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KR19990081117A - 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크 및 컨디셔너, 그 디스크의 제조방법, 재생방법 및 세정방법 - Google Patents

씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크 및 컨디셔너, 그 디스크의 제조방법, 재생방법 및 세정방법 Download PDF

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Publication number
KR19990081117A
KR19990081117A KR1019980014858A KR19980014858A KR19990081117A KR 19990081117 A KR19990081117 A KR 19990081117A KR 1019980014858 A KR1019980014858 A KR 1019980014858A KR 19980014858 A KR19980014858 A KR 19980014858A KR 19990081117 A KR19990081117 A KR 19990081117A
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KR
South Korea
Prior art keywords
conditioning disk
adhesive film
cmp pad
conditioning
disk
Prior art date
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Ceased
Application number
KR1019980014858A
Other languages
English (en)
Inventor
조성범
최백순
김진성
최규상
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
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Priority to JP33079098A priority patent/JP3682379B2/ja
Priority to TW087119279A priority patent/TW383261B/zh
Priority to US09/293,946 priority patent/US6213856B1/en
Publication of KR19990081117A publication Critical patent/KR19990081117A/ko
Priority to US09/776,732 priority patent/US6494927B2/en
Priority to US09/776,733 priority patent/US6596087B2/en
Priority to US10/453,583 priority patent/US6740169B2/en
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Priority to JP2004288275A priority patent/JP2005040946A/ja
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Abstract

본 발명은 연마패드의 컨디셔닝 효과를 향상시키는 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크 및 컨디셔너, 그 디스크의 제조방법, 재생방법 및 세정방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 컨디셔닝 디스크는 디스크 몸체의 표면 상에 연마그레인의 크기별로 구분되는 영역이 구획 형성되어 이루어진다.
본 발명에 의한 컨디셔닝 디스크의 제조방법은 디스크의 몸체에 접착막을 소정의 두께로 나누어 반복수행하여 형성한다. 또한, 상기 제생방법은 기 사용한 컨디셔닝 디스크의 몸체로부터 연마그레인을 탈리한 후, 상기 제조방법을 수행하는 것이다.
본 발명에 의한 컨디셔닝 디스크의 세정방법은 기 사용한 컨디셔닝 디스크를 불화수소 또는 비오이 용액에 담가 막질부산물을 제거하여 세정한다.
따라서, 연마패드의 컨디셔닝 능력과 수명이 향상되어 원가가 절감되는 효과가 있었다.

Description

씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크 및 컨디셔너, 그 디스크의 제조방법, 재생방법 및 세정방법
본 발명은 씨엠피(CMP : Chemical Mechanical Polishing 이하 'CMP'라고함)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 연마패드의 컨디셔닝 효과를 향상시키는 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크 및 컨디셔너, 그 디스크의 제조방법, 재생방법 및 세정방법에 관한 것이다.
현재 반도체소자는 고집적화, 고밀도화에 따라 보다 미세한 패턴형성기술을 필요로 하고, 배선의 다층화구조를 요구하는 영역도 넓어지고 있다.
이는 반도체소자의 표면구조가 복잡하고 층간 막들의 단차의 정도가 심하다는 것을 의미한다.
상기 단차는 반도체소자 제조공정에서 많은 공정불량을 발생시키는 원인이 되고있다.
특히, 사진공정은 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포한 후, 상기 포토레지스트 상에 회로가 형성된 마스크를 정렬시켜 빛을 이용한 노광공정을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성시키는 공정으로서, 과거 선폭이 크고, 저층구조를 갖는 소자의 제조시에는 문제가 없었지만, 미세패턴과 다층구조에 의해 단차가 증가함에 따라, 상기 단차의 상층과 하층의 노광 포커스를 맞추기가 어려워 정확한 패턴 형성을 하기가 어려워지고 있다.
따라서, 상기 단차를 제거하기 위하여 웨이퍼의 평탄화 기술의 중요성이 대두되었다. 상기 평탄화 기술로서 에스오지(SOG)막 증착, 에치백(Etch Back) 또는 리플로우(Reflow) 등의 부분평탄화방법이 개발되어 공정에 사용되어 왔지만, 많은 문제점이 발생하여 웨이퍼 전면에 걸친 평탄화, 즉 광역평탄화(Global Planarization)를 위해 CMP 기술이 개발되었다.
CMP 기술이란 화학적 물리적인 반응을 통하여 웨이퍼 표면을 평탄화하는 기술이다.
CMP 기술의 원리는 웨이퍼의 패턴이 형성되어 있는 박막을 연마패드 표면에 접촉하도록 한 상태에서 연마액(Slurry)을 공급하여 상기 박막을 화학적으로 반응시키면서 동시에 회전운동시켜 물리적으로 웨이퍼 상의 박막의 요철부분을 평탄화하는 것이다.
도1 및 도2를 참조하면, CMP 장치(1)는 폴리우레탄 재질의 연마패드(12)가 부착된 연마테이블(10), 상기 연마패드(12)와 상면한 패턴이 형성되어 있는 패턴박막(18)을 갖는 웨이퍼(16)를 고정시켜 연마액(14)이 뿌려지는 연마패드(12) 상에서 회전시키는 웨이퍼 캐리어(20), 상기 웨이퍼 캐리어(20)에 의해 CMP 공정이 이루어지는 반대편에 위치하며, 상기 연마패드(12)를 컨디셔닝시키는 컨디셔닝 디스크(24)가 부착된 컨디셔너(22)를 포함하여 구성된다.
상기 CMP 장치(1)를 사용하는 CMP 기술은 연마속도(Removal Rate)와 평탄도(Uniformity)가 중요하며, 이것들은 CMP 장치(1)의 공정조건, 연마액(14) 종류 및 연마패드(12) 종류 등에 의해 결정된다. 특히, 상기 연마속도에 영향을 주는 요소는 연마패드(12)로써 상기 연마패드(12)를 컨디셔닝시키는컨디셔너(22)의 컨디셔닝 디스크(24)는 교체주기의 적절한 선택 및 표면상태를 관리하여 공정 스펙(Spec)내의 연마속도가 유지될 수 있도록 하여야 한다.
도3을 참조하면, 상기 컨디셔닝 디스크(24)는 표면에 인조다이아몬드(26)가 접착막(25)인 니켈박막에 의해 부착되어 있어 재질이 폴리우레탄이며 표면이 미세한 요철형상(27)을 하는 연마패드(12) 표면을 연마하여 컨디셔닝한다.
웨이퍼(16)가 연마패드(12)위에서 연마액(14)을 공급받아, 반복하여 CMP 공정을 하게 되면 연마액(14)을 포함하는 막질부산물(28)이 상기 요철형상(27) 사이사이에 적층된다.
따라서, 반복되는 CMP 공정이 수행되면 상기 연마패드(12)의 표면이 매끄럽게되므로 연속공정시 후속 웨이퍼의 연마속도는 급격히 떨어진다. 따라서 상기 컨디셔너(22)는 후속 웨이퍼의 연마속도에 영향을 주지않기 위하여 연마패드(12)가 최상의 상태를 유지하도록 상기 막질부산물(28)을 제거하기 위하여 컨디셔닝을 실시한다. 즉, 상기 컨디셔닝은 상기 인조다이아몬드(26)가 부착된 상기 컨디셔닝 디스크(24)를 연마패드(12) 표면에 접촉시킨 후, 일정한 속도로 회전시켜 연마패드(12) 표면의 거칠기를 증가시켜 웨이퍼의 CMP 공정시 원하는 막질이 일정한 스펙(Spec) 내에 평탄화되도록 하는 것이다.
금속막 CMP와 산화막 CMP 공정시 연마패드(12)의 상기 컨디셔닝 방법은 서로 다르다. 상기 금속막 CMP 공정시는 웨이퍼의 CMP 공정이 끝난 후, 상기 컨디셔너(22)가 연속하여 연마패드(12) 표면의 컨디셔닝을 수행한다. 상기 산화막 CMP 공정시는 웨이퍼의 CMP 공정과 동시에 상기 컨디셔너(22)가 연마패드(12) 표면의 컨디셔닝을 수행한다.
도4 및 도5를 참조하면, 상기 컨디셔닝 디스크(24)는 소정의 크기를 갖는 인조다이아몬드(26)가 니켈박막(25)을 매개로 표면에 부착되어 있다. CMP 공정이 반복하여 수행될 수록 연마패드(12)와 마찬가지로 연마액(14)을 포함하는 막질부산물(28)이 상기 인조다이아몬드(26) 사이에 적층된다. 상기 막질부산물(28)의 상기 인조다이아몬드(26) 사이의 적층과 상기 인조다이아몬드(26) 자신의 연마로 인하여 표면이 매끄럽게 되어 연마패드(12)의 컨디셔닝 효과를 저하시킨다.
즉, 상기 연마패드(12)의 컨디셔닝 효과는 컨디셔닝 디스크(24)의 인조다이아몬드(26)의 상태에 따라 변화된다.
현재 사용되는 인조다이아몬드(26)의 크기는 약 68 ㎛로서 니켈박막(25) 상반부로 돌출한 인조다이아몬드(26)의 크기는 약 30 내지 40 ㎛ 밖에 되지않아 수명이 짧아 결국은 잦은 컨디셔닝 디스크(26)의 교체로 인하여 생산성 저하, 불량률 증가로 수율을 감소시키는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 수명이 길며, 효과적으로 연마패드를 컨디셔닝시키는 CMP 패드 컨디셔닝 디스크 및 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 수명이 끝난 컨디셔닝 디스크를 재생시켜 원가를 절감시키며 수명연장을 위한 컨디셔닝 디스크의 재생방법 및 세정밥법을 제공하는 데 있다.
도1은 씨엠피 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.
도2는 도1의 A 부분의 확대단면도이다.
도3은 종래의 컨디셔닝 디스크가 연마패드를 컨디셔닝하는 것을 나타내는 단면도이다.
도4는 종래의 컨디셔닝 디스크를 나타내는 도면이다.
도5는 도4의 Ⅴ-Ⅴ선의 단면도이다.
도6은 본 발명에 의한 일 실시예인 컨디셔닝 디스크를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도7은 도6의 Ⅶ - Ⅶ'선의 단면도이다.
도8은 본 발명에 의한 다른 실시예인 컨디셔닝 디스크를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도9는 도8의 Ⅸ - Ⅸ'선의 단면도이다.
도10은 본 발명에 의한 컨디셔너를 나타내는 개략적인 도면이다.
도11은 본 발명에 의한 컨디셔닝 디스크의 제조방법을 나타내는 공정 순서도이다.
도12는 본 발명의 일 실시예에 의한 컨디셔닝 디스크의 재생방법을 나타내는 공정 순서도이다.
도13은 본 발명의 일 실시예에 의한 컨디셔닝 디스크의 세정방법을 나타내는 공정 순서도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 ; 씨엠피 장치 10 ; 연마테이블
12 ; 연마패드 14 ; 연마액
16 ; 웨이퍼 18 ; 패턴박막
20 ; 웨이퍼 캐리어 22; 컨디셔너
24, 30, 40, 58 ; 컨디셔닝 디스크 25, 33, 44 ; 니켈박막
26, 32, 34, 42, 44 ; 인조다이아몬드 27 ; 요철부분
28 ; 막질부산물 31, 41 ; 몸체
36, 46 ; 중심부분 45 ; 열십자
48 ; 관통부 50 ; 컨디셔너
52 ; 막대 54 ; 홀더장착부
56 ; 홀더 X, Y ; 모따기
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 CMP공정 수행시 패드 표면을 컨디셔닝시키는 연마패드 컨디셔닝 디스크는 디스크 몸체의 표면 상에 연마그레인의 크기별로 구분되는 영역이 구획 형성되어 이루어진다.
상기 컨디셔닝 디스크의 직경은 90 내지 110 mm이 될 수 있다.
상기 디스크 몸체의 재질은 금속이 될 수 있으며, 상기 연마그레인은 인조다이아몬드가 될 수 있다.
상기 인조다이아몬드는 크기가 200㎛ 보다 작은 것과 큰 것을 사용하는 것이 바람직하며, 상기 연마그레인의 구획은 상기 디스크 몸체의 반경방향으로 동심원을 이루며, 내부와 외부로 구획되는 것이 바람직하다.
상기 디스크 몸체의 반경방향으로 동심원을 이루는 소정 내부 영역에는 크기가200 내지 300㎛인 인조다이아몬드가 부착되는 것이 바람직하며, 상기 디스크 몸체의 반경방향으로 동심원을 이루는 소정의 내부 영역 이외의 외부 영역에는 크기가 100 내지 200㎛인 인조다이아몬드가 부착되는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크는 디스크 몸체의 중심부분의 소정면적이 관통된 링 형태로 이루어진다.
상기 디스크 몸체의 관통된 중심부분을 기준으로 반경방향으로 소정의 두께로 동심원을 이루며, 크기가 200 내지 300㎛인 인조다이아몬드가 형성될 수 있으며, 상기 디스크 몸체의 크기가 200 내지 300㎛인 인조다이아몬드가 부착되는 지역 이외의 영역에는 크기가 100 내지 200㎛인 인조다이아몬드가 부착되는 것이 바람직하다.
상기 디스크 몸체의 모서리는 라운드처리하거나 모따기를 하는 것이 바람직하다.
상기 모따기의 각도는 25 내지 45°이 될 수 있다.
본 발명에 의한 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크는 디스크 몸체의 중심부분의 소정면적이 관통되며, 상기 중심부분을 기준으로 열십자 모양을 이루며, 상기 열십자 사이사이는 관통되고, 상기 열십자는 소정의 두께를 갖는 링에 포위되는 형상의 형태로 이루어진다.
상기 디스크 몸체의 열십자 부분과 상기 열십자의 단부와 면접하는 링 상에는 크기가 200 내지 300㎛인 인조다이아몬드가 부착되는 것이 바람직하며, 상기 디스크 몸체의 크기가 200 내지 300㎛인 인조다이아몬드가 부착되는 지역 이외의 링 상에는 크기가 100 내지 200㎛인 인조다이아몬드가 부착되는 것이 바람직하다.
상기 디스크 몸체의 모서리는 라운드처리하거나 모따기를 하는 것이 바람직하며, 상기 모따기의 각도는 25 내지 45°가 될 수 있다.
본 발명에 의한 씨엠피 패드 컨디셔너는 일단이 특정 고정물에 회동가능하게 설치되어 있는 막대; 상기 막대의 일측 단부에 형성된 디스크홀더장착부; 상기 디스크홀더장착부에 부착되는 디스크홀더; 및 상기 디스크홀더에 장착되는 표면 상에 연마그레인이 크기별로 구분되는 영역이 구획되어 형성되어 있는 디스크;를 구비하여 이루어진다.
상기 디스크의 재질은 금속이며, 상기 디스크홀더의 내부에는 자석이 부착되어 있는 것이 바람직하다.
상기 막대는 상하운동을 하며, 상기 디스크홀더는 회전운동을 할 수 있다.
상기 디스크는 디스크 몸체의 중심부분의 소정면적이 관통된 링 형태 또는 디스크 몸체의 중심부분의 소정면적이 관통되며, 상기 중심부분을 기준으로 열십자 모양을 이루며, 상기 열십자 사이사이는 관통되고, 상기 열십자는 소정의 두께를 갖는 링에 포위되는 형상을 하는 것 일 수 있다.
