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KR102799321B1 - Fluorine-based release film, Semiconductor package manufacturing method using the same and Semiconductor package - Google Patents

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KR102799321B1
KR102799321B1 KR1020230011062A KR20230011062A KR102799321B1 KR 102799321 B1 KR102799321 B1 KR 102799321B1 KR 1020230011062 A KR1020230011062 A KR 1020230011062A KR 20230011062 A KR20230011062 A KR 20230011062A KR 102799321 B1 KR102799321 B1 KR 102799321B1
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Abstract

본 발명은 불소계 이형필름에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량을 방지할 수 있고, 불량품에 대한 육안 검사를 가능하게 하며, 몰딩부의 표면 인쇄성을 향상시킬 수 있는 동시에, 반도체 소자를 몰딩하는 몰딩부의 두께를 두껍게 형성하더라도 우수한 기계적 물성으로 찢어짐 등의 불량을 방지할 수 있는 효과를 발현하는 불소계 이형필름, 이를 통한 반도체 패키지 제조방법 및 반도체 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a fluorine-based release film, and more specifically, to a fluorine-based release film which can prevent appearance defects caused by stains and scratches on a molding part of a semiconductor package, enable visual inspection of defective products, improve surface printability of a molding part, and at the same time exhibit excellent mechanical properties to prevent defects such as tearing even when the thickness of a molding part for molding a semiconductor element is formed thick, and a method for manufacturing a semiconductor package using the same, and a semiconductor package.

Description

불소계 이형필름, 이를 통한 반도체 패키지 제조방법 및 반도체 패키지{Fluorine-based release film, Semiconductor package manufacturing method using the same and Semiconductor package}Fluorine-based release film, semiconductor package manufacturing method using the same, and semiconductor package {Fluorine-based release film, semiconductor package manufacturing method using the same and semiconductor package}

본 발명은 불소계 이형필름에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량을 방지할 수 있고, 불량품에 대한 육안 검사를 가능하게 하며, 몰딩부의 표면 인쇄성을 향상시킬 수 있는 동시에, 반도체 소자를 몰딩하는 몰딩부의 두께를 두껍게 형성하더라도 우수한 기계적 물성으로 찢어짐 등의 불량을 방지할 수 있는 효과를 발현하는 불소계 이형필름, 이를 통한 반도체 패키지 제조방법 및 반도체 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a fluorine-based release film, and more specifically, to a fluorine-based release film which can prevent appearance defects caused by stains and scratches on a molding part of a semiconductor package, enable visual inspection of defective products, improve surface printability of a molding part, and at the same time exhibit excellent mechanical properties to prevent defects such as tearing even when the thickness of a molding part for molding a semiconductor element is formed thick, and a method for manufacturing a semiconductor package using the same, and a semiconductor package.

기존의 반도체 패키지 몰딩방법은, 금형에 조도를 형성하여, 에폭시 수지 몰딩작업을 하기 때문에, 금형 틈에 수지 잔유물이 있고, 수지가 금형에 달라붙어 연속작업에 어려움이 있으며, 반도체 소자의 크기를 축소하는 제조공법에 제약을 준다.The existing semiconductor package molding method forms a rough surface in the mold and performs the epoxy resin molding work, so there is resin residue in the gap of the mold, and the resin sticks to the mold, making continuous work difficult, and it places restrictions on the manufacturing method for reducing the size of semiconductor devices.

또한, 이형성을 좋게 하기 위해 금형에 테프론을 코팅하여 사용하기도 하지만, 금형에 수지가 달라붙는 것은 개선되더라도, 금형 틈에 수지가 고여, 연속작업이 어렵고, 소형의 크기를 가지는 제품엔 적용이 곤란하다는 문제점이 있다.In addition, Teflon is sometimes used to coat the mold to improve release properties, but although this improves the adhesion of the resin to the mold, there are problems in that the resin accumulates in the gaps of the mold, making continuous operation difficult, and it is difficult to apply to small-sized products.

종래의 파인 피치 볼 그리드 어레이 패키지 또는 칩 스케일 패키지 등과 같은 반도체 패키지는 소형화ㆍ경량화 등의 물리적 이점이 있지만, 플라스틱 패키지와 대등한 신뢰성을 확보하지 못하고 있고, 생산 과정에서 소요되는 원ㆍ부자재 및 공정의 단가가 높아 가격 경쟁력이 떨어지는 단점이 있으며, 또한 마이크로 볼 그리드 어레이 패키지는 파인 피치 볼 그리드 어레이 패키지 또는 칩 스케일 패키지에 비하여 나은 특성이 있지만 신뢰도 및 가격 경쟁력이 떨어지는 단점이 있다.Conventional semiconductor packages, such as fine pitch ball grid array packages or chip scale packages, have physical advantages such as miniaturization and weight reduction, but they do not have reliability equivalent to that of plastic packages, and have disadvantages in that their price competitiveness is low due to high unit costs of raw materials and processes required in the production process. In addition, although micro ball grid array packages have better characteristics than fine pitch ball grid array packages or chip scale packages, they have disadvantages in that their reliability and price competitiveness are low.

이에, 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량을 방지할 수 있고, 불량품에 대한 육안 검사를 가능하게 하며, 몰딩부의 표면 인쇄성을 향상시킬 수 있는 동시에, 반도체 소자를 몰딩하는 몰딩부의 두께를 두껍게 형성하더라도 우수한 기계적 물성으로 찢어짐 등의 불량을 방지할 수 있는 효과를 발현할 수 있는 반도체 패키지 구현 수단 및 방법에 대한 개발이 시급한 실정이다.Accordingly, there is an urgent need for development of a means and method for implementing a semiconductor package that can prevent appearance defects caused by stains and scratches on the molding part of a semiconductor package, enable visual inspection of defective products, improve surface printability of the molding part, and exhibit excellent mechanical properties to prevent defects such as tearing even when the thickness of the molding part for molding a semiconductor element is formed thick.

공개특허공보 제10-1993-0006104호(공개일: 1993.04.20)Publication date of patent publication No. 10-1993-0006104 (publication date: 1993.04.20)

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량을 방지할 수 있고, 불량품에 대한 육안 검사를 가능하게 하며, 몰딩부의 표면 인쇄성을 향상시킬 수 있는 동시에, 반도체 소자를 몰딩하는 몰딩부의 두께를 두껍게 형성하더라도 우수한 기계적 물성으로 찢어짐 등의 불량을 방지할 수 있는 효과를 발현하는 불소계 이형필름, 이를 통한 반도체 패키지 제조방법 및 반도체 패키지를 제공하는데 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-described problems, and the purpose of the present invention is to provide a fluorine-based release film which can prevent appearance defects caused by stains and scratches on the molding part of a semiconductor package, enable visual inspection of defective products, improve surface printability of the molding part, and at the same time exhibit excellent mechanical properties to prevent defects such as tearing even when the thickness of the molding part for molding a semiconductor element is formed thick, and a method for manufacturing a semiconductor package using the same, and a semiconductor package.

상술한 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 표면의 적어도 일부에 복수 개의 요철을 포함하고, 하기 조건 (1)을 만족하는 불소계 이형필름을 제공한다.In order to solve the above-described problem, the present invention provides a fluorine-based release film including a plurality of unevennesses on at least a portion of a surface and satisfying the following condition (1).

(1) B / A ≤ 170(1) B/A ≤ 170

이때, 상기 A는 상기 복수 개의 요철의 산술 평균 조도(㎛) 및 상기 B는 복수 개의 요철의 십점 평균 조도(㎛)를 나타냄.At this time, the above A represents the arithmetic average roughness (㎛) of the plurality of uneven surfaces, and the above B represents the ten-point average roughness (㎛) of the plurality of uneven surfaces.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 하기 조건 (1)을 만족할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the following condition (1) can be satisfied.

(1) 1.6 ≤ B / A ≤ 63 임.(1) 1.6 ≤ B / A ≤ 63.

또한, 상기 복수 개의 요철은 산술 평균 조도(Ra)가 0.03 ~ 0.5㎛ 및 십점 평균 조도(Rz)가 0.3 ~ 5.0㎛일 수 있다.Additionally, the plurality of uneven surfaces may have an arithmetic mean roughness (R a ) of 0.03 to 0.5 μm and a ten-point average roughness (R z ) of 0.3 to 5.0 μm.

또한, 상기 복수 개의 요철은 요철의 평균 폭(RSm)이 30 ~ 200㎛일 수 있다.Additionally, the plurality of uneven surfaces may have an average uneven width (R Sm ) of 30 to 200 μm.

또한, 상기 복수 개의 요철은 피크 카운트(RPc)가 15 ~ 45개/1cm일 수 있다.Additionally, the plurality of protrusions may have a peak count (R Pc ) of 15 to 45/1 cm.

또한, 상기 불소계 이형필름은, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 플루오로에틸렌프로필렌(FEP), 에틸렌-테트라플루오로에틸렌(ETFE), 퍼플루오로알콕시(PFA), 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF), 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE) 및 폴리비닐플루오라이드(PVF)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.In addition, the fluorine-based release film may include at least one selected from the group consisting of polytetrafluoroethylene (PTFE), fluoroethylene propylene (FEP), ethylene-tetrafluoroethylene (ETFE), perfluoroalkoxy (PFA), polyvinylidene fluoride (PVDF), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), and polyvinyl fluoride (PVF).

또한, 두께가 20 ~ 250㎛일 수 있다.Additionally, the thickness can be 20 to 250 μm.

또한, 온도 165℃에서의 신율이 200% 이상일 수 있다.Additionally, the elongation at a temperature of 165℃ can be greater than 200%.

또한, 본 발명은 표면의 적어도 일부에 반도체 소자가 배치된 기판; 및 상기 반도체 소자가 몰딩되도록 상기 기판 상에 배치되고, 상기 기판 측 배면 적어도 일부에 복수 개의 요철을 포함하는 몰딩부;를 포함하며, 상기 몰딩부의 기판 측 배면은 하기 조건 (2)를 만족하는 반도체 패키지를 제공한다.In addition, the present invention provides a semiconductor package including a substrate having a semiconductor element arranged on at least a portion of a surface; and a molding part arranged on the substrate so as to mold the semiconductor element, the molding part including a plurality of protrusions on at least a portion of a substrate-side back surface; wherein the substrate-side back surface of the molding part satisfies the following condition (2).

(2) D / C ≤ 170(2) D/C ≤ 170

이때, 상기 C는 몰딩부의 기판 측 배면 상 복수 개의 요철의 산술 평균 조도(㎛) 및 상기 D는 몰딩부의 기판 측 배면 상 복수 개의 요철의 십점 평균 조도(㎛)를 나타냄.At this time, the above C represents the arithmetic average roughness (㎛) of a plurality of unevennesses on the substrate-side back surface of the molding part, and the above D represents the ten-point average roughness (㎛) of a plurality of unevennesses on the substrate-side back surface of the molding part.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 몰딩부의 기판 측 배면 상 복수 개의 요철은 산술 평균 조도(Ra)가 0.03 ~ 0.5㎛ 및 십점 평균 조도(Rz)가 0.3 ~ 5.0㎛일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the plurality of unevennesses on the substrate-side rear surface of the molding part may have an arithmetic mean roughness (R a ) of 0.03 to 0.5 ㎛ and a ten-point average roughness (R z ) of 0.3 to 5.0 ㎛.

또한, 상기 몰딩부의 기판 측 배면 상 복수 개의 요철은 요철의 평균 폭(RSm)이 30 ~ 200㎛일 수 있다.In addition, the plurality of unevennesses on the substrate-side back surface of the molding part may have an average width (R Sm ) of 30 to 200 μm.

또한, 상기 몰딩부의 기판 측 배면 상 복수 개의 요철은 피크 카운트(RPc)가 15 ~ 45개/1cm일 수 있다.Additionally, the plurality of protrusions on the substrate-side rear surface of the molding part may have a peak count (R Pc ) of 15 to 45/1 cm.

또한, 본 발명은 소정의 수용부가 형성된 몰딩부 형성체를 준비하는 단계; 상기 수용부를 따라 상기 몰딩부 형성체 표면 상에 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 불소계 이형필름을 배치하는 단계; 표면의 적어도 일부에 반도체 소자가 배치된 기판을, 상기 반도체 소자의 적어도 일부가 상기 수용부에 수용되도록 배치하는 단계; 상기 수용부에 경화형 수지를 처리하여, 상기 반도체 소자가 몰딩되도록 몰딩부를 형성하는 단계; 및 상기 몰딩부 형성체 및 상기 불소계 이형필름을 제거하는 단계;를 포함하는 반도체 패키지 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor package, including the steps of: preparing a molding part formed with a predetermined receiving portion; arranging a fluorine-based release film according to any one of claims 1 to 8 on a surface of the molding part formed along the receiving portion; arranging a substrate having a semiconductor element arranged on at least a portion of a surface such that at least a portion of the semiconductor element is received in the receiving portion; forming a molding part by treating the receiving portion with a curable resin so that the semiconductor element is molded; and removing the molding part formed body and the fluorine-based release film.

본 발명의 불소계 이형필름, 이를 통한 반도체 패키지 제조방법 및 반도체 패키지는, 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량을 방지할 수 있고, 불량품에 대한 육안 검사를 가능하게 하며, 몰딩부의 표면 인쇄성을 향상시킬 수 있는 동시에, 반도체 소자를 몰딩하는 몰딩부의 두께를 두껍게 형성하더라도 우수한 기계적 물성으로 찢어짐 등의 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.The fluorine-based release film of the present invention, the method for manufacturing a semiconductor package using the same, and the semiconductor package can prevent appearance defects due to stains and scratches on the molding part of a semiconductor package, enable visual inspection of defective products, and improve the surface printability of the molding part. In addition, even if the thickness of the molding part for molding a semiconductor element is formed thick, it has the effect of preventing defects such as tearing due to excellent mechanical properties.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지를 제조하는 방법에 대한 단면 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지를 제조하는 방법에 대한 공정 순서도이다.
FIG. 1 is a cross-sectional schematic diagram of a method for manufacturing a semiconductor package according to one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a semiconductor package according to one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a process flow diagram for a method of manufacturing a semiconductor package according to one embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부가한다.Hereinafter, with reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice the present invention. The present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein. In the drawings, parts that are not related to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and the same reference numerals are added to the same or similar components throughout the specification.

본 발명에 따른 불소계 이형필름은, 표면의 적어도 일부에 복수 개의 요철을 포함하여 구현된다.The fluorine-based release film according to the present invention is implemented by including a plurality of unevennesses on at least a portion of the surface.

먼저, 본 발명의 불소계 이형필름의 각 구성에 대하여 설명하기에 앞서서, 본 발명에 따른 상기 불소계 이형필름이 하기 조건 (1)을 만족해야 하는 이유에 대하여 설명한다.First, before explaining each component of the fluorine-based release film of the present invention, the reason why the fluorine-based release film according to the present invention must satisfy the following condition (1) will be explained.

불소계 이형필름의 요철의 십점 평균 조도가 적정하더라도 산술 평균 조도가 낮을 경우 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 발생할 수 있고, 몰딩부의 표면 인쇄성이 저하될 수 있으며, 불소계 이형필름의 요철의 십점 평균 조도가 적정하더라도 산술 평균 조도가 높을 경우 기계적 물성이 좋지 않아서 불량이 발생할 수 있다. 또한, 불소계 이형필름의 요철의 산술 평균 조도가 적정하더라도 십점 평균 조도가 낮을 경우 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 발생할 수 있고, 몰딩부의 표면 인쇄성이 저하될 수 있으며, 불소계 이형필름의 요철의 산술 평균 조도가 적정하더라도 십점 평균 조도가 높을 경우 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 발생할 수 있고, 몰딩부의 표면 인쇄성이 저하될 수 있으며, 기계적 물성이 좋지 않아서 불량이 발생할 수 있다.Even if the arithmetic mean roughness of the unevenness of the fluorine-based release film is appropriate, if the arithmetic mean roughness is low, the molding part of the semiconductor package may suffer appearance defects due to stains and scratches, and the surface printability of the molding part may deteriorate. Even if the arithmetic mean roughness of the unevenness of the fluorine-based release film is appropriate, if the arithmetic mean roughness is high, the mechanical properties may be poor and defects may occur. In addition, even if the arithmetic mean roughness of the unevenness of the fluorine-based release film is appropriate, if the arithmetic mean roughness is low, the molding part of the semiconductor package may suffer appearance defects due to stains and scratches, and the surface printability of the molding part may deteriorate. Even if the arithmetic mean roughness of the unevenness of the fluorine-based release film is appropriate, if the arithmetic mean roughness of the unevenness of the fluorine-based release film is high, the molding part of the semiconductor package may suffer appearance defects due to stains and scratches, and the surface printability of the molding part may deteriorate. And even if the arithmetic mean roughness of the unevenness of the fluorine-based release film is appropriate, if the arithmetic mean roughness of the unevenness of the fluorine-based release film is appropriate, the molding part of the semiconductor package may suffer appearance defects due to stains and scratches, and the surface printability of the molding part may deteriorate. And the mechanical properties may be poor and defects may occur.

이에 따라, 상기 불소계 이형필름은 복수 개의 요철의 산술 평균 조도 및 십점 평균 조도가 특정 비율을 나타내야하며, 이에 본 발명에 따른 불소계 이형필름은 하기 조건 (1)을 만족하도록 설계된다.Accordingly, the fluorine-based release film must have a specific ratio of the arithmetic mean roughness and the ten-point average roughness of the plurality of irregularities, and thus the fluorine-based release film according to the present invention is designed to satisfy the following condition (1).

조건 (1)로써 B / A ≤ 170이고, 바람직하게는 1.6 ≤ B / A ≤ 63일 수 있다.As condition (1), B / A ≤ 170, and preferably 1.6 ≤ B / A ≤ 63.

이때, 상기 A는 상기 복수 개의 요철의 산술 평균 조도(㎛) 및 상기 B는 복수 개의 요철의 십점 평균 조도(㎛)를 나타냄.At this time, the above A represents the arithmetic average roughness (㎛) of the plurality of uneven surfaces, and the above B represents the ten-point average roughness (㎛) of the plurality of uneven surfaces.

만일 상기 조건 (1)에서 B / A가 170을 초과하면 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 발생할 수 있고, 몰딩부의 표면 인쇄성이 저하될 수 있으며, 기계적 물성이 좋지 않아서 불량이 발생할 수 있다.If B/A exceeds 170 in the above condition (1), appearance defects due to stains and scratches may occur in the molding part of the semiconductor package, surface printability of the molding part may deteriorate, and mechanical properties may be poor, resulting in defects.

한편, 산술 평균 조도는 중심선 평균 거칠기를 의미하며, 구체적으로 한국산업규격(KS)에 의할 때 거칠기 곡선으로부터 그 평균선의 방향에 기준 길이만큼 뽑아내어 그 표본 부분의 평균선 방향을 X축 및 세로 배율 방향을 Y축으로 잡고, 거칠기 곡선을 y=f(x)로 나타내었을 때, 다음 수학식 1에 따라 구해지는 값을 말한다.Meanwhile, the arithmetic mean roughness refers to the centerline average roughness, and specifically, according to the Korean Industrial Standards (KS), it refers to the value obtained by the following mathematical formula 1 when the direction of the average line is extracted from the roughness curve by a standard length in the direction of the average line, the direction of the average line of the sample portion is set as the X-axis and the vertical magnification direction is set as the Y-axis, and the roughness curve is expressed as y = f(x).

[수학식 1][Mathematical Formula 1]

이때, l은 기준길이이다.Here, l is the reference length.

또한, 십점 평균 조도는 JIS B0601에 나타난 바와 같이 단면곡선에서 기준길이만큼 빼낸 부분에서, 평균선에 평행하고 또한 단면곡선을 가로지르지 않는 직선에서 종배율(縱倍率) 방향으로 측정한 가장 높은 곳에서 5번째까지의 봉우리 표고 평균값과 가장 깊은 곳에서 5번째까지의 골짜기바닥 표고평균값의 차를 ㎛ 단위로 표시한 것을 말하며, 10점의 측정값 평균값을 10점 평균표면조도라 한다.In addition, the 10-point average roughness refers to the difference in ㎛ between the average elevation of the fifth highest peak and the average elevation of the fifth deepest valley, measured in the longitudinal magnification direction on a straight line that is parallel to the mean line and does not cross the cross-sectional curve, at a section extracted from the cross-sectional curve by the standard length as shown in JIS B0601, and the average value of the measurement values at 10 points is called the 10-point average surface roughness.

이하, 본 발명의 불소계 이형필름의 각 구성에 대하여 설명한다.Hereinafter, each component of the fluorine-based release film of the present invention will be described.

상기 불소계 이형필름은 본 발명이 목적하는 효과를 달성할 수 있도록 하는 것으로, 상기 불소계 이형필름은 당업계에서 통상적으로 사용할 수 있는 불소계 수지라면 제한 없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 플루오로에틸렌프로필렌(FEP), 에틸렌-테트라플루오로에틸렌(ETFE), 퍼플루오로알콕시(PFA), 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF), 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE) 및 폴리비닐플루오라이드(PVF)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있고, 보다 바람직하게는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 플루오로에틸렌프로필렌(FEP), 에틸렌-테트라플루오로에틸렌(ETFE) 및 퍼플루오로알콕시(PFA) 로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있고, 보다 더 바람직하게는 에틸렌-테트라플루오로에틸렌(ETFE)를 포함하는 것이 본 발명의 목적 달성에 더욱 유리할 수 있다.The above fluorine-based release film is capable of achieving the effect aimed at by the present invention, and the fluorine-based release film can be used without limitation as long as it is a fluorine-based resin that can be commonly used in the art, and preferably, it may include at least one selected from the group consisting of polytetrafluoroethylene (PTFE), fluoroethylenepropylene (FEP), ethylene-tetrafluoroethylene (ETFE), perfluoroalkoxy (PFA), polyvinylidene fluoride (PVDF), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), and polyvinyl fluoride (PVF), and more preferably, it may include at least one selected from the group consisting of polytetrafluoroethylene (PTFE), fluoroethylenepropylene (FEP), ethylene-tetrafluoroethylene (ETFE), and perfluoroalkoxy (PFA), and even more preferably, it may be more advantageous in achieving the purpose of the present invention to include ethylene-tetrafluoroethylene (ETFE).

또한, 상기 불소계 이형필름은 상술한 바와 같이 표면의 적어도 일부에 복수 개의 요철을 포함하고, 상기 복수 개의 요철은 상기 조건 (1)을 만족하기 위하여 산술 평균 조도(Ra)가 0.03 ~ 0.5㎛ 및 십점 평균 조도(Rz)가 0.3 ~ 5.0㎛일 수 있고, 바람직하게는 산술 평균 조도(Ra)가 0.05 ~ 0.3㎛ 및 십점 평균 조도(Rz)가 0.5 ~ 3.0㎛일 수 있다. In addition, the fluorine-based release film includes a plurality of unevennesses on at least a portion of the surface as described above, and the plurality of unevennesses may have an arithmetic mean roughness (Ra) of 0.03 to 0.5 ㎛ and a ten-point average roughness (Rz) of 0.3 to 5.0 ㎛ in order to satisfy the condition (1), and preferably, an arithmetic mean roughness (Ra) of 0.05 to 0.3 ㎛ and a ten-point average roughness (Rz) of 0.5 to 3.0 ㎛.

만일 상기 불소계 이형필름의 복수 개의 요철의 산술 평균 조도가 0.03㎛ 미만이면 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 발생할 수 있고, 몰딩부의 표면 인쇄성이 저하될 수 있으며, 상기 불소계 이형필름의 복수 개의 요철의 산술 평균 조도가 0.5㎛를 초과하면 기계적 물성이 좋지 않아서 불량이 발생할 수 있다. 또한, 만일 상기 불소계 이형필름의 복수 개의 요철의 십점 평균 조도가 0.3㎛ 미만이면 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 발생할 수 있고, 몰딩부의 표면 인쇄성이 저하될 수 있으며, 상기 불소계 이형필름의 복수 개의 요철의 십점 평균 조도가 5.0㎛를 초과하면 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 발생할 수 있고, 몰딩부의 표면 인쇄성이 저하될 수 있으며, 기계적 물성이 좋지 않아서 불량이 발생할 수 있다.If the arithmetic mean roughness of the plurality of unevennesses of the fluorine-based release film is less than 0.03 ㎛, appearance defects due to stains and scratches may occur in the molding part of the semiconductor package, and surface printability of the molding part may deteriorate. If the arithmetic mean roughness of the plurality of unevennesses of the fluorine-based release film exceeds 0.5 ㎛, mechanical properties may be poor, and thus defects may occur. In addition, if the ten-point average roughness of the plurality of unevennesses of the fluorine-based release film is less than 0.3 ㎛, appearance defects due to stains and scratches may occur in the molding part of the semiconductor package, and surface printability of the molding part may deteriorate. If the ten-point average roughness of the plurality of unevennesses of the fluorine-based release film exceeds 5.0 ㎛, appearance defects due to stains and scratches may occur in the molding part of the semiconductor package, and surface printability of the molding part may deteriorate. And mechanical properties may be poor, and thus defects may occur.

한편, 상기 복수 개의 요철은 요철의 평균 폭(RSm)이 30 ~ 200㎛일 수 있고, 바람직하게는 요철의 평균 폭이 50 ~ 150㎛일 수 있다. 만일 상기 불소계 이형필름의 복수 개의 요철의 평균 폭이 30㎛미만이면 기계적 물성이 좋지 않아서 불량이 발생할 수 있고, 200㎛를 초과하면 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 발생할 수 있고, 몰딩부의 표면 인쇄성이 저하될 수 있다.Meanwhile, the plurality of uneven portions may have an average width (R Sm ) of 30 to 200 μm, and preferably, the average width of the uneven portions may be 50 to 150 μm. If the average width of the plurality of uneven portions of the fluorine-based release film is less than 30 μm, the mechanical properties may not be good, resulting in defects, and if it exceeds 200 μm, the appearance may be deteriorated due to stains and scratches on the molding portion of the semiconductor package, and the surface printability of the molding portion may be deteriorated.

이때, 상기 요철의 평균 폭(RSm)은 산술 평균 조도를 측정하는 중심선을 지나는 요철들 사이의 평균 거리 값을 나타낸다.At this time, the average width of the irregularities (R Sm ) represents the average distance value between the irregularities passing through the center line measuring the arithmetic average roughness.

또한, 상기 복수 개의 요철은 피크 카운트(RPc)가 15 ~ 45 개/1cm일 수 있고, 바람직하게는 피크 카운트가 20 ~ 40 개/1cm일 수 있다. 만일 상기 불소계 이형필름의 복수 개의 요철의 피크 카운트가 15 개/1cm 미만이면 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 발생할 수 있고, 몰딩부의 표면 인쇄성이 저하될 수 있으며, 상기 불소계 이형필름의 복수 개의 요철의 피크 카운트가 45 개/1cm를 초과하면 기계적 물성이 좋지 않아서 불량이 발생할 수 있다.In addition, the plurality of unevennesses may have a peak count (RPc) of 15 to 45/1cm, and preferably, the peak count may be 20 to 40/1cm. If the peak count of the plurality of unevennesses of the fluorine-based release film is less than 15/1cm, appearance defects due to stains and scratches may occur in the molding portion of the semiconductor package, and surface printability of the molding portion may deteriorate, and if the peak count of the plurality of unevennesses of the fluorine-based release film exceeds 45/1cm, mechanical properties may be poor, resulting in defects.

이때, 상기 피크 카운트는 상기 산술 평균 조도 측정 시 상기 중심선 위 0.5㎛ 지점을 지나며 상기 중심선과 평행하는 상위 기준선 상의 피크 개수를 측정한 것을 나타낸다.At this time, the peak count indicates the number of peaks measured on an upper reference line that passes 0.5 μm above the center line and is parallel to the center line when measuring the arithmetic mean roughness.

한편, 본 발명에 따른 불소계 이형필름은 두께가 20 ~ 250㎛일 수 있고, 바람직하게는 상기 불소계 이형필름은 두께가 25 ~ 230㎛일 수 있으며, 보다 바람직하게는 상기 불소계 이형필름은 두께가 20 ~ 200㎛일 수 있다. 상기 불소계 이형필름의 두께가 상기 범위를 만족함에 따라, 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량을 방지할 수 있고, 몰딩부의 표면 인쇄성을 향상시킬 수 있으며, 몰딩부의 두께를 두껍게 형성하더라도 우수한 기계적 물성으로 찢어짐 등의 불량을 방지할 수 있다.Meanwhile, the fluorine-based release film according to the present invention may have a thickness of 20 to 250 μm, preferably, the fluorine-based release film may have a thickness of 25 to 230 μm, and more preferably, the fluorine-based release film may have a thickness of 20 to 200 μm. When the thickness of the fluorine-based release film satisfies the above range, appearance defects due to stains and scratches on the molding part of the semiconductor package can be prevented, the surface printability of the molding part can be improved, and even if the molding part is formed thickly, defects such as tearing can be prevented due to excellent mechanical properties.

또한, 본 발명에 따른 불소계 이형필름은 온도 165℃에서의 신율이 200% 이상일 수 있고, 바람직하게는 온도 165℃에서의 신율이 300% 이상일 수 있다. 상기 불소계 이형필름의 온도 165℃에서의 신율 범위를 만족함에 따라 몰딩부의 두께에 관계 없이 우수한 기계적 물성을 발현하여 불량 발생을 방지할 수 있다.In addition, the fluorine-based release film according to the present invention may have an elongation of 200% or more at a temperature of 165°C, and preferably an elongation of 300% or more at a temperature of 165°C. By satisfying the elongation range of the fluorine-based release film at a temperature of 165°C, it is possible to prevent the occurrence of defects by exhibiting excellent mechanical properties regardless of the thickness of the molding portion.

한편, 본 발명은 도 2에 도시된 바와 같이, 표면의 적어도 일부에 반도체 소자(310)가 배치된 기판(300), 및 상기 반도체 소자(310)가 몰딩되도록 상기 기판(300) 상에 배치되고, 상기 기판(300) 측 배면 적어도 일부에 복수 개의 요철을 포함하는 몰딩부(400)를 포함하는 반도체 패키지(1000)를 제공한다.Meanwhile, the present invention provides a semiconductor package (1000) including a substrate (300) having a semiconductor element (310) arranged on at least a portion of a surface thereof, as illustrated in FIG. 2, and a molding part (400) disposed on the substrate (300) so that the semiconductor element (310) is molded, and including a plurality of protrusions on at least a portion of a back surface of the substrate (300).

이때, 상기 몰딩부(400)의 기판(300) 측 배면은 하기 조건 (2)를 만족한다.At this time, the back surface of the substrate (300) side of the molding part (400) satisfies the following condition (2).

조건 (2)로써 D / C ≤ 170이고, 바람직하게는 1.6 ≤ D / C ≤ 63일 수 있다.As condition (2), D / C ≤ 170, and preferably 1.6 ≤ D / C ≤ 63.

이때, 상기 C는 몰딩부(400)의 기판(300) 측 배면 상 복수 개의 요철의 산술 평균 조도(㎛) 및 상기 D는 몰딩부(400)의 기판(300) 측 배면 상 복수 개의 요철의 십점 평균 조도(㎛)를 나타냄.At this time, the above C represents the arithmetic average roughness (㎛) of a plurality of unevennesses on the back surface of the substrate (300) side of the molding part (400), and the above D represents the ten-point average roughness (㎛) of a plurality of unevennesses on the back surface of the substrate (300) side of the molding part (400).

만일 상기 조건 (2)에서 D / C가 170을 초과하면 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 발생할 수 있고, 몰딩부의 표면 인쇄성이 저하될 수 있으며, 기계적 물성이 좋지 않아서 불량이 발생할 수 있다.If D/C exceeds 170 in the above condition (2), appearance defects due to stains and scratches may occur in the molding part of the semiconductor package, surface printability of the molding part may deteriorate, and mechanical properties may be poor, resulting in defects.

한편, 상기 몰딩부(400)는 경화형 수지로 형성될 수 있으며, 상기 경화형 수지는 당업계에서 통상적으로 사용할 수 있는 경화형 수지라면 제한 없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 이소시아네이트계 수지 및 우레탄계 수지 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있고, 보다 바람직하게는 에폭시계 수지를 포함하는 것이 본 발명의 목적 달성에 더욱 유리할 수 있다.Meanwhile, the molding part (400) may be formed of a curable resin, and the curable resin may be any curable resin commonly used in the art without limitation, and preferably may include at least one of an epoxy resin, an acrylic resin, an isocyanate resin, and a urethane resin, and more preferably, including an epoxy resin may be more advantageous in achieving the purpose of the present invention.

한편, 상기 에폭시계 수지의 구체적인 종류는 공지된 에폭시계 수지라면 제한 없이 사용할 수 있음에 따라, 본 발명에서는 이를 특별히 한정하지 않는다.Meanwhile, since any known epoxy resin can be used without limitation as to the specific type of the epoxy resin, the present invention does not specifically limit it.

또한, 상기 몰딩부(400)의 기판(300) 측 배면 상 복수 개의 요철은 상기 조건 (2)를 만족하기 위하여 산술 평균 조도(Ra)가 0.03 ~ 0.5㎛ 및 십점 평균 조도(Rz)가 0.3 ~ 5.0㎛일 수 있고, 바람직하게는 산술 평균 조도(Ra)가 0.05 ~ 0.3㎛ 및 십점 평균 조도(Rz)가 0.5 ~ 3.0㎛일 수 있다. In addition, the plurality of unevennesses on the back surface of the substrate (300) of the molding portion (400) may have an arithmetic mean roughness (Ra) of 0.03 to 0.5 ㎛ and a ten-point average roughness (Rz) of 0.3 to 5.0 ㎛ in order to satisfy the condition (2), and preferably, an arithmetic mean roughness (Ra) of 0.05 to 0.3 ㎛ and a ten-point average roughness (Rz) of 0.5 to 3.0 ㎛.

만일 상기 몰딩부의 기판 측 배면 상 복수 개의 요철의 산술 평균 조도가 0.03㎛ 미만이면 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 발생할 수 있고, 몰딩부의 표면 인쇄성이 저하될 수 있으며, 상기 몰딩부의 기판 측 배면 상 복수 개의 요철의 산술 평균 조도가 0.5㎛를 초과하면 해당 조도를 형성하기 위한 이형필름의 기계적 물성이 좋지 않아서 불량이 발생할 수 있다. 또한, 만일 상기 몰딩부의 기판 측 배면 상 복수 개의 요철의 십점 평균 조도가 0.3㎛ 미만이면 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 발생할 수 있고, 몰딩부의 표면 인쇄성이 저하될 수 있으며, 상기 몰딩부의 기판 측 배면 상 복수 개의 요철의 십점 평균 조도가 5.0㎛를 초과하면 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 발생할 수 있고, 몰딩부의 표면 인쇄성이 저하될 수 있으며, 해당 조도를 형성하기 위한 이형필름의 기계적 물성이 좋지 않아서 불량이 발생할 수 있다.If the arithmetic mean roughness of the plurality of unevennesses on the substrate-side back surface of the molding portion is less than 0.03 ㎛, the molding portion may suffer from appearance defects due to stains and scratches, and the surface printability of the molding portion may deteriorate. If the arithmetic mean roughness of the plurality of unevennesses on the substrate-side back surface of the molding portion exceeds 0.5 ㎛, the mechanical properties of the release film for forming the corresponding roughness may not be good, and thus a defect may occur. In addition, if the ten-point average roughness of the plurality of unevennesses on the substrate-side back surface of the molding portion is less than 0.3 ㎛, the molding portion may suffer from appearance defects due to stains and scratches, and the surface printability of the molding portion may deteriorate. If the ten-point average roughness of the plurality of unevennesses on the substrate-side back surface of the molding portion exceeds 5.0 ㎛, the molding portion may suffer from appearance defects due to stains and scratches, and the surface printability of the molding portion may deteriorate. If the mechanical properties of the release film for forming the corresponding roughness may not be good, and thus a defect may occur.

한편, 상기 몰딩부(400)의 기판(300) 측 배면 상 복수 개의 요철의 평균 폭(RSm)은 30 ~ 200㎛일 수 있고, 바람직하게는 요철의 평균 폭은 50 ~ 150㎛일 수 있다. 만일 상기 몰딩부의 기판 측 배면 상 복수 개의 요철의 평균 폭이 30㎛미만이면 해당 폭을 형성하기 위한 이형필름의 기계적 물성이 좋지 않아서 불량이 발생할 수 있고, 200㎛를 초과하면 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 발생할 수 있고, 몰딩부의 표면 인쇄성이 저하될 수 있다.Meanwhile, the average width (R Sm ) of the plurality of unevennesses on the substrate (300)-side back surface of the molding portion (400) may be 30 to 200 μm, and preferably, the average width of the unevennesses may be 50 to 150 μm. If the average width of the plurality of unevennesses on the substrate-side back surface of the molding portion is less than 30 μm, the mechanical properties of the release film for forming the corresponding width may not be good, resulting in defects, and if it exceeds 200 μm, the molding portion may suffer from appearance defects due to stains and scratches, and the surface printability of the molding portion may deteriorate.

또한, 상기 몰딩부(400)의 기판(300) 측 배면 상 복수 개의 요철의 피크 카운트(RPc)는 15 ~ 45 개/1cm일 수 있고, 바람직하게는 피크 카운트가 20 ~ 40 개/1cm일 수 있다. 만일 상기 몰딩부의 기판 측 배면 상 복수 개의 요철의 피크 카운트가 15 개/1cm 미만이면 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량이 발생할 수 있고, 몰딩부의 표면 인쇄성이 저하될 수 있으며, 상기 몰딩부의 기판 측 배면 상 복수 개의 요철의 피크 카운트가 45 개/1cm를 초과하면 해당 피크 카운트를 형성하기 위한 이형필름의 기계적 물성이 좋지 않아서 불량이 발생할 수 있다.In addition, the peak count (RPc) of the plurality of unevennesses on the substrate (300)-side back surface of the molding part (400) may be 15 to 45/cm, and preferably, the peak count may be 20 to 40/cm. If the peak count of the plurality of unevennesses on the substrate-side back surface of the molding part is less than 15/1cm, the molding part may have poor appearance due to stains and scratches, and the surface printability of the molding part may deteriorate. In addition, if the peak count of the plurality of unevennesses on the substrate-side back surface of the molding part exceeds 45/1cm, the mechanical properties of the release film for forming the corresponding peak count may not be good, and thus a defect may occur.

상기 반도체 소자(310)는 상기 기판(300)에 실장될 수 있으며, 상기 반도체 소자(310)는 표면 전극을 가질 수 있고, 상기 기판(300)은 상기 반도체 소자(310)의 표면 전극에 대응하는 기판 전극을 가질 수 있으며, 상기 표면 전극과 상기 기판 전극은 전기적으로 연통되어 있을 수 있다.The semiconductor element (310) may be mounted on the substrate (300), the semiconductor element (310) may have a surface electrode, the substrate (300) may have a substrate electrode corresponding to the surface electrode of the semiconductor element (310), and the surface electrode and the substrate electrode may be electrically connected.

한편, 상기 기판(300), 상기 반도체 소자(310) 및 상기 반도체 패키지(1000)의 구체적인 형상 등에 대해서는 공지된 기판, 반도체 소자 및 반도체 패키지의 형상 등을 적용할 수 있음에 따라, 본 발명에서는 이를 특별히 한정하지 않는다.Meanwhile, since the specific shapes of the substrate (300), the semiconductor element (310), and the semiconductor package (1000) can be applied to known shapes of the substrate, semiconductor element, and semiconductor package, the present invention does not specifically limit them.

본 발명은 도 1 및 도 3에 도시된 바와, 소정의 수용부(101)가 형성된 몰딩부 형성체(100)를 준비하는 단계(S1), 상기 수용부(101)를 따라 상기 몰딩부 형성체(100) 표면 상 일부 영역에 상술한 불소계 이형필름(200)을 배치하는 단계(S2), 표면의 적어도 일부에 반도체 소자(310)가 배치된 기판(300)을, 상기 반도체 소자(310)의 적어도 일부가 상기 수용부(101)에 수용되도록 배치하는 단계(S3), 상기 수용부(101)에 경화형 수지를 처리하여, 상기 반도체 소자(310)가 몰딩되도록 몰딩부(400)를 형성하는 단계(S4), 및 상기 몰딩부 형성체(100) 및 상기 불소계 이형필름(200)을 제거하는 단계(S5);를 포함하는 반도체 패키지 제조방법을 제공한다.The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor package, including the steps of: (S1) preparing a molding part forming body (100) having a predetermined receiving portion (101) formed, as illustrated in FIGS. 1 and 3; (S2) arranging the above-described fluorine-based release film (200) on a portion of the surface of the molding part forming body (100) along the receiving portion (101); (S3) arranging a substrate (300) having a semiconductor element (310) arranged on at least a portion of the surface such that at least a portion of the semiconductor element (310) is received in the receiving portion (101); (S4) forming a molding part (400) by treating the receiving portion (101) with a curable resin so that the semiconductor element (310) is molded; and (S5) removing the molding part forming body (100) and the fluorine-based release film (200).

상기 몰딩부 형성체(100)를 준비하는 단계(S1)는, 상기 불소계 이형필름(200)이 배치되고, 상기 경화형 수지 처리를 통한 몰딩부(400) 형성이 가능하도록 수용부(101)를 포함하는 몰딩부 형성체(100)를 준비하는 단계로, 당업계에서 통상적으로 사용할 수 있는 몰딩부 형성체의 재질 및 스펙이라면 제한 없이 사용할 수 있음에 따라, 본 발명에서는 이를 특별히 한정하지 않는다.The step (S1) of preparing the molding part forming body (100) is a step of preparing a molding part forming body (100) including a receiving portion (101) so that the fluorine-based release film (200) is placed and the molding part (400) can be formed through the curable resin treatment. Since any material and specification of a molding part forming body that can be commonly used in the art can be used without limitation, the present invention does not specifically limit this.

또한, 상기 불소계 이형필름(200)을 배치하는 단계(S2)는, 상기 몰딩부 형성체(100)의 수용부(101) 표면을 따라, 상술한 불소계 이형필름(200)을 배치하는 단계로, 후술하는 경화형 수지가 실질적으로 처리되는 영역을 형성하는 단계이다. 상기 불소계 이형필름(200)의 배치 방법은 공지된 방법을 사용할 수 있음에 따라, 본 발명에서는 이를 특별히 한정하지 않는다.In addition, the step (S2) of arranging the fluorine-based release film (200) is a step of arranging the fluorine-based release film (200) along the surface of the receiving portion (101) of the molding part forming body (100), and is a step of forming an area where the curable resin described below is actually processed. Since a known method can be used as the method of arranging the fluorine-based release film (200), the present invention does not specifically limit it.

또한, 상기 반도체 소자(310)의 적어도 일부가 상기 수용부(101)에 수용되도록 배치하는 단계(S3)는, 표면의 적어도 일부에 반도체 소자(310)가 배치된 기판(300)을 상기 반도체 소자(310)가 수용부(101) 측을 향하도록 하여, 상기 반도체 소자(310)의 적어도 일부가 상기 수용부(101)에 수용되도록 배치하는 단계이다. 상기 기판(300)의 배치 방법은 공지된 방법을 사용할 수 있음에 따라, 본 발명에서는 이를 특별히 한정하지 않는다.In addition, the step (S3) of arranging the semiconductor element (310) so that at least a part of it is accommodated in the receiving portion (101) is a step of arranging the substrate (300) on which the semiconductor element (310) is arranged on at least a part of the surface so that the semiconductor element (310) faces the receiving portion (101) so that at least a part of the semiconductor element (310) is accommodated in the receiving portion (101). Since a known method can be used as the method of arranging the substrate (300), the present invention does not specifically limit it.

또한, 상기 몰딩부를 형성하는 단계(S4)는, 상기 수용부(101)에 적어도 일부가 수용된 반도체 소자(310)가 몰딩되도록 수용부(101)에 경화형 수지를 처리하여 수행할 수 있다.In addition, the step (S4) of forming the molding part can be performed by treating the receiving part (101) with a curable resin so that the semiconductor element (310), at least part of which is received in the receiving part (101), is molded.

이때, 상기 처리는 경화형 수지를 수용부(101)에 배치하는 단계 및 수용부에 배치한 경화형 수지를 경화하는 단계를 포함할 수 있으며, 상기 경화형 수지를 수용부(101)에 배치하는 방법 및 경화형 수지의 경화 방법은 공지된 방법을 사용할 수 있음에 따라, 본 발명에서는 이를 특별히 한정하지 않는다.At this time, the above treatment may include a step of placing a curable resin in a receiving portion (101) and a step of curing the curable resin placed in the receiving portion. Since the method of placing the curable resin in the receiving portion (101) and the method of curing the curable resin may use known methods, the present invention does not specifically limit them.

그리고, 상기 몰딩부 형성체(100) 및 불소계 이형필름(200)을 제거하는 단계(S5)는, 표면의 적어도 일부에 반도체 소자(310)가 배치된 기판(300), 및 상기 반도체 소자(310)가 몰딩되도록 상기 기판(300) 상에 배치되고, 상기 기판(300) 측 배면 적어도 일부에 복수 개의 요철을 포함하는 몰딩부(400)를 포함하는 반도체 패키지(1000)를, 상기 몰딩부 형성체(11) 및 상기 몰딩부 형성체(100) 표면 상 일부 영역에 배치된 불소계 이형필름(200)에서 분리함으로써 수행할 수 있다. 상기 분리 방법은 공지된 방법을 사용할 수 있음에 따라, 본 발명에서는 이를 특별히 한정하지 않는다.And, the step (S5) of removing the molding part forming body (100) and the fluorine-based release film (200) can be performed by separating the semiconductor package (1000) including the substrate (300) on which the semiconductor element (310) is arranged on at least a portion of the surface, and the molding part (400) which is arranged on the substrate (300) so that the semiconductor element (310) is molded and includes a plurality of unevennesses on at least a portion of the back surface of the substrate (300), from the molding part forming body (11) and the fluorine-based release film (200) arranged on a portion of the surface of the molding part forming body (100). Since the separation method can use a known method, the present invention does not specifically limit it.

본 발명의 불소계 이형필름, 이를 통한 반도체 패키지 제조방법 및 반도체 패키지는, 반도체 패키지의 몰딩부에 얼룩과 긁힘에 의한 외관 불량을 방지할 수 있고, 불량품에 대한 육안 검사를 가능하게 하며, 몰딩부의 표면 인쇄성을 향상시킬 수 있는 동시에, 반도체 소자를 몰딩하는 몰딩부의 두께를 두껍게 형성하더라도 우수한 기계적 물성으로 찢어짐 등의 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.The fluorine-based release film of the present invention, the method for manufacturing a semiconductor package using the same, and the semiconductor package can prevent appearance defects due to stains and scratches on the molding part of a semiconductor package, enable visual inspection of defective products, and improve the surface printability of the molding part. In addition, even if the thickness of the molding part for molding a semiconductor element is formed thick, it has the effect of preventing defects such as tearing due to excellent mechanical properties.

하기의 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기로 하지만, 하기 실시예가 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니며, 이는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로 해석되어야 할 것이다.The present invention will be described more specifically through the following examples, but the following examples do not limit the scope of the present invention, and should be interpreted as helping to understand the present invention.

<실시예 1><Example 1>

먼저, 불소계 수지로 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체(ETFE)를 압출하여 용융된 수지를 T다이를 통하여 필름화시킨 후, 산술 평균 조도(Ra) 0.17㎛, 십점 평균 조도(Rz) 1.7㎛, 요철의 평균 폭(RSm) 115㎛ 및 피크 카운트(RPc) 30개/1cm를 만족하는 복수 개의 요철이 각각 형성된 2개의 금속기재 롤 사이를 지나도록 온도 320℃, 압력 100㎏/㎠ 및 속도 4m/min의 조건으로 압착 및 가열하여 두께 130㎛의 불소계 이형필름을 제조하였다. 이때, 상기 불소계 이형필름은 복수 개의 요철을 포함하였으며, 상기 복수 개의 요철은 산술 평균 조도(Ra) 0.17㎛, 십점 평균 조도(Rz) 1.7㎛, 요철의 평균 폭(RSm) 115㎛ 및 피크 카운트(RPc) 30개/1cm를 만족하였다.First, ethylene-tetrafluoroethylene copolymer (ETFE) was extruded as a fluorinated resin, and the molten resin was formed into a film through a T-die, and then passed between two metal substrate rolls each having a plurality of unevennesses that satisfy an arithmetic mean roughness (R a ) of 0.17 μm, a ten-point average roughness (R z ) of 1.7 μm, an average width of unevenness (R Sm ) of 115 μm, and a peak count (R Pc ) of 30/1 cm, thereby manufacturing a fluorinated release film having a thickness of 130 μm by pressing and heating under the conditions of a temperature of 320°C, a pressure of 100 kg/cm2, and a speed of 4 m/min. At this time, the fluorine-based release film included a plurality of unevennesses, and the plurality of unevennesses satisfied an arithmetic mean roughness (R a ) of 0.17 μm, a ten-point average roughness (R z ) of 1.7 μm, an average width of unevennesses (R Sm ) of 115 μm, and a peak count (R Pc ) of 30/1 cm.

<실시예 2 ~ 11 및 비교예 1 ~ 3><Examples 2 to 11 and Comparative Examples 1 to 3>

실시예 1과 동일하게 실시하여 제조하되, 산술 평균 조도(Ra), 십점 평균 조도(Rz), 요철의 평균 폭(RSm), 피크 카운트(RPc), 복수 개의 요철 형성 여부 및 이형필름의 형성 물질 등을 변경하여 하기 표 1 ~ 3과 같은 불소계 이형필름을 제조하였다.Fluorine-based release films were manufactured in the same manner as in Example 1, except that the arithmetic mean roughness (R a ), ten-point mean roughness (R z ), average width of irregularities (R Sm ), peak count (R Pc ), whether multiple irregularities were formed, and the forming material of the release film were changed to manufacture fluorine-based release films as shown in Tables 1 to 3 below.

<실험예><Experimental example>

실시예 및 비교예에 따라 제조한 각각의 이형 필름에 대하여, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 수행하여 도 2에 도시된 바와 같은 반도체 패키지를 각각 제조하였다.For each of the heteromorphic films manufactured according to the examples and comparative examples, a semiconductor package as shown in Fig. 2 was manufactured by performing the process as shown in Figs. 1 and 3.

구체적으로, 수용부가 형성된 몰딩부 형성체의 수용부를 따라 실시예 및 비교예에 따라 제조한 이형필름을 배치하고, 반도체 소자가 실장된 기판의 반도체 소자가 상기 수용부에 수용되도록 배치한 후, 상기 수용부에 경화형 수지로 에폭시계 수지인 크레졸노볼락 에폭시 수지를 처리 및 경화시켜서 상기 반도체 소자가 몰딩되도록 평균 두께 0.2 T(2 ㎜)의 몰딩부를 형성한 뒤, 상기 몰딩부 형성체 및 상기 실시예 및 비교예에 따라 제조한 이형필름을 제거하여 각각의 반도체 패키지를 제조하였다.Specifically, a release film manufactured according to Examples and Comparative Examples was placed along a receiving portion of a molding portion-formed body in which a receiving portion was formed, and a semiconductor element of a substrate having a semiconductor element mounted thereon was placed so as to be received in the receiving portion, and then a cresol novolac epoxy resin, which is an epoxy resin that is a curable resin, was treated and cured in the receiving portion to form a molding portion having an average thickness of 0.2 T (2 mm) so that the semiconductor element was molded, and then the molding portion-formed body and the release film manufactured according to Examples and Comparative Examples were removed to manufacture each semiconductor package.

이후 하기 물성을 평가하여 그 결과를 표 1 내지 표 3에 나타내었다.Afterwards, the following properties were evaluated and the results are shown in Tables 1 to 3.

1. 몰딩부 외관 평가1. Evaluation of the appearance of the molding part

상기 각각의 반도체 패키지의 각각의 몰딩부에 대하여, 육안 평가를 통해 몰딩부 외관의 불량 여부를 평가하였다(얼룩과 긁힘 등에 의한 외관 불량이 있는 경우 - ○, 외관 불량이 없는 경우 - ×). 또한, 각각의 몰딩부에 대한 광의 정도를 평가하였다(○ - 유광, △ - 중간, × - 무광).For each molding part of each of the above semiconductor packages, the presence or absence of defects in the appearance of the molding part was evaluated through visual evaluation (if there were defects in the appearance due to stains or scratches, etc. - ○, if there were no defects in the appearance - ×). In addition, the degree of gloss for each molding part was evaluated (○ - glossy, △ - medium, × - matte).

2. 몰딩부 인쇄성 평가2. Evaluation of molding part printability

상기 각각의 반도체 패키지의 각각의 몰딩부에 대하여, 다이오드 레이저(Diode Laser)를 통한 레이저 마킹(Laser Marking) 방법으로 몰딩부의 인쇄성을 평가 하였다. 이때, 인쇄성이 양호한 경우(선명도 우수 및 번짐 없음) - ○, 인쇄성이 불량한 경우(선명도 저하 및 번짐 발생) - ×으로 하여 인쇄성을 평가하였다. For each molding part of each of the above semiconductor packages, the printability of the molding part was evaluated by the laser marking method using a diode laser. At this time, the printability was evaluated as ○ if the printability was good (excellent clarity and no blurring), and × if the printability was poor (poor clarity and blurring).

3. 기계적 물성에 따른 불량 발생 평가3. Evaluation of defect occurrence according to mechanical properties

상기 각각의 몰딩부의 두께를 0.3 T가 아닌 0.5T로 형성하여, 이형필름의 찢어짐 등에 따른 불량 발생 여부를 평가하였으며, 총 100회 제조하여 불량 발생 횟수를 측정하였다.The thickness of each of the above molding parts was formed to 0.5T instead of 0.3T, and the occurrence of defects due to tearing of the release film, etc. was evaluated. A total of 100 products were manufactured and the number of defects occurring was measured.

구분division 실시예
1
Example
1
실시예
2
Example
2
실시예
3
Example
3
실시예
4
Example
4
실시예
5
Example
5
불소계 이형필름Fluorine-based release film 형성 물질Formative material ETFEETFE ETFEETFE ETFEETFE ETFEETFE ETFEETFE 산술 평균 조도(Ra, ㎛),"A"Arithmetic mean roughness (R a , ㎛), "A" 0.170.17 0.30.3 0.050.05 0.020.02 0.70.7 십점 평균 조도(Rz, ㎛),"B"Ten-point average roughness (R z , ㎛), "B" 1.71.7 0.50.5 33 0.90.9 2.22.2 조건 (1), B / ACondition (1), B/A 1010 1.671.67 6363 4545 3.143.14 요철의 평균 폭(RSm, ㎛)Average width of irregularities (R Sm , ㎛) 115115 5050 150150 137137 7272 피크 카운트(RPc, 개/1cm)Peak count (R Pc , pcs/1cm) 3030 4040 2020 2424 3737 몰딩부Molding part 산술 평균 조도(Ra, ㎛),"C"Arithmetic mean roughness (R a , ㎛), "C" 0.190.19 0.350.35 0.0550.055 0.0220.022 0.50.5 십점 평균 조도(Rz, ㎛),"D"Ten-point average roughness (R z , ㎛), "D" 1.91.9 0.580.58 3.33.3 11 2.52.5 조건 (2), D / CCondition (2), D/C 1010 1.661.66 6060 45.545.5 55 몰딩부
외관 평가
Molding part
Appearance Evaluation
불량 여부Defective or not ×× ×× ×× ××
광 정도Light degree ×× ×× ×× ×× 몰딩부 인쇄성 평가Molding part printability evaluation 기계적 물성에 따른 불량 평가(회)Defect evaluation (times) based on mechanical properties 00 00 00 00 1212

구분division 실시예
6
Example
6
실시예
7
Example
7
실시예
8
Example
8
실시예
9
Example
9
실시예
10
Example
10
불소계 이형필름Fluorine-based release film 형성 물질Formative material ETFEETFE ETFEETFE ETFEETFE ETFEETFE ETFEETFE 산술 평균 조도(Ra, ㎛),"A"Arithmetic mean roughness (R a , ㎛), "A" 0.050.05 0.450.45 0.410.41 0.0540.054 0.0560.056 십점 평균 조도(Rz, ㎛),"B"Ten-point average roughness (R z , ㎛), "B" 0.20.2 5.55.5 1.91.9 0.620.62 0.70.7 조건 (1), B / ACondition (1), B/A 44 12.212.2 4.634.63 11.4811.48 12.512.5 요철의 평균 폭(RSm, ㎛)Average width of irregularities (R Sm , ㎛) 8383 109109 2424 212212 188188 피크 카운트(RPc, 개/1cm)Peak count (R Pc , pcs/1cm) 3333 2828 4444 1717 1212 몰딩부Molding part 산술 평균 조도(Ra, ㎛),"C"Arithmetic mean roughness (R a , ㎛), "C" 0.060.06 0.50.5 0.460.46 0.060.06 0.0630.063 십점 평균 조도(Rz, ㎛),"D"Ten-point average roughness (R z , ㎛), "D" 0.230.23 6.16.1 2.12.1 0.690.69 0.820.82 조건 (2), D / CCondition (2), D/C 3.833.83 12.212.2 4.574.57 11.511.5 13.0213.02 몰딩부
외관 평가
Molding part
Appearance Evaluation
불량 여부Defective or not ××
광 정도Light degree ×× 몰딩부 인쇄성 평가Molding part printability evaluation ×× ×× ×× 기계적 물성에 따른 불량 평가(회)Defect evaluation (times) based on mechanical properties 00 66 1111 00 00

구분division 실시예
11
Example
11
비교예
1
Comparative example
1
비교예
21)
Comparative example
2 1)
비교예
32)
Comparative example
3 2)
불소계 이형필름Fluorine-based release film 형성 물질Formative material ETFEETFE ETFEETFE ETFEETFE PSPS 산술 평균 조도(Ra, ㎛),"A"Arithmetic mean roughness (R a , ㎛), "A" 0.440.44 0.0280.028 -- 0.170.17 십점 평균 조도(Rz, ㎛),"B"Ten-point average roughness (R z , ㎛), "B" 2.32.3 5.45.4 -- 1.71.7 조건 (1), B / ACondition (1), B/A 5.235.23 192.86192.86 -- 1010 요철의 평균 폭(RSm, ㎛)Average width of irregularities (R Sm , ㎛) 3838 2121 -- 115115 피크 카운트(RPc, 개/1cm)Peak count (R Pc , pcs/1cm) 4949 4646 -- 3030 몰딩부Molding part 산술 평균 조도(Ra, ㎛),"C"Arithmetic mean roughness (R a , ㎛), "C" 0.490.49 0.0310.031 -- 0.190.19 십점 평균 조도(Rz, ㎛),"D"Ten-point average roughness (R z , ㎛), "D" 2.62.6 66 -- 1.91.9 조건 (2), D / CCondition (2), D/C 5.315.31 193.55193.55 -- 1010 몰딩부
외관 평가
Molding part
Appearance Evaluation
불량 여부Defective or not ×× ××
광 정도Light degree ×× ×× 몰딩부 인쇄성 평가Molding part printability evaluation ×× ×× 기계적 물성에 따른 불량 평가(회)Defect evaluation (times) based on mechanical properties 1212 1616 4343 44 1) 상기 비교예 2는 이형필름에 요철을 형성하지 않은 것을 나타낸다.
2) 상기 비교예 3은 ETFE를 폴리스티렌(PS)로 변경한 것을 나타낸다.
1) The above comparative example 2 shows that no unevenness is formed on the heteromorphic film.
2) The above comparative example 3 shows that ETFE was changed to polystyrene (PS).

상기 표 1 내지 3에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 산술 평균 조도(Ra), 십점 평균 조도(Rz), 요철의 평균 폭(RSm), 피크 카운트(RPc), 복수 개의 요철 형성 여부 및 이형필름의 형성 물질 등을 모두 만족하는 실시예 1 내지 3이, 이 중에서 하나라도 만족하지 못하는 실시예 4 ~ 11 및 비교예 1 ~ 3에 비하여 몰딩부의 외관 불량이 없고, 무광 특성을 나타내며, 인쇄성이 현저히 우수하고, 기계적 물성에 따른 불량이 발생하지 않는 효과를 모두 동시에 달성할 수 있다는 것을 확인할 수 있다.As can be seen from the above Tables 1 to 3, it can be confirmed that Examples 1 to 3, which satisfy all of the arithmetic mean roughness (R a ), ten-point average roughness (R z ), average width of irregularities (R Sm ), peak count (R Pc ), whether multiple irregularities are formed, and forming material of the release film according to the present invention, can simultaneously achieve the effects of having no defects in the appearance of the molding portion, exhibiting matte characteristics, having significantly superior printability, and having no defects due to mechanical properties, compared to Examples 4 to 11 and Comparative Examples 1 to 3, which do not satisfy even one of these.

이상에서 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명의 사상은 본 명세서에 제시되는 실시 예에 제한되지 아니하며, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서, 구성요소의 부가, 변경, 삭제, 추가 등에 의해서 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 사상범위 내에 든다고 할 것이다.Although one embodiment of the present invention has been described above, the spirit of the present invention is not limited to the embodiment presented in this specification, and those skilled in the art who understand the spirit of the present invention will be able to easily suggest other embodiments by adding, changing, deleting, or adding components within the scope of the same spirit, but this will also be considered to fall within the spirit of the present invention.

100: 몰딩부 형성체
101: 수용부
200: 불소계 이형필름
300: 기판
310: 반도체 소자
400: 몰딩부
1000: 반도체 패키지
100: Molding part forming body
101: Reception area
200: Fluorine-based release film
300: Substrate
310: Semiconductor devices
400: Molding part
1000: Semiconductor Package

Claims (13)

표면의 적어도 일부에, 피크 카운트(RPc)가 15 ~ 45개/1cm인 복수 개의 요철을 포함하고,
하기 조건 (1)을 만족하되, 상기 복수 개의 요철은 산술 평균 조도(Ra)가 0.03 ~ 0.5㎛ 및 십점 평균 조도(Rz)가 0.3 ~ 5.0㎛인 불소계 이형필름:
(1) B / A ≤ 170
이때, 상기 A는 복수 개의 요철의 산술 평균 조도(㎛) 및 상기 B는 복수 개의 요철의 십점 평균 조도(㎛)를 나타냄.
At least a portion of the surface comprises a plurality of irregularities having a peak count (R Pc ) of 15 to 45/1 cm,
A fluorine-based release film satisfying the following condition (1), wherein the plurality of unevennesses have an arithmetic mean roughness (R a ) of 0.03 to 0.5 μm and a ten-point average roughness (R z ) of 0.3 to 5.0 μm:
(1) B/A ≤ 170
At this time, the above A represents the arithmetic average roughness (㎛) of multiple unevennesses, and the above B represents the ten-point average roughness (㎛) of multiple unevennesses.
제1항에 있어서,
하기 조건 (1)을 만족하는 불소계 이형필름:
(1) 1.6 ≤ B / A ≤ 63 임.
In the first paragraph,
Fluorine-based release film satisfying the following condition (1):
(1) 1.6 ≤ B / A ≤ 63.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 복수 개의 요철은 요철의 평균 폭(RSm)이 30 ~ 200㎛인 불소계 이형필름.
In the first paragraph,
The above-mentioned plurality of unevennesses are a fluorine-based release film having an average unevenness width (R Sm ) of 30 to 200 ㎛.
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 불소계 이형필름은,
폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 플루오로에틸렌프로필렌(FEP), 에틸렌-테트라플루오로에틸렌(ETFE), 퍼플루오로알콕시(PFA), 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF), 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE) 및 폴리비닐플루오라이드(PVF)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 불소계 이형필름.
In the first paragraph, the fluorine-based release film,
A fluorine-based release film comprising at least one selected from the group consisting of polytetrafluoroethylene (PTFE), fluoroethylene propylene (FEP), ethylene-tetrafluoroethylene (ETFE), perfluoroalkoxy (PFA), polyvinylidene fluoride (PVDF), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), and polyvinyl fluoride (PVF).
제1항에 있어서,
두께가 20 ~ 250㎛인 불소계 이형필름.
In the first paragraph,
Fluorine-based release film with a thickness of 20 to 250 μm.
제1항에 있어서,
온도 165℃에서의 신율이 200% 이상인 불소계 이형필름.
In the first paragraph,
Fluorine-based release film having an elongation of 200% or more at a temperature of 165℃.
표면의 적어도 일부에 반도체 소자가 배치된 기판; 및
상기 반도체 소자가 몰딩되도록 상기 기판 상에 배치되고, 상기 기판 측 배면 적어도 일부에, 피크 카운트(RPc)가 15 ~ 45개/1cm인 복수 개의 요철을 포함하는 몰딩부;를 포함하며,
상기 몰딩부의 기판 측 배면은 하기 조건 (2)를 만족하되, 상기 복수 개의 요철은 산술 평균 조도(Ra)가 0.03 ~ 0.5㎛ 및 십점 평균 조도(Rz)가 0.3 ~ 5.0㎛인 반도체 패키지:
(2) D / C ≤ 170
이때, 상기 C는 몰딩부의 기판 측 배면 상 복수 개의 요철의 산술 평균 조도(㎛) 및 상기 D는 몰딩부의 기판 측 배면 상 복수 개의 요철의 십점 평균 조도(㎛)를 나타냄.
A substrate having semiconductor elements arranged on at least a portion of a surface; and
A molding part is disposed on the substrate so that the semiconductor element is molded, and includes a plurality of protrusions having a peak count (R Pc ) of 15 to 45/1 cm on at least a portion of the substrate-side back surface;
The substrate-side back surface of the above molding part satisfies the following condition (2), and the plurality of uneven portions have an arithmetic mean roughness (R a ) of 0.03 to 0.5 μm and a ten-point average roughness (R z ) of 0.3 to 5.0 μm: A semiconductor package:
(2) D/C ≤ 170
At this time, the above C represents the arithmetic average roughness (㎛) of a plurality of unevennesses on the substrate-side back surface of the molding part, and the above D represents the ten-point average roughness (㎛) of a plurality of unevennesses on the substrate-side back surface of the molding part.
삭제delete 제9항에 있어서,
상기 몰딩부의 기판 측 배면 상 복수 개의 요철은 요철의 평균 폭(RSm)이 30 ~ 200㎛인 반도체 패키지.
In Article 9,
A semiconductor package in which a plurality of protrusions on the substrate-side rear surface of the molding part have an average width (R Sm ) of 30 to 200 μm.
삭제delete 소정의 수용부가 형성된 몰딩부 형성체를 준비하는 단계;
상기 수용부를 따라 상기 몰딩부 형성체 표면 상 일부 영역에 제1항, 제2항, 제4항, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 불소계 이형필름을 배치하는 단계;
표면의 적어도 일부에 반도체 소자가 배치된 기판을, 상기 반도체 소자의 적어도 일부가 상기 수용부에 수용되도록 배치하는 단계;
상기 수용부에 경화형 수지를 처리하여, 상기 반도체 소자가 몰딩되도록 몰딩부를 형성하는 단계; 및
상기 몰딩부 형성체 및 상기 불소계 이형필름을 제거하는 단계;를 포함하는 반도체 패키지 제조방법.
A step for preparing a molding part forming body in which a predetermined receiving portion is formed;
A step of disposing a fluorine-based release film according to any one of claims 1, 2, 4, 6 to 8 on a portion of the surface of the molding part forming body along the receiving portion;
A step of arranging a substrate having semiconductor elements arranged on at least a portion of a surface thereof such that at least a portion of the semiconductor elements are accommodated in the receiving portion;
A step of forming a molding part by treating the above-mentioned receiving part with a curable resin so that the semiconductor element is molded; and
A method for manufacturing a semiconductor package, comprising: a step of removing the molding part forming body and the fluorine-based release film.
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