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KR20060134860A - Discharge prevention method between feeder lines in the attachment structure of the mounting apparatus, the processing apparatus, and the attachment structure of the mounting apparatus - Google Patents

Discharge prevention method between feeder lines in the attachment structure of the mounting apparatus, the processing apparatus, and the attachment structure of the mounting apparatus Download PDF

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KR20060134860A
KR20060134860A KR1020060056572A KR20060056572A KR20060134860A KR 20060134860 A KR20060134860 A KR 20060134860A KR 1020060056572 A KR1020060056572 A KR 1020060056572A KR 20060056572 A KR20060056572 A KR 20060056572A KR 20060134860 A KR20060134860 A KR 20060134860A
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leg portion
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inert gas
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mounting device
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스스무 가토
도모히토 고마츠
다카시 모치즈키
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동경 엘렉트론 주식회사
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Abstract

본 발명의 목적은 중공 형상의 레그부 내를 방전이 발생하지 않는 압력 분위기로 유지하여 급전선 사이에 있어서의 방전을 방지할 수 있는 탑재대 장치를 제공하는 데에 있다.An object of the present invention is to provide a mounting apparatus capable of preventing the discharge between the feed lines by maintaining the hollow leg portion in a pressure atmosphere in which no discharge occurs.

본 발명에 있어서는, 가열수단(42)이 설치된 탑재대(38)와, 이것을 지지하는 중공 형상의 레그부(40)와, 가열수단에 접속된 급전선(44A, 44B 등)을 갖는 탑재대 장치(36)를 진공배기 가능하게 이루어진 처리용기(4) 내에 부착하는 부착구조에 있어서, 처리용기의 바닥부에 형성된 개구부에, 개구부를 밀폐하여 설치되는 바닥부 부착대(56)와, 레그부의 하단부와 바닥부 부착대 사이에 개재하여 설치되는 연질의 금속재료로 이루어지는 금속 시일 부재(74)와, 레그부의 하단부를 바닥부 부착대쪽에 고정하는 고정수단(72)와, 레그부 내에 불활성 가스를 공급하여 급전선 사이에 방전이 발생하지 않는 압력 분위기로 하는 불활성 가스 공급수단(84)과, 레그부 내의 분위기를, 그 유량을 제한하면서 배출하기 위한 레그부 내 분위기 배기수단(86)을 구비한다.In the present invention, a mounting table apparatus having a mounting table 38 provided with a heating means 42, a hollow leg portion 40 supporting it, and feeders 44A, 44B and the like connected to the heating means ( In the attachment structure for attaching 36 to the processing container 4, which is capable of vacuum evacuation, the bottom mounting table 56 is formed by sealing the opening in the opening formed in the bottom of the processing container, the lower end of the leg portion, A metal seal member 74 made of a soft metal material interposed between the bottom mount, a fixing means 72 for fixing the lower end of the leg to the bottom mount, and an inert gas in the leg. Inert gas supply means 84 which makes a pressure atmosphere in which discharge does not generate | occur | produce between feed lines, and atmosphere discharge means 86 in a leg part for discharging the atmosphere in a leg part, restrict | limiting the flow volume is provided.

Description

탑재대 장치의 부착구조, 처리장치 및 탑재대 장치에 있어서의 급전선 사이의 방전방지방법{JOINING CONSTRUCTION IN MOUNTING TABLE APPARATUS, PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR PROTECTING DISCHARGE BETWEEN ELECTRIC SUPPLY WIRES IN MOUNTING TABLE APPARATUS}JOINING CONSTRUCTION IN MOUNTING TABLE APPARATUS, PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR PROTECTING DISCHARGE BETWEEN ELECTRIC SUPPLY WIRES IN MOUNTING TABLE APPARATUS}

도 1은 본 발명에 관련된 처리장치를 도시한 단면 구성도,1 is a cross-sectional configuration view showing a processing apparatus according to the present invention;

도 2는 처리장치의 주요부를 도시한 확대 단면도,2 is an enlarged sectional view showing a main part of a processing apparatus;

도 3은 탑재대 장치의 레그부의 부착 상태를 도시한 평면도,3 is a plan view showing the attachment state of the leg portion of the mounting apparatus;

도 4는 탑재대 장치의 부착구조를 도시한 분해 사시도.Figure 4 is an exploded perspective view showing the attachment structure of the mounting apparatus.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

2 : 처리장치 4 : 처리용기2: processing device 4: processing container

6 : 샤워헤드부(가스공급수단) 14 : 플라즈마 발생수단6: shower head portion (gas supply means) 14: plasma generating means

28 : 진공배기계 36 : 탑재대 장치28: vacuum exhaust machine 36: mounting apparatus

38 : 탑재대 40 : 레그부38: mount 40: leg portion

42 : 저항가열히터(가열수단) 44A, 44B, 46A, 46B : 급전선42: resistance heating heater (heating means) 44A, 44B, 46A, 46B: feeder

50 : 부착 플랜지부 52 : 부착구조50: mounting flange 52: mounting structure

56 : 바닥부 부착대 58 : 하단 지지판56: bottom mounting plate 58: lower support plate

60 : 덮개부재 70 : 플랜지용 홈부60: cover member 70: flange groove

72 : 고정수단 74 : 금속 시일 부재72: fixing means 74: metal seal member

84 : 불활성 가스 공급수단 86 : 레그부 내 분위기 배기수단84: inert gas supply means 86: atmosphere exhaust means in the leg portion

92 : 가스공급통로 94 : 유량제어기92 gas supply passage 94 flow controller

104 : 가스배기통로 106 : 오리피스 부재104: gas exhaust passage 106: orifice member

W : 반도체 웨이퍼(피처리체)W: semiconductor wafer (object to be processed)

본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에 대하여 진공 분위기 속에서 성막처리 등의 열처리를 행하기 위한 처리장치, 이것에 이용되는 탑재대 장치의 부착구조 및 이 탑재대 장치에 있어서의 급전선 사이의 방전방지방법에 관한 것이다.The present invention provides a processing apparatus for performing heat treatment such as a film forming process in a vacuum atmosphere on a target object such as a semiconductor wafer, an attachment structure of a mounting apparatus used therein, and prevention of discharge between feeders in the mounting apparatus. It is about a method.

일반적으로 반도체집적회로를 제조하기 위해서는 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에 대하여 성막 처리, 에칭 처리, 열확산 처리, 개질 처리 등의 여러 가지 처리를 반복해서 행하여 원하는 집적회로를 형성하게 되어 있다.In general, in order to manufacture a semiconductor integrated circuit, various processes such as a film forming process, an etching process, a thermal diffusion process, and a reforming process are repeatedly performed on a target object such as a semiconductor wafer to form a desired integrated circuit.

예를 들면, 반도체 웨이퍼에 대하여 1매마다 열처리를 실시하는 매엽식의 처리장치를 예로 들어 설명하면, 진공배기 가능하게 이루어진 처리용기 내에, 예를 들면 몰리브덴선으로 이루어지는 저항가열히터를 내장한 탑재대를 용기 바닥부로부 터 기립된 레그부의 상단에 부착하여 설치하고, 이 탑재대 위에 반도체 웨이퍼를 탑재하게 되어 있다. 그리고, 상기와 같이 반도체 웨이퍼를 탑재대 위에 탑재한 상태에서, 이 처리용기 내에 소정의 처리가스를 흐르게 하면서 내부 분위기를 소정의 감압 분위기로 유지하고, 이와 동시에 저항가열히터를 구동하여 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열 유지하여, 성막 처리 등의 소정의 처리를 실시하게 된다.For example, a single wafer type processing apparatus that heat-treats a semiconductor wafer for one sheet will be described as an example. A mounting table in which a resistance heating heater made of, for example, molybdenum wire is embedded in a processing vessel made of vacuum exhaust can be used. Is attached to the upper end of the leg portion standing up from the bottom of the vessel, and the semiconductor wafer is mounted on the mounting table. In the state where the semiconductor wafer is mounted on the mounting table as described above, while maintaining a predetermined pressure-reduced atmosphere while flowing a predetermined processing gas into the processing chamber, the semiconductor wafer is predetermined by driving a resistance heating heater. It heats and maintains at the temperature of, and performs predetermined | prescribed processes, such as a film-forming process.

이 경우, 상기 레그부 내는 중공상태로 되어 있고, 이 안에 상기 저항가열히터로 급전하는 예를 들면 니켈제의 급전선이 배치되어 있다. 또, 필요에 따라 정전 척이나 고주파 전원용의 전극을 사용하는 경우에도 필요한 급전선이 이 중공상태의 레그부 내에 배선된다.In this case, the inside of the leg portion is in a hollow state, and a feed line made of nickel, for example, is fed to the resistance heating heater. If necessary, even in the case of using an electrode for an electrostatic chuck or a high frequency power supply, necessary feed lines are wired in this hollow leg portion.

그런데, 상기 탑재대나 이것을 지지하는 레그부는 일반적으로는 알루미늄 합금이 주로 이용되고 있으나, 주지하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼는 각종 금속오염을 매우 싫어하기 때문에, 상기 알루미늄 합금보다 금속오염의 정도가 적고, 또한 내열성도 우수한 점에서 상기 탑재대나 지주(支柱)의 재료로서 예를 들면 AlN 등의 세라믹재를 이용하는 것이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1).By the way, although the said mounting table and the leg part which supports this are generally mainly used aluminum alloy, since the semiconductor wafer dislikes various metal contamination very much, as for well-known, the degree of metal contamination is less than that of the said aluminum alloy, It is proposed to use a ceramic material such as AlN, for example, as a material for the mounting table and the posts in view of excellent heat resistance (for example, Patent Document 1).

그리고, 상기한 바와 같이 중공 형상의 레그부 내에는 예를 들면 저항가열히터에 대한 급전선 등이 배치되어 있는데, 몰리브덴선으로 이루어지는 저항가열히터와 니켈로 이루어지는 급전선과의 접합부는 공기에 의하여 비교적 용이하게 산화되어 열화되기 쉬우므로, 레그부 내에는 불활성 가스가 충전되어 있다. 이 경우, 상기 급전선 사이에는 200볼트 정도의 전위차가 발생하고 있기 때문에, 이 중공 형상의 레그부 내가 어느 정도의 감압 분위기, 예를 들면 1∼10 Torr(133∼1330 Pa) 정 도가 되면, 급전선 사이에 방전이 발생하게 되므로, 웨이퍼 처리 중에 이 방전이 발생하는 것을 방지해야만 한다. 그 때문에, 종래의 처리장치에 있어서는 상기한 중공 형상의 레그부 내를, 상기 방전이 발생하지 않는 압력 분위기로 설정하도록 하고 있다. 이 방법으로서는 이하의 방법 1∼방법 3이 주로 행해지고 있다.As described above, a feed line for a resistance heating heater is disposed in the hollow leg portion, for example, but the junction between the resistance heating heater made of molybdenum wire and the feed line made of nickel is relatively easy by air. Since it is easy to oxidize and deteriorate, an inert gas is filled in the leg part. In this case, since a potential difference of about 200 volts is generated between the feed lines, when the hollow leg portion reaches a certain decompression atmosphere, for example, 1 to 10 Torr (133 to 1330 Pa), Since a discharge will occur during the wafer processing, this discharge must be prevented during wafer processing. Therefore, in the conventional processing apparatus, the inside of said hollow leg part is set to the pressure atmosphere in which the said discharge does not generate | occur | produce. As this method, the following methods 1 to 3 are mainly performed.

