KR200377501Y1 - Exhaust gas treating apparatus for semiconductor process - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 제조공정에서 발생되는 배기가스를 처리하기 위한 장치에 관한 것으로서, 반도체 공정에서 발생되는 배기가스를 처리하기 위한 장치에 있어서, 배기가스가 유입되는 유입구를 갖는 커버와, 상기 커버와 결합되며, 외부 하단에 처리된 가스가 배출되는 배출구를 갖는 몸체와, 상기 몸체 내부에 내장되어 유입된 배기가스내의 연소성 가스상을 연소시키는 히터와, 내부의 가스흐름을 제어함과 아울러 연소생성물이나 더스트 등의 미립자를 포집하기 위해 형성된 적어도 하나 이상의 원통형격자를 포함함을 특징으로 하는 반도체 공정의 배기가스 처리장치를 제공한다. The present invention relates to an apparatus for treating exhaust gas generated in a semiconductor manufacturing process, the apparatus for processing exhaust gas generated in a semiconductor process, comprising a cover having an inlet through which the exhaust gas flows, and coupled with the cover. A body having an outlet through which the treated gas is discharged at the lower end of the outer body, a heater for burning the combustible gas phase in the exhaust gas introduced into the body, controlling the gas flow therein, and a combustion product or dust It provides an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor process, characterized in that it comprises at least one cylindrical grid formed to collect the fine particles of.
Description
본 고안은 반도체 제조공정에서 발생되는 배기가스를 처리하기 위한 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조공정에서 발생되는 프로세스 배기가스나 클리닝 배기가스, 미반응 배기가스 등의 배기가스를 배출함에 있어 연소성을 갖는 유해한 가스상의 물질을 고온으로 연소시켜 안전한 상태로 배출되도록 함과 아울러 배기가스 내에 함유되어 있는 더스트 등의 미립자뿐만 아니라 연소시 생성되는 연소 생성물을 효과적으로 포집하여 제거할 수 있도록 한 반도체 공정용 배가가스 처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus for treating exhaust gas generated in a semiconductor manufacturing process, and more particularly, in exhausting process exhaust gas, cleaning exhaust gas, unreacted exhaust gas, etc. generated in a semiconductor manufacturing process. It is a semiconductor process that burns harmful gaseous substances having high combustibility at high temperature to be discharged in a safe state, and effectively captures and removes combustion products generated during combustion as well as fine particles such as dust contained in exhaust gas. It relates to a waste gas treatment apparatus.
일반적으로 반도체를 제조하는 공정에서는 독성이 강하고 부식성이 강한 각종 공정가스와 함께 클리닝가스를 포함하여 여러 종류의 가스를 사용되고 있는데, 반도체 제조공정 후에 발생되는 배기가스에는 상기 가스들의 미반응가스를 포함하여 각종 반응생성물이나 더스트 등의 미립자가 다량 함유되어 있다. 따라서 반도체 제조공정에서 배출되는 배기가스가 그대로 외부로 배출되는 경우 환경에 심대한 영향을 줄 수 있으므로 배기가스는 적절한 정화 처리장치를 거친 후 외부로 배출되는 것이 바람직하다. In general, in the semiconductor manufacturing process, various types of gases, including a cleaning gas, are used together with various highly toxic and corrosive process gases. Exhaust gas generated after the semiconductor manufacturing process includes unreacted gases of the above gases. It contains a large amount of fine particles such as various reaction products and dust. Therefore, when the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing process is discharged to the outside as it can have a significant impact on the environment, it is preferable that the exhaust gas is discharged to the outside after the appropriate purification treatment device.
반도체 제조공정에서 발생되는 배기가스는 다양한 방법을 적용하여 처리하고 있는데, 통상 공기와 접촉시켜 처리하거나, 가열하여 연소시켜 처리하거나, 물에 통과시켜 처리하거나, 약제와 반응시켜 처리하는 방법이 주로 사용되고 있다. 본 고안과 관련이 있는 배기가스를 가열하여 연소시키는 방법에서는 연소생성물이 생성되어 파우더로 침전되므로 이를 고려하여 배기가스의 처리장치를 설계하여야 한다. The exhaust gas generated in the semiconductor manufacturing process is processed by various methods. Usually, a method of treating the exhaust gas by contact with air, heating it to burn, treating it by passing through water, or reacting with a drug is mainly used. have. In the method of heating and combusting the exhaust gas related to the present invention, combustion products are generated and precipitated as powder, so the exhaust gas treatment apparatus should be designed in consideration of this.
이와 관련하여 배기가스에 함유된 더스트 등의 미립자를 포함하여 연소된 가스에 함유되어 있는 연소생성물이 효율적으로 침전되어 제거될 수 있는 배기가스 처리장치의 개발에 많은 연구가 수행되어 왔다. 그러나, 현재 개발된 대부분의 배기가스 처리장치는 그 구조가 복잡하고, 만족할 수 있는 정도의 처리효과를 얻지 못하고 있는 실정이다. In this regard, much research has been conducted on the development of an exhaust gas treating apparatus in which combustion products contained in a combusted gas, including particulates such as dust contained in exhaust gas, can be efficiently precipitated and removed. However, most of the exhaust gas treatment apparatuses developed at present are complicated in structure and do not obtain a satisfactory treatment effect.
이에 본 고안자는 구조가 간단하면서도 반도체 제조공정에서 발생되는 배기가스에 함유되어 있는 더스트 등의 미립자를 효과적으로 포집할 수 있을 뿐만 아니라 이와 동시에 연소성을 갖는 가스상의 물질을 연소시켜 연소가스 내에 함유되어 있는 연소생성물을 효과적으로 침전시켜 포집할 수 있는 처리장치를 연구하였으며, 그 결과로서 본 고안을 완성하였다. Accordingly, the inventors of the present invention can easily collect particulates such as dust contained in the exhaust gas generated in the semiconductor manufacturing process while having a simple structure, and at the same time, burn the gaseous material having combustibility to burn the gas contained in the combustion gas. A treatment apparatus capable of effectively sedimenting and collecting the product was studied, and as a result, the present invention was completed.
따라서, 본 고안은 반도체 제조공정에서 발생되는 프로세스 배기가스나 클리닝 배기가스, 미반응 배기가스 등의 배기가스를 배출함에 있어 연소성을 갖는 가스상의 물질을 고온으로 연소시켜 안전한 상태로 배출되도록 함과 아울러 배기가스 내에 함유되어 있는 더스트 등의 미립자뿐만 아니라 연소시 생성되는 연소 생성물을 효과적으로 포집하여 제거할 수 있도록 한 반도체 공정용 배가가스 처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다. Therefore, the present invention is to discharge the gaseous material having a combustibility at a high temperature to discharge in a safe state in the discharge of process exhaust gas, cleaning exhaust gas, unreacted exhaust gas, etc. generated in the semiconductor manufacturing process. It is an object of the present invention to provide a waste gas treatment apparatus for a semiconductor process capable of effectively collecting and removing not only particulates such as dust contained in exhaust gas, but also combustion products generated during combustion.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 반도체 공정에서 발생되는 배기가스를 처리하기 위한 장치에 있어서, 배기가스가 유입되는 유입구를 갖는 커버와, 상기 커버와 결합되며, 외부 하단에 처리된 가스가 배출되는 배출구를 갖는 몸체와, 상기 몸체 내부에 내장되어 유입된 배기가스내의 연소성 가스상을 연소시키는 히터와, 내부의 가스흐름을 제어함과 아울러 연소생성물이나 더스트 등의 미립자를 포집하기 위해 형성된 적어도 하나 이상의 원통형격자를 포함함을 특징으로 하는 반도체 공정의 배기가스 처리장치를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention is a device for treating the exhaust gas generated in the semiconductor process, the cover having an inlet for the exhaust gas is introduced, coupled with the cover, the treated gas is discharged to the outer lower end A body having a discharge port, a heater for burning the combustible gas phase in the exhaust gas introduced into the body, and at least one formed to control the gas flow therein and to collect particulates such as combustion products or dust Provided is an exhaust gas treating apparatus of a semiconductor process comprising a cylindrical grid.
또한 본 고안에서는 상기 몸체의 내측으로 내부온도를 감지하는 온도감지센서가 구비됨을 특징으로 하는 반도체 공정 배기가스 처리장치를 제공한다. In another aspect, the present invention provides a semiconductor process exhaust gas processing apparatus, characterized in that the temperature sensing sensor for detecting the internal temperature inside the body.
이하 본 고안을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명하기로 하나, 이는 본 고안의 이해를 돕기 위하여 제시된 것일 뿐, 본 고안이 이에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings, which are presented to assist in understanding the present invention, but the present invention is not limited thereto.
도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 배기가스 처리장치의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 배기가스 처리장치의 개략적인 부분절개 분해사시도이며, 도 3은 도 1에 도시된 배기가스 처리장치의 단면도이고, 도 4는 도 1에 도시된 배기가스 처리장치의 평단면도이다. 1 is a perspective view of an exhaust gas treating apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic partial cutaway exploded perspective view of the exhaust gas treating apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 3 is an exhaust gas shown in FIG. 1. 4 is a cross-sectional view of the treatment apparatus, and FIG. 4 is a plan sectional view of the exhaust gas treatment apparatus shown in FIG.
상기 도 1 내지 도 4에서 보는 바와 같이 본 고안에 따른 배기가스 처리장치는 배기가스가 유입되는 유입구(11)를 갖는 커버(10)와, 상기 커버(10)와 결합되며, 외부 하단에 처리된 가스가 배출되는 배출구(21)를 갖는 몸체(20)와, 상기 몸체(20) 내부에 내장되어 유입된 배기가스내의 연소성 가스상을 연소시키는 히터(30)와, 내부의 가스흐름을 제어함과 아울러 연소생성물이나 더스트 등의 미립자를 포집하기 위해 형성된 적어도 하나 이상의 원통형격자(40)를 포함한다. 1 to 4, the exhaust gas treating apparatus according to the present invention is coupled to the cover 10 and the cover 10 having an inlet 11 through which the exhaust gas flows, and is disposed at an outer lower end. A body 20 having a discharge port 21 through which gas is discharged, a heater 30 combusting the combustible gas phase in the exhaust gas introduced into the body 20, and controlling the gas flow therein; At least one cylindrical lattice 40 formed to collect particulates, such as combustion products and dust, is included.
여기서, 커버(10)에 형성된 유입구(11)는 챔버와 연결되게 결합되는 곳으로서, 반도체 제조공정에서 배출되는 프로세스 배기가스나 클리닝 배기가스, 미반응 배기가스 등의 배기가스가 상기 유입구(11)를 통해 몸체(20)의 내부로 유입된다. 커버(10)의 외주연에는 다수개의 결합공(12)이 형성되어 있는데, 이 결합공(12)은 몸체(20)와의 결합을 용이하게 하기 위하여 형성한 것다. 또한, 커버(10)의 개폐시 편리함을 위하여 손잡이(15)를 더 형성하였는데, 이는 필요에 따라 선택적으로 형성할 수 있는 것이다. Here, the inlet 11 formed in the cover 10 is coupled to the chamber, and the exhaust gas such as process exhaust gas, cleaning exhaust gas, or unreacted exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process is the inlet 11. It is introduced into the body 20 through the. A plurality of coupling holes 12 are formed at the outer circumference of the cover 10, and the coupling holes 12 are formed to facilitate the coupling with the body 20. In addition, the handle 15 is further formed for convenience of opening and closing the cover 10, which can be selectively formed as needed.
몸체(20)는 상기 커버(10)와 결합되는데, 이를 위하여 커버(10)의 외주연에 형성된 결합공(12)과 대응되게 다수개의 결합공(22)을 상부 외주연으로 형성하였으며, 볼트와 너트의 결합을 통해 상호 체결시키게 된다. 첨부된 도면에서는 몸체(20)와 커버(10)에 결합공(12,22)을 각각 형성한 후 볼트와 너트에 의하여 결합되는 것을 예를 들어 도시하였으나, 이는 필요에 따라서 변형이 가능한 것이다. 도면부호 14는 커버(10)와 몸체(20)의 결합시 완벽한 밀폐를 도모하기 위해 설치된 고무링이다. Body 20 is coupled to the cover 10, for this purpose formed a plurality of coupling holes 22 to the upper outer periphery corresponding to the coupling hole 12 formed on the outer periphery of the cover 10, The coupling is performed by the nut. In the accompanying drawings, for example, the coupling holes 12 and 22 are formed in the body 20 and the cover 10, respectively, and then coupled by a bolt and a nut, but this may be modified as necessary. Reference numeral 14 is a rubber ring installed to achieve a perfect seal when the cover 10 and the body 20 are coupled.
몸체(20)의 외부 하단에는 내부에서 처리된 가스가 배출되는 배출구(21)가 형성되는데, 이 배출구(21)는 진공펌프와 연결되어 있다. 따라서 처리장치 내부에서 소정의 과정을 거쳐 연소 및 정화처리된 가스가 배출구(21)를 통과하여 외부로 배출되게 된다. 이때, 배출구(21)로 배출되는 가스는 필요에 따라 후처리장치를 더 거치도록 할 수도 있으며, 이는 선택적으로 이루어질 수 있는 것이다. The outer lower end of the body 20 is formed with an outlet 21 for discharging the gas processed therein, the outlet 21 is connected to the vacuum pump. Therefore, the gas that has been burned and purified through a predetermined process in the processing apparatus passes through the outlet 21 and is discharged to the outside. At this time, the gas discharged to the outlet 21 may be further subjected to the after-treatment device, if necessary, which can be made selectively.
내부로 유입된 배기가스에서 연소성을 갖는 유해한 가스상을 고온하에서 연소시켜 안전한 상태로 변화시킨 후 외부로 배출되게 하기 위하여 내부에 히터(30)가 내장된다. 히터(30)는 통상의 반도체 처리공정에서 배출되는 배기가스에 함유되어 있는 연소성의 가스상을 연소시킬 수 있는 250℃ 이상의 고온을 낼 수 있는 전기히터 등을 적용하면 된다. In the exhaust gas introduced into the inside, a heater 30 is embedded therein so as to burn a harmful gas phase having combustibility at a high temperature to change to a safe state and then be discharged to the outside. The heater 30 may be an electric heater or the like capable of producing a high temperature of 250 ° C. or higher capable of burning the combustible gas phase contained in the exhaust gas discharged in a normal semiconductor processing step.
몸체(20) 내에 설치된 히터(30)에 의해 연소성을 갖는 가스상의 물질의 연소가 이루어지면 연소생성물이 생성되는데, 이 연소생성물은 중력에 의하여 침전되게 된다. 본 고안에서는 연소생성물이 효과적으로 침전되도록 함과 아울러 배기가스에 함유되어 있는 더스트 등의 미립자가 효과적으로 침전될 수 있도록 하기 위하여 몸체(20) 내부에 적어도 하나 이상의 원통형격자(40)가 형성된다. Combustion product is generated when the gaseous substance having combustibility is combusted by the heater 30 installed in the body 20, and the combustion product is precipitated by gravity. In the present invention, at least one cylindrical grid 40 is formed inside the body 20 in order to effectively precipitate the combustion products and to effectively precipitate particles such as dust contained in the exhaust gas.
원통형격자(40)는 유입구(11)를 통해 유입된 배기가스의 흐름을 제어하여 배기가스가 히터(30)를 거쳐 처리된 후 소정의 유도로를 따라 배출구(21)로 이동되게 도와준다. 이 과정에서 연소성의 가스상이 연소되게 되며, 아울러 연소에 의해 생성된 연소 생성물과 배기가스에 함유되어 있는 더스트 등의 미립자가 침전되게 된다. 원통형격자(40)는 필요에 따라서 다수개 설치할 수 있는데, 그 설치 개수가 증가되면 처리장치 내부에서 가스의 이동시간이 길어짐과 아울러 가스의 흐름방향의 많이 변화되어 침전효율이 증가되게 된다. The cylindrical grid 40 controls the flow of the exhaust gas introduced through the inlet 11 so that the exhaust gas is processed through the heater 30 and then moved to the outlet 21 along a predetermined induction path. In this process, the combustible gas phase is combusted, and the combustion products generated by the combustion and the particulates such as dust contained in the exhaust gas are precipitated. Cylindrical lattice 40 can be installed as needed, if the number of installation is increased, the movement time of the gas in the processing apparatus is increased and the flow direction of the gas is changed a lot, the precipitation efficiency is increased.
본 고안의 바람직한 실시예에 따르면 원통형격자(40)는 연결부재(13)에 의해 상기 커버(10)와 연결되어 고정되며, 상면은 밀폐되고 하면은 개방된 제1원통형격자(41)와, 상기 제1원통형격자(41)의 내부 상면에 부착됨과 아울러 배기원통형격자(44) 외측에 놓여지며, 하면이 개방되게 형성된 제3원통형격자(43)와, 몸체(20)의 내부 바닥면에 부착됨과 아울러 제1원통형격자(41)와 제3원통형격자(43)의 사이에 놓여지며, 상면이 개방되게 형성된 제2원통형격자(42), 및 개방된 상면을 가지면서 배출구(21)와 연결된 배기원통형격자(44)를 포함한다. According to a preferred embodiment of the present invention, the cylindrical grid 40 is connected to and fixed to the cover 10 by the connecting member 13, the upper surface is sealed and the lower surface is the first cylindrical grid 41 and the, It is attached to the inner upper surface of the first cylindrical grid 41 and placed outside the exhaust cylindrical grid 44, and attached to the third cylindrical grid 43 and the inner bottom surface of the body 20 formed to open the lower surface and In addition, it is disposed between the first cylindrical lattice 41 and the third cylindrical lattice 43, the second cylindrical lattice 42 formed to open the upper surface, and having an open upper surface and the exhaust cylinder type connected to the outlet 21 Lattice 44.
여기서 제1원통형격자(41)는 연결부재(13)를 통해 몸체(20)와 소정의 공간을 두고 이격되면서 고정되어 있는데, 유입구(11)를 통해 유입된 가스가 이 공간을 통해 하부로 이동한 후 하면을 통해 내부로 유입되어 상부로 이동하게 된다. 마찬가지로 제1원통형격자(41)와 제2원통형격자(42) 사이, 제2원통형격자(42)와 제3원통형격자(43) 사이, 및 제3원통형격자(43)와 배기원통형격자(44) 사이에는 소정의 공간이 확보되어 있다. 이렇게 확보된 공간은 배기가스나 연소가스의 흐름방향을 안내하는 유도로로 사용되며, 배기가스나 연소가스는 이 유도로를 따라 일정간격으로 진행방향을 바꾸면서 점차 배출구(21) 방향으로 이동하게 된다. 이러한 이동과정에서 가스는 진행방향을 일정간격으로 바꾸게 되는데, 이로 인하여 가스는 그 흐름에 방해를 받게 되며, 그에 따라 가스 내에 함유되어 있는 연소생성물이나 더스트 등의 미립자가 파우더 상태로 바닥에 쌓이게 된다. Here, the first cylindrical grid 41 is fixed while being spaced apart from the body 20 through a connecting member 13 with a predetermined space, and the gas introduced through the inlet 11 moves downward through this space. After entering the inside through the bottom is moved to the top. Similarly, between the first cylindrical lattice 41 and the second cylindrical lattice 42, between the second cylindrical lattice 42 and the third cylindrical lattice 43, and the third cylindrical lattice 43 and the exhaust cylindrical lattice 44. A predetermined space is secured in between. The space thus secured is used as an induction furnace for guiding the flow direction of the exhaust gas or the combustion gas, and the exhaust gas or the combustion gas gradually moves in the direction of the outlet 21 while changing the direction of movement along the induction path at a predetermined interval. . During this movement, the gas changes its direction of movement at a predetermined interval, which causes the gas to be disturbed by the flow, and thus, particulates such as combustion products or dust contained in the gas are accumulated in the powder state on the floor.
제3원통형격자(43)와 배기원통형격자(44) 사이를 통과한 처리가스는 배기원통형격자(44) 내부로 유입된 후 몸체(20) 외측 하부에 형성된 처리가스 배출구(21)를 통해 외부로 배출되게 된다. 아울러 원통형격자(40) 각각의 바닥에 침전된 파우더는 처리장치를 완전히 분해하여 제거하면 되고, 침전된 파우더의 처리 후 처리장치를 재조립하여 사용하면 된다. The processing gas passing between the third cylindrical grid 43 and the exhaust cylindrical grid 44 flows into the exhaust cylindrical grid 44 and then to the outside through the processing gas outlet 21 formed in the lower portion of the outer body 20. Will be discharged. In addition, the powder deposited on the bottom of each of the cylindrical grid 40 may be removed by completely disassembling the treatment device, and may be used by reassembling the treatment device after the treatment of the precipitated powder.
히터(30)는 다양한 위치에 설치될 수 있으나, 바람직하게는 도면에 도시된 바와 같이 제1원통형격자(41)와 제2원통형격자(42) 사이에 주연을 따라 설치되는 것이 좋다. 즉, 유입구(11)를 통해 유입된 배기가스가 제1원통형격자(41)와 몸체(20) 사이의 공간을 통해 하부로 이동한 후 제1원통형격자(41)와 제2원통형격자(42) 사이를 따라 다시 상부로 이동하는 과정에서 히터(30)와 접촉하게 하는 것이 좋다. The heater 30 may be installed at various positions. Preferably, the heater 30 may be installed along a circumference between the first cylindrical lattice 41 and the second cylindrical lattice 42 as shown in the drawing. That is, the exhaust gas introduced through the inlet 11 moves downward through the space between the first cylindrical grid 41 and the body 20, and then the first cylindrical grid 41 and the second cylindrical grid 42. In the process of moving back to the top along the interval is good to make contact with the heater 30.
이것은 배기가스가 제1원통형격자(41)와 몸체(20) 사이의 공간을 통해 하부로 이동하는 과정에서 배기가스에 함유되어 있는 더스트 등의 미립자의 중력에 의해 일부 침전되도록 한 상태에서 연소하기 위함이며, 아울러 제1원통형격자(41)와 제2원통형격자(42) 사이를 따라 배기가스가 상부로 이동하는 과정에서 히터(30)와 접촉하여 연소성의 가스상의 물질이 연소되면 연소생성물이 중력에 의해 효율적으로 침전되게 하기 위함이다. This is to burn in a state in which the exhaust gas is partially precipitated by the gravity of particulates such as dust contained in the exhaust gas in the process of moving downward through the space between the first cylindrical grid 41 and the body 20. In addition, when the combustible gaseous substance is combusted in contact with the heater 30 in the process of moving the exhaust gas upward along the first cylindrical lattice 41 and the second cylindrical lattice 42, the combustion product is subjected to gravity. In order to precipitate efficiently.
이때, 제1원통형격자는 그 측면의 전체 또는 측면의 하부에 다수개의 타공(411)을 형성하는 것이 바람직하다. 이것은 유입구(11)를 통해 유입된 배기가스가 제1원통형격자(41)와 몸체(20) 사이의 공간을 통해 하부로 이동하는 과정에서 배기가스의 일부가 상기 타공(411)을 통과하게 하기 위함이다. 이와 같이 배기가스의 일부가 상기 제1원통형격자(41)의 측면의 전체 또는 측면의 하부에 형성된 타공(411)을 통과되도록 하면, 이 과정에서 타공(411)이 형성되지 않은 부분에 배기가스가 부딪치면서 진행에 방해를 받게 되어 배기가스에 함유되어 있는 더스트 등의 미립자가 보다 효과적으로 침전되게 된다. At this time, it is preferable that the first cylindrical lattice forms a plurality of perforations 411 in the entirety of the side or the bottom of the side. This is to allow a portion of the exhaust gas to pass through the hole 411 in the process of the exhaust gas introduced through the inlet 11 is moved downward through the space between the first cylindrical grid 41 and the body 20. to be. As described above, when a part of the exhaust gas passes through the perforations 411 formed at the lower part of the entire side or the side of the first cylindrical lattice 41, the exhaust gas is formed at the portion where the perforations 411 are not formed in this process. The impact is impeded by the collision, the particulates such as dust contained in the exhaust gas precipitates more effectively.
히터(30)는 도면에 도시된 바와 같이 제1원통형격자(41)와 제2원통형격자(42) 사이의 주연을 따라 상하방향으로 굴곡지게 설치될 수 있으나, 필요에 따라서는 도면에 도시하지 않았으나 제1원통형격자(41)와 제2원통형격자(42) 사이의 주연을 따라 나선방향으로 감아서 설치할 수도 있다. 또한, 히터(30)는 필요에 따라서 제2원통형격자(42)와 제3원통형격자(43) 사이 또는 제3원통형격자(43)와 배기원통형격자(44) 사이에 더 설치될 수 있으며, 이와 같이 함으로서 유해한 연소성 가스상을 완전 연소시켜 무해한 가스 상태로 외부로 배출할 수 있게 된다. The heater 30 may be installed to be bent up and down along the periphery between the first cylindrical lattice 41 and the second cylindrical lattice 42, as shown in the figure, although not shown in the drawing if necessary It can also be wound and installed in the helical direction along the periphery between the 1st cylindrical lattice 41 and the 2nd cylindrical lattice 42. FIG. In addition, the heater 30 may be further installed between the second cylindrical lattice 42 and the third cylindrical lattice 43 or between the third cylindrical lattice 43 and the exhaust cylindrical lattice 44 as necessary. By doing so, the harmful combustible gas phase can be completely burned and discharged to the outside in a harmless gas state.
본 고안에 따르면 상기 히터(30)에 의해 변화되는 내부온도를 감지하기 위한 온도감지센서(50)가 몸체(20) 내측으로 더 구비된다. 이 온도감지센서(50)는 별도의 콘트롤부와 연결되어 히터(30)의 구동을 제어하도록 할 수 있으며, 이는 종래의 일반적인 기술을 적용하면 용이하게 형성할 수 있는 것이다. According to the present invention, the temperature sensor 50 for detecting the internal temperature changed by the heater 30 is further provided inside the body 20. The temperature sensor 50 may be connected to a separate control unit to control the driving of the heater 30, which can be easily formed by applying a conventional general technique.
이때, 상기한 온도감지센서(50)와 전술한 히터(30)는 몸체(20)의 외측 바닥면에 각각의 접속구(23,24)가 형성된다. 즉, 몸체(20)의 외측 바닥면에 히터(30)와 연결되는 히터접속구(23)와 온도감지센서(50)와 연결되는 센서접속구(24)가 형성되는데, 이 접속구(23,24)들은 별도의 콘트롤부와 연결되어 제어되며, 이와 같이 제어를 위한 콘트롤부의 구성은 일반적인 기술을 적용하여 용이하게 실시할 수 있는 것이다. At this time, the temperature sensor 50 and the above-described heater 30 is formed with the respective connection port 23, 24 on the outer bottom surface of the body (20). That is, a heater connector 23 connected to the heater 30 and a sensor connector 24 connected to the temperature sensor 50 are formed on the outer bottom surface of the body 20, and these connectors 23 and 24 are formed. It is connected and controlled by a separate control unit, and the configuration of the control unit for controlling in this way can be easily performed by applying general technology.
도 5는 본 고안 배기가스 처리장치의 작용관계를 개략적으로 도시한 도면으로서, 도 5에서 보는 바와 같이 본 고안에 따른 배기가스 처리장치의 커버(10)에 형성된 유입구(11)는 챔버와 연결된 연결관(210)에 결합되며, 상기 유입구(11)를 통해 반도체 제조공정에서 배출되는 배기가스가 유입된다. 유입된 배기가스는 제1원통형격자(41)와 몸체(20) 사이의 공간을 통해 하부로 이동한 후 제1원통형격자(41)와 제2원통형격자(42) 사이를 따라 다시 상부로 이동하게 되며, 일부의 배기가스는 제1원통형격자(41)의 하부에 형성된 타공(411)을 통과한 후 제1원통형격자(41)와 제2원통형격자(42) 사이를 따라 상부로 이동하게 된다. 이와 같이 배기가스가 이동하는 과정에서 히터(30)와 접촉하게 되며, 배기가스 내의 연소성 가스상의 물질은 연소된다. 연소가스는 제2원통형격자(42)와 제3원통형격자(43) 사이를 따라 하부로 이동한 후 다시 제3원통형격자(43)와 배기원통형격자(44) 사이를 따라 상부로 이동하고, 최종적으로 배기원통형격자(44) 내부로 유입된 후 몸체(20) 외측 하부에 형성된 처리가스 배출구(21)를 통해 외부로 배출되게 된다. 배출구(21)는 펌프와 연결된 배기관(220)에 연결되어 있다. 위와 같은 과정을 통해 가스가 이동하게 되면 배기가스에 함유되어 있는 더스트 등의 미립자나 연소생성물이 중력에 의해 바닥 침전되게 되며, 처리장치에 침전물이 쌓이면 처리장치를 분해하여 제거한 후 재조립하여 재사용하면 된다.5 is a view schematically showing the operation of the exhaust gas treatment apparatus of the present invention, as shown in Figure 5 inlet 11 formed in the cover 10 of the exhaust gas treatment apparatus according to the present invention is connected to the chamber Coupled to the pipe 210, the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing process through the inlet 11 is introduced. The introduced exhaust gas moves downward through the space between the first cylindrical grid 41 and the body 20, and then moves upward again along the space between the first cylindrical grid 41 and the second cylindrical grid 42. After the exhaust gas passes through the hole 411 formed in the lower portion of the first cylindrical lattice 41, the exhaust gas moves upwardly between the first cylindrical lattice 41 and the second cylindrical lattice 42. As such, the exhaust gas is brought into contact with the heater 30 and the combustible gaseous material in the exhaust gas is combusted. The combustion gas moves downward along the space between the second cylindrical grid 42 and the third cylindrical grid 43, and then moves upwardly along the space between the third cylindrical grid 43 and the exhaust cylindrical grid 44. As it is introduced into the exhaust cylindrical grid 44 is discharged to the outside through the process gas outlet 21 formed in the outer lower portion of the body 20. The outlet 21 is connected to the exhaust pipe 220 connected to the pump. When the gas moves through the above process, the particles or combustion products contained in the exhaust gas are precipitated by gravity at the bottom.If deposits accumulate in the processing device, the processing device is decomposed and removed, then reassembled and reused. do.
상기에서 설명한 바와 같이 본 고안은 반도체 제조공정에서 발생되는 프로세스 배기가스나 클리닝 배기가스, 미반응 배기가스 등의 배기가스를 배출함에 있어 연소성을 갖는 가스상의 물질을 고온으로 연소시켜 안전한 상태로 배출되도록 함과 아울러 배기가스 내에 함유되어 있는 더스트 등의 미립자뿐만 아니라 연소시 생성되는 연소 생성물을 효과적으로 포집하여 제거할 수 있도록 한 반도체 공정용 배가가스 처리장치를 제공하는 유용한 효과가 있다. As described above, the present invention is to discharge a gaseous substance having a combustibility at a high temperature to be discharged in a safe state in discharging exhaust gases such as process exhaust gas, cleaning exhaust gas, unreacted exhaust gas, etc. generated in a semiconductor manufacturing process. In addition, there is a useful effect of providing an apparatus for treating exhaust gas for a semiconductor process that enables to effectively collect and remove not only particulates such as dust contained in exhaust gas, but also combustion products generated during combustion.
이상에서 본 고안은 도면에 도시된 바람직한 실시예들을 참조하여 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 따라서 본 고안은 당해 기술분야의 통상의 지식을 지닌 자라면 자명하게 도출가능한 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예를 포괄하도록 의도된 청구범위에 의하여 해석되어져야 한다. The present invention has been described above with reference to the preferred embodiments shown in the drawings, but this is merely exemplary, and thus the present invention is various modifications and equivalent other embodiments that can be obviously derived by those skilled in the art. It should be interpreted by the claims intended to cover examples.
도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 배기가스 처리장치의 사시도.1 is a perspective view of an exhaust gas treating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 배기가스 처리장치의 개략적인 부분절개 분해사시도. FIG. 2 is a schematic partial cutaway exploded perspective view of the apparatus for treating exhaust gas shown in FIG. 1; FIG.
도 3은 도 1에 도시된 배기가스 처리장치의 단면도. 3 is a cross-sectional view of the exhaust gas treating apparatus shown in FIG. 1.
도 4는 도 1에 도시된 배기가스 처리장치의 평단면도. 4 is a plan sectional view of the exhaust gas treating apparatus shown in FIG. 1;
도 5는 본 고안 배기가스 처리장치의 작용관계를 개략적으로 도시한 도면. 5 is a view schematically showing the working relationship of the exhaust gas treatment apparatus of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10 : 커버10: cover
11 : 유입구 11: inlet
20 : 몸체20: body
21 : 배출구 23 : 히터접속구 24 : 센서접속구 21 Outlet 23 Heater connection 24 Sensor connection
30 : 히터30: heater
40 : 원통형격자40: cylindrical grid
41 : 제1원통형격자 411 : 타공 42 : 제2원통형격자 41: first cylindrical lattice 411: perforation 42: second cylindrical lattice
43 : 제3원통형격자 44 : 배기원통형격자 43: third cylindrical lattice 44: exhaust cylindrical lattice
50 : 온도감지센서 50: temperature sensor
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