KR102825815B1 - 스루-포커스 이미지 기반 계측 장치, 그것의 동작 방법, 및 그 동작을 실행하는 컴퓨팅 장치 - Google Patents
스루-포커스 이미지 기반 계측 장치, 그것의 동작 방법, 및 그 동작을 실행하는 컴퓨팅 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102825815B1 KR102825815B1 KR1020200074100A KR20200074100A KR102825815B1 KR 102825815 B1 KR102825815 B1 KR 102825815B1 KR 1020200074100 A KR1020200074100 A KR 1020200074100A KR 20200074100 A KR20200074100 A KR 20200074100A KR 102825815 B1 KR102825815 B1 KR 102825815B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- target
- computing device
- intensity profile
- focus
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/24—AFM [Atomic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. AFM probes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/06—Means for illuminating specimens
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/30—Collimators
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N20/00—Machine learning
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
- G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
- G01N2021/8835—Adjustable illumination, e.g. software adjustable screen
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8887—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Artificial Intelligence (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Data Mining & Analysis (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 스루-포커스 이미지 기반 계측 장치(10)를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 2a는 본 발명의 실시 예에 따른 광학 장치(100)를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 2b는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광학 장치(100a)를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 2c는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 광학 장치(100b)를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 위상 변조기의 효과를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 4a는 본 발명의 실시 예에 따른 위상 변조기를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 위상 변조기를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광학 장치(100b)를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 스루-포커스 이미지 기반 계측 장치(10)에서 스루-포커스 이미지를 획득하는 과정을 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 스루-포커스 이미지로부터 세기 프로파일을 추출하는 과정을 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 8a은 본 발명의 실시 예에 따른 세그먼트의 개수에 따른 세기 프로파일 생성 과정을 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 8b은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 세그먼트의 개수에 따른 세기 프로파일 생성 과정을 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 높이 계측을 위해 AFM으로 기준 데이터를 생성하는 것을 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 세기 프로파일 추출을 위한 학습 정합성을 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 11a은 본 발명의 실시 예에 따른 컴퓨팅 장치(200)에서 최초 학습 모델을 생성하는 과정을 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 11b는 본 발명의 실시 예에 따른 컴퓨팅 장치(200)에서 계측 데이터를 생성하는 계측 데이터 생성 모듈(230a)을 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 세기 프로파일을 획득하는 과정을 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 학습 모델을 이용한 계측 데이터 출력 과정을 개념적으로 보여주는 도면이다.
도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 학습 모델을 생성하는 과정을 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 15는 본 발명의 실시 에에 따른 스루-포커스 이미지 기반 계측 장치를 구비한 반도체 제조 설비(1000)를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 16은 본 발명의 실시 예에 따른 스루-포커스 이미지 기반 계측 장치의 동작 방법을 예시적으로 보여주는 흐름도이다.
도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 컴퓨팅 장치(2000)를 예시적으로 보여주는 도면이다.
100: 광학 장치
110: 광원
120: 이미지 센서
130: 빔 스플리터
140: 대물 렌즈
150: 스테이지
200: 컴퓨팅 장치
210: 스루-포커스 이미지 생성기
220: 세기 프로파일 생성기
Claims (20)
- 스루-포커스 이미지 기반 계측 장치에 있어서,
광학 장치; 및
상기 광학 장치로부터 타겟에 대한 적어도 하나의 스루-포커스 이미지를 획득하고, 상기 획득된 스루-포커스 이미지로부터 세기 프로파일을 생성하고, 상기 생성된 세기 프로파일로부터 상기 타겟에 대한 계측을 수행하는 컴퓨팅 장치를 포함하고,
상기 광학 장치는,
상기 타겟이 제공되고, 상기 적어도 하나의 스루-포커스 이미지를 획득하기 위하여 상기 컴퓨팅 장치의 제어에 따라 적어도 하나의 방향으로 1 스텝씩 이동하는 스테이지;
상기 스테이지 상에 배치되는 이미지 센서;
상기 이미지 센서와 상기 스테이지 사이에 배치되고, 상기 타겟의 반사광을 출력하는 대물 렌즈; 및
상기 대물 렌즈를 통해 상기 타겟에 조명광을 제공하는 광원을 포함하며,
상기 컴퓨팅 장치는, 상기 적어도 하나의 스루-포커스 이미지에서 타겟 영역을 적어도 하나의 세그먼트로 구분하고, 스텝 이동에 따른 상기 적어도 하나의 세그먼트로부터 세기를 추출하고, 상기 추출된 세기들로부터 세기 프로파일을 생성하는 계측 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 광학 장치는,
상기 광원으로부터 수신한 광을 평행 광으로 만드는 시준기;
상기 시준기의 출력 광에 대한 조명 각도를 조절하는 조명 각도 조절기; 및
상기 조명 각도 조절기를 통과한 조명광의 일부분을 상기 타겟으로 반사하거나, 상기 타겟으로부터 반사된 반사광을 출력하는 빔 스플리터를 더 포함하는 계측 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 광학 장치는,
상기 조명 각도 조절기와 상기 빔 스플리터 사이에 제 1 릴레이 렌즈를 더 포함하는 계측 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 광학 장치는,
상기 빔 스플리터로부터 출력된 반사광을 상기 이미지 센서로 집광하는 튜브 렌즈를 더 포함하는 계측 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 광학 장치는,
상기 반사광의 각도 조절하거나 상기 반사광의 위상 변이를 조절하는 반사 각도 및 위상 조절기;
상기 반사 각도 및 위상 조절기와 상기 빔 스플리터 사이에 배치된 제 2 릴레이 렌즈를 더 포함하는 계측 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 위상 변이는 코팅된 부분을 통과한 상기 반사광의 제 1 위상과, 코팅되지 않은 부분을 통과한 상기 반사광의 제 2 위상 차이에 대한 절대값에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 계측 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 반사 각도 및 위상 조절기는 코딩 혹은 기판의 두께를 조절함으로써 상기 위상 변이를 조절하는 것을 특징으로 하는 계측 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 컴퓨팅 장치는,
상기 생성된 세기 프로파일을 학습 모델과 비교함으로써 상기 타겟을 계측하는 것을 특징으로 하는 계측 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 컴퓨팅 장치는,
스루-포커스 이미지를 프로 파일 데이터로 변환하고, 상기 프로 파일 데이터와 기준 데이터를 학습함으로써 상기 학습 모델을 생성하는 것을 특징으로 하는 계측 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 컴퓨팅 장치는,
상기 생성된 세기 프로파일의 차이를 수치화함으로써 상기 타겟을 계측하는 것을 특징으로 하는 계측 장치. - 광학 장치와 상기 광학 장치를 제어하는 컴퓨팅 장치를 갖는 스루-포커스 이미지 기반 계측 장치의 동작 방법에 있어서,
상기 컴퓨팅 장치에서 상기 광학 장치를 제어함으로써 타겟에 대한 복수의 스루-포커스 이미지들을 획득하는 단계;
상기 복수의 스루-포커스 이미지들 중에서 어느 하나의 스루-포커스 이미지에서 상기 타겟에 대응하는 영역을 복수의 세그먼트들로 구분하는 단계;
상기 구분된 세그먼트들로부터 세기를 추출하는 단계;
상기 컴퓨팅 장치에서 상기 복수의 스루-포커스 이미지의 상기 구분된 세그먼트들로부터의 세기에 기초하여, 상기 타겟에 대응하는 세기 프로파일을 생성하는 단계; 및
상기 컴퓨팅 장치에서 상기 생성된 세기 프로파일과 학습 모델을 이용하여 상기 타겟에 대한 계측 데이터를 생성하는 단계를 포함하는 방법. - 적어도 하나의 프로세서; 및
상기 적어도 하나의 프로세서에서 실행되는 적어도 하나의 인스트럭션을 저장하는 메모리를 포함하고,
상기 적어도 하나의 인스트럭션은,
광학 장치를 제어함으로써 타겟에 대한 복수의 스루-포커스 이미지들을 획득하고;
상기 복수의 스루-포커스 이미지들 중에서 어느 하나의 스루-포커스 이미지에서 상기 타겟에 대응하는 영역을 복수의 세그먼트들로 구분하고;
상기 구분된 세그먼트들로부터 세기를 추출하고;
상기 복수의 스루-포커스 이미지들의 상기 구분된 세그먼트들로부터의 세기에 기초하여, 상기 타겟에 대응하는 세기 프로파일을 생성하고; 및
상기 생성된 세기 프로파일과 학습 모델을 이용하여 상기 타겟에 대한 계측 데이터를 생성하도록, 상기 적어도 하나의 프로세서에서 실행되는 것을 특징으로 하는 컴퓨팅 장치. - 제 12 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 인스트럭션은,
상기 광학 장치를 적어도 하나의 방향으로 한 스텝씩 이동시키도록, 상기 적어도 하나의 프로세서에서 실행되는 특징으로 하는 컴퓨팅 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 방향은,
상기 타겟이 제공되는 스테이지와 이미지 센서 사이의 상기 타겟으로부터 출력하는 반사광의 광축 방향을 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨팅 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 메모리는 상기 타겟의 종류에 따라 서로 다른 구동 스텝을 갖는 계측 레시피를 저장하는 것을 특징으로 하는 컴퓨팅 장치. - 삭제
- 적어도 하나의 프로세서; 및
상기 적어도 하나의 프로세서에서 실행되는 적어도 하나의 인스트럭션을 저장하는 메모리를 포함하고,
상기 적어도 하나의 인스트럭션은,
광학 장치를 제어함으로써 타겟에 대한 복수의 스루-포커스 이미지들을 획득고;
상기 복수의 스루-포커스 이미지들의 각각의 관심 영역을 복수의 세그먼트들로 구분하고;
상기 복수의 세그먼트들의 각각으로부터 세기 프로파일을 생성하고; 및
상기 생성된 세기 프로파일과 학습 모델을 이용하여 상기 타겟에 대한 계측 데이터를 생성하도록, 상기 적어도 하나의 프로세서에서 실행되는 것을 특징으로 하는 컴퓨팅 장치. - 제 12 항에 있어서,
상기 세기 프로파일은 제 1 방향(x 축 방향)의 세기 프로파일 혹은 제 2 방향(y축 방향)의 세기 프로파일을 포함하고,
상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향은 제 3 방향(z축 방향)에 수직한 방향이고,
상기 제 1 방향과 상기 제 2 방향은 서로 수직한 방향이고,
상기 복수의 스루-포커스 이미지들은 상기 제 3 방향으로 상기 타겟을 스캐닝함으로써 획득되는 것을 특징으로 하는 컴퓨팅 장치. - 제 12 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 인스트럭션은,
스루-포커스 이미지 데이터를 세기 프로파일 데이터로 변환하고,
기준 데이터와 상기 변환된 데이터를 인공 신경망을 이용하여 학습함으로써 상기 학습 모델을 생성하도록 상기 적어도 하나의 프로세서에서 실행되는 것을 특징으로 하는 컴퓨팅 장치. - 제 19 항에 있어서,
상기 기준 데이터는 AFM(atomic force microscope) 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨팅 장치.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200074100A KR102825815B1 (ko) | 2020-06-18 | 2020-06-18 | 스루-포커스 이미지 기반 계측 장치, 그것의 동작 방법, 및 그 동작을 실행하는 컴퓨팅 장치 |
| US17/156,049 US11988495B2 (en) | 2020-06-18 | 2021-01-22 | Through-focus image-based metrology device, operation method thereof, and computing device for executing the operation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200074100A KR102825815B1 (ko) | 2020-06-18 | 2020-06-18 | 스루-포커스 이미지 기반 계측 장치, 그것의 동작 방법, 및 그 동작을 실행하는 컴퓨팅 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210156894A KR20210156894A (ko) | 2021-12-28 |
| KR102825815B1 true KR102825815B1 (ko) | 2025-06-27 |
Family
ID=79023335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200074100A Active KR102825815B1 (ko) | 2020-06-18 | 2020-06-18 | 스루-포커스 이미지 기반 계측 장치, 그것의 동작 방법, 및 그 동작을 실행하는 컴퓨팅 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11988495B2 (ko) |
| KR (1) | KR102825815B1 (ko) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW202336423A (zh) * | 2021-10-01 | 2023-09-16 | 美商伊路米納有限公司 | 用於傳輸光之設備及方法 |
| KR20230090854A (ko) * | 2021-12-15 | 2023-06-22 | 삼성전자주식회사 | 3차원 영상을 이용한 웨이퍼 검사 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 검사 방법 |
| WO2024225804A1 (ko) * | 2023-04-28 | 2024-10-31 | 엘지이노텍 주식회사 | 렌즈의 결함을 예측하는 방법 및 전자 장치 |
| US20250044679A1 (en) * | 2023-07-31 | 2025-02-06 | Kla Corporation | Pupil filter with spatially-varying transmission |
| CN116754568B (zh) * | 2023-08-22 | 2024-01-23 | 合肥工业大学 | 一种基于暗场成像过焦扫描的层叠缺陷分离方法及装置 |
| KR102851019B1 (ko) * | 2024-12-24 | 2025-08-28 | 주식회사 퓨런티어 | Ai 데이터에 기반한 고속 광축 정렬 장치 및 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130107030A1 (en) * | 2011-10-20 | 2013-05-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical measurement system and method for measuring critical dimension of nanostructure |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3388285B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2003-03-17 | 株式会社ニュークリエイション | 検査装置 |
| JP4756785B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2011-08-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 表面検査方法および装置 |
| TWI292031B (en) * | 2006-02-10 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Dimension measuring method and optical measuring system implemented with the method |
| US8912495B2 (en) | 2012-11-21 | 2014-12-16 | Kla-Tencor Corp. | Multi-spectral defect inspection for 3D wafers |
| WO2015080480A1 (ko) | 2013-11-29 | 2015-06-04 | (주)넥스틴 | 웨이퍼 영상 검사 장치 |
| US10127652B2 (en) | 2014-02-06 | 2018-11-13 | Kla-Tencor Corp. | Defect detection and classification based on attributes determined from a standard reference image |
| US9400254B2 (en) * | 2014-03-26 | 2016-07-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and device for measuring critical dimension of nanostructure |
| US9816939B2 (en) | 2014-07-22 | 2017-11-14 | Kla-Tencor Corp. | Virtual inspection systems with multiple modes |
| RU2582484C1 (ru) * | 2014-11-10 | 2016-04-27 | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. | Оптическая измерительная система и способ количественного измерения критического размера для наноразмерных объектов |
| KR101652356B1 (ko) * | 2015-03-30 | 2016-08-31 | (주)넥스틴 | 광학적 웨이퍼 검사 장치 |
| US9903711B2 (en) * | 2015-04-06 | 2018-02-27 | KLA—Tencor Corporation | Feed forward of metrology data in a metrology system |
| KR102665579B1 (ko) * | 2015-05-19 | 2024-05-10 | 케이엘에이 코포레이션 | 오버레이 측정을 위한 지형 위상 제어 |
| WO2017148665A1 (en) | 2016-03-01 | 2017-09-08 | Asml Netherlands B.V. | Metrology apparatus, method of measuring a structure and lithographic apparatus |
| US20170301079A1 (en) * | 2016-04-19 | 2017-10-19 | Incheon University Industry Academic Cooperation Foundation | Method of acquiring tsom image and method of examining semiconductor device |
| KR101826127B1 (ko) * | 2016-08-23 | 2018-02-06 | 공주대학교 산학협력단 | 광학적 웨이퍼 검사 장치 |
| KR102592917B1 (ko) | 2016-08-26 | 2023-10-23 | 삼성전자주식회사 | 표면 검사 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
| US10634623B2 (en) * | 2016-10-07 | 2020-04-28 | Kla-Tencor Corporation | Phase contrast monitoring for extreme ultra-violet (EUV) masks defect inspection |
| US10267748B2 (en) | 2016-10-17 | 2019-04-23 | Kla-Tencor Corp. | Optimizing training sets used for setting up inspection-related algorithms |
| KR101863752B1 (ko) * | 2017-04-19 | 2018-06-04 | 공주대학교 산학협력단 | 광학적 웨이퍼 검사 장치의 해상력 강화 방법 및 이를 이용한 tsom 영상 획득 방법 |
| US10387755B2 (en) | 2017-06-28 | 2019-08-20 | Applied Materials, Inc. | Classification, search and retrieval of semiconductor processing metrology images using deep learning/convolutional neural networks |
| US10713534B2 (en) | 2017-09-01 | 2020-07-14 | Kla-Tencor Corp. | Training a learning based defect classifier |
| US10615067B2 (en) * | 2018-05-18 | 2020-04-07 | Kla-Tencor Corporation | Phase filter for enhanced defect detection in multilayer structure |
| US12086973B2 (en) * | 2019-05-13 | 2024-09-10 | Asml Netherlands B.V. | Detection apparatus for simultaneous acquisition of multiple diverse images of an object |
| EP3751342A1 (en) * | 2019-06-13 | 2020-12-16 | Stichting VU | Metrology method and method for training a data structure for use in metrology |
| US11256177B2 (en) * | 2019-09-11 | 2022-02-22 | Kla Corporation | Imaging overlay targets using Moiré elements and rotational symmetry arrangements |
-
2020
- 2020-06-18 KR KR1020200074100A patent/KR102825815B1/ko active Active
-
2021
- 2021-01-22 US US17/156,049 patent/US11988495B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130107030A1 (en) * | 2011-10-20 | 2013-05-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical measurement system and method for measuring critical dimension of nanostructure |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Jun Ho Lee "Through-focus scanning optical microscopy (TSOM) with adaptive optics" Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXXII, edited by Vladimir A. Ukraintsev, Ofer Adan, P* |
| Ravikiran Attota "Through-focus Scanning Optical Microscopy " Scanning Microscopies 2011: Advanced Microscopy Technologies for Defense, Homeland Security, Forensic, Life, Environmental, and Industrial* |
| YUFU QU "Machine-learning models for analyzing TSOM images of nanostructures" optics express vol, No 23, 2019.11.11.* |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210156894A (ko) | 2021-12-28 |
| US20210396510A1 (en) | 2021-12-23 |
| US11988495B2 (en) | 2024-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102825815B1 (ko) | 스루-포커스 이미지 기반 계측 장치, 그것의 동작 방법, 및 그 동작을 실행하는 컴퓨팅 장치 | |
| TWI721993B (zh) | 用於量測在一半導體晶圓上之高度的方法及裝置 | |
| TWI713575B (zh) | 使用影像之以模型為基礎之度量 | |
| US10635004B2 (en) | Correction using stack difference | |
| TWI821586B (zh) | 用於在計量量測中減少錯誤之系統及方法 | |
| TWI649628B (zh) | 用於半導體目標之量測的微分方法及裝置 | |
| TWI618988B (zh) | 決定臨界尺寸相關特性之方法、檢測裝置及器件製造方法 | |
| JP6758309B2 (ja) | フォーカスエラー感応性が減少した光学的計測 | |
| TWI666420B (zh) | 表面拓璞之干涉特徵化 | |
| TWI775331B (zh) | 用於光學三維構形量測之方法及系統 | |
| TW202004366A (zh) | 判定基板上之一或多個結構之特性的度量衡設備及方法 | |
| TW201937159A (zh) | 用於判定將對一試樣執行之一度量程序之參數之系統、方法及非暫時性電腦可讀取媒體 | |
| KR20150081360A (ko) | 최적화된 시스템 파라미터를 갖는 광 계측 장치 및 방법 | |
| TW201917491A (zh) | 度量衡參數判定及度量衡配方選擇 | |
| TWI604283B (zh) | 用於微影掃描器之焦點配方判定 | |
| TW201945721A (zh) | 結合模擬及光學顯微鏡以判定檢查模式 | |
| TW201740215A (zh) | 檢測方法、檢測裝置及照明方法及裝置 | |
| US10504802B2 (en) | Target location in semiconductor manufacturing | |
| TWI885693B (zh) | 用於對樣本的圖案化結構上進行基於x射線的測量的方法及測量系統 | |
| CN103307997B (zh) | 一种角分辨散射测量装置及其测量方法 | |
| EP4139748A1 (en) | Method and system for determining one or more dimensions of one or more structures on a sample surface | |
| US20250378376A1 (en) | Metrology using reference-based synthetic spectra | |
| US20250053098A1 (en) | Spatially-varying spectral metrology for local variation detection | |
| RU2560245C1 (ru) | Способ мультиспектральной визуализации и устройство для измерения критического размера наноструктур | |
| JPWO2009139394A1 (ja) | 光学検査装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20200618 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20221201 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20200618 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20241021 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Final Notice of Reason for Refusal Patent event date: 20250205 Patent event code: PE09021S02D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20250602 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20250623 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20250624 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |