KR19990056589A - Low pressure vapor deposition equipment with particle ingress prevention device - Google Patents
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Abstract
저압기상증착 설비의 수직형 증착로(furnace)와 수직형 증착로로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급시스템을 용이하게 연결되도록 하는 가요성 스테인레스관에 파티클이 데포(depo)된 후, 데포된 파티클이 가요성 스테인레스관으로부터 분리됨으로써 반응가스와 함께 수직형 증착로로 유입된 파티클에 의한 공정 불량이 발생하는 것을 방지한 파티클 유입 방지 장치를 갖는 LP CVD 설비가 개시되고 있다.Particles are then depoted in a flexible stainless steel tube that facilitates connection between a vertical furnace and a reactive gas supply system for supplying the reactant gas to a vertical deposition furnace. An LP CVD facility is disclosed that has a particle inflow prevention device that prevents process defects caused by particles introduced into a vertical deposition together with a reaction gas by separating from this flexible stainless tube.
본 발명에 의하면, 웨이퍼를 적재한 웨이퍼 보드가 로딩되어 웨이퍼에 증착막을 형성하는 증착로와, 증착로 내부에 일정 압력을 형성시켜주는 압력발생부와, 웨이퍼에 원하는 증착막이 형성되도록 증착로에 반응 가스를 공급하는 반응가스 공급시스템을 포함하며, 반응가스 공급 시스템과 증착로 사이에는 가요성 튜브가 설치되어 있고, 가요성 튜브와 증착로 사이에는 가요성 튜브에서 발생하는 파티클을 필터링하는 가요성 튜브 필터부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, a wafer board on which a wafer is loaded is loaded to form a deposition film on a wafer, a pressure generating portion for forming a predetermined pressure inside the deposition furnace, and a deposition furnace so that a desired deposition film is formed on the wafer. It includes a reaction gas supply system for supplying gas, and a flexible tube is installed between the reaction gas supply system and the deposition furnace, and a flexible tube for filtering particles generated in the flexible tube between the flexible tube and the deposition furnace. The filter unit is formed.
Description
본 발명은 파티클 유입 방지 장치를 갖는 LP CVD 설비(저압기상증착 설비)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저압기상증착 설비의 수직형 증착로(furnace)와 수직형 증착로로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급시스템을 용이하게 연결되도록 하는 가요성 스테인레스관에 파티클이 데포(depo)된 후, 데포된 파티클이 가요성 스테인레스관으로부터 분리됨으로써 반응가스와 함께 수직형 증착로로 유입된 파티클에 의한 공정 불량이 발생하는 것을 방지한 파티클 유입 방지 장치를 갖는 LP CVD 설비에 관한 것이다.The present invention relates to an LP CVD apparatus (low pressure vapor deposition equipment) having a particle inflow prevention apparatus, and more particularly, a reaction for supplying a reaction gas into a vertical furnace and a vertical deposition furnace of a low pressure vapor deposition equipment. Process defects caused by particles introduced into the vertical deposition together with reactant gas after particles are depoted in a flexible stainless steel tube that facilitates the gas supply system to be separated from the flexible stainless steel tube. The present invention relates to an LP CVD facility having a particle inflow prevention device that prevents this from occurring.
일반적으로, LP CVD 장치는 특정의 반응가스들을 일정 온도 및 저압 상태의 증착로(funace)로 투입하면서 적절한 조건을 유지시켜주면 기체상의 반응가스들이 화학반응하여 고체상의 물질이 생성되고, 고체상의 물질이 반도체 제품의 모재료가 되는 실리콘 웨이퍼에 증착되는 공정을 수행한다.In general, the LP CVD apparatus injects certain reaction gases into a certain temperature and a low pressure funnel, and maintains the appropriate conditions. The process of depositing on the silicon wafer used as the mother material of this semiconductor product is performed.
이와 같은 LP CVD 장치는 증착막의 스텝커버레지가 좋으며, 양질의 증착막을 많은 양의 웨이퍼 상에 증착할 수 있어 생산원가가 낮은 공정을 가능케 한다.The LP CVD apparatus has a good step coverage of the deposited film, and can deposit a good quality deposited film on a large amount of wafers, thereby enabling a low production cost process.
도 1, 도 2는 종래 LP CVD 설비를 나타내고 있다.1 and 2 show a conventional LP CVD facility.
종래 LP CVD 설비는 전체적으로 보아 증착로(funace;10)와, 증착로 내부를 저압상태로 만들어주는 저압형성장치인 저압발생부(30)와, 증착로(10)로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급시스템(20)으로 형성되어 있다.Conventional LP CVD equipment is a reactor (funace) 10 as a whole, a low pressure generating unit 30, which is a low pressure forming device that makes the interior of the deposition in a low pressure state, the reaction gas for supplying the reaction gas to the deposition furnace (10) It is formed of a supply system 20.
반응가스 공급시스템(20)은 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부(28)와, 반응가스가 증착로(10)로 유입될 때, 반응가스 속에 함유되어 있는 파티클을 제거하는 가스 필터(21)와, 반응가스의 공급/차단 작용을 수행하는 다수개의 에어밸브(22,24)와, 반응가스의 유량을 조절하는 유량조절부(MFC; Mass Flow Controller;23) 및 반응가스를 증착로(10) 내부로 분사하는 노즐(26)과, 증착로(10)와 반응가스 공급시스템(20)의 분해/조립이 용이하게 하도록 노즐(26)과, 에어밸브(24) 사이에 형성되어 있는 가요성 튜브(flexible tube;25)로 형성되어 있다. 이 가요성 튜브(25)의 내부는 전해연마(electropolishing)처리되어 있지 않다.The reaction gas supply system 20 includes a reaction gas supply unit 28 for supplying a reaction gas, a gas filter 21 for removing particles contained in the reaction gas when the reaction gas flows into the deposition furnace 10, and , A plurality of air valves 22 and 24 for supplying / closing the reaction gas, a mass flow controller 23 for controlling the flow rate of the reaction gas, and the reaction gas into the deposition furnace 10. A flexible tube formed between the nozzle 26 and the air valve 24 to facilitate disassembly / assembly of the nozzle 26 and the deposition furnace 10 and the reaction gas supply system 20 which are injected into the inside. (flexible tube; 25). The inside of this flexible tube 25 is not electropolishing.
또한, 증착로(10)는 직경이 상이한 아웃터 튜브(1)와 인너 튜브(2) 및 인너 튜브(2) 내부에 위치하게되는 웨이퍼 보트(3)와, 아웃터 튜브(1) 및 인너 튜브(2)를 관통하여 반응가스 공급시스템(20)의 노즐(26)을 수용하기 위한 관통공(미도시)으로 형성되어 있다. 또한, 아웃터 튜브(1)에는 반응이 종료된 후 생성된 폐가스와, 미반응 가스가 배기되는 배기구(미도시)가 형성되어 있다.In addition, the deposition furnace 10 includes an outer tube 1 and an inner tube 2 having different diameters, a wafer boat 3 positioned inside the inner tube 2, an outer tube 1, and an inner tube 2. ) And is formed as a through hole (not shown) for accommodating the nozzle 26 of the reaction gas supply system 20. In addition, the outer tube 1 is provided with a waste gas generated after the reaction is completed and an exhaust port (not shown) through which unreacted gas is exhausted.
이 배기구에는 저압발생부(30)가 설치된다.The exhaust port is provided with a low pressure generating section 30.
저압발생부(30)는 증착로(10) 내부의 압력을 강하시키기 위하여 증착로(10)의 배기구와 연결된 배기 튜브(36)와, 배기 튜브(36)와 연결되어 있는 진공펌프(32) 및 진공펌프(32)를 통하여 배기된 미반응 가스, 폐가스를 중화처리하는 중화장치인 스크러버(34)로 구성되어 있다.The low pressure generator 30 includes an exhaust tube 36 connected to an exhaust port of the deposition furnace 10, a vacuum pump 32 connected to the exhaust tube 36, and a pressure drop within the deposition furnace 10. It consists of the scrubber 34 which is a neutralizing apparatus which neutralizes the unreacted gas and waste gas exhausted through the vacuum pump 32. As shown in FIG.
이와 같이 구성된 종래 LP CVD 설비의 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면, 증착로(10)의 내부에 공정이 진행될 웨이퍼가 적재된 웨이퍼 보트(3)가 세팅된 후, 진공 펌프(32)를 통하여 증착로(10) 내부를 일정 저압으로 형성하고, 증착 온도를 세팅한다. 증착로(10) 내부가 원하는 저압 상태 및 공정 온도가 세팅되면 반응가스 공급 시스템(20)은 반응가스 공급부(28)로부터 반응가스를 가스필터(21), 유량조절부(23) 및 가요성 튜브(25)로 공급하고, 가요성 튜브(25)를 통과한 반응가스는 노즐(26)을 통하여 증착로(10) 내부의 인너 튜브(2)로 분사된다.The operation of the conventional LP CVD apparatus configured as described above will be described with reference to the accompanying drawings. After the wafer boat 3 on which the wafer to be processed is loaded is set in the deposition furnace 10, the vacuum pump 32 is turned on. Through the deposition furnace 10 to form a constant low pressure inside, the deposition temperature is set. When the desired low pressure state and the process temperature are set in the deposition furnace 10, the reaction gas supply system 20 transfers the reaction gas from the reaction gas supply unit 28 to the gas filter 21, the flow control unit 23, and the flexible tube. Reaction gas passed through the flexible tube 25 is injected into the inner tube 2 inside the deposition furnace 10 through the nozzle 26.
인너튜브(2)로 분사된 반응가스에는 화학반응이 일어나게 되어 기체상에서 고체상으로 상변화하고, 상변화의 산물로 발생된 고체는 웨이퍼 보트(3)에 적재되어 있는 웨이퍼에 증착된다.The reaction gas injected into the inner tube 2 undergoes a chemical reaction to change the phase from the gas phase to the solid phase, and the solid generated as the product of the phase change is deposited on the wafer loaded on the wafer boat 3.
이후, 반응하지 않은 미반응가스와, 반응 후 생성된 폐가스는 인너 튜브(2)와 아웃터 튜브(1)의 사이공간으로 이동된 후, 진공 펌프(32)를 통하여 스크러버(34)로 배기된다.Thereafter, the unreacted gas that has not reacted and the waste gas generated after the reaction are moved to the space between the inner tube 2 and the outer tube 1, and then exhausted to the scrubber 34 through the vacuum pump 32.
그러나, 종래 LP CVD 설비는 다음의 문제점을 갖고 있었다.However, the conventional LP CVD equipment had the following problems.
반응가스 공급부로부터 공급된 반응가스는 유량조절부를 거친 후, 가요성 튜브를 거치고 최종적으로 노즐을 통하여 증착로로 유입되는데, 가요성 튜브는 필연적으로 굴곡진 부분이 발생하게 되므로 이 굴곡진 부분에는 반응가스에 의한 얇은 증착막의 데포(depo)가 매우 쉽게 발생하게 되고, 데포된 증착막은 외부의 작은 충격에도 가요성 튜브로부터 이탈되어 반응가스와 함께 증착로로 유입되어 파티클에 의한 공정 불량을 유발한다.The reaction gas supplied from the reaction gas supply part passes through the flow control part, passes through the flexible tube, and finally flows into the deposition furnace through the nozzle, and the flexible tube inevitably generates a curved part, and thus reacts to the curved part. Depo of the thin deposited film due to the gas is very easily generated, and the deposited film is separated from the flexible tube even by a small impact from the outside and flows into the deposition together with the reaction gas, causing process defects due to particles.
이와 같은 이유로 가요성 튜브를 정기적으로 분리하여 케미컬에 의한 에칭 방식으로 가요성 튜브의 내측면에 데포된 증착막을 제거하는데, 여기서도 여러 가지 문제가 발생하고 있다.For this reason, the flexible tube is periodically separated to remove the deposited film deposited on the inner surface of the flexible tube by an etching method using a chemical. Here, various problems are generated.
가장 큰 문제로는 가요성 튜브에 증착된 증착막을 케미컬에 의하여 에칭한 후, 케미컬을 초순수로 세정한 후, 초순수를 다시 제거하기 위하여 질소가스와 같은 불활성 가스를 장시간 가요성 튜브에 불어넣어 초순수를 제거하므로 초순수 제거 시간이 길고, 질소에 의하여 초순수를 제거한 후에도 미량의 초순수가 남아 있다 반응가스와 함께 증착로로 유입되어 다시 공정불량을 유발시키는 문제점이 있다.The biggest problem is that the deposited film deposited on the flexible tube is etched by the chemical, and then the chemical is cleaned with ultrapure water, and then inert gas such as nitrogen gas is blown into the flexible tube for a long time to remove the ultrapure water again. Since the removal time is long, the ultrapure water removal time is long, even after the ultrapure water is removed by nitrogen, a small amount of ultrapure water remains.
따라서, 본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 감안하여 안출된 것으로써, 본 발명 파티클 유입 방지 장치를 갖는 LP CVD 설비는 파티클을 다량 발생시키는 가요성 튜브를 사용하고, 가요성 튜브로부터 발생한 파티클을 다시 필터링하기 위하여 가요성 튜브와 증착로 사이에 최종적으로 파티클을 필터링하는 필터를 추가하여 가요성 튜브로부터 발생한 파티클이 증착로로 유입되는 것을 방지함에 있다.Accordingly, the present invention has been devised in view of such a conventional problem, and the LP CVD apparatus having the particle inflow prevention apparatus of the present invention uses a flexible tube that generates a large amount of particles, and regenerates particles generated from the flexible tube. In order to filter, a filter for finally filtering particles is added between the flexible tube and the deposition furnace to prevent particles generated from the flexible tube from entering the deposition.
도 1은 종래 LP CVD 설비를 도시한 개념도.1 is a conceptual diagram showing a conventional LP CVD facility.
도 2는 종래 LP CVD 설비를 도시한 블록도.Figure 2 is a block diagram showing a conventional LP CVD facility.
도 3은 본 발명에 의한 파티클 유입 방지 장치를 갖는 LP CVD 설비를 도시한 개념도.3 is a conceptual diagram illustrating an LP CVD apparatus having a particle inflow prevention apparatus according to the present invention.
도 4는 본 발명에 의한 LP CVD 설비를 도시한 블록도4 is a block diagram showing an LP CVD facility according to the present invention.
이와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 파티클 유입 방지 장치를 갖는 LP CVD 설비는 웨이퍼를 적재한 웨이퍼 보트가 로딩되어 상기 웨이퍼에 증착막을 형성하는 증착로와, 증착로 내부에 일정 압력을 형성시켜주는 압력발생부와, 웨이퍼에 원하는 증착막이 형성되도록 증착로에 반응 가스를 공급하는 반응가스 공급시스템을 포함하며, 반응가스 공급 시스템과 증착로 사이에는 가요성 튜브가 설치되어 있고, 가요성 튜브와 증착로 사이에는 가요성 튜브에서 발생하는 파티클을 필터링하는 가요성 튜브 필터부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.LP CVD equipment having a particle inflow prevention apparatus for achieving the object of the present invention is a deposition furnace to load a wafer boat loaded with a wafer to form a deposition film on the wafer, and to form a predetermined pressure inside the deposition furnace And a pressure gas generation unit and a reaction gas supply system for supplying a reaction gas to the deposition furnace so that a desired deposition film is formed on the wafer, and a flexible tube is installed between the reaction gas supply system and the deposition furnace, and the flexible tube and the deposition furnace. Between the furnace is characterized in that the flexible tube filter portion for filtering the particles generated in the flexible tube is formed.
이하, 본 발명 파티클 유입 방지 장치를 갖는 LP CVD 설비를 첨부된 도 3, 도 4를 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, an LP CVD apparatus having an apparatus for preventing particle inflow of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4.
본 발명 파티클 유입 방지 장치를 갖는 LP CVD 설비는 전체적으로 보아 웨이퍼에 증착을 진행하는 증착로(110)와, 증착로(110)에 반응가스를 공급하는 반응가스 공급 시스템(120)과, 증착로(110)를 저압으로 만들어 줌과 동시에 증착로에서 생성된 폐가스 및 미반응 가스를 배기하는 저압발생부(130)와, 반응가스 공급 시스템(120)에 형성되어 있는 가요성 튜브에 의하여 발생하는 파티클이 증착로(110)로 유입되는 것을 방지하는 파티클 유입 방지부로 구성되어 있다.LP CVD apparatus having a particle inflow prevention apparatus of the present invention is a deposition furnace 110 for performing deposition on a wafer as a whole, a reaction gas supply system 120 for supplying a reaction gas to the deposition furnace 110, and the deposition furnace ( Particles generated by the flexible tube formed in the low pressure generating unit 130 and the reaction gas supply system 120 to make the low pressure 110 and exhaust the waste gas and unreacted gas generated in the deposition furnace It is composed of a particle inflow prevention unit to prevent the flow into the deposition furnace (110).
이들을 보다 상세하게 설명하면, 증착로(110)는 종형 형상을 갖는 아웃터 튜브(111)와, 아웃터 튜브(111)에 비하여 직경이 작음으로써 아웃터 튜브(111)에 넣어지는 인너 튜브(112)와, 아웃터 튜브(111) 및 인너 튜브(112)를 지지하는 플랜지(114)로 형성되어 있다.To describe these in more detail, the vapor deposition furnace 110 includes an outer tube 111 having a vertical shape, an inner tube 112 that is inserted into the outer tube 111 because the diameter is smaller than that of the outer tube 111, and It is formed by the flange 114 which supports the outer tube 111 and the inner tube 112. As shown in FIG.
인너 튜브(112)의 내측으로는 다수매의 웨이퍼를 적재하고 있는 웨이퍼 보트(113)가 로딩되어 있다.The inner side of the inner tube 112 is loaded with a wafer boat 113 carrying a plurality of wafers.
한편, 인너 튜브(112)에는 반응가스 공급 시스템(120)이 연결되어 있고, 아웃터 튜브(111)에는 저압발생부(130)가 연결되어 있다.Meanwhile, a reaction gas supply system 120 is connected to the inner tube 112, and a low pressure generation unit 130 is connected to the outer tube 111.
반응가스 공급 시스템(120)에는 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부(128)가 연통되어 있다.The reaction gas supply unit 128 that connects the reaction gas is in communication with the reaction gas supply system 120.
이 반응가스 공급부(128)는 반응가스 공급부(128)로부터 공급된 반응가스가 함유하고 있는 파티클을 필터링하기 위한 제 1 필터(121)와 연결배관(129)에 의하여 연결되어 있다.The reaction gas supply unit 128 is connected to the first filter 121 and the connection pipe 129 for filtering particles contained in the reaction gas supplied from the reaction gas supply unit 128.
제 1 필터(121)에서 파티클이 필터링된 반응가스는 유량조절부(MFC;123) 및 다수개의 에어 밸브(122,124)를 통과하면서 공정에 필요한 반응가스의 양이 조절된다.The amount of the reaction gas required for the process is controlled while the reaction gas filtered by the particles in the first filter 121 passes through the flow rate control unit MFC 123 and the plurality of air valves 122 and 124.
이 에어 밸브(124)는 가요성 튜브(125)와 연통되어 있다.This air valve 124 is in communication with the flexible tube 125.
이 가요성 튜브(125)의 내측면에는 전해 연마(electropolishing) 처리가 되어 있지 않으며, 가요성 튜브(125)에는 많은 주름이 형성되어 있어 자유롭게 튜브를 구부리거나 펼 수 있도록 형성되어 있어 특히 조립/분해 작업을 용이하게 한다.The inner surface of the flexible tube 125 is not subjected to electropolishing, and the flexible tube 125 is formed so that many wrinkles are formed so that the tube can be bent or unfolded freely. To facilitate the work.
그러나 이 가요성 튜브(125)는 조립/분해작업은 용이하게 하지만 가요성 튜브(125)의 주름부분에 주로 증착된 박막 형상의 증착막은 가요성 튜브(125)에 아주 미세한 충격이 가해지더라도 쉽게 가요성 튜브(125)의 내측면으로부터 분리되어 가요성 튜브(125)로부터 발생한 파티클이 곧바로 증착로(110)의 인너튜브(112)로 유입된다.However, the flexible tube 125 is easy to assemble / disassemble, but the thin film-type deposited film mainly deposited on the pleats of the flexible tube 125 is easy even if a very small impact is applied to the flexible tube 125. Particles generated from the flexible tube 125 separated from the inner surface of the castle tube 125 are immediately introduced into the inner tube 112 of the deposition furnace 110.
한편, 가요성 튜브(125)의 단부에는 가요성 튜브(125)로부터 발생한 파티클을 필터링하기 위한 파티클 유입 방지 장치인 제 2 필터(126)가 형성되어 있다.On the other hand, at the end of the flexible tube 125, a second filter 126, which is a particle inflow prevention device for filtering particles generated from the flexible tube 125 is formed.
가요성 튜브(125)에 의하여 발생한 파티클을 포함하는 반응가스를 다시 필터링하는 파티클 유입 방지 장치인 제 2 필터(126)에는 반응가스를 인너튜브(112)로 분사하기 위한 노즐(127)이 형성되어 있다.A nozzle 127 for injecting the reaction gas into the inner tube 112 is formed in the second filter 126, which is a particle inflow prevention device for filtering the reaction gas including the particles generated by the flexible tube 125 again. have.
노즐(127)은 다시 아웃터 튜브(111) 및 인너튜브(112)에 형성된 관통공을 통하여 삽입된 후, 인너튜브(112)에 반응가스를 분사하도록 형성되어 있다.The nozzle 127 is inserted through the through-holes formed in the outer tube 111 and the inner tube 112 again, and then is formed to inject the reaction gas into the inner tube 112.
아웃터 튜브(111)와 연통되어 있는 저압발생부(130)는 아웃터 튜브(111)와 연통되어 아웃터 튜브(111) 내부를 저압으로 만들어 주는 진공펌프(132)와, 진공펌프(132)로부터 펌핑된 미반응 가스 및 폐가스를 중화처리하는 스크러버(134)로 구성되어 있다.The low pressure generating unit 130 in communication with the outer tube 111 is in communication with the outer tube 111 to make the inside of the outer tube 111 at a low pressure, and pumped from the vacuum pump 132 It consists of the scrubber 134 which neutralizes unreacted gas and waste gas.
이와 같이 구성된 본 발명 파티클 유입 방지 장치를 갖는 LP CVD 설비의 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, the operation of the LP CVD equipment having the present invention, the particle inflow prevention device configured as described above is as follows.
먼저, 증착로(110)내의 온도가 공정 온도로 세팅되고, 저압발생부(130)의 진공펌프(132)에 의하여 증착로(110) 내부의 압력이 세팅되면, 반응가스 공급 시스템(120)의 반응가스 공급부(128)에서는 증착로(110)로 반응가스를 보낸다.First, when the temperature in the deposition furnace 110 is set to a process temperature and the pressure in the deposition furnace 110 is set by the vacuum pump 132 of the low pressure generating unit 130, the reaction gas supply system 120 may be The reaction gas supply unit 128 sends the reaction gas to the deposition furnace 110.
이후, 반응가스 공급부(128)로부터 공급되는 반응가스는 제 1 필터(121)를 통과한 후, 유량 제어부(123)를 통과하면서 공정 조건에 맞는 반응가스 유량이 설정되고, 공정 조건에 맞는 유량으로 설정된 반응가스는 다시 가요성 튜브(125)를 통과하게 된다.Subsequently, the reaction gas supplied from the reaction gas supply unit 128 passes through the first filter 121 and then passes through the flow rate control unit 123 to set the reaction gas flow rate corresponding to the process conditions, and to adjust the flow rate according to the process conditions. The set reaction gas passes through the flexible tube 125 again.
이때, 가요성 튜브(125)에는 가요성 튜브(125) 특유의 주름이 형성되어 있기 때문에 가요성 튜브(125)의 내부를 전해연마 처리하지 않더라도 반응가스에 의한 증착막이 형성된다.At this time, the flexible tube 125 is formed with wrinkles peculiar to the flexible tube 125, so that even if the inside of the flexible tube 125 is not electropolished, a deposition film by a reaction gas is formed.
이와 같이 가요성 튜브(125)에 의하여 생성된 증착막은 가요성 튜브(125)가 조그마한 충격을 받더라도 충격에 의하여 파티클을 발생시키고 가요성 튜브(125)에서 발생된 파티클과 반응가스는 혼재된 상태로 제 2 필터(126)로 유입된다.As described above, the deposited film generated by the flexible tube 125 generates particles by the impact even when the flexible tube 125 is subjected to a small impact, and the particles and the reactant gas generated in the flexible tube 125 are mixed. Flows into the second filter 126.
이때, 혼재된 파티클-반응가스중 파티클은 제 2 필터(126)에 의하여 필터링되고 반응가스만이 증착로(110)로 유입되어 증착로(110)는 파티클에 의한 오염을 최소화할 수 있다.At this time, the particles of the mixed particle-reaction gas are filtered by the second filter 126 and only the reaction gas is introduced into the deposition furnace 110 so that the deposition furnace 110 may minimize contamination by the particles.
이상에서 상세하게 설명한 바와 같이, 가요성 튜브의 주름 부분에서 발생한 파티클이 증착로의 내부로 유입되어 증착로에 위치한 웨이퍼에 피착됨으로써 발생하는 공정 불량을 가요성 튜브와 증착로 입구 사이에 또하나의 필터를 형성하여 사전에 방지하여 수율 저하, 공정 불량 등을 예방하는 효과가 있다.As described in detail above, another process defect between the flexible tube and the deposition furnace inlet is caused by a process defect caused by particles generated in the pleated portion of the flexible tube being introduced into the deposition furnace and deposited on the wafer located in the deposition furnace. By forming a filter to prevent in advance, there is an effect of preventing the yield, process defects, and the like.
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| KR1019970076587A KR19990056589A (en) | 1997-12-29 | 1997-12-29 | Low pressure vapor deposition equipment with particle ingress prevention device |
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| KR1019970076587A KR19990056589A (en) | 1997-12-29 | 1997-12-29 | Low pressure vapor deposition equipment with particle ingress prevention device |
Publications (1)
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|---|---|
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Family
ID=66172616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019970076587A Withdrawn KR19990056589A (en) | 1997-12-29 | 1997-12-29 | Low pressure vapor deposition equipment with particle ingress prevention device |
Country Status (1)
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-
1997
- 1997-12-29 KR KR1019970076587A patent/KR19990056589A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19971229 |
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| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |