KR20030033004A - 계면층을 포함한 플라스마로 증착된 장벽 코팅, 이러한코팅 획득 방법과 이러한 방법에 의하여 코팅된 용기 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 처리될 물체 상에 장벽 코팅을 입히기 위하여 약한 압력의 플라스마를 이용하는 방법으로서, 플라스마가 전자장의 작용 하에 처리영역 내에 약한 압력으로 주입된 반응 용액의 부분적인 이온화로 만들어지는 플라스마로 증착되는 장벽 코팅방법에 있어서, 이 방법이 적어도 2단계로 구성되며, 한 단계는 적어도 하나의 유기국소화합물과 질소화합물을 내포하고 있는 혼합물을 플라스마 상태에 실어서 얻어지는 계면층을 물체 상에 입히는 것에 해당하는 단계이고, 다른 단계는 본질적으로 계면층 상에 일반식 SiOx의 일산화규소로 구성된 장벽층을 입히는 것에 해당하는 단계임을 특징으로 하는 플라스마로 증착되는 장벽 코팅방법.
- 제1항에 있어서, 질소화합물이 탄산성 질소에서 나온 것임을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 계면층을 입히기 위해 사용된 혼합물이 유기국소화합물의 증발을 유발하기 위한 운반 기체로 사용되는 흔하지 않은 기체를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 질소가 유기국소화합물의 발산을 유발하기 위한 운반가스로 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 전기 청구항의 어느 한 항에 있어서, 계면층의 두께가 2nm와 10nm 사이에 포함되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 전기 청구항의 어느 한 항에 있어서, 장벽층이 산소가 과도하게 있는 유기국소화합물이 저압에서 플라스마에 의해 용착되어 얻어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 전기 청구항의 어느 한 항에 있어서, 유기국소화합물이 유기실록산인 것을 특징으로 하는 방법.
- 전기 청구항의 어느 한 항에 있어서, 장벽층이 8nm와 20nm 사이에 포함된 두께를 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
- 전기 청구항의 어느 한 항에 있어서, 단계들이 계속적으로 연관되어, 반응유체가 두 단계들 사이에서 전이할 때, 플라스마 상태로 머무는 것을 특징으로 하는 방법.
- 전기 청구항의 어느 한 항에 있어서, 방법에는 세 번째 단계가 있으며, 그 단계 중에 장벽층이 수소를 함유한 비정질의 탄소의 보호층으로 뒤덮이는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제10항에 있어서, 보호층이 10nm보다 하위의 두께를 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제10항에 있어서, 보호층이 함수탄산화합물을 낮은 압력에서 플라스마에 의한 용착으로 얻어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 전기 청구항의 어느 한 항에 있어서, 기재가 중합체 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제13항에 있어서, 중합체 용기의 내벽면 상에 장벽 코팅을 입히기 위하여 시행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 저압에서 플라스마로 기재 상에 증착되는 장벽 코팅에 있어서, 본질적으로 일반식 SiOx의 일산화규소로 구성되어 있고, 기재와 장벽층 사이에서 코팅이 본질적으로 규소, 탄소, 산소, 질소, 수소로 구성된 계면층을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 저압에서 플라스마로 기재 상에 증착되는 장벽 코팅.
- 제15항에 있어서, 계면층이 적어도 하나의 유기국소화합물의 화합물과 질소화합물을 내포하고 있는 혼합물을 플라스마 상태에 실어서 얻어지는 것을 특징으로 하는 코팅.
- 제15항 또는 제16항에 있어서, 질소화합물이 탄산성 질소인 것을 특징으로 하는 코팅.
- 제15항-제17항의 어느 한 항에 있어서, 계면층의 두께가 2nm와 10nm 사이에 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 코팅.
- 제15항-제18항의 어느 한 항에 있어서, 장벽층이 산소가 과도하게 있는 유기국소화합물의 화합물이 저압에서 플라스마에 의해 용착되어 얻어지는 것을 특징으로 하는 코팅.
- 제15항-제19항의 어느 한 항에 있어서, 유기국소화합물의 화합물이 유기실록산인 것을 특징으로 하는 코팅.
- 제15항-제20항의 어느 한 항에 있어서, 장벽층이 8nm와 20nm 사이에 포함된 두께를 나타내는 것을 특징으로 하는 코팅.
- 제15항-제21항의 어느 한 항에 있어서, 장벽층이 수소를 함유한 비정질의 탄소의 보호층으로 뒤덮여 있는 것을 특징으로 하는 코팅.
- 제22항에 있어서, 보호층이 10nm보다 하위의 두께를 나타내는 것을 특징으로 하는 코팅.
- 제22항에 있어서, 보호층이 함수탄산화합물을 낮은 압력에서 플라스마에 의한 용착으로 얻어지는 것을 특징으로 하는 코팅.
