore, even when the substrate is large, damage to the substrate can be reliably prevented, and the yield can be improved.

Claims

A heat treatment apparatus for applying a heat treatment to a substrate,

A conveying path for conveying the substrate in one direction,

It is provided with the heating mechanism which heats the board | substrate which conveys the said conveyance path,

The heating mechanism,

The preheating unit and the main heating unit are arranged in sequence from the upstream side in the conveying direction along the conveying path, the main heating unit is set to a first temperature, and the preheating unit is set to a second temperature higher than the first temperature. ,

The substrate is heated to the vicinity of the first temperature in the preliminary heating section, and then heated to the first temperature in the main heating section.

A heat treatment apparatus for applying a heat treatment to a substrate,

A conveying path for conveying the substrate in one direction,

A casing installed to surround the conveying path;

It is provided with the heating mechanism which heats the board | substrate which conveys the said conveyance path in the said casing,

The heating mechanism,

A preliminary heating part and a main heating part are disposed in the casing sequentially from the upstream side in the conveying direction along the conveying path,

The main heating unit is set to a first temperature, the preheating unit is set to a second temperature higher than the first temperature,

The method according to claim 2,

An exhaust mechanism for exhausting air in the casing is provided at both ends of the casing in the conveying direction.

The method according to claim 3,

The intake mechanism which performs intake air in the said casing is provided in the conveyance direction center part of the said casing, The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned.

The method according to any one of claims 1 to 4,

The said preliminary heating part is arrange | positioned so that the board | substrate conveying the said conveyance path may pass through at the time point which reached the said 1st temperature vicinity by heating, The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned.

The method according to any one of claims 1 to 4,

The said main heating part is set to said 1st temperature so that a conveyance direction downstream side part may become higher temperature than a conveyance direction upstream side part, and the said preliminary heating part is said 2nd so that conveyance direction upstream side part may become higher temperature than a conveyance direction downstream side part. It is set to the temperature of the heat processing apparatus characterized by the above-mentioned.

The method according to any one of claims 1 to 4,

The main heating unit and the preliminary heating unit are set to the first temperature and the second temperature such that both widthwise side portions of the conveying path are higher than the widthwise center portion of the conveying path. Processing unit.

A heat treatment apparatus for applying a heat treatment to a substrate,

A conveying path for conveying the substrate in one direction,

A heating mechanism for heating the substrate being conveyed to the conveying path;

A control unit for controlling the heating mechanism;

The heating mechanism is provided with a preheating unit and a main heating unit from the upstream side in the conveying direction along the conveying path,

The control unit,

The main heating unit is set to a first temperature, and the preheating unit is set to a second temperature higher than the first temperature,

And a heating mechanism is controlled to heat the substrate to the first temperature in the preliminary heating section and then to the first temperature in the main heating section.

The method according to claim 8,

The said control part sets the said main heating part to the said 1st temperature so that a conveyance direction downstream side part may become higher temperature than a conveyance direction upstream side part, and the said preheating part so that a conveyance direction upstream side part may become temperature higher than a conveyance direction downstream side part, It is set to a 2nd temperature, The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned.

The control unit sets the main heating unit and the preheating unit to the first temperature and the second temperature such that both side portions in the width direction of the conveying path are higher than the width center portion of the conveying path. Heating processing device.

A heat treatment method for applying heat treatment to a heat treatment apparatus formed by sequentially arranging a preheating unit and a main heating unit on a substrate being conveyed in one direction along a conveying path from the conveying direction upstream along the conveying path,

A computer readable storage medium storing a control program running on a computer,

The control program causes the computer to control the processing device so that the heat treatment method according to claim 11 is executed when the control program is executed.