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KR102750903B1 - 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법 - Google Patents

오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법 Download PDF

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KR102750903B1
KR102750903B1 KR1020210085421A KR20210085421A KR102750903B1 KR 102750903 B1 KR102750903 B1 KR 102750903B1 KR 1020210085421 A KR1020210085421 A KR 1020210085421A KR 20210085421 A KR20210085421 A KR 20210085421A KR 102750903 B1 KR102750903 B1 KR 102750903B1
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Abstract

본 발명은 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 두 개의 패턴 층 또는 하나의 패턴 층에 따로 형성된 두 개의 패턴 사이의 상대적 엇갈림을 결정하는 오버레이 마크로서, 하나의 패턴 층 또는 하나의 패턴과 함께 형성되는 제1 오버레이 마크와, 상기 제1 오버레이 마크와 다른 패턴 층 또는 다른 패턴과 함께 형성되는 제2 오버레이 마크를 구비한다.

Description

오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법{Overlay mark, overlay measurement method and semiconductor device manufacturing method using the overlay mark}
본 발명은 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
반도체 기판 상에는 복수 개의 패턴 층들이 순차적으로 형성된다. 또한, 더블 패터닝 등을 통해서 하나의 층의 회로가 두 개의 패턴으로 나뉘어 형성되기도 한다. 이러한 패턴 층들 또는 하나의 층의 복수의 패턴이 미리 설정된 위치에 정확하게 형성되어야만, 원하는 반도체 소자를 제조할 수 있다.
따라서 패턴 층들이 정확하게 정렬되었는지를 확인하기 위해서, 패턴 층들과 동시에 형성되는 오버레이 마크들이 사용된다.
오버레이 마크를 이용하여 오버레이를 측정하는 방법은 아래와 같다. 먼저, 이전 공정, 예를 들어, 에칭 공정에서 형성된 패턴 층에, 패턴 층 형성과 동시에 오버레이 마크의 일부인 하나의 구조물을 형성한다. 그리고 후속 공정, 예를 들어, 포토리소그래피 공정에서, 포토레지스트에 오버레이 마크의 나머지 구조물을 형성한다. 그리고 오버레이 측정장치를 통해서 이전 공정에 형성된 패턴 층의 오버레이 구조물(포토레지스트 층을 투과하여 이미지 획득)과 포토레지스트 층의 오버레이 구조물의 이미지를 획득하고, 이들 이미지들의 중심들 사이의 오프셋 값을 계측하여 오버레이 값을 측정한다. 오버레이 값이 허용범위를 벗어나면, 포토레지스트 층을 제거하고, 재작업 한다.
일본등록특허 JP5180419
본 발명은 새로운 오버레이 마크를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 이러한 오버레이 마크를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 두 개의 패턴 층 또는 하나의 패턴 층에 따로 형성된 두 개의 패턴 사이의 상대적 엇갈림을 결정하는 오버레이 마크로서, 하나의 패턴 층 또는 하나의 패턴과 함께 형성되는 제1 오버레이 마크와, 상기 제1 오버레이 마크와 다른 패턴 층 또는 다른 패턴과 함께 형성되는 제2 오버레이 마크를 구비하는 오버레이 마크를 제공한다.
상기 제1 오버레이 마크는, X축, Y축에 의해서 분할된 사분면들 중에서, 제1 사분면에 형성되며, X축 방향을 따라서 길게 형성되는 복수의 제1 가로 바들과, Y축 방향을 따라서 길게 형성되며 상기 제1 가로 바들과 교차하는 복수의 제1 세로 바들을 포함하는 제1 오버레이 구조물과; 제3 사분면에 X축 방향을 따라서 길게 형성되는 복수의 제2 가로 바들과, Y축 방향을 따라서 길게 형성되며 상기 제2 가로 바들과 교차하는 복수의 제2 세로 바들을 포함하는 제2 오버레이 구조물을 구비한다.
그리고 상기 제2 오버레이 마크는, 제2 사분면에 형성되며, X축 방향을 따라서 길게 형성되는 복수의 제3 가로 바들과, Y축 방향을 따라서 길게 형성되며 상기 제3 가로 바들과 교차하는 복수의 제3 세로 바들을 포함하는 제3 오버레이 구조물과; 제4 사분면에 X축 방향을 따라서 길게 형성되는 복수의 제4 가로 바들과, Y축 방향을 따라서 길게 형성되며 상기 제4 가로 바들과 교차하는 복수의 제4 세로 바들을 포함하는 제4 오버레이 구조물을 구비한다.
그리고 오버레이 마크는 X축과 Y축의 교점을 기준으로 90도 회전에 대해서 비대칭이고, 180도 회전에 대해서 비대칭이다.
또한, 본 발명은, 제1 오버레이 마크는 X축과 Y축의 교점을 기준으로 90도 회전에 대해서 비대칭이고, 180도 회전에 대해서 비대칭인 것을 특징으로 하는 오버레이 마크를 제공한다.
또한, 제2 오버레이 마크는 X축과 Y축의 교점을 기준으로 90도 회전에 대해서 비대칭이고, 180도 회전에 대해서 비대칭인 것을 특징으로 하는 오버레이 마크를 제공한다.
또한, 상기 제1 오버레이 마크는 X축과 Y축의 교점에 위치하는 십자 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 마크를 제공한다.
또한, 상기 오버레이 마크는 X축에 대해서 비대칭인 것을 특징으로 하는 오버레이 마크를 제공한다.
또한, 상기 오버레이 마크는 Y축에 대해서 비대칭인 것을 특징으로 하는 오버레이 마크를 제공한다.
또한, 상기 제1 오버레이 구조물과 상기 제2 오버레이 구조물 중 적어도 하나는 각각의 중심을 기준으로 90도 회전에 대해서 비대칭이고, 180도 회전에 대해서 비대칭인 것을 특징으로 하는 오버레이 마크를 제공한다.
또한, 상기 제3 오버레이 구조물과 상기 제4 오버레이 구조물 중 적어도 하나는 각각의 중심을 기준으로 90도 회전에 대해서 비대칭이고, 180도 회전에 대해서 비대칭인 것을 특징으로 하는 오버레이 마크를 제공한다.
또한, 본 발명은 반도체 소자의 제조방법으로서, 복수의 연속하는 패턴 층 또는 하나의 패턴 층에 따로 형성된 복수 개의 패턴을 형성함과 동시에 오버레이 마크를 형성하는 단계와, 상기 오버레이 마크를 이용하여 오버레이 값을 측정하는 단계와, 측정된 오버레이 값을 복수의 연속하는 패턴 층 또는 하나의 패턴 층에 따로 형성된 복수의 패턴을 형성하기 위한 공정제어에 이용하는 단계를 포함하며, 상기 오버레이 마크는 상기 오버레이 마크인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 복수의 연속하는 패턴 층 또는 하나의 패턴 층에 따로 형성된 복수의 패턴 사이의 오버레이를 측정하는 방법으로서, 복수의 연속하는 패턴 층 또는 하나의 패턴 층에 따로 형성된 복수의 패턴을 형성함과 동시에 형성된 오버레이 마크의 이미지를 획득하는 단계와, 상기 오버레이 마크의 이미지를 분석하는 단계를 포함하며, 상기 오버레이 마크는 청구항 1항 내지 6항 중 어느 한 항에 기재된 오버레이 마크인 것을 특징으로 하는 오버레이 측정방법을 제공한다.
도 1은 본 발명에 따른 오버레이 마크의 일실시예의 평면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참고하여 본 발명의 일실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태들로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.
도 1은 본 발명에 따른 오버레이 마크의 일실시예의 평면도이다. 도 1은 제1 오버레이 마크(100)와 제2 오버레이 마크(200)가 정렬된 상태를 나타낸다.
도 1에서는 제1 오버레이 마크(100)와 제2 오버레이 마크(200)를 구별하기 위해서 제1 오버레이 마크(100)와 제2 오버레이 마크(200)를 서로 다른 해칭(hatching) 패턴을 사용하여 표시하였다. 사용된 해칭 패턴은 제1 오버레이 마크(100)와 제2 오버레이 마크(200)를 용이하기 구별하기 위한 것일 뿐이며 제1 오버레이 마크(100)와 제2 오버레이 마크(200)의 형태와는 무관하다.
도 1을 참고하면, 본 발명에 따른 오버레이 마크(10)의 일실시예는 제1 오버레이 마크(100)와 제2 오버레이 마크(200)를 포함한다. 본 실시예의 오버레이 마크(10)는 반도체 웨이퍼의 스크라이브 레인에 형성되어 반도체 웨이퍼 상의 2개 이상의 패턴 층들 사이 또는 단일 층 상의 2개 이상의 패턴들 간의 오버레이를 측정하기 위해 제공될 수 있다.
서로 다른 패턴 층들 사이의 오버레이 측정에 활용될 경우에는 제1 오버레이 마크(100)와 제2 오버레이 마크(200)가 서로 다른 패턴 층과 함께 형성된다. 그리고 동일 층의 서로 다른 패턴들, 예를 들어, 더블 패터닝 공정에서 형성되는 두 개의 패턴, 사이의 오버레이 측정에 활용될 경우에는 제1 오버레이 마크(100)와 제2 오버레이 마크(200)가 서로 다른 패턴과 함께 형성된다. 이하에서는 편의상, 서로 다른 패턴 층들 사이의 오버레이 측정을 기준으로 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 있어서, 오버레이 마크(10)는 X축과 Y축에 의해서 분할된 4 사분면에 배치된다.
제1 오버레이 마크(100)는 제1 오버레이 구조물(110)과 제2 오버레이 구조물(120)을 포함한다.
제1 오버레이 구조물(110)은 제1 사분면(Q1)에 X축 방향을 따라서 길게 형성된 복수의 제1 가로 바들(112a, 112b, 112c, 112d)과, Y축 방향을 따라서 길게 형성되며, 제1 가로 바들(112a, 112b, 112c, 112d)과 교차하는 복수의 제1 세로 바들(114a, 114b, 114c, 114d)을 포함한다.
제1 가로 바들(112a, 112b, 112c, 112d)과 제1 세로 바들(114a, 114b, 114c, 114d)은 각각 4개인 것으로 도시되어 있으나, 2개, 3개 또는 5개 이상일 수도 있다. 또한, 제1 가로 바들(112a, 112b, 112c, 112d)과 제1 세로 바들(114a, 114b, 114c, 114d)의 개수가 다를 수도 있다.
그리고 제1 가로 바들(112a, 112b, 112c, 112d) 또는 제1 세로 바들(114a, 114b, 114c, 114d) 중에 일부는 길이가 다를 수 있다. 도 1에 도시된 실시예에서는 위에서 두 번째 제1 가로 바(112b)의 길이가 다른 제1 가로 바들(112a, 112c, 112d)에 비해서 짧은 것으로 도시되어 있다.
제1 오버레이 구조물(110)은 제1 오버레이 구조물(110)의 중심을 기준으로 90도 회전에 대해서 비대칭이고, 180도 회전에 대해서도 비대칭이다.
제2 오버레이 구조물(120)은 제3 사분면(Q3)에 X축 방향을 따라서 길게 형성된 복수의 제2 가로 바들(122a, 122b, 122c, 122d)과, Y축 방향을 따라서 길게 형성되며, 제2 가로 바들(122a, 122b, 122c, 122d)과 교차하는 복수의 제2 세로 바들(124a, 124b, 124c, 124d)들을 포함한다.
제2 가로 바들(122a, 122b, 122c, 122d)과 제2 세로 바들(124a, 124b, 124c, 124d)은 각각 4개인 것으로 도시되어 있으나, 2개, 3개 또는 5개 이상일 수도 있다. 또한, 제2 가로 바들(122a, 122b, 122c, 122d)과 제2 세로 바들(124a, 124b, 124c, 124d)의 개수가 다를 수도 있다.
그리고 제2 가로 바들(122a, 122b, 122c, 122d) 또는 제2 세로 바들(124a, 124b, 124c, 124d) 중에 일부는 길이가 다를 수 있다. 도 1에 도시된 실시예에서는 위에서 네 번째 제1 가로 바(122d)의 길이가 다른 제1 가로 바들(122a, 122b, 122c)에 비해서 짧은 것으로 도시되어 있다.
제2 오버레이 구조물(120)은 제2 오버레이 구조물(120)의 중심을 기준으로 90도 회전에 대해서 비대칭이고, 180도 회전에 대해서도 비대칭이다.
제1 오버레이 마크(100)는 X축과 Y축의 교점을 기준으로 90도 회전에 대해서 비대칭이고, 180도 회전에 대해서도 비대칭이다.
제1 오버레이 구조물(110)은 두 번째 제1 가로 바(112b)의 길이가 다른 제1 가로 바들(112a, 112c, 112d)에 비해서 짧으며, 제2 오버레이 구조물(120)은 네 번째 제1 가로 바(122d)의 길이가 다른 제1 가로 바들(122a, 122b, 122c)에 비해서 짧기 때문에, 제1 오버레이 마크(100) X축과 Y축의 교점을 기준으로 180도 회전에 대해서 비대칭이다.
또한, 제1 오버레이 마크(100)는 X축과 Y축의 교점에 위치하는 십자 구조(130)를 더 포함할 수 있다.
제2 오버레이 마크(200)는 제3 오버레이 구조물(210)과 제4 오버레이 구조물(220)을 포함한다.
제3 오버레이 구조물(210)은 제2 사분면(Q2)에 X축 방향을 따라서 길게 형성된 복수의 제3 가로 바들(212a, 212b, 212c, 212d)과, Y축 방향을 따라서 길게 형성되며, 제3 가로 바들(212a, 212b, 212c, 212d)과 교차하는 복수의 제1 세로 바들(214a, 214b, 214c, 214d)을 포함한다.
제3 가로 바들(212a, 212b, 212c, 212d)과 제3 세로 바들(214a, 214b, 214c, 214d)은 각각 4개인 것으로 도시되어 있으나, 2개, 3개 또는 5개 이상일 수도 있다. 또한, 제3 가로 바들(212a, 212b, 212c, 212d)과 제3 세로 바들(214a, 214b, 214c, 214d)의 개수가 다를 수도 있다.
제4 오버레이 구조물(220)은 제4 사분면(Q4)에 X축 방향을 따라서 길게 형성된 복수의 제4 가로 바들(222a, 222b, 222c, 222d)과 Y축 방향을 따라서 길게 형성되며, 제4 가로 바들(222a, 222b, 222c, 222d)과 교차하는 복수의 제4 세로 바들(224a, 224b, 224c, 224d)들을 포함한다.
제4 가로 바들(222a, 222b, 222c, 222d)과 제4 세로 바들(224a, 224b, 224c, 224d)은 각각 4개인 것으로 도시되어 있으나, 2개, 3개 또는 5개 이상일 수도 있다. 또한, 제4 가로 바들(222a, 222b, 222c, 222d)과 제4 세로 바들(224a, 224b, 224c, 224d)의 개수가 다를 수도 있다.
그리고 제4 가로 바들(222a, 222b, 222c, 222d) 또는 제4 세로 바들(224a, 224b, 224c, 224d) 중에 일부는 길이가 다를 수 있다. 도 1에 도시된 실시예에서는 위에서 네 번째 제1 가로 바(222d)의 길이가 다른 제1 가로 바들(222a, 222b, 222c)에 비해서 짧은 것으로 도시되어 있다.
제2 오버레이 마크(200)는 X축과 Y축의 교점을 기준으로 90도 회전에 대해서 비대칭이고, 180도 회전에 대해서도 비대칭이다.
제3 오버레이 구조물(210)은 제1 가로 바들(212a, 212b, 212c, 212d)의 길이가 동일하며, 제4 오버레이 구조물(220)은 네 번째 제1 가로 바(222d)의 길이가 다른 제1 가로 바들(222a, 222b, 222c)에 비해서 짧기 때문에, 제2 오버레이 마크(200)는 X축과 Y축의 교점을 기준으로 180도 회전에 대해서 비대칭이다.
오버레이 마크(10)는 X축에 대해서 비대칭이며, Y축에 대해서도 비대칭이다.
또한, 제1 오버레이 마크(100)와, 제2 오버레이 마크(200)가 X축과 Y축의 교점을 기준으로 90도 회전에 대해서 비대칭이고, 180도 회전에 대해서도 비대칭이므로, 오버레이 마크(10)는 90도 회전에 대해서 비대칭이고, 180도 회전에 대해서도 비대칭이다.
이하에서는 도 1에 도시된 오버레이 마크(10)를 이용한 오버레이 계측방법에 대해서 설명한다. 오버레이 계측방법은 오버레이 마크(10)의 이미지를 획득하는 단계와, 오버레이 마크(10)의 이미지를 분석하는 단계를 포함한다. 오버레이 마크(10)는 두 개의 연속하는 패턴 층 또는 하나의 패턴 층에 따로 형성된 두 개의 패턴을 형성함과 동시에 형성된다.
오버레이 마크(10)의 이미지를 획득하는 단계는 일반적으로, 오버레이 측정장치를 이용하여 제1 오버레이 마크(100)와 제2 오버레이 마크(200)의 이미지를 한 번에 획득하는 단계이다.
또한, 오버레이 마크(10)의 이미지를 획득하는 단계는 제1 오버레이 마크(100)의 이미지를 획득하는 단계와, 제2 오버레이 마크(200)의 이미지를 획득하는 단계와, 이들 이미지의 결합 이미지를 획득하는 단계를 포함할 수도 있다.
제1 오버레이 마크(100)와 제2 오버레이 마크(200)가 서로 다른 층에 형성되어 있는 경우에는 서로 다른 광원을 사용하여 이미지를 획득할 수 있다. 이전 공정에서 형성된 제2 오버레이 마크(200)는 후속 공정에서 형성된 패턴 층에 의해서 덮이므로, 후속 공정에서 형성된 패턴 층을 통과할 수 있는 파장의 빛을 이용하여 이미지를 획득하는 것이 바람직하다.
오버레이 마크(10)의 이미지를 분석하는 단계는 획득된 오버레이 마크 이미지에서 제1 오버레이 마크(100)의 중심과 제2 오버레이 마크(200)의 중심의 오프셋을 측정하는 단계일 수 있다.
이하에서는 도 1에 도시된, 오버레이 마크(10)를 이용한 반도체 소자의 제조방법을 설명한다. 오버레이 마크(10)를 이용한 반도체 소자의 제조방법은 오버레이 마크(10)를 형성하는 단계로 시작된다. 두 개의 연속하는 패턴 층 또는 하나의 패턴 층에 따로 형성된 두 개의 패턴을 형성함과 동시에 오버레이 마크(10)를 형성한다.
다음으로, 오버레이 마크(10)를 이용하여 오버레이 값을 측정한다. 오버레이 값을 측정하는 단계는 상술한 오버레이 계측 방법과 같다.
마지막으로, 측정된 오버레이 값을 두 개의 연속하는 패턴 층 또는 하나의 패턴 층에 따로 형성된 두 개의 패턴을 형성하기 위한 공정제어에 이용한다. 즉, 도출된 오버레이를 공정제어에 활용하여 연속하는 패턴 층 또는 두 개의 패턴이 정해진 위치에 형성되도록 한다.
이상에서 설명된 실시예들은 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한 것에 불과하고, 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상과 특허청구범위 내에서 이 분야의 당업자에 의하여 다양한 변경, 변형 또는 치환이 가능할 것이며, 그와 같은 실시예들은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
10: 오버레이 마크
100: 제1 오버레이 마크
110: 제1 오버레이 구조물
120: 제2 오버레이 구조물
200: 제2 오버레이 마크
210: 제3 오버레이 구조물
220: 제4 오버레이 구조물

Claims (10)

  1. 두 개의 패턴 층 또는 하나의 패턴 층에 따로 형성된 두 개의 패턴 사이의 상대적 엇갈림을 결정하는 이미지 기반 오버레이 측정용 오버레이 마크로서,
    하나의 패턴 층 또는 하나의 패턴과 함께 형성되는 제1 오버레이 마크와, 상기 제1 오버레이 마크와 다른 패턴 층 또는 다른 패턴과 함께 형성되는 제2 오버레이 마크를 구비하며,
    상기 제1 오버레이 마크는,
    X축, Y축에 의해서 분할된 사분면들 중에서, 제1 사분면에 형성되며, X축 방향을 따라서 길게 형성되는 복수의 제1 가로 바들과, Y축 방향을 따라서 길게 형성되며 상기 제1 가로 바들과 교차하는 복수의 제1 세로 바들을 포함하는 제1 오버레이 구조물과,
    제3 사분면에 X축 방향을 따라서 길게 형성되며 복수의 제2 가로 바들과, Y축 방향을 따라서 길게 형성되며 상기 제2 가로 바들과 교차하는 복수의 제2 세로 바들을 포함하는 제2 오버레이 구조물을 구비하며,
    상기 제2 오버레이 마크는,
    제2 사분면에 형성되며, X축 방향을 따라서 길게 형성되는 복수의 제3 가로 바들과, Y축 방향을 따라서 길게 형성되며 상기 제3 가로 바들과 교차하는 복수의 제3 세로 바들을 포함하는 제3 오버레이 구조물과,
    제4 사분면에 X축 방향을 따라서 길게 형성되는 복수의 제4 가로 바들과, Y축 방향을 따라서 길게 형성되며 상기 제4 가로 바들과 교차하는 복수의 제4 세로 바들을 포함하는 제4 오버레이 구조물을 구비하며,
    X축과 Y축의 교점을 기준으로 상기 제1 오버레이 구조물을 180도 회전시켰을 때, 상기 제1 가로 바들 및 상기 제1 세로 바들은 상기 제2 가로 바들 및 상기 제2 세로 바들과 겹치며,
    상기 제1 오버레이 마크가 180도 회전에 대해서 비대칭을 이루도록, 상기 제1 가로 바들 중에서 적어도 하나의 길이가 회전시 겹치는 상기 제2 가로 바와 길이가 다르거나, 상기 제1 세로 바들 중에서 적어도 하나의 길이가 회전시 겹치는 상기 제2 세로 바와 길이가 다르도록 구성되며,
    X축과 Y축의 교점을 기준으로 상기 제3 오버레이 구조물을 180도 회전시켰을 때, 상기 제3 가로 바들 및 상기 제3 세로 바들은 상기 제4 가로 바들 및 상기 제4 세로 바들과 겹치며,
    상기 제2 오버레이 마크가 180도 회전에 대해서 비대칭을 이루도록, 상기 제3 가로 바들 중에서 적어도 하나의 길이가 회전시 겹치는 상기 제4 가로 바와 길이가 다르거나, 상기 제3 세로 바들 중에서 적어도 하나의 길이는 회전시 겹치는 상기 제4 세로 바와 길이가 다르도록 구성되며,
    X축과 Y축의 교점을 기준으로 90도 회전에 대해서 비대칭이고, 180도 회전에 대해서 비대칭인 것을 특징으로 하는 오버레이 마크.
  2. 제1항에 있어서,
    제1 오버레이 마크는 X축과 Y축의 교점을 기준으로 90도 회전에 대해서 비대칭이고, 180도 회전에 대해서 비대칭인 것을 특징으로 하는 오버레이 마크.
  3. 제1항에 있어서,
    제2 오버레이 마크는 X축과 Y축의 교점을 기준으로 90도 회전에 대해서 비대칭이고, 180도 회전에 대해서 비대칭인 것을 특징으로 하는 오버레이 마크.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 오버레이 마크는 X축과 Y축의 교점에 위치하는 십자 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 마크.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 오버레이 마크는 X축에 대해서 비대칭인 것을 특징으로 하는 오버레이 마크.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 오버레이 마크는 Y축에 대해서 비대칭인 것을 특징으로 하는 오버레이 마크.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 오버레이 구조물과 상기 제2 오버레이 구조물 중 적어도 하나는 각각의 중심을 기준으로 90도 회전에 대해서 비대칭이고, 180도 회전에 대해서 비대칭인 것을 특징으로 하는 오버레이 마크.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제3 오버레이 구조물과 상기 제4 오버레이 구조물 중 적어도 하나는 각각의 중심을 기준으로 90도 회전에 대해서 비대칭이고, 180도 회전에 대해서 비대칭인 것을 특징으로 하는 오버레이 마크.
  9. 반도체 소자의 제조방법으로서,
    복수의 연속하는 패턴 층 또는 하나의 패턴 층에 따로 형성된 복수 개의 패턴을 형성함과 동시에 오버레이 마크를 형성하는 단계와,
    상기 오버레이 마크를 이용하여 오버레이 값을 측정하는 단계와,
    측정된 오버레이 값을 복수의 연속하는 패턴 층 또는 하나의 패턴 층에 따로 형성된 복수의 패턴을 형성하기 위한 공정제어에 이용하는 단계를 포함하며,
    상기 오버레이 마크는 청구항 1항 내지 8항 중 어느 한 항에 기재된 오버레이 마크인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  10. 복수의 연속하는 패턴 층 또는 하나의 패턴 층에 따로 형성된 복수의 패턴 사이의 오버레이를 측정하는 방법으로서,
    복수의 연속하는 패턴 층 또는 하나의 패턴 층에 따로 형성된 복수의 패턴을 형성함과 동시에 형성된 오버레이 마크의 이미지를 획득하는 단계와,
    상기 오버레이 마크의 이미지를 분석하는 단계를 포함하며,
    상기 오버레이 마크는 청구항 1항 내지 8항 중 어느 한 항에 기재된 오버레이 마크인 것을 특징으로 하는 오버레이 측정방법.
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