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KR102746079B1 - 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치 - Google Patents

발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치 Download PDF

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KR102746079B1
KR102746079B1 KR1020160099086A KR20160099086A KR102746079B1 KR 102746079 B1 KR102746079 B1 KR 102746079B1 KR 1020160099086 A KR1020160099086 A KR 1020160099086A KR 20160099086 A KR20160099086 A KR 20160099086A KR 102746079 B1 KR102746079 B1 KR 102746079B1
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Abstract

본 발명의 예시적 실시예에 따른 검사 장치는, 광변환물질을 함유한 투광성 수지를 갖는 검사 대상물에 특정 파장의 빛을 조사하는 조명부; 상기 조명부의 빛에 의해 상기 투광성 수지가 발광된 상태에서 상기 검사 대상물의 이미지를 획득하는 카메라부; 및 상기 카메라부가 획득한 이미지로부터 그레이 값을 계산하여 상기 검사 대상물의 불량 여부를 판단하는 제어부;를 포함할 수 있다.

Description

발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치{TEST APPARATUS AND MANUFACTURING APPARATUS OF LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
본 발명은 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 반도체 발광소자로서, 형광등 및 백열등과 같은 기존의 광원에 비해 낮은 소모 전력, 긴 수명, 다양한 색의 빛 구현 등에 있어서 장점을 갖는다. 이와 같은 장점에 기반하여, LED는 다양한 조명 기기, 디스플레이 장치의 백 라이트 유닛, 자동차용 헤드 램프 등으로 그 적용분야가 확대되고 있다. LED는 소정의 패키지 몸체 내에 장착되어 발광소자 패키지 형태로 제공될 수 있으며, 발광소자 패키지는 빛의 색상을 조절하고 LED를 보호하기 위하여 광변환물질을 함유하는 투광성 수지를 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 과제 중 하나는, 광변환물질을 함유한 투광성 수지에서 광변환물질의 배합비 이상 여부를 빠르고 용이하게 판단할 수 있는 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치를 제공하는 데에 있다.
다만, 본 발명의 목적은 이에만 제한되는 것은 아니며, 명시적으로 언급하지 않더라도 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 이에 포함된다고 할 것이다.
본 발명의 예시적 실시예에 따른 검사 장치는, 광변환물질을 함유한 투광성 수지를 갖는 검사 대상물에 특정 파장의 빛을 조사하는 조명부; 상기 조명부의 빛에 의해 상기 투광성 수지가 발광된 상태에서 상기 검사 대상물의 이미지를 획득하는 카메라부; 및 상기 카메라부가 획득한 이미지로부터 그레이 값을 계산하여 상기 검사 대상물의 불량 여부를 판단하는 제어부;를 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 장치는, 발광소자 패키지가 안착되는 지그; 상기 발광소자 패키지에 광변환물질을 함유한 투광성 수지를 토출하는 수지 분사부; 및 상기 투광성 수지가 토출된 발광소자 패키지에 특정 파장의 빛을 조사하여 이미지를 획득하고, 상기 획득된 이미지로부터 그레이 값을 계산하며, 상기 발광소자 패키지의 랭크에 따라서 설정된 그레이 값의 기준 범위와 상기 계산된 그레이 값을 비교하여 상기 발광소자 패키지의 불량 여부를 판단하는 검사 장치;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치는, 광변환물질을 함유한 투광성 수지를 갖는 발광소자 패키지에 소정 파장의 빛을 조사하여 이미지를 획득하고, 획득한 이미지로부터 그레이 값을 계산하여 소정의 기준 범위를 벗어나는지 여부에 따라 투광성 수지 내에 함유된 광변환물질의 배합비에 이상이 있는지를 판단할 수 있다. 따라서, 고가의 장비 없이 투광성 수지에 함유된 광변환물질의 배합비의 이상 여부를 신속하고 효율적으로 판별할 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 장치를 간단하게 나타낸 도이다.
도 2는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자 패키지의 검사 장치의 외관을 나타낸 사시도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 장치에 의해 제조될 수 있는 발광소자 패키지를 나타낸 도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자 패키지의 검사 장치에 의해 생성된 발광소자 패키지의 이미지를 도시한 도이다.
도 6은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 장치를 간단하게 나타낸 도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 검사 장치에 의해 생성되는 시린지의 이미지를 도시한 도이다.
도 8 내지 도 13은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용될 수 있는 반도체 발광소자를 나타낸 도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. 본 명세서에서, '상', '상부', '상면', '하', '하부', '하면', '측면' 등의 용어는 도면을 기준으로 한 것이며, 실제로는 소자나 구성요소가 배치되는 방향에 따라 달라질 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 장치를 간단하게 나타낸 도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 장치(1)는 발광소자 패키지(40)에 투광성 수지(150)를 토출하는 수지 분사부(20) 및 발광소자 패키지(40)가 안착되는 지그(30) 등을 포함할 수 있다.
상기 발광소자 패키지(40)에 토출되는 투광성 수지(150)는 발광소자(41)에서 출력되는 빛의 색상을 조절하기 위한 광변환물질(155)을 포함할 수 있다. 상기 광변환물질(155)은, 예컨대 상기 발광소자(41)에서 발생된 빛에 의해 여기되어 다른 파장의 빛을 방출하는 형광체일 수 있다.
상기 수지 분사부(20)는 도트(dot) 단위로 광변환물질(155)을 함유한 상기 투광성 수지(150)를 토출하는 시린지(21) 및 시린지 제어부(22) 등을 포함할 수 있다.
검사 장치(10)는 상기 발광소자 패키지(40)에 토출된 상기 광변환물질(155)을 함유한 투광성 수지(150)를 검사할 수 있다. 즉, 상기 검사 장치(10)는 상기 광변환물질(155)을 함유한 투광성 수지(150)에 의해 봉지되는 발광소자(41)를 갖는 발광소자 패키지(40)를 검사 대상물로 하여 상기 광변환물질(155)을 함유한 투광성 수지(150)의 이상 여부를 판단할 수 있다.
