KR20050095381A - Front panel for plasma display panel of high efficiency containing nanotips, and process for preparation of the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광효율을 향상시키고 구동 전압을 획기적으로 저하시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 소자(PDP)용 전면판 및 그것의 제조방법에 관한 것으로서, 투명 기판, 서스테인 전극, 버스 전극, 유전층 및 보호막층을 포함하는 것으로 구성된 PDP 소자용 전면판에 있어서, 서스테인 전극에 상응하는 위치 부근의 상부 유전층상에 그것의 보호막층 표면으로부터 적어도 일부 부분이 돌출되어 있는 하나 또는 둘 이상의 나노 팁들을 포함하는 팁 군이 형성되어 있고, 상기 팁 군은 인접한 서스테인 전극들 위에 형성되어 있는 팁 군들로부터 이격되어 있으며, 하나의 팁 군에 포함되어 있는 나노 팁들은 적어도 전계 강화를 유발할 수 있는 거리만큼 떨어져 있도록 구성되어 있는 PDP 소자용 전면판 및 그것의 제조방법을 제공한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a front plate for a plasma display device (PDP) and a method of manufacturing the same, which can improve luminous efficiency and significantly lower driving voltage. A front plate for a PDP device comprising: a group of tips is formed on an upper dielectric layer near a position corresponding to a sustain electrode, the tip group comprising one or more nano-tips protruding at least a portion from the surface of its protective layer; And the tip group is spaced apart from the tip groups formed on adjacent sustain electrodes, and the nanotips included in one tip group are at least separated by a distance that can cause electric field strengthening. It provides a plate and a method of manufacturing the same.
그러한 전면판은, 보호막에서의 전계 강화에 의해 구동 전압을 저하시키고 방전 효율을 향상시킬 수 있으며, 구동 전압의 감소는 보호막에 충돌하는 이온 및 전자의 에너지를 감소시킴으로써 보호막의 수명을 향상시키고 형광체의 수명을 증대시킬 수 있으며, 방전 전압의 감소는 PDP에 사용되는 각종 전자 부품의 작동 전압을 감소시켜 제조원가를 크게 감소시킬 수 있다.Such a front plate can lower the driving voltage and improve the discharge efficiency by strengthening the electric field in the protective film, and the decrease in the driving voltage improves the life of the protective film by reducing the energy of ions and electrons impinging on the protective film, The service life can be increased, and the reduction of the discharge voltage can reduce the operating voltage of various electronic components used in the PDP, thereby greatly reducing the manufacturing cost.
Description
본 발명은 발광효율을 향상시키고 구동 전압을 획기적으로 저하시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel: PDP)용 전면판에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, PDP 소자를 구성하는 전면판의 상부 유전층 상에 특정한 나노 팁을 형성하여 전계 강화에 따른 발광 효율의 향상과 구동 전압의 저하를 유발할 수 있는 기술을 제공한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a front panel for a plasma display panel (PDP) capable of improving luminous efficiency and significantly lowering a driving voltage. More particularly, the present invention relates to an upper dielectric layer on a front panel of a front panel of a PDP device. By forming a nano tip specific to the present invention provides a technology that can improve the luminous efficiency and the driving voltage lowered by the electric field strengthening.
PDP는 평판형 표시소자로서 화질이 우수하고, 두께가 얇으며, 무게가 가볍기 때문에 40인치 이상의 대형 표시소자로서 주로 사용되고 있다. PDP는 후면판상에 형성된 격벽과 어드레스 전극(address electrode), 전면판에 형성되어 있는 면방전 전극이 수직으로 교차하는 지점에서 화소가 형성되어 화상을 구현한다. 이러한 PDP의 구조를 개략적으로 도시하면 도 1과 같다. 전면판(10)의 서스테인 전극(40)과 후면판(80)의 어드레스 전극(50) 사이에 전압이 인가되면, 격벽(60)들간에 형성된 공간에 플라즈마가 형성되고, 서스테인 전극(40)들 사이에 유지 전압을 가하면 플라즈마로부터 발생하는 진공 자외선(vacuum ultra violet)이 격벽(60) 및 격벽간 하저면에 코팅되어 있는 형광체(70)를 여기시켜 적색, 녹색, 청색 가시광선이 발생된다.PDP is a flat panel display device, and is mainly used as a large display device of 40 inches or more because of its excellent image quality, thin thickness, and light weight. In the PDP, pixels are formed at vertically crossing points of a partition wall formed on the rear plate, an address electrode, and a surface discharge electrode formed on the front plate, thereby realizing an image. The structure of such a PDP is schematically illustrated in FIG. 1. When voltage is applied between the sustain electrode 40 of the front plate 10 and the address electrode 50 of the rear plate 80, plasma is formed in the space formed between the partition walls 60, and the sustain electrodes 40 are formed. When a sustain voltage is applied therebetween, vacuum ultra violet generated from plasma excites the phosphor 70 coated on the partition wall 60 and the bottom surface of the partition wall to generate red, green, and blue visible light.
현재 제조되고 있는 PDP 소자는, 그것의 방전 효율이 1.3~1.8 lm/watt 정도로 낮아서 소비전력이 높고, 방전 개시전압이 140 ~ 180 V로 높아서 고가의 구동회로를 필요로 하므로, 이러한 낮은 방전 효율과 높은 구동 전압은 제조 원가를 높이고 소비 전력을 높이는 주요 원인으로 작용하고 있다. The PDP device currently manufactured has low discharge efficiency of 1.3-1.8 lm / watt, high power consumption, and high discharge start voltage of 140-180 V, requiring an expensive driving circuit. High driving voltages are a major contributor to higher manufacturing costs and higher power consumption.
이와 같은 문제를 해결하기 위하여, PDP 셀 내의 방전가스의 조성과 새로운 구동방식 등에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있으며, 그와 더불어 보호막층의 전자방출계수를 향상시켜 방전 효율을 높이고 구동 전압을 낮추는 방안이 중요한 과제로서 등장하고 있다. In order to solve this problem, studies on the composition of the discharge gas and the new driving method in the PDP cell are being actively conducted. In addition, a method of increasing the discharge efficiency and lowering the driving voltage by improving the electron emission coefficient of the protective layer is performed. It is emerging as an important task.
PDP 소자의 전면판 보호막(또는 보호막층)으로는, 스퍼터링(sputtering)에 대한 저항성이 뛰어나고 2차 전자방출계수가 상대적으로 우수한 MgO가 일반적으로 사용되고 있다. MgO 보호막의 2차 전자방출계수에 영향을 미치는 요인으로는, MgO의 결정 방위, 조성비(stoichiometry), 밀도 등이 알려져 있으나, 이들 인자들의 조절에 의한 방전 효율 및 구동 전압의 변화는 그리 괄목할 만한 성과를 거두지 못하고 있다. 다른 접근 방법으로는, 일함수(work function)가 작은 CaO 와 같은 세라믹 재료를 주성분인 MgO에 포함시켜 복합 박막으로 형성함으로써, 2차 전자방출계수를 증가시키려는 연구 노력도 있었으나, 그 효과는 그리 크지 않다. As the front plate protective film (or protective film layer) of the PDP device, MgO which is excellent in sputtering resistance and relatively excellent in secondary electron emission coefficient is generally used. The factors affecting the secondary electron emission coefficient of the MgO passivation layer include the crystal orientation, stoichiometry, and density of MgO. It's not working. Another approach has been to increase the secondary electron emission coefficient by incorporating a ceramic material such as CaO with a small work function into MgO, the main component, to form a composite thin film. not.
결국, PDP의 방전 효율을 향상하고 구동 전압을 감소시키기 위하여, 현재 사용되고 있는 MgO 보호막 대비 전자의 방출계수가 획기적으로 증가된 새로운 보호막의 개발에 대한 필요성이 더욱 커지고 있다. As a result, in order to improve the discharge efficiency of the PDP and to reduce the driving voltage, there is a greater need for the development of a new protective film in which the electron emission coefficient is significantly increased compared to the MgO protective film currently used.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점과 과거로부터 요청된 기술적 과제를 일거에 해결하는 것을 목적으로 하고 있다. Therefore, an object of the present invention is to solve the problems of the prior art as described above and the technical problems requested from the past.
본 발명자들은, PDP 소자에 대한 다년간의 연구와 실험을 거듭한 끝에, PDP 소자를 구성하는 전면판의 상부 유전층 상에 그것의 보호막층으로부터 돌출된 형상으로 나노 팁을 포함시키면, 상기 보호막층 상의 전계 강화를 유발하여, 발광 효율의 향상과 방전 개시전압의 현저한 저하를 얻을 수 있다는 놀라운 사실을 발견하고 본 발명을 완성하기 이르렀다. After many years of research and experiment with the PDP device, the inventors have included the nanotip in the shape protruding from the protective film layer on the upper dielectric layer of the front plate constituting the PDP device. It has been found that the present invention has been completed by discovering the surprising fact that the enhancement can be achieved, thereby improving the luminous efficiency and achieving a significant decrease in the discharge start voltage.
따라서, 투명 기판, 서스테인 전극, 버스 전극, 유전층 및 보호막층을 포함하는 것으로 구성된 본 발명에 따른 PDP 소자용 전면판은, 서스테인 전극에 상응하는 위치 부근의 상부 유전층 상에 그것의 보호막층의 표면으로부터 적어도 일부 부분이 돌출되어 있는 하나 또는 둘 이상의 나노 팁들을 포함하는 팁 군(tip group)이 형성되어 있고, 상기 팁 군은 인접한 서스테인 전극들 위에 형성되어 있는 팁 군들로부터 이격되어 있으며, 하나의 팁 군에 포함되어 있는 나노 팁들은 적어도 전계 강화(field enhancement)를 유발할 수 있는 거리만큼 떨어져 있도록 구성되어 있다.Thus, the front plate for a PDP device according to the present invention comprising a transparent substrate, a sustain electrode, a bus electrode, a dielectric layer and a protective layer is formed from the surface of its protective layer on the upper dielectric layer near the position corresponding to the sustain electrode. A tip group is formed that includes one or more nano tips from which at least some portions protrude, the tip group being spaced apart from the tip groups formed over adjacent sustain electrodes, one tip group. The nano-tips contained in the are configured to be at least a distance away that can cause field enhancement.
상기 나노 팁들은 팁 주위에 전계 강화 효과를 유발하며 이러한 특성으로 인해 상대적으로 낮은 전압에서도 전계 방출을 개시할 수 있고 2차 전자의 발생 효율을 증가시킬 수 있다. 직경이 수 ~ 수천 Å 크기의 나노 팁의 경우, 그 주위의 전계 강화 효과는 102 ~ 104 배에 달한다. 즉, 본 발명은, 보호막층의 뛰어난 스퍼터링 저항성 및 우수한 2차 전자 방출 특성과, 나노 팁의 전계 강화 효과를 이용한 2차 전자 방출 효과 및 전계 방출 효과를 동시에 발휘할 수 있는 PDP 소자용 복합(hybrid) 전면판을 제공한다.The nanotips cause a field strengthening effect around the tip, which can initiate field emission even at a relatively low voltage and increase the generation efficiency of secondary electrons. In the case of nano-tips with a diameter of several to several thousand micrometers, the field strengthening effect around them is 10 2 to 10 4 times. In other words, the present invention is a hybrid for a PDP device capable of simultaneously exhibiting excellent sputtering resistance and excellent secondary electron emission characteristics of the protective film layer, secondary electron emission effect and field emission effect using the electric field strengthening effect of the nano-tip. Provide the front panel.
상기와 같은 특징으로 인해 하기와 같은 효과들을 얻을 수 있다.Due to the above characteristics, the following effects can be obtained.
첫째, 플라즈마 방전시 보호막층 상부에 형성되는 벽 전압 및 구동 유지 전압이 나노 팁 주위의 전계를 효과적으로 강화시켜, 보호막층으로부터 2차 전자방출뿐만이 아니라 나노 팁으로부터 전계 방출에 의한 전자의 방출 특성을 증가시키고, 이에 따라 PDP 방전셀에서의 구동 전압을 저하시킨다. 따라서, 동일한 구동 전압의 조건하에서 발광 휘도는 종래의 PDP 소자와 비교하여 2 배 이상이 된다. First, the wall voltage and the driving sustain voltage formed on the upper portion of the protective layer during plasma discharge effectively strengthen the electric field around the nanotip, thereby increasing not only the secondary electron emission from the protective layer but also the electron emission characteristic due to the field emission from the nanotip. This lowers the driving voltage in the PDP discharge cell. Therefore, under the conditions of the same driving voltage, the light emission luminance is more than twice as compared with the conventional PDP element.
둘째, 낮은 구동 전압으로 인해, 방전셀내의 소비전력을 감소시키고, 궁극적으로는 방전 효율을 높인다.Second, due to the low driving voltage, power consumption in the discharge cell is reduced, and ultimately, discharge efficiency is increased.
셋째, 낮은 방전전압으로 인해, PDP의 방전 및 유지 구동 소자의 작동 전압을 저하시키고, 이에 따라 구동회로의 작동 전압을 저하시켜, PDP의 전자부품의 제조 원가를 저감한다.Third, due to the low discharge voltage, the operating voltage of the discharge and sustain drive element of the PDP is lowered, thereby lowering the operating voltage of the drive circuit, thereby reducing the manufacturing cost of the electronic components of the PDP.
앞서 설명한 바와 같이, 본 발명에 있어서 어느 특정한 서스테인 전극 위(보다 정확하게는, 특정한 서스테인 전극 위의 상부 유전층)에 형성되어 있는 나노 팁 군은 인접한 서스테인 전극들 위의 나노 팁 군들로부터 이격되어 있다. 만일, 상기 팁 군들이 이격되어 있지 않은 경우, 즉, 유전층 전체에 나노 팁들이 고르게 분산되어 있는 경우, 구동 전압이 저하되는 효과를 나타내기는 하지만, 발광 휘도가 증가되지는 않는다.As described above, in the present invention, the nano tip groups formed on any particular sustain electrode (more precisely, the upper dielectric layer on the particular sustain electrode) are spaced apart from the nano tip groups on adjacent sustain electrodes. If the tip groups are not spaced apart, that is, the nanotips are evenly distributed throughout the dielectric layer, the driving voltage is reduced, but the light emission luminance is not increased.
팁 군의 면적은 그에 대응하는 서스테인 전극과 대략적으로 동일하거나 또는 약간 작거나 클 수도 있다. 하나의 실시예에서, 팁 군은 그에 대응하는 버스 전극 위의 면적만을 포함하도록 형성되어 있을 수 있다.The area of the tip group may be approximately the same or slightly smaller or larger than the corresponding sustain electrode. In one embodiment, the tip group may be formed to include only the area above the corresponding bus electrode.
팁 군의 형상은 하부의 서스테인 전극 또는 버스 전극의 형상에 따라 달라질 수 있다. 즉, 스트라이프(stripe)형 격벽 형상뿐만 아니라, 와플(waffle)형, 허니콤(honeycomb)형, 미안더(meander)형, 피시본(fishbone)형 등과 같은 다양한 격벽 형상에 상응하는 전극의 형상에 따라 달라질 수 있다. 또한, 팁 군의 형상은 전극의 형상과 반드시 일치해야만 하는 것은 아니며, 그것의 대략적인 형상 위에 형성되는 형상을 가져도 무방하다. The shape of the tip group may vary depending on the shape of the lower sustain electrode or the bus electrode. That is, not only the stripe-shaped partition wall shape but also the shape of the electrode corresponding to various partition wall shapes such as waffle type, honeycomb type, meander type, fishbone type, etc. It may vary. In addition, the shape of the tip group does not necessarily have to match the shape of the electrode, and may have a shape formed on its approximate shape.
하나의 팁 군에는 하나의 나노 팁만이 포함될 수도 있고 둘 또는 그 이상의 나노 팁들이 포함될 수도 있다. 둘 이상의 나노 팁들이 포함되어 있을 때, 이들 나노 팁들은, 앞서 설명한 바와 같이, 적어도 전계 강화를 유발할 수 있는 거리만큼 서로 떨어져 있다. 전계 강화를 유발할 수 있는 거리에서는 전계 방출에 의한 전자 방출이 매우 용이해 진다. 상부 유전층 상에서 그것의 보호막층으로부터 돌출되어 있는 나노 팁들은 도 3에서 보는 바와 같이 전계 왜곡에 의한 전계 강화를 유발하는데, 이들이 서로 인접해 있는 경우에는 전계 강화 효과가 크게 감소된다. 따라서, 나노 팁들은 보호막층으로부터 돌출되어 있는 평균 높이의 약 1/2 배 이상의 거리로 상호 떨어져 있을 필요가 있다. 바람직하게는 높이의 약 1 배 이상, 더욱 바람직하게는 약 2 배 이상으로 거리로 상호 떨어져 있다. 현재, PDP에 사용되는 MgO 보호막의 두께가 3,000 ~ 7,000 Å 정도임을 고려할 때, 전계방출 효과를 높이기 위한 바람직한 조건의 예로는, 보호막층으로 돌출된 나노 팁의 높이가 1 ~ 10 ㎛ 이고, 나노 팁들 사이의 거리는 2 ~ 20 ㎛ 이상으로서 적어도 높이의 2 배 이상인 경우이다.One tip group may include only one nanotip or two or more nanotips. When two or more nanotips are included, these nanotips are spaced apart from each other by at least a distance that can cause electric field enhancement, as described above. At distances that can cause field strengthening, electron emission by field emission becomes very easy. The nanotips protruding from its protective layer on the upper dielectric layer cause electric field strengthening by electric field distortion as shown in FIG. 3, and when they are adjacent to each other, the electric field strengthening effect is greatly reduced. Thus, the nanotips need to be spaced apart from each other at a distance of about 1/2 times the average height protruding from the protective layer. Preferably at least about 1 times the height, more preferably at least about 2 times the distance from each other. At present, considering that the thickness of the MgO protective film used in the PDP is about 3,000 to 7,000 Å, an example of a preferable condition for enhancing the field emission effect is that the height of the nano tip protruding into the protective film layer is 1 to 10 μm, and the nano tips The distance between them is 2-20 micrometers or more, at least 2 times or more of height.
유전층은 서스테인 전극을 보호하고 전기적으로 콘덴서의 역할을 하며, 통상 PbO. SiO2, B2O3 등을 포함하는 저융점의 유리 성분으로 구성되어 있다. 유전층은, 일반적으로 알칼리 성분을 적게 포함하고 있어서 전극과의 반응성이 적은 하부 유전층과 평활성이 높은 상부 유전층으로 구성되어 있다. 본 발명에서 나노 팁은 그러한 상부 유전층 상에 형성되며, 상부 유전층은 앞서의 설명과 같이 일반적으로 하부 유전층과 구별되는 특성을 갖고 있지만, 경우에 따라서는 일체로서 형성된 구조일 수도 있다. 후자의 구조로 이루어진 유전층의 경우, 본 발명에 따른 나노 팁은 그러한 단일 유전층에서 상대적으로 위쪽에 형성되어 있을 수 있다.The dielectric layer protects the sustain electrode and electrically acts as a capacitor, typically PbO. It consists of a glass component having a low melting point, or the like SiO 2, B 2 O 3. The dielectric layer generally comprises a lower dielectric layer containing less alkali component and less reactive with the electrode, and a higher dielectric layer having higher smoothness. In the present invention, the nano tip is formed on such an upper dielectric layer, and the upper dielectric layer generally has a characteristic that is distinguished from the lower dielectric layer as described above, but in some cases, it may be an integrally formed structure. In the case of the dielectric layer consisting of the latter structure, the nanotip according to the present invention may be formed relatively upward in such a single dielectric layer.
나노 팁의 형상은 다양할 수 있지만, 바람직하게는 폭 대비 길이의 비가 적어도 2 이상인 막대상, 튜브상, 시트 또는 벨트상일 수 있다. 나노 팁은 하나의 나노 재료로 이루어질 수도 있고, 둘 또는 그 이상의 나노 재료들의 조합으로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 나노 재료가 탄소나노튜브인 경우에, 상기 나노 팁은 한 개의 탄소나노튜브로 이루어질 수도 있고, 탄소나노튜브와 미세한 그라파이트 분말들로 이루어질 수도 있다.The shape of the nanotips may vary, but may preferably be rod-shaped, tubular, sheet or belt-shaped with a ratio of width to length of at least two or more. The nanotips may consist of one nanomaterial or a combination of two or more nanomaterials. For example, when the nanomaterial is carbon nanotubes, the nanotips may be made of one carbon nanotube, or may be made of carbon nanotubes and fine graphite powders.
나노 팁의 상부 유전층에서의 배향은, 예를 들어, 수직 배향, 기울어진 배향, 또는 이들의 조합 등 다양할 수 있으며, 그 중 수직 배향이 특히 바람직하다. 그러나, 나노 팁의 적어도 일부는 보호막으로부터 돌출되어 있어야 전계 강화를 유발할 수 있다. The orientation in the upper dielectric layer of the nanotips can vary, for example, in vertical orientation, inclined orientation, or a combination thereof, of which vertical orientation is particularly preferred. However, at least some of the nanotips must protrude from the protective film to cause electric field enhancement.
PDP 소자의 전면판을 구성하는 상기 보호막층은 일반적인 PDP 소자에서와 같이 MgO 로 만들어질 수 있지만, 그것만으로 한정되는 것은 아니며, 앞서 설명한 바와 같이, MgO 에 CaO 와 같은 세라믹 재료를 포함시킨 복합 박막층일 수도 있다. The protective layer constituting the front plate of the PDP device may be made of MgO as in a general PDP device, but is not limited thereto. As described above, the protective film layer may be a composite thin film layer including a ceramic material such as CaO in MgO. It may be.
상기 나노 팁의 소재는 상기와 같은 효과를 발휘할 수 있는 것이라면 특별히 제한되는 것은 아니며, 바람직하게는, 탄소나노튜브, 탄소나노피브릴 등의 탄소 화합물; 산화 아연(ZnO), 알루미나(Al2O3), 실리카(SiO2), 칼시아(CaO), 지르코니아(ZrO2), 산화 바나디움(V2O5), 산화 텅스텐(W2O 5), 산화 마그네슘(MgO) 등의 산화물; 질화 붕소(BN), 질화 티탄(TiN), 질화 알루미늄(AlN), 질화 실리콘(Si3N4) 등의 질화물; TiC, TaC, SiC, WC, VC 등의 탄화물; CdS, MoS2 등의 황화물; 이들을 포함하는 복합 세라믹, 금속간 화합물, 금속 등을 들 수 있다. 바람직하게는 탄소나노튜브가 사용될 수 있다.The material of the nanotip is not particularly limited as long as it can exert the above effects, and preferably, carbon compounds such as carbon nanotubes and carbon nanofibrils; Zinc oxide (ZnO), alumina (Al 2 O 3 ), silica (SiO 2 ), calcia (CaO), zirconia (ZrO 2 ), vanadium oxide (V 2 O 5 ), tungsten oxide (W 2 O 5 ), Oxides such as magnesium oxide (MgO); Nitrides such as boron nitride (BN), titanium nitride (TiN), aluminum nitride (AlN), and silicon nitride (Si 3 N 4 ); Carbides such as TiC, TaC, SiC, WC, VC; Sulfides such as CdS and MoS 2 ; The composite ceramic containing these, an intermetallic compound, a metal, etc. are mentioned. Preferably carbon nanotubes may be used.
나노 팁의 직경은 1 내지 500 ㎚인 것이 바람직하며, 1 내지 100 ㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하다. The diameter of the nanotip is preferably 1 to 500 nm, more preferably 1 to 100 nm or less.
보호막층에서의 나노 팁의 면적 밀도는 가시광선의 투과도를 저하시키지 않는 102 ~ 109 개/㎠의 범위에 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the area density of the nanotip in a protective film layer exists in the range of 10 <2> -10 <9> / cm <2> which does not reduce the transmittance | permeability of visible light.
본 발명은 또한 나노 팁을 포함하고 있는 PDP용 전면판의 제조방법에 관한 것이다. 상기와 같은 구조의 전면판을 제조하는 방법은 다양할 수 있으며, 그 중 하나의 예로서,The present invention also relates to a method for manufacturing a front plate for a PDP comprising a nano tip. The method of manufacturing the front plate having the above structure may be various, and as one example thereof,
(a) 투명기판 상에, 서스테인 전극과 버스 전극을 포함하는 하부 투명 유전층을 형성한 뒤 소결하고, 그 위에 상부 투명 유전층을 형성하는 단계;(a) forming and then sintering a lower transparent dielectric layer comprising a sustain electrode and a bus electrode on the transparent substrate, and forming an upper transparent dielectric layer thereon;
(b) 상기 상부 투명 유전층을 부분 소결하고, 서스테인 전극 위쪽의 상부 유전층이 노출되도록 일정 높이의 마스크 댐을 패터닝하는 단계;(b) partially sintering the upper transparent dielectric layer and patterning a mask dam of a predetermined height such that the upper dielectric layer over the sustain electrode is exposed;
(c) 상기 마스크 댐들 사이의 공간에 나노 팁들을 포함하고 있는 현탁액을 붓고 용매를 증발시키는 단계;(c) pouring a suspension containing nanotips into the space between the mask dams and evaporating the solvent;
(d) 상기 마스크 댐을 제거하고 상부 투명 유전층을 소결하는 단계; 및(d) removing the mask dam and sintering an upper transparent dielectric layer; And
(e) 상기 나노 팁을 포함하고 있는 상부 투명 유전층 상에 보호막을 형성하는 단계; (e) forming a protective film on the upper transparent dielectric layer including the nanotips;
를 포함하는 것으로 구성된 제조방법을 들 수 있다.The manufacturing method comprised by including it is mentioned.
바람직하게는, 단계(d)와 단계(e) 사이에, 상부 투명 유전층을 화학적 및/또는 기계적으로 에칭하여 유전층으로부터의 나노 팁의 노출 정도를 크게 하는 단계를 더 포함할 수도 있다.Preferably, between step (d) and step (e), the method may further comprise chemically and / or mechanically etching the upper transparent dielectric layer to increase the degree of exposure of the nano tip from the dielectric layer.
상기 단계(a)의 유전층 및 보호막층 형상 단계는 당업계에서 일반적으로 행해지는 방법들에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 유전체 유리 분말(glass frit)을 포함하는 페이스트를 인쇄하거나 건식 필름(dry film)을 라미네이션하여 하부 유전층과 상부 유전층을 순차적으로 형성할 수 있다. 경우에 따라서는, 앞서의 설명과 같이, 유전층을 단일층으로 형성할 수도 있다. The dielectric layer and the protective film layer forming step of step (a) may be performed by methods generally performed in the art. For example, a paste including dielectric glass powder may be printed or a dry film may be laminated to sequentially form a lower dielectric layer and an upper dielectric layer. In some cases, as described above, the dielectric layer may be formed as a single layer.
상기 단계(b)에서, 우선 상부 유전체층을 부분 소결하는데, 그러한 부분 소결에 의해 상부 유전체 유리 분말 사이에는 미세한 공극(pore)들이 형성된다. 부분 소결은, 다음의 것으로 한정되는 것은 아니지만, 대략 400 내지 500℃의 온도에서 30 분 내지 1 시간 동안 행해질 수 있다. 그런 다음, 서스테인 전극을 포함하는 부위의 유전층이 노출되도록 마스크 댐을 유전층 위에 패터닝한다. 마스크 댐의 패터닝 방법은 박막 형성공정에서 일반적으로 사용되는 건식 필름 라미네이션법(dry film lamination) 또는 액상 포토 레이스트의 스핀 코팅법을 이용하여 마스크 댐의 높이에 해당하는 막을 형성하고, 리쏘그래피법 등의 다양한 방법으로 패터닝할 수 있다.In the step (b), first, the upper dielectric layer is partially sintered, whereby minute pores are formed between the upper dielectric glass powders. Partial sintering may be performed for 30 minutes to 1 hour at a temperature of approximately 400 to 500 ° C., although not limited to the following. The mask dam is then patterned over the dielectric layer so that the dielectric layer at the site containing the sustain electrode is exposed. The mask dam patterning method uses a dry film lamination method or a spin coating method of a liquid photolast, which is generally used in a thin film forming process, to form a film corresponding to the height of the mask dam, and a lithography method. Patterning can be done in a variety of ways.
상기 단계(c)에서, 우선 마스크 댐이 이루는 공간에 나노 팁을 포함하고 있는 현탁액을 붓게 되는데, 이때 현탁액과 나노 팁 재료들이 상부 투명 유전층에서 유리 분말이 이루는 공극 사이로 유입된다. 다음으로, 현탁액의 용매를 증발시키고, 마스크 댐을 제거한다. 상기 현탁액은, 예를 들어, 물과 같은 비반응성 용매에 나노 팁을 구성하는 나노 재료들과 분산제를 부가하여 제조할 수 있다. 나노 재료가 탄소나노튜브인 경우에는 상부 투명 유전층 성분과의 반응을 막기 위하여 SiO2 또는 MgO와 같은 성분으로 반응 방지막을 코팅하여 사용한다. 현탁액 중 나노 입자들의 농도는 상부 유전층에 형성할 나노 팁의 밀도에 따라 달라질 수 있으며, 예를 들어, 약 10 ppm과 같이 극히 낮은 농도로 준비할 수 있다. 앞서의 설명과 같이, 보호막층에서의 나노 팁은 수직 배향으로 위치하는 경우에 더욱 바람직하므로, 이를 위한 별도의 과정을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 나노 팁이 쌍극자와 같이 전계에 의해 배향이 가능한 경우 현탁액을 건조하는 동안 상하 방향으로 전계를 유도하여 배향성을 높일 수도 있고, 소결이 완료된 상부 투명 유전층의 나노 팁 재료에 물리적 힘(예를 들어, 접착력 등)을 가하여 인위적으로 배향성을 높일 수도 있다.In step (c), the suspension containing the nanotips is first poured into the space formed by the mask dam, wherein the suspension and the nanotip materials are introduced between the pores of the glass powder in the upper transparent dielectric layer. Next, the solvent in the suspension is evaporated and the mask dam is removed. The suspension can be prepared, for example, by adding nanomaterials and dispersants constituting the nanotip to an unreactive solvent such as water. When the nanomaterial is carbon nanotubes, a reaction prevention film is coated with a component such as SiO 2 or MgO to prevent reaction with the upper transparent dielectric layer component. The concentration of nanoparticles in the suspension can vary depending on the density of nanotips to be formed in the upper dielectric layer, and can be prepared at extremely low concentrations, for example about 10 ppm. As described above, the nano tip in the protective film layer is more preferable when positioned in the vertical orientation, it may further include a separate process for this. For example, if the nanotips can be oriented by an electric field, such as a dipole, they may induce an electric field in the vertical direction during drying of the suspension to increase the orientation, and the physical force (eg, For example, it is possible to artificially increase the orientation by applying an adhesive force).
상기 단계(d)에서, 마스크 댐을 제거하고 상부 투명 유전층을 완전 소결하면, 공극 사이에 삽입된 나노 팁들은 상부 유전층 상에 기계적으로 잡힌 상태로 고정되게 된다. 상부 투명 유전층의 완전 소결은, 다음의 것으로 제한되는 것은 아니지만, 대략 520 내지 590℃에서 30 분 내지 1 시간 동안 행해질 수 있다. 상부 유전층의 유리 분말의 공극에 유입되지 못하고 상부 유전층 위에 잔류하는 나노 팁들은 본 단계에서 상부 유전층의 완전 소결 이후에 제거될 수도 있다. 마스크 댐이 상부 유전층의 완전 소결을 위한 온도에서 분해되는 성분으로 이루어진 경우에는 마스크 댐의 제거 과정을 별도로 거치지 않고 상부 유전층의 완전 소결을 행할 수도 있다.In step (d), removing the mask dam and completely sintering the upper transparent dielectric layer, the nanotips inserted between the voids are fixed in a mechanically held state on the upper dielectric layer. Complete sintering of the upper transparent dielectric layer may be performed at about 520-590 ° C. for 30 minutes to 1 hour, but not limited to the following. Nano tips that do not enter the pores of the glass powder of the upper dielectric layer and remain on the upper dielectric layer may be removed after complete sintering of the upper dielectric layer in this step. When the mask dam is composed of a component that is decomposed at a temperature for complete sintering of the upper dielectric layer, the sintering of the upper dielectric layer may be completely performed without separately removing the mask dam.
최종적으로 단계(e)에서, 상기 나노 팁을 포함하고 있는 상부 투명 유전층 위에 MgO 등의 보호막을 전자 빔 증착법 등과 같은 종래의 방법을 이용하여 형성하게 된다. Finally, in step (e), a protective film such as MgO is formed on the upper transparent dielectric layer including the nanotip by using a conventional method such as electron beam deposition.
이하, 도면과 실시예 등을 참조하여 본 발명의 내용을 더욱 상술하지만, 본 발명의 범주가 그것에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although the content of this invention is further described with reference to drawings, an Example, etc., the scope of the present invention is not limited by it.
도 2에는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 PDP 소자용 전면판(100)의 모식도가 도시되어있다. 일반적으로 유리로 만들어진 투명 기판(200) 상에는 투명 전극인 서스테인 ITO(Indium Tin Oxide) 전극(300)과 버스 전극(310)이 위치되어 있고, 이들을 하부 유전층(400)이 덮고 있다. 하부 유전층(400) 상에는 상부 유전층(410)이 도포되어 있는데, 투명 전극(300)에 대응하는 위치의 상부 유전층(410)에 다수의 작은 막대상의 나노 팁(610)들로 이루어진 팁 군(600)이 위치되어 있다. 상부 유전층(410)의 표면에는 MgO 보호막층(500)이 형성되어 있다. 설명의 편의를 위하여, 도 2에서는 나노 팁(610)들이 상대적으로 크게 도시되어 있으며, 나노 팁(610)의 형상, 크기, 배향 등이 도 2에 도시되어 있는 것으로 한정되지 않음은, 이전의 설명으로부터 자명하다. 서스테인 전극(300) 상의 팁 군(600)은 인접한 서스테인 전극(302) 상의 팁 군(602)으로부터 대략 전극들(300, 302) 사이의 거리만큼 이격되어 있다. 팁 군(600)에서, 나노 팁(610)들은 상부 유전층(410) 상의 보호막층(500)의 표면으로부터 돌출되어 있으며, 나노 팁(610)들 사이의 이격 거리(L)는 돌출 높이(H)보다 바람직하게는 크다. 2 is a schematic diagram of a front plate 100 for a PDP device according to an embodiment of the present invention. In general, the sustained indium tin oxide (ITO) electrode 300 and the bus electrode 310, which are transparent electrodes, are positioned on the transparent substrate 200 made of glass, and the lower dielectric layer 400 covers them. An upper dielectric layer 410 is applied on the lower dielectric layer 400. The tip group 600 includes a plurality of small rod-shaped nano tips 610 on the upper dielectric layer 410 at a position corresponding to the transparent electrode 300. Is located. The MgO passivation layer 500 is formed on the surface of the upper dielectric layer 410. For convenience of description, the nanotips 610 are relatively large in FIG. 2, and the shape, size, orientation, etc. of the nanotips 610 are not limited to those illustrated in FIG. 2. It is self-evident from. The tip group 600 on the sustain electrode 300 is spaced approximately the distance between the electrodes 300, 302 from the tip group 602 on the adjacent sustain electrode 302. In the tip group 600, the nano tips 610 protrude from the surface of the passivation layer 500 on the upper dielectric layer 410, and the separation distance L between the nano tips 610 is the protruding height H. More preferably, it is large.
도 3에는 나노 팁에서의 전계 강화를 보여주는 모식도가 도시되어 있다. 도 3을 참조하면, 하부 유전층(400) 위의 상부 유전층(410)에 배열되어 있는 나노 팁(610)의 돌출된 부위에서는 전계(700)의 왜곡(A)이 일어나면서 전계 강화가 나타나고 나노 팁(610)에서 전계 방출에 의한 전자 방출이 촉진된다. 이와 같은 전계 방출에 의한 전류는 플라스마내의 이온이 MgO 보호막층(500)과 충돌할 때 발생하는 2차 전자에 의한 전류와 함께 PDP의 방전 전류를 증가시켜, 궁극적으로 형광층의 발광 휘도를 증가시키게 된다. 이와 같은 전류의 증가는 PDP의 방전 전압을 저하시켜 저 전압에서 작동이 가능하도록 하여 준다.3 is a schematic showing the field enhancement at the nano tip. Referring to FIG. 3, in the protruding portion of the nano tip 610 arranged in the upper dielectric layer 410 on the lower dielectric layer 400, the electric field enhancement occurs as the distortion A of the electric field 700 occurs, and the nano tip appears. At 610, electron emission by field emission is promoted. The current caused by the field emission increases the discharge current of the PDP together with the current caused by the secondary electrons generated when the ions in the plasma collide with the MgO protective layer 500, thereby ultimately increasing the emission luminance of the fluorescent layer. do. This increase in current lowers the discharge voltage of the PDP, enabling operation at low voltages.
전면판상에서의 나노 팁의 배열 방식과 각각의 나노 팁을 이루는 나노 입자들의 수는 다양하며, 일부 예들이 도 4a 내지 4c에 도시되어 있다. 도 4a에는 각각 1 개씩의 나노 입자들로 이루어진 나노 팁(610)들이 서스테인 전극(300)과 버스 전극(310)에 배열되어 있는 방식이, 도 4b에는 각각 2 또는 그 이상의 나노 입자들로 이루어진 나노 팁(610)들이 서스테인 전극(300)과 버스 전극(310)에 배열되어 있는 방식이, 도 4c에는 다수의 나노 입자들로 이루어진 스트라이프형 나노 팁(610)들이 배열되어 있는 방식이 각각 개시되어 있다. 그러나, 이러한 배열 방식들은 예시적인 방식들이고, 본 발명의 범주가 이에 한정되는 것은 아니다. The arrangement of nanotips on the faceplate and the number of nanoparticles that make up each nanotip vary, some examples of which are shown in FIGS. 4A-4C. In FIG. 4A, the nano tips 610 each consisting of one nanoparticle are arranged on the sustain electrode 300 and the bus electrode 310. In FIG. 4B, the nano tips 610 are composed of two or more nanoparticles. The manner in which the tips 610 are arranged on the sustain electrode 300 and the bus electrode 310 is disclosed, and the manner in which the striped nano tips 610 composed of a plurality of nanoparticles are arranged in FIG. 4C, respectively. . However, such arrangements are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereto.
도 5a 내지 5i에는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전면판의 제조과정이 도시되어 있다. 우선 도 5a를 참조하면, 종래의 제조방법들을 사용하여, 투명 기판(200) 위에 서스테인 전극(300)과 버스 전극(310)을 형성하고, 이들은 도포할 수 있도록 하부 유전층(400)을 형성한다. 5A to 5I illustrate a manufacturing process of a front plate according to an embodiment of the present invention. First, referring to FIG. 5A, the sustain electrode 300 and the bus electrode 310 are formed on the transparent substrate 200 using conventional manufacturing methods, and the lower dielectric layer 400 is formed to be applied.
도 5b를 참조하면, 도 5a에서 형성된 하부 유전층(400) 위에 상부 유전층(410)을 도포하고 부분 소결한다. 이미 설명한 바와 같이, 상부 유전층(410)을 부분 소결하면, 상부 유전층 성분의 유리 분말들 사이에 미세한 공극들이 형성된다. Referring to FIG. 5B, an upper dielectric layer 410 is applied and partially sintered on the lower dielectric layer 400 formed in FIG. 5A. As already described, partial sintering of the top dielectric layer 410 results in the formation of fine voids between the glass powders of the top dielectric layer component.
다음으로, 도 5c를 참조하면, 서스테인 전극 위쪽의 상부 유전층 부위(412)만이 노출되도록 상부 유전층(410) 위에 일정한 높이를 가진 마스크 댐(900)을 패터닝한다. 마스크 댐(900)의 성분은, 다음의 도 5d에서, 나노 팁-함유 현탁액에 의해 용해되거나 팽윤되지 않고 추후에 용이하게 제거될 수 있는 성분이라면 특별히 제한되지 않는다. 또한, 마스크 댐(900)의 패터닝 방법은 종래의 박막 성형 기술에서 사용되는 패터닝 방법이 그대로 사용될 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트를 상부 유전층(410) 상에 코팅하고, 마스크 댐(900) 부위가 노출되도록 패턴이 설정된 글라스 마스크를 상기 포토레지스트 코팅막 위에 위치시킨 뒤 자외선을 위로부터 수직으로 조사하여 자외선에 노출된 부위만을 경화시키고, 나머지 부위를 제거하여 마스크 댐(900)을 형성할 수 있다. Next, referring to FIG. 5C, a mask dam 900 having a constant height is patterned on the upper dielectric layer 410 such that only the upper dielectric layer portion 412 above the sustain electrode is exposed. The component of the mask dam 900 is not particularly limited as long as it can be easily removed later without dissolving or swelling by the nano tip-containing suspension in the following FIG. 5D. In addition, as the patterning method of the mask dam 900, the patterning method used in the conventional thin film forming technology may be used as it is. For example, a photoresist is coated on the upper dielectric layer 410, and a patterned glass mask is positioned on the photoresist coating layer to expose a portion of the mask dam 900 and then irradiated with UV light vertically from above. Only the exposed portions may be cured, and the remaining portions may be removed to form the mask dam 900.
그런 다음, 나노 팁(610)을 함유하고 있는 현탁액(1000)을 별도로 준비하여 마스크 댐(900)들 사이의 공간(910)에 부으면, 도 5d에서와 같이, 현탁액(1000)이 공간(도 5c의 910)에 잔류하게 된다. Then, the suspension 1000 containing the nanotip 610 is separately prepared and poured into the space 910 between the mask dams 900, and as shown in FIG. 5D, the suspension 1000 is spaced (FIG. 5C). 910).
참조로, 나노 팁으로서 탄소나노튜브를 함유하고 있는 현탁액의 준비를 위한 예시적인 방법을 설명하면 다음과 같다. 우선, 탄소나노튜브와 물 및 분산제(예를 들어, DTAB: dodecyltrimethylammonium bromide)를 혼합하고, 초음파 교반한다. 여기에, 규소 전구체(예를 들어, TEOS: Tetra ethyl ortho silicate)를 첨가하여 반응시키면, 이산화규소로 코팅된 탄소나노튜브가 얻어진다. 이를 원심분리하고, 다시 분산제가 함유된 물에 첨가하여 소망하는 현탁액을 제조할 수 있다. 탄소나노튜브 대신에 금속 산화물을 사용하는 경우에는, 상기의 과정 중 이산화규소에 의한 코팅을 별도로 행할 필요가 없다.For reference, an exemplary method for the preparation of a suspension containing carbon nanotubes as nanotips is described as follows. First, carbon nanotubes, water and a dispersant (eg, DTAB: dodecyltrimethylammonium bromide) are mixed and ultrasonically stirred. When a silicon precursor (eg, TEOS: Tetra ethyl ortho silicate) is added thereto and reacted, carbon nanotubes coated with silicon dioxide are obtained. This can be centrifuged and added again to the water containing the dispersant to produce the desired suspension. In the case of using a metal oxide instead of carbon nanotubes, it is not necessary to perform coating with silicon dioxide separately during the above process.
다시 도 5d를 참조하면, 현탁액(1000)에 포함되어 있는 나노 팁들(610)의 일부는 상부 유전층(410)의 표면에 형성된 유리 분말들 사이의 공극들 안으로 들어가게 된다. 그러한 나노 팁들(610) 중 일부는 수직 배향 상태로 있을 수 있고, 다른 일부는 기울어진 배향 상태로 있을 수 있다. 경우에 따라서는, 수직 배향의 비율을 더욱 높이기 위하여 다양한 방법들이 적용될 수 있으며, 예를 들어, 나노 팁(610)이 전계 또는 자계에 의해 배향이 가능한 경우, 특정한 외력을 인가할 수 있다. 이들 수직 배향의 향상 과정은 제조과정의 임의의 단계에서 행해질 수도 있다.Referring again to FIG. 5D, some of the nano tips 610 included in the suspension 1000 enter into the voids between the glass powders formed on the surface of the upper dielectric layer 410. Some of such nanotips 610 may be in a vertical orientation and others may be in an inclined orientation. In some cases, various methods may be applied to further increase the ratio of the vertical alignment. For example, when the nanotip 610 may be oriented by an electric field or a magnetic field, a specific external force may be applied. These vertical alignment enhancement processes may be performed at any stage of the manufacturing process.
그런 다음, 도 5e∼5g를 순차적으로 참조하면, 현탁액(100)의 용매 성분을 예를 들어 건조하여 제거하고, 마스크 댐(900)을 제거한 뒤, 상부 유전층(410)을 완전 소결한다.Then, referring sequentially to FIGS. 5E-5G, the solvent component of the suspension 100 is dried, for example, removed, the mask dam 900 is removed, and the top dielectric layer 410 is then completely sintered.
도 5h에서와 같이, 상부 유전층(410)의 표면을 일부 에칭하여, 상부 유전층(410)으로부터의 나노 팁(610)의 돌출 높이를 크게 할 수 있다. As in FIG. 5H, the surface of the upper dielectric layer 410 may be partially etched to increase the protruding height of the nanotip 610 from the upper dielectric layer 410.
그런 다음, 도 5i에서와 같이, 나노 팁(610)이 기계적으로 잡혀 있는 상부 유전층(401)에는 전자빔 증착, 이온 플레이팅, 플라스마 스퍼터링 등과 같은 박막 증착 공정을 이용하여 MgO 보호막층(500)을 형성한다.Then, as shown in FIG. 5I, the MgO passivation layer 500 is formed on the upper dielectric layer 401 where the nano tip 610 is mechanically held by using a thin film deposition process such as electron beam deposition, ion plating, plasma sputtering, or the like. do.
경우에 따라서는, 본 발명의 본질을 왜곡하지 않으면서 발명의 효과를 더욱 증진시키기 위하여 기타의 과정들이 더 포함될 수도 있다. In some cases, other procedures may be further included to further enhance the effect of the invention without distorting the nature of the invention.
도 6에는 본 발명의 하나의 실시예에 따라 제조된 나노 팁-포함 전면판에 대한 전압-발광 휘도 측정실험의 결과를 보여주는 그래프가 개시되어 있다. 상기에 대한 실험조건을 설명하면 다음과 같다.FIG. 6 discloses a graph showing the results of voltage-emitting luminance measurements on nanotip-containing faceplates made in accordance with one embodiment of the present invention. The experimental conditions for the above are described as follows.
우선, 나노 팁으로서 탄소나노튜브를 사용하여 10 ppm 농도의 현탁액을 만들고, 도 5a 내지 5i에서와 같은 방법으로, 전면판을 제조하였다. 구체적으로, PD-200 유리기판상에 형성되어 있는 ITO 투명 전극 재료막을 에칭하여 소망하는 투명 전극의 형상으로 형성한 후, 감광성 Ag 페이스트를 5 ~ 15 ㎛ 두께로 전면 인쇄하였다. 이와 같이 인쇄된 페이스트를 소정의 마스크를 이용하여 노광, 현상, 건조 및 소결 과정을 거쳐서 버스 전극을 형성하였다. 투명 유전체 페이스트를 상기 전극이 형성되어 있는 유리 기판상에 인쇄하고, 건조 및 소결 과정을 거쳐 10 내지 20 ㎛ 두께의 하부 유전층을 형성하였다. 그런 다음, 투명 유전체 페이스트를 인쇄, 건조 및 예비 소성 과정을 거쳐 10 내지 20 ㎛ 두께의 상부 유전층을 형성하였다. 상기 현탁액을 사용하여, 도 5c 내지 도 5e에서와 같이, 상부 유전층에 나노 팁 재료를 심은 후, 완전 소결하고, 그 위에 MgO 보호막 재료를 500 내지 700 nm 두께로 형성하였다. 이와 같이 제조된 전면판을, 격벽과 형광막이 형성되어 있는 배면판과 배기 봉착 과정을 거쳐 PDP 패널로 제조하였다.First, a suspension of 10 ppm concentration was prepared using carbon nanotubes as nanotips, and a front plate was manufactured in the same manner as in FIGS. 5A to 5I. Specifically, the ITO transparent electrode material film formed on the PD-200 glass substrate was etched to form the desired transparent electrode shape, and then the photosensitive Ag paste was printed on the entire surface with a thickness of 5 to 15 µm. The printed paste was then exposed, developed, dried, and sintered using a predetermined mask to form a bus electrode. The transparent dielectric paste was printed on a glass substrate on which the electrode was formed, and then dried and sintered to form a lower dielectric layer having a thickness of 10 to 20 μm. The transparent dielectric paste was then printed, dried and prebaked to form a top dielectric layer of 10-20 μm thickness. Using this suspension, as in FIGS. 5C-5E, the nano tip material was planted in the upper dielectric layer, followed by complete sintering, to form a 500-700 nm thick MgO protective film material thereon. The front plate manufactured as described above was manufactured as a PDP panel through a back plate having a partition wall and a fluorescent film formed thereon and an exhaust sealing process.
상기 PDP 패널을 사용하여, 방전 가스 성분 Ne-12%Xe 및 방전 가스 압력 400 Torr의 조건에서, 휘도를 측정하여 도 6a에 도시하였다. 도 6a에서 볼 수 있는 바와 같이 본 발명에 따른 전면판을 사용한 PDP는 기존의 PDP와 유사하게 서스테인 전압이 증가함에 따라 휘도가 증가하고, 구동 전압이 인가되는 주파수가 증가함에 따라 증가하는 것을 볼 수 있다. Using the PDP panel, the luminance was measured under the conditions of the discharge gas component Ne-12% Xe and the discharge gas pressure 400 Torr and shown in Fig. 6A. As can be seen in Figure 6a, the PDP using the front panel according to the present invention can be seen that the luminance increases with the increase of the sustain voltage, and increases with the frequency of the driving voltage is applied, similar to the conventional PDP have.
또한, 상기 PDP 패널을 사용하여, 방전 가스 성분 Ne-12%Xe 및 구동 전압 주파수 50 kHz의 조건에서, 서스테인 전압의 변화에 따른 발광 휘도를 측정하였고, 종래의 PDP의 그것과 비교하여 도 6b에 함께 나타내었다. 도 6b에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 전면판을 사용한 PDP(Hybrid PDP)의 발광 휘도는 종래의 PDP에 비하여 2배 이상 증가하고, 특히 낮은 유지 전압에서 그것의 효과가 뛰어난 것을 볼 수 있다. 이러한 현상은 방전셀 내에서 플라스마 방전이 발생할 때, 나노 팁으로부터의 전계 방출과 MgO 보호막으로부터의 이차 전자의 방출에 의하여 방전 전류가 증가하기 때문으로 판단된다.In addition, using the PDP panel, the luminescence brightness according to the change of the sustain voltage was measured under the conditions of the discharge gas component Ne-12% Xe and the driving voltage frequency of 50 kHz, and compared with that of the conventional PDP in Fig. 6B. Shown together. As shown in FIG. 6B, the light emission luminance of the PDP (Hybrid PDP) using the front plate according to the present invention is increased by more than two times compared to the conventional PDP, and it can be seen that its effect is excellent, especially at low holding voltage. This phenomenon is considered to be due to the increase in the discharge current due to the field emission from the nano tip and the emission of secondary electrons from the MgO protective film when plasma discharge occurs in the discharge cell.
또한, 상기 PDP 패널을 제조함에 있어서, 상부 유전층내에 포함되어 있는 탄소나노튜브의 밀도와 방전 전압의 관계를 측정하여 도 6c에 나타내었다. 본 실험은 방전 가스 성분 Ne-4%Xe, 방전 가스 압력 400 torr 및 방전 전압 주파수 30 kHz의 조건하에서 수행되었다. 그 결과, 도 6c에서 볼 수 있는 바와 같이, 탄소나노튜브의 밀도가 증가함에 따라 방전 전압이 감소하는 것을 볼 수 있다. 이와 같은 현상은 탄소나노튜브의 밀도가 증가함에 따라, 전계 방출에 의한 전자 밀도가 증가하고, 이것이 Paschen 방전 전압을 낮추기 때문으로 판단된다.In the manufacture of the PDP panel, the relationship between the density and the discharge voltage of the carbon nanotubes included in the upper dielectric layer was measured and shown in FIG. 6C. This experiment was carried out under the conditions of the discharge gas component Ne-4% Xe, the discharge gas pressure 400 torr and the discharge voltage frequency 30 kHz. As a result, as can be seen in Figure 6c, it can be seen that the discharge voltage decreases as the density of the carbon nanotubes increases. This phenomenon is considered to be due to the increase in the density of carbon nanotubes, the electron density due to the field emission increases, which lowers the Paschen discharge voltage.
상기 PDP 패널을 어드레싱(addressing)할 때, 방전이 개시되는 시간을 측정하여 도 6d에 나타내었다. 도 6d에서 볼 수 있는 바와 같이, 탄소나노튜브를 포함한 PDP의 경우에는 방전 지연(delay)이 기존의 PDP에 비하여 짧은 것을 볼 수 있다. When addressing the PDP panel, the time at which discharge starts is measured and shown in FIG. 6D. As shown in FIG. 6D, in the case of the PDP including carbon nanotubes, the discharge delay may be shorter than that of the conventional PDP.
본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be able to make various applications and modifications within the scope of the present invention based on the above contents.
본 발명에 따른 PDP 소자용 전면판은, 보호막으로부터 효과적인 전자의 방출이 가능하고, 이에 따라 구동 전압 및 방전 효율을 향상시킬 수 있다. 구동 전압의 감소는 보호막에 충돌하는 이온 및 전자의 에너지를 감소시킴으로써, 보호막의 수명을 향상시키고 형광체의 수명을 증대시킬 수 있다. 또한, 방전전압의 감소는 PDP에 사용되는 각종 전자 부품의 작동전압을 감소시켜, 제조원가를 감소시키는 역할을 할 것이다.The front plate for the PDP element according to the present invention can effectively discharge electrons from the protective film, thereby improving the driving voltage and the discharge efficiency. Reduction of the driving voltage reduces the energy of ions and electrons that collide with the protective film, thereby improving the life of the protective film and increasing the life of the phosphor. In addition, the reduction of the discharge voltage will reduce the operating voltage of the various electronic components used in the PDP, thereby reducing the manufacturing cost.
도 1은 면 방전형 교류 플라즈마 디스플레이 소자의 단면 모식도이고;1 is a schematic cross-sectional view of a surface discharge type AC plasma display device;
도 2는 나노 팁을 포함하고 있는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전면판의 모식도이고;2 is a schematic diagram of a faceplate according to one embodiment of the present invention including a nanotip;
도 3은 상부 유전층으로부터 돌출되어 있는 나노 팁들의 전계 왜곡에 의한 전계 강화를 보여주는 모식도이고;3 is a schematic diagram showing electric field enhancement by electric field distortion of nano tips protruding from an upper dielectric layer;
도 4a 내지 4c는 본 발명에 따른 전면판상에서의 나노 팁들의 다양한 배열 방식과 각각의 나노 팁을 이루는 다양한 나노 입자들의 수를 보여주는 모식도들이고;4A to 4C are schematic diagrams showing various arrangements of nano tips on the front plate according to the present invention and the number of various nano particles forming each nano tip;
도 5a 내지 5i는 본 발명에 따른 PDP용 전면판의 제조를 위한 하나의 실시예에 따른 방법을 단계별로 나타낸 모식도들이고; 5a to 5i are schematic diagrams showing step by step a method according to one embodiment for the manufacture of a front plate for a PDP according to the present invention;
도 6a 내지 6d는 나노 팁의 재료로서 탄소나노튜브를 포함하고 있는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전면판을 사용한 PDP의 발광 특성을 나타낸 그래프들이다.6A to 6D are graphs illustrating light emission characteristics of PDPs using a front plate according to an embodiment of the present invention including carbon nanotubes as a material of nanotips.
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100730182B1 (en) * | 2005-12-12 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | Display device |
| KR100741095B1 (en) * | 2005-12-12 | 2007-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Display device |
| KR100759447B1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Flat panel display and manufacturing method |
| KR100777727B1 (en) * | 2005-11-24 | 2007-11-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | Display device |
| KR100824259B1 (en) * | 2007-06-12 | 2008-04-24 | (주)우진기계 | Arrangement of integrated manifold and converter for leak tester |
| KR102736166B1 (en) * | 2024-06-17 | 2024-11-28 | 연세대학교 산학협력단 | Technology for improving power consumption and response time by improving the electrical properties of thin films made of molybdenum sulfide doped in inorganic solutions |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122196A (en) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma display panel and driving method thereof |
| JP2001176398A (en) * | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Toray Ind Inc | Plasma display and its member |
| KR100490527B1 (en) * | 2000-02-07 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | Secondary electron amplification structure applying carbon nanotube and plasma display panel and back light using the same |
| JP2001266752A (en) * | 2000-03-24 | 2001-09-28 | Dainippon Printing Co Ltd | Back plate for plasma display panel and plasma display panel using the same |
| JP2003272512A (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Kanekkusu:Kk | Electrode of display device and its manufacturing method |
-
2004
- 2004-03-26 KR KR1020040020758A patent/KR20050095381A/en not_active Ceased
-
2005
- 2005-03-25 WO PCT/KR2005/000868 patent/WO2006004262A1/en active Application Filing
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100777727B1 (en) * | 2005-11-24 | 2007-11-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | Display device |
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| EP1796126A3 (en) * | 2005-12-12 | 2009-05-27 | Samsung SDI Co., Ltd. | Display Device |
| KR100824259B1 (en) * | 2007-06-12 | 2008-04-24 | (주)우진기계 | Arrangement of integrated manifold and converter for leak tester |
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