방법 1에서는 중공 형상의 레그부 내의 시일링을 거의 행하지 않고 이 안에 대량의 불활성 가스를 항상 주입하고 이 불활성 가스를 처리용기 내로 누출시키도록 함으로써 방전의 발생을 방지하고 있다(특허문헌 1의 도 1).In Method 1, almost no sealing in the hollow leg portion is performed, and a large amount of inert gas is always injected therein to allow the inert gas to leak into the processing vessel, thereby preventing the occurrence of discharge (Fig. 1 of Patent Document 1). ).

방법 2에서는 중공 형상의 레그부의 하단부를 O-링 등의 시일링성이 매우 높은 시일부재에 의해서 레그부 내의 기밀을 유지하고, 이 레그부 내에 불활성 가스를 충전함으로써 방전의 발생을 방지하고 있다(특허문헌 1의 도 2).In Method 2, the lower end portion of the hollow leg portion is kept tight in the leg portion by a sealing member having a very high sealing property such as an O-ring, and the generation of discharge is prevented by filling an inert gas in the leg portion (patent) 2 of document 1).

방법 3에서는 중공 형상의 레그부의 하단부를 용접이나 접착에 의하여 완전히 기밀하게 고정하는 동시에, 이 레그부 내에 소정 압력의 불활성 가스를 봉입함으로써 방전의 발생을 방지하고 있다(특허문헌 1의 도 3).In the method 3, the lower end part of a hollow leg part is completely airtightly fixed by welding or adhesion, and the generation | occurrence | production of discharge is prevented by enclosing an inert gas of predetermined pressure in this leg part (FIG. 3 of patent document 1).

특허문헌 1. 일본 실용신안공개공보 평3-128668호Patent Document 1. Japanese Utility Model Publication No. HEI 3-128668

상술한 바와 같이 각 방법 1∼3에 의하면 중공 형상의 레그부 내는 일정한 압력 분위기로 유지되므로, 여기에 배치되는 급전선 사이에 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있다.As described above, according to each of the methods 1 to 3, since the inside of the hollow leg portion is maintained in a constant pressure atmosphere, discharge can be prevented from occurring between the feeder lines disposed therein.

그러나, 상기 각 방법 1∼3에는 이하와 같은 문제점이 있었다. 즉, 방법 1 의 경우에는 중공 형상의 레그부 내의 압력은 대기압 이상이기 때문에 처리용기 내에 대량의 불활성 가스가 흘러들어가게 되므로, 이 흘러들어간 불활성 가스가 처리중인 반도체 웨이퍼에 대하여 악영향을 주는 경우가 있었다.However, each of the methods 1 to 3 had the following problems. That is, in the method 1, since the pressure in a hollow leg part is more than atmospheric pressure, a large amount of inert gas flows into a processing container, and this inert gas may adversely affect the processing semiconductor wafer.

또, 방법 2의 경우에는 시일부재인 O-링의 내열온도는 예를 들면 240℃ 정도이므로, 열처리 중에 시일부재의 온도가 내열온도를 초과한 경우에는 시일링성이 열화되어 버려, 방전방지기능을 충분히 다할 수 없게 되거나 시일부재의 교환 등의 메인터넌스 작업을 빈번하게 행해야만 했다. 또, 저항가열히터의 온도변화에 따라서 이 중공 형상의 레그부 내의 압력은 변동하나, 통상은 열전도에 의한 방열을 최대한 억제하기 위하여 레그부의 두께는 매우 얇게 하고 있기 때문에, 상기한 압력변동의 반복에 따라 이 레그부 자체가 파손되는 경우가 있었다.In the case of Method 2, the heat resistance temperature of the O-ring as the seal member is, for example, about 240 ° C. Therefore, when the temperature of the seal member exceeds the heat resistance temperature during heat treatment, the sealing property is deteriorated, and the discharge preventing function is prevented. It could not be enough, or maintenance work such as replacement of the seal member had to be frequently performed. In addition, the pressure in the hollow leg portion fluctuates according to the temperature change of the resistance heating heater. However, in order to suppress heat dissipation due to heat conduction, the thickness of the leg portion is made very thin. Therefore, this leg part itself may be damaged.

또, 방법 3의 경우에는 레그부의 하단부를 용접 등에 의하여 완전히 밀폐상태로 접합하기 때문에, 무언가 문제점이 있는 경우에는 메인터넌스 작업을 행할 수 없을 뿐만 아니라 접합부분에 열응력 집중이 발생하여 파손의 원인이 되어 버렸다. 또한, 상기 방법 2의 경우와 마찬가지로 중공 형상의 레그부 내의 압력변동이 발생하여 레그부 자체가 파손되는 경우도 있었다.In addition, in the case of Method 3, the lower end of the leg is joined in a completely sealed state by welding or the like. Therefore, if there is a problem, maintenance work cannot be performed and thermal stress can be concentrated at the joint, causing damage. Discarded. In addition, similarly to the method 2, pressure fluctuations in the hollow leg portions occurred, and the leg portions themselves were damaged.

본 발명은 이상과 같은 문제점에 착안하여 이를 유효하게 해결하기 위하여 창안된 것이다. 본 발명의 목적은 레그부의 하단부를 미량의 누출이 허용되는 금속 시일 부재로 밀봉하면서 충분히 대량의 불활성 가스의 공급과 배기를 동시에 행함으로써, 중공 형상의 레그부 내를 방전이 발생하지 않는 압력 분위기로 유지하여 급전선 사이에 있어서의 방전을 방지할 수 있는 탑재대 장치의 부착구조, 처리장치 및 탑재대 장치에 있어서의 급전선 사이의 방전방지방법을 제공하는 데에 있다.The present invention has been devised to solve the above problems effectively. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to simultaneously supply and exhaust a large amount of inert gas while simultaneously sealing a lower end portion of a leg portion with a metal seal member that allows a small amount of leakage, thereby providing a pressure atmosphere in which no discharge occurs in the hollow leg portion. The present invention provides a mounting structure of a mounting apparatus that can hold and prevent a discharge between power feeding lines, and a method of preventing discharge between feeding lines in a processing apparatus and a mounting apparatus.

청구항 1에 관련된 발명은, 가열수단이 설치되어 상면에 피처리체를 탑재하는 탑재대와; 상기 탑재대로부터 아래쪽으로 연장되어 내부가 중공 형상으로 이루어지는 동시에, 하단이 개방된 레그부와; 상기 중공 형상의 레그부 내에 수용되어 상단이 상기 가열수단에 접속된 급전선; 을 갖는 탑재대 장치를 진공배기 가능하게 이루어진 처리용기 내에 부착하는 부착구조에 있어서, 상기 처리용기의 바닥부에 형성된 개구부에, 상기 개구부를 밀폐하여 설치되는 바닥부 부착대와; 상기 레그부의 하단부와 상기 바닥부 부착대 사이에 개재하여 설치되는 연질의 금속재료로 이루어지는 금속 시일 부재와; 상기 레그부의 하단부를 상기 바닥부 부착대쪽에 고정하는 고정수단과; 상기 레그부 내에 불활성 가스를 공급하여 상기 급전선 사이에 방전이 발생하지 않는 압력 분위기로 하는 불활성 가스 공급수단과; 상기 레그부 내의 분위기를, 그 유량을 제한하면서 배출하기 위한 레그부 내 분위기 배기수단; 을 구비한 것을 특징으로 하는 탑재대 장치의 부착구조이다.The invention according to claim 1, further comprising: a mounting table on which a heating means is mounted, on which an object to be processed is mounted; A leg portion extending downward from the mount so that the inside has a hollow shape and the lower end thereof is opened; A feeder line accommodated in the hollow leg portion and having an upper end connected to the heating means; An attachment structure for attaching a mounting apparatus having a vacuum in a processing vessel configured to enable vacuum evacuation, the mounting structure comprising: a bottom mounting portion installed by sealing the opening in an opening formed in a bottom portion of the processing vessel; A metal seal member made of a soft metal material interposed between the lower end of the leg portion and the bottom mount; Fixing means for fixing the lower end of the leg portion to the bottom attaching side; Inert gas supply means for supplying an inert gas into the leg portion to form a pressure atmosphere in which no discharge occurs between the feed lines; Atmosphere exhaust means in the leg portion for discharging the atmosphere in the leg portion while restricting its flow rate; Attachment structure of the mounting apparatus, characterized in that provided with.

이와 같이 탑재대의 중공 형상의 레그부의 하단부를, 미량의 누출이 허용되는 금속 시일 부재로 밀봉하면서 레그부 내에 상기 누출량보다 상당히 큰 유량의 불활성 가스를 공급하는 동시에, 이 분위기를 유량 제한하면서 배출하도록 하였으므로, 중공 형상의 레그부 내를 급전선 사이에 방전이 발생하지 않는 압력 분위기로 유지할 수 있다.Thus, the lower end portion of the hollow leg portion of the mounting table was sealed with a metal seal member allowing a small amount of leakage while supplying an inert gas having a flow rate substantially larger than the leakage amount in the leg portion, and discharging the atmosphere while restricting the flow rate. The inside of the hollow leg portion can be maintained in a pressure atmosphere in which no discharge occurs between the feed lines.

또, 처리용기 내로 누출하는 불활성 가스의 유량은 근소하므로, 피처리체의 처리에 악영향을 주는 일도 없다. 또한, 탑재대의 레그부의 하단부는 용착 등에 의하여 접합 고정되어 있지 않고, 고정수단에 의하여 조임 고정되어 있을 뿐이므로, 열 신축에 따른 슬라이딩이 허용되게 되고, 그 결과, 고정부분에 가해지는 열응력을 완화시켜서 파손 등의 발생을 방지할 수 있다.In addition, since the flow rate of the inert gas leaking into the processing container is small, it does not adversely affect the treatment of the processing target object. In addition, since the lower end of the leg portion of the mounting table is not bonded and fixed by welding or the like, and is only tightened and fixed by the fixing means, sliding due to thermal expansion and contraction is allowed, and as a result, the thermal stress applied to the fixing portion is alleviated. It is possible to prevent the occurrence of breakage and the like.

이 경우, 예를 들면 청구항 2에 규정한 바와 같이, 상기 탑재대와 상기 레그부는 모두 세라믹재로 이루어진다.In this case, for example, as described in claim 2, both the mounting table and the leg portion are made of ceramic material.

또, 예를 들면 청구항 3에 규정한 바와 같이, 상기 레그부의 하단에는 부착 플랜지부가 설치되어 있고, 상기 금속 시일 부재의 폭은 상기 플랜지부의 폭보다 작게 이루어져 있다.For example, as defined in claim 3, an attachment flange portion is provided at the lower end of the leg portion, and the width of the metal seal member is smaller than the width of the flange portion.

또, 예를 들면 청구항 4에 규정한 바와 같이, 상기 바닥부 부착대에는 상기 부착 플랜지부를 수용하기 위한 플랜지용 홈부가 형성되어 있다.For example, as defined in claim 4, a flange groove portion for accommodating the attachment flange portion is formed in the bottom mount.

또, 예를 들면 청구항 5에 규정한 바와 같이, 상기 레그부 내 분위기 배기수단은 가스배기통로와; 상기 가스배기통로에 개재하여 설치되는 오리피스 부재; 를 갖는다.Further, as defined in, for example, claim 5, the atmosphere exhaust means in the leg portion includes a gas exhaust passage; An orifice member interposed in the gas exhaust passage; Has

또, 예를 들면 청구항 6에 규정한 바와 같이, 상기 가스배기통로는 상기 처리용기 내를 진공배기하는 진공배기계에 접속되어 있고, 상기 불활성 가스의 유량은 상기 가스배기통로 내를 흐르는 가스가 상기 처리용기 내로 역류하지 않는 유량으로 설정된다.For example, as defined in claim 6, the gas exhaust passage is connected to a vacuum exhaust machine for evacuating the inside of the processing vessel, and the flow rate of the inert gas is controlled by the gas flowing in the gas exhaust passage. It is set at a flow rate that does not flow back into the vessel.

또, 예를 들면 청구항 7에 규정한 바와 같이, 상기 불활성 가스 공급수단은 가스공급통로와; 상기 가스공급통로에 개재하여 설치되는 유량제어기; 를 갖는다.For example, as defined in claim 7, the inert gas supply means includes a gas supply passage; A flow controller installed in the gas supply passage; Has

또, 예를 들면 청구항 8에 규정한 바와 같이, 상기 불활성 가스 공급량은 상 기 금속 시일 부재에 있어서의 누출량보다 한 자릿수 이상 커지는 유량으로 설정되는 동시에, 상기 오리피스 부재의 개구 스로틀은 상기 금속 시일 부재의 누출량보다 한 자릿수 이상 큰 유량이 되도록 설정된다.For example, as defined in claim 8, the inert gas supply amount is set to a flow rate that is one digit or more larger than the leak amount in the metal seal member, and the opening throttle of the orifice member is The flow rate is set to be one digit larger than the leak rate.

또, 예를 들면 청구항 9에 규정한 바와 같이, 상기 불활성 가스 공급수단의 가스 출구는 상기 바닥부 부착대에 설치되어 있다.For example, as defined in Claim 9, the gas outlet of the said inert gas supply means is provided in the said bottom mounting stand.

또, 예를 들면 청구항 10에 규정한 바와 같이, 상기 고정수단은 고온 내구성이 있고도 상기 피처리체에 대하여 금속오염이 잘 생기지 않는 재료로 이루어진다.For example, as described in claim 10, the fixing means is made of a material having high temperature durability and hardly causing metal contamination with respect to the workpiece.

또, 예를 들면 청구항 11에 규정한 바와 같이, 상기 고정수단은 상기 레그부의 하단부를 누르는 누름판과; 상기 누름판을 고정하는 금속볼트와; 상기 금속볼트에 끼워 넣어지는 스프링 좌금; 으로 이루어진다.Further, for example, as described in claim 11, the fixing means includes a pressing plate for pressing the lower end of the leg portion; A metal bolt fixing the pressing plate; A spring seat inserted into the metal bolt; Is done.

또, 예를 들면 청구항 12에 규정한 바와 같이, 상기 바닥부 부착대는 상기 금속 시일 부재를 개재하여 상기 레그부의 하단부를 직접 받기 위하여 고온 내구성이 있고도 열전도성이 낮은 금속재료로 이루어지는 링 형상의 하단 지지판과; 상기 링 형상의 하단 지지판의 개구를 기밀하게 막기 위한 덮개부재; 로 이루어진다.Further, for example, as defined in claim 12, the bottom mount is a ring-shaped lower end made of a metal material having high temperature durability and low thermal conductivity in order to directly receive the lower end of the leg portion via the metal seal member. A support plate; A cover member for hermetically blocking an opening of the ring-shaped lower support plate; Is made of.

청구항 13에 관련된 발명은, 피처리체에 대하여 소정의 열처리를 실시하기 위한 처리장치에 있어서, 진공배기 가능하게 이루어진 처리용기와; 상기 처리용기 내로 상기 열처리에 필요한 가스를 공급하는 가스공급수단과; 상기 처리용기 내를 진공배기하는 진공배기계와; 상기의 어느 하나에 기재된 탑재대 장치 및 부착구조; 를 구비한 것을 특징으로 하는 처리장치이다.According to claim 13, there is provided a processing apparatus for performing a predetermined heat treatment on an object to be processed, comprising: a processing vessel configured to enable vacuum exhaust; Gas supply means for supplying a gas necessary for the heat treatment into the processing container; A vacuum exhaust machine for evacuating the inside of the processing container; Mounting device and attachment structure described in any one of the above; It is a processing apparatus characterized by having a.

이 경우, 예를 들면 청구항 14에 규정한 바와 같이, 상기 처리용기 내에서 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단이 설치된다.In this case, for example, as defined in claim 14, plasma generating means for generating plasma in the processing container is provided.

청구항 15에 관련된 발명은, 가열수단이 설치되어 상면에 피처리체를 탑재하는 탑재대와; 상기 탑재대로부터 아래쪽으로 연장되어 내부가 중공 형상으로 이루어지는 동시에, 하단이 개방된 레그부와; 상기 중공 형상의 레그부 내에 수용되어 상단이 상기 가열수단에 접속된 급전선; 을 갖는 탑재대 장치를 진공배기 가능하게 이루어진 처리용기 내에 부착하는 부착구조에 있어서, 상기 처리용기의 바닥부에 형성된 개구부에, 상기 개구부를 밀폐하여 설치되는 바닥부 부착대와; 상기 레그부의 하단부와 상기 바닥부 부착대 사이에 개재하여 설치되는 연질의 금속재료로 이루어지는 금속 시일 부재와; 상기 레그부의 하단부를 상기 바닥부 부착대쪽에 고정하는 고정수단과; 상기 레그부 내에 불활성 가스를 공급하여 상기 급전선 사이에 방전이 발생하지 않는 압력 분위기로 하는 불활성 가스 공급수단과; 상기 레그부 내의 분위기를, 그 유량을 제한하면서 배출하기 위한 레그부 내 분위기 배기수단; 을 구비한 것을 특징으로 하는 탑재대 장치에 있어서의 급전선 사이의 방전방지방법에 있어서, 상기 레그부의 하단부를, 진공배기 가능하게 이루어진 처리용기의 바닥부쪽에, 연질의 금속재료로 이루어지는 시일부재를 개재하여 부착 고정하고, 상기 중공 형상의 레그부 내에, 상기 금속 시일 부재에 있어서의 누출량보다 큰 유량으로 불활성 가스를 공급하는 동시에, 상기 중공 형상의 레그부 내의 분위기를 상기 누출량보다 큰 유량으로 상기 처리용기 내를 경유하지 않고 배출함으로써, 상기 레그부 내를 방전이 발생하지 않는 압력 분위기로 유지하도록 한 것을 특징으로 하는 탑재대 장치에 있어서의 급전선 사이의 방전방지방법이다.The invention according to claim 15 includes: a mounting table on which a heating means is mounted, and on which an object to be processed is mounted; A leg portion extending downward from the mount so that the inside has a hollow shape and the lower end thereof is opened; A feeder line accommodated in the hollow leg portion and having an upper end connected to the heating means; An attachment structure for attaching a mounting apparatus having a vacuum in a processing vessel configured to enable vacuum evacuation, the mounting structure comprising: a bottom mounting portion installed by sealing the opening in an opening formed in a bottom portion of the processing vessel; A metal seal member made of a soft metal material interposed between the lower end of the leg portion and the bottom mount; Fixing means for fixing the lower end of the leg portion to the bottom attaching side; Inert gas supply means for supplying an inert gas into the leg portion to form a pressure atmosphere in which no discharge occurs between the feed lines; Atmosphere exhaust means in the leg portion for discharging the atmosphere in the leg portion while restricting its flow rate; In the discharge prevention method between feeder lines in the mounting apparatus, the lower end part of the said leg part is interposed the sealing member which consists of a soft metal material in the bottom part of the processing container which can be evacuated. And inert gas is supplied into the hollow leg portion at a flow rate greater than that of the metal seal member, and the atmosphere in the hollow leg portion is flown at a flow rate larger than the leakage volume. The discharge prevention method between the feeder lines in the mounting apparatus is characterized by discharging without passing through the inside to maintain the inside of the leg portion in a pressure atmosphere in which no discharge occurs.

이하에, 본 발명에 관련된 탑재대 장치의 부착구조, 처리장치 및 탑재대 장치에 있어서의 급전선 사이의 방전방지방법의 일 실시예를 첨부도면에 의거하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, one Example of the attachment structure of the mounting apparatus of this invention, a processing apparatus, and the discharge prevention method between the feeders in a mounting apparatus is described in detail based on an accompanying drawing.

도 1은 본 발명에 관련된 처리장치를 도시한 단면 구성도, 도 2는 처리장치의 주요부를 도시한 확대 단면도, 도 3은 탑재대 장치의 레그부의 부착 상태를 도시한 평면도, 도 4는 탑재대 장치의 부착구조를 도시한 분해 사시도이다. 또한, 여기서는 피처리체인 반도체 웨이퍼에 대하여 플라즈마 CVD에 의해서 성막처리를 행하는 경우를 예로 들어 설명한다.1 is a cross-sectional configuration view showing a processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing the main part of the processing apparatus, FIG. 3 is a plan view showing the attachment state of the leg portion of the mounting apparatus, and FIG. 4 is a mounting table. An exploded perspective view showing the attachment structure of the device. In this example, a film forming process is performed by plasma CVD on a semiconductor wafer as an object to be processed.

도시한 바와 같이, 이 처리장치(2)는 예를 들면 니켈, 니켈 합금, 또는 알루미늄 합금 등에 의하여 원통체 형상으로 성형된 처리용기(4)를 갖고 있다. 이 처리용기(4)의 천정부에는 가스공급수단으로서 하면에 다수의 가스분출구멍(6A, 6B)를 갖는 샤워헤드부(6)가 설치되어 있고, 이것에 의하여 처리가스로서 예를 들면 성막가스 등을 처리용기(4) 내의 처리공간(S)으로 도입할 수 있게 되어 있다. 이 샤워헤드부(6) 내는 예를 들면 두 개의 가스공간(8A, 8B)으로 분리 구획되는 동시에 각 가스공간(8A, 8B)에 상기 각 가스분출구멍(6A, 6B)이 각각 연통되어 있고, 처리공간(S)에서 두 개의 가스를 처음으로 혼합할 수 있게 되어 있다. 또한, 이 가스공급형태를 포스트믹스라고 부른다.As shown, this processing apparatus 2 has the processing container 4 shape | molded in cylindrical shape by nickel, nickel alloy, aluminum alloy, etc., for example. The ceiling of this processing container 4 is provided with a shower head portion 6 having a plurality of gas ejection holes 6A and 6B at its lower surface as a gas supply means. Can be introduced into the processing space S in the processing container 4. The shower head part 6 is divided into two gas spaces 8A and 8B, for example, and the gas ejection holes 6A and 6B are in communication with each gas space 8A and 8B, respectively. In the processing space S, two gases can be mixed for the first time. This gas supply form is also called postmix.

이 샤워헤드부(6)의 전체는 예를 들면 니켈, 니켈 합금, 알루미늄 합금 등의 도전체에 의하여 형성되어 있고, 상부 전극을 겸하고 있다. 이 상부 전극인 샤워헤드부(6)의 외주쪽에는 예를 들면 석영이나 알루미나(Al2O3) 등으로 이루어지는 절연체(10)를 개재하여 처리용기(4)의 천정부쪽에 절연상태로 부착 고정되어 있다. 이 경우, 상기 샤워헤드부(6)와 절연체(10)와 처리용기(4)의 각 접합부 사이에는 예를 들면 O-링 등으로 이루어지는 시일부재(20)가 각각 개재되어 있어, 처리용기(4) 내의 기밀성을 유지하게 되어 있다.The entire shower head portion 6 is formed of, for example, a conductor such as nickel, a nickel alloy, an aluminum alloy, and also serves as an upper electrode. On the outer circumferential side of the shower head portion 6, which is the upper electrode, is attached and fixed to the ceiling of the processing vessel 4 via an insulator 10 made of, for example, quartz or alumina (Al 2 O 3 ). have. In this case, a sealing member 20 made of, for example, an O-ring or the like is interposed between each of the shower head 6, the insulator 10, and each joining portion of the processing container 4, thereby processing the processing container 4. ) Confidentiality is maintained.

그리고, 이 샤워헤드부(6)에는 플라즈마 발생수단(14)으로서 예를 들면 450㎑의 고주파 전압을 발생하는 고주파 전원(16)이 매칭회로(18)를 개재하여 접속되어 있어, 상기 상부 전극인 샤워헤드부(6)에 필요에 따라서 고주파 전압을 인가하게 되어 있다. 또한, 이 고주파 전압의 주파수는 450㎑에 한정되지 않고 다른 주파수, 예를 들면 13.56㎒ 등을 이용해도 된다.The shower head portion 6 is connected to a high frequency power supply 16 for generating a high frequency voltage of, for example, 450 mA via the matching circuit 18 as the plasma generating means 14, which is the upper electrode. The high frequency voltage is applied to the shower head 6 as needed. In addition, the frequency of this high frequency voltage is not limited to 450 kHz, A different frequency, for example, 13.56 MHz may be used.

그리고, 이 처리용기(4)의 측벽에는 피처리체인 반도체 웨이퍼(W)를 반출입하기 위한 반출입구(20)가 형성되어 있고, 이것에는 게이트 밸브(22)가 설치되어 개폐 가능하게 되어 있다. 이 게이트 밸브(22)에는 도시하지 않은 로드 로크실이나 트랜스퍼 챔버 등이 접속된다.The sidewall of the processing container 4 is provided with a carry-out port 20 for carrying in and out of the semiconductor wafer W as an object to be processed, and a gate valve 22 is provided therein to enable opening and closing. The load lock chamber, transfer chamber, etc. which are not shown in figure are connected to this gate valve 22.

또, 이 처리용기(4)의 바닥부(24)에는 배기구(26)가 마련되어 있고, 이 배기구(26)에는 처리용기(4) 내를 진공배기하는 진공배기계(28)가 접속되어 있다. 구체적으로는 이 진공배기계(28)는 상기 배기구(26)에 접속되는 주 배기통로(30)를 갖고 있고, 이 주 배기통로(30)에는 압력제어밸브(32) 및 진공펌프(34)가 각각 순 차적으로 개재하여 설치되어 있어, 상술한 바와 같이 처리용기(4) 내의 분위기를 진공배기하여 소정의 압력으로 유지할 수 있게 되어 있다. 그리고, 이 처리용기(4) 내에는 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하기 위하여 그 바닥부쪽으로부터 기립된 탑재대 장치(36)가 설치되어 있다. 이 탑재대 장치(36)는 하부 전극을 겸하고 있고, 이 하부 전극인 탑재대 장치(36)와 상기 상부 전극인 샤워헤드부(6)와의 사이의 처리공간(S)에 고주파 전압에 의하여 플라즈마를 세울 수 있게 되어 있다.In addition, an exhaust port 26 is provided at the bottom 24 of the processing container 4, and a vacuum exhaust machine 28 for evacuating the inside of the processing container 4 is connected to the exhaust port 26. Specifically, the vacuum exhaust machine 28 has a main exhaust passage 30 connected to the exhaust port 26, and the pressure control valve 32 and the vacuum pump 34 are respectively provided in the main exhaust passage 30. It is provided via one by one, and it is possible to evacuate the atmosphere in the processing container 4 and to maintain it at predetermined pressure as mentioned above. And in this processing container 4, the mounting apparatus 36 standing up from the bottom side is provided in order to mount the semiconductor wafer W as a to-be-processed object. The mount device 36 also serves as a lower electrode, and plasma is applied to the processing space S between the mount device 36 as the lower electrode and the showerhead portion 6 as the upper electrode by a high frequency voltage. It is to be built.

구체적으로는 이 탑재대 장치(36)는 그 상면에 웨이퍼(W)를 실제로 탑재하는 탑재대(38)와, 이것으로부터 아래쪽으로 연장되어 내부가 중공 형상, 즉 원통체 형상으로 이루어지고 하단이 개방된 레그부(40)에 의하여 주로 구성되어 있다. 상기 탑재대(38)와 레그부(40)는 모두 예를 들면 AlN 등의 세라믹재로 형성되어 있다. 상기 탑재대(38)의 상부쪽에는 이것에 탑재된 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 가열수단으로서 저항가열히터(42)가 매립되게 하여 설치되어 있다. 이 저항가열히터(42)는 예를 들면 몰리브덴선으로 이루어지며, 이 저항가열히터(42)는 여기서는 내측 영역 히터(42A)와 외측 영역 히터(42B)로 동심 형상으로 2 분할되어 있고, 각 영역마다 가열온도를 제어할 수 있게 되어 있다. 또한, 이 영역 수는 특별히 한정되지 않으며, 단일 영역이어도 되고 세 개의 영역 이상이어도 된다. 그리고, 각 영역마다의 히터(42A, 42B)의 접속단자는 탑재대(38)의 중심부에 위치되며, 여기서 각 접속단자는 히터(42A, 42B)마다 아래쪽으로 연장되는 급전선(44A, 44B 및 46A, 46B)의 상단부에 예를 들면 Ni-Au 납땜에 의하여 접속되어 있다.Specifically, the mounting apparatus 36 has a mounting table 38 for actually mounting the wafer W on its upper surface, and extends downwardly from the mounting table 38 so as to have a hollow shape, that is, a cylindrical shape, and the lower end thereof is opened. The leg part 40 is mainly comprised. The mounting table 38 and the leg portion 40 are both made of ceramic material such as AlN. An upper portion of the mounting table 38 is provided with a resistance heating heater 42 embedded therein as a heating means for heating the wafer W mounted thereon. The resistance heating heater 42 is made of, for example, a molybdenum wire, and the resistance heating heater 42 is divided into two concentric sections into the inner region heater 42A and the outer region heater 42B. Each heating temperature can be controlled. The number of regions is not particularly limited, and may be a single region or three or more regions. The connection terminals of the heaters 42A and 42B for each region are located at the center of the mounting table 38, where each connection terminal is fed to the feed lines 44A, 44B and 46A which extend downwards for each of the heaters 42A and 42B. , 46B) is connected to, for example, Ni-Au soldering.

이들 각 급전선(44A, 44B, 46A, 46B)은 예를 들면 Ni에 의하여 막대형상으로 성형되어 있고, 중공 형상의 레그부(40) 내를 아래쪽으로 향하여 연장되어 있다. 또, 이 상기 저항가열히터(42)의 위쪽에는 도전재료로 이루어지는 메시 형상의 전극(48)이 매립되어 있고, 이 전극(48)은 도시하지 않은 도전선에 의하여 접지되어, 상술한 바와 같이 하부 전극을 형성하고 있다. 또한, 이 전극에 바이어스용의 고주파 전압을 인가하는 경우도 있다.Each of these feed lines 44A, 44B, 46A, 46B is formed into a rod shape by Ni, for example, and extends inside the hollow leg portion 40 downward. In addition, a mesh-shaped electrode 48 made of a conductive material is embedded above the resistance heating heater 42, and the electrode 48 is grounded by a conductive wire (not shown). An electrode is formed. In addition, a high frequency voltage for bias is sometimes applied to this electrode.

또, 상기 원통체 형상의 세라믹제의 레그부(40)의 상단은 상기 탑재대(38)의 중앙부의 하면에 기밀하게 용접 접합되어 있다. 그리고, 이 레그부(40)의 하단부에는 도 2∼도 4에도 도시한 바와 같이 지름방향으로 원판 형상으로 확장되어 이루어지는, 마찬가지로 세라믹제의 부착 플랜지부(50)가 설치되어 있다.The upper end of the cylindrical ceramic leg portion 40 is hermetically welded to the lower surface of the center portion of the mounting table 38. At the lower end of the leg portion 40, as shown in Figs. 2 to 4, a ceramic attachment flange 50, which extends in a disk shape in the radial direction, is similarly provided.

그리고, 이와 같이 형성된 탑재대 장치(36)의 레그부(40)의 하단부가, 본 발명의 특징으로 하는 부착구조(52)에 의해서 용기 바닥부(24)쪽에 설치한 개구부(54)에 부착 고정된다. 구체적으로는 상기 부착구조(52)는 상기 개구부(54)를 밀폐하는 바닥부 부착대(56)를 갖고 있고, 이 상면쪽에 상기 레그부(40)의 하단의 부착 플랜지부(50)를 부착 고정하게 되어 있다. 즉, 상기 바닥부 부착대(56)는 고온 내구성이 있고도 열전도성이 낮은 금속재료인 예를 들면 니켈제의 링 형상의 하단 지지판(58)과, 이 링 형상의 하단 지지판(58)의 개구를 덮기 위하여 아래쪽으로 오목부 형상으로 성형되어 이루어지는 예를 들면 알루미늄 합금제의 덮개부재(60)로 이루어지며, 양자는 예를 들면 O-링 등의 시일부재(62)를 개재하여 볼트(64)에 의하여 기밀하게 서로 접합되어 있다. 또, 상기 하단 지지판(58)의 주변부는 O-링 등의 시일부재(66)를 개재하여 볼트(68)에 의하여, 개구부(54)가 형성된 용기 바닥부(24)에 기밀하게 접합되어 있다.And the lower end of the leg part 40 of the mounting apparatus 36 formed in this way is attached and fixed to the opening part 54 provided in the container bottom part 24 by the attachment structure 52 characterized by this invention. do. Specifically, the attachment structure 52 has a bottom attachment stage 56 for sealing the opening 54, and attaches and fixes the attachment flange portion 50 at the lower end of the leg portion 40 to this upper surface side. It is supposed to be done. That is, the bottom mount 56 is a metal material having a high temperature durability and low thermal conductivity, for example, a ring-shaped lower support plate 58 made of nickel and an opening of the ring-shaped lower support plate 58. The cover member 60 is formed of, for example, an aluminum alloy formed downwardly in order to cover the concave portion, and both of the bolts 64 are interposed, for example, through a seal member 62 such as an O-ring. They are hermetically bonded to each other by. In addition, the periphery of the lower support plate 58 is hermetically bonded to the container bottom 24 having the opening 54 formed by the bolt 68 via a sealing member 66 such as an O-ring.

