[go: up one dir, main page]

KR20030073374A - 상부 펌핑방식의 광소자 - Google Patents

상부 펌핑방식의 광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20030073374A
KR20030073374A KR1020020012911A KR20020012911A KR20030073374A KR 20030073374 A KR20030073374 A KR 20030073374A KR 1020020012911 A KR1020020012911 A KR 1020020012911A KR 20020012911 A KR20020012911 A KR 20020012911A KR 20030073374 A KR20030073374 A KR 20030073374A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical device
gain medium
light source
cladding layer
pumping
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020020012911A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100475412B1 (ko
Inventor
박남규
신중훈
Original Assignee
주식회사 럭스퍼트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 럭스퍼트 filed Critical 주식회사 럭스퍼트
Priority to KR10-2002-0012911A priority Critical patent/KR100475412B1/ko
Priority to US10/507,270 priority patent/US20050128570A1/en
Priority to CNB038057298A priority patent/CN1275366C/zh
Priority to PCT/KR2003/000467 priority patent/WO2003076988A1/en
Publication of KR20030073374A publication Critical patent/KR20030073374A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100475412B1 publication Critical patent/KR100475412B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/0632—Thin film lasers in which light propagates in the plane of the thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/0617—Crystal lasers or glass lasers having a varying composition or cross-section in a specific direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/0915—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light
    • H01S3/0933—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light of a semiconductor, e.g. light emitting diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/09403—Cross-pumping, e.g. Förster process involving intermediate medium for excitation transfer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

펌프 광원에서 나오는 빛이 하부에 위치한 이득매질 구조에 효율적으로 흡수되게 하여 펌핑 효율을 높일 수 있는 광소자에 대해 개시하고 있다. 본 발명의 광소자의 가장 큰 특징은, 상부 펌핑방식을 사용함과 아울러, 이득매질 구조 중에서 광원의 빔 스폿에 포함되는 부분이 그 이외의 부분에 비해 더 넓은 면적을 갖는다는 것이다. 본 발명에 따르면, 펌핑 효율을 높일 수 있는 상부펌핑 방식의 광소자를 제공할 수 있다.

Description

상부 펌핑방식의 광소자 {Top-pumped optical device and its array}
본 발명은 상부 펌핑방식의 광소자에 관한 것으로, 특히 펌프 광원에서 나오는 빛이 하부에 위치한 이득매질 구조에 효율적으로 흡수되게 하여 펌핑 효율을 높일 수 있는 광소자에 관한 것이다.
현재 광 도파로 증폭기(optical waveguide amplifier) 등의 광소자의 펌핑(pumping)에는 레이저들이 주로 쓰이고 있다. 그 이유는 레이저 광원이 높은 효율을 나타내며, 결맞은(coherent) 성질에 의해 빛이 퍼지지 않아 높은 세기로 펌핑하는 것이 가능하기 때문이다. 그러나, 레이저 광원들로부터 얻을 수 있는 빛의 파장대역은 한정되어 있다. 따라서, 넓은 파장대역의 출력광을 얻을 수 있는 고출력의 플래시 램프(flash lamp)를 펌프 광원으로 이용하기도 하는데, 이러한 램프는 크기가 크고 효율이 낮으며, 작동에 있어서도 고전압 또는 고전류를 요구하는 단점을 가진다.
따라서, 최근 LED(Light Emitting Diode) 광원의 파장대역과 효율이 급격히 증가하면서 기존의 펌프 광원을 LED로 대체하고자 하는 노력이 전개되고 있다. 그러나, 펌프 광원으로 LED를 사용할 경우, 빛이 아주 작은 영역에서 전체 방향으로 퍼져 나오기 때문에 실제로 광소자를 펌핑하는 효율은 LED 광원의 효율보다 낮을 수 있으며, 이 때문에 상부펌핑이 불가능하게 될 염려가 있다.
한편, 2000년 3월 28일 델라복스(Delavaux)에게 부여된 미국특허 제6,043,929호에 개시된 기술에 의하면, 광도파로 증폭기의 효율을 증가시키기 위해 도파로가 단일 모드영역(single mode region), 점진 변화영역(adiabatic region) 및 다중모드 영역(multimode region)과 같이 서로 다른 폭을 갖는 영역들로 구성되도록 하였다. 그러나, 이 기술에서는 펌핑광이 입력단을 통해 도파로에 도입되는 측면펌핑(side pumping) 방식을 채택하고 있으므로 다음과 같은 단점을 가진다.
첫째, 도파로 내의 다중모드 영역에 도입되는 펌핑광이 그 영역 전체에 걸쳐 고르게 퍼지지 않을 경우, 신호광의 증폭이 불균일하게 발생할 수 있다.
둘째, 펌핑광이 입력단, 단일 모드영역 및 점진 변화영역을 차례로 거친 후 광신호를 주로 증폭시키게 되는 다중모드 영역으로 들어오게 되므로, 거치는 영역의 길이가 길 경우 광의 강도가 약해질 우려가 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하고자 창출된 것으로서, 펌프 광원에서 나오는 빛이 하부에 위치한 이득매질 구조에 효율적으로 흡수되게 하여 펌핑 효율을 높일 수 있는 광소자를 제공하는 것을 그 기술적 과제로 한다.
또한, 본 발명의 다른 기술적 과제는, 펌핑광 강도의 감쇠 없이 광신호를 주로 증폭시키는 이득매질 영역에 펌핑광을 입사시킬 수 있는 구조를 가지는 광소자를 제공하는 것이다.
도 1은 상부 펌핑방식의 광소자의 일 예인 광도파로 증폭기의 동작을 설명하기 위한 도면;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광도파로 증폭기를 설명하기 위한 도면; 및
도 3은 도 2의 광도파로 증폭기에 사용된 광도파로의 점진적인(adiabatic) 면적변화의 예를 나타낸 도면이다.
* 도면 중의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
100 : 기판
110 : 하부 클래딩층
120, 120a : 광도파로
130 : 상부 클래딩층
150 : 광 펌핑용 LED 광원
상기의 기술적 과제들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 상부 펌핑방식의 광소자는: 기판과; 상기 기판 상에 형성된 하부 클래딩층과; 상기 하부 클래딩층 상에 형성되며, 펌핑광의 흡수에 의해 여기되는 이득매질 구조와; 상기 이득매질 구조의 상부에 위치하며, 상기 이득매질 구조를 상부에서 펌핑하는 광원을 구비하되, 상기 이득매질 구조 중에서 상기 광원의 빔 스폿에 포함되는 부분이 그 이외의 부분에 비해 더 넓은 면적을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 이득매질 구조 상에 형성된 상부 클래딩층을 더 구비하되, 상기 상부 클래딩층이 상기 펌프 광원에서 나오는 광을 투과하는 물질로 만들어지게 할 수도 있다.
또한, 상기 이득매질이 상기 광소자의 신호 파장영역에서는 강한 흡수특성을 나타내지 않고 그 이외의 파장영역에서 흡수특성을 나타내는 것이 바람직하며, 상기 이득매질이: 여기원소가 도핑된 고분자물질, 여기원소가 도핑된 실리카 계열물질, 여기원소가 도핑된 칼코겐화 유리(chalcogenide glass) 물질, 여기원소가 도핑된 GaN 또는 GaN 계열 물질로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것이 바람직하다. 이 때, 상기 이득매질에 여기원소와 더불어 나노결정이 공동으로 도핑된 것이 더욱 바람직하며, 상기 여기원소로서 희토류 원소를 선택할 수 있다.
또한, 상기 펌프 광원으로 LED를 사용할 수 있다.
그리고, 상기 이득매질 구조 중에서 더 넓은 면적을 갖는 부분과 그 이외의 부분 사이에 점진적인(adiabatic) 면적변화 영역을 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예를 설명하기에 앞서, 본 발명에 중요하게 작용하는 상부 펌핑방식을 적용한 광소자의 일 예인 광도파로 증폭기를 도 1에 나타내어 그 동작에 대해 설명하기로 한다.
도 1을 참조하면, 기판(100) 상에 실리카로 이루어진 하부 클래딩층(110)이 형성되어 있고, 그 위에 나노결정과 희토류 원소가 공동 도핑된 실리카 계열물질로 이루어진 코어층이 도파로(120)로서 형성되어 있다. 이 도파로(120) 위에는 다시 실리카로 이루어진 상부 클래딩층(130)이 형성되어 있다. 도파로(120)의 상부에는 광대역 광원(미도시)이 설치되어 위에서부터 펌핑광을 도파로(120)에 쪼여준다. 도파로(120) 내부로 들어간 광은 나노결정의 전공결합을 일으키고 이에 의해 희토류 원소들이 여기된다. 입력광이 여기된 희토류 원소들로부터 에너지를 받아 도파로(120)를 통과하면서 증폭되어 출력광으로 나오게 된다.
이하, 첨부 도면을 참조하며 본 발명의 실시예인 광도파로 증폭기에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광도파로 증폭기를 설명하기 위한 도면으로서, 도시의 명확화를 위해 상부 클래딩층을 제거하여 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 기판(100) 상에 실리카로 이루어진 하부 클래딩층(110)이 형성되어 있고, 그 위에 나노결정과 희토류 원소가 공동 도핑된 실리카 계열물질로 이루어진 코어층이 도파로(120a)로서 형성되어 있는데, 도파로(120a)는 종래의 일반적인 선형 구조와는 달리 LED 광원(150)의 빔 스폿(beam spot)에 포함되는 부분에서 그 폭이 커져서 넓은 면적을 가진다. 한편, 도시를 생략한 상부 클래딩층은 대체로 수 십 ㎛의 두께로 형성되는데, 이는 LED 광원(150)에서 나온 펌프광을 투과시켜 펌프광이 도파로(120a)에 도달하게 해주는 재질로 만들어진다. 광 펌핑용 LED 광원(150)은 도시를 생략한 상부 클래딩층 위에 위치하는데, 이는 상부 클래딩층으로부터 일정 거리만큼 이격되게 위치할 수도 있고, 상부 클래딩층에 접촉하도록 집적, 형성할 수도 있다. 이와 같이 도파로(120a)의 일부분의 면적을 넓히는 이유는 LED 광원(150)으로부터 나오는 펌핑광을 더욱 많이 흡수하여 광도파로 증폭기의 증폭효율을 높이기 위함이다. 또한, 도파로(120a)에 도입될 펌프광을 발생시키는 LED 광원(150)이 도파로(120a)의 입력단에 연결되는 측면펌핑 방식이 아니라, LED 광원(150)이 도파로(120a)의 상부에 위치하는 상부 펌핑을 채택함으로써, 펌핑광이 도파로(120a)의 넓어진 영역 전체에 고르게 조사될 수 있게 하였다. 따라서, 신호광의 증폭이 균일하게 이루어지는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 펌핑광이 수 십 ㎛의 두께 정도의 상부 클래딩층만을 투과하면 곧바로 도파로(120a)의 넓어진 영역에 들어가게 되므로 펌핑광의 강도가 약해질 우려가 없다.
도 3은 도 2의 광도파로 증폭기에 사용된 광도파로의 점진적인(adiabatic) 면적변화의 예를 나타낸 도면이다. 여기서, 점진적인 면적변화라고 하는 것은 이미 광도파로 기술분야에서는 확립된 개념으로서, 광도파로를 통과하는 신호광의 모드 특성이 너무 크게 변하는 것을 방지하기 위해, 광도파로의 일부분의 면적을 넓히더라도 급작스러운 폭변경에 의해 면적을 넓히는 것이 아니라 폭을 점진적으로 변화시켜 면적을 넓히는 것을 말한다. 도 3을 참조하면, 광도파로(120a)가 좁은 폭(a)을 가진 부분과 넓은 폭(W)을 가진 부분으로 이루어져 있으며, 좁은 폭 부분에서 넓은 폭 부분으로의 변화는 점진 변화영역(T1, T2)에 의해 테이퍼진(tapered) 형태로 구현되어 있다. 본 실시예에서는, 좁은 폭(a)의 치수가 10㎛, 넓은 폭(W)의 치수가 100㎛, 넓은 면적부분의 길이(L)가 100㎛, 점진 변화영역의 길이인 T1과 T2가모두 1㎝가 되도록 패터닝한 광도파로를 사용하였다. 이러한 광도파로의 점진적인 면적변화의 조건은 광도파로를 통과하는 신호광의 모드 특성이 변하는 것을 방지해야 한다는 것인데, 이는 상기 예시된 수치에만 한정되는 것은 아니며 좁은 폭(a)의 치수, 넓은 폭(W)의 치수, 넓은 면적부분의 길이(L), 점진 변화영역의 길이(T1과 T2)에 대한 다수의 파라미터 세트(parameter set)가 존재할 수 있다. 이러한 파라미터 세트들은 광도파로의 제작 이후에 신호광의 통과에 따라 판정할 수 있는 것이지만, 이에 대한 예측을 시뮬레이션에 의해 먼저 행하여 파라미터 세트를 마련하고 이에 맞춰 광도파로를 제작하는 것이 일반적이다.
또한, 광도파로를 통과하는 신호광의 모드 특성이 변하는 것을 방지하기 위해 상기한 바와 같이 광도파로의 면적을 점진적으로 변화시키는 것 이외에도, 광도파로 기술분야에서 흔히 쓰이는 방법 중의 하나로서 클래딩층의 굴절률을 조절하는 방법을 사용할 수도 있다.
상기한 바와 같이 본 발명의 실시예는 광도파로 증폭기에 대해서만 설명되었으나, 이는 한정적인 것이 아니며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.
따라서, 본 발명의 광소자는 광도파로 증폭기 이외에 이득을 주고자 하는 수동형 광집적소자 PLC (Photonic Intgrated Circuit) 일반, 예를 들어 광 스플리터, 광 분파기, 광 합파기 등에도 사용될 수 있다.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따르면 펌핑 효율을 높일 수 있는 상부펌핑 방식의 광소자를 제공할 수 있다.

