KR19990056726A - 액정표시소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정층을 사이에 두고 있는 한 쌍의 기판들의 표면에 평행한 방향으로 전압이 인가되는 액정표시소자의 전극구조를 제공하는 것을 목적으로 한다. 액정표시소자의 화소전극(3)과 그에 대응하는 상대전극(4)이 모두 하부기판상에 평면배열을 이룬다. 그리고, 액정분자들은 화소전극(3)과 상대전극(4)에 의해 형성되는 평행전기장에 의해 구동된다. 또한 한 화소내에 R, G, B 각각의 단위화소가 1 개씩 형성되어 있으며, 한 단위화소내의 전극구조와, 그와 인접한 옆의 단위화소영역내의 전극구조는 양 단위화소내에 형성되는 전기장의 방향이 서로 90°를 이루도록 구성되어 있다. 또한, 각 단위화소영역과 인접한 위·아래에 배열된 단위화소내의 화소전극들과 상대전극들은 전압인가시, 양 단위화소영역내에 형성된 전기장의 방향이 서로 90°를 이루도록 형성되어 있다.

Description

액정표시소자

본 발명은 액정층을 사이에 두고 있는 한 쌍의 기판들의 표면에 평행한 방향으로 전압이 인가되는 액정표시소자에 관한 것이며, 보다 구체적으로는, 시야각에 따른 색띰문제를 해결할 수 있는 광시야각 액정표시소자의 전극구조에 관한 것이다.

종래에는, 네마틱 액정 표시 요소를 사용하는 액정표시소자가 시계, 계산기, 등의 숫자 세그먼트 형 디스플레이 장치에 대하여 널리 사용되고 있다. 이러한 액정디스플레이 장치를 구성하는 광투과기판은, 액정에 전압을 인가하는 화소전극을 선택적으로 구동하기 위한 스위칭소자로서 액티브 엘리먼트를 구비하고 있다. 그이외에, 레드(R), 그린(G) 및 블루(B) 색상들의 칼러필터들이 색표시수단으로서 제공된다. 액정표시형태는 액정분자들의 비틀림 각도(twist angles)에 따라, 네마틱 액정 분자들이 90°의 비틀림각도를 갖는 액티브 구동형 비틀림 네마틱(active drive type twisted nematic)(이하, TN이라 한다) 액정 표시 모드와, 네마틱 액정분자들을 90°이상으로 트위스팅함으로써, 광투과율과 액정에 인가되는 전압들사이의 급격한 관계를 이용하는 멀티 드라이브 수퍼 비틀림 네마틱(multiple drive super twisted nematic)(이하, STN이라 한다) 액정표시 모드로 분류된다.

이 2 가지 모드중에서 액티브 드라이브-형 TN액정 표시모드가 종래의 액정표시소자에 가장 널리 응용되고 있다.

액티브 드라이브-형 TN 액정 표시모드는 크게, 한 쌍의 편광판의 편광방향들이 서로 평행하게 되어 있고, 또한 표시(displaying)는 액정에 전압이 인가되지 않은 상태에서 블랙칼러로 행해지는 노멀리 블랙 모드(normally black mode)와; 한 쌍의 편광판의 편광방향들이 서로 수직이고, 표시가 오프-상태에서 화이트 칼러로 행해지는 노멀리 화이트 모드(normally white mode)로 분류된다.

그러나, 액정분자들이 굴절율이방성을 가지며, 기판에 경사진 상태로 배열되기 때문에, 표시된 상(displayed image)의 콘트라스트가 시야각에 따라 변하고, 콘트라스트의 시야각에 대한 의존도가 TN표시모드를 사용하는 액정표시소자에서 높다. 따라서, 이러한 시야각의 협소를 해결하기 위하여, 시야각을 향상시키기 위한 기술중 IPS모드(in-plane switching mode)가 최근에 각광을 받고 있다.

IPS 모드에서의 광투과율(transmittance of light)은 다음 식에 의해 결정된다.

T=Iosin2(2χ)·sin2(π·Δnd/λ)----(1)

여기서, χ는 액정분자의 광축과 편광판의 편광축사이의 각;

Io는 초기 입사광;

Δn은 굴절율의 비등방성;

d는 유효셀간격(액정층의 두께)

λ는 입사광의 파장

κ는 IPS모드의 투과율을 변화시키기 위하여 조절된다.

κ=0 일 때,Δn, d, λ에 무관하게 T=0이다.

κ=0 인 조건에서, 시야각에 따라 Δn 및 d가 변한다면,그 때 블랙상태(T=0)가 변하지 않는다. 더구나, IPS모드에서 Δn의 변화량은 TN모드에서의 변화량보다 작다. 그러므로, T의 시야각의 의존도는 아주 약하다. 따라서, IPS모드를 사용하는 IPS모드를 사용하는 액정표시소자는 광범위한 시야각특성을 갖는다.

이러한 IPS모드를 사용하는 액정표시소자의 셀구조는 다음과 같다.

하부기판의 표면과 상부기판의 표면은 서로 대향하도록 배열되어 있으며, 접착제(sealant)로 서로 결합되어 있다. 네마틱 액정과 같은 액정이 기판부재들 사이에 주입되어 액정층을 형성한다. 예를 들면, 액정층의 두께는 약 4㎛이고, 굴절율이방성은 d·Δn ≒ λ/2의 조건을 만족시키는 0.07이다. 편광판들은 기판들의 다른 표면들상에 부착되어 있다.

또한, IPS모드를 사용하는 액정표시소자에서는 한 화소영역내에 화소전극과 상대전극이 형성되고, 하부기판의 두 전극간에 형성된 평행한 전기장에 의해 액정이 구동된다.

일반적으로, 게이트 금속으로 게이트 버스 라인과 상대전극이 형성되고, 절연층이 증착된 후, 소스-드레인 금속으로 소스 버스 라인과 화소전극이 형성된다. 이렇게 형성된 층위에 일정방향으로 러빙된 낮은 프리틸트각의 배향막이 형성되어 있으며, 상부기판의 칼러필터에 형성된 배향막도 하부기판의 배향막의 러빙방향과 반대방향으로 러빙되어 있다.

이러한 상부기판과 하부기판은 접착제(sealant)에 의해 합착되어 있으며, 상부기판과 하부기판사이에는 유전율이방성이 양 또는 음인 액정이 주입되어 있다. 하부기판의 표면에는 편광판이 부착되어 있으며, 이 편광판의 편광축은 하부기판에 형성된 배향막의 러빙방향과 일치하도록 형성되어 있다. 또한 상부기판의 액정과 대향하는 표면의 반대쪽 표면에는 또 하나의 편광판이 부착되어 있으며, 상부기판의 편광판의 편광축은 하부기판의 편광판의 편광축과 90°가 이루어지도록 형성되어 있다.

상기와 같은 구조의 액정표시소자에서는 전장무인가시, 평행하게 일직선으로 배열된 액정분자들과 상하판의 서로 십자형으로 교차하는 편광판에 의해 광이 차단되어 완전 다크 상태가 되고, 전장인가시, 액정분자들은 이 편광판들의 편광축들과 서로 45°를 이루게 전기장 방향으로 틀어지도록 배열되어 광이 누설되게 된다.

그러나, 도 1 에서 알 수 있는 바와 같이, 종래의 IPS모드의 경우, 시야각의 방향에 따라, 색띰(color shift)이 발생한다. 다시 말하면, 전장인가시, 액정분자들이 특정한 한 쪽 방향으로만 배열됨으로써, 보는 시야각 방향에 따라서 액정분자들의 단축방향에서는 푸른 색을 띠게 되고, 액정의 장축방향에서는 노란색을 띠게 된다.

따라서, 판넬의 품위를 떨어뜨리게 되는 단점이 생긴다.

본 발명은 R, G, B로 이루어진 한 화소에서의 액정의 굴절율 이방성을 보상함으로써, 시야각에 따른 색띰(color shift)의 발생을 방지할 수 있는 광시야각의 액정표시소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1 은 종래의 IPS 모드의 전기장에 따른 액정의 배향상태를 나타내는 개략도.

도 2 는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화소의 전극배열구조를 나타내는 레이아웃트의 도면.

도 3 은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화소의 전극배열구조를 나타내는 레이아웃트의 도면.

도 4 는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 상대전극의 구조를 나타내는 도면.

도 5 는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화소전극의 구조들 나타내는 도면.

도 6 은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시소자에 전기장이 형성될 때, 액정분자들의 배열상태를 설명하기 위한 개략도.

(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)

1: 게이트 버스 라인 2: 데이터 버스 라인

3: 화소 전극 4: 상대전극

P: 화소영역

상기 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 인간의 눈이 단위화소로 조절되는 광을 인식할 만큼 민감하지 못하다는 점에 착안하여, 한 화소내에 존재하는 R, G, 및 B의 단위화소들 각각의 전극구조를 달리 구성하여, 전장인가시, 한 단위화소는 액정분자들의 초기배열상태로부터 오른쪽으로 틀어져서 가로방향으로 배열될 때, 그 단위화소의 옆 및 위·아래의 단위화소들은 액정분자들의 초기상태로부터 왼쪽방향으로 틀어져, 세로방향으로 배열되도록 구성한다. 따라서, 다수개의 화소 측면에서 보면, 액정분자들이 균등하게 가로와 세로방향으로 배열되게 된다.

그러므로, 시야각에 따른 액정의 굴절율이방성이 보상되게 되어 색띰이 발생하지 않는 광시야각의 판넬을 실현할 수 있다.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 액정표시소자의 화소전극과 그에 대응하는 상대전극이 모두 하부기판상에 평면배열을 이룬다. 그리고, 액정분자들은 화소전극과 상대전극에 의해 형성되는 평행전기장에 의해 구동된다. 또한 한 화소내에 R, G, B 각각의 단위화소가 1 개씩 형성되어 있으며, 한 단위화소내의 전극구조와, 그와 인접한 옆의 단위화소영역내의 전극구조는 양 단위화소내에 형성되는 전기장의 방향이 서로 90°다르게 형성되도록 구성되어 있다.

또한, 실시예 1에 의하면, 상기 각 단위화소영역과 인접한 위·아래에 배열된 단위화소내의 화소전극들과 상대전극들은 전압인가시, 양 단위화소영역내에 형성된 전기장의 방향이 서로 90°를 이루도록 형성되어 있다.

한편, 실시예 2에 의하면, 각 단위화소영역 및 그와 인접한 위·아래에 배열된 단위화소영역내의 화소전극들과 상대전극들은 전압인가시, 양 단위화소영역내에 형성된 전기장의 방향이 서로 평행하도록 형성되어 있다.

이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 제 1 실시예를 자세히 설명하도록 한다.

(실시예 1)

도 3 은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시소자의 화소 레이아웃트를 나타낸다.

도 2 는 단일 단위화소영역과 그를 둘러싸는 다수의 단위화소영역들을 보여진다. 완전한 LCD에서, 투명한 하부기판상에는 다수개의 게이트 버스 라인(1)의 행들과 다수개의 데이터 버스 라인(2)의 수직 열들이 매트릭스 형태로 배열되어 있다. 그래서, 각 단위화소영역은 이들 두종류의 라인들(1 및 2)에 의해 둘러싸이는 각 영역들마다 형성된다.

각 단위화소에는 스토리지 캐패시터(Ca), 스위칭소자로서의 박막트랜지스터(TFT), 광 투과 부분, 화소전극(3), 상대전극(4) 및 칼러 필터층(도시되지 않음)이 제공된다.

다수개의 투명한 화소전극(3)은 투명한 하부기판상에 배열되며, 다수개의 단위 화소영역에 각각 대응하도록 배열된다. 다수개의 상대전극(4)은 하부기판의 표면상에 평행한 전기장을 형성하기 위하여 화소전극과 같이, 하부기판상에 배열되며, 각 단위화소영역에 대응하고, 화소전극과 서로 마주하도록 배열되어 있다.

하부기판의 화소전극과 상대전극상에는 각각 배향막이 형성되어 있다.

또한, 상부기판은 칼러필터와 광차단층의 블랙매트릭스를 가지며, 하부기판과 대향하도록 배열되어 있다.

하부기판과 상부기판사이에 액정이 주입되어 있으며, 하부기판의 표면중 액정층과 대향하는 표면의 반대측에는 편광판(polarizer)이 부착되어 있고, 상부기판의 표면중 액정층과 대향하는 표면의 반대측에도 편광판(analyzer)이 부착되어 있다.

한편, 화소영역내에 화소전극과 상대전극의 배열구조를 도2에 의거하여 구체적으로 살펴보면, 한 단위화소영역에서, 상대전극(4)은 화소전극(3)에 대응하는 위치에 화소전극(3)과 서로 마주하도록 배열되어 있으며, R, G, B로 이루어진 한 화소(P)를 보면, 전기장이 데이터 버스 라인과 평행한 방향과 게이트 버스 라인과 평행한 방향으로 번갈아 가면서 형성되도록 배열되는 구조를 취한다. 즉, 도2에서 알 수 있는 바와 같이, 예를 들면, R을 이루는 단위화소영역에는 전기장을 형성하기 위한 상대전극부분(41a 및 41b)은 각각 데이터 버스 라인(21a 및 21b)과 이웃하여 평행하게 배열되어 있으며, 전기장을 형성하기 위한 화소전극부분(31a)도 데이터 버스 라인과 평행한 방향과 평행하게 상대전극부분(41a)과 상대전극부분(41b)사이에 배열되어 있다. 그 결과, R을 이루는 단위화소영역은 전가장 형성영역이 2 영역으로 분획된다. 본 실시예에서는 단위화소영역내의 전기장 형성영역이 2 영역으로 분획되어 있지만, 필요에 따라서, 4 영역, 6 영역등으로 분획할 수 있음은 물론이다. 여기서, 화소전극은 드레인전극으로부터 연장되어 소스전극과 드레인전극과 동일한 금속층으로 형성되는 것이 바람직하다.

그리고, G을 이루는 단위화소영역에는, 전기장을 형성하기 위한 상대전극부분(42a, 42b, 42c, 및 42d)은 각각 게이트 버스 라인의 방향과 평행하게 배열되어 있으며, 상대전극부분(42a, 42b, 42c, 및 42d)과 대응하는 화소전극부분(32a, 32b,및 32c)도 게이트 버스 라인과 평행하게 두 상대전극부분(42a 와 42b, 42b 와 42c, 42c 와 42d)사이에 각각 배열되어 있다. 그 결과, G을 이루는 단위화소영역은 전기장 형성영역이 6 구역으로 분획된다. 본 실시예에서는, 전기장 형성영역이 6 영역으로 분획되어 있지만, 필요에 따라서, 2 영역, 4 영역등으로 전기장 형성영역을 분획할 수 있다. 그리고, B을 이루는 단위화소영역에는 전극배열이 R을 이루는 단위화소의 전극배열과 동일하다. 따라서, 전기장이 가로 세로방향으로 형성되도록 전극들이 배열되는 구조를 취한다.

그리고, 각 단위화소영역의 바로 위·아래, 좌·우의 단위화소영역은 각각, 상기 각 단위화소에서의 전기장의 방향과 90°를 이루는 전기장이 형성될 수 있는 화소전극 및 상대전극의 구조를 이루고 있다. 도 2 에서 G을 이루는 단위화소를 기준으로 볼 때, G를 이루는 단위화소영역의 위·아래의 단위화소영역의 전극배열은 도 2에 보여진 R(=B)를 이루는 단위화소의 전극배열구조와 동일하다.(도 4 및 도 5 참고)

이러한 전극배열구조를 갖는 액정표시소자의 작동에 대하여 살펴보면, 예를 들면 약 1°의 프리틸트각을 갖는 배향막 즉, 수평 배향막에 배향된 액정분자들은, 도 6 에 도시된 바와 같이, 무인가시에는 러빙방향에 따라 액정분자가 배열되어 있다. 각 단위화소내의 화소전극과 상대전극에 전압을 인가하면, 도 6 의 상단 좌측 단위화소영역에서는 게이트 버스 라인과 평행한 방향의 전기장이 형성되어, 액정분자들이 초기 배열로부터 오른쪽으로 틀어져 가로방향으로 배열된다.그리고, 상단 중간측 단위화소는 게이트 버스 라인과 수직인 방향의 전기장이 형성되어,액정분자들이 초기 배열로부터 왼쪽으로 틀어져 세로방향으로 배열된다. 또한 상단 우측 단위화소는 다시 게이트 버스 라인과 평행한 전기장이 형성되어, 액정분자들이 초기 배열로부터 오른쪽으로 틀어져 가로방향으로 배열되게 된다.

그리고, 전극들에 전압을 인가할 때, 각 단위화소영역의 옆, 상·하에 배열된 단위화소영역에서는 이 각 단위화소영역의 전기장의 방향과 90°를 이루는 방향으로 전기장이 형성되게 된다.

따라서, 본 실시예에 의하면, 전극에의 전압인가시, 액정분자들은 단위화소영역마다 번갈아 연속하여 수직배열 및 수평배열을 각각 이루게 됨으로써, 하부기판의 평면상의 모든 방향으로 각각 동일한 수의 액정분자들이 배열된 것과 같은 효과를 나타낸다. 따라서, 액정의 굴절율 이방성을 보상하여, 색띰(color shift)이 발생하지 않는 광시야각 판넬을 실현할 수 있다.

(실시예 2)

실시예 2에서는 실시예 1에서와 동일하게, 게이트 버스 라인과 평행하게 배열된 단위화소영역들은 그 중 어느 하나의 단위화소영역를 기준으로 보았을 때, 그 기준단위화소영역의 바로 옆의 단위화소영역들은 각각, 상기 기준단위화소영역에서의 전기장의 방향과 90°를 이루는 전기장이 형성될 수 있는 화소전극 및 상대전극의 구조를 이루고 있다. 그러나, 데이터 버스 라인과 평행하게 배열된 화소전극과 상대전극들은 도 3 에서 알 수 있는 바와 같이 모두 동일한 전극구조를 나타낸다.

본 실시예의 작동에 대하여 살펴보면, 무인가시에는 실시예1과 동일하게 러빙방향에 따라서 액정분자들이 배열되어 있다. 단위화소영역들의 각각에 전압이 인가되면, 예들 들면 도3에서와 같이, 게이트 버스 라인에 평행한 단위화소들은 각 단위화소는 옆의 단위화소와 90°상이한 전기장이 번갈아 가면서 형성되어, 이에 따라서 각 단위화소영역내의 액정분자들은 그 옆의 단위화소영역들내의 액정분자들과 90°상이한 분자배열을 나타내는 것은 실시예1에서와 동일하다.

그러나, 데이터 버스 라인에 평행한 단위화소영역들은 모두 전극배열구조가 동일하므로 전압인가시 액정분자들은 각각 서로 동일하게 배열된다.

따라서, 본 실시예에 의하면, 실시예1과 유사하게 전압인가시 액정분자들이 게이트 버스 라인을 따라서,수평배열과 수직배열을 교대로 나타내므로, 전체적으로 액정의 굴절율 이방성을 보상할 수 있다. 이 실시예도 실시예1과 동일하게 색띰이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

여기서, 색띰 현상을 최소화하기 위하여는, 액정의 두께는 6㎛ 이하로 하고, 액정의 층 두께(d)와 액정 분자의 굴절율의 이방성(Δn)곱이 0.2내지 0.6㎛가 되도록 한다.

이하, 본 발명의 광시야각 액정표시소자의 제조방법을 설명한다.

하부의 TFT기판위에 게이트 금속으로 게이트 버스 라인과 상대전극을 형성한다. 이 때, 한 단위화소영역의 상대전극과 그의 옆에 형성된 단위화소영역들의 상대전극들은 각각 번갈아 다른 형상의 구조를 나타낸다.(도 4 참고)

그리고 나서, 게이트 절연층을 증착한 후, 패드부를 패터닝한다.

이어서, 절연층과 반도체층을 증착한 후, 에치 스톱퍼를 패터닝하여 형성한다.

N+ a-Si층을 증착한 후, 액티브 층을 형성한다.

소스-드레인 금속으로 소스 버스 라인과 화소전극을 형성한다. 이 때도, 도4에 도시된 바와 같이, 한 단위화소의 화소전극과 그의 오른쪽과 아래에 형성된 단위화소들의 화소전극들은 각각 번갈아 다른 형상의 구조를 나타낸다.

여기서, 상대전극과 화소전극의 배열구조를 살펴보면, 한 단위화소에서 화소전극에 대응하는 위치에 상대전극이 배열되게 되며, R, G, 및 B로 이루어진 한 화소를 보면 전기장이 가로와 세로방향으로 형성되도록 전극들이 배열되는 구조를 취한다. 그리고, 단위화소의 바로 옆과 아래의 화소는 전기장 방향이 90°가 달라지는 구조를 갖는 전극구조를 취한다.

그리고 나서, 그 결과물 상부에 절연층으로 보호층(passivation layer)을 형성한 후, 패터닝하여 패드부분을 오픈시킨다.

상기와 같이 형성된 층위에 낮은 프리틸트(low pretilt)각을 갖는 배향막을 코팅후, 일정방향으로 러빙하고 상부기판의 칼러필터기판도 하부기판의 러빙방향과 안티-평행(anti-parallel)하게 러빙한다.이 때, 러빙방향는 게이트 버스 라인을 기준으로 45°또는 -45°가 되게 한다.

그 후, 4㎛정도의 셀갭제어용 스페이서를 산포하고, 역시 4㎛정도의 유리섬유가 포함된 실링제를 바른 후, 상부기판과 하부기판을 합착하여 4㎛정도의 셀갭을 갖는 판넬을 만든다.

그리고나서, 유전율 이방성이 양 또는 음인 액정을 주입한다. 일반적으로 투과율면에서는 유전율 이방성이 음인 액정이 유리하지만, 현재까지 신뢰성이 확보되어 있고, 큰 양의 유전율 이방 특성으로 인한 구동전압을 낮출 수 있는 장점을 갖는 양의 유전특성의 액정을 초기에 적용하는 것이 유리하다.

이어서, 하부기판의 배면에 편광판의 편광축이 러빙방향과 일치하도록 편광판을 부착하고, 상부기판의 편광판을, 하부기판의 편광축과 90°를 이루도록 교차시켜 부착한다.

본 발명에 의하면, 상기와 같은 구조의 액정표시소자에, 전장무인가상태에서는 평행하게(homogenous) 일직선으로 배열된 액정분자들과 상부·하부기판의 교차배열된 편광판에 의해 광이 차단되어 완전 다크상태가 된다. 그리고, 전장인가시, 액정분자들은 편광판의 편광축과 45°를 이루며, 도 5 에 알 수 있듯이, 전기장방향으로 틀어져 광이 누설되게 된다. 이 때, 본 발명의 구조의 경우, R,G,및 B로 이루어진 한 화소를 볼 때, 전기장이 한 단위화소에서 가로방향으로 형성된 전기장에 의해서 액정분자가 오른쪽으로 틀어져, 그 다음의 단위화소는 세로방향으로 형성된 전기장에 의해 액정분자가 왼쪽으로 틀어진다. 따라서, 결과적으로 한 화소에서 시야각에 따른 굴절율 이방성을 보상하는 구조를 취하여 시야각에 따른 색띰문제를 해결할 수 있다.

Claims (7)

1. 투명한 하부기판;

   상기 하부기판상에 매트릭스 형태로 배열된 다수개의 게이트 버스 라인 및 상기 게이트 버스 라인과 교차하는 다수개의 데이터 버스 라인으로서, 한 쌍의 상기 게이트 버스 라인과 한 쌍의 데이터 버스 라인에 의해서 둘러싸이는 단위화소영역을 각각 한정하는 상기 다수개의 게이트 버스 라인 및 상기 다수개의 데이터 버스 라인;

   상기 다수개의 단위 화소영역에 각각 형성된 다수개의 화소 전극;

   상기 다수개의 단위 화소영역에 각각 형성되며, 상기 화소 전극 각각에 대응되도록 배열된 다수개의 상대전극;

   상기 화소전극과 상기 상대전극의 각각의 상부에 형성된 배향막;

   상기 하부기판과 일정거리를 두고 대향하는 상부기판; 및

   상기 기판들사이에 주입된 액정을 포함하며,

   상기 단위화소영역들중 어느 한 단위화소영역과, 상기 데이터 버스 라인의 방향과 상기 게이트 버스 라인중 적어도 어느 한 방향으로 상기 어느 한 단위화소영역과 인접형성된 단위화소영역에서, 각각의 화소전극들과 상대전극들이, 전압인가시 상기 양 단위화소영역내에 형성되는 전기장의 방향이 서로 90°를 이루는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 단위화소영역들중 어느 한 단위화소영역내부에 배열된 화소전극과 상대전극은 모두 상기 데이터 버스 라인의 방향과 실질적으로 평행하하게 배열되며,

   상기 어느 한 단위화소영역과 데이터 버스 라인의 평행하는방향 또는 수직인 방향중 적어도 어느 한 방향에 인접 위치되는 단위화소영역내의 화소전극과 상대전극은 상기 데이터 버스 라인의 방향과 실질적으로 수직으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 어느 한 단위화소영역내의 화소전극과 상대전극은 단위화소영역내의 전기장 형성영역이 적어도 2 영역으로 분획되도록 형성되고, 상기 어느 한 단위화소영역과 인접하여 형성된 단위화소영역내의 화소전극과 상대전극은 단위화소영역내의 전기장 형성영역이 적어도 2 영역으로 분획되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 배향막들의 러빙방향은 상기 게이트 버스 라인을 기준으로 45±5°또는 -45±5°인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 액정은 그의 유전율 이방성이 양 또는 음인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 액정의 두께는 6㎛이하인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 액정의 층 두께(d) × 굴절율의 이방성(Δn)은 0.2내지 0.6㎛인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.