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KR20060018699A - Pad placement method of semiconductor device - Google Patents

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KR20060018699A
KR20060018699A KR1020040067197A KR20040067197A KR20060018699A KR 20060018699 A KR20060018699 A KR 20060018699A KR 1020040067197 A KR1020040067197 A KR 1020040067197A KR 20040067197 A KR20040067197 A KR 20040067197A KR 20060018699 A KR20060018699 A KR 20060018699A
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유남규
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주식회사 하이닉스반도체
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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 패드를 배치하는 방법에 있어서, 상기 반도체 장치를 종횡으로 분할하여 4개의 뱅크 영역으로 구획하여 배치하고, 상기 TSOP 방식에 대응하는 패드는 구획된 상기 뱅크가 서로 대향하는 뱅크간 중앙 영역에 배치하고, 상기 FBGA 방식에 대응하는 패드들은 상기 반도체 장치의 양측 에지에 배치함으로써, 하나의 제품 설계만으로 TSOP 방식과 FBGA 패키지 방식에 동시에 적용할 수 있고, 제품의 종류나 제품 설계자의 필요에 따라서 패키지 방식을 선택할 수 있다.In the method of arranging pads of a semiconductor device, the semiconductor device is divided into four bank areas by vertically and horizontally divided into four bank areas, and pads corresponding to the TSOP method are arranged between banks in which the divided banks face each other. The pads corresponding to the FBGA method are disposed at the center area and disposed at both edges of the semiconductor device, so that only one product design can be applied to the TSOP method and the FBGA package method simultaneously. You can choose the package type according to your needs.

반도체, 패드, 배치, 칩Semiconductor, pad, batch, chip

Description

반도체 장치의 패드 배치 방법{METHOD FOR DISPOSING PAD IN SEMICONDUCTOR DEVICE} Pad placement method of semiconductor device {METHOD FOR DISPOSING PAD IN SEMICONDUCTOR DEVICE}             

도 1은 일반적인 TSOP 패키지의 경우 패드 열의 배치를 나타낸 도면,1 is a diagram showing the arrangement of pad rows in a typical TSOP package;

도 2는 일반적인 FBGA 패키지의 경우 패드 열의 배치를 나타낸 도면, 2 is a view showing the arrangement of pad rows in the case of a typical FBGA package,

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 TSOP와 FBGA 패키지에 동시에 대응할 수 있는 패드 열의 배치를 나타낸 도면.
3 illustrates an arrangement of pad rows that may simultaneously correspond to TSOP and FBGA packages in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

110 내지 140 : 뱅크110 to 140: bank

200 : 본딩 패드200: bonding pad

200T : TSOP 방식에 대응하는 패드200T: Pad corresponding to TSOP method

200T' : 본딩이 요구되지 않는 TSOP 방식용 패드200T ': TSOP pads without bonding required

200F : FBGA 방식에 대응하는 패드
200F: Pad corresponding to FBGA method

본 발명은 반도체 장치의 패드 배치 방법에 관한 것으로서, 특히 TSOP(Thin Small Out-line Package)와 FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)를 동시에 적용할 수 있는 반도체 장치의 패드 배치 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of arranging pads of a semiconductor device, and more particularly, to a method of arranging pads of a semiconductor device capable of simultaneously applying a thin small out-line package (TSOP) and a fine pitch ball grid array (FBGA).

종래에는 리드 프레임을 이용하는 TSOP 패키지가 반도체 장치의 패키지의 주류를 이루었었다. 이 TSOP로 반도체 장치를 패키징할 때에는 리드 프레임을 사용하기 때문에, 칩의 에지에 패드를 배치할 경우 리드 프레임의 설계가 매우 어려워서, 도 1에 도시된 바와 같이, LOC(Lead 0n Chip) 구조를 이용해서 칩의 중앙에 패드를 배치하였다.Conventionally, TSOP packages using lead frames have become the mainstream of packages of semiconductor devices. Since the lead frame is used when packaging the semiconductor device with this TSOP, the design of the lead frame is very difficult when the pad is placed at the edge of the chip. As shown in FIG. 1, a lead 0n chip (LOC) structure is used. The pad was placed in the center of the chip.

그와 같이 TSOP 패키지가 주류를 이루던 반도체 장치의 패키지는, 전자 제품의 소형화, 경량화, 고속화, 다기능화되는 추세에 따라서, 리드 프레임을 이용하는 TSOP 패키지 대신에 인쇄 기판을 사용하여 반도체 칩이 접착되는 면의 반대쪽 전면(全面)에 솔더볼(solder ball)들을 배치함으로써, 고집적화 할 수 있는 볼 그리드 어레이(BGA : Ball Grid Array) 패키지, 특히 칩 스케일 패키지(CSP : Chip Scale Package)인 미세 피치 볼 그리드 어레이(FBGA : Fine Pitch Ball Grid Array) 등이 이용되는 추세이다. 이와 같은 FBGA는 특히 소형화와 저소비 전력화가 요구되는 모바일 제품 등에서 주로 이용되고 있다. 이와 같이 FBGA로 패키징될 때에는 멀티 칩 패키지(Multi Chip Package)도 함께 이용되므로, 칩의 중앙에 패드를 배치하지 모하고, 도 2에 도시된 바와 같이 칩의 에지에 패드를 배치한다.As such, the semiconductor device package in which the TSOP package has become mainstream has a surface in which semiconductor chips are bonded using a printed board instead of a TSOP package using a lead frame in accordance with the trend of miniaturization, light weight, high speed, and multifunctionality of electronic products. By arranging solder balls on the opposite side of the surface, a highly pitched ball grid array (BGA) package, particularly a fine pitch ball grid array (CSP), is a chip scale package (CSP). FBGA: Fine Pitch Ball Grid Array) is used. Such FBGA is mainly used in mobile products that require miniaturization and low power consumption. In this case, when packaged as FBGA, a multi chip package is also used. Therefore, pads are not disposed at the center of the chip, and pads are disposed at the edge of the chip as shown in FIG.

한편, FBGA의 경우에는 TSOP에 비에서 비용이 많이 들기 때문에, 실제 수요 측면에서는 패키지가 사용되는 제품의 종류에 따라, 또는 수요자의 필요에 따라 TSOP도 여전히 사용되고 있다.
On the other hand, in the case of FBGA, since TSOP is expensive, the TSOP is still used depending on the type of the product in which the package is used or the needs of the consumer in terms of actual demand.

그러나, 현재 반도체 장치의 패키지 방법에 따라서 반도체 기억 장치의 패드 배치를 다르게 하는 구성의 경우, 즉, FBGA 패키지인 경우에는 칩의 에지에 패드 열을 배치하고, TSOP인 경우에는 칩의 중앙에 패드 열을 배치하는 경우에는, 동일 제품이라도 패키지의 종류에 따라 별도로 제작되어야 하는 문제가 있다.However, in the case of a configuration in which the pad arrangement of the semiconductor memory device differs according to the current packaging method of the semiconductor device, that is, in the case of the FBGA package, the pad row is arranged at the edge of the chip, and in the case of TSOP, the pad row is located at the center of the chip. In the case of arranging, even in the same product, there is a problem of being manufactured separately according to the type of package.

또한, 반도체 제품이 다양화되고 고집적화 됨에 따라, 반도체 제품의 설계 용이성을 위해서도 패키지의 종류에 따라 패드의 배치가 고정되는 것은 바람직하지 못하다.In addition, as the semiconductor products are diversified and highly integrated, it is not preferable that the arrangement of the pads is fixed according to the type of the package for ease of design of the semiconductor products.

따라서, 본 발명에서는, FBGA와 TSOP에 동시에 적용할 수 있는 반도체 장치의 패드 배치 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
Therefore, an object of the present invention is to provide a method for arranging pads of a semiconductor device which can be applied to FBGA and TSOP simultaneously.

본 발명의 요지는, 반도체 장치의 패드를 배치하는 방법에 있어서, 상기 반도체 장치를 종횡으로 분할하여 4개의 뱅크 영역으로 구획하여 배치하고, 상기 TSOP 방식에 대응하는 패드는 구획된 상기 뱅크가 서로 대향하는 뱅크간 중앙 영역에 배치하고, 상기 FBGA 방식에 대응하는 패드들은 상기 반도체 장치의 양측 에지에 배치함으로써, 하나의 제품 설계만으로 TSOP 방식과 FBGA 패키지 방식에 동시에 적용할 수 있다는 것이다.In accordance with an aspect of the present invention, in the method of arranging pads of a semiconductor device, the semiconductor device is divided into four bank regions by vertically and horizontally divided into four bank regions, and the pads corresponding to the TSOP method face each other. The pads may be disposed in a central area between banks, and pads corresponding to the FBGA method may be disposed at both edges of the semiconductor device, thereby simultaneously applying to the TSOP method and the FBGA package method using only one product design.

또한, TSOP 방식에 대응하는 패드들 중 본딩용 패드는 구획된 상기 뱅크가 서로 대향하는 뱅크간 중앙 영역에 배치하고, 상기 TSOP 방식에 대응하는 패드들 중 본딩용 패드를 제외한 나머지 패드와, 상기 FBGA 방식에 대응하는 패드들은 상기 반도체 장치의 양측 에지에 배치하는 것을 특징으로 한다.In addition, bonding pads among the pads corresponding to the TSOP method may be disposed in a central area between banks in which the divided banks face each other, and remaining pads except the bonding pads among the pads corresponding to the TSOP method and the FBGA. Pads corresponding to the method may be disposed at both edges of the semiconductor device.

또한, 상기 반도체 장치의 양측 에지에 배치되는, TSOP 방식에 대응하는 패드에는 전원 인가 패드와 테스트용 패드가 포함되는 것을 특징으로 한다.In addition, the pad corresponding to the TSOP method disposed on both edges of the semiconductor device may include a power applying pad and a test pad.

또한, 상기 전원 인가 패드와 테스트용 패드는 TSOP 방식에 대응하는 패드와 FBGA 방식에 대응하는 패드가 공용으로 사용되는 것을 특징으로 한다.In addition, the power applying pad and the test pad may be a pad corresponding to the TSOP method and a pad corresponding to the FBGA method.

또한, 상기 뱅크간 중앙 영역과 상기 반도체 장치의 양측 에지 모두에 동일한 어드레스 패드를 배치하는 것을 특징으로 한다.In addition, the same address pad is disposed in both the center region between the banks and both edges of the semiconductor device.

이하, 첨부된 도 3을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 장치의 패드 배치 방법에 대하여 설명한다. 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 TSOP와 FBGA 패키지에 동시에 대응할 수 있는 패드 열의 배치를 나타낸 도면이다.Hereinafter, a method of arranging pads of a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying FIG. 3. FIG. 3 is a diagram illustrating arrangement of pad rows that may simultaneously correspond to TSOP and FBGA packages according to a preferred embodiment of the present invention.

먼저, 첨부된 도 3을 참조하면, 반도체 장치는 가로와 세로로 분할되어 4개의 뱅크(110∼140)로 구획된다. 이때, 각 뱅크(110∼140)는 복수의 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이를 이룬다.First, referring to FIG. 3, the semiconductor device is divided into four banks 110 to 140 divided horizontally and vertically. In this case, each bank 110 to 140 forms a memory cell array including a plurality of memory cells.

