KR20020091349A - Apparatus for semiconductor processing having chamber - Google Patents
Apparatus for semiconductor processing having chamber Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020091349A KR20020091349A KR1020010029910A KR20010029910A KR20020091349A KR 20020091349 A KR20020091349 A KR 20020091349A KR 1020010029910 A KR1020010029910 A KR 1020010029910A KR 20010029910 A KR20010029910 A KR 20010029910A KR 20020091349 A KR20020091349 A KR 20020091349A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chamber
- wall
- contamination
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
내벽에 침적되는 오염물을 용이하게 제거할 수 있는 챔버를 갖는 반도체 제조 장치가 개시되어 있다. 챔버를 갖는 반도체 제조 장치는 상기 챔버의 내벽의 소정 부위에 부착되고, 오염 시에는 탈착이 가능하도록 구성되는 오염 방지용 부재를 구비한다. 상기 오염 방지용 부재는 일면은 챔버 내벽과 동일한 재질의 박막이 형성되고, 이에 대향하는 이면은 상기 챔버의 내벽과 접착할 수 있도록 접착면으로 형성된다. 따라서 반도체 제조 장치에서 공정 수행중에 발생되는 오염물은 오염 방지 부재에 침적되고, 상기 오염 방지 부재를 교환함으로서 오염물을 제거할 수 있다.A semiconductor manufacturing apparatus having a chamber capable of easily removing contaminants deposited on an inner wall thereof is disclosed. A semiconductor manufacturing apparatus having a chamber is attached to a predetermined portion of the inner wall of the chamber, and is provided with a pollution preventing member configured to be detachable in case of contamination. The contamination prevention member is formed on one surface of the thin film of the same material as the inner wall of the chamber, the rear surface opposite to this is formed of an adhesive surface to be bonded to the inner wall of the chamber. Therefore, the contaminants generated during the process in the semiconductor manufacturing apparatus are deposited on the contamination prevention member, and the contamination may be removed by replacing the contamination prevention member.
Description
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 챔버내에서 공정이 수행되는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus in which a process is performed in a chamber.
일반적으로 반도체 장치는 실리콘으로 형성되는 웨이퍼를 반도체 제조 장치를 이용하여 포토 리소그래피, 이온주입, 화학 기계적 연마(chemical and mechanical polishing), 증착 및 식각 등과 같은 일련의 단위 공정들을 반복적으로수행하여 제조된다. 상기 단위 공정들 중에서 이온 주입, 증착 및 식각 공정을 포함하는 주요 공정들은 챔버 내에 웨이퍼가 인입되어 공정이 진행된다.In general, a semiconductor device is manufactured by repeatedly performing a series of unit processes, such as photolithography, ion implantation, chemical and mechanical polishing, deposition and etching, using a semiconductor manufacturing apparatus for a wafer formed of silicon. Among the unit processes, the main processes including ion implantation, deposition, and etching processes are performed by inserting a wafer into the chamber.
상기 챔버 내에서 공정을 수행하면, 공정 중에 발생한 오염물들이 외부로 완전히 빠져나가지 못하고 상기 챔버 내벽에 침적된다. 상기 침적된 오염물들은 공정 불량을 유발하기 때문에, 정기적으로 상기 오염물들을 제거하여야만 한다.When the process is performed in the chamber, contaminants generated during the process do not completely escape to the outside but are deposited on the inner wall of the chamber. Since the deposited contaminants cause process failure, the contaminants must be removed on a regular basis.
상기 챔버를 갖는 반도체 장치 중에서 이온 주입 장치의 일 예는 Kooke 등에게 허여된 미합중국 특허 제 5,641,969호 및 Koike 등에게 허여된 제 4,399,365호에 개시되어 있다.One example of an ion implantation device among semiconductor devices having such chambers is disclosed in US Pat. No. 5,641,969 to Kooke et al. And US Pat. No. 4,399,365 to Koike et al.
이온 주입 장치에서 웨이퍼 상에 이온을 주입하는 공정을 예로 들어 살펴보자.As an example, a process of implanting ions onto a wafer in an ion implantation apparatus will be described.
