KR20060049928A - 클리닝 부재 및 기판 처리 장치의 클리닝 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 25 내지 200℃의 온도 범위에서 비점착성이고 3,000MPa 이하, 특히 바람직하게는 100MPa 이하의 인장탄성률(영률)을 갖는 클리닝층을 포함하는 클리닝 부재, 이러한 클리닝 부재로서 상기 클리닝층을 갖는 클리닝 시트, 또는 상기 클리닝층을 표면에 갖는 클리닝 기능-구비 반송 부재를 제공한다.

Description

클리닝 부재 및 기판 처리 장치의 클리닝 방법{CLEANING MEMBER AND CLEANING METHOD OF SUBSTRATE PROCESSING EQUIPMENT}

본 발명은 기판 처리 장치를 클리닝하는 클리닝 부재, 및 이를 사용한 기판 처리 장치의 클리닝 방법에 관한 것이다.

반도체, 플랫 패널 디스플레이, 프린트 기판 등의 제조 장치 및 검사 장치와 같은, 이물질을 기피하는 각종 기판 처리 장치에서는, 기판을 각 반송계와 물리적으로 접촉시키면서 반송한다. 이 때, 기판 또는 반송계에 이물질이 부착되어 있으면, 후속의 기판을 차례로 오염시키기 때문에, 정기적으로 장치를 정지시켜 세정 처리를 수행할 필요가 있다. 이 때문에, 가동율이 저하되고 막대한 노력이 필요하게 되는 문제가 있었다.

이러한 문제를 해결하기 위해, 기판 처리 장치내로 클리닝 부재로서 점착성 물질을 고착시킨 기판을 반송함으로써 상기 장치내에 부착된 이물질을 클리닝 제거하는 방법(일본 특허공개 제 1998-154686 호 공보 참조) 및 판상 부재를 반송함으로써 기판의 이면에 부착된 이물질을 제거하는 방법(일본 특허공개 제 1999-87458 호 공보 참조)이 제안되었다.

이들 방법 중, 판상 부재를 반송하는 후자의 방법에서는 판상 부재를 지장없이 기판 처리 장치내로 반송할 수 있지만, 이 방법은 필수적인 이물질 제거 능력이 뒤떨어진다.

반대로, 점착성 물질을 고착시킨 기판을 반송하는 전자의 방법은 우수한 이물질 제거 능력을 나타내므로 상기와 같은 가동률의 저하 및 막대한 노력을 회피하는 유효한 방법이다. 그러나, 이 방법에서는, 점착성 물질과 장치 접촉부가 서로 강하게 접착되어 박리되지 않게 되는 경우가 있으므로 기판을 확실하게 반송할 수 없을 가능성이 있다. 이 때문에, 접착력을 가능한 한 작게 함으로써 이물질 제거 능력과 반송 능력을 조화시켰다(일본 특허공개 제 1999-121242 호 참조).

클리닝되는 대상 기판 처리 장치에서 척 테이블의 온도는 기판 처리의 종류에 따라 실온 내지 고온의 넓은 범위내에서 변화된다. 따라서, 넓은 온도 범위내에서 사용될 수 있는 클리닝 부재가 이상적이다.

그러나, 종래의 클리닝 부재의 경우, 고온인 척 테이블의 온도를 클리닝시에 실온으로 낮출 필요가 있다. 이는, 클리닝 부재가 열가소성이어서 실온에서는 비점착성이더라도 고온 분위기하에서는 그 탄성률이 감소함에 따라 그 접착력이 증가하기 때문이다. 따라서, 척 테이블의 온도 조정(온도 하강/온도 상승)에 많은 시간이 걸려 가동률이 저하되는 문제가 있다.

