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KR20060011587A - Liquid Crystal Display and Manufacturing Method Thereof - Google Patents

Liquid Crystal Display and Manufacturing Method Thereof Download PDF

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KR20060011587A
KR20060011587A KR1020040060490A KR20040060490A KR20060011587A KR 20060011587 A KR20060011587 A KR 20060011587A KR 1020040060490 A KR1020040060490 A KR 1020040060490A KR 20040060490 A KR20040060490 A KR 20040060490A KR 20060011587 A KR20060011587 A KR 20060011587A
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South Korea
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gate
data
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liquid crystal
pad
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Inventor
김홍진
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치(LCD;Liquid Crystal Display device)에 관한 것으로, 패드부의 부식을 방지하는 구조를 가지는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device (LCD), and to a liquid crystal display device having a structure for preventing corrosion of a pad portion and a manufacturing method thereof.

본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제 1, 2 기판과; 상기 제 1 기판에서 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 및 데이터 배선과 그 교차점에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 제 2 기판에 형성되는 게이트 및 데이터 패드부와; 상기 제 1, 2 기판을 진공 합착하며, 상기 게이트 및 데이터 패드부와 상기 게이트 및 데이터 배선을 도통시키는 실런트(sealant)와; 상기 제 1, 2 기판 사이에 형성되는 액정층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.A liquid crystal display device according to the present invention includes: first and second substrates; A thin film transistor formed at an intersection thereof with the gate and data wiring crossing each other on the first substrate to define a pixel region; A gate and data pad part formed on the second substrate; A sealant which vacuum-bonds the first and second substrates to conduct the gate and data pad portions to the gate and data wires; And a liquid crystal layer formed between the first and second substrates.

따라서, 본 발명은 패드부 부식을 방지하여 양호한 품질의 제품을 생산하여 신뢰성을 향상시키고, 저저항 배선을 대면적 제품군에 패드부 저저항 배선을 구현하며, 패드부 부식을 향상시킬 수 있어 제조 수율을 향상시키는 효과가 있다.Therefore, the present invention prevents the pad part corrosion to produce a good quality product to improve the reliability, the low resistance wire to implement the pad part low resistance wiring in a large-area product range, the pad part corrosion can be improved, manufacturing yield Has the effect of improving.

패드부, 부식, 전식, 실런트(sealant)Pad, corrosion, corrosion, sealant

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{Liquid Crystal Display device and the fabrication method thereof}Liquid crystal display device and method for manufacturing same

도 1은 종래 액정 표시 장치를 나타내는 평면도.1 is a plan view showing a conventional liquid crystal display device.

도 2는 종래 액정 표시 장치의 어레이 기판을 개략적으로 보여주는 단면도.2 is a cross-sectional view schematically illustrating an array substrate of a conventional liquid crystal display.

도 3은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 평면도.3 is a plan view of a liquid crystal display device according to the present invention;

도 4는 도 3에서 Ⅰ-Ⅰ'로 절단하여 보여주는 단면도.FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 3.

도 5는 도 3에서 Ⅱ-Ⅱ'로 절단하여 보여주는 단면도.FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line II-II ′ of FIG. 3.

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명><Description of Signs of Major Parts of Drawings>

310 : 어레이 기판 312 : 게이트 배선 310: array substrate 312: gate wiring

320 : 컬러 필터 기판 321 : 블랙 매트릭스 320: color filter substrate 321: black matrix

322 : 게이트 전극 325 : 데이터 패드 322: gate electrode 325: data pad

326 : 게이트 패드 330 : 게이트 절연막 326: gate pad 330: gate insulating film

331 : 컬러 필터 341 : 액티브층 331: color filter 341: active layer

343 : 공통 전극 344, 345 : 공통 전극 패턴 343: common electrode 344, 345: common electrode pattern

351, 352 : 오믹 콘택층 360 : 실런트(sealant) 351, 352: ohmic contact layer 360: sealant

361 : 소스 전극 362 : 드레인 전극 361: source electrode 362: drain electrode

365 : 캐패시터 전극 370 : 보호층 365: capacitor electrode 370: protective layer                 

371 : 제 1 콘택홀 372 : 제 2 콘택홀 371: first contact hole 372: second contact hole

388 : 게이트 투명 전극 패턴 389 : 데이터 투명 전극 패턴388: gate transparent electrode pattern 389: data transparent electrode pattern

본 발명은 액정 표시 장치(LCD;Liquid Crystal Display device)에 관한 것으로, 패드부의 부식을 방지하는 구조를 가지는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device (LCD), and to a liquid crystal display device having a structure for preventing corrosion of a pad portion and a manufacturing method thereof.

최근, 전자산업의 발달과 함께 TV 브라운관 등에 제한적으로 사용되었던 디스플레이 장치가 개인용 컴퓨터, 노트북, 무선 단말기, 자동차 계기판, 전광판 등에 까지 확대 사용되고, 정보통신 기술의 발달과 함께 대용량의 화상정보를 전송할 수 있게 됨에 따라 이를 처리하여 구현할 수 있는 차세대 디스플레이 장치의 중요성이 커지고 있다.Recently, with the development of the electronics industry, display devices, which have been limitedly used for TV CRTs, have been widely used in personal computers, notebooks, wireless terminals, automobile dashboards, electronic displays, etc. As a result, the importance of the next generation display device that can process and implement this is increasing.

이와 같은 차세대 디스플레이 장치는 경박단소, 고휘도, 대화면, 저소비전력 및 저가격화를 실현할 수 있어야 하는데, 이에 부응하여 근래에는 LCD, PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display)등 여러 가지 평판 표시 장치가 연구되어 왔고, 그 중 하나로 최근에 액정 표시 장치가 주목을 받고 있다.Such next-generation display devices should be able to realize light and small size, high brightness, large screen, low power consumption, and low price.In response, recently, LCD, Plasma Display Panel (PDP), Electro Luminescent Display (ELD), and VFD (Vacuum Fluorescent Display) Various flat panel display devices have been studied, and one of them has recently attracted attention.

상기 액정 표시 장치는 해상도가 다른 평판 표시 장치보다 뛰어나고, 동화상을 구현할 때 그 품질이 브라운관에 비할 만큼 응답 속도가 빠른 특성을 나타내고 있다.The liquid crystal display device is superior in resolution to other flat panel display devices, and exhibits characteristics such that the response speed is faster than that of a CRT when a moving image is realized.

또한, 상기 액정 표시 장치는 고휘도, 고콘트라스트, 저소비전력성 등이 우수한 특성을 가지므로 데스크탑 컴퓨터 모니터, 노트북 컴퓨터 모니터, TV 수상기, 차량 탑재용 TV 수상기, 네비게이션 등 광범위한 분야에서 활용되고 있다.In addition, the liquid crystal display device has excellent characteristics such as high brightness, high contrast, low power consumption, and so is used in a wide range of fields such as a desktop computer monitor, a notebook computer monitor, a TV receiver, a vehicle-mounted TV receiver, and navigation.

일반적으로 액정 표시 장치는 일측에 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을, 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.In general, a liquid crystal display device is formed by arranging two substrates having electrodes formed on one side thereof so that the surfaces on which the two electrodes are formed face each other, injecting a liquid crystal material between the two substrates, and then applying voltage to the two electrodes. By moving the liquid crystal molecules by the electric field is a device that represents the image by the transmittance of light that varies accordingly.

이와 같은 액정 표시 장치는, 화상을 표시하는 액정 패널과 상기 액정 패널에 구동신호를 인가하기 위한 구동부로 크게 구분될 수 있으며, 상기 액정 패널은 일정 공간을 가지고 합착된 제 1, 제 2 기판과, 상기 두 기판 사이에 주입된 액정층으로 구성된다.Such a liquid crystal display device may be broadly divided into a liquid crystal panel displaying an image and a driving unit for applying a driving signal to the liquid crystal panel, wherein the liquid crystal panel includes first and second substrates bonded to each other with a predetermined space; It consists of a liquid crystal layer injected between the two substrates.

여기서, 상기 제 1 기판(이하, 어레이 기판이라고 함)에는, 일정 간격을 갖고 일 방향으로 배열되는 복수개의 게이트 배선과, 상기 각 게이트 배선과 수직한 방향으로 일정한 간격으로 배열되는 복수개의 데이터 배선과, 상기 각 게이트 배선과 데이터 배선이 교차되어 정의된 각 화소영역에 매트릭스 형태로 형성되는 복수개의 화소 전극과 상기 게이트 배선의 신호에 의해 스위칭되어 상기 데이터 배선의 신호를 상기 각 화소 전극에 전달하는 복수개의 박막 트랜지스터가 형성된다.Here, the first substrate (hereinafter referred to as an array substrate) may include a plurality of gate lines arranged in one direction at a predetermined interval, and a plurality of data lines arranged at regular intervals in a direction perpendicular to the respective gate lines; And a plurality of pixel electrodes formed in a matrix form in each pixel region defined by crossing each of the gate lines and the data lines and the signals of the gate lines to transfer the signals of the data lines to the pixel electrodes. Thin film transistors are formed.

그리고 제 2 기판(이하, 컬러 필터 기판이라고 함)에는, 상기 화소 영역을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 블랙 매트릭스층과, 칼라 색상을 표현하기 위한 칼라 필터층과 화상을 구현하기 위한 공통 전극이 형성된다.The second substrate (hereinafter referred to as a color filter substrate) includes a black matrix layer for blocking light in portions other than the pixel region, a color filter layer for expressing color colors, and a common electrode for implementing an image. do.

이와 같은 종래의 액정 패널을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.The conventional liquid crystal panel will be described in detail as follows.

도 1은 종래 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view illustrating a conventional liquid crystal display device.

도 1을 참조하면, 종래 액정 표시 장치는 화소 매트릭스(matrix)를 포함하는 화상 표시부(196)와, 상기 화상 표시부(196)의 데이터 배선들(104)을 구동하기 위한 데이터구동부(192)와, 화상 표시부(196)의 게이트 배선들(102)을 구동하기 위한 게이트 구동부(192)를 구비한다.Referring to FIG. 1, a conventional liquid crystal display device includes an image display unit 196 including a pixel matrix, a data driver 192 for driving data lines 104 of the image display unit 196, A gate driver 192 for driving the gate lines 102 of the image display unit 196 is provided.

상기 화상 표시부(196)에는 액정 셀들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시한다.In the image display unit 196, liquid crystal cells are arranged in a matrix to display an image.

상기 액정 셀들 각각은 게이트 배선(102)과 데이터 배선(104)의 교차점에 접속된 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor)에 의해 구동된다.Each of the liquid crystal cells is driven by a thin film transistor (TFT) as a switching element connected to the intersection of the gate wiring 102 and the data wiring 104.

