KR20030001765A - method for fabricating of thermocouple wafer - Google Patents
method for fabricating of thermocouple wafer Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030001765A KR20030001765A KR1020010037123A KR20010037123A KR20030001765A KR 20030001765 A KR20030001765 A KR 20030001765A KR 1020010037123 A KR1020010037123 A KR 1020010037123A KR 20010037123 A KR20010037123 A KR 20010037123A KR 20030001765 A KR20030001765 A KR 20030001765A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thermocouple
- wafer
- tape
- adhesive
- spot welding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 16
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N Oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 50
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
- G01K7/028—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples using microstructures, e.g. made of silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
열전쌍의 표면산화를 방지할 수 있고, 열전쌍의 접점이 웨이퍼와 접촉하는 면적을 확보할 수 있으며, 접착제로 인한 오염문제를 방지할 수 있는 열전쌍 웨이퍼의 제작방법을 제공하기 위한 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 열전쌍 웨이퍼의 제작방법은 튜브형 전극을 사용하여 열전쌍을 불활성 분위기에서 점용접하는 단계, 웨이퍼상에 파티클 제거용 제1테이프를 코딩하는 단계, 상기 제1테이프가 코팅된 반도체 기판상에 원형의 구멍을 형성하는 단계, 상기 원형의 구멍에 점용접이 완료된 열전쌍의 접점을 넣고 상기 열전쌍을 수직으로 지지할 수 있도록 제2테이프를 형성하는 단계, 상기 제2테이프와 상기 원형 구멍사이에 접착제를 넣고 접착을 완성시키는 단계, 상기 웨이퍼를 건조시킨후 상기 제2테이프와 제1테이프를 벗겨내는 단계를 포함함을 특징으로 한다.It is to provide a method of manufacturing a thermocouple wafer that can prevent surface oxidation of the thermocouple, secure an area where the contact of the thermocouple contacts the wafer, and prevent contamination problems caused by the adhesive. A method of fabricating a thermocouple wafer to achieve is to spot weld a thermocouple in an inert atmosphere using a tubular electrode, to code a first tape for particle removal on the wafer, to form a circular shape on the first tape-coated semiconductor substrate. Forming a hole, inserting a contact of the thermocouple with spot welding completed into the circular hole, and forming a second tape to vertically support the thermocouple; and inserting an adhesive between the second tape and the circular hole Completing adhesion, and then peeling off the second tape and the first tape after drying the wafer. Characterized in that.
Description
본 발명은 웨이퍼 제작방법에 대한 것으로, 특히 열전쌍 웨이퍼의 제작방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing a wafer, and more particularly, to a method for manufacturing a thermocouple wafer.
종래의 열전쌍(thermocouple:TC) 웨이퍼의 제작방법은 열전쌍의 제작공정과제작된 열전쌍을 웨이퍼내에 콘택시킨 후 접착제로 웨이퍼에 고착시키는 과정을 통해 이루어졌다.The conventional method of manufacturing a thermocouple (TC) wafer is made through a process of manufacturing a thermocouple and a process of contacting the manufactured thermocouple in the wafer and then attaching the wafer to the wafer with an adhesive.
이때 가급적 가는 열전쌍을 웨이퍼 표면에 콘택시킬 때 점용접방법을 사용하는데, 열전쌍이 가늘수록 점 용접시 열전쌍의 표면산화를 방지해야 한다.In this case, spot welding method is used when contacting the thin thermocouple to the wafer surface as much as possible. As the thermocouple becomes thinner, the surface oxidation of the thermocouple should be prevented during spot welding.
또한 열전쌍의 접점이 실리콘웨이퍼와 접촉하는 면적은 가급적 넓게 해야만 정확한 온도를 감지할 수 있다.Also, the area where the thermocouple contacts the silicon wafer should be as wide as possible to detect the correct temperature.
