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KR20070019054A - Heating device of rapid heat treatment facility - Google Patents

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Publication number
KR20070019054A
KR20070019054A KR1020050072904A KR20050072904A KR20070019054A KR 20070019054 A KR20070019054 A KR 20070019054A KR 1020050072904 A KR1020050072904 A KR 1020050072904A KR 20050072904 A KR20050072904 A KR 20050072904A KR 20070019054 A KR20070019054 A KR 20070019054A
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KR
South Korea
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lamp
heat treatment
heat
reflector
support member
Prior art date
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Withdrawn
Application number
KR1020050072904A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김정남
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050072904A priority Critical patent/KR20070019054A/en
Publication of KR20070019054A publication Critical patent/KR20070019054A/en
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Abstract

급속열처리설비의 가열장치를 제공한다. 제공된 급속열처리설비의 가열장치는 열처리공정의 수행되는 공정챔버의 상측에 마련되어 상기 공정챔버의 상측을 덮으며, 내부에 다수의 관통공이 형성된 램프하우징과, 관통공에 배치되는 램프지지부재와, 램프지지부재에 의해 지지되어 공정챔버에 안착되는 웨이퍼를 향해 열을 발산하는 램프 및 램프지지부재의 하부 일측에 결합되며, 램프에서 발산된 열을 상기 웨이퍼로 집중되도록 램프의 길이방향으로 반사시키는 반사경을 구비한다. 따라서, 제공된 급속열처리설비의 가열장치에 의하면 램프에서 발산된 열을 램프의 길이방향으로 발산하도록 반사경이 구비됨으로써 램프의 효율을 증대시킬 수 있다.Provides a heating device for a rapid heat treatment facility. The heating apparatus of the provided rapid heat treatment equipment is provided on the upper side of the process chamber in which the heat treatment process is performed and covers the upper side of the process chamber, and a lamp housing having a plurality of through holes formed therein, a lamp support member disposed in the through holes, and a lamp A lamp that is supported by the support member and radiates heat toward the wafer seated in the process chamber and is coupled to the lower side of the lamp support member, and a reflector reflecting the heat emitted from the lamp in the longitudinal direction of the lamp to concentrate the heat emitted from the lamp onto the wafer Equipped. Therefore, according to the heating apparatus of the provided rapid heat treatment facility, the reflector is provided so as to dissipate heat emitted from the lamp in the longitudinal direction of the lamp, thereby increasing the efficiency of the lamp.

Description

급속열처리설비의 가열장치{Heating apparatus of rapid thermal peocessing equipment}Heating apparatus of rapid thermal processing equipment {Heating apparatus of rapid thermal peocessing equipment}

도 1은 본 발명에 따른 가열장치가 구비된 급속열처리설비를 도시한 구성도이다.1 is a block diagram showing a rapid heat treatment equipment equipped with a heating apparatus according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 가열장치의 램프유닛을 도시한 사시도이다.2 is a perspective view showing a lamp unit of the heating apparatus according to the present invention.

도 3은 도2의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 도시한 단면도이다. 3 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 2.

**도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **

100 : 열처리설비100: heat treatment facility

110 : 공정챔버110: process chamber

120 : 정전척120: electrostatic chuck

150 : 가열장치150: heating device

160 : 램프하우징160: lamp housing

165 : 관통공165: through hole

170 : 램프유닛170: lamp unit

173 : 램프173: lamp

176 : 램프지지부재176: lamp support member

179 : 반사경179 reflector

181 : 결합부181: coupling part

182 : 반사부182: reflector

본 발명은 반도체소자를 제조하기 위한 열처리설비에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 빠른 시간 내에 열처리공정을 수행할 수 있는 급속열처리설비에 관한 것이다.The present invention relates to a heat treatment apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a rapid heat treatment apparatus capable of performing a heat treatment process in a short time.

일반적으로, 반도체소자는 웨이퍼 상에 포토리소그래피, 식각, 애싱, 확산, 화학기상증착, 이온주입 및 금속증착 등의 공정을 선택적으로 반복 수행함으로써 적어도 하나 이상의 도전층, 반도체층, 부도체층 등을 적층하여 조합되게 하는 것으로 만들어진다.In general, a semiconductor device stacks at least one conductive layer, semiconductor layer, non-conductive layer, etc. by selectively repeating a process such as photolithography, etching, ashing, diffusion, chemical vapor deposition, ion implantation, and metal deposition on a wafer. To be combined.

이러한 반도체소자 제조공정 중 웨이퍼 상에 원하는 박막을 형성하는 증착공정 및 이온주입을 통해 주입된 불순물을 확산시키는 확산공정 등의 열처리공정은 다수의 웨이퍼를 한꺼번에 처리할 수 있는 확산로(Furnace)설비와 낱장의 웨이퍼를 처리하는 급속열처리(Rapid thermal processing;RTP)설비 등에서 수행된다.In the semiconductor device manufacturing process, a heat treatment process such as a deposition process for forming a desired thin film on a wafer and a diffusion process for diffusing impurities implanted through ion implantation may include a diffusion furnace facility capable of processing a plurality of wafers at once. It is performed in a rapid thermal processing (RTP) facility for processing a single wafer.

여기서, 급속열처리설비는 기존의 확산로설비에서 수행하던 다양한 공정을 대부분 수행할 수 있으며, 웨이퍼의 가열 및 냉각을 고속으로 처리하므로 초고집적회로(VLSI)공정에 적합한 불순물 재확산과 확산로 벽면으로부터 방출되는 파티클 등을 방지할 수 있다는 점에서 널리 사용되고 있다.Here, the rapid heat treatment equipment can perform most of the various processes performed in the existing diffusion furnace equipment. Since the wafer heating and cooling process is performed at a high speed, impurities re-diffusion and diffusion from the wall of the ultra-high integrated circuit (VLSI) process are required. It is widely used in that the particle | grains etc. which are emitted are prevented.

한편, 상술한 급속열처리설비에는 열처리공정을 수행하는 공정챔버가 마련되며, 이 공정챔버의 내부에는 웨이퍼를 안착시키기 위한 정전척이 마련된다. 그리고, 급속열처리설비에는 열처리공정의 수행 시 정전척에 안착된 웨이퍼를 가열하기 위한 다수의 램프가 마련된다.On the other hand, the above-mentioned rapid heat treatment equipment is provided with a process chamber for performing a heat treatment process, the electrostatic chuck for mounting the wafer is provided inside the process chamber. In addition, the rapid heat treatment facility is provided with a plurality of lamps for heating the wafer seated on the electrostatic chuck during the heat treatment process.

하지만, 종래의 급속열처리설비에 구비된 다수의 램프에서 발산된 열은 이 램프의 길이방향에서 하측으로 발산될 뿐만 아니라 램프의 길이방향에서 좌, 우측으로도 발산되게 된다. 따라서, 다수의 램프에서 발산된 열은 램프의 하측에 배치된 웨이퍼 상으로 집중되지 못하게 되어 램프의 효율이 떨어지는 문제점이 발생된다. 이와 같이 다수의 램프의 효율이 떨어지게 되면 램프에 공급하는 전원을 증가시켜야 하게 되므로 램프의 수명은 단축되는 문제점도 발생하게 된다.However, the heat emitted from the plurality of lamps provided in the conventional rapid heat treatment facility is not only dissipated downward in the longitudinal direction of the lamp, but is also dissipated in the left and right sides of the lamp in the longitudinal direction. Therefore, the heat dissipated in the plurality of lamps is not concentrated on the wafer disposed under the lamp, which causes a problem that the lamp efficiency is lowered. As such, when the efficiency of the plurality of lamps decreases, power to be supplied to the lamps must be increased, thereby shortening the life of the lamps.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 상에 열을 발산하여 웨이퍼를 가열시키는 램프의 효율을 증대시키고, 수명을 연장시킬 수 있는 급속열처리설비의 가열장치를 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a heating apparatus of a rapid heat treatment apparatus capable of increasing the efficiency of a lamp for heating a wafer by dissipating heat on the wafer and extending the life. have.

이와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명에 따른 급속열처리설비의 가열장치는 열처리공정이 수행되는 공정챔버의 상측에 마련되며, 내부에 다수의 관통공이 형성된 램프하우징과, 관통공에 배치되는 램프지지부재와, 램프지지부재에 의해 지지되어 공정챔버에 안착되는 웨이퍼를 가열하도록 열을 발산하는 램프 및 램프지지부재에 결합되며, 램프에서 발산된 열을 상기 웨이퍼로 집중하도록 반사시키는 반사경을 구비한다.The heating apparatus of the rapid heat treatment apparatus according to the present invention for achieving the above object is provided on the upper side of the process chamber in which the heat treatment process is performed, a lamp housing having a plurality of through holes therein, and a lamp support member disposed in the through holes. And a lamp coupled to the lamp and the lamp support member for dissipating heat to heat the wafer supported by the lamp support member and seated in the process chamber, and having a reflector for reflecting the heat emitted from the lamp to concentrate the wafer.

이때, 상기 반사경은 램프지지부재와 결합되는 결합부 및 램프의 외면과 소정 거리 이격된 상태로 배치되어 열을 반사시키는 반사부로 이루어질 수 있다.In this case, the reflector may be composed of a coupling part coupled to the lamp support member and a reflection part disposed to be spaced apart from the outer surface of the lamp by a predetermined distance to reflect heat.

여기서, 상기 결합부의 내면과 상기 램프지지부재의 하부 일측에는 나사산이 형성되어, 결합부와 램프지지부재는 나사결합될 수 있다.Here, the inner surface of the coupling portion and the lower side of the lamp support member is formed with a screw thread, the coupling portion and the lamp support member may be screwed.

그리고, 상기 반사부는 램프에서 발산된 열을 램프의 길이방향으로 반사하도록 소정의 곡률반경을 구비할 수 있다.The reflector may have a predetermined radius of curvature to reflect heat emitted from the lamp in the longitudinal direction of the lamp.

여기서, 상기 반사부는 일측이 개구된 반타원형상으로 이루어진 것일 수 있다.Here, the reflector may be formed in a semi-elliptic shape of which one side is opened.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. Like numbers refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명에 따른 가열장치를 구비한 급속열처리설비에 대해 도시한 구상도이도, 도 2는 본 발명에 따른 가열장치를 도시한 사시도이고, 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 도시한 단면도이다.1 is a schematic diagram illustrating a rapid heat treatment apparatus having a heating apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing a heating apparatus according to the present invention, and FIG. 3 is a line II ′ of FIG. 2. It is a cross-sectional view shown.

도 1을 참조하면, 급속열처리설비(100)에는 열처리공정이 수행되는 공정챔버(110)가 마련된다. Referring to FIG. 1, the rapid heat treatment facility 100 is provided with a process chamber 110 in which a heat treatment process is performed.

여기서, 공정챔버(110)에는 이 공정챔버(110)의 내부로 이송된 웨이퍼를 안착시키기 위한 정전척(120)이 마련된다. 이때, 정전척(120)은 몸체를 이루는 베이스 플레이트(Base plate,122)와, 이 베이스 플레이트(122)의 상부에 마련되어 웨이퍼가 안착되는 에지링(124) 및 이 에지링(124)의 하측에 배치되어 에지링(124)을 회전 가능하게 지지하는 지지실린더(Support cylinder,126)를 포함한다. Here, the process chamber 110 is provided with an electrostatic chuck 120 for seating the wafer transferred into the process chamber 110. At this time, the electrostatic chuck 120 is a base plate (base plate, 122) constituting the body, the upper edge of the base plate 122 is provided on the edge ring 124 and the lower side of the edge ring 124 is seated And a support cylinder 126 disposed to rotatably support the edge ring 124.

그리고, 베이스 플레이트(122)와 에지링(124)의 사이에는 고 반사율의 코팅면을 구비한 리플렉터 플레이트(Reflctor plate,128)가 마련된다. 이때, 리플렉터 플레이트(128)는 상술한 가열장치(150)에서 소정 열을 발산하여 웨이퍼를 가열할 경우 이 하측으로 발산된 열은 웨이퍼의 하측에 마련된 이 리플렉터 플레이트(128)에 의해 다시 웨이퍼로 재 전달하는 역할을 하게 된다. 이에 따라 웨이퍼의 가열에 대한 효과가 더욱 배가되는 것이다.In addition, a reflector plate 128 having a high reflectivity coating surface is provided between the base plate 122 and the edge ring 124. At this time, when the reflector plate 128 dissipates predetermined heat from the above-described heating apparatus 150 to heat the wafer, the heat dissipated downward is returned to the wafer by the reflector plate 128 provided below the wafer. It is to convey. Accordingly, the effect on the heating of the wafer is further doubled.

그리고, 리플렉터 플레이트(128)에는 가열된 웨이퍼의 각부별 온도를 감지하기 위한 온도감지기(131)가 이 리플렉터 플레이트(128)를 관통하도록 마련된다. 여기서, 온도감지기(131)는 리플렉터 플레이트(128)의 중심으로부터 그 위치를 달리하여 분포됨으로써 에지링(124)에 안착된 웨이퍼의(W) 각부에 대한 온도를 감지하 게 된다.The reflector plate 128 is provided with a temperature sensor 131 for penetrating the reflector plate 128 to sense the temperature of each portion of the heated wafer. Here, the temperature sensor 131 is distributed by varying its position from the center of the reflector plate 128 to sense the temperature of each portion of the wafer (W) seated on the edge ring 124.

한편, 상술한 공정챔버(110)의 상측에는 공정챔버(110)의 내부에 안착된 즉, 에지링(124)의 상면에 안착된 웨이퍼를 가열하는 가열장치(150)가 마련된다.On the other hand, the upper side of the above-described process chamber 110 is provided with a heating device 150 for heating the wafer seated in the interior of the process chamber 110, that is, seated on the upper surface of the edge ring 124.

여기서, 가열장치(150)에는 공정챔버(110)의 상측을 덮는 램프하우징(160)이 마련되며, 이때의 램프하우징(160)에는 다수의 관통공(165)이 형성된다. 그리고, 상술한 램프하우징(160)의 다수의 관통공(165)에는 다수의 램프유닛(170)이 배치되며, 이때의 다수의 램프유닛(170)은 웨이퍼의 상측에 대향되도록 마련된다. Here, the heating device 150 is provided with a lamp housing 160 covering the upper side of the process chamber 110, a plurality of through holes 165 are formed in the lamp housing 160 at this time. In addition, a plurality of lamp units 170 are disposed in the plurality of through holes 165 of the lamp housing 160 described above, and the plurality of lamp units 170 are provided to face the upper side of the wafer.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 램프유닛(170)은 열을 발산하는 램프(173)와, 이 램프(173)를 지지하는 램프지지부재(176) 및 램프(173)에 의해 발산된 열을 웨이퍼로 집중시키기 위한 반사경(179)을 포함한다. As shown in FIGS. 2 and 3, the lamp unit 170 includes a lamp 173 for dissipating heat, a lamp support member 176 and a lamp 173 for supporting the lamp 173. Reflector 179 for concentrating the light onto the wafer.

이때, 상술한 램프(173)는 할로겐램프가 이용된다. 여기서, 할로겐램프는 일반적인 전구에 바해 수명이 길고, 소형 경량이면서 일반 전구보다 열충격에 훨씬 강해 불이 켜진채 차가운 불이 닿아도 깨지지 않는 특성을 가진다. 그리고, 할로겐램프의 내부에 마련된 필라멘트의 형상이 작아 점광원에 가깝기 때문에 정확하게 광을 컨트롤할 수 있다는 장점을 가지고 있다. In this case, the lamp 173 described above uses a halogen lamp. Here, halogen lamps have a long lifespan compared to general light bulbs, and are compact and lightweight, and are much more resistant to thermal shock than general light bulbs, and thus are not broken even when cold light is touched. In addition, since the shape of the filament provided inside the halogen lamp is small and close to the point light source, it has an advantage of accurately controlling light.

그리고, 램프지지부재(176)의 하부에는 램프(173)가 지지되며, 램프(173)가 지지된 램프지지부재(176)는 상술한 램프하우징(160)의 관통공(165)에 배치된다.The lamp 173 is supported under the lamp support member 176, and the lamp support member 176 on which the lamp 173 is supported is disposed in the through hole 165 of the lamp housing 160 described above.

또한, 반사경(179)은 램프지지부재(176)의 하부 일측에 마련된다. 이때의 반사경(179)은 램프(173)에 의해 발산된 열을 램프의 길이방향으로 발산시켜 에지링(124)에 안착되어 램프(173)의 하측에 배치된 웨이퍼로 집중시키기 위한 역할을 하 게 된다.In addition, the reflector 179 is provided at one lower side of the lamp support member 176. At this time, the reflector 179 serves to dissipate heat radiated by the lamp 173 in the longitudinal direction of the lamp to be concentrated on the wafer disposed on the edge ring 124 and disposed below the lamp 173. do.

구체적으로, 반사경(179)은 램프지지부재(176)의 하부 일측 외주면에 결합되는 원통형상의 결합부(181)와, 램프(173)와 소정거리 이격된 상태로 마련되어 램프(173)에서 발산된 열을 램프(173)의 길이방향으로 반사하는 반사부(182)로 나누어진다.Specifically, the reflector 179 is provided with a cylindrical coupling portion 181 coupled to the outer peripheral surface of the lower one side of the lamp support member 176, and the heat emitted from the lamp 173 provided in a state spaced apart from the lamp 173 a predetermined distance. Is divided into a reflecting portion 182 that reflects in the longitudinal direction of the lamp 173.

이때, 결합부(181)의 내면과, 상술한 램프지지부재(176)의 하부 일측의 외면에는 즉, 결합부(181)와 결합되는 부분에는 나사산이 형성된다. 이로 인해, 결합부(181)와 램프지지부재(176)는 각 나사산들에 의해 나사결합될 수 있다.At this time, the inner surface of the coupling portion 181, the outer surface of the lower side of the above-described lamp support member 176, that is, the thread is formed on the portion coupled to the coupling portion 181. Thus, the coupling portion 181 and the lamp support member 176 may be screwed by the respective threads.

그리고, 상술한 반사부(182)의 내면에는 램프(173)에서 발산된 열을 반사하기 위한 고반사막 예컨대, 알루미늄과 실리콘 등의 박막이 코팅될 수 있다. 또한, 반사부(182)의 형상은 일측이 개구된 타원형상으로 이루어지며, 이때의 반사부(182)는 램프(173)의 길이방향으로 열을 반사하도록 소정의 곡률반경을 구비할 수 있다. In addition, a high reflective film, for example, aluminum and silicon, may be coated on the inner surface of the reflector 182 as described above to reflect heat emitted from the lamp 173. In addition, the shape of the reflector 182 is formed in an elliptical shape with one side open, the reflector 182 at this time may have a predetermined radius of curvature to reflect heat in the longitudinal direction of the lamp 173.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 급속열처리설비의 가열장치의 작용 및 효과에 대해 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the drawings look at the operation and effect of the heating apparatus of the rapid heat treatment equipment according to the present invention.

먼저, 열처리공정을 수행하기 위해서는 웨이퍼(미도시)를 공정챔버(110)의 내부로 이송하여 정전척(120) 즉, 에지링(124)의 상면에 안착시킨다. 그리고, 웨이퍼가 안착되면 지지실린더(126)를 회전시켜 웨이퍼가 안착된 에지링(124)을 회전시키게 된다. 이와 동시에 가열장치(150)의 램프유닛(170)은 외부의 전원공급원(미도시)으로부터 전원을 인가받아 웨이퍼로 열을 발산하게 함으로써 웨이퍼를 가열한 다.First, in order to perform the heat treatment process, the wafer (not shown) is transferred into the process chamber 110 and seated on the top surface of the electrostatic chuck 120, that is, the edge ring 124. When the wafer is seated, the support cylinder 126 is rotated to rotate the edge ring 124 on which the wafer is seated. At the same time, the lamp unit 170 of the heating device 150 receives power from an external power supply source (not shown) to heat the wafer by dissipating heat to the wafer.

이때, 정전척(120)의 리플렉터 플레이트(128)에 마련된 온도감지기(131)는 램프유닛(170)에 의해 가열된 웨이퍼의 온도를 지속적으로 감지한다. 그리고, 온도감지기(131)에서 측정된 온도값과 미리 설정된 온도값을 비교하여 램프유닛(170)의 가열조건을 제어한다.At this time, the temperature sensor 131 provided on the reflector plate 128 of the electrostatic chuck 120 continuously detects the temperature of the wafer heated by the lamp unit 170. Then, the heating condition of the lamp unit 170 is controlled by comparing the temperature value measured by the temperature sensor 131 with a preset temperature value.

한편, 상기와 같이 열처리공정의 수행 시 종래의 급속열처리설비에서는 램프유닛(170)의 램프(173)에서 발산된 열이 램프(173)의 길이방향뿐만 아니라 램프(173)의 좌, 우방향으로도 발산되는데, 본 발명에 따른 가열장치(150)에서는 램프유닛(170)에 반사경(179)이 마련되어 열을 반사시킴으로써 램프(173)의 길이방향으로만 열을 발산시킬 수 있다. On the other hand, when performing the heat treatment process as described above, in the conventional rapid heat treatment facility, heat emitted from the lamp 173 of the lamp unit 170 is not only in the longitudinal direction of the lamp 173 but also in the left and right directions of the lamp 173. In addition, in the heating apparatus 150 according to the present invention, a reflecting mirror 179 is provided in the lamp unit 170 to reflect heat so that heat can be emitted only in the longitudinal direction of the lamp 173.

구체적으로, 램프(173)에서 발산된 열들은 소정의 곡률반경을 구비한 반사경(179)의 반사부(182)에 의해 반사되어 대략 램프(173)의 길이방향으로 각각 발산된다. 이로 인해 본 발명에서는 램프(173)에서 발산된 열은 반사경(179)의 반사부(182)에 의해 반사되어 램프(173)의 하측에 위치한 웨이퍼로 열을 집중시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 램프(173)에서 발산된 열을 웨이퍼 측으로 집중시켜 램프(173)의 효율을 증대시킬 수 있다.Specifically, the heat emitted from the lamp 173 is reflected by the reflector 182 of the reflector 179 having a predetermined radius of curvature and is emitted in the longitudinal direction of the lamp 173, respectively. For this reason, in the present invention, the heat emitted from the lamp 173 may be reflected by the reflector 182 of the reflector 179 to concentrate the heat on the wafer positioned below the lamp 173. Therefore, in the present invention, the heat emitted from the lamp 173 can be concentrated on the wafer side, thereby increasing the efficiency of the lamp 173.

한편, 본 발명은 도시된 도면을 참고로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구의 범위와 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.On the other hand, the present invention has been described with reference to the illustrated drawings, which are merely exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the scope of the present invention should be defined by the appended claims and their equivalents.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 급속열처리설비의 가열장치는 램프에서 발산된 열을 램프의 길이방향으로 반사시켜 발산함으로써 램프의 효율을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the heating apparatus of the rapid heat treatment apparatus according to the present invention has the effect of increasing the efficiency of the lamp by reflecting and dissipating heat emitted from the lamp in the longitudinal direction of the lamp.

그리고, 본 발명에 따른 급속열처리설비의 가열장치는 램프의 효율을 증대시킴으로써 램프에 공급되는 전원을 안정적으로 유지하여 램프의 수명을 연장시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, the heating apparatus of the rapid heat treatment apparatus according to the present invention has an effect of extending the life of the lamp by stably maintaining the power supplied to the lamp by increasing the efficiency of the lamp.

Claims (5)

열처리공정이 수행되는 공정챔버의 상측에 마련되며, 내부에 다수의 관통공이 형성된 램프하우징;A lamp housing provided on an upper side of a process chamber in which a heat treatment process is performed, and having a plurality of through holes formed therein; 상기 관통공에 배치되는 램프지지부재;A lamp support member disposed in the through hole; 상기 램프지지부재에 의해 지지되어 상기 공정챔버에 안착되는 웨이퍼를 가열하도록 열을 발산하는 램프; 및A lamp that is supported by the lamp support member and dissipates heat to heat a wafer seated in the process chamber; And 상기 램프지지부재에 결합되며, 상기 램프에서 발산된 열을 상기 웨이퍼 측으로 집중하도록 상기 열을 반사시키는 반사경을 포함하는 급속열처리설비의 가열장치.And a reflector coupled to the lamp support member and reflecting the heat to concentrate the heat emitted from the lamp toward the wafer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사경은 상기 램프지지부재와 결합되는 결합부 및 상기 램프의 외면과 소정 거리 이격된 상태로 배치되어 열을 반사시키는 반사부로 이루어진 것을 특징으로 하는 급속열처리설비의 가열장치.The reflector is a heating device of a rapid heat treatment facility, characterized in that the coupling portion coupled to the lamp support member and a reflection portion disposed in a state spaced apart from the outer surface of the lamp to reflect the heat. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 결합부의 내면과 상기 결합부에 결합되는 상기 램프지지부재의 하부 일 측에는 나사산이 형성되어, 상기 결합부와 상기 램프지지부재는 나사결합된 것을 특징으로 하는 급속열처리설비의 가열장치.A screw thread is formed on an inner surface of the coupling portion and a lower side of the lamp supporting member coupled to the coupling portion, wherein the coupling portion and the lamp supporting member are screwed to each other. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 반사부는 상기 램프에서 발산된 열을 상기 램프의 길이방향으로 반사되도록 소정의 곡률반경을 구비한 것을 특징으로 하는 급속열처리설비의 가열장치.And the reflector has a predetermined radius of curvature so that heat radiated from the lamp is reflected in the longitudinal direction of the lamp. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 반사부는 일측이 개구된 반타원형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 급속열처리설비의 가열장치.The reflector is a heating device of a rapid heat treatment facility, characterized in that the one side is made of an semi-ellipse opening.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102271601B1 (en) * 2020-01-31 2021-07-01 주식회사 정림이피 Heat Treatment Chamber for Electronic Components with Partly Surface Treatment

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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