본 발명은 이러한 사정에 비추어, 척 테이블의 온도가 실온 내지 고온(25 내지 200℃)인 경우에도 척 테이블에 접착되지 않고 양호한 반송 능력을 유지하며 우수한 이물질 제거 능력을 나타내는, 기판 처리 장치의 척 테이블에 부착된 이물질을 확실하게 제거할 수 있는 클리닝 부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토한 결과, 실온 내지 고온의 넓은 온도 범위에서 비점착성이고 특정 값 이하의 인장탄성률(영률)을 나타내는 클리닝층을 갖는 클리닝 부재는, 고온인 척 테이블의 온도를 실온으로 낮추지 않더라도 상기의 접착과 같은 지장을 초래함이 없이 실온 내지 고온의 넓은 온도 범위내에서 기판 처리 장치내로 잘 반송될 수 있고, 또한 상기 클리닝 부재를 반송함으로써 상기 장치내에 부착된 이물질을 간편하고도 확실하게 제거할 수 있음을 발견하였다.

본 발명은 이러한 발견에 기초하여 완성되었다.

즉, 본 발명은 25 내지 200℃의 온도 범위에서 비점착성이고 3,000MPa 이하의 인장탄성률(영률)을 갖는 클리닝층을 포함하는 클리닝 부재에 관한 것이며, 특히 클리닝층의 인장탄성률(영률)이 100MPa 이하인 상기 구성의 클리닝 부재에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 클리닝층을 갖는 클리닝 시트인 상기 구성의 클리닝 부재; 클리닝층을 표면에 갖는 클리닝 기능-구비 반송 부재인 상기 구성의 클리닝 부재; 상기 클리닝 기능-구비 반송 부재가, 점착제층을 통해 반송 부재상에 제공된 상기 클리닝 시트를 포함하는 상기 구성의 클리닝 부재; 및 상기 클리닝 기능-구비 반송 부재가, 반송 부재상에 직접 제공된 클리닝층을 포함하는 상기 구성의 클리닝 부재를 제공할 수 있다.

또한, 본 발명은 상기 각 구성의 클리닝 부재를 기판 처리 장치내로 반송하는 것을 포함하는 기판 처리 장치의 클리닝 방법, 및 이 클리닝 방법에 의해 클리닝된 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.

이와 같이, 본 발명에서는, 25 내지 200℃의 온도 범위에서 비점착성이고 3,000MPa 이하, 특히 100MPa 이하의 인장탄성률(영률)을 갖는 클리닝층을 갖는 클리닝 부재를 사용함으로써, 클리닝 부재를 실온 내지 고온의 넓은 온도 범위내에서 기판 처리 장치내로 잘 반송할 수 있고, 또한 상기 장치내에 부착된 이물질을 간편하고도 확실하게 제거할 수 있다.

본 발명에서, 클리닝층은 25 내지 200℃의 온도 범위에서 비점착성이고 3,000MPa 이하의 인장탄성률(영률)을 가져야 하며, 인장탄성률(영률)이 바람직하게는 100MPa 이하, 보다 바람직하게는 1 내지 100MPa, 특히 바람직하게는 10 내지 90MPa의 범위내에 있는 것이 좋다.

클리닝층이 이와 같이 실온 내지 고온의 넓은 온도 범위에서 비점착성이면, 기판 처리 장치의 척 테이블의 온도가 고온 상태에 있는 경우에도 클리닝층이 척 테이블에 부착되는 불편함을 피할 수 있고 양호한 반송 능력을 유지할 수 있다.

또한, 인장탄성률(영률)이 3,000MPa 이하, 특히 100MPa 이하이면, 이물질을 클리닝층에 충분히 침강시킴으로써 고정(anchoring) 효과에 의해 이물질을 효과적으로 제거할 수 있고 높은 이물질 제거 능력을 얻을 수 있다. 인장탄성률(영률)은 시험법 JIS K7127에 준하여 측정되었다.

본 발명에서, 이러한 클리닝층은 상기 특성을 나타내는 한 그 재료에 특별한 한정은 없고, 예컨대 폴리테트라플루오로에틸렌계, 퍼플루오로알콕시계, 플루오르화 에틸렌 프로필렌계, 폴리에터 에터 케톤계, 폴리설폰계, 폴리에터설폰계, 나일론계, 폴리아세탈계, 에폭시계, 폴리카보네이트계, 환형 폴리올레핀계, 아라마이드계, 폴리다이메틸실록세인계 및 폴리이미드계 중합체 물질이 바람직하게 사용된다.

특히, 폴리테트라플루오로에틸렌계 중합체 물질이 가장 적합하다. 즉, 이 종류의 물질은 플루오르의 전자 끄는 성질 때문에 높은 결합 에너지를 갖고, 내열성이 우수하며, 온도 변화에 대한 물성의 변화가 극히 작고, 넓은 온도 범위내에서 안정된 물성을 유지한다. 또한, 신축 조건에 의해 탄성률이 자유롭게 조절될 수 있다. 또한, 상기 물질은 표면 자유 에너지가 작기 때문에 넓은 온도 범위내에서 비점착성을 나타낸다.

본 발명의 클리닝 부재는 상기 클리닝층을 갖는 클리닝 시트일 수도 있고, 상기 클리닝층을 표면에 갖는 클리닝 기능-구비 반송 부재일 수도 있다.

클리닝 부재가 클리닝 시트인 경우, 이는 상기 클리닝층을 단독으로 필름으로 형상화함으로써 수득된 것일 수도 있고, 폴리에스터 필름 또는 폴리아마이드 필름과 같은 내열성 지지체를 사용하여 이 지지체상에 상기 클리닝층을 콤마코트 (commacoat)법, 파운틴(fountain)법, 그라비어법 등에 의해 코팅함으로써 클리닝층을 형성한 구성의 것일 수도 있다. 이들 실시태양에서, 클리닝층의 두께가 5㎛ 이상일 때 상기 기능이 발휘될 수 있지만, 두께가 10 내지 50㎛인 것이 특히 바람직하다.

또한, 클리닝 부재가 클리닝 기능-구비 반송 부재인 경우, 이는 상기 클리닝 시트가 점착제층을 통해 반송 부재상에 제공된 구성 또는 클리닝층이 반송 부재상에 직접 제공된 구성의 것일 수 있다.

전자의 구성에서는, 사용할 상기 클리닝 시트상에 점착제층을 미리 형성하여 점착제층을 갖는 클리닝 시트를 제조하고, 그 후 이를 상기 점착제층을 이용하여 반송 부재상에 부착시킬 수 있다. 또한, 후자의 구성에서는, 클리닝층 형성 재료를 반송 부재상에 스핀 코팅법, 스프레이법 등에 의해 직접 코팅하여 형성할 수 있다.

또한, 지지체상에 코팅된 상기 클리닝층을 반송 부재에 전사 및 적층시킴으로써 클리닝 기능-구비 반송 부재를 제조하는 것도 가능하다.

전자의 구성에서는, 점착제층이 실리콘 웨이퍼(경면)에 대해 0.01 내지 10N/10mm 폭, 바람직하게는 0.05 내지 5N/10mm 폭의 180° 박리 접착력을 갖는 것이 바람직하다. 상기 접착력이 너무 큰 경우, 클리닝 시트를 반송 부재로부터 박리 제거할 때 클리닝 시트가 찢어질 위험이 있다. 점착제층의 두께는 특별히 한정되지 않고, 일반적으로 5 내지 100㎛, 바람직하게는 약 10 내지 50㎛이다.

상기 점착제층은 그 재료 구성에 특별한 한정은 없고, 아크릴계 및 고무계 점착제와 같은 통상의 점착제 중 임의의 것을 사용할 수 있다. 이들 중, 아크릴계 점착제로서는, 중량평균분자량 100,000 이하의 성분이 10중량% 이하의 양으로 함유된 아크릴계 중합체를 주 중합체로서 함유하는 아크릴계 점착제가 특히 바람직하다. 상기 아크릴계 중합체는 주 단량체인 (메트)아크릴산 알킬 에스터 및 필요에 따라 첨가되는 기타 공중합성 단량체를 함유하는 단량체 혼합물을 중합함으로써 합성될 수 있다.

본 발명의 클리닝 부재가 전술한 바와 같은 클리닝 기능-구비 반송 부재인 경우, 사용되는 반송 부재는 특별히 한정되지 않고 기판 처리 장치의 종류에 따라 적합한 것을 사용할 수 있다. 그 구체적인 예로는 반도체 웨이퍼, LCD 및 PDP와 같은 플랫 패널 디스플레이용 기판, 및 콤팩트 디스크, MR 헤드 등의 기판을 들 수 있다.

본 발명에서는, 상기 구성의 클리닝 부재를 기판 처리 장치내로 반송하여 상기 부재를 척 테이블과 같은 피세척 부위와 접촉시킴으로써, 상기 부재의 반송시 어떤 지장도 초래함이 없이 상기 장치내에 부착된 이물질을 간편하고도 확실하게 제거할 수 있다.

즉, 본 발명의 클리닝 부재를 사용함으로써, 반송 능력 및 이물질 제거 능력 둘 다를 용이하게 달성할 수 있다.

본 발명에서, 클리닝되는 기판 처리 장치는 고온 척 테이블을 갖추고 있는 한 특별히 한정되지 않는다. 그 예로는 노광 조사 장치, 레지스트 코팅 장치, 현상 장치, 애싱 장치, 건식 에칭 장치, 이온 주입 장치, PVD 장치, CVD 장치, 외관 검사 장치, 웨이퍼 프로버 등을 들 수 있다.

본 발명에서는, 상기 방법에 의해 클리닝된 전술한 각 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.

실시예

다음으로, 본 발명의 실시예를 참조로 하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.

또한, 이하에서 사용되는 "부"라는 용어는 중량부를 의미한다.

실시예 1

클리닝층으로서, 두께 25㎛의 폴리테트라플루오로에틸렌계 필름[미츠시 플루오로케미칼 가부시키가이샤(Mitsui Fluorochemical Co., Ltd.) 제조]을 사용하였다. 25℃, 100℃ 및 200℃ 분위기하의 인장탄성률(영률)은 각각 87MPa, 71MPa 및 45MPa였다. 인장탄성률(영률)은 시험법 JIS K7127(시험 속도 50mm/분, 시험편 폭 10mm, 초기 척 간격 10mm)에 준하여 측정되었다. 또한, 25℃, 100℃ 및 200℃ 분위기하의 실리콘 웨이퍼(경면)에 대한 180° 박리 접착력(JIS Z0237에 준하여 측정됨)은 모든 경우 0N/10mm 폭이었다.

온도계, 교반기, 질소 유입관 및 환류 응축기가 장착된 500mL 용적의 3구 플라스크형 반응기에 2-에틸헥실 아크릴레이트 73부, n-뷰틸 아크릴레이트 10부, N,N-다이메틸아크릴아마이드 15부, 아크릴산 5부, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스아이소뷰티로나이트릴 0.15부, 및 에틸 아세테이트 100부를 총량이 200g이 되도록 도입하였다. 약 1시간 동안 질소 가스를 도입하여 내부 공기를 질소로 치환하면서 전체를 혼합하였다. 그 후, 내부 온도를 58℃로 하고, 이 상태를 약 4시간 동안 유지하여 중합을 수행함으로써 점착성 중합체 용액을 수득하였다.

이어서, 가교제로서 폴리아이소사이아누레이트 화합물[상표명 "콜로네이트(Colonate) L", 닛폰 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤(Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) 제조] 3부를 상기와 같이 수득된 점착성 중합체 용액 100부와 균질하게 혼합하여 점착성 용액 A를 제조하였다.

세퍼레이터로서는, 한쪽 면이 실리콘계 박리제로 박리 처리된 두께 38㎛의 긴 폴리에스터 필름을 사용하였다. 상기 점착제층 용액 A를 건조후 두께가 15㎛가 되도록 상기 세퍼레이터의 박리된 표면상에 도포하였다. 건조후, 클리닝층으로서의 상기 폴리테트라플루오로에틸렌계 필름(두께 25㎛)을 점착제층상에 적층하여 클리닝 시트 A를 제조하였다.

점착제층측의 세퍼레이터를 박리 제거한 후, 상기 클리닝 시트 A를 반송 부재인 8인치 실리콘 웨이퍼의 경면에 핸드 롤러에 의해 부착시켜 클리닝 기능-구비 반송 부재 A를 제조하였다. 이 때, 실리콘 웨이퍼(경면)에 대한 상기 점착제층의 180° 박리 접착력은 1.5N/10mm 폭이었다.

클리닝의 평가는 반도체 제조를 위한 웨이퍼 컨덕션 시험 장치인 웨이퍼 프로버["UF200", 세이미츠 가부시키가이샤(Seimitsu Co., Ltd.) 제조]를 사용하여 다음과 같이 수행하였다(척 테이블의 온도 가변 범위: 25 내지 200℃).

우선, 장치 A 내지 L의 12개의 장치에 대해 클리닝전의 웨이퍼 반송계를 검사하였을 때, 육안 수준으로 구별할 수 있는 이물질이 모든 장치의 척 테이블상에 서 관찰되었다. 즉, 장치 A에서는 14개, 장치 B에서는 15개, 장치 C에서는 15개, 장치 D에서는 16개, 장치 E에서는 14개, 장치 F에서는 13개, 장치 G에서는 13개, 장치 H에서는 15개, 장치 I에서는 13개, 장치 J에서는 12개, 장치 K에서는 15개, 장치 L에서는 13개의 이물질이 관찰되었다.

장치 A에 대해, 척 테이블을 200℃의 온도로 유지하면서, 클리닝 기능-구비 반송 부재 A를, 클리닝층측을 반송계와 접촉시키면서 반송함으로써 척 테이블과 같은 반송계를 클리닝하였다. 그 결과, 클리닝층이 접촉 부위에 강하게 부착되는 현상은 관찰되지 않고 반송 부재를 지장없이 반송할 수 있었다. 또한, 장치 밖으로 나온 클리닝 기능-구비 반송 부재 A의 표면을 육안으로 관찰한 결과, 14개(척 테이블상의 14개 중)의 이물질이 포획되어, 이물질이 확실하게 포획될 수 있었음을 알았다.

또한, 장치 B에 대해, 척 테이블의 온도를 실온(25℃)으로 낮춘 후, 클리닝 기능-구비 반송 부재 A를, 클리닝층측을 반송계와 접촉시키면서 반송함으로써 척 테이블과 같은 반송계를 클리닝하였다. 그 결과, 클리닝층이 접촉 부위에 강하게 부착되는 현상은 관찰되지 않고 반송 부재를 지장없이 반송할 수 있었다. 또한, 장치 밖으로 나온 클리닝 기능-구비 반송 부재 A의 표면을 육안으로 관찰한 결과, 15개(척 테이블상의 15개 중)의 이물질이 포획되어, 이물질이 확실하게 포획될 수 있었음을 알았다.

실시예 2

폴리테트라플루오로에틸렌계 필름 대신에 두께 25㎛의 폴리에터설폰계 필름 ["스미라이트(Sumilite) FS-1300", 스미토모 베이크라이트 가부시키가이샤(Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) 제조]을 클리닝층으로서 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 클리닝 시트 B를 제조하였다.

25℃, 100℃ 및 200℃ 분위기하의 인장탄성률(영률)은 각각 2,034MPa, 1,850MPa 및 1,634MPa였다. 또한, 25℃, 100℃ 및 200℃ 분위기하의 실리콘 웨이퍼(경면)에 대한 180° 박리 접착력은 모든 경우 0N/10mm 폭이었다.

이어서, 점착제층측의 세퍼레이터를 박리 제거한 후, 상기 클리닝 시트 B를 반송 부재인 8인치 실리콘 웨이퍼의 경면에 핸드 롤러에 의해 부착시켜 클리닝 기능-구비 반송 부재 B를 제조하였다.

장치 C에 대해, 척 테이블을 200℃의 온도로 유지하면서, 클리닝 기능-구비 반송 부재 B를, 클리닝층측을 반송계와 접촉시키면서 반송함으로써 척 테이블과 같은 반송계를 클리닝하였다. 그 결과, 클리닝층이 접촉 부위에 강하게 부착되는 현상은 관찰되지 않고 반송 부재를 지장없이 반송할 수 있었다. 또한, 장치 밖으로 나온 클리닝 기능-구비 반송 부재 B의 표면을 육안으로 관찰한 결과, 10개(척 테이블상의 15개 중)의 이물질이 포획되어, 이물질이 확실하게 포획될 수 있었음을 알았다.

또한, 장치 D에 대해, 척 테이블의 온도를 실온(25℃)으로 낮춘 후, 클리닝 기능-구비 반송 부재 B를, 클리닝층측을 반송계와 접촉시키면서 반송함으로써 척 테이블과 같은 반송계를 클리닝하였다. 그 결과, 클리닝층이 접촉 부위에 강하게 부착되는 현상은 관찰되지 않고 반송 부재를 지장없이 반송할 수 있었다. 또한, 장치 밖으로 나온 클리닝 기능-구비 반송 부재 B의 표면을 육안으로 관찰한 결과, 11개(척 테이블상의 16개 중)의 이물질이 포획되어, 이물질이 확실하게 포획될 수 있었음을 알았다.

실시예 3

두께 400㎛의 폴리에터설폰계 필름("스미라이트 FS-1300", 스미토모 베이크라이트 가부시키가이샤 제조)을 클리닝층으로서 사용하였다. 이 필름을 클리닝 시트 C로서 사용하고, 이 시트를 8인치 실리콘 웨이퍼 형상으로 단독 펀칭하여 클리닝 부재 C를 제조하였다.

장치 E에 대해, 척 테이블을 200℃의 온도로 유지하면서, 클리닝 부재 C를, 클리닝층측을 반송계와 접촉시키면서 반송함으로써 척 테이블과 같은 반송계를 클리닝하였다. 그 결과, 클리닝층이 접촉 부위에 강하게 부착되는 현상은 관찰되지 않고 클리닝 부재를 지장없이 반송할 수 있었다. 또한, 장치 밖으로 나온 클리닝 부재 C의 표면을 육안으로 관찰한 결과, 9개(척 테이블상의 14개 중)의 이물질이 포획되어, 이물질이 확실하게 포획될 수 있었음을 알았다.

또한, 장치 F에 대해, 척 테이블의 온도를 실온(25℃)으로 낮춘 후, 클리닝 부재 C를, 클리닝층측을 반송계와 접촉시키면서 반송함으로써 척 테이블과 같은 반송계를 클리닝하였다. 그 결과, 클리닝층이 접촉 부위에 강하게 부착되는 현상은 관찰되지 않고 클리닝 부재를 지장없이 반송할 수 있었다. 또한, 장치 밖으로 나온 클리닝 부재 C의 표면을 육안으로 관찰한 결과, 9개(척 테이블상의 13개 중)의 이물질이 포획되어, 이물질이 확실하게 포획될 수 있었음을 알았다.

실시예 4

NMP(N-메틸-2-피롤리돈) 중에서 4,4'-다이아미노다이페닐 에터를 피로멜리트산 이무수물과 반응시켰다. 냉각후 수득된 수지 용액을 반송 부재인 8인치 실리콘 웨이퍼의 경면에 스핀 코터에 의해 도포한 후, 100℃에서 10분 동안 가열하여 건조하였다. 질소 분위기하에 280℃에서 2시간 동안 열 처리를 실시하여 두께 20㎛의 클리닝층을 형성함으로써 클리닝 기능-구비 반송 부재 D를 제조하였다.

25℃, 100℃ 및 200℃ 분위기하의 상기 클리닝층의 인장탄성률(영률)은 각각 1,580MPa, 1,210MPa 및 920MPa였다. 또한, 25℃, 100℃ 및 200℃ 분위기하의 실리콘 웨이퍼(경면)에 대한 180° 박리 접착력은 모든 경우 0N/10mm 폭이었다.

장치 G에 대해, 척 테이블을 200℃의 온도로 유지하면서, 클리닝 기능-구비 반송 부재 D를, 클리닝층측을 반송계와 접촉시키면서 반송함으로써 척 테이블과 같은 반송계를 클리닝하였다. 그 결과, 클리닝층이 접촉 부위에 강하게 부착되는 현상은 관찰되지 않고 반송 부재를 지장없이 반송할 수 있었다. 또한, 장치 밖으로 나온 클리닝 기능-구비 반송 부재 D의 표면을 육안으로 관찰한 결과, 10개(척 테이블상의 13개 중)의 이물질이 포획되어, 이물질이 확실하게 포획될 수 있었음을 알았다.

또한, 장치 H에 대해, 척 테이블의 온도를 실온(25℃)으로 낮춘 후, 클리닝 기능-구비 반송 부재 D를, 클리닝층측을 반송계와 접촉시키면서 반송함으로써 척 테이블과 같은 반송계를 클리닝하였다. 그 결과, 클리닝층이 접촉 부위에 강하게 부착되는 현상은 관찰되지 않고 반송 부재를 지장없이 반송할 수 있었다. 또한, 장치 밖으로 나온 클리닝 기능-구비 반송 부재 D의 표면을 육안으로 관찰한 결과, 11개(척 테이블상의 15개 중)의 이물질이 포획되어, 이물질이 확실하게 포획될 수 있었음을 알았다.

비교예 1

폴리테트라플루오로에틸렌계 필름 대신에 두께 25㎛의 열가소성 폴리우레탄 필름["E-660", 닛폰 미락트란 가부시키가이샤(Nippon Miractran Co., Ltd.) 제조]을 클리닝층으로서 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 클리닝 시트 E를 제조하였다.

25℃, 100℃ 및 200℃ 분위기하의 상기 클리닝층의 인장탄성률(영률)은 각각 250MPa, 45MPa 및 11MPa였다. 인장탄성률(영률)은 시험법 JIS K7127(시험 속도 50mm/분, 시험편 폭 10mm, 초기 척 간격 10mm)에 준하여 측정되었다. 또한, 25℃, 100℃ 및 200℃ 분위기하의 실리콘 웨이퍼(경면)에 대한 180° 박리 접착력(JIS Z0237에 준하여 측정됨)은 각각 0N/10mm 폭, 1.2N/10mm 폭 및 1.8N/10mm 폭이었다.

이어서, 점착제층측의 세퍼레이터를 박리 제거한 후, 상기 클리닝 시트 E를 반송 부재인 8인치 실리콘 웨이퍼의 경면에 핸드 롤러에 의해 부착시켜 클리닝 기능-구비 반송 부재 E를 제조하였다.

장치 I에 대해, 척 테이블을 200℃의 온도로 유지하면서, 클리닝 기능-구비 반송 부재 E를, 클리닝층측을 반송계와 접촉시키면서 반송하려고 시도하였지만, 클리닝층이 접촉 부위에 강하게 부착되어 반송 부재를 반송할 수 없었다.

또한, 장치 J에 대해, 척 테이블의 온도를 실온(25℃)으로 낮춘 후, 클리닝 기능-구비 반송 부재 E를, 클리닝층측을 반송계와 접촉시키면서 반송함으로써 척 테이블과 같은 반송계를 클리닝하였다. 그 결과, 클리닝층이 접촉 부위에 강하게 부착되는 현상은 관찰되지 않고 반송 부재를 지장없이 반송할 수 있었다. 그러나, 장치 밖으로 나온 클리닝 기능-구비 반송 부재 E의 표면을 육안으로 관찰한 결과, 6개(척 테이블상의 12개 중)의 이물질만이 포획되어, 이물질 포획 능력이 충분하지 않았다.

비교예 2

폴리테트라플루오로에틸렌계 필름 대신에 두께 25㎛의 폴리이미드 필름["아피칼(Apical) NPI", 가네카 가부시키가이샤(Kaneka Corporation) 제조]을 클리닝층으로서 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 클리닝 시트 F를 제조하였다.

25℃, 100℃ 및 200℃ 분위기하의 상기 클리닝층의 인장탄성률(영률)은 각각 4,100MPa, 4,050MPa 및 4,000Pa였다. 또한, 25℃, 100℃ 및 200℃ 분위기하의 실리콘 웨이퍼(경면)에 대한 180° 박리 접착력은 모든 경우 0N/10mm 폭이었다.

이어서, 점착제층측의 세퍼레이터를 박리 제거한 후, 상기 클리닝 시트 F를 반송 부재인 8인치 실리콘 웨이퍼의 경면에 핸드 롤러에 의해 부착시켜 클리닝 기능-구비 반송 부재 F를 제조하였다.

장치 K에 대해, 척 테이블을 200℃의 온도로 유지하면서, 클리닝 기능-구비 반송 부재 F를, 클리닝층측을 반송계와 접촉시키면서 반송함으로써 척 테이블과 같은 반송계를 클리닝하였다. 그 결과, 클리닝층이 접촉 부위에 강하게 부착되는 현 상은 관찰되지 않고 반송 부재를 지장없이 반송할 수 있었다. 그러나, 장치 밖으로 나온 클리닝 기능-구비 반송 부재 F의 표면을 육안으로 관찰한 결과, 5개(척 테이블상의 15개 중)의 이물질만이 포획되어, 이물질 포획 능력이 충분하지 않았다.

또한, 장치 L에 대해, 척 테이블의 온도를 실온(25℃)으로 낮춘 후, 클리닝 기능-구비 반송 부재 F를, 클리닝층측을 반송계와 접촉시키면서 반송함으로써 척 테이블과 같은 반송계를 클리닝하였다. 그 결과, 클리닝층이 접촉 부위에 강하게 부착되는 현상은 관찰되지 않고 반송 부재를 지장없이 반송할 수 있었다. 그러나, 장치 밖으로 나온 클리닝 기능-구비 반송 부재 F의 표면을 육안으로 관찰한 결과, 3개(척 테이블상의 13개 중)의 이물질만이 포획되어, 이물질 포획 능력이 충분하지 않았다.

본 발명을 이의 특정 실시태양을 참조로 하여 상세히 설명하였지만, 본 발명의 범주를 벗어나지 않고 다양한 변화 및 변경이 이루어질 수 있음은 당해 기술분야의 숙련자에게 자명할 것이다.

본원은 2004년 7월 8일자로 출원된 일본 특허출원 제 2004-201260 호 및 2005년 5월 19일자로 출원된 일본 특허출원 제 2005-146522 호를 기초로 하고, 이들의 전체 내용은 본원에 참고로 인용된다.

본 발명의 클리닝 부재는, 25 내지 200℃의 온도 범위에서 비점착성이고 3,000MPa 이하, 특히 100MPa 이하의 인장탄성률(영률)을 갖는 클리닝층을 가짐으로 써, 실온 내지 고온의 넓은 온도 범위내에서 기판 처리 장치내로 잘 반송될 수 있고, 또한 이러한 클리닝 부재를 이용함으로써 기판 처리 장치내에 부착된 이물질을 간편하고도 확실하게 제거할 수 있다.

Claims (8)

1. 25 내지 200℃의 온도 범위에서 비점착성이고 3,000MPa 이하의 인장탄성률(영률)을 갖는 클리닝층을 포함하는 클리닝 부재.
2. 제 1 항에 있어서,

   클리닝층의 인장탄성률(영률)이 100MPa 이하인 클리닝 부재.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   클리닝층을 갖는 클리닝 시트인 클리닝 부재.
4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   클리닝층을 표면에 갖는 클리닝 기능-구비 반송 부재인 클리닝 부재.
5. 제 4 항에 있어서,

   클리닝 기능-구비 반송 부재가, 점착제층을 통해 반송 부재상에 제공된 제 3 항에 따른 클리닝 시트를 포함하는 클리닝 부재.
6. 제 4 항에 있어서,

   클리닝 기능-구비 반송 부재가, 반송 부재상에 직접 제공된 클리닝층을 포함하는 클리닝 부재.
7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 클리닝 부재를 기판 처리 장치내로 반송하는 것을 포함하는, 기판 처리 장치의 클리닝 방법.
8. 제 7 항에 따른 클리닝 방법에 의해 클리닝된 기판 처리 장치.