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KR20060010746A - 원자층 증착에 의한 구리 필름의 증착용 휘발성 구리（ｉ）착물 - Google Patents

원자층 증착에 의한 구리 필름의 증착용 휘발성 구리（ｉ）착물 Download PDF

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KR20060010746A
KR20060010746A KR1020057019498A KR20057019498A KR20060010746A KR 20060010746 A KR20060010746 A KR 20060010746A KR 1020057019498 A KR1020057019498 A KR 1020057019498A KR 20057019498 A KR20057019498 A KR 20057019498A KR 20060010746 A KR20060010746 A KR 20060010746A
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알렉산더 자크 브래들리
제프리 스코트 톰슨
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이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
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Abstract

본 발명은 신규 1,3-디이민 구리 착물 및 원자층 증착법에서 기판 상에 또는 공극성 고체 중에 또는 상에 구리의 증착을 위한 1,3-디이민 구리 착물의 용도에 관한 것이다.
1,3-디이민 구리 착물, 원자층 증착법

Description

원자층 증착에 의한 구리 필름의 증착용 휘발성 구리（Ｉ） 착물{VOLATILE COPPER(I) COMPLEXES FOR DEPOSITION OF COPPER FILMS BY ATOMIC LAYER DEPOSITION}
본 발명은 신규 1,3-디이민 구리 착물, 및 원자층 증착 방법에서 기판(substrate) 상에 또는 다공성 고체 중 또는 상에 구리의 증착을 위한 1,3-디이민 구리 착물의 용도에 관한 것이다.
문헌[M. Ritala and M. Leskela in "Atomic Layer Deposition" in Handbook of Thin Film Materials, H.S. Nalwa, Editor, Academic Press, San Diego, 2001, Volume 1, Chapter 2]에 기술된 바와 같이, 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 방법은 박막의 생성에 유용하다. 이러한 필름, 특히 금속 및 금속 산화물 필름은 전자 회로 및 장치의 제조에서의 중요한 성분이다.
구리 필름을 증착시키기 위한 ALD 방법에서, 구리 전구체 및 환원제는 반응 챔버에 교대로 도입된다. 구리 전구체가 반응 챔버에 도입되고 기판 상에 흡착되도록 한 후, 과량의 (비흡착된) 전구체 증기는 챔버로부터 펌핑되거나 퍼징(purge)된다. 상기 방법에 이어서 환원제가 도입되고, 이는 기판 표면 상의 구리 전구체와 반응하여 구리 금속 및 유리 형태의 리간드를 형성한다. 요망되는 필름 두께를 달성하기 위하여 필요한 경우 상기 사이클이 반복될 수 있다.
상기 방법은 금속 착물의 분해 화학에서 화학 증착법(chemical vapor deposition; CVD)과는 상이하다. CVD 방법에서, 착물은 표면과 접촉하여 분해되어 요망되는 필름을 얻는다. ALD 방법에서는, 착물은 표면과 접촉하여 금속으로 분해되지 않는다. 대신, 금속 필름의 형성이 증착된 금속 착물과 반응하는 제2 반응물의 도입에 의해 일어난다. 구리(I) 착물로부터의 구리 필름의 제조에서, 제2 반응물은 환원제이다. ALD 방법의 잇점은 방법의 제1 단계에서 기판 표면에 대한 전구체의 흡착의 자가 제한으로 인한 개선된 커버링 적합성(conformality of coverage) 및 필름 두께의 조절 가능성을 포함한다.
ALD 방법에서 유용하기 위하여서는, 구리 착물은 열 분해 없이 증기화되기 충분하도록 휘발성이어야 한다. 통상적으로, 구리 착물의 휘발성을 증가시키기 위하여 트리플루오로메틸기 함유 리간드가 사용되어 왔다. 그러나, 상기 접근법은 잔류 할라이드가 배선층(interconnect layer)의 성질에 부정적으로 영향을 미치기 때문에, 배선층의 제조에서 단점을 갖는다.
ALD 방법에서 사용되는 리간드는 또한 분해에 대하여 안정하여야 하고, 무금속 형태로 착물로부터 탈착 가능하여야 한다. 구리의 환원 후, 리간드는 유리되고, 형성되는 금속층으로의 혼입을 방지하기 위하여 표면으로부터 제거되어야 한다.
미국 특허 제5,464,666호는 구리를 형성하기 위하여 수소의 존재하에서 1,3-디아민 구리 착물의 분해를 기술한다. 상기 특허는 또한 구리-알루미늄 합금의 화 학 증착(Chemical Vapor Deposition) 제조방법에서 1,3-디이민 구리 착물의 용도를 기술한다.
DE 제4202889호는 바람직하게는 화학 증착 방법을 통한, 코팅을 증착시키기 위한 1,3-디이민 금속 착물의 용도를 기술한다. 환원 분위기, 바람직하게는 수소 하에서 금속 착물의 분해가 개시된다.
문헌[S.G. McGeachin, Canadian Journal of Chemistry, 46, 1903-1912 (1968)]은 1,3-디이민, 및 ML2 형태의 비스-킬레이트 또는 동종리간드 착물을 비롯한 상기 리간드의 금속 착물의 합성을 개시한다.
미국 특허 제6,464,779호는 산소 및 불소를 함유하는 구리 전구체를 산화제로 처리하여 구리 산화물을 형성하고, 이어서 표면을 환원제로 처리하는 것을 필요로 하는 Cu 원자층 CVD 방법을 개시한다.
발명의 요약
본 발명은
a. 기판을 하기 화학식 (I)의 구리 착물과 접촉시켜 기판 상에 구리 착물의 증착(deposit)을 형성하고;
b. 증착된 구리 착물을 환원제와 반응시키는 것을 포함하는, 기판 상에 구리 증착을 형성하는 방법을 기술한다.
Figure 112005058032164-PCT00001
상기 식에서,
L은 2-15개의 탄소를 포함하는 올레핀이고;
R1 및 R4는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 이소부틸 및 네오펜틸로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택되고;
R2 및 R3은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택되고;
환원제는 9-BBN (9-보라비시클로[3.3.1]노난); 디보란; BRxH3-x 형태의 보란 (여기서, x=0, 1 또는 2이고, R은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택됨); 디히드로벤조푸란; 피라졸린; 디실란; SiR'yH4-y 형태의 실란 (여기서, y=0, 1, 2 또는 3이고, R'은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택됨); 및 GeR"zH4-z 형태의 게르만 (여기서, z=0, 1, 2 또는 3이고, R"은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택됨)으로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택된다.
상세한 설명
본 발명자들은 집적 회로에서 구리 배선의 형성에서 씨앗층(seed layer)로서 사용하기 위한, 혹은 장식 또는 촉매 응용에서 사용하기 위한 구리 필름의 형성에 적합한 원자층 증착(ALD) 방법을 발견하였다. 상기 방법은 휘발성이고, 열적으로 안정하며, C, H, Si 및 N 만을 함유하는 리간드로부터 유래하는 구리(I) 착물을 이용한다. 리간드는 적합한 온도 범위에서 휘발성이지만, 이 온도 범위에서 구리 금속으로 분해되지 않는 구리(I) 착물을 형성하도록 선택되고, 대신 착물은 적당한 환원제의 첨가에 의해 금속으로 분해된다. 리간드는 또한 구리 착물의 환원제에 대한 노출에 의한 분해 없이 탈착될 수 있도록 선택된다. 용이하게 입수가능한 환원제에 의한 상기 구리 착물의 구리 금속으로의 환원은 온건한 온도에서 청결하게 진행됨이 입증되었다.
본 발명의 방법에서, 구리는
a. 기판을 하기 화학식 (I)의 구리 착물과 접촉시켜 기판 상에 구리 착물의 증착을 형성하고,
b. 증착된 구리 착물을 환원제와 접촉시키는 것에 의해 기판 상에 증착된다.
