KR20060099089A - Metal wiring etching solution, metal wiring etching method using the same and manufacturing method of liquid crystal display device using the etching solution - Google Patents
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Abstract
본 발명은 구리/몰리브데늄(합금)막으로 구성된 금속배선을 식각하기 위한 금속배선 식각용액 및 이를 이용한 금속배선 식각방법과 상기 식각용액을 이용한 액정표시장치의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있는 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 금속배선 식각용액은 조성물 총 중량을 기준으로, 12 내지 35 중량%의 과산화수소, 0.5 내지 5 중량 %의 황산염, 0.5 내지 5 중량%의 인산염, 0.001 내지 0.5 중량%의 조성물에 플르오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 0.1 내지 5 중량%의 수용성 고리형 아민 화합물, 0.1 내지 5 중량%의 킬레이트제 및 전체 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 하는 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 한다.
The present invention provides a metal wiring etching solution for etching a metal wiring composed of a copper / molybdenum (alloy) film, a metal wiring etching method using the same, and a method of manufacturing a liquid crystal display device using the etching solution. In order to achieve the above object, the metallization etching solution of the present invention is based on the total weight of the composition, 12 to 35% by weight of hydrogen peroxide, 0.5 to 5% by weight of sulfate, 0.5 to 5% by weight of phosphate, 0.001 to Fluoride capable of providing fluoride ions to 0.5% by weight of the composition, 0.1 to 5% by weight of water-soluble cyclic amine compound, 0.1 to 5% by weight of chelating agent and deionized water so that the total weight of the total composition is 100% by weight Characterized in that it comprises a.
Description
도 1은 종래 기술에 따른 인산+질산+초산 함유 식각액으로 식각공정을 수행한 구리/몰리브데늄 이중막 식각 프로파일 단면을 나타낸 전자현미경 사진1 is an electron micrograph showing a cross section of a copper / molybdenum double layer etching profile which is subjected to an etching process using a phosphoric acid + nitric acid + acetic acid-containing etching solution according to the prior art;
도 2와 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 식각 조성물로 제조한 구리/몰리브데늄막으로 구성된 금속배선의 식각 프로파일 단면 및 표면의 전자현미경 사진 2 and 3 are electron micrographs of the etch profile cross section and the surface of the metal wiring composed of a copper / molybdenum film prepared by the etching composition according to an embodiment of the present invention
도 4는 불화물을 사용하지 않고 구리/몰리브데늄막을 식각한 식각 프로파일 단면의 전자현미경 사진 Figure 4 is an electron micrograph of the etch profile cross-section etching the copper / molybdenum film without using fluoride
도 5 내지 도 7은 본 발명에 따른 금속 배선 식각용액을 사용하여 액정표시장치를 제조한 방법을 나타낸 플로우챠트 5 to 7 are flowcharts illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device using the metallization etching solution according to the present invention.
본 발명은 금속배선 식각용액 및 이를 이용한 금속배선 식각 방법과 상기 식각용액을 이용한 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a metallization etching solution, a metallization etching method using the same, and a method of manufacturing a liquid crystal display device using the etching solution.
반도체 장치에서 기판상에 금속배선을 형성하기 위해서는 일반적으로 스퍼터링 등에 의한 금속막 형성공정, 상기 금속막 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트 형성공정 및 상기 포토레지스트를 접촉 마스크로 하여 식각을 수행하는 에칭공정으로 이루어지는 바, 이 중 상기 에칭 공정은 플라즈마 등을 이용한 건식식각이나, 식각용액을 이용하는 습식식각에 의해 수행된다. 건식식각의 경우, 고진공을 요하는 등 식각 조건이 까다롭고 비용이 많이 소요되므로, 적절한 식각액이 존재하는 경우 습식 식각이 보다 유리하다. In order to form a metal wiring on a substrate in a semiconductor device, a metal film forming process by sputtering or the like, a photoresist forming process having a predetermined pattern on the metal film, and an etching process for etching using the photoresist as a contact mask The etching process is performed by dry etching using plasma or wet etching using an etching solution. In the case of dry etching, since etching conditions are difficult and expensive, such as high vacuum, wet etching is more advantageous when an appropriate etching solution is present.
한편, TFT-LCD 장치에서 금속배선막의 저항은 RC 신호지연을 유발하는 주요한 인자로서, 저저항의 금속 배선막 수득은 패널 크기 증가와 고해상도 구현에 관건이 되고 있다. 따라서, 종래 기술상 금속배선막의 재료로 사용되는 크롬(Cr, 비저항:25×10-6Ωm), 몰리브데늄(Mo, 비저항: 12×10-6Ωm), 알루미늄니오디움(AlNd, 비저항:5×10-6Ωm) 및 이들의 합금은 저항이 높아 대형 TFT-LCD에 사용되는 게이트 및 데이터 배선 등으로 이용하기에 바람직하지 않은 것으로 생각되어 지고 있다. On the other hand, the resistance of the metallization film in the TFT-LCD device is a major factor causing the RC signal delay, and obtaining a low resistance metallization film is a key to increasing the panel size and high resolution. Therefore, in the prior art, chromium (Cr, specific resistance: 25 x 10 -6 Ωm), molybdenum (Mo, specific resistance: 12 x 10 -6 Ωm), aluminum nidium (AlNd, specific resistance: 5, which is used as a material of a metal wiring film) X 10 -6 Ωm) and their alloys are considered to be undesirable for use as gates and data wirings used in large TFT-LCDs due to their high resistance.
이와 관련하여, 알루미늄 또는 크롬 보다 저항이 현저하게 낮고 환경적으로도 큰 문제가 없는 구리 금속이 저저항 배선막 재료로서 주목을 받고 있으나, 구리의 경우 그 금속막 위에 포토레지스트를 도포하여 패터닝하는 공정에 많은 어려운 점, 예를 들어, 유리기판 및 실리콘 절연막과의 접착력이 나빠지는 등의 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 구리를 단독으로 사용하기 보다는, 구리막과 하부 유리기판 또는 실리콘 절연막과의 접착력을 증대시키고 실리콘 막으로의 구리의 확산을 억제하기 위하여 중간 금속막을 함께 사용하는 기술이 제안되었는바, 이러한 중간 금속막으로는 티타늄, 몰리브데늄 또는 몰리브데늄 합금 등을 들 수 있다.In this regard, copper metals, which are significantly lower in resistance than aluminum or chromium and have no environmental problems, are attracting attention as low-resistance wiring film materials. However, in the case of copper, a process of coating and patterning a photoresist on the metal film There are many problems, such as poor adhesion to the glass substrate and the silicon insulating film. Rather than using copper alone to solve this problem, a technique of using an intermediate metal film together to increase the adhesion between the copper film and the lower glass substrate or the silicon insulating film and to suppress the diffusion of copper into the silicon film has been proposed. The intermediate metal film may include titanium, molybdenum or molybdenum alloy.
상기 구리/중간 금속막을 습식식각공정으로 에칭하기 위해서는 적절한 식각액의 개발이 선행되어야 하나, 현재 이를 위한 적절한 에칭액은 개발되어 있지 않은 상태이다. 예를 들어, 대한민국공개특허 1999-017836호는 인산, 질산 및 초산을 사용하여 구리/몰리브덴 막을 식각하는 방법을 개시하고 있으나, 상기 기술은 식각속도가 너무 빠를 뿐만 아니라, 도 1에 나타낸 바와 같이, 패턴의 직선성이 좋지 않고, 식각 프로파일(etch profile)의 테이퍼 각이 90도 또는 그 이상이 되어 후속 공정이 곤란하다. In order to etch the copper / intermediate metal film by a wet etching process, development of an appropriate etchant must be preceded, but an appropriate etchant for this is currently not developed. For example, Korean Patent Laid-Open Publication No. 1999-017836 discloses a method of etching a copper / molybdenum film using phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid, but the technique is not only too fast in etching, but as shown in FIG. The linearity of the pattern is not good, and the taper angle of the etch profile is 90 degrees or more, which makes subsequent processing difficult.
또한, 구리/티타늄막을 식각하기 위해서 식각용액 내에 불소이온이 함유된 조성물을 사용하려는 시도가 있었으나, 일반적으로 식각용액 내에 불소이온이 포함되어 있으면 유리기판 및 질화실리콘층 등에 까지 영향을 주어 각종 불량을 일으키는 것이 알려져 있다. In addition, an attempt has been made to use a composition containing fluorine ions in an etching solution to etch the copper / titanium film. However, when fluorine ions are included in an etching solution, glass substrates and silicon nitride layers may be affected, resulting in various defects. It is known to cause.
나아가, 대한민국공개특허 제 2004- 11041호는 과산화수소, 유기산, 황산염, 고리형 아민화합물 및 탈이온수를 포함한 구리/몰리브덴막 식각용액을 개시하고 있는바, 상기 기술의 경우, 패턴의 직선성 및 비교적 만족할 만한 테이퍼 각을 얻는 것은 가능하나, 유기산을 필수 구성성분으로 함유해야 하므로 경시변화 측면에서 바람직하지 않고, Mo의 잔사가 잔존할 가능성이 큰 문제가 있고, 특히, 본 발명자의 연구에 따르면, 테이퍼 각이 70도 내지 90도 정도로 후속 막의 덮힘(step coverage)이 불완전하여 데이터 오픈 불량을 유발하며 몰리브데늄의 부분적 부동태 화로 인한 잔사의 형성으로 인해 픽셀 불량 등이 발생하는 심각한 문제점을 가지고 있다. Furthermore, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2004-11041 discloses a copper / molybdenum film etching solution containing hydrogen peroxide, organic acids, sulfates, cyclic amine compounds and deionized water. Although it is possible to obtain a sufficient taper angle, it is not preferable in terms of change over time because it must contain an organic acid as an essential component, and there is a problem that a residue of Mo is likely to remain. In particular, according to the study of the present inventors, the taper angle The step coverage of the subsequent film is incomplete at about 70 to 90 degrees, leading to data open defects, and serious defects such as pixel defects due to the formation of residues due to partial passivation of molybdenum.
따라서, 당해 기술분야에는 패턴의 직선성이 우수하고, 언더컷 등의 문제 없이 소망하는 각도의 가지는 테이퍼를 일괄 습식 식각에 의해 수득할 수 있을 뿐만 아니라, 몰리브데늄(합금)의 부분적 부동태화로 인한 잔사 문제 없는 식각액의 개발이 절실히 요구되고 있다.Therefore, in the art, the pattern has excellent linearity, and the taper having a desired angle without problems such as undercut can be obtained by batch wet etching, as well as residues due to partial passivation of molybdenum (alloy). There is an urgent need for the development of trouble-free etching solutions.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출한 것으로 특히, 구리/몰리브덴(합금)으로 구성된 금속배선을 일괄습식 식각할 때, 식각속도 제어가 쉽고 원하는 테이퍼를 균일하게 수득할 수 있으며 수득된 패턴의 직진성이 우수하며 CD(Critical Dimension) 손실도 적을 뿐만 아니라, 식각된 금속배선의 표면에 몰리브덴(합금)의 부동태화에 의한 잔사가 발생하지 않는 금속배선 식각용액 및 이를 이용한 금속배선 식각방법과 상기 식각용액을 이용한 액정표시장치의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above problems, in particular, when the batch wet etching of the metal wiring consisting of copper / molybdenum (alloy), the etching rate is easy to control and the desired taper can be obtained uniformly and the obtained pattern It has excellent straightness and low CD (Critical Dimension) loss, and metal etching solution which does not generate residues due to passivation of molybdenum (alloy) on the surface of etched metal wiring, and metal wiring etching method using the same. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a liquid crystal display using an etching solution.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 금속배선 식각용액은 과산화 수소, 황산염, 인산염, 플르오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 수용성 고리형 아민 화합물, 킬레이트제 및 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 한다. The metallization etching solution of the present invention for achieving the above object is characterized in that it comprises a fluoride, a water-soluble cyclic amine compound, a chelating agent and deionized water which can provide hydrogen peroxide, sulfate, phosphate, fluoride ion do.