그리고, 상기 링 형상의 하단 지지판(58)의 내주쪽에는 상기 레그부(40)의 부착 플랜지부(50)를 수용하기 위한 플랜지용 홈부(70)(도 4도 참조)가 형성되어 있고, 이 플랜지용 홈부(70)에, 상기 부착 플랜지부(50)를 수용하고, 이것을 고정수단(72)에 의해서 바닥부 부착대(56)쪽에 고정하고 있다.In addition, a flange groove portion 70 (see FIG. 4) for accommodating the attachment flange portion 50 of the leg portion 40 is formed on the inner circumferential side of the ring-shaped lower support plate 58. The attachment flange portion 50 is accommodated in the flange groove portion 70 and is fixed to the bottom attachment stage 56 by the fixing means 72.

여기서, 상기 플랜지용 홈부(70)의 바닥부와 상기 부착 플랜지부(50)의 하면과의 사이에는 본 발명의 특징으로 하는 내식성이 있고도 연질인 금속재료, 예를 들면 순 알루미늄으로 이루어지는 링 형상의 금속 시일 부재(74)가 개재되어 있다. 이 금속 시일 부재(74)로서 금속 패킹이나 금속 가스켓을 이용할 수 있다. 이에 의하여, 이 금속 시일 부재(74)는 근소한 양의 누출을 허용하면서 이곳을 밀봉할 수 있게 되어 있다. 여기서, 상기 금속 시일 부재(74)의 폭(L1)(도 4 참조)은 상기 부착 플랜지부(50)의 폭(L2)보다 약간 작게 설정되어 있고, 상기 금속 시일 부재(74)의 폭 방향의 양단(兩端)이 상기 부착 플랜지부(50)의 폭 내에 들어가게 되어 있다. 이에 의하여, 이 금속 시일 부재(74)에 있어서의 시일링성을 높이게 되어 있다. 여기서 구체적인 수치예로서는 상기 부착 플랜지부(50)의 폭(L2)이 16㎜ 정도인 데 대하여, 금속 시일 부재(74)의 폭(L1)은 12㎜ 정도로 설정되어 있다.Here, a ring shape made of a corrosion-resistant and soft metal material, for example, pure aluminum, between the bottom portion of the flange groove portion 70 and the bottom surface of the attachment flange portion 50 is characterized by the present invention. A metal seal member 74 is interposed. As the metal seal member 74, a metal packing or a metal gasket can be used. As a result, the metal seal member 74 can seal the place while allowing a slight amount of leakage. Here, the width L1 (see FIG. 4) of the metal seal member 74 is set to be slightly smaller than the width L2 of the attachment flange portion 50, and in the width direction of the metal seal member 74. Both ends fall within the width of the attachment flange 50. Thereby, the sealing property in this metal sealing member 74 is improved. As a specific numerical example, the width L1 of the mounting flange portion 50 is about 16 mm, whereas the width L1 of the metal seal member 74 is set to about 12 mm.

또, 상기 고정수단(72)은 고온 내구성이 있고도 잘 녹슬지 않아 웨이퍼(W)에 대하여 금속오염을 잘 발생시키지 않는 재료, 예를 들면 하스텔로이(hastelloy)(등록상표) 등의 니켈 합금이나 알루미늄 합금에 의하여 형성되어 있다. 구체적으로 는 이 고정수단(72)은 예를 들면 상기 알루미늄 합금제의 누름판(76)을 갖고 있고, 이 누름판(76)으로 상기 부착 플랜지부(50)를 끼워 넣은 상태에서, 이 누름판(76)을 예를 들면 니켈 합금제의 금속볼트(78)에 의하여 조임 고정함으로써, 상기 레그부(40)의 하단부를 부착하고 있다. 이 경우, 이 금속볼트(78)에는 조이는 힘을 높게 하는 스프링 좌금(80)이 끼워 넣어져 있다.In addition, the fixing means 72 is a material having high temperature durability and not rusting well, and thus hardly causing metal contamination on the wafer W, for example, nickel alloys such as Hastelloy (registered trademark) or aluminum. It is formed by an alloy. Specifically, the fixing means 72 has a pressing plate 76 made of, for example, the aluminum alloy, and the pressing plate 76 is inserted in the state in which the attachment flange portion 50 is inserted into the pressing plate 76. The lower end part of the said leg part 40 is affixed, for example, by fastening and fixing with the metal bolt 78 made from nickel alloy, for example. In this case, a spring seat 80 is inserted into the metal bolt 78 to increase the tightening force.

그리고, 상기 누름판(76)은 도 3에 도시한 바와 같이 복수 개, 예를 들면 6개로 분할되어, 상기 부착 플랜지부(50)의 주위를 따라서 배치되어 있고, 메인터넌스할 때에 이 착탈을 용이하게 행할 수 있게 되어 있다. 여기서 상기 금속볼트(78) 및 하단 지지판(58)은 모두 고온 내구성이 있는 Ni재로 형성되어 있으므로, 이 부분이 고온에 노출되더라도 부착 강도가 열화되는 일은 없다. 또, 이 레그부(40) 내에 수용되는 각 급전선(44A, 44B, 46A, 46B)은 상기 덮개부재(60)의 바닥부를 피드 스루(82)를 거쳐 기밀하게 아래쪽 방향으로 관통하여 인출되어 있다. 그리고, 각 급전선(44A, 44B, 46A, 46B)은 도시하지 않은 히터 전원에 접속되어 있다.As shown in FIG. 3, the pressing plate 76 is divided into a plurality of pieces, for example, six, and is disposed along the periphery of the attachment flange portion 50, so that the attachment and detachment can be easily performed during maintenance. It is supposed to be. Here, since the metal bolt 78 and the lower support plate 58 are both made of Ni material having high temperature durability, the adhesion strength does not deteriorate even when this part is exposed to high temperature. In addition, the feed lines 44A, 44B, 46A, and 46B accommodated in the leg portion 40 are led out through the bottom portion of the lid member 60 in an airtight direction through the feed-through 82. Each feeder line 44A, 44B, 46A, 46B is connected to a heater power supply (not shown).

그리고, 상기 바닥부 부착대(56)에는 상기 중공 형상의 레그부(40) 내로 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급수단(84)과, 이 레그부(40) 내의 분위기를 그 유량을 제어하면서 배출하기 위한 레그부 내 분위기 배기수단(86)이 설치되어 있다. 구체적으로는 상기 불활성 가스 공급수단(84)은 도 2에도 도시한 바와 같이 상기 덮개부재(60)를 내부까지 관통하여 설치한 관통로(88)와, 이것에 접속된 배관(90)으로 이루어지는 가스공급통로(92)를 갖고 있고, 이 가스공급통로(92)에는 예를 들면 매스 플로우 컨트롤러와 같은 유량제어기(94)가 도중에 개재하여 설치되고, 불활성 가스로서 예를 들면 N2 가스를 유량제어하면서 공급할 수 있게 되어 있다. 여기서, 상기 유량은 이 처리장치 전체의 동작을 제어하는, 예를 들면 마이크로 컴퓨터 등으로 이루어지는 제어부(96)로부터의 지령에 의거하여 제어된다. 이 경우, 불활성 가스의 공급량은 상기 금속 시일 부재(74)에 있어서의 누출량보다 예를 들면 한 자릿수 이상 충분히 큰 유량으로 설정된다.In addition, the bottom mounting table 56 discharges the inert gas supply means 84 for supplying the inert gas into the hollow leg portion 40 and the atmosphere in the leg portion 40 while controlling the flow rate thereof. Atmospheric evacuation means 86 in the leg portion is provided. Specifically, as shown in FIG. 2, the inert gas supply means 84 includes a gas including a through passage 88 which penetrates the cover member 60 to the inside, and a pipe 90 connected thereto. The gas supply passage 92 is provided with a flow controller 94, such as a mass flow controller, in the middle of the gas supply passage 92, for example, while controlling the flow rate of, for example, N 2 gas as an inert gas. It is possible to supply. Here, the flow rate is controlled based on an instruction from the control unit 96, for example, a microcomputer or the like, which controls the operation of the entire processing apparatus. In this case, the supply amount of the inert gas is set at a flow rate that is sufficiently larger, for example, by one order or more than the amount of leakage in the metal seal member 74.

또, 상기 관통로(88)의 선단(先端)인 가스 출구(98)는 상기 덮개부재(60)의 내벽면에 마련되게 되고, 따라서 이 가스 출구(98)는 위쪽에 위치하는 상기 탑재대(38)(도 1 참조)로부터 충분히 멀리 떨어진 장소에 설정되게 되므로, 이 가스 출구(98)로부터 분출되는 N2 가스가 중공 형상의 레그부 내에서 충분히 확산되어 버리고, 그 결과, 분출가스가 탑재대(38)에 직접 닿는 일은 없으므로 탑재대(38)의 하면쪽이 기울어진 상태로 냉각되는 것을 방지할 수 있다.Further, the gas outlet 98, which is the tip of the through passage 88, is provided on the inner wall surface of the cover member 60, so that the gas outlet 98 is located above the mounting table ( 38) (NFIG. 1), the N 2 gas ejected from the gas outlet 98 diffuses sufficiently in the hollow leg portion, and as a result, the ejected gas is mounted on the mounting table. Since it does not directly contact 38, cooling of the lower surface side of the mounting table 38 in an inclined state can be prevented.

또, 상기 레그부 내 분위기 배기수단(86)은 도 2에도 도시한 바와 같이 상기 덮개부재(60)를 내부까지 관통하여 설치한 관통로(100)와, 이것에 접속된 배관(102)으로 이루어지는 가스배기통로(104)를 갖고 있고, 이 가스배기통로(104)의 선단은 상기 진공배기계(28)의 압력제어밸브(32)와 진공펌프(34) 사이에 접속되어 있다. 그리고, 이 가스배기통로(104)의 도중에는 유량을 제한하기 위한 오리피스 부재(106)가 개재하여 설치되어 있다.As shown in FIG. 2, the atmosphere exhaust means 86 in the leg part includes a through path 100 through which the cover member 60 is installed to the inside, and a pipe 102 connected thereto. A gas exhaust passage 104 is provided, and a tip of the gas exhaust passage 104 is connected between the pressure control valve 32 and the vacuum pump 34 of the vacuum exhaust system 28. In the middle of the gas exhaust passage 104, an orifice member 106 for restricting the flow rate is provided.

