[go: up one dir, main page]

KR20020040770A - 넓은 전자밴드갭과 높은 결합에너지를 갖는 물질의증착방법과 장치 - Google Patents

넓은 전자밴드갭과 높은 결합에너지를 갖는 물질의증착방법과 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20020040770A
KR20020040770A KR1020027001795A KR20027001795A KR20020040770A KR 20020040770 A KR20020040770 A KR 20020040770A KR 1020027001795 A KR1020027001795 A KR 1020027001795A KR 20027001795 A KR20027001795 A KR 20027001795A KR 20020040770 A KR20020040770 A KR 20020040770A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
gas
flow channel
substrate holder
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020027001795A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100741182B1 (ko
Inventor
카에펠러요하네스
비슈메이어프랑크
슈트라우흐게르트
쥐르겐센홀거
Original Assignee
홀거 위르겐젠
아익스트론 아게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 홀거 위르겐젠, 아익스트론 아게 filed Critical 홀거 위르겐젠
Publication of KR20020040770A publication Critical patent/KR20020040770A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100741182B1 publication Critical patent/KR100741182B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Control And Other Processes For Unpacking Of Materials (AREA)
  • Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)

Abstract

본 발명은 CVD 방법에 의하여 넓은 전자밴드갭 및 높은 결합에너지를 갖는 SiC 또는 SiCxGe1-x(x = 0 - 1) 반도체층 또는 이에 관련된 물질(예를 들어 AlN 또는 GaN)을 증착하기 위한 방법과 장치에 관한 것이다. 본 발명의 방법과 장치는 하나 이상의 기재가 약 1100 ~ 1800 ℃ 의 온도로 가열되고, 하나 이상의 기재가 사방에서 적극적으로 가열되는 유동채널 반응기내에서 회전되며, 물질이 호모 - 또는 헤테로 - 에피택시에 의하여 증착된다.

Description

넓은 전자밴드갭과 높은 결합에너지를 갖는 물질의 증착방법과 장치 {METHOD AND DEVICE FOR DEPOSITING MATERIALS WITH A LARGE ELECTRONIC ENERGY GAP AND HIGH BINDING ENERGY}
본 발명은 증기상으로부터 그리고 특히 CVD 방법에 의하여 예를 들어 AlN 또는 GaN 과 같이 넓은 전자밴드갭 및 높은 결합에너지를 갖는 SiC 또는 SiCxGe1-x(x=0-1) 반도체층 또는 이에 관련된 물질을 증착하기 위한 방법과 장치에 관한 것이다.
선행기술
이들의 물리적인 특성을 고려할 때, 넓은 밴드갭을 갖는 반도체는 Si 또는 GaAs 에 기초하는 전자반도체 구성요소에 사용하기에 특히 적합하다. 화학증기상 에피택시(CVD)는 고온, 고주파수 및 고전력용의 전자부품용으로 SiC 또는 SiCxGe1-x(x=0-1) 와 같은 전기적인 능동층을 제조하는데 가장 적합한 방법이다.
예를 들어 전형적인 전력용으로서 쇼트키 다이오드 또는 pn 다이오드와 같은 수직공간 전하영역조절형 소자의 경우에 있어서, U > 10 kV 범위의 전압을 차단할 수 있어야 한다. 따라서, 에피택셜 층은 100 ㎛ 까지의 두께를 갖도록 증착되는 것이 필요하다.
또한 고전력용인 경우 I > 10 A 의 높은 전류를 전환할 수 있어야 한다. 다만 면적이 넓은 소자만이 전송영역에서 이들 높은 전류를 반송할 수 있다. 따라서, 최소직경이 4"(인치)인 기재의 수요에 대한 꾸준한 증가는 에피택시의 경우 기재의 넓은 면적의 균등한 가열가능성을 요구한다.
통상 현재 사용되고 있는 2"(인치) 기재상에 SiC 층의 증착을 위하여 회전기재가 없는 고온벽 반응기를 이용하고 있다.
이들 반응기는 가스의 경로길이에서 성장율이 현저히 떨어지는 결점을 갖는다. 이러한 효과를 줄이기 위하여 종래기술에 따라서는 웨이퍼의 균등한 성장이 이루어질 수 있도록 하기 위하여 반응기 높이가 경로길이에 따라서 달라진다.
다른 결점은 벽의 영향을 고려하여 유동방향에 수직으로 이루어지는 성장이 불균등하다는 점이다. 성장이 벽에서 일어나 결가적으로 부가적인 공정가스가 소모된다. 더욱이, 벽은 반응기의 유동특성에 좋지 않은 영향을 준다. 이와 같은 경우에 있어서, 종래기술에 따라서는 공정압력 또는 유동상태를 변화시키거나 또는 웨이퍼와 벽사이의 거리를 증가시킴으로서 개선될 수는 있었다.
또 다른 결점은 경로길이상에서 그리고 경로길이에 대하여 수직으로 이루어지는 도핑이 불균일하다는 점이다. 이와 같은 경우에 있어서, 근본적으로 온도의 불균등성이 결정적으로 중요한 바, 회전없는 고온벽 반응기의 경우에 있어서, 이러한 불균등성은 장비를 추가하여야만 개선될 수 있다.
특허문헌 EP-A-0 164 928 에는 기재가 상하로 적층되는 수직고온벽 반응기가 기술되어 있다. 이는 기계적인 구동장치를 필요로 한다.
기재를 회전시키기 위한 기계적인 구동장치는 고온기재홀더에 대한 기계적인 통로를 필요로 한다. 이는 이러한 통로에 의하여 기재홀더의 온도가 불균등하게 되도록 하고, 예를 들어 기어와 같은 기계적인 요소는 요구된 1400℃ 이상의 온도에서 마모될 수 있도록 하여 첫째로는입자가 발생되고 둘째로는 물질이 분리되어 증착되는 층의 바람직하지 않은 배경 도핑이 이루어지도록 한다.
또 다른 결점은 흑연면의 기밀한 밀폐를 위하여 기재홀더 또는 기재캐리어의 흑연에 도포되는 코팅에 있다. 종래기술에 따라서, 이러한 코팅으로서 SiC 가 사용되었다. SiC 의 이용은 공정에 요구되 1400℃ 이상의 온도에서 SiC 코팅이 에칭되어 흑연부분의 사용수명이 단축된다. 더욱이, 기재의 배면이 밀집공간 에피택시의 결과로 코팅된 흑연면으로부터의 SiC 로 바람직하지 않게 코팅될 수 있다. 물질의 전달은 SiC 코팅에 구멍을 내는 결과를 가져온다. 더욱이, 흑연의 SiC 코팅에 형성된 구멍을 통하여 불순물이 방출되고 이러한 불순물이 반도체층에 전기적으로 활성을 가지고 이종원자로서 결합됨으로서 반도체층의 전기적인 특성에 영향을 준다. 높은 공정온도에서, 흑연의 SiC 코팅에 형성된 구멍을 통하여 수소가 방출되고 이러한 수소는 SiC 에피택시를 위한 증기상에 탄소의 비율이 증가하도록 하여 공정의 제어가능성을 떨어뜨린다.
아울러, 종래기술에 관련하여, 다음의 문헌들을 참조바란다. 이들 문헌의 내용은 상세히 설명하지는 않는다 : DE 195 22 574 A1, WO 98/42897, WO 99/31306.
발명의 요약 :
본 발명은 호모에피택셜 또는 헤테로에피택셜 SiC 또는 SiCxGe1-x(x=0-1) 층이 높은 성장율을 가지고 매우 균등하게 증착될 수 있는 방법과 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
이러한 목적은 증기상으로부터 예를 들어 AlN 또는 GaN 과 같이 넓은 전자밴드갭 및 높은 결합에너지를 갖는 SiC 또는 SiCxGe1-x(x=0-1) 반도체층 및 이에 관련된 물질을 증착하기 위한 것으로, 증착이 동일한 물질(호모에피택시) 또는 예를 들어 실리콘, 절연체 사파이어상의 실리콘과 같은 다른 적당한 물질(헤테로에피택시)로 구성되는 회전기재를 이용하여 사방에서 가열되는 유동채널반응기에서 이루어지는 방법과 장치에 의하여 달성된다.
본 발명은 이러한 방법과 장치에 기초한다.
본 발명은 하나 이상의 기재홀더 또는 기재판이 기재상부에 연속하고 사방에서 가열되는 유동채널로서 구성되며 흑연과 같이 고온에서 견딜 수 있는 전도성 물질로 구성되는 기재홀더 또는 기재캐리어에서 회전되는 것이 특징이다.
회전기재를 갖는 가열형 유동채널의 다른 실시형태는 반경류반응기로서 제공될 수 있다. 이러한 구성에 있어서, 다수의 웨이퍼가 동일한 공정조건하에서 동시에 코팅되는 것이 가능하다. 반경류반응기로서 구성되는 형태에 있어서, 공정가스는 중심으로부터 온도제어형 가스유입구를 통하여 외측으로 유동하고 회전기재의 상부를 지나 기재홀더 또는 기재캐리어의 외주연에서 배출가스수집기측으로 유동한다. 반경류반응기는 어떠한 벽도 가지지 않으므로 상기 언급된 고온채널반응기의 부정적인 측벽효과를 피할 수 있다.
기재판의 회전은 가스포일회전(gas foil rotation)에 의하여 수행될 수 있으며, 그 결과 기계적인 마모가 없고 복잡한 기계적인 베어링수단과 구동장치 등이 필요치 않다.
기재의 회전으로 경로길이에서의 성장율하락이 보상되며, 어떠한 온도기울기의 균등화가 경로길이에 수직인 기재홀더 또는 기재캐리어에서 이루어진다.
회전, 특히 가스포일회전에 의한 회전은 층두께 및 도핑과 균등온도분포의 면에서 균등성장의 결과를 가져온다. 더욱이, 먼저 가스포일회전의 이용을 고려할 때 입자발생이 매우 적을 수 있다. 또한온도의 균등성과 구성요소의 사용수명에서 부정적 효과 없는 고온에서의 기계적인 회전이 현재까지는 해결할 수 없었던 문제점을 제기한다는 사실이 가스포일회전의 면에서 한 요인이 된다.
공정가스, 특히 기재홀더 및 회전기재를 향하는 경계벽이 고주파가열, 램프가열, 저항열 및 이러한 가열수단의 조합에 의하여 1800℃ 까지의 온도로 가열될 수 있다. 동일한 온도 또는 상이한 온도로 경계를 가열시키는 온도제어장치를 이용할 수 있다. 따라서, 공정조건이 특별히 변경되거나 고정될 수 있다.
가열을 위하여, 특히 고주파가열에 의한 가열을 위하여, 열전달이 손실이 없으며 조절문제가 거의 없이 최적하게 이루어질 수 있도록 수용기 또는 기재홀더의 둘레와 상하에 하나 이상의 코일을 배치할 수 있다.
가열형 유동채널의 두 대향된 경계벽의 독립된 온도제어는 각각 전용의 제어수단을 갖는 두개의 독립된 가열회로를 이용함으로서 가능하다.
특히, 각각 전용의 제어수단을 갖는 두개의 독립된 가열회로를 이용하여 가열형 유동채널의 대향된 경계벽으로부터 분리된 기재측 경계벽의 온도를 제어함으로서 기재에 대하여 수직으로 온도기울기를 고정할 수 있다. 이와 같이 함으로서, 가스흐름내에 Si 클루스터 및 종자의 형성이 감소될 수 있다.
두 독립제어형 가열회로가 기재측 경계벽의 온도와 대향측 경계벽의 온도를 위하여 사용될 때, 이들 온도는 독립적으로 설정되는 것이 가능하다. 따라서, 기재와 유동채널의 대향측 경계벽사이의 온도기울기를 일정하게 설정할 수 있다.
공정가스, 특히 기재캐리어 또는 기재홀더를 향하는 가열형 유동채널의 경계벽은 특히 제조되는 물질의 균질성을 향상시키거나 개선하는 방향으로 전도성이 큰 물질로 구성될 수 있다.
더욱이, 공정가스, 특히 기재판 또는 기재홀더를 향하는 가열형 유동채널의 경계벽은 예를 들어 TaC 와 같은 물질의 코팅에 의하여 보호되는 것이 유리하다. 이 물질은 수소기에 의하여 에칭되지 않으며 1800 ℃ 까지의 온도에서도 승화되지 않고 기재판 또는 기재홀더의 흑연에 도포되어 코팅의 표면이 고온에서도 장시간 유지될 수 있다. 따라서 흑연면이 유리되지 않아 흑연으로부터 불순물이 방출되는 것이 최소화될 수 있다. 또한 바람직하지 않은 배면도핑이 < 5 x 1014cm-3으로제한될 수 있다. 적당한 기밀성 밀폐가 부가적인 탄화수소의 형성을 방지한다. 기재의 근방에서 규소와 탄소로 구성되는 증기상 조성의 제어가능성이 증가된다.
기재의 배면에서의 밀집공간 에피택시는 수소기의 에칭에 대하여 내성은 보이는 내열성 코팅의 이용으로 방지될 수 있다. 흑연으로 제조되는 기재판의 이러한 코팅은 예를 들어 TaC 로 구성될 수 있다.
유동채널로서 구성되는 기재홀더 또는 기재캐리어로 유입되는 가스는 적극냉각형 유입구에 의하여 이들 가스가 유입되기 직전까지 공정가스분해온도 이하로 유지된다. 따라서, 공정가스는 기재에 도달하기 전까지는 가능한 한 분해되는 것이 방지된다. 따라서 증기상의 증착은 최초 기재상에서만 이루어질 수 있다.
냉각형 유입구와 고온의 기재홀더 또는 기재캐리어는 열적으로 분리되고 좁다란 강단열체 세그먼트에 의하여 연결되는 것이 좋다. 이는 간단하여 유리한 단열수단이라 할 수 있다.
따라서, 앞서의 두 수단은 공정가스가 기재에 도달하기 직전에만 분해되므로 공정가스의 증착효율을 높여준다. 아울러, 급격한 온도변화가 기재의 근방에서 증기상의 분해를 제어할 수 있도록 이용되는 온도범위에서 가스의 소모를 억제한다.
고온유동채널에서 기재홀더 또는 기재캐리어에 대하여 수직인 낮은 온도기울기는 소오스 가스의 분해가 효과적으로 이루어질 수 있도록 한다. 가스유입구와 기재홀더 또는 기재캐리어사이의 급격한 온도변화와 기재홀더 또는 기재캐리어에 대하여 수직인 낮은 온도기울기는 가스흐름내에서의 Si 클루스터 또는 종자의 형성을 감소시킨다. 이로써 성장율은 최대가 될 수 있다.
따라서, 통합형의 기재홀더 또는 기재캐리어를 갖는 이러한 형태의 유동채널에서 > 10 ㎛/h 의 성장율을 얻을 수 있다.
여러 불활성 물질로 제조되는 유출구 세그먼트를 갖는 기재홀더 또는 기재캐리어 하류측의 유동채널 구성은 유출되는 가스의 반응을 방지하고, 이와 같이 함으로서 제조될 물질의 균질성이 역시 개선될 수 있도록 한다. 따라서 공정조건이 재현될 수 있다. 유출되는 가스의 반응에 의한 통제불능한 영향을 피할 수 있다.
기재홀더상에서 또는 기재홀더내에서 기재홀더로부터 다양한 전도율을 갖는 불활성 물질(예를 들어 Ta, Mo)로 제조된 박막체의 도입은 코일의 위치에 관계없이 기재홀더의 온도분포에 영향을 준다.
반경류 반응기의 형태에서, 회전기재를 갖는 가열형 유동채널의 다른 실시형태에서, 기재에 대향하여 놓이는 가열형 채널의 경계벽은 이로부터 일정한 거리에 있는 가열형 유동채널의 기재측 경계에 회전가능하게 연결되는 것이 좋다. 이로써 제조되는 반도체층의 균질성이 최적하게 되도록 유동채널내에서 적어도 하나의 기재의 회전운동이 개선된다.
더욱이, 요구된 온도기울기를 제공하기 위하여 기재에 대향하여 놓인 가열형 유동채널의 경계벽이 가스매체에 의하여 적극적으로 냉각되는 것이 유리하다. 이와 같이 함으로서 온도기울기와 온도/시간 프로파일에 대하여 유리한 효과를 얻을 수 있다.
회전기재가 가열형 유동채널의 요구된 경계벽에 배치된 기재홀더에 의하여 위치가 결정될 수 있으므로 중력효과가 공정의 최적화를 위하여 신중하게 이용될 수 있다.
만약 기재홀더의 가스유출구가 가스분배링으로서 구성되는 경우, 가스는 가스유동채널로부터 주연방향으로 균일하게 방출될 수 있다. 다양한 불활성 물질로 가스분배링을 구성함으로서 온도기울기 및 온도/시간 프로파일이 유리하게 영향받도록 한다. 이 경우에 있어서도, 영향받게되는 공정파라메타의 수는 유리하게 증가될 것이다. 이로써 유출되는 가스의 반응이 방지될 수 있다.
본 발명에 따른 방법은 이와 같이 공정가스 및 캐리어가스를 이용하고 층이 매우 균등하고 고성장율로 증착되는 적당한 압력과 조합하여 온도관리를 최적화함으로서 수행될 수 있다. 특히, 본 발명은 CVD, MOCVD 또는 MOVPE 방법과 같은 공지의 증착방법을 개선한다.
고온의 기재에 도달하기 직전에 공정온도의 이하로 냉각되는 공정가스 및 캐리어가스가 소오스 가스의 조기분해를 방지하고 가스흐름이 국지적으로 분해생성물에 의하여 과포화되는 것을 방지한다.
제조되는 반도체층의 품질에 영향을 주는 선택된 공정가스 및 캐리어가스가 본 발명에 따른 방법에 사용된다.
특히 5 x 1014cm-3~ 1 x 1019cm-3의 도핑이 이루어진다.
기재의 직전에서 소오스 가스의 완전한 분해는 기재홀더의 균일한 온도 프로파일을 고려할 때 반도체층에서 SiC 또는 SiCxGe1-x(x = 0 - 1)의 성장율이 10 ㎛/h 이상이 되도록 한다.
본 발명에 따른 방법을 이용하여 제조되는 기재에 수직인 낮은 온도기울기는 가스흐름내에 Si 클루스터 또는 종자의 형성이 감소되도록 한다.
호모에피택셜 또는 헤테로에피택셜 증착이 유리하게 이루어질 수 있다.
본 발명을 첨부도면에 의거하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1 은 증기상으로부터 층의 증착을 위한 본 발명에 따른 장치의 단면도.
도 2 는 도 1 장치내의 점선으로 지적된 a, b, c 및 d 위치에 따른 온도의 프로파일을 보인 그래프.
도 3 은 증기상으로부터 층의 증착을 위하여 이중회전형 반경류 반응기로서 구성되는 본 발명에 따른 장치의 단면도.
도 4 는 도 3 장치내의 점선으로 지적된 a, b, c 및 d 위치에 따른 온도의 프로파일을 보인 그래프.
도 1 에서 보인 예시의 실시형태에서, 참조부호들은 본 발명에 따른 시스템 또는 장치의 다음 구성요소를 나타낸다.
부호 1 은 적극냉각형 유입구를 나타낸다. 부호 2 는 냉각유입구(1)와 가열형 유동채널사이에 구성된 고단열 물질(예를 들어, 흑연 폼)의 짧은 단열세그먼트를 나타낸다.
부호 3a 는 가스포일회전에 의하여 회전하는 기재판(4)을 갖는 기재홀더 또는 기재캐리어를 나타내며, 이들 구성요소는 불활성의 코팅(예를 들어, TaC)을 가지고 고온에서 견딜 수 있는 전도성 물질(예를 들어, 흑연)로 구성되고 1800 ℃ 까지의 온도에서도 수소기에 대하여 내성을 보인다. 기재홀더(3a)에 대향하여, 측벽(도시하지 않았음)을 이용하여 가스유동방향에 수직으로 폐쇄되고 기재홀더(3a)에 일체로 구성되는 유동채널을 형성하기 위한 유동채널의 상부경계(3b)가 배치된다. 또한 기재홀더(3a)는 다른 경계벽에 배치될 수도 있다. 부호 5 는 전체 유동채널을 적극적으로 가열하기 위하여 폐쇄된 기재홀더(3a)의 주위와 상하에 배치된 하나 이상의 코일을 나타낸다. 부호 6 은 수용기와 가스유출구사이의 온도를 낮추기 위하여 다양한 물질로 구성되는 하나 이상의 유출구세그먼트를 나타낸다. 부호 8 은 코일위치에 관계없이 온도분포에 영향을 주기 위하여 기재홀더(3a)에 비하여 두께가 얇고 기재홀더(3a)의 전기적인 전도율이 다르며 불활성인 물질(예를 들어, Mo, Te)로 구성되는 판을 나타낸다.
도 2 는 이 시스템에서 공정가스의 위치에 따라서 달라지는 시스템내의 온도프로파일을 보이고 있다. 이로부터 공정가스는 이들이 가열된 유동채널로 유입되기 전까지는 어느 위치에서나 냉각되어 있고 가열된 유동채널에서는 이들이 공정가스의 열분해에 요구된 온도로 급격히 상승된다. 유출구 이후에, 공정가스의 연속적이고 제어된 냉각이 유출구세그먼트에 의하여 이루어진다.
도 3 은 이중회전형의 반경류 반응기 형태인 본 발명에 따른 시스템의 다른 예시적인 실시형태를 보이고 있다. 반응기는 도 3 의 우측에 표시된 점선에 대하여 대칭으로 구성되며, 도 3 에서는 그 반부분만을 보이고 있다. 이 도면에서도 역시 부호 1 은 적극냉각형 유출구를 나타낸다. 부호 2 는 냉각유입구(1)와 가열형 유동채널사이에 구성된 고단열 물질(예를 들어, 흑연 폼)의 짧은 단열세그먼트를 나타낸다. 부호 3a 는 가스포일회전에 의하여 회전하는 기재판(4)을 갖는 기재홀더 또는 기재캐리어를 나타내며, 이들 구성요소는 전도성이고 고온에서 견디는 물질(예를 들어, 흑연)로 구성되고 1800 ℃ 까지의 온도에서도 수소기에 대하여 내성을 보이는 불활성 코팅(예를 들어, TaC)을 갖는다. 기재홀더(3a)에 대향하여, 측벽(도시하지 않았음)과 함께 가스유동방향에 수직으로 폐쇄되고 기재홀더(3a)에 일체로 구성되는 유동채널을 형성하기 위한 경계(3b)가 배치된다. 또한 기재홀더(3a)는 다른 경계벽에 배치될 수도 있다. 부호 5 는 전체 기재홀더(3a)를 적극적으로 가열하기 위하여 폐쇄된 기재홀더(3a)의 주위와 상하에 배치된 하나 이상의 코일을 나타낸다. 부호 6 은 수용기와 가스유출구사이의 온도를 낮추기 위하여 다양한 물질로 구성되는 하나 이상의 유출구세그먼트를 나타낸다. 부호 8 은 코일위치에 관계없이 온도분포에 영향을 주기 위하여 기재홀더(3a)에 비하여 두께가 얇고 기재홀더(3a)의 전기적인 전도율이 다르며 불활성인 물질(예를 들어, Mo, Te)로 구성되는 판을 나타낸다.
도 1 의 시스템과는 다르게, 이중회전형인 반경류 반응기의 구성에서 부호 7 은 기재홀더의 주연에 균일한 유동분포가 이루어질 수 있도록 하는 유출구 링을 나타낸다.
도 4 는 이중회전형인 반경류 반응기의 구성에서 시스템의 온도프로파일을 보이고 있는 바, 근본적으로 이 온도프로파일은 도 2 에 따른 온도프로파일과 같다.

Claims (39)

  1. CVD 방법에 의하여 넓은 전자밴드갭 및 높은 결합에너지를 갖는 SiC 또는 SiCxGe1-x(x = 0 - 1) 반도체층 또는 이에 관련된 물질(예를 들어 AlN 또는 GaN)을 증착하기 위한 방법에 있어서, 하나 이상의 기재가 약 1100 ~ 1800 ℃ 의 온도로 가열되고, 하나 이상의 기재가 사방에서 적극적으로 가열되는 유동채널 반응기내에서 회전되며, 코팅이 호모에피택시 또는 헤테로에피택시 증착으로 형성됨을 특징으로 하는 넓은 전자밴드갭과 높은 결합에너지를 갖는 물질의 증착방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 유동채널 반응기의 벽이 제어가능하게 가열됨을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 하나 이상의 기재의 회전이 기계적인 구동축 또는 "가스포일회전" 에 의하여 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 기재가 기재홀더내에 또는 기재홀더상에 배치된 하나 이상의 기재판상에 배치되고, 기재판이 "가스포일회전" 에 의하여 기재홀더에 대해 구동됨을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 이중회전형 반경류 반응기가 반응기로서 사용됨을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항 - 제 5 항의 어느 한 항에 있어서, 공정가스 및 캐리어가스가 공정온도보다 낮은 온도에서 고온의 기재상에 직접 도입되어 공정가스 또는 소오스 가스의 조기분해와 분해생성물에 의한 가스흐름의 부분적인 과포화현상이 방지됨을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 가스가 도입전에 냉각됨을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1 항 - 제 7 항의 어느 한 항에 있어서, 캐리어가스로서 H2, N2, 불활성 가스 또는 그 혼합물이 사용됨을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 1 항 - 제 8 항의 어느 한 항에 있어서, 공정가스로서 실란(SiH4) 또는 다른 Si - 함유의 무기 또는 유기출발물질, 게르만(GeH4)과 프로판 (C3H8) 또는 다른 탄화수소가스를 사용함을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1 항 - 제 9 항의 어느 한 항에 있어서, 5 x 1014cm-3~ 1 x 1019cm-3의 도핑층이 생성됨을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 1 항 - 제 10 항의 어느 한 항에 있어서, 기재홀더의 균일한 온도 프로파일을 고려하여 기재의 전방 또는 상부에서 소오스 가스의 완전한 분해가 이루어지고 반도체층에서 SiC 또는 SiCxGe1-x(x = 0 - 1)의 성장율이 10 ㎛/h 이상이 됨을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 1 항 - 제 11 항의 어느 한 항에 있어서, 기재에 수직인 낮은 온도기울기에 의하여 가스흐름내에 Si 클루스터 또는 종자의 형성이 감소됨을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 1 항 - 제 12 항의 어느 한 항에 있어서, 층이 10 ~ 1000 mbar 사이의 공정압력에서 증착됨을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 1 항 - 제 13 항의 어느 한 항에 있어서, 기재들이 동일한 물질 또는 상이한 적당한 물질로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
  15. CVD 방법에 의한 증기상 증착방법에 의하여 넓은 전자밴드갭 및 높은 결합에너지를 갖는 SiC 반도체층 또는 이에 관련된 물질을 생산하기 위한 장치에 있어서, 이 장치가 하나 이상의 반응가스유입구를 갖는 반응기 챔버, 기재가 수평으로 배치되는 회전형 기재홀더, 가스유출구와, 코팅될 기재표면을 1100 ~ 1800 ℃ 의 온도로 적극 가열하고 이들 기재표면에 대향된 반응기 챔버의 벽영역은 고온으로 조절하여 가열하는 가열장치로 구성됨을 특징으로 하는 넓은 전자밴드갭과 높은 결합에너지를 갖는 물질의 증착장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 반응기 챔버가 회전대칭형으로 구성되고 중앙의 가스유입구와 회전대칭형의 가스유출구를 가짐을 특징으로 하는 장치.
  17. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서, 반응기공간과 기재판 또는 기재홀더를 향하는 반응기 챔버의 경계벽이 1800 ℃ 까지의 고온을 견디고 수소기에 의하여 에칭되지 않는 불활성의 연속코팅을 가짐을 특징으로 하는 장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 코팅이 TaC, NbC 등으로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
  19. 제 15 항 - 제 18 항의 어느 한 항에 있어서, 반응기가 대칭구조의 이중회전형인 반경류 반응기임을 특징으로 하는 장치
  20. 제 15 항 - 제 19 항의 어느 한 항에 있어서, 기재판상에서 하나 이상의 기재를 "가스포일회전" 으로 회전시키기 위한 회전장치가 기재홀더내에 또는 기재홀더상에 배치됨을 특징으로 하는 장치.
  21. 제 15 항 - 제 20 항의 어느 한 항에 있어서, 기재판상에서 하나 이상의 기재를 기계적인 구동축으로 회전시키기 위한 회전장치가 기재홀더내에 또는 기재홀더상에 배치됨을 특징으로 하는 장치.
  22. 제 15 항 - 제 21 항의 어느 한 항에 있어서, 가열형 유동채널의 상측벽, 하측벽 및 측벽으로 폐쇄되는 공정가스를 향하는 모든 경계벽에 균일한 온도를 제공하기 위한 하나 이상의 온도제어장치가 구성되어 있음을 특징으로 하는 장치.
  23. 제 15 항 - 제 22 항의 어느 한 항에 있어서, 가열형 유동채널의 상측벽, 하측벽 및 측벽으로 폐쇄되는 공정가스를 향하는 모든 경계벽에 상이한 온도를 제공하기 위한 하나 이상의 온도제어장치가 구성되어 있음을특징으로 하는 장치.
  24. 제 15 항 - 제 23 항의 어느 한 항에 있어서, 공정가스를 향하고 기재홀더에 수직인 경계벽을 가열하기 위한 하나 이상의 고주파가열수단이 제공됨을 특징으로 하는 장치.
  25. 제 15 항 - 제 24 항의 어느 한 항에 있어서, 공정가스를 향하고 기재홀더에 수직인 경계벽을 가열하기 위한 하나 이상의 램프가열수단이 제공됨을 특징으로 하는 장치.
  26. 제 15 항 - 제 25 항의 어느 한 항에 있어서, 공정가스를 향하고 기재홀더에 수직인 경계벽을 가열하기 위한 하나 이상의 저항가열수단이 제공됨을 특징으로 하는 장치.
  27. 제 15 항 - 제 26 항의 어느 한 항에 있어서, 공정가스를 향하고 기재홀더에 수직인 경계벽을 가열하기 위한 구주파, 램프 및 저항가열수단의 조합이 제공됨을 특징으로 하는 장치.
  28. 제 15 항 - 제 27 항의 어느 한 항에 있어서, 가열형 유동채널의 두 대향된 경계벽의 온도가 전용제어수단을 갖는 두 독립된 가열회로를 이용하여 독립적으로 제어됨을 특징으로 하는 장치.
  29. 제 15 항 - 제 27 항의 어느 한 항에 있어서, 가열형 유동채널의 대향된 경계벽으로부터의 기재측 경계벽의 온도가 전용제어수단을 갖는 두 독립된 가열회로를 이용하여 독립적으로 제어됨을 특징으로 하는 장치.
  30. 제 15 항 - 제 29 항의 어느 한 항에 있어서, 공정가스를 향하는 가열형 유동채널과 기재판 또는 기재홀더의 경계벽이 흑연과 같은 고전도성 물질로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
  31. 제 15 항 - 제 30 항의 어느 한 항에 있어서, 공정가스를 향하는 가열형 유동채널과 기재판 또는 기재홀더의 경계벽이 약 1800 ℃ 까지의 고온을 견디고 수소기에 의하여 에칭되지 않는 TaC, NbC 등의 연속 불활성 코팅을 가짐을 특징으로 하는 장치.
  32. 제 15 항 - 제 31 항의 어느 한 항에 있어서, 냉각장치가 액체 또는 기체매체를 이용하여 가열형 유동채널의 직전까지 가스유입구를 적극 냉각함을 특징으로 하는 장치.
  33. 제 15 항 - 제 32 항의 어느 한 항에 있어서, 냉각가스유입구가 고단열성의 좁은 어댑터 편에 의하여 사방이 가열되는 유동채널에 대하여 밀폐됨을 특징으로 하는 장치.
  34. 제 15 항 - 제 33 항의 어느 한 항에 있어서, 적극가열영역의 하류측에서 유동채널이 TaC - 코팅 흑연, SiC - 코팅 흑연, 석영 등 여러 불활성 물질을 갖는 유출구세그먼트로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
  35. 제 15 항 - 제 34 항의 어느 한 항에 있어서, 고주파의 도입에 의한 에너지의 입력에 부분적으로 영향을 주기 위하여 기재홀더와는 상이한 전도율을 갖는 불활성물질(예를 들어 Ta, Mo, W)로 구성되고 기재홀더의 두께에 비하여 얇은 판이 기재홀더상에 또는 기재홀더내에 결합됨을 특징으로 하는 장치.
  36. 제 15 항 - 제 35 항의 어느 한 항에 있어서, 기재에 대향하여 놓이는 가열형 유동채널의 경계벽이 가열형 유동채널의 기재측 경계벽으로부터 일정한 거리에 있는 고정위치에 설치되거나 이에 회전가능하게 연결됨을 특징으로 하는 장치.
  37. 제 15 항 - 제 36 항의 어느 한 항에 있어서, 기재에 대향하여 놓이는 가열형 유동채널의 경계벽이 기체매체에 의하여 적극적으로 냉각됨을특징으로 하는 장치.
  38. 제 15 항 - 제 37 항의 어느 한 항에 있어서, 회전하는 기재가 가열된 유동채널의 요구된 경계벽상에 배치된 기재홀더에 의하여 배치됨을 특징으로 하는 장치.
  39. 제 15 항 - 제 38 항의 어느 한 항에 있어서, 기재홀더의 가스유출구가 가스분배링으로서 구성됨을 특징으로 하는 장치.
KR1020027001795A 1999-08-24 2000-08-24 반도체층의 증착 방법 및 장치 Expired - Fee Related KR100741182B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19940033A DE19940033A1 (de) 1999-08-24 1999-08-24 Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Schichten auf rotierenden Substraten in einem allseits beheizten Strömungskanal
DE?19940033.4? 1999-08-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020040770A true KR20020040770A (ko) 2002-05-30
KR100741182B1 KR100741182B1 (ko) 2007-07-19

Family

ID=7919381

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020027001795A Expired - Fee Related KR100741182B1 (ko) 1999-08-24 2000-08-24 반도체층의 증착 방법 및 장치

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP1218573B1 (ko)
JP (1) JP4731076B2 (ko)
KR (1) KR100741182B1 (ko)
AT (1) ATE290617T1 (ko)
DE (2) DE19940033A1 (ko)
WO (1) WO2001014619A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101628691B1 (ko) * 2015-09-02 2016-06-09 하나머티리얼즈(주) 화학기상증착 탄화규소의 전기 저항 조절 방법

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10132448A1 (de) * 2001-07-04 2003-01-23 Aixtron Ag CVD-Vorrichtung mit differenziert temperiertem Substrathalter
JP2003234296A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Denso Corp 炭化珪素単結晶の製造装置
JP2006501664A (ja) * 2002-10-03 2006-01-12 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ エピタキシャル層を形成する方法および装置
JP4433947B2 (ja) * 2004-09-02 2010-03-17 株式会社エピクエスト 高温用ｃｖｄ装置
DE102005055252A1 (de) * 2005-11-19 2007-05-24 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit gleitgelagerten Suszeptorhalter
JP5051875B2 (ja) 2006-12-25 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
DE102007010286B4 (de) * 2007-03-02 2013-09-05 Freiberger Compound Materials Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Verbindungshalbleiterwerkstoffs, einer III-N-Schicht oder eines III-N-Bulkkristalls, Reaktor zur Herstellung des Verbindungshalbleiterwerkstoffs, Verbindungshalbleiterwerkstoff, III-N-Bulkkristall und III-N-Kristallschicht
JP5947133B2 (ja) * 2012-07-17 2016-07-06 シャープ株式会社 気相成長装置および半導体装置の製造方法
KR101505183B1 (ko) * 2013-07-26 2015-03-23 주식회사 티지오테크 회전 부재를 포함하는 증착막 형성 장치
KR101552229B1 (ko) 2014-11-03 2015-09-10 주식회사 티지오테크 회전 부재를 포함하는 증착막 형성 장치
US9711353B2 (en) 2015-02-13 2017-07-18 Panasonic Corporation Method for manufacturing compound semiconductor epitaxial substrates including heating of carrier gas
DE102018113400A1 (de) * 2018-06-06 2019-12-12 Aixtron Se CVD Reaktor mit Tragring zum Substrathandhaben
DE102018114208A1 (de) 2018-06-14 2019-12-19 Aixtron Se Abdeckplatte zur Abdeckung der zur Prozesskammer weisenden Seite eines Suszeptors einer Vorrichtung zum Abscheiden von SiC-Schichten
DE102019114249A1 (de) 2018-06-19 2019-12-19 Aixtron Se Anordnung zum Messen der Oberflächentemperatur eines Suszeptors in einem CVD-Reaktor
DE102023117043A1 (de) 2023-06-28 2025-01-02 Aixtron Se Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor
CN117802577B (zh) * 2023-12-29 2024-08-06 研微(江苏)半导体科技有限公司 半导体外延生长设备

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0164928A3 (en) * 1984-06-04 1987-07-29 Texas Instruments Incorporated Vertical hot wall cvd reactor
DE3608783A1 (de) * 1986-03-15 1987-09-17 Telefunken Electronic Gmbh Gasphasen-epitaxieverfahren und vorrichtung zu seiner durchfuehrung
JPH06310440A (ja) * 1993-04-26 1994-11-04 Fuji Electric Co Ltd 炭化珪素半導体およびその成膜方法
EP0763148B1 (de) * 1994-06-24 2002-01-16 Aixtron Gmbh Reaktor und verfahren zum beschichten von flächigen substraten
SE9500325D0 (sv) * 1995-01-31 1995-01-31 Abb Research Ltd Device for heat shielding when SiC is grown by CVD
TW331652B (en) * 1995-06-16 1998-05-11 Ebara Corp Thin film vapor deposition apparatus
JP3206375B2 (ja) * 1995-06-20 2001-09-10 信越半導体株式会社 単結晶薄膜の製造方法
SE9600705D0 (sv) * 1996-02-26 1996-02-26 Abb Research Ltd A susceptor for a device for epitaxially growing objects and such a device
US5788777A (en) * 1997-03-06 1998-08-04 Burk, Jr.; Albert A. Susceptor for an epitaxial growth factor
US6217662B1 (en) * 1997-03-24 2001-04-17 Cree, Inc. Susceptor designs for silicon carbide thin films
DE19803423C2 (de) * 1998-01-29 2001-02-08 Siemens Ag Substrathalterung für SiC-Epitaxie und Verfahren zum Herstellen eines Einsatzes für einen Suszeptor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101628691B1 (ko) * 2015-09-02 2016-06-09 하나머티리얼즈(주) 화학기상증착 탄화규소의 전기 저항 조절 방법

Also Published As

Publication number Publication date
ATE290617T1 (de) 2005-03-15
JP4731076B2 (ja) 2011-07-20
EP1218573B1 (de) 2005-03-09
WO2001014619A1 (de) 2001-03-01
EP1218573A1 (de) 2002-07-03
JP2003507319A (ja) 2003-02-25
KR100741182B1 (ko) 2007-07-19
DE19940033A1 (de) 2001-05-17
DE50009742D1 (de) 2005-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100741182B1 (ko) 반도체층의 증착 방법 및 장치
US20120231615A1 (en) Semiconductor thin-film manufacturing method, semiconductor thin-film manufacturing apparatus, susceptor, and susceptor holder
US6197121B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus
KR101710770B1 (ko) 화학적 기상 증착을 위한 페로플루이드 밀봉부를 갖는 회전 디스크 리액터
US8328943B2 (en) Film forming apparatus and method
US20100092666A1 (en) Film deposition apparatus and film deposition method
KR20120109355A (ko) 성막 장치 및 성막 방법
JP6101591B2 (ja) エピタキシャルウェハの製造装置および製造方法
CN102400224A (zh) 碳化硅单晶及其制造方法
US5954881A (en) Ceiling arrangement for an epitaxial growth reactor
US8440270B2 (en) Film deposition apparatus and method
CN111033692B (zh) 气相生长方法
EP1060301B1 (en) Ceiling arrangement for an epitaxial growth reactor
KR20130044789A (ko) 에피 웨이퍼 제조 장치, 에피 웨이퍼 제조 방법 및 에피 웨이퍼
KR20060131921A (ko) 서셉터
JP2003086516A (ja) サセプタ、ｃｖｄ装置、成膜方法、および半導体装置
JP2017022320A (ja) ウェハ支持台、ウェハ支持体、化学気相成長装置
CN113846375A (zh) 子载盘及有机金属气相沉积设备
CN120330881A (zh) 一种沉积设备和一种膜层的沉积方法
KR102207607B1 (ko) 다음극 직류전원 플라즈마 cvd 다이아몬드 성장 장치
KR102509205B1 (ko) 에피택셜 웨이퍼 제조 장치
JP2006196806A (ja) 真空成膜装置および薄膜形成方法
KR20180034052A (ko) 에피택셜 웨이퍼 제조장치 및 제조방법
EP4591346A1 (en) Wafer carrier assembly with improved temperature uniformity
JP2004063985A (ja) ホットウオール加熱型化学気相成長装置、およびその装置を用いて行うエピタキシャルウェーハの作製方法。

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

A201 Request for examination
E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130712

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140711

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150624

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160531

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170621

Year of fee payment: 11

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 11

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190620

Year of fee payment: 13

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 13

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20200713

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20200713