KR19990020125A

KR19990020125A - Wafer chucking device for magnetoresistive head manufacturing

Info

Publication number: KR19990020125A
Application number: KR1019970043573A
Authority: KR
Inventors: 윤승훈
Original assignee: 이형도; 삼성전기 주식회사
Priority date: 1997-08-30
Filing date: 1997-08-30
Publication date: 1999-03-25

Abstract

본 발명은 자기저항 헤드(Magneto Resistive Head)를 제조하기 위한 웨이퍼(Wafer)의 척킹 장치에 대한 것으로 발명의 주된 목적은 스텝퍼로 웨이퍼를 옮기기 위한 척킹장치에 냉각장치를 마련하므로서 웨이퍼의 높은 온도에 구애받지 않고 즉시 공정을 진행하여 생산성을 향상시키면서 불량이 발생되지 않도록 하는데 있는 것이다.The present invention relates to a chucking device for a wafer for manufacturing a magneto resistive head. The main object of the present invention is to provide a cooling device in a chucking device for transferring a wafer to a stepper, thereby maintaining a high temperature of the wafer. The process is to immediately proceed without receiving to improve productivity while preventing defects.

이를 위한 특징적인 수단은 자기 저항 헤드를 제조하기 위한 알틱(AlTiC)재질의 웨이퍼를 옮기기 위한 척에 있어서, 상기한 웨이퍼의 온도 감지를 위해 상기한 척의 저면에 매설한 온도 감지 수단과, 상기한 웨이퍼의 냉각을 위해 가스를 분사할 수 있도록 그 일측에 설치한 가스 분사 수단과, 상기한 온도 감지 수단에서 감지된 온도를 비교한 후, 가스 분사 수단의 작동을 지시하는 콘트롤 수단을 구비하는데 있다.Characteristic means for this is a chuck for transferring an AlTiC material wafer for manufacturing a magnetoresistive head, the temperature sensing means embedded in the bottom of the chuck for sensing the temperature of the wafer, the wafer It is provided with a control means for instructing the operation of the gas injection means after comparing the gas injection means installed on one side so that the gas can be injected for cooling the temperature sensed by the temperature sensing means.

Description

Wafer chucking device for magnetoresistive head manufacturing

본 발명은 자기저항 헤드(Magneto Resistive Head)를 제조하기 위한 웨이퍼(Wafer)의 척킹 장치에 대한 것으로 웨이퍼의 온도를 낮추어 줄 수 있도록 냉각장치를 구비한 것이다.The present invention relates to a chucking device of a wafer for manufacturing a magneto resistive head, and includes a cooling device to lower the temperature of the wafer.

일반적으로 자기 저항 헤드를 제조 하기 위해서는 알틱(AlTiC)합금재로 웨이퍼(3)를 형성한 후, 이 웨이퍼의 표면에 스텝퍼(Stepper)로 패턴 가공등을 한 후, 구획 절단하여 헤드로 성형하며, 이와 같은 공정을 진행하기 위해서는 상기 웨이퍼의 척킹 장치가 필요하다.Generally, in order to manufacture a magnetoresistive head, a wafer 3 is formed of AlTiC alloy material, pattern processing is performed on the surface of the wafer with a stepper, and then cut into sections to form a head. In order to proceed with such a process, a chucking device for the wafer is required.

그리고 웨이퍼는 열에 의한 변형이 매우 심한 물체이기 때문에 열팽창 계수를 고려할 때 시편 온도 1℃ 변화에 의한 수축률은 100mm를 기준으로 약 0.8㎛의 확장(또는 축소)를 유발하게 되어 열팽창된 상태에서는 가공 공정을 그대로 진행할 수 없게 된다.In addition, since the wafer is a very deformable object due to heat, the shrinkage rate due to the change of the specimen temperature of 1 ° C causes an expansion (or shrinkage) of about 0.8 μm based on 100 mm in consideration of the coefficient of thermal expansion. You will not be able to proceed.

그러나 종래와 같은 일반적인 스텝퍼는 열팽창에 따른 변화를 인식하여 작동하지 않을 뿐만 아니라 웨이퍼의 온도를 직접적으로 조절하는 경우가 없기 때문에 불량이 발생하게 된다.However, the conventional stepper not only does not operate by recognizing a change due to thermal expansion, but also causes a defect because the temperature of the wafer is not directly controlled.

따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안하는 것으로 발명의 주된 목적은 스텝퍼로 웨이퍼를 옮기기 위한 척킹장치에 냉각장치를 마련하므로서 웨이퍼의 높은 온도에 구애받지 않고 즉시 공정을 진행하여 생산성을 향상시키면서 불량이 발생되지 않도록 하는데 있는 것이다.Therefore, the present invention proposes to solve the conventional problems as described above. The main object of the present invention is to provide a cooling device in the chucking device for transferring the wafer to the stepper, so that the process is performed immediately regardless of the high temperature of the wafer and thus productivity is achieved. It is to prevent the occurrence of defects while improving the.

도 1은 종래의 척킹 장치를 보인 개략도,1 is a schematic view showing a conventional chucking device,

도 2는 본 발명의 척킹 장치를 보인 개략도,2 is a schematic view showing a chucking device of the present invention;

도 3은 본 발명의 척킹 장치를 보인 저면도,3 is a bottom view showing the chucking device of the present invention,

도 4는 본 발명의 실시를 위한 진행 설명도.4 is an explanatory diagram for carrying out the present invention.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

1 : 테이블 2 : 척1: Table 2: Chuck

3 : 웨이퍼 4 : 온도 감지 수단3: wafer 4: temperature sensing means

5 : 가스 분사 수단 6 : 콘트롤 수단5 gas injection means 6 control means

이하 본 발명의 구성 및 작동을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the present invention will be described in detail.

도2는 본 발명의 개략적인 구성을 보인 것으로 작업 테이블(1)의 상부에 원판형의 척(2)이 있고, 이 척(2)에는 웨이퍼(3)를 부착하여 옮길 수 있다.Fig. 2 shows a schematic configuration of the present invention, in which a disk-shaped chuck 2 is placed on the work table 1, and the chuck 2 can be attached and moved.

본 발명에서는 상기한 척(2)의 저면에 온도를 감지 할 수 있는 온도 감지 수단(4) 즉, 센서가 매설되어 있으며, 이 온도 감지 수단(4)은 다른 위치에 마련된 콘트롤 수단(6)에 연결되어 있다.In the present invention, a temperature sensing means 4, that is, a sensor, is embedded in the bottom of the chuck 2, and the temperature sensing means 4 is provided in a control means 6 provided at another position. It is connected.

또한 상기한 척(2)의 일측편에는 웨이퍼(3)를 냉각 시키기 위해 질소가스 등을 분사시킬 수 있는 가스 분사 수단(5)이 설치되어 있으며, 이 가스 분사 수단(5)은 역시 콘트롤 수단(6)에 연결되어 있다.In addition, one side of the chuck 2 is provided with gas injecting means 5 capable of injecting nitrogen gas or the like to cool the wafer 3, and this gas injecting means 5 is also a control means ( 6) is connected.

도면중 미설명 부호 7은 가스 분사용 컴프레서, 8은 가스 저장 탱크이다.In the figure, reference numeral 7 denotes a gas injection compressor, and 8 denotes a gas storage tank.

본 발명의 작동 상태를 보면 도4에서 보는 바와 같이 척(2)이 웨이퍼(3)를 척킹하였을 때 척(2)의 저면에 매설된 온도 감지 수단(4)은 즉시 웨이퍼(3)의 온도를 감지하게 되고, 감지된 정보는 콘트롤 수단(6)에 전달 된다.As shown in FIG. 4, when the chuck 2 chucks the wafer 3, the temperature sensing means 4 embedded in the bottom of the chuck 2 immediately adjusts the temperature of the wafer 3. The sensed information is transmitted to the control means 6.

콘트롤 수단(6)에서는 감지된 온도와 적정 기준 온도를 비교하여 웨이퍼(3)의 온도가 높다고 판단되면 즉시 가스 분사 수단(5)을 작동시켜 웨이퍼(3)에 가스를 분사시킨다.In the control means 6, when the temperature of the wafer 3 is determined to be high by comparing the sensed temperature with a proper reference temperature, the gas injection means 5 is immediately activated to inject gas into the wafer 3.

가스가 분사되므로 해서 웨이퍼(3)의 온도가 적당히 하강되면 이때도 온도 감지 수단(4)이 감지하여 콘트롤 수단으로 전달하며, 콘트롤 수단(6)은 가스 분사 수단(5)의 작동을 중지 시킨다.When the temperature of the wafer 3 is appropriately lowered due to the gas being injected, the temperature sensing means 4 senses and transfers the control means to the control means, and the control means 6 stops the operation of the gas blowing means 5.

이와 같이 하여 웨이퍼(3)의 온도가 적절한 온도로 냉각되면 다음 공정을 즉시 실행할 수 있게 되는 것이다.In this way, when the temperature of the wafer 3 is cooled to an appropriate temperature, the next process can be executed immediately.

위에서 자세히 설명한 바와 같은 본 발명은 웨이퍼용 척에 냉각 장치를 설치하였기 때문에 열팽창 계수가 큰 알틱(AlTiC)합금재의 웨이퍼(3)로 자기 저항 헤드를 제조함에 있어서, 그 제조 공정중 온도 변화로 인한 불량 생산이 근본적으로 해결되는 것이고, 온도가 냉각되기를 기다리지 않고 계속 생산 공정을 진행시킬 수 있기 때문에 생산성이 크게 향상되는 것이다.In the present invention as described in detail above, in the manufacture of the magnetoresistive head with the wafer 3 of Altic (AlTiC) alloy material having a large coefficient of thermal expansion because the cooling device is installed in the wafer chuck, the defect due to the temperature change during the manufacturing process. Production is fundamentally solved and productivity is greatly improved because the production process can continue without waiting for the temperature to cool.

Claims

In the chuck 2 for transferring a wafer made of AlTiC material for manufacturing a magnetoresistive head,

Temperature sensing means 4 embedded in the bottom of the chuck 2 for sensing the temperature of the wafer 3;

A gas injection means 5 provided on one side of the wafer 3 so as to inject gas for cooling the wafer 3;

And a control means (6) for instructing the operation of the gas injection means (5) after comparing the temperatures sensed by the temperature sensing means.