KR20060001622A

KR20060001622A - Electron-emitting device

Info

Publication number: KR20060001622A
Application number: KR1020040050765A
Authority: KR
Inventors: 이창수; 김유종
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2004-06-30
Filing date: 2004-06-30
Publication date: 2006-01-06

Abstract

본 발명은 캐소드 전극과 게이트 전극 사이에서 발생하는 누설 전류를 극소화시킬 수 있는 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 전자 방출 소자는 제1 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과; 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 위에 형성되는 게이트 전극들과; 게이트 전극들과 절연층에 각각 제공되어 캐소드 전극의 일부 표면을 노출시키는 개구부들과; 개구부들 내로 캐소드 전극들 위에 형성되는 전자 방출부들과; 절연층의 개구부 측벽에 형성되는 에스오지(SOG)막을 포함한다.The present invention relates to an electron emitting device capable of minimizing leakage current generated between the cathode electrode and the gate electrode, the electron emitting device comprising: cathode electrodes formed on a first substrate; Gate electrodes formed on the cathode electrodes with an insulating layer interposed therebetween; Openings provided in the gate electrodes and the insulating layer, respectively, to expose a portion of the surface of the cathode; Electron emission portions formed over the cathode electrodes into the openings; An SOG film is formed on the sidewall of the opening of the insulating layer.

절연층, 게이트 홀, 절연막, 누설전류, 캐소드 전극, 게이트 전극 Insulating layer, gate hole, insulating film, leakage current, cathode electrode, gate electrode

Description

Electron emission device

도 1은 본 발명에 따른 제1 실시 예를 설명하기 위한 전자 방출 소자를 분해하여 일부를 도시한 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view illustrating a part of an electron emitting device for explaining a first embodiment according to the present invention.

도 2는 도 1을 x방향으로 절단하여 주요부를 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the main part by cutting FIG. 1 in the x direction. FIG.

도 3은 본 발명에 따른 제2 실시 예를 설명하기 위하여 더블 게이트 구조를 가지는 전자 방출 소자에 적용되는 것으로 도 2에 대응하는 다른 예를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating another example corresponding to FIG. 2, which is applied to an electron emission device having a double gate structure to explain a second embodiment according to the present invention.

본 발명은 전자 방출 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전극간의 누설전류를 극소화시킬 수 있는 전자 방출 소자에 관한 것이다.The present invention relates to an electron emitting device, and more particularly to an electron emitting device that can minimize the leakage current between the electrodes.

일반적으로 전자 방출 소자는 전자원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다. 이 가운데 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal-Insulator-Metal) 또는 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)형 및 BSE(Ballistic electron Surface Emitter)형 전자 방출 소자 등이 알려져 있다. In general, an electron emission device includes a method using a hot cathode and a cold cathode as an electron source. Among these, a cold cathode electron emission device is a field emitter array (FEA) type, a surface conduction emitter (SCE) type, a metal insulator-metal (MIM), or a metal insulator-semiconductor (MIS). Type and BSE (Ballistic electron Surface Emitter) type electron emission devices and the like are known.

상기한 전자 방출 소자들은 그 종류에 따라 세부적인 구조가 상이하지만, 기본적으로는 진공 용기 내에 전자 방출을 위한 구조물, 즉, 전자 방출 유닛을 마련하여 이로부터 방출되는 전자들을 이용하며, 진공 용기 내의 전자빔 경로 상에 형광층을 구비할 때 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.Although the above-described electron emitting devices vary in detail depending on their kind, basically, a structure for emitting electrons, that is, an electron emitting unit is provided in the vacuum container, and electrons are emitted from the electron emitting element, and the electron beam in the vacuum container is used. When the fluorescent layer is provided on the path, a predetermined light emission or display action is performed.

상기한 전자 방출 소자들 가운데 FEA형은 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들로 전자 방출부를 형성하고, 전자 방출부 주위에 구동 전극들, 예를 들어 캐소드 전극과 게이트 전극을 구비하며, 두 전극간 전압 차에 의해 전자 방출부 주위에 전계가 형성될 때 이로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.Among the above-mentioned electron emission devices, the FEA type forms an electron emission portion made of materials which emit electrons when an electric field is applied, and includes driving electrodes, for example, a cathode electrode and a gate electrode, around the electron emission portion. When the electric field is formed around the electron emission portion by the inter-voltage difference, the principle that electrons are emitted therefrom is used.

상기 FEA형 전자 방출 소자의 전형적인 일 구조는, 제1 기판 위에 캐소드 전극들과 절연층 및 게이트 전극들을 순차적으로 형성하고, 캐소드 전극들과 게이트 전극들의 교차 영역마다 게이트 전극과 절연층에 각각의 개구부를 형성하여 캐소드 전극의 일부 표면을 노출시킨 후, 개구부 내로 캐소드 전극 위에 전자 방출부를 형성한 구조이다.One typical structure of the FEA type electron emission device is to sequentially form cathode electrodes, an insulating layer and a gate electrode on a first substrate, and each opening in the gate electrode and the insulating layer for each intersection region of the cathode and gate electrodes. Is formed to expose a part of the surface of the cathode electrode, and then the electron emission portion is formed on the cathode electrode into the opening.

상기 구조에서 절연층은 통상 PbO 및 SiO 등을 함유하는 절연 페이스트를 제작하고, 이를 인쇄, 건조 및 소성하는 과정을 통해 완성되는데, 이와 같이 완성된 절연층은 캐소드 전극과 게이트 전극 사이에 완전한 절연을 제공하지 못하고, 캐소드 전극과 게이트 전극간 누설 전류가 발생하는 문제점이 있다.In the above structure, the insulating layer is generally prepared by manufacturing an insulating paste containing PbO, SiO, and the like, and printing, drying, and firing the insulating layer. The completed insulating layer provides complete insulation between the cathode electrode and the gate electrode. There is a problem in that leakage current between the cathode electrode and the gate electrode occurs.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은 캐소드 전극과 게이트 전극 사이에서 누설전류가 발생되는 것을 극소 화시켜 제품의 품질을 향상시키는 전자 방출 소자를 제공하는데 있다.Therefore, the present invention has been proposed to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an electron emitting device that improves the quality of the product by minimizing the generation of leakage current between the cathode electrode and the gate electrode.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In order to achieve the above object, the present invention,

서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과, 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 위에 형성되는 게이트 전극들과, 게이트 전극들과 절연층에 각각 제공되어 캐소드 전극의 일부 표면을 노출시키는 개구부들과, 개구부들 내로 캐소드 전극들 위에 형성되는 전자 방출부들과, 절연층의 개구부 측벽에 형성되는 에스오지(SOG)막을 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다.The first substrate and the second substrate disposed to face each other, the cathode electrodes formed on the first substrate, the gate electrodes formed on the cathode electrodes with the insulating layer interposed therebetween, and provided to the gate electrodes and the insulating layer, respectively. And an opening to expose a portion of the surface of the cathode, electron emission portions formed on the cathode electrodes into the openings, and an SOG film formed on the sidewall of the opening of the insulating layer.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In addition, the present invention, in order to achieve the above object,

서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과, 제1 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 위에 형성되는 게이트 전극들과, 제2 절연층을 사이에 두고 게이트 전극들 위에 형성되는 집속 전극과, 제1 절연층, 게이트 전극, 제2 절연층 및 집속 전극에 각각 제공되어 캐소드 전극의 일부 표면을 노출시키는 개구부들과, 개구부들 내로 캐소드 전극 위에 형성되는 전자 방출부들과, 제1 절연층과 제2 절연층의 개구부 측벽에 형성되는 에스오지(SOG)막을 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다.A first substrate and a second substrate disposed opposite to each other, cathode electrodes formed on the first substrate, gate electrodes formed on the cathode electrodes with the first insulating layer interposed therebetween, and the second insulating layer interposed therebetween. A focusing electrode formed over the gate electrodes, openings provided in the first insulating layer, the gate electrode, the second insulating layer, and the focusing electrode, respectively, to expose a part surface of the cathode electrode, and formed in the openings on the cathode electrode. Provided is an electron emission device including electron emission portions and an SOG film formed on sidewalls of openings of the first and second insulating layers.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 제1 실시 예를 설명하기 위하여 전자 방출 소자의 일 부분을 도시한 분해 사시도이고, 도 2는 도 2의 X방향을 따라 A-A부를 절개하여 주요 부분을 도시한 단면도이다.FIG. 1 is an exploded perspective view illustrating a part of an electron emission device to explain a first embodiment according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a main part by cutting the A-A part along the X direction of FIG. 2.

도면에 도시된 바와 같이, 상기 전자 방출 소자는 임의의 크기를 가지는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 내부에 공간이 형성되도록 간격을 두고 평행하게 배치하고, 이들을 하나로 접합시킴으로서 전자 방출 소자의 외관인 진공 용기를 이룬다. 상기 기판들(2, 4) 중 제1 기판(2)에는 전자 방출을 위한 전자 방출 유닛(100)이 제공되고, 제2 기판(4)에는 전자에 의해 가시광을 방출하는 발광부(200)가 제공된다.As shown in the figure, the electron emitting device is arranged by arranging the first substrate 2 and the second substrate 4 having an arbitrary size in parallel so as to form a space therein, and bonding the electrons together. It forms a vacuum vessel which is the appearance of the emitting element. The first substrate 2 of the substrates 2 and 4 is provided with an electron emission unit 100 for emitting electrons, and the second substrate 4 is provided with a light emitting unit 200 for emitting visible light by electrons. Is provided.

보다 구체적으로, 상기 제1 기판(2) 위에는 소정의 패턴, 가령 스트라이프 형상을 취하는 캐소드 전극들(6)이 서로 임의의 간격을 두고 제1 기판(2)의 일방향(도면의 Y축 방향)을 따라 복수로 형성되고, 캐소드 전극들(6)을 덮으면서 상기 제1 기판(2) 전체에 절연층(8)이 형성된다. 상기 절연층(8) 위에는 게이트 전극들(10)이 서로 간격을 두고 캐소드 전극(6)과 직교하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 복수로 형성된다.More specifically, the cathode electrodes 6 having a predetermined pattern, for example, a stripe shape, are disposed on the first substrate 2 in one direction (Y-axis direction in the drawing) at random intervals from each other. Accordingly, a plurality of insulating layers may be formed on the first substrate 2 while covering the cathode electrodes 6. On the insulating layer 8, a plurality of gate electrodes 10 are formed along the direction orthogonal to the cathode electrode 6 (x-axis direction in the drawing) at intervals from each other.

본 실시 예에서 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 게이트 전극(10)과 절연층(8)에는 각각의 화소 영역마다 적어도 하나 이상의 개구부(8a, 10a)들이 형성되어 캐소드 전극(6)의 일부 표면을 노출시키고, 노출된 캐소드 전극(6) 위로 전자 방출부(12)가 제공된다.In the present embodiment, when the intersection region of the cathode electrode 6 and the gate electrode 10 is defined as a pixel region, at least one opening 8a and 10a may be formed in each of the pixel regions in the gate electrode 10 and the insulating layer 8. Are formed to expose a portion of the surface of the cathode electrode 6, and an electron emitter 12 is provided over the exposed cathode electrode 6.

상기 전자 방출부(12)는 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 카본계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어진다. 전자 방출부(12)로 바람직한 카본계 물질로는 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드상 카본, C₆₀ 및 이들의 조합 물질이 있으며, 나노미터 사이즈 물질로는 나노-튜브, 나노-와이어, 나노-파이버 및 이들의 조합 물질이 있다.The electron emission unit 12 is formed of materials that emit electrons when an electric field is applied, such as a carbon-based material or a nanometer-sized material. Preferred carbon-based materials for the electron emission section 12 include carbon nanotubes, graphite, diamond-like carbon, C ₆₀ and combinations thereof, and nanometer-sized materials include nano-tubes, nano-wires, nano-fiber And combinations thereof.

상기 구성의 전자 방출 유닛(100)에서는 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)에 소정의 구동 전압을 인가하면, 두 전극 간 전압 차에 의해 전자 방출부(12) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출된다.In the electron emission unit 100 having the above configuration, when a predetermined driving voltage is applied to the cathode electrode 6 and the gate electrode 10, an electric field is formed around the electron emission portion 12 due to the voltage difference between the two electrodes. Electrons are emitted.

다음으로, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(14), 예를 들어 적색과 녹색, 및 청색의 형광층(14)이 간격을 두고 형성되며, 형광층(14) 사이로 화면의 컨트라스트 향상을 위한 흑색층(16)이 형성된다. 상기 형광층(14)과 흑색층(16) 위에는 증착에 의한 금속막(대표적으로 알루니늄막)으로 이루어진 애노드 전극(18)이 형성된다. 상기 애노드 전극(18)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 전압을 인가 받으며, 메탈 백(metal back) 효과에 의해 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.Next, a fluorescent layer 14, for example, red, green, and blue fluorescent layers 14 are formed on one surface of the second substrate 4 opposite to the first substrate 2, and the fluorescent A black layer 16 is formed between the layers 14 to improve contrast of the screen. An anode electrode 18 made of a metal film (typically an aluminum film) by vapor deposition is formed on the fluorescent layer 14 and the black layer 16. The anode 18 receives a voltage necessary for accelerating the electron beam from the outside and increases the brightness of the screen by a metal back effect.

한편, 애노드 전극(18)은 금속막이 아닌 투명한 도전막, 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어질 수 있다. 이 경우 제2 기판(4) 위로 투명한 도전막으로 이루어진 애노드 전극(도시하지 않음)을 먼저 형성하고, 그 위에 형광층(14)과 흑색층(16)을 형성하며, 필요에 따라 형광층(14)과 흑색층(16) 위에 금속막을 형성하여 화면의 휘도를 높이는데 이용할 수 있다. 이러한 애노드 전극은 제2 기판(4) 전체에 형성되거나, 소정의 패턴으로 구분되어 형성될 수 있다. Meanwhile, the anode electrode 18 may be made of a transparent conductive film, for example, indium tin oxide (ITO), not a metal film. In this case, an anode electrode (not shown) made of a transparent conductive film is first formed on the second substrate 4, and a fluorescent layer 14 and a black layer 16 are formed thereon, and a fluorescent layer 14 as necessary. ) And the black layer 16 can be used to increase the brightness of the screen. The anode electrode may be formed on the entire second substrate 4 or may be divided into a predetermined pattern.

또한, 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 전자빔 집속을 위한 그리드 전극(20)이 위치할 수 있다. 상기 그리드 전극(20)은 다수의 전자빔 통과공(20a)을 갖는 금속판으로 이루어지며, 상부 스페이서들(22)과 하부 스페이서들(24)에 의해 제1 및 제2 기판(2, 4)과 일정한 간격을 유지하며 진공 용기 내부에 위치한다. 상기 그리드 전극(20)에는 캐소드 전극(6) 및 게이트 전극(10)의 구동 전압보다 높고 애노드 전압보다 낮은 중간 단계의 전압이 인가될 수 있다.In addition, a grid electrode 20 for electron beam focusing may be positioned between the first substrate 2 and the second substrate 4. The grid electrode 20 is formed of a metal plate having a plurality of electron beam through holes 20a and is fixed to the first and second substrates 2 and 4 by the upper spacers 22 and the lower spacers 24. It is placed inside the vacuum vessel, spaced apart. An intermediate voltage higher than the driving voltages of the cathode electrode 6 and the gate electrode 10 and lower than the anode voltage may be applied to the grid electrode 20.

상기 제1 기판(2)과 그리드 전극(20) 및 제2 기판(4)은 그 둘레에 도포되는 프리트(frit)와 같은 실링(sealing) 물질에 의해 접합되고, 내부 공간을 배기시켜 진공 상태로 유지함으로써 전자 방출 소자를 구성한다.The first substrate 2, the grid electrode 20, and the second substrate 4 are bonded by a sealing material such as frit applied around them, and exhaust the internal space to a vacuum state. By holding, an electron emission element is constituted.

여기서, 본 실시 예에 의한 절연층(8)의 개구부(8a, 도2 도시하고 있음) 측벽에는 절연성이 뛰어난 실리카 글라스(SiO 또는 SiO₂)로 이루어지는 에스오지(SOG; Spin On Glass)막(50)이 형성된다. 상기 에스오지막(50)은 전자 방출부(12)의 형성 전에 스핀 코팅(spin coating)법에 의하여 형성될 수 있다.Here, an SG (Spin On Glass) film 50 made of silica glass (SiO or SiO ₂ ) having excellent insulation is formed on the sidewall of the opening 8a (shown in FIG. 2) of the insulating layer 8 according to the present embodiment. ) Is formed. The SOH film 50 may be formed by spin coating before forming the electron emission part 12.

이와 같이 형성되는 절연층(8)의 개구부(8a) 측벽에 형성되는 에스오지막(50)은 절연층(8)의 개구부(8a) 측벽을 따라 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10) 사이에서 발생할 수 있는 누설 전류를 최소화할 수 있다. 따라서 전자 방출부(12)에서 방출된 전자들은 게이트 전극(10)을 통해 누설되는 양을 최소화하면서 해당 화소의 형광층(14)에 온전하게 도달할 수 있으며, 그 결과 양호한 색순도와 화면 휘도를 얻을 수 있어 제품의 품질을 향상시킬 수 있는 것이다. The SOH film 50 formed on the sidewall of the opening 8a of the insulating layer 8 formed as described above is disposed between the cathode electrode 6 and the gate electrode 10 along the sidewall of the opening 8a of the insulating layer 8. Leakage currents that can occur can be minimized. Therefore, the electrons emitted from the electron emitter 12 can reach the fluorescent layer 14 of the pixel intact while minimizing the amount of leakage through the gate electrode 10, resulting in good color purity and screen brightness. Can improve the quality of the product.

도 3은 본 발명에 따른 제2 실시 예를 설명하기 위하여 전자 방출 소자의 일부를 도시한 단면도로 도 2의 다른 예를 설명하기 위한 것이다. FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a part of an electron emission device to explain a second embodiment according to the present invention. FIG.

본 발명의 제2 실시 예는 제1 실시 예와 비교하여 다른 점만을 설명한다. 본 발명의 제2 실시 예는 후막형 더블 게이트 구조에 적용되는 것으로, 전자 빔 경로 상에 집속 전극(21)을 구비할 때, 집속 전극(21)을 지지하는 또 다른 절연층(9)의 개구부(8a) 측벽에 에스오지막(52)을 형성한다. 상기 에스오지막(52)은 상술한 제1 실시 예의 설명에서와 마찬가지로 스핀 코팅법에 의하여 형성이 가능하며, 절연성이 뛰어난 실리카 글래스(SiO 또는 SiO₂)로 이루어지는 것이 바람직하다.The second embodiment of the present invention describes only the differences from the first embodiment. The second embodiment of the present invention is applied to the thick film double gate structure, and when the focusing electrode 21 is provided on the electron beam path, an opening of another insulating layer 9 supporting the focusing electrode 21 is provided. (8a) An SOH film 52 is formed in the side wall. Like the description of the first embodiment described above, the SOH film 52 may be formed by a spin coating method, and may be made of silica glass (SiO or SiO ₂ ) having excellent insulation.

본 발명의 제2 실시 예는 제1 실시 예와 비교하여 볼 때 단지 집속 전극(21)이 적용되는 구조에 적용한 차이만 있을 뿐 절연층(8, 9)에 제공되는 개구부(8a)의 측벽에 에스오지막(52)이 형성되는 점은 동일하다. 즉, 본 발명의 제2 실시 예는 본 발명의 적용 예를 다양하게 할 수 있음을 보여 주는 것이다.Compared to the first embodiment, the second embodiment of the present invention has only a difference applied to the structure to which the focusing electrode 21 is applied to the sidewalls of the opening 8a provided in the insulating layers 8 and 9. The point at which the SOH film 52 is formed is the same. That is, the second embodiment of the present invention shows that the application examples of the present invention can be varied.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

이와 같이 본 발명은 절연층의 개구부 측벽에 에스오지막을 형성하여 캐소드 전극과 게이트 전극 사이에서 발생되는 누설 전류를 최소화시켜 형광층에 도달하는 전자량을 늘릴 수 있다. 따라서 본 발명은 양호한 색순도와 화면 휘도를 얻을 수 있어 제품의 품질을 향상시킬 수 있다.As described above, the present invention can increase the amount of electrons reaching the fluorescent layer by minimizing the leakage current generated between the cathode electrode and the gate electrode by forming an SOH film on the sidewall of the opening of the insulating layer. Therefore, the present invention can obtain a good color purity and screen brightness can improve the product quality.

Claims

A first substrate and a second substrate disposed to face each other;

Cathode electrodes formed on the first substrate;

Gate electrodes formed on the cathode electrodes with an insulating layer interposed therebetween;

Openings provided in the gate electrodes and the insulating layer, respectively, to expose a portion of the surface of the cathode;

Electron emission portions formed on the cathode electrodes into the openings; And

SOG film formed on the sidewall of the opening of the insulating layer

Electron emitting device comprising a.

A first substrate and a second substrate disposed to face each other;

Cathode electrodes formed on the first substrate;

Gate electrodes formed on the cathode electrodes with a first insulating layer interposed therebetween;

A focusing electrode formed on the gate electrodes with a second insulating layer interposed therebetween;

Openings provided in the first insulating layer, the gate electrode, the second insulating layer, and the focusing electrode, respectively, to expose a portion of the surface of the cathode electrode;

Electron emission portions formed on the cathode electrode into the openings; And

SOG film formed on sidewalls of the openings of the first and second insulating layers

Electron emitting device comprising a.

The method according to claim 1 or 2,

And the electron emission unit comprises at least one of a carbon-based material and a nanometer (nm) size material.

The method according to claim 1 or 2,

And at least one anode electrode formed on the second substrate, and a fluorescent layer formed on one surface of the anode electrode.