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KR20000064976A - 기판의 온도측정기, 기판의 온도를 측정하는 방법, 기판의 가열방법, 및 열처리장치 - Google Patents

기판의 온도측정기, 기판의 온도를 측정하는 방법, 기판의 가열방법, 및 열처리장치 Download PDF

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KR20000064976A
KR20000064976A KR1019980708461A KR19980708461A KR20000064976A KR 20000064976 A KR20000064976 A KR 20000064976A KR 1019980708461 A KR1019980708461 A KR 1019980708461A KR 19980708461 A KR19980708461 A KR 19980708461A KR 20000064976 A KR20000064976 A KR 20000064976A
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KR
South Korea
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substrate
temperature
temperature measuring
light
covering member
Prior art date
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Ceased
Application number
KR1019980708461A
Other languages
English (en)
Inventor
슈사쿠 야나가와
베르너 블레르쉬
Original Assignee
스테아크 아에스테 엘렉트로닉 게엠베하
이데이 노부유끼
소니 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스테아크 아에스테 엘렉트로닉 게엠베하, 이데이 노부유끼, 소니 가부시끼 가이샤 filed Critical 스테아크 아에스테 엘렉트로닉 게엠베하
Publication of KR20000064976A publication Critical patent/KR20000064976A/ko
Ceased legal-status Critical Current

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Abstract

광 조사에 의해 기판을 가열하는 장치의 기판의 온도측정기와, 기판의 온도를 측정하는 방법에 있어서, 온도측정기를 열전대와 이것을 덮는 피복부재로 구성하고, 피복부재 중 측온부를 덮는 부분을 열전도성이 높은 재료로, 또 이 열전도성이 높은 부재를 제외한 부분은 광의 반사율이 높은 재료로 각각 구성함으로써, 광 조사에 의해 가열되는 기판의 온도를 가열용 조사광의 영향을 받지 않고, 기판의 오염도 없이 또한 기판의 막 두께 구조에도 관계없이 정확하게 측정할 수 있도록 하였다.

Description

기판의 온도측정기, 기판의 온도를 측정하는 방법, 기판의 가열방법, 및 열처리장치
근래 반도체디바이스의 미세화에 따라 MOS디바이스에서는 1 단(短)채널 효과를 억제하기 위해, 2 바이폴라 디바이스에서는 차단주파수 fT를 향상시키기 위해, 얕은 접합을 고정밀도로 형성할 필요성이 생기고 있다. 그리고 얕은 접합을 형성하는 방법의 하나로서, 고온에서 단시간의 처리가 가능한 광 조사(照射)에 의한 가열방법(RTA:Rapid Thermal Annealing)이 채용되어 있다. 또 RTA는 이온주입에 의해 생긴 결정 결함의 회복이나 신터(sinter) 등의 각종 어닐링, 산화막, 질화막의 형성에도 이용되고 있다. 따라서 다양한 막 구조를 가지는 기판, 다양한 불순물 농도를 가지는 기판 등에 대해 기판온도를 정확하게 제어하는 것이 매우 중요하게 되었다.
그러나 광 조사에 의한 기판가열에서는, 막 구조나 막질(膜質), 불순물 농도 등에 의해 기판의 복사율이 변화하므로 일정한 광의 조사 강도〔개(開)회로제어(Open Loop Cobtrol)일 때〕하에서는 기판의 광 흡수량(처리온도)이 변화하게 된다. 그러므로 제조공정의 복잡화에 따라 각종 편차(막 두께, 막질, 불순물량, 구조 등에 의한 편차)를 포함하는 기판의 가열상태를 정밀도가 양호하게 제어하기는 매우 어렵다. 또한 기판가열장치를 구성하는 석영튜브의 광 투과율이나, 쳄버의 내벽의 광 반사율, 광원이 되는 램프의 출력의 시간의 경과에 따른 변화 등에 의해 기판의 처리온도가 변화한다. 이 문제에 대처하기 위해 기판의 온도를 측정하여 그 측정치를 램프의 출력에 피드백하는 폐(閉)회로제어(Closed Loop Cobtrol)가 검토되어 있다.
또 기판의 온도를 측정하는 장치로서는 방사(放射)온도계가 있다. 이 방사온도계는 비접촉으로 온도측정을 할 수 있는 이점이 있다.
또 다른 온도측정장치로서 열전대(熱電對)가 있다. 열전대로 온도측정하는 경우에는, 기판의 표면에 열전대를 직접 접촉시키는 방법, 내열성 접착제를 사용하여 기판의 표면에 열전대를 고정하는 방법 등이 있다. 이들 방법은 열전대의 측온부(測溫部)(합금부)가 기판에 직접 접촉하므로 기판온도를 대략 정확하게 측정할 수 있는 장점을 가진다.
다른 온도측정장치로서는 실리콘카바이드(SiC)로 이루어지는 피복부재에 열전대를 삽입하고, 그 열전대를 피복부재를 통하여 기판에 접촉시켜 기판온도를 간접적으로 측정하는 장치가 일본국 특개평 4­148546호 공보에 개시되어 있다.
그러나 상기 방사온도계를 사용한 온도측정에서는 열전대를 사용한 접촉식의 온도측정방법과 달리, 측정 대상의 표면상태에 따라 측정 정밀도가 좌우되거나, 측정환경의 영향을 크게 받는다. 그러므로 다양한 막 구조나 불순물 농도를 가지는 기판에서는 기판마다 복사율이 상이하다. 따라서 정확한 온도측정을 행하기 위해서는 미리 각 기판마다 복사율을 구해 둘 필요가 있으므로 측정작업이 복잡하게 된다.
또 기판에 열전대를 직접 접촉시켜 온도를 측정하는 방법에서는 기판과 열전대와의 반응에 의한 열전대의 열화, 기판의 금속오염 등의 문제가 발생한다.
또한 피복부재에 삽입한 열전대에 의한 온도측정에서는 열전대에 의한 기판으로의 금속오염의 문제는 해결되지만, 열전대가 측정하는 있는 것은 피복부재의 온도가 된다. 또 광 조사 열처리장치에 의해 기판이 열처리되는 과정에서, 기판의 온도가 상승하면 열 전도(傳導)에 의해 피복부재가 가열될 뿐만 아니라 피복부재 자체가 조사된 광을 직접 흡수하여 가열된다. 그러므로 기판온도를 정확하게 측정하기는 어렵다.
또 기판으로부터의 열전도와 피복부재의 기판으로부터의 복사흡수, 및 조사램프광의 흡수는, 피복부재로서 사용되는 재료에 따라 상이하다. 석영과 탄화규소의 경우를 예로 들어 나타내면, 석영에 의한 피복에서는 광 흡수가 억제되지만 열전도가 나쁘기 때문에 기판온도의 측정이 어렵고 열 응답성도 저하된다. 한편 탄화규소에 의한 피복에서는 기판온도의 전도는 우수하지만, 광 흡수가 많기 때문에 측정온도의 광 조사 강도 의존이 현저하게 나타난다. 이와 같은 열 특성에 의해 각각의 재료에는 일장일단이 있다.
또 피복부재와 기판과의 접촉부에서 피복부재를 평탄하게 가공하여 유사적인 면(面) 접촉상태를 형성하고, 기판으로부터의 열전도 효율을 증대시키는 방법도 있지만, 이 방법에서는 피복부재의 열 용량도 증가시키게 된다. 그러므로 광의 직접 흡수에 의한 가열이 증가하므로 정확한 기판의 온도측정을 할 수 없다.
따라서 광 조사 강도를 변화시키는 폐회로제어에서는 조사 강도에 의존하여 피복부재의 광 흡수에 의한 가열량이 변화되므로, 다양한 막 구조나 불순물 농도를 가진 기판의 복사율의 변화에 의한 광 흡수량(기판온도)의 변화를 정확하게 측정할 수는 없다. 또한 쉬스형 열전대의 경우에는 측온점 이외의 피복부재의 가열에 의해 측온점까지의 중간영역에 고온영역이 발생할 우려가 있어, 측정 정밀도를 저하시키는 이른 바 션트에러를 초래한다.
본 발명은 기판의 온도측정기, 기판의 온도를 측정하는 방법, 기판의 가열방법, 및 열처리장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 온도측정기에 관한 제1 실시형태의 개략적인 구성 단면도이다. 도 2는 온도측정기를 사용하는 광 조사형 열처리장치의 일 예의 개략적인 구성 단면도이다.
도 3은 각 평가샘플의 개략적인 구성 단면도이다.
도 4는 RTA의 시퀀스의 설명도이다.
도 5는 각 평가샘플의 시트저항과 RTA의 설정온도와의 관계도이다. 도 6은 본 발명의 온도측정기에 의한 측정온도와 시트저항과의 관계도이다. 도 7은 비교 예의 온도측정기의 개략적인 구성 단면도이다.
도 8은 비교 예의 온도측정기에 의한 측정온도와 시트저항과의 관계도이다. 도 9는 제3 평가샘플의 시트저항과 산화실리콘막 두께와의 관계도이다.
도 10은 제3 평가샘플의 기판온도와 산화실리콘막 두께와의 관계도이다.
도 11은 제3 평가샘플에서의 램프출력비와 산화실리콘막 두께와의 관계도이다.
도 12는 제3 평가샘플에서의 램프출력비와 기판 환산온도와의 관계도이다.
도 13은 제3 평가샘플에서의 램프출력비와 측정 오차와의 관계도이다.
도 14는 온도측정기에 관한 제3 실시형태의 개략적인 구성 단면도이다.
도 15는 온도측정기에 관한 제4 실시형태의 개략적인 구성 단면도이다.
도 16은 온도측정기에 관한 제5 실시형태의 개략적인 구성 단면도이다.
도 17은 본 발명의 기판의 가열방법에 관한 설명도이다.
도 18은 제3 평가샘플에서의 램프출력비와 측정 오차와의 관계도이다.
부호의 설명
1 온도측정기
11 열전대
12 측온부
21 피복부재
22 측온부 피복부재
23 선부 피복부재
51 기판
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 기판의 온도측정기, 기판의 온도를 측정하는 방법, 기판의 가열방법, 및 열처리장치이다.
기판의 온도측정기는, 온도측정수단과 그것을 덮는 피복부재를 구비하고, 피복부재를 통하여 온도측정수단의 측온부를 기판에 접촉시키고, 광의 조사에 의해 가열되는 이 기판의 온도를 측정하는 것이며, 측온부를 덮는 부분의 피복부재는 열전도성이 높은 재료로 이루어지고, 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재를 제외한 다른 부분의 피복부재는 광의 투과율이 높은 재료 또는 광의 반사율이 높은 재료로 이루어지는 것이다.
상기 온도측정기에서는, 온도측정수단이 피복부재에 의해 피복되고, 이 피복부재 중 측온부를 덮는 부분의 피복부재가 열전도성이 높은 재료로 이루어짐으로써, 기판의 온도가 측온부에 전도되기 쉬워진다. 그러므로 피복부재를 통한 온도측정이기는 하지만, 기판의 온도를 측정하는 것이 가능하게 된다. 또 이 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재를 제외한 다른 부분의 피복부재는 광의 투과율이 높은 재료 또는 광의 반사율이 높은 재료로 이루어짐으로써 온도측정수단을 피복하는 피복재료가 광의 조사를 받아 그 광을 흡수하는 일이 거의 없다. 그러므로 광의 조사에 의한 피복부재의 온도상승이 거의 없어지므로, 피복부재의 흡수에 의한 온도측정수단의 측온치(測溫値)의 변화, 기판으로부터의 복사에 의한 측온치의 변화가 거의 일어나지 않는다.
기판의 온도를 측정하는 방법은, 온도측정수단과 그것을 덮는 피복부재를 구비하고, 피복부재를 통하여 온도측정수단의 측온부를 기판에 접촉시키고, 광의 조사에 의해 가열되는 이 기판의 온도를 측정하는 방법이며, 측온부를 덮는 부분의 피복부재는 열전도성이 높은 재료로 이루어지고, 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재를 제외한 다른 부분의 피복부재는 광의 투과율이 높은 재료 또는 광의 반사율이 높은 재료로 이루어지는 온도측정기를 사용하여, 기판의 온도를 측정하는 방법이다.
상기 기판의 온도를 측정하는 방법에서는, 온도측정수단이 피복부재에 의해 피복되고, 이 피복부재 중 측온부를 덮는 부분의 피복부재가 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 구성의 온도측정기를 사용하여 기판의 온도를 측정함으로써, 기판의 온도는 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재에 의해 측온부에 전도되기 쉬워진다. 그러므로 피복부재를 통한 온도측정이기는 하지만, 기판의 온도를 측정하는 것이 가능하게 된다. 또 이 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재를 제외한 다른 부분의 피복부재가 광의 투과율이 높은 재료 또는 광의 반사율이 높은 재료로 이루어지는 구성의 온도측정기를 사용하여 기판의 온도를 측정함으로써, 측정 중에 이 피복재료가 광의 조사를 받아 그 광을 흡수하는 일이 거의 없다. 그러므로 광의 조사에 의한 피복부재의 온도상승이 거의 없어지므로 피복부재의 흡열에 의한 온도측정수단의 측온치의 변화, 기판으로부터의 복사에 의한 측온치의 변화가 거의 일어나지 않는다.
기판의 가열방법은, 광의 조사에 의해 기판을 가열하는 방법으로서, 기판의 온도를 측정하기 위한 온도측정기의 측온부가 접촉하는 측의 기판면과는 반대측의 기판면에 조사되는 광의 조사 강도를 상기 측온부가 접촉하는 측의 기판면에 조사되는 광의 조사 강도보다 상대적으로 높이고, 광의 조사를 행하는 방법이다.
상기 기판의 가열방법에서는, 측온부가 접촉하는 측의 기판면에 조사되는 광의 강도를 그 반대측의 기판면에 조사되는 광의 강도보다 약하게 하게 되므로, 측온부에 조사되는 광량은 적어진다. 그러므로 측온부에 대한 광 조사의 영향이 적어지므로 기판온도의 측정 오차가 감소된다.
열처리장치는, 광 조사에 의해 가열하는 가열용 광원과, 가열용 광원에 의해 광이 조사되는 피가열부재와, 피가열부재의 온도를 측정하는 측온부와, 측온부의 일단에 설치되고, 열전도율이 높은 재료로 형성된 제1의 측온부 피복부재와, 측온부의 주위를 덮고, 광 투과율이 높은 재료로 형성된 제2의 측온부 피복부재를 구비한 것이다.
상기 열처리장치에서는, 피복부재 중 측온부를 덮는 부분의 제1의 측온부 피복부재가 열전도성이 높은 재료로 이루어짐으로써 기판의 온도가 측온부에 전도되기 쉬워진다. 그러므로 제1의 측온부 피복부재를 통한 온도측정이기는 하지만, 기판의 온도를 측정하는 것이 가능하게 된다. 또 이 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 제1의 측온부 피복부재를 제외한 다른 부분의, 제2의 측온부 피복부재는 광의 투과율이 높은 재료 또는 광의 반사율이 높은 재료로 이루어지므로 광의 조사를 받아 그 광을 흡수하는 일이 거의 없다. 그러므로 광의 조사에 의한 피복부재의 온도상승이 거의 없어지므로 피복부재의 흡수에 의한 온도측정수단의 측온치의 변화, 기판으로부터의 복사에 의한 측온치의 변화가 거의 일어나지 않는다.
본 발명의 제1 실시형태의 일 예를 도 1의 개략적인 구성 단면도에 의해 설명한다.
도 1에는 기판의 온도측정기(1)를 단면도에 의해 기판과 함께 나타낸다.
온도측정기(1)는 온도측정수단으로 열전대(11)를 사용한 것으로, 이 열전대(11)를 피복부재(21)에 의해 피복하고 있는 구조로 되어 있다. 상기 열전대(11)에는 이 열전대(11)의 기전력(起電力)을 측정하는 전압계(도시생략)가 접속되어 있다.
상기 열전대(11)는 예를 들면 백금(Pt)­백금(Pt)·10％로듐(Rh) 열전대이고, 열전대(11)의 측온부(합금부)(12)는 백금 선과 백금·10％로듐 선과의 합금에 의해 형성되어 있다.
또 최소한 어느 하나의 선에는 절연관(31)이 유삽(遊揷)되어 있고 이 절연관(31)은 예를 들면 석영으로 이루어진다. 이 예에서는 백금의 도선(導線)(13) 쪽에 절연관(31)이 유삽되어 있다. 당연하지만 백금·10％로듐선(14) 쪽에 절연관(31)을 유삽해도 된다.
상기 피복부재(21) 중 제1의 측온부 피복부재(22), 즉 도 1 중 측온부(12)를 덮는 부분의 측온부 피복부재(22)는 열전도성이 높은 재료로 구성되고 측온부(12)에 충분하게 접촉하는 상태로 설치되어 있다. 이 측온부 피복부재(22)는 예를 들면 석영(열전도율＝1.66W·m­1·K­1)의 10배 정도의 이상의 열전도율을 가지는 재료, 바람직하게는 100W·m­1·K­1 정도 이상의 열전도율을 가지는 재료로 이루어진다. 이와 같은 재료로는 예를 들면 탄화규소(열전도율＝261W·m­1·K­1)가 있다.
이와 같이 측온부 피복부재(22)는 측온부(12)에 충분하게 접촉하고, 또한 탄화규소로 형성되어 있으므로 기판(51)의 열은 측온부(12)로 충분하게 전달된다.
또한 측온부 피복부재(22)는 광의 직접 흡수를 극도로 억제하기 위해 표면적을 작게, 또한 열 응답성을 높이기 위해 열 용량이 작은 구조로 하고 있다. 즉 측온부 피복부재(22)의 외형상은 측온부(12)에 대하여 캡형상을 이루고 있고 예를 들면 캡의 외경이 1.4mm, 캡의 내경이 0.9mm, 캡의 높이가 1.4mm로 형성되어 있다.
또 상기 피복부재(21) 중 측온부 피복부재(22)를 제외한 다른 부분의 제2의 측온부 피복부재 즉 도 1 중 선부 피복부재(線部被服部材)(23)는 적외선의 투과성이 우수한 석영으로 구성되고, 광의 직접 흡수를 극도로 억제한 구조로서 원형 단면을 가지는 관형(管形)으로 형성되어 있다.
그리고 기판(51)은 석영트레이(도시생략)로부터 돌출한 석영제의 복수개(예를 들면 2개)의 기판지지부(도시생략)와 함께, 상기 온도측정기(1)의 선단부분이 되는 측온부 피복부재(22)에 의해 수평으로 지지되어 있다.
상기 온도측정기(1)는 온도측정수단의 열전대(11)가 피복부재(21)에 의해 피복되고, 이 피복부재(21) 중 열전대(11)의 측온부(12)를 덮는 부분의 측온부 피복부재(22)는 열전도성이 높은 재료로 이루어지므로 기판(51)의 온도가 측온부(12)에 전도되기 쉬워진다. 그러므로 측온부 피복부재(22)를 통한 온도측정이기는 하지만, 기판(51)의 온도를 측정하는 것이 가능하게 된다.
또 이 측온부 피복부재(22)를 제외한 다른 부분의 선부 피복부재(23)는 광의 투과율이 높은 석영으로 이루어지므로 열전대(11)의 도선을 피복하는 선부 피복부재(23)가 광의 조사를 받아 그 광을 흡수하는 일이 거의 없다. 그러므로 광의 조사에 의한 선부 피복부재(23)의 온도상승이 거의 없어지므로 선부 피복부재(23)의 흡열에 의한 열전대(11)의 측정치의 변화가 거의 일어나지 않는다.
그리고 일반적으로 열전대(11)의 도선(13,14)의 각 표면은 광을 반사하기 쉬운 상태로 형성되어 있다. 따라서 열전대(11)에 광이 조사되어도 열전대(11)는 조사된 광의 영향을 거의 받지 않는다.
또한 상기 측온부 피복부재(22)가 내열성이 높고 통상의 실리콘기판의 열처리온도(1200℃ 이하)에서는 열적으로 안정된 탄화규소로 형성되어 있으므로, 열처리시에 상기 측온부 피복부재(22)에 의해 기판(51)이 오염되지도 않는다.
다음에 상기 실시형태에서 설명한 온도측정기(1)를 사용하는 광 조사형 열처리장치의 일 예를 도 2의 개략적인 구성 단면도에 의해 설명한다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 반응로(反應爐)(111)의 내부에는 적외선에 대하여 높은 투과성을 가지는 석영유리에 의해 이루어지는 튜브(112)가 설치되고, 이 튜브(112)의 측면 주위에 가열용의 할로겐램프(113)가 설치되어 있다. 그리고 반응로(111)의 일단 측에 상기 튜브(112)의 일단 측을 설치하고, 그 부분에는 기판(51)의 반출입시에 개폐되고, 또한 상기 튜브(112) 내를 밀폐할 때에는 이 튜브(112) 내를 기밀(機密)시킬 수 있도록, 패킹(114)(예를 들면 수지성의 패킹)을 장착한 도어(115)가 구비되어 있다.
한편 상기 튜브(112)의 타단 측에는 가스를 도입하기 위한 가스도입관(116)이 접속되어 있다. 그리고 상기 튜브(112)의 내부에는 기판(51)을 지지하기 위한 석영제의 트레이(117)가 배설되어 있다. 이 트레이(117)에는 석영제의 기판지지부(118)가 형성되어 있고 이 기판지지부(118)와 함께 트레이(117) 상에 배치한 온도측정기(1)의 선단부(즉 상기 도 1에 의해 설명한 측온부 피복부재(22)를 개재한 측온부(12))에 의해 기판(51)이 지지되어 있다. 또 온도측정기(1)의 열전대의 도선(13,14)은 반응로(111)의 단부에 설치한 구멍(119)으로부터 외부로 끌어내 진다.
상기와 같이 광 조사형 열처리장치(101)는 구성되어 있다.
다음에 기판의 온도를 측정하기 위한 3종류의 평가샘플의 구조를 도 3에 의해 설명한다. 각 평가샘플은 기판의 복사율을 변화시키기 위해 막 두께가 변화되어 있다.
도 3의 (1)에 나타낸 바와 같이 제1 평가샘플(61)은 실리콘기판(62)의 일측(표면측)에 산화실리콘(SiO2)막(63), 150nm의 두께의 다결정 실리콘막(64), 300nm의 두께의 캐핑 산화실리콘막(65)이 적층되고, 실리콘기판(62)의 타측(이면측)에 산화실리콘(SiO2)막(66), 150nm의 두께의 다결정 실리콘막(67)이 적층된 것이다.
그리고 상기 산화실리콘막(63,66)은 700nm∼900nm의 범위에서 두께를 변화시키고 있지만, 광 흡수량의 막 두께 의존성은 적게 되어 있다.
또 다결정 실리콘막(64)에는 드라이브 에너지가 40KeV, 도즈(dose)량이 5.4×1014개／㎠인 조건으로 2불화붕소(BF2)가 이온 주입되어 있다.
도 3의 (2)에 나타낸 바와 같이 제2 평가샘플(71)은 실리콘기판(72)의 일측(표면측)에 800nm의 두께의 산화실리콘(SiO2)막(73), 150nm의 두께의 다결정 실리콘막(74), 300nm의 두께의 캐핑 산화실리콘막(75)이 적층되고, 실리콘기판(72)의 타측(이면측)에 800nm의 두께의 산화실리콘(SiO2)막(76), 다결정 실리콘막(77)이 적층된 것이다.
그리고 상기 이면측의 다결정 실리콘막(77)은 150nm∼350nm의 범위에서 두께를 변화시키고 있으며, 광 흡수량의 막 두께 의존성은 제1 평가샘플(61)보다 크게 되어 있다.
또 표면측의 다결정 실리콘막(74)에는 드라이브 에너지가 40KeV, 도즈량이 5.4×1014개／㎠인 조건으로 2불화붕소(BF2)가 이온 주입되어 있다.
도 3의 (3)에 나타낸 바와 같이 제3 평가샘플(81)은 실리콘기판(82)의 일측(표면측)에 산화실리콘(SiO2)막(83), 150nm의 두께의 다결정 실리콘막(84), 300nm의 두께의 캐핑 산화실리콘막(85)이 적층되고, 실리콘기판(82)의 타측(이면측)에 산화실리콘(SiO2)막(86), 150nm의 두께의 다결정 실리콘막(87)이 적층된 것이다.
그리고 상기 제3 평가샘플(81)은 산화실리콘막(83,86)의 두께가 100nm∼600nm의 범위, 즉 100nm, 200nm, 300nm, 400nm, 600nm의 5종류가 준비되어 있다. 그러므로 이들 제3 평가샘플(81)에서는 산화실리콘막(83,86)의 광 흡수량의 막 두께 의존성은 매우 크게 되어 있다.
또 다결정 실리콘막(84)에는 드라이브 에너지가 40KeV, 도즈량이 5.4×1014개／㎠인 조건으로 2불화붕소(BF2)가 이온 주입되어 있다.
산화실리콘막(63)의 막 두께가 상이한 복수의 각 제1 평가샘플(61), 다결정 실리콘막(77)의 막 두께가 상이한 복수의 각 제2 평가샘플(71), 산화실리콘막(83,86)의 막 두께가 상이한 복수의 각 제3 평가샘플(81)의 각각에, 내열성 접착제를 사용하여 열전대를 직접 부착하여 그 열전대를 사용한 정확한 온도측정을 행하였다.
온도측정에서는 상기 도 2에 의해 설명한 광 조사형 열처리장치(101)를 사용하여 기판(51) 대신에 상기 도 3에 의해 설명한 각 제1, 제2, 제3 평가샘플(61,71,81)을 열처리〔RTA(Rapid Thermal Annealing)〕하였다. 그 RTA의 시퀀스는 도 4에 나타낸 바와 같이, 200℃의 온도 분위기로 설정한 튜브(112)(도 2 참조) 내에 평가샘플을 반입한다. 그리고 100℃／s의 가열속도로 RTA의 설정온도(T)까지 가열한 후 그 설정온도(T)로 10초간 유지하고, 그 후 70℃／s의 냉각속도로 400℃까지 냉각하여 튜브(112) 내로부터 평가샘플을 반출하는 순서이다.
상기 RTA의 설정온도(T)는 900℃, 1000℃, 1050℃, 1100℃, 1150℃로 설정하였다.
그리고 상기 RTA의 시퀀스는 일 예이며, 적당하게 변경하는 것이 가능하다.
여기에서 각 설정온도로 처리했을 때의 각 평가샘플의 시트저항의 온도 의존성을 도 5에 나타낸다.
도 5에서는 종축에 시트저항을 나타내고 횡축에 RTA의 설정온도를 나타낸다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 900℃에서 950℃ 정도까지는 대략 일정한 2140Ω／□ 정도의 시트저항치를 나타내고, 1000℃ 정도보다 고온으로 되면 급격하게 시트저항이 저하한다. 그리고 1050℃에서는 1420Ω／□ 정도의 시트저항치가 되고, 1100℃에서는 980Ω／□ 정도의 시트저항치를 나타내고, 1150℃에서는 800Ω／□ 정도의 시트저항치가 되었다.
다음에 상기 도 4에 의해 설명한 시퀀스에 의해, 제2 평가샘플(71)에서의 다결정 실리콘막(77)의 두께가 250nm의 평가샘플에 있어서 기판온도가 1050℃로 되는 램프출력을 이용하여 제1 평가샘플(61)의 산화실리콘막(63,66)의 두께, 제2 평가샘플(71)의 다결정 실리콘막(77)의 두께, 및 제3 평가샘플(81)의 산화실리콘막(83,86)의 두께를 변화시킨 모든 평가샘플에 대해 동일한 램프출력으로 열처리를 행한다. 즉 일정한 광의 조사 강도 하에서 열처리를 행하는 개회로제어에 의해 연속 처리한다.
그 때 각 평가샘플의 온도를 본 발명의 온도측정기(1)(도 1 참조)에 의해 측정한다. 다음에 그 측정치와 시트저항과의 관계를 도 6에 의해 설명한다. 그리고 온도측정은 각 평가샘플에 대해 2번 행하였다.
도 6에서는 2번의 측정결과를 정리하여 나타내고 있다. 또 종축에는 시트저항을 나타내고 횡축에는 개회로제어에서의 온도측정기(1)에 의해 측정한 기판온도를 나타낸다.
도 6에 나타낸 바와 같이 기판에 관계없이 동일한 광 조사 강도로 처리하는 개회로제어에서는 기판에 형성한 막의 두께의 차이에 의해 시트저항(기판온도)이 변하지만, 도 5에 의해 설명한 것에서 기판에 직접 열전대를 접착하여 측정한 결과에 따른 시트저항의 온도 의존의 곡선(C)에, 상기 도 1에서 설명한 온도측정기(1)의 측정온도에서의 시트저항의 값(도면에서는 흰 동그라미 및 검은 동그라미, 삼각형, 사각형 표시로 나타냄)은 대략 일치한다.
이러한 점으로 인해 기판구조가 상이하고 광의 흡수량이 다른 다양한 기판에 대해서도 본 발명의 온도측정기(1)는 기판온도의 정확한 측정을 재현성이 양호하게 행할 수 있음이 나타났다고 할 수 있다.
다음에 온도측정기(1)의 측온부(12)를 덮는 측온부 피복부재(22)(도 1 참조)의 열 용량 및 표면적이 기판의 측정온도에 미치는 영향을 조사하였다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 온도측정기(2)는 상기 도 1에서 설명한 온도측정기(1)에 있어서 측온부(12)를 덮는 측온부 피복부재(22(26))에 단면이 대략 Ⅱ자형인 것을 이용하여 열 용량 및 표면적을 증가시킨 비교 예이다. 즉 상기 도 1에 의해 설명한 측온부 피복부재(22)에서의 기판(51)과의 접촉면 측의 측면 주위부에 플랜지(27)를 설치한 것이다.
이와 같은 형상의 측온부 피복부재(26)를 사용한 온도측정기(2)에 의해, 상기 도 6에서 설명한 것과 동일하게 하여 도 3에서 설명한 각 평가샘플의 온도를 측정하였다. 그 결과를 도 8에 의해 설명한다.
도 8에 나타낸 바와 같이 기판에 관계없이 동일한 광 조사 강도로 처리하는 개회로제어에서는 기판에 형성한 막의 두께의 차이에 따라 시트저항(기판온도)이 변하지만, 기판에 직접 열전대를 접착하여 측정한 결과에 따른 시트저항의 온도 의존의 곡선(C)(상기 도 5 참조)에, 온도측정기(2)(상기 도 7 참조)에 의한 측정온도에서의 시트저항의 값(도면에서는 검은 동그라미, 삼각형, 사각형 표시로 나타냄)은 대략 일치한다.
이러한 점으로 인해 본 발명에 의한 온도측정기를 광 조사 강도가 고정된 개회로제어에서의 온도측정에 이용한 평가에서는, 측온부(12)를 덮는 측온부 피복부재(22)의 형상(표면적, 열 용량, 기판과의 접촉면적 등)에 관계없이 양호한 온도측정이 가능함을 알 수 있다.
제3 평가샘플(81)의 산화실리콘막(83,86)의 두께를 변화시킨 평가샘플을 설정온도 1050℃의 상기 도 4에서 설명한 시퀀스에 의해 열처리를 실시한다. 이 열처리는 온도측정기(1)(상기 도 1 참조)와 온도측정기(2)(상기 도 7 참조)를 사용한 폐회로제어에서 행한다. 이 때의 각 평가샘플의 시트저항과 산화실리콘막 두께와의 관계를 도 9에 나타낸다. 또 개회로제어에서의 기판온도와 산화실리콘막 두께와의 관계를 도 10에 나타낸다.
도 9에서는 종축에 시트저항을 나타내고 횡축에 산화실리콘막 두께를 나타낸다.
또 도 10에서는 종축에 기판온도를 나타내고 횡축에 산화실리콘막 두께를 나타낸다.
그리고 각 도면 중, 검은 동그라미 표시는 개회로제어에서의 값을 나타내고, 흰 사각형 표시는 온도측정기(1)(도 1 참조)를 사용한 폐회로제어에서의 값을 나타내고, 흰 삼각형 표시는 온도측정기(2)(도 7 참조)를 사용한 폐회로제어에서의 값을 나타낸다.
그리고 어느 경우에 있어서나 기판의 표면측과 이면측에서의 램프출력은 동일하다.
도 9 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 개회로제어에서 현저하게 나타나는 시트저항(기판온도)의 막 두께 의존성은, 온도측정기(1,2)를 사용함으로써 개선된다. 그러나 개회로제어에서는 정확한 온도측정을 행할 수 있는 상기 온도측정기(1,2)라도, 폐회로제어의 기판온도측정에 사용한 경우에는 막 두께 의존성의 완전한 해소에는 이르지 못한다. 그리고 온도측정기(1)의 구조에 비해 온도측정기(2)의 구조에서는 막 두께 의존의 개선효과는 적은 것을 알 수 있다. 다음에 이 이유에 대하여 설명한다.
온도측정기(1,2)를 사용한 폐회로제어에 의해, 산화실리콘막(83,86)의 두께를 변화시킨 각 제3 평가샘플(81)〔도 3의 (3) 참조〕을 도 4에 의해 설명한 시퀀스에 의해 설정온도 1050℃의 열처리를 행하였다.
이 때 안정시의 램프출력비와 산화실리콘막(83,86)과의 관계를 도 11에 의해 설명한다. 또 안정시의 램프출력비와 시트저항으로부터의 기판 환산온도와의 관계를 도 12에 의해 설명한다. 또한 안정시의 램프출력비와 기판 환산온도와 온도측정기(1)(도 1 참조) 및 온도측정기(2)(도 7 참조)의 측정온도와의 차에 의해 구한 측정 오차와의 관계를 도 13에 의해 설명한다.
그리고 상기 램프출력비는 램프를 100％로 출력시켰을 때와 비교한 램프출력이다.
도 11에서는 종축에 램프출력비를 나타내고 횡축에 산화실리콘막 두께를 나타낸다. 또 도 12에서는 종축에 램프출력비를 나타내고 횡축에 시트저항으로부터 환산한 기판온도를 나타낸다. 또한 도 13에서는 종축에 램프출력비를 나타내고 횡축에 기판 환산온도와 온도측정기(1,2)의 측정온도와의 차로부터 구한 측정 오차를 나타낸다.
그리고 도면 중 검은 동그라미 표시는 개회로제어에서의 값을 나타내고, 흰 사각형 표시는 온도측정기(1)를 사용한 폐회로제어에서의 값을 나타내고, 흰 삼각형 표시는 온도측정기(2)를 사용한 폐회로제어에서의 값을 나타낸다.
또한 어느 경우나 기판의 표면측과 이면측에서의 램프출력은 동일하다.
도 11에 나타낸 바와 같이 폐회로제어에서는 기판온도가 낮아지는 산화실리콘막 두께일 때에는 램프출력을 더 증대시켜 기판온도를 보정하고 있는 것을 알 수 있다.
또 도 12에 나타낸 바와 같이 램프출력은 기판의 온도에 대해 대략 선형(線形)의 관계로 변화하고 있다.
그러나 도 13에 나타낸 바와 같이 램프출력이 높아질수록 온도측정기(1,2)에 의한 측정 오차는 커지고, 이 경향은 온도측정기(1)보다 온도측정기(2)에서 현저하게 나타난다. 이것은 램프로부터의 광을 온도측정기(1,2)가 직접 흡수하고 있음을 증명하고 있다. 따라서 측온부(12)를 피복하는 측온부 피복부재(22)의 구조로는 측온부 피복부재(22)의 표면적을 가능한 감소시켜 광 흡수를 극도로 억제한 구조로 할 필요가 있음을 알 수 있다.
요컨대, 종래 구조와 같이 열전대를 모두 탄화규소로 피복하고, 또한 기판으로부터의 열전도를 양호하게 하기 위한 접촉면적을 증가시킨 구조에서는 광 흡수가 많고, 폐회로제어에서의 정밀도가 양호한 측정을 할 수 없다는 것을 나타내고 있다.
상기 도 11 내지 도 13에서는 산화실리콘막 두께에 의해 극단적으로 기판의 광 흡수량이 크게 변화하는 제3 평가샘플(81)〔도 3의 (3) 참조〕의 측정결과를 이용하여 온도측정기(1,2)에 의한 기판온도측정의 문제점을 나타냈다.
그러나 실제의 관리된 반도체장치의 제조공정에서는 막 두께나 막질의 공정의 편차에 의한 광 흡수(기판온도)의 변동이 상기 설정한 산화실리콘막의 막 두께 조건보다 매우 작다. 그러므로 온도측정기(1)를 사용한 폐회로제어에 의해 개회로제어에서의 시트저항(기판온도)의 막 두께 의존성을 충분히 해소할 수 있다.
이상과 같이 폐회로제어에서 정밀도가 양호한 측정을 하기 위해서는 측온부(12)를 피복하는 측온부 피복부재(22)를 극도로 작게 하고, 광의 흡수를 억제할 필요가 있다. 이것은 동시에 측온부 피복부재(22)의 열 용량을 낮추고, 열 응답성의 향상으로 이어지는 것이 확인되어 있다.
이와 같이 본 발명에서는 열전도성이 우수한 측온부 피복부재(22)와 복사흡수가 적은(바꿔 말하면 광 투과율이 우수한) 선부 피복부재(23)로 피복부재(21)를 구성한다. 그러므로 종래 기술과 같이 1종류의 재료로 피복부재를 구성하고 있던 온도측정기와는 달리, 상기 설명한 바와 같이 기판(51)(평가샘플(61,71,81))의 온도를 대략 정확하게 측정하는 것이 가능하게 된다.
상기 온도측정기(1)에서는 측온부 피복부재(22)를 열전도성이 높은 재료인 탄화규소로 형성하였지만, 예를 들면 질화알루미늄, 실리사이드(예를 들면 몰리브덴 실리사이드, 티탄 실리사이드, 코발트 실리사이드 등) 또는 알루미나로 형성해도 된다. 예를 들어 알루미나로 형성한 경우에는 측온부 피복부재(22)의 표면에서의 반사율이 높으므로 기판(51)을 가열하기 위해 조사되는 광이 반사된다. 그러므로 측온부 피복부재(22)가 조사된 광에 의해 가열되는 일은 거의 없다. 그러므로 측온부 피복부재(22)의 광 흡수에 의한 측정 오차를 억제할 수 있어 고정밀도의 측정이 가능하다. 또 탄화규소와 마찬가지로 열처리시에 상기 측온부 피복부재(22)가 기판(51)을 오염시키지도 않는다.
상기 제1 실시형태에서는 선부 피복부재(23)를 석영으로 구성하였지만, 제2 실시형태로서 기판(51)을 가열하기 위해 조사하는 광이 반사되는 재료로 선부 피복부재(23)를 구성하는 것도 가능하다. 예를 들면 선부 피복부재(23)는 알루미나로 형성된다.
이와 같은 구성에서는 열전대(11)의 도선을 피복하는 선부 피복부재(23)가 광의 조사를 받으면 그 광을 반사한다. 그러므로 광의 조사에 의한 선부 피복부재(23)의 온도상승이 거의 없어지므로 선부 피복부재(23)의 흡열에 의한 열전대(11)의 측온치의 변화가 거의 일어나지 않는다. 또 기판(51)으로부터의 복사도 반사하므로 복사에 의한 측온치의 변화가 거의 일어나지 않는다.
기판온도측정에서 생기는 광 흡수에 의한 측정 오차의 문제는, 상기 제1 실시형태에서 설명한 온도측정기(1)에 의해 해결할 수 있다. 그러나 온도측정기(1)와 같이 기판에 접촉하여 온도측정하는 온도측정기의 문제로서 기판의 온도측정기의 측온부와의 접촉상태에 안정성이 있다. 이것은 기판의 휘어짐, 기판의 표면상태 등에 의해 온도측정기와 기판과의 접촉면적이 변화됨으로써 기판으로부터의 열전도량이 변동하기 때문에 측정 정밀도의 악화로서 나타난다. 특히 접촉면을 평탄하게 하고 접촉면적을 넓게 한 경우에는 약간의 기판의 휘어짐, 표면의 요철 등에 의한 접촉각의 어긋남에 의해 접촉면적이 크게 변한다. 이 접촉상태의 재현성의 향상을 도모한 온도측정기를 제3 실시형태로서 도 14의 개략적인 구성 단면도에 의해 설명한다.
도 14에 나타낸 바와 같이, 온도측정기(3)는 상기 도 1에 의해 설명한 온도측정기(1)와 동일한 구성을 이루는 것으로, 측온부(12)에 장착되는 측온부 피복부재(22)에서의 기판(51)과의 접촉면(22A)을 철곡면(凸曲面)으로 형성한 것이다.
상기 제3 실시형태의 구성의 온도측정기(3)는 접촉면(22A)을 철곡면으로 형성하였으므로 기판(51)과의 접촉은 이른 바 점(點) 접촉이 된다. 그러므로 비록 기판(51)의 접촉면이 휘어 있거나, 표면에 요철이 있거나, 또는 기판(51)에 대해 접촉면(22A)이 경사져 접촉해도 점 접촉상태는 변하지 않는다. 그러므로 항상 일정한 접촉상태(예를 들면 접촉각, 접촉면적 등)를 유지하는 것이 가능하게 된다. 그러므로 접촉상태에 의한 측정 오차가 감소되므로 안정된 기판온도의 측정이 실현된다.
다음에 제4 실시형태를 도 15의 개략적인 단면도에 의해 설명한다.
도 15에 나타낸 바와 같이, 온도측정기(4)는 상기 제1 실시형태에서 설명한 온도측정기(1)의 측온부(12)에 장착되는 측온부 피복부재(22)의 외주에, 기판(51)에 조사되는 광을 반사하는 반사피복층(41)이 형성되어 있는 것이다.
상기 온도측정기(4)는 측온부 피복부재(22)의 외주에, 기판(51)에 조사되는 광을 반사하는 반사피복층(41)이 형성되어 있으므로 측온부 피복부재(22)에 대해 직접 광이 조사되지 않는다. 그러므로 측온부 피복부재(22)가 조사되는 광에 의해 직접 가열되지 않으므로 기판(51)의 온도측정 정밀도의 향상을 도모할 수 있다.
다음에 제5 실시형태를 도 16의 개략적인 구성 단면도에 의해 설명한다.
도 16에 나타낸 바와 같이, 온도측정기(5)는 상기 제1 실시형태에서 설명한 온도측정기(1)의 측온부(12)에 장착되는 측온부 피복부재(22)로 조사되는 광의 광로 상이고 또한 이 측온부 피복부재(22)의 근방에, 조사되는 광을 차단하는 차광판(42)이 형성되어 있는 것이다.
상기 차광판(42)은, 바람직하게는 알루미나 등의 광을 반사하는 재료로 형성되어 있다.
상기 온도측정기(5)는 상기 설명한 바와 같은 측온부 피복부재(22)의 근방에, 기판(51)의 이면측에 조사되는 광을 차단하는 차광판(42)이 형성되어 있으므로 이 차광판(42)에 의해 측온부 피복부재(22)에 대해 직접 광이 조사되지 않는다. 그러므로 측온부 피복부재(22)가 조사되는 광에 의해 직접 가열되지 않으므로 기판(51)의 온도측정을 더 정확하게 행할 수 있다.
다음에 상기 온도측정기(1)∼온도측정기(5) 중 어느 하나를 이용하여 기판의 온도를 측정하는 방법의 일 예를 이하에 설명한다.
상기 도 2에 의해 설명한 바와 같은, 예를 들면 온도측정기(1)를 설치한 광 조사형 열처리장치(101)를 사용한다. 먼저 그 광 조사형 열처리장치(101)의 튜브(112)의 내부에 가열처리를 행하는 기판(51)을 삽입하고, 기판지지부(118)와 함께 트레이(117) 상에 배치한 온도측정기(1)의 선단부(즉 상기 도 1에 의해 설명한 측온부 피복부재(22)를 통한 측온부(12))에 의해 기판(51)을 지지한다. 그리고 튜브(112)의 측면 주위에 설치되어 있는 가열용의 할로겐램프(113)를 발광시켜 기판(51)에 광을 조사하여 기판(51)의 가열처리를 행한다. 그 때 상기 온도측정기(1)에 의해 기판(51)의 온도측정을 행한다.
상기 기판의 온도를 측정하는 방법에서는, 열전대(11)가 피복부재(21)에 의해 피복되고, 이 피복부재(21) 중 열전대(11)의 측온부(12)를 덮는 측온부 피복부재(22)가 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 구성의 온도측정기(1)를 사용하여 기판(51)의 온도를 측정함으로써 기판(51)의 온도는 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 측온부 피복부재(22)에 의해 측온부(12)에 전도되기 쉬워진다. 그러므로 피복부재(21)를 통한 온도측정이기는 하지만, 기판(51)의 온도를 정확하게 측정하는 것이 가능하게 된다. 또 상기 측온부 피복부재(22)를 제외한 다른 부분의 피복부재, 즉 선부 피복부재(23)가 광의 투과율이 높은 재료(또는 광의 반사율이 높은 재료)로 이루어지므로 측정 중에 선부 피복부재(23)가 광의 조사를 받아 그 광을 흡수하는 일은 거의 없다. 그러므로 광의 조사에 의한 선부 피복부재(23)의 온도상승이 거의 없어지므로 선부 피복부재(23)의 흡열에 의한 온도측정수단(1)의 측온치의 변화, 기판(51)으로부터의 복사에 의한 측온치의 변화가 거의 일어나지 않는다.
따라서 상기 온도측정기(1)에 의해 기판(51)의 열처리시의 온도를 고정밀도로 측정하는 것이 가능하게 된다.
상기 설명에서는 온도측정기(1)를 사용하였지만 다른 온도측정기(2)∼온도측정기(5)를 사용하여도 동일하게 기판(51)의 열처리시의 온도를 고정밀도로 측정하는 것이 가능하게 된다.
다음에 온도측정기에 대한 광의 조사량을 감소시켜 고정밀도의 온도측정을 행하는 기판의 가열방법의 일 예를 도 17에 의해 설명한다.
기판(51)의 가열방법은 기판(51)의 온도를 측정하기 위한 온도측정기(1)의 측온부(12)가 측온부 피복부재(22)를 통하여 접촉하는 측의 기판(51)의 면(이면)과는 반대측의 기판(51)의 면(표면)에 조사되는 광(L1)의 조사 강도를, 기판(51)의 이면에 조사되는 광(L2)의 조사 강도보다 상대적으로 높여 광을 조사하는 방법이다.
즉 기판(51)의 이면측의 램프(113B)의 조사 강도에 대해, 기판(51)의 표면측의 램프(113A)의 조사 강도를 높임으로써 측온부 피복부재(22)로의 광의 조사량이 감소하므로 온도측정기(1)의 측정 정밀도의 향상을 도모할 수 있다.
다음에 일 예로서 램프출력이 100％일 때와 비교한 램프출력비와 기판온도의 측정 오차와의 관계를 도 18에 의해 설명한다. 그리고 기판의 표면측의 램프출력과 기판의 이면측의 램프출력의 비는 2:1로 설정되어 있다.
도 18에서는 종축에 램프출력이 100％일 때와 비교한 램프출력비를 나타내고 횡축에 기판 환산온도와 온도측정기(1)의 측정온도와의 차로부터 구한 측정 오차를 나타낸다. 그리고 도면 중 흰 삼각형 표시는 온도측정기(1)를 사용한 폐회로제어에서의 값을 나타낸다.
도 18에 나타낸 바와 같이 램프출력이 높아질수록 온도측정기(1)에 의한 측정 오차는 커지기는 하지만 그 증대량은 적다. 도 18에 나타낸 결과는 5인치 구경(口徑)의 기판에 의한 실험이므로 8인치 구경의 기판과 같은 대구경 기판을 사용한 실험에 비해 기판의 표면측으로부터의 램프로부터 조사한 광이 기판의 이면측으로 돌아서 들어가기 쉽다. 그러므로 기판의 표면측의 조사 강도를 높인 효과는 그다지 현저하게 나타나지 않는다. 그러나 상기 도 13에 의해 나타낸 램프출력비가 1:1일 때와 비교해 램프출력에 의존하는 온도측정기(1)의 측정 오차는 개선되어 있음을 알 수 있다. 이것은 온도측정기(1)가 램프로부터의 광을 직접 흡수하는 양이 감소되어 있음을 증명하고 있다. 따라서 온도측정기(1)를 설치한 측의 기판면에 조사되는 광의 강도를 낮게 함으로써 고정밀도의 측정을 할 수 있음을 알 수 있다.

Claims (21)

  1. 온도측정수단과 상기 온도측정수단을 덮는 피복부재를 구비하고, 상기 피복부재를 통하여 상기 온도측정수단의 측온부(測溫部)를 기판에 접촉시키고, 광의 조사(照射)에 의해 가열되는 상기 기판의 온도를 측정하는 온도측정기로서,
    상기 측온부를 덮는 부분의 상기 피복부재는 열전도성이 높은 재료로 이루어지고,
    상기 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재를 제외한 다른 부분의 상기 피복부재는 상기 광의 투과율이 높은 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판의 온도측정기.
  2. 온도측정수단과 상기 온도측정수단을 덮는 피복부재를 구비하고, 상기 피복부재를 통하여 상기 온도측정수단의 측온부를 기판에 접촉시키고, 광의 조사에 의해 가열되는 상기 기판의 온도를 측정하는 온도측정기로서,
    상기 측온부를 덮는 부분의 상기 피복부재는 열전도성이 높은 재료로 이루어지고,
    상기 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재를 제외한 다른 부분의 상기 피복부재는 상기 광의 반사율이 높은 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판의 온도측정기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판과 접촉하는 상기 피복부재의 표면은 철곡면(凸曲面)으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 온도측정기.
  4. 제2항에 있어서, 상기 기판과 접촉하는 상기 피복부재의 표면은 철곡면으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 온도측정기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재는, 탄화규소, 질화알루미늄, 실리사이드 또는 알루미나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판의 온도측정기.
  6. 제2항에 있어서, 상기 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재는, 탄화규소, 질화알루미늄, 실리사이드 또는 알루미나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판의 온도측정기.
  7. 제1항에 있어서, 상기 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재의 외주에 상기 광에 대한 반사율이 높은 재료로 이루어지는 반사피복층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 온도측정기.
  8. 제2항에 있어서, 상기 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재의 외주에 상기 광에 대한 반사율이 높은 재료로 이루어지는 반사피복층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 온도측정기.
  9. 제1항에 있어서, 상기 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재로 조사되는 상기 광의 광로 상이고 또한 상기 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재의 근방에, 상기 광을 차단하는 차광판이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 온도측정기.
  10. 제2항에 있어서, 상기 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재로 조사되는 상기 광의 광로 상이고 또한 상기 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재의 근방에, 상기 광을 차단하는 차광판이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 온도측정기.
  11. 온도측정수단과 상기 온도측정수단을 덮는 피복부재를 구비하고, 상기 피복부재를 통하여 상기 온도측정수단의 측온부를 기판에 접촉시키고, 광의 조사에 의해 가열되는 상기 기판의 온도를 측정하는 방법으로서,
    상기 측온부를 덮는 부분의 상기 피복부재는 열전도성이 높은 재료로 이루어지고, 상기 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재를 제외한 다른 부분의 상기 피복부재는 상기 광의 투과율이 높은 재료로 이루어지는 기판의 온도측정기를 사용하여, 상기 기판의 온도를 측정하는 것을 특징으로 하는 기판의 온도를 측정하는 방법.
  12. 온도측정수단과 상기 온도측정수단을 덮는 피복부재를 구비하고, 상기 피복부재를 통하여 상기 온도측정수단의 측온부를 기판에 접촉시키고, 광의 조사에 의해 가열되는 상기 기판의 온도를 측정하는 방법으로서,
    상기 측온부를 덮는 부분의 상기 피복부재는 열전도성이 높은 재료로 이루어지고, 상기 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 피복부재를 제외한 다른 부분의 상기 피복부재는 상기 광의 반사율이 높은 재료로 이루어지는 기판의 온도측정기를 사용하여, 상기 기판의 온도를 측정하는 것을 특징으로 하는 기판의 온도를 측정하는 방법.
  13. 광의 조사에 의해 기판을 가열하는 기판의 가열방법으로서,
    상기 기판의 온도를 측정하기 위한 온도측정기의 측온부가 접촉하는 측의 이 기판면과는 반대측의 기판면에 조사되는 광의 조사 강도를 상기 측온부가 접촉하는 측의 기판면에 조사되는 광의 조사 강도보다 상대적으로 높이고, 상기 광의 조사를 행하는 것을 특징으로 하는 기판의 가열방법.
  14. 광 조사에 의해 가열하는 가열용 광원과,
    상기 가열용 광원에 의해 광이 조사되는 피가열부재와,
    상기 피가열부재의 온도를 측정하는 측온부와,
    상기 측온부의 일단에 설치되고, 열전도율이 높은 재료로 형성된 제1의 측온부 피복부재와,
    상기 측온부의 주위를 덮고, 광 투과율이 높은 재료로 형성된 제2의 측온부 피복부재와
    를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 부재의 열처리장치.
  15. 광 조사에 의해 가열하는 가열용 광원과,
    상기 가열용 광원에 의해 광이 조사되는 피가열부재와,
    상기 피가열부재의 온도를 측정하는 측온부와,
    상기 측온부의 일단에 설치되고, 열전도율이 높은 재료로 형성된 제1의 측온부 피복부재와,
    상기 측온부의 주위를 덮고, 광 반사율이 높은 재료로 형성된 제2의 측온부 피복부재와
    를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 부재의 열처리장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 제1의 측온부 피복부재를 상기 피가열부재에 접촉시키고, 상기 피가열부재의 온도를 측정하는 것을 특징으로 하는 부재의 열처리장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 제1의 측온부 피복부재를 상기 피가열부재에 접촉시키고, 상기 피가열부재의 온도를 측정하는 것을 특징으로 하는 부재의 열처리장치.
  18. 제16항에 있어서, 상기 피가열부재를 반도체기판으로 한 것을 특징으로 하는 부재의 열처리장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 피가열부재를 반도체기판으로 한 것을 특징으로 하는 부재의 열처리장치.
  20. 제16항에 있어서, 상기 제1의 측온부 피복부재의, 상기 피가열부재와의 접촉하는 표면을 철곡면으로 형성한 것을 특징으로 하는 부재의 열처리장치.
  21. 제17항에 있어서, 상기 제1의 측온부 피복부재의, 상기 피가열부재와의 접촉하는 표면을 철곡면으로 형성한 것을 특징으로 하는 부재의 열처리장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100438639B1 (ko) * 2002-05-14 2004-07-02 삼성전자주식회사 반도체 기판의 온도를 측정하기 위한 열전대 및 이를 갖는반도체 기판 온도 제어 장치

Families Citing this family (371)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6110288A (en) * 1998-12-17 2000-08-29 Eaton Corporation Temperature probe and measurement method for low pressure process
JP3327277B2 (ja) * 1999-12-03 2002-09-24 住友電気工業株式会社 表面温度センサヘッド
JP2001221693A (ja) * 2000-02-03 2001-08-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 温度測定用熱電対素子
CN100442033C (zh) * 2001-11-20 2008-12-10 西铁城控股株式会社 温度计
US6515261B1 (en) * 2002-03-06 2003-02-04 Applied Materials, Inc. Enhanced lift pin
GB0206069D0 (en) * 2002-03-15 2002-04-24 Ceramaspeed Ltd Electrical heating assembly
US6796711B2 (en) * 2002-03-29 2004-09-28 Axcelis Technologies, Inc. Contact temperature probe and process
JP4656808B2 (ja) * 2002-11-27 2011-03-23 株式会社アルバック 真空装置及び加熱処理装置
DE102005016896B3 (de) * 2005-04-12 2006-10-26 Sitronic Gesellschaft für elektrotechnische Ausrüstung mbH. & Co. KG Sensoranordnung zur Temperaturmessung
US20060289795A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-28 Dubois Dale R Vacuum reaction chamber with x-lamp heater
DE102006060647A1 (de) * 2006-12-21 2008-06-26 Temperaturmeßtechnik Geraberg GmbH Flexible thermoelektrische Vertikalmesslanze
US20090052498A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US9297705B2 (en) * 2009-05-06 2016-03-29 Asm America, Inc. Smart temperature measuring device
US8382370B2 (en) * 2009-05-06 2013-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
DE102009043960A1 (de) * 2009-09-08 2011-03-10 Aixtron Ag CVD-Reaktor
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR101605079B1 (ko) * 2015-05-20 2016-03-22 (주)울텍 급속 열처리 장치
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI879056B (zh) 2018-05-11 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
JP7674105B2 (ja) 2018-06-27 2025-05-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh) 2018-12-14 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
CN111413002A (zh) * 2019-01-08 2020-07-14 日新离子机器株式会社 基板温度测定装置和半导体制造装置
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242295B (zh) 2019-07-19 2025-12-09 Asmip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
KR102879443B1 (ko) 2019-10-10 2025-11-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN120998766A (zh) 2019-11-29 2025-11-21 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TW202146691A (zh) 2020-02-13 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
TWI855223B (zh) 2020-02-17 2024-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
TW202139347A (zh) 2020-03-04 2021-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、對準夾具、及對準方法
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TWI887400B (zh) 2020-04-24 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
JP7703376B2 (ja) 2020-06-24 2025-07-07 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー シリコンを備える層を形成するための方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
KR20220033997A (ko) 2020-09-10 2022-03-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 갭 충진 유체를 증착하기 위한 방법 그리고 이와 관련된 시스템 및 장치
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
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TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6037116A (ja) * 1983-08-09 1985-02-26 Ushio Inc 光照射炉
JPS60228932A (ja) * 1984-04-27 1985-11-14 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 光加熱炉用温度測定装置
DD241952A1 (de) * 1985-10-18 1987-01-07 Ministerrat Der Ddr Amt Fuerst Thermometerschutzrohr mit vorrichtungen zur verminderung von messfehlern durch waermeabstrahlung
JPH0351726A (ja) * 1989-07-19 1991-03-06 Nec Corp 熱処理装置
JP2780866B2 (ja) * 1990-10-11 1998-07-30 大日本スクリーン製造 株式会社 光照射加熱基板の温度測定装置
JPH04148546A (ja) * 1990-10-12 1992-05-21 Nec Corp ビーム寸法測定用素子及びその製造方法
US5356486A (en) * 1991-03-04 1994-10-18 Applied Materials, Inc. Combined wafer support and temperature monitoring device
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
JPH07221154A (ja) * 1994-02-07 1995-08-18 Hitachi Ltd 温度検出装置および半導体製造装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100438639B1 (ko) * 2002-05-14 2004-07-02 삼성전자주식회사 반도체 기판의 온도를 측정하기 위한 열전대 및 이를 갖는반도체 기판 온도 제어 장치

Also Published As

Publication number Publication date
DE19880398T1 (de) 1999-04-01
JPH10239165A (ja) 1998-09-11
US6311016B1 (en) 2001-10-30
TW362149B (en) 1999-06-21
KR20050044814A (ko) 2005-05-12
DE19880398B4 (de) 2008-09-04
KR20050044934A (ko) 2005-05-13
WO1998038673A1 (fr) 1998-09-03

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