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KR200166109Y1 - Cathode structure for generating arc - Google Patents

Cathode structure for generating arc Download PDF

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KR200166109Y1
KR200166109Y1 KR2019990014913U KR19990014913U KR200166109Y1 KR 200166109 Y1 KR200166109 Y1 KR 200166109Y1 KR 2019990014913 U KR2019990014913 U KR 2019990014913U KR 19990014913 U KR19990014913 U KR 19990014913U KR 200166109 Y1 KR200166109 Y1 KR 200166109Y1
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Abstract

아크 챔버 내의 균일한 이온화를 위한 캐소드 구조가 개시되어 있다. 필라멘트와 캐소드 캡의 최적 간극 형성을 위해 상기 캐소드 캡의 외주면에는 환형 탭이 형성된다. 캐소드 캡의 조립시 별도의 체크 기기 없이, 상기 탭에 의해 그 삽입 정도가 제한되어 필라멘트와의 최적 간극을 형성할 수 있다. 최적 간극이 형성함으로써, 필라멘트에 전압 인가시, 상기 캡에는 안정된 로드(load)가 인가되어 아크 챔버 내에는 균일한 이온화가 이루어진다.A cathode structure for uniform ionization in an arc chamber is disclosed. An annular tab is formed on the outer circumferential surface of the cathode cap to form an optimal gap between the filament and the cathode cap. In the assembly of the cathode cap, the insertion degree is limited by the tab without a separate check device, so that an optimum gap with the filament can be formed. By forming an optimum gap, upon application of voltage to the filament, a stable load is applied to the cap, resulting in uniform ionization in the arc chamber.

Description

아크 발생을 위한 캐소드 구조 {CATHODE STRUCTURE FOR GENERATING ARC}Cathode Structure for Arc Generation {CATHODE STRUCTURE FOR GENERATING ARC}

본 고안은 아크 챔버의 캐소드에 관한 것으로, 특히, 최적의 이온화를 달성할 수 있는 구조를 갖는 캐소드에 관한 것이다.The present invention relates to a cathode of an arc chamber, and more particularly to a cathode having a structure capable of achieving optimal ionization.

최근, 음극선관은 전보다 더 큰 사이즈 및 더 높은 명도(brightness)를 갖도록 제작된다. 상기 목적을 위하여, 높은 전류 밀도를 갖는 음극선관을 위한 캐소드(cathode)에 대한 연구가 활발하게 이루어졌다.Recently, cathode ray tubes have been fabricated to have larger sizes and higher brightness than before. For this purpose, for cathode ray tubes with high current density There is an active research on cathodes.

도 1에는 미합중국특허 제 5,402,035호에 기재된 캐소드가 개시되어 있다. 도 1을 참조하면, 음극 바디는 전자 방출 재료(17)를 갖는 캐소드 캡(cathode cap; 16) 및 몰리브덴(Mo)과 같은 높은 내열성을 지닌 금속 파우더로 제작되는 중공형 슬리브(sleeve; 11)를 구비한다. 슬리브(11) 내에는 히터(15)가 장착된다. 고전류 밀도 음극선관을 위한 캐소드는 대략 10A/cm2의 음극 전류밀도를 필요로 한다.1 discloses the cathode described in US Pat. No. 5,402,035. Referring to FIG. 1, the cathode body includes a cathode cap 16 having an electron emitting material 17 and a hollow sleeve 11 made of a metal material having high heat resistance such as molybdenum (Mo). Equipped. The heater 15 is mounted in the sleeve 11. The cathode for the high current density cathode ray tube requires a cathode current density of approximately 10 A / cm 2 .

슬리브(11) 하단의 외주면과 캐소드 홀더(12)의 상단을 서로 연결하기 위해 다수의 서로 이격되는 금속 리본(13)이 제공된다.A plurality of spaced metal ribbons 13 are provided to connect the outer circumferential surface of the bottom of the sleeve 11 and the top of the cathode holder 12 to each other.

히터(15)에 정격 전압이 인가되면, 히터(15)의 열 발생 부위의 온도는 소정 온도 이상으로 증가하고, 따라서, 상기 열은 캐소드 캡(16) 내의 전자 방출 재료(17)로 전달되고, 소정 밀도의 열 이온들이 전자 방출 재료(17)의 표면으로부터 방출된다.When a rated voltage is applied to the heater 15, the temperature of the heat generating site of the heater 15 increases above a predetermined temperature, and thus the heat is transferred to the electron emitting material 17 in the cathode cap 16, Thermal ions of a predetermined density are released from the surface of the electron emitting material 17.

도 2에는 상기와 같은 음극선관의 원리가 반도체 제조 장치에서의 이온화에 적용된 경우의 아크 챔버(100)가 도시되어 있다. 상기 이온화는 필라멘트(110)에 낮은 에너지를 가함으로써 시작된다. 필라멘트(110)가 가열되어 열전자가 발생하면, 상기 열전자는 캐소드 캡(120)에 충격을 가하게 된다. 이때, 소스 헤드(source head)에서의 필라멘트(110)의 역할을 캐소드 캡(120)이 수행하게 되어 아크 챔버(100) 내에 공급된 불순물(toxic gas)과 반응하여 이온화가 이루어진다. 즉, 필라멘트(110)에 낮은 전압, 예를 들면, 10V가 인가되면, 캐소드 캡(120)에는 600V 정도의 전압이 유도된다. 이때, 필라멘트(110)와 캐소드 캡(120) 간의 거리는 소정 거리, 즉 최적의 이온화가 발생될 수 있는 거리를 유지해야 한다. 상기 거리가 잘못 셋팅된 경우, 필라멘트(110)에서 발생한 열전자가 캐소드 캡(120)까지 전달되는 것이 원활치 않게 되어 이온화 기능을 상실하게 된다.2 shows the arc chamber 100 when the principle of such a cathode ray tube is applied to ionization in a semiconductor manufacturing apparatus. The ionization begins by applying low energy to the filament 110. When the filament 110 is heated to generate hot electrons, the hot electrons impact the cathode cap 120. At this time, the cathode cap 120 plays a role of the filament 110 in the source head and reacts with the toxic gas supplied in the arc chamber 100 to ionize. That is, when a low voltage, for example, 10V is applied to the filament 110, 600V is applied to the cathode cap 120 Degree of voltage is induced. In this case, the distance between the filament 110 and the cathode cap 120 should maintain a predetermined distance, that is, a distance at which optimal ionization can occur. If the distance is set incorrectly, the hot electrons generated in the filament 110 is not smoothly transferred to the cathode cap 120, thereby losing the ionization function.

도 3에는 종래 기술에 따른 캐소드 캡(120)이 도시되어 있다. 필라멘트(110)를 먼저 고정한 후, 캐소드 캡(120)을 결합하게 되는데, 종래에는 체크 기기를 이용하여 캐소드 캡(120)이 필라멘트(110)와 닿을 때까지 조립하고, 닿는 순간, 캐소드 캡(120)을 180도 역회전시켜 필라멘트(110)와의 거리를 셋팅하는 방식을 취하고 있다.3 shows a cathode cap 120 according to the prior art. After fixing the filament 110 first, the cathode cap 120 is coupled. Conventionally, the cathode cap 120 is assembled until the filament 110 is in contact with the filament 110 by using a check device. ) Is rotated 180 degrees to set the distance to the filament (110).

따라서, 종래 기술에 따른 필라멘트 및 캐소드 캡의 조립은 조립시마다 체크 기기를 사용하여야 하며, 더욱이 캐소드 캡을 180도 역회전시켜 필라멘트로부터 소정 간격 이격시키지만, 수작업으로 180도를 역회전시키는 방식이므로 최적의 간격으로 셋팅하는 것이 용이치 않다는 문제점을 갖는다.Therefore, the assembly of the filament and the cathode cap according to the prior art should use a check device for each assembly, and furthermore, the cathode cap is rotated 180 degrees to be spaced apart from the filament by a predetermined distance, but is manually rotated by 180 degrees. There is a problem that setting at intervals is not easy.

따라서, 본 고안의 목적은 플라즈마 발생을 위한 아크 발생 효율을 높일 수 있는 아크 발생을 위한 캐소드 구조를 제공하는 것이다.Therefore, an object of the present invention is to provide a cathode structure for arc generation that can increase the arc generation efficiency for plasma generation.

도 1은 종래 기술에 따른 음극선관을 위한 캐소드 구조의 단면도.1 is a cross-sectional view of a cathode structure for a cathode ray tube according to the prior art;

도 2는 종래 기술에 의한 아크 챔버의 캐소드 구조의 개략도.2 is a schematic diagram of a cathode structure of an arc chamber according to the prior art;

도 3은 도 2에 도시된 캐소드 캡의 단면도.3 is a cross-sectional view of the cathode cap shown in FIG.

도 4는 본 고안의 일 실시예에 따른 아크 챔버내의 캐소드의 단면도.4 is a cross-sectional view of a cathode in an arc chamber according to one embodiment of the present invention.

도 5는 일 실시예에 따른 캐소드 캡의 단면도.5 is a cross-sectional view of a cathode cap according to one embodiment.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉≪ Description of code for main part of drawing>

200: 캐소드 구조 210: 아크 챔버200: cathode structure 210: arc chamber

220: 필라멘트 230: 캐소드 캡220: filament 230: cathode cap

235: 환형 탭(tab)235: annular tab

상술한 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 그 내부에 이온 필드(ionized field)를 형성하기 위한 아크 챔버의 일 측에 제공되며, 전압이 인가되면 그 온도가 상승하여 제1열전자를 방출하는 필라멘트, 및 상기 필라멘트를 인 클로우징하며 상기 필라멘트로부터 방출된 열전자와 충돌함으로써 고전압 하에 놓여 상기 아크 챔버 내로 상기 제1열전자에 대해 소정 비율 증폭된 제2열전자를 방출하고, 그 외주에는 그 전단 및 상기 필라멘트와의 간극을 최적 간극으로 맞추기 위한 탭(tab)이 형성되는 캐소드 캡(cap)을 포함하는 것을 특징으로 하는 아크 발생을 위한 캐소드 구조를 제공한다.In order to achieve the above object of the present invention, the present invention is provided on one side of an arc chamber for forming an ionized field therein, and when a voltage is applied, the temperature rises to emit the first hot electrons. Filament, and the filament Closes and collides with the hot electrons emitted from the filament and is discharged under high voltage into the arc chamber to release the second hot electrons, which are amplified by the ratio of the first hot electrons, on the outer periphery of which the front end and the gap with the filament are optimally spaced. It provides a cathode structure for arc generation, characterized in that it comprises a cathode cap (tab) is formed to the tab (tab) to fit.

이때, 상기 환형 탭과 상기 아크 챔버 벽부의 접촉시 상기 캐소드 캡과 상기 필라멘트와의 최적 간극이 형성된다. 이와 같이, 최적 간극을 형성함으로써, 필라멘트에 전압 인가시, 상기 캡에는 안정된 로드(load)가 인가되어 아크 챔버 내에는 균일한 이온화가 이루어진다.At this time, an optimum gap between the cathode cap and the filament is formed upon contact of the annular tab with the arc chamber wall. In this way, by forming the optimum gap, when a voltage is applied to the filament, a stable load is applied to the cap, thereby achieving uniform ionization in the arc chamber.

이하, 본 고안의 일실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 4에는 본 고안의 일 실시예에 따른 아크 발생을 위한 캐소드 구조(200)가 도시되어 있다. 아크 발생을 위한 캐소드 구조란 플라즈마 또는 이온 에칭 등의 공정에 있어서 아크 소스(source)로써 제공되는 캐소드를 뜻한다. 도 4를 참조하면, 캐소드 구조(200)는 그 내부에 이온 필드(ionized field)를 형성하기 위한 아크 챔버(210)의 일 측에 제공된다. 일 실시예에 따른 캐소드 구조(200)는 전압이 인가되면 그 온도가 상승하여 제1열전자를 방출하는 필라멘트(220), 및 필라멘트(220)를 인클로우징하는 캐소드 캡(230)을 구비한다. 필라멘트의 하단에는 필라멘트 절연체(insulator)가 설치되어 필라멘트의 열전자 방출에 따른 전자기장 형성을 억제한다.4 shows a cathode structure 200 for arc generation in accordance with one embodiment of the present invention. The cathode structure for arc generation refers to a cathode provided as an arc source in a process such as plasma or ion etching. Referring to FIG. 4, the cathode structure 200 is provided on one side of the arc chamber 210 for forming an ionized field therein. The cathode structure 200 according to an embodiment includes a filament 220 that emits first hot electrons when a voltage is applied, and a cathode cap 230 that encloses the filament 220. A filament insulator is installed at the bottom of the filament to suppress the formation of electromagnetic fields due to the filament's release of hot electrons.

도 5에는 도 4에 도시한 캐소드 캡(230)이 도시되어 있다. 도 5를 참조하면, 캐소드 캡(230)은 필라멘트(220)로부터 방출된 제1열전자와 충돌함으로써 고전압 하에 놓이게 되며, 아크 챔버(210) 내로 상기 제1열전자에 대해 소정 비율 증폭된 제2열전자를 방출하는 기능을 갖는다. 캐소드 캡(230)의 외주에는 그 전단 및 필라멘트(220)와의 간극을 최적 간극으로 맞추기 위한 환형 탭(tab; 235)이 형성된다. 바람직하게는, 환형 탭(235)의 단면은 직사각형이며, 캐소드 캡(230)의 조립시, 아크 챔버(210)의 내벽과 어벗(abut)하여 캐소드 캡(230)이 더 이상 전진 조립되지 않도록 한다. 즉, 환형 탭(235)과 아크 챔버(210) 벽부의 접촉시 캐소드 캡(230)과 필라멘트(220)와의 최적 간극이 형성된다.5 shows the cathode cap 230 shown in FIG. 4. 5, The cathode cap 230 is placed under high voltage by colliding with the first hot electrons emitted from the filament 220, and has a function of emitting a second ratio of amplified ratios of the second hot electrons to the first hot electrons into the arc chamber 210. An outer circumference of the cathode cap 230 is formed with an annular tab 235 for matching the front end and the gap with the filament 220 to the optimum gap. Preferably, the cross section of the annular tab 235 is rectangular, and upon assembly of the cathode cap 230, it abuts with the inner wall of the arc chamber 210 so that the cathode cap 230 is no longer forward assembled. . That is, an optimum gap between the cathode cap 230 and the filament 220 is formed when the annular tab 235 contacts the wall of the arc chamber 210.

한편, 탭(235)은 환형이 아닌 이격된 적어도 세 개의 돌기로 구성되어도 무방하다.On the other hand, the tab 235 may be composed of at least three projections spaced apart from the annular.

이상 설명된 캐소드 구조(200)의 조립 방법에 대해 도 4를 참조하여 설명한다.A method of assembling the cathode structure 200 described above will be described with reference to FIG. 4.

먼저, 필라멘트(220)는 아크 챔버(210) 내벽 상의 소정 위치에 설치되며, 그 후, 캐소드 캡(230)이 필라멘트(220)를 인클로우징하도록 아크 챔버(210) 내벽 내로 삽입된다. 캐소드 캡(230)의 삽입시, 캐소드 캡(230)의 외주면에 형성되는 탭(235)과 아크 챔버(210) 내벽이 어벗(abut)하는 순간, 캐소드 캡(230)의 조립은 완료된다. 그리고, 이때의 캐소드 캡(230)의 선단과 필라멘트(220) 선단과의 간극이 최적이 되도록 셋팅된다.First, the filament 220 is installed at a predetermined position on the inner wall of the arc chamber 210, and then the cathode cap 230 is inserted into the inner wall of the arc chamber 210 to enclose the filament 220. Upon insertion of the cathode cap 230, as soon as the tab 235 formed on the outer circumferential surface of the cathode cap 230 and the inner wall of the arc chamber 210 abut, assembly of the cathode cap 230 is completed. Then, the gap between the tip of the cathode cap 230 and the tip of the filament 220 is set to be optimal.

상기 최적 간극 상태에서는, 필라멘트(220)의 효율이 최적화되며, 캐소드 캡(230)에 안정적인 로드(load)가 걸리게 된다. 따라서, 아크 챔버(210) 내에는 균 일하고 안정된 이온화가 이루어지게 된다.In the optimum gap state, the efficiency of the filament 220 is optimized, and a stable load is applied to the cathode cap 230. Therefore, in the arc chamber 210, the bacteria Work and stable ionization are achieved.

상술한 바와 같이, 캐소드 캡의 조립시 체크 기기 등을 사용하지 않고서도 필라멘트와의 최적 간격을 맞출 수 있으므로, 캐소드 캡에는 안정적인 로드(load)가 인가되며 따라서, 아크 챔버내의 균일한 이온화를 도모할 수 있다.As described above, since the optimum gap with the filament can be matched without using a check device or the like when assembling the cathode cap, a stable load is applied to the cathode cap, thereby achieving uniform ionization in the arc chamber. Can be.

이상, 본 고안의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 고안의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 고안을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. It will be appreciated.

Claims (3)

그 내부에 이온 필드(ionized field)를 형성하기 위한 아크 챔버의 일 측에 제공되며, 전압이 인가되면 그 온도가 상승하여 제1열전자를 방출하는 필라멘트; 및A filament provided at one side of an arc chamber for forming an ionized field therein, the temperature of which is increased when a voltage is applied to emit first hot electrons; And 상기 필라멘트를 인클로우징하며 상기 필라멘트로부터 방출된 제1열전자와 충돌함으로써 고전압 하에 놓여 상기 아크 챔버 내로 상기 제1열전자에 대해 소정 비율 증폭된 제2열전자를 방출하고, 그 외주에는 그 전단 및 상기 필라멘트와의 간극을 최적 간극으로 맞추기 위한 탭(tab)이 형성되는 캐소드 캡(cap)을 포함하는 것을 특징으로 하는 아크 발생을 위한 캐소드 구조.Enclosing the filament and colliding with the first hot electrons emitted from the filament to release the second hot electrons which are under high voltage into the arc chamber and amplified to the first hot electrons by a predetermined ratio with respect to the first hot electrons, the front and the filaments of the outer periphery thereof. A cathode structure for arc generation, characterized in that it comprises a cathode cap (tab) is formed to fit the gap with the optimum gap. 제1항에 있어서, 상기 탭과 상기 아크 챔버 벽부의 접촉시 상기 캐소드 캡과 상기 필라멘트와의 최적 간극이 형성되는 것을 특징으로 하는 아크 발생을 위한 캐소드 구조.The cathode structure as claimed in claim 1, wherein an optimum gap between the cathode cap and the filament is formed upon contact of the tab with the arc chamber wall. 제1항에 있어서, 상기 탭은 환형인 것을 특징으로 하는 아크 발생을 위한 캐소드 구조.The cathode structure of claim 1, wherein the tab is annular.
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KR101806718B1 (en) * 2016-06-28 2017-12-07 최환혁 Arc chamber for maximizing ion beam

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