본 발명에 의한 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 제조방법은 (1) 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크 몸체의 표면상에 연마그레인의 접착막을 소정의 두께로 형성하는 1차 접착막 형성단계; (2) 상기 1차 접착막 상에 연마그레인을 부착하는 단계; (3) 상기 1차 접착막 상에 추가로 접착막을 소정의 두께로 형성하는 2차 접착막 형성단계; (4) 상기 접착막에 불완전하게 부착된 연마그레인을 제거하는 단계; 및 (5) 상기 2차 접착막 상에 추가로 접착막을 소정의 두께로 형성하는 3차 접착막 형성단계;를 포함하여 이루어진다.
상기 연마그레인은 인조다이아몬드인 것이 바람직하며, 상기 접착막은 니켈박막이 될 수 있다.
상기 접착막 형성은 전해연마방법으로 도금하는 것이 바람직하며, 상기 인조다이아몬드의 부착은 크기별로 복수번 수행하여 디스크 몸체의 반경방향으로 동심원을 이루며, 구획되는 내부와 외부에 부착하는 것이 바람직하다.
상기 접착막의 1차 도금시 두께는 연마그레인 크기의 8 내지 10 ％ 가 될 수 있으며, 상기 접착막의 2차 및 3차 도금시 두께는 연마그레인 크기의 15 내지 20 ％ 가 될 수 있다.
상기 접착막의 3차 형성단계 다음에 상기 접착막에 불완전하게 부착된 연마그레인을 제거하는 단계를 더 구비하는 것이 바람직하며, 상기 3차 접착막 형성단계 이후에 추가로 접착막을 소정의 두께로 형성하는 4차 접착막 형성단계를 더 구비하는 것이 바람직하다.
상기 접착막의 4차 도금시 두께는 연마그레인 크기의 1 내지 3 ％ 가 될 수 있다.
상기 접착막에 불완전하게 부착된 연마그레인의 제거는 브러쉬(Brush)로 상기 컨디셔닝 디스크의 표면을 쓸어 연마그레인을 제거할 수 있다.
본 발명에 의한 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 재생방법은 (1) 씨엠피 공정에 기 사용된 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크를 접착막 용해 화학약품에 담그어 컨디셔닝 디스크 몸체 표면에 부착되어 있는 연마그레인을 박리하는 단계; (2) 상기 컨디셔닝 디스크 몸체 표면을 세정하는 단계; (3) 상기 컨디셔닝 디스크 몸체의 표면 상에 연마그레인의 접착막을 소정의 두께로 형성하는 1차 접착막 형성단계; (4) 상기 1차 접착막 상에 연마그레인을 부착하는 단계; (5) 상기 1차 접착막 상에 추가로 접착막을 소정의 두께로 형성하는 2차 접착막 형성단계; (6) 상기 접착막에 불완전하게 부착된 연마그레인을 제거하는 단계; 및 (7) 상기 2차 접착막 상에 추가로 접착막을 소정의 두께로 형성하는 3차 접착막 형성단계;를 포함하여 이루어진다.
본 발명에 의한 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 세정방법(1) 씨엠피 공정에 기 사용된 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크를 소정의 화학약품에 담그어 연마그레인 사이에 존재하는 막질부산물을 제거하는 단계; (2) 상기 막질부산물이 제거된 컨디셔닝 디스크를 순수를 이용하여 세척하는 단계; 및 (3) 상기 세척된 컨디셔닝 디스크를 건조시키는 단계;를 포함하여 이루어진다.
상기 막질부산물은 산화막질과 연마액의 혼합물 또는 금속막질과 연마액의 혼합물일 수 있으며, 상기 화학약품은 불화수소(HF) 수용액 또는 비오이(BOE) 용액이 될 수 있다.
상기 불화수소(HF) 수용액은 탈이온수와 불화수소가 90 내지 100 : 1 의 혼합비로 혼합하는 것이 바람직하며, 상기 컨디셔닝 디스크를 불화수소 수용액 또는 비오이 용액에 담그는 시간은 20분 내지 60분이 될 수 있으며, 상기 컨디셔닝 디스크의 건조는 처음 질소가스로 불어주고 오븐공정을 수행하는 것이 바람직하다.
상기 오븐공정 시간은 20분 내지 40분이 될 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 일 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 CMP공정 수행시 패드 표면을 컨디셔닝시키는 금속 재질의 연마패드 컨디셔닝 디스크는 디스크 몸체의 표면 상에 인조다이아몬드 연마그레인이 크기별로 구분되는 영역이 구획 형성되어 이루어진다.
상기 컨디셔닝 디스크의 직경은 90 내지 110 mm이 될 수 있으며, 상기 인조다이아몬드는 크기가 200㎛ 보다 작은 것과 큰 것을 사용하는 것이 바람직하며, 상기 연마그레인의 구획은 상기 디스크 몸체의 반경방향으로 동심원을 이루며, 내부와 외부로 구획되는 것이 바람직하다.
상기 디스크 몸체의 반경방향으로 동심원을 이루는 내부 영역에는 크기가200 내지 300㎛인 인조다이아몬드가 부착되는 것이 바람직하며, 상기 디스크 몸체의 반경방향으로 동심원을 이루는 외부 영역에는 크기가 100 내지 200㎛인 인조다이아몬드가 부착되는 것이 바람직하다.
도6 및 도7을 참조하면, 상기 컨디셔닝 디스크(30)는 디스크 몸체(31) 중심부(36)의 소정면적이 관통된 링 형태로 되어있다.
상기 디스크 몸체(31)의 관통된 중심부(36)를 기준으로 가장자리쪽으로 소정의 두께만큼 링을 이루며, 크기가 200 내지 300㎛인 인조다이아몬드(34)가 부착되며, 상기 디스크 몸체(31)의 크기가 200 내지 300㎛인 인조다이아몬드(34)가 부착되는 지역 이외의 가장자리 부분에는 크기가 100 내지 200㎛인 인조다이아몬드(32)가 부착된다. 상기 디스크 몸체(31) 상의 상기 인조다이아몬드(32,34)의 배열 두께비는 50 : 50이 바람직하다.
따라서, 관통된 중심부(36)는 연마패드의 컨디셔닝시 중심부(36)에 힘이 편중되는 것을 방지하여 연마패드의 컨디셔닝 균일도를 좋게한다. 또한 종래보다 크기가 큰 인조다이아몬드(32,34)를 사용함으로써 니켈박막(33) 상반부로 돌출된 부분도 크게되어 상기 컨디셔닝 디스크(30)의 수명도 연장시킬 수 있으며, 상기와 같이 크기가 서로 다른 인조다이아몬드(32,34)를 사용함으로써 컨디셔닝 능력을 향상시킬 수 있다. 그리고 상기 디스크몸체(31)의 모서리 부분은 X와 같이 25 내지 45°로 모따기를 하여 컨디셔닝 공정시 디스크 몸체(31)의 모서리에 의해 연마패드가 손상을 입는 것을 방지하였다.
도8 및 도9를 참조하면, 상기 컨디셔닝 디스크(40)는 디스크 몸체(41)의 소정의 중심부분(46)이 관통되며, 상기 중심부분(46)을 기준으로 열십자(45) 모양을 이루며, 상기 열십자(45) 사이사이도 관통부(48)를 갖고, 상기 열십자(45)는 소정의 두께를 갖는 링에 포위되어 있는 형태를 이룬다.
상기 디스크 몸체(41)의 열십자(45) 부분과 상기 열십자(45)의 단부와 면접하는 링 상에는 직경이 200 내지 300㎛인 인조다이아몬드(44)가 부착되며, 상기 디스크 몸체(41)의 직경이 200 내지 300㎛인 인조다이아몬드(44)가 부착되는 지역 이외의 링 상에는 직경이 100 내지 200㎛인 인조다이아몬드(42)가 부착되어 있다.
그러므로 연마패드의 컨디셔닝시 상기 컨디셔닝 디스크(40)의 회전력 분산을 시도하여 연마패드의 컨디셔닝 균일도를 좋게한다. 또한 종래보다 크기가 큰 인조다이아몬드(42,44)를 사용함으로써 니켈박막(43) 상반부로 돌출된 부분도 크게되어 상기 컨디셔닝 디스크(40)의 수명도 연장시킬 수 있으며, 상기와 같이 크기가 서로 다른 인조다이아몬드(42,44)를 사용함으로써 컨디셔닝 능력을 향상시킬 수 있다.
상기 컨디셔닝 디스크(40)의 모서리는 Y지점과 같이 25 내지 45°로 모따기를 하여 컨디셔닝시 모서리에 의해 상기 연마패드에 손상을 입히는 것을 방지하였다.
상기 실시예들에 사용된 인조다이아몬드(42, 44)가 부착된 컨디셔닝 디스크(30, 40)는 종래의 약 68 ㎛ 크기의 인조다이아몬드를 갖는 컨디셔닝 디스크보다 수명이 컨디셔닝 시간을 기준으로 약 150 ％ 이상 연장되는 것을 확인할 수 있었다.
상기 실시예들을 응용하여 다른 실시예들을 제조할 수 있음은 당업자들에 자명한 사실이다.
도10은 본 발명에 의한 컨디셔너를 나타내는 개략적인 도면이다.
도10을 참조하면, 씨엠피 패드 컨디셔너(50)는 일단이 특정 고정물에 회동가능하게 설치되어 있는 막대(52), 상기 막대(52)의 일측 단부에 형성된 디스크홀더장착부(54), 상기 디스크홀더장착부(54)에 장착되는 디스크홀더(56) 및 상기 디스크홀더(56)에 장착되는 표면 상에 연마그레인이 크기별로 구분되는 영역이 구획되어 형성되어 있는 컨디셔닝 디스크(58)를 구비하여 이루어진다.
상기 컨디셔닝 디스크(58)의 몸체의 재질은 금속이며, 상기 디스크홀더(56)의 내부에는 자석(도시하지 않음)이 부착되어 있다. 그러므로 상기 디스크(58)가 자력에 의해 상기 디스크홀더(56)에 부착된다.
상기 막대(52)는 상하운동과 직선운동을 할 수 있으며, 상기 디스크홀더(56)는 회전운동을 할 수 있다. 따라서, 상기 막대(52)는 상하운동과 직선운동 및 상기 디스크홀더(56)의 회전운동으로 연마패드 표면을 효과적으로 컨디셔닝한다.
상기 컨디셔닝 디스크(58)는 디스크 몸체의 중심부분의 소정면적이 관통된 링 형태 의 디스크 또는 디스크 몸체의 중심부분의 소정면적이 관통되며, 상기 중심부분을 기준으로 열십자 모양을 이루며, 상기 열십자 사이사이는 관통되고, 상기 열십자는 소정의 두께를 갖는 링에 포위되는 형상을 하는 디스크이다.
도11를 참조하면, (1) 처음 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크 몸체의 표면 상에 접착막을 소정의 두께로 형성하는 1차 접착막 형성단계로써, 상기 컨디셔닝 디스크의 몸체를 전해연마장치에 장착하여 접착막인 니켈박막을 연마그레인인 인조다이아몬드 크기의 대략 8 내지 10％ 만큼 두께로 상기 컨디셔닝 디스크의 몸체 표면 상에 형성한다. 상기 연마그레인은 상기 언급한 인조다이아몬드 이외의 물질을 사용할 수도 있다.
(2) 상기 1차 접착막 상에 연마그레인을 부착하는 단계로써, 크기가 균일한 인조다이아몬드를 상기 1차 접착막인 니켈박막 상에 뿌려 안착시킨다. (3) 상기 1차 접착막 상에 추가로 접착막을 소정의 두께로 형성하는 2차 접착막 형성단계로써, 니켈박막을 인조다이아몬드 크기의 대략 15 내지 20％ 만큼 두께로 상기 1차로 형성한 니켈박막 상에 형성하여 인조다이아몬드를 고정시킨다. (4) 상기 접착막에 불완전하게 부착된 연마그레인을 제거하는 단계로써, 상기 인조다이아몬드의 부착은 인조다이몬드를 하나씩 선택하여 부착하는 것이 아니라 균일한 크기를 갖는 인조다이아몬드를 니켈박막에 뿌려주는 것이기 때문에 모든 인조다이아몬드가 균일하게 고정부착되지 않는다. 따라서, 상기 불완전하게 부착된 인조다이아몬드는 공정시 이탈되어 웨이퍼 표면에 스크레치 등의 공정불량을 일으키는 원인이 된다. 상기 불완전하게 부착된 인조다이아몬드의 제거는 상기 인조다이아몬드를 브러쉬로 쓸어 약하게 부착된 인조다이아몬드가 떨어져 나가 이탈되도록 한다. 그러므로 상기 단계에서 미리 불완전하게 부착된 인조다이아몬드를 제거하여 상기의 공정불량을 미연에 방지할 수 있다. (5) 상기 2차 접착막 상에 추가로 접착막을 소정의 두께로 형성하는 3차 접착막 형성단계로써, 니켈박막을 인조다이아몬드 크기의 대략 15 내지 20％ 만큼 두께로 형성하여 상기 인조다이아몬드를 더욱 강하게 고정시킨다. (6) 상기 접착막에 불완전하게 부착된 연마그레인을 제거하는 단계로써, 반복하여 불완전하게 부착된 연마그레인을 제거하므로써 공정불량을 확고하게 미연에 방지한다. (7) 상기 컨디셔닝 디스크 전체를 접착막으로 형성하는 4차 접착막 형성단계로써, 컨디셔닝 디스크 전체에 니켈박막을 인조다이아몬드 크기의 대략 1 내지 3％ 만큼 두께로 형성하여 상기 컨디셔닝 디스크 뒷면 및 상기 불완전하게 부착되어 제거된 인조다이아몬드가 박리된 자리 등 상기 컨디셔닝 디스크 전체에 니켈박막을 도금하여 완성한다.
도12을 참조하면, 처음 (1) 상기 컨디셔닝 디스크를 니켈박막 제거 화학약품에 담가 인조다이아몬드를 박리하는 단계로써, 상기 컨디셔닝 디스크를 상기 인조다이아몬드의 접착막 역활을 하는 니켈박막을 용해시키는 강산인 황산수용액에 담가, 상기 컨디셔닝 디스크 몸체 표면에 부착된 기 사용된 인조다이아몬드를 박리한다. (2) 상기 컨디셔닝 디스크 몸체 표면을 세정하는 단계로써, 상기 컨디셔닝 디스크 몸체 표면의 상기 인조다이아몬드 박리시 사용된 화학약품, 유기물 및 불순물을 제거한다. 다음 공정 이후에는 상기 컨디셔닝 디스크 제조방법에 따라 새로운 인조다이아몬드를 상기 컨디셔닝 디스크 몸체에 부착하여 공정에 사용한다. 종래에는 기 사용한 상기 컨디셔닝 디스크를 폐기시켰지만 상기와 같이 수명이 끝난 컨디셔닝 디스크의 인조다이아몬드를 제거한 후, 새로운 인조다이아몬드를 부착하여 재사용함으로써, 원가를 절감시킬 수 있다.
도13을 참조하면, (1) 처음 CMP 공정에 기 사용한 컨디셔닝 디스크를 소정의 화학약품에 담그어 연마그레인 사이사이에 존재하는 막질부산물을 제거하는 단계로써, 상기 컨디셔닝 디스크를 탈이온수와 불화수소가 90 내지 100 : 1 의 혼합비로 혼합된 불화수소 수용액 또는 비오이(BOE) 용액에 담그어 담그어 반복되는 CMP 공정에 의하여 컨디셔닝 디스크의 인조다이아몬드의 요철형상 사이사이에 적층된 공정 종류에 따라 존재하는 산화막질과 연마액의 혼합물 또는 금속막질과 연마액의 혼합물등으로 구성된 막질부산물을 제거한다.
상기 막질부산물이 많이 형성되어 있으면, 연마패드의 컨디셔닝 능력이 저하된다. 여기서 상기 불화수소 수용액 또는 비오이 용액에 담그는 공정시간은 모두 20분 내지 60분이 바람직하다.
(2) 상기 컨디셔닝 디스크를 탈이온수로 세척하는 단계로써, 상기 컨디셔닝 디스크를 배쓰에 담그어 연속하여 오버 플로우(Overflow) 방식으로 탈이온수를 공급하여 상기 컨디셔닝 디스크의 표면에 잔존하는 상기 불화수소 수용액 또는 비오이 용액을 세정한다.
(3) 상기 컨디셔닝 디스크를 건조시키는 단계로써, 처음 질소가스로 불어주어 표면의 수분을 제거한 후, 오븐을 통하여 상기 컨디셔닝 디스크에 남아있는 미량의 수분을 제거한다. 상기 오븐공정 시간은 20분 내지 40분이 바람직하다.
상기와 같이 세정공정을 통한 컨디셔닝 디스크는 모니터링 웨이퍼로 테스트를 실시한 결과 기 사용 후, 연마속도가 3200 Å/min 미만으로 저하 되었던 것이 3200 내지 3600 Å/min으로 향상되었으며, 약 50 ％의 수명이 연장되는 것을 확인하였다. 여기서 수명이 100 ％ 연장이 불가능한 것은 인조다이아몬드 자체의 크기가 반복되는 CMP 공정에 의해 마모되었기 때문이다. 그러므로 상기의 세정방법을 수행하므로써 컨디셔닝 디스크의 수명을 향상시켜 원가를 절감할 수 있다.
따라서, 연마패드의 컨디셔닝 능력과 수명이 향상되어 원가가 절감되는 효과가 있었다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (43)

  1. 컨디셔닝 디스크 몸체의 표면 상에 연마그레인의 크기별로 구분되는 영역이 구획 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 컨디셔닝 디스크의 직경은 90 내지 110 mm인 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 컨디셔닝 디스크 몸체의 재질은 금속인 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 연마그레인은 인조다이아몬드인 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 인조다이아몬드는 크기가 200㎛ 보다 작은 것과 큰 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 연마그레인의 구획은 상기 컨디셔닝 디스크 몸체의 반경방향으로 동심원을 이루며, 내부와 외부로 구획되는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 컨디셔닝 디스크 몸체의 반경방향으로 동심원을 이루는 소정의 내부 영역에는 크기가 200 내지 300㎛인 인조다이아몬드가 부착되는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 컨디셔닝 디스크 몸체의 반경방향으로 동심원을 이루는 소정의 내부영역 이외의 외부 영역에는 크기가 100 내지 200㎛인 인조다이아몬드가 부착되는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  9. 컨디셔닝 디스크 몸체의 중심부분의 소정면적이 관통된 링 형태인 것을 특징으로 하는 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 컨디셔닝 디스크 몸체의 관통된 중심부분을 기준으로 반경방향으로 소정의 두께로 동심원을 이루며, 크기가 200 내지 300㎛인 인조다이아몬드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 컨디셔닝 디스크 몸체의 크기가 200 내지 300㎛인 인조다이아몬드가 부착되는 지역 이외의 영역에는 크기가 100 내지 200㎛인 인조다이아몬드가 부착되는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 컨디셔닝 디스크 몸체의 모서리는 라운드처리하거나 모따기를 하는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 모따기의 각도는 25 내지 45°인 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  14. 컨디셔닝 디스크 몸체의 중심부분의 소정면적이 관통되며, 상기 중심부분을 기준으로 열십자 모양을 이루며, 상기 열십자 사이사이는 관통되고, 상기 열십자는 소정의 두께를 갖는 링에 포위되는 형상을 하는 것을 특징으로 하는 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 컨디셔닝 디스크 몸체의 열십자 부분과 상기 열십자의 단부와 면접하는 링 상에는 크기가 200 내지 300㎛인 인조다이아몬드가 부착되는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  16. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
    상기 컨디셔닝 디스크 몸체의 크기가 200 내지 300㎛인 인조다이아몬드가 부착되는 지역 이외의 링 상에는 크기가 100 내지 200㎛인 인조다이아몬드가 부착되는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 컨디셔닝 디스크 몸체의 모서리는 라운드처리하거나 모따기를 하는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 모따기의 각도는 25 내지 45°인 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크.
  19. 일단이 특정 고정물에 회동가능하게 설치되어 있는 막대;
    상기 막대의 일측 단부에 형성된 컨디셔닝 디스크 홀더 장착부;
    상기 컨디셔닝 디스크 홀더 장착부에 장착되는 컨디셔닝 디스크 홀더; 및
    상기 컨디셔닝 디스크 홀더에 장착되는 표면상에 연마그레인의 크기별로 구분되는 영역이 구획 형성되어 있는 컨디셔닝 디스크;
    를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 씨엠피 패드 컨디셔너.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 컨디셔닝 디스크의 재질은 금속인 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔너.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 컨디셔닝 디스크 홀더의 내부에는 자석이 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔너.
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 막대는 상하운동을 하며, 상기 컨디셔닝 디스크 홀더는 회전운동을 하는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔너.
  23. 제 19 항에 있어서,
    상기 컨디셔닝 디스크는 디스크 몸체의 중심부분의 소정면적이 관통된 링 형태인 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔너.
  24. 제 19 항에 있어서,
    상기 컨디셔닝 디스크는 디스크 몸체의 중심부분의 소정면적이 관통되며, 상기 중심부분을 기준으로 열십자 모양을 이루며, 상기 열십자 사이사이는 관통되고, 상기 열십자는 소정의 두께를 갖는 링에 포위되는 형상을 하는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔너.
  25. (1) 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크 몸체의 표면 상에 연마그레인의 접착막을 소정의 두께로 형성하는 1차 접착막 형성단계;
    (2) 상기 1차 접착막 상에 연마그레인을 부착하는 단계;
    (3) 상기 1차 접착막 상에 추가로 접착막을 소정의 두께로 형성하는 2차 접착막 형성단계;
    (4) 상기 접착막에 불완전하게 부착된 연마그레인을 제거하는 단계; 및
    (5) 상기 2차 접착막 상에 추가로 접착막을 소정의 두께로 형성하는 3차 접착막 형성단계;
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 제조방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 연마그레인은 인조다이아몬드인 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 제조방법.
  27. 제 25 항에 있어서,
    상기 접착막은 니켈박막인 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 제조방법.
  28. 제 25 항에 있어서,
    상기 접착막 형성은 전해연마방법으로 도금하는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 제조방법.
  29. 제 25 항 또는 제 26 항에 있어서,
    상기 인조다이아몬드의 부착은 크기별로 복수번 수행하여 컨디셔닝 디스크 몸체의 반경방향으로 동심원을 이루며, 구획되는 내부와 외부에 부착하는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 제조방법.
  30. 제 25 항 또는 제 28 항에 있어서,
    상기 접착막의 1차 형성시 두께는 연마그레인 크기의 8 내지 10 ％ 인 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 제조방법.
  31. 제 25 항 또는 제 28 항에 있어서,
    상기 접착막의 2차 및 3차 형성시 두께는 연마그레인 크기의 15 내지 20 ％ 인 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 제조방법.
  32. 제 25 항에 있어서,
    상기 접착막의 3차 형성단계 다음에 상기 접착막에 불완전하게 부착된 연마그레인을 제거하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 제조방법.
  33. 제 25 항에 있어서,
    상기 3차 접착막 형성단계 이후에 추가로 접착막을 소정의 두께로 형성하는 4차 접착막 형성단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 제조방법.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 접착막의 4차 도금시 두께는 연마그레인 크기의 1 내지 3 ％ 인 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 제조방법.
  35. 제 25 항 또는 제 32 항에 있어서,
    상기 접착막에 불완전하게 부착된 연마그레인의 제거는 브러쉬(Brush)를 상기 컨디셔닝 디스크 몸체의 표면을 쓸어 연마그레인을 제거하는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 제조방법.
  36. (1) 씨엠피 공정에 기 사용된 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크를 접착막 용해 화학약품에 담그어 컨디셔닝 디스크 몸체 표면에 부착되어 있는 연마그레인을 박리하는 단계;
    (2) 상기 컨디셔닝 디스크 몸체 표면을 세정하는 단계;
    (3) 상기 컨디셔닝 디스크 몸체의 표면 상에 연마그레인의 접착막을 소정의 두께로 형성하는 1차 접착막 형성단계;
    (4) 상기 1차 접착막 상에 연마그레인을 부착하는 단계;
    (5) 상기 1차 접착막 상에 추가로 접착막을 소정의 두께로 형성하는 2차 접착막 형성단계;
    (6) 상기 접착막에 불완전하게 부착된 연마그레인을 제거하는 단계; 및
    (7) 상기 2차 접착막 상에 추가로 접착막을 소정의 두께로 형성하는 3차 접착막 형성단계;
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 재생방법.
  37. (1) 씨엠피 공정에 기 사용된 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크를 소정의 화학약품에 담그어 연마그레인 사이에 존재하는 막질부산물을 제거하는 단계;
    (2) 상기 막질부산물이 제거된 컨디셔닝 디스크를 순수를 이용하여 세척하는 단계; 및
    (3) 상기 세척된 컨디셔닝 디스크를 건조시키는 단계;
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 세정방법.
  38. 제 37 항에 있어서,
    상기 막질부산물은 산화막질과 연마액의 혼합물 또는 금속막질과 연마액의 혼합물인 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 세정방법.
  39. 제 37 항에 있어서,
    상기 화학약품은 불화수소(HF) 수용액 또는 비오이(BOE) 용액인 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 세정방법.
  40. 제 39 항에 있어서,
    상기 불화수소(HF) 수용액은 탈이온수와 불화수소가 90 내지 100 : 1 의 혼합비로 혼합된 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 세정방법.
  41. 제 37 항 또는 제 39 항에 있어서,
    상기 컨디셔닝 디스크를 불화수소 수용액 또는 비오이 용액에 담그는 시간은 20분 내지 60분인 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 세정방법.
  42. 제 37 항에 있어서,
    상기 컨디셔닝 디스크의 건조는 처음 질소가스로 불어주고 오븐공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 세정방법.
  43. 제 42 항에 있어서,
    상기 오븐공정 시간은 20분 내지 40분 인 것을 특징으로 하는 상기 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크의 재생방법.
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US09/776,732 US6494927B2 (en) 1998-04-25 2001-02-06 Conditioner and conditioning disk for a CMP pad, and method of fabricating, reworking, and cleaning conditioning disk
US09/776,733 US6596087B2 (en) 1998-04-25 2001-02-06 Method of cleaning conditioning disk
US10/453,583 US6740169B2 (en) 1998-04-25 2003-06-04 Method of reworking a conditioning disk
JP2004288276A JP2005039293A (ja) 1998-04-25 2004-09-30 Ｃｍｐパッドコンディショニングディスクの洗浄方法
JP2004288275A JP2005040946A (ja) 1998-04-25 2004-09-30 Ｃｍｐパッドコンディショナ

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100693251B1 (ko) * 2005-03-07 2007-03-13 삼성전자주식회사 연마 속도와 연마 패드의 조도를 향상시킬 수 있는 패드 컨디셔너 및 이를 이용하는 화학기계적 연마 장치
KR100847121B1 (ko) * 2006-12-28 2008-07-18 주식회사 실트론 패드 연마용 컨디셔너 및 이를 포함하는 화학 기계적연마장치
KR20120035370A (ko) * 2010-10-05 2012-04-16 삼성전자주식회사 패드 컨디셔닝 디스크, 및 프리 컨디셔너 유닛을 포함하는 ｃｍｐ 장치
KR101147149B1 (ko) * 2009-10-14 2012-05-25 치엔 민 성 폴리싱패드드레서
KR20190045338A (ko) * 2016-09-15 2019-05-02 엔테그리스, 아이엔씨. Cmp 패드 컨디셔닝 조립체
KR20200036135A (ko) * 2018-09-27 2020-04-07 삼성전자주식회사 패드 컨디셔닝 디스크
KR102393576B1 (ko) * 2021-11-05 2022-05-04 주식회사 씨엠케미칼 Cmp 패드 컨디셔너 기판의 재생방법
KR20240157794A (ko) 2023-04-25 2024-11-04 주식회사 브러쉬텍 씨엠피용 패드 컨디셔닝 디스크 및 그 제조방법

Families Citing this family (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7491116B2 (en) * 2004-09-29 2009-02-17 Chien-Min Sung CMP pad dresser with oriented particles and associated methods
US9221154B2 (en) 1997-04-04 2015-12-29 Chien-Min Sung Diamond tools and methods for making the same
US6679243B2 (en) 1997-04-04 2004-01-20 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making
US9409280B2 (en) 1997-04-04 2016-08-09 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9868100B2 (en) 1997-04-04 2018-01-16 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US6368198B1 (en) * 1999-11-22 2002-04-09 Kinik Company Diamond grid CMP pad dresser
US9463552B2 (en) 1997-04-04 2016-10-11 Chien-Min Sung Superbrasvie tools containing uniformly leveled superabrasive particles and associated methods
US9238207B2 (en) 1997-04-04 2016-01-19 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US7368013B2 (en) * 1997-04-04 2008-05-06 Chien-Min Sung Superabrasive particle synthesis with controlled placement of crystalline seeds
US6884155B2 (en) * 1999-11-22 2005-04-26 Kinik Diamond grid CMP pad dresser
US7323049B2 (en) * 1997-04-04 2008-01-29 Chien-Min Sung High pressure superabrasive particle synthesis
US9199357B2 (en) 1997-04-04 2015-12-01 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US7124753B2 (en) * 1997-04-04 2006-10-24 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
JP4030247B2 (ja) * 1999-05-17 2008-01-09 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置及びポリッシング装置
JP2000343407A (ja) * 1999-06-08 2000-12-12 Ebara Corp ドレッシング装置
JP2001162532A (ja) * 1999-09-29 2001-06-19 Toshiba Corp ドレッサ、研磨装置ならびに物品の製造方法
TW467802B (en) * 1999-10-12 2001-12-11 Hunatech Co Ltd Conditioner for polishing pad and method for manufacturing the same
US7201645B2 (en) * 1999-11-22 2007-04-10 Chien-Min Sung Contoured CMP pad dresser and associated methods
US6517414B1 (en) 2000-03-10 2003-02-11 Appied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus
JP2001252871A (ja) * 2000-03-10 2001-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 研磨布用ドレッサーおよびその製造方法
US6616513B1 (en) * 2000-04-07 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile
JP2001347450A (ja) * 2000-06-08 2001-12-18 Promos Technologies Inc 化学機械研磨装置
US6500054B1 (en) * 2000-06-08 2002-12-31 International Business Machines Corporation Chemical-mechanical polishing pad conditioner
US6572446B1 (en) * 2000-09-18 2003-06-03 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing pad conditioning element with discrete points and compliant membrane
JP2002226290A (ja) * 2000-11-29 2002-08-14 Japan Fine Ceramics Center ダイヤモンド加工体の製造方法、及び、ダイヤモンド加工体
KR100552391B1 (ko) * 2000-12-21 2006-02-20 니폰 스틸 코포레이션 Ｃｍｐ 컨디셔너, ｃｍｐ 컨디셔너에 사용하는 경질지립(砥粒)의 배열방법 및 ｃｍｐ 컨디셔너 제조방법
US20020182401A1 (en) * 2001-06-01 2002-12-05 Lawing Andrew Scott Pad conditioner with uniform particle height
US6599177B2 (en) * 2001-06-25 2003-07-29 Saint-Gobain Abrasives Technology Company Coated abrasives with indicia
WO2003022523A1 (en) * 2001-09-10 2003-03-20 Nikon Corporation Dressing tool, dressing device, dressing method, processing device, and semiconductor device producing method
TW505967B (en) * 2001-10-11 2002-10-11 Macronix Int Co Ltd Wafer carrier structure of chemical mechanical polishing device
CN1314514C (zh) * 2001-10-29 2007-05-09 旺宏电子股份有限公司 化学机械研磨装置的晶圆载具结构
TW524729B (en) * 2001-11-15 2003-03-21 Nanya Technology Corp Conditioner of chemical mechanical polishing machine and method of detecting diamond fall-off thereof
US6821190B1 (en) * 2002-05-06 2004-11-23 Silterra Malaysia Sdn. Bhd. Static pad conditioner
US6780733B2 (en) * 2002-09-06 2004-08-24 Motorola, Inc. Thinned semiconductor wafer and die and corresponding method
KR100851505B1 (ko) * 2003-12-29 2008-08-08 동부일렉트로닉스 주식회사 화학적 기계적 연마 장비의 패드 컨디셔너
US6969307B2 (en) * 2004-03-30 2005-11-29 Lam Research Corporation Polishing pad conditioning and polishing liquid dispersal system
US6958005B1 (en) * 2004-03-30 2005-10-25 Lam Research Corporation Polishing pad conditioning system
JP2005313310A (ja) * 2004-03-31 2005-11-10 Mitsubishi Materials Corp Ｃｍｐコンディショナ
US6945857B1 (en) * 2004-07-08 2005-09-20 Applied Materials, Inc. Polishing pad conditioner and methods of manufacture and recycling
US7097542B2 (en) * 2004-07-26 2006-08-29 Intel Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad
US7033253B2 (en) * 2004-08-12 2006-04-25 Micron Technology, Inc. Polishing pad conditioners having abrasives and brush elements, and associated systems and methods
EP1779973A4 (en) * 2004-08-16 2010-10-27 Toyoda Van Moppes Ltd ROTATIONSDIAMANTABRICHTUNGSWERKZEUG
US7089925B1 (en) 2004-08-18 2006-08-15 Kinik Company Reciprocating wire saw for cutting hard materials
US20070060026A1 (en) * 2005-09-09 2007-03-15 Chien-Min Sung Methods of bonding superabrasive particles in an organic matrix
US7384436B2 (en) * 2004-08-24 2008-06-10 Chien-Min Sung Polycrystalline grits and associated methods
US20060258276A1 (en) * 2005-05-16 2006-11-16 Chien-Min Sung Superhard cutters and associated methods
US7762872B2 (en) * 2004-08-24 2010-07-27 Chien-Min Sung Superhard cutters and associated methods
US7658666B2 (en) * 2004-08-24 2010-02-09 Chien-Min Sung Superhard cutters and associated methods
US7150677B2 (en) * 2004-09-22 2006-12-19 Mitsubishi Materials Corporation CMP conditioner
US7066795B2 (en) * 2004-10-12 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad conditioner with shaped abrasive patterns and channels
KR100636793B1 (ko) * 2004-12-13 2006-10-23 이화다이아몬드공업 주식회사 Ｃｍｐ 패드용 컨디셔너
US7875091B2 (en) * 2005-02-22 2011-01-25 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles
US7524345B2 (en) * 2005-02-22 2009-04-28 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles
US7867302B2 (en) * 2005-02-22 2011-01-11 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles
US20140120724A1 (en) * 2005-05-16 2014-05-01 Chien-Min Sung Composite conditioner and associated methods
US9724802B2 (en) 2005-05-16 2017-08-08 Chien-Min Sung CMP pad dressers having leveled tips and associated methods
US8393934B2 (en) * 2006-11-16 2013-03-12 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US8622787B2 (en) * 2006-11-16 2014-01-07 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US8678878B2 (en) 2009-09-29 2014-03-25 Chien-Min Sung System for evaluating and/or improving performance of a CMP pad dresser
US9138862B2 (en) 2011-05-23 2015-09-22 Chien-Min Sung CMP pad dresser having leveled tips and associated methods
US20140120807A1 (en) * 2005-05-16 2014-05-01 Chien-Min Sung Cmp pad conditioners with mosaic abrasive segments and associated methods
US8398466B2 (en) * 2006-11-16 2013-03-19 Chien-Min Sung CMP pad conditioners with mosaic abrasive segments and associated methods
TWI290337B (en) * 2005-08-09 2007-11-21 Princo Corp Pad conditioner for conditioning a CMP pad and method of making the same
CH699037B1 (de) * 2005-12-21 2010-01-15 Ilgner Schleif Innovationen Gmbh Schleifwerkzeug für Naturstein-, Kunststein- und Industrieböden.
KR100723436B1 (ko) * 2005-12-29 2007-05-30 삼성전자주식회사 연마패드의 컨디셔너 및 이를 구비하는 화학기계적연마장치
US7241206B1 (en) * 2006-02-17 2007-07-10 Chien-Min Sung Tools for polishing and associated methods
US7494404B2 (en) * 2006-02-17 2009-02-24 Chien-Min Sung Tools for polishing and associated methods
JP4999337B2 (ja) * 2006-03-14 2012-08-15 株式会社ノリタケカンパニーリミテド Ｃｍｐパッドコンディショナー
USD559068S1 (en) * 2006-05-16 2008-01-08 Umbrell Richard T Waffle round edge pad
USD559069S1 (en) * 2006-05-17 2008-01-08 Umbrell Richard T Single waffle round edge pad
US20080014845A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Alpay Yilmaz Conditioning disk having uniform structures
US20080271384A1 (en) * 2006-09-22 2008-11-06 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Conditioning tools and techniques for chemical mechanical planarization
US7597608B2 (en) * 2006-10-30 2009-10-06 Applied Materials, Inc. Pad conditioning device with flexible media mount
US20150017884A1 (en) * 2006-11-16 2015-01-15 Chien-Min Sung CMP Pad Dressers with Hybridized Abrasive Surface and Related Methods
US20080153398A1 (en) * 2006-11-16 2008-06-26 Chien-Min Sung Cmp pad conditioners and associated methods
JP5041803B2 (ja) * 2006-12-27 2012-10-03 新日鉄マテリアルズ株式会社 研磨布用ドレッサー
US7807036B2 (en) * 2007-01-31 2010-10-05 International Business Machines Corporation Method and system for pad conditioning in an ECMP process
USD566141S1 (en) * 2007-02-23 2008-04-08 Rin-Soon Park Abrasive agent
JP2008229820A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Elpida Memory Inc Ｃｍｐ加工用のドレッサ及びｃｍｐ加工装置並びにｃｍｐ加工用の研磨パッドのドレッシング処理方法
US7815495B2 (en) * 2007-04-11 2010-10-19 Applied Materials, Inc. Pad conditioner
USD571381S1 (en) * 2007-04-25 2008-06-17 Rin-Soon Park Grinding cup wheel
CN101903131B (zh) * 2007-11-13 2013-01-02 宋健民 Cmp垫修整器
TWI388402B (en) * 2007-12-06 2013-03-11 Methods for orienting superabrasive particles on a surface and associated tools
CA126366S (en) * 2007-12-07 2009-04-08 Rin Soon Park Grinding tip for grinder
US8252263B2 (en) * 2008-04-14 2012-08-28 Chien-Min Sung Device and method for growing diamond in a liquid phase
KR101004432B1 (ko) * 2008-06-10 2010-12-28 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치
US20100022174A1 (en) * 2008-07-28 2010-01-28 Kinik Company Grinding tool and method for fabricating the same
TWI517230B (zh) 2009-01-27 2016-01-11 音諾帕德股份有限公司 化學機械平面化墊體及其形成與使用方法
US20100203811A1 (en) * 2009-02-09 2010-08-12 Araca Incorporated Method and apparatus for accelerated wear testing of aggressive diamonds on diamond conditioning discs in cmp
SG174351A1 (en) * 2009-03-24 2011-10-28 Saint Gobain Abrasives Inc Abrasive tool for use as a chemical mechanical planarization pad conditioner
US8905823B2 (en) 2009-06-02 2014-12-09 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Corrosion-resistant CMP conditioning tools and methods for making and using same
WO2011028700A2 (en) 2009-09-01 2011-03-10 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Chemical mechanical polishing conditioner
JP2011129232A (ja) * 2009-12-21 2011-06-30 Asahi Glass Co Ltd ガラス基板の製造方法
KR101091030B1 (ko) * 2010-04-08 2011-12-09 이화다이아몬드공업 주식회사 감소된 마찰력을 갖는 패드 컨디셔너 제조방법
US8777699B2 (en) 2010-09-21 2014-07-15 Ritedia Corporation Superabrasive tools having substantially leveled particle tips and associated methods
EP2684211B1 (en) * 2011-03-07 2017-01-18 Entegris, Inc. Chemical mechanical planarization pad conditioner
TWI487019B (en) 2011-05-23 2015-06-01 Cmp pad dresser having leveled tips and associated methods
TWI511841B (zh) * 2013-03-15 2015-12-11 Kinik Co 貼合式化學機械硏磨修整器及其製法
TWI568538B (zh) * 2013-03-15 2017-02-01 中國砂輪企業股份有限公司 化學機械硏磨修整器及其製法
EP2835220B1 (de) * 2013-08-07 2019-09-11 Reishauer AG Abrichtwerkzeug sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung
US20150158143A1 (en) * 2013-12-10 2015-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus and method for chemically mechanically polishing
TWI546158B (zh) * 2013-12-20 2016-08-21 中國砂輪企業股份有限公司 低磁性化學機械研磨修整器
TW201538275A (zh) * 2014-04-08 2015-10-16 Kinik Co 平坦化之化學機械研磨修整器
TW201538276A (zh) * 2014-04-08 2015-10-16 Kinik Co 非等高度之化學機械研磨修整器
TW201600242A (zh) * 2014-06-18 2016-01-01 Kinik Co 拋光墊修整器
TWI542444B (zh) * 2014-09-11 2016-07-21 China Grinding Wheel Corp A polishing pad dresser with a brush holder
TWI616278B (zh) * 2015-02-16 2018-03-01 China Grinding Wheel Corp 化學機械研磨修整器
US10695872B2 (en) * 2015-03-11 2020-06-30 Lockheed Martin Corporation Heat spreaders fabricated from metal nanoparticles
WO2016210057A1 (en) * 2015-06-25 2016-12-29 3M Innovative Properties Company Vitreous bond abrasive articles and methods of making the same
TWI623382B (zh) * 2015-10-27 2018-05-11 中國砂輪企業股份有限公司 Hybrid chemical mechanical polishing dresser
CN109153106B (zh) * 2016-04-06 2022-05-13 M丘比德技术公司 金刚石复合物cmp垫调节器
JP2018032745A (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 東芝メモリ株式会社 ドレッサー、ドレッサーの製造方法、及び半導体装置の製造方法
WO2018116122A1 (en) * 2016-12-21 2018-06-28 3M Innovative Properties Company Pad conditioner with spacer and wafer planarization system
CN106493639B (zh) * 2016-12-29 2018-01-19 厦门佳品金刚石工业有限公司 一种抛光垫修整器的制造方法和制造设备
TWI621503B (zh) * 2017-05-12 2018-04-21 Kinik Company Ltd. 化學機械研磨拋光墊修整器及其製造方法
US10857651B2 (en) * 2017-11-20 2020-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus of chemical mechanical polishing and operating method thereof
US10974366B2 (en) * 2018-05-24 2021-04-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Conditioning wheel for polishing pads
CN110303438A (zh) * 2019-07-04 2019-10-08 南京固华机电科技有限公司 高强度金刚石熔合超硬切割片的生产方法
US11618126B2 (en) * 2019-08-30 2023-04-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Polishing pad conditioning apparatus
USD1004393S1 (en) * 2021-11-09 2023-11-14 Ehwa Diamond Industrial Co., Ltd. Grinding pad
USD1000928S1 (en) * 2022-06-03 2023-10-10 Beng Youl Cho Polishing pad
KR102804527B1 (ko) * 2022-07-20 2025-05-12 새솔다이아몬드공업 주식회사 패드 컨디셔너
KR102878443B1 (ko) * 2025-04-23 2025-10-31 신한다이아몬드공업 주식회사 Cmp 디스크 재생방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2137329A (en) * 1937-05-11 1938-11-22 Carborundum Co Abrasive article and its manufacture
US2309016A (en) * 1942-02-09 1943-01-19 Norton Co Composite grinding wheel
US2317329A (en) 1942-10-20 1943-04-20 American Cyanamid Co Specimen holder for x-ray analyses
US2451295A (en) * 1944-11-08 1948-10-12 Super Cut Abrasive wheel
US5569062A (en) * 1995-07-03 1996-10-29 Speedfam Corporation Polishing pad conditioning
US5954570A (en) * 1996-05-31 1999-09-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Conditioner for a polishing tool
US5683289A (en) * 1996-06-26 1997-11-04 Texas Instruments Incorporated CMP polishing pad conditioning apparatus
US5782675A (en) * 1996-10-21 1998-07-21 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for refurbishing fixed-abrasive polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US6200190B1 (en) * 1996-12-23 2001-03-13 Thomas K Reynolds Hugging mechanism
US5921856A (en) * 1997-07-10 1999-07-13 Sp3, Inc. CVD diamond coated substrate for polishing pad conditioning head and method for making same
US5941761A (en) * 1997-08-25 1999-08-24 Lsi Logic Corporation Shaping polishing pad to control material removal rate selectively
US5913715A (en) * 1997-08-27 1999-06-22 Lsi Logic Corporation Use of hydrofluoric acid for effective pad conditioning
US5989103A (en) * 1997-09-19 1999-11-23 Applied Materials, Inc. Magnetic carrier head for chemical mechanical polishing
US6051495A (en) * 1997-10-31 2000-04-18 Advanced Micro Devices, Inc. Seasoning of a semiconductor wafer polishing pad to polish tungsten
US6004196A (en) * 1998-02-27 1999-12-21 Micron Technology, Inc. Polishing pad refurbisher for in situ, real-time conditioning and cleaning of a polishing pad used in chemical-mechanical polishing of microelectronic substrates
US6200199B1 (en) * 1998-03-31 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing conditioner

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100693251B1 (ko) * 2005-03-07 2007-03-13 삼성전자주식회사 연마 속도와 연마 패드의 조도를 향상시킬 수 있는 패드 컨디셔너 및 이를 이용하는 화학기계적 연마 장치
US7261621B2 (en) 2005-03-07 2007-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Pad conditioner for chemical mechanical polishing apparatus
KR100847121B1 (ko) * 2006-12-28 2008-07-18 주식회사 실트론 패드 연마용 컨디셔너 및 이를 포함하는 화학 기계적연마장치
KR101147149B1 (ko) * 2009-10-14 2012-05-25 치엔 민 성 폴리싱패드드레서
KR20120035370A (ko) * 2010-10-05 2012-04-16 삼성전자주식회사 패드 컨디셔닝 디스크, 및 프리 컨디셔너 유닛을 포함하는 ｃｍｐ 장치
KR20190045338A (ko) * 2016-09-15 2019-05-02 엔테그리스, 아이엔씨. Cmp 패드 컨디셔닝 조립체
KR20200036135A (ko) * 2018-09-27 2020-04-07 삼성전자주식회사 패드 컨디셔닝 디스크
KR102393576B1 (ko) * 2021-11-05 2022-05-04 주식회사 씨엠케미칼 Cmp 패드 컨디셔너 기판의 재생방법
KR20240157794A (ko) 2023-04-25 2024-11-04 주식회사 브러쉬텍 씨엠피용 패드 컨디셔닝 디스크 및 그 제조방법

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