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KR20060133521A - 유기 ｅｌ 소자 - Google Patents

유기 ｅｌ 소자 Download PDF

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KR20060133521A
KR20060133521A KR1020067002967A KR20067002967A KR20060133521A KR 20060133521 A KR20060133521 A KR 20060133521A KR 1020067002967 A KR1020067002967 A KR 1020067002967A KR 20067002967 A KR20067002967 A KR 20067002967A KR 20060133521 A KR20060133521 A KR 20060133521A
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South Korea
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organic
layer
injection layer
hole injection
formula
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이재만
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윤종근
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엘지전자 주식회사
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Abstract

유기 EL 소자의 정공주입층에 관한 것으로, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유기 다층이 형성되고, 유기 다층은 제 1 전극 위에 형성되고 유기물로부터 선택된 적어도 어느 한 물질과 무기물로부터 선택된 적어도 어느 한 물질이 혼합된 정공 주입층과, 정공주입층 위에 적어도 한 층으로 형성되는 정공 수송층과, 정공 수송층 위에 형성되는 발광층을 포함하여 구성된다.
정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 유기발광층, 전자 주입층

Description

유기 ＥＬ 소자{Organic EL device}
본 발명은 유기 EL 소자에 관한 것으로, 특히 유기 EL 소자의 정공 주입층에 관한 것이다.
유기 EL 소자(Organic Electroluminescence device)는 음극과 양극 사이에 형성된 유기발광층에 전하를 주입하면, 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내는 소자로서, 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 전력 소모가 적은 것이 특징인 차세대 디스플레이 소자이다.
이러한, 유기 EL 소자의 구조 및 그 제조과정을 첨부한 도면을 통해 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 유기 EL 소자를 보여주는 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 먼저 투명 기판(1) 위에 제 1 전극인 양극(2)을 형성한다.
여기서, 양극(2)은 ITO(Indium Tin Oxide) 등을 사용하여 형성된다.
그리고, 양극(2) 위에 정공 주입층(Hole Injection Layer : HIL)(3)을 형성한다.
여기서, 정공 주입층(3)은 copper phthalocyanine(CuPc)을 주로 사용한다.
이어, 정공 주입층(3) 위에 정공 수송층(Hole Transport Layer : HTL)(4)을 형성한다.
정공 수송층(4)은 N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-(1,1'biphenyl)-4,4'- diamine(TPD) 또는 4,4'-bis[N-(1-naphthy1)-N-pheny1-amino]bipheny1 (NPD) 등을 사용한다.
그리고, 정공 수송층(4) 위에 유기발광층(Organic Emitting Layer)(5)을 형성한다.
이때, 필요에 따라 도펀트(dopant)를 첨가한다.
다음, 유기발광층(5) 위에 전자 수송층(Electron Transport Layer : ETL)(6) 및 전자 주입층(Electron Injecting Layer : EIL)(7)을 연속적으로 형성한다.
전자 주입층(7)으로는 LiF나 Li2O 등을 사용한다.
그리고, 전자주입층(7) 위에 제 2 전극인 음극(cathode)(8)을 형성하여 유기 EL 소자를 제작한다.
그러나, 이러한 구조의 소자는 효율 및 수명이 저하되는 문제가 있었다.
그 이유는 유기 EL 소자를 높은 전류에서 구동하게 되면, 양극(2)과 정공 주입층(3) 사이에서 열 스트레스(Thermal stress)가 발생하고, 이러한 열 스트레스에 의해 소자의 수명이 급격히 저하되기 때문이다.
또한, 정공 주입층(3)에 사용되는 유기물질은 정공의 운동성이 매우 크기 때문에, 정공과 전자의 전하 밸런스(hole-electron charge balance)가 깨지고 이로 인해 양자 효율(cd/A)이 낮아지게 된다.
즉, 저전력 구동이 요구되는 유기 EL 소자의 경우, 효율의 증가가 필수적이기 때문에 양자 효율도 증가되어야 하지만, 기존에 정공주입층에 사용되는 유기물질은 이러한 조건을 만족하지 못한다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위한 것으로, 효율과 수명이 향상된 유기 EL 소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 및 기타 목적, 특성 및 이점은 연이은 설명에 나타나며, 부분적으로는, 상세한 설명으로부터 명백해지거나 본 발명의 실시에 의해 알 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유기 다층(multilayer)이 형성되고, 상기 유기 다층은 제 1 전극 위에 형성되고 유기물로부터 선택된 적어도 어느 한 물질과 무기물로부터 선택된 적어도 어느 한 물질이 혼합된 정공 주입층과, 정공주입층 위에 적어도 한 층으로 형성되는 정공 수송층과, 정공 수송층 위에 형성되는 발광층을 포함하여 구성된다.
여기서, 유기 EL 소자는 발광층 위에 형성되는 전자 수송층과, 전자 수송층 위에 형성되는 전자 주입층을 더 포함할 수도 있다.
그리고, 정공 주입층의 유기물은 아로마틱 아민(Aromatic amine) 그룹으로부터 선택되는 어느 한 물질일 수 있고, 정공 주입층의 유기물은 하기의 화학식 1로 이루어지는 물질일 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112006010328532-PCT00001
여기서, 화학식 1의 n은 1 내지 4인 정수이고, Ar1, Ar2, Ar3 중 적어도 어느 하나는 치환되거나 치환되지 않은 아로마틱(aromatic) 그룹으로부터 선택되는 어느 한 물질이다.
그리고, Ar1, Ar2, Ar3 중 적어도 어느 하나는 phenyl, naphthyl, biphenyly, biphenylelnyl, phenanthrenyl, fluoreyl, terphenylyl, anthracenyl 그룹 중 어느 하나일 수 있고, Ar1, Ar2, Ar3의 치환체는 methyl, ethyl, propyl, t-buthyl, methoxy, ethoxy, propoxy, dimethylamine, diethylamine, phenyl, fluorin, clorine, bromine, diphenylamine 그룹 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 정공 주입층의 유기물은 하기의 화학식 2 내지 화학식 7 중 어느 하나일 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112006010328532-PCT00002
[화학식 3]
Figure 112006010328532-PCT00003
[화학식 4]
Figure 112006010328532-PCT00004
[화학식 5]
Figure 112006010328532-PCT00005
[화학식 6]
Figure 112006010328532-PCT00006
[화학식 7]
Figure 112006010328532-PCT00007
한편, 정공 주입층의 무기물은 주기율표상의 1A, 2A, 3A, 4A족 그룹으로부터 선택되는 할라이드 화합물 또는 산화물 중 어느 하나일 수 있다.
여기서, 화합물은 LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF 중 어느 하나일 수 있고, 산화물은 Li2O, Na2O, K2O, BeO, MgO, CaO, B2O3, Al2O3 , SiO2 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 정공 주입층은 유기물로 이루어진 적어도 하나의 제 1 층과 무기물로 이루어진 적어도 하나의 제 2 층으로 구성되고, 제 1 층과 제 2 층은 서로 교대로 적층되어 형성될 수 있다.
이 때, 제 1 층과 제 2 층은 각각 0.1nm 내지 10nm의 두께를 가지고, 정공 주입층의 전체 두께는 0.1nm 내지 300nm이다.
그리고, 정공 주입층은 유기물로부터 선택된 적어도 하나의 물질과 무기물로부터 선택된 적어도 하나의 물질이 혼합된 화합물일 수 있다.
이 때, 화합물의 조성비는 유기물 X : 무기물 Y = 1 - 100 : 1 이거나 또는 유기물 X : 무기물 Y = 1 : 1 - 100이다.
그리고, 화합물은 유기물 조성 X가 두께 방향으로 그레디언트(gradient)를 가지거나, 또는 무기물 조성 Y가 두께 방향으로 그레디언트를 가질 수 있다.
이 때, 유기물의 조성 X는 제 1 전극과의 경계면에서 X = 0의 관계를 이루고, 정공 수송층과의 경계면에서 X = 1인 관계를 이루며, 제 1 전극과의 경계면과 상기 정공 수송층과의 경계면 사이에서 1 > X > 0의 관계를 이룬다.
그리고, 무기물 조성 Y는 제 1 전극과의 경계면에서 Y = 0의 관계를 이루고, 정공 수송층과의 경계면에서 Y = 1인 관계를 이루며, 제 1 전극과의 경계면과 정공 수송층과의 경계면 사이에서 1 > Y > 0의 관계를 이룬다.
한편, 정공 수송층은 두 개의 층으로 형성되고, 각 층은 서로 다른 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명의 상기 및 여타 장점 및 특징이 명확하게 되도록 하기 위해, 간략히 전술된 본 발명의 특정 설명은 첨부된 도면에 설명된 특정 실시예를 참조할 것이다.
도 1은 일반적인 유기 EL 소자를 보여주는 도면;
도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 유기 EL 소자를 보여주는 도면;
도 4는 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 효율을 보여주는 그래프; 및
도 5는 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 수명을 보여주는 그래프이다.
본 발명에 따른 유기 EL 소자의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 유기 EL 소자를 보여주는 도면으로서, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 먼저 투명 기판(11) 위에 제 1 전극인 양극(12)을 형성한다.
여기서, 양극(12)은 ITO(Indium Tin Oxide) 등을 사용하여 형성된다.
그리고, 양극(12) 위에 정공 주입층(Hole Injection Layer: HIL)(13)을 형성한다.
여기서, 정공 주입층(13)은 유기물로부터 선택된 적어도 어느 한 물질과 무기물로부터 선택된 적어도 어느 한 물질이 혼합된 물질로 이루어져 있다.
정공 주입층(13)의 유기물은 아로마틱 아민(Aromatic amine) 그룹으로부터 선택되는 어느 한 물질이며, 하기의 화학식 1로 이루어진다.
[화학식 1]
Figure 112006010328532-PCT00008
이 때, 화학식 1의 n은 1 내지 4인 정수이고, 상기 Ar1, Ar2, Ar3 중 적어도 어느 하나는 치환되거나 치환되지 않은 아로마틱(aromatic) 그룹으로부터 선택되는 어느 한 물질이다.
그리고, Ar1, Ar2, Ar3 중 적어도 어느 하나는 phenyl, naphthyl, biphenyly, biphenylelnyl, phenanthrenyl, fluoreyl, terphenylyl, anthracenyl 그룹 등 일 수 있고, Ar1, Ar2, Ar3의 치환체는 methyl, ethyl, propyl, t-buthyl, methoxy, ethoxy, propoxy, dimethylamine, diethylamine, phenyl, fluorin, clorine, bromine, diphenylamine 그룹 등 일 수 있다.
일 예로, 정공 주입층(13)의 유기물은 하기의 화학식 2 내지 화학식 7 중 어느 하나일 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112006010328532-PCT00009
[화학식 3]
Figure 112006010328532-PCT00010
[화학식 4]
Figure 112006010328532-PCT00011
[화학식 5]
Figure 112006010328532-PCT00012
[화학식 6]
Figure 112006010328532-PCT00013
[화학식 7]
Figure 112006010328532-PCT00014
한편, 정공 주입층(13)의 무기물은 주기율표상의 1A, 2A, 3A, 4A족 그룹으로부터 선택되는 할라이드 화합물 또는 산화물 중 어느 하나일 수 있다.
여기서, 화합물은 LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF 등일 수 있고, 산화물은 Li2O, Na2O, K2O, BeO, MgO, CaO, B2O3, Al2O3 , SiO2 등 일 수 있다.
한편, 정공 주입층(13)은 유기물로 이루어진 적어도 하나의 제 1 층과 무기물로 이루어진 적어도 하나의 제 2 층으로 구성될 수 있다.
여기서, 제 1 층과 제 2 층은 서로 교대로 적층되어 형성된다.
제 1 층과 제 2 층은 각각 약 0.1nm 내지 10nm의 두께로 형성됨과 동시에 정공 주입층(13)의 전체 두께가 약 0.1nm 내지 300nm이어야 한다.
그리고, 정공 주입층(13)은 유기물로부터 선택된 적어도 하나의 물질과 무기물로부터 선택된 적어도 하나의 물질이 혼합될 수도 있다.
즉, 정공 주입층(13)은 유기물과 무기물을 코-데포지션(co-deposition)하여 두 물질을 혼합할 수도 있다.
여기서, 무기물은 혼합물의 1 % 내지 90 %로 한다.
이 때에도 정공 주입층(13)의 전체 두께는 약 0.1nm 내지 300nm이어야 한다.
그리고, 유기물과 무기물의 혼합물은 유기물 조성 X값이 두께 방향으로 그레디언트(gradient)를 가지거나, 또는 무기물 조성 Y값이 두께 방향으로 그레디언트를 갖도록 형성할 수도 있다.
즉, 유기물의 조성 X값은 양극(12)과의 경계면에서 X = 0의 관계를 이루고, 정공 수송층(14)과의 경계면에서 X = 1인 관계를 이루며, 양극(12)과의 경계면과 정공 수송층(14)과의 경계면 사이에서 1 > X > 0의 관계를 이루도록 형성할 수 있으며, 무기물 조성 Y값은 양극(12)과의 경계면에서 Y = 0의 관계를 이루고, 정공 수송층(14)과의 경계면에서 Y = 1인 관계를 이루며, 양극(12)과의 경계면과 정공 수송층(14)과의 경계면 사이에서 1 > Y > 0의 관계를 이루도록 형성할 수도 있다.
이 때, 정공 주입층(13)의 전체 두께는 약 0.1nm - 300nm이어야 한다.
이와 같이, 정공 주입층(13)을 유기물과 무기물의 혼합물질로 형성하는 이유는 정공 주입층(13)과 양극(12)과의 열 스트레스가 줄어들고, 정공의 운동성이 줄어 정공과 전자의 전하 밸런스(hole-electron charge balance)를 유지됨으로써, 유기 EL 소자의 효율 및 수명이 향상되기 때문이다.
본 발명의 실시예에서는 정공 주입층(13)의 유기물로서 NPD (4,4'-bis[N-(1-naphthy1)-N-pheny1-amino]bipheny1)를 사용하고, 무기물로서 LiF를 사용하였으며, 유기물 NPD과 무기물 LiF의 조성비는 NPD : LiF = 5 : 1로 하였다.
그리고, 정공 주입층(13)의 두께는 약 30nm 정도로 형성하였다.
이어, 정공 주입층(13) 위에 정공 수송층(Hole Transport Layer : HTL)(14)을 형성한다.
정공 수송층(14)은 N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-(1,1'biphenyl)-4,4'- diamine(TPD) 또는 4,4'-bis[N-(1-naphthy1)-N-pheny1-amino]bipheny1 (NPD) 등을 사용한다.
정공 수송층(14)은 도 2과 같이 제 1 정공 수송층(14a)와 제 2 정공 수송층(14b)으로 형성될 수 있고, 도 3과 같이 단일층으로 형성될 수도 있다.
정공 수송층(14)이 두 층으로 형성되는 경우, 두 층은 각각 서로 다른 물질로 형성한다.
본 발명의 실시예에서는 제 1 정공 수송층(14a)을 NPD (4,4'-bis[N- (1-naphthy1)-N-pheny1-amino]bipheny1)를 약 35nm 정도의 두께로 형성하고, 그 위에 제 2 정공 수송층(14b)을 NPD ((4,4'-bis[N-(1-naphthy1)-N-pheny1-amino] bipheny1)를 약 40nm 정도의 두께로 형성한다.
그리고, 정공 수송층(14) 위에 유기발광층(Organic Emitting Layer)(15)을 약 25nm 정도의 두께로 형성한다.
이때, 필요에 따라 도펀트(dopant)를 첨가한다.
녹색 발광을 위해서는 Alq3(8-hydroxyquinoline aluminum)에 코민(Coumine) 유도체(C545T)를 약 1% 정도 도핑(doping)한다.
다음, 유기발광층(15) 위에 전자 수송층(Electron Transport Layer : ETL)(16) 및 전자 주입층(Electron Injecting Layer : EIL)(17)을 연속적으로 형성한다.
전자 수송층(ETL)은 Alq3(8-hydroxyquinoline aluminum)로서 약 35nm 정도의 두께로 형성되고, 전자 주입층은 LiF로서 약 0.5nm 정도의 두께로 형성된다.
여기서, 소자의 타입에 따라 전자 수송층(Electron Transport Layer : ETL)(16) 및 전자 주입층(Electron Injecting Layer : EIL)(17)이 생략될 수도 있다.
다음으로, 전자주입층(17) 위에 제 2 전극인 음극(cathode)(18)을 형성하여 유기 EL 소자를 제작한다.
여기서, 음극(cathode)(18)은 Al으로서 약 200nm 정도의 두께로 형성된다.
도 4는 본 발명과 종래의 유기 EL 소자의 효율을 비교하는 그래프이고, 도 5는 본 발명과 종래의 유기 EL 소자의 수명을 비교하는 그래프이다.
여기서, 도 4와 도 5에서 보여주는 종래 기술은 정공 주입층에 유기물인 NPD만을 사용한 경우이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명이 종래 기술보다 발광 효율이 더 좋은 것으로 나타난다.
즉, 동일한 전류 밀도(mA/cm2)에서, 본 발명의 밝기가 종래 기술보다 더 밝게 나타난다.
그리고, 도 5에 도시된 바와 같이, 전류 밀도가 50mA/cm2일 때, 본 발명의 작동 시간이 종래 기술보다 더 길게 나타난다.
유기 EL 소자의 효율면에서, 5000nits일 때, 본 발명은 약 21.1cd/A이고, 종래 기술은 약 13.7cd/A으로 나타난다.
그리고, 유기 EL 소자의 수명면에서, 50mA/cd²일 때, 본 발명은 약 100시간 이상인 반면에 종래 기술은 약 40시간 정도로 나타난다.
이와 같이, 본 발명에 따른 유기 EL 소자는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 양극과 정공 주입층 사이의 열 스트레스를 완화 시켜 유기 EL 소자의 발광 효율 및 수명을 향상시키는 효과가 있다.
둘째, 정공과 전자의 전하 밸런스를 맞추어 줌으로써 양자 효율을 높여 유기 EL 소자의 효율을 향상시키는 효과가 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하 는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.

Claims (18)

  1. 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유기 다층(multilayer)을 갖는 유기 EL 소자에 있어서,
    상기 유기 다층은,
    상기 제 1 전극 위에 형성되고, 유기물로부터 선택된 적어도 어느 한 물질과 무기물로부터 선택된 적어도 어느 한 물질이 혼합된 정공 주입층과,
    상기 정공주입층 위에 적어도 한 층으로 형성되는 정공 수송층과,
    상기 정공 수송층 위에 형성되는 발광층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 발광층 위에 형성되는 전자 수송층과, 상기 전자 수송층 위에 형성되는 전자 주입층을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 정공 주입층의 유기물은 아로마틱 아민(Aromatic amine) 그룹으로부터 선택되는 어느 한 물질인 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 정공 주입층의 유기물은 하기의 화학식 1로 이루어지는 물질인 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
    [화학식 1]
    Figure 112006010328532-PCT00015
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 화학식 1의 n은 1 내지 4인 정수이고, 상기 Ar1, Ar2, Ar3 중 적어도 어느 하나는 치환되거나 치환되지 않은 아로마틱(aromatic) 그룹으로부터 선택되는 어느 한 물질인 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 Ar1, Ar2, Ar3 중 적어도 어느 하나는 phenyl, naphthyl, biphenyly, biphenylelnyl, phenanthrenyl, fluoreyl, terphenylyl, anthracenyl 그룹 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 Ar1, Ar2, Ar3의 치환체는 methyl, ethyl, propyl, t-buthyl, methoxy, ethoxy, propoxy, dimethylamine, diethylamine, phenyl, fluorin, clorine, bromine, diphenylamine 그룹 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  8. 제 3 항에 있어서, 상기 정공 주입층의 유기물은 하기의 화학식 2 내지 화학시 7 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
    [화학식 2]
    Figure 112006010328532-PCT00016
    [화학식 3]
    Figure 112006010328532-PCT00017
    [화학식 4]
    Figure 112006010328532-PCT00018
    [화학식 5]
    Figure 112006010328532-PCT00019
    [화학식 6]
    Figure 112006010328532-PCT00020
    [화학식 7]
    Figure 112006010328532-PCT00021
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 정공 주입층의 무기물은 주기율표상의 1A, 2A, 3A, 4A족 그룹으로부터 선택되는 할라이드 화합물 또는 산화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 화합물은 LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 산화물은 Li2O, Na2O, K2O, BeO, MgO, CaO, B2O3, Al2O3, SiO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 정공 주입층은 상기 유기물로 이루어진 적어도 하나의 제 1 층과 상기 무기물로 이루어진 적어도 하나의 제 2 층으로 구성되고, 상기 제 1 층과 제 2 층은 서로 교대로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 층과 제 2 층은 각각 0.1nm 내지 10nm의 두께를 가지고, 상기 정공 주입층의 전체 두께는 0.1nm 내지 300nm인 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 정공 주입층은 상기 유기물로부터 선택된 적어도 하나의 물질과 상기 무기물로부터 선택된 적어도 하나의 물질이 혼합된 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 무기물은 혼합물의 1 % 내지 90 %인 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 혼합물은 유기물 조성 X값은 두께 방향으로 그레디 언트(gradient)를 가지거나, 또는 무기물 조성 Y값은 두께 방향으로 그레디언트를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 유기물의 조성 X값은 상기 제 1 전극과의 경계면에서 X = 0의 관계를 이루고, 상기 정공 수송층과의 경계면에서 X = 1인 관계를 이루며, 상기 제 1 전극과의 경계면과 상기 정공 수송층과의 경계면 사이에서 1 > X > 0의 관계를 이루는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 무기물 조성 Y값은 상기 제 1 전극과의 경계면에서 Y = 0의 관계를 이루고, 상기 정공 수송층과의 경계면에서 Y = 1인 관계를 이루며, 상기 제 1 전극과의 경계면과 상기 정공 수송층과의 경계면 사이에서 1 > Y > 0의 관계를 이루는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100922759B1 (ko) * 2008-02-26 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR100922760B1 (ko) * 2008-03-03 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
WO2009093873A3 (ko) * 2008-01-23 2009-10-29 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 및 이의 제작 방법
US7973467B2 (en) 2007-11-15 2011-07-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device
US8142910B2 (en) 2008-03-04 2012-03-27 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US8274212B2 (en) 2007-12-28 2012-09-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device including first hole injection layer and second hole injection layer
US8557398B2 (en) 2007-12-24 2013-10-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI238677B (en) * 2003-12-25 2005-08-21 Fujitsu Ltd Organic EL element, organic EL display, process for fabricating organic EL element, and device for fabricating organic EL element
KR100587304B1 (ko) * 2004-06-03 2006-06-08 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법
CN101851499B (zh) * 2004-12-06 2014-09-24 株式会社半导体能源研究所 复合材料、使用所述复合化合物的发光元件和发光器件以及所述发光元件的制造方法
US7667389B2 (en) * 2004-12-06 2010-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
KR101030008B1 (ko) * 2004-12-31 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광 소자
US9530968B2 (en) * 2005-02-15 2016-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device
WO2006093171A1 (en) * 2005-02-28 2006-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light emitting element, light emitting device and electronic appliance using the composite material
JP5116992B2 (ja) * 2005-05-27 2013-01-09 富士フイルム株式会社 有機ｅｌ素子
US8729795B2 (en) * 2005-06-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
US8659008B2 (en) * 2005-07-08 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the composite material
JP4770492B2 (ja) * 2006-02-02 2011-09-14 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびその製造方法
KR100841369B1 (ko) 2006-12-18 2008-06-26 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR100805700B1 (ko) * 2006-12-29 2008-02-21 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 소자 및 그 제조방법
US20080238300A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-02 Sang Tae Park Organic electroluminescence device and method for fabricating the same
JP5102533B2 (ja) * 2007-04-24 2012-12-19 パナソニック株式会社 有機発光素子
KR101457681B1 (ko) * 2007-09-21 2014-11-03 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자
KR100879476B1 (ko) * 2007-09-28 2009-01-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR100922755B1 (ko) * 2007-12-28 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
JP2009010415A (ja) * 2008-08-29 2009-01-15 Bando Chem Ind Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101341012B1 (ko) * 2008-08-29 2013-12-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널
KR101887237B1 (ko) * 2011-08-29 2018-08-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
CN103050641B (zh) * 2011-10-14 2016-03-02 乐金显示有限公司 有机发光器件和使用该器件的显示板
US20140319506A1 (en) * 2011-11-28 2014-10-30 Shenzhen Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent device having ternary doped hole transportation layer and preparation method therefor
JP6174877B2 (ja) 2013-03-21 2017-08-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP6114592B2 (ja) 2013-03-21 2017-04-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその製造方法、電子機器
JP5753635B1 (ja) * 2013-07-12 2015-07-22 保土谷化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6788335B2 (ja) 2014-08-11 2020-11-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用モノアミン材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US11322705B2 (en) * 2015-04-17 2022-05-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
KR102504124B1 (ko) * 2015-07-31 2023-02-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN108198954B (zh) * 2016-12-08 2019-10-25 昆山国显光电有限公司 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
US11917840B2 (en) 2018-05-18 2024-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device with reflective electrode and light-emitting layer
KR102761519B1 (ko) 2020-02-26 2025-02-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
WO2021201621A1 (ko) * 2020-04-01 2021-10-07 경희대학교산학협력단 나노-섬 구조체를 포함하는 유기 발광소자 및 그 제조방법
KR102857110B1 (ko) 2020-06-23 2025-09-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치
KR20220028356A (ko) 2020-08-28 2022-03-08 주식회사 엘지화학 신규한 화합물, 이를 포함하는 코팅 조성물, 이를 이용한 유기 발광 소자 및 이의 제조방법

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3249297B2 (ja) * 1994-07-14 2002-01-21 三洋電機株式会社 有機電界発光素子
US6280861B1 (en) * 1996-05-29 2001-08-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL device
JP3490856B2 (ja) 1996-11-20 2004-01-26 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH11251067A (ja) * 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
WO2000001203A1 (en) * 1998-06-26 2000-01-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Luminescent device
JP3915256B2 (ja) 1998-06-29 2007-05-16 東洋インキ製造株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000040590A (ja) 1998-07-22 2000-02-08 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2000196140A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
JP2000252074A (ja) * 1998-12-29 2000-09-14 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP3125777B2 (ja) * 1999-01-28 2001-01-22 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びパネル
JP2000268969A (ja) 1999-03-17 2000-09-29 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2001233882A (ja) * 2000-02-28 2001-08-28 Yasuhiko Shirota エレクトロルミネッセンス素子
JP4560927B2 (ja) 2000-09-22 2010-10-13 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
SG138466A1 (en) * 2000-12-28 2008-01-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
JP4076769B2 (ja) 2000-12-28 2008-04-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電気器具
US6614175B2 (en) * 2001-01-26 2003-09-02 Xerox Corporation Organic light emitting devices
US6565996B2 (en) * 2001-06-06 2003-05-20 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in a hole-transport layer and/or in an electron-transport layer
US6627333B2 (en) * 2001-08-15 2003-09-30 Eastman Kodak Company White organic light-emitting devices with improved efficiency
US6852997B2 (en) * 2001-10-30 2005-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
TW511304B (en) * 2001-12-11 2002-11-21 Ind Tech Res Inst Organic electroluminescent device with fluorine-containing inorganic layer
KR100474891B1 (ko) 2001-12-20 2005-03-08 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 디스플레이 소자
JP3809383B2 (ja) * 2002-02-06 2006-08-16 バンドー化学株式会社 液晶表示装置
US6692846B2 (en) * 2002-06-20 2004-02-17 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device having a stabilizing dopant in a hole-transport layer or in an electron-transport layer distant from the emission layer
JP2004079301A (ja) * 2002-08-14 2004-03-11 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子およびその製造方法
US6967062B2 (en) * 2003-03-19 2005-11-22 Eastman Kodak Company White light-emitting OLED device having a blue light-emitting layer doped with an electron-transporting or a hole-transporting material or both
US7037601B2 (en) * 2003-05-28 2006-05-02 Eastman Kodak Company White light-emitting device structures
US6919140B2 (en) * 2003-07-10 2005-07-19 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with high luminance
US20060019116A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Eastman Kodak Company White electroluminescent device with anthracene derivative host

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7973467B2 (en) 2007-11-15 2011-07-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device
US8557398B2 (en) 2007-12-24 2013-10-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device
US8274212B2 (en) 2007-12-28 2012-09-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device including first hole injection layer and second hole injection layer
WO2009093873A3 (ko) * 2008-01-23 2009-10-29 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 및 이의 제작 방법
KR100922759B1 (ko) * 2008-02-26 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR100922760B1 (ko) * 2008-03-03 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
US8142910B2 (en) 2008-03-04 2012-03-27 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting device

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