이러한 n형 박막 트랜지스터(130)는 게이트 배선(102)으로부터 스캔 펄스(scan pulse)에 응답하여 데이터 배선(104)으로부터의 비디오 신호, 즉 화소 신호를 액정 셀(cell)에 충전되게 하고, 이에 따라 액정 셀은 충전된 화소 신호에 따라 광투과율을 조절하게 된다.The n-type thin film transistor 130 causes the liquid crystal cell to charge the video signal from the data line 104, that is, the pixel signal, in response to a scan pulse from the gate line 102. The liquid crystal cell adjusts the light transmittance according to the charged pixel signal.

상기 게이트 구동부(194)는 게이트 제어 신호들에 의해 프레임(frame)마다 수평 기간씩 순차적으로 게이트 배선들(102)을 구동한다.The gate driver 194 sequentially drives the gate lines 102 by a horizontal period for each frame by gate control signals.

상기 게이트 구동부(194)에 의해 박막 트랜지스터들이 수평 배선 단위로 순 차적으로 턴-온(turn-on)되어 데이터 배선(104)을 액정 셀과 접속시키게 된다.The thin film transistors are sequentially turned on in the horizontal wiring unit by the gate driver 194 to connect the data wiring 104 to the liquid crystal cell.

상기 데이터 구동부(192)는 수평기간마다 다수의 디지털 데이터 신호를 샘플링하여 아날로그 데이터 신호로 변환한다.The data driver 192 samples a plurality of digital data signals every horizontal period and converts the digital data signals into analog data signals.

그리고, 상기 데이터 구동부(192)는 아날로그 데이터 신호를 데이터 배선들(104)에 공급한다.The data driver 192 supplies an analog data signal to the data lines 104.

이에 따라, 상기 턴-온(turn-on)된 박막 트랜지스터에 접속된 액정 셀들은 데이터 배선들(104) 각각으로부터의 데이터 신호에 응답하여 광투과율을 조절하게 된다.Accordingly, the liquid crystal cells connected to the turned-on thin film transistors adjust light transmittance in response to data signals from each of the data lines 104.

이러한 게이트 구동부(194) 및 데이터 구동부(192)는 CMOS구조로 연결된 구동 소자를 포함하게 된다.The gate driver 194 and the data driver 192 may include driving devices connected in a CMOS structure.

상기 구동 소자는 비교적 높은 전압의 스위칭을 위해 상대적으로 많은 양의 전류가 흐를 수 있도록 큰 채널폭(W1)을 갖는 하나의 거대 박막 트랜지스터로 이루어지게 된다.The driving device is composed of one large thin film transistor having a large channel width W1 so that a relatively large amount of current can flow for switching of a relatively high voltage.

이러한 구동소자는 빠른 응답 속도를 위해 폴리 실리콘(poly-silicon)이 이용된다.Such a driving device uses poly-silicon for fast response speed.

이와 같이 상기 액정 패널의 어레이 기판에 형성되는 게이트 배선(102), 데이터 배선(104) 및 박막 트랜지스터(130)를 구성하는 게이트 전극 및 소스/드레인 전극은 신호 전달 속도를 향상시키기 위하여 금속으로 형성한다.In this way, the gate electrode 102, the data wire 104, and the gate electrode and the source / drain electrode constituting the thin film transistor 130 formed on the array substrate of the liquid crystal panel are formed of metal to improve the signal transfer speed. .

통상, 액정 표시 장치의 어레이 기판에서 게이트 배선(102)과 데이터 배선(104)은 각각 주사신호와 데이터 신호를 전달하는 수단으로써 신호지연 및 단 선을 억제하는 것이 요구된다. In general, in the array substrate of the liquid crystal display device, the gate wiring 102 and the data wiring 104 are required to suppress signal delay and disconnection as means for transmitting scan signals and data signals, respectively.

따라서, 배선층으로 사용되는 물질은 신호지연의 방지를 위해서 15μΩcm-1 이하의 낮은 비저항을 가지는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등과 같은 저저항성 금속이 적합한데, 그 중에서도 알루미늄 또는 AlNd을 사용하는 것이 일반적이다. Therefore, the material used as the wiring layer is a low-resistance metal such as aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), molybdenum (Mo), copper (Cu), etc. having a low resistivity of 15μΩcm -1 or less to prevent signal delay Suitable, in particular, aluminum or AlNd is generally used.

상기 알루미늄(Al)은 가공성이 좋으며 내식성이 크고 밀도가 작아 여러 공업용 재료로 널리 사용되는 것으로, 특히, 3∼6μΩcm-1의 저항을 가짐으로써 표시소자에 적용시, 대형화면을 만들 수 있고 고화질을 달성할 수 있다.The aluminum (Al) is widely used in various industrial materials because of its good workability, low corrosion resistance, and low density. In particular, aluminum (Al) has a resistance of 3 to 6 μΩcm -1 , and when applied to a display device, a large screen can be made and high quality can be obtained. Can be achieved.

그러나, 그 물리적 특성이 약하고, 공기중에 노출되었을 때 알루미늄 이온의 외부 확산과 공기의 산소이온 내부 확산에 의해 그 표면에 산화피막(Al2O3)이 형성되고, 투명 화소 전극인 ITO와의 접촉시 ITO 내의 산소에 의해 접촉 부분이 산화되어 전기 저항값이 상승한다는 문제점이 있다.However, its physical properties are weak, and when exposed to air, an oxide film (Al 2 O 3 ) is formed on its surface by the external diffusion of aluminum ions and the internal diffusion of oxygen ions, and in contact with ITO, a transparent pixel electrode. There is a problem that the contact portion is oxidized by oxygen in the ITO and the electrical resistance value is increased.

따라서, 알루미늄(Al)층만으로 배선을 형성하는 것은 소자의 특성을 저하시키는 요인이 되므로, 비저항이 12∼14μΩcm-1 정도로 작고 ITO와의 접촉특성이 나쁘지 않으며 단독으로도 배선으로 이용 가능한 몰리브덴(Mo)을 AlNd와 2중 배선 구조로 형성한다.Therefore, since the wiring is formed only by the aluminum (Al) layer, the characteristics of the device are deteriorated. Therefore, the specific resistance is as small as 12 to 14 µΩcm -1 and the contact property with ITO is not bad and can be used alone as the wiring. Is formed in a double wiring structure with AlNd.

이하, 상기와 같이 2중 배선 구조의 저저항 배선을 가지는 액정 표시 장치에 대해서 설명한다. Hereinafter, the liquid crystal display device which has the low resistance wiring of the double wiring structure as above is demonstrated.                         

도 2는 종래 액정 표시 장치의 어레이 기판을 개략적으로 보여주는 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically illustrating an array substrate of a conventional liquid crystal display.

도 2에 도시된 바와 같이, 기판(210) 위에 가로 방향의 게이트 배선(221)과 게이트 배선(221)으로부터 연장된 게이트 전극(222) 및 게이트 배선(도시되지 않음)의 일끝단에 위치하는 게이트 패드(223)가 형성되어 있다.As shown in FIG. 2, the gate electrode 222 extending from the horizontal wiring line 221, the gate electrode 222 extending from the gate wiring 221, and a gate positioned at one end of the gate wiring (not shown) on the substrate 210. The pad 223 is formed.

상기 게이트 전극(222)은 배리어 금속/저저항 금속(222a/222b)으로 이루어져 있으며, 상기 게이트 패드(223)도 배리어 금속/ 저저항 금속(223a/223b)으로 이루어져 있다.The gate electrode 222 is made of a barrier metal / low resistance metal 222a / 222b, and the gate pad 223 is also made of a barrier metal / low resistance metal 223a / 223b.

여기서, 상기 배리어 금속(222a, 223a)으로는 일반적으로 AlNd를 주로 사용한다.In this case, AlNd is generally used as the barrier metals 222a and 223a.

그리고, 상기 저저항 금속으로는 일반적으로 몰리브덴(Mo)을 사용한다.As the low resistance metal, molybdenum (Mo) is generally used.

상기 게이트 배선과 게이트 전극(222) 및 게이트 패드(223) 상부에는 게이트 절연막(230)이 형성되어 있으며, 그 위에 액티브층(241)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 230 is formed on the gate line, the gate electrode 222, and the gate pad 223, and an active layer 241 is formed thereon.

여기서, 상기 게이트절연막(230)은 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiOx)의 절연물질을 기판(210) 상에 전면 증착함으로써 형성된다. The gate insulating film 230 is formed by depositing an insulating material of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) on the substrate 210.

또한, 상기 게이트절연막(230) 상에 비정질실리콘층 및 불순물이 도핑된 비정질실리콘층을 화학기상증착방법(Chemical Vapor Deposition : 이하 'CVD'라 함)을 이용하여 순차적으로 적층한다. In addition, an amorphous silicon layer and an amorphous silicon layer doped with impurities are sequentially stacked on the gate insulating layer 230 by using a chemical vapor deposition method (hereinafter, referred to as 'CVD').

이러한 비정질실리콘층 및 불순물이 도핑된 비정질실리콘층은 포토리쏘그래피방법으로 패터닝하여 액티브층(241) 및 오믹 콘택층(251, 252)을 형성하게 된다. The amorphous silicon layer and the amorphous silicon layer doped with impurities are patterned by photolithography to form the active layer 241 and the ohmic contact layers 251 and 252.                         

그리고, 상기 오믹 콘택층(251, 252) 상에 게이트 배선과 직교하는 데이터 배선(261), 데이터 배선(261)에서 연장된 소스 전극(262), 게이트 전극(222)을 중심으로 소스 전극(262)과 마주 대하고 있는 드레인 전극(263), 그리고 데이터 배선(261)의 일끝단에 위치하는 데이터 패드(264)가 형성되어 있다.The source electrode 262 is formed on the ohmic contact layers 251 and 252 with the data wiring 261 orthogonal to the gate wiring, the source electrode 262 extending from the data wiring 261, and the gate electrode 222. ) And a data pad 264 positioned at one end of the data line 261.

여기서, 상기 소스 및 드레인 전극(262, 263)과 데이터 패드(264)를 형성하기 위하여 제 1 배리어 금속/저저항 금속/제 2 배리어 금속의 3중 구조 또는 배리어 금속/저저항 금속의 2중 구조로 적층하여 형성할 수 있다.Here, a triple structure of a first barrier metal / low resistance metal / second barrier metal or a double structure of a barrier metal / low resistance metal to form the source and drain electrodes 262 and 263 and the data pad 264. It can be formed by laminating.

이어서, 상기 기판(210) 전면에 보호층(270)이 데이터 배선(261), 소스 및 드레인 전극(262, 263), 데이터 패드(264)를 덮고 있고, 상기 보호층(270)은 드레인 전극(263)을 드러내는 제 1 콘택홀(271), 데이터 패드(264)를 드러내는 제 3 콘택홀(274)을 가지며, 또한, 게이트 절연막(230)과 함께 게이트 패드(223)를 드러내는 제 2 콘택홀(273)을 가진다.Subsequently, a protective layer 270 covers the data line 261, the source and drain electrodes 262 and 263, and the data pad 264 on the entire surface of the substrate 210, and the protective layer 270 is a drain electrode ( A second contact hole 271 having a first contact hole 271 exposing the 263 and a third contact hole 274 exposing the data pad 264 and exposing the gate pad 223 together with the gate insulating film 230. 273).

여기서, 상기 보호층(270) 상부에는 화소 전극(281)과 보조 게이트 패드(282) 및 보조 데이터 패드(283)가 형성되어 있다. The pixel electrode 281, the auxiliary gate pad 282, and the auxiliary data pad 283 are formed on the passivation layer 270.

상기 화소 전극(281)은 제 1 콘택홀(271)을 통해 드레인 전극(263)과 연결되어 있고, 보조 게이트 패드(282)와 보조 데이터 패드(283)는 제 2 및 제 3 콘택홀(273, 274)을 통해 각각 게이트 패드(223) 및 데이터 패드(264)와 연결되어 있다.The pixel electrode 281 is connected to the drain electrode 263 through the first contact hole 271, and the auxiliary gate pad 282 and the auxiliary data pad 283 are connected to the second and third contact holes 273, 274 is connected to the gate pad 223 and the data pad 264, respectively.

이때, 외부 구동회로와 연결하기 위한 패드부는 공정 진행시에 외부에 노출되는 시간이 길어져 공정 중에 패드부가 부식되는 문제점이 있으며, 이는 접촉 저 항 및 배선 저항을 증가시키는 문제점을 발생시킨다.At this time, the pad portion for connecting to the external driving circuit is exposed to the outside during the process is long, there is a problem that the pad portion is corroded during the process, which causes a problem of increasing the contact resistance and wiring resistance.

본 발명은 액정 표시 장치에서 패드부 전극을 컬러 필터 기판에 형성하고 씰런트를 이용하여 상기 패드부와 어레이 기판을 도통시킴으로써 패드부 부식을 방지하는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, in which a pad part electrode is formed on a color filter substrate and a pad is connected to the array substrate using a sealant to prevent corrosion of the pad part. have.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제 1, 2 기판과; 상기 제 1 기판에서 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 및 데이터 배선과 그 교차점에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 제 2 기판에 형성되는 게이트 및 데이터 패드부와; 상기 제 1, 2 기판을 진공 합착하며, 상기 게이트 및 데이터 패드부와 상기 게이트 및 데이터 배선을 도통시키는 실런트(sealant)와; 상기 제 1, 2 기판 사이에 형성되는 액정층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a liquid crystal display device according to the present invention, the first and second substrates; A thin film transistor formed at an intersection thereof with the gate and data wiring crossing each other on the first substrate to define a pixel region; A gate and data pad part formed on the second substrate; A sealant which vacuum-bonds the first and second substrates to conduct the gate and data pad portions to the gate and data wires; And a liquid crystal layer formed between the first and second substrates.

상기 박막 트랜지스터는, 상기 게이트 배선에서 연장되는 게이트 전극과;The thin film transistor may include a gate electrode extending from the gate wiring;

상기 게이트 전극 상부에 형성된 반도체층과; 상기 반도체층 상에 소정 간격 이격하여 형성되며 상기 데이터 배선에서 연장된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 형성된 것을 특징으로 한다.A semiconductor layer formed on the gate electrode; And a source electrode and a drain electrode formed on the semiconductor layer at predetermined intervals and extending from the data line.

상기 실런트는 도전 볼을 포함하여 형성된 것을 특징으로 한다.The sealant is formed by including a conductive ball.

상기 제 2 기판 상에 형성된 상기 게이트, 데이터 배선 및 박막 트랜지스터를 가리는 블랙 매트릭스와; 상기 화소 영역에 대응하여 형성된 컬러 필터와; 상기 제 2 기판 전면에 형성된 공통 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. A black matrix covering the gate, the data line and the thin film transistor formed on the second substrate; A color filter formed corresponding to the pixel region; And a common electrode formed on the entire surface of the second substrate.                     

상기 게이트, 데이터 패드부는 블랙 매트릭스 물질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The gate and data pad parts may be formed of a black matrix material.

상기 블랙 매트릭스 물질은 금속 물질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The black matrix material is characterized in that the metal material.

또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은, 제 1 기판의 유효 화상 표시 영역에 게이트 배선 및 데이터 배선과, 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와; 제 2 기판에서 상기 유효 화상 표시 영역에 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과, 박막 트랜지스터를 가리는 블랙 매트릭스를 형성하고, 상기 유효 화상 비표시 영역에 게이트 패드 및 데이터 패드를 형성하는 단계와; 상기 유효 화상 표시 영역과 유효 화상 비표시 영역의 경계에 실런트를 형성하고 상기 제 1, 2 기판을 합착 및 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Further, in order to achieve the above object, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention includes the steps of forming a gate wiring, a data wiring, and a thin film transistor in an effective image display area of a first substrate; Forming a black matrix covering the gate wiring and the data wiring and the thin film transistor in the effective image display area on a second substrate, and forming a gate pad and a data pad in the effective image non-display area; And forming a sealant at a boundary between the effective image display area and the effective image non-display area, bonding the first and second substrates, and forming a liquid crystal layer.

상기 제 2 기판에서 유효 화상 표시 영역에 컬러 필터를 형성하는 것을 특징으로 한다.A color filter is formed in the effective image display area on the second substrate.

상기 제 2 기판에 형성된 게이트 패드 및 데이터 패드는 제 1 기판에 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되는 것을 특징으로 한다.The gate pad and the data pad formed on the second substrate may be connected to the gate wiring and the data wiring formed on the first substrate.

상기 실런트는 도전볼을 포함하는 것을 특징으로 한다.The sealant is characterized in that it comprises a conductive ball.

이하, 첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치에 대해서 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 평면도이고, 도 4는 도 3에서 Ⅰ-Ⅰ'로 절단하여 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 3에서 Ⅱ-Ⅱ'로 절단하여 보여주 는 도면이다.3 is a plan view of the liquid crystal display according to the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 3, and FIG. 5 is a view taken along line II-II ′ of FIG. 3.

도 3, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 액정 표시 장치는 어레이 기판(310)과 컬러 필터 기판(320)이 서로 대향 합착하여 액정 패널을 형성하고, 상기 컬러 필터 기판(310)의 어레이부 외곽에는 외부 구동 신호 인가를 위한 패드부가 형성되어 있다.3, 4, and 5, in the liquid crystal display, the array substrate 310 and the color filter substrate 320 face each other to form a liquid crystal panel, and the array of the color filter substrate 310 is formed. The outside of the pad is formed with a pad for applying an external drive signal.

상기 액정 표시 장치는 유효 화상 표시 영역(A)과 유효 화상 표시 영역(A)의 주변부를 이루는 유효 화상 비표시 영역(B)이 정의된 어레이 기판과, 컬러 필터 기판이서로 대향되게 배치되어 있다.The liquid crystal display device is arranged so that the effective substrate display area A and the effective substrate non-display area B forming the periphery of the effective image display area A are defined and the color filter substrate face each other.

그리고, 상기 유효 화상 표시 영역(A)과 유효 화상 비표시 영역(B) 경계부에는 상기 어레이 기판과 컬러 필터 기판을 합착시키는 실런트(360)(sealant)가 형성되어 있다.A sealant 360 is formed at the boundary between the effective image display area A and the effective image non-display area B to bond the array substrate and the color filter substrate together.

또한, 상기 실런트(360) 내에는 액정층(350)이 개재되어 있으며, 상기 액정은 상기 어레이 기판(310)의 화소 전극(381)과 컬러 필터 기판(320)의 공통 전극(343) 사이에 주입되어 있고, 상기 화소 전극(381)과 공통 전극(343) 사이의 전압차에 의해 그 분자 배열이 변화되며, 이러한 분자 배열의 변화로 인해 액정 표시 장치가 구동되는 것이다.In addition, the liquid crystal layer 350 is interposed in the sealant 360, and the liquid crystal is injected between the pixel electrode 381 of the array substrate 310 and the common electrode 343 of the color filter substrate 320. The molecular arrangement is changed by the voltage difference between the pixel electrode 381 and the common electrode 343. The liquid crystal display is driven by the change in the molecular arrangement.

이와 같이, 상기 액정 패널을 형성하기 위하여, 상기 어레이 기판(310)과 컬러 필터 기판(320)은 실런트(360)에 의해서 서로 진공 합착된다.As such, in order to form the liquid crystal panel, the array substrate 310 and the color filter substrate 320 are vacuum bonded to each other by the sealant 360.

또한, 상기 실런트(360)는 도전 볼(ball)을 포함하여 상기 컬러 필터 기판(320)에 형성된 패드부(325, 326)와 상기 어레이 기판(310)을 서로 도통시키는 역할을 한다.In addition, the sealant 360 may include conductive balls to conduct the pad portions 325 and 326 formed on the color filter substrate 320 and the array substrate 310 to each other.

이때, 상기 컬러 필터 기판(320)에 형성된 패드부(325, 326)는 블랙 매트릭스(black matrix)(321)를 형성하는 크롬(Cr)과 같은 메탈(metal)로 이루어지며, 상기 블랙 매트릭스(321)와 패드부(325, 326)는 서로 이격하여 형성되어 있다.In this case, the pad parts 325 and 326 formed on the color filter substrate 320 are made of a metal such as chromium (Cr) forming the black matrix 321, and the black matrix 321. ) And pad portions 325 and 326 are formed spaced apart from each other.

먼저, 액정 표시 장치용 어레이 기판(310)에서는 투명한 절연 기판(310) 위에 가로 방향을 가지는 게이트 배선(312)과, 게이트 배선(312)에서 연장된 게이트 전극(322)이 형성되어 있다.First, in the liquid crystal display array substrate 310, a gate wiring 312 having a horizontal direction and a gate electrode 322 extending from the gate wiring 312 are formed on the transparent insulating substrate 310.

상기 게이트 전극(322) 및 게이트 배선(312)을 형성하는 금속은 구리(Cu), 은(Ag), 백금(Pt), 금(Au), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈(Ta), W계 금속, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al Alloy)을 적용할 수 있다.Metals forming the gate electrode 322 and the gate wiring 312 may include copper (Cu), silver (Ag), platinum (Pt), gold (Au), titanium (Ti), molybdenum (Mo), and chromium (Cr). ), Tantalum (Ta), W-based metal, aluminum (Al), aluminum alloy (Al Alloy) can be applied.

상기 게이트 배선(312)과 게이트 전극(322) 상부에는 게이트 절연막(330)이 형성되어 있으며, 그 위에 액티브층(341)과 오믹 콘택층(351, 352)이 순차적으로 형성되어 있다.The gate insulating layer 330 is formed on the gate wiring 312 and the gate electrode 322, and the active layer 341 and the ohmic contact layers 351 and 352 are sequentially formed thereon.

상기 게이트 절연막(330)은 실리콘 질화막(SiNx)이나 실리콘 산화막(SiO2)으로 이루어진다.The gate insulating layer 330 is formed of a silicon nitride film (SiN x ) or a silicon oxide film (SiO 2 ).

그리고, 상기 오믹 콘택층(351, 352) 위에 게이트 배선(312)과 직교하는 데이터 배선(365), 데이터 배선(365)에서 연장된 소스 전극(361), 상기 게이트 전극(322)을 중심으로 소스 전극(361)과 마주 대하고 있는 드레인 전극(362) 및 게이트 배선(312)과 중첩하는 캐패시터 전극(366)이 형성되어 있다. The data line 365 perpendicular to the gate line 312 on the ohmic contact layers 351 and 352, the source electrode 361 extending from the data line 365, and a source around the gate electrode 322. A capacitor electrode 366 overlapping with the drain electrode 362 and the gate wiring 312 facing the electrode 361 is formed.                     

여기서, 상기 데이터 배선(365)과 소스 및 드레인 전극(361, 362), 그리고 캐패시터 전극(366)은 보호층(370)으로 덮여 있으며, 보호층(370)은 드레인 전극(362)과 캐패시터 전극(366)을 각각 드러내는 제 1 및 제 2 콘택홀(371, 372)을 가진다. Here, the data line 365, the source and drain electrodes 361 and 362, and the capacitor electrode 366 are covered with a protective layer 370, and the protective layer 370 includes the drain electrode 362 and the capacitor electrode ( And first and second contact holes 371 and 372 exposing 366, respectively.

상기 게이트 배선(312)과 데이터 배선(365)이 교차하여 정의되는 화소 영역의 보호층(370) 상부에는 투명 도전 물질로 이루어지는 화소 전극(381)이 형성되어 있는데, 화소 전극(381)은 제 1 및 제 2 콘택홀(371, 372)을 통해 각각 드레인 전극(362) 및 캐패시터 전극(366)과 연결되어 있다.A pixel electrode 381 made of a transparent conductive material is formed on the passivation layer 370 of the pixel area defined by the gate line 312 and the data line 365 intersecting. The pixel electrode 381 is formed of a first electrode. And a drain electrode 362 and a capacitor electrode 366 through the second contact holes 371 and 372, respectively.

상기 투명 도전 물질은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등에서 선택된다.The transparent conductive material is selected from indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), and the like.

상기와 같이 형성된 어레이 기판(310)과 대향하여 합착된 컬러 필터 기판(320)에는 상기 게이트 배선(312), 데이터 배선(365), 박막 트랜지스터를 가리는 블랙 매트릭스(321)가 형성되어 있다.The black matrix 321 covering the gate wiring 312, the data wiring 365, and the thin film transistor is formed on the color filter substrate 320 bonded to the array substrate 310 formed as described above.

상기 블랙 매트릭스(321)는 크롬(Cr)과 같은 불투명 금속을 사용한다.The black matrix 321 uses an opaque metal such as chromium (Cr).

그리고, 상기 어레이 기판(310)의 화소 영역에 대응하여 상기 컬러 필터 기판(320)에는 적(Red), 청(Blue), 녹(Green) 색의 컬러 필터(331)가 형성되어 있다.In addition, a color filter 331 of red, blue, and green color is formed in the color filter substrate 320 corresponding to the pixel area of the array substrate 310.

이때, 상기 블랙 매트릭스(321)는 유효 화상 비표시 영역(B)에서 게이트 패드(326) 및 데이터 패드(325)를 형성하며, 상기 게이트 패드(326) 및 데이터 패드(325)는 블랙 매트릭스(321)와 절연되어 있다.In this case, the black matrix 321 forms the gate pad 326 and the data pad 325 in the effective image non-display area B, and the gate pad 326 and the data pad 325 are the black matrix 321. Insulated).

그리고, 상기 블랙 매트릭스(321) 및 컬러 필터(331) 상에는 공통 전극(343) 이 형성되어 있다.The common electrode 343 is formed on the black matrix 321 and the color filter 331.

또한, 상기 게이트 패드(326) 및 데이터 패드(325) 상에는 소정의 공통 전극 패턴(344, 345)이 형성되어 있다.In addition, predetermined common electrode patterns 344 and 345 are formed on the gate pad 326 and the data pad 325.

여기서, 상기 어레이 기판(310)과 컬러 필터 기판(320)은 실런트(360)에 의해서 합착되어 있는데, 상기 실런트(360)는 도전볼이 포함되어 있으므로 상, 하로 도통된다.Here, the array substrate 310 and the color filter substrate 320 are bonded by the sealant 360. Since the sealant 360 includes conductive balls, the array substrate 310 and the color filter substrate 320 are electrically connected upward and downward.

따라서, 상기 실런트(360)에 의해서 하부의 어레이 기판(310)의 배선과 상부의 패드부가 서로 전기적으로 연결된다.Therefore, the wiring of the lower array substrate 310 and the upper pad portion are electrically connected to each other by the sealant 360.

즉, 상기 어레이 기판(310)의 게이트 배선(312)과 상기 컬러 필터 기판(320)의 게이트 패드(326)는 상기 실런트(360)에 의해서 콘택된다.That is, the gate wiring 312 of the array substrate 310 and the gate pad 326 of the color filter substrate 320 are contacted by the sealant 360.

그리고, 상기 어레이 기판(310)의 데이터 배선(365)과 상기 컬러 필터 기판(320)의 데이터 패드(325)는 상기 실런트(360)에 의해서 콘택된다.The data line 365 of the array substrate 310 and the data pad 325 of the color filter substrate 320 are contacted by the sealant 360.

따라서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판(310)에는 상기 실런트(360) 하부에 게이트 배선(312)과 콘택하기 위하여 게이트 절연막(330), 보호막(370)을 관통하는 제 3 콘택홀(389)이 형성되고, 상기 제 3 콘택홀(389)에는 게이트 투명 전극 패턴(388)이 형성되어 있다.Therefore, as shown in FIG. 4, the array substrate 310 has a third contact hole penetrating through the gate insulating film 330 and the protective film 370 to contact the gate wiring 312 under the sealant 360. 389 is formed, and a gate transparent electrode pattern 388 is formed in the third contact hole 389.

또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판(310)에는 상기 실런트(360) 하부에 데이터 배선(365)과 콘택하기 위하여 보호막(370)을 관통하는 제 4 콘택홀(387)이 형성되고, 상기 제 4 콘택홀(387)에는 데이터 투명 전극 패턴(386)이 형성되어 있다. In addition, as shown in FIG. 5, a fourth contact hole 387 is formed in the array substrate 310 to penetrate the passivation layer 370 to contact the data line 365 under the sealant 360. The data transparent electrode pattern 386 is formed in the fourth contact hole 387.                     

이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 액정 표시 장치 및 그 제조 방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.Although the present invention has been described in detail through specific embodiments, this is for explaining the present invention in detail, and a liquid crystal display and a method of manufacturing the same according to the present invention are not limited thereto. It is apparent that modifications and improvements are possible by those skilled in the art.

본 발명은 액정 표시 장치에서 컬러 필터 기판에 블랙 매트릭스를 이용하여 패드부를 형성하고 실런트를 이용하여 어레이 기판과 도통시킴으로써 패드부 부식을 방지하여 양호한 품질의 제품을 생산하여 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.The present invention has the effect of improving the reliability by producing a good quality product by preventing pad portion corrosion by forming a pad portion using a black matrix on the color filter substrate in the liquid crystal display device and conducting with the array substrate using a sealant.

또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 저저항 배선을 대면적 제품군에 패드부 저저항 배선을 구현하며, 패드부 부식을 향상시킬 수 있어 제조 수율을 향상시키는 효과가 있다.In addition, the liquid crystal display device according to the present invention implements the pad portion low resistance wiring in the low-resistance wiring in a large-area product range, and can improve the corrosion of the pad portion, thereby improving the manufacturing yield.

Claims (10)

제 1, 2 기판과;First and second substrates; 상기 제 1 기판에서 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 및 데이터 배선과 그 교차점에 형성된 박막 트랜지스터와;A thin film transistor formed at an intersection thereof with the gate and data wiring crossing each other on the first substrate to define a pixel region; 상기 제 2 기판에 형성되는 게이트 및 데이터 패드부와;A gate and data pad part formed on the second substrate; 상기 제 1, 2 기판을 진공 합착하며, 상기 게이트 및 데이터 패드부와 상기 게이트 및 데이터 배선을 도통시키는 실런트(sealant)와;A sealant for vacuum bonding the first and second substrates to conduct the gate and data pad portions to the gate and data wires; 상기 제 1, 2 기판 사이에 형성되는 액정층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.And a liquid crystal layer formed between the first and second substrates. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 박막 트랜지스터는, The thin film transistor, 상기 게이트 배선에서 연장되는 게이트 전극과;A gate electrode extending from the gate wiring; 상기 게이트 전극 상부에 형성된 반도체층과;A semiconductor layer formed on the gate electrode; 상기 반도체층 상에 소정 간격 이격하여 형성되며 상기 데이터 배선에서 연장된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.And a source electrode and a drain electrode formed on the semiconductor layer at predetermined intervals and extending from the data line. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 실런트는 도전 볼을 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.The sealant is formed by including a conductive ball. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 기판 상에 형성된 상기 게이트, 데이터 배선 및 박막 트랜지스터를 가리는 블랙 매트릭스와;A black matrix covering the gate, the data line and the thin film transistor formed on the second substrate; 상기 화소 영역에 대응하여 형성된 컬러 필터와;A color filter formed corresponding to the pixel region; 상기 제 2 기판 전면에 형성된 공통 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.And a common electrode formed on the entire surface of the second substrate. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트, 데이터 패드부는 블랙 매트릭스 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.And the gate and data pad portions are made of a black matrix material. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 블랙 매트릭스 물질은 금속 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.And the black matrix material is made of a metal material. 제 1 기판의 유효 화상 표시 영역에 게이트 배선 및 데이터 배선과, 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a gate wiring and a data wiring and a thin film transistor in the effective image display area of the first substrate; 제 2 기판에서 상기 유효 화상 표시 영역에 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과, 박막 트랜지스터를 가리는 블랙 매트릭스를 형성하고, 상기 유효 화상 비표시 영역에 게이트 패드 및 데이터 패드를 형성하는 단계와;Forming a black matrix covering the gate wiring and the data wiring and the thin film transistor in the effective image display area on a second substrate, and forming a gate pad and a data pad in the effective image non-display area; 상기 유효 화상 표시 영역과 유효 화상 비표시 영역의 경계에 실런트를 형성하고 상기 제 1, 2 기판을 합착 및 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.And forming a sealant at a boundary between the effective image display area and the effective image non-display area, bonding the first and second substrates, and forming a liquid crystal layer. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제 2 기판에서 유효 화상 표시 영역에 컬러 필터를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.A color filter is formed in the effective image display area on the second substrate. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제 2 기판에 형성된 게이트 패드 및 데이터 패드는 제 1 기판에 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.The gate pad and the data pad formed on the second substrate are connected to the gate wiring and the data wiring formed on the first substrate. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 실런트는 도전볼을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.The sealant includes a conductive ball, characterized in that the manufacturing method of the liquid crystal display device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101252001B1 (en) * 2006-06-15 2013-04-08 삼성디스플레이 주식회사 Liquid crystal display and method of manufacturing thereof

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