<화학식 I>
Figure 112005058032164-PCT00002
상기 식에서,
L은 2-15개의 탄소를 포함하는 올레핀이고;
R1 및 R4는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 이소부틸 및 네오펜틸로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택되고;
R2 및 R3은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택되고;
환원제는 9-BBN; 디보란; BRxH3-x 형태의 보란 (여기서, x=0, 1 또는 2이고, R은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택됨); 디히드로벤조푸란; 피라졸린; 디실란; SiR'yH4-y 형태의 실란 (여기서, y=0, 1, 2 또는 3이고, R'은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택됨); 및 GeR"zH4-z 형태의 게르만 (여기서, z=0, 1, 2 또는 3이고, R"은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택됨)으로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택된다.
본 발명의 증착 방법은 더 낮은 온도의 사용을 가능하게 하고, 더 높은 품질, 더욱 균일한 필름을 제조하는 것에 의해 당업계에 기술된 방법에 비해 개선된 것이다. 본 발명의 방법은 또한 중간체 산화물 필름의 형성을 피하여, 구리 필름에 대한 더욱 직접적 경로를 제공한다.
본 발명의 구리 증착 방법에서, 구리는 기판의 표면 상에 또는 기판의 공극 중 또는 상에 증착될 수 있다. 적합한 기판은 전도성, 반전도성 및 절연성 기판, 예를 들면 구리, 실리콘 웨이퍼, 초 거대 스케일 집적 회로의 제조에서 사용되는 웨이퍼, 실리콘 이산화물보다 낮은 유전 상수를 갖는 유전 물질로 제조된 웨이퍼, 및 격벽층으로 코팅된 낮은 k 기판 및 실리콘 이산화물을 포함한다. 구리의 이동을 방지하기 위한 격벽층은 탄탈륨, 탄탈륨 니트리드, 티타늄, 티타늄 니트리드, 탄탈륨 실리콘 니트리드, 티타늄 실리콘 니트리드, 탄탈륨 카본 니트리드 및 니오븀 니트리드를 포함한다.
상기 방법은 용액 중에서, 즉 구리 착물의 용액을 환원제와 접촉시키는 것에 의해서 수행될 수 있다. 그러나, 기판을 구리 착물의 증기에 노출시키고, 이어서 임의의 과량의 구리 착물 (즉, 비증착된 착물)을 증착된 착물을 환원제의 증기에 노출시키기 전 진공 또는 퍼징에 의해서 제거하는 것이 바람직하다. 구리 착물의 환원 후, 유리 형태의 리간드는 진공, 퍼징, 가열, 적당한 용매로의 세척, 또는 상기 단계의 조합을 통하여 제거될 수 있다.
상기 방법은 더 두꺼운 층의 구리를 구성하기 위하여, 또는 핀-홀을 제거하기 위하여 반복될 수 있다.
구리 착물의 증착은 통상적으로 0 내지 200℃에서 수행된다. 구리 착물의 환원은 통상적으로 유사한 온도, 0 내지 200℃에서 수행된다.
본 발명의 방법에서, 기판 상에 증착되는 것은 먼저 구리 착물이다. 금속성 구리 필름의 형성은 구리 착물이 환원제에 노출되기까지 발생하지 않는다.
구리 착물을 신속하고 완전히 환원시키기 위하여 강력한 환원제가 필요하다. 환원제는 휘발성이어야 하며, 가열에 의해 분해되지 않아야 한다. 이들은 또한 기파 표면 상에 증착된 구리 착물과의 접촉에 의해 신속히 반응하기에 충분한 환원력을 가져야 한다. ALD 방법에서 구리(I) 환원에 종래 사용되지 않았던 적당한 환원제의 군이 확인되었다. 상기 반응물의 한 특성은 양성자 공여체의 존재이다. 반응물은 착물의 구리 이온을 환원하기 위한 1 이상의 전자 및 리간드를 양성자화하기 위한 1 이상의 양성자를 전달가능한 것이어야 한다. 산화된 환원제 및 양성자화된 리간드는 새롭게 형성된 구리 증착의 표면으로부터 용이하게 제거가능하여야 한다.
본 발명의 구리 증착 방법에 적당한 환원제로는 9-BBN, 보란, 디보란, 디히드로벤조푸란, 피라졸린, 게르만, 디에틸실란, 디메틸실란, 에틸실란, 페닐실란, 실란 및 디실란을 들 수 있다. 디에틸실란 및 실란이 바람직하다.
구리 증착 방법의 한 실시태양에서, 구리 착물은 기판의 표면에 대해 착물의 적당한 영향을 달성하도록하는 온도, 시간 및 압력의 조건하에서 반응기에 첨가된다. 당업자는 상기 변수의 선택이 개별 챔버 및 시스템 디자인 및 요망되는 공정률에 의존할 수 있음을 이해할 수 있다. 적어도 일부의 구리 착물이 기판(예를 들 면, 코팅된 실리콘 웨이퍼) 상에 증착된 후, 증착되지 않은 착물 증기는 챔버로부터 펌핑 또는 퍼징되고, 환원제가 약 50 내지 760 mTorr의 압력에서 챔버로 도입되어 흡착된 구리 착물을 환원한다. 기판은 환원 도중에 약 0 내지 200℃ 사이의 온도에서 유지된다. 적합한 조합의 구리 착물 및 환원제를 이용하면, 상기 환원은 신속하고 완전하다. 환원제 노출 시간은 1 초 미만 내지 수 분일 수 있다. 상기 반응의 생성물이 환원 조건하에서 기판의 표면으로부터 용이하게 제거되는 것이 중요하다.
본 발명의 일 실시태양에서, 구리 착물은 화학식 (I)의 1,3-디이민이고, 여기서 R1 및 R4는 이소부틸기이고, R2 및 R3은 메틸기이며, L=비닐트리메틸실란이고, 환원제는 디에틸실란이다.
본 발명은 또한 하기 화학식 I의 신규 1,3-디이민 구리 착물을 제공한다.
<화학식 I>
Figure 112005058032164-PCT00003
상기 식에서,
L은 2-15개의 탄소를 포함하는 올레핀이고;
R1 및 R4는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 이소부틸 및 네오펜틸로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택되고; R2 및 R3은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택된다.
일 실시태양에서, L은 선형, 말단 올레핀이다. 4-15개의 탄소의 올레핀에 대하여, L은 또한 시스- 또는 트란스-배열의 내부 올레핀일 수 있고, 시스-가 바람직하다. L은 또한 시클릭 또는 비시클릭 올레핀일 수 있다. L은 또한 예를 들면, 실릴기로 치환될 수 있다. 적당한 올레핀은 비닐트리메틸실란, 알릴트리메틸실란, 1-헥센, 4-메틸-1-펜텐, 3,3-디메틸-1-부텐 및 노르보넨을 포함한다.
본 발명의 구리 착물을 제조하기 유용한 일 특정 리간드의 합성은 하기 실시예 1에 제공된다. 다른 리간드는 유사한 아미노 케톤으로부터 유사하게 제조될 수 있다.
다른 실시태양에서, 본 발명은 기판 상에 증착된 1,3-디이민 구리 착물(I)을 포함하는 물품을 제공한다. 적당한 기판은 구리, 실리콘 웨이퍼, 초 거대 스케일 집적 회로의 제조에 이용되는 웨이퍼, 실리콘 이산화물보다 낮은 유전 상수를 갖는 유전 물질로 제조된 웨이퍼, 및 격벽층으로 코팅된 낮은 k 기판 및 실리콘 이산화물을 포함한다. 격벽층을 이용하여 구리의 이동을 방지할 수 있다. 적당한 격벽층은 탄탈륨, 탄탄륨 니트리드, 티타늄, 티타늄 니트리드, 탄탈륨 실리콘 니트리드, 티타늄 실리콘 니트리드, 탄탈륨 카본 니트리드 및 니오븀 니트리드를 포함한다.
모든 유기 시약은 시그마-알드리치 코포레이션(Sigma-Aldrich Corporation; 미국 위스콘신주 밀워키 소재)으로부터 입수가능하다. [Cu(CH3CN)4]SO3CF3은 문헌[T.Ogura, Transition Metal Chemistry, 1, 179-182 (976)]에 기술된 방법에 따라서 제조할 수 있다.
실시예 1
비닐트리메틸실란(N,N'-디이소부틸-2,4-펜탄디케티미네이트)구리의 제조 및 환원
질소 분위기 하 무수 박스 중에서, 250 mL의 둥근바닥 플라스크에 4-(이소부틸아미노)-3-펜텐-2-온 36.9 g (237 mmole) 및 디메틸술페이트 30.0 g (237 mmole)을 충전하였다. 반용 용액을 5분 동안 교반하고, 이어서 밤새 교반없이 방치하였다. 노란색 혼합물이 오렌지색 및 점성으로 되었다. 이소부틸 아민 18 g (246 mmole)을 첨가 깔때기를 통하여 격렬히 교반하면서 첨가하엿다. 용액을 고화될 때까지 1 시간 동안 교반하였다. 중간체 염은 단리하지 않았으나, 하기 기술하는 바와 같이 (중간체 염의 이론 수율에 기초하여) 유리 아민으로 직접 전환하였다.
MeOH (약 40 mL) 중의 NaOMe 12.8 g (237 mmole)의 용액을 중간체 염에 첨가하고, 1 시간 동안 교반하였다. 용매를 진공하에서 제거하여 노란색 오일을 얻고, 이를 펜탄으로 추출하고, 여과하였으며, 농축하여 노란색 오일을 얻었으며, 이는 양성자 NMR 데이타에 기초하였을 때 목적 생성물 (N,N'-디이소부틸-2,4-펜탄디케티민) (약 75%) 및 비반응 출발 물질 (약 25%)로 이루어진 것이었다. 생성물을 분별 증류에 의해 단리하여 노란색 오일 35.4 g (72% 수율)을 얻었다.
무수 박스 중에서, 100 mL 둥근바닥 플라스크를 [Cu(CH3CN)4]SO3CF3 1.0 g, 비닐트리메틸실란 26.0 mmole 및 디에틸 에테르 20 mL로 충전하였다. 별도의 100 mL 둥근바닥 플라스크 중에서, 1.5 M t-부틸 리튬 1.7 mL을 상기 기술한 바와 같이 제조한 N,N'-디이소부틸-2,4-펜탄디케티민 0.550 g의 용액에 첨가하였다. 0.5 시간 후, 용액을 합쳤다. 합친 용액은 모든 고체를 흡입한 후 혼탁한 백색 현탁액에서 황갈색의 맑은 용액으로 변화하였다. 2 시간 후, 용액을 고체/슬러지로 농축하고, 펜탄 (3 x 15 mL)으로 추출하였으며, 여과하고, 점성 오일 0.600 g (62% 수율)로 농축하였다.
실시예 2
실시예 1에서 최종 생성물로 단리한 점성 오일을 구리 전구체로 사용하여 기판 상에 구리 필름을 형성하였다. 기판은 250 Å의 탄탈륨 층 및 100Å의 구리 층을 갖는 실리콘 이산화물 웨이퍼로 이루어졌다. 웨이퍼는 겨우 식별가능한 구리 색을 가졌다.
약 0.040 g의 구리 전구체를 무수 박스 중에서 도자기 보트에 로딩하였다. 보트 및 웨이퍼 (~1 ㎠)를 유리 튜브 중에 약 3.5 인치 간격으로 놓았다. 유리 튜브를 무수 박스로부터 제거하고, 진공선에 부착하였다. 가열 코일을 도자기 보트 주위 영역 및 웨이퍼 칩 주위 영역 모두를 둘러싸는 유리 튜브에 부착하였다. 상 기 배열은 2 영역이 상이한 온도에서 유지되는 것을 가능하게 한다. 시스템의 배기 후, 튜브를 통하여 아르곤 흐름을 생성하고, 먼저 보트 중 샘플 넘어 및 이어서 웨이퍼 넘어로 통과시켰다. 튜브 내부의 압력은 150-200 mTorr로 유지하였다. 웨이퍼 주변 영역을 110℃로 가온하였다. 약 1 시간 후, 샘플 보트 주위 영역의 온도를 55℃로 상승시켰다. 상기 온도 및 Ar 가스 흐름을 약 2.5 시간 동안 유지하였다. 이어서, 샘플 보트 주변부를 실온으로 냉각하였다 튜브를 ~10 mTorr의 압력으로 배기하고, 디에틸실란으로 재충전하였다. 110℃에서 튜부 부위는 신속히 구리 색으로 변화되었다. 기구를 냉각시키고, 다시 무수 박스에 넣었다. 구리 색상은 감지가능하게 어두워졌다. 상기 과정을 반복하여 부드러운 금속성 구리 필름을 갖는 웨이퍼를 얻었다.

