[go: up one dir, main page]

KR102535200B1 - 복층 필름, 그 용도 및 제조 방법 - Google Patents

복층 필름, 그 용도 및 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102535200B1
KR102535200B1 KR1020177019883A KR20177019883A KR102535200B1 KR 102535200 B1 KR102535200 B1 KR 102535200B1 KR 1020177019883 A KR1020177019883 A KR 1020177019883A KR 20177019883 A KR20177019883 A KR 20177019883A KR 102535200 B1 KR102535200 B1 KR 102535200B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
liquid crystal
substrate
optically anisotropic
anisotropic layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020177019883A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170107445A (ko
Inventor
히토시 오오이시
히로아키 슈
Original Assignee
니폰 제온 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니폰 제온 가부시키가이샤 filed Critical 니폰 제온 가부시키가이샤
Publication of KR20170107445A publication Critical patent/KR20170107445A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102535200B1 publication Critical patent/KR102535200B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3016—Polarising elements involving passive liquid crystal elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3083—Birefringent or phase retarding elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/13363—Birefringent elements, e.g. for optical compensation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8793—Arrangements for polarized light emission
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G02F1/133541—Circular polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/13363—Birefringent elements, e.g. for optical compensation
    • G02F1/133633—Birefringent elements, e.g. for optical compensation using mesogenic materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/13363—Birefringent elements, e.g. for optical compensation
    • G02F1/133638—Waveplates, i.e. plates with a retardation value of lambda/n
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2413/00—Indexing scheme related to G02F1/13363, i.e. to birefringent elements, e.g. for optical compensation, characterised by the number, position, orientation or value of the compensation plates
    • G02F2413/01—Number of plates being 1
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2413/00—Indexing scheme related to G02F1/13363, i.e. to birefringent elements, e.g. for optical compensation, characterised by the number, position, orientation or value of the compensation plates
    • G02F2413/02—Number of plates being 2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

장척상의 제1 기재와, 상기 제1 기재의 표면에 직접 형성된, 경화 액정 분자를 포함하는 광학 이방성층을 구비하는 복층 필름으로서, 상기 제1 기재의 상기 표면은, 그 표면 장력이 35~45 mN/m이고, 또한 연신에 의한 배향 규제력을 보유하고, 상기 광학 이방성층이, 상기 제1 기재의 연신에 의한 배향 방향과 대략 동일 방향을 따른 지상축을 갖는 복층 필름; 그리고 당해 광학 이방성층을 갖는 광학 보상 시트, λ/4 파장판, 편광판, 원 편광판, 액정 표시 장치, 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치, 및 그 제조 방법.

Description

복층 필름, 그 용도 및 제조 방법{MULTILAYER FILM, USE THEREOF, AND PRODUCTION METHOD THEREOF}
본 발명은, 광학 이방성층을 갖는 복층 필름에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 당해 광학 이방성층을 갖는 광학 보상 시트, λ/4 파장판, 편광판, 원 편광판, 액정 표시 장치, 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치, 및 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치 및 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치 등의 각종 표시 장치의 구성 요소로서, 위상차판, 즉 위상차를 갖는 광학 부재가 널리 사용되고 있다.
위상차판을 얻기 위한 방법의 하나로서, 액정상을 나타낼 수 있는 화합물을, 액정상을 나타낸 상태 그대로 고체의 필름으로 성형하는 방법이 알려져 있다. 그러한 방법의 예로는, 중합성을 갖고 또한 액정상을 나타낼 수 있는 화합물 등의, 각종 경화성 액정 화합물을 포함하는 조성물을, 적절한 기재의 표면에 도포하여 층으로 하고, 층 내의 액정 화합물을 배향시키고, 또한 배향시킨 상태를 유지하여 중합시킴으로써, 광학 이방성을 갖는 필름을 형성하는 방법을 들 수 있다. 이러한 방법을 이용하면, 위상차를 면내에서 균일하게 발현시킨 위상차판을 얻는 것이 가능하고, 또한, 액정 화합물을 임의 선택함으로써, 가시광 파장역에서 일정한 위상차를 발생시키는 위상차판을 얻는 것이 가능하다(예를 들어 특허문헌 1).
이러한 액정상을 나타낼 수 있는 화합물을 배향시키는 방법으로는, 기재의 표면에 배향 규제력을 부여하고, 그 위에 액정상을 나타낼 수 있는 화합물을 포함하는 조성물을 도포하고, 또한 배향에 적합한 조건에 두는 것이 일반적으로 행하여진다. 기재의 표면에 배향 규제력을 부여하는 방법의 예로는, 러빙에 의한 방법(예를 들어 특허문헌 2~3)을 들 수 있다. 또한, 기재로서 연신 처리가 실시된 필름을 사용함으로써, 액정 화합물을 필름 상에 배향시킴으로써, 효율적인 제조를 행하는 것도 알려져 있다(예를 들어 특허문헌 4).
일본 공개특허공보 평11-52131호 일본 공개특허공보 2010-151971호 일본 공개특허공보 2002-098836호(대응 외국 공보: 유럽 특허출원공개 제1079244호 명세서) 일본 공개특허공보 평3-9325호(대응 외국 공보: 미국 특허 제5132147호 명세서)
그러나 러빙 처리에는, 그 처리 공정 중에 정전기의 발생에 의한 이물질의 혼입이나, 배향 규제력의 부족 등의 문제점이 있다. 또한, 연신 처리를 실시한 필름을 사용하는 경우에도, 배향 규제력 부족의 문제가 있고, 그 결과, 표시 장치에 사용하였을 때에 표시 품질을 양호한 것으로 하기에 충분한 배향성이 얻어지지 않는다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 효율적인 제조가 가능하고, 또한 표시 장치에 사용하였을 때에 표시 품질을 양호한 것으로 하기에 충분한 배향성이 얻어지는, 광학 이방성층을 갖는 복층 필름, 그리고, 당해 광학 이방성층을 갖는 광학 보상 시트, λ/4 파장판, 편광판, 원 편광판, 액정 표시 장치, 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치, 및 그 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명자는 상기의 과제를 해결하기 위하여 검토한 결과, 광학 이방성층을 형성할 때의 기재로서, 연신에 의한 배향 규제력을 갖고, 또한 특정한 표면 장력을 갖는 것을 사용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명에 의하면, 이하의 것이 제공된다.
〔1〕 장척상의 제1 기재와, 상기 제1 기재의 표면에 직접 형성된, 경화 액정 분자를 포함하는 광학 이방성층을 구비하는 복층 필름으로서,
상기 제1 기재의 상기 표면은, 그 표면 장력이 35~45 mN/m이고, 또한 연신에 의한 배향 규제력을 보유하고,
상기 광학 이방성층이, 상기 제1 기재의 연신에 의한 배향 방향과 대략 동일 방향을 따른 지상축을 갖는, 복층 필름.
〔2〕 상기 제1 기재가, 복수의 층으로 이루어지는, 〔1〕에 기재된 복층 필름.
〔3〕 상기 경화 액정 분자가, 원반상 액정 화합물의 경화물인, 〔1〕 또는 〔2〕에 기재된 복층 필름.
〔4〕 상기 경화 액정 분자가, 봉상 액정 화합물의 경화물인, 〔1〕 또는 〔2〕에 기재된 복층 필름.
〔5〕 〔1〕~〔4〕 중 어느 한 항에 기재된 복층 필름의 제조 방법으로서,
경화성 액정 화합물을 포함하는 액정 조성물을 장척상의 제1 기재 상에 도포하여, 액정 조성물의 층을 형성하고,
상기 액정 조성물의 층에 있어서의 경화성 액정 화합물을 상기 제1 기재의 연신에 의한 배향 방향과 대략 동일 방향을 따라 호모지니어스 배향 또는 하이브리드 배향시키고,
상기 경화성 액정 화합물을 중합시켜, 경화 액정 분자를 형성하는
것을 포함하는 제조 방법.
〔6〕 상기 액정 조성물이, 표면 장력 20~35 mN/m의 액체인, 〔5〕에 기재된 제조 방법.
〔7〕 〔1〕, 〔2〕, 또는 〔3〕에 기재된 복층 필름으로부터 광학 이방성층을 박리하고,
상기 광학 이방성층을 제2 기재에 첩합하여 이루어지는, 광학 보상 시트.
〔8〕 〔1〕, 〔2〕, 또는 〔4〕에 기재된 복층 필름으로부터 광학 이방성층을 박리하고,
상기 광학 이방성층을 제2 기재에 첩합하여 이루어지는, λ/4 파장판.
〔9〕 〔7〕에 기재된 광학 보상 시트를 구비하는 편광판.
〔10〕 〔8〕에 기재된 λ/4 파장판을 구비하는 원 편광판.
〔11〕 〔9〕에 기재된 편광판을 구비하는 액정 표시 장치.
〔12〕 〔10〕에 기재된 원 편광판을 구비하는 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치.
본 발명의 복층 필름, 광학 보상 시트, λ/4 파장판, 편광판, 원 편광판, 액정 표시 장치, 및 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치는, 장척상이며, 연신에 의한 배향 규제력을 보유하는 제1 기재를 사용함으로써, 광학 이방성층에 있어서의 배향성이 표시 품질을 양호한 것으로 하기에 충분한 것으로 할 수 있고, 또한 효율적인 제조가 가능하다. 특히, 경사 연신에 의해 배향 규제력을 부여한 제1 기재를 사용한 경우, λ/4 파장판, 원 편광판에 적합한 광학 이방성층을 구비하고, 효율적인 제조가 가능하다. 또한, 본 발명의 복층 필름의 제조 방법에서는, 당해 복층 필름을 효율적으로 제조할 수 있다.