그리고 대향하는 뱅크 사이, 예컨대, 뱅크(110)과 뱅크(120) 및, 뱅크(130)와 뱅크(140) 사이의 뱅크간 중앙 영역에 TSOP 방식에 대응하는 패드들(200T)이 형 성된다. 즉, 각 뱅크(110∼140) 내의 메모리 셀 어레이와 리드 프레임으로 연결될 패드들이 뱅크간 중앙 영역에 배치된다. 이때, 각 뱅크(110∼140) 사이에는 외부와 데이터의 입출력을 실행하는 입출력 회로와 메모리 셀 어레이 사이의 데이터 전송을 실행하는 데이터 버스가 마련되고, 뱅크간 중앙 영역의 본딩 패드의 열 및 반도체 장치 양측의 에지 영역에는 입출력 회로가 마련되지만, 본 발명에 따른 패드의 배치 상태를 보다 명확하게 나타내기 위해 이에 대해서는 표시 생략한다.The pads 200T corresponding to the TSOP method are formed between the opposite banks, for example, the bank 110 and the bank 120, and the center region between the banks 130 and 140 between the banks 130 and 140. That is, the pads to be connected to the memory cell array and the lead frame in each of the banks 110 to 140 are disposed in the center region between the banks. At this time, between the banks 110 to 140, an input / output circuit for performing data input and output to the outside and a data bus for performing data transfer between the memory cell arrays are provided. Input and output circuits are provided in the edge regions on both sides, but the display is omitted in order to more clearly show the arrangement of the pads according to the present invention.

이와 같이 함으로써, 하나의 제품 설계만으로 TSOP 방식과 FBGA 패키지 방식에 동시에 적용할 수 있고, 제품의 종류나 제품 설계자의 필요에 따라서 패키지 방식을 선택적으로 이용할 수 있게 된다.In this way, only one product design can be applied to the TSOP method and the FBGA package method simultaneously, and the package method can be selectively used according to the type of product or the needs of the product designer.

한편, 본 발명의 다른 실시예에서는, TSOP 방식에 대응하는 패드(200T) 전체를 뱅크간 중앙 영역에 배치하는 것이 아니라, 뱅크간 중앙 영역에는 예컨대, 입출력 패드와 같이 메모리 셀 어레이와 본딩되는 패드들만 배치하고, 반도체 장치의 양측 에지에는, 도 3에서 참조 부호 200T'로 표시한 바와 같이, 상기 TSOP 방식에 대응하는 패드들 중 본딩용 패드를 제외한 나머지 패드, 예컨대, 전원 인가 패드와 테스트용 패드 등을 FBGA 방식에 대응하는 패드(200F)들과 함께 배치할 수도 있다. 이때, TSOP 방식에 대응하는 패드(200T)들 중 메모리 셀 어레이와 본딩되지 않는 패드라면 어느 것이나 반도체 장치의 양측 에지에 마련될 수 있다.Meanwhile, in another embodiment of the present invention, the entire pad 200T corresponding to the TSOP method is not disposed in the inter-bank center area, but only pads bonded to the memory cell array, such as an input / output pad, in the inter-bank center area. 3, the remaining pads of the pads corresponding to the TSOP method except for the bonding pads, for example, a power supply pad and a test pad, etc., as indicated by reference numeral 200T 'in FIG. 3. May be disposed together with the pads 200F corresponding to the FBGA scheme. At this time, any of the pads 200T corresponding to the TSOP method that are not bonded to the memory cell array may be provided at both edges of the semiconductor device.

한편, 본 발명의 다른 실시예에서는, 전원 인가 패드와 테스트용 패드 등과 같이, TSOP 방식에 대응하는 패드(200T)들 중 반도체 장치의 양측 에지에 마련되는 패드들은 FBGA 방식에 대응하는 패드(200F)들과 공용으로 사용되어, 반도체 장치의 소형화를 도모할 수 있다.Meanwhile, in another embodiment of the present invention, pads provided at both edges of the semiconductor device among the pads 200T corresponding to the TSOP method, such as a power applying pad and a test pad, may be pads 200F corresponding to the FBGA method. Used in common with these fields, the semiconductor device can be miniaturized.

다른 한편, 본 발명의 다른 실시예에서는, 뱅크간 중앙 영역과 반도체 장치의 양측 에지 모두에 동일한 어드레스 패드를 배치할 수도 있다. 그와 같이, 뱅크간 중앙 영역과 반도체 장치의 양측 에지 양측 모두에 동일한 어드레스 패드를 배치함으로써, FBGA와 TSOP 방식을 동시에 이용할 경우, 메모리 셀 어레이와 TSOP 방식의 패드(200T)를 본딩할 때, 패드의 배치 위치에 따른 제약을 완화할 수 있다.
On the other hand, in another embodiment of the present invention, the same address pad may be disposed in both the inter-bank center region and both edges of the semiconductor device. As such, by arranging the same address pads in both the center region between the banks and both edges of the semiconductor device, when the FBGA and TSOP methods are used simultaneously, the pads when bonding the memory cell array and the TSOP method pads 200T, Constraints due to the arrangement position of the can be relaxed.

본발명에 따르면, 하나의 제품 설계만으로 TSOP 방식과 FBGA 패키지 방식에 동시에 적용할 수 있고, 제품의 종류나 제품 설계자의 필요에 따라서 패키지 방식을 선택할 수 있다.According to the present invention, only one product design can be applied simultaneously to the TSOP method and the FBGA package method, and the package method can be selected according to the type of product or the needs of the product designer.

Claims (5)

반도체 장치의 패드를 배치하는 방법에 있어서,In the method of arranging the pad of the semiconductor device, 상기 반도체 장치를 종횡으로 분할하여 4개의 뱅크 영역으로 구획하여 배치하고,Divide the semiconductor device vertically and horizontally into partitions into four bank regions, 상기 TSOP(Thin Small Out-line Package) 방식에 대응하는 패드는 구획된 상기 뱅크가 서로 대향하는 뱅크간 중앙 영역에 배치하고,Pads corresponding to the thin small out-line package (TSOP) method is disposed in a central region between banks in which the divided banks face each other, 상기 FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array) 방식에 대응하는 패드들은 상기 반도체 장치의 양측 에지에 배치하는Pads corresponding to the fine pitch ball grid array (FBGA) method may be disposed at both edges of the semiconductor device. 반도체 장치의 패드 배치 방법.Pad placement method of semiconductor device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 TSOP 방식에 대응하는 패드들 중 본딩용 패드는 구획된 상기 뱅크가 서로 대향하는 뱅크간 중앙 영역에 배치하고,Bonding pads among the pads corresponding to the TSOP method are disposed in a central area between banks in which the divided banks face each other, 상기 TSOP 방식에 대응하는 패드들 중 본딩용 패드를 제외한 나머지 패드와, 상기 FBGA 방식에 대응하는 패드들은 상기 반도체 장치의 양측 에지에 배치하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패드 배치 방법.The remaining pads of the pads corresponding to the TSOP method except for the bonding pads and the pads corresponding to the FBGA method are disposed at both edges of the semiconductor device. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 반도체 장치의 양측 에지에 배치되는, TSOP 방식에 대응하는 패드에는 전원 인가 패드와 테스트용 패드가 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패드 배치 방법.Pads corresponding to the TSOP method, which are disposed on both edges of the semiconductor device, the power supply pad and the test pad, characterized in that the pad arrangement method of the semiconductor device. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 전원 인가 패드와 테스트용 패드는 TSOP 방식에 대응하는 패드와 FBGA 방식에 대응하는 패드가 공용으로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패드 배치 방법.And a pad corresponding to a TSOP method and a pad corresponding to an FBGA method are commonly used as the power applying pad and the test pad. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 뱅크간 중앙 영역과 상기 반도체 장치의 양측 에지 모두에 동일한 어드레스 패드를 배치하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패드 배치 방법.And placing the same address pad in both the center region between the banks and both edges of the semiconductor device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100842920B1 (en) * 2007-05-31 2008-07-02 주식회사 하이닉스반도체 Semiconductor memory device

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