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KR19980081191A - 도전성 페이스트 및 그 제조방법과 그것을 이용한 프린트 배선기판 - Google Patents

도전성 페이스트 및 그 제조방법과 그것을 이용한 프린트 배선기판 Download PDF

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KR19980081191A
KR19980081191A KR1019980012392A KR19980012392A KR19980081191A KR 19980081191 A KR19980081191 A KR 19980081191A KR 1019980012392 A KR1019980012392 A KR 1019980012392A KR 19980012392 A KR19980012392 A KR 19980012392A KR 19980081191 A KR19980081191 A KR 19980081191A
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KR
South Korea
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conductive paste
acid
chelating agent
metal
complex
Prior art date
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Application number
KR1019980012392A
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English (en)
Inventor
다케자와히로아키
이타가키미네히로
벳쇼요시히로
Original Assignee
모리시다요이치
마쯔시다덴키산교가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 모리시다요이치, 마쯔시다덴키산교가부시키가이샤 filed Critical 모리시다요이치
Publication of KR19980081191A publication Critical patent/KR19980081191A/ko
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Abstract

본 발명은 종래의 귀금속을 이용한 도전성 입자의 문제점을 고려하여 재료 가격이 낮고, 또 접속 신뢰성, 절연 신뢰성이 높은 도전성 페이스트 및 그 제조방법과 그것을 이용한 프린트 배선 기판을 제공하기 위한 것으로, 도전성 페이스트는 금속입자 표면이 두께 10nm 미만의 동일 금속의 착체(complex)로 피복되고, 상기 금속입자 상에 자연 산화막이 존재하지 않는 도전성 입자와 절연성 수지를 주성분으로 하는 바인더로 구성된다.

Description

도전성 페이스트 및 그 제조방법과 그것을 이용한 프린트 배선기판
본 발명은 프린트 배선기판과 전자부품의 전기적 접속이나 프린트 배선기판의 비어홀(via hole)에 이용되는 도전성 페이스트에 관한 것이다.
최근, 환경문제에 대한 의식이 높아짐에 따라 일렉트로닉스 실장 분야에서는 납땜시 납을 사용하는 것을 규제하는 경향이 있다. 따라서 납을 이용하지 않는 접합 기술의 개발이 시급해지고 있다.
현행의 공정(共晶) 납땜과 동일한 성능을 갖는 납 성분이 없는 현재, 도전성 페이스트에 기대가 모아지고 있다.
종래의 도전성 페이스트는 일반적으로 절연성 수지 성분 중에 도전성 입자를 분산시키고, 전극의 접속 후에 수지를 경화시켜, 입자들의 상호 접촉에 의해 접속부에서의 도전성을 확보하는 것이다.
그러나 종래의 도전성 페이스트는 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째로, 도전성 입자로서 은, 금 팔라듐 등의 귀금속이 이용되었기 때문에 재료 가격이 높다는 문제점이 있었다. 귀금속을 이용하는 이유는 구리, 철 등의 비금속(base metal)으로는 금속 표면에 생성되는 절연성 자연 산화막이 시간의 경과와 함께 성장하고, 그에 따라 접속 저항이 상승하기 때문이다.
둘째로, 도전성 입자로서 사용되는 은 등의 표면에 금속이 노출되기 때문에, 접속 후 고온 또는 고습도 조건하에 방치한 경우, 인접 전극 사이에서 마이그레이션이 발생하여 절연 불량이 될 경우가 있었다.
따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 귀금속을 이용한 도전성 입자의 문제점을 고려하여 재료 가격이 낮고, 또 접속 신뢰성, 절연 신뢰성이 높은 도전성 페이스트 및 그 제조방법과 그것을 이용한 프린트 배선 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에서의 도전성 입자의 모식도
도 2는 본 발명의 도전성 입자의 작용을 설명하기 위한 모식도
도 3은 본 발명에서의 절연저항 시험용 기판을 도시한 도면
도 4는 본 발명에서의 접속저항 시험방법을 도시한 도면
도 5는 본 발명의 다층 프린트 배선기판을 도시한 단면도
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1, 3 : 비금속 입자 2, 5 : 착체
4 : 접속부분 6 : 글래스 에폭시 기재
7 : 구리 빗살형 패턴 8 : 랜드부
11 : 세라믹 기재 12, 13 : 구리 전극(금도금)
14 : 도전성 페이스트 15 : QFP
16, 17 : 리드 18 : 다층 프린트 배선기판
19 : 적층기재 20 : 구리 박(copper foil)
21 : 비어홀 컨덕터
본 발명의 도전성 페이스트는 구리, 철, 니켈, 아연, 주석 등의 비금속 입자의 표면이 자연 산화막이 아니라, 그 금속의 매우 얇은 박막의 착체(complex)로 피복된 도전성 입자와 절연성 수지를 주성분으로 하는 바인더로 구성되는 것이다.
