[go: up one dir, main page]

KR19990029447A - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR19990029447A
KR19990029447A KR1019980036059A KR19980036059A KR19990029447A KR 19990029447 A KR19990029447 A KR 19990029447A KR 1019980036059 A KR1019980036059 A KR 1019980036059A KR 19980036059 A KR19980036059 A KR 19980036059A KR 19990029447 A KR19990029447 A KR 19990029447A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carrier tape
resin
semiconductor chip
frame portion
resin frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019980036059A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100304680B1 (ko
Inventor
노부오 야마시따
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR19990029447A publication Critical patent/KR19990029447A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100304680B1 publication Critical patent/KR100304680B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

반도체 칩이 상부에 탑재된 캐리어 테이프를 가지는 반도체 장치에 있어서, 반도체 칩이 수지로 밀봉되고, 수지 프레임 부분이 캐리어 테이프의 외주부에 형성된다. 이에 의해, 캐리어 테이프의 반송 동안 캐리어 테이프가 캐리어 테이프의 형태를 일정하게 유지하면서 반송되게 된다.

Description

반도체 장치 및 그 제조 방법
본 발명은 캐리어 테이프와 같은, 약한 강도를 갖는 기판을 사용하는 반도체 장치, 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
칩 사이즈 패키지 (chip size package ; CSP) 와 같은, 캐리어 테이프 기판을 사용하는 반도체 장치에서는, 일반적으로, 반도체 칩이 공지의 트랜스퍼(transfer) 방식을 사용해서 수지로 밀봉된다.
종래의 반도체 장치에서는, 얇은 두께를 갖는 캐리어 테이프가 캐리어 테이프 기판으로서 사용된다. 따라서, 그 반도체 장치는 필연적으로 약한 강도를 가지게 된다. 또한, 반도체 칩을 밀봉하는 수지가 비교적 무겁기 때문에, 캐리어 테이프를 수평 방향으로 유지하는 것이 어렵다.
따라서, 캐리어 테이프를 취급할 때에는 매우 주의해야 한다. 또, 핀셋이 사용되는 경우에도, 캐리어 테이프를 부주의하게 취급함으로서, 제품 낙하 또는 손상에 기인한 불량이 발생하게 된다.
한편, 캐리어 테이프가, 핀셋을 사용하지 않고, 흡착 (absorption) 또는 클램프 (clamp) 에 의해 자동적으로 반송될 때에도, 수지 및 캐리어 테이프 사이의 계면 (interface) 에서 박리 (peeling) 가 일어난다. 이는 흡착이 불충분할 뿐만 아니라, 균형이 불안정해지기 때문이다.
더욱이, 제품이 클램프 (clamp) 될 때, 캐리어 테이프의 형태를 일정하게 유지한 상태로 캐리어 테이프를 반송하기가 어렵다. 이는 캐리어 테이프의 변형, 및 수지와 캐리어 테이프 사이의 계면에서의 박리의 원인이 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 제품의 성능을 안정적으로 유지할 수 있는 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 생산성이 우수한 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 반도체 장치는 반도체 칩이 탑재되는 캐리어 테이프를 가지고 있다. 이 경우, 반도체 칩을 보호하기 위해 수지 부분이 반도체 칩을 밀봉하거나 덮는다.
또한, 수지 프레임 부분이 캐리어 테이프의 외주부에 위치된다. 여기서, 수지 프레임 부분은 캐리어 테이프의 반송 동안 캐리어 테이프의 모양을 일정하게 유지할 수 있도록 위치된다. 이 경우, 수지 프레임 부분이 수지 부분보다 더 두꺼운 것이 바람직하다.
좀 더 자세히 설명하면, 수지 프레임 부분은 이미 설명한 바와 같이, 캐리어 테이프의 외주부에 위치된다. 그 결과, 제품의 강도가 크게 향상되게 된다.
또한, 수지 프레임 부분은 수지 부분의 형성과 동시에 캐리어 테이프의 외주부에 형성된다. 여기서, 수지 프레임 부분은 수지 부분과 같은 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 이와 같이, 생산성이 크게 향상된다.
따라서, 캐리어 테이프의 변형에 의해 유발되는, 수지와 캐리어 테이프 사이의 계면에서의 박리가 효과적으로 감소되거나 제거될 수 있다.
또한, 수지 밀봉 후, 반송 작업이 크게 향상된다. 따라서, 제조 수율 또는 생산성이 향상 가능하다.
또한, 수지 프레임 부분의 두께는 반도체 칩을 밀봉하는 수지 부분의 두께보다 더 두껍다. 이에 의해, 수지 밀봉 후 제품을 반송하는 동안에, 제품이 효과적으로 보호될 수 있다.
도 1a 내지 도 1e 는 종래의 반도체 장치 제조 방법을 나타낸 도면.
도 2a 내지 도 2f 는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도.
도 3a 는 도 2a 내지 도 2f 의 제조 방법에 의해 제조된 반도체 장치의 평면도.
도 3b 는 도 2a 내지 도 2f 의 제조 방법에 의해 제조된 반도체 장치의 단면도.
도 4a 내지 도 4f 는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도.
도 5a 는 도 4a 내지 도 4f 의 제조 방법에 의해 제조된 반도체 장치의 평면도.
도 5b 는 도 4a 내지 도 4f 의 제조 방법에 의해 제조된 반도체 장치의 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
a : 하부 다이 (lower die) j : 플런저 (plunger)
b : 상부 다이 (upper die) k : 흡착 헤드 (absorption head)
c : 반도체 칩 l : 수지
d : 캐리어 테이프 (carrier tape) m : 수지 프레임 (단면)
e : 게이트 (gate) n : 수지 프레임 (양면)
f : 녹아웃 핀 (knock-out pin) o : 러너 홈 (runner groove)
g : 주입 핀 (injection pin) p : 컬 (cull)
h : 서브 러너 (sub-runner) α : 수지 두께
i : 공동 (cavity) β, β´, β˝ : 수지 프레임 두께
먼저, 본 발명의 보다 나은 이해를 위하여, 도 1a 내지 도 1e 를 참조하여, 종래의 반도체 장치의 제조 방법을 설명한다. 그 제조 방법은 본 명세서의 서두에서 언급된 종래의 제조 방법과 동일하다.
도 1a 에 도시된 바와 같이, 캐리어 테이프 (4) 가 하부 다이 (die ; l) 에 세트된다. 예를 들어, 캐리어 테이프 (4) 는 약 50 μm 의 두께를 갖는다. 이 경우, 반도체 칩 (10) (도 1a 에서는 2 개의 칩) 이 캐리어 테이프 (4) 상에 위치된다.
계속해서, 도 1b 에 도시된 바와 같이, 수지 밀봉으로 패키지 형태를 형성하기 위해 중간 다이 (2) 및 상부 다이 (3) 가 캐리어 테이프 (4) 상에 세트된다.
이 경우, 중간 다이 (2) 는 반도체 칩 (10) 을 덮는 공동 (cavity ; 7) 을 갖는다. 또한, 상부 다이 (3) 는 게이트 (5) 를 통해 공동 (7) 과 연결되는 러너 (runner ; 6) 를 갖는다. 다이 세팅이 완료된 후, 열경화성 수지가 가열되며, 점도가 낮아질 때 수지에 압력이 가해진다.
그 후, 도 1c 에 도시된 바와 같이, 수지 (8) 가 러너 (6) 로부터 게이트 (5) 를 통과하여, 공동 (7) 이 채워지게 된다.
수지 (8) 가 공동 (7) 에 채워진 후, 수지 (8) 는 경화 공정에 따라서 경화된다. 여기서, 도 1c 의 참조 번호 11 는 컬 (cull) 을 지시한다는 것에 주의해야 한다.
다음으로, 도 1d 에 도시된 바와 같이, 상부 다이 (3) 가 중간 다이 (2) 로부터 분리되며, 지그 (zig) (9) 가 중간 다이 (2) 상에 세트된다. 계속해서, 중간 다이 (2) 의 제품이 지그 (9) 를 사용해서 제거된다.
이와 같이, 도 1e 에 도시된 바와 같이, 캐리어 테이프 (4) 상에 반도체 칩 (10) 을 갖는 제품이 제조되었다. 이 경우, 도 1e 에 도시된 바와 같이,각각의 반도체 칩 (10) 은 수지로 밀봉된다.
종래의 반도체 장치에서는, 캐리어 테이프 (4) 가 얇은 두께를 갖는다. 그 결과, 캐리어 테이프 (4) 에 의해 형성된 반도체 장치는 필연적으로 약한 강도를 갖게 된다. 또한, 각 반도체 칩 (10) 을 밀봉하는 수지 (8) 가 비교적 무겁기 때문에, 캐리어 테이프 (4) 를 수평 방향으로 유지하는 것이 어렵다.
따라서, 캐리어 테이프 (4) 를 취급할 때에는 매우 주의해야 한다. 한편, 캐리어 테이프 (4) 가 흡착 또는 클램프에 의해 자동적으로 반송되는 경우에도, 수지 (8) 와 캐리어 테이프 (4) 사이의 계면에서 박리가 일어난다. 이는 흡착이 불충분할 뿐만 아니라, 균형이 불안정해지기 때문이다.
더욱이, 제품이 클램프될 때, 캐리어 테이프 (4) 의 형태를 일정하게 유지한 상태로 캐리어 테이프 (4) 를 반송하는 것이 어렵다. 이는 캐리어 테이프 (4) 의 변형, 및 수지 (8) 와 캐리어 테이프 (4) 사이의 계면에서의 박리를 유발시키게 된다.
이상 언급된 문제점들을 고려하여, 본 발명은 제품의 성능을 안정적으로 유지할 수 있으면서도 생산성이 우수한 반도체 장치를 제공한다.
( 제 1 실시예 )
도 2a 내지 도 2f, 및 도 3a 내지 도 3b 를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법에 대해 설명한다.
도 2a 에 도시된 바와 같이, 반도체 칩 (c) (도 2a 에서는 2 개의 칩) 이 캐리어 테이프 (d) 에 위치된다. 캐리어 테이프 (d) 는 반도체 칩 (c) 이 하방으로 향하는 상태에서 하부 다이 (a) 에 배치된다. 이 경우, 다음의 수지 프레임 부분 (m) 을 형성하기 위해 러너 그루브 (runner groove) (o) 가 하부 다이 (a) 의 캐리어 테이프 (d) 의 외주부에 배치된다. 이 경우, 공동 (i) 및 게이트 (e) 에 연결된 서브-러너(sub-runner ; h) 는 러너 그루브 (o) 로부터 분기된다.
또한, 복수의 녹아웃 (knock-out) 핀 (f) 이 하부 다이 (a) 의 반도체 칩 (c) 에 대응하는 위치에 형성된 복수의 관통부에 삽입된다. 이 경우, 녹아웃 핀 (f) 은 수직 방향으로 이동할 수 있도록 관통부에 삽입된다.
도 2b 에 도시된 바와 같이, 반도체 칩 (c) 이 상부에 탑재된 캐리어 테이프 (d) 가 상부 다이 (b) 와 하부 다이 (a) 사이에 삽입된다.
계속해서, 도 2c 에 도시된 바와 같이, 플런저 (plunger) (j) 를 사용해서 용융 상태의 수지 (l) 에 압력이 가해진다. 이에 따라, 수지 (l) 가 러너 그루브(o) 로 주입된다. 러너 그루브(o) 가 수지 (l) 로 채워진 후, 수지 (l) 는 서브-러너 (h) 로 흐르기 시작한다.
그 후, 수지 (l) 가 게이트 (e) 및 공동 (i) 에 주입된다. 공동 (i) 이 수지 (l) 로 채워지면, 수지 (l) 주입이 완료된다.
이 경우, 수지 프레임 부분 (m) 이 캐리어 테이프 (d) 의 외주부에 위치된다. 따라서, 공동 (i) 의 공기 배출 효율은 종래 패키지 부분의 코너에 위치된 공기 벤트 (bent) (도시되지 않음) 가 사용되는 경우에도 낮아지게 된다. 따라서, 이 밀봉된 다이는 공지의 가스 제거 몰딩법을 사용해서 다이 a 와 b 사이의 그루브내의 공기를 흡입하는 메카니즘 (도시되지 않음) 을 갖는다.
계속해서, 도 2d 에 도시된 바와 같이, 수지 충진 작업이 완료된 후, 밀봉된 다이 (a 및 b) 는, 수지 (l) 의 경화 공정에 따른 몰딩 기간 후에 개방된다.
좀 더 자세히 설명하면, 먼저 상부 다이 (b) 가, 하부 다이 (a) 로부터 분리된다. 그 다음, 패키지 부분 및 수지 프레임 부분 (m) 은, 패키지 부분 및 수지 프레임 부분 (m) 또는 컬 부분 (p) 이 복수 위치에서 흡착 헤드 (absorption head) 를 사용하여 유지된 상태에서, 녹아웃 핀 (f) 을 사용하여 하부 다이 (a) 로부터 균일하게 분리된다. 이 작업은 모든 제품의 휨과 변형을 줄이기 위해 행해진다. 이와 같이, 한 사이클의 몰딩이 완료된다.
다음으로, 도 2e 에 도시된 바와 같이, 컬 부분 (p) 이 제품의 수지 프레임 부분 (m) 및 흡착 헤드 (k) 를 클램핑함으로서 분리된다.
그 후, 도 2f 에 도시된 바와 같이, 최종 제품이 하우징 측 (도시되지 않음) 으로 반송된다.
반도체 장치 부분과 다른 종류의 수지를 사용해서 수지 프레임 부분 (m) 을 형성하는 것도 가능하다. 그러나, 같은 종류의 수지를 사용하는 것이 생산성면에서 유리하다. 이 경우, 수지 가격이 비싸면, 수지 프레임 부분 (m) 에 대해서 저렴한 수지를 사용하는 것이 바람직할 수도 있다.
한편, 도 3b 에 도시된 바와 같이, 러너 (o) 의 깊이 (β) (즉, 수지 프레임 부분 (m) ) 는, 수지 (l) 로 밀봉한 후 제품을 반송하는 동안 그 제품을 보호하기 위하여, 반도체 칩 (c) 을 밀봉하는 수지 (l) 의 두께 (α) 보다 더 깊거나 더 두껍다.
( 제 2 실시예 )
계속해서, 도 4a 내지 도 4f, 및 도 5a 내지 도 5b 를 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법에 대해 설명한다.
도 4a 에 도시된 바와 같이, 반도체 칩 (c) 이 캐리어 테이프 (d) 에 위치된다. 캐리어 테이프 (d) 는 반도체 칩 (c) 이 하방으로 향한 상태에서 하부 다이 (a) 에 배치된다. 이 경우, 다음의 수지 프레임 부분 (n) 을 형성하기 위해 러너 그루브(o) 가 하부 다이 (a) 의 캐리어 테이프 (d) 의 외주부에 배치된다. 이 경우, 공동 (i) 및 게이트 (e) 에 연결된 서브-러너 (h) 는 러너 그루브(o) 로부터 분기된다.
또한, 복수의 녹아웃 핀 (f) 이 하부 다이 (a) 의 반도체 칩 (c) 에 대응하는 위치에 형성된 복수의 관통부에 삽입된다. 이 경우, 녹아웃 핀 (f) 은 수직 방향으로 이동할 수 있도록 관통부에 삽입된다.
도 4b 에 도시된 바와 같이, 반도체 칩 (c) 이 탑재된 캐리어 테이프 (d) 는 상부 다이 (b) 와 하부 다이 (a) 사이에 삽입된다.
이 경우, 수지 프레임 부분 (n) 을 형성하기 위해 러너 그루브(o) 가 상부 다이 (b) 의 캐리어 테이프 (d) 의 외주부에 또한 위치된다. 즉, 러너 (o) 는 캐리어 테이프 (d) 의 내부 및 외부로부터 캐리어 테이프 (d) 를 삽입할 수 있도록 배치된다.
또한, 복수의 주입 핀 (g) 이 상부 다이 (b) 의, 러너 (o) 에 대응되는 위치에 형성된, 복수의 관통부에 삽입된다. 이 경우, 주입 핀 (g) 은 수직 방향으로 이동할 수 있도록 관통부에 삽입된다.
계속해서, 도 4c 에 도시된 바와 같이, 플런저 (j) 를 사용해서 용융 상태의 수지 (l) 에 압력이 가해진다. 그럼으로서, 수지 (l) 가 러너 그루브 (o) 로 주입된다. 러너 그루브 (o) 가 수지 (l) 로 채워진 후, 수지 (l) 가 서브-러너 (h) 로 흐르기 시작한다.
그 후, 수지 (l) 가 게이트 (e) 및 공동 (i) 에 주입된다. 공동 (i) 이 수지 (l) 로 채워지면, 수지 (l) 주입이 완료된다.
이 경우, 수지 프레임 부분 (n) 이 캐리어 테이프 (d) 의 외주부에 위치된다. 따라서, 공동 (i) 의 공기 배출 효율은, 종래 패키지 부분의 코너에 위치된 공기 벤트 (도시되지 않음) 가 사용되는 경우에도 낮아지게 된다. 따라서, 이 밀봉된 다이는 공지의 가스 제거 몰딩법을 사용해서 다이 (a 및 b) 사이의 그루브 내의 공기를 흡입하는 메카니즘 (도시되지 않음) 을 갖는다.
계속해서, 도 4d 에 도시된 바와 같이, 수지 충진 작업이 완료된 후, 밀봉된 다이는, 수지 (l) 의 경화 공정에 따른 몰딩 기간 후에 개방된다.
좀 더 자세히 설명하면, 상부 다이 (b) 가 주입 핀 (g) 을 사용하여 분리된다. 다음으로, 패키지 부분 및 수지 프레임 부분 (n) 은, 패키지 부분 및 수지 프레임 (n) 또는 컬 부분 (p) 이 복수 위치에서 있는 흡착 헤드를 사용하여 유지한 상태에서, 녹아웃 핀 (f) 을 사용하여 하부 다이 (a) 로부터 균일하게 분리된다. 이러한 작업은 모든 제품의 휨과 변형을 줄이기 위해 행해진다. 이와 같이, 1 사이클의 몰딩이 완료된다.
다음으로, 도 4e 에 도시된 바와 같이, 컬 부분 (p) 이 제품의 제품 홀딩(holding) 부분에 의해 흡착 헤드 (k) 및 수지 프레임 부분 (n) 을 클램핑함으로서 분리된다.
그 후, 도 4f 에 도시된 바와 같이, 최종 제품이 하우징 측 (도시되지 않음) 으로 반송된다.
여기서, 반도체 장치 부분과 다른 종류의 수지를 사용하여 수지 프레임 부분 (n) 을 형성하는 것도 가능하다. 그러나, 같은 종류의 수지를 사용하는 것이 생산성 면에서 유리하다. 이 경우, 수지 (l) 가격이 비싼 경우, 수지 프레임 부분 (n) 에 대해서 저렴한 수지 (l) 를 사용하는 것이 바람직할 수도 있다.
도 5b 에 도시된 바와 같이, 칩이 탑재된 면에서 러너 (o) (즉, 수지 프레임 부분 (n) ) 의 두께 (β´) 는, 수지 (l) 로 밀봉한 후 제품을 반송하는 동안 제품을 보호하기 위해서, 반도체 칩 (c) 을 밀봉 또는 덮는 수지 (l) 의 두께 (α) 보다 더 깊거나 더 두껍다.
또한, 수지 프레임 부분 (n) 도, 수지 프레임 부분 (n) 의 휨을 줄이기 위해, 어떠한 반도체 칩 (c) 이 캐리어 테이프 (d) 에 탑재되지 않은 반대면에 형성될 수 있다. 여기서, 수지 프레임 부분 (n) 의 깊이 (β˝) 도, 또한 반도체 칩 (c) 을 밀봉하거나 덮기 위해 수지 (l) 의 두께 (α) 보다 더 깊거나 두꺼우며, 수지 공정에 따라 변할 수 있다.
본 발명에 따르면, 캐리어 테이프 상에 탑재된 반도체 칩을 보호하기 위해, 반도체 칩을 수지로 밀봉한 반도체 장치에 있어서, 캐리어 테이프의 외주부에 반송용의 수지 프레임 부분을 형성함으로서, 제품의 강도가 크게 향상된다. 또한, 이 수지 프레임 부분을 수지로 밀봉할 때, 수지 부분과 동일한 수지로 동시에 형성함으로서, 생산성이 크게 향상된다.
결과적으로, 캐리어 테이프의 변형에 의해 유발되는, 수지 및 캐리어 테이프 사이의 계면에서의 박리가 효과적으로 감소 또는 제거될 수 있으며, 또한 수지 프레임 부분의 두께가 반도체 칩을 밀봉하는 수지 부분의 두께보다 더 두꺼우므로, 수지 밀봉 후 제품을 반송하는 동안 제품을 효과적으로 보호할 수 있다.

Claims (18)

  1. 반도체 칩이 상부에 탑재돤 캐리어 테이프를 갖는 반도체 장치에 있어서,
    상기 반도체 칩을 밀봉하는 수지 부분,
    상기 캐리어 테이프의 외주부에 위치된 수지 프레임 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은, 상기 캐리어 테이프의 반송동안에 상기 캐리어 테이프의 형태를 일정하게 유지할 수 있도록 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 칩은 상기 캐리어 테이프의 일 면 상에 탑재되고,
    상기 수지 프레임 부분은 오직 한 면에만 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은 상기 한 면의 반대면 상에도 또한 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은 상기 수지 부분보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 반도체 칩이 상부에 탑재된 캐리어 테이프를 갖는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 반도체 칩을 밀봉하는 수지 부분을 형성하는 단계; 및
    상기 수지 부분의 형성과 동시에, 상기 캐리어 테이프의 외주부 상에 수지 프레임 부분을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은 상기 수지 부분과 같은 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은, 상기 캐리어 테이프의 반송동안에 상기 캐리어 테이프의 형태를 일정하게 유지할 수 있도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은, 상기 캐리어 테이프를 반송하는 동안에 상기 캐리어 테이프를 보호할 수 있도록, 상기 수지 부분보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 반도체 장치가 형상화된 캐리어 테이프 부재의 제조 방법에 있어서,
    반도체 칩이 상부에 탑재된 초기 캐리어 테이프를 준비하는 단계 ;
    상기 반도체 칩이 하방을 향한 상태에서, 상기 초기 캐리어 테이프를 하부 다이 상에 세트하되, 상기 하부 다이는 상기 반도체 칩에 대응하는 제 1 위치에서 공동을 갖고, 그리고 상기 초기 캐리어 테이프의 외주부에 대응하는 제 2 위치에서 러너 그루브를 가지는 단계 ;
    상부 다이를 상기 초기 캐리어 테이프 상에 세트하여, 상기 초기 캐리어 테이프가 상기 상부 다이 및 상기 하부 다이 사이에 샌드위치되는 단계 ;
    공동 및 러너 그루브를 수지로 채우는 단계 ; 및
    상기 상부 다이 및 상기 하부 다이를 제거하여, 상기 반도체 칩이 수지로 밀봉되고 러너 그루브에 대응하는 수지 프레임 부분이 상기 캐리어 테이프의 한면의 외주부 상에 위치되는, 상기 캐리어 테이프 부재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 테이프 부재의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은 상기 반도체 칩을 밀봉하는 수지와 같은 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 캐리어 테이프 부재의 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은, 상기 캐리어 테이프 부재의 반송동안에 상기 캐리어 테이프 부재의 형태를 일정하게 유지할 수 있도록 위치되는 것을 특징으로 하는 캐리어 테이프 부재의 제조 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은, 상기 캐리어 테이프 부재의 반송동안에 상기 캐리어 테이프 부재를 보호할 수 있도록, 상기 수지 부분보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 캐리어 테이프 부재의 제조 방법.
  14. 반도체 장치가 형상화된 캐리어 테이프 부재의 제조 방법에 있어서,
    반도체 칩이 상부에 탑재된 초기 캐리어 테이프를 준비하는 단계 ;
    상기 반도체 칩이 하방을 향한 상태에서, 상기 초기 캐리어 테이프를 하부 다이 상에 세트하되, 상기 하부 다이는 상기 반도체 칩에 대응하는 제 1 위치에서 공동을 갖고, 그리고 상기 초기 캐리어 테이프의 외주부에 대응하는 제 2 위치에서 제 1 러너 그루브를 가지는 단계 ;
    상부 다이를 상기 초기 캐리어 테이프 상에 세트하여, 상기 초기 캐리어 테이프가 상기 상부 다이 및 상기 하부 다이 사이에 샌드위치되는 단계로, 상기 상부 다이는 외주부에서 제 2 러너 그루브를 가지는 단계 ;
    공동, 및 제 1 및 제 2 러너 그루브를 수지로 채우는 단계 ; 및
    상기 상부 다이 및 상기 하부 다이를 제거하여, 상기 반도체 칩이 수지로 밀봉되고 제 1 및 제 2 러너 그루브에 대응하는 수지 프레임 부분이 상기 캐리어 테이프의 양쪽 면의 외주부에 형성된 상기 캐리어 테이프 부재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 테이프 부재의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은 상기 반도체 칩을 밀봉하는 수지와 같은 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 캐리어 테이프 부재의 제조 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은, 상기 캐리어 테이프 부재의 반송동안에 상기 캐리어 테이프 요소의 모양을 일정하게 유지할 수 있도록 위치되는 것을 특징으로 하는 캐리어 테이프 부재의 제조 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 수지 프레임 부분은, 상기 캐리어 테이프 부재의 반송동안에 상기 캐리어 테이프 부재를 보호할 수 있도록, 상기 수지 부분보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 캐리어 테이프 부재의 제조 방법.
  18. 캐리어 테이프, 상기 캐리어 테이프 상의 반도체 칩, 상기 반도체 칩 상에 덮혀진 수지 부분, 및 상기 수지 부분 주위의 수지 프레임 부분을 구비하는 반도체 장치 제조에 사용하기 위한 다이로서,
    상기 반도체 칩에 대응되며 리세스되어 공동이 형성된 중간 부분,
    상기 공동을 둘러싸며 리세스되어 러너 그루브가 형성된 외주부를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이.
KR1019980036059A 1997-09-04 1998-09-02 반도체장치및그제조방법 Expired - Fee Related KR100304680B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9239945A JP3061121B2 (ja) 1997-09-04 1997-09-04 半導体装置およびその製造方法
JP97-239945 1997-09-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990029447A true KR19990029447A (ko) 1999-04-26
KR100304680B1 KR100304680B1 (ko) 2001-11-02

Family

ID=17052168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980036059A Expired - Fee Related KR100304680B1 (ko) 1997-09-04 1998-09-02 반도체장치및그제조방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP3061121B2 (ko)
KR (1) KR100304680B1 (ko)
CN (1) CN1211071A (ko)
TW (1) TW388972B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6734571B2 (en) 2001-01-23 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Semiconductor assembly encapsulation mold
JP3791501B2 (ja) 2003-02-26 2006-06-28 セイコーエプソン株式会社 回路基板、半導体装置、半導体製造装置、回路基板の製造方法および半導体装置の製造方法
WO2012002446A1 (ja) * 2010-07-02 2012-01-05 独立行政法人産業技術総合研究所 微小機械システム
JP6468455B1 (ja) * 2017-10-13 2019-02-13 第一精工株式会社 樹脂封止金型及び樹脂封止方法
DE102020201665A1 (de) * 2020-02-11 2021-08-12 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Mold-Vorrichtung

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0870082A (ja) * 1994-06-21 1996-03-12 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにリードフレーム
JPH10116861A (ja) * 1996-10-09 1998-05-06 Texas Instr Japan Ltd キャリアテープ、及びキャリアテープ製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100304680B1 (ko) 2001-11-02
CN1211071A (zh) 1999-03-17
JP3061121B2 (ja) 2000-07-10
JPH1187433A (ja) 1999-03-30
TW388972B (en) 2000-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7681308B2 (en) Fabrication method of semiconductor integrated circuit device
JPH0590319A (ja) 半導体デバイスを封止する方法および装置
US20020017738A1 (en) Resin sealing method and resin sealing apparatus
JP6217998B1 (ja) 樹脂封止用金型、一次成形金型、二次成形金型及び樹脂成形品の製造方法
JP2002036270A (ja) 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP3456983B2 (ja) リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法
KR100304680B1 (ko) 반도체장치및그제조방법
US5672550A (en) Method of encapsulating semiconductor devices using a lead frame with resin tablets arranged on lead frame
JP3139981B2 (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
US5071612A (en) Method for sealingly molding semiconductor electronic components
JP2002506287A (ja) 成形型部品、成形型およびキャリア上に配設された電子部品を封止する方法
US7211215B1 (en) Mould, encapsulating device and method of encapsulation
JPH065645A (ja) 半導体素子の樹脂成形方法
JPS609131A (ja) 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置
CN100353512C (zh) 防止翘曲的封装结构及其制造方法
JPH10109330A (ja) モールド装置およびゲート切断方法ならびに半導体集積回路装置の製造方法
JP3092568B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置製造金型
JPH06177191A (ja) 樹脂モールド装置
JP2002170909A (ja) 半導体集合基板樹脂封止体、その製造方法及び製造装置
KR100456082B1 (ko) 반도체패키지의제조방법
JPS60111432A (ja) 半導体装置用樹脂封止金型
JP4035240B2 (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
KR100206945B1 (ko) 버틈 리드 패키지의 제조방법
JP3499269B2 (ja) カバーフレームと樹脂封止方法
JPH0994834A (ja) 樹脂成形装置およびそれを用いて製造した半導体集積回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20040725

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20040725

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000