이 오리피스 부재(106)는 니켈제의 얇은 판에, 예를 들면 직경이 0.2㎜ 정도 로 이루어진 개구(개구 스로틀)가 뚫린 것이며, 상기 금속 시일 부재(74)에 있어서의 누출량보다 예를 들면 한 자릿수 이상 충분히 큰 유량으로 되도록 설정되어 있다.The orifice member 106 is formed by opening an aperture (opening throttle) of, for example, about 0.2 mm in diameter in a thin plate made of nickel, and for example, one digit more than the amount of leakage in the metal seal member 74. The flow rate is set so that the flow rate is sufficiently large.

한편, 도 1로 되돌아가서, 상기 탑재대(38)에는 이 상하 방향으로 관통하여 복수 개의 핀 구멍(108)이 형성되어 있고, 각 핀 구멍(108)에는 하단이 연결링(110)에 공통으로 연결된, 예를 들면 석영제의 밀어올림 핀(112)이 헐겁게 끼워진 상태로 수용되어 있다. 그리고, 상기 연결링(110)은 용기 바닥부에 관통하여 상하 이동 가능하게 설치한 출몰 로드(114)의 상단에 연결되어 있고, 이 출몰 로드(114)의 하단은 에어 실린더(116)에 접속되어 있다. 이에 의하여, 상기 각 밀어올림 핀(112)을, 웨이퍼(W)를 주고받을 때에 각 핀 구멍(108)의 상단으로부터 위쪽으로 출몰시키게 되어 있다. 또, 상기 출몰 로드(114)의 용기 바닥부에 대한 관통부에는 신축 가능하게 이루어진 벨로즈(118)가 개재하여 설치되어 있고, 상기 출몰 로드(114)가 처리용기(4) 내의 기밀성을 유지하면서 승강할 수 있게 되어 있다. 또, 도시되지 않았으나, 탑재대(38)의 둘레부에 플라즈마를 처리공간(S)에 집중시키기 위한 포커스 링이 설치되어 있다.1, a plurality of pin holes 108 are formed in the mounting table 38 so as to penetrate in the vertical direction, and lower ends of the pin holes 108 are common to the connection ring 110. Connected, for example, quartz pushing pins 112 are loosely housed. In addition, the connection ring 110 is connected to the upper end of the mounting rod 114 penetrates the bottom portion of the container so as to be movable up and down, and the lower end of the mounting rod 114 is connected to the air cylinder 116. have. As a result, each of the pushing pins 112 is raised from the upper end of each of the pin holes 108 when the wafer W is exchanged. The bellows 118, which is made elastic, is provided at a penetrating portion to the bottom of the container of the mounting rod 114, and the mounting rod 114 maintains the airtightness in the processing container 4 while maintaining the airtightness in the processing container 4. You can get on and off. Although not shown, a focus ring for concentrating the plasma in the processing space S is provided at the periphery of the mounting table 38.

다음으로, 이상과 같이 구성된 처리장치(2)를 이용하여 행해지는 성막방법 및 급전선 사이의 방전방지방법에 대하여 설명한다.Next, a film formation method and a discharge prevention method between power supply lines performed using the processing apparatus 2 configured as described above will be described.

먼저, 밀어올림 핀(112)을 상하 이동시켜서, 처리하지 않은 반도체 웨이퍼(W)를 탑재대(38) 위에 탑재하여 처리용기(4) 내를 밀폐하였으면, 진공배기계(28)에 의하여, 이 처리용기(4) 내를 소정의 프로세스 압력으로 유지하는 동시 에, 가스공급수단인 샤워헤드부(6)로부터 소정의 처리가스를 처리용기(4) 내로 도입한다. 이와 동시에, 가열수단인 저항가열히터(42)를 구동하여 웨이퍼(W)의 온도를 프로세스 온도로 유지하고, 또한 플라즈마 발생장치(14)도 구동하여 상부 전극인 샤워헤드부(6)와 하부 전극인 탑재대(38)와의 사이에 고주파 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마 CVD에 의하여 웨이퍼(W)에 소정의 박막을 형성한다. 예를 들면, 일례로서 TiN막을 성막하는 경우에는 샤워헤드부(6)의 한쪽의 가스공간(8A)에, NH3 + Ar 가스를 공급하고, 다른쪽의 가스공간(8B)에 TiCl4 + N2 가스를 공급하여, 이들 각 가스를 처리공간(S) 내에서 혼합시켜서 상기한 TiN막의 성막처리를 행한다.First, when the pushing pin 112 is moved up and down, and the unprocessed semiconductor wafer W is mounted on the mounting table 38 and the inside of the processing container 4 is sealed, this process is performed by the vacuum exhaust machine 28. While maintaining the inside of the container 4 at a predetermined process pressure, a predetermined processing gas is introduced into the processing container 4 from the shower head portion 6 which is a gas supply means. At the same time, the resistance heating heater 42, which is a heating means, is driven to maintain the temperature of the wafer W at the process temperature, and the plasma generator 14 is also driven to operate the shower head 6 and the lower electrode, which are upper electrodes. A high frequency voltage is applied between the phosphorus mounting table 38 to generate a plasma, and a predetermined thin film is formed on the wafer W by plasma CVD. For example, when forming a TiN film as an example, NH 3 + Ar gas is supplied to one gas space 8A of the shower head portion 6 and TiCl 4 + N to the other gas space 8B. 2 gases are supplied, these gases are mixed in the processing space S, and the above-mentioned TiN film-forming process is performed.

그런데, 이와 같은 성막 중에 있어서, 탑재대 장치(36)의 중공 형상의 레그부(40) 내에 배선된 급전선(44A, 44B) 사이 및 급전선(46A, 46B) 사이에는 예를 들면 200볼트 정도의 전위차가 발생하고 있으므로, 이들 급전선 사이의 방전을 방지해야만 하는 동시에, 각 Ni제의 급전선(44A, 44B, 46A, 46B)과 몰리브덴제의 저항가열히터(42)와의 각 접속부를 산화로부터 방지해야만 한다.By the way, in such film formation, the potential difference of about 200 volts, for example, between the feed lines 44A and 44B wired in the hollow leg part 40 of the mounting apparatus 36, and between the feed lines 46A and 46B. Is generated, the discharge between these feeders must be prevented, and each connection between the Ni feeders 44A, 44B, 46A, 46B and the molybdenum resistive heating heater 42 must be prevented from oxidation.

그 때문에, 이 탑재대 구조(36)의 레그부(40) 내에 불활성 가스로서 여기서는 N2 가스를 공급하여 이 압력 분위기를 방전이 발생하지 않는 압력범위로 설정하고 있다. 구체적으로는 불활성 가스 공급수단(84)을 작동시켜서, 유량제어기(94)에 의하여 유량 제어된 N2 가스를 이 가스공급통로(92)에 흐르게 하여, 가스 출구(98)로부터 레그부(40) 내로 연속적으로 공급한다. 이와 동시에, 이 레그부(40) 내의 분위기는 레그부 내 분위기 배기수단(86)의 오리피스 부재(106)에 의하여 그 유량을 제한하면서 배기통로(104)를 거쳐 배출시킨다.Therefore, N 2 gas is supplied here as an inert gas into the leg part 40 of this mounting structure 36, and this pressure atmosphere is set to the pressure range which a discharge does not generate | occur | produce. Specifically, the inert gas supply means 84 is operated to allow the N 2 gas flow rate controlled by the flow controller 94 to flow through the gas supply passage 92 so that the leg portion 40 is discharged from the gas outlet 98. Feed continuously into. At the same time, the atmosphere in the leg portion 40 is discharged through the exhaust passage 104 while restricting the flow rate by the orifice member 106 of the atmosphere exhaust means 86 in the leg portion.

이 경우, 레그부(40)의 하단부의 부착 플랜지부(50)는 금속 시일 부재(74)를 개재하여 하단 지지판(58)쪽에 고정수단(72)에 의해서 고정되어 있는데, 이 금속 시일 부재(74)는 O-링 정도로는 시일링성이 높지 않으므로, 근소한 누출이 발생하는 것을 회피할 수 없다. 그래서, 상기 불활성 가스인 N2 가스의 공급량을, 상기 금속 시일 부재(74)에 있어서의 누출량보다 예를 들면 한 자릿수 이상(10배 이상), 더욱 바람직하게는 50배 이상 커지는 유량으로 설정한다. 이와 동시에, 상기 오리피스 부재(106)의 개구 스로틀(개구)을 상기 금속 시일 부재(74)에 있어서의 누출량보다 예를 들면 한 자릿수 이상(10배 이상), 더욱 바람직하게는 50배 이상 큰 유량이 되도록 설정한다.In this case, the attachment flange 50 of the lower end of the leg part 40 is fixed by the fixing means 72 to the lower support plate 58 side via the metal sealing member 74, and this metal sealing member 74 is fixed. ) Does not have a high sealing performance to the extent of O-ring, so that a slight leakage cannot be avoided. Therefore, the supply amount of the N 2 gas, which is the inert gas, is set to a flow rate that is, for example, one digit or more (10 times or more), more preferably 50 times or more larger than the leakage amount in the metal seal member 74. At the same time, the flow rate of the opening throttle (opening) of the orifice member 106 is, for example, one order or more (10 times or more), more preferably 50 times or more larger than the amount of leakage in the metal seal member 74. Set it to

이 경우, 각 급전선(44A, 44B 및 46A, 46B) 사이의 전위차나 선 간 거리에 따라서 방전이 발생하기 쉬워지는 압력 분위기는 다르나, 예를 들면 전위차가 200볼트이고도 선 간 거리가 10㎜ 정도일 때에는 1∼10 Torr(1330 Pa) 정도의 압력 분위기(방전압력영역)가 가장 방전이 발생하기 쉬워진다. 따라서, 이 경우에는 상기 방전을 방지하기 위하여 레그부(40) 내의 압력을, 여유를 보아 예를 들면 통상처리시에 100 Torr(13300 Pa) 이상인 상태가 되도록 상기 N2 가스의 공급량과 배기량을 설정한다. 실제의 처리장치에서는 가열수단(42)의 온도변화에 따라서 상기 레그부(40) 내의 누출량도 변동되나, 상술한 바와 같이 N2 가스의 공급량과 배기량을 설 정해 둠으로써, 레그부(40) 내의 압력이 방전압력영역에 들어가지 않도록 하고 있다.In this case, the pressure atmosphere in which discharge is likely to occur varies depending on the potential difference between the feed lines 44A, 44B and 46A, 46B and the distance between the lines. For example, the potential difference is 200 volts and the distance between the lines is about 10 mm. At the time of discharge, a pressure atmosphere (discharge-voltage area) of about 1 to 10 Torr (1330 Pa) is most likely to occur. In this case, therefore, the supply amount and the exhaust amount of the N 2 gas are set so that the pressure in the leg portion 40 is at least 100 Torr (13300 Pa) in the normal processing, in order to prevent the discharge. do. In the actual processing apparatus, the leakage amount in the leg portion 40 also varies with the temperature change of the heating means 42. However, as described above, by setting the supply amount and the exhaust amount of the N 2 gas, the inside of the leg portion 40 is changed. The pressure does not enter the discharge pressure range.

또, 레그부(40) 내의 압력이 대기압보다 작음에 따라, 레그부(40) 내의 공간의 열전도성이 저하되어 레그부 통형상체에 둘러싸여진 탑재대 하면 영역의 온도저하가 방지되어, 소위 탑재대(38)의 센터 쿨이 방지되는 동시에, 레그부 통형상체의 안팎의 압력차가 작아져서, 레그부 자체의 파손도 방지할 수 있다.In addition, as the pressure in the leg portion 40 is less than atmospheric pressure, the thermal conductivity of the space in the leg portion 40 is lowered and the temperature decrease in the lower surface area of the mounting table surrounded by the leg portion cylindrical body is prevented, so-called mounting table. While the center cool of (38) is prevented, the pressure difference between inside and outside of the leg part cylindrical body becomes small, and damage to the leg part itself can also be prevented.

이에 따라, 각 급전선 사이에 있어서, 방전이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 이 때의 N2 가스의 실제의 유량은 예를 들면 처리용기(4) 내의 프로세스 압력이 5 Torr이고, 또한 중공 형상의 레그부(40) 내의 압력을 100 Torr로 설정하는 경우, 금속 시일 부재(74)에 있어서의 N2 가스의 누출량은 0.3∼0.7 sccm 정도, N2 가스의 공급량은 15∼35(누출량의 50배 정도) sccm 정도이다. 또, 이 때의 오리피스 부재(106)의 개구 스로틀의 직경은 0.1∼0.2㎜ 정도이다.As a result, it is possible to reliably prevent the discharge from occurring between the feeders. The actual flow rate of the N 2 gas at this time is, for example, when the process pressure in the processing vessel 4 is 5 Torr and the pressure in the hollow leg portion 40 is set to 100 Torr, the metal seal member ( The leakage amount of N 2 gas in 74) is about 0.3 to 0.7 sccm, and the supply amount of N 2 gas is about 15 to 35 (about 50 times the amount of leakage) sccm. In addition, the diameter of the opening throttle of the orifice member 106 at this time is about 0.1-0.2 mm.

이와 같이 금속 시일 부재(74)에 있어서의 누출량보다 충분히 큰 N2 가스를 일정 유량으로 공급하고, 또한 동시에 누출량보다 충분히 큰 유량으로 배기함으로써, 가열수단(42)의 온도변동에도 관계없이, 레그부(40) 내의 압력을, 방전압력영역(10 Torr 전후)으로부터 제외시켜서 이보다 비교적 높은 압력영역, 예를 들면 100 Torr 전후로 안정적으로 일정하게 유지할 수 있어, 결과적으로 급전선 사이에 방전이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다.Thus, by supplying N 2 gas sufficiently larger than the leakage amount in the metal seal member 74 at a constant flow rate and simultaneously exhausting it at a flow rate sufficiently larger than the leakage amount, the leg portion is irrespective of the temperature fluctuation of the heating means 42. The pressure in the 40 can be removed from the discharge pressure region (around 10 Torr) and kept stable at a relatively higher pressure region, for example, around 100 Torr, so as to ensure that a discharge occurs between the feed lines. It can prevent.

또, 과도하게 N2 가스의 공급량을 크게 하면, 금속 시일 부재(74)에 있어서의 처리용기(4) 내로의 누출량이 너무 많아져 버려, 웨이퍼(W)의 처리에 악영향을 주므로 바람직하지 않다. 따라서, N2 가스의 최대 공급량은 금속 시일 부재(74)에 있어서의 통상시의 누출량(예를 들면, 여기서는 0.3∼0.7 sccm)의 150배 이내, 바람직하게는 두 자릿수 이내(100배 이내)로 설정하는 것이 바람직하다.In addition, excessively increasing the supply amount of N 2 gas is not preferable because the amount of leakage into the processing container 4 in the metal seal member 74 becomes too large and adversely affects the processing of the wafer W. Therefore, the maximum supply amount of N 2 gas is within 150 times of the normal leakage amount (for example, 0.3 to 0.7 sccm here) in the metal seal member 74, preferably within two orders of magnitude (within 100 times). It is preferable to set.

또, 이 때의 레그부 내 압력은 N2 가스의 공급량에 비례하기 때문에, 300 Torr 이내, 더욱 바람직하게는 200 Torr 이내인 것이 바람직하다고도 할 수 있다. 또, 상술한 바와 같이 N2 가스의 공급량을 설정해 둠으로써, 진공펌프(34)의 배기능력에 따르기도 하나, 상기 가스배기통로(104)를 유하해 와서 진공배기계(28) 내를 유하하는 가스가, 역류하여 처리용기(4) 내로 역확산하는 것을 방지할 수 있다.Further, the leg portions of the pressure in this case may be also considered that the proportional to the amount of supply of N 2 gas, within less than 300 Torr, more preferably 200 Torr preferred. In addition, by setting the supply amount of the N 2 gas as described above, depending on the exhaust capacity of the vacuum pump 34, the gas flowing down the gas exhaust passage 104 and flowing down the inside of the vacuum exhaust machine 28 is provided. It is possible to prevent backflow and despreading into the processing vessel 4.

또, 당연한 것으로서, 레그부(40) 내로는 불활성 가스인 N2 가스가 공급되므로, 몰리브덴선으로 이루어지는 저항가열히터(42)와 Ni로 이루어지는 급전선(44A, 44B, 46A, 46B)과의 접속부가 산화되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.As a matter of course, since the N 2 gas, which is an inert gas, is supplied into the leg portion 40, the connection portion between the resistance heating heater 42 made of molybdenum wire and the feed lines 44A, 44B, 46A, 46B made of Ni is provided. It can reliably prevent oxidation.

또, 레그부(40)의 하단부가 고온의 온도에, 예를 들면 O-링의 내열온도인 300℃ 이상의 온도에 노출되더라도 금속 시일 부재(74)의 내열성은 매우 높으므로, 시일 열화가 발생하는 일도 없다. 또, 레그부(10)의 하단부의 부착 플랜지부(50)는 용착 등에 의하여 접합되어 있는 경우와 달리, 금속 시일 부재(74)를 개재하여 금속볼트(78)를 포함하는 고정수단(72)에 의하여 조임 고정되어 있을 뿐이므로, 이 부분에 열 신축 차이가 발생하더라도 상기 링 형상의 금속 시일 부재(74)의 상하면을 계면으로 하여 부재가 슬라이딩하고, 그 결과, 이종(異種) 재료 접촉면에 있어서의 열응력을 완화시킬 수 있다.In addition, even if the lower end of the leg portion 40 is exposed to a high temperature, for example, a temperature of 300 ° C. or more, which is the heat resistance temperature of the O-ring, the heat resistance of the metal seal member 74 is very high, and thus seal degradation occurs. There is no work. Moreover, unlike the case where the attachment flange part 50 of the lower end part of the leg part 10 is joined by welding etc., the fixing means 72 containing the metal bolt 78 via the metal seal member 74 is carried out. Since it is only tightened and fixed by this, even if a thermal expansion and contraction difference arises in this part, a member will slide with the upper and lower surfaces of the said ring-shaped metal seal member 74 as an interface, and as a result, in a different material contact surface, It can alleviate thermal stress.

또, 이 탑재대 장치(36)의 메인터넌스 작업을 행하는 경우에는 그 하부의 부착구조(52)의 각 볼트(64, 68, 78)를 느슨하게 함으로써, 탑재대 장치(36)를 용이하게 떼어낼 수 있으며, 따라서 메인터넌스 작업을 용이하게 행할 수 있다.In addition, when carrying out maintenance work of this mounting apparatus 36, the mounting apparatus 36 can be removed easily by loosening each bolt 64, 68, 78 of the attachment structure 52 of the lower part. Therefore, maintenance work can be performed easily.

또한, 상기 실시예에서는 불활성 가스로서 N2 가스를 이용하였으나, 이것에 한정되지 않고 다른 불활성 가스, 예를 들면 He, Ar, Ne 등도 이용할 수 있다.In addition, although the N 2 gas was used as the inert gas in the above embodiment, other inert gases such as He, Ar, Ne, and the like can also be used without being limited thereto.

또, 여기서는 플라즈마 발생수단(14)을 설치하여 플라즈마 CVD 처리를 행하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 플라즈마 발생수단을 설치하지 않고 열 CVD 처리를 행할 수도 있다. 또한, 가스공급수단(6)의 종류로서 샤워헤드부에 한정되지 않는다.In addition, although the case where the plasma generation means 14 is provided and the plasma CVD process is described here as an example, the thermal CVD process can also be performed without providing the plasma generation means. The gas supply means 6 is not limited to the shower head portion.

여기서는 탑재대(38)와 레그부(40)를 모두 AlN으로 이루어지는 세라믹재로 형성한 경우를 예로 들어 설명하였으나, 이것에 한정되지 않고 다른 세라믹재, 예를 들면 Al2O3, Si3N4, PBN(Pyrolytic Boron Nitride) 등을 이용해도 되고, 또한 세라믹재로 한정되지 않고 석영, 유리, 금속 등에 의하여 형성한 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다.Here, the mounting table 38 and the leg portion 40 a, but both describe a case formed of a ceramic material consisting of AlN for example, for other ceramic material, such as not limited to a Al 2 O 3, Si 3 N 4 , PBN (Pyrolytic Boron Nitride) or the like may be used, and the present invention is also applicable to the case of forming by quartz, glass, metal, etc. without being limited to a ceramic material.

또, 여기서는 웨이퍼(W)에 대하여 실시하는 처리로서 TiN 막의 성막 처리를 예로 들어 설명하였으나, 이것에 한정되지 않고 다른 종류의 막의 성막 처리, 또는 성막 처리에 한정되지 않고 어닐링 처리, 열확산 처리, 개질 처리 등의 웨이퍼(W)를 가열할 필요가 있는 처리라면 모든 처리장치에 본 발명을 적용할 수 있다.In addition, although the film-forming process of TiN film | membrane was demonstrated here as an example and the process performed with respect to the wafer W, it is not limited to this, It is not limited to the film-forming process of another kind, or film-forming process, but annealing process, a thermal-diffusion process, a modification process The present invention can be applied to any processing apparatus as long as the processing requires heating the wafers W and the like.

또, 피처리체로서 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고 LCD 기판, 유리 기판, 세라믹 기판 등도 이용할 수 있다.Moreover, not only a semiconductor wafer but an LCD substrate, a glass substrate, a ceramic substrate, etc. can also be used as a to-be-processed object.

Claims (15)

가열수단이 설치되어 상면에 피처리체를 탑재하는 탑재대와; 상기 탑재대로부터 아래쪽으로 연장되어 내부가 중공 형상으로 이루어지는 동시에, 하단이 개방된 레그부와; 상기 중공 형상의 레그부 내에 수용되어 상단이 상기 가열수단에 접속된 급전선을 갖는 탑재대 장치를 진공배기 가능하게 이루어진 처리용기 내에 부착하는 부착구조에 있어서,A mounting table on which a heating means is mounted to mount the object to be processed on an upper surface thereof; A leg portion extending downward from the mount so that the inside has a hollow shape and the lower end thereof is opened; In the attachment structure that is accommodated in the hollow leg portion, the mounting apparatus having a feeder line having an upper end connected to the heating means is attached to a processing container made of vacuum exhaust, 상기 처리용기의 바닥부에 형성된 개구부에, 상기 개구부를 밀폐하여 설치되는 바닥부 부착대와; 상기 레그부의 하단부와 상기 바닥부 부착대 사이에 개재하여 설치되는 연질의 금속재료로 이루어지는 금속 시일 부재와; 상기 레그부의 하단부를 상기 바닥부 부착대쪽에 고정하는 고정수단과; 상기 레그부 내에 불활성 가스를 공급하여 상기 급전선 사이에 방전이 발생하지 않는 압력 분위기로 하는 불활성 가스 공급수단과; 상기 레그부 내의 분위기를, 그 유량을 제한하면서 배출하기 위한 레그부 내 분위기 배기수단을 구비한 것을 특징으로 하는A bottom mount for sealing the opening to an opening formed at a bottom of the processing container; A metal seal member made of a soft metal material interposed between the lower end of the leg portion and the bottom mount; Fixing means for fixing the lower end of the leg portion to the bottom attaching side; Inert gas supply means for supplying an inert gas into the leg portion to form a pressure atmosphere in which no discharge occurs between the feed lines; And an atmosphere exhaust means in the leg portion for discharging the atmosphere in the leg portion while restricting the flow rate thereof. 탑재대 장치의 부착구조.Attachment Structure of Mounting Device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 탑재대와 상기 레그부는 모두 세라믹재로 이루어지는 것을 특징으로 하는The mounting table and the leg portion are both made of a ceramic material 탑재대 장치의 부착구조.Attachment Structure of Mounting Device. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 레그부의 하단에는 부착 플랜지부가 설치되어 있고, 상기 금속 시일 부재의 폭은 상기 플랜지부의 폭보다 작게 이루어져 있는 것을 특징으로 하는An attachment flange portion is provided at the lower end of the leg portion, and the width of the metal seal member is smaller than the width of the flange portion. 탑재대 장치의 부착구조.Attachment Structure of Mounting Device. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 바닥부 부착대에는 상기 부착 플랜지부를 수용하기 위한 플랜지용 홈부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는The bottom mount is provided with a flange groove for accommodating the attachment flange portion 탑재대 장치의 부착구조.Attachment Structure of Mounting Device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 레그부 내 분위기 배기수단은 가스배기통로와; 상기 가스배기통로에 개재하여 설치되는 오리피스 부재를 갖는 것을 특징으로 하는The atmosphere exhaust means in the leg portion includes a gas exhaust passage; And an orifice member interposed in the gas exhaust passage. 탑재대 장치의 부착구조.Attachment Structure of Mounting Device. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 가스배기통로는 상기 처리용기 내를 진공배기하는 진공배기계에 접속되어 있고, 상기 불활성 가스의 유량은 상기 가스배기통로 내를 흐르는 가스가 상기 처리용기 내로 역류하지 않는 유량으로 설정되는 것을 특징으로 하는The gas exhaust passage is connected to a vacuum exhaust machine for evacuating the inside of the processing vessel, and the flow rate of the inert gas is set to a flow rate at which gas flowing in the gas exhaust passage does not flow back into the processing vessel. 탑재대 장치의 부착구조.Attachment Structure of Mounting Device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 불활성 가스 공급수단은 가스공급통로와; 상기 가스공급통로에 개재하여 설치되는 유량제어기를 갖는 것을 특징으로 하는The inert gas supply means includes a gas supply passage; Characterized in that it has a flow controller which is installed in the gas supply passage 탑재대 장치의 부착구조.Attachment Structure of Mounting Device. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 불활성 가스 공급량은 상기 금속 시일 부재에 있어서의 누출량보다 한 자릿수 이상 커지는 유량으로 설정되는 동시에, 상기 오리피스 부재의 개구 스로틀은 상기 금속 시일 부재의 누출량보다 한 자릿수 이상 큰 유량이 되도록 설정되는 것을 특징으로 하는The inert gas supply amount is set to a flow rate that is one digit or more larger than the leak amount in the metal seal member, and the opening throttle of the orifice member is set to be a flow rate that is one digit or more larger than the leak amount of the metal seal member. doing 탑재대 장치의 부착구조.Attachment Structure of Mounting Device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 불활성 가스 공급수단의 가스 출구는 상기 바닥부 부착대에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는The gas outlet of the inert gas supply means is installed on the bottom mount. 탑재대 장치의 부착구조.Attachment Structure of Mounting Device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 고정수단은 고온 내구성이 있고도 상기 피처리체에 대하여 금속오염이 잘 생기지 않는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는The fixing means is made of a material having high temperature durability and hardly causing metal contamination to the object to be treated. 탑재대 장치의 부착구조.Attachment Structure of Mounting Device. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 고정수단은 상기 레그부의 하단부를 누르는 누름판과; 상기 누름판을 고정하는 금속볼트와; 상기 금속볼트에 끼워 넣어지는 스프링 좌금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는The fixing means includes a pressing plate for pressing the lower end of the leg portion; A metal bolt fixing the pressing plate; Characterized in that the spring seat is inserted into the metal bolt 탑재대 장치의 부착구조.Attachment Structure of Mounting Device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 바닥부 부착대는 상기 금속 시일 부재를 개재하여 상기 레그부의 하단부를 직접 받기 위하여 고온 내구성이 있고도 열전도성이 낮은 금속재료로 이루어지는 링 형상의 하단 지지판과; 상기 링 형상의 하단 지지판의 개구를 기밀하게 막기 위한 덮개부재로 이루어지는 것을 특징으로 하는The bottom mount may include a ring-shaped lower support plate made of a metal material having high temperature durability and low thermal conductivity so as to directly receive the lower end of the leg portion through the metal seal member; And a cover member for hermetically blocking the opening of the ring-shaped lower support plate. 탑재대 장치의 부착구조.Attachment Structure of Mounting Device. 피처리체에 대하여 소정의 열처리를 실시하기 위한 처리장치에 있어서,A processing apparatus for performing a predetermined heat treatment on a target object, 진공배기 가능하게 이루어진 처리용기와; 상기 처리용기 내로 상기 열처리에 필요한 가스를 공급하는 가스공급수단과; 상기 처리용기 내를 진공배기하는 진공배 기계와; 제 1 항에 기재된 탑재대 장치 및 부착구조를 구비한 것을 특징으로 하는A processing container made of vacuum exhaustable; Gas supply means for supplying a gas necessary for the heat treatment into the processing container; A vacuum exhaust machine for evacuating the processing vessel; A mounting device and an attachment structure according to claim 1 are provided. 처리장치.Processing unit. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 처리용기 내에서 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단이 설치되는 것을 특징으로 하는Plasma generating means for generating a plasma in the processing container is installed 처리장치.Processing unit. 가열수단이 설치되어 상면에 피처리체를 탑재하는 탑재대와; 상기 탑재대로부터 아래쪽으로 연장되어 내부가 중공 형상으로 이루어지는 동시에, 하단이 개방된 레그부와; 상기 중공 형상의 레그부 내에 수용되어 상단이 상기 가열수단에 접속된 급전선을 갖는 탑재대 장치를 진공배기 가능하게 이루어진 처리용기 내에 부착하는 부착구조에서,A mounting table on which a heating means is mounted to mount the object to be processed on an upper surface thereof; A leg portion extending downward from the mount so that the inside has a hollow shape and the lower end thereof is opened; In the attachment structure that is accommodated in the hollow leg portion, the mounting apparatus having a feeder line having an upper end connected to the heating means in a processing container made of vacuum exhaustable, 상기 처리용기의 바닥부에 형성된 개구부에, 상기 개구부를 밀폐하여 설치되는 바닥부 부착대와; 상기 레그부의 하단부와 상기 바닥부 부착대 사이에 개재하여 설치되는 연질의 금속재료로 이루어지는 금속 시일 부재와; 상기 레그부의 하단부를 상기 바닥부 부착대쪽에 고정하는 고정수단과; 상기 레그부 내에 불활성 가스를 공급하여 상기 급전선 사이에 방전이 발생하지 않는 압력 분위기로 하는 불활성 가스 공급수단과; 상기 레그부 내의 분위기를, 그 유량을 제한하면서 배출하기 위한 레그부 내 분위기 배기수단을 구비한 것을 특징으로 하는 탑재대 장치에 있어서의 급전선 사이의 방전방지방법에 있어서,A bottom mount for sealing the opening to an opening formed at a bottom of the processing container; A metal seal member made of a soft metal material interposed between the lower end of the leg portion and the bottom mount; Fixing means for fixing the lower end of the leg portion to the bottom attaching side; Inert gas supply means for supplying an inert gas into the leg portion to form a pressure atmosphere in which no discharge occurs between the feed lines; In the discharge prevention method between feeder lines in the mounting apparatus, characterized in that it is provided with an atmosphere exhaust means in the leg portion for discharging the atmosphere in the leg portion while limiting its flow rate, 상기 레그부의 하단부를, 진공배기 가능하게 이루어진 처리용기의 바닥부쪽에, 연질의 금속재료로 이루어지는 시일부재를 개재하여 부착 고정하고, 상기 중공 형상의 레그부 내에, 상기 금속 시일 부재에 있어서의 누출량보다 큰 유량으로 불활성 가스를 공급하는 동시에, 상기 중공 형상의 레그부 내의 분위기를 상기 누출량보다 큰 유량으로 상기 처리용기 내를 경유하지 않고 배출함으로써, 상기 레그부 내를 방전이 발생하지 않는 압력 분위기로 유지하도록 한 것을 특징으로 하는The lower end of the leg portion is attached and fixed to the bottom of the processing container made of vacuum exhaust via a sealing member made of a soft metal material, and the inside of the hollow leg portion is less than the amount of leakage in the metal sealing member. The inert gas is supplied at a large flow rate and the atmosphere in the hollow leg portion is discharged without passing through the processing vessel at a flow rate larger than the leak amount, thereby maintaining the inside of the leg portion in a pressure atmosphere in which no discharge occurs. Characterized in that 탑재대 장치에 있어서의 급전선 사이의 방전방지방법.Discharge prevention method between feeders in a mounting apparatus.
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