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KR102600200B1 - 고효율 ｒｆ 회로들을 위한 임피던스 정합 도전성 구조 - Google Patents

고효율 ｒｆ 회로들을 위한 임피던스 정합 도전성 구조 Download PDF

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KR102600200B1
KR102600200B1 KR1020207022413A KR20207022413A KR102600200B1 KR 102600200 B1 KR102600200 B1 KR 102600200B1 KR 1020207022413 A KR1020207022413 A KR 1020207022413A KR 20207022413 A KR20207022413 A KR 20207022413A KR 102600200 B1 KR102600200 B1 KR 102600200B1
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젭 에이치. 플레밍
카일 맥웨티
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3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드
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Abstract

본 발명은 광 한정성 유리 세라믹 기판에서 RF 임피던스 정합 디바이스를 만드는 방법을 포함한다. 접지 평면은 기생 전자 신호들, RF 신호들, 차동 전압 형성 및 부동 접지들이 광-한정성 유리 기판상에서 전기적 절연 및 접지 평면 구조들의 제작에 의해 절연된 전자 디바이스들의 성능을 방해하고 저하시키는 것을 방지하기 위해 RF 송신 라인에 인접하거나 또는 그 아래에 있기 위해 사용될 수 있다.

Description

고효율 ＲＦ 회로들을 위한 임피던스 정합 도전성 구조
본 발명은 동일한 기판상에서 RF 디바이스들 간에 임피던스 정합을 생성하는 것에 관한 것이다.
본 발명의 범위를 제한하지 않고, 그 배경은 임피던스 접합과 관련되어 설명된다.
하나의 이러한 예는 "적응형 임피던스 정합 인터페이스"라는 제목의, Rafagopalan 외에 대해 발행된, 미국 특허 번호 제9,819,991호에서 교시된다. 이들 발명자들은 데이터 인터페이스 커넥터, 애플리케이션 프로세서, 및 인터페이스 회로를 포함하는 디바이스를 교시한 것이라고 한다. 인터페이스 회로는 애플리케이션 프로세서와 데이터 인터페이스 커넥터 사이에 결합되는 것으로 말하여지며, 여기에서 데이터 인터페이스 회로는 신호들 중 하나의 신호 속성에서의 변화를 결정하고, 변화는 데이터 인터페이스 커넥터 및 미디어 소비 디바이스 사이에서의 임피던스 부정합에 의해 야기된다. 애플리케이션 프로세서는, 조정된 신호를 얻기 위해, 신호 속성이 인터페이스 회로로부터 설정되는 것에 응답하여, 신호들 중 그 다음 것의 신호 속성을 조정한다고 말하여지거나, 또는 조정된 신호를 미디어 소비 디바이스로 전송할 수 있다.
또 다른 이러한 예는 Desclos 외에 대해 발행되며, "공유된 구성요소를 사용하여 임피던스 정합 및 대역 스위칭을 위해 적응된 능동 안테나"라는 제목의, 미국 특허 번호 제9,755,305호에서 교시된다. 간단히, 이들 발명자들은 공유된 동조 가능 구성요소를 사용하여, 예컨대, 동조 가능 커패시터 또는 다른 동조 가능 구성요소와 같은, 공유된 동조 가능 구성요소를 사용하여 안테나의 능동 임피던스 정합 및 대역 스위칭을 제공하도록 적응되는 능동 안테나 및 연관된 회로 토폴로지를 교시한다고 한다. 안테나는 저 비용이며 효과적인 능동 안테나 솔루션을 제공하는 것으로 말하여지며, 예컨대, 하나 이상의 수동 구성요소들이 또한 제 1 주파수로부터 제 2 원하는 주파수로 안테나의 대역 스위칭을 설계하기 위해 이용될 수 있다.
그러나, 이들 진전들에도 불구하고, 동일한 기판상에서의 RF 디바이스들 간의 임피던스 정합을 위한 요구가 남아있다.
일 실시예에서, 본 발명은 RF 임피던스 정합 디바이스를 만드는 방법을 포함하며, 상기 방법은: 감광성 유리 기판상에서 하나 이상의 각진(angled) 전기 전도 채널들을 형성하기 위해 하나 이상의 구조들을 포함한 설계 레이아웃을 마스킹하는 단계; 활성화한 에너지 소스로 감광성 유리 기판의 적어도 일부분을 노출시키는 단계; 적어도 10분 동안 유리 전이 온도를 초과하여 상기 감광성 유리 기판을 가열하는 단계; 유리-결정성 기판을 형성하도록 상기 노출된 유리의 적어도 일부를 결정질 재료로 변형시키기 위해 상기 감광성 유리 기판을 냉각시키는 단계; 상기 디바이스의 각진 전기 전도 채널들을 형성하기 위해 에천트(etchant) 용액으로 상기 유리-결정성 기판을 에칭하는 단계; 하나 이상의 금속들로 상기 하나 이상의 각진 전기 전도 채널들을 코팅하는 단계; 및 금속성 미디어(media)로 상기 전기적 절연 구조의 모두 또는 일부를 코팅하는 단계를 포함하며, 상기 금속은 회로에 연결된다. 일 양상에서, 상기 RF 임피던스 정합 디바이스는 RF 임피던스 정합 디바이스의 길이 또는 폭의 50 % 미만 아래에 기계적 지지대를 갖는다. 또 다른 양상에서, 상기 기계적 지지대의 높이는 10μm보다 커서 RF 손실들을 감소시킨다. 또 다른 양상에서, RF 임피던스 정합 디바이스와 기판 사이에서의 측방향 거리는 10μm보다 커서 RF 손실들을 감소시킨다. 또 다른 양상에서, 에칭 단계는 상기 기판과 상기 RF 임피던스 정합 디바이스 사이에 공극(air gap)을 형성하며, 여기에서 상기 RF 임피던스 정합 디바이스는 다른 RF 전자 요소들에 연결된다. 또 다른 양상에서, 트렌치들에 인접한 유리-결정성 기판이 또한 세라믹 상으로 변환될 수 있다. 또 다른 양상에서, RF 임피던스 정합 디바이스의 접지 평면이 아닌 다른 도전성 구조는 마이크로스트립, 스트립라인, 공면 도파관, 접지형 공면 도파관, 또는 동축 도파관 중 적어도 하나일 수 있다. 또 다른 양상에서, 하나 이상의 금속들은 Fe, Cu, Au, Ni, In, Ag, Pt, 또는 Pd로부터 선택된다. 또 다른 양상에서, 금속은 표면, 매립형 접촉부, 블라인드 비아, 유리 비아, 직선 접촉부, 직사각형 접촉부, 다각형 접촉부, 또는 원형 접촉부를 통해 회로에 연결된다. 또 다른 양상에서, 감광성 유리 기판은: 60 내지 76 중량(weight) % 실리카; 6 중량 % 내지 16 중량 %의 K2O 및 Na2O의 조합을 가진 적어도 3 중량 % K2O; Ag2O 및 Au2O로 이루어진 그룹으로부터 선택된 0.003 내지 1 중량 %의 적어도 하나의 산화물; 0.003 내지 2 중량 % Cu2O; B2O3의 조합을 가진 0.75 중량 % 내지 7 중량 % B2O3, 및 6 내지 7 중량 % Al2O3; 및 13 중량 %를 초과하지 않는 Al2O3; 8 내지 15 중량 % Li2O; 및 0.001 내지 0.1 중량 % CeO2의 조성을 포함한 유리 기판이다. 또 다른 양상에서, 감광성 유리 기판은 35 내지 76 중량 % 실리카, 3 내지 16 중량 % K2O, 0.003 내지 1 중량 % Ag2O, 0.75 내지 13 중량 % B2O3, 8 내지 15 중량 % Li2O, 및 0.001 내지 0.1 중량 % CeO2의 조성을 포함한 유리 기판이다. 또 다른 양상에서, 감광성 유리 기판은 다음 중 적어도 하나이다: 광-한정성 유리 기판은 적어도 0.3 중량 % Sb2O3 또는 As2O3를 포함하고; 광-한정성 유리 기판은 0.003 내지 1 중량 % Au2O를 포함하고; 광-한정성 유리 기판은 CaO, ZnO, PbO, MgO 및 BaO로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1 내지 18 중량 %의 산화물을 포함하며; 선택적으로 10-20:1; 21-29:1; 30-45:1; 20-40:1; 41-45:1; 및 30-50:1 중 적어도 하나인 노출 부분 대 상기 비노출 부분의 이방성-에칭 비를 갖는다. 또 다른 양상에서, 감광성 유리 기판은 적어도 실리카, 리튬 산화물, 알루미늄 산화물, 및 세륨 산화물을 포함한 감광성 유리 세라믹 합성 기판이다. 또 다른 양상에서, RF 임피던스 정합 디바이스는 50, 40, 30, 25, 20, 15, 또는 10 % 미만의 신호 입력 대 신호 출력의 손실을 갖는다. 또 다른 양상에서, 상기 방법은 MHz 내지 THz의 주파수들에서, 시간 지연 네트워크, 방향성 커플러 바이어싱 티(Directional Couplers Biased Tee), 고정형 커플러, 위상 어레이 안테나, 필터들 및 듀플렉서, 발룬(Balun), 전력 조합기들/분배기들, 또는 전력 증폭기들 중 적어도 하나의 특징으로 RF 임피던스 정합 디바이스를 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
또 다른 실시예에서, 본 발명은 RF 임피던스 정합 디바이스를 위한 도전성 구조를 만드는 방법을 포함하며, 상기 방법은: 감광성 유리 기판상에서 하나 이상의 각진 전기 전도 채널들을 형성하기 위해 하나 이상의 도전성 구조들을 포함한 설계 레이아웃을 마스킹하는 단계; 활성화한 에너지 소스에 상기 감광성 유리 기판의 적어도 일부분을 노출시키는 단계; 그것의 유리 전이 온도를 초과하여 적어도 10분의 가열 단계로 상기 감광성 유리 기판을 프로세싱하는 단계; 유리-결정성 기판을 형성하도록 상기 노출된 유리의 적어도 일부를 결정질 재료로 변형시키기 위해 상기 감광성 유리 기판을 냉각시키는 단계; 상기 디바이스에서 상기 하나 이상의 각진 전기 전도 채널들을 형성하기 위해 에천트 용액으로 상기 유리-결정성 기판을 에칭하는 단계로서, 트렌치들에 인접한 상기 유리-결정성 기판은 또한 세라믹 상으로 변환될 수 있으며, 상기 RF 임피던스 정합 디바이스는 상기 감광성 유리 기판에 의해 상기 RF 임피던스 정합 디바이스의 길이 또는 폭의 50 % 미만만큼 기계적 지지대를 갖는, 상기 에칭 단계; 하나 이상의 금속들로 상기 하나 이상의 각진 전기 전도 채널들을 코팅하는 단계; 및 금속성 미디어로 상기 전기적 절연 구조의 모두 또는 일부를 코팅하는 단계로서, 상기 금속은 표면 또는 매립형 접촉부를 통해 회로에 연결되는, 상기 전기적 절연 구조의 모두 또는 일부를 코팅하는 단계를 포함한다. 일 양상에서, 상기 하나 이상의 도전성 구조들은 마이크로스트립, 스트립라인, 공면 도파관, 접지형 공면 도파관, 또는 동축 도파관 중 적어도 하나를 포함한다. 또 다른 양상에서, 기계적 지지대의 높이는 10μm보다 커서 RF 손실을 감소시킨다. 또 다른 양상에서, 송신 라인과 기판 사이에서의 측방향 거리는 10μm보다 커서 RF 손실을 감소시킨다. 또 다른 양상에서, 상기 에칭 단계는 상기 기판과 상기 RF 임피던스 정합 디바이스 사이에 공극을 형성하며, 여기에서 송신 라인은 다른 RF 전자 요소들에 연결된다. 또 다른 양상에서, 상기 하나 이상의 금속들은 Fe, Cu, Au, Ni, In, Ag, Pt, 또는 Pd로부터 선택된다. 또 다른 양상에서, 상기 감광성 유리 기판은 60 내지 76 중량 % 실리카; 6 중량 % 내지 16 중량 %의 K2O 및 Na2O의 조합을 가진 적어도 3 중량 % K2O; Ag2O 및 Au2O로 이루어진 그룹으로부터 선택된 0.003 내지 1 중량 %의 적어도 하나의 산화물; 0.003 내지 2 중량 % Cu2O; B2O3의 조합을 가진 0.75 중량 % 내지 7 중량 % B2O3, 및 6 내지 7 중량 % Al2O3; 및 13 중량 %를 초과하지 않는 Al2O3; 8 내지 15 중량 % Li2O; 및 0.001 내지 0.1 중량 % CeO2의 조성을 포함한 유리 기판이다. 또 다른 양상에서, 상기 감광성 유리 기판은 35 내지 76 중량 % 실리카, 3 내지 16 중량 % K2O, 0.003 내지 1 중량 % Ag2O, 0.75 내지 13 중량 % B2O3, 8 내지 15 중량 % Li2O, 및 0.001 내지 0.1 중량 % CeO2의 조성을 포함한 유리 기판이다. 또 다른 양상에서, 상기 감광성 유리 기판은 다음 중 적어도 하나이다: 광-한정성 유리 기판은 적어도 0.3 중량 % Sb2O3 또는 As2O3를 포함하고; 광-한정성 유리 기판은 0.003 내지 1 중량 % Au2O를 포함하고; 광-한정성 유리 기판은 CaO, ZnO, PbO, MgO 및 BaO로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1 내지 18 중량 %의 산화물을 포함하며; 선택적으로 10-20:1; 21-29:1; 30-45:1; 20-40:1; 41-45:1; 및 30-50:1 중 적어도 하나인 노출 부분 대 상기 비노출 부분의 이방성-에칭 비를 갖는다. 또 다른 양상에서, 감광성 유리 기판은 적어도 실리카, 리튬 산화물, 알루미늄 산화물, 및 세륨 산화물을 포함한 감광성 유리 세라믹 합성 기판이다. 또 다른 양상에서, RF 임피던스 정합 디바이스는 50, 40, 30, 25, 20, 15, 또는 10 % 미만의 신호 입력 대 신호 출력의 손실을 갖는다. 또 다른 양상에서, 상기 방법은 MHz 내지 THz의 주파수들에서, 시간 지연 네트워크, 방향성 커플러 바이어싱 티, 고정형 커플러, 위상 어레이 안테나, 필터들 및 듀플렉서, 발룬, 전력 조합기들/분배기들, 또는 전력 증폭기들 중 적어도 하나의 특징으로 RF 임피던스 정합 디바이스를 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
또 다른 실시예에서, 본 발명은 광-한정성 유리 기판상에 형성된 RF 임피던스 정합 디바이스의 길이 또는 폭의 50 % 미만만큼 기계적으로 지지된 RF 임피던스 정합 디바이스를 포함한다. 일 양상에서, 상기 RF 임피던스 정합 디바이스는 감광성 유리 기판상에 하나 이상의 각진 전기 전도 채널들을 포함한다. 또 다른 양상에서, 상기 RF 임피던스 정합 디바이스는 상기 RF 임피던스 정합 디바이스의 길이 또는 폭의 50 % 미만 아래에 기계적 지지대를 갖는다. 또 다른 양상에서, 상기 기계적 지지대의 높이는 10μm보다 커서 RF 손실들을 감소시킨다. 또 다른 양상에서, 송신 라인과 기판 사이에서의 측방향 거리는 10μm보다 커서 RF 손실들을 감소시킨다. 또 다른 양상에서, 공극 송신은 다른 RF 전자 요소들에 연결된다. 또 다른 양상에서, 트렌치들에 인접한 유리-결정성 기판은 또한 세라믹 상으로 변환될 수 있다. 또 다른 양상에서, 하나 이상의 금속들은 Fe, Cu, Au, Ni, In, Ag, Pt, 또는 Pd로부터 선택된다. 또 다른 양상에서, 금속은 표면, 매립형 접촉부, 블라인드 비아, 유리 비아, 직선 접촉부, 직사각형 접촉부, 다각형 접촉부, 또는 원형 접촉부를 통해 회로에 연결된다. 또 다른 양상에서, 상기 RF 임피던스 정합 디바이스는 MHz 내지 THz의 주파수들에서, 시간 지연 네트워크, 방향성 커플러 바이어싱 티, 고정형 커플러, 위상 어레이 안테나, 필터들 및 듀플렉서, 발룬, 전력 조합기들/분배기들, 또는 전력 증폭기들 중 적어도 하나의 특징을 포함한다. 또 다른 양상에서, RF 임피던스 정합 디바이스는 마이크로스트립, 스트립라인, 공면 도파관, 접지형 공면 도파관, 또는 동축 도파관 중 적어도 하나를 포함하는 하나 이상의 도전성 구조들을 포함한다.
본 발명의 특징들 및 이점들의 보다 완전한 이해를 위해, 참조가 이제 수반된 도면들과 함께 본 발명의 상세한 설명에 대해 이루어진다:
도 1a 및 도 1b는 내장형 마이크로스트립 및 코팅형 마이크로스트립을 포함하는 마이크로스트립의 두 개의 변형예들을 도시하며, 양쪽 모두는 마이크로스트립 도체 위에 몇몇 유전체를 부가한다.
도 2a는 랩 및 연마된 광한정성 유리 기판, 예컨대, 300μm 두께 랩 및 연마된 광한정성 유리가 사용되는 방법의 시작의 측면도를 도시한다.
도 2b는 기판의 뒤에서 200Å 내지 10,000Å 두께 사이의 티타늄의 DC 스퍼터 균일 코팅의 측면도를 도시한다.
도 2c는 기판의 뒤에서 구리 접지 평면의 전기도금의 측면도를 도시한다. 구리 접지 평면은 기판의 뒤에서 0.5μm 내지 10μm 두께 사이에 있어야 한다.
도 2d는 노출된 광한정성 유리 기판에 삼각형 또는 사다리꼴 청정 영역을 가진 크롬 마스크를 사용하여 형성된 디바이스의 상면도를 도시한다. 노출은 대략 20J/cm2의 310nm 광을 이용한다. 길이 L은 100μm 내지 200μm이고; 폭 W2는 10μm이며; 폭 W1은 50μm이다. 다음으로, 60분 동안 노출된 광한정성 유리를 450℃로 가열한다.
도 2ei은 구리/금속 접지 평면 아래에서 10 % HF 용액에 에칭된 노출된 광한정성 유리의 상면도를 도시하며, 도 2eii는 도 2ei에서 도시된 동일한 디바이스의 측면도를 도시한다.
도 2fi은 APEX 유리와 상이한 유전율인 저 손실 탄젠트 재료로 채워진 에칭된 영역의 상면도를 도시하며, 도 2fii는 도 2fi에 도시된 동일한 디바이스의 측면도를 도시한다.
도 2g는 포토레지스트를 도포하고 패턴 현상액을 노출하며 마이크로파 스트립라인에 대해 노출된 패턴을 제거한 후 디바이스의 상면도를 도시한다.
도 2h는 기판/포토레지스트의 앞에서 200Å 내지 10,000 Å 두께 사이의 티타늄의 DC 스퍼터 코팅 후 상면도를 도시한다.
도 2i는 광한정성 유리 기판상에서 티타늄 패턴을 노출시키기 위해 용제를 사용하여 포토레지스트를 제거한 후 상면도이다.
도 2j는 패터닝된 티타늄에서 구리를 전기 도금한 후 상면도이다. 구리는 기판의 뒤에서 0.5μm 내지 10μm 두께 사이에 있어야 한다.
도 2k는 임피던스 정합 마이크로 스트립 라인이 여기에서 디바이스 1 및 디바이스 2로서 묘사된 다양한 디바이스들을 연결하기 위해 사용된 후 상면도이다.
도 3a는 본 발명의 송신 라인들의 단면도를 도시한다.
도 3b는 표준 유리와 비교할 때, 본 발명의 저 손실 마이크로-송신 라인의 손실들의 비교를 도시한 그래프이다.
본 발명의 다양한 실시예들의 제작 및 사용이 이하에서 상세하게 논의되지만, 본 발명은 매우 다양한 특정 맥락들로 구체화될 수 있는 많은 적용 가능한 발명의 개념들을 제공한다는 것이 이해되어야 한다. 여기에서 논의된 특정 실시예들은 단지 본 발명을 만들고 사용하기 위해 특정한 방식들로 예시되며 발명의 범위를 제한하지 않는다.
본 발명의 이해를 가능하게 하기 위해, 다수의 용어들이 이하에서 정의된다. 여기에서 정의된 용어들은 본 발명에 관련된 영역들에서 통상의 기술자에 의해 일반적으로 이해되는 바와 같은 의미들을 갖는다. "a", "an" 및 "the"와 같은 용어들은 단지 단수형 엔티티를 나타내도록 의도되지 않으며, 특정 예가 예시를 위해 사용될 수 있는 일반적인 클래스를 포함한다. 여기에서의 전문용어는 본 발명의 특정 실시예들을 설명하기 위해 사용되지만, 그것들의 사용은 청구항들에서 개괄된 것을 제외하고, 본 발명을 제한하지 않는다.
본 발명은 동일한 기판상에서의 RF 디바이스들 간에 임피던스 정합을 생성하는 것에 관한 것이다. 필터들, 인덕터들, 커패시터들, 저항기들, 시간 지연 네트워크들, 방향성 커플러 바이어싱 티들, 고정형 커플러들, 위상 어레이 안테나, 필터들 및 다이플렉서들, 발룬들, 전력 조합기들/분배기들 및 전력 증폭기들과 같은 디바이스들은 상이한 임피던스를 갖는다. 이들 디바이스들은 종종 도전성 구조에 의해 연결된다. 도전성 구조는 마이크로스트립, 스트립라인, 공면 도파관, 접지형 공면 도파관, 및 동축 도파관으로 구성될 수 있다. 우리는 편리함 및 간결성을 위해 이들 가능성 있는 도전성 구조들 모두를 마이크로스트립 라인으로 나타낼 것이다. RF 신호가 마이크로스트립 라인 상에서의 상이한 디바이스들 간에 송신될 때, 임피던스 차는 손실들 또는 반사된 신호들을 생성할 수 있다. 임피던스 정합 구조를 생성하는 것은 손실들을 감소시키고, 신호 품질을 개선하고(데이터 레이트들 및 송신 거리를 증가시킨다), 손실들을 감소시키며 배터리 수명을 개선한다.
감광성 유리 구조들은 다른 요소 시스템들 또는 서브시스템들과 함께 통합된 전자 요소들과 같은 다수의 미세 기계 가공 및 미세 제작 프로세스들을 위해 제안되어 왔다. 반도체, 절연 또는 도전성 기판들 상에서 박막 부가 프로세스들을 사용한 반도체 미세 제작은 낮은 수율 및 성능에서의 높은 변동성과 함께 비싸다. 부가적인 마이크로-송신의 예는 Tian 외에 의한 반도세 미세 제작 프로세스들이 값비싼 자본 설비; 일반적으로 각각 수백만 달러가 넘는 비용이 들며 수백만 내지 수십억 이상의 비용이 드는 초-청정, 고-생산 실리콘 제작 설비를 요구하는 포토리소그래피 및 반응성 이온 에칭 또는 이온 빔 밀링 툴들에 의존한다는 기사들에서 보여질 수 있다. 본 발명은 비용 효과적인 유리 세라믹 전자 개개의 디바이스를 제공하거나 또는 큰 광대역 저 손실 송신 구조에 걸쳐 균일한 응답을 가진 디바이스들의 어레이로서 생성한다.
마이크로스트립 송신 라인들은 이하에서의 도면에서 도시된 바와 같이 두께 "H"의 유전체 층("기판"으로도 불리워지는)에 의해 분리된, 폭 "W" 및 두께 "t"의 도전성 스트립 및 보다 넓은 접지 평면으로 이루어진다. 마이크로스트립은 특히 마이크로파 집적 회로들 및 MMIC들에 대해, 단연코 가장 인기있는 마이크로파 송신 라인이다. 스트립라인에 걸친 마이크로스트립의 주요 이점은 모든 활성 구성요소들이 보드의 최상부 상에 장착될 수 있다는 것이다. 단점들은 필터 또는 스위치에서처럼 높은 절연이 요구될 때, 몇몇 외부 차폐가 고려되어야 한다는 것이다. 기회가 주어지면, 마이크로스트립 회로들은 방사하여, 의도되지 않은 회로 응답을 야기할 수 있다. 마이크로스트립이 가진 작은 이슈는 그것이, 상이한 주파수들의 신호들이 약간 상이한 속도들로 이동한다는 것을 의미하는, 분산형이라는 것이다. 마이크로스트립은, 그것의 충전 인자 때문에, TEM 모드를 지원하지 않는다. 결합된 라인들에 대해, 짝수 및 홀수 모드들은 동일한 위상 속도를 갖지 않을 것이다. 이러한 속성은 예를 들어, 마이크로스트립 대역통과 필터들의 비대칭 주파수를 야기하는 것이다.
마이크로스트립. 도 1a 및 도 1b는 내장형 마이크로스트립 및 코팅형 마이크로스트립을 포함하는 마이크로스트립의 두 개의 변형예들을 도시하며, 양쪽 모두는 마이크로스트립 도체 위에 몇몇 유전체를 부가한다.
유효 유전율. 마이크로스트립 도체로부터의 필드들의 부분이 공기에 존재하기 때문에, 유효 유전율 "Keff"는 기판의 유전율(또한 비유전율로서 알려진)보다 다소 적다. 마이스코스트립의 유효 유전율(εeff)은 다음에 의해 산출된다:
유효 유전율은 마이크로스트립 라인에 대한 폭 대 기판의 높이의 비(W/H)의 함수, 뿐만 아니라 기판 재료의 유전율인 것으로 보여진다.
특성적 임피던스. 마이크로스트립의 특성정 임피던스(Z0)는 또한 송신 라인의 높이 대 폭의 비(W/H)(및 폭 대 높이의 비(H/W))의 함수이며 또한 W/H의 값에 의존하여 별개의 솔루션들을 갖는다. 마이크로스트립의 특성적 임피던스(Z0)는 다음에 의해 산출된다:
임피던스 정합 RF 회로는 다음을 최적화하도록 요구한다:
a. 마이크로스트립 라인 아래의 기판의 두께(H);
b. 마이크로스트립 아래의 기판의 유전율; 및
c. 마이크로스트립 라인의 폭.
본 발명은 광한정성 유리 세라믹 기판상에서 RF 임피던스 정합 디바이스 구조들 RF 디바이스들을 가진 기판을 제작하기 위한 방법을 포함한다. 일반적으로, 임피던스 정합 디바이스는 광한정성 유리 세라믹을 통해 삼각형 비아를 에칭하고, 그 후 광한정성 유리 세라믹 기판과 상이한 상이한 유전율로 비 도전성 미디어를 채움으로써 형성된다. RF 디바이스들을 연결하는 금속 라인은 좁은 단부에서 넓은 단부로 채워진 삼각형 영역의 길이를 가로지른다.
이들 요구들을 처리하기 위해, 본 발명자들은 반도체들, RF 전자 장치들, 마이크로파 전자 장치들, 및 광학 이미징을 위한 새로운 패키징 및 기판 재료로서 유리 세라믹(APEX® 유리 세라믹)을 개발하였다. APEX® 유리 세라믹은 단순한 3단계 프로세스에서 제 1 세대 반도체 장비를 사용하여 프로세싱되며 최종 재료는 유리, 세라믹으로 만들어지거나, 또는 유리 및 세라믹 양쪽 모두의 영역들을 포함할 수 있다. 광-에칭 가능 유리들은 매우 다양한 마이크로시스템 구성요소들의 제작을 위해 여러 이점들을 가진다.
미세구조들은 종래의 반도체 프로세싱 장비를 사용하여 이들 유리들로 비교적 저렴하게 생산되었다. 일반적으로, 유리들은 높은 온도 안정성, 양호한 기계적 및 전기적 속성을 가지며, 플라스틱 및 많은 금속들보다 양호한 화학적 저항을 갖는다. 광 에칭 가능 유리는 극소량의 은 이온들을 함유한 리튬-알루미늄-실리케이트 유리로 구성된다. 세륨 산화물의 흡수 대역 내에서 UV-광에 노출될 때, 세륨 산화물은 감광제들로서 동작하여, 광자를 흡수하고 은 원자들을 형성하기 위해 이웃하는 은 산화물을 환원시키는 전자를 잃는다, 예로서,
은 원자들은 굽기 프로세스 동안 은 나노클러스터들로 합치며 주변 유리의 결정화를 위해 핵형성 사이트들로 유도한다. 마스크를 통해 UV 광에 노출되면, 단지 유리의 노출된 영역들만이 뒤이은 열 처리 동안 결정화할 것이다.
이러한 열 처리는 유리 변형 온도에 가까운 온도(예컨대, 공기 중에서 465℃보다 높은)에서 수행되어야 한다. 결정질 상은 노출되지 않은 유리 같은, 비정질 영역들보다 플루오르화 수소산(HF)과 같은, 에천트들에서 더 용해 가능하다. 결정질 영역들은 10 % HF에서 비정질 영역들보다 20배보다 더 빨리 에칭되어서, 노출된 영역들이 제거될 때 약 20:1의 벽 기울기 비들을 가진 미세구조들을 가능하게 한다. 여기에 참조로서 통합된, 미세전자 엔지니어링(Microelectronic Engineering) 30, 497(1996), T. R. Dietrich 외의, "광 에칭 가능 유리를 이용한 미세시스템들을 위한 제작 기술들"을 참조하자.
일반적으로 광 에칭 가능 유리는 중량으로 75 내지 85 %의 실리콘 산화물(SiO2), 중량으로 7 내지 11 %의 리튬 산화물(LiO2), 중량으로 3 내지 6 %의 알루미늄 산화물(Al2O3), 중량으로 1 내지 2 %의 나트륨 산화물(Na2O), 중량으로 0.2 내지 0.5 %의 안티모늄 삼산화물(Sb2O3) 또는 비소 산화물(As2O3), 중량으로 0.05 내지 0.15 %의 은 산화물(Ag2O), 및 중량으로 0.01 내지 0.04 %의 세륨 산화물(CeO2)로 구성된다. 여기에서 사용된 바와 같이, 용어 "APEX® 유리 세라믹", "APEX 유리" 또는 간단히 "APEX"는 본 발명의 유리 세라믹 조성의 일 실시예을 나타내기 위해 사용된다.
APEX 조성은 그것의 강화된 성능을 위해 3개의 주요 메커니즘들을 제공한다: (1) 더 많은 양의 은은 입자 경계들에서 더 빨리 에칭되는 더 작은 세라믹 결정들의 형성으로 이어지고, (2)실리카 함량(HF 산에 의해 에칭되는 주요 성분)에서의 감소는 노출되지 않은 재료의 바람직하지 않은 에칭을 감소시키며, (3) 알칼리 금속들 및 붕소 산화물의 보다 높은 총 중량 퍼센트는 제조 동안 훨씬 더 많은 동종의 유리를 생산한다.
본 발명은 전자기 송신 및 필터링 애플리케이션들에서 사용된 각진 구조들, 미러들 및 유리 세라믹 재료들을 형성할 때 사용하기 위한 APEX 유리 구조에서의 저 손실 RF 임피던스 정합 구조를 제작하기 위한 방법을 포함한다. 본 발명은 유리-세라믹 기판의 다수의 평면들에서 생성된 각진 구조를 포함하고, 이러한 프로세스는 노출이 (a) 기판의 또는 에너지 소스의 배향을 변경함으로써 발생하도록 여기 에너지로의 노출, (b) 베이크 단계 및 (c) 에칭 단계를 이용한다. 각도 크기들은 예각 또는 둔각일 수 있다. 곡선 및 디지털 구조들은, 대부분의 유리, 세라믹 또는 실리콘 기판들에서 생성하기에 실현 가능하지 않다면, 어렵다. 본 발명은 유리-세라믹 기판들에 대해 수직뿐만아니라 수평 평면 양쪽 모두에 이러한 구조들을 생성하기 위한 능력을 생성하였다.
유리의 세라믹화는 대략 20J/cm2의 310nm 광에 APEX 유리 기판의 영역을 노출시킴으로써 성취된다. 일 실시예에서, 본 발명은 상이한 직경들을 가진 다양한 동심 원들을 포함한 석영/크롬 마스크를 제공한다.
본 발명은 감광성 유리에 제작되거나 또는 그것에 부착된 상이한 전자 디바이스들을 연결하기 위해 사용된 RF 임피던스 정합 마이크로스트립 라인을 제작하기 위한 방법을 포함한다. RF 임피던스 정합 마이크로스트립 라인은 이에 제한되지 않지만: 필터들, 인덕터들, 커패시터들 저항기들, 시간 지연 네트워크들, 방향성 커플러 바이어싱 티들, 고정형 커플러들, 위상 어레이 안테나, 필터들 및 다이플렉서들, 발룬들, 전력 조합기들/분배기들 및 전력 증폭기들을 포함한 디바이스들을 연결할 수 있다. 감광성 유리 기판은 이에 제한되지 않지만: 60 내지 76 중량 % 실리카; 6 중량 % 내지 16 중량 %의 K2O 및 Na2O의 조합을 가진 적어도 3 중량 % K2O; Ag2O 및 Au2O로 이루어진 그룹으로부터 선택된 0.003 내지 1 중량 %의 적어도 하나의 산화물; B2O3의 조합으로, 0.003 내지 2 중량 % Cu2O; 0.75중량 % 내지 7 중량 % B2O3, 및 6 내지 7 중량 % Al2O3; 및 13 중량 %를 초과하지 않는 Al2O3; 8 내지 15 중량 % Li2O; 및 0.001 내지 0.1 중량 % CeO2를 포함한 다수의 조성 변형들을 가질 수 있다. 이것 및 다른 변경된 조성들은 일반적으로 APEX 유리로 불리운다.
노출된 부분은 유리 변형 온도에 가까운 온도로 유리 기판을 가열함으로써 결정질 재료로 변형될 수 있다. 불화 수소산과 같은 에천트에서 유리 기판을 에칭할 때, 노출된 부분 대 비노출 부분의 이방성-에칭 비는 적어도 30:1의 종횡비를 가진 성형된 유리 구조를 제공하기 위해, 및 렌즈형 유리 구조를 제공하기 위해 유리가 넓은 스펙트럼 중간-자외선(약 308 내지 312nm) 플러드 램프에 노출될 때 적어도 30:1이다. 노출을 위한 마스크는 마이크로 렌즈를 위한 곡선 구조를 형성하기 위해 노출에 연속 그레이 스케일을 제공하는 망점(halftone) 마스크일 수 있다. 플러드 노출과 함께 사용된 디지털 마스크는 회절식 광학-요소 또는 프레넬(Fresnel) 렌즈를 생성하기 위해 사용될 수 있다. 노출된 유리는 그 후 통상적으로 2-단계 프로세스에서 베이킹된다. 온도 범위는 은 이온들의 은 나노입자들로의 통합을 위해, 10분 내지 2시간 동안 420℃ 내지 520℃ 사이에서 가열되며 온도 범위는 10분 내지 2시간 사이 동안 520℃ 내지 620℃ 사이에서 가열되어 리튬 산화물이 은 나노입자들 주위에 형성되도록 허용한다. 유리 판이 그 후 에칭된다. 유리 기판은 통상적으로 볼륨 5 % 내지 10 %로, HF 용액의 에천트에서 에칭되며, 여기에서 노출된 부분 대 비노출 부분의 에칭 비는 적어도 30:1이다. 임피던스 정합 스트립 라인 구조를 생성하는 것은 이러한 일반적인 프로세싱 접근법을 요구한다.
도 2a는 랩 및 연마된 광한정성 유리 기판(10), 예컨대 300μm 두께 랩 및 연마된 광한정성 유리가 사용되는 방법의 시작의 측면도를 도시한다.
도 2b는 광한정성 유리 기판(10)의 뒤에서 200Å 내지 10,000 Å 두께 사이에서의 티타늄의 DC 스퍼터 균일 코팅의 측면도를 도시한다.
도 2c는 기판의 뒤에서 구리 접지 평면의 전기도금의 측면도를 도시한다. 구리 접지 평면(14)은 광한정성 유리 기판(10)의 뒤에서 0.5μm 내지 10μm 두께 사이에 있어야 한다.
도 2d는 노출된 광한정성 유리 기판(10)에 삼각형 또는 사다리꼴 청정 영역을 가진 크롬 마스크(16)를 사용하여 형성된 디바이스의 상면도를 도시한다. 기판은 직경이 6"이다. 노출은 대략 20J/cm2의 310nm 광을 이용한다. 길이 L은 100μm 내지 200μm이고; 폭 W2는 10μm이고; 폭 W1은 50μm이다. 다음으로, 60분 동안 450℃로 노출된 광한정성 유리를 가열한다.
도 2ei은 구리/금속 접지 평면(18) 아래에서 10 % HF 용액에 에칭된 노출된 광한정성 유리 기판(10)의 상면도를 도시하며, 도 2eii는 도 2ei에 도시된 동일한 디바이스의 측면도를 도시한다.
도 2gi은 APEX 유리와 상이한 유전율인 저 손실 탄젠트 재료로 채워진 에칭된 영역의 상면도를 도시하며, 도 2gii는 도 2gi에 도시된 동일한 디바이스의 측면도를 도시한다. 낮은 유전율 요건을 위해, 패터닝된 구조는 Allied Signal로부터의 스핀 온 유리(메틸 실록산 스핀-온-유리)로 채워질 수 있다. 높은 유전체 요건들을 위해, 패터닝된 구조는 예로서, Advanced Materials로부터의 BaTiO3로 채워질 수 있다. 다음으로, 특징은 1시간 동안 10 내지 600℃로 광한정성 유리 기판 상에서 열 처리된다.
도 2h는 포토레지스트(20)를 도포하고 패턴 현상액을 노출시키며 마이크로파 스트립라인을 위해 노출된 패턴을 제거한 후 디바이스의 상면도를 도시한다.
도 2i는 기판/포토레지스터(10)의 앞에서 200 Å 내지 10,000 Å 두께 사이의 티타늄(22)의 DC 스퍼터 코팅 후 상면도를 도시한다.
도 2j는 광한정성 유리 기판 상에서 티타늄 패턴(24)을 노출시키기 위해 용제를 사용하여 포토레지스트를 제거한 후 상면도이다.
도 2k는 패터닝된 티타늄에서 구리를 전기도금한 후 상면도이다. 구리는 기판의 뒤에서 0.5μm 내지 10μm 두께 사이에 있어야 한다. 애플리케이션이 공극을 요구한다면, 웨이퍼는 0.5 HF 에칭에 노출되어 스핀 온 유리를 제거한다.
도 2l은 임피던스 정합 마이크로 스트립 라인이 접촉부들(26)에서 디바이스 1 및 디바이스 2로서 묘사된 다양한 디바이스들을 연결하기 위해 사용된 후 상면도이다.
도 3a는 접지들(30), 도체(32), 광한정성 유리 기판(34) 및 접지(36)를 포함하는 본 발명의 송신 라인의 단면도를 최상부에서 도시한다.
도 3b(최하부)는 공극을 포함하는 본 발명의 송신 라인의 또 다른 예를 도시하며, 도면들은 접지들(30), 도체(32), 광한정성 유리 기판(34), 접지(36), 및 공극들(유전체)(38)을 도시한다.
도 3b는 표준 유리와 비교할 때, 본 발명의 저 손실 마이크로-송신 라인의 손실들의 비교를 도시한 그래프이다.
따라서, 본 발명은 유전체 재료로서 공기를 사용하여 마이크로 스트립 라인을 형성하고 시뮬레이션하여 왔고, 유전체 사다리꼴의 폭(W1)은 100um에 있으며, W2에 대해 50um으로 감소된다. 다시, APEX 유리에 대한 낮은 탄젠트는 60GHz에서 .02인 것으로 정의된다. 모든 금속들은 500 Å Ti 부착 층을 가진 10μm Cu이지만, 숙련공은 디바이스의 요건들(전체 전력, 전류, 저항 등)이 상기 규격 및 공식들을 고려하여 숙련공에서 알려질 바와 같이, 디바이스의 특정 요건들을 수용하기 위해, 사용된 재료들, 디바이스의 두께 및 길이, 및 신호-대-잡음 비에 대한 허용오차 등을 구술할 것임을 인식할 것이다. 이 예에서 사용된 광한정성 유리 기판은 6" 직경 및 300μm 두께를 갖지만, 이들 양쪽 모두는 숙련공에서 알려질 바와 같이 쉽게 변경될 수 있다. 이러한 1cm 길이 라인에 대한 삽입 손실은 60GHz에서 0.495dB이다. 이러한 레벨의 삽입 손실은 특히 PCB 기반 RF 제품들에 비교하여 RF 디바이스들에서 전례가 없다.
본 발명자들은 반도체들, RF 전자 장치들, 마이크로파 전자 장치들, 전자 구성요소들 및/또는 광학 요소들을 위한 신규 기판 재료로서 광-한정성 유리 세라믹(APEX®) 유리 세라믹 또는 다른 광 한정성 유리를 사용하였다. 일반적으로, 광한정성 유리는 간단한 3단계 프로세스에서 제 1 세대 반도체 장비를 사용하여 프로세싱되며 최종 재료는 유리, 세라믹으로 만들어지거나, 또는 유리 및 세라믹 양쪽 모두의 영역들을 포함할 수 있다. 저 손실 마이크로-송신 송신 라인들은 MHz 내지 THz 디바이스들의 주파수들에서, 예를 들어 시간 지연 네트워크들, 방향성 커플러 바이어싱 트리, 고정형 커플러, 위상 어레이 안테나, 필터들 및 다이플렉서들, 발룬들, 전력 조합기들/분배기들 및 전력 증폭기들을 가능하게 하는 기본 라인 구조이며, 그에 의해 효율 및 성능을 극적으로 개선한다. 저 손실 마이크로-송신 송신 라인들은 크기를 감소시키면서 MHz 내지 THz 디바이스들의 주파수들에서, 예를 들어 시간 지연 네트워크들, 방향성 커플러 바이어싱 트리, 고정형 커플러, 위상 어레이 안테나, 필터들 및 다이플렉서들, 발룬들, 전력 조합기들/분배기들 및 전력 증폭기들을 가능하게 하는 기본 라인 구조이다. 대안적으로, MHz 내지 THz 디바이스들의 주파수들에서 저 손실 마이크로-송신 송신 라인들은 그에 의해 효율 및 성능을 극적으로 개선하며 크기를 감소시킬 수 있다.
본 명세서에서 논의된 임의의 실시예는 본 발명의 임의의 방법, 키트, 시약, 또는 조성에 대하여 구현될 수 있으며, 그 역 또한 마찬가지라는 것이 고려된다. 더욱이, 본 발명의 조성들은 본 발명의 방법들을 달성하기 위해 사용될 수 있다.
여기에서 설명된 특정한 실시예들은 본 발명의 제한들로서가 아닌 예시로서 도시된다는 것이 이해될 것이다. 본 발명의 주요 특징들은 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 다양한 실시예들에서 이용될 수 있다. 이 기술분야에서의 숙련자들은 단지 여기에서 설명된 특정 절차들에 대한 루틴, 실험, 다수의 등가물들만을 사용하여 인지하거나 또는 알아낼 수 있을 것이다. 이러한 등가물들은 본 발명의 범위 내에 있는 것으로 고려되며 청구항들에 의해 커버된다.
본 명세서에서 언급된 모든 공부들 및 특허 출원들은 본 발명과 관련되는 이 기술분야에서의 숙련자들의 숙련의 레벨을 나타낸다. 모든 공보들 및 특허 출원들은 여기에서 각각의 개개의 공보 또는 특허 출원이 구체적으로 및 개별적으로 참조로서 통합되는 것으로 나타내는 것처럼 동일한 정도로 참조로서 통합된다.
청구항들 및/또는 명세서에서 용어("포함하는")와 함께 사용될 때 단어("a" 또는 "an")의 사용은 "1"을 의미할 수 있지만, 그것은 또한 "하나 이상", "적어도 하나", 및" 하나 또는 하나 이상"의 의미와 일치한다. 청구항들에서 용어("또는")의 사용은 단지 대안들을 나타내는 것으로 명시적으로 표시되거나 또는 대안들이 상호 배타적이지 않다면 "및/또는"을 의미하기 위해 사용되지만, 본 개시는 단지 대안들 및 "및/또는"을 나타내는 정의를 지원한다. 본 출원 전체에 걸쳐, 용어("약")는 값이 디바이스의 에러의 고유 변화를 포함함을 나타내기 위해 사용되며, 방법은 값, 또는 연구 대상들 가운데 존재하는 변화를 결정하기 위해 이용된다.
본 명세서 및 청구항(들)에서 사용되는 바와 같이, 단어들("포함한"(및 "포함하다"와 같은, 임의의 형태의 포함한), "가진"(및 "가지다" 및 "간다"와 같은, 임의의 형태의 가진), "포함시킨"(및 "포함시키다" 및 "포함하다"와 같은, 임의의 형태의 포함시킨) 또는 "함유한"(및 "함유하다"와 같은 임의의 형태의 함유한))은 포괄적이거나 또는 제약을 두지 않으며 부가적인, 열거되지 않은 요소들 또는 방법 단계들을 배제하지 않는다. 여기에서 제공된 조성들 및 방법들 중 임의의 것의 실시예들에서, "포함한"은 "본질적으로 ~로 이루어진" 또는 "~로 이루어진"으로 대체될 수 있다. 여기에서 사용된 바와 같이, 구절("본질적으로 ~로 이루어진")은 특정된 정수(들) 또는 단계들뿐만 아니라 청구된 발명의 글자 또는 기능에 실질적으로 영향을 주지 않는 것들을 요구한다. 여기에서 사용된 바와 같이, 용어("이루어진")는 단지 열거된 정수(예컨대, 특징, 요소, 특성, 속성, 방법/프로세스 단계 또는 제한) 또는 정수들의 그룹(예컨대, 특징(들), 요소(들), 특성(들), 속성(들), 방법/프로세스 단계들 또는 제한(들))의 존재를 나타내기 위해 사용된다.
여기에서 사용된 바와 같이 용어("또는 그것의 조합")는 용어에 선행하는 나열된 아이템들의 모든 순열들 및 조합들을 나타낸다. 예를 들어, "A, B, C, 또는 그것의 조합들"은 "A, B, C, AB, AC, BC, 또는 ABC, 및 특정한 맥락에서 순서가 중요하다면, 또한 BA, CA, CB, CBA, BCA, ACB, BAC, 또는 CAB 중 적어도 하나를 포함하도록 의도된다. 이 예를 계속하면, BB, AAA, AB, BBC, AAABCCCC, CBBAAA, CABABB 등과 같은, 하나 이상의 아이템 또는 용어의 반복들을 포함하는 조합들이 명확하게 포함된다. 숙련공은 통상적으로, 맥락으로부터 달리 명백하지 않다면, 임의의 조합으로 아이템들 또는 용어들의 수에 대한 제한이 없다는 것을 이해할 것이다.
여기에서 사용된 바와 같이, 제한 없이, "약", "상당한" 또는 "대체로"와 같은 근사의 단어들은 그렇게 한정될 때, 반드시 절대적이거나 또는 완벽한 것은 아닌 것으로 이해되며 존재하는 것으로 조건을 지정하는 것을 보장하기 위해 이 기술분야에서 통상의 기술자들에게 충분히 가깝게 고려될 조건을 나타낸다. 설명이 달라질 수 있는 정도는 얼마나 많은 변화가 구성될 수 있는지에 의존할 것이며 이 기술분야에서의 통상의 기술자는 여전히 한정되지 않은 특징의 요구된 특성들 및 능력들을 여전히 갖는 것으로 한정된 특징을 인식한다. 일반적으로, 이전 논의를 조건으로, "약"과 같은 근사의 단어에 의해 한정되는 여기에서의 수치 값은 적어도 ±1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 10, 12 또는 15 %만큼 서술된 값으로부터 달라질 수 있다.
여기에서 개시되고 주장된 조성들 및/또는 방법들 모두는 본 개시를 고려하여 과도한 실험 없이 만들어지고 실행될 수 있다. 본 발명의 조성들 및 방법들은 바람직한 실시예들에 대하여 설명되었지만, 변화들이 본 발명의 개념, 사상 및 범위로부터 벗어나지 않고 조성들 및/또는 방법들에 및 여기에서 설명된 방법의 단계들에서 또는 단계들의 시퀀스에서 적용될 수 있다는 것이 명백할 것이다. 이 기술분야의 숙련자들에게 명백한 모든 이러한 유사한 대체들 및 수정들은 첨부된 청구항들에 의해 정의된 바와 같이 본 발명의 사상, 범위 및 개념 내에 있는 것으로 간주된다.
특허청, 및 본 출원에 대해 발행된 임의의 특허의 임의의 판독자들이 여기에 첨부된 청구항들을 해석하는 것을 돕기 위해, 출원인들은, 단어들("~를 위한 수단" 또는 "~를 위한 단계")이 특정한 청구항에서 명시적으로 사용되지 않는다면 그것이 그 출원일에 존재하는 바와 같이, 35 U.S.C.§112, U.S.C. §112 단락(f), 또는 등가물을 호출하도록 첨부된 청구항들 중 임의의 것을 의도하지 않는다는 것을 주의하길 원한다.
청구항들의 각각에 대해, 각각의 종속 청구항은 이전 청구항이 청구항 또는 요소에 대한 적절한 선행 기초를 제공하는 한 독립 청구항으로부터 및 각각의 모든 청구항에 대한 이전 종속 청구항들의 각각 양쪽 모두로부터 의존할 수 있다.
10: 광한정성 유리 기판 14: 구리 접지 평면
16: 크롬 마스크 18: 구리/금속 접지 평면
20: 포토레지스트 22: 티타늄
24: 티타늄 패턴 26: 접촉부
30: 접지 32: 도체
34: 광한정성 유리 기판 36: 접지
38: 공극

Claims (38)

  1. 단일 기판상의 두 RF 디바이스들 사이의 RF 임피던스 정합 디바이스를 만드는 방법에 있어서,
    단일 감광성 유리 기판을 제공하는 단계로서, 제 1 RF 디바이스 및 제 2 RF 디바이스가 상기 단일 감광성 유리 기판내에 또는 상기 단일 감광성 유리 기판상에 형성되는, 상기 단일 감광성 유리 기판을 제공하는 단계;
    상기 감광성 유리 기판상에 상기 감광성 유리 기판내의 하나 이상의 삼각형 또는 사다리꼴의 비아들(vias)을 형성하기 위해 하나 이상의 구조들을 포함한 설계 레이아웃을 마스킹하는 단계;
    상기 감광성 유리 기판의 적어도 일부분을 활성화한 에너지 소스에 노출시키는 단계;
    상기 감광성 유리 기판을 그 유리 전이 온도를 넘어 적어도 10분 동안 가열하는 단계;
    유리-결정성 기판을 형성하도록 노출된 유리의 적어도 일부를 결정질 재료로 변형시키기 위해 상기 감광성 유리 기판을 냉각시키는 단계;
    상기 하나 이상의 삼각형 또는 사다리꼴의 비아들을 형성하기 위해 에천트(etchant) 용액으로 상기 유리-결정성 기판을 에칭하는 단계;
    상기 감광성 유리 기판의 유전율과 상이한 유전율을 갖는 비도전성 미디어로 상기 하나 이상의 삼각형 또는 사다리꼴의 비아들을 채우는 단계; 및
    상기 하나 이상의 삼각형 또는 사다리꼴의 비아들을 가로질러 하나 이상의 도전성 구조체들을 형성하는 단계로서, 상기 하나 이상의 도전성 구조체들은 상기 제 1 RF 디바이스 및 상기 제 2 RF 디바이스와 연결되는 구조인, 상기 하나 이상의 도전성 구조체들을 형성하는 단계를 포함하는, RF 임피던스 정합 디바이스를 만드는 방법.
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  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 유리 결정성 기판을 에칭하는 단계는, 상기 감광성 유리 기판과 상기 하나 이상의 도전성 구조체들 사이에 공극을 형성하고,
    (1) 상기 하나 이상의 도전성 구조체들과 상기 감광성 유리 기판 사이의 측방향 거리는 10μm보다 크거나,
    (2) 상기 하나 이상의 도전성 구조체들의 일부분과 접하여 기계적으로 지지하는 감광성 유리 기판의 일부분의 두께는 10μm보다 크고,
    (3) 상기 감광성 유리 기판의 일부분과 접하여 기계적으로 지지되는 하나 이상의 도전성 구조체들의 일부분의 길이 또는 폭은 상기 하나 이상의 도전성 구조체들의 길이 또는 폭의 50%보다 작은, RF 임피던스 정합 디바이스를 만드는 방법.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 도전성 구조체들은, 마이크로스트립, 스트립라인, 공면 도파관, 접지형 공면 도파관, 또는 동축 도파관 중 적어도 하나를 포함하는, RF 임피던스 정합 디바이스를 만드는 방법.
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 도전성 구조체들은, 표면 접촉부, 매립형 접촉부, 블라인드 비아, 유리 비아, 직선 접촉부, 직사각형 접촉부, 다각형 접촉부, 또는 원형 접촉부를 통해 상기 제 1 RF 디바이스 및 상기 제 2 RF 디바이스에 연결되는, RF 임피던스 정합 디바이스를 만드는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 유리 기판은, 60 내지 76 중량 % 실리카; 적어도 3 중량 % K2O - K2O와 Na2O의 조합을 6 내지 16 중량 % 가짐 -; Ag2O 및 Au2O로 이루어진 그룹으로부터 선택된 0.003 내지 1 중량 %의 적어도 하나의 산화물; 0.003 내지 2 중량 % Cu2O; 0.75 내지 7 중량 % B2O3 및 6 내지 7 중량 % Al2O3 - B2O3와 Al2O3의 조합은 13 중량 %를 초과하지 않음 -; 8 내지 15 중량 % Li2O; 및 0.001 내지 0.1 중량 % CeO2의 조성을 포함하는, RF 임피던스 정합 디바이스를 만드는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 유리 기판은, 35 내지 76 중량 % 실리카, 3 내지 16 중량 % K2O, 0.003 내지 1 중량 % Ag2O, 0.75 내지 13 중량 % B2O3, 8 내지 15 중량 % Li2O, 및 0.001 내지 0.1 중량 % CeO2의 조성을 포함하는, RF 임피던스 정합 디바이스를 만드는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 유리 기판은, 광-한정성 유리 기판은 적어도 0.3 중량 % Sb2O3 또는 As2O3를 포함하고; 광-한정성 유리 기판은 0.003 내지 1 중량 % Au2O를 포함하고; 광-한정성 유리 기판은 CaO, ZnO, PbO, MgO 및 BaO로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1 내지 18 중량 %의 산화물을 포함하며; 선택적으로 10-20:1; 21-29:1; 30-45:1; 20-40:1; 41-45:1; 및 30-50:1 중 적어도 하나인 노출 부분 대 비노출 부분의 이방성-에칭 비를 갖는 것 중 적어도 하나의 조성을 포함하는, RF 임피던스 정합 디바이스를 만드는 방법.
  13. 삭제
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF 임피던스 정합 디바이스는 50, 40, 30, 25, 20, 15, 또는 10 % 미만의 신호 입력 대 신호 출력의 손실을 갖는, RF 임피던스 정합 디바이스를 만드는 방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    MHz 내지 THz의 주파수들에서, 시간 지연 네트워크, 방향성 커플러 바이어싱 티, 고정형 커플러, 위상 어레이 안테나, 필터들 및 듀플렉서, 발룬, 전력 조합기들/분배기들, 또는 전력 증폭기들 중 적어도 하나의 특징으로 상기 RF 임피던스 정합 디바이스를 형성하는 단계를 더 포함하는, RF 임피던스 정합 디바이스를 만드는 방법.
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  28. 단일 기판상의 두 RF 디바이스들 사이의 RF 임피던스 정합 디바이스에 있어서,
    단일 감광성 유리 기판으로서, 제 1 RF 디바이스 및 제 2 RF 디바이스가 상기 단일 감광성 유리 기판내에 또는 상기 단일 감광성 유리 기판상에 형성되는, 상기 단일 감광성 유리 기판;
    상기 감광성 유리 기판내의 하나 이상의 삼각형 또는 사다리꼴의 비아들;
    상기 하나 이상의 삼각형 또는 사다리꼴의 비아들의 각각을 채우는 비도전성 미디어로서, 상기 비도전성 미디어는 상기 감광성 유리 기판의 유전율과 상이한 유전율을 갖는, 비도전성 미디어; 및
    상기 감광성 유리 기판상의 하나 이상의 도전성 구조체들로서, 상기 하나 이상의 도전성 구조체들은 상기 하나 이상의 삼각형 또는 사다리꼴의 비아들을 가로지르고, 상기 하나 이상의 도전성 구조체들은 상기 제 1 RF 디바이스 및 상기 제 2 RF 디바이스와 연결되도록 구성된, 상기 하나 이상의 도전성 구조체들을 포함하는, RF 임피던스 정합 디바이스.
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KR20200102508A KR20200102508A (ko) 2020-08-31
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ID=67144463

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Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207022413A Active KR102600200B1 (ko) 2018-01-04 2018-12-31 고효율 ｒｆ 회로들을 위한 임피던스 정합 도전성 구조

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11677373B2 (ko)
EP (1) EP3735743A4 (ko)
JP (1) JP7226832B2 (ko)
KR (1) KR102600200B1 (ko)
AU (2) AU2018399638B2 (ko)
CA (1) CA3082624C (ko)
WO (1) WO2019136024A1 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3920200A1 (en) 2014-05-05 2021-12-08 3D Glass Solutions, Inc. 2d and 3d inductors antenna and transformers fabricating photoactive substrates
JP6995891B2 (ja) 2017-07-07 2022-01-17 スリーディー グラス ソリューションズ，インク パッケージ光活性ガラス基板内のｒｆシステムのための２ｄ及び３ｄのｒｆ集中素子デバイス
US10854946B2 (en) 2017-12-15 2020-12-01 3D Glass Solutions, Inc. Coupled transmission line resonate RF filter
WO2019136024A1 (en) 2018-01-04 2019-07-11 3D Glass Solutions, Inc. Impedance matching conductive structure for high efficiency rf circuits
JP6976409B2 (ja) 2018-05-29 2021-12-08 スリーディー グラス ソリューションズ, インク3D Glass Solutions, Inc 低挿入損失ｒｆ伝送線路
US12431627B2 (en) 2018-07-13 2025-09-30 Knowles Cazenovia, Inc. Millimeter wave filter array
CA3112608C (en) 2018-09-17 2021-12-28 3D Glass Solutions, Inc. High efficiency compact slotted antenna with a ground plane
KR102393450B1 (ko) 2018-12-28 2022-05-04 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 광활성 유리 기판들에서 ｒｆ, 마이크로파, 및 ｍｍ 파 시스템들을 위한 이종 통합
CA3107812C (en) 2018-12-28 2023-06-27 3D Glass Solutions, Inc. Annular capacitor rf, microwave and mm wave systems
JP2022553186A (ja) * 2019-10-14 2022-12-22 スリーディー グラス ソリューションズ，インク 高温プリント回路基板の基板
US20240014794A1 (en) * 2020-05-26 2024-01-11 3D Glass Solutions, Inc. Impedence Matching Conductive Structure for High Efficiency RF Circuits
US20240051292A1 (en) * 2021-01-11 2024-02-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Matching electrically conductive line resistances to switches in fluidic dies
DE112022002926T5 (de) 2021-08-12 2024-03-14 Ngk Insulators, Ltd. Wellenleiterelement

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005027605A1 (ja) 2003-09-09 2005-03-24 Hoya Corporation 両面配線ガラス基板の製造方法
WO2015171597A1 (en) 2014-05-05 2015-11-12 3D Glass Solutions, Inc. 2d and 3d inductors antenna and transformers fabricating photoactive substrates
US20170094794A1 (en) * 2015-09-30 2017-03-30 3D Glass Solutions, Inc Photo-definable glass with integrated electronics and ground plane
WO2017147511A1 (en) * 2016-02-25 2017-08-31 3D Glass Solutions, Inc. 3d capacitor and capacitor array fabricating photoactive substrates

Family Cites Families (262)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL69675C (ko) 1943-12-08
US2515941A (en) 1946-09-09 1950-07-18 Corning Glass Works Photosensitive opal glass
BE478714A (ko) 1946-09-09
BE493137A (ko) 1949-01-07
US2628160A (en) 1951-08-30 1953-02-10 Corning Glass Works Sculpturing glass
BE513836A (ko) 1951-08-30
US2971853A (en) 1953-03-05 1961-02-14 Corning Glass Works Ceramic body and method of making it
US3281264A (en) 1963-01-31 1966-10-25 Coast Metals Inc Method of gold-plating aluminum
US3292115A (en) 1964-09-11 1966-12-13 Hazeltine Research Inc Easily fabricated waveguide structures
JPS5321827B2 (ko) 1973-02-12 1978-07-05
US4028329A (en) 1974-07-24 1977-06-07 Hooker Chemicals & Plastics Corporation Process for the bulk polymerization of vinyl halide polymers showing reduced reactor scale formation
US3993401A (en) 1975-02-10 1976-11-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Retroreflective material including geometric fresnel zone plates
US3985531A (en) 1975-03-19 1976-10-12 Corning Glass Works Spontaneously-formed fluormica glass-ceramics
US4029605A (en) 1975-12-08 1977-06-14 Hercules Incorporated Metallizing compositions
US4131516A (en) 1977-07-21 1978-12-26 International Business Machines Corporation Method of making metal filled via holes in ceramic circuit boards
US4413061A (en) 1978-02-06 1983-11-01 International Business Machines Corporation Glass-ceramic structures and sintered multilayer substrates thereof with circuit patterns of gold, silver or copper
JPS56155587A (en) 1980-05-02 1981-12-01 Fujitsu Ltd Printed circuit board
JPS57200042A (en) 1981-06-02 1982-12-08 Hoya Corp Exposure method for chemically machinable photosensitive glass
US4537612A (en) 1982-04-01 1985-08-27 Corning Glass Works Colored photochromic glasses and method
JPS5939949U (ja) 1982-09-08 1984-03-14 アルプス電気株式会社 高周波回路装置
US4647940A (en) 1982-09-27 1987-03-03 Rogers Corporation Parallel plate waveguide antenna
US5078771A (en) 1989-02-07 1992-01-07 Canyon Materials, Inc. Method of making high energy beam sensitive glasses
US4514053A (en) 1983-08-04 1985-04-30 Corning Glass Works Integral photosensitive optical device and method
JPS61149905A (ja) 1984-12-25 1986-07-08 Fujitsu Ltd 光合分波器
JPS61231529A (ja) 1985-04-08 1986-10-15 Agency Of Ind Science & Technol 光制御型光スイツチ装置
JPS62202840A (ja) 1986-03-03 1987-09-07 Toshiba Corp 感光性ガラスの加工方法
US4692015A (en) 1986-03-14 1987-09-08 Xerox Corporation Short focal lens array with multi-magnification properties
JPS63128699A (ja) 1986-11-19 1988-06-01 株式会社日立製作所 感光性ガラス−セラミツク多層配線基板
CA1320507C (en) 1987-10-07 1993-07-20 Elizabeth A. Boylan Thermal writing on glass or glass-ceramic substrates and copper-exuding glasses
US4788165A (en) 1987-10-07 1988-11-29 Corning Glass Works Copper-exuding, boroaluminosilicate glasses
US4942076A (en) 1988-11-03 1990-07-17 Micro Substrates, Inc. Ceramic substrate with metal filled via holes for hybrid microcircuits and method of making the same
JP2737292B2 (ja) 1989-09-01 1998-04-08 富士通株式会社 銅ペースト及びそれを用いたメタライズ方法
US5147740A (en) 1990-08-09 1992-09-15 Rockwell International Corporation Structure and process for fabricating conductive patterns having sub-half micron dimensions
US5215610A (en) 1991-04-04 1993-06-01 International Business Machines Corporation Method for fabricating superconductor packages
BE1004844A7 (fr) 1991-04-12 1993-02-09 Laude Lucien Diego Methodes de metallisation de surfaces a l'aide de poudres metalliques.
US5212120A (en) 1991-06-10 1993-05-18 Corning Incorporated Photosensitive glass
US5395498A (en) 1991-11-06 1995-03-07 Gombinsky; Moshe Method for separating biological macromolecules and means therfor
JPH05139787A (ja) 1991-11-19 1993-06-08 Seikosha Co Ltd 感光性ガラスの加工方法
US5374291A (en) 1991-12-10 1994-12-20 Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology Method of processing photosensitive glass
JPH05206706A (ja) 1992-01-30 1993-08-13 Reader Denshi Kk インターデジタル型バンドパスフィルタ
US6258497B1 (en) 1992-07-29 2001-07-10 International Business Machines Corporation Precise endpoint detection for etching processes
US5371466A (en) 1992-07-29 1994-12-06 The Regents Of The University Of California MRI RF ground breaker assembly
US6017681A (en) 1992-11-09 2000-01-25 Fujitsu Limited Method of coupling optical parts and method of forming a mirror
GB2290171B (en) 1994-06-03 1998-01-21 Plessey Semiconductors Ltd Inductor chip device
JPH0826767A (ja) 1994-07-13 1996-01-30 Nippon Glass Kk ソーダ石灰シリカ系感光性ガラス及びその製造方法
JPH08179155A (ja) 1994-12-26 1996-07-12 Ricoh Co Ltd レンズと光ファイバとの結合方法及びレンズ基板の作成方法
JP3438383B2 (ja) 1995-03-03 2003-08-18 ソニー株式会社 研磨方法およびこれに用いる研磨装置
CN1192097C (zh) 1995-03-10 2005-03-09 梅索磅秤技术有限公司 多阵列、多特异性的电化学发光检验
US5919607A (en) 1995-10-26 1999-07-06 Brown University Research Foundation Photo-encoded selective etching for glass based microtechnology applications
US5733370A (en) 1996-01-16 1998-03-31 Seagate Technology, Inc. Method of manufacturing a bicrystal cluster magnetic recording medium
JPH107435A (ja) 1996-06-26 1998-01-13 Ngk Spark Plug Co Ltd ガラスセラミック配線基板およびその製造方法
DE69739681D1 (de) 1996-09-26 2010-01-14 Asahi Glass Co Ltd Schutzplatte für ein Plasma-Display und Verfahren zur Herstellung derselben
US6562523B1 (en) 1996-10-31 2003-05-13 Canyon Materials, Inc. Direct write all-glass photomask blanks
JPH10199728A (ja) 1997-01-07 1998-07-31 Murata Mfg Co Ltd 薄膜型コイル部品及びその製造方法
US5850623A (en) 1997-03-14 1998-12-15 Eastman Chemical Company Method for standardizing raman spectrometers to obtain stable and transferable calibrations
EP0951724A2 (en) 1997-04-25 1999-10-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing an enveloped multilayer capacitor and an envelope multilayer capacitor
US5998224A (en) 1997-05-16 1999-12-07 Abbott Laboratories Magnetically assisted binding assays utilizing a magnetically responsive reagent
US6287965B1 (en) 1997-07-28 2001-09-11 Samsung Electronics Co, Ltd. Method of forming metal layer using atomic layer deposition and semiconductor device having the metal layer as barrier metal layer or upper or lower electrode of capacitor
JPH11176815A (ja) 1997-12-15 1999-07-02 Ricoh Co Ltd ドライエッチングの終点判定方法およびドライエッチング装置
US6598291B2 (en) 1998-03-20 2003-07-29 Viasystems, Inc. Via connector and method of making same
US6115521A (en) 1998-05-07 2000-09-05 Trw Inc. Fiber/waveguide-mirror-lens alignment device
EP1001439A4 (en) 1998-05-29 2001-12-12 Nissha Printing PRINTED RING-SHAPED COIL, AND PRODUCTION METHOD
US6171886B1 (en) 1998-06-30 2001-01-09 Eastman Kodak Company Method of making integrated hybrid silicon-based micro-actuator devices
JP2000199827A (ja) 1998-10-27 2000-07-18 Sony Corp 光導波装置およびその製造方法
US6136210A (en) 1998-11-02 2000-10-24 Xerox Corporation Photoetching of acoustic lenses for acoustic ink printing
JP2000228615A (ja) 1999-02-05 2000-08-15 Tokin Corp Ｌｃバンドパスフィルタ
US6511793B1 (en) 1999-03-24 2003-01-28 Lg Electronics Inc. Method of manufacturing microstructure using photosensitive glass substrate
JP3756041B2 (ja) 1999-05-27 2006-03-15 Ｈｏｙａ株式会社 多層プリント配線板の製造方法
US6485690B1 (en) 1999-05-27 2002-11-26 Orchid Biosciences, Inc. Multiple fluid sample processor and system
FR2795745B1 (fr) 1999-06-30 2001-08-03 Saint Gobain Vitrage Procede de depot d'une couche a base de tungstene et/ou de molybdene sur un substrat verrier, ceramique ou vitroceramique, et substrat ainsi revetu
JP2001033664A (ja) 1999-07-21 2001-02-09 Hitachi Cable Ltd 光ファイバブロック
US6278352B1 (en) 1999-07-26 2001-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High efficiency thin film inductor
US7179638B2 (en) 1999-07-30 2007-02-20 Large Scale Biology Corporation Microarrays and their manufacture by slicing
US6538775B1 (en) 1999-09-16 2003-03-25 Reveo, Inc. Holographically-formed polymer dispersed liquid crystals with multiple gratings
US6403286B1 (en) 1999-11-04 2002-06-11 Corning Incorporated High aspect ratio patterning of glass film
JP2001206735A (ja) 2000-01-25 2001-07-31 Central Glass Co Ltd めっき方法
US6579817B2 (en) 2000-04-26 2003-06-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dielectric ceramic composition and method for producing the same, and device for communication apparatus using the same
US6329702B1 (en) 2000-07-06 2001-12-11 Tyco Electronics Corporation High frequency carrier
US6495411B1 (en) 2000-07-13 2002-12-17 Promos Technology Inc. Technique to improve deep trench capacitance by increasing surface thereof
US6510264B2 (en) 2000-07-31 2003-01-21 Corning Incorporated Bulk internal bragg gratings and optical devices
US7829348B2 (en) 2000-09-22 2010-11-09 Iowa State University Research Foundation, Inc. Raman-active reagents and the use thereof
EP1330306A2 (en) 2000-10-10 2003-07-30 BioTrove, Inc. Apparatus for assay, synthesis and storage, and methods of manufacture, use, and manipulation thereof
US7033821B2 (en) 2000-11-08 2006-04-25 Surface Logix, Inc. Device for monitoring cell motility in real-time
KR100392956B1 (ko) 2000-12-30 2003-07-28 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 제조방법
US6932933B2 (en) 2001-03-30 2005-08-23 The Aerospace Corporation Ultraviolet method of embedding structures in photocerams
US6824974B2 (en) 2001-06-11 2004-11-30 Genorx, Inc. Electronic detection of biological molecules using thin layers
DK1412725T3 (en) 2001-06-29 2019-03-25 Meso Scale Technologies Llc Multi-well plates for LUMINESCENSE TEST MEASUREMENTS
US6771860B2 (en) 2001-06-29 2004-08-03 Xanoptix, Inc. Module mounted aligning optical connector
CN1630946A (zh) 2001-07-12 2005-06-22 株式会社日立制作所 电子电路部件
US6843902B1 (en) 2001-07-20 2005-01-18 The Regents Of The University Of California Methods for fabricating metal nanowires
US20030025227A1 (en) 2001-08-02 2003-02-06 Zograph, Llc Reproduction of relief patterns
CA2500453A1 (en) 2001-09-28 2003-04-03 Biovalve Technologies, Inc. Microneedle with membrane
KR100814806B1 (ko) 2001-10-15 2008-03-19 삼성에스디아이 주식회사 스페이서 제조 방법 및 이 스페이서를 갖는 평판 표시 소자
JP2003209411A (ja) 2001-10-30 2003-07-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法
US20040171076A1 (en) 2001-12-20 2004-09-02 Dejneka Matthew J. Detectable micro to nano sized structures, methods of manufacture and use
US7064103B2 (en) 2002-01-04 2006-06-20 Becton, Dickinson And Company Binding protein as biosensors
US6867089B2 (en) 2002-01-28 2005-03-15 Nanya Technology Corporation Method of forming a bottle-shaped trench in a semiconductor substrate
US7470518B2 (en) 2002-02-12 2008-12-30 Cellectricon Ab Systems and method for rapidly changing the solution environment around sensors
US20030156819A1 (en) 2002-02-15 2003-08-21 Mark Pruss Optical waveguide
WO2003079082A2 (en) 2002-03-14 2003-09-25 Corning Incorporated Fiber array and methods of fabrication
WO2003093809A1 (en) 2002-04-30 2003-11-13 University Of Maryland, Baltimore Fluorescence sensing
JP2003329877A (ja) 2002-05-14 2003-11-19 Nippon Sheet Glass Co Ltd 光モジュール
US6580054B1 (en) 2002-06-10 2003-06-17 New Wave Research Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser
EP1546696B1 (en) 2002-09-11 2012-02-29 Synamem Corporation Membrane-based assays
US6875544B1 (en) 2002-10-03 2005-04-05 Sandia Corporation Method for the fabrication of three-dimensional microstructures by deep X-ray lithography
US20040184705A1 (en) 2003-01-08 2004-09-23 Mikihiro Shimada Optical waveguide component and method of manufacturing the same
US6783920B2 (en) 2003-01-15 2004-08-31 The Aerospace Corporation Photosensitive glass variable laser exposure patterning method
DE10304606B3 (de) 2003-02-05 2004-06-03 Magnet-Physik Dr. Steingroever Gmbh Transformator zur Erzeugung hoher elektrischer Ströme
US7601491B2 (en) 2003-02-06 2009-10-13 Becton, Dickinson And Company Pretreatment method for extraction of nucleic acid from biological samples and kits therefor
WO2004073039A2 (en) 2003-02-11 2004-08-26 Oplink Communications, Inc. Ultra broadband inductor assembly
US7150569B2 (en) 2003-02-24 2006-12-19 Nor Spark Plug Co., Ltd. Optical device mounted substrate assembly
WO2004079795A2 (en) 2003-03-04 2004-09-16 Rohm And Haas Electronic Materials, L.L.C. Coaxial waveguide microstructures and methods of formation thereof
US20040198582A1 (en) 2003-04-01 2004-10-07 Borrelli Nicholas F. Optical elements and methods of making optical elements
US6909137B2 (en) 2003-04-07 2005-06-21 International Business Machines Corporation Method of creating deep trench capacitor using a P+ metal electrode
US7579077B2 (en) 2003-05-05 2009-08-25 Nanosys, Inc. Nanofiber surfaces for use in enhanced surface area applications
EP1487019A1 (en) 2003-06-12 2004-12-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electronic device and method of manufacturing thereof
KR100495219B1 (ko) 2003-06-25 2005-06-14 삼성전기주식회사 Ｉｃ칩 내장형 파워 엠프 모듈
US7335972B2 (en) 2003-11-13 2008-02-26 Sandia Corporation Heterogeneously integrated microsystem-on-a-chip
US20050170670A1 (en) 2003-11-17 2005-08-04 King William P. Patterning of sacrificial materials
US6830221B1 (en) 2003-12-19 2004-12-14 The Aerospace Corporation Integrated glass ceramic spacecraft
US7316063B2 (en) 2004-01-12 2008-01-08 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating substrates including at least one conductive via
JP4153442B2 (ja) 2004-02-02 2008-09-24 シャープ株式会社 光モジュールの製造方法
EP1738378A4 (en) 2004-03-18 2010-05-05 Nanosys Inc NANOFIBRE SURFACE BASED CAPACITORS
JP4394999B2 (ja) 2004-04-12 2010-01-06 大日本印刷株式会社 受動素子内蔵配線基板およびその製造方法
CN1262500C (zh) 2004-04-16 2006-07-05 武汉理工大学 制备纳米孔微晶玻璃/玻璃载体材料的方法
DE202004019052U1 (de) 2004-06-09 2005-10-27 Schott Ag Aufbau diffraktiver Optiken durch strukturierte Glasbeschichtung
US7176152B2 (en) 2004-06-09 2007-02-13 Ferro Corporation Lead-free and cadmium-free conductive copper thick film pastes
JP4622359B2 (ja) 2004-07-22 2011-02-02 コニカミノルタホールディングス株式会社 インクジェットヘッドの製造方法
US7064045B2 (en) 2004-08-30 2006-06-20 Miradia Inc. Laser based method and device for forming spacer structures for packaging optical reflection devices
US7132054B1 (en) 2004-09-08 2006-11-07 Sandia Corporation Method to fabricate hollow microneedle arrays
US20060147344A1 (en) 2004-09-30 2006-07-06 The University Of Cincinnati Fully packed capillary electrophoretic separation microchips with self-assembled silica colloidal particles in microchannels and their preparation methods
CN101390253B (zh) 2004-10-01 2013-02-27 L.皮尔·德罗什蒙 陶瓷天线模块及其制造方法
JP4795677B2 (ja) 2004-12-02 2011-10-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびそれを用いた半導体モジュール、ならびに半導体装置の製造方法
JP2006179564A (ja) 2004-12-21 2006-07-06 Nec Corp 半導体接続基板、半導体装置、半導体デバイス及び半導体基板並びに半導体接続基板の製造方法
DE102005003594B4 (de) 2004-12-31 2016-02-18 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauteils, verfahrensgemäß hergestelltes Bauteil sowie derartige Bauteile umfassende Einrichtung
KR100682919B1 (ko) 2005-01-20 2007-02-15 삼성전자주식회사 미세 금속 박막 패턴 형성 방법, 이를 채용한 생체물질고정용 기판 및 바이오칩
US7714688B2 (en) 2005-01-20 2010-05-11 Avx Corporation High Q planar inductors and IPD applications
US7964380B2 (en) 2005-01-21 2011-06-21 Argylia Technologies Nanoparticles for manipulation of biopolymers and methods of thereof
JP2006236516A (ja) 2005-02-28 2006-09-07 Hitachi Ltd 光へッド、光情報再生装置及びその製造方法
CN101160733B (zh) 2005-04-18 2011-10-05 株式会社村田制作所 高频模块
US7355704B2 (en) 2005-06-13 2008-04-08 Solaris Nanosciences, Inc. Chemical and biological sensing using metallic particles in amplifying and absorbing media
JP2006352750A (ja) 2005-06-20 2006-12-28 Denso Corp アンテナコイル、それを用いた共振アンテナ及びカード型無線機
US7755291B2 (en) 2005-06-27 2010-07-13 Osram Sylvania Inc. Incandescent lamp that emits infrared light and a method of making the lamp
DE102005039323B4 (de) 2005-08-19 2009-09-03 Infineon Technologies Ag Leitbahnanordnung sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
US7410763B2 (en) 2005-09-01 2008-08-12 Intel Corporation Multiplex data collection and analysis in bioanalyte detection
JP2006032982A (ja) 2005-09-02 2006-02-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜の加熱処理方法
TW200721064A (en) 2005-11-29 2007-06-01 Novatek Microelectronics Corp Timing controller chip
US8003408B2 (en) 2005-12-29 2011-08-23 Intel Corporation Modification of metal nanoparticles for improved analyte detection by surface enhanced Raman spectroscopy (SERS)
GB2434913A (en) 2006-02-02 2007-08-08 Xsil Technology Ltd Support for wafer singulation
US7812416B2 (en) 2006-05-22 2010-10-12 Cardiomems, Inc. Methods and apparatus having an integrated circuit attached to fused silica
JP2007318002A (ja) 2006-05-29 2007-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
WO2008091279A2 (en) 2006-06-28 2008-07-31 Northwestern University Etching and hole arrays
US7990679B2 (en) 2006-07-14 2011-08-02 Dais Analytic Corporation Nanoparticle ultracapacitor
US8061017B2 (en) 2006-08-28 2011-11-22 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Methods of making coil transducers
US7965180B2 (en) 2006-09-28 2011-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless sensor device
US7847669B2 (en) 2006-12-06 2010-12-07 Georgia Tech Research Corporation Micro-electromechanical switched tunable inductor
US7556440B2 (en) 2006-12-22 2009-07-07 Lightwire Inc. Dual-lensed unitary optical receiver assembly
JP4952723B2 (ja) 2007-02-14 2012-06-13 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
KR100849791B1 (ko) 2007-03-12 2008-07-31 삼성전기주식회사 캐패시터 내장형 인쇄회로기판
JP2008225339A (ja) 2007-03-15 2008-09-25 Hitachi Cable Ltd 光学系接続構造、光学部材及び光伝送モジュール
WO2008119080A1 (en) 2007-03-28 2008-10-02 Life Bioscience Inc. Compositions and methods to fabricate a photoactive substrate suitable for shaped glass structures
JP4458296B2 (ja) 2007-03-30 2010-04-28 Ｔｄｋ株式会社 誘電体共振器、誘電体フィルタ及びその特性調整方法
US8143431B2 (en) 2007-06-05 2012-03-27 Air Products And Chemicals, Inc. Low temperature thermal conductive inks
WO2008154931A1 (en) 2007-06-18 2008-12-24 Danmarks Tekniske Universitet (Technical University Of Denmark) Adsorbent beads suitable for use in separation of biological molecules
TW200905703A (en) 2007-07-27 2009-02-01 Delta Electronics Inc Magnetic device and manufacturing method thereof
US8492315B2 (en) 2007-08-28 2013-07-23 Life Bioscience, Inc. Method of providing a pattern of biological-binding areas for biological testing
WO2009062011A1 (en) 2007-11-07 2009-05-14 Masachusetts Institute Of Technology Method of forming a locally periodic 3d structure with larger-scale variation in periodic properties and applications thereof
JP5133047B2 (ja) 2007-12-28 2013-01-30 太陽誘電株式会社 電子部品の製造方法
US7792823B2 (en) 2008-01-15 2010-09-07 International Business Machines Corporation Maintained symbol table only index
WO2009111583A1 (en) 2008-03-04 2009-09-11 The Regents Of The University Of California Microlens arrays for enhanced light concentration
CN101970228A (zh) 2008-03-12 2011-02-09 大日本印刷株式会社 三维加工用装饰片材
US8076162B2 (en) 2008-04-07 2011-12-13 Life Bioscience, Inc. Method of providing particles having biological-binding areas for biological applications
US7948342B2 (en) 2008-07-24 2011-05-24 Cutt-A-Watt Enterprises, Llc Electromotive rectification system
WO2010011939A2 (en) 2008-07-25 2010-01-28 Life Bioscience, Inc. Assay plates, methods and systems having one or more etched features
KR101031134B1 (ko) 2008-09-11 2011-04-27 주식회사 동부하이텍 반도체 소자의 컨택 및 그 제조 방법
US20100237462A1 (en) 2009-03-18 2010-09-23 Benjamin Beker Package Level Tuning Techniques for Propagation Channels of High-Speed Signals
EP2417427A4 (en) 2009-04-03 2012-08-08 Res Triangle Inst OPTICAL MEMS SCANNING DEVICE WITH SUPPORT ARM AND SYSTEM AND METHOD THEREFOR
KR100941691B1 (ko) 2009-04-10 2010-02-12 (주)제이스 감광성 유리 기판, 이의 제조 방법 및 반도체 프로브 칩
US7989248B2 (en) 2009-07-02 2011-08-02 Advanced Microfab, LLC Method of forming monolithic CMOS-MEMS hybrid integrated, packaged structures
CN102762573B (zh) 2009-07-24 2015-09-16 阿马曾提斯公司 用于在神经退行性障碍中保护脑部健康的化合物、组合物和方法
TWI410380B (zh) 2009-11-11 2013-10-01 Ind Tech Res Inst 光敏玻璃微結構之製造方法及用以製造該微結構之系統
US8479375B2 (en) 2010-01-13 2013-07-09 The Aerospace Corporation Method of making an embedded electromagnetic device
US20110217657A1 (en) 2010-02-10 2011-09-08 Life Bioscience, Inc. Methods to fabricate a photoactive substrate suitable for microfabrication
US8709702B2 (en) 2010-02-10 2014-04-29 3D Glass Solutions Methods to fabricate a photoactive substrate suitable for microfabrication
CN102947931A (zh) 2010-03-03 2013-02-27 佐治亚技术研究公司 无机中介片上的贯通封装过孔（tpv）结构及其加工方法
JP5868574B2 (ja) 2010-03-15 2016-02-24 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
US8411459B2 (en) 2010-06-10 2013-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Interposer-on-glass package structures
US9564320B2 (en) 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it
US8492818B2 (en) 2010-09-14 2013-07-23 International Business Machines Corporation High capacitance trench capacitor
JP5644340B2 (ja) 2010-10-04 2014-12-24 株式会社デンソー キャパシタ構造体およびその製造方法
US20130233202A1 (en) 2010-12-03 2013-09-12 Ei Du Pont De Nemours And Company Inks and processes for preparing copper indium gallium sulfide/selenide coatings and films
US8502340B2 (en) 2010-12-09 2013-08-06 Tessera, Inc. High density three-dimensional integrated capacitors
US8835217B2 (en) 2010-12-22 2014-09-16 Intel Corporation Device packaging with substrates having embedded lines and metal defined pads
US8802545B2 (en) 2011-03-14 2014-08-12 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
JP2012194455A (ja) 2011-03-17 2012-10-11 Enplas Corp レンズアレイ
US8247269B1 (en) 2011-06-29 2012-08-21 Fairchild Semiconductor Corporation Wafer level embedded and stacked die power system-in-package packages
US8497558B2 (en) 2011-07-14 2013-07-30 Infineon Technologies Ag System and method for wafer level packaging
KR101167691B1 (ko) 2011-08-09 2012-07-20 주식회사 비티엔아이티솔루션스 감광성 유리 기판을 구비한 적층형 캐패시터, 이의 제조방법 및 이의 용도
US9287614B2 (en) 2011-08-31 2016-03-15 The Regents Of The University Of Michigan Micromachined millimeter-wave frequency scanning array
JP2013062473A (ja) 2011-09-15 2013-04-04 Toppan Printing Co Ltd 配線基板およびその製造方法
JP5541425B2 (ja) 2012-01-16 2014-07-09 株式会社村田製作所 Ｒｆ信号用遮断装置
US9293269B2 (en) 2012-02-08 2016-03-22 Dais Analytic Corporation Ultracapacitor tolerating electric field of sufficient strength
US9285554B2 (en) 2012-02-10 2016-03-15 International Business Machines Corporation Through-substrate optical coupling to photonics chips
JP6011958B2 (ja) 2012-03-28 2016-10-25 株式会社エンプラス 光レセプタクルおよびこれを備えた光モジュール
JP2013217989A (ja) 2012-04-04 2013-10-24 Hitachi Chemical Co Ltd 光ファイバコネクタ
US8896521B2 (en) 2012-04-24 2014-11-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Metal-insulator-metal capacitors on glass substrates
US20130308906A1 (en) 2012-05-21 2013-11-21 LaXense, Inc. System and method for dense coupling between optical devices and an optical fiber array
US8815638B2 (en) 2012-06-19 2014-08-26 E I Du Pont De Nemours And Company Method of manufacturing thick-film electrode
US10115671B2 (en) 2012-08-03 2018-10-30 Snaptrack, Inc. Incorporation of passives and fine pitch through via for package on package
US20140035935A1 (en) 2012-08-03 2014-02-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Passives via bar
US9755305B2 (en) 2012-08-16 2017-09-05 Ethertronics, Inc. Active antenna adapted for impedance matching and band switching using a shared component
US9446590B2 (en) 2012-08-16 2016-09-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Diagonal openings in photodefinable glass
US8872349B2 (en) 2012-09-11 2014-10-28 Intel Corporation Bridge interconnect with air gap in package assembly
WO2014043267A1 (en) 2012-09-12 2014-03-20 Life Bioscience, Inc. Methods of fabricating photoactive substrates suitable for electromagnetic transmission and filtering applications
US20140104284A1 (en) 2012-10-16 2014-04-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Through substrate via inductors
KR102398191B1 (ko) 2012-10-19 2022-05-16 럿거스, 더 스테이트 유니버시티 오브 뉴저지 그래핀으로 강화된 고분자 매트릭스 복합체를 제조하기 위한 인 시츄 박리방법
US20140144681A1 (en) 2012-11-27 2014-05-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Adhesive metal nitride on glass and related methods
US9035457B2 (en) 2012-11-29 2015-05-19 United Microelectronics Corp. Substrate with integrated passive devices and method of manufacturing the same
TWI565989B (zh) 2012-12-14 2017-01-11 鴻海精密工業股份有限公司 光纖連接器
US20140247269A1 (en) 2013-03-04 2014-09-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High density, low loss 3-d through-glass inductor with magnetic core
US20140272688A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Photronics, Inc. Grayscale lithography of photo definable glass
JP6015567B2 (ja) 2013-06-12 2016-10-26 株式会社デンソー 貫通型コンデンサ
WO2014205003A1 (en) 2013-06-18 2014-12-24 Barlow Stephen P Trench high electron mobility transistor
JPWO2015019989A1 (ja) 2013-08-07 2017-03-02 Hoya株式会社 感光性ガラス成形体およびその製造方法
US9093975B2 (en) 2013-08-19 2015-07-28 Harris Corporation Microelectromechanical systems comprising differential inductors and methods for making the same
US9449753B2 (en) 2013-08-30 2016-09-20 Qualcomm Incorporated Varying thickness inductor
US20160185653A1 (en) 2013-09-04 2016-06-30 Hoya Corporation Silicate ceramics, plate-like substrate, and method of producing plate-like substrate
KR102052294B1 (ko) * 2013-09-27 2019-12-04 인텔 코포레이션 수동 부품용 중첩체 기판을 구비한 다이 패키지
WO2015052059A1 (en) 2013-10-07 2015-04-16 Koninklijke Philips N.V. Precision batch production method for manufacturing ferrite rods
US10222563B2 (en) 2013-12-19 2019-03-05 3M Innovative Properties Company Multimode optical connector
KR101519760B1 (ko) 2013-12-27 2015-05-12 전자부품연구원 금속 배선의 형성 방법 및 이에 의해 제조된 금속 배선 기판
US20150201495A1 (en) 2014-01-14 2015-07-16 Qualcomm Incorporated Stacked conductive interconnect inductor
KR20160140598A (ko) 2014-01-24 2016-12-07 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 마이크로-렌즈 및 어레이용 광활성 기판의 제작 방법
US9548350B2 (en) 2014-02-10 2017-01-17 Qualcomm Incorporated High quality factor capacitors and methods for fabricating high quality factor capacitors
KR102233579B1 (ko) 2014-08-12 2021-03-30 삼성전자주식회사 극자외선 리소그래피용 펠리클
US10201901B2 (en) 2015-01-29 2019-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Robot apparatus, method for controlling robot, program, and recording medium
US9647306B2 (en) 2015-03-04 2017-05-09 Skyworks Solutions, Inc. RF filter comprising N coaxial resonators arranged in a specified interdigitation pattern
US20160265974A1 (en) 2015-03-09 2016-09-15 Corning Incorporated Glass waveguide spectrophotometer
US9385083B1 (en) 2015-05-22 2016-07-05 Hrl Laboratories, Llc Wafer-level die to package and die to die interconnects suspended over integrated heat sinks
US9853624B2 (en) 2015-06-26 2017-12-26 Qorvo Us, Inc. SAW resonator with resonant cavities
US9712131B2 (en) 2015-09-15 2017-07-18 Karl L. Thorup High isolation power combiner/splitter and coupler
US20180310399A1 (en) 2015-12-21 2018-10-25 Intel Corporation Microelectronic devices with embedded substrate cavities for device to device communications
US9935004B2 (en) 2016-01-21 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Process and chemistry of plating of through silicon vias
JP6806781B2 (ja) 2016-01-31 2021-01-06 スリーディー グラス ソリューションズ，インク３Ｄ Ｇｌａｓｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ，Ｉｎｃ 集積デバイスを有する多層感光性ガラス
US9819991B1 (en) 2016-02-29 2017-11-14 Amazon Technologies, Inc. Adaptive impedance matching interface
US11161773B2 (en) 2016-04-08 2021-11-02 3D Glass Solutions, Inc. Methods of fabricating photosensitive substrates suitable for optical coupler
US9635757B1 (en) 2016-08-11 2017-04-25 Unimicron Technology Corp. Circuit board and manufacturing method thereof
EP3327806B1 (en) 2016-11-24 2021-07-21 Murata Integrated Passive Solutions Integrated electronic component suitable for broadband biasing
US10453913B2 (en) 2017-04-26 2019-10-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Capacitor, semiconductor device and methods of manufacturing the capacitor and the semiconductor device
WO2018200804A1 (en) 2017-04-28 2018-11-01 3D Glass Solutions, Inc. Rf circulator
US10367243B2 (en) 2017-05-02 2019-07-30 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Miniature LTCC coupled stripline resonator filters for digital receivers
JP6503408B2 (ja) 2017-05-02 2019-04-17 オリンパス株式会社 導波管、導波管を有する画像伝送装置、導波管を有する内視鏡および内視鏡システム
JP7083600B2 (ja) 2017-05-25 2022-06-13 凸版印刷株式会社 キャパシタ内蔵ガラス回路基板及びその製造方法
JP6995891B2 (ja) 2017-07-07 2022-01-17 スリーディー グラス ソリューションズ，インク パッケージ光活性ガラス基板内のｒｆシステムのための２ｄ及び３ｄのｒｆ集中素子デバイス
TW202441595A (zh) 2017-07-24 2024-10-16 美商康寧公司 精密結構玻璃物件、積體電路封裝、光學元件、微流體元件及其製造方法
US20190093233A1 (en) 2017-09-27 2019-03-28 3D Glass Solutions, Inc Non-Seed Layer Electroless Plating of Ceramic
JP2019106429A (ja) 2017-12-11 2019-06-27 凸版印刷株式会社 ガラス配線基板、その製造方法及び半導体装置
US10854946B2 (en) 2017-12-15 2020-12-01 3D Glass Solutions, Inc. Coupled transmission line resonate RF filter
WO2019136024A1 (en) 2018-01-04 2019-07-11 3D Glass Solutions, Inc. Impedance matching conductive structure for high efficiency rf circuits
KR102626372B1 (ko) 2018-04-10 2024-01-16 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 Rf 집적형 전력 조절 커패시터
JP6976409B2 (ja) 2018-05-29 2021-12-08 スリーディー グラス ソリューションズ, インク3D Glass Solutions, Inc 低挿入損失ｒｆ伝送線路
CN210668058U (zh) 2019-12-09 2020-06-02 梅州市成就电子科技有限公司 一种宽频锥形电感

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005027605A1 (ja) 2003-09-09 2005-03-24 Hoya Corporation 両面配線ガラス基板の製造方法
WO2015171597A1 (en) 2014-05-05 2015-11-12 3D Glass Solutions, Inc. 2d and 3d inductors antenna and transformers fabricating photoactive substrates
US20170094794A1 (en) * 2015-09-30 2017-03-30 3D Glass Solutions, Inc Photo-definable glass with integrated electronics and ground plane
WO2017147511A1 (en) * 2016-02-25 2017-08-31 3D Glass Solutions, Inc. 3d capacitor and capacitor array fabricating photoactive substrates

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PAPAPOLYMEROU, IOANNIS, R.FRANKLIN DRAYRON, AND LINDA PB KATEHI, Micromachined patch antennas, IEEE Transactions on Antennas and Propagation, Vol.46 No.2, 1998, pp.275-283*

Also Published As

Publication number Publication date
AU2021222073A1 (en) 2021-09-23
JP7226832B2 (ja) 2023-02-21
US11677373B2 (en) 2023-06-13
US20200382089A1 (en) 2020-12-03
WO2019136024A1 (en) 2019-07-11
KR20200102508A (ko) 2020-08-31
CA3082624A1 (en) 2019-07-11
EP3735743A1 (en) 2020-11-11
JP2021509767A (ja) 2021-04-01
EP3735743A4 (en) 2021-03-03
AU2018399638A1 (en) 2020-06-04
AU2018399638B2 (en) 2021-09-02
CA3082624C (en) 2022-12-06

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