Claims (9)

  1. 기판과;
    상기 기판 상에 형성된 하부 클래딩층과;
    상기 하부 클래딩층 상에 형성되며, 펌핑광의 흡수에 의해 여기되는 이득매질 구조와;
    상기 이득매질 구조의 상부에 위치하며, 상기 이득매질 구조를 상부에서 펌핑하는 광원을 구비하되,
    상기 이득매질 구조 중에서 상기 광원의 빔 스폿에 포함되는 부분이 그 이외의 부분에 비해 더 넓은 면적을 갖는 상부 펌핑방식의 광소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이득매질 구조 상에 형성된 상부 클래딩층을 더 구비하되, 상기 상부 클래딩층이 상기 펌프 광원에서 나오는 광을 투과하는 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는 상부 펌핑방식의 광소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이득매질이 상기 광소자의 신호 파장영역에서는 강한 흡수특성을 나타내지 않고 그 이외의 파장영역에서 흡수특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 상부 펌핑방식의 광소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 이득매질이:
    여기원소가 도핑된 고분자물질, 여기원소가 도핑된 실리카 계열물질, 여기원소가 도핑된 칼코겐화 유리 물질, 여기원소가 도핑된 GaN 또는 GaN 계열 물질로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 상부 펌핑방식의 광소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 이득매질에 여기원소와 더불어 나노결정이 공동으로 도핑된 것을 특징으로 하는 상부 펌핑방식의 광소자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 여기원소가 희토류 원소인 것을 특징으로 하는 상부 펌핑방식의 광소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 펌프 광원이 LED인 것을 특징으로 하는 상부 펌핑방식의 광소자.
  8. 제1항에 있어서, 상기 이득매질 구조 중에서 더 넓은 면적을 갖는 부분과 그 이외의 부분 사이에 점진적인 면적변화 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 상부 펌핑방식의 광소자.
  9. 제1항에 있어서, 상기 펌프 광원을 상기 상부 클래딩층에 접촉, 형성한 것을 특징으로 하는 상부 펌핑방식의 광소자.
KR10-2002-0012911A 2002-03-11 2002-03-11 상부 펌핑방식의 광소자 Expired - Fee Related KR100475412B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0012911A KR100475412B1 (ko) 2002-03-11 2002-03-11 상부 펌핑방식의 광소자
US10/507,270 US20050128570A1 (en) 2002-03-11 2003-03-11 Top-pumped optical device
CNB038057298A CN1275366C (zh) 2002-03-11 2003-03-11 顶泵浦光学设备
PCT/KR2003/000467 WO2003076988A1 (en) 2002-03-11 2003-03-11 Top-pumped optical device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0012911A KR100475412B1 (ko) 2002-03-11 2002-03-11 상부 펌핑방식의 광소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030073374A true KR20030073374A (ko) 2003-09-19
KR100475412B1 KR100475412B1 (ko) 2005-03-10

Family

ID=27800666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0012911A Expired - Fee Related KR100475412B1 (ko) 2002-03-11 2002-03-11 상부 펌핑방식의 광소자

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20050128570A1 (ko)
KR (1) KR100475412B1 (ko)
CN (1) CN1275366C (ko)
WO (1) WO2003076988A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100594036B1 (ko) * 2003-12-30 2006-06-30 삼성전자주식회사 광신호 증폭장치, 이를 구비하는 광통신 모듈 및 그제조방법
KR100808802B1 (ko) * 2007-04-23 2008-02-29 경북대학교 산학협력단 희토류 원소가 첨가된 무기 전계 발광 레이저 소자

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100475410B1 (ko) * 2002-03-13 2005-03-10 주식회사 럭스퍼트 높은 펌핑효율을 갖는 어레이형 광소자
KR100458678B1 (ko) * 2002-03-20 2004-12-03 주식회사 럭스퍼트 이득제공 방식의 광파워 평탄화기
WO2008117249A1 (en) * 2007-03-26 2008-10-02 Scuola Superiore Di Studi Universitari E Di Perfezionamento Sant'anna Integrated optical waveguide amplifier or laser with rare earth ions and sensitizer elements co-doped core and related optical pumping method
CN102684048B (zh) * 2012-05-10 2014-04-09 清华大学 基于并联结构的超荧光光纤光源
CN113109282B (zh) * 2021-05-14 2025-01-17 浙江大学 一种广波长覆盖的光热偏转光谱测试装置
CN115548839B (zh) * 2022-11-07 2025-09-26 山东大学 一种激光增益器件及其制备方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3967213A (en) * 1975-03-05 1976-06-29 California Institute Of Technology X-ray laser with a single crystal waveguide structure
US5448586A (en) * 1993-09-20 1995-09-05 At&T Corp. Pumping arrangements for arrays of planar optical devices
WO1996000996A1 (en) * 1994-06-30 1996-01-11 The Whitaker Corporation Planar hybrid optical amplifier
DE69738878D1 (de) * 1996-04-12 2008-09-11 Sony Corp Bildkodierung mit Pufferunterlaufvermeidung
JPH09288287A (ja) * 1996-04-23 1997-11-04 Hitachi Ltd 半導体光増幅素子
JP3668556B2 (ja) * 1996-06-13 2005-07-06 ソニー株式会社 ディジタル信号符号化方法
JP3754760B2 (ja) * 1996-07-26 2006-03-15 住友電気工業株式会社 光導波路型回折格子
DE19637396A1 (de) * 1996-09-13 1998-03-19 Siemens Ag Koppelanordnung zum Aneinanderkoppeln von Wellenleitern
JPH10223976A (ja) * 1997-02-13 1998-08-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ
KR100604631B1 (ko) * 1997-07-25 2006-07-28 소니 가부시끼 가이샤 편집 장치, 편집 방법, 재부호화 장치, 재부호화 방법,스플라이싱 장치 및 스플라이싱 방법
US6414998B1 (en) * 1998-01-27 2002-07-02 Sony Corporation Method and apparatus for inserting an image material
US6043929A (en) * 1998-03-16 2000-03-28 Lucent Technologies, Inc. Adiabatic waveguide amplifier
US6236793B1 (en) * 1998-09-23 2001-05-22 Molecular Optoelectronics Corporation Optical channel waveguide amplifier
US6310995B1 (en) * 1998-11-25 2001-10-30 University Of Maryland Resonantly coupled waveguides using a taper
US6222966B1 (en) * 1998-12-29 2001-04-24 Lucent Technologies Inc. Adiabatic Y-branch waveguide having controllable chirp
US6370297B1 (en) * 1999-03-31 2002-04-09 Massachusetts Institute Of Technology Side pumped optical amplifiers and lasers
US6698246B1 (en) * 1999-10-18 2004-03-02 Corning Incorporated Method for making nanocrystalline glass-ceramic fibers
US6529657B2 (en) * 2001-02-23 2003-03-04 Keopsys, Inc. Angle selective side-pumping of fiber amplifiers and lasers
US6529318B1 (en) * 2001-08-30 2003-03-04 Np Photonics, Inc. Total internal reflection (TIR) coupler and method for side-coupling pump light into a fiber
US6778319B2 (en) * 2001-09-10 2004-08-17 Np Photonics, Inc. Side-pumped multi-port optical amplifier and method of manufacture using fiber drawing technologies
WO2003058776A1 (en) * 2002-01-08 2003-07-17 Photon-X, Inc. Optical waveguide amplifiers
US7126750B2 (en) * 2002-07-08 2006-10-24 John Gilmary Wasserbauer Folded cavity semiconductor optical amplifier (FCSOA)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100594036B1 (ko) * 2003-12-30 2006-06-30 삼성전자주식회사 광신호 증폭장치, 이를 구비하는 광통신 모듈 및 그제조방법
KR100808802B1 (ko) * 2007-04-23 2008-02-29 경북대학교 산학협력단 희토류 원소가 첨가된 무기 전계 발광 레이저 소자

Also Published As

Publication number Publication date
CN1639598A (zh) 2005-07-13
WO2003076988A1 (en) 2003-09-18
KR100475412B1 (ko) 2005-03-10
CN1275366C (zh) 2006-09-13
US20050128570A1 (en) 2005-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6233259B1 (en) Fiber grating stabilized diode laser
JP3247292B2 (ja) 光通信システム
US8565273B2 (en) Optical fiber laser
KR101972024B1 (ko) 980nm의 고출력 단일모드 광섬유 펌프 레이저 시스템
US6798815B2 (en) High power semiconductor laser diode and method for making such a diode
US6456637B1 (en) Waveguide lasers and optical amplifiers having enhanced thermal stability
US20160087392A1 (en) Multimode fabry-perot fiber laser
KR100475412B1 (ko) 상부 펌핑방식의 광소자
KR102078144B1 (ko) 초고출력 싱글모드 광섬유 레이저 시스템
US6018533A (en) Optical fiber and integrated optic lasers with enhanced output power
CN101212115A (zh) 可调谐掺铒光纤环形腔激光器
CN116191179A (zh) 基于动态折射率光栅调控的瓦级线型腔单频光纤振荡器
JP4959314B2 (ja) 希土類ドープ大モードエリア・マルチモード光ファイバおよびそれを使ったデバイス
US6888668B2 (en) Optical amplifier with multiple wavelength pump
US7130111B2 (en) Optical amplifier with transverse pump
US10340655B2 (en) Optical waveguide as amplifier fibre for high-performance operation
KR100394589B1 (ko) 다중모드 광도파로에서의 모드 필터링 및 선택 방법과그를 이용한 광도파로 증폭기, 반도체 레이저, ｖｃｓｅｌ
Scheuer et al. Lasing and mode switching in circular bragg nanoresonators
WO1997033460A2 (en) Multicore fiber optic amplifier

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120228

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130306

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20140226

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20140226

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301