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KR20010058692A - Method for correcting an overlay parameters of a semiconductor wafer - Google Patents

Method for correcting an overlay parameters of a semiconductor wafer Download PDF

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KR20010058692A
KR20010058692A KR1019990066048A KR19990066048A KR20010058692A KR 20010058692 A KR20010058692 A KR 20010058692A KR 1019990066048 A KR1019990066048 A KR 1019990066048A KR 19990066048 A KR19990066048 A KR 19990066048A KR 20010058692 A KR20010058692 A KR 20010058692A
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South Korea
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overlay
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stepper
semiconductor wafer
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KR1019990066048A
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Korean (ko)
Inventor
정웅재
Original Assignee
황인길
아남반도체 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 가공 공정에서 스테퍼에 의해 노광되는 반도체 웨이퍼를 정렬시키기 위하여 반도체 웨이퍼의 오버레이를 보정하는 방법에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명의 오버레이 보정 방법은, 스테퍼에서 진행된 과거 로트들에 대한 다수의 오버레이 보정 데이터와 스테퍼에 의해 노광된 반도체 웨이퍼에 대한 다수의 오버레이 측정 데이터를 추출하는 제 1 단계; 오버레이 보정 데이터와 오버레이 측정 데이터와의 차를 유효 데이터로서 생성하여, 생성된 유효 데이터를 동일 스테퍼로 진행된 로트, 동일 로트의 동일 패턴, 동일 디바이스 등에 의거한 종류별로 분류하여 저장하는 제 2 단계; 저장된 유효 데이터들로부터 현재 진행하고자 하는 로트와 동일한 장비를 통해 서브 레이어 및 초기 레이어가 진행된 과거 로트에 대한 데이터만을 실제 유효 데이터로 추출하는 제 3 단계; 추출된 실제 유효 데이터의 수가 기설정된 갯수 이상이면, 추출된 실제 유효 데이터중 최대치와 최소치를 각각 하나씩 삭제하는 제 4 단계; 실제 유효 데이터에 대한 평균값을 산출하여 다수의 오버레이 보정 데이터에 포함시켜 스테퍼의 다음 로트에 대한 노광을 수행하는 제 5 단계를 포함한다. 따라서, 보다 더 정확한 오버레이 보정 데이터를 구할 수 있으며, 오버레이 공정 시간을 단축할 수 있게 된다.The present invention relates to a method of correcting an overlay of a semiconductor wafer to align the semiconductor wafer exposed by a stepper in a semiconductor wafer processing process. To this end, the overlay correction method of the present invention includes a first step of extracting a plurality of overlay correction data for past lots processed in a stepper and a plurality of overlay measurement data for a semiconductor wafer exposed by the stepper; Generating a difference between the overlay correction data and the overlay measurement data as valid data, and classifying and storing the generated valid data into types based on the lot having the same stepper, the same pattern of the same lot, the same device, and the like; Extracting, from the stored valid data, only data on past lots in which the sub-layer and the initial layer have been processed as actual valid data through the same equipment as the current lot; If the number of extracted actual valid data is greater than or equal to a preset number, deleting a maximum value and a minimum value of the extracted actual valid data, respectively; And a fifth step of calculating an average value for the actual valid data to include in the plurality of overlay correction data to perform exposure to the next lot of steppers. Therefore, more accurate overlay correction data can be obtained and the overlay process time can be shortened.

Description

반도체 웨이퍼의 오버레이 파라미터 보정 방법{METHOD FOR CORRECTING AN OVERLAY PARAMETERS OF A SEMICONDUCTOR WAFER}Overlay parameter correction method for semiconductor wafers {METHOD FOR CORRECTING AN OVERLAY PARAMETERS OF A SEMICONDUCTOR WAFER}

본 발명은 반도체 웨이퍼 가공(fabrication) 공정에 관한 것으로, 보다 상세하게는 스테퍼(stepper)에 의해 노광되는 반도체 웨이퍼를 정렬시키기 위한 오버레이 파라미터 보정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer fabrication process, and more particularly, to an overlay parameter correction method for aligning a semiconductor wafer exposed by a stepper.

주지하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 가공은 로트(lot) 단위의 매 반도체 웨이퍼의 표면에 여러 종류의 막을 형성시켜, 이미 만들어진 마스크를 이용하여 반도체 웨이퍼의 특징 부분을 선택적으로 깍아내는 작업을 되풀이함으로서 반도체 웨이퍼 상의 각각의 칩 상에 동일한 전자 회로를 구성해 나가는 전 과정을 지칭한다.As is well known, semiconductor wafer processing is performed by forming various kinds of films on the surface of each semiconductor wafer in a lot unit, and selectively cutting out the features of the semiconductor wafer by using a mask made in advance. It refers to the whole process of constructing the same electronic circuit on each chip of the image.

상술한 반도체 웨이퍼 가공 과정에서, 스테퍼로부터 자외선을 발생하여 마스크 상에 그려진 회로 패턴을 웨이퍼 표면에 전사해 주는 포토마스킹(photomasking) 공정은 웨이퍼 스테이지 상에 안착된 반도체 웨이퍼의 정확한 정렬과 정렬된 웨이퍼에 대하여 정확한 노광량 및 노광 시간 조절을 필요로 한다. 전형적인 반도체 웨이퍼의 정렬 방식은 선 진행된 웨이퍼들 또는 샘플에 대하여 측정된 오버레이(overlay) 데이터를 기초로 하여 오버레이 보정 값을 계산하게 된다.In the above-described semiconductor wafer processing, a photomasking process that generates ultraviolet rays from the stepper and transfers the circuit pattern drawn on the mask to the wafer surface is performed on the wafer aligned with the exact alignment of the semiconductor wafer seated on the wafer stage. It requires precise exposure dose and exposure time control. Typical semiconductor wafer alignment schemes calculate overlay correction values based on overlay data measured for the advanced wafers or samples.

이러한 오버레이 보정 과정에서는 오버레이 측정을 수행하고자 하는 웨이퍼에 대한 데이터를 분류하는 과정이 수반되는데, 종래에는 현재의 웨이퍼에 대해 동일한 스테퍼로 진행된 로트, 동일 LPT의 패턴, 동일 장치 등으로 분류하여 현재 시점에서 가장 최근의 소정 기간 내에 진행된 각 로트들의 유효 데이터를 추출한다.The overlay calibration process involves classifying data for the wafers for which the overlay measurement is to be performed. Conventionally, the current wafer is classified into lots processed with the same stepper, patterns of the same LPT, and the same device. Extract valid data of each lot that has progressed within the most recent predetermined period.

그리고, 소정 기간 내의 유효 데이터 수가 1개일 경우 차기 진행 로트는 샘플 진행을 수행하고, 유효 데이터의 수가 2∼5일 경우에는 현재 웨이퍼에 대한 데이터 가공을 수행하게 된다.Then, when the number of valid data within a predetermined period is one, the next progress lot performs sample progress. When the number of valid data is 2 to 5, data processing is performed on the current wafer.

예를 들어 상세히 설명하면, 동일한 스테퍼에서 기존에 진행된 로트들의 오버레이 보정 데이터가 표 1과 같고, 이로부터 보정되어 오버레이에서 측정한 기존의 로트들에 대한 데이터가 표 2라고 가정한다.For example, in detail, it is assumed that overlay correction data of lots that have been previously performed in the same stepper is shown in Table 1, and data for existing lots that are corrected therefrom and measured in the overlay is Table 2.

8일전데이터8 days prior data 6일전데이터6 days prior data 4일전데이터4 days prior data 3일전데이터3 days prior data 2일전데이터2 days prior data 1일전데이터1 day prior data 0.020.02 0.030.03 0.0320.032 0.0220.022 0.0250.025 0.030.03

8일전데이터8 days prior data 6일전데이터6 days prior data 4일전데이터4 days prior data 3일전데이터3 days prior data 2일전데이터2 days prior data 1일전데이터1 day prior data 0.010.01 0.0140.014 0.0210.021 0.010.01 0.020.02 0.0120.012

이때, 유효 데이터는, 스테퍼로부터의 입력 데이터, 즉 스테퍼에서 기존에 진행된 로트들에 대한 오버레이 보정 데이터와 오버레이에서 측정된 오버레이 출력 데이터의 차가 되며, 이는 표 3과 같다.In this case, the valid data becomes a difference between the input data from the stepper, that is, the overlay correction data for the lots previously processed in the stepper and the overlay output data measured in the overlay, as shown in Table 3.

8일전데이터8 days prior data 6일전데이터6 days prior data 4일전데이터4 days prior data 3일전데이터3 days prior data 2일전데이터2 days prior data 1일전데이터1 day prior data 0.010.01 0.0160.016 0.0610.061 0.0210.021 0.0050.005 0.0180.018

그리고, 표 3에 기재된 각각의 유효 데이터 중에서 데이터 가공에 사용할 데이터를 추출하게 되는데, 이때 상술한 바와 같이 동일한 스테퍼로 진행된 로트, 동일한 LPT의 동일 패턴, 동일 장치로 분류하여 현재 시점에서 가장 최근의 소정 기간 내에 진행된 로트들의 유효 데이터 5개를 추출한다. 만일, 이때 추출된 유효 데이터의 수가 1개일 경우에는 다음에 진행되는 로트들은 샘플 진행을 수행하고, 추출된 유효 데이터의 수가 2∼5개이면 데이터 가공을 시작하게 되는데, 상술한 소정 기간이 5 일이라면, 데이터 가공에 사용될 데이터는 표 4와 같은 데이터가 된다.Then, the data to be used for data processing is extracted from each of the valid data shown in Table 3, wherein the lot proceeded to the same stepper as described above, the same pattern of the same LPT, and the same device, classified into the most recent predetermined point at the present time. Five valid data of lots processed in the period are extracted. In this case, when the number of valid data extracted is one, the next lot proceeds to sample, and when the number of valid data extracted is 2 to 5, data processing starts. The predetermined period is 5 days. If, the data to be used for data processing is the data shown in Table 4.

8일전데이터8 days prior data 6일전데이터6 days prior data 4일전데이터4 days prior data 3일전데이터3 days prior data 2일전데이터2 days prior data 1일전데이터1 day prior data -- -- 0.0110.011 0.0210.021 0.0050.005 0.0180.018

이러한 과정을 거쳐 실제 데이터 가공에 사용할 유효 데이터가 분류되면, 가장 오래된 데이터부터 가중치를 부여하여 표 5에 도시된 바와 같이 데이터를 복제한다.Through this process, when the valid data to be used for the actual data processing is classified, the data is replicated as shown in Table 5 by assigning a weight to the oldest data.

-- -- -- -- -- 0.0180.018 -- -- -- -- 0.0050.005 0.0180.018 -- -- -- 0.0210.021 0.0050.005 0.0180.018 -- -- 0.0110.011 0.0210.021 0.0050.005 0.0180.018

그리고, 오차 범위를 줄이기 위해 유효 데이터가 2∼5개 일 경우에는 n-2(n은 유효 데이터 수)만큼 최대치와 최소치를 제외시킨다. 따라서, 표 5에서는 각각 두 개씩의 최대치와 최대치가 제외되어 표 6과 같은 데이터만 남게 될 것이다.In order to reduce the error range, when the number of valid data is 2 to 5, the maximum and minimum values are excluded by n-2 (n is the number of valid data). Therefore, in Table 5, the two maximum values and the maximum value are each excluded, leaving only the data shown in Table 6.

-- -- -- -- -- 0.0180.018 -- -- -- -- 제외except 0.0180.018 -- -- -- 제외except 제외except 0.0180.018 -- -- 0.0110.011 제외except 0.0050.005 0.0180.018

그리고 계속해서, 남은 각각의 데이터에 대한 평균을 산출하게 되는데, 이 평균값은 다음 로트에 대한 가장 최근값으로서 표 1에 참여하게 된다.Then, an average of each of the remaining data is calculated, which takes part in Table 1 as the most recent value for the next lot.

한편, 표 6으로부터 산출된 평균값 0.0147은 스테퍼의 다음 진행 로트에 대한 예측 입력 파라미터로 사용되며, 이로부터 스테퍼의 노광이 진행된 다음, 다시 오버레이를 측정하게 되는데, 여기서 측정된 데이터는 다음 로트에 대한 가장 최근값으로서 표 2에 참여하게 된다.On the other hand, the average value 0.0147 calculated from Table 6 is used as a predictive input parameter for the next run lot of the stepper, from which the stepper is exposed, and then the overlay is measured again, where the measured data is the Participate in Table 2 as the latest value.

그러나, 상술한 바와 같은 각각의 과정을 거쳐 오버레이를 자동으로 보정하는 종래의 방법에서는, 오버레이 측정에 따른 서브 레이어에 대한 오버레이가 진행될 당시의 장비 상태가 전혀 고려되어 있지 않기 때문에 정확한 오버레이 보정이이루어지지 않는 문제점이 있었다. 그리고, 그로 인해 오버레이 공정이 재수행되는 경우가 다수 발생하여 그에 따른 비용 및 시간 소모가 많은 문제점이 있다.However, in the conventional method of automatically correcting the overlay through each process as described above, accurate overlay correction is not performed because the equipment state at the time of the overlay for the sub-layer according to the overlay measurement is not considered at all. There was a problem. As a result, the overlay process may be repeatedly performed, resulting in a lot of cost and time.

본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 반도체 제조 공정의 오버레이 측정 과정에서 서브 레이어의 장비 상태를 고려하여 보다 더 정확한 오버레이 파라미터 보정을 수행할 수 있는 오버레이 파라미터 보정 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, and provides an overlay parameter correction method capable of performing more accurate overlay parameter correction in consideration of the equipment state of the sub-layer during the overlay measurement process of the semiconductor manufacturing process. Its purpose is to.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 로트 단위로 기저장된 이전의 오버레이 보정 데이터에 의거하여 스테퍼를 통해 노광되는 반도체 웨이퍼에 대한 오버레이 파라미터를 보정하는 방법에 있어서, 상기 스테퍼에서 진행된 과거 로트들에 대한 다수의 오버레이 보정 데이터와 상기 스테퍼에 의해 노광된 반도체 웨이퍼에 대한 다수의 오버레이 측정 데이터를 추출하는 제 1 단계; 상기 오버레이 보정 데이터와 상기 오버레이 측정 데이터와의 차를 유효 데이터로서 생성하여, 상기 생성된 유효 데이터를 동일 스테퍼로 진행된 로트, 동일 로트의 동일 패턴, 동일 디바이스 등에 의거한 종류별로 분류하여 저장하는 제 2 단계; 상기 저장된 유효 데이터들로부터 현재 진행하고자 하는 로트와 동일한 장비를 통해 서브 레이어 및 초기 레이어가 진행된 과거 로트에 대한 데이터만을 실제 유효 데이터로 추출하는 제 3 단계; 상기 추출된 실제 유효 데이터의 수가 기설정된 갯수 이상이면, 상기 추출된 실제 유효 데이터중 최대치와 최소치를 각각 하나씩 삭제하는 제 4 단계; 상기 실제 유효 데이터에 대한 평균값을 산출하여 상기 다수의 오버레이 보정 데이터에 포함시켜 상기 스테퍼의 다음 로트에 대한 노광을 수행하는 제 5 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼의 오버레이 파라미터 보정 방법을 제공한다.The present invention for achieving the above object, in a method for correcting the overlay parameters for the semiconductor wafer exposed through the stepper based on the previous overlay correction data previously stored in a lot unit, in the past lot proceeded in the stepper Extracting a plurality of overlay correction data for and a plurality of overlay measurement data for the semiconductor wafer exposed by the stepper; Generating a difference between the overlay correction data and the overlay measurement data as valid data, and classifying and storing the generated valid data for each kind based on the lot having the same stepper, the same pattern of the same lot, the same device, and the like; step; A third step of extracting, from the stored valid data, only data on past lots in which a sub-layer and an initial layer have been processed as actual valid data through the same equipment as the current lot; A fourth step of deleting the maximum and minimum values of the extracted actual valid data, respectively, if the number of extracted actual valid data is greater than or equal to a preset number; Comprising a fifth step of calculating the average value for the actual valid data to include in the plurality of overlay correction data to perform the exposure of the next lot of the stepper provides an overlay parameter correction method of a semiconductor wafer.

도 1은 본 발명의 반도체 웨이퍼의 오버레이 파라미터 보정 방법을 구현하는데 적합한 스테퍼 시스템의 블록 구성도,1 is a block diagram of a stepper system suitable for implementing an overlay parameter correction method of a semiconductor wafer of the present invention;

도 2는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 오버레이 파라미터 보정 방법을 설명하기 위한 플로우차트.2 is a flowchart for explaining a method for correcting overlay parameters of a semiconductor wafer according to the present invention;

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100 : 스테퍼 140 : 반도체 웨이퍼100: stepper 140: semiconductor wafer

300 : 오버레이 측정기 500 : 오버레이 보정 제어부300: overlay meter 500: overlay calibration control

600 : 오버레이 데이터베이스600: Overlay Database

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 오버레이 파라미터 보정 방법을 적용하기에 적합한 스테퍼 시스템의 구성을 도시한 블록도로서, 스테퍼(100), 오버레이 측정기(300), 및 오버레이 보정 제어부(500), 오버레이 데이터베이스(600)를 포함한다.1 is a block diagram showing the configuration of a stepper system suitable for applying the overlay parameter correction method according to the present invention, the stepper 100, the overlay measuring device 300, and the overlay correction control unit 500, the overlay database 600 ).

도시된 바와 같이, 스테퍼(100)는 외부로부터 제공되는 노광에 필요한 여러 파라미터를 수신하여 반도체 웨이퍼에 대하여 노광을 실행하는 장치로서, 자외선 발생 및 조리개 등으로 구성된 노광계(110), 마스크(120), 렌즈 조립체(130), 가공용 웨이퍼(140)가 안착된 웨이퍼 스테이지(150)를 구비한다.As shown, the stepper 100 is an apparatus for receiving exposure to a semiconductor wafer by receiving a number of parameters required for exposure provided from the outside, the exposure system 110, mask 120 composed of ultraviolet light generation, aperture, etc. And a wafer stage 150 on which the lens assembly 130 and the processing wafer 140 are seated.

스테퍼(100) 내의 도시 생략된 자외선 발생부에서 발생된 자외선이 노광계(110)에 의해 조절되어 방사되면, 마스크(120)상의 회로 패턴은 렌즈 조립체(130)에 의해 일정 배율로 축소되어 웨이퍼(140)의 각 칩 상에 전사된다.When the ultraviolet rays generated in the ultraviolet generating unit (not shown) in the stepper 100 are controlled and radiated by the exposure system 110, the circuit pattern on the mask 120 is reduced to a predetermined magnification by the lens assembly 130 and thus the wafer ( Transferred onto each chip of 140).

이러한 포토마스킹 과정은 대개의 경우 25개들이 웨이퍼 한 세트를 지칭하는 로트 단위로 행하여지고 있다. 이렇게 회로 패턴이 전사된 반도체 웨이퍼(140)는 오버레이 측정기(300)로 전달된다.This photomasking process is usually performed on a lot basis in which 25 pieces refer to a set of wafers. The semiconductor wafer 140 in which the circuit pattern is transferred is transferred to the overlay measuring device 300.

오버레이 측정기(200)는 스테퍼(100)에 의해 노광된 웨이퍼(140)의 3축 옵셋을 측정하여 측정된 오버레이 데이터를 생성한다. 오버레이 측정기(300)에서 생성된 오버레이 데이터는 본 발명에 따른 오버레이 보정 제어부(500)로 제공된다.The overlay measurer 200 measures the three-axis offset of the wafer 140 exposed by the stepper 100 to generate the measured overlay data. The overlay data generated by the overlay meter 300 is provided to the overlay correction controller 500 according to the present invention.

오버레이 보정 제어부(500)는 오버레이 측정기(300)에서 제공된 오버레이 데이터를 이용하여 보정된 오버레이 데이터를 생성하며, 이렇게 생성된 오버레이 데이터는 다시 스테퍼(100)로 제공되어 다음 번에 처리될 반도체 웨이퍼(140)에 대한 오버레이 보정 데이터로서 사용되는데, 이 오버레이 보정 제어부(500)로부터 생성된 오버레이 데이터는 오버레이 데이터베이스(600)에 저장된다.The overlay correction controller 500 generates the corrected overlay data by using the overlay data provided by the overlay measurer 300, and the generated overlay data is provided to the stepper 100 again to be processed next. It is used as the overlay correction data for), and the overlay data generated from the overlay correction controller 500 is stored in the overlay database 600.

즉, 오버레이 데이터베이스(600)는 오버레이가 진행된 각각의 로트에 대한 정보를 저장하게 되는데, 이러한 로트 정보는 패터닝을 수행한 디바이스(device), 레이어, 진행 장비 및 서브 패턴의 레이어, 진행 장비 등에 관한 정보를 포함한다.That is, the overlay database 600 stores information about each lot on which the overlay has been processed. The lot information includes information on a device, a layer, a progress equipment, a layer of a progress pattern and a sub pattern, and a progress equipment that have been patterned. It includes.

한편, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 오버레이 파라미터 보정 방법에 대한 수행 과정을 도시한 플로우차트로서, 동도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, FIG. 2 is a flowchart illustrating a process of performing an overlay parameter correction method according to a preferred embodiment of the present invention. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따르면, 먼저 오버레이 보정 제어부(500)는 스테퍼(100)에서 기존에 진행된 로트들에 대한 오버레이 보정 데이터(Di)와 오버레이 측정기(300)로부터 측정된 기존의 오버레이 측정 데이터(Do)를 오버레이 데이터베이스(600)로부터 각각 추출하게 된다(단계 201).According to the present invention, first, the overlay correction control unit 500 overlays the overlay correction data Di for the lots that have been previously performed in the stepper 100 and the existing overlay measurement data Do measured from the overlay meter 300. Extracted from the database 600 respectively (step 201).

그리고, 오버레이 보정 제어부(500)는 이전의 오버레이 보정 데이터(Di)와 오버레이 측정 데이터(Do)와의 차, 즉 Di-Do를 계산하여 이를 유효 데이터(Xn)로서 생성한 다음, 그 오버레이 데이터베이스(600)에 시간 순서대로 저장하게 된다(단계 203). 이때, 오버레이 데이터베이스(600)에 저장되는 유효 데이터는 동일 스테퍼로진행된 로트, 동일 로트의 동일 패턴, 동일 디바이스 등에 따른 종류별로 저장되어, 동일 형태의 유효 데이터 집합을 형성하게 된다.In addition, the overlay correction controller 500 calculates a difference between the previous overlay correction data Di and the overlay measurement data Do, that is, Di-Do, generates it as valid data Xn, and then the overlay database 600. Are stored in chronological order (step 203). At this time, the valid data stored in the overlay database 600 is stored for each kind according to the same stepped lot, the same pattern of the same lot, the same device, and the like to form the valid data set.

계속해서, 오버레이 보정 제어부(500)는 오버레이 데이터베이스(600)로부터 실제 오버레이 데이터 보정에 사용할 N개의 유효 데이터를 추출하는데, 이때 추출되는 유효 데이터는 최근의 소정 기간, 예를 들어 5일 이내에 생성된 유효 데이터를 의미하며, 특히 현재 진행하고자 하는 로트와 동일한 장비에서 서브 레이어 및 초기 레이어가 진행된 데이터만을 추출한다. 즉, 본 발명에서는 현재 진행될 레이어에 대한 데이터뿐만 아니라 서브 레이어에 대한 데이터를 고려하여 실제 오버레이 데이터 보정에 사용할 유효 데이터를 추출하게 된다(단계 205).Subsequently, the overlay correction controller 500 extracts N pieces of valid data to be used for actual overlay data correction from the overlay database 600, wherein the extracted valid data is valid within a predetermined period of time, for example, 5 days. It means data, and in particular, extracts only data in which the sub-layer and the initial layer are processed in the same equipment as the current lot. That is, in the present invention, valid data to be used for actual overlay data correction is extracted in consideration of the data of the sub-layer as well as the data of the current layer (step 205).

상술한 단계(205)를 통해 현재 진행하고자 하는 로트와 동일한 장비에서 서브 레이어 및 초기 레이어가 진행된 유효 데이터가 추출되면, 가중치를 부여하여 데이터를 복제하는 종래의 과정을 거치지 않고, 오차 범위를 최소화하기 위해 추출된 각 유효 데이터의 갯수와 기설정된 갯수를 비교하게 되는데(단계 207), 만일 이때 유효 데이터의 수가 기설정된 갯수(예를 들어, 5개) 이상일 경우에는 최대치와 최소치를 각각 하나씩 삭제하지만(단계 209), 유효 데이터의 수가 기설정된 갯수 미만일 경우에는 최대치 및 최소치를 삭제하지 않는다.If the valid data of the sub-layer and the initial layer is extracted from the same equipment as the lot to be currently processed through the above-described step 205, the error range is minimized, and the error range is minimized without going through the conventional process of copying the data. The number of valid data extracted for each data is compared with a predetermined number (step 207). If the number of valid data is more than the predetermined number (for example, five), the maximum and minimum values are deleted one by one ( Step 209) If the number of valid data is less than the predetermined number, the maximum value and the minimum value are not deleted.

그런 다음, 최대치와 최소치가 삭제된(또는 삭제되지 않은) 후의 나머지 전체 데이터에 대한 평균값을 산출한 다음(단계 211), 이 산출된 평균값을 스테퍼(100)의 다음 진행 로트에 대한 오버레이 보정 데이터(Di')로 사용하기 위해 오버레이 데이터베이스(600)에 추가하고, 이 데이터(Di')에 의해 스테퍼(100)에서노광을 수행하게 된다(단계 213). 그리고, 여기서 단계(213)를 통해 노광된 이 후에 오버레이 측정기(300)에 의해 측정된 오버레이 데이터는 다음 로트에 대한 오버레이 측정 데이터(Do')로 사용된다.Then, an average value is calculated for the remaining total data after the maximum and minimum values have been deleted (or not deleted) (step 211), and the calculated average value is then used as overlay correction data (for the next progressing lot of stepper 100). Di ') is added to the overlay database 600 and exposure is performed on the stepper 100 by this data Di' (step 213). And here, the overlay data measured by the overlay meter 300 after being exposed through step 213 is used as overlay measurement data Do 'for the next lot.

결과적으로, 본 발명에서는 오버레이 측정을 위한 오버레이 파라미터를 산출하는 과정에서 진행하고자 하는 로트의 현재 레이어에 대한 정보는 물론 서브 레이어에 대한 정보를 고려하여 오버레이 파라미터를 산출하게 된다.As a result, in the present invention, in calculating the overlay parameter for overlay measurement, the overlay parameter is calculated in consideration of information on the current layer of the lot to be processed as well as information on the sub-layer.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 서브 레이어의 장비 상태를 고려하지 않음으로 인해 발생되는 얼라인먼트 오류에 따른 재공정을 현저하게 줄일 수 있는 효과가 있으며, 그로 인해 오버레이 공정에 따른 비용 및 시간을 절감할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to significantly reduce the reprocessing due to the alignment error caused by not considering the equipment state of the sub-layer, thereby reducing the cost and time according to the overlay process It can be effective.

Claims (4)

로트(lot) 단위로 기저장된 이전의 오버레이 보정 데이터에 의거하여 스테퍼를 통해 노광되는 반도체 웨이퍼에 대한 오버레이 파라미터를 보정하는 방법에 있어서,A method of correcting overlay parameters for a semiconductor wafer exposed through a stepper based on previously stored overlay correction data in units of lots, the method comprising: 상기 스테퍼에서 진행된 과거 로트들에 대한 다수의 오버레이 보정 데이터와 상기 스테퍼에 의해 노광된 반도체 웨이퍼에 대한 다수의 오버레이 측정 데이터를 추출하는 제 1 단계;Extracting a plurality of overlay correction data for past lots processed in the stepper and a plurality of overlay measurement data for the semiconductor wafer exposed by the stepper; 상기 오버레이 보정 데이터와 상기 오버레이 측정 데이터와의 차를 유효 데이터로서 생성하여, 상기 생성된 유효 데이터를 동일 스테퍼로 진행된 로트, 동일 로트의 동일 패턴, 동일 디바이스 등에 의거한 종류별로 분류하여 저장하는 제 2 단계;Generating a difference between the overlay correction data and the overlay measurement data as valid data, and classifying and storing the generated valid data for each kind based on the lot having the same stepper, the same pattern of the same lot, the same device, and the like; step; 상기 저장된 유효 데이터들로부터 현재 진행하고자 하는 로트와 동일한 장비를 통해 서브 레이어 및 초기 레이어가 진행된 과거 로트에 대한 데이터만을 실제 유효 데이터로 추출하는 제 3 단계;A third step of extracting, from the stored valid data, only data on past lots in which a sub-layer and an initial layer have been processed as actual valid data through the same equipment as the current lot; 상기 추출된 실제 유효 데이터의 수가 기설정된 갯수 이상이면, 상기 추출된 실제 유효 데이터중 최대치와 최소치를 각각 하나씩 삭제하는 제 4 단계;A fourth step of deleting the maximum and minimum values of the extracted actual valid data, respectively, if the number of extracted actual valid data is greater than or equal to a preset number; 상기 실제 유효 데이터에 대한 평균값을 산출하여 상기 다수의 오버레이 보정 데이터에 포함시켜 상기 스테퍼의 다음 로트에 대한 노광을 수행하는 제 5 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼의 오버레이 파라미터 보정 방법.And a fifth step of calculating an average value of the actual valid data to include in the plurality of overlay correction data to perform exposure of the next lot of the stepper. 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계에서 추출되는 상기 실제 유효 데이터는, 상기 유효 데이터가 생성된 시간에 의거하여 가장 최근에 생성된 N개의 실제 유효 데이터인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 오버레이 파라미터 보정 방법.The overlay parameter correction of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the actual valid data extracted in the third step is N actual valid data most recently generated based on a time at which the valid data is generated. Way. 제 1 항에 있어서, 상기 제 4 단계에서, 상기 기설정된 갯수는 5개 인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 오버레이 파라미터 보정 방법.The method of claim 1, wherein the predetermined number is five in the fourth step. 제 1 항에 있어서, 상기 제 5 단계는, 상기 스테퍼의 다음 로트에 대한 노광을 수행한 다음, 상기 노광에 따른 오버레이 데이터를 측정하여, 상기 측정된 데이터를 상기 제 1 단계에서의 상기 다수의 오버레이 측정 데이터에 포함시키는 과정을 더 포함하는 반도체 웨이퍼의 오버레이 파라미터 보정 방법.The method of claim 1, wherein the fifth step comprises performing exposure to a next lot of the stepper, and then measuring overlay data according to the exposure, thereby converting the measured data into the plurality of overlays in the first step. The overlay parameter correction method of the semiconductor wafer further including the process of including in a measurement data.
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