상기 금속배선은 구리/몰리브데늄(합금)막인 것을 특징으로 한다. The metal wiring is characterized in that the copper / molybdenum (alloy) film.
상기 구리/몰리브데늄(합금)막은 1 이상의 구리(Cu)막과 1 이상의 몰리브데 늄(Mo)막 및/또는 몰리브덴 합금(Mo-alloy)막이 상호 적층된 다중막인 것을 특징으로 한다. The copper / molybdenum (alloy) film is a multilayer film in which at least one copper (Cu) film and at least one molybdenum (Mo) film and / or a molybdenum alloy (Mo-alloy) film are stacked on each other.
상기 다중막은 Cu/Mo(Mo-alloy) 이중막, Cu/Mo(Mo-alloy)/Cu 또는 Mo(Mo-alloy)/Cu/Mo(Mo-alloy)의 삼중막인 것을 특징으로 한다. The multilayer is a Cu / Mo (Mo-alloy) double layer, Cu / Mo (Mo-alloy) / Cu or Mo (Mo-alloy) / Cu / Mo (Mo-alloy) triple layer.
상기 몰리브데늄 합금막은 몰리브데늄-텡스텐(Mo-W), 몰리브데늄-티타늄(Mo-Ti), 몰리브데늄-니오비늄(Mo-Nb), 몰리브데늄-크롬(Mo-Cr) 또는 몰리브데늄-탄탈륨(Mo-Ta)으로 구성됨을 특징으로 한다. The molybdenum alloy film is molybdenum-tungsten (Mo-W), molybdenum-titanium (Mo-Ti), molybdenum-niobium (Mo-Nb), molybdenum-chromium (Mo- Cr) or molybdenum-tantalum (Mo-Ta).
본 발명의 구체적인 금속배선 식각용액은 조성물 총 중량을 기준으로, 12 내지 35 중량%의 과산화수소, 0.5 내지 5 중량 %의 황산염, 0.5 내지 5 중량%의 인산염, 0.001 내지 0.5 중량%의 조성물에 플르오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 0.1 내지 5 중량%의 수용성 고리형 아민 화합물, 0.1 내지 5 중량%의 킬레이트제 및 전체 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 하는 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 한다. The specific metallization etching solution of the present invention is based on the total weight of the composition, 12 to 35% by weight of hydrogen peroxide, 0.5 to 5% by weight of sulfate, 0.5 to 5% by weight of phosphate, 0.001 to 0.5% by weight of the composition Fluoride capable of providing ions, 0.1-5% by weight of a water-soluble cyclic amine compound, 0.1-5% by weight of chelating agent and deionized water such that the total weight of the total composition is 100% by weight.
상기 황산염 화합물은 황산암모늄, 과황산암모늄, 황산나트륨, 과황산나트륨, 황산칼륨 및 과황산 칼륨중 최소한 하나로 이루어진 화합물인 것을 특징으로 한다. The sulfate compound is characterized in that the compound consisting of at least one of ammonium sulfate, ammonium persulfate, sodium sulfate, sodium persulfate, potassium sulfate and potassium persulfate.
상기 인산염 화합물은 일인산암모늄(Ammonium Monophosphate), 이인산암모늄(Ammonium Diphosphate), 인산이수소칼륨 또는 인산이수소나트륨인 것을 특징으로 한다. The phosphate compound is characterized in that ammonium monophosphate (Ammonium Monophosphate), ammonium diphosphate (Ammonium Diphosphate), potassium dihydrogen phosphate or sodium dihydrogen phosphate.
상기 불화물은 불산, 불화암모늄, 불화칼륨 및 과불화칼륨중 최소한 하나로 이루어진 화합물인 것을 특징으로 한다. The fluoride is characterized in that the compound consisting of at least one of hydrofluoric acid, ammonium fluoride, potassium fluoride and potassium perfluoride.
상기 수용성 고리형 아민은 아미노테트라졸(Aminotetrazole), 벤조트리아졸(Benzotriazole), 메틸벤조트리아졸(Methyl-benzotriazol), 1,2,3 트리아졸(1,2,3-Triazole), 이미다졸(Imidazole), 인돌, 푸린, 피라졸, 피리딘, 피리미딘, 피롤 및 피롤린중 최소한 하나로 이루어진 화합물인 것을 특징으로 한다. The water-soluble cyclic amine may be aminotetrazole, benzotriazole, methylbenzotriazol, 1,2,3 triazole, imidazole, Imidazole), indole, purine, pyrazole, pyridine, pyrimidine, pyrrole and pyrroline compound.
상기 킬레이트제는 아미노기 및 카르복실기를 함유한 유기 킬레이트제인 것을 특징으로 한다. The chelating agent is characterized in that the organic chelating agent containing an amino group and a carboxyl group.
상기 유기 킬레이트제는 EDTA, 이미노디아세트산(Iminodiacetic Acid), 니트릴로트리아세트산(Nitrilotriacetic acid) 및 디에틸렌트리니트릴로펜타아세트산(Diethylene Trinitrilo Pentaacetic Acid: DTPA)중 최소한 하나로 이루어진 것을특징으로 한다.The organic chelating agent is characterized by consisting of at least one of EDTA, iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid and diethylene trinitrilo pentaacetic acid (DTPA).
상기의 식각용액을 이용한 본 발명에 따른 금속배선 식각방법은 기판 상에 몰리브데늄(합금)막을 증착하는 단계; 상기 몰리브데늄(합금)막 상에 구리막을 증착하는 단계; 상기 기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트막을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트막을 마스크로, 상기 본 발명에 따른 식각용액을 사용하여 상기 구리/몰리브데늄(합금)막을 습식식각하여 금속배선을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트막을 제거하는 단계; 탈이온수로 상기 금속 배선을 세정 및 질소로 건조시키는 단계를 포함함을 특징으로 한다. The metallization etching method according to the present invention using the etching solution includes the steps of depositing a molybdenum (alloy) film on the substrate; Depositing a copper film on the molybdenum (alloy) film; Forming a photoresist film having a predetermined pattern on the substrate; Forming a metal wiring by wet etching the copper / molybdenum (alloy) film by using the etching solution according to the present invention using the photoresist film as a mask; Removing the photoresist film; And washing the metal wiring with deionized water and drying with nitrogen.
상기 구리/몰리브데늄(합금)막은 1 이상의 구리(Cu)막과 1 이상의 몰리브데늄(Mo)막 및/또는 몰리브덴 합금(Mo-alloy)막이 상호 적층된 다중막인 것을 특징으 로 한다. The copper / molybdenum (alloy) film is characterized in that the multilayer film is laminated with at least one copper (Cu) film and at least one molybdenum (Mo) film and / or molybdenum alloy (Mo-alloy) film.
상기 몰리브데늄(합금)막은 대략 100~500Å, 상기 구리막은 대략 1000~5000Å 두께를 갖도록 증착하는 것을 특징으로 한다. The molybdenum (alloy) film is about 100 ~ 500Å, the copper film is characterized in that deposited to have a thickness of about 1000 ~ 5000Å.
상기 금속 배선의 식각은 대략 30℃의 온도에서 진행함을 특징으로 한다. Etching of the metal wiring is characterized in that it proceeds at a temperature of approximately 30 ℃.
상기 식각용액은 30 내지 150초 동안 스프레이 방법을 통하여 상기 기판 상에 분무시키는 것을 특징으로 한다. The etching solution is characterized in that the spray on the substrate through a spray method for 30 to 150 seconds.
본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은 기판상에 구리/몰리브데늄(합금)막을 증착하는 단계; 청구항 6에 따른 식각용액으로 구리/몰리브데늄(합금)막을 식각하여 일방향을 갖는 게이트라인과, 게이트라인에서 돌출된 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 기판 전면에 게이트 절연막을 증착하는 단계; 상기 게이트전극 상부에 오버랩되도록 액티브층을 형성하는 단계; 상기 게이트라인과 수직 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 상기 데이터배선의 일측에서 돌출된 소오스전극과, 상기 소오스전극에서 일정간격 이격된 드레인전극을 형성하는 단계; 상기 화소영역에 화소전극을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 한다. A method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention includes the steps of depositing a copper / molybdenum (alloy) film on a substrate; Etching a copper / molybdenum (alloy) film with an etching solution according to claim 6 to form a gate line having one direction and a gate electrode protruding from the gate line; Depositing a gate insulating film over the substrate; Forming an active layer to overlap the gate electrode; Forming a data line defining a pixel area vertically crossing the gate line, a source electrode protruding from one side of the data line, and a drain electrode spaced at a predetermined distance from the source electrode; And forming a pixel electrode in the pixel region.
상기 데이터배선 및 소오스/드레인전극을 구리/몰리브데늄(합금)막을 증착한 후, 상기 본 발명에 따른 식각용액으로 식각하여 형성하는 것을 더 포함함을 특징으로 한다. The data wiring and source / drain electrodes may be formed by depositing a copper / molybdenum (alloy) layer, followed by etching with an etching solution according to the present invention.
본 발명에 따른 다른 방법에 따른 액정표시장치의 제조방법은 기판상에 일방향을 갖는 게이트라인과, 게이트라인에서 돌출된 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 기판 전면에 게이트 절연막을 증착하는 단계; 상기 게이트전극 상부에 오버랩되 도록 액티브층을 형성하는 단계; 상기 기판 전면에 구리/몰리브데늄(합금)막을 증착하는 단계; 상기 본 발명에 따른 식각용액으로 구리/몰리브데늄(합금)막을 식각하여 상기 게이트라인과 수직 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 상기 데이터배선의 일측에서 돌출된 소오스전극과, 상기 소오스전극에서 일정간격 이격된 드레인전극을 형성하는 단계; 상기 화소영역에 화소전극을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, the method including: forming a gate line having one direction on a substrate and a gate electrode protruding from the gate line; Depositing a gate insulating film over the substrate; Forming an active layer to overlap the gate electrode; Depositing a copper / molybdenum (alloy) film on the entire surface of the substrate; Etching the copper / molybdenum (alloy) film with the etching solution according to the present invention to cross the gate line vertically to define a pixel area, a source electrode protruding from one side of the data line, and the source electrode Forming drain electrodes spaced apart from each other at a predetermined interval; And forming a pixel electrode in the pixel region.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 금속배선 식각용액 및 이를 이용한 금속배선 식각방법과 상기 식각용액을 이용한 액정표시장치의 제조방법에 대하여 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, a metal wiring etching solution, a metal wiring etching method using the same, and a manufacturing method of a liquid crystal display device using the etching solution will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2와 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 식각 조성물로 제조한 구리/몰리브데늄막으로 구성된 금속배선의 식각 프로파일 단면 및 표면의 전자현미경 사진이고, 도 4는 불화물을 사용하지 않고 구리/몰리브데늄막을 식각한 식각 프로파일 단면의 전자현미경 사진이다. 2 and 3 are electron micrographs of the etch profile cross-section and the surface of the metal wiring composed of a copper / molybdenum film prepared by the etching composition according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a copper / without fluoride Electron micrograph of the etch profile cross-section of the molybdenum film.
먼저, 본 발명에서 식각하려는 금속배선은 구리/몰리브데늄(합금)막으로써, 상기 구리/몰리브데늄(합금)막이란, 1 이상의 구리(Cu)막과 1 이상의 몰리브데늄(Mo) 및/또는 몰리브덴 합금(Mo-alloy)막이 상호 적층된 다중막을 의미한다. 상기 다중막은 Cu/Mo(Mo-alloy) 이중막, Cu/Mo(Mo-alloy)/Cu 또는 Mo(Mo-alloy)/Cu/Mo(Mo-alloy)의 삼중막 등 Cu와 Mo, Mo-alloy가 교호 적층된 막을 의미하며, 그 순서는 기판의 물질, 접합성을 고려하여 결정할 수 있다. First, the metal wiring to be etched in the present invention is a copper / molybdenum (alloy) film, wherein the copper / molybdenum (alloy) film, at least one copper (Cu) film and at least one molybdenum (Mo) and A molybdenum alloy (Mo-alloy) film means a multi-layer laminated on each other. The multilayers include Cu / Mo (Mo-alloy) bilayer, Cu / Mo (Mo-alloy) / Cu, or triple layer of Mo (Mo-alloy) / Cu / Mo (Mo-alloy). It refers to a film in which an alloy is laminated alternately, and the order thereof may be determined in consideration of the material and the bonding property of the substrate.
그리고 상기 각각의 금속막 두께는 서로 제한되지 않으며, 필요에 따라 적절 히 조절할 수 있다. And the thickness of each metal film is not limited to each other, can be appropriately adjusted as necessary.
그리고'몰리브데늄 합금막'이라 함은, 텅스텐, 티타늄, 니오비늄, 크롬, 탄탈륨 등 몰리브데늄과 합금을 이룰 수 있는 금속성분을 함유한 몰리브덴막을 의미하며, 그 예로서 몰리브데늄-텡스텐(Mo-W), 몰리브데늄-티타늄(Mo-Ti), 몰리브데늄-니오비늄(Mo-Nb), 몰리브데늄-크롬(Mo-Cr) 몰리브데늄-탄탈륨(Mo-Ta)등을 들 수 있다. The term 'molybdenum alloy film' means a molybdenum film containing a metal component capable of forming an alloy with molybdenum such as tungsten, titanium, niobinium, chromium, and tantalum. For example, molybdenum- Tungsten (Mo-W), molybdenum-titanium (Mo-Ti), molybdenum-niobium (Mo-Nb), molybdenum-chromium (Mo-Cr) molybdenum-tantalum (Mo- Ta) etc. can be mentioned.
본 발명에 따른 금속배선 즉, 구리/몰리브데늄(합금)막을 식각하기 위한 식각용액은 과산화수소, 황산염, 인산염, 조성물에 플르오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 수용성 고리형 아민, 킬레이트제 및 탈이온수를 포함한다. The etching solution for etching the metallization, i.e., copper / molybdenum (alloy) film according to the present invention is hydrogen peroxide, sulfates, phosphates, fluorides, water-soluble cyclic amines, chelating agents and desorptions capable of providing fluoride ions to the composition. Contains deionized water.
바람직하게는, 조성물 총 중량을 기준으로, 12 내지 35 중량%의 과산화수소, 0.5 내지 5 중량 %의 황산염, 0.5 내지 5 중량%의 인산염, 0.001 내지 0.5 중량%의 조성물에 플르오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 0.1 내지 5 중량%의 수용성 고리형 아민, 0.1 내지 5 중량%의 킬레이트제 및 전체 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 하는 탈이온수를 포함한다.Preferably, based on the total weight of the composition, 12 to 35% by weight of hydrogen peroxide, 0.5 to 5% by weight of sulfate, 0.5 to 5% by weight of phosphate, and 0.001 to 0.5% by weight of the composition can be provided with fluoride ions. Fluoride, 0.1 to 5% by weight of water soluble cyclic amine, 0.1 to 5% by weight of chelating agent, and deionized water such that the total weight of the total composition is 100% by weight.
본 발명에 따른 금속배선 식각용액에 사용되는 과산화수소, 황산염, 인산염, 불화물, 수용성 고리형 아민, 킬레이트제는 통상적으로 공지된 방법에 의해서 제조가 가능하고, 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다. Hydrogen peroxide, sulfates, phosphates, fluorides, water-soluble cyclic amines, chelating agents used in the metallization etching solution according to the present invention can be prepared by conventionally known methods, and preferably have a purity for semiconductor processing.
그리고 본 발명에 따른 식각용액에서, 상기 탈이온수는 반도체 공정용을 사용하고, 바람직하게는 18㏁/㎝ 이상의 물을 사용한다.And in the etching solution according to the present invention, the deionized water is used for the semiconductor process, preferably 18 ㏁ / cm or more water.
그리고 본 발명에 따른 식각용액에서, 상기 과산화수소 및 황산염은 구리식 각을 위한 주성분으로서의 역할을 한다. 본 발명의 범위를 제한하고자 하는 것은 아니나 이와 관련한 하나의 식각반응식을 예로 들면 다음과 같다. And in the etching solution according to the present invention, the hydrogen peroxide and sulfate serves as a main component for copper etching. The present invention is not intended to limit the scope of the present invention, but an etching scheme related thereto is as follows.
Cu + H2O2 → CuO + H2O -(1) 구리의 산화반응Cu + H 2 O 2 → CuO + H 2 O-(1) Copper Oxidation
CuO + 2MHSO4 → CuSO4 + M2SO4 + H2O -(2) 구리의 식각반응CuO + 2MHSO 4 → CuSO 4 + M 2 SO 4 + H 2 O-(2) Copper Etch Reaction
상기 식 (2)에서, M은 1가 양이온을 의미한다. In the formula (2), M means a monovalent cation.
본 발명에 따른 금속배선 식각용액에서, 황산염은 구리막의 식각 중, 적절한 테이퍼각(30 ~ 60도)을 형성시켜 후 공정시 막의 덮힘(step coverage)을 양호하게 하여 수율 향상에 기여하는 한편, 구리의 식각속도를 높여 에칭공정의 생산성 향상에 이바지한다. 본 발명에 따른 식각용액에서, 황산염이 배제된 경우, 구리에 대한 식각이 불가능한 것은 아니지만 테이퍼 각이 지나치게 커지게 되어 후속막의 덮힘성이 저하되어 불량 발생의 원인이 된다. In the metallization etching solution according to the present invention, the sulfate forms an appropriate taper angle (30 to 60 degrees) during the etching of the copper film, thereby improving the step coverage of the film during the post-process, thereby contributing to the yield improvement, while copper By increasing the etching speed of, it helps to improve the productivity of the etching process. In the etching solution according to the present invention, when sulphate is excluded, etching to copper is not impossible, but the taper angle becomes excessively large, resulting in poor coverage of the subsequent film.
그리고 본 발명에 따른 금속배선 식각용액에 있어, 황산염은 특별히 제한되지 않고 다양한 종류가 사용될 수 있으나, 바람직하게는 황산(H2SO4)의 수소원자 1 이상을 NH4+, 알칼리 금속의 1가 양이온 또는 알칼리 토금속의 2가 양이온으로 치환한 황산염 화합물을 사용한다. In the metal wiring etching solution according to the present invention, sulfates are not particularly limited and various kinds can be used. Preferably, at least one hydrogen atom of sulfuric acid (H 2 SO 4 ) is NH 4 + , a monovalent cation of an alkali metal. Or a sulfate compound substituted with a divalent cation of an alkaline earth metal.
그리고 상기 황산염 화합물의 바람직한 예는, 황산암모늄, 과황산암모늄, 황산칼륨, 과황산칼륨, 황산나트륨, 과황산나트륨 등을 포함하나, 이에 제한되는 것은 아니다. Preferred examples of the sulfate compound include, but are not limited to, ammonium sulfate, ammonium persulfate, potassium sulfate, potassium persulfate, sodium sulfate, sodium persulfate, and the like.
본 발명에 사용되는 인산염은 구리-몰리브데늄(합금)막의 식각시 식각 프로 파일(etch profile)을 조절하는 성분으로서 하부의 몰리브데늄(합금)막이 구리막의 하부로 과식각되는 것을 억제하여 주는 역할을 한다. Phosphate used in the present invention is a component that controls the etching profile (etch profile) during the etching of the copper- molybdenum (alloy) film to suppress the over-etching of the lower molybdenum (alloy) film to the lower portion of the copper film Play a role.
그러나 인산염이 지나치게 과량인 경우 하부의 몰리브데늄(합금)막이 구리의 끝단으로부터 과하게 돌출하게 되어 2중 프로파일을 가지며 몰리브데늄(합금)막의 부동태를 촉진하여 몰리브데늄(합금)막 잔사를 유발하게 되는 부작용이 있다. However, if the phosphate is excessively excessive, the lower molybdenum (alloy) film protrudes excessively from the end of copper and has a double profile, which promotes the passivation of the molybdenum (alloy) film and causes the residue of molybdenum (alloy) film. There are side effects done.
그리고 상기 인산염이 배제된 경우에는 몰리브데늄(합금)막으로의 식각이 지나치게 되어 몰리브데늄(합금)막의 언더컷 또는 구리의 이중 프로파일을 갖게 된다. In the case where the phosphate is excluded, the etching to the molybdenum (alloy) film is excessive, thereby having a double profile of the undercut or copper of the molybdenum (alloy) film.
본 발명에 따른 조성물에 사용 가능한 인산염의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 바람직하게는 일인산암모늄(Ammonium Monophosphate), 이인산암모늄(Ammonium Diphosphate), 인산이수소칼륨(sodium dihydrogen phosphate), 인산이수소나트륨(potassium dihydrogen phosphate) 등과 같이 인산 내 수소원자 1 이상이 암모늄 양이온 (NH4 +)또는 알칼리(토)금속 양이온으로 치환된 모든 염 화합물을 사용할 수 있다.The type of phosphate that can be used in the composition according to the present invention is not particularly limited, but is preferably ammonium monophosphate, ammonium diphosphate, sodium dihydrogen phosphate or sodium dihydrogen phosphate. Any salt compound in which at least one hydrogen atom in phosphoric acid is replaced with an ammonium cation (NH 4 + ) or an alkali (earth) metal cation may be used, such as (potassium dihydrogen phosphate).
본 발명의 식각용액에 사용되는 불화물은, 몰리브데늄(합금)막의 금속 특성상 국부적인 부동태 반응으로 인해 형성되는 잔사를 제거하는 역할을 한다. The fluoride used in the etching solution of the present invention serves to remove residues formed due to the local passivation reaction due to the metal properties of the molybdenum (alloy) film.
과산화수소를 사용하여 몰리브덴(합금)막을 식각하는 경우, 몰리브덴(합금)막의 국부적 부동태반응에 의한 잔사의 문제가 있는데, 이는 과산화수소에 의해 Mo로부터 형성된 MoO3 가 낮은 pH (예를 들어 pH < 6.0)하에서, 완전히 식각되어 Mo+3 또는 Mo+6의 형태로 전이되지 못하고 표면부동태로 인한 잔사를 형성하게 되기 때문이다. When the etching of molybdenum (alloy) film using a hydrogen peroxide, a molybdenum (alloy) film, there is a problem of the residue by localized passive reaction, which under the MoO 3 (e.g. pH <6.0), low pH formed from Mo by hydrogen peroxide This is because it is completely etched and cannot be transferred to the form of Mo +3 or Mo +6 and forms residues due to surface dynamics.
그러나, 조성물 내에 플루오르 이온을 가진 불화물을 첨가할 경우, 활성이 높은 플루오르 이온이 MoO3의 식각반응을 촉진시켜 Mo의 잔사 형성 없는 식각을 가능하게 한다. 특히, 과산화수소, 황산염 및 인산염으로 이루어진 식각 시스템에 함께 사용할 경우, 종래 기술상에서 문제가 되어 왔던 유리막 식각 또는 질화실리콘 등 보호막의 식각문제가 거의 발생하지 않으므로 금속 배선패턴 형성에 매우 유리하게 사용할 수 있다. However, when fluorides with fluorine ions are added to the composition, highly active fluorine ions promote the etching reaction of MoO 3 to enable etching without the formation of Mo residues. In particular, when used together in the etching system consisting of hydrogen peroxide, sulfate and phosphate, since the etching problem of the protective film, such as glass film etching or silicon nitride, which has been a problem in the prior art rarely occurs, it can be used very advantageously to form a metal wiring pattern.
본 발명의 범위를 제한하고자 하는 것은 아니나, 불화물 첨가시 몰리브덴 식각 반응식을 예로 설명하면 다음과 같다. Although not intended to limit the scope of the present invention, the molybdenum etching scheme when fluoride is added as an example.
Mo + 3H2O2 → MoO3 + 3H2O -(1) 몰리브데늄의 산화반응Mo + 3H 2 O 2 → MoO 3 + 3H 2 O-(1) Molybdenum Oxidation
MoO3 + 6HF → MoF6 + 3H2O -(2) 몰리브데늄의 식각반응MoO 3 + 6HF → MoF 6 + 3H 2 O-(2) Molybdenum etching
다시 말해서, 본 발명의 금속배선 식각용액에서, 불화물은 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄 합금막의 하부 금속막의 잔사에 대한 완전제거를 위해 필수적으로 첨가되는 성분이다. In other words, in the metallization etching solution of the present invention, the fluoride is an essential component for complete removal of the residue of the lower metal film of the copper / molybdenum film or copper / molybdenum alloy film.
본 발명에 따른 조성물에서 사용가능한 불화물은 특별히 한정되지 않으며, 조성물내에 플로오르 이온을 제공해 줄 수 있는 모든 불산계 화합물은 사용 할 수 있다. 바람직하게는 불산, 불화암모늄, 불화칼륨, 과불화칼륨 등을 사용할 수 있다. The fluoride that can be used in the composition according to the present invention is not particularly limited, and any fluorine-based compound capable of providing fluoride ions in the composition can be used. Preferably, hydrofluoric acid, ammonium fluoride, potassium fluoride, potassium perfluoride and the like can be used.
구리/몰리브덴막을 식각하기 위한 본 발명에 따른 식각용액 내에 상기 불화물을 사용하지 않고 식각 공정을 수행할 경우에는 도 4에 도시된 바와 같이, 다량의 Mo 잔사가 금속 표면에 형성되어 있음을 알 수 있는 바, 상기 잔사는 픽셀 불량 등의 치명적인 문제를 야기한다.When the etching process is performed without using the fluoride in the etching solution according to the present invention for etching the copper / molybdenum film, as shown in Figure 4, it can be seen that a large amount of Mo residue is formed on the metal surface The residue causes fatal problems such as pixel defects.
다음에, 본 발명의 식각용액에 사용되는 수용성 고리형 아민은, 구리/몰리브데늄(합금)막의 식각 속도를 조절해 주는 역할을 하며 배선의 CD 손실을 줄여 금속배선이 게이트 및 데이터 배선으로 사용하게 하여 준다. Next, the water-soluble cyclic amine used in the etching solution of the present invention controls the etching rate of the copper / molybdenum (alloy) film and reduces the CD loss of the wiring, so that the metal wiring is used as the gate and data wiring. Let it be.
본 발명의 식각용액에 사용 가능한 고리형 아민 화합물은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 아미노테트라졸(Aminotetrazole), 벤조트리아졸(Benzotriazole), 메틸벤조트리아졸(Methyl-benzotriazol), 1,2,3 트리아졸(1,2,3-Triazole), 이미다졸(Imidazole), 인돌, 푸린, 피라졸, 피리딘, 피리미딘, 피롤, 피롤린 등을 사용할 수 있다. The cyclic amine compound usable in the etching solution of the present invention is not particularly limited. For example, aminotetrazole, benzotriazole, methyl benzotriazol, 1,2, 3 triazole (1,2,3-Triazole), imidazole, indole, purine, pyrazole, pyridine, pyrimidine, pyrrole, pyrroline and the like can be used.
상기 고리형 아민 화합물이 본 발명에 따른 금속배선 식각용액에 첨가되지 않을 경우, 구리에 대한 식각속도를 조절할 수 없을 뿐 아니라 CD 손실이 커지게 되고 배선의 직진성 역시 저하되어 양산공정 적용시 심각한 문제를 야기할 수 있다.When the cyclic amine compound is not added to the metallization etching solution according to the present invention, not only the etching rate for copper can be controlled but also the CD loss is increased and the linearity of the wiring is also lowered, thereby causing serious problems in the production process. Can cause.
본 발명에 따른 금속배선 식각용액은 킬레이트제를 포함하는데, 상기 킬레이트제는, 식각하고자 하는 금속배선의 식각 처리매수가 증가시, 식각용액 중에 구리 또는 금속의 이온농도가 증가하고 이로 인해 과산화수소가 분해되어 식각용액의 식각능력이 저하되는 현상을 방지하며 또한 식각용액의 보관시 발생할 수 있는 과산 화수소의 자체 분해 반응을 억제하여 준다. The metal wiring etching solution according to the present invention includes a chelating agent. When the number of etching treatments of the metal wiring to be etched increases, the ion concentration of copper or metal in the etching solution increases, thereby decomposing hydrogen peroxide. It prevents the phenomenon that the etching ability of the etching solution is lowered, and also suppresses the self-decomposition reaction of hydrogen peroxide that may occur when the etching solution is stored.
본 발명의 식각용액에서 사용가능한 킬레이트제는 특별히 한정되지 않으며, 다양한 종류가 사용할 수 있다. 바람직하게는, EDTA, 이미노디아세트산(Iminodiacetic Acid), 니트릴로트리아세트산(Nitrilotriacetic acid), 디에틸렌트리니트릴로펜타아세트산(Diethylene trinitrilo pentaacetic acid) 등의 아미노기 및 카르복실기를 함유한 유기 킬레이트제를 사용한다. 이러한 킬레이트제의 경우 구리막의 식각시 발생되는 금속이온들을 킬레이션 반응을 통해 봉쇄시킴으로써 과산화수소의 분해 반응을 억제하고 이로써 다량의 금속배선을 식각 처리하여도 식각특성이 변화되지 않는 장점을 가지게 된다.The chelating agent that can be used in the etching solution of the present invention is not particularly limited, and various kinds can be used. Preferably, organic chelating agents containing amino and carboxyl groups, such as EDTA, iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid, and diethylene trinitrilo pentaacetic acid, are used. In the case of the chelating agent, the metal ions generated during the etching of the copper film are blocked by the chelation reaction, thereby inhibiting the decomposition reaction of hydrogen peroxide, and thus the etching characteristics are not changed even when a large amount of metal wiring is etched.
상술한 본 발명에 따른 금속배선 식각용액은 구리/몰리브덴막(합금) 식각에 유용하게 사용할 수 있으며, 바람직하게는, 액정 표시장치의 TFT(Thin Film Transistor)를 구성하는 게이트, 소오스 및 드레인 전극용 금속배선 재료로서 구리/몰리브덴막(합금)을 사용하고자 할 경우 금속배선 패턴을 형성하기 위한 식각용액으로 유용하게 사용가능하다. The metallization etching solution according to the present invention described above can be usefully used for etching copper / molybdenum film (alloy), and is preferably used for gate, source and drain electrodes constituting TFT (Thin Film Transistor) of liquid crystal display. If a copper / molybdenum film (alloy) is to be used as the metal wiring material, it can be usefully used as an etching solution for forming a metal wiring pattern.
그리고 본 발명에 따른 금속배선 식각용액은 필요에 따라 다양한 범위의 온도에서 식각할 수 있으나, 바람직하게는 20 내지 40℃의 온도에서 식각하며, 식각 시간은 여러 여건에 따라 달라질 수 있겠으나 통상적으로 10초 내지 300초 동안 진행한다. 식각방법은, 침지 또는 스프레이법 등 공지된 모든 방법을 사용할 수 있으나, 바람직하게는 스프레이 방법을 사용한다. 식각 공정 후 필요한 경우, 탈이온수로 세정 및 질소를 통한 건조 과정을 거친다. And the metallization etching solution according to the present invention can be etched at a range of temperatures as needed, preferably etch at a temperature of 20 to 40 ℃, the etching time may vary depending on several conditions, but usually 10 Run for seconds to 300 seconds. As the etching method, any known method such as dipping or spraying can be used, but spraying is preferably used. If necessary after the etching process, washing with deionized water and drying with nitrogen is carried out.
이하, 구체적인 실시예 및 비교예를 통해 본 발명의 금속배선 식각용액 및 이를 이용한 금속배선 식각방법을 보다 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the metallization etching solution of the present invention and the metallization etching method using the same will be described in more detail with reference to specific examples and comparative examples.
이하 설명될 내용은 발명의 구성 및 효과를 좀 더 잘 이해시키기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위를 제한하고자 하는 것은 아니다. The following description is only intended to better understand the configuration and effects of the invention, but is not intended to limit the scope of the invention.
[실시예]EXAMPLE
제 1 실시예 : 과산화수소/황산염/인산염/아졸계/킬레이트/불화물 = 20/1/1/1/1/0.1 Example 1 : Hydrogen peroxide / sulfate / phosphate / azole type / chelate / fluoride = 20/1/1/1/1 / 0.1
먼저, 본 발명의 제1실시예에 따른 금속배선 식각방법은, 유리기판 상에 대략 100~500Å 두께를 갖는 몰리브데늄(합금)막을 증착하고, 상기 몰리브데늄(합금)막 상에 대략 1000~5000Å 두께를 갖는 구리막을 증착하고, 포토레지스트 공정을 통하여 유리기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트막을 형성한다. First, the metallization etching method according to the first embodiment of the present invention, depositing a molybdenum (alloy) film having a thickness of about 100 ~ 500Å on a glass substrate, and about 1000 on the molybdenum (alloy) film A copper film having a thickness of ˜5000 μm is deposited, and a photoresist film having a predetermined pattern is formed on the glass substrate through a photoresist process.
이후에 포토레지스트막을 마스크로 상기 구리/몰리브데늄(합금)막을 습식식각하고, 상기 포토레지스트막을 제거한다. Thereafter, the copper / molybdenum (alloy) film is wet-etched using the photoresist film as a mask, and the photoresist film is removed.
상기에서 구리/몰리브데늄(합금)막을 습식각할 때 사용되는 식각용액은 20 중량%의 과산화수소, 1 중량%의 황산염, 1 중량%의 인산염, 1 중량%의 아졸 화합물, 1 중량%의 킬레이트, 0.1 중량%의 플루오르 이온을 함유한 불화물 및 75.9 중량%의 탈이온수로 구성된다. The etching solution used for wet etching the copper / molybdenum (alloy) film is 20 wt% hydrogen peroxide, 1 wt% sulfate, 1 wt% phosphate, 1 wt% azole compound, 1 wt% chelate , Fluoride containing 0.1 wt% fluorine ions and 75.9 wt% deionized water.
상기 습식식각 공정을 진행할 때 식각용액의 온도는 대략 30℃ 정도에서 진행하였으며, 30 내지 150초 동안 스프레이 방법을 통하여 식각용액을 유리기판 상에 분무시켜 식각공정을 진행 후 탈이온수로 세정 및 질소를 통한 건조 과정을 거 쳤다. 건조 후, 포토레지스트막을 유기 용매를 이용하여 제거하였다. When the wet etching process was performed, the temperature of the etching solution was about 30 ° C., and the etching solution was sprayed onto the glass substrate through the spray method for 30 to 150 seconds, followed by the etching process, and then washed with deionized water and nitrogen. Through the drying process. After drying, the photoresist film was removed using an organic solvent.
상기 방법을 통해 식각된 구리/몰리브데늄(합금)막의 프로파일을 단면 SEM (Hitachi사 S-4300)을 사용하여 검사하고, 금속막 표면을 관찰하였다. 이 식각과정에서 측정된 구리막의 식각속도는 약 70Å/sec, 몰리브데늄막은 약 13Å/sec로 본 발명에 따른 식각용액은 적절한 식각속도를 가진다. The profile of the copper / molybdenum (alloy) film etched through the above method was examined using a cross-sectional SEM (S-4300, manufactured by Hitachi), and the metal film surface was observed. The etching rate of the copper film measured in this etching process is about 70 kW / sec, the molybdenum film is about 13 kW / sec, the etching solution according to the present invention has an appropriate etching rate.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 조성비를 갖는 식각용액으로 식각된 구리/몰리브데늄막은 우수한 식각 프로파일과 양호한 직진성을 가짐을 알 수 있다. On the other hand, as shown in Figure 2, it can be seen that the copper / molybdenum film etched with an etching solution having the composition ratio has an excellent etching profile and good straightness.
그리고 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 식각용액으로 식각한 구리/몰리브데늄(합금)막은 그 표면에 잔사 발생이 전혀 없음을 알 수 있다. As shown in FIG. 3, it can be seen that the copper / molybdenum (alloy) film etched with the etching solution according to the first embodiment of the present invention has no residue on the surface thereof.
제 2 내지 제 5 실시예와 제 1 비교예2nd-5th Example and 1st Comparative Example
식각 용액의 조성비를 표 1, 표 2에 나타낸 바와 같이 한 것을 제외하고는 제 1 실시예와 동일한 방법을 사용하여 식각공정을 수행하였다. 식각속도, 식각된 막에 대한 프로파일의 평가 등을 표 1, 표 2에 함께 나타내었다. The etching process was performed using the same method as Example 1 except that the composition ratio of the etching solution was as shown in Table 1 and Table 2. Etch rate, evaluation of the profile for the etched film and the like are shown in Table 1, Table 2.
제 2 내지 제 5 실시예 및 제 1 비교예는 과산화수소 농도에 따른 식각속도에 대한 영향을 보여주고 있는 것이다. The second to fifth examples and the first comparative example show the effect on the etching rate according to the hydrogen peroxide concentration.
표2의 제 1 비교예에 나타낸 바와 같이, 과산화수소가 12 중량% 미만일 경우 식각속도가 느리며 기전력의 저하로 인해 몰리브데늄막의 잔사가 다발하는 것을 알 수 있다. 이는 낮은 과산화수소의 농도로 인하여 몰리브데늄막의 산화반응 속도가 느려지고 이로 인한 전체적인 식각속도 저하 및 잔사의 증가로 이어진다. As shown in the first comparative example of Table 2, when the hydrogen peroxide is less than 12% by weight it can be seen that the etching rate is slow and the residue of the molybdenum film bunches due to the decrease in electromotive force. This slows the oxidation rate of the molybdenum film due to the low concentration of hydrogen peroxide, leading to a decrease in the overall etching rate and an increase in residue.
또한, 과산화수소의 농도가 30 중량%일 경우에는 구리막의 식각속도는 빨라지나 공정 제어 가능한 수준이므로 과산화수소의 조성 범위는 12 내지 30 중량%가 바람직하다.In addition, when the concentration of hydrogen peroxide is 30% by weight, the etching rate of the copper film is faster, but the process control level is preferably 12 to 30% by weight of hydrogen peroxide.
제 6 내지 제 8 실시예와 제 2, 제 3 비교예6th-8th Example, 2nd, 3rd Comparative Example
식각용액의 조성비를 표 1, 표 2에 나타낸 바와 같이 한 것을 제외하고는 제 1 실시예와 동일한 방법으로 식각공정을 수행하였다. 식각속도, 식각된 막에 대한 프로파일의 평가 등을 표 1, 표 2에 함께 나타내었다. The etching process was performed in the same manner as in Example 1 except that the composition ratio of the etching solution was as shown in Table 1 and Table 2. Etch rate, evaluation of the profile for the etched film and the like are shown in Table 1, Table 2.
제 6 내지 제 8 실시예와 제 2, 제 3 비교예는 황산염의 농도에 따른 식각속도 및 테이퍼 각의 변화에 대한 영향을 보여주고 있다. The sixth to eighth examples, and the second and third comparative examples show the influence on the change of the etching rate and the taper angle according to the concentration of sulfate.
표2의 제 2, 제 3 비교예에 나타낸 바와 같이, 황산염이 0.5 중량% 미만에서는 테이퍼 각이 지나치게 커져 후속 공정에 문제점을 야기하며, 5 중량% 초과에서는 황산염 농도 증가에 따른 테이퍼 각의 변화가 미미한 임계점이 형성되어 그 효과가 발현되지 못한다. As shown in the second and third comparative examples of Table 2, when the sulfate is less than 0.5% by weight, the taper angle becomes excessively large, causing problems in subsequent processes, and when the concentration is greater than 5% by weight, the taper angle is changed with increasing sulfate concentration. Minor thresholds are formed that do not manifest themselves.
그러므로 황산염의 조성범위는 0.5 내지 5 중량%가 바람직하다.Therefore, the composition range of sulfate is preferably 0.5 to 5% by weight.
제 9 내지 제 11 실시예와 제 4, 제 5 비교예9th to 11th Examples and 4th and 5th Comparative Examples
식각용액의 조성비를 표 1, 표 2에 나타난 바와 같이 한 것을 제외하고는 제 1 실시예와 동일한 방법으로 식각공정을 수행하였다. 식각속도, 식각된 막에 대한 프로파일의 평가 등을 표 1, 표 2에 함께 나타내었다. The etching process was performed in the same manner as in Example 1 except that the composition ratio of the etching solution was as shown in Table 1 and Table 2. Etch rate, evaluation of the profile for the etched film and the like are shown in Table 1, Table 2.
제 9 내지 제 11 실시예는 인산염의 농도에 따른 식각속도 및 하부 몰리브데늄 막의 언더컷 현상에 대한 영향을 보여주고 있다. The ninth to eleventh embodiments show the effects on the etching rate and the undercut phenomenon of the lower molybdenum film according to the concentration of phosphate.
표2의 제 4 비교예에 나타낸 바와 같이, 인산염이 0.5 중량% 미만에서는 하부의 몰리브데늄막의 언더컷 현상을 방지하지 못하고 과도식각되며, 구리막의 식각 프로파일 변형을 가져오게 된다. As shown in the fourth comparative example of Table 2, if the phosphate is less than 0.5% by weight, the under-molding phenomenon of the lower molybdenum film is not prevented and is excessively etched, resulting in an etching profile deformation of the copper film.
또한 표2의 제 5 비교예에 나타낸 바와 같이, 5 중량% 초과에서는 국부적인 몰리브데늄막의 부동태화를 촉진시켜 잔사를 형성하게 되어 픽셀 불량을 유발하게 되는 원인이 된다. In addition, as shown in the fifth comparative example of Table 2, in excess of 5% by weight, the passivation of the local molybdenum film is promoted to form residues, which causes a pixel defect.
따라서 인산염의 조성범위는 0.5 내지 5 중량%가 바람직하다.Therefore, the composition range of the phosphate is preferably 0.5 to 5% by weight.
제 12 내지 제 14 실시예와 제 6, 제 7 비교예12th to 14th Examples and 6th and 7th Comparative Examples
식각 용액의 조성비를 표 1, 표 2에 나타난 바와 같이 한 것을 제외하고는 제 1 실시예와 동일한 방법으로 식각공정을 수행하였다. 식각속도, 식각된 막에 대한 프로파일의 평가 등을 표 1, 표 2에 함께 나타내었다. The etching process was performed in the same manner as in Example 1 except that the composition ratio of the etching solution was as shown in Table 1 and Table 2. Etch rate, evaluation of the profile for the etched film and the like are shown in Table 1, Table 2.
제 12 내지 제 14 실시예와 제 6, 제 7 비교예는 아졸계 화합물의 농도에 따른 식각속도 및 CD 손실의 변화를 보여 주고 있다. Examples 12 to 14 and Comparative Examples 6 and 7 show changes in etching rate and CD loss depending on the concentration of the azole compound.
아졸계 화합물은 식각용액의 식각속도를 조절하고 금속배선의 CD 손실을 억제하여 주는 역할을 하는데, 표2의 제 6, 제 7 비교예에 나타난 바와 같이, 0.1 중량% 미만에서는 식각속도를 감소시키기 어렵고 5 중량% 초과에서는 구리의 식각속도가 지나치게 낮아져 생산성이 저하되고 금속배선의 직진성이 감소되는 경향이 있다. The azole compound plays a role of controlling the etching rate of the etching solution and suppressing the CD loss of the metal wiring. As shown in Comparative Examples 6 and 7 of Table 2, when the azole compound is less than 0.1% by weight, the etching rate is decreased. If it is difficult and more than 5% by weight, the etching rate of copper is too low to reduce the productivity and the straightness of the metal wiring tends to decrease.
따라서 아졸계 화합물의 조성범위는 0.1 내지 5 중량%가 바람직하다. Therefore, the composition range of the azole compound is preferably 0.1 to 5% by weight.
제 15 내지 제 17 실시예와 제 8, 제 9 비교예15th to 17th Examples and 8th and 9th Comparative Examples
제 15 내지 제 17 실시예와 제 8, 제 9 비교예는 킬레이트제의 농도에 대한 식각특성을 보여주고 있다. Examples 15 to 17 and Comparative Examples 8 and 9 show etching characteristics with respect to the concentration of the chelating agent.
표2의 제 8, 제 9 비교예에 나타난 바와 같이, 킬레이트제가 0.1 중량% 미만에서는 금속 이온의 킬레이션에 의한 봉쇄가 어려워져 처리시간이 증가할수록 식각능력이 저하되는 경향을 보이며 5 중량% 초과에서는 더 이상의 효과가 없는 한계점을 보인다. As shown in Comparative Examples 8 and 9 of Table 2, when the chelating agent is less than 0.1% by weight, the blocking by the chelation of the metal ions becomes difficult, so that the etching ability decreases as the treatment time increases, and exceeds 5% by weight. Shows a threshold with no further effect.
또한 킬레이트의 물에 대한 용해도는 일반적으로 낮기 때문에 과량 첨가되면 온도에 의한 석출 현상이 일어날 수 있으며 이로 인한 유리기판상의 불량 입자로 작용하게 되어 수율을 저하시키는 원인이 된다. In addition, since the solubility of the chelate in water is generally low, excessive addition may cause precipitation due to temperature, which may cause poor particles on the glass substrate, thereby lowering the yield.
따라서 킬레이트제의 조성범위는 0.1 내지 5 중량%가 적절하다.Therefore, the composition range of the chelating agent is 0.1 to 5% by weight is appropriate.
제 18 내지 제 20 실시예와 제 10, 제 11 비교예18th to 20th Examples and 10th and 11th Comparative Examples
식각 용액의 조성비는 표 1, 표 2에 나타난 바와 같이 한 것을 제외하고는 제 1 실시예와 동일한 방법으로 식각공정을 수행하였다. 식각속도, 식각된 막에 대한 프로파일의 평가 등을 표 1, 표 2에 함께 나타내었다. The composition ratio of the etching solution was performed in the same manner as in Example 1, except that the composition ratio was as shown in Table 1 and Table 2. Etch rate, evaluation of the profile for the etched film and the like are shown in Table 1, Table 2.
제 18 내지 제 20 실시예와 제 10, 제 11 비교예는 불화물 농도에 따른 Mo 또는 Mo 합금막의 잔사 제거 능력을 보여주고 있다. The eighteenth to twentieth embodiments and the tenth and eleventh comparative examples show the residue removal ability of the Mo or Mo alloy film according to the fluoride concentration.
이때, 불화물은 극미량의 양이라도 포함되어 있으면, Mo 또는 Mo합금막의 잔사 제거 효과가 있다. 즉, '0'중량 % 초과에서 잔사의 제거가 가능하다. At this time, if the amount of fluoride is contained in an extremely small amount, there is an effect of removing the residue of Mo or Mo alloy film. In other words, the residue can be removed at more than '0' weight%.
예를 들어 표1, 표 2에 나타난 바에 따르면 0.01 중량%에서 잔사의 제거효과가 있으며, 0.5 중량% 초과에서는 잔사는 완전제거가 가능하나 공급된 플루오르 이온으로 인한 기판 유리 손상(Glass damage)이 발생하게 된다. For example, as shown in Table 1 and Table 2, there is a residue removal effect at 0.01% by weight, the residue can be completely removed above 0.5% by weight, but glass damage caused by the supplied fluorine ions occurs. Done.
상기에서와 같이 불화물의 조성범위는 0 중량% 초과(예를 들어 0.001중량%의 농도에서도 잔사 제거의 효과가 있다.) ~ 0.5 중량%가 적당하다. As described above, the composition range of the fluoride is more than 0 wt% (for example, the effect of removing residues even at a concentration of 0.001 wt%) ~ 0.5 wt% is appropriate.
상술한 바에 의하면 본 발명의 금속배선(구리/몰리브데늄(합금)막) 식각용액은 조성물 총 중량을 기준으로, 12 내지 35 중량%의 과산화수소, 0.5 내지 5 중량 %의 황산염, 0.5 내지 5 중량%의 인산염, 0.001 내지 0.5 중량%의 조성물에 플르오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 0.1 내지 5 중량%의 수용성 고리형 아민, 0.1 내지 5 중량%의 킬레이트제 및 전체 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 하는 탈이온수를 포함한다. As described above, the metal wiring (copper / molybdenum (alloy) film) etching solution of the present invention is based on the total weight of the composition, 12 to 35% by weight of hydrogen peroxide, 0.5 to 5% by weight of sulfate, 0.5 to 5% by weight % Phosphate, fluoride capable of providing fluoride ions to 0.001 to 0.5% by weight of the composition, 0.1 to 5% by weight of water-soluble cyclic amine, 0.1 to 5% by weight of chelating agent and 100% by weight of total composition It includes deionized water to be.
상기 본 발명에 따른 식각용액을 사용할 경우, 액정표시장치의 TFT(Thin Film Transistor)를 구성하는 게이트(Gate), 소오스(Source) 및 드레인(Drain) 전극용 금속 배선재로서 구리/몰리브덴(합금)막을 유용하게 사용할 수 있다. When the etching solution according to the present invention is used, a copper / molybdenum (alloy) film is formed as a metal wiring material for a gate, a source, and a drain electrode constituting a thin film transistor (TFT) of a liquid crystal display device. It can be useful.
이하, 상기 식각용액을 적용하여 액정표시장치를 제조하는 방법에 대하여 설 명하기로 한다. Hereinafter, a method of manufacturing a liquid crystal display device by applying the etching solution will be described.
도 5 내지 도 7은 본 발명에 따른 금속 배선 식각용액을 사용하여 액정표시장치를 제조한 방법을 나타낸 플로우챠트이다. 5 to 7 are flowcharts illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device using the metallization etching solution according to the present invention.
먼저, 도 5에 도시한 바와 같이, 기판상에 구리/몰리브데늄(합금)막을 증착한다.(S51)First, as shown in FIG. 5, a copper / molybdenum (alloy) film is deposited on a substrate. (S51)
이후에 사진식각 공정으로 구리/몰리브데늄(합금)막 상에 제 1 감광막 패턴을 형성한다. Thereafter, a first photosensitive film pattern is formed on the copper / molybdenum (alloy) film by a photolithography process.
다음에 제 1 감광막 패턴을 마스크로 본 발명에 따른 식각용액으로 구리/몰리브데늄(합금)막을 식각하여 일방향을 갖는 게이트라인과, 게이트라인에서 돌출된 게이트전극을 형성한다.(S52) Next, the copper / molybdenum (alloy) film is etched with the etching solution according to the present invention using the first photoresist pattern as a mask to form a gate line having one direction and a gate electrode protruding from the gate line (S52).
상기 본 발명에 따른 식각용액은 조성물 총 중량을 기준으로, 12 내지 35 중량%의 과산화수소, 0.5 내지 5 중량 %의 황산염, 0.5 내지 5 중량%의 인산염, 0.001 내지 0.5 중량%의 조성물에 플르오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 0.1 내지 5 중량%의 수용성 고리형 아민, 0.1 내지 5 중량%의 킬레이트제 및 전체 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 하는 탈이온수이다. The etching solution according to the present invention is based on the total weight of the composition, 12 to 35% by weight of hydrogen peroxide, 0.5 to 5% by weight of sulfate, 0.5 to 5% by weight of phosphate, 0.001 to 0.5% by weight of fluoride ions in the composition Fluoride, 0.1 to 5% by weight of water-soluble cyclic amine, 0.1 to 5% by weight of chelating agent, and deionized water so that the total weight of the total composition is 100% by weight.
다음에 기판 전면에 게이트 절연막을 증착한다.(S53)Next, a gate insulating film is deposited over the entire substrate (S53).
이후에 게이트 절연막을 포함한 전면에 반도체층을 증착한 후 소정영역 패터닝하여 액티브층을 형성한다.(S54)Thereafter, a semiconductor layer is deposited on the entire surface including the gate insulating layer and then patterned to form an active layer (S54).
이후에 기판 전면에 금속막을 증착한 후 사진식각 공정으로 금속막상에 제 2 감광막 패턴을 형성한다. 다음에 제 2 감광막 패턴을 마스크로 상기 금속막을 식각해서 상기 게이트라인과 수직 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 상기 데이터배선의 일측에서 돌출된 소오스전극과, 상기 소오스전극에서 일정간격 이격된 드레인전극을 형성한다.(S55) Thereafter, after depositing a metal film on the entire surface of the substrate, a second photoresist pattern is formed on the metal film by a photolithography process. Next, the metal layer is etched using the second photoresist pattern as a mask to vertically intersect the gate line to define a pixel area, a source electrode protruding from one side of the data line, and a predetermined distance from the source electrode. A drain electrode is formed (S55).
다음에 기판 전면에 투명도전막을 증착한 후, 사진 식각 공정으로 투명도전막을 식각하여 화소영역에 화소전극을 형성한다.(S56) Next, after the transparent conductive film is deposited on the entire surface of the substrate, the transparent conductive film is etched by a photolithography process to form pixel electrodes in the pixel region.
상술한 액정표시장치의 제조방법은 본 발명에 따른 식각용액을 사용하여 게이트배선과 게이트전극을 형성한 것이다. In the above-described manufacturing method of the liquid crystal display device, the gate wiring and the gate electrode are formed using the etching solution according to the present invention.
다음에는 본 발명에 따른 식각용액을 데이터배선과 소오스/드레인전극 형성에 사용한 액정표시장치의 제조방법에 대하여 설명한다. Next, a method of manufacturing a liquid crystal display device using the etching solution according to the present invention for data wiring and source / drain electrode formation will be described.
도 6에 도시한 바와 같이, 기판상에 도전막을 증착한 후, 사진식각 공정으로 도전막 상에 제 1 감광막 패턴을 형성한다. As shown in FIG. 6, after the conductive film is deposited on the substrate, a first photosensitive film pattern is formed on the conductive film by a photolithography process.
다음에 제 1 감광막 패턴을 마스크로, 도전막을 식각하여 일방향을 갖는 게이트라인과, 게이트라인에서 돌출된 게이트전극을 형성한다.(S61) Next, the conductive film is etched using the first photoresist pattern as a mask to form a gate line having one direction and a gate electrode protruding from the gate line (S61).
다음에, 기판 전면에 게이트 절연막을 증착한다.(S62)Next, a gate insulating film is deposited on the entire substrate (S62).
이후에, 게이트 절연막을 포함한 기판 전면에 반도체층을 증착한 후 소정영역 패터닝하여 액티브층을 형성한다.(S63)Thereafter, a semiconductor layer is deposited on the entire surface of the substrate including the gate insulating layer and then patterned to form an active layer (S63).
다음에, 기판 전면에 구리/몰리브데늄(합금)막을 증착한다.(S64) Next, a copper / molybdenum (alloy) film is deposited on the entire substrate. (S64)
이후에, 사진식각 공정으로 구리/몰리브데늄(합금)막상에 제 2 감광막 패턴을 형성하고, 상기 제 2 감광막 패턴을 마스크로 본 발명에 따른 식각용액으로 상기 구리/몰리브데늄(합금)막을 식각해서 상기 게이트라인과 수직 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 상기 데이터배선의 일측에서 돌출된 소오스전극과, 상기 소오스전극에서 일정간격 이격된 드레인전극을 형성한다.(S65) Thereafter, a second photosensitive film pattern is formed on the copper / molybdenum (alloy) film by a photolithography process, and the copper / molybdenum (alloy) film is formed by the etching solution according to the present invention using the second photosensitive film pattern as a mask. A data line is formed to be etched to vertically cross the gate line to define a pixel area, a source electrode protruding from one side of the data line, and a drain electrode spaced apart from the source electrode at predetermined intervals (S65).
상기 본 발명에 따른 식각용액은 조성물 총 중량을 기준으로, 12 내지 35 중량%의 과산화수소, 0.5 내지 5 중량 %의 황산염, 0.5 내지 5 중량%의 인산염, 0.001 내지 0.5 중량%의 조성물에 플르오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 0.1 내지 5 중량%의 수용성 고리형 아민, 0.1 내지 5 중량%의 킬레이트제 및 전체 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 하는 탈이온수이다. The etching solution according to the present invention is based on the total weight of the composition, 12 to 35% by weight of hydrogen peroxide, 0.5 to 5% by weight of sulfate, 0.5 to 5% by weight of phosphate, 0.001 to 0.5% by weight of fluoride ions in the composition Fluoride, 0.1 to 5% by weight of water-soluble cyclic amine, 0.1 to 5% by weight of chelating agent, and deionized water so that the total weight of the total composition is 100% by weight.
이후에, 기판 전면에 투명도전막을 증착한 후, 사진 식각 공정으로 투명도전막을 식각하여 화소영역에 화소전극을 형성한다.(S66) Thereafter, the transparent conductive film is deposited on the entire surface of the substrate, and then the transparent conductive film is etched by the photolithography process to form pixel electrodes in the pixel region.
다음에 본 발명에 따른 식각용액을 게이트배선 및 게이트전극과 데이터배선 및 소오스/드레인전극 형성에 사용한 액정표시장치의 제조방법에 대하여 설명한다. Next, a method of manufacturing a liquid crystal display device using the etching solution according to the present invention for forming gate wirings, gate electrodes, data wirings, and source / drain electrodes will be described.
도 7에 도시한 바와 같이, 기판상에 제 1 구리/몰리브데늄(합금)막을 증착한다.(S71)As shown in Fig. 7, a first copper / molybdenum (alloy) film is deposited on the substrate. (S71)
이후에 사진식각 공정으로 구리/몰리브데늄(합금)막 상에 제 1 감광막 패턴을 형성한다. Thereafter, a first photosensitive film pattern is formed on the copper / molybdenum (alloy) film by a photolithography process.
다음에 제 1 감광막 패턴을 마스크로 본 발명에 따른 식각용액으로 제 1 구리/몰리브데늄(합금)막을 식각하여 일방향을 갖는 게이트라인과, 게이트라인에서 돌출된 게이트전극을 형성한다.(S72) Next, the first copper / molybdenum (alloy) film is etched with the etching solution according to the present invention using the first photoresist pattern as a mask to form a gate line having one direction and a gate electrode protruding from the gate line (S72).
다음에 기판 전면에 게이트 절연막을 증착한다.(S73)Next, a gate insulating film is deposited over the entire substrate (S73).
이후에 게이트 절연막을 포함한 전면에 반도체층을 증착한 후 소정영역 패터닝하여 액티브층을 형성한다.(S74)Thereafter, a semiconductor layer is deposited on the entire surface including the gate insulating layer and then patterned to form an active layer (S74).
다음에, 기판 전면에 제 2 구리/몰리브데늄(합금)막을 증착한다.(S75) Next, a second copper / molybdenum (alloy) film is deposited on the entire substrate. (S75)
이후에, 사진식각 공정으로 제 2 구리/몰리브데늄(합금)막상에 제 2 감광막 패턴을 형성하고, 상기 제 2 감광막 패턴을 마스크로 본 발명에 따른 식각용액으로 상기 제 2 구리/몰리브데늄(합금)막을 식각해서 상기 게이트라인과 수직 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 상기 데이터배선의 일측에서 돌출된 소오스전극과, 상기 소오스전극에서 일정간격 이격된 드레인전극을 형성한다.(S76) Thereafter, a second photoresist pattern is formed on the second copper / molybdenum (alloy) film by a photolithography process, and the second copper / molybdenum is used as an etching solution according to the present invention using the second photoresist pattern as a mask. The (alloy) film is etched to form a data line defining a pixel area vertically crossing the gate line, a source electrode protruding from one side of the data line, and a drain electrode spaced apart from the source electrode at predetermined intervals (S76). )
이후에, 기판 전면에 투명도전막을 증착한 후, 사진 식각 공정으로 투명도전막을 식각하여 화소영역에 화소전극을 형성한다.(S77) Thereafter, a transparent conductive film is deposited on the entire surface of the substrate, and then the transparent conductive film is etched by a photolithography process to form pixel electrodes in the pixel region.
상기 본 발명에 따른 식각용액은 조성물 총 중량을 기준으로, 12 내지 35 중량%의 과산화수소, 0.5 내지 5 중량 %의 황산염, 0.5 내지 5 중량%의 인산염, 0.001 내지 0.5 중량%의 조성물에 플르오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 0.1 내지 5 중량%의 수용성 고리형 아민, 0.1 내지 5 중량%의 킬레이트제 및 전체 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 하는 탈이온수이다. The etching solution according to the present invention is based on the total weight of the composition, 12 to 35% by weight of hydrogen peroxide, 0.5 to 5% by weight of sulfate, 0.5 to 5% by weight of phosphate, 0.001 to 0.5% by weight of fluoride ions in the composition Fluoride, 0.1 to 5% by weight of water-soluble cyclic amine, 0.1 to 5% by weight of chelating agent, and deionized water so that the total weight of the total composition is 100% by weight.
상기 구조를 갖는 액정표시장치는 통상적으로 많이 사용되는 액정표시장치를 예로든 것 일뿐, 본 발명을 제한하기 위한 것은 아니다.The liquid crystal display device having the above structure is merely an example of a liquid crystal display device commonly used, and is not intended to limit the present invention.
상기와 같은 본 발명에 따른 금속배선 식각용액 및 이를 이용한 금속배선 식각 방법과 상기 식각용액을 이용한 액정표시장치의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다. As described above, the metallization etching solution according to the present invention, the metallization etching method using the same, and the manufacturing method of the liquid crystal display device using the etching solution have the following effects.
첫째, 구리/몰리브데늄(합금)막에 대해 식각용액의 조성변화를 통해 식각 속도의 조절이 자유로우며, 식각 프로파일이 우수하고, 배선의 직진성이 양호하고, 다량의 금속배선을 식각하여도 식각 특성이 초기 식각용액의 특성과 유사하며, 식각용액의 보관 기간이 길고, 잔사의 완전제거가 가능하다는 장점이 있다. First, the etching rate can be freely controlled by changing the composition of the etching solution for the copper / molybdenum (alloy) film, and the etching profile is excellent, the straightness of the wiring is good, and the etching is performed even when etching a large amount of metal wiring. The characteristics are similar to those of the initial etching solution, the storage period of the etching solution is long, there is an advantage that the residue can be completely removed.
둘째, 본 발명에 따른 식각용액을 사용할 경우, 구리/몰리브데늄(합금)막을 TFT-LCD의 게이트배선과 게이트전극 및/또는 소오스/드레인 전극과 데이터 배선으로 유리하게 사용할 수 있다.Second, in the case of using the etching solution according to the present invention, a copper / molybdenum (alloy) film can be advantageously used as a gate wiring and a gate electrode and / or a source / drain electrode and a data wiring of a TFT-LCD.
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Cited By (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1992720A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-19 | Samsung SDI Co., Ltd. | Etchant and method for fabricating electric device including thin film transistor using the same |
| JP2010080934A (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Techno Semichem Co Ltd | Etching composition for copper and copper/molybdenum or copper/molybdenum alloy electrode of liquid crystal display device |
| KR100983060B1 (en) * | 2008-05-26 | 2010-09-20 | (주)이그잭스 | Etchants for Non-Hydrogen Peroxide Copper or Copper Alloy Films |
| KR20110030745A (en) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 동우 화인켐 주식회사 | Manufacturing Method of Array Substrate for Liquid Crystal Display |
| WO2011028037A3 (en) * | 2009-09-07 | 2011-07-07 | Techno Semichem Co., Ltd. | Etchant for thin film transistor-liquid crystal display |
| WO2011136594A3 (en) * | 2010-04-30 | 2012-03-01 | 동우 화인켐 주식회사 | Copper and titanium composition for metal layer etching solution |
| WO2011136597A3 (en) * | 2010-04-29 | 2012-03-01 | 동우 화인켐 주식회사 | Copper and titanium composition for metal layer etching solution |
| KR101157207B1 (en) * | 2010-04-12 | 2012-06-20 | 솔브레인 주식회사 | Etchant for thin film transistor-liquid crystal display |
| KR101157208B1 (en) * | 2010-04-13 | 2012-06-20 | 솔브레인 주식회사 | Etchant Composition for Patterned Metal Layer and Method of Patterning Metal Layer Using Thereof |
| CN102576171A (en) * | 2009-11-17 | 2012-07-11 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | Manufacturing method for array substrate for liquid crystal display device |
| WO2013077580A1 (en) * | 2011-11-24 | 2013-05-30 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etchant composition for copper/molybdenum alloy film |
| KR101310310B1 (en) * | 2007-03-15 | 2013-09-23 | 주식회사 동진쎄미켐 | Etchant for thin film transistor-liquid crystal displays |
| KR101346976B1 (en) * | 2008-02-12 | 2014-01-03 | 동우 화인켐 주식회사 | Fabrication method of thin film transistor, etching solution composition used the method |
| KR101346917B1 (en) * | 2008-02-04 | 2014-01-03 | 동우 화인켐 주식회사 | Fabrication method of thin film transistor, etching solution composition used the method |
| KR101348046B1 (en) * | 2008-02-11 | 2014-01-07 | 동우 화인켐 주식회사 | Fabrication method of thin film transistor, etching solution composition used the method |
| KR101347499B1 (en) * | 2006-11-21 | 2014-01-07 | 동우 화인켐 주식회사 | Method of producing tft array substrate for liquid crystal display |
| KR101347468B1 (en) * | 2013-08-30 | 2014-01-16 | 동우 화인켐 주식회사 | Method of producing tft array substrate for liquid crystal display |
| KR101369946B1 (en) * | 2013-05-29 | 2014-03-06 | 주식회사 동진쎄미켐 | Etchant for thin film transistor-liquid crystal displays |
| CN103668208A (en) * | 2012-09-04 | 2014-03-26 | 易安爱富科技有限公司 | Etchant composition of copper-molybdenum alloy film |
| KR101381482B1 (en) * | 2007-07-19 | 2014-04-07 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition and method for fabricating metal pattern |
| KR101406671B1 (en) * | 2008-01-28 | 2014-06-11 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition and method for fabricating metal pattern |
| KR101406573B1 (en) * | 2008-01-25 | 2014-06-11 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition and method for forming metal pattern using the same |
| KR101426088B1 (en) * | 2008-02-04 | 2014-08-04 | 동우 화인켐 주식회사 | Cleaning liquid composition and cleaning method using same |
| KR101426089B1 (en) * | 2008-02-11 | 2014-08-04 | 동우 화인켐 주식회사 | Cleaning liquid composition and cleaning method using same |
| US8894876B2 (en) | 2010-04-20 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Etchant for electrode and method of fabricating thin film transistor array panel using the same |
| KR20150045220A (en) * | 2013-10-18 | 2015-04-28 | 주식회사 동진쎄미켐 | Etchant composition for metal wire and method for preparing metal wire using the same |
| CN104614907A (en) * | 2013-11-04 | 2015-05-13 | 东友精细化工有限公司 | Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display |
| KR101529733B1 (en) * | 2009-02-06 | 2015-06-19 | 동우 화인켐 주식회사 | Method for manufacturing array substrate for liquid crystal display |
| KR20160106544A (en) | 2013-01-14 | 2016-09-12 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etching composition for copper/molybdenum or copper/molybdenum alloy multilayers |
| KR20170068328A (en) | 2015-12-09 | 2017-06-19 | 솔브레인 주식회사 | Etchant composition, and method for etching |
| KR20170111397A (en) | 2016-03-28 | 2017-10-12 | 동우 화인켐 주식회사 | Composition for Etching Copper-Containing Metal Layer |
| JP2018537854A (en) * | 2015-11-19 | 2018-12-20 | オーシーアイ カンパニー リミテッドＯＣＩ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｌｔｄ． | Copper etching composition and hydrogen peroxide-based metal etching composition |
| KR20190031698A (en) | 2017-09-18 | 2019-03-27 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etching composition |
| CN111876780A (en) * | 2020-08-31 | 2020-11-03 | 武汉迪赛新材料有限公司 | Ammonium persulfate system etching solution for etching TFT copper-molybdenum layer |
| KR20210017154A (en) | 2019-08-07 | 2021-02-17 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etchant Composition |
| KR20210088290A (en) | 2020-01-06 | 2021-07-14 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etchant Composition |
| KR20220009561A (en) | 2020-07-16 | 2022-01-25 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etchant Composition |
| KR20220071662A (en) | 2020-11-24 | 2022-05-31 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Metal layer etchant composition |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102818621B1 (en) | 2019-10-17 | 2025-06-10 | 삼성전자주식회사 | Etchant composition for metal-containing layer and method of manufacturing integrated circuit device using the etchant composition |
-
2005
- 2005-03-10 KR KR1020050020107A patent/KR101174767B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101347499B1 (en) * | 2006-11-21 | 2014-01-07 | 동우 화인켐 주식회사 | Method of producing tft array substrate for liquid crystal display |
| KR101310310B1 (en) * | 2007-03-15 | 2013-09-23 | 주식회사 동진쎄미켐 | Etchant for thin film transistor-liquid crystal displays |
| CN101307444B (en) * | 2007-05-17 | 2012-11-21 | 三星移动显示器株式会社 | Etchant and method for fabricating electric device including thin film transistor using the same |
| JP2008288575A (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Samsung Sdi Co Ltd | Etching solution and method for manufacturing electronic device including thin film transistor using the same |
| EP1992720A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-19 | Samsung SDI Co., Ltd. | Etchant and method for fabricating electric device including thin film transistor using the same |
| US7737033B2 (en) | 2007-05-17 | 2010-06-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Etchant and method for fabricating electric device including thin film transistor using the same |
| TWI383068B (en) * | 2007-05-17 | 2013-01-21 | Samsung Display Co Ltd | Etchant and method of manufacturing the same comprising thin film transistor electronic component |
| KR101381482B1 (en) * | 2007-07-19 | 2014-04-07 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition and method for fabricating metal pattern |
| KR101406573B1 (en) * | 2008-01-25 | 2014-06-11 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition and method for forming metal pattern using the same |
| KR101406671B1 (en) * | 2008-01-28 | 2014-06-11 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition and method for fabricating metal pattern |
| KR101426088B1 (en) * | 2008-02-04 | 2014-08-04 | 동우 화인켐 주식회사 | Cleaning liquid composition and cleaning method using same |
| KR101346917B1 (en) * | 2008-02-04 | 2014-01-03 | 동우 화인켐 주식회사 | Fabrication method of thin film transistor, etching solution composition used the method |
| KR101348046B1 (en) * | 2008-02-11 | 2014-01-07 | 동우 화인켐 주식회사 | Fabrication method of thin film transistor, etching solution composition used the method |
| KR101426089B1 (en) * | 2008-02-11 | 2014-08-04 | 동우 화인켐 주식회사 | Cleaning liquid composition and cleaning method using same |
| KR101346976B1 (en) * | 2008-02-12 | 2014-01-03 | 동우 화인켐 주식회사 | Fabrication method of thin film transistor, etching solution composition used the method |
| KR100983060B1 (en) * | 2008-05-26 | 2010-09-20 | (주)이그잭스 | Etchants for Non-Hydrogen Peroxide Copper or Copper Alloy Films |
| JP2010080934A (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Techno Semichem Co Ltd | Etching composition for copper and copper/molybdenum or copper/molybdenum alloy electrode of liquid crystal display device |
| KR101495683B1 (en) * | 2008-09-26 | 2015-02-26 | 솔브레인 주식회사 | Cu or Cu/Mo or Cu/Mo alloy electrode etching liquid in Liquid Crystal Display system |
| KR101529733B1 (en) * | 2009-02-06 | 2015-06-19 | 동우 화인켐 주식회사 | Method for manufacturing array substrate for liquid crystal display |
| WO2011028037A3 (en) * | 2009-09-07 | 2011-07-07 | Techno Semichem Co., Ltd. | Etchant for thin film transistor-liquid crystal display |
| KR20110030745A (en) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 동우 화인켐 주식회사 | Manufacturing Method of Array Substrate for Liquid Crystal Display |
| CN102576171A (en) * | 2009-11-17 | 2012-07-11 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | Manufacturing method for array substrate for liquid crystal display device |
| KR101157207B1 (en) * | 2010-04-12 | 2012-06-20 | 솔브레인 주식회사 | Etchant for thin film transistor-liquid crystal display |
| KR101157208B1 (en) * | 2010-04-13 | 2012-06-20 | 솔브레인 주식회사 | Etchant Composition for Patterned Metal Layer and Method of Patterning Metal Layer Using Thereof |
| US8894876B2 (en) | 2010-04-20 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Etchant for electrode and method of fabricating thin film transistor array panel using the same |
| WO2011136597A3 (en) * | 2010-04-29 | 2012-03-01 | 동우 화인켐 주식회사 | Copper and titanium composition for metal layer etching solution |
| WO2011136594A3 (en) * | 2010-04-30 | 2012-03-01 | 동우 화인켐 주식회사 | Copper and titanium composition for metal layer etching solution |
| KR101333551B1 (en) * | 2011-11-24 | 2013-11-28 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etching composition for copper and molibdenum alloy |
| WO2013077580A1 (en) * | 2011-11-24 | 2013-05-30 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etchant composition for copper/molybdenum alloy film |
| CN103890232A (en) * | 2011-11-24 | 2014-06-25 | 易安爱富科技有限公司 | Etchant composition for copper/molybdenum alloy film |
| KR101400953B1 (en) * | 2012-09-04 | 2014-07-01 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etching composition for copper and molibdenum alloy |
| CN103668208A (en) * | 2012-09-04 | 2014-03-26 | 易安爱富科技有限公司 | Etchant composition of copper-molybdenum alloy film |
| KR20160106544A (en) | 2013-01-14 | 2016-09-12 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etching composition for copper/molybdenum or copper/molybdenum alloy multilayers |
| KR101369946B1 (en) * | 2013-05-29 | 2014-03-06 | 주식회사 동진쎄미켐 | Etchant for thin film transistor-liquid crystal displays |
| KR101347468B1 (en) * | 2013-08-30 | 2014-01-16 | 동우 화인켐 주식회사 | Method of producing tft array substrate for liquid crystal display |
| KR20150045220A (en) * | 2013-10-18 | 2015-04-28 | 주식회사 동진쎄미켐 | Etchant composition for metal wire and method for preparing metal wire using the same |
| CN104562009A (en) * | 2013-10-18 | 2015-04-29 | 东进世美肯株式会社 | Metal wiring etchant composition and method for forming metal wiring using the same |
| CN113061891A (en) * | 2013-10-18 | 2021-07-02 | 东进世美肯株式会社 | Metal wiring etching solution composition and metal wiring forming method using same |
| CN104614907B (en) * | 2013-11-04 | 2020-04-10 | 东友精细化工有限公司 | Method for manufacturing array substrate for liquid crystal display |
| CN104614907A (en) * | 2013-11-04 | 2015-05-13 | 东友精细化工有限公司 | Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display |
| JP2018537854A (en) * | 2015-11-19 | 2018-12-20 | オーシーアイ カンパニー リミテッドＯＣＩ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｌｔｄ． | Copper etching composition and hydrogen peroxide-based metal etching composition |
| KR20170068328A (en) | 2015-12-09 | 2017-06-19 | 솔브레인 주식회사 | Etchant composition, and method for etching |
| KR20170111397A (en) | 2016-03-28 | 2017-10-12 | 동우 화인켐 주식회사 | Composition for Etching Copper-Containing Metal Layer |
| KR20190031698A (en) | 2017-09-18 | 2019-03-27 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etching composition |
| KR20210017154A (en) | 2019-08-07 | 2021-02-17 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etchant Composition |
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| KR20220009561A (en) | 2020-07-16 | 2022-01-25 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etchant Composition |
| CN111876780A (en) * | 2020-08-31 | 2020-11-03 | 武汉迪赛新材料有限公司 | Ammonium persulfate system etching solution for etching TFT copper-molybdenum layer |
| KR20220071662A (en) | 2020-11-24 | 2022-05-31 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Metal layer etchant composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101174767B1 (en) | 2012-08-17 |
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