- 제15항-제24항의 어느 한 항에 있어서, 중합체 물질 기재 상에 증착되는 것을 특징으로 하는 코팅.
- 청구항 제15항-제25항의 어느 한 항에 부합하는 장벽 코팅의 면 들중 최소한 하나의 면 상에 뒤덮이는 것을 특징으로 하는 중합체 물질 용기.
- 제26항에 있어서, 내부면 상에 장벽코팅으로 뒤덮이는 것을 특징으로 하는 용기.
- 제26항 또는 제27항에 있어서, 테레프탈레이트 폴리에틸렌 병에 관한 것을 특징으로 하는 용기.
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| DE10231345A1 (de) | 2002-03-18 | 2003-10-16 | Tetra Laval Holdings & Finance | Vorrichtung zur Herstellung von Kunstoffbehältern mittels Streckblasformen und Vorrichtung zum Beschichten der Innenwände eines Kunstoffbehälters |
| DE10224546A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-12-04 | Sig Technology Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken |
| US7351480B2 (en) * | 2002-06-11 | 2008-04-01 | Southwest Research Institute | Tubular structures with coated interior surfaces |
| DE10258678B4 (de) * | 2002-12-13 | 2004-12-30 | Schott Ag | Schnelles Verfahren zur Herstellung von Multilayer-Barriereschichten |
| EP2495350B1 (en) * | 2003-03-12 | 2014-06-18 | Toyo Seikan Group Holdings, Ltd. | Microwave plasma processing device with a plasma processing gas supply member |
| US20050202263A1 (en) * | 2004-03-09 | 2005-09-15 | Jonathan Sargent | Barrier layer to prevent the loss of additives in an underlying layer |
| WO2006133730A1 (en) * | 2005-06-16 | 2006-12-21 | Innovative Systems & Technologies | Method for producing coated polymer |
| DE102007031416B4 (de) * | 2006-07-03 | 2013-01-17 | Sentech Instruments Gmbh | Substrat aus einem polymeren Werkstoff und mit einer wasser- und sauerstoff- undurchlässigen Barrierebeschichtung sowie dazugehöriges Herstellungsverfahren |
| FR2903622B1 (fr) | 2006-07-17 | 2008-10-03 | Sidel Participations | Dispositif pour le depot d'un revetement sur une face interne d'un recipient |
| US7878054B2 (en) * | 2007-02-28 | 2011-02-01 | The Boeing Company | Barrier coatings for polymeric substrates |
| US20090004458A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Diffusion Control in Heavily Doped Substrates |
| FR2918301B1 (fr) * | 2007-07-06 | 2011-06-24 | Sidel Participations | Revetement barriere depose par plasma comprenant au moins trois couches, procede d'obtention d'un tel revetement et recipient revetu d'un tel revetement |
| CN101778719B (zh) * | 2007-08-14 | 2013-05-01 | 东洋制罐株式会社 | 具有真空蒸镀膜的生物降解性树脂容器和真空蒸镀膜的形成方法 |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| KR20130098606A (ko) * | 2012-02-28 | 2013-09-05 | 씨제이제일제당 (주) | 향상된 산소차단성을 갖는 식품용기 및 그의 제조방법 |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| MX2017001249A (es) * | 2014-08-01 | 2017-05-08 | Coca Cola Co | Envase pequeño para bebida carbonatada con propiedades potenciadas de vida útil. |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| FR3032975B1 (fr) * | 2015-02-23 | 2017-03-10 | Sidel Participations | Procede de traitement par plasma de recipients, comprenant une phase d'imagerie thermique |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| JP6683365B2 (ja) * | 2016-01-29 | 2020-04-22 | 国立大学法人広島大学 | 気体分離フィルタの製造方法 |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
| US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI852426B (zh) | 2018-01-19 | 2024-08-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沈積方法 |
| KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| TWI871083B (zh) | 2018-06-27 | 2025-01-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
| JP7515411B2 (ja) | 2018-06-27 | 2024-07-12 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
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| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
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| TWI874340B (zh) | 2018-12-14 | 2025-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
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| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
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| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| JP7703317B2 (ja) | 2019-12-17 | 2025-07-07 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 |
| KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
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| JP7730637B2 (ja) | 2020-01-06 | 2025-08-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102882467B1 (ko) | 2020-01-16 | 2025-11-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
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| US12322591B2 (en) | 2020-07-27 | 2025-06-03 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition process |
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| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| JP7758330B2 (ja) * | 2021-10-25 | 2025-10-22 | 国立大学法人広島大学 | 気体分離膜の製造方法 |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| CN115572400B (zh) * | 2022-10-10 | 2023-11-07 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种高致密复合型原子氧防护薄膜的制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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