상기 검사 장치(10)는 조명부(11)를 이용하여 상기 발광소자 패키지(40)에 빛을 조사하고, 카메라부(12)를 이용하여 상기 발광소자 패키지(40)의 이미지를 획득하며, 제어부(13)를 이용하여 검사 대상물인 발광소자 패키지(40)의 불량 여부를 판단할 수 있다.
상기 조명부(11)는 특정 파장의 빛을 내는 광원을 가질 수 있으며, 일 실시예로 UV LED 또는 청색 LED등을 광원으로 포함할 수 있다. 상기 조명부(11)가 내보내는 빛의 파장은, 상기 발광소자 패키지(40)에 포함되는 발광소자(41)가 내보내는 빛의 파장과 실질적으로 동일하거나 짧을 수 있다.
상기 카메라부(12)는 상기 발광소자 패키지(40)를 촬영하여 이미지를 생성할 수 있다. 상기 카메라부(12)가 생성하는 이미지는 상기 광변환물질(155)을 함유한 투광성 수지(150)가 도포된 발광소자 패키지(40)의 상면을 촬영한 이미지일 수 있다.
상기 제어부(13)는 상기 조명부(11)와 카메라부(12)의 동작을 제어하는 한편, 상기 카메라부(12)가 생성한 이미지로부터 그레이 값(gray value)을 계산할 수 있다. 상기 제어부(13)는 계산된 그레이 값에 기초하여 상기 광변환물질(155) 함유 투광성 수지(150)의 이상 여부를 판단할 수 있다. 그리고, 상기 발광소자 패키지(40)의 불량 여부를 결정할 수 있다.
상기 제어부(13)는 상기 카메라부(12)가 생성한 이미지로부터 계산된 그레이 값이 소정의 기준 범위를 벗어나는 경우, 상기 투광성 수지(150)에 함유된 광변환물질(155)의 배합비에 이상이 있는 것으로 판별할 수 있다. 상기 기준 범위는, 투광성 수지(150)에 함유된 광변환물질(155)의 배합비 차이에 따라서 상기 발광소자 패키지(40)가 P 랭크, R 랭크, T 랭크, U 랭크 등으로 구분되는 경우, 각 랭크별 발광소자 패키지(40)가 갖는 기준 그레이 값을 포함하는 범위일 수 있다.
한편, 본 발명의 예시적 실시예에서 상기 검사 장치(10)와 수지 분사부(20)는 하나의 장비로 제공될 수 있다. 즉, 투광성 수지(150)를 발광소자 패키지(40)에 분사하는 공정을 위한 장비에 검사 장치(10)가 결합되어 하나의 장비로 제공될 수 있다. 이때, 제어부(13)와 시린지 제어부(22)는 하나의 제어 모듈로 통합될 수 있다.
도 2는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자 패키지의 검사 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 예시적 실시예에 따른 검사 장치(10)는 조명부(11), 카메라부(12) 및 제어부(13)를 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 제어부(13)는 검사 장치(10)의 하우징(미도시) 내에 장착되어 외관으로는 표시되지 않을 수 있다.
발광소자 패키지(40)는 복수의 행과 열을 따라 배치되어 지그(30) 내에 안착될 수 있다. 상기 조명부(11)와 카메라부(12)는 상하 또는 좌우 방향으로 이동할 수 있도록 지지부(31)에 결합될 수 있다. 상기 조명부(11)와 카메라부(12)는 상기 발광소자 패키지(40)가 배열된 행과 열을 따라 이동하면서 각 발광소자 패키지(40)를 검사할 수 있다.
필요에 따라서 상기 조명부(11)와 카메라부(12)에는, 예컨대 UV 필터(11a), 컬러 필터(12a) 등의 2차 광학계가 장착될 수 있다(도 1 참조).
상기 조명부(11)는 특정 파장의 빛, 예컨대 UV 광을 방출하는 UV LED를 광원으로 포함할 수 있으며, 서로 인접한 2개 이상의 발광소자 패키지(40)에 동시에 UV 광을 조사할 수 있다.
상기 카메라부(12)는 상기 조명부(11)에 의해 UV 광이 조사되는 상기 발광소자 패키지(40)를 촬영하여 이미지를 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 카메라부(12)는 상기 조명부(11)의 UV 광에 의해 상기 광변환물질(155)을 함유한 투광성 수지(150)가 발광된 상태의 이미지를 획득할 수 있다. 이는 광변환물질(155)을 함유한 투광성 수지(150)가 조명부(11)의 UV 광에 의해 자극을 받아 빛을 내는 현상인 포토루미네선스(photoluminescence) 효과를 활용한 것이다.
상기 이미지는 상기 제어부(13)에 의해 분석되어 상기 발광소자 패키지(40)의 불량 여부를 결정하기 위한 데이터로 이용될 수 있다.
상기 제어부(13)는 검사 대상물인 발광소자 패키지(40)의 각 랭크별 기준 그레이 값을 통해서 각 랭크에서의 기준 범위를 설정할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자 패키지(40)는 투광성 수지(150)에 함유된 광변환물질(155)의 배합비 차이에 따라서 P 랭크, R 랭크, T 랭크, U 랭크 등으로 구분될 수 있다. 그리고, 각 랭크에 해당하는 그레이 값의 기준 범위를 가질 수 있다. 아래 [표1]은 예시적 실시예에 따른 발광소자 패키지의 랭크별 그레이 값을 나타내고 있다.
P Rank R Rank T Rank U Rank
Gray Value 66 94 110 143
기준 범위 56~76 86~100 103~120 133~153
상기 제어부(13)는 상기 카메라부(12)가 생성한 이미지로부터 계산된 그레이 값이 소정의 기준 범위를 벗어나는지 여부를 판단하여 상기 투광성 수지(150)에 함유된 광변환물질(155)의 배합비에 이상이 있는지 검사할 수 있다. 그리고, 발광소자 패키지(40)의 불량 여부를 결정할 수 있다.
특정 랭크에서 투광성 수지(150)에 함유된 광변환물질(155)의 양이 과다하거나 부족한 경우, 적정 배합비와 다르게 광변환물질(155)이 함유됨에 따라 카메라부(12)가 촬영한 이미지에서 그레이 값이 달라질 수 있다. 상기 제어부(13)는 상기 이미지의 그레이 값이 해당 랭크에서의 기준 범위를 벗어나는 경우, 투광성 수지(150)에 광변환물질(155)이 지나치게 많거나 적게 배합된 것으로 판정할 수 있다.
예를 들어, U 랭크에 해당하는 발광소자 패키지(40)를 제조하기 위해 U 랭크에 해당하는 배합비로 광변환물질(155)이 함유된 투광성 수지(150)가 발광소자 패키지(40)에 토출된 경우, 상기 제어부(13)는 상기 카메라부(12)가 생성한 이미지로부터 그레이 값을 계산하고, 이를 U 랭크에 해당하는 기준 범위와 비교할 수 있다. 만일, 계산된 그레이 값이 U 랭크의 기준 범위를 정의하는 상한 값(GV: 153)보다 크면, 상기 투광성 수지(150)에 함유된 광변환물질(155)의 양이 과다한 것으로 판단할 수 있다. 또한, 계산된 그레이 값이 U 랭크의 기준 범위를 정의하는 하한 값(GV: 133)보다 작으면, 상기 투광성 수지(150)에 함유된 광변환물질(155)의 양이 부족한 것으로 판단할 수 있다.
한편, [표1]에 기재된 랭크별 기준 그레이 값은 절대값은 아니며 상기 조명부(11)의 광출력에 따라서 변화할 수 있다. 예를 들어, 조명부(11)의 광출력이 높아지면 상기 제어부(13)는 상기 조명부(11)의 광출력에 기초하여 상기 기준 범위를 보다 높게 설정할 수 있다.
본 발명의 예시적 실시예에 따른 검사 장치(10)는, 발광소자(41)를 봉지하기 위해 발광소자 패키지(40)에 토출되는 광변환물질(155) 함유 투광성 수지(150)에 UV 광을 조사하고, 이때 발생하는 포토루미네선스 효과를 이용하여 광변환물질(155)의 배합비에 따른 기준 정보와 비교함으로써 배합비 이상 여부를 빠르고 용이하게 판단할 수 있다.
종래에는 테스트 핸들러(test handler) 공정에서 완성된 발광소자 패키지 각각에 전류를 인가하여 점등시킨 후 분광기를 사용하여 LED에서 발광되는 빛의 색좌표를 확인하는 방법으로 형광체 배합비에 이상이 있는지 여부를 확인하였다. 따라서, 제조 공정에서 형광체 배합이 잘못된 경우 또는 작업자 실수로 배합비가 다른 형광체로 제조 공정이 진행되어버린 경우 대량의 불량이 발생할 수 있다. 이는 형광체 디스펜싱 공정 이후 LED의 전기적/광학적 특성을 판단하는 테스트 핸들러 공정까지 여러 단계의 공정을 거쳐야 하고, 테스트 핸들러 공정에서 배합비에 문제가 있음을 알게되었을 때에는 이미 많은 제품이 생산된 이후이기 때문이다. 또한, 전류 인가를 위한 전류 인가 장치, 분광기 등의 추가적인 장치가 필요하고, 이로 인해 제조 원가 상승, 생산성 저하 등의 문제가 있었다.
본 발명에 따르면, 디스펜싱 공정 이후 바로 포토루미네선스 효과를 이용한 비전 검사가 진행되므로 배합비 이상 여부에 대한 빠른 판단 및 피드백이 가능하여 종래의 문제들이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 장치에 의해 제조될 수 있는 발광소자 패키지를 나타낸 도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 실장 공간(115)을 제공하는 패키지 몸체(110), 실장 공간(115) 내에 배치되는 발광소자(120), 발광소자(120)에 전기 신호를 공급하기 위한 리드 프레임(130) 등을 포함할 수 있다.
상기 리드 프레임(130)은 제1 및 제2 리드 프레임(131, 132)을 포함할 수 있으며, 상기 발광소자(120)와 상기 제1 및 제2 리드 프레임(131, 132) 각각은 와이어(140)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 또는, 도 3 및 도 4에 도시한 실시예와 달리, 발광소자(120)가 플립칩 본딩 방식에 의해 제1 및 제2 리드 프레임(131, 132)과 전기적으로 연결될 수도 있다.
상기 리드 프레임(130)의 일부는 상기 패키지 몸체(110)의 외부로 돌출되어 전기 신호를 공급받기 위한 목적으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리드 프레임(130)의 일부는 상기 실장 공간(115) 내에서 노출되어 상기 와이어(140) 또는 플립칩 본딩 등에 의해 상기 발광소자(120)의 전극과 연결될 수 있다.
상기 발광소자(120)를 상기 실장 공간(115) 내에 배치하고, 상기 리드 프레임(130)과 연결한 후, 상기 실장 공간(115)은 광변환물질(155)을 포함하는 투광성 수지(150)로 채워질 수 있다.
상기 광변환물질(155)은 형광체 또는 양자점(Quantum Dot)과 같이 상기 발광소자(120)가 방출하는 빛에 의해 다른 파장의 빛을 내는 물질일 수 있다. 상기 투광성 수지(150)는 우수한 빛 투과율을 갖는 물질로서 상기 광변환물질(155)을 함유한 형태로 분사되어 상기 실장 공간(115)을 채울 수 있다. 또한, 상기 투광성 수지(150)는 상기 실장 공간(115)에서 상기 발광소자(120), 상기 리드 프레임(130), 상기 와이어(140) 등을 보호할 수 있다.
예를 들어, 청색 빛을 내는 발광소자(120)를 실장 공간(115)에 마련하고, 청색 빛에 의해 여기되어 노란색 빛을 내는 광변환물질(155)을 투광성 수지(150)에 포함시킴으로써, 백색 빛을 내는 발광소자 패키지(100)를 구현할 수 있다.
이때, 투광성 수지(150) 내에 함유된 광변환물질(155)의 배합비에 이상이 있는 경우, 발광소자 패키지(100)가 원하는 색상의 빛을 구현하지 못할 수 있다. 따라서, 투광성 수지(150)에 함유된 광변환물질(155)의 배합비에 이상이 있는지 여부를 검사하기 위한 장치가 필요할 수 있다.
앞서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 검사 장치(10)는 발광소자 패키지(100)에 소정 파장의 빛을 조사하는 조명부(11), 발광소자 패키지(100)의 이미지를 촬영하는 카메라부(12) 및 제어부(13)를 포함하며, 검사 장치(10)는 투광성 수지(150)를 분사하는 장치와 하나의 장비로 구현될 수 있다. 따라서, 투광성 수지(150)를 발광소자 패키지(100)에 분사하고 곧바로 투광성 수지(150)를 포토루미네선스 효과를 이용해 검사함으로써, 투광성 수지(150) 내에 함유된 광변환물질(155)의 배합비에 문제가 있는지 여부를 빠르게 확인할 수 있다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자 패키지의 검사 장치에 의해 생성된 발광소자 패키지의 이미지를 도시한 도이다.
도 5a 내지 도 5d에 도시한 제1 내지 제4 이미지(200A, 200B, 200C, 200D)는 UV 광을 조사한 상태에서 각각 랭크별 광변환물질(155)을 함유한 투광성 수지(150)가 도포된 발광소자 패키지(40)의 상면을 촬영한 이미지이다.
광변환물질(155)의 배합비가 서로 다른 P 랭크, R 랭크, T 랭크 및 U 랭크의 발광소자 패키지(40)에 동일한 UV 광을 조사할 경우, 포토루미네선스 효과로 인해 여기되어 방출되는 빛의 밝기가 서로 다르고, 이로 인해 카메라부(12)가 취득한 이미지에서 그레이 값이 랭크별로 다름을 확인할 수 있다.
이러한 포토루미네선스 효과를 이용함으로써 광변환물질(155)의 배합비 이상 여부를 직관적으로 판단할 수 있음은 물론 제조된 발광소자 패키지(40)의 랭크를 확인하는 것도 가능하다. 예를 들어, 배합비를 모른 상태에서 생성된 이미지를 통해 계산된 그레이 값을 기준 범위와 비교함으로써 해당 발광소자 패키지(40)가 어느 랭크에 해당하는지를 용이하게 확인할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 장치를 간단하게 나타낸 도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 장치(2)는 발광소자 패키지(40)에 투광성 수지(150)를 토출하는 수지 분사부(20) 및 검사 장치(10)를 포함할 수 있다.
상기 수지 분사부(20)는 도트(dot) 단위로 상기 투광성 수지(150)를 토출하는 시린지(21) 및 시린지 제어부(22) 등을 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(40)에 토출되는 투광성 수지(150)는 발광소자(41)에서 출력되는 빛의 색상을 조절하기 위한 광변환물질(155)을 포함할 수 있다.
상기 검사 장치(10)는 상기 투광성 시린지(21) 내에 담겨진 상기 광변환물질(155)을 함유한 투광성 수지(150)를 검사할 수 있다. 예를 들어, 상기 검사 장치(10)는 상기 광변환물질(155)을 함유한 투광성 수지(150)가 담겨진 시린지(21)를 검사 대상물로 하여 상기 광변환물질(155)을 함유한 투광성 수지(150)의 이상 여부를 판단할 수 있다.
상기 검사 장치(10)는 조명부(11)를 이용하여 상기 시린지(21)에 빛을 조사하고, 카메라부(12)를 이용하여 상기 시린지(21)의 이미지를 획득하며, 제어부(13)를 이용하여 검사 대상물인 상기 시린지(21)의 불량 여부를 결정할 수 있다.
상기 조명부(11)는 특정 파장의 빛을 내는 광원을 가질 수 있으며, 일 실시예로 UV LED 또는 청색 LED등을 광원으로 포함할 수 있다.
상기 카메라부(12)는 상기 조명부(11)에 의해 빛이 조사되는 상기 시린지(21)를 촬영하여 이미지를 생성할 수 있다. 상기 카메라부(12)가 생성하는 이미지는 상기 광변환물질(155)을 함유한 투광성 수지(150)가 담겨진 시린지(21)의 측면을 촬영한 이미지일 수 있다.
상기 제어부(13)는 상기 조명부(11)와 카메라부(12)의 동작을 제어하는 한편, 상기 카메라부(12)가 생성한 이미지로부터 그레이 값(gray value)을 계산할 수 있다. 상기 제어부(13)는 계산된 그레이 값에 기초하여 상기 광변환물질(155) 함유 투광성 수지(150)의 이상 여부를 판단할 수 있다. 그리고, 상기 시린지(21)의 교체 여부를 결정할 수 있다.
상기 제어부(13)는 상기 카메라부(12)가 생성한 이미지로부터 계산된 그레이 값이 상기 시린지(21)의 전체 영역에 대해 균일한지 여부를 검사하며, 하부 영역과 상부 영역에서 차이가 발생하는 경우, 상기 투광성 수지(150)에 함유된 광변환물질(155)의 분포도에 이상이 있는 것으로 판별할 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 검사 장치에 의해 생성되는 시린지의 이미지를 도시한 도이다.
도 7a 및 도 7b의 실시예에서, 시린지(21)는 광변환물질(155)을 함유한 투광성 수지(150)를 포함할 수 있다. 검사 장치(10)는 UV 광을 조사하는 조명부(11)를 포함할 수 있다. 즉, 도 7a 및 도 7b에 도시한 실시예에 따른 이미지는, 조명부(11)가 UV 광을 조사하는 동안 카메라부(12)가 획득한 이미지일 수 있다.
도 7a는 광변환물질(155)이 투광성 수지(150) 내에 고르게 분포하는 제1 시린지(21A)의 이미지일 수 있다. 상기 카메라부(12)가 상기 제1 시린지(21A)의 이미지를 획득하면, 상기 제어부(13)는 이미지에서 상기 제1 시린지(21A)의 전체 영역에서의 그레이 값을 계산할 수 있다. 상기 제어부(13)는 계산된 그레이 값이 상기 제1 시린지(21A) 전체 영역에서 균일한 것으로 산출되면 상기 제1 시린지(21A)는 이상이 없는 것으로 판단할 수 있다.
도 7b는 광변환물질(155)이 투광성 수지(150) 내에 고르게 분포하지 않는 제2 시린지(21B)의 이미지일 수 있다. 상기 제어부(13)는 계산된 그레이 값이 상기 제2 시린지(21B)의 상부 영역보다 하부 영역에서 상대적으로 큰 것으로 산출되면, 상기 투광성 수지(150)에 함유된 상기 광변환물질(155)에 침전이 발생한 것으로 판단할 수 있다. 그리고, 상기 제2 시린지(21B)를 불량으로 판정하여 교체를 결정할 수 있다. 이에 따라서, 작업자는 상기 제2 시린지(21B)를 새로운 시린지로 교체할 수 있다.
광변환물질(155) 함유 투광성 수지(150)는 시린지(21) 내에 액상 형태로 담겨지기 때문에 투광성 수지(150) 내에 함유된 광변환물질(155)은 시간이 지남에 따라서 상기 시린지(21)의 하부쪽에 침전되게 된다. 이처럼 광변환물질(155) 침전이 발생하면 발광소자 패키지(40)로 토출되는 투광성 수지(150) 내의 광변환물질(155) 함유량이 균일하지 못하여 최종 제품으로 생산되는 발광소자 패키지들(40)의 색좌표 산포를 증가시키는 문제가 발생한다. 따라서, 침전이 발생한 시린지는 새로운 시린지로 교체할 필요가 있다.
이와 같이, 포토루미네선스 효과를 이용함으로써 광변환물질(155)의 침전 여부를 직관적으로 판단할 수 있음은 물론 제조될 발광소자 패키지(40)의 랭크를 확인하는 것도 가능하다. 예를 들어, 광변환물질(155)의 배합비를 모른 상태에서 생성된 이미지를 통해 계산된 그레이 값을 통해 광변환물질(155) 함유 투광성 수지(150)가 담겨진 시린지(21)가 어느 랭크에 해당하는 발광소자 패키지를 제조하기 위한 것인지를 용이하게 확인할 수 있다.
도 8 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용될 수 있는 반도체 발광소자를 나타낸 도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자(300)는 성장 기판(310), 제1 도전형 반도체층(320), 활성층(330) 및 제2 도전형 반도체층(340)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(320) 상에는 제1 전극(350)이 형성될 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(340) 상에는 제2 전극(360)이 형성될 수 있다. 제2 전극(360)과 제2 도전형 반도체층(340) 사이에는 선택적으로 오믹 컨택층(미도시)이 더 마련될 수도 있다.
성장 기판(310)은 다양한 실시예에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판 중 적어도 하나가 선택될 수 있다. 성장 기판(310)은, 예를 들어, 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서 동종 기판인 GaN 기판을 기판(310)으로 선택할 수 있으며, 이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 사용될 수 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가할 수 있으며, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 될 수 있다. 상기와 같은 문제를 해결하기 위해, 기판(310)과 GaN계인 제1 도전형 반도체층(320) 사이에 버퍼층(310A)을 배치할 수 있다. 버퍼층(310A)은 활성층 성장시 기판의 휘는 정도를 조절해 웨이퍼의 파장 산포를 줄일 수도 있다.
버퍼층(310A)은 AlxInyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1), 특히 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.
제1 및 제2 도전형 반도체층(320, 340)은 각각 n형 및 p형 불순물이 도핑된 반도체로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고 반대로 각각 p형 및 n형 반도체층이 될 수도 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 도전형 반도체층(320, 340)은 3족 질화물 반도체, 예컨대, AlxInyGa1 -x-yN(0≤x＜1, 0≤y＜1, 0≤x+y＜1)의 조성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 물론, 이에 한정되지 않으며, AlGaInP계열 반도체나 AlGaAs계열 반도체와 같은 물질도 이용될 수 있을 것이다.
한편, 제1 및 제2 도전형 반도체층(320, 340)은 단층 구조로 이루어질 수 있지만, 이와 달리, 필요에 따라 서로 다른 조성이나 두께 등을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 도전형 반도체층(320, 340)은 각각 전자 및 정공의 주입 효율을 개선할 수 있는 캐리어 주입층을 구비할 수 있으며, 또한, 다양한 형태의 초격자 구조를 구비할 수도 있다.
제1 도전형 반도체층(320)은 활성층(330)과 인접한 부분에 전류 확산층을 더 포함할 수도 있다. 상기 전류 확산층은 서로 다른 조성을 갖거나, 서로 다른 불순물 함량을 갖는 복수의 InxAlyGa(1-x-y)N층이 반복해서 적층되는 구조 또는 절연 물질 층이 부분적으로 형성될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(340)은 활성층(330)과 인접한 부분에 전자 차단층을 더 포함할 수 있다. 상기 전자 차단층은 복수의 서로 다른 조성의 InxAlyGa(1-x-y)N를 적층한 구조 또는 AlyGa(1-y)N로 구성된 1층 이상의 층을 가질 수 있으며, 활성층(330)보다 밴드갭이 커서 제2 도전형 반도체층(340)으로 전자가 넘어가는 것을 방지한다.
일 실시예에서, 제1 및 제2 도전형 반도체층(320, 340)과 활성층(330)은 MOCVD 장치를 사용하여 제조될 수 있다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(320, 340)과 활성층(330)을 제조하기 위해, 성장 기판(310)을 설치한 반응 용기 내에 반응 가스로 유기 금속 화합물 가스(예, 트리메틸 갈륨(TMG), 트리메틸 알루미늄(TMA) 등)와 질소 함유 가스(암모니아(NH3) 등)을 공급하고, 기판의 온도를 900℃ 내지 1100℃의 고온으로 유지하고, 기판상에 질화 갈륨계 화합물 반도체를 성장하면서, 필요에 따라 불순물 가스를 공급해, 질화 갈륨계 화합물 반도체를 언도프, n형, 또는 p형으로 적층할 수 있다. n형 불순물로는 Si이 잘 알려져 있고, p형 불순물으로서는 Zn, Cd, Be, Mg, Ca, Ba 등이 있으며, 주로 Mg, Zn가 사용될 수 있다.
또한, 제1 및 제2 도전형 반도체층(320, 340) 사이에 배치된 활성층(330)은 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조, 예컨대, 질화물 반도체일 경우, GaN/InGaN 구조가 사용될 수 있으며, 다만, 단일 양자우물(SQW) 구조를 사용할 수도 있을 것이다. 제1 또는 제2 전극(350, 360)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질을 포함할 수 있다. 도 8에 도시한 발광소자(300)는 에피 업(Epi-Up) 구조를 가지며, 따라서 발광소자 패키지 내에서 회로 기판에 포함되는 회로 패턴과 와이어 등을 통해 연결될 수 있다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자(400)는 지지 기판(410), 제1 및 제2 도전형 반도체층(420, 440), 활성층(430), 제1 및 제2 전극(450, 460) 등을 포함할 수 있다. 도 9에 도시한 실시예에 따른 발광소자(400)는 플립칩 본딩에 의해 발광소자 패키지의 회로 기판에 부착될 수 있다. 활성층(430)에서 생성되는 빛이 상부로 방출되어야 하므로, 지지 기판(410)은 투광성을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
또한, 활성층(430)에서 생성되어 하부로 진행하는 빛을 반사시킬 수 있도록, 제2 전극(460)은 전기 전도성 및 반사율이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 제2 전극(460)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자(500)가 도시되어 있다. 도 10에 도시한 발광소자(500)는, 제1 도전형 반도체층(520), 활성층(530) 및 제2 도전형 반도체층(540), 제1 도전형 반도체층(520)에 부착되는 제1 전극(550) 및 제2 도전형 반도체층(540)에 부착되는 제2 전극(560) 등을 포함할 수 있다. 제2 전극(560)의 하면에는 도전성 기판(510)이 배치될 수 있으며, 도전성 기판(510)은 발광소자 패키지를 구성하기 위한 회로 기판 등에 직접 실장될 수 있다. 발광소자 패키지 내에서 도전성 기판(510)은 회로 기판에 직접 실장되고, 제1 전극(550)은 와이어 등을 통해 회로 기판의 회로 패턴과 전기적으로 연결될 수 있다.
앞서 설명한 다른 반도체 발광소자(300, 400)들과 마찬가지로, 제1 도전형 반도체층(520)과 제2 도전형 반도체층(540)은 각각 n형 질화물 반도체 및 p형 질화물 반도체를 포함할 수 있다. 한편, 제1 및 제2 도전형 반도체층(520, 540) 사이에 배치되는 활성층(530)은, 서로 다른 조성의 질화물 반도체층이 교대로 적층되는 다중 양자 우물(MQW) 구조를 가질 수 있으며, 선택적으로 단일 양자 우물(SQW) 구조를 가질 수도 있다.
제1 전극(550)은 제1 도전형 반도체층(520)의 상면에 배치되며, 제2 전극(560)은 제2 도전형 반도체층(540)의 하면에 배치될 수 있다. 도 10에 도시한 발광소자(500)의 활성층(530)에서 전자-정공 재결합에 의해 생성되는 빛은 제1 전극(550)이 배치되는 제1 도전형 반도체층(520)의 상면으로 방출될 수 있다. 따라서, 활성층(530)에서 생성되는 빛을 제1 도전형 반도체층(520)의 상면 방향으로 반사시킬 수 있도록, 제2 전극(560)은 높은 반사율을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 제2 전극(560)은 Ag, Al, Ni, Cr, Cu, Au, Pd, Pt, Sn, Ti, W, Rh, Ir, Ru, Mg, Zn 또는 이들을 포함하는 합금물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광소자(600)는 제1 도전형 반도체층(620), 제2 도전형 반도체층(640), 그 사이에 위치하는 활성층(630), 제1 및 제2 도전형 반도체층(620, 640)에 각각 연결되는 제1 및 제2 전극(650, 660)을 포함한다. 본 실시예에서, 제1 및 제2 전극(650, 660)은 제1 및 제2 도전형 반도체층(620, 640)과 활성층(630)을 사이에 두고 마주하는 면에 각각 배치될 수 있다. 제2 전극(660) 상에는 지지 기판(610)이 본딩층(610A)에 의해 부착되어 발광소자(600)를 지지할 수 있다.
본 실시예에 따른 발광소자(600)는 제2 전극(660)과 관련된 전극 요소로서 연결 전극(connecting electrode: 670)을 추가적으로 포함할 수 있다. 연결 전극(670)은 제1 및 제2 도전형 반도체층(620, 640)과 활성층(630)의 적어도 일부 영역을 제거하여 형성된 관통홀(H)을 통해 제2 전극(660)과 연결될 수 있다. 관통홀(H)에 의해 제2 전극(660)의 적어도 일부 영역이 노출될 수 있으며, 상기 노출된 영역에서 제2 전극(660)과 연결 전극(670)이 서로 연결될 수 있다. 연결 전극(670)은 관통홀(H)의 측벽을 따라 형성될 수 있으며, 연결 전극(670)과 관통홀(H)의 측벽 사이에는 연결 전극(670)과 활성층(630) 및 제1 도전형 반도체층(620)이 서로 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해 절연층(670A)이 마련될 수 있다. 절연층(670A)은 제1 및 제2 도전형 반도체층(620, 640)과 활성층(630)의 측면에 형성되어 발광소자(600)를 위한 패시베이션층으로 제공될 수 있다. 절연층(670A)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
상기와 같은 전극 구조는 제1 및 제2 도전형 반도체층(620, 640)이 각각 n형 및 p형 질화물 반도체층인 형태에서 더욱 효율적으로 적용될 수 있다. p형 질화물 반도체층은 n형 질화물 반도체층보다 콘택 저항이 크므로, 오믹 콘택을 구하는 것이 어려울 수 있다. 그러나, 도 11에 도시한 실시예에서는, 제2 전극(660)을 지지 기판(610)의 전면에 걸쳐서 배치하므로, 제2 도전형 반도체층(640)과 제2 전극(660) 사이의 콘택 면적을 충분히 확보함으로써 p형 질화물 반도체층과 오믹 콘택을 확보할 수 있다.
한편, 도 11에 도시한 실시예에 따른 발광소자(600)는 지지 기판(610)의 방향으로 광이 방출되는 플립칩 구조일 수 있다. 즉, 제1 전극(650)과 연결 전극(670)은 솔더 범프(680) 등을 통해 회로 기판(690)의 회로 패턴(690A)과 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서 제1 전극(650)은 오믹 콘택 특성뿐만 아니라 높은 반사율을 갖는 전극물질을 포함할 수 있다. 제2 전극(660) 및 지지 기판(610)은 높은 투광성을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(650)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질을 포함할 수 있다. 제2 전극(660)은 Ni/Au와 같은 투광성 금속 또는 ITO와 같은 투명 전도성 산화물 또는 질화물일 수 있다. 지지 기판(610)은 글래스 기판 또는 투광성 폴리머 수지로 이루어진 기판일 수 있다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자(700)가 개시되어 있다. 발광소자(700)는 기판(710)의 일면 상에 순차적으로 적층되는 제1 도전형 반도체층(720), 활성층(730), 제2 도전형 반도체층(740)과, 제1 및 제2 전극(750, 760)을 포함할 수 있다. 또한, 발광소자(700)는 절연부(770)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 전극(750, 760)은 각각 컨택 전극(750A, 760A)과 연결 전극(750B, 760B)을 포함할 수 있으며, 절연부(770)에 의해 노출되는 컨택 전극(750A, 760A)의 일부 영역이 연결 전극(750B, 760B)과 연결될 수 있다.
제1 컨택 전극(750A)은 제2 도전형 반도체층(740) 및 활성층(730)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(720)과 접속된 도전성 비아로 제공될 수 있다. 제2 컨택 전극(760A)은 제2 도전형 반도체층(740)과 접속될 수 있다. 도전성 비아는 하나의 발광소자 영역에 복수 개 형성될 수 있다.
제1 및 제2 도전형 반도체층(720, 740) 상에 도전성 오믹 물질을 증착하여 제1 및 제2 컨택 전극(750A, 760A)을 형성할 수 있다. 제1 및 제2 컨택 전극(750A, 760A)은 Ag, Al, Ni, Cr, Cu, Au, Pd, Pt, Sn, Ti, W, Rh, Ir, Ru, Mg, Zn 또는 이들을 포함하는 합금물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 제2 컨택 전극(760A)은 활성층(730)에서 생성되어 발광소자(700)의 하부로 방출되는 빛을 반사시키는 역할을 할 수 있다.
절연부(770)는 제1 및 제2 컨택 전극(750A, 760A)의 적어도 일부를 노출시키는 오픈 영역을 구비하며, 제1 및 제2 연결 전극(750B, 760B)은 제1 및 제2 컨택 전극(750A, 760A)과 각각 연결될 수 있다. 절연부(770)는 SiO2 및/또는 SiN CVD 공정을 통해 500℃ 이하에서 0.01㎛ ~ 3㎛ 두께로 증착될 수 있다. 제1 및 제2 전극(750, 760)은 발광소자 패키지에 플립칩 형태로 실장될 수 있다.
제1 및 제2 전극(750, 760)은 절연부(770)에 의하여 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 절연부(770)는 전기적으로 절연 특성을 갖는 물질이면 어느 것이나 사용할 수 있지만, 발광소자(700)의 광 추출 효율 저하를 방지하기 위해 광흡수율이 낮은 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, SiO2, SiOxNy, SixNy 등의 실리콘 산화물, 실리콘 질화물을 이용할 수 있을 것이다. 필요에 따라, 광투과성 물질 내에 광 반사성 필러를 분산시켜 광반사 구조를 형성할 수 있다.
기판(710)은 서로 대향하는 제1 및 제2 면을 가질 수 있으며, 제1 및 제2 면 중 적어도 하나에는 요철 구조가 형성될 수도 있다. 기판(710)의 일면에 형성될 수 있는 요철 구조는 기판(710)의 일부가 식각되어 기판(710)과 동일한 물질로 이루어지거나, 기판(710)과 다른 이종 물질로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 기판(710)과 제1 도전형 반도체층(720)의 계면에 요철 구조를 형성함으로써, 활성층(730)으로부터 방출된 광의 경로가 다양해 질 수 있으므로, 빛이 반도체층 내부에서 흡수되는 비율이 감소하고 광 산란 비율이 증가하여 광 추출 효율이 증대될 수 있다. 또한, 기판(710)과 제1 도전형 반도체층(720) 사이에는 버퍼층이 마련될 수도 있다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 예시적 실시예에 따른 발광소자(800)는 나노 발광구조물을 갖는 발광소자(800)일 수 있다. 발광소자(800)는 제1 도전형 반도체 물질을 포함하는 베이스층(820`), 베이스층(820`) 상에 마련되어 복수의 개구부를 제공하는 마스크층(870), 마스크층(870)이 제공하는 개구부에 형성되는 나노 코어(820)를 포함할 수 있다. 나노 코어(820) 상에는 활성층(830) 및 제2 도전형 반도체층(840)이 마련될 수 있다. 나노 코어(820), 활성층(830), 및 제2 도전형 반도체층(840)은 나노 발광구조물을 제공할 수 있다.
제2 도전형 반도체층(840) 상에는 제2 컨택 전극(861)이 마련될 수 있으며, 제2 컨택 전극(861)의 일면에는 제2 연결 전극(862)이 마련될 수 있다. 제2 컨택 전극(861)과 제2 연결 전극(862)은 제2 전극(860)으로 제공될 수 있다. 제2 전극(860)의 일면에는 지지 기판(810)이 부착될 수 있으며, 지지 기판(810)은 전도성 또는 절연성 기판일 수 있다. 지지 기판(810)이 전도성을 갖는 경우, 지지 기판(810)은 발광소자 패키지의 회로 기판에 직접 실장될 수 있다. 제1 도전형 반도체 물질을 포함하는 베이스층(820`) 상에는 제1 전극(850)이 마련될 수 있다. 제1 전극(850)은 발광소자 패키지의 회로 기판에 포함되는 회로 패턴과 와이어 등으로 연결될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1, 2: 제조 장치
10: 검사 장치
11: 조명부
12: 카메라부
13: 제어부
40, 100: 발광소자 패키지

Claims (10)

  1. 검사 대상물에 광변환물질을 함유한 투광성 수지가 토출된 상태에서 상기 검사 대상물에 특정 파장의 빛을 조사하는 조명부;
    상기 조명부의 빛에 의해 상기 투광성 수지가 발광된 상태에서 상기 투광성 수지가 도포된 상기 검사 대상물의 이미지를 획득하는 카메라부; 및
    상기 카메라부가 획득한 이미지로부터 그레이 값을 계산하여 상기 투광성 수지에 함유된 상기 광변환물질의 배합비 이상 여부를 판단하는 제어부를 포함하고,
    상기 검사 대상물은 상기 광변환물질을 함유한 투광성 수지에 의해 봉지되는 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지이며,
    상기 광변환물질은 상기 발광소자에서 발생된 빛에 의해 여기되어 다른 파장의 빛을 방출하는 형광체이며,
    상기 카메라부가 획득한 이미지는 상기 투광성 수지가 도포된 발광소자 패키지의 상면을 촬영한 이미지인 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 발광소자 패키지의 각 랭크별 그레이 값의 기준 범위를 설정하고, 상기 기준 범위에 상기 계산된 그레이 값이 포함되는지 여부에 따라 상기 투광성 수지에 함유된 상기 광변환물질의 배합비 이상 여부를 결정하는 검사 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 계산된 그레이 값이 상기 기준 범위를 벗어나면, 상기 투광성 수지에 함유된 상기 광변환물질의 배합비에 이상이 있는 것으로 결정하는 검사 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 계산된 그레이 값이 상기 기준 범위를 정의하는 상한 값보다 크면, 상기 투광성 수지에 함유된 상기 광변환물질의 양이 과다한 것으로 판단하는 검사 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 계산된 그레이 값이 상기 기준 범위를 정의하는 하한 값보다 작으면, 상기 투광성 수지에 함유된 상기 광변환물질의 양이 부족한 것으로 판단하는 검사 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 조명부의 광출력에 기초하여 상기 기준 범위를 설정하는 검사 장치.
  7. 광변환물질을 함유한 투광성 수지가 내부에 담겨진 투광성 시린지에 특정 파장의 빛을 조사하는 조명부;
    상기 조명부의 빛에 의해 상기 투광성 수지가 발광된 상태에서 상기 투광성 시린지의 이미지를 획득하는 카메라부; 및
    상기 카메라부가 획득한 이미지로부터 상기 투광성 시린지의 상부 영역 및 하부 영역에 대한 그레이 값을 계산하고, 상기 투광성 시린지의 상기 상부 영역의 제1 그레이 값과 상기 투광성 시린지의 상기 하부 영역의 제2 그레이 값을 비교하여 상기 투광성 시린지 내의 상기 광변환물질의 침전 여부를 결정하는 제어부를 포함하는 검사 장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지가 안착되는 지그;
    상기 발광소자 패키지의 상기 발광소자에 광변환물질을 함유한 투광성 수지를 토출하는 수지 분사부;
    상기 투광성 수지가 토출된 상기 발광소자 패키지에 특정 파장의 빛을 조사하는 조명부;
    상기 투광성 수지가 발광된 상태에서 상기 발광소자 패키지의 이미지를 획득하는 카메라부; 및
    상기 획득된 이미지로부터 그레이 값을 계산하며, 상기 발광소자 패키지의 랭크에 따라서 설정된 그레이 값의 기준 범위와 상기 계산된 그레이 값을 비교하여 상기 투광성 수지에 함유된 상기 광변환물질의 배합비 이상 여부를 판단하는 제어부를 포함하고,
    상기 광변환물질은 상기 발광소자에서 발생된 빛에 의해 여기되어 다른 파장의 빛을 방출하는 형광체이며,
    상기 획득된 이미지는 상기 투광성 수지가 토출된 상기 발광소자 패키지의 상면을 촬영한 이미지인 발광소자 패키지의 제조 장치.
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