또, 본 발명의 도전성 페이스트의 제조방법은 킬레이트화제를 함유하는 용액에 금속 입자를 침지하고 건조하여 얻어진 도전성 입자를 절연성 수지를 주성분으로 하는 바인더와 혼련(混鍊)하는 것이다.
또. 본 발명의 프린트 배선 기판은 상술한 본 발명의 도전성 페이스트를 비어홀 충전용 도전 페이스트를 이용하여 제작한 배선 기판이다.
상술한 목적 및 기타의 목적과 본 발명의 특징 및 이점은 첨부 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통해 보다 분명해 질 것이다.
( 발명의 실시예 )
이하, 본 발명을 그 실시예를 도시하는 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명의 도전성 페이스트는 비금속 입자 표면이 동일 금속의 착체로 피복되어 있고, 착체의 두께가 10nm 미만인, 예를 들면 착체가 단분자형상으로 정렬되어 있는 도전성 입자와, 절연성 수지를 주성분으로 하는 바인더로 구성되는 것을 특징으로 하고, 이 착체는 물에 불용성인 것이 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트를 형성하기 위해 본 발명의 도전성 페이스트의 제조방법은, 철, 구리, 니켈, 아연, 주석 등의 비금속 입자를 킬레이트화제로 구성되는 용액에 침지하고, 용제를 가열 제거함으로써 획득한 도전성 입자를 절연성 수지를 주성분으로 하는 바인더와 혼련하는 것을 특징으로 한다.
킬레이트화제로서는 적어도 철, 구리, 니켈, 아연, 주석 등의 비금속의 산화물을 용해하고, 이들의 금속과 착체를 형성하는 성질을 갖는 것이 필요하다.
또, 킬레이트화제는 물에 불용성인 착체를 형성하는 것이 바람직하다. 이 조건을 만족하는 킬레이트화제로서는 수산(oxalic acid), 호박산(succinic acid), 안트라닐산(anthranilic acid), 갈로탄산(gallotannic acid), 퀴날딘산(quinaldi- nic acid), 퀴놀린-8-카본산(quinoline-8-carboxylic acid), 티오요소(thiourea), 피로갈롤(pyrogallol), 페닐 플루오론(phenyl fluorone), 4-클로로-3-메틸-5-니트로벤젠 술폰산 및 로다민 B 중 적어도 1종이 적합하게 이용된다.
킬레이트화제는 또한 승화성을 갖는 것이 바람직하다. 이들 조건을 만족하는 킬레이트화제로서는 수산, 안트라닐산 및 퀴놀린-8-카본산 중 적어도 1종이 이용된다.
또, 본 발명의 프린트 배선기판은 본 발명의 도전성 페이스트를 비어홀 충전용 도체 페이스트로서 이용한 것이다.
상기와 같이 본 발명의 도전성 페이스트는 비금속 입자의 표면이 자연 산화막이 아니고, 동일한 금속의 착체로 단분자 형상으로 피복된 도전성 입자와, 절연성 수지를 주성분으로 하는 바인더로 구성된다. 도 1에 본 발명의 도전성 입자의 모식도를 도시한다. 비금속 입자(1)의 표면에 존재하는 착체(2)의 존재에 의해 도전성 입자의 금속 표면에 산소가 진입할 수 없고, 절연성의 자연 산화막의 생성 및 성장이 저해된다. 따라서, 본 발명의 도전성 페이스트로 전자부품들을 접속한 경우, 입자 금속이 구리, 철, 니켈, 아연 주석 등의 비금속임에도 불구하고, 시간이 경과하여도 접속 저항이 상승하지 않는다.
이 착체는 자연 산화막과 마찬가지로 절연성이지만, 단분자 형상으로 금속 표면에 정렬되어 있으므로, 매우 얇고 또 금속과의 밀착성이 그다지 좋지 않다. 따라서 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 도전성 입자들이 집결된 경우, 비금속 입자(3)들의 상호 접촉에 의해 접촉부분(4)의 착체만이 박리되고, 입자들의 전기적 접속이 확보된다. 접촉부분 이외는 착체(5)가 잔존하여 내산화성이 확보된다. 여기에서 착체가 10nm 미만의 매우 얇은 두께이어도, 입자들의 접촉에 의해 도통이 확보되어 접속 저항에는 영향을 주지 않는다.
또, 이 착체가 물에 불용성인 경우, 실장후, 고온·고습도 조건하에서 방치하여도, 이온을 방출하지 않고 마이그레이션에 의한 절연 불량을 일으키지 않기 때문에 바람직하다.
다음으로, 본 발명의 도전성 페이스트의 제조방법은 구리, 철, 니켈, 아연, 주석 등의 비금속 입자를 킬레이트화제와 용제로 구성되는 용액에 침지하고, 용제를 가열 제거하여 제작한 도전성 입자와 절연성 수지를 주성분으로 하는 바인더를 혼련하는 것이다. 이 킬레이트화제는 금속 표면의 자연산화막과 화학반응을 일으켜 산화물을 용해하고, 반응생성물로서 착체를 형성하는 성질을 갖는다. 그 때문에 킬레이트 화제를 용해한 용액으로 귀금속 입자를 처리함으로써 비금속 입자상의 자연산화막은 제거되고, 대신 착체의 막이 생성된다. 이 반응은 단분자 반응이므로 비금속 입자 표면에 단분자형상으로 착체의 막이 정렬된다. 이와 같이 본 제조방법에 의해 입자 표면에 자연산화막이 없는 도전성 입자를 포함한 도전성 페이스트가 얻어지므로 비금속을 이용함에도 불구하고 부품 실장후, 접속 저항의 상승이 발생되지 않는다. 또, 도전성 입자들의 접속 부분의 착체는 박리되므로 양호한 접속 신뢰성이 얻어진다.
본 실시예의 제조방법에 이용되는 킬레이트화제로서는 수산, 호박산, 안트라닐산, 갈로탄산, 퀴날딘산, 퀴놀린-8-카본산, 티오요소, 피로갈롤, 페닐 플루오론, 4-클로로-3-메틸-5-니트로벤젠 술폰산 및 로다민 B 중 적어도 1종을 들 수 있다.
또, 상술한 본 발명의 도전성 페이스트의 제조방법에서, 킬레이트화제가 승화성을 갖는 경우, 킬레이트화제의 용액에 금속입자를 침지후, 100℃ 정도의 가열에 의해 착체를 형성하지 않고 입자상에 잔존하고 있던 킬레이트화제를 제거할 수 있고, 입자 표면의 피복막의 막두께가 감소하기 때문에 부품 실장후의 접속 저항이 더욱 낮아지므로 본 발명에 이용하는 킬레이트화제로서 보다 바람직하다. 그와 같은 킬레이트화제로서는 수산, 안트라닐산 및 퀴놀린-8-카본산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 들 수 있다. 이 경우, 금속 입자상에 형성되는 착체는 이용한 킬레이트화제에 따라 수산의 금속염, 안트라닐산의 금속염 혹은 퀴놀린-8-카본산의 금속염으로 된다.
다음으로, 본 발명의 프린트 배선기판은 본 발명의 도전성 페이스트를 비어홀 충전용 도전 페이스트로서 이용한 것이며, 종래보다 층간의 접속 신뢰성을 크게 개선할 수 있다.
그런데, 상술한 본 발명의 도전성 페이스트의 제조방법에 기재된 것 이외의 조건을 이용하면 도전성 페이스트의 성능이 저하될 경우가 있으므로 본 발명으로서 바람직하지 않다. 이하에 그 예를 설명하기로 한다.
킬레이트화제가 금속산화물을 용해하는 성질을 갖지 않는 경우, 도전성 입자의 표면에는 착체의 막이 형성되지 않고, 자연산화막이 잔존하고 부품 실장후의 접속 저항의 상승의 원인이 되므로 본 발명의 도전성 페이스트의 제조방법으로서 바람직하지 않다.
( 실시예 )
본 발명의 도전성 페이스트 및 그 제조방법에 대한 실시예를 설명하기로 한다.
구리입자(평균 입자직경 2㎛)를 킬레이트화제 5중량부를 용제인 이소프로필 알콜 100중량부에 용해한 용액에 침지하고, 100℃에서 약 30분간 건조시켜 도전성 입자를 준비하였다. 얻어진 도전성 입자 1.8g을 에폭시/아크릴계 수지(Lock-Tight 3016 ; 일본 록타이트제조) 0.2g과 3개의 롤을 이용하여 혼련하여 도전성 페이스트를 만들었다.
이와 같이 하여 제작한 도전성 페이스트에 대하여 이하에 서술하는 방법으로 접속신뢰성 시험(절연저항 시험 및 접속저항 시험)을 행하였다.
(절연저항 시험)
절연저항 시험용 기판의 개념도를 도 3에 도시한다. 글래스 에폭시 기판(6) 상에 구리의 빗살형 패턴(7)(피치 : 1.0mm)이 배치되어 글래스 에폭시 기재(6)와 구리의 빗살형 패턴(7)은 포토레지스트로 덮여 있으며, 랜드부(8)(랜드의 수 : 16×26, 피치 : 직경 1.0mm, 0.6mm)는 제외된다. 그, 랜드부(8)에는 금의 무전해 도금을 실시하고 있다.
랜드부(8) 상에 도전성 페이스트를 스크린 인쇄하고, 페이스트를 경화시키기 위해 150℃에서 30분 건조한 후 평가용 기판으로 했다. 평가용 기판을 항온항습조에 넣고, 기판이 완전하게 항온항습 분위기가 되고나서 전극(9, 10) 사이에 전압을 인가하고, 전극 사이의 절연 저항의 시간경과 변화를 측정하였다.
시험 조건은 온도 : 85℃, 습도 : 95% RH, 인가전압 : 50V DC, 시험시간 : 500시간으로 하였다.
절연 신뢰성 평가의 판정 기준을 이하에 나타낸다.
◎ : 절연저항값이 항상 1010Ω 이상을 유지
○ : 절연저항값이 109Ω 이상 1010Ω 미만으로 저하
× : 절연저항값이 109Ω 미만으로 저하
( 접속저항 시험 )
접속저항 시험방법을 도 4에 도시한다. 세라믹 기재(11) 상에 구리 전극(12, 13)이 배치되어 있고, 구리 전극(12, 13)의 표면에는 금으로 무전해 도금이 실시되어 있다. 도전성 페이스트(14)에 의해 QFP(Quad Flat Package)(15)의 발(feet)(16, 17)을 각각 구리 전극(12, 13) 상에 접착하고, 페이스트를 경화시키기 위해 150℃에서 30분간 건조시켜 시료로 하였다. 이 시료를 열충격 시험기에 넣고 열충격 조건하에서 4단자법에 의해 구리 전극(12, 13)과 발(16, 17) 사이의 저항값의 시간경과 변화를 측정하였다.
시험 조건은 -45∼125℃(각 온도에서 30분간 유지), 1000사이클로 했다.
접속 신뢰성 평가의 판정 기준을 이하에 나타낸다.
◎ : 접속저항값이 항상 10mΩ 미만을 유지
○ : 접속저항값이 10mΩ 이상 20mΩ 미만으로 상승
× : 접속저항값이 20mΩ 이상으로 상승
또, 본 실시예에서는 비금속 입자로서 구리를 이용하였으나, 철, 니켈, 아연, 땜납 등 통상 자연산화막을 형성하는 금속이면 되므로 구리로 한정되지 않는다. 또, 수지성분으로서 에폭시/아크릴계의 록타이트 3016(일본 록타이트제조)을 이용하였으나, 접착력이 충분히 확보되는 수지이면 되므로 이것에 한정되는 것은 아니다.
시험 결과를 표 1에 정리하여 나타낸다.
시 험 결 과
항 목 킬레이트화제 입자금속 시험결과
명 칭 산화막용해력 착체의수용성 승화성 절연저항 접속저항
실시예 1 이미노디초산 있음 가용 없음 Cu ○ ○
실시예 2 호박산 있음 불용 없음 Cu ◎ ○
실시예 3 안트라닐산 있음 불용 있음 Cu ◎ ◎
종래예 1 - - - - Ag × ◎
비교예 아세틸아세톤 없음 불용 없음 Cu ◎ ×
표 1의 내용에 대하여 이하에 상세히 설명하기로 한다.
( 종래예 1 )
종래의 도전성 입자로서 은을 이용한 도전성 페이스트의 경우, 마이그레이션이 발생했다.
( 실시예 1 )
킬레이트화제로서 산화막을 용해하는 이미노디초산을 이용하여 제작된 도전성입자는 종래예보다 우수한 절연 신뢰성을 나타냈다. 접속 신뢰성은 종래예보다 조금 나쁘지만 충분히 실용적인 수준이다.
( 실시예 2 )
킬레이트화제로서 산화막을 용해하고 또 물에 불용성인 착체를 생성하는 호박산을 이용하여 제작된 도전성 입자는, 접속 신뢰성은 종래예보다 조금 나쁘지만 충분히 실용적인 수준이다. 한편, 절연 신뢰성은 실시예 1의 경우보다 우수한 결과가 얻어졌다.
( 실시예 3 )
킬레이트화제로서 산화막을 용해하고, 물에 불용성인 착체를 생성하고, 또 승화성을 갖는 안트라닐산을 이용하여 제작된 도전성 입자는 실시예 1, 2와 동등한 양호한 절연 신뢰성을 나타냈다. 또, 접속 신뢰성은 종래예와 동등하게 되고 실시예 1, 2의 경우보다 우수한 결과가 되었다.
( 비교예 )
킬레이트화제로서 산화막을 용해하지 않는 아세틸아세톤을 이용하면 도전성 입자상에 자연산화막이 잔존하고, 그 막두께가 시간과 함께 증가하므로 접속 신뢰성의 저하가 일어났다.
이하, 실시예에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 도전성 입자 및 그 제조방법에 의해 구성한 도전성 페이스트를 이용하여 부품을 접속하면 금속입자로서 비금속을 이용함에도 불구하고, 절연 신뢰성 및 접속 신뢰성에 우수한 결과가 얻어졌다. 이로써 저가격으로 고신뢰성의 도전성 페이스트를 제공할 수 있었다.
이 중에서도 실시예 3이 가장 접속 신뢰성이 우수하므로 본 발명의 도전성 입자 및 그 제조방법으로서 가장 바람직하다.
또, 상기 실시예에서는 용제로서 이소프로필 알콜을 이용하였으나 이것에 한정되지 않고, 킬레이트화제를 용해하고 또 100℃ 정도의 온도에서 증발하는 용제라면 그 밖의 1가알콜류, 케톤류, 에스테르류 등이라도 된다. 구체적으로는 에틸알콜, 메틸알콜, 아세톤, 메틸에틸케톤, 초산부틸, 초산에틸 등을 들 수 있다.
또, 상기 실시예에서는 가열 조건을 100℃ 30분으로 하였으나, 용제가 완전히 증발하는 조건이면 이것에 한정되지 않지만, 60℃보다 낮다면 용제가 완전히 증발하는데 장시간을 요한다. 또한, 180℃보다 높으면 도전성 페이스트의 수지나 기판의 수지의 열화를 발생시킬 가능성이 있다. 이 때문에 가열 조건으로서는 60℃∼200℃에서 15분∼60분의 조건이 바람직하다.
다음으로, 본 발명의 프린트 배선기판에 대한 실시예를 설명하기로 한다.
( 실시예 4 )
도 5에 본 발명의 도전성 페이스트를 비어홀 충전용 도체 페이스트로서 이용한 다층 프린트 배선기판의 개념도를 도시한다.
다층 프린트 배선기판(18)은 절연기재층인 적층기재(19), 전극층인 구리 박(copper foil)(20), 도체 페이스트를 경화하여 형성한 비어홀 도체(21)로 구성된다.
도체 페이스트의 제작방법을 설명하기로 한다. 구형상(spherical)의 구리입자(평균입자직경 2㎛) 0.8g을 안트라닐산 5중량부를 이소프로필 알콜 100중량부에 용해한 용액을 침지하고, 100℃에서 30분간 건조시켜 도전성 입자를 제작하였다. 얻어진 도전성 입자 1.6g을 에폭시/아크릴계 수지(록타이트 3026) 0.4g과 3개의 롤로 혼련하여 제작하였다.
이상과 같이 하여 제작한 다층 프린트 배선기판의 비어홀 도체(21)의 상부(21a)와 하부(21b) 사이의 저항값을 4단자법으로 측정하고, 기판의 두께와 구멍직경으로 구한 충전 체적으로부터 비어홀 도체의 고유저항값을 계산한 결과, 1.5×10-5Ω㎝로 되었다. 이 다층 프린트 배선기판을 -40℃∼125℃, 각 온도 30분 유지 조건하에서 1000시간 유지한 후의 비어홀 도체의 고유 저항값은 1.6×10-5Ω㎝이며, 접속 저항값의 상승은 거의 없었다.
( 종래예 2 )
실시예 4에 이용한 도전성 입자 대신 킬레이트화 처리하지 않는 도전성 입자를 이용한 결과, 8.0×10-5Ω㎝의 고유 저항값이 얻어지고, 상술한 바와 같이 -40℃∼125℃에서 1000시간 유지한 후는 12.4×10-5Ω㎝ 까지 상승하였다.
또, 상기 실시예에서는 절연 기재층을 1층, 전극층을 2층으로 하는 프린트 배선기판을 예로 설명하였으나, 절연 기재층이 2층 이상, 전극층이 3층 이상의 프린트 배선기판에 적용할 수 있음은 물론이다.
또, 상기 실시예에서의 절연기재층으로서 섬유보강재와 열경화성 수지의 복합재 혹은 아라미드 부직포와 에폭시 수지와의 복합재를 이용한 경우에도 본 발명의 도전성 페이스트를 이용함으로써 수지의 흡온에 의해 생기는 접속 불량이나 절연 불량을 방지할 수 있다.
또, 상기 각 실시예의 도전성 페이스트에서의 도전성 입자의 함유량은 80wt%∼95wt% 정도가 바람직하다. 이것은 80wt% 미만이면 도전성을 나타내지 않고, 또 95wt%를 넘으면 입자들의 접착력이 감소하여 페이스트의 기계적 강도가 감소하기 때문이다.
이상 설명한 것에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명은 접속 신뢰성 및 절연 신뢰성이 높은 도전성 페이스트르 낮은 재료가격으로 제공할 수 있다는 장점을 갖는다.
또, 본 발명은 상기 도전성 페이스트를 이용함으로써 가격이 낮고 신뢰성이 높은 프린트 배선기판을 제작할 수 있다는 이점이 있다.
상술한 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 첨부된 특허청구의 범위에 개시된 본 발명의 사상과 범위를 통해 각종 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이다.

Claims (14)

  1. 금속입자 표면이 두께 10nm 미만의 동일 금속의 착체(complex)로 피복되어 있고 상기 금속입자 상에 자연 산화막이 존재하지 않는 도전성 입자와, 절연성 수지를 주성분으로 하는 바인더를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속입자 표면을 피복하는 상기 착체는 단분자형의 정렬인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 금속은 구리, 철, 니켈, 아연 및 주석으로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  4. 제 1항, 제 2항 및 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 착체는 물에 불용성인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 착체는 수산의 금속염, 안트라닐산의 금속염 및 퀴놀린-8-카본산의 금속염으로 이루어지는 군 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  6. 금속입자를 킬레이트화제와 용제로 구성되는 용액에 침지하는 단계와, 상기 용제를 가열 및 제거하는 단계와, 절연성 수지를 주성분으로 하는 바인더와 혼련하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 킬레이트화제는 적어도 구리, 철, 니켈, 아연, 주석 중 적어도 하나의 산화물을 용해하는 성질을 갖는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트의 제조방법.
  8. 제 6항 또는 제 7항에 있어서,
    상기 킬레이트화제는 또한 물에 불용성인 착체를 형성하는 성질을 갖는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 킬레이트화제는 수산(oxalic acid), 호박산(succinic acid), 안트라닐산(anthranilic acid), 갈로탄산(gallotannic acid), 퀴날딘산(quinaldinic acid), 퀴놀린-8-카본산(quinoline-8-carboxylic acid), 티오요소(thiourea), 피로갈롤(pyrogallol), 페닐 플루오론(phenyl fluorone), 4-클로로-3-메틸-5-니트로벤젠 술폰산 및 로다민 B로 이루어지는 군 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트의 제조방법.
  10. 제 6항, 제 7항 및 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 킬레이트화제는 또한 승화성을 갖는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트의 제조방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 킬레이트화제는 수산, 안트라닐산 및 퀴놀린-8-카본산으로 이루어지는 군 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트의 제조방법.
  12. 적어도 1층의 절연 기재층과 2층 이상의 전극층을 구비하고, 상기 전극층간의 상기 절연 기재를 관통한 비어홀 중에 청구항 1 내지 5의 어느 한 항에 기재한 상기 도전성 페이스트를 충전 경화하여 형성되는 비어홀 도체를 형성하고, 그 비어홀 도체에 의해 상기 각 전극층들이 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 프린트 배선기판.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 절연 기재층은 섬유보강재와 열경화성 수지의 복합재인 것을 특징으로 하는 프린트 배선기판.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 절연 기재층은 아라미드 부직포와 에폭시 수지의 복합재인 것을 특징으로 하는 프린트 배선기판.
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