KR20000062587A - 박막 증착에 사용 및 재사용하기 위한 열분사에 의한스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 방법은 반도체 장치상의 박막의 물리적 기상 증착법(physical vapor deposition)에 사용 및 재사용하기 위해 스퍼터 타깃을 제조 및 재충전하는데 제공된다. 타깃 기부 셸(12, 22)은 박막으로서 증착될 소스 재료(14, 24)를 사용하는 열분사 기술(thermal spray technique)에 의해 코팅된다. 타깃(10, 20)은 물리적 기상 증착 공정중에 소스 재료(14, 24)의 부식시 코팅을 다시 적용함으로써 재충전된다. 본 발명의 방법은 임의의 종래 스퍼터 타깃(20)에 사용되거나 새로이 개발된 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타깃(10)에 사용될 수 있다.

Description

박막 증착에 사용 및 재사용하기 위한 열분사에 의한 스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법{Method of manufacturing and refilling sputter targets by thermal spray for use and reuse in thin film deposition}

본 발명은 반도체 장치상의 박막의 물리적 기상 증착에 사용하기 위해 스퍼터 타깃을 제조하는 방법에 관한 것이며, 재사용을 위해 스퍼터 타깃을 재충전하는 방법에 관한 것이다.

반도체 산업에 있어서, 항상 성장하는 종류의 정교한 적용예를 처리하기 위해 보다 빠르고 작은 칩을 필요로 한다. 따라서, 반도체 산업은 0.18μm 장치의 질량 제품쪽으로 점진하고 있다. 이러한 장치를 제조하기 위해, 새로운 재료 및 제조 기술을 포함하는 모든 제조 양태에서의 명백한 변화가 요구된다. 0.18μm 장치는 현재의 장치에 비해 크기가 작고 증가된 비율을 가지며, 현재의 PVD 및 금속화 기술에 대한 명백한 도전을 나타낸다.

0.18μm 장치의 도전을 다루는 물리적 기상 증착(PVD) 기술에서의 새로운 개발안은 반도체 장치 재료를 위해 전리된 PVD 소스로서 사용하기 위한 새로운 종류의 고밀도 플라즈마 장치인 종공 음극 마그네트론(HCM)이다. 이러한 HCM 스퍼터 소스는 종래의 PVD 기술에 비해 비용이 저렴하며 높은 성능을 갖는다.

IPVD 환경에 사용될 때, HCM 기술은 충전을 통해 효과적으로 코팅되는 기판에 대해 직각으로 향해지는 타깃 재료의 이온의 보다 효과적인 제조를 용이하게 한다. 이러한 기술은 특정 폭에 의해 비교적 영향을 받지 않는 높은 방향 증착을 제공한다. 그것은 시준기를 사용하지 않고 높은 종횡비의 양호한 바닥 범위를 제공한다. 현재 설계되어 있는 HCM 스퍼터링 타깃은 하나의 컵 형상을 갖는다. 영구 자석의 특정 방위는 타깃 구역 내부에 고밀도 플라즈마를 발생시키는 타깃의 외벽상에 장착된다. 이러한 HCM 디자인은 증착되는 중립자(즉, 중립 극성 원자 및 이온)를 고밀도 플라즈마에 의해 전리될 때까지 재생시킨다. 보다 긴 타깃 수명은 이러한 재생 효과의 결과이다. 다른 HCM 장점은 보다 긴 실드 수명, 연장되는 유지 간격 및 스퍼터링 기술보다 명백하게 낮은 소유 비용을 포함한다. 이러한 증착 기술은 서브-0.18μm 장치의 반도체 산업의 요구를 충족시킨다.

HCM 타깃을 형성하기 위한 현재의 기술은 기계가공에 이은 단조 또는 디프 드로잉을 포함한다. 빌렛은 다량의 여분의 재료를 사용하여 컵형상의 타깃 블랭크로 고온 단조된다. 상기 블랭크를 최종 크기로 만드는데는 대규모의 기계가공이 필요하다. HCM 스퍼터 타깃 재료의 재생은 상기 공정에 의해 용인되지 않는다. 스퍼터 타깃 대체는 전체적으로 새로운 타깃의 제조를 필요로 한다.

소비한 타깃의 재생을 위해 소비되는 여분의 재료, 대규모의 기계가공 및 무능은 HCM 타깃에 대해 제한되지 않으며, 일반적으로 스퍼터 타깃의 단점이다. 통상적으로 타깃의 부식이 홈 형태로 발생할 때, 타깃은 폐기되어야만 하고, 새로운 타깃이 제조된다.

따라서, HCM 전리 PVD에 사용되는 것을 포함하는 타깃의 제조를 위해 보다 경제적이며 시간 효율적인 방법이 필요하며, HCM 타깃을 포함하는 스퍼터 타깃을 타깃 재료의 부식시 재사용할 수 있는 방법이 필요하다.

본 발명은 박막의 물리적 기상 증착에 사용되는 스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법을 제공한다. 물리적 기상 증착 장치에 사용하기 위한 크기 및 형상을 가지는 중공 음극 마그네트론 기부 셸을 포함하는 기부 셸은 박막으로서 기상 증착되는 소스 재료를 사용하여 열분사 기술에 의해 코팅된다. 상기 소스 재료는 물리적 기상 증착중에 소스 재료의 부식시 재사용될 수 있으므로, 제조되는 타깃 소스를 증착 공정에서 사용 및 재사용할 수 있도록 한다.

본 발명의 상기 및 다른 목적과 장점은 상세한 설명 및 첨부 도면으로부터 보다 명백해질 것이다.

도 1은 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타깃의 사시도.

도 2는 본 발명의 방법에 의해 제조되는 중공 음극 마그네트론의 단면도.

도 3은 가상선으로 도시되는 원래의 스퍼터 타깃면을 갖는 부식된 종래 형상의 스퍼터 타깃의 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

10, 20 : 스퍼터 타깃 12, 22 : 기부 셸

14, 24 : 소스 재료 30 : 부식면

본 발명은 HCM 전리 PVD 장치에 사용되는 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타깃을 포함하는 PVD 장치에 사용되는 스퍼터 타깃을 제조하기 위한 열분사 기술을 사용한다. 본 발명은 기부 셸의 열분사 코팅에 의해 새로운 스퍼터 타깃을 제조하는데 사용될 수 있거나 타깃의 부식부 내의 타깃을 열분사 코팅에 의해 소비된 타깃을 재충전하는데 사용될 수 있다.

도 1은 기부 셸(12)을 포함하는 기본적인 컵형상 구조체와 소스 재료(14)의 코팅부를 갖는 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타깃(10)을 도시한다. 도 2는 본 발명의 원리에 따른 소스 재료(14)의 열분사 코팅부를 구비한 중공 음극 마그네트론 기부 셸(12)의 단면도를 도시한다. 도 3에는 기부 셸(22)과 그 위에 타깃 소스 재료(24)의 열분사 코팅부를 갖는 통상적인 형상의 평면 스퍼터 타깃(20)이 도시된다. 또한, 도 3은 증착중에 소스 재료(24)가 타깃 표면으로부터 제거되고, 전리되고, 기판상에 증착되는(도시되지 않음) 타깃 표면상의 일반적인 홈형상 부식면(30)을 도시한다. 이러한 부식된 소스 재료는 본 발명의 원리에 따른 열분사 기술에 의해 재충전될 수 있다. 새로운 타깃을 제조하기 보다는, 부식된 타깃면(30)은 부식된 재료를 대체하기 위해 열분사된다.

열분사 코팅부(14, 24)는 드롭릿(droplet)으로 용융되는 와이어 또는 분말 재료로부터 제조되어, 기부 셸(12, 20)상으로 또는 소비되는 타깃의 부식면(30)상으로 추진된다. 충격시, 표면에 접착하는 작은 판으로부터의 드롭릿은 변경 없이 기판 구조체에 조밀한 코팅을 발생시킨다. 본 발명에 유용한 열분사 기술은 플라즈마 분사, 화염 분사, 고속 산소 연료 분사, 및 전기 아크 분사를 포함한다. 또한, 진공 플라즈마 분사(VPS)로서 공지된 저압 플라즈마 분사(LPPS)는 10Torr 이하로 비워지는 진공 챔버 내에 안내되는 플라즈마 분사 기술이다. 플라즈마 분사는 높은-kW의 전기 아크로부터 유동 강화 노즐을 통과하는 플라즈마-형성 가스까지 전달되는 열을 사용하여 달성된다. 플라즈마 건은 구리 전극과 텅스텐 전극을 포함하며, 둘 모두는 수냉된다. 분사 장치 내부에서, 가스 유동 챔버는 링 양극을 형성하는 노즐에 인접한 축방향 막대 음극을 포함한다. 아르곤, 질소, 수소, 또는 헬륨인 플라즈마 가스는 수축하는 노즐로서 형성되는 양극을 통해 음극 둘레로 흐른다. 플라즈마는 직류 아크의 도전로 및 국부 전리를 음극과 양극 사이에 형성시키는 고압 방전에 의해 개시된다. 아크로부터의 저항 가열은 가스를 해리 및 전리하는 10,000℉ 이상의 극한 온도에 이르게 한다. 상기 플라즈마는 유리된 또는 중립인 플라즈마 화염으로서 양극 노즐을 나간다. 즉, 플라즈마는 전류를 수반하지 않는다. 분말은 양극 노즐 출구 근처에 장착되는 외부 분말 구멍을 통해 플라즈마 화염 내로 이송된다. 분말은 고온 가스 내로 용융되고 스퍼터링 타깃면으로 고속으로 추진된다. 전기 바이어스는 타깃면과 노즐 사이에 부과되지 않는다. 고속의 화염 기둥은 마하 2를 초과하는 속도로 용융된 금속 드롭릿을 기판으로 추진함으로써 조밀한 코팅을 발생시킨다. 이러한 공정은 진공 챔버 내에 포함되는 공정으로 인해 먼지 없는 환경적으로 깨끗한 작업이다. 이러한 진공 환경은 파우더를 재사용할 수 있게 한다. LPPS는 통상적으로 이론 밀도가 99%인 조밀한 무공 코팅(pore-free coating)을 제공한다. 또한, 상기 코팅은 무산소 코팅이며 고순도이다.

기부 셸(12, 22)을 고온으로 예열하는 것은 두꺼운 코팅을 허용하는 저열 응력을 갖는 소스 재료(14, 24)의 코팅부를 추가로 형성한다. 코팅 전에 기부 셸(12, 22)을 청소하는 것 또한 코팅부와 기판 사이에 무산소인 청결한 야금 접착부를 구성한다. 따라서, LPPS는 코팅부의 고순도, 낮은 산화 오염물, 높은 접착 강도 및 높은 밀도 특성으로 인해 본 발명에 부분적으로 적합하다.

타깃 소스 재료(14, 24)의 코팅부는 반도체 웨이퍼상에 증착되는 금속, 산화 금속, 규화 금속 또는 합금이고, 양호하게는 99% 내지 99.99999%의 순도를 갖는 고순도 재료이다. 이러한 재료는 예를 들어, 탄탈륨, 티타늄, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 알루미늄, 코발트, 몰리브덴, 은, 금, 백금, 루테늄, 로듐, 팔라듐 및 바나듐의 순수 금속, 그 합금, 그 규화물, 및 그 산화물을 포함한다. 양호한 규화물은 탄탈륨, 티타늄, 텅스텐, 니켈, 크롬, 코발트, 몰리브덴 및 백금을 포함한다. 예를 들어, 종래 형상의 기부 셸(22) 또는 HCM 기부 셸(12)은 Ta, TaN, Ti, TiN, W, AlCu 및 Cu의 박막의 증착을 위해 탄탈륨, 티타늄, 텅스텐, 구리 또는 알루미늄으로 코팅될 수 있다. 이러한 스퍼터 타깃(10, 20)은 구리 연결부의 진보된 Ta(N)/Cu 배리어/시드 공정 뿐만 아니라 텅스텐 플러그 및 알루미늄 충전물의 Ti/TiN 라이너/배리어 층의 증착과 같은 적용에 사용될 수 있다. 상기 기부 셸(12, 22)은 소스 재료(14, 24)의 코팅부와 동일한 재료이거나 구리와 같은 고열 도전재일 수 있다. 기부 셸과 동일한 재료를 사용하는 코팅은 기부 셸과 동일한 열팽창 계수를 갖기 때문에 양호하므로, 타깃의 보전을 보장한다. 선택적으로, 접착 효과는 코팅부 재료가 보다 낮은 계수를 갖는 코팅부와 기부 셸에 상이한 재료를 사용하여 달성된다.

기부 셸(12, 22)은 임의의 공지된 주조 기술에 의해 주조되는 캐스트 구조체이거나 코팅이 분사될 때 제거될 수 있는 그래파이트 금형과 같은 금형일 수 있다. 통상적으로, 기부 셸은 약 0.3175cm(0.125in)보다 큰 두께를 가진다. 소스 재료(14, 24)의 코팅부는 적어도 약 0.635cm(0.25in)의 두께, 양호하게는 약 0.9525cm(0.375 in)보다 큰 두게를 가지며, 기부 셸상에 증착된다. 금형이 기부 셸로서 사용되는 위치에서, 금형은 타깃으로서의 코팅부만을 남기고 제거된다. 한편, 타깃(10, 20)은 기부 셸(12, 22)과 소스 재료(14, 24)의 코팅부를 포함한다.

증착 공정중에, 타깃 소스 재료(14, 24)는 종래 형상의 타깃에 대해 도 3에서 부식면(30)으로 도시된 바와 같이 스퍼터링 타깃의 내부면으로부터 제거된다. 또한, 부식면(도시되지 않음)은 증착중에 HCM 스퍼터 타깃(10)의 내부면상에 형성된다.

스퍼터 타깃이 수명까지 스퍼터된(즉, 소스 재료가 실질적으로 고갈된) 후에, 타깃(10, 20)은 열분사 기술을 사용하여 타깃 소스 재료를 재충전함으로써 재충전된다. 타깃의 내부면은 타깃 재료의 부식이 발생하는 영역에서 재코팅되어야 한다. 재충전 기술은 본 발명의 기술 또는 임의의 다른 기술에 의해 제조되는 타깃에 유용하다. 통상적으로 다른 공지된 기술은 통상적으로 기부 셸의 사용을 포함하지 않는다. 재충전되는 타깃은 내부층(24) 및 외부층(26)을 포함하고, 그 사이에서 공유면을 구성하는 부식면(30)을 구비한다.

타깃을 통해 모든 통로를 스퍼터하는 것 즉, 타깃을 통해 구멍을 스퍼터하는 것은 바람직하지 않다. 따라서, 타깃이 스퍼터되기 전에, 타깃은 본 발명의 기술에 의해 재충전되어야 한다. 예를 들어, 1.27cm(1/2in) 두께의 타깃에 대해서, 타깃 수명의 종료는 약 0.3175cm(1/8in)에서 이루어진다. 다시 말해, 타깃이 0.3175cm(1/8in) 두께 아래의 임의 부분에서 부식될 때, 타깃은 계속적인 사용을 위해 스퍼터 타깃을 재충전하도록 본 발명의 방법에 의해 재충전되어야 한다. 또한, 예를 들어, 0.635cm(1/4in)의 타깃에 대해서, 타깃은 약 0.159cm(1/16in) 두께에서 재충전되어야 한다.

따라서, 타깃 기부 셸은 본 발명의 기술에 의해 다중 사용을 위해 재생된다. 재코팅된 타깃은 최종 크기로의 기계가공 후에 완전히 재충전된다. 이러한 재충전 기술은 비용을 상당히 절감시켜, 소비되는 스퍼터링 타깃의 셸 재료의 다중 이용을 가능하게 하고, 최종 크기로의 내부면의 열분사 및 기계가공을 포함하는 타깃을 재충전하기 위한 간단한 처리 단계에서 대체 타깃의 제조를 위한 재료량을 감소시키며 제조 주기 시간을 감소시킨다.

본 발명은 실시예의 상세한 설명에 의해 설명되고, 상기 실시예는 매우 상세하게 서술되었지만, 그것은 특허청구범위에만 제한되는 것은 아니다. 추가의 장점 및 변형이 당업자들에게는 명백한 것이다. 그러므로, 보다 넓은 양태에 있어서 본 발명은 도시 및 설명된 대표적인 장치 및 방법과 실시예의 특정 설명에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 새로운 기술은 출원인의 일반적인 발명 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈함이 없이 상기 설명으로부터 이루어질 수 있다.

본 발명은 박막의 물리적 기상 증착에 사용되는 스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법을 제공한다. 물리적 기상 증착 장치에 사용하기 위한 크기 및 형상을 가지는 중공 음극 마그네트론 기부 셸을 포함하는 기부 셸은 박막으로서 기상 증착되는 소스 재료를 사용하여 열분사 기술에 의해 코팅된다. 상기 소스 재료는 물리적 기상 증착중에 소스 재료의 부식시 재사용될 수 있으므로, 제조되는 타깃 소스를 증착 공정에서 사용 및 재사용할 수 있도록 한다.

Claims (30)

1. 박막 증착에 사용하기 위한 스퍼터 타깃의 제조 방법에 있어서,

   물리적 기상 증착 장치에 사용하기 위한 크기 및 형상을 갖는 타깃 기부 셸을 제공하는 단계와,

   스퍼터 타깃을 형성하기 위해 타깃 기부 셸에 대해 박막 증착의 소스 재료로 형성된 코팅부를 적용시키는 단계를 포함하고,

   상기 코팅부는 열분사 기술에 의해 적용되는 박막 증착에 사용하기 위한 스퍼터 타깃 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 코팅부는 탄탈륨, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 알루미늄, 코발트, 몰리브덴, 은, 금, 백금, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 바나듐, 그 산화물, 그 합금 및 그 규화물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 재료를 포함하는 박막 증착에 사용하기 위한 스퍼터 타깃 제조 방법.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 코팅 재료는 약 99% 내지 약 99.99999%의 순도를 가지는 박막 증착에 사용하기 위한 스퍼터 타깃 제조 방법.
4. 제 2 항에 있어서, 상기 코팅부는 타깃 기부 셸과 동일한 재료로 이루어지는 박막 증착에 사용하기 위한 스퍼터 타깃 제조 방법.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 코팅부는 플라즈마 분사, 화염 분사, 고속 산소 연료 분사 및 전기 아크 분사로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 열분사 기술에 의해 적용되는 박막 증착에 사용하기 위한 스퍼터 타깃 제조 방법.
6. 제 4 항에 있어서, 상기 코팅부는 저압 플라즈마 분사에 의해 적용되는 박막 증착에 사용하기 위한 스퍼터 타깃 제조 방법.
7. 제 1 항에 있어서, 부식된 소스 재료를 대체하기 위해 부식된 스퍼터 타깃을 소스 재료를 사용하여 열분사 코팅함으로써, 부식된 후의 스퍼터 타깃을 스퍼터 증착에서 타깃을 사용하여 재충전하는 단계를 부가로 포함하는 박막 증착에 사용하기 위한 스퍼터 타깃 제조 방법.
8. 제 1 항에 있어서, 상기 타깃 기부 셸은 중공 음극 마그네트론 물리적 기상 증착 장치에 사용하기 위한 컵형상 셸인 박막 증착에 사용하기 위한 스퍼터 타깃 제조 방법.
9. 제 1 항에 있어서, 상기 코팅부는 적어도 약 0.635cm(0.25in)의 두께로 적용되는 박막 증착에 사용하기 위한 스퍼터 타깃 제조 방법.
10. 제 9 항에 있어서, 상기 코팅부가 약 0.15875cm(0.0625in) 이상의 두께에 대해 부식될 때 소스 재료를 사용하여 스퍼터 타깃을 열분사 코팅함으로써 스퍼터 타깃을 재충전하는 단계를 부가로 포함하는 박막 증착에 사용하기 위한 스퍼터 타깃 제조 방법.
11. 제 9 항에 있어서, 상기 타깃 기부 셸은 적어도 약 0.3175cm(0.125in)의 두께를 갖는 박막 증착에 사용하기 위한 스퍼터 타깃 제조 방법.
12. 제 1 항에 있어서, 상기 타깃 기부 셸은 부식된 타깃면을 갖는 사용된 스퍼터 타깃인 박막 증착에 사용하기 위한 스퍼터 타깃 제조 방법.
13. 박막 증착에 사용 및 재사용하기 위한 스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법에 있어서,

    물리적 기상 증착 장치에 사용하기 위한 크기 및 형상을 갖는 타깃 기부 셸을 제공하는 단계와,

    스퍼터 타깃을 형성하기 위해 타깃 기부 셸에 대해 박막 증착용 소스 재료로 형성된 코팅부를 적용시키는 단계와,

    기판상에 박막을 증착하기 위해 표면이 부식된 소스 재료인 스퍼터 타깃을 사용하는 단계와,

    부식된 소스 재료를 대체하기 위해 부식된 스퍼터 타깃 표면을 소스 재료를 사용하여 열분사 코팅함으로써 재충전하는 단계를 포함하고,

    상기 코팅부는 열분사 기술에 의해 적용되는 박막 증착에 사용 및 재사용하기 위한 스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법.
14. 박막 증착에 사용 및 재사용하기 위한 스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법에 있어서,

    적어도 약 0.3175cm(0.125in)의 두께를 갖는 타깃 기부 셸을 제공하는 단계와,

    스퍼터 타깃을 형성하기 위해 타깃 기부 셸에 대해 적어도 약 0.635cm(0.25in)의 두께를 갖는 박막 증착용 소스 재료로 형성된 코팅부를 적용시키는 단계와,

    기판상에 박막을 증착하기 위해 표면이 부식된 소스 재료인 스퍼터 타깃을 사용하는 단계와,

    상기 코팅부가 약 0.15875cm(0.0625in) 이상의 두께에 대해 부식될 때 부식된 스퍼터 타깃면을 소스 재료를 사용하여 열분사 코팅에 의해 스퍼터 타깃을 재충전하는 단계를 포함하고,

    상기 코팅부는 열분사 기술에 의해 적용되는 박막 증착에 사용 및 재사용하기 위한 스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법.
15. 제 14 항에 있어서, 상기 타깃 기부 셸은 탄탈륨, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 알루미늄, 코발트, 몰리브덴, 은, 금, 백금, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 바나듐, 그 산화물, 그 합금 및 그 규화물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 재료를 포함하는 박막 증착에 사용 및 재사용하기 위한 스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법.
16. 제 15 항에 있어서, 상기 코팅부는 타깃 기부 셸의 재료와 동일한 재료인 박막 증착에 사용 및 재사용하기 위한 스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법.
17. 제 14 항에 있어서, 상기 코팅부는 탄탈륨, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 알루미늄, 코발트, 몰리브덴, 은, 금, 백금, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 바나듐, 그 산화물, 그 합금 및 그 규화물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 재료를 포함하는 박막 증착에 사용 및 재사용하기 위한 스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법.
18. 제 17 항에 있어서, 상기 코팅 재료는 약 99% 내지 약 99.99999%의 순도를 갖는 박막 증착에 사용 및 재사용하기 위한 스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법.
19. 제 14 항에 있어서, 상기 코팅부는 플라즈마 분사, 화염 분사, 고속 산소 연료 분사, 및 전기 아크 분사로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 열분사 기술에 의해 적용되는 박막 증착에 사용 및 재사용하기 위한 스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법.
20. 제 19 항에 있어서, 상기 코팅부는 저압 플라즈마 분사에 의해 적용되는 박막 증착에 사용 및 재사용하기 위한 스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법.
21. 제 14 항에 있어서, 상기 타깃 기부 셸은 중공 음극 마그네트론 물리적 기상 증착 장치에 사용하기 위한 컵형상 셸인 박막 증착에 사용 및 재사용하기 위한 스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법.
22. 부식된 소스 재료를 대체하기 위해 사용된 스퍼터 타깃의 부식면을 소스 재료를 사용하여 열분사 코팅하는 단계를 포함하는 사용된 스퍼터 타깃의 재충전 방법.
23. 스퍼터 소스 재료 지지면을 갖는 타깃 기부 셸과,

    열분사 기술에 의해 상기 지지면에 적용되는 스퍼터 소스 재료를 포함하는 스퍼터 증착 타깃.
24. 제 23 항에 있어서, 상기 셸은 컵형상인 스퍼터 증착 타깃.
25. 제 23 항에 있어서, 상기 셸은 적어도 약 0.3175cm(0.125in)의 두께를 갖는 스퍼터 증착 타깃.
26. 제 23 항에 있어서, 상기 스퍼터 소스 재료는 약 0.635cm(0.25in)의 두께를 갖는 스퍼터 증착 타깃.
27. 제 23 항에 있어서, 상기 스퍼터 소스 재료는 탄탈륨, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 알루미늄, 코발트, 몰리브덴, 은, 금, 백금, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 바나듐, 그 산화물, 그 합금 및 그 규화물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 재료를 포함하는 스퍼터 증착 타깃.
28. 제 27 항에 있어서, 상기 스퍼터 소스 재료는 약 99.99999%의 순도를 갖는 스퍼터 증착 타깃.
29. 제 21 항에 있어서, 상기 스퍼터 소스 재료는,

    지지면상으로 열분사되며 지지면과 접촉하는 내부면 및 스퍼터링의 결과로서 부식되는 외부면을 갖는 내부층과,

    상기 내부층의 상기 부식되는 외부면상으로 열분사되는 외부층을 포함하는 스퍼터 증착 타깃.
30. 제 29 항에 있어서, 상기 내부 부식층은 적어도 약 0.3175cm(0.125in)의 두께를 갖는 스퍼터 증착 타깃.