상기 이온 주입 장치의 챔버 내에 로딩되는 웨이퍼는 상부에 이온 주입을 위한 마스크로서 포토레지스트 패턴이 형성되어 있다. 상기 챔버 내에서 이온 주입 공정이 수행되면, 웨이퍼 상의 포토레지스트 패턴이 상기 고에너지를 갖는 이온들과 충돌하여 탈착된다. 그리고, 상기 탈착된 포토레지스트 입자들의 일부는 챔버의 내벽에 침적되어 상기 챔버 내벽을 오염시킨다.The wafer loaded in the chamber of the ion implantation apparatus has a photoresist pattern formed thereon as a mask for ion implantation. When the ion implantation process is performed in the chamber, the photoresist pattern on the wafer collides with and desorbs the ions having the high energy. Then, some of the desorbed photoresist particles are deposited on the inner wall of the chamber to contaminate the inner wall of the chamber.
상기 챔버의 내벽에 침적된 포토레지스트 입자를 포함하는 오염물들을 정기적으로 세정을 하여 공정 불량을 방지하여야 한다. 상기 포토레지스트를 포함하는 오염물들을 제거하기 위해서는 일반적으로 케미컬을 사용한다.Contaminants including photoresist particles deposited on the inner wall of the chamber should be periodically cleaned to prevent process defects. Chemicals are generally used to remove contaminants including the photoresist.
그러나 상기 케미컬을 사용하면 상기 챔버의 내벽의 표면이 손상되어 챔버의 진공도가 저하되고, 상기 챔버 표면이 부식되는 문제점이 있다. 또한, 일반적으로사용되는 상기 케미컬은 과산화 수소(H2O2)를 포함하는 유독성 케미컬이므로 작업자의 안전 사고가 발생할 소지가 있다.However, when the chemical is used, the surface of the inner wall of the chamber is damaged to lower the vacuum degree of the chamber, and the surface of the chamber is corroded. In addition, the chemicals generally used are toxic chemicals containing hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), which may cause a safety accident for an operator.
따라서, 본 발명의 목적은 내벽에 침적되는 오염물을 용이하게 제거할 수 있는 챔버를 갖는 반도체 제조 장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus having a chamber that can easily remove contaminants deposited on inner walls.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a view schematically showing an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도1의 A부위를 확대한 확대도이다.2 is an enlarged view illustrating an area A of FIG. 1 enlarged.
도 3은 포토레지스트 패턴이 형성된 웨이퍼에 이온이 주입되는 것을 개략적으로 나타내는 도면이다.3 is a diagram schematically illustrating implantation of ions into a wafer on which a photoresist pattern is formed.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10 : 챔버 12 : 오염 방지 부재10 chamber 12 contamination prevention member
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 챔버 내에서 공정이 수행되는 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 챔버의 내벽의 소정 부위에 부착되고, 오염 시에는 탈착이 가능하도록 구성되는 오염 방지용 부재를 구비하는 챔버를 갖는 반도체 제조 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor manufacturing apparatus in which a process is performed in a chamber, comprising a member for preventing contamination attached to a predetermined portion of an inner wall of the chamber and configured to be detachable in case of contamination. A semiconductor manufacturing apparatus having a chamber is provided.
상기 오염 방지용 부재는 일면은 챔버 내벽과 동일한 재질의 박막이 형성되고, 이에 대향하는 이면은 상기 챔버의 내벽과 접착할 수 있도록 접착면으로 형성된다.The contamination prevention member is formed on one surface of the thin film of the same material as the inner wall of the chamber, the rear surface opposite to this is formed of an adhesive surface to be bonded to the inner wall of the chamber.
상기 오염 방지용 부재는 공정을 수행하는 중에 발생되는 물질들에 의해 오염되는 부위에 부착된다.The antifouling member is attached to a part contaminated by substances generated during the process.
따라서 상기 공정을 수행하는 중에 발생되는 오염 물질들은 상기 챔버 내벽에 부착되어 있는 오염 방지용 부재의 일면에 침적된다. 상기 오염 방지용 부재의 일면에 상기 오염물들이 다량으로 침적되면, 상기 오염 방지용 부재를 떼어내고 새로운 오염 방지용 부재로 교환하여 부착함으로서 상기 챔버 내의 오염물들을 용이하게 제거할 수 있다.Therefore, contaminants generated during the process are deposited on one surface of the pollution prevention member attached to the inner wall of the chamber. When a large amount of the contaminants are deposited on one surface of the anti-contamination member, the contaminants in the chamber may be easily removed by detaching and attaching the anti-contamination member to a new anti-contamination member.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a view schematically showing an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시되어 있는 이온 주입 장치는 웨이퍼(W)가 로딩되어 웨이퍼(W) 표면에 이온이 주입되는 부분이다. 그리고 상기 챔버(10)의 내벽에는 공정 중에 발생되는 물질들에 의해 상기 챔버(10)내벽이 오염되는 것을 방지하기 위한 오염 방지 부재(12)가 부착되어 있다. 그리고 화살표(12)로 도시한 것은 이온 주입 공정 중에 웨이퍼로 가속되는 이온들의 방향을 나타낸다.The ion implantation apparatus illustrated in FIG. 1 is a portion in which a wafer W is loaded and ions are implanted onto the surface of the wafer W. As shown in FIG. In addition, a pollution prevention member 12 is attached to an inner wall of the chamber 10 to prevent the inner wall of the chamber 10 from being contaminated by materials generated during the process. And shown by arrow 12 indicates the direction of ions accelerated to the wafer during the ion implantation process.
도 2는 오염 방지 부재를 설명하기 위해 도 1의 A부위를 확대한 확대도이다.2 is an enlarged view of an area A of FIG. 1 enlarged to explain a contamination prevention member.
상기 오염 방지 부재(12)는 챔버(10)의 내벽에서 상기 공정 중에 발생하는 물질이 침적되어 오염이 발생하는 부위에 부착되어 있다. 상기 오염 방지 부재(12)의 일면(12a)은 상기 오염 방지 부재(12)가 부착될 면(즉, 챔버의 내벽)과 동일한 재질의 박막으로 형성하는 것이 바람직하다. 그러나 그것이 어려울 경우에는 금속 박막(예를 들어, 박막으로 가공이 용이한 알루미늄)으로 형성할 수도 있다. 그리고 상기 오염 방지 부재(12)에서 상기 박막이 형성된 면(12a)과 대향하는 면은 상기 챔버(10)의 내벽과 접착할 수 있도록 접착면(12b)으로 구성된다.The contamination prevention member 12 is attached to the site where contamination occurs by depositing a substance generated during the process on the inner wall of the chamber 10. One surface 12a of the pollution prevention member 12 is preferably formed of a thin film of the same material as the surface on which the pollution prevention member 12 is to be attached (that is, the inner wall of the chamber). However, when it is difficult, it can also be formed from a metal thin film (for example, aluminum which is easy to process into a thin film). The surface opposite to the surface 12a on which the thin film is formed in the contamination prevention member 12 is configured as an adhesive surface 12b so as to be able to adhere to the inner wall of the chamber 10.
따라서 상기 오염 방지 부재(12)의 접착면(12b)을 상기 챔버(10)내벽에 부착시키면, 상기 접착면(12b)과 대향하는 면이 상기 챔버(10) 내부에 노출된다. 그리고, 상기 챔버(10)의 내벽의 표면은 상기 오염 방지 부재(12)가 접착됨에 따라 상기 챔버(10)내부에 노출되지 않는다.Accordingly, when the adhesion surface 12b of the contamination prevention member 12 is attached to the inner wall of the chamber 10, a surface facing the adhesion surface 12b is exposed to the inside of the chamber 10. In addition, the surface of the inner wall of the chamber 10 is not exposed inside the chamber 10 as the contamination prevention member 12 is bonded.
상기 오염 방지 부재(12)의 접착면(12b)은 상기 챔버(10)내에서 수행되는 이온 주입 공정에 의해 반응이 발생되지 않는 접착제로 처리되어 있다. 또한 상기 접착면(12b)은 상기 챔버(10)내벽을 손상시키지 않으면서 부착 및 탈착할 수 있는 접착제로 처리되어 있다.The adhesive surface 12b of the contamination prevention member 12 is treated with an adhesive that does not generate a reaction by an ion implantation process performed in the chamber 10. In addition, the adhesive surface 12b is treated with an adhesive that can be attached and detached without damaging the inner wall of the chamber 10.
상기 오염 방지 부재(12)는 굴곡이 있는 면에도 깨끗하게 부착될 수 있도록 플랙시블하게 구부리거나 펴서 부착할 수 있도록 형성한다.The anti-fouling member 12 is formed to be flexibly bent or extended so as to be attached to the curved surface cleanly.
상기 챔버(10)내에서 이온 주입 공정을 수행하면 상기 챔버(10)내에는 이온이나 상기 웨이퍼(W)에서 탈착된 막등의 오염물(14)들이 발생되고, 상기 물질들은 상기 챔버(10)의 내벽에 침적되지 않고 상기 오염 방지 부재(12)의 일면(12a)에 침적된다. 그러므로 상기 오염 방지 부재(12)에 상기 오염물들이 다량으로 침적되면, 상기 오염물이 침적된 오염 방지 부재(12)를 떼어내고 새로운 오염 방지 부재(12)를 부착하여 상기 챔버(10)내의 오염물(14)을 제거한다.When the ion implantation process is performed in the chamber 10, contaminants 14, such as ions or a film desorbed from the wafer W, are generated in the chamber 10, and the materials are formed on the inner wall of the chamber 10. It is deposited on one surface 12a of the pollution prevention member 12 without being deposited on it. Therefore, when the contaminants are deposited in a large amount on the pollution prevention member 12, the contamination prevention member 12 on which the contamination is deposited is removed and a new pollution prevention member 12 is attached to the contamination 14 in the chamber 10. ).
상기 오염 방지 부재(12)를 갖는 이온 주입 장치를 예로 들어 상기 챔버(10) 내의 오염물을 제거하는 방법을 자세히 설명하고자 한다.For example, a method of removing contaminants in the chamber 10 will be described in detail using an ion implantation apparatus having the contamination prevention member 12 as an example.
상기 이온 주입 공정은 웨이퍼(W)기판이나 소정의 막에 불순물을 주입하는 공정이다. 상기 이온 주입은 웨이퍼(W)의 소정의 부위에 선택적으로 수행되어야 하기 때문에 상기 웨이퍼(W)에서 이온이 주입되지 않아야 할 곳을 마스킹하기 위한 마스크가 형성되어 있다. 상기 마스크는 일반적으로 포토레지스트 패턴을 형성하여사용한다.The ion implantation step is a step of implanting impurities into the wafer (W) substrate or a predetermined film. Since the ion implantation must be selectively performed at a predetermined portion of the wafer W, a mask is formed to mask a place where ions should not be implanted in the wafer W. The mask is generally used to form a photoresist pattern.
상부에 포토레지스트 패턴이 형성되어 있는 웨이퍼(W)를 상기 이온 주입 장치의 챔버(10)내로 로딩한다. 그리고 상기 웨이퍼(W)의 표면으로 이온을 주입한다. 상기 이온의 주입은 고에너지를 갖는 이온들을 상기 웨이퍼 표면으로 가속시켜 수행된다.The wafer W having the photoresist pattern formed thereon is loaded into the chamber 10 of the ion implantation apparatus. And ions are implanted into the surface of the wafer (W). The implantation of ions is performed by accelerating ions with high energy to the wafer surface.
도 3은 포토레지스트 패턴이 형성된 웨이퍼에 이온이 주입되는 것을 개략적으로 나타내는 도면이다.3 is a diagram schematically illustrating implantation of ions into a wafer on which a photoresist pattern is formed.
도 3에서 고 에너지를 가진 이온들의 경로들은 위에서 아래로 향하는 화살표(18a)로 도시하였다. 상기 이온 주입 공정을 수행하면, 상부에서 하부로 향하는 화살표(18a)로 도시된 바와 같이 가속된 이온이 상기 웨이퍼로 향해 제공된다. 그러면, 상기 가속된 이온들은 상기 포토레지스트 패턴이 형성되지 않은 웨이퍼의 표면 아래로 주입되어 예컨대 소오스 영역 또는 드레인 영역과 같은 정션을 형성한다.In Figure 3 the paths of ions with high energy are shown by arrows 18a pointing from top to bottom. When the ion implantation process is performed, accelerated ions are provided toward the wafer as shown by arrows 18a from top to bottom. The accelerated ions are then implanted under the surface of the wafer on which the photoresist pattern is not formed to form a junction such as a source region or a drain region, for example.
그런데, 상기 포토레지스트 패턴(16)에 충돌되는 상기 이온들은 상기 포토레지스트 패턴(16)의 일부를 탈착시키거나 또는 버닝(burning)시킨다. 상기 탈착된 포토레지스트의 입자의 경로는 아래에서 위쪽으로 향하는 화살표(18b)로 도시하였다.However, the ions impinging on the photoresist pattern 16 desorb or burn a portion of the photoresist pattern 16. The path of the particles of desorbed photoresist is shown by arrows 18b pointing from bottom to top.
상기 탈착된 포토레지스트 입자는 대부분 챔버 내의 진공을 형성하기 위한 펌핑을 수행하면서 상기 챔버의 외부로 빠져나가지만, 일부는 외부로 빠져나가지 못하고 챔버(10)내에서 침적된다.The desorbed photoresist particles mostly escape to the outside of the chamber while performing pumping to form a vacuum in the chamber, but some of the photoresist particles do not escape to the outside and are deposited in the chamber 10.
그런데, 상기 외부로 빠져나가지 못한 상기 포토레지스트 입자는 종래와 같이 상기 챔버(10)의 내벽에 침적되지 않고, 상기 챔버(10)의 내벽에 부착되어 있는 오염 방지 부재(12)의 일면(12a)에 침적하게 된다.However, the photoresist particles which do not escape to the outside are not deposited on the inner wall of the chamber 10 as in the prior art, but have one surface 12a of the contamination prevention member 12 attached to the inner wall of the chamber 10. Will be deposited.
상기 오염 방지 부재(12)에 상기 포토레지스트 입자들이 다량으로 침적되면, 상기 챔버(10)내의 진공도가 저하되고, 상기 포토레지스트 입자들이 웨이퍼(W)상에 파티클로 작용하여 공정 불량이 유발된다.When a large amount of the photoresist particles are deposited on the contamination prevention member 12, the vacuum degree in the chamber 10 is lowered, and the photoresist particles act as particles on the wafer W, thereby causing a process defect.
그러나 상기 오염된 오염 방지 부재(12)를 떼어내고, 새로운 오염 방지 부재(12)로 교환하여 상기 챔버(10)내벽에 부착시킴으로서 상기 공정 불량을 방지할 수 있다. 그리고, 상기 떼어낸 오염 방지 부재(12)는 폐기한다.However, the process defect can be prevented by removing the contaminated anti-fouling member 12 and replacing it with a new anti-contamination member 12 to attach to the inner wall of the chamber 10. Then, the detached contamination prevention member 12 is discarded.
상기 오염 방지 부재(12)를 교환함으로서, 상기 챔버(10)내에 침적되어 있는 오염물(14)들이 제거된다. 따라서 상기 오염물(14)에 의한 공정 불량을 방지할 수 있다.By replacing the contamination prevention member 12, the contaminants 14 deposited in the chamber 10 are removed. Therefore, process defects caused by the contaminants 14 can be prevented.
그리고, 상기 오염 방지 부재(12)를 교환하여 챔버(10)내의 오염물(14)을 제거하면, 종래에 상기 챔버(10)내벽을 케미컬에 의해 세정할 때에 비해 시간의 소모가 작다. 따라서 반도체 장치의 생산성이 향상되는 효과가 있다.When the contaminant 14 in the chamber 10 is removed by exchanging the contamination preventing member 12, the conventional method consumes less time than when chemically cleaning the inner wall of the chamber 10. Therefore, there is an effect that the productivity of the semiconductor device is improved.
또한 상기 케미컬에 의해 상기 챔버 내벽을 세정할 때 상기 챔버 내벽이 손상되거나 부식되는 것을 방지하기 때문에 상기 챔버 내벽이 보호된다.In addition, the chamber inner wall is protected because the chemical prevents the chamber inner wall from being damaged or corroded when the chamber is cleaned by the chemical.
그리고, 상기 실시예에서는 이온 주입 장치에 국한하여 설명하였지만, 챔버를 갖는 반도체 장치에 다양하게 적용할 수 있다. 구체적으로 식각 장치 및 증착 장치 등에도 적용할 수 있다.In the above embodiment, the present invention has been limited to the ion implantation apparatus, but can be applied to various semiconductor devices having a chamber. Specifically, the present invention may be applied to an etching apparatus and a deposition apparatus.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 챔버를 갖는 반도체 제조 장치에서 상기 챔버 내벽의 소정 부위에 오염 방지용 부재를 부착한다. 따라서 상기 챔버 내에 오염물이 침적되면 상기 오염 방지 부재를 교환함으로서 상기 오염물들을 제거한다. 따라서 상기 오염물에 의한 공정 불량을 방지할 수 있다.As described above, according to the present invention, in the semiconductor manufacturing apparatus having a chamber, a member for preventing contamination is attached to a predetermined portion of the inner wall of the chamber. Therefore, when contaminants are deposited in the chamber, the contaminants are removed by replacing the contaminant preventing member. Therefore, process defects caused by the contaminants can be prevented.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. And can be changed.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010029910A KR20020091349A (en) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | Apparatus for semiconductor processing having chamber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010029910A KR20020091349A (en) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | Apparatus for semiconductor processing having chamber |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020091349A true KR20020091349A (en) | 2002-12-06 |
Family
ID=27707028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010029910A Withdrawn KR20020091349A (en) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | Apparatus for semiconductor processing having chamber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20020091349A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100727609B1 (en) * | 2005-09-12 | 2007-06-14 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | Organic Vacuum Deposition Device |
| KR101525065B1 (en) * | 2013-07-02 | 2015-06-03 | 한국생산기술연구원 | shield member of preventing pollution in film deposition chamber |
| KR20190108680A (en) * | 2018-03-15 | 2019-09-25 | 엘에스피주식회사 | Patch for Recovery of Valuable Metal |
-
2001
- 2001-05-30 KR KR1020010029910A patent/KR20020091349A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100727609B1 (en) * | 2005-09-12 | 2007-06-14 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | Organic Vacuum Deposition Device |
| KR101525065B1 (en) * | 2013-07-02 | 2015-06-03 | 한국생산기술연구원 | shield member of preventing pollution in film deposition chamber |
| KR20190108680A (en) * | 2018-03-15 | 2019-09-25 | 엘에스피주식회사 | Patch for Recovery of Valuable Metal |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8236109B2 (en) | Component cleaning method and storage medium | |
| KR100806476B1 (en) | Apparatus for Removing Organic Films | |
| US6003526A (en) | In-sit chamber cleaning method | |
| US20080002164A1 (en) | Apparatus and method for immersion lithography | |
| CN101194046A (en) | Wet cleaning method for quartz surface of component of plasma processing chamber | |
| JPH0864573A (en) | Cleaning of electrostatic chuck in plasma reactor | |
| TWI523703B (en) | Methodology for cleaning of surface metal contamination from an upper electrode used in a plasma chamber | |
| KR20020091349A (en) | Apparatus for semiconductor processing having chamber | |
| JPH0555184A (en) | Cleaning method | |
| GB2349742A (en) | Method and apparatus for processing a wafer to remove an unnecessary substance therefrom | |
| JP2022089007A (en) | Plasma processing method | |
| JP3338123B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus cleaning method and semiconductor device manufacturing method | |
| JP2006073753A (en) | Board cleaning device | |
| US20060137711A1 (en) | Single-wafer cleaning procedure | |
| KR100737753B1 (en) | Apparatus and Method for Processing Substrates | |
| KR100765900B1 (en) | Substrate edge etching apparatus and substrate processing equipment comprising the apparatus, and substrate processing method | |
| JPH0513394A (en) | Cleaning method for surface of substrate to form film thereon | |
| KR20030057175A (en) | An Apparatus Cleaning the Backside of Wafers | |
| JP2003119054A (en) | Optical component cleaning method and optical component cleaning device | |
| US6920891B2 (en) | Exhaust adaptor and method for chamber de-gassing | |
| KR100780290B1 (en) | Photoresist removal process implementation facility | |
| JPH09306882A (en) | Particle on substrate removing device and method | |
| JP7619980B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
| KR100712991B1 (en) | How to remove growth foreign substances in photomask | |
| JPH11145115A (en) | Ashing device cleaning method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20010530 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |