KR20040006677A - Current saving device - Google Patents
Current saving device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040006677A KR20040006677A KR1020020041017A KR20020041017A KR20040006677A KR 20040006677 A KR20040006677 A KR 20040006677A KR 1020020041017 A KR1020020041017 A KR 1020020041017A KR 20020041017 A KR20020041017 A KR 20020041017A KR 20040006677 A KR20040006677 A KR 20040006677A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- internal clock
- signal
- control signal
- output
- inverting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/12—Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Dram (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
본 발명의 전류 절약장치는 칩 선택신호 /CS를 인가받아 내부 클럭 ICLK의 발생 여부를 결정하는 제어신호 CS_CLKB를 출력하는 내부 클럭 제어신호 발생부 및 외부 클럭 CLK와 상기 제어신호 CS_CLKB의 논리 상태에 따라 내부 클럭 ICLK을 발생시키는 내부 클럭 발생부를 구비하여 칩 선택신호 /CS가 로우 레벨인 경우에만 내부 클럭을 발생시킨다. 이처럼, 명령이 인가되는 클럭 사이클에서만 내부 클럭을 발생시킴으로써 불필요한 내부 클럭 발생에 따른 전류 소모를 방지할 수 있는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, the current saving device is provided with a chip select signal / CS and outputs a control signal CS_CLKB for determining whether an internal clock ICLK is generated. An internal clock generator for generating an internal clock ICLK is provided to generate an internal clock only when the chip select signal / CS is at a low level. As such, since the internal clock is generated only in the clock cycle to which the command is applied, current consumption due to unnecessary internal clock generation can be prevented.
Description
본 발명은 반도체 메모리에서 전류를 절약하기 위한 회로에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 칩 선택신호를 이용하여 특정의 경우에만 내부 클럭을 발생시켜 불필요한 내부 클럭 발생에 따른 전류의 소비를 차단하기 위한 전류 절약회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit for saving current in a semiconductor memory, and more particularly, to generate an internal clock only in a specific case by using a chip select signal to cut current consumption due to unnecessary internal clock generation. It is about a saving circuit.
종래의 반도체 메모리에서는 명령이 들어오지 않는 클럭 사이클에서도 제품 내부 클럭을 항상 만들어 낸다.In conventional semiconductor memory, the internal clock of the product is always generated even in a clock cycle in which no command is input.
내부 클럭의 역할은 크게 명령과 주소를 외부 클럭에 동기시켜 받아들이는 것과 나머지로 나눌 수 있다. 이때, 나머지에 해당되는 역할을 위해서 명령과 주소가 입력되었는지 여부와 무관하게 클럭이 카운팅되어야 한다.The role of the internal clock can be largely divided into accepting commands and addresses synchronously with the external clock, and the rest. At this time, the clock should be counted regardless of whether a command and an address have been input for the remaining roles.
상술한 바에서 명령과 주소를 외부 클럭에 동기시켜 받아들이기 위하여 소비하는 전류는 전체 내부 클럭이 소모하는 전류 중 대부분을 차지한다.As described above, the current consumed to receive commands and addresses in synchronization with the external clock accounts for most of the current consumed by the entire internal clock.
그러나, 명령이 들어오지 않는 클럭 사이클에서도 내부 클럭이 모두 적용되므로 꼭 사용할 필요가 없는 전류를 소모하게 된다.However, even internal clocks are applied to clock cycles without instructions, consuming current that is not necessary.
따라서, 상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 명령이 들어오는 클럭 사이클에서는 항상 칩 선택신호가 인에이블 상태이어야 하는 규칙을 이용하여 칩 선택신호가 인에이블 상태에서 명령과 주소를 외부 클럭에 동기화시키는 내부 클럭이 발생되도록 하여 불필요한 클럭 동작에 따른 전류 소모를 방지하여 전류를 절약할 수 있도록 하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention to solve the above problem is to synchronize the command and address to the external clock in the chip select signal enabled state by using the rule that the chip select signal must be enabled in the clock cycle in which the command is received. The internal clock is generated to prevent the current consumption due to unnecessary clock operation to save the current.
도 1은 본 발명에 따른 전류 절약장치의 구성도,1 is a block diagram of a current saving device according to the present invention,
도 2는 본 발명에 따른 전류 절약장치의 제 1실시예를 나타내는 회로도,2 is a circuit diagram showing a first embodiment of the current saving device according to the present invention;
도 3은 본 발명의 제 1실시예의 동작 타이밍도,3 is an operation timing diagram of the first embodiment of the present invention;
도 4는 본 발명에 따른 전류 절약장치의 제 2실시예를 나타내는 회로도,4 is a circuit diagram showing a second embodiment of the current saving device according to the present invention;
도 5는 본 발명의 제 2실시예의 동작 타이밍도,5 is an operation timing diagram of a second embodiment of the present invention;
도 6은 본 발명에 따른 전류 절약장치의 제 3실시예를 나타내는 회로도,6 is a circuit diagram showing a third embodiment of the current saving device according to the present invention;
도 7은 본 발명에 따른 전류 절약장치의 제 4실시예를 나타내는 회로도,7 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the current saving device according to the present invention;
위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 전류 절약장치는 칩 선택신호 /CS를 인가받아 내부 클럭 ICLK의 발생 여부를 결정하는 제어신호 CS_CLKB를 출력하는 내부 클럭 제어신호 발생부 및 외부 클럭신호 CLK와 제어신호 CS_CLKB의 상태에 따라 내부 클럭 ICLK을 발생시키는 내부 클럭 발생부를 구비한다.The current saving device of the present invention for achieving the above object is controlled with an internal clock control signal generator and an external clock signal CLK for outputting a control signal CS_CLKB for determining whether an internal clock ICLK is generated by receiving a chip select signal / CS. An internal clock generator for generating an internal clock ICLK according to the state of the signal CS_CLKB is provided.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 전류 절약장치의 구성을 나타내는 도면이다.1 is a view showing the configuration of the current saving device of the present invention.
내부 클럭 제어신호 발생부(10)는 칩 선택신호 /CS를 인가받아 내부 클럭 발생 여부를 결정하는 제어신호 CS_CLKB를 발생한다.The internal clock control signal generator 10 receives the chip select signal / CS and generates a control signal CS_CLKB that determines whether an internal clock is generated.
내부 클럭 제어신호 발생부(10)는 칩 선택신호 /CS가 하이 레벨이면 내부 클럭을 생성하지 않도록 제어신호 CS_CLKB를 로우 레벨로 출력하고, 칩 선택신호 /CS가 로우 레벨이면 내부 클럭을 생성하도록 제어신호 CS_CLKB를 하이 레벨로 출력한다.The internal clock control signal generator 10 outputs the control signal CS_CLKB at a low level so as not to generate an internal clock when the chip select signal / CS is at a high level, and generates an internal clock when the chip select signal / CS is at a low level. The signal CS_CLKB is output at a high level.
내부 클럭 발생부(20)는 외부 클럭 CLK과 내부 클럭 제어신호 발생부(10)로부터의 제어신호 CS_CLKB의 상태에 따라 명령과 주소를 외부 클럭에 동기화시키기 위한 내부 클럭 ICLK을 출력한다.The internal clock generator 20 outputs an internal clock ICLK for synchronizing commands and addresses to the external clock according to the state of the external clock CLK and the control signal CS_CLKB from the internal clock control signal generator 10.
내부 클럭 발생부(20)는 제어신호 CS_CLKB가 하이 레벨인 경우에는 내부 클럭 ICLK을 발생시키고 제어신호 CS_CLKB가 로우 레벨이면 내부 클럭 ICLK을 발생시키지 않고 로우 레벨로 고정된다.The internal clock generator 20 generates an internal clock ICLK when the control signal CS_CLKB is at a high level and is fixed at a low level without generating an internal clock ICLK when the control signal CS_CLKB is at a low level.
도 2는 본 발명의 전류 절약장치를 실제 구현한 제 1실시예를 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram showing a first embodiment in which the current saving device of the present invention is actually implemented.
내부 클럭 제어신호 발생부(10)는 칩 선택신호 /CS를 인가받아 반전시켜 출력하는 인버터 I1를 구비하며, 내부 클럭 발생부(20)는 외부 클럭 CLK과 제어신호 CS_CLKB가 입력단에 연결되어 출력신호 CLKB를 출력하는 낸드게이트 ND1 및 낸드게이트 ND1의 출력신호 CLKB를 인가받아 반전시켜 내부 클럭 ICLK을 출력하는 인버터 I2를 구비한다.The internal clock control signal generator 10 includes an inverter I1 that receives the chip select signal / CS and inverts the output signal. The internal clock generator 20 has an external clock CLK and a control signal CS_CLKB connected to an input terminal to output an output signal. A NAND gate ND1 for outputting CLKB and an inverter I2 for outputting the internal clock ICLK by inverting the output signal CLKB of the NAND gate ND1 are provided.
도 3은 본 발명의 제 1실시예의 동작 타이밍도이다.3 is an operation timing diagram of the first embodiment of the present invention.
칩 선택신호 /CS가 하이 레벨이면 인버터 I1는 이를 반전시켜 로우 레벨의 제어신호 CS_CLKB를 출력한다.When the chip select signal / CS is at a high level, the inverter I1 inverts the output signal and outputs a low level control signal CS_CLKB.
이때, 낸드게이트 ND1는 하이 레벨인 외부 클럭 CLK과 로우 레벨인 제어신호 CS_CLKB를 인가받으면 하이 레벨의 출력신호 CLKB를 출력하고 이는 인버터 I2에 의해 반전되어 내부 클럭 ICLK은 출력되지 않고 로우 레벨로 고정된다.At this time, when the NAND gate ND1 receives the high level external clock CLK and the low level control signal CS_CLKB, the NAND gate ND1 outputs the high level output signal CLKB, which is inverted by the inverter I2 so that the internal clock ICLK is fixed to a low level without being output. .
칩 선택신호 /CS가 로우 레벨로 천이되면 제어신호 CS_CLKB가 하이 레벨로 천이되고 제어신호 CS_CLKB가 하이 레벨로 유지되는 동안 외부 클럭 CLK이 하이 레벨로 천이되면 낸드게이트 ND1는 두 입력단에 하이 레벨이 인가되어 로우 레벨의 출력신호 CLKB를 출력하고 이는 인버터 I2에 의해 반전되어 내부 클럭 ICLK이 하이 레벨로 출력된다.When the chip select signal / CS transitions to a low level, when the external signal CLK transitions to a high level while the control signal CS_CLKB transitions to a high level and the control signal CS_CLKB remains at a high level, the NAND gate ND1 applies a high level to both input terminals. The low level output signal CLKB is output, which is inverted by the inverter I2 to output the internal clock ICLK to the high level.
도 4는 본 발명의 제 2실시예를 나타내는 회로도로 낸다.Fig. 4 shows a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.
본 실시예에서의 내부 클럭 제어신호 발생부(30)는 칩 선택신호 /CS을 반전시켜 제어신호 CS_CLKB를 출력하는 반전부(32) 및 반전부(32)의 제어신호 CS_CLKB의 변동(floating)을 방지하기 위한 래치부(34)를 구비한다.The internal clock control signal generator 30 in the present embodiment inverts the chip select signal / CS to invert the floating of the control signal CS_CLKB of the inverter 32 and the inverter 32 that outputs the control signal CS_CLKB. A latch portion 34 is provided for preventing.
여기에서, 반전부(32)는 PMOS트랜지스터 P1와 두 개의 NMOS트랜지스터 N1, N2가 전원전압과 접지전압단 사이에 직렬 연결된다. 그리고, PMOS트랜지터 P1와 NMOS트랜지스터 N1의 게이트 단자는 공통 연결되어 칩 선택신호 /CS를 인가받으며 드레인 단자는 공통 연결되어 제어신호 CS_CLKB를 출력한다.In this case, the inverting unit 32 has a PMOS transistor P1 and two NMOS transistors N1 and N2 connected in series between a power supply voltage and a ground voltage terminal. The gate terminals of the PMOS transistor P1 and the NMOS transistor N1 are commonly connected to receive the chip select signal / CS, and the drain terminals are commonly connected to output the control signal CS_CLKB.
또한, NMOS트랜지스터 N2의 게이트 단자는 내부 클럭 발생부(40)의 낸드게이트 ND2의 출력신호 CLKB와 연결된다.The gate terminal of the NMOS transistor N2 is connected to the output signal CLKB of the NAND gate ND2 of the internal clock generator 40.
래치부(34)는 두개의 인버터 I3, I4가 직렬 연결되며 입·출력 단자가 반전부(32)의 출력단자와 연결되어 제어신호 CS_CLKB의 레벨을 유지시켜준다.The latch unit 34 has two inverters I3 and I4 connected in series, and an input / output terminal is connected to an output terminal of the inverting unit 32 to maintain the level of the control signal CS_CLKB.
내부 클럭 발생부(40)는 외부 클럭 CLK와 제어신호 CS_CLKB를 입력신호로 하는 낸드게이트 ND2와 인버터 I5가 직렬 연결되며, 낸드게이트 ND2의 출력신호 CLKB는 반전부(32)의 NMOS트랜지스터 N2의 게이트 단자로 인가된다.The internal clock generator 40 is connected to the NAND gate ND2 in which the external clock CLK and the control signal CS_CLKB are input signals in series, and the inverter I5 is connected in series. The output signal CLKB of the NAND gate ND2 is the gate of the NMOS transistor N2 of the inverter 32. It is applied to the terminal.
도 5는 본 발명의 제 2실시예의 동작 타이밍도이다.5 is an operation timing diagram of the second embodiment of the present invention.
칩 선택신호 /CS가 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이되면 PMOS트랜지스터 P1가 온 되어 제어신호 CS_CLKB는 하이 레벨로 천이된다. 제어신호 CS_CLKB가 하이 레벨로 유지되는 동안 외부 클럭 CLK이 하이 레벨로 천이되면 낸드게이트 ND2는 두 입력단에 하이 레벨이 인가되어 로우 레벨의 신호 CLKB를 출력하고 이는 인버터 I5에 의해 반전되어 내부 클럭 ICLK이 하이 레벨로 출력된다.When the chip select signal / CS transitions from the high level to the low level, the PMOS transistor P1 is turned on so that the control signal CS_CLKB transitions to the high level. If the external clock CLK transitions to a high level while the control signal CS_CLKB is held at a high level, the NAND gate ND2 is applied with a high level to both input terminals to output a low level signal CLKB, which is inverted by the inverter I5 so that the internal clock ICLK is inverted. Output is at high level.
여기에서, 칩 선택신호 /CS가 하이 레벨로 천이되어도 제어신호 CS_CLKB는 래치부(34)에 의해 이전 값인 하이 레벨이 유지된다. 따라서, 낸드게이트 ND2의 출력신호 CLKB는 외부 클럭 CLK이 로우 레벨로 천이될 때 까지 로우 레벨을 유지하고 내부 클럭 ICLK는 하이 레벨로 유지되며 출력된다.Here, even when the chip select signal / CS is transitioned to the high level, the control signal CS_CLKB is maintained by the latch unit 34, which is the previous level. Therefore, the output signal CLKB of the NAND gate ND2 is maintained at a low level until the external clock CLK transitions to a low level, and the internal clock ICLK is maintained at a high level and output.
따라서, 본 실시예에서는 제 1실시예에서와 같이 칩 선택신호 /CS가 하이 레벨로 천이되는 시간과 상관없이 외부 클럭 CLK의 파형이 내부 클럭 ICLK에 모두 전달된다.Therefore, in this embodiment, as in the first embodiment, the waveforms of the external clock CLK are all transmitted to the internal clock ICLK regardless of the time when the chip select signal / CS transitions to the high level.
도 6은 본 발명의 제 3실시예를 나타내는 도면이다.6 is a view showing a third embodiment of the present invention.
본 실시예에서 칩 선택신호 /CS의 영향을 받지 않고 외부 클럭 CLK을 내부 클럭 ICLK2으로 출력하기 위해 외부 클럭 CLK을 비반전시켜 출력신호 ICLK2를 출력하는 비반전부(50)를 더 구비한다. 이러한 비반전부(50)는 외부 클럭 CLK를 반전시켜 신호 CLKB2를 출력하는 인버터 I6와 출력신호 CLKB2를 반전시켜 내부 클럭 ICLK2를 출력하는 인버터 I7가 직렬 연결된다.In the present embodiment, the non-inverting part 50 is further provided to output the output signal ICLK2 by non-inverting the external clock CLK to output the external clock CLK to the internal clock ICLK2 without being affected by the chip select signal / CS. The non-inverting unit 50 is connected in series with an inverter I6 inverting the external clock CLK and outputting the signal CLKB2 and an inverter I7 inverting the output signal CLKB2 and outputting the internal clock ICLK2.
도 7은 본 발명의 제 4실시예를 나타내는 도면으로 내부 클럭 제어신호 발생부(30)의 NMOS트랜지스터 N2의 게이트 단자로 인가되는 신호를 출력신호 CLKB를 사용하지 않고 외부 클럭 CLK을 반전시킨 신호 CLKB2를 사용하는 경우이다.FIG. 7 is a diagram illustrating a fourth embodiment of the present invention. A signal CLKB2 obtained by inverting an external clock CLK without using an output signal CLKB for a signal applied to a gate terminal of an NMOS transistor N2 of an internal clock control signal generator 30 is shown. This is the case.
이러한 경우에도 도 5와 동일한 내부 클럭 ICLK 파형을 얻을 수 있게된다.Even in this case, the same internal clock ICLK waveform as in FIG. 5 can be obtained.
상술한 바와 같이, 본 발명은 칩 선택신호가 로우 레벨인 경우에만 내부 클럭이 발생되도록 함으로써 불필요한 내부 클럭 발생에 사용되는 전류 소모를 방지할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention has the effect that the internal clock is generated only when the chip select signal is at a low level, thereby preventing the current consumption used to generate unnecessary internal clocks.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020041017A KR20040006677A (en) | 2002-07-13 | 2002-07-13 | Current saving device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020041017A KR20040006677A (en) | 2002-07-13 | 2002-07-13 | Current saving device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040006677A true KR20040006677A (en) | 2004-01-24 |
Family
ID=37316546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020041017A Ceased KR20040006677A (en) | 2002-07-13 | 2002-07-13 | Current saving device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20040006677A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8130588B2 (en) | 2009-03-20 | 2012-03-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device having power saving mode |
-
2002
- 2002-07-13 KR KR1020020041017A patent/KR20040006677A/en not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8130588B2 (en) | 2009-03-20 | 2012-03-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device having power saving mode |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3549751B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| US6198327B1 (en) | Pulse generator with improved high speed performance for generating a constant pulse width | |
| KR20050041584A (en) | Data output control circuit | |
| US7522469B2 (en) | Memory device having small clock buffer | |
| KR101996003B1 (en) | Clock control device | |
| US20050237098A1 (en) | Pulse generator | |
| US6346823B1 (en) | Pulse generator for providing pulse signal with constant pulse width | |
| USRE46141E1 (en) | Semiconductor device and timing control method for the same | |
| KR20010004957A (en) | A data strobe buffer in synchronous DRAM | |
| KR100672128B1 (en) | A clock control circuit for reducing current consumption during input operation of address signals and control signals, a semiconductor memory device including the same, and an input operation method thereof | |
| KR20040006677A (en) | Current saving device | |
| US6310823B1 (en) | Circuit for generating internal column strobe signal in synchronous semiconductor memory device | |
| KR20060054575A (en) | Command decoder of semiconductor memory device | |
| KR100398575B1 (en) | High voltage generation circuit of semiconductor memory device | |
| KR100362201B1 (en) | Semiconductor memory device having clock control circuit | |
| KR100755060B1 (en) | Buffer | |
| KR100333701B1 (en) | A data strobe buffer in synchronous DRAM | |
| KR100452642B1 (en) | Device for generating clock | |
| KR20110045394A (en) | Semiconductor memory device and driving method thereof | |
| KR100356525B1 (en) | Pulse generator | |
| US20090168584A1 (en) | Semiconductor memory device and operation method thereof | |
| KR100313095B1 (en) | Pipeline counter of semiconductor memory | |
| KR100607350B1 (en) | Disable circuit | |
| KR101004499B1 (en) | Circuit for generating clock pulse | |
| KR100211121B1 (en) | A circuit of input buffer of synchronous dynamic random access memory device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20020713 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20070627 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20020713 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20080616 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20081216 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20080616 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| PJ0201 | Trial against decision of rejection |
Patent event date: 20090116 Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal Patent event code: PJ02012R01D Patent event date: 20081216 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PJ02011S01I Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal Decision date: 20090930 Appeal identifier: 2009101000355 Request date: 20090116 |
|
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20090116 Effective date: 20090930 |
|
| PJ1301 | Trial decision |
Patent event code: PJ13011S01D Patent event date: 20090930 Comment text: Trial Decision on Objection to Decision on Refusal Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal Request date: 20090116 Decision date: 20090930 Appeal identifier: 2009101000355 |