Claims (12)

  1. a. 기판을 하기 화학식 (I)의 구리 착물과 접촉시켜 기판 상에 구리 착물의 증착(deposit)을 형성하고;
    b. 증착된 구리 착물을 환원제와 반응시키는 것을 포함하는, 기판 상에 구리 증착을 형성하는 방법.
    <화학식 I>
    Figure 112005058032164-PCT00004
    상기 식에서,
    L은 2-15개의 탄소를 포함하는 올레핀이고;
    R1 및 R4는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 이소부틸 및 네오펜틸로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택되고;
    R2 및 R3은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택되고;
    환원제는 9-BBN; 디보란; BRxH3-x 형태의 보란 (여기서, x=0, 1 또는 2이고, R은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택됨); 디히드로벤조푸란; 피라졸린; 디실란; SiR'yH4-y 형태의 실란 (여기서, y=0, 1, 2 또는 3이고, R'은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택됨); 및 GeR"zH4-z 형태의 게르만 (여기서, z=0, 1, 2 또는 3이고, R"은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택됨)으로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택된다.
  2. 제1항에 있어서, R2 및 R3가 메틸이고, R1 및 R4가 이소부틸인 방법.
  3. 제1항에 있어서, L이 비닐트리메틸실란인 방법.
  4. 제1항에 있어서,기판이 구리, 실리콘 웨이퍼 및 격벽층으로 코팅된 실리콘 이산화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 기판이 구리 착물의 증기에 노출되는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 증착이 0 내지 200℃에서 수행되는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 환원제가 실란 또는 디에틸실란인 방법.
  8. 하기 화학식 (I)의 1,3-디이민 구리 착물.
    <화학식 I>
    Figure 112005058032164-PCT00005
    상기 식에서,
    L은 2-15개의 탄소를 포함하는 올레핀이고;
    R1 및 R4는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 이소부틸 및 네오펜틸로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택되고;
    R2 및 R3은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택되고;
    환원제는 9-BBN; 디보란; BRxH3-x 형태의 보란 (여기서, x=0, 1 또는 2이고, R은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택됨); 디히드로벤조푸란; 피라졸린; 디실란; SiR'yH4-y 형태의 실란 (여기서, y=0, 1, 2 또는 3이고, R'은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택됨); 및 GeR"zH4-z 형태의 게르만 (여기서, z=0, 1, 2 또는 3이고, R"은 페닐 및 C1-C10 알킬기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택됨)으로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택된다.
  9. 제8항에 있어서,
    L이 비닐트리메틸실란이고;
    R1 및 R4가 수소, 이소부틸 및 네오펜틸로 이루어지는 군으로부터 선택되며;
    R2가 Me이고;
    R3이 Me, Et 및 페닐로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것인, 1,3-디이민 구리 착물.
  10. 기판을 제8항의 1,3-디이민 구리 착물과 접촉시키는 것에 의해 제조된 물품.
  11. 제10항에 있어서, 기판이 구리, 실리콘 웨이퍼 및 격벽층으로 코팅된 실리콘 이산화물의 군으로부터 선택되는 물품.
  12. 제11항에 있어서, 격벽층이 탄탈륨, 탄탈륨 니트리드, 티타늄, 티타늄 니트리드, 탄탈륨 실리콘 니트리드, 티타늄 실리콘 니트리드, 탄탈륨 카본 니트리드 및 니오븀 니트리드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 물품.
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