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KR102756673B1 - 표시 장치 - Google Patents

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KR102756673B1
KR102756673B1 KR1020190025811A KR20190025811A KR102756673B1 KR 102756673 B1 KR102756673 B1 KR 102756673B1 KR 1020190025811 A KR1020190025811 A KR 1020190025811A KR 20190025811 A KR20190025811 A KR 20190025811A KR 102756673 B1 KR102756673 B1 KR 102756673B1
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KR
South Korea
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light
display device
overlapping
area
opening
Prior art date
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김정현
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
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Publication date
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Publication of KR20200108140A publication Critical patent/KR20200108140A/ko
Priority to US18/061,574 priority patent/US11740518B2/en
Priority to US18/351,164 priority patent/US12193267B2/en
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Abstract

일 실시예에 따른 표시 장치는 광투과 영역, 상기 광투과 영역을 둘러싸는 표시 영역, 그리고 상기 광투과 영역과 상기 표시 영역 사이에 위치하는 경계 영역과 중첩하는 기판, 상기 기판 위에 위치하며 상기 경계 영역과 중첩하는 제1 차광 부재, 상기 기판과 중첩하는 윈도우, 그리고 상기 제1 차광 부재와 상기 윈도우 사이에 위치하며, 상기 경계 영역과 중첩하는 제2 차광 부재를 포함하고, 상기 제1 차광 부재는 상기 광투과 영역과 중첩하는 제1 개구부를 포함하고, 상기 제2 차광 부재는 상기 광투과 영역과 중첩하는 제2 개구부를 포함하며, 상기 제1 개구부의 지름은 상기 제2 개구부의 지름보다 크다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 개시는 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 발광 표시 장치(light emitting diode display, LED display) 등의 표시 장치는 영상을 표시할 수 있는 복수의 화소를 포함하는 표시 패널을 포함한다. 각 화소는 데이터 신호를 인가 받는 화소 전극을 포함하고, 화소 전극은 적어도 하나의 트랜지스터에 연결되어 데이터 신호를 인가 받을 수 있다.
최근에는 영상 표시 이외의 카메라 기능 등을 가지는 다양한 표시 장치가 개발되고 있다. 종래에는 카메라나 적외선 센서와 같은 광학 부재가 표시 장치의 표시 영역의 외부에 존재하여 표시 장치가 화상을 표시할 수 있는 공간이 감소되는 경향이 있었다.
실시예들은 표시 영역에 둘러싸인 광학 부재를 포함하는 표시 장치를 제공하기 위한 것이다. 특히 광학 부재의 주변 영역이 사용자에게 시인되지 않는 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 광투과 영역, 상기 광투과 영역을 둘러싸는 표시 영역, 그리고 상기 광투과 영역과 상기 표시 영역 사이에 위치하는 경계 영역과 중첩하는 기판, 상기 기판 위에 위치하며 상기 경계 영역과 중첩하는 제1 차광 부재, 상기 기판과 중첩하는 윈도우, 그리고 상기 제1 차광 부재와 상기 윈도우 사이에 위치하며, 상기 경계 영역과 중첩하는 제2 차광 부재를 포함하고, 상기 제1 차광 부재는 상기 광투과 영역과 중첩하는 제1 개구부를 포함하고, 상기 제2 차광 부재는 상기 광투과 영역과 중첩하는 제2 개구부를 포함하며, 상기 제1 개구부의 지름은 상기 제2 개구부의 지름보다 크다.
상기 제1 차광 부재는 상기 제1 개구부를 이루는 제1 내측 가장자리와, 제1 외측 가장자리를 포함하고, 상기 제1 내측 가장자리는 상기 제2 차광 부재와 중첩할 수 있다.
상기 제2 차광 부재는 상기 제2 개구부를 이루는 제2 내측 가장자리와, 제2 외측 가장자리를 포함하고, 상기 제2 외측 가장자리는 상기 제1 차광 부재와 중첩할 수 있다.
상기 제1 외측 가장자리는 상기 경계 영역의 가장자리와 정렬될 수 있다.
상기 제2 내측 가장자리는 상기 경계 영역의 가장자리와 정렬될 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 광투과 영역과 중첩하는 광학 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 광학 부재의 너비는 상기 광투과 영역의 너비보다 작을 수 있다.
상기 광학 부재의 지름은 상기 제2 개구부의 지름보다 작을 수 있다.
상기 표시 영역에는, 상기 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극, 상기 화소 전극과 중첩하는 공통 전극, 그리고 상기 화소 전극과 공통 전극 사이에 위치하는 발광층이 위치할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 화소 전극의 적어도 일부와 중첩하는 격벽을 더 포함하고, 상기 제1 차광 부재는 상기 격벽 위에 위치할 수 있다.
상기 공통 전극의 적어도 일부는 상기 제1 차광 부재 위에 위치할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 공통 전극 위에 위치하는 봉지층을 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 공통 전극 위에 위치하는 봉지층을 더 포함하고, 상기 제1 차광 부재는 상기 봉지층 위에 위치할 수 있다.
상기 기판은 상기 광학 부재와 중첩하는 관통홀을 포함할 수 있다.
상기 광학 부재는 상기 기판과 중첩할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 광투과 영역, 상기 광투과 영역을 둘러싸는 표시 영역, 그리고 상기 광투과 영역과 상기 표시 영역 사이에 위치하는 경계 영역과 중첩하는 기판, 상기 기판 위에 위치하며 상기 경계 영역과 중첩하는 제1 차광 부재, 상기 기판과 중첩하는 윈도우, 그리고 상기 제1 차광 부재와 상기 윈도우 사이에 위치하며, 상기 경계 영역과 중첩하는 제2 차광 부재를 포함하고, 상기 경계 영역의 가장자리는 상기 제1 차광 부재의 가장자리, 그리고 상기 제2 차광 부재의 가장자리와 중첩한다.
상기 제1 차광 부재는 상기 표시 영역에 인접하게 위치하고, 상기 제2 차광 부재는 상기 광투과 영역에 인접하게 위치할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 제1 차광 부재와 상기 제2 차광 부재 사이에 위치하는 점착층을 더 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면 표시 영역에 둘러싸인 광학 부재의 주변 영역이 시인되지 않을 수 있다. 표시 품질이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 일부 영역을 따라 절단한 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2의 일부 영역에 대한 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 4는 도 2의 일부 영역에 대한 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 5는 도 2의 일부 영역에 대한 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 6은 도 1의 일부 영역을 따라 절단한 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 7은 도 5의 일부 영역에 대한 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 8은 도 5의 일부 영역에 대한 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 9는 도 5의 일부 영역에 대한 일 실시예에 따른 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 일부 영역을 따라 절단한 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
우선 도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 외부 버퍼 영역(201) 및 봉지 접합 영역(251)과, 표시 영역(DA), 광투과 영역(TA) 및 표시 영역(DA)과 광투과 영역(TA) 사이에 위치하는 경계 영역(BA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)은 복수의 화소가 배열되어 화상을 표시할 수 있는 영역이다. 하나의 화소는 화소 회로와 그로부터 전류를 인가 받아 빛을 방출시키는 발광부를 포함한다.
광투과 영역(TA)은 표시 영역(DA)이나 외부 버퍼 영역(201)보다 상대적으로 높은 광투과율을 가지며, 화소가 위치하지 않아 화상을 표시하지 않는 부분이다. 광투과 영역(TA)에서는 빛이 투과되므로 광투과 영역(TA)의 아래에 적어도 하나의 광학 부재(10; 도 2 참고)가 위치하면, 광학 부재(10)로도 광이 입사하거나 광학 부재(10)로부터 광이 출사할 수 있다. 광학 부재(10)는 카메라, 플래시, 센서 등일 수 있다. 이하에서는 광학 부재(10)를 카메라를 이용하여 설명하지만, 이에 제한되지 않는다.
도 1의 실시예에 따른 광투과 영역(TA)은 표시 영역(DA) 내에 위치할 수 있다. 광투과 영역(TA)은 표시 영역(DA)이 포함하는 복수의 화소에 의하여 둘러싸인 구조를 가질 수 있다.
광투과 영역(TA)의 크기는 하나의 화소의 크기보다 크므로 투명 디스플레이를 구현하기 위하여 화소 내에 형성하는 광투과 존(light-transmitting zone)과 다르다. 예를 들어, 화소 중 화소 회로가 형성되는 영역은 25μm(가로)*50μm(세로)의 직사각형 형상을 가질 수 있으나, 광투과 영역(TA)은 직경이 3mm인 원형 구조를 가질 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 표시 영역(DA)과 광투과 영역(TA) 사이에 위치하는 경계 영역(BA)을 포함할 수 있다. 경계 영역(BA)에는 빛을 차단하는 차광 부재가 위치할 수 있다. 이에 대해서는 도 2 내지 도 4를 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다.
외부 버퍼 영역(201)은 표시 영역(DA), 광투과 영역(TA) 및 경계 영역(BA)을 완전히 둘러싸는 영역이다. 도 1의 실시예에서 광투과 영역(TA)은 경계 영역(BA) 및 표시 영역(DA)에 의하여 완전히 둘러싸여 있고, 외부 버퍼 영역(201)은 표시 영역(DA)을 완전히 둘러싸는 구조를 가진다.
한편, 봉지 접합 영역(251)은 외부 버퍼 영역(201)을 완전히 둘러싸는 구조를 가진다. 봉지 접합 영역(251)은 복수의 무기층으로 접합된 무기-무기 봉지 접합 구조를 가질 수 있다. 봉지 접합 영역(251)은 외부로부터 표시 영역(DA)에 수분이 유입되는 것을 막는다. 또한, 기판(110) 위에 위치하는 무기 절연막(예를 들면 게이트 절연막 등)과 접합하는 무기 물질로 형성된 프릿을 사용하여 무기-무기 봉지 접합 영역(251)을 형성할 수 있다.
이하에서는 도 1에 도 2를 참조하여 단면 구조에 대해 살펴본다. 도 2는 표시 장치(1)가 포함하는 기판(110)과 윈도우(500) 사이를 간단하게 도시하였다. 도 2에서는 표시 영역(DA)에 위치하며 박막 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하는 화소(PX)를 간단하게 도시하였다. 화소(PX)에 대해서는 도 3에서 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 복수의 화소(PX)가 위치하는 표시 영역(DA), 광학 부재(10)와 중첩하는 광투과 영역(TA), 그리고 광투과 영역(TA)과 표시 영역(DA) 사이의 경계 영역(BA)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 기판(110)은 광투과 영역(TA)과 중첩하는 관통홀(H)을 포함할 수 있다. 관통홀(H)은 경계 영역(BA)의 일부와도 중첩할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 관통홀(H)은 제공되는 광학 부재(10)의 크기에 따라 조절될 수 있다.
기판(110) 상에는 경계 영역(BA)과 중첩하는 제1 차광 부재(111)가 위치할 수 있다. 제1 차광 부재(111)는 광투과 영역(TA)의 주변, 그리고 표시 영역(DA)의 주변에 위치할 수 있다. 제1 차광 부재(111)는 화소(PX)에서 방출되는 빛이 광투과 영역(TA)으로 전달되지 않도록 차단하는 역할도 수행한다. 제1 차광 부재(111)는 광을 차단하기 위한 어떠한 물질도 포함할 수 있다.
제1 차광 부재(111)는 광투과 영역(TA)과 중첩하는 제1 개구부(OP1)를 가질 수 있다. 제1 차광 부재(111)는 광투과 영역(TA)과 중첩하지 않을 수 있다. 제1 개구부(OP1)의 평면 크기는 관통홀(H)의 평면 크기 보다 클 수 있다. 즉, 제1 개구부(OP1)의 지름은 관통홀(H)의 지름보다 클 수 있다. 또한 제1 개구부(OP1)의 평면 크기는 삽입되는 광학 부재(10)의 평면 크기보다 클 수 있다. 즉, 제1 개구부(OP1)의 지름 또는 너비는 광학 부재(10)의 지름 또는 너비보다 클 수 있다.
제1 차광 부재(111)는 제1 개구부(OP1)를 이루는 제1 내측 가장자리(E1)를 포함하고, 제1 내측 가장자리(E1)와 마주하는 제1 외측 가장자리(E2)를 포함한다. 제1 내측 가장자리(E1)는 광투과 영역(TA)에 인접하게 위치하고, 제1 외측 가장자리(E2)는 표시 영역(DA)에 인접하게 위치할 수 있다.
본 명세서는 도시하지 않았으나 표시 장치(1)는 복수의 화소(PX) 위에 위치하는 편광층, 터치층 등을 더 포함할 수 있다. 편광층 및 터치층(미도시)은 광투과 영역(TA)에는 위치하지 않으며, 광투과 영역(TA)에 대응하는 개구부를 가질 수 있다. 편광층 및 터치층(미도시)이 광투과 영역(TA)과 중첩하지 않는 경우 광투과 영역(TA)의 광투과율은 상승할 수 있다.
기판(110)과 윈도우(500) 사이에는 점착층(440; OCA)이 위치할 수 있다. 점착층(440)은 기판(110)과 윈도우(500)가 부착될 수 있도록 한다. 점착층(440)도 광투과 영역(TA)에 중첩하는 부분에는 형성되지 않을 수 있다. 다만 이에 제한되지 않고 실시예에 따라서 점착층(440)은 광투과 영역(TA)에 형성될 수도 있다.
기판(110)을 향하는 윈도우(500)의 일면에는 제2 차광 부재(222)가 위치할 수 있다. 제2 차광 부재(222)는 점착층(440)과 접촉할 수 있다. 제2 차광 부재(222)는 광투과 영역(TA)의 주변, 그리고 표시 영역(DA)의 주변에 위치할 수 있다. 제2 차광 부재(222)는 경계 영역(BA)과 중첩할 수 있다. 제2 차광 부재(222)는 화소(PX)에서 방출되는 빛이 광투과 영역(TA)으로 전달되지 않도록 차단하는 역할도 수행한다. 제2 차광 부재(222)는 광을 차단하기 위한 어떠한 물질도 포함할 수 있다.
제2 차광 부재(222)는 광투과 영역(TA)과 중첩하는 제2 개구부(OP2)를 가질 수 있다. 따라서 제2 차광 부재(222)는 광투과 영역(TA)과 중첩하지 않을 수 있다. 일 실시예에 따라 제2 개구부(OP2)의 평면 크기는 관통홀(H)의 평면 크기 보다 작을 수 있다. 즉, 제2 개구부(OP2)의 지름은 관통홀(H)의 지름보다 작을 수 있다. 또한 제2 개구부(OP2)의 평면 크기는 삽입되는 광학 부재(10)의 평면 크기보다 클 수 있다. 즉, 제2 개구부(OP2)의 지름 또는 너비는 광학 부재(10)의 지름 또는 너비보다 클 수 있다.
제2 차광 부재(222)는 제2 개구부(OP2)를 이루는 제2 내측 가장자리(E3)를 포함하고, 제2 내측 가장자리(E3)와 마주하는 제2 외측 가장자리(E4)를 포함할 수 있다. 제2 내측 가장자리(E3)는 광투과 영역(TA)에 인접하게 위치할 수 있으며, 제2 외측 가장자리(E4)는 표시 영역(DA)에 인접하게 위치할 수 있다.
제1 차광 부재(111)의 제1 내측 가장자리(E1)는 제2 차광 부재(222)와 중첩할 수 있다. 제1 차광 부재(111)의 제1 외측 가장자리(E2)는 경계 영역(BA)의 가장자리와 중첩할 수 있다.
제2 차광 부재(222)의 제2 내측 가장자리(E3)는 경계 영역(BA)의 가장자리와 중첩할 수 있다. 제2 차광 부재(222)의 제2 외측 가장자리(E4)는 제1 차광 부재(111)와 중첩할 수 있다.
제1 차광 부재(111)와 제2 차광 부재(222)의 적어도 일부는 서로 중첩할 수 있다. 본 명세서는 제1 차광 부재(111)와 제2 차광 부재(222)가 일부 중첩하는 실시예를 도시하였으나 이에 제한되지 않고 제1 차광 부재(111)의 제1 내측 가장자리(E1)와 제2 차광 부재(222)의 제2 외측 가장자리(E4)가 정렬되는 실시예도 가능함은 물론이다. 다만 공정 마진을 고려하여 제1 차광 부재(111)와 제2 차광 부재(222) 일부가 중첩할 수 있다.
일 실시예에 따르면 제1 차광 부재(111) 및 제2 차광 부재(222)의 조합을 통해 경계 영역(BA)을 정의하고, 이를 통해 광투과 영역(TA)과 표시 영역(DA)을 구분할 수 있다.
또한 제2 차광 부재(222)가 가지는 제2 개구부(OP2)의 평면 넓이는 제1 차광 부재(111)가 가지는 제1 개구부(OP1)의 평면 넓이 보다 작을 수 있다. 다시 말해 제2 차광 부재(222)의 제2 개구부(OP2)의 지름은 제1 차광 부재(111)의 제1 개구부(OP1)의 지름 보다 작을 수 있다.
제1 차광 부재(111) 및 제2 차광 부재(222)는 광투과 영역(TA)을 둘러싸는 구조를 가진다.
일 실시예에 따른 광학 부재(10)의 너비(WL)는 광투과 영역(TA)의 너비(WT) 보다 작을 수 있다. 광투과 영역(TA)의 너비(WT)가 광학 부재(10)의 너비(WL)와 같거나 작은 경우, 제조 공정에서 발생하는 미스 얼라인에 의해 광학 부재(10)가 제2 차광 부재(222)에 의해 가려지는 문제가 발생할 수 있다.
한편 윈도우(500)와 기판(110) 사이의 개구 공간에는 공기층(미도시)이 위치할 수 있다. 하지만, 이에 제한되지 않고 실시예에 따라서는 충진 물질이 위치할 수도 있다. 충진 물질은 실리콘(Si) 계열의 유기 물질일 수 있다.
일 실시예에 따르면 광학 부재(10)가 위치하는 광투과 영역(TA)과 복수의 화소(PX)가 위치하는 표시 영역(DA) 사이의 경계 영역(BA)은 제1 차광 부재(111) 및 제2 차광 부재(222)를 통해 차단되므로 사용자에게 시인되는 것을 방지할 수 있으며, 향상된 표시 품질을 가지는 표시 장치를 제공할 수 있다.
이하에서는 도 3, 도 4 및 도 5 각각을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면 구조에 대해 보다 구체적으로 살펴본다. 도 3은 도 2의 일부 영역에 대한 일 실시예에 따른 단면도이고, 도 4는 도 2의 일부 영역에 대한 일 실시예에 따른 단면도이며, 도 5는 도 2의 일부 영역에 대한 일 실시예에 따른 단면도이다. 전술한 구성요소와 중복되는 구성요소에 대한 설명은 생략하기로 한다.
우선 도 3을 참조하면, 광투과 영역(TA)은 윈도우(500), 기판(110)의 관통홀(H) 및 광학 부재(10)와 중첩할 수 있다. 이와 같은 광투과 영역(TA)은 이하에서 설명하는 표시 영역(DA)에 비하여 불투명한 층(금속층, 반도체층 등)이 없고, 층의 수도 줄어 층의 경계에서 발생하는 광의 손실을 줄여 광 투과율이 향상되어 있다.
광투과 영역(TA)의 배면으로 기판(110)의 아래에는 광학 부재(10)가 위치하며, 광학 부재(10)는 카메라, 플래시, 센서 등일 수 있다.
표시 영역(DA)에는 복수의 화소가 형성되어 있으며, 하나의 화소는 화소 회로와 그로부터 전류를 인가 받아 빛을 방출시키는 발광층을 포함한다. 발광층은 격벽(210)을 기준으로 구분되어 있다.
기판(110)은 플라스틱층 및 배리어층을 포함하거나 유리 기판을 포함할 수 있다. 플라스틱층과 배리어층은 교번하여 적층된 형태를 가질 수 있다.
플라스틱층은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(PC), 폴리아릴렌에테르술폰(poly(aryleneether sulfone)) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 배리어층은 산화규소, 질화규소 및 산화알루미늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 제한되지 않고 어떠한 무기 물질도 포함할 수 있다.
기판(110)의 위에는 버퍼층(120)이 위치한다. 버퍼층(120)은 산화규소, 질화규소, 산화알루미늄 등의 무기 절연 물질을 포함하거나 폴리이미드 아크릴 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 실시예에 따라서는 버퍼층(120)이 생략될 수 있다. 버퍼층(120)은 기판(110)의 일면을 평탄화시키거나, 발광층(370)으로 수분, 불순물 등이 유입되는 것을 방지할 수 있다.
버퍼층(120)의 위에는 반도체층(130)이 위치한다. 반도체층(130)은 비정질 반도체, 다결정 반도체 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
반도체층(130)은 소스 전극(173)과 연결되는 소스 영역(132), 드레인 전극(175)과 연결되는 드레인 영역(133), 그리고 소스 영역(132)과 드레인 영역(133) 사이에 위치하는 채널 영역(131)을 포함할 수 있다.
반도체층(130) 및 반도체층(130)으로 덮여있지 않은 버퍼층(120)의 위에는 게이트 절연막(140)이 위치한다. 게이트 절연막(140)은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물과 같은 무기 물질을 포함하거나 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 여기서, 실리콘 질화물은 일 예로 SiNx 또는 SiON을 포함하고, 실리콘 산화물은 일 예로 SiOX를 포함할 수 있다.
게이트 절연막(140)의 위에 게이트 전극(124)이 위치할 수 있다. 게이트 전극(124)은 반도체층(130)의 채널 영역(131)과 중첩할 수 있다.
게이트 전극(124) 및 노출된 게이트 절연막(140)의 위에는 이를 덮는 층간 절연막(160)이 위치한다. 층간 절연막(160)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
층간 절연막(160)의 위에는 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)이 위치할 수 있다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 각각은 층간 절연막(160) 및 게이트 절연막(140)이 가지는 접촉 구멍을 통하여 반도체층(130)의 소스 영역(132) 및 드레인 영역(133)과 연결되어 있다.
소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 이들로부터 노출되어 있는 층간 절연막(160)의 위에는 이를 덮는 평탄화 절연막(180)이 위치할 수 있다. 평탄화 절연막(180)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
평탄화 절연막(180)의 위에는 제1 전극인 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 평탄화 절연막(180)이 가지는 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극(175)과 연결될 수 있다.
화소 전극(191) 및 평탄화 절연막(180) 위에는 격벽(210)이 위치할 수 있다. 격벽(210)은 화소 전극(191)의 적어도 일부와 중첩할 수 있다. 격벽(210)은 화소 전극(191)과 중첩하는 개구부(211)를 가진다. 개구부(211)에 발광층(370)이 위치한다. 발광층(370) 및 격벽(210) 위에 공통 전극(270)이 위치한다. 화소 전극(191), 발광층(370) 및 공통 전극(270)은 발광 소자를 이룬다.
실시예에 따라서는 화소 전극이 정공 주입 전극인 애노드일 수 있고, 공통 전극이 전자 주입 전극인 캐소드일 수 있다. 이와 반대로, 화소 전극이 캐소드일 수 있고, 공통 전극이 애노드일 수도 있다. 화소 전극 및 공통 전극으로부터 각각 정공과 전자가 발광층 내부로 주입되면, 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광하게 된다.
일 실시예에 따라 공통 전극(270)과 발광층(370) 사이에 보조층(370a)이 위치할 수 있다. 보조층(370a)은 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 실시예에 따라 생략될 수도 있다. 또한 본 명세서는 도시하지 않았으나 화소 전극(191)과 발광층(370) 사이에 위치하는 정공 수송층 및 정공 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 정공 수송층 및 정공 주입층은 보조층(370a)과 같은 평면 형태를 가질 수 있다.
공통 전극(270) 위에는 발광 소자를 보호하는 봉지층(400)이 위치한다. 봉지층(400)은 도시된 바와 같이 공통 전극(270) 및 제1 차광 부재(111)와 접하면서 기판(110)의 일면과 접할 수 있다.
봉지층(400)은 무기막과 유기막이 적층된 박막 봉지층일 수 있으며, 무기막, 유기막, 무기막으로 구성된 3중층을 포함할 수 있다. 그러나 봉지층(400)은 이에 제한되지 않으며 기판 형태일 수도 있다. 실시예에 따라 제2 전극(270)과 봉지층(400) 사이에는 캐핑층 및 기능층이 위치할 수도 있다.
일 실시예에 따른 제1 차광 부재(111)는 격벽(210) 위에 위치할 수 있다. 제1 차광 부재(111)는 격벽(210)의 상부면으로부터 격벽(210)의 측면을 타고 내려와 기판(110)과 접촉할 수 있다. 제1 차광 부재(111)는 격벽(210)의 상부면, 평탄화 절연막(180)의 측면, 층간 절연막(160)의 측면 등과 접촉할 수 있다.
한편 보조층(370a) 및 공통 전극(270)은 발광층(370) 위에 위치하면서 격벽(210)과 제1 차광 부재(111)의 일부와 중첩할 수 있다. 보조층(370a) 및 공통 전극(270)의 일부는 격벽(210)의 상부면 위에 위치할 수 있다. 보조층(370a) 및 공통 전극(270)과 격벽(210) 사이에 제1 차광 부재(111)의 일부가 위치할 수 있다.
다음 도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 제1 차광 부재(111)는 봉지층(400) 위에 위치할 수 있다. 제1 차광 부재(111)는 봉지층(400)의 상부면 및 측면과 중첩하면서, 기판(110)과 접촉하도록 연장될 수 있다.
봉지층(400)과 제1 차광 부재(111) 위에 점착층(440) 및 제2 차광 부재(222)가 위치할 수 있다. 제1 차광 부재(111)와 제2 차광 부재(222) 사이에 점착층(440)이 위치할 수 있다.
본 명세서는 제1 차광 부재(111)의 위치에 대해 설명하였으나 이에 제한되지 않고 경계 영역(BA)과 중첩하는 범위에서 적층 구조가 변할 수 있음은 물론이다.
다음 도 5를 참조하면, 봉지층(400) 위에 색필터(330) 및 제1 차광 부재(111)가 위치할 수 있다. 제1 차광 부재(111)는 광투과 영역(TA)과 중첩하는 제1 개구부(OP1)를 가진다. 색필터(330)는 발광층(370)과 중첩하는 위치에 배치될 수 있다. 본 명세서는 색필터(330) 및 제1 차광 부재(111)가 봉지층(400) 위에 위치하는 실시예를 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 도 3에 도시된 봉지층(400) 위에 색필터(330)가 위치하는 실시예도 가능함은 물론이다.
일 실시예에 따르면 발광층(370)은 청색광을 방출하고, 색필터(330)는 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점을 포함하거나, 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점을 포함하거나, 입사되는 청색광을 그대로 방출할 수 있다. 이에 제한되지 않고 발광층(370) 각각이 적색, 녹색 및 청색을 방출할 수도 있음은 물론이다.
전술한 바와 같이 일 실시예에 따른 색필터(330)는 양자점을 포함할 수 있다. 양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; AgInS, CuInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다.
색필터(330)와 윈도우(500) 사이, 그리고 제1 차광 부재(111)와 윈도우(500) 사이에 점착층(440)이 위치할 수 있다. 전술한 구성요소와 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략한다.
이하에서는 도 6을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다. 도 6는 도 1의 일부 영역을 따라 절단한 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 전술한 구성요소와 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략하기로 한다.
우선 도 6을 참조하면, 광투과 영역(TA)은 비-관통홀 구조(non-hole structure)를 갖는다. 관통홀 구조를 가지는 경우, 표시 장치(1)가 포함하는 기판(110)에 관통홀이 형성된 상태이나, 일 실시예의 비-관통홀 구조에서는 기판(110)이 관통홀을 포함하지 않는다. 따라서 광투과 영역(TA)은 기판(110) 및 광학 부재(10)와 중첩할 수 있다.
광투과 영역(TA)의 크기는 하나의 화소의 크기보다 크므로 투명 디스플레이를 구현하기 위하여 화소 내에 형성하는 광투과 존(light-transmitting zone)과 다르다. 예를 들어, 화소 중 화소 회로가 형성되는 영역은 25μm(가로)*50μm(세로)의 직사각형 형상을 가질 수 있으나, 광투과 영역(TA)은 직경이 3mm인 원형 구조를 가질 수 있다.
다음 도 7 내지 도 9를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면에 대해 살펴본다. 도 7은 도 6의 일부 영역에 대한 일 실시예에 따른 단면도이고, 도 8은 도 6의 일부 영역에 대한 일 실시예에 따른 단면도이고, 도 9는 도 6의 일부 영역에 대한 일 실시예에 따른 단면도이다.
우선 도 7을 참조하면, 광투과 영역(TA)은 기판(110), 발광 소자를 구성하는 보조층(370a), 공통 전극(270), 공기층 및 윈도우(500)와 중첩할 수 있다. 실시예에 따라서는 공통 전극(270)이 제거될 수도 있으며 버퍼층(120) 및 게이트 절연막(140) 중 적어도 하나가 위치할 수도 있다.
제1 차광 부재(111)는 격벽(210) 위에 위치할 수 있다. 제1 차광 부재(111)는 격벽(210)의 상부면과 중첩하면서 평탄화 절연막(180), 층간 절연막(160), 게이트 절연막(140) 및 버퍼층(120) 중 적어도 하나의 측면과 접촉할 수 있다. 제1 차광 부재(111)는 기판(110)의 일면까지 연장될 수 있다.
또한 보조층(370a) 및 공통 전극(270)은 표시 영역(DA), 경계 영역(BA) 및 광투과 영역(TA)과 중첩할 수 있다. 보조층(370a) 및 공통 전극(270)은 표시 영역(DA)으로부터 경계 영역(BA)까지 연장될 수 있으며, 경계 영역(BA)에 위치하는 제1 차광 부재(111)의 측면 및 상부면과 접촉할 수 있다.
다음 도 8을 참조하면, 광투과 영역(TA)은 기판(110), 발광 소자를 구성하는 보조층(370a), 공통 전극(270), 공기층 및 윈도우(500)와 중첩할 수 있다. 실시예에 따라서는 공통 전극(270)이 제거될 수도 있으며 버퍼층(120) 및 게이트 절연막(140) 중 적어도 하나가 위치할 수도 있다.
제1 차광 부재(111)는 봉지층(400) 위에 위치할 수 있다. 제1 차광 부재(111)는 봉지층(400)의 상부면 및 측면과 중첩하면서 기판(110)을 향해 연장될 수 있다. 제1 차광 부재(111)는 봉지층(400)과 점착층(440) 사이에 위치할 수 있다.
다음 도 9를 참조하면, 광투과 영역(TA)은 기판(110), 발광 소자를 구성하는 보조층(370a), 공통 전극(270), 공기층 및 윈도우(500)와 중첩할 수 있다. 실시예에 따라서는 공통 전극(270)이 제거될 수도 있으며 버퍼층(120) 및 게이트 절연막(140) 중 적어도 하나가 위치할 수도 있다.
봉지층(400) 위에 색필터(330) 및 제1 차광 부재(111)가 위치할 수 있다. 제1 차광 부재(111)는 광투과 영역(TA)과 중첩하는 제1 개구부(OP1)를 가진다. 색필터(330)는 발광층(370)과 중첩하는 위치에 배치될 수 있다. 본 명세서는 색필터(330) 및 제1 차광 부재(111)가 봉지층(400) 위에 위치하는 실시예를 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 도 7에 도시된 봉지층(400) 위에 색필터(330)가 위치하는 실시예도 가능함은 물론이다.
일 실시예에 따르면 발광층(370)은 청색광을 방출하고, 색필터(330)는 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점을 포함하거나, 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점을 포함하거나, 입사되는 청색광을 그대로 방출할 수 있다. 이에 제한되지 않고 발광층(370) 각각이 적색, 녹색 및 청색을 방출할 수도 있음은 물론이다.
일 실시예에 따른 색필터(330)는 양자점을 포함할 수 있다. 양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
색필터(330)와 윈도우(500) 사이, 그리고 제1 차광 부재(111)와 윈도우(500) 사이에 점착층(440)이 위치할 수 있다. 전술한 구성요소와 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략한다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
TA: 광투과 영역
DA: 표시 영역
BA: 경계 영역
OP1: 제1 개구부
OP2: 제2 개구부
111: 제1 차광 부재
222: 제2 차광 부재
500: 윈도우

Claims (20)

  1. 광투과 영역, 상기 광투과 영역을 둘러싸는 표시 영역, 그리고 상기 광투과 영역과 상기 표시 영역 사이에 위치하는 경계 영역과 중첩하는 기판,
    상기 기판 상에 위치하는 평탄화 절연막,
    상기 평탄화 절연막 상에 위치하는 전자 수송층,
    상기 기판 위에 위치하며 상기 경계 영역과 중첩하는 제1 차광 부재,
    상기 기판과 중첩하는 윈도우, 그리고
    상기 제1 차광 부재와 상기 윈도우 사이에 위치하며, 상기 경계 영역과 중첩하는 제2 차광 부재를 포함하고,
    상기 제1 차광 부재는 상기 광투과 영역과 중첩하는 제1 개구부를 포함하고,
    상기 제2 차광 부재는 상기 광투과 영역과 중첩하는 제2 개구부를 포함하며,
    상기 제1 개구부의 지름은 상기 제2 개구부의 지름보다 크며,
    상기 제1 차광 부재는 상기 평탄화 절연막의 측면 상에 위치하는 제1 부분, 상기 평탄화 절연막의 상부면 상에 위치하는 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 전자 수송층과 중첩하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 차광 부재는 상기 제1 개구부를 이루는 제1 내측 가장자리와, 제1 외측 가장자리를 포함하고,
    상기 제1 내측 가장자리는 상기 제2 차광 부재와 중첩하는 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 제2 차광 부재는 상기 제2 개구부를 이루는 제2 내측 가장자리와, 제2 외측 가장자리를 포함하고,
    상기 제2 외측 가장자리는 상기 제1 차광 부재와 중첩하는 표시 장치.
  4. 제2항에서,
    상기 제1 외측 가장자리는 상기 경계 영역의 가장자리와 정렬되는 표시 장치.
  5. 제3항에서,
    상기 제2 내측 가장자리는 상기 경계 영역의 가장자리와 정렬되는 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 표시 장치는 상기 광투과 영역과 중첩하는 광학 부재를 더 포함하는 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 광학 부재의 너비는 상기 광투과 영역의 너비보다 작은 표시 장치.
  8. 제6항에서,
    상기 광학 부재의 지름은 상기 제2 개구부의 지름보다 작은 표시 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 표시 영역에는,
    상기 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극,
    상기 화소 전극과 중첩하는 공통 전극, 그리고
    상기 화소 전극과 공통 전극 사이에 위치하는 발광층이 위치하는 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 표시 장치는 상기 화소 전극의 적어도 일부와 중첩하는 격벽을 더 포함하고, 상기 제1 차광 부재는 상기 격벽 위에 위치하는 표시 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 공통 전극의 적어도 일부는 상기 제1 차광 부재 위에 위치하는 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 표시 장치는 상기 공통 전극 위에 위치하는 봉지층을 더 포함하는 표시 장치.
  13. 제9항에서,
    상기 표시 장치는 상기 공통 전극 위에 위치하는 봉지층을 더 포함하고,
    상기 제1 차광 부재는 상기 봉지층 위에 위치하는 표시 장치.
  14. 제6항에서,
    상기 기판은 상기 광학 부재와 중첩하는 관통홀을 포함하는 표시 장치.
  15. 제6항에서,
    상기 광학 부재는 상기 기판과 중첩하는 표시 장치.
  16. 광투과 영역, 상기 광투과 영역을 둘러싸는 표시 영역, 그리고 상기 광투과 영역과 상기 표시 영역 사이에 위치하는 경계 영역과 중첩하는 기판,
    상기 기판 상에 위치하는 전자 수송층 및 봉지층,
    상기 기판 위에 위치하며 상기 경계 영역과 중첩하는 제1 차광 부재,
    상기 기판과 중첩하는 윈도우, 그리고
    상기 제1 차광 부재와 상기 윈도우 사이에 위치하며, 상기 경계 영역과 중첩하는 제2 차광 부재를 포함하고,
    상기 경계 영역의 가장자리는 상기 제1 차광 부재의 가장자리, 그리고 상기 제2 차광 부재의 가장자리와 중첩하고,
    상기 제1 차광 부재는 상기 봉지층의 측면 상에 위치하는 제1 부분, 및 상기 봉지층의 상부면 상에 위치하는 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 전자 수송층과 중첩하는 표시 장치.
  17. 제16항에서,
    상기 제1 차광 부재는 제1 개구부를 포함하고,
    상기 제2 차광 부재는 제2 개구부를 포함하며,
    상기 제1 개구부의 너비는 상기 제2 개구부의 너비보다 큰 표시 장치.
  18. 제16항에서,
    상기 표시 장치는 상기 광투과 영역과 중첩하는 광학 부재를 더 포함하는 표시 장치.
  19. 제16항에서,
    상기 제1 차광 부재는 상기 표시 영역에 인접하게 위치하고, 상기 제2 차광 부재는 상기 광투과 영역에 인접하게 위치하는 표시 장치.
  20. 제16항에서,
    상기 표시 장치는 상기 제1 차광 부재와 상기 제2 차광 부재 사이에 위치하는 점착층을 더 포함하는 표시 장치.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102756673B1 (ko) 2019-03-06 2025-01-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111367108B (zh) * 2019-07-30 2023-07-25 友达光电股份有限公司 电子装置及其制造方法
KR102838512B1 (ko) * 2020-02-14 2025-07-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111540271B (zh) * 2020-05-18 2022-06-17 昆山国显光电有限公司 显示面板和显示装置
CN112071888B (zh) * 2020-09-17 2023-04-18 Oppo（重庆）智能科技有限公司 显示屏、显示屏的制备方法及电子设备
CN112904614B (zh) * 2021-01-29 2023-08-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示模组及其制备方法、显示装置
CN115132933B (zh) * 2021-03-25 2025-01-14 上海和辉光电股份有限公司 Oled显示面板及其制作方法
US12193281B2 (en) 2021-03-25 2025-01-07 Everdisplay Optronics (Shanghai) Co., Ltd OLED display panel and manufacturing method thereof
CN115497982B (zh) * 2021-06-18 2025-08-26 上海和辉光电股份有限公司 有机发光显示面板及其制造方法和有机发光显示装置
KR20230011519A (ko) 2021-07-13 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20250024743A1 (en) * 2022-03-28 2025-01-16 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device
CN114899208B (zh) * 2022-04-28 2025-09-16 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN115000326B (zh) * 2022-05-31 2025-11-28 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN120233587A (zh) * 2023-12-29 2025-07-01 北京京东方显示技术有限公司 显示面板、显示模组、显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109100892A (zh) * 2018-08-27 2018-12-28 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示面板及显示装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102031654B1 (ko) 2012-05-23 2019-10-15 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 구조물, 그 제조 방법, 윈도우 구조물을 포함하는 카메라가 탑재된 전자 장치 및 그 제조 방법
KR102031648B1 (ko) * 2013-04-18 2019-10-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102384068B1 (ko) * 2015-09-11 2022-04-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN115793783B (zh) 2015-09-28 2025-11-21 苹果公司 具有延伸有效区域的电子设备显示器
KR102465377B1 (ko) 2016-02-12 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2017172375A1 (en) 2016-03-28 2017-10-05 Groturbel Research Llc Light-emitting diode displays
KR20170111827A (ko) * 2016-03-29 2017-10-12 삼성전자주식회사 디스플레이 및 카메라를 포함하는 전자 장치
KR102401285B1 (ko) * 2016-04-01 2022-05-24 삼성전자주식회사 디스플레이를 포함하는 전자 장치
KR102519678B1 (ko) 2016-08-01 2023-04-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102103962B1 (ko) 2016-09-02 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 제조 방법
GB2566936A (en) * 2017-09-20 2019-04-03 Flexenable Ltd Display device
KR102418612B1 (ko) * 2018-01-03 2022-07-08 엘지전자 주식회사 이동 단말기
EP3553638A1 (en) * 2018-04-13 2019-10-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Display having opaque member disposed in area surrounded by pixels and electronic apparatus having the same
US11307448B2 (en) * 2018-06-11 2022-04-19 Lg Electronics Inc. Mobile terminal
KR102756673B1 (ko) 2019-03-06 2025-01-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111856810B (zh) * 2019-04-29 2023-11-14 北京小米移动软件有限公司 液晶显示屏和显示装置
KR102869778B1 (ko) * 2019-08-02 2025-10-14 삼성디스플레이 주식회사 전자 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
JP7330809B2 (ja) * 2019-08-09 2023-08-22 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109100892A (zh) * 2018-08-27 2018-12-28 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示面板及显示装置

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Publication number Publication date
KR20200108140A (ko) 2020-09-17
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CN111668265A (zh) 2020-09-15
US11740518B2 (en) 2023-08-29

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