그리고 열전쌍을 웨이퍼내에 고착시키는데 사용하는 접착제의 접착성이 중요한데, 이와 같은 접착제의 사용시 다음과 같은 조건을 만족해야 한다.In addition, the adhesiveness of the adhesive used to fix the thermocouple in the wafer is important. When using such an adhesive, the following conditions must be satisfied.
먼저, 우수한 접착성과 함께 고온의 열이 가해지더라도 녹지않는 고융점 물질이어야 하며 내열성, 내화학성이 뛰어나야 한다.First, it must be a high melting point material that does not melt even when high temperature heat is applied with excellent adhesion, and has excellent heat resistance and chemical resistance.
이외에 고온의 열이 가해졌을 때 실리콘 웨이퍼와 반응하여 화합물을 만들지 않아야 하고, 오염을 일으키지 않아야 한다.In addition, it must not react with silicon wafers to produce compounds when hot heat is applied, and does not cause contamination.
종래의 접착제는 대부분 유기용매에 접착물질이 녹아 있어서 사용중에 잔류 유기물이 웨이퍼 또는 장비의 튜브를 오염시켰다.Conventional adhesives are mostly adhesives dissolved in organic solvents, so that residual organics contaminate the wafer or tube of equipment during use.
따라서 접착제의 선택이 가장 중요한 문제로 대두된다. 특히, 고온용(500℃) 접착물질을 찾지 못하여 열전쌍(TC)이 접착된 웨이퍼를 제작하기가 어려웠다.Therefore, the choice of adhesive is the most important problem. In particular, it was difficult to fabricate a wafer to which a thermocouple (TC) was bonded because no high temperature (500 ° C.) adhesive material was found.
따라서, 접용접시 표면산화 방지, 콘택부의 넓은 접촉면적 확보, 유기용매가 없는 내열성 접착제의 선택과 이의 적용이 필요하게 되었다.Therefore, it is necessary to prevent surface oxidation during welding, to secure a large contact area of the contact portion, and to select and apply a heat-resistant adhesive having no organic solvent.
상기와 같은 종래 열전쌍 웨이퍼의 제작방법은 다음과 같은 문제가 있다.The manufacturing method of the conventional thermocouple wafer as described above has the following problems.
첫째, 열전쌍의 표면산화를 방지와, 열전쌍의 접점이 실리콘웨이퍼와 접촉하는 콘택부의 접촉면적확보에 한계가 있다.First, there is a limit in preventing surface oxidation of the thermocouple and securing the contact area of the contact portion where the thermocouple contact contacts the silicon wafer.
둘째, 접착제의 접착물질이 유기용매이기 때문에 녹아 있어서 사용중에 잔류 유기물이 웨이퍼 또는 장비의 튜브를 오염시키는 문제가 있다.Second, since the adhesive material of the adhesive is an organic solvent, there is a problem that the remaining organic material contaminates the wafer or the tube of the equipment during use.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출한 것으로 특히, 열전쌍의 표면산화를 방지할 수 있고, 열전쌍의 접점이 웨이퍼와 접촉하는 면적을 확보할 수 있으며, 접착제로 인한 오염문제를 방지할 수 있는 열전쌍 웨이퍼의 제작방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, in particular, it is possible to prevent the surface oxidation of the thermocouple, to ensure the area of the contact of the thermocouple contact with the wafer, and to prevent contamination problems due to the adhesive It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a thermocouple wafer.
도 1은 본 발명에 따른 열전쌍 웨이퍼를 제작하기 위한 점접합 장비의 구조도1 is a structural diagram of a point junction equipment for manufacturing a thermocouple wafer according to the present invention
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 실시예에 따른 열전쌍 웨이퍼의 제작방법을 나타낸 공정도2a to 2e is a process chart showing a method of manufacturing a thermocouple wafer according to an embodiment of the present invention.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings
1 : 점용접 장비의 음극 2 : 점용접 장비의 양극1: cathode of spot welding equipment 2: anode of spot welding equipment
21 : 실리콘 웨이퍼 22 : 코팅테이프21 silicon wafer 22 coated tape
23 : 열전쌍 24 : 원형의 구멍23: thermocouple 24: circular hole
25 : 지지테이프 26 : 접착제25: support tape 26: adhesive
27 : 석영(quartz)튜브27: quartz tube
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 열전쌍 웨이퍼의 제작방법은 튜브형 전극을 사용하여 열전쌍을 불활성 분위기에서 점용접하는 단계, 웨이퍼상에 파티클 제거용 제1테이프를 코딩하는 단계, 상기 제1테이프가 코팅된 반도체 기판상에 원형의 구멍을 형성하는 단계, 상기 원형의 구멍에 점용접이 완료된 열전쌍의 접점을 넣고 상기 열전쌍을 수직으로 지지할 수 있도록 제2테이프를 형성하는 단계, 상기 제2테이프와 상기 원형 구멍사이에 접착제를 넣고 접착을 완성시키는 단계, 상기 웨이퍼를 건조시킨후 상기 제2테이프와 제1테이프를 벗겨내는 단계를 포함함을 특징으로 한다.The method of manufacturing a thermocouple wafer of the present invention for achieving the above object is a step of spot welding the thermocouple in an inert atmosphere using a tubular electrode, coding a first tape for removing particles on the wafer, the first tape is coated Forming a circular hole on the semiconductor substrate, and forming a second tape to insert a contact of the thermocouple having spot welding into the circular hole and to vertically support the thermocouple, wherein the second tape and the And inserting the adhesive between the circular holes to complete the adhesion, and drying the wafer to peel off the second tape and the first tape.
본 발명은 종래의 문제점 중 점 용접시 열전쌍의 표면산화를 방지하기 위해서 불활성 가스를 사용하였고 점용접의 전극모양을 개조하였다.The present invention uses an inert gas to prevent the surface oxidation of the thermocouple during spot welding, and has modified the shape of the electrode of spot welding.
또한 열전쌍이 웨이퍼와 접촉하는 접점면적은 원형의 드릴링 팁을 사용하여조절하였다.In addition, the contact area where the thermocouple contacts the wafer was controlled using a circular drilling tip.
그리고 열전쌍을 웨이퍼내에 고착시키는데 사용하는 접착제의 접착성과 접착제의 조건은 일산화 지르코늄 분말을 사용함으로써 해결하였다.The adhesiveness and the conditions of the adhesive used to fix the thermocouple in the wafer were solved by using zirconium monoxide powder.
이 분말은 앞서 지적한 종래 문제점들을 모두 해결해 줄 수 있으며 증류수와 반응시킴으로써 물질자체의 산화력을 이용하여 접착을 일으키도록 하였다.This powder can solve all the above-mentioned conventional problems, and react with distilled water to cause adhesion using the oxidizing power of the material itself.
또한 분말의 미분 입자로 된 재료를 사용함으로써 상온에서도 반응이 쉽게 일어나도록 하였다.In addition, by using a powder of finely divided particles, the reaction was easy to occur even at room temperature.
이 분말은 증류수와 반응을 하고 다른 물질, 예컨데 실리콘 웨이퍼나 열전쌍 재료와는 반응하지 않는다. 또한 추가의 접착성분 물질은 없기 때문에 오염을 일으키지 않는다.The powder reacts with distilled water and does not react with other materials such as silicon wafers or thermocouple materials. It also does not cause contamination since there is no additional adhesive component material.
특히, 접착완료후(반응완료후) 이 물질은 지르코니아가 되어 있기 때문에 내열성에 강하며 무기물인 관계로 내화학성에도 강하다.In particular, after the completion of adhesion (after completion of the reaction), the material is zirconia, so it is strong in heat resistance and inorganic in chemical resistance.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 열전쌍 웨이퍼의 제작방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing a thermocouple wafer according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 열전쌍 웨이퍼를 제작하기 위한 점접합 장비의 구조도이고, 도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 실시예에 따른 열전쌍 웨이퍼의 제작방법을 나타낸 공정도이다.1 is a structural diagram of a point junction equipment for manufacturing a thermocouple wafer according to the present invention, Figures 2a to 2e is a process diagram showing a method of manufacturing a thermocouple wafer according to an embodiment of the present invention.
먼저, 튜브형 전극을 사용하여 열전쌍(23)을 불활성 가스 분위기에서 점용접한다.First, the thermocouple 23 is spot welded in an inert gas atmosphere using a tubular electrode.
이때 점용접을 하는 장비는 도 1과 같은 구성을 갖는데, 점용접 장치의음극(1)과 양극(2)과 점용접이 완료된 열전쌍(23)이 나타나 있다.At this time, the equipment for spot welding has the configuration as shown in Figure 1, the cathode 1 and the anode 2 of the spot welding apparatus and the thermocouple 23 is completed the spot welding is shown.
점용접 장치의 음극(1) 부분을 나타낸 세부 구성은 도면부호 1a로 나타내었고, 산화방지용 불활성 가스를 주입하기 위한 구멍과 불활성 가스의 분사가 이루어지는 전극의 끝부분을 나타내었다.The detailed configuration showing the negative electrode 1 portion of the spot welding apparatus is indicated by reference numeral 1a, showing the hole for injecting the inert gas for oxidation and the end of the electrode where the inert gas is injected.
그리고 점용접 장치의 양극(2)의 다른 한쪽 전극은 오목한 모양을 하고 있으며 이 내부에 열전쌍(23)의 두끝을 놓고 점용접이 실시된다.The other electrode of the anode 2 of the spot welding apparatus has a concave shape, and spot welding is performed by placing two ends of the thermocouple 23 therein.
그리고 불활성 가스는 두 개의 전극 중 한 개의 전극에서만 분사된다.And the inert gas is injected only at one of the two electrodes.
상기에서 점용접 전극에 가해주는 전류량은 4A이하가 되도록 하고, 가해주는 전압은 대략 220V가 되도록 한다. 그리고 상기 열전쌍(23)의 직경은 0.127mm이하가 되도록 한다.The amount of current applied to the spot welding electrode is 4A or less, and the voltage applied is approximately 220V. And the diameter of the thermocouple 23 is to be 0.127mm or less.
다음에 도 2a에 도시한 바와 같이 열전쌍 웨이퍼로 사용할 실리콘 웨이퍼(21) 상부 표면에 드릴링 작업을 실시하기전 패키지(package)라인에서 사용하는 폴리머성 코팅테이프(22)로 전면을 코딩한다.Next, as shown in FIG. 2A, the front surface is coded with the polymeric coating tape 22 used in the package line before drilling is performed on the upper surface of the silicon wafer 21 to be used as the thermocouple wafer.
이것은 드릴링 작업중에 발생하는 파티클을 제거하기 위한 것으로, 테이프로 전면을 코팅하고 작업이 완료된 후에 코팅테이프(22)를 벗기면 웨이퍼 표면에 붙어있는 파티클을 모두 제거할 수 있다.This is to remove particles generated during the drilling operation, by coating the front surface with tape and peeling off the coating tape 22 after the operation is completed, it is possible to remove all particles adhering to the wafer surface.
다음에 원형의 드릴링 팁으로 도 2b에 도시한 바와 같이 실리콘 웨이퍼(21) 상부 표면에 열전쌍(23)이 안착할 원형의 구멍(24)을 형성한 후에 코팅테이프(22)를 제거한다.Next, as shown in FIG. 2B, a circular drilling tip forms a circular hole 24 on which the thermocouple 23 is seated on the upper surface of the silicon wafer 21, and then the coating tape 22 is removed.
이때 원형의 구멍(24)은 사용자가 원하는 부위에 원하는 개수만큼 만들 수있다.At this time, the circular hole 24 can be made as many times as the user wants.
이후에 도 2c에 도시한 바와 같이 실리콘 웨이퍼(21)의 원형의 구멍(24)에 점용접이 완료된 열전쌍(23) 접점을 넣고, 원형의 구멍(24)에 열전쌍(23)을 수직으로 지지시키기 위하여 열전쌍(23)양측 및 실리콘 웨이퍼(21) 표면에 지지테이프(25)를 세워서 부착시킨다.Thereafter, as shown in FIG. 2C, the thermocouple 23 contact with spot welding is completed in the circular hole 24 of the silicon wafer 21, and the thermocouple 23 is vertically supported in the circular hole 24. In order to attach the support tape 25 to both sides of the thermocouple 23 and the surface of the silicon wafer 21 upright.
그리고 도 2d에 도시한 바와 같이 분말형의 일산화 지르코늄과 증류수가 혼합된 접착제(26)를 지지테이프(25) 밑으로 넣어서 원형의 구멍(24)을 채워준다.As shown in FIG. 2D, the adhesive 26 mixed with powdered zirconium monoxide and distilled water is put under the support tape 25 to fill the circular hole 24.
상기에서 접착제(26)는 2ZrO + H2O →2ZrO2+ H2를 만족하며 지르코니아로 구성된다.The adhesive 26 in the above satisfies 2ZrO + H 2 O → 2ZrO 2 + H 2 and is made of zirconia.
그리고 일산화 지르코늄과 증류수의 혼합비율은 대략 2:1가 되도록 하고, 특히 증류수는 일산화 지르코늄의 1/2이하가 되도록 한다.And the mixing ratio of zirconium monoxide and distilled water is about 2: 1, especially distilled water is less than 1/2 of zirconium monoxide.
상기와 같이 실리콘 웨이퍼(21) 상부 표면의 원형의 구멍(24)내에 지지테이프(25)와 접착제(26)로 열전쌍(23)을 수직으로 고정시키는 공정 후에 접착제(26)와 열전쌍(23)이 완전히 접착되도록 상온에서 이틀 정도 보관 즉, 건조시킨다.As described above, after the process of fixing the thermocouple 23 vertically with the support tape 25 and the adhesive 26 in the circular hole 24 on the upper surface of the silicon wafer 21, the adhesive 26 and the thermocouple 23 are removed. Store at room temperature for two days to ensure complete adhesion, ie, dry.
상기와 같이 건조된 열전쌍(23)을 대략 50℃이하의 저온에서 가열시켜주어 반응에 참여하지 못한 수분을 제거한다.As described above, the dried thermocouple 23 is heated at a low temperature of about 50 ° C. or less to remove moisture that does not participate in the reaction.
이후에 도 2e에 도시한 바와 같이 지지테이프(25)와 실리콘 웨이퍼(21) 전면에 형성된 코팅테이프(22)를 차례로 제거하고 열전쌍(23)의 표면 산화를 방지하기 위하여 소형의 석영(quartz) 튜브(27)를 열전쌍(23)에 복수개 끼운다.Thereafter, as shown in FIG. 2E, a small quartz tube is used to sequentially remove the supporting tape 25 and the coating tape 22 formed on the front surface of the silicon wafer 21 and to prevent surface oxidation of the thermocouple 23. A plurality of (27) are inserted into the thermocouple (23).
그리고 열전쌍(23)의 다른 한끝에는 필요에 따라서 전극 단자를 형성해준다.At the other end of the thermocouple 23, electrode terminals are formed as necessary.
상기와 같은 본 발명은 점용접 장비의 전극재료를 튜브형으로 교체하여 불활성의 아르곤(Ar) 가스가 내부를 통하여 전극의 끝으로 흘러나오게 함으로써 열전쌍의 표면산화를 방지하였다.The present invention as described above to prevent the surface oxidation of the thermocouple by replacing the electrode material of the spot welding equipment into a tubular shape so that inert argon (Ar) gas flows through the inside to the end of the electrode.
또한 실리콘 웨이퍼를 드릴로 파낼 때 사용하는 공구의 팁(Tip) 모양을 원통형으로 교체함으로써, 구형의 열전쌍이 드릴로 작업된 실리콘 웨이퍼와 접촉하는 면적을 넓게 할 수 있다.In addition, by changing the tip shape of the tool used to drill the silicon wafer into a cylindrical shape, the area where the spherical thermocouple is in contact with the drilled silicon wafer can be increased.
그리고 열전쌍과 실리콘 웨이퍼를 접착시켜주는 접착제로 분말형태의 일산화 지르코늄을 물과 섞어 사용함으로써 일산화 지르코늄이 지르코니아(이산화 지르코늄)가 되면서 결합하기 때문에 가장 우수한 결합력을 갖게된다.In addition, zirconium monoxide combines with zirconium monoxide (zirconium dioxide) by mixing powdered zirconium monoxide with water as an adhesive that bonds a thermocouple and a silicon wafer.
또한 접착제의 용매로 증류수를 사용하면 증류수의 산소성분이 지르코니아가 되기 때문에 열전쌍 웨이퍼에 열이 가해질 때 접착성분이 분해되어 반도체 장비를 오염 시키는 문제를 해결 할 수 있다.In addition, when the distilled water is used as the solvent of the adhesive, since the oxygen component of the distilled water becomes zirconia, when the heat is applied to the thermocouple wafer, the adhesive component is decomposed to contaminate the semiconductor equipment.
상기와 같이 접착제에서 발생될 수 있는 불순물을 원천적으로 사용하지 않고 증류수를 사용함으로써 자체 산화력으로 우수한 접착력과 내열성, 내화학성을 높였다.As described above, by using distilled water instead of using impurities that may be generated in the adhesive, the excellent adhesion, heat resistance, and chemical resistance were enhanced by self-oxidizing power.
특히, 고온의 열(또는 임의 화학성분)에 의하여 실리콘 웨이퍼나 열전쌍과 반응하지 않으며, 일산화 지르코늄은 증류수와 반응하여 지르코니아가 되며 실리콘 웨이퍼와 열전쌍 사이를 일산화 지르코늄이 지르코니아로 변화하면서 접착을 시켜준다.In particular, it does not react with silicon wafers or thermocouples due to high temperature heat (or any chemical composition), and zirconium monoxide reacts with distilled water to form zirconia and bonds zirconium monoxide to zirconia between silicon wafer and thermocouple.
따라서 열전쌍의 접점은 웨이퍼에 형성된 원형의 구멍의 밑바닥에 접촉한 상태로 지르코니아속에 매립된다.Therefore, the thermocouple contacts are embedded in the zirconia in contact with the bottom of the circular hole formed in the wafer.
상기와 같이 형성된 열전쌍 웨이퍼를 이용하여 급속 열처리 장비의 온도 변동을 직접적으로 모니터할 수 있다.Using the thermocouple wafer formed as described above it is possible to directly monitor the temperature fluctuation of the rapid heat treatment equipment.
상기와 같은 본 발명 열전쌍 웨이퍼의 제작방법은 다음과 같은 효과가 있다.The method of manufacturing the thermocouple wafer of the present invention as described above has the following effects.
첫째, 점용접 장비의 전극재료를 튜브형으로 교체하여 불활성의 아르곤(Ar) 가스가 내부를 통하여 전극의 끝으로 흘러나오게 함으로써 열전쌍의 표면산화를 방지하였다.First, the electrode material of the spot welding equipment was replaced with a tubular shape so that inert argon (Ar) gas flowed out through the inside of the electrode to prevent the surface oxidation of the thermocouple.
둘째 실리콘 웨이퍼를 드릴로 파낼 때 사용하는 공구의 팁(Tip) 모양을 원통형으로 교체함으로써, 구형의 열전쌍이 드릴로 작업된 실리콘 웨이퍼와 접촉하는 면적을 넓게 할 수 있다.Second, by changing the tip shape of the tool used to drill the silicon wafer into a cylindrical shape, the area where the spherical thermocouple is in contact with the drilled silicon wafer can be increased.
셋째, 열전쌍과 실리콘 웨이퍼를 접착시켜주는 접착제로 분말형태의 일산화 지르코늄을 증류수를 섞어 사용함으로써 일산화 지르코늄이 지르코니아(이산화 지르코늄)가 되면서 결합하기 때문에 가장 우수한 결합력을 갖게된다.Third, as the adhesive that bonds the thermocouple and the silicon wafer, zirconium monoxide in powder form is mixed with distilled water so that the zirconium monoxide binds to zirconia (zirconium dioxide) and thus has the best bonding force.
넷째, 접착제의 용매로 증류수를 사용하면 증류수의 산소성분이 지르코니아가 되기 때문에 열전쌍 웨이퍼에 열이 가해질 때 접착성분이 분해되어 반도체 장비를 오염 시키는 문제를 해결 할 수 있다.Fourth, when the distilled water is used as the solvent of the adhesive, the oxygen component of the distilled water becomes zirconia, so that the adhesive component is decomposed when heat is applied to the thermocouple wafer to contaminate the semiconductor equipment.
상기와 같이 접착제에서 발생될 수 있는 불순물을 원천적으로 사용하지 않고 증류수를 사용함으로써 자체 산화력으로 우수한 접착력과 내열성, 내화학성을 높였다.As described above, by using distilled water instead of using impurities that may be generated in the adhesive, the excellent adhesion, heat resistance, and chemical resistance were enhanced by self-oxidizing power.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010037123A KR20030001765A (en) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | method for fabricating of thermocouple wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010037123A KR20030001765A (en) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | method for fabricating of thermocouple wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030001765A true KR20030001765A (en) | 2003-01-08 |
Family
ID=27711536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010037123A Withdrawn KR20030001765A (en) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | method for fabricating of thermocouple wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20030001765A (en) |
-
2001
- 2001-06-27 KR KR1020010037123A patent/KR20030001765A/en not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2259993T3 (en) | PROCEDURE FOR THE MANUFACTURE OF COMPONENTS, USE OF THE SAME, PART OF WORK IN PNEUMATIC SUSPENSION AND CAMERA OF EMPTY TREATMENT. | |
| AU634441B2 (en) | A fluxless soldering process | |
| US6333554B1 (en) | Semiconductor device with gold bumps, and method and apparatus of producing the same | |
| TW201837976A (en) | Method for manufacturing semiconductor processing equipment and manufactured device | |
| TWI632589B (en) | Wafer chuck used in semiconductor manufacturing process | |
| JP2004532932A5 (en) | ||
| JPS63220992A (en) | Method for soldering electronic parts to base plate | |
| CN109573990B (en) | A method for rapid preparation of patterned doped graphene by ultraviolet laser | |
| EP0214396B1 (en) | Process for joining a workpiece to a substrate | |
| IT9021494A1 (en) | PLATINUM DIFFUSION PROCESS | |
| US20110014785A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor manufacturing apparatus used in said method | |
| US3930306A (en) | Process for attaching a lead member to a semiconductor device | |
| KR20030001765A (en) | method for fabricating of thermocouple wafer | |
| CN104942455A (en) | Low-temperature self-welding method of carbon-coating copper nanowires | |
| US6935549B2 (en) | Brazing fixtures and methods for fabricating brazing fixtures used for making feed-through assemblies | |
| CN1617656B (en) | Electronic component processing method and processing device | |
| JP3753524B2 (en) | Manufacturing method of electronic parts | |
| TWI753135B (en) | Ring for protection materials | |
| KR100230429B1 (en) | Method for forming silicon oxynitride in semiconductor device | |
| JP2904998B2 (en) | Solid object made of ceramic high-temperature superconducting material connected to metal conductor and method of manufacturing the same | |
| US3216871A (en) | Method of making silicon alloydiffused semiconductor device | |
| CN108336029B (en) | Preparation method of aluminum nitride bottom plate and copper heat sink composite | |
| JP3269664B2 (en) | Metal member sealing method | |
| US2812480A (en) | Method of treating semi-conductor devices and devices produced thereby | |
| JP2001044192A (en) | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20010627 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 20041006 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
|
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |