KR20050097806A - Soot exhaust system for mcvd-method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광섬유 프리폼 제조를 위한 수정화학기상증착(MCVD) 공법의 수행시 모재 석영튜브의 내부 압력을 일정하게 유지하기 위한 시스템에 관한 것으로서, 실리카 수트를 포집하기 위한 내부공간을 구비한 집진기; 상기 석영튜브의 수트 배출단과 집진기를 연통시키는 배출통로; 및 상기 석영튜브에 비해 배출통로가 낮은 압력을 유지하도록 배출통로의 내부 압력을 조절하는 압력제어수단;을 포함하는 수트 배출 시스템이 개시된다.The present invention relates to a system for maintaining a constant internal pressure of a base quartz tube when performing a crystal chemical vapor deposition (MCVD) method for manufacturing a fiber preform, comprising: a dust collector having an internal space for collecting silica soot; A discharge passage communicating with the soot discharge end of the quartz tube and the dust collector; And pressure control means for adjusting an internal pressure of the discharge passage so that the discharge passage maintains a lower pressure than the quartz tube.
본 발명에 의하면 모재 석영튜브의 내부 압력변동을 방지함과 아울러 실리카 수트의 불균일한 적층현상을 억제할 수 있다.According to the present invention, it is possible to prevent internal pressure fluctuations of the base quartz tube and to suppress uneven lamination of silica soot.
Description
본 발명은 수정화학기상증착(Modified Chemical Vaper Deposition; MCVD) 공법을 위한 수트 배출 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 클래드 및 코어의 증착공정에 따른 모재 석영튜브 내의 과잉 산화반응물인 실리카 수트를 원활히 배출하여 모재 석영튜브의 내압을 일정하게 유지할 수 있는 수트 배출 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a soot discharge system for a Modified Chemical Vapor Deposition (MCVD) method, and more particularly, to smoothly discharge silica soot, which is an excessive oxidation reactant in a base quartz tube according to a deposition process of a clad and a core. The present invention relates to a soot discharge system capable of maintaining a constant internal pressure of the base quartz tube.
광섬유 프리폼의 제조를 위해 널리 사용되고 있는 MCVD 공법은 내부증착방식으로 클래드와 코어를 형성하는 기술로서, 도 1에 도시된 바와 같이 회전하는 모재 석영튜브(10) 내부로 SiCl4, GeCl4, POCl3 등의 원료가스(11)를 산소와 함께 주입함과 아울러, 열영동(Thermophoresis)에 의해 튜브 내벽에 반응물이 증착되도록 석영튜브(10)의 길이방향을 따라 산소/수소 토치나 버너 등의 열원(13)을 왕복 이송시키면서 석영튜브(10)를 가열하여 클래드 및 코어의 증착층(12)을 순차적으로 형성하는 방식으로 공정이 진행된다. 여기서, 상기 원료가스(11)의 반응에 따라 생성되는 SiO2 입자는 클래드 및 코어의 직경을 결정하게 되며, GeO2 입자는 굴절률을 조절하고, P2O5 는 반응 입자들의 소결온도를 낮추어 주는 역할을 하게 된다.MCVD technique is widely used for the production of optical fiber preforms is a technique for forming the cladding and the core in the deposition method, also a base material of quartz tube 10 into the SiCl 4, GeCl 4, POCl rotating, as shown in 13 A source of heat, such as an oxygen / hydrogen torch or burner, is injected along the length of the quartz tube 10 to inject the raw material gas 11, together with oxygen, and deposit the reactant on the inner wall of the tube by thermophoresis. The process proceeds by heating the quartz tube 10 while reciprocating 13) to sequentially form the deposition layer 12 of the clad and core. Here, SiO 2 particles generated according to the reaction of the source gas 11 determines the diameter of the clad and core, GeO 2 particles to control the refractive index, P 2 O 5 to lower the sintering temperature of the reaction particles It will play a role.
상기와 같은 MCVD 공법은 외부증착방식에 비해 외부 이물질에 의한 내부오염이 상대적으로 적은 장점이 있는 반면, 증착공정시 석영튜브(10) 내부에서 미처 증착되지 못한 실리카 수트 중 많은 양이 집진기(미도시)로 배출되지 않고 석영튜브의 수트 배출단에 쌓임으로써 석영튜브(10)의 내부 압력이 점차 높아지게 되며, 이로 인해 석영튜브(10)의 외경이 증가하여 클래드 및 코어의 증착두께나 굴절률이 불균일한 분포를 갖게 되는 취약점도 있다.While the MCVD method has an advantage of relatively less internal contamination due to external foreign matters compared to the external deposition method, a large amount of silica soot that is not deposited inside the quartz tube 10 during the deposition process is not collected (not shown). The internal pressure of the quartz tube 10 is gradually increased by stacking at the soot discharge end of the quartz tube, thereby increasing the outer diameter of the quartz tube 10, resulting in uneven deposition thickness and refractive index of the clad and core. There are also vulnerabilities that have distribution.
석영튜브(10)의 내부 압력변동 문제에 대한 방안으로는, 도 2에 도시된 바와 같이 석영튜브(10)의 수트 배출단(15) 방향으로 산소 혹은 질소에 해당하는 역압가스(점선화살표 참조)와 아울러 퍼징가스(실선화살표 참조)를 흘려줌으로써 석영튜브(10)의 내부 압력을 제어하는 기술이 널리 사용되고 있다. 그러나, 이러한 역압 시스템은 수트 배출단(15)에 쌓이는 실리카 수트의 양이 많을 경우 석영튜브(10) 내부에 대한 압력제어가 용이하지 않을 뿐만 아니라, 실리카 수트의 적층현상을 원천적으로 방지할 수 없는 한계가 있다.As a solution for the internal pressure fluctuation problem of the quartz tube 10, as shown in FIG. 2, a back pressure gas corresponding to oxygen or nitrogen toward the soot discharge end 15 of the quartz tube 10 (see dotted arrow). In addition, a technique for controlling the internal pressure of the quartz tube 10 by flowing a purging gas (see the solid arrow) is widely used. However, such a back pressure system is not easy to control the pressure inside the quartz tube 10 when the amount of the silica soot accumulated in the soot discharge stage 15 is not easy, and it is not possible to fundamentally prevent the stacking of silica soot. There is a limit.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, MCVD 공법을 수행함에 있어서 모재 석영튜브와 집진기 사이의 수트 배출통로 내압을 일정하게 제어하여 석영튜브 내부의 압력변동을 방지하고, 이와 함께 수트의 불균일한 적층현상을 제거할 수 있는 수트 배출 시스템을 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention was devised to solve the above problems, and in the MCVD method, by controlling the internal pressure of the soot discharge passage between the base material quartz tube and the dust collector to prevent the pressure fluctuation inside the quartz tube, the soot The object of the present invention is to provide a soot discharge system capable of eliminating uneven stacking.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 수트 배출 시스템은, 실리카 수트를 포집하기 위한 내부공간을 구비한 집진기; 상기 석영튜브의 수트 배출단과 집진기를 연통시키는 배출통로; 및 상기 석영튜브에 비해 배출통로가 낮은 압력을 유지하도록 배출통로의 내부 압력을 조절하는 압력제어수단;을 포함한다.In order to achieve the above object, the soot discharge system according to the present invention, a dust collector having an internal space for collecting the silica soot; A discharge passage communicating with the soot discharge end of the quartz tube and the dust collector; And pressure control means for adjusting an internal pressure of the discharge passage so that the discharge passage maintains a lower pressure than the quartz tube.
바람직하게 상기 압력제어수단은, 배출통로 내부와 외부 간에 이동되는 단위시간당 유량을 결정하는 개폐기;를 포함하여 구성될 수 있다.Preferably, the pressure control means, the switch may be configured to determine the flow rate per unit time to be moved between the discharge passage inside and outside.
상기 압력제어수단에는 배출통로의 내부 압력을 측정하는 압력측정기; 및 상기 압력측정기의 측정치에 기초하여 개폐기의 동작을 제어하는 개폐제어기;가 더 구비될 수 있다.The pressure control means includes a pressure gauge for measuring the internal pressure of the discharge passage; And an opening and closing controller for controlling the operation of the switch based on the measured value of the pressure measuring instrument.
바람직하게 상기 배출통로의 내부 압력은 -5 ~ -15mmWC로 유지될 수 있다.Preferably the internal pressure of the discharge passage may be maintained at -5 ~ -15mmWC.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms or words used in the specification and claims should not be construed as having a conventional or dictionary meaning, and the inventors should properly explain the concept of terms in order to best explain their own invention. Based on the principle that can be defined, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.
본 발명은 MCVD 공법의 증착공정에 따른 모재 석영튜브 내의 과잉 반응물, 즉 실리카 수트를 석영튜브의 내/외부 압력차를 이용해 원활히 배출하는 시스템으로서, 도 3에 나타난 바와 같은 구성을 포함한다.The present invention is a system for smoothly discharging excess reactant in the base quartz tube according to the deposition process of the MCVD method, that is, silica soot using the internal / external pressure difference of the quartz tube, and includes a configuration as shown in FIG. 3.
도 3을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 수트 배출 시스템은 상기 실리카 수트의 포집을 위한 집진기(Scrubber)(100)와, 모재 석영튜브의 수트 배출단(15)과 집진기(100)를 연통시키는 배출통로(101)와, 상기 배출통로(101)의 내부 압력 조절을 위한 압력제어수단을 포함한다.Referring to FIG. 3, a soot discharge system according to a preferred embodiment of the present invention includes a dust collector (Scrubber) 100 for collecting the silica soot, a soot discharge end 15 and a dust collector 100 of a base material quartz tube. It includes a discharge passage 101 for communicating, and a pressure control means for adjusting the internal pressure of the discharge passage (101).
집진기(100)는 실리카 수트를 포집하기 위한 내부공간을 구비한 집진장치로서 통상의 MCVD 선반에 구비되는 수트 집진기가 동일하게 채용될 수 있다.The dust collector 100 is a dust collector provided with an internal space for collecting silica soot, soot dust collector provided in a conventional MCVD lathe may be employed in the same manner.
석영튜브의 수트 배출단(15)과 상기 집진기(100) 사이에는 소정의 덕트수단이 구비되어 실리카 수트의 배출통로(101)를 형성한다. 여기서, 배출통로(101)의 형태가 도면에 도시된 것에 한정되지 않고 다양하게 변형될 수 있음은 물론이다. 상기 덕트수단은, 예컨대 통상적인 MCVD 선반에 구비되는, 석영튜브의 수트 배출단과 선반축대 사이에 설치되는 배기 튜브(Exhaust tube)와, 상기 선반축대와 집진기 사이에 설치되는 플렉서블 튜브(Flexible tube)가 해당될 수 있다.A predetermined duct means is provided between the soot discharge end 15 of the quartz tube and the dust collector 100 to form a discharge passage 101 of the silica soot. Here, the shape of the discharge passage 101 is not limited to that shown in the drawings can be variously modified, of course. The duct means includes, for example, an exhaust tube provided between a soot discharge end of a quartz tube and a shelf shaft, and a flexible tube provided between the shelf shaft and the dust collector, which is provided in a conventional MCVD shelf. This may be the case.
압력제어수단은 상기 배출통로(101)가 석영튜브에 비해 낮은 내부 압력을 유지하도록 제어하는 것으로서, 배출통로(101)나 상기 배출통로(101)와 실질적으로 연통되는 관로의 일측에 구비되는 개폐기(102)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 압력제어수단은 배출통로(101)의 내부 압력을 바람직하게, -5 ~ -15mmWC로 유지함으로써 석영튜브로부터 실리카 수트가 적정 유속으로 원활히 배출될 수 있는 압력차를 형성하게 된다.The pressure control means is to control the discharge passage 101 to maintain a lower internal pressure than the quartz tube, the switch is provided on one side of the discharge passage 101 or the pipe substantially in communication with the discharge passage 101 ( 102). The pressure control means maintains the internal pressure of the discharge passage 101 at, preferably, -5 to -15 mmWC, thereby forming a pressure difference that can smoothly discharge the silica soot from the quartz tube at an appropriate flow rate.
개폐기(102)는 배출통로(101) 내부와 외부 간에 이동되는 압력조절용 유체의 단위시간당 유량을 결정하도록 동작된다. 이러한 개폐기(102)는 소정의 개구부와, 상기 개구부의 구경을 조절하는 소정의 셔터를 구비한 다양한 공지의 기술적 수단을 채용하여 구성될 수 있다.The switch 102 is operated to determine the flow rate per unit time of the pressure regulating fluid that is moved between the discharge passage 101 inside and outside. The switch 102 may be configured by employing a variety of known technical means having a predetermined opening and a predetermined shutter for adjusting the aperture of the opening.
보다 바람직하게, 상기 압력제어수단은 배출통로(101)의 내부 압력을 측정하는 압력측정기(103)와, 상기 압력측정기(103)의 측정치에 따라 개폐기(102)의 동작을 자동 제어하여 배출통로(101)의 내부 압력을 석영튜브에 비해 낮게 유지하는 개폐제어기(104)를 더 포함할 수 있다.More preferably, the pressure control means is a pressure measuring device 103 for measuring the internal pressure of the discharge passage 101 and the operation of the switch 102 in accordance with the measured value of the pressure measuring instrument 103 to automatically control the discharge passage ( It may further include an opening and closing controller 104 to maintain the internal pressure of the 101 lower than the quartz tube.
부가적으로 본 발명은 석영튜브의 내부 압력을 측정하기 위한 별도의 압력측정기(미도시)를 더 구비하여 석영튜브의 내부 압력 측정치와 배출통로(101)의 내부 압력 측정치를 서로 비교하면서 개폐기(102)의 동작을 제어할 수도 있다. 아울러, 본 발명은 석영튜브의 내부 압력 측정치에 상응하여 적정 역압의 가스를 석영튜브 내로 주입하는 유량제어기(미도시)를 더 구비하여 석영튜브의 내부 압력변동을 보다 효과적으로 보정할 수 있다.In addition, the present invention further includes a separate pressure measuring device (not shown) for measuring the internal pressure of the quartz tube to compare the internal pressure measurement of the quartz tube and the internal pressure measurement of the discharge passage 101 with the switch 102 ) Can also be controlled. In addition, the present invention may further include a flow controller (not shown) for injecting a gas having a suitable reverse pressure into the quartz tube corresponding to the internal pressure measurement of the quartz tube to more effectively correct the internal pressure fluctuation of the quartz tube.
상술한 바와 같이 MCVD 공법의 증착공정에 따라 모재 석영튜브로부터 배출되는 실리카 수트는 배출통로(101)를 경유하여 집진기(100) 방향으로 유동하는데(화살표 참조), 특히 배출통로(101)의 일측에 설치되는 개폐기(102)에 의해 배출통로(101)의 내부 압력이 석영튜브에 비해 낮게 유지되므로 압력차에 의해 집진기(100) 방향으로의 수트 배출작용이 보다 원활히 이루어지게 된다.As described above, the silica soot discharged from the base quartz tube according to the deposition process of the MCVD method flows in the direction of the dust collector 100 via the discharge passage 101 (see arrow), in particular on one side of the discharge passage 101. Since the internal pressure of the discharge passage 101 is maintained lower than that of the quartz tube by the switch 102 installed, the soot discharge action toward the dust collector 100 is more smoothly performed by the pressure difference.
또한, 본 발명에는 배출통로(101)의 내부 압력을 측정하는 압력측정기(103)와, 이 압력측정기(103)의 측정치에 기초하여 상기 개폐기(102)를 구동하여 배출통로(101)의 내부 압력을 제어하는 개폐제어기(104)가 구비되므로 실리카 수트의 배기압력을 조절함으로써 석영튜브의 내부 압력을 보다 정밀히 제어할 수 있다.In addition, in the present invention, the pressure gauge 103 for measuring the internal pressure of the discharge passage 101 and the internal pressure of the discharge passage 101 by driving the switch 102 based on the measured value of the pressure measurer 103. Since the opening and closing controller 104 is controlled to control the internal pressure of the quartz tube by adjusting the exhaust pressure of the silica soot can be more precisely controlled.
이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.Although the present invention has been described above by means of limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto and will be described below by the person skilled in the art to which the present invention pertains. Of course, various modifications and variations are possible within the scope of the claims.
본 발명은 MCVD 공법의 증착공정시 실리카 수트의 원활한 흐름을 유도하여 수트 배출단에 실리카 수트가 적층되는 것을 억제할 수 있으며, 모재 석영튜브의 내부 압력변동을 방지할 수 있다. 이러한 본 발명에 의하면, 모재 석영튜브의 외경을 일정하게 유지하면서 증착공정이 수행될 수 있으므로 석영튜브의 길이방향을 따라 클래드 및 코어 증착층을 균일하게 형성할 수 있는 장점이 있다.The present invention can induce a smooth flow of the silica soot during the deposition process of the MCVD method can suppress the stacking of the silica soot in the soot discharge end, it can prevent the internal pressure fluctuation of the base quartz tube. According to the present invention, since the deposition process can be performed while maintaining the outer diameter of the base material quartz tube constant, there is an advantage that can be uniformly formed clad and core deposition layer along the longitudinal direction of the quartz tube.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.The following drawings attached to this specification are illustrative of preferred embodiments of the present invention, and together with the detailed description of the invention to serve to further understand the technical spirit of the present invention, the present invention is a matter described in such drawings It should not be construed as limited to
도 1은 일반적인 MCVD 공법에서의 증착공정을 개략적으로 도시하는 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a deposition process in a general MCVD method.
도 2는 종래기술에 따른 수트 배출 시스템의 구성도.2 is a block diagram of a soot discharge system according to the prior art.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 수트 배출 시스템의 구성도.3 is a block diagram of a soot discharge system according to a preferred embodiment of the present invention.
<도면의 주요 참조부호에 대한 설명><Description of main reference numerals in the drawings>
100...집진기 101...배출통로100 ... dust collector 101 ... Exhaust passage
102...개폐기 103...압력측정기102 ... Switchgear 103 ... Pressure gauge
104...개폐제어기104 ... opening and closing controller
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