도 1은 원반상 액정 화합물의 하이브리드 배향의 상태를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 원반상 액정 화합물의 하이브리드 배향의 상태를 모식적으로 나타내는 상면도이다.
도 3은 실시예 7에 있어서의 원 편광판의 구성 요소를 나타내는 분해 사시도이다.
도 4는 현적법에 의한 액정 조성물의 표면 장력의 측정을 설명하는 개략도이다.
이하, 예시물 및 실시형태를 들어 본 발명에 대하여 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이하에 드는 예시물 및 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 청구범위 및 그 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에 있어서 임의로 변경하여 실시해도 된다.
본원에 있어서, 「편광판」, 「원 편광판」, 「λ/2 파장판」, 「λ/4 파장판」 및 「위상차판」과 같은 부재는, 강직한 부재에 한정되는 것은 아니며, 필름상의 가요성을 갖는 것으로 할 수 있다.
〔1. 복층 필름〕
본 발명의 복층 필름은, 장척상의 제1 기재와 광학 이방성층을 구비한다.
〔1.1. 제1 기재〕
본 발명에 있어서 사용하는 제1 기재는, 장척상의 기재이다. 본원에 있어서 「장척상」이란, 폭에 대하여 5배 이상의 길이를 갖는 형상을 말하며, 바람직하게는 10배 혹은 그 이상의 길이를 갖고, 구체적으로는 롤상으로 권취되어 보관 또는 운반되는 정도의 길이를 갖는 필름의 형상을 말한다. 필름의 폭에 대한 길이의 비율의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 100,000배 이하로 할 수 있다.
〔1.2. 제1 기재의 표면 장력〕
본 발명에 있어서 사용하는 제1 기재는, 제1 기재의 광학 이방성층을 형성하는 측의 표면의 표면 장력이 35~45 mN/m이다. 본원에 있어서는, 문맥상 분명한 경우에는, 제1 기재의 광학 이방성층을 형성하는 측의 표면을, 간단히 제1 기재의 「표면」이라고 서술하는 경우가 있다.
제1 기재의 표면의 표면 장력은, 바람직하게는 35 mN/m 이상, 보다 바람직하게는 37 mN/m 이상이고, 한편 바람직하게는 45 mN/m 이하, 보다 바람직하게는 40 mN/m 이하이다. 제1 기재의 표면의 표면 장력은, 당해 표면을 구성하는 재료, 당해 표면으로의 표면 처리의 조건 등을 적당히 선택함으로써, 원하는 범위로 조정할 수 있다. 이러한 표면 처리의 예로는, 코로나 처리, 플라즈마 처리, 및 비누화 처리를 들 수 있다.
제1 기재의 표면 장력의 측정은, 예를 들어, 표면 장력계, 접촉각계를 사용하고, 측정 시료액으로서 순수(純水) A3(JIS K0557)을 사용하여 액적을 제작하고, 제1 기재의 샘플 표면 상에 착적(着滴)시켜 측정할 수 있다.
접촉각계를 사용하여, 액적과 제1 기재의 표면의 접촉각을 측정한 경우, 식 I의 경험식을 이용하여 표면 장력을 산출할 수 있다.
cosθ = 0.0467·γS - 1.508 식 I
θ: 순수의 접촉각(degree), γS는 제1 기재의 표면 장력(mN/m)이다.
본 발명자의 검토에 의하면, 제1 기재의 표면의 표면 장력이 위에 서술한 범위 내인 경우, 제1 기재의 표면의 표면 장력이 위에 서술한 범위 외인 경우와 비교하여, 표시 장치에 사용하였을 때에 표시 품질을 양호한 것으로 하기에 충분한, 광학 이방성층의 높은 배향성이 얻어진다. 그 결과, 액정 표시 장치 또는 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치에 있어서 당해 광학 이방성층을 사용한 경우, 화이트 스팟 등이 저감된 양호한 표시 품질을 달성할 수 있다. 광학 이방성층이 높은 배향성을 갖고 있는 것은, 광학 이방성층의 크로스니콜 투과율의 측정, 및 광학 이방성층을 액정 표시 장치, 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치 등의 표시 장치 상에 재치하여 표시의 상태를 관찰함으로써 평가할 수 있다.
〔1.3. 제1 기재의 배향 규제력〕
본 발명에 있어서 사용하는 제1 기재는, 연신에 의한 배향 규제력을 보유한다. 즉, 제1 기재는, 연신 전의 기재에 연신 처리를 실시함으로써 얻어지는, 1 이상의 층으로 이루어지는 필름이다. 연신에 의한 배향 규제력이 발현하는 방향은, 통상, 연신에 의한 배향 방향과 일치한다. 연신에 의한 배향 방향이란, 연신에 의해 발생한, 제1 기재를 구성하는 분자의 배향의 방향이며, 통상은 연신 방향 그 자체와 일치한다.
제1 기재의 연신에 의한 배향 방향과 제1 기재의 단척 방향이 이루는 각도는, 0~90°로 할 수 있다. 특히, 0°초과 90°미만의 각도로 할 수 있다. 이러한 범위의 각도에 있어서 배향 방향을 가짐으로써, 본 발명의 복층 필름을, 원 편광판 등의 효율적인 제조를 가능하게 하는 재료로 할 수 있다.
또한, 어느 태양에 있어서, 제1 기재의 배향 방향과 제1 기재의 단척 방향이 이루는 각도가, 10°~60°인 것이 바람직하고, 40°~50°인 것이 특히 바람직하다. 이러한 각도 관계로 함으로써, 본 발명의 복층 필름을, 특정한 원 편광판의 효율적인 제조를 가능하게 하는 재료로 할 수 있다. 구체적으로는, 직선 편광자와, 1매 또는 2매의 위상차판을 갖는 원 편광판의 효율적인 제조가 가능하게 된다.
보다 구체적으로는, 제1 기재의 배향 방향과 제1 기재의 단척 방향이 이루는 각도를, 바람직하게는 15°±5°, 22.5±5°, 45°±5°, 75°±5°, 보다 바람직하게는 15°±4°, 22.5±4°, 45°±4°, 75°±4°, 보다 더 바람직하게는 15°±3°, 22.5°±3°, 45°±3°, 75°±3°와 같은 특정한 범위로 함으로써, 본 발명의 복층 필름을, 특정한 원 편광판의 효율적인 제조를 가능하게 하는 재료로 할 수 있다.
연신 전의 기재를 연신하여, 제1 기재로 하기 위한 연신은, 경사 연신뿐이어도 되고, 횡연신(제1 기재의 단척 방향으로의 연신)뿐이어도 되며, 경사 연신과, 종연신(제1 기재의 장척 방향으로의 연신) 및/또는 횡연신을 조합하여 행해도 된다. 연신을 행할 때의 연신 온도 및 연신 배율은, 기재 표면에 배향 규제력이 발생하는 범위에서 적당히 설정할 수 있다.
〔1.4. 제1 기재의 재료〕
제1 기재는, 1층만으로 이루어져도 되고, 복수의 층으로 이루어져도 된다.
복수의 층으로 이루어지는 제1 기재의 예로는, 1층 이상의 층으로 이루어지는 지지체와, 그 일방의 표면에 형성된 배향막을 구비하는 것을 들 수 있다. 이 경우, 제1 기재의 배향막측의 표면을, 광학 이방성층을 형성하는 면으로 할 수 있다.
제1 기재가 1층만으로 이루어지는 경우의 그 재료는, 특별히 한정되지 않고, 복굴절성의 부여에 의해 그 표면에 배향 규제력을 부여할 수 있는 여러 수지를 사용할 수 있다. 당해 수지의 예로는, 각종 중합체를 포함하는 수지를 들 수 있다. 당해 중합체로는, 지환식 구조 함유 중합체, 셀룰로오스에스테르, 폴리비닐알코올, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 에폭시 중합체, 폴리스티렌, 아크릴 중합체, 메타크릴 중합체, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 및 이들의 조합을 들 수 있다. 이들 중에서도, 투명성, 저흡습성, 치수 안정성, 경량성 등의 관점에서, 지환식 구조 함유 중합체 및 셀룰로오스에스테르가 바람직하고, 지환식 구조 함유 중합체가 보다 바람직하다.
이들 재료는, 제1 기재가 지지체와 배향막을 구비하는 경우에 있어서의 지지체의 재료로서도 사용할 수 있다.
지환식 구조 함유 중합체는, 반복 단위 중에 지환식 구조를 갖는 비결정성의 중합체로, 주쇄 중에 지환식 구조를 함유하는 중합체 및 측쇄에 지환식 구조를 함유하는 중합체를 어느 것이나 사용할 수 있다.
지환식 구조로는, 예를 들어, 시클로알칸 구조, 시클로알켄 구조 등을 들 수 있는데, 열 안정성 등의 관점에서 시클로알칸 구조가 바람직하다.
1개의 지환식 구조의 반복 단위를 구성하는 탄소수에 특별히 제한은 없지만, 통상 4~30개, 바람직하게는 5~20개, 보다 바람직하게는 6~15개이다.
지환식 구조 함유 중합체 중의 지환식 구조를 갖는 반복 단위의 비율은 사용 목적에 따라 적당히 선택되는데, 통상 50 중량% 이상, 바람직하게는 70 중량% 이상, 보다 바람직하게는 90 중량% 이상이다.
지환식 구조를 갖는 반복 단위가 과도하게 적으면, 필름의 내열성이 저하될 우려가 있다.
지환식 구조 함유 중합체는, 구체적으로는, (1) 노르보르넨 중합체, (2) 단환의 고리형 올레핀 중합체, (3) 고리형 공액 디엔 중합체, (4) 비닐 지환식 탄화수소 중합체, 및 이들의 수소 첨가물 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 투명성이나 성형성의 관점에서, 노르보르넨 중합체 및 이들의 수소 첨가물이 보다 바람직하다.
노르보르넨 중합체로는, 예를 들어, 노르보르넨 모노머의 개환 중합체, 노르보르넨 모노머와 개환 공중합 가능한 그 밖의 모노머의 개환 공중합체, 및 그들의 수소 첨가물; 노르보르넨 모노머의 부가 중합체, 노르보르넨 모노머와 공중합 가능한 그 밖의 모노머의 부가 공중합체 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 투명성의 관점에서, 노르보르넨 모노머의 개환 중합체 수소 첨가물이 가장 바람직하다.
상기의 지환식 구조 함유 중합체는, 예를 들어 일본 공개특허공보 2002-321302호 등에 개시되어 있는 공지의 중합체에서 선택된다.
지환식 구조 함유 중합체는, 그 유리 전이 온도가, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 100~250℃의 범위이다.
유리 전이 온도가 이러한 범위에 있는 지환식 구조 함유 중합체는, 고온 하에서의 사용에 있어서의 변형이나 응력이 발생하는 일이 없어 내구성이 우수하다.
지환식 구조 함유 중합체의 분자량은, 용매로서 시클로헥산(수지가 용해되지 않는 경우에는 톨루엔)을 사용한 겔·퍼미에이션·크로마토그래피(이하, 「GPC」라고 약칭한다)로 측정한 폴리이소프렌 환산(용매가 톨루엔일 때에는, 폴리스티렌 환산)의 중량 평균 분자량(Mw)으로, 통상 10,000~100,000, 바람직하게는 25,000~80,000, 보다 바람직하게는 25,000~50,000이다.
중량 평균 분자량이 이러한 범위에 있을 때에, 필름의 기계적 강도 및 성형 가공성이 고도로 밸런스되어 호적하다.
지환식 구조 함유 중합체의 분자량 분포(중량 평균 분자량(Mw)/수평균 분자량(Mn))는 특별히 제한되지 않지만, 통상 1~10, 바람직하게는 1~4, 보다 바람직하게는 1.2~3.5의 범위이다.
지환식 구조 함유 중합체를 포함하는 수지는, 그 분자량 2,000 이하의 수지 성분(즉, 올리고머 성분)의 함유량이, 바람직하게는 5 중량% 이하, 보다 바람직하게는 3 중량% 이하, 더욱 바람직하게는 2 중량% 이하이다.
올리고머 성분의 양이 상기 범위 내에 있으면, 표면에 있어서의 미세한 볼록부의 발생이 감소하여, 두께 불균일이 작아져 면 정밀도가 향상된다.
올리고머 성분의 양의 저감은, 중합 촉매나 수소화 촉매의 선택, 중합, 수소화 등의 반응 조건, 수지를 성형용 재료로서 펠릿화하는 공정에 있어서의 온도 조건 등을 적당히 설정함으로써 행할 수 있다.
올리고머의 성분량은, 전술한 GPC에 의해 측정할 수 있다.
제1 기재의 재질로서 지환식 구조 함유 중합체를 포함하는 수지를 사용한 경우의 제1 기재의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 생산성의 향상, 박형화 및 경량화를 용이하게 하는 관점에서, 그 두께는, 통상 1~1000 μm, 바람직하게는 5~300 μm, 보다 바람직하게는 30~100 μm이다.
지환식 구조 함유 중합체를 포함하는 수지는, 지환식 구조 함유 중합체만으로 이루어져도 되지만, 본 발명의 효과를 현저하게 손상하지 않는 한, 임의의 배합제를 포함해도 된다. 지환식 구조 함유 중합체를 포함하는 수지 중의 지환식 구조 함유 중합체의 비율은, 바람직하게는 70 중량% 이상, 보다 바람직하게는 80 중량% 이상이다.
지환식 구조 함유 중합체를 포함하는 수지의 호적한 구체예로는, 닛폰 제온사 제조 「제오노아 1420, 제오노아 1420R」을 들 수 있다.
셀룰로오스에스테르로는, 셀룰로오스의 저급 지방산 에스테르(예: 셀룰로오스아세테이트, 셀룰로오스아세테이트부티레이트 및 셀룰로오스아세테이트프로피오네이트)가 대표적이다. 저급 지방산은, 1분자당의 탄소 원자수 6 이하의 지방산을 의미한다. 셀룰로오스아세테이트에는, 트리아세틸셀룰로오스(TAC)나 셀룰로오스디아세테이트(DAC)가 포함된다.
셀룰로오스아세테이트의 아세틸화도는, 50~70%가 바람직하고, 특히 55~65%가 바람직하다. 중량 평균 분자량 70000~120000이 바람직하고, 특히 80000~100000이 바람직하다. 또한, 상기 셀룰로오스아세테이트는, 아세트산뿐만 아니라 상기 아세틸화도를 만족하는 한, 일부 프로피온산, 부티르산 등의 지방산으로 에스테르화되어 있어도 된다. 또한, 제1 기재를 구성하는 수지는, 셀룰로오스아세테이트와, 셀룰로오스아세테이트 이외의 셀룰로오스에스테르(셀룰로오스프로피오네이트 및 셀룰로오스부티레이트 등)를 조합하여 포함해도 된다. 그 경우, 이들 셀룰로오스에스테르의 전체가, 상기 아세틸화도를 만족하는 것이 바람직하다.
트리아세틸셀룰로오스의 필름을 사용하는 경우, 이러한 필름으로는, 트리아세틸셀룰로오스를 저온 용해법 혹은 고온 용해법에 의해 디클로로메탄을 실질적으로 포함하지 않는 용제에 용해함으로써 조제된 트리아세틸셀룰로오스 도프를 사용하여 제조된 트리아세틸셀룰로오스 필름이, 환경 보전의 관점에서 특히 바람직하다. 트리아세틸셀룰로오스 필름은, 공유연법에 의해 제작할 수 있다. 공유연법은, 트리아세틸셀룰로오스의 원료 플레이크를 용매에 용해하고, 이것에 필요에 따라 임의의 첨가제를 첨가하여 용액(도프)을 조제하고, 당해 도프를 도프 공급 수단(다이)으로부터 지지체 상에 유연하고, 유연물을 어느 정도 건조하여 강성이 부여된 시점에서 필름으로서 지지체로부터 박리하고, 당해 필름을 다시 건조하여 용매를 제거함으로써 행할 수 있다. 원료 플레이크를 용해하는 용매의 예로는, 할로겐화 탄화수소류(디클로로메탄 등), 알코올류(메탄올, 에탄올, 부탄올 등), 에스테르류(포름산메틸, 아세트산메틸 등), 에테르류(디옥산, 디옥소란, 디에틸에테르 등) 등을 들 수 있다. 도프에 첨가하는 첨가제의 예로는, 리타데이션 상승제, 가소제, 자외선 흡수제, 열화 방지제, 활제, 박리 촉진제 등을 들 수 있다. 도프를 유연하는 지지체의 예로는, 수평식의 엔드리스 금속 벨트, 및 회전하는 드럼을 들 수 있다. 유연시에는, 단일의 도프를 단층 유연할 수도 있으나, 복수의 층을 공유연할 수도 있다. 복수의 층을 공유연하는 경우, 예를 들어, 저농도의 셀룰로오스에스테르 도프의 층과, 그 표면 및 이면에 접하여 형성된 고농도의 셀룰로오스에스테르 도프의 층이 형성되도록, 복수의 도프를 순차적으로 유연할 수 있다. 필름을 건조하여 용매를 제거하는 수단의 예로는, 필름을 반송하여, 내부를 건조에 적합한 조건으로 설정한 건조부를 통과시키는 수단을 들 수 있다.
트리아세틸셀룰로오스의 필름의 바람직한 예로는, TAC-TD80U(후지 사진 필름(주) 제조) 등의 공지의 것, 및 발명 협회 공개기보공기번호 2001-1745호에서 공개된 것을 들 수 있다. 트리아세틸셀룰로오스의 필름의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 20~150 μm가 바람직하고, 40~130 μm가 보다 바람직하고, 70~120 μm가 더욱 바람직하다.
〔1.5. 제1 기재의 재료: 배향막〕
제1 기재가 지지체와 배향막을 구비하는 경우에 있어서의 배향막의 재료에 대하여 설명한다. 배향막의 재료로는, 원하는 표면 장력 및 연신에 의한 배향 규제력을 발현할 수 있는 중합체를 사용할 수 있다.
배향막의 재료로서의 중합체의 예로는, 셀룰로오스, 실란 커플링제, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리비닐알코올, 에폭시아크릴레이트, 실라놀 올리고머, 폴리아크릴로니트릴, 페놀 수지, 폴리옥사졸, 고리화 폴리이소프렌, 이들의 변성물, 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 특히 폴리비닐알코올이 바람직하다.
배향막은, 필요에 따라 코로나 방전 처리 등의 표면 처리를 실시한 지지체 상에, 폴리머를 물 또는 용제에 용해시킨 용액 등을, 리버스 그라비아 코팅, 다이렉트 그라비아 코팅, 다이 코팅, 바 코팅 등의 도포 방법을 이용하여 도포하고, 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 이러한 공정에 의해 지지체와 배향막을 구비하는 연신 전의 기재를 형성하고, 또한 이것을 연신함으로써, 제1 기재로서 사용할 수 있다. 제1 기재에 있어서의 배향막의 두께는, 특별히 한정되지 않고, 원하는 배향 규제력이 얻어지는 두께로 조정할 수 있다. 배향막의 두께는, 바람직하게는 0.05 μm 이상, 보다 바람직하게는 0.1 μm 이상이고, 한편 바람직하게는 10 μm 이하, 보다 바람직하게는 5 μm 이하이다.
〔1.6. 제1 기재의 제조 방법〕
제1 기재를 제조하는 방법은, 특별히 한정되지 않고, 위에 서술한 재료를 기지의 방법으로 성형하고, 연신함으로써 제조할 수 있다.
제1 기재가 복수의 층으로 이루어지는 경우의 제조 방법으로는, 다층 압출에 의한 방법, 일부의 층을 형성한 후에 다른 층을 그 표면에 도공, 증착 등의 조작에 의해 형성하는 방법에 의해 연신 전의 기재를 형성하고, 이것을 연신하는 방법을 채용할 수 있다.
제1 기재의 표면의 표면 장력을 조정하기 위하여 표면 처리를 행하는 경우에는, 연신 전에 이러한 표면 처리를 행하고 나서 연신을 행하는 것이, 배향 규제력을 양호하게 발현시키는 데에 바람직하다.
〔1.7. 제1 기재 상에서의 광학 이방성층의 형성〕
본 발명의 복층 필름에 있어서의 광학 이방성층은, 제1 기재의 표면에 직접 형성된, 경화 액정 분자를 포함하는 광학 이방성층을 구비한다.
본원에 있어서는, 「경화 액정 분자」란, 액정상을 나타낼 수 있는 화합물을, 액정상을 나타낸 상태 그대로 고체로 하였을 때의 당해 화합물의 분자를 의미한다. 경화 액정 분자의 예로는, 경화성의 액정 화합물을 경화시켜 이루어지는 것을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 중합성 액정 화합물을 중합시켜 이루어지는 중합체를 들 수 있다. 이하의 설명에 있어서는, 특별히 언급하지 않는 한, 이 특정한 경화 액정 분자를 포함하는 광학 이방성층을, 간단히 「광학 이방성층」이라고 한다.
제1 기재의 표면에 광학 이방성층을 「직접」 형성한다는 것은, 제1 기재의 표면에 다른 층을 개재하지 않고 광학 이방성층을 형성하는 것이다. 특정한 표면 장력을 갖는 제1 기재의 표면에 광학 이방성층을 직접 형성함으로써, 표시 장치에 사용하였을 때에 표시 품질을 양호한 것으로 하기에 충분한, 광학 이방성층이 높은 배향성이 얻어진다.
제1 기재 상에서의 광학 이방성층의 형성은, 전형적으로는,
공정(I): 경화성 액정 화합물을 포함하는 액정 조성물을 장척상의 제1 기재 상에 도포하여, 액정 조성물의 층을 형성하는 공정,
공정(II): 액정 조성물의 층에 있어서의 경화성 액정 화합물을, 제1 기재의 연신에 의한 배향 방향과 대략 동일 방향을 따라 호모지니어스 배향 또는 하이브리드 배향시키는 공정, 및
공정(III): 경화성 액정 화합물을 중합시켜, 경화 액정 분자를 형성하는 공정
을 포함하는 방법에 의해 행할 수 있다.
공정(I)은, 연속적으로 반송되는 제1 기재의 일방의 면 상에, 액정 조성물을 직접 도포함으로써 행할 수 있다. 도포의 방법의 예로는, 커튼 코팅법, 압출 코팅법, 롤 코팅법, 스핀 코팅법, 딥 코팅법, 바 코팅법, 스프레이 코팅법, 슬라이드 코팅법, 인쇄 코팅법, 그라비아 코팅법, 다이 코팅법, 캡 코팅법, 및 디핑법을 들 수 있다. 예를 들어 다이 코팅법에 있어서, 다이 코터의 립 방향을 기재 단척 방향과 평행하게 되도록 배치한 경우, 액정 조성물의 도포 방향은 기재의 반송 방향 즉 기재의 장척 방향과 동일해진다. 도포되는 액정 조성물의 층의 두께는, 광학 이방성층에 요구되는 원하는 두께에 따라 적당히 설정할 수 있다.
액정 조성물은, 특정한 표면 장력의 액체인 것이 바람직하다. 액정 조성물의 표면 장력은, 바람직하게는 20 mN/m 이상, 보다 바람직하게는 25 mN/m 이상이고, 한편 바람직하게는 35 mN/m 이하, 보다 바람직하게는 30 mN/m 이하이다. 제1 기재의 표면 장력이 위에 서술한 특정한 범위 내인 경우에 있어서, 액정 조성물의 표면 장력이 이 범위 내임으로써, 제1 기재의 표면에 액정 조성물을, 크레이터링 등의 면상 결함이 적은 상태로 용이하게 도포하는 것이 가능하게 되고, 나아가서는, 양호한 광학 특성을 갖는 광학 이방성층을 용이하게 제조하는 것이 가능하게 된다.
액정 조성물의 표면 장력의 값을 상기 범위로 하는 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 액정 조성물에 있어서의 용매, 계면 활성제 및 그 밖의 첨가제의 종류 및 함유 비율을 적당히 선택함으로써, 액정 조성물의 표면 장력을 조정할 수 있다.
액정 조성물의 표면 장력의 측정은, 예를 들어 표면 장력계를 사용하여, 정량 액적을 제작하고, 현적법을 이용하여 식 II에 의해 해석함으로써 산출할 수 있다. 여기서 액적 직경(de 및 ds)은, 도 4에 나타내는 바와 같이 세관(401)으로부터 현적시킨 액적(402)을 계측함으로써 구할 수 있다.
γL = g·ρ·(de)2H- 1 식 II
γL: 액정 조성물의 표면 장력
g: 중력 가속도
ρ: 액 밀도
de: 최대 액적 직경
H-1: ds/de로부터 구해지는 보정항
ds: 액 하단에서 de 올라간 위치에서의 직경
공정(II)은, 도포에 의해 즉시 달성되는 경우도 있고, 그 경우 특별한 조작을 필요로 하지 않지만, 필요에 따라 도포 후에 가온 등의 배향 처리를 실시함으로써 달성되는 경우도 있다. 배향 처리의 조건은, 사용하는 액정 조성물의 성질에 따라 적당히 설정할 수 있으나, 예를 들어, 50~160℃의 온도 조건에 있어서 30초간~5분간 처리하는 조건으로 할 수 있다. 사용하는 액정 조성물의 조성 및 처리 조건을 적당히 설정함으로써, 제1 기재의 연신에 의한 배향 방향과 대략 동일 방향을 따른 배향을 달성할 수 있다.
공정(II) 전에, 필요에 따라 액정 조성물의 층을 건조시키는 공정을 행하여도 된다. 이러한 건조는, 자연 건조, 가열 건조, 감압 건조, 감압 가열 건조 등의 건조 방법으로 달성할 수 있다. 이러한 건조에 의해, 액정 조성물의 층으로부터 용매를 제거할 수 있다.
공정(III)은, 액정 조성물의 성분(중합성의 화합물 및 중합 개시제 등)의 성질에 적합한 방법을 적당히 선택할 수 있다. 예를 들어, 활성 에너지선을 조사하는 방법, 및 열 중합법을 들 수 있다. 가열을 필요로 하지 않고, 실온에서 반응을 진행시킬 수 있는 점에서 활성 에너지선을 조사하는 방법이 바람직하다. 여기서, 조사되는 활성 에너지선에는, 가시광선, 자외선, 및 적외선 등의 광, 그리고 전자선 등의 임의의 에너지선이 포함될 수 있다. 그 중에서도, 조작이 간편한 점에서, 자외선 등의 광을 조사하는 방법이 바람직하다. 자외선 조사시의 온도는, 30℃ 이하로 하는 것이 바람직하다. 자외선 조사시의 온도의 하한은, 15℃ 이상으로 할 수 있다. 자외선 조사 강도는, 통상, 0.1 mW/cm2~1000 mW/cm2의 범위, 바람직하게는 0.5 mW/cm2~600 mW/cm2의 범위이다. 자외선 조사 시간은, 1초~300초의 범위, 바람직하게는 5초~100초의 범위이다. 자외선 적산 광량(mJ/cm2) = 자외선 조사 강도(mW/cm2) × 조사 시간(초)으로 구해진다.
자외선 조사 광원으로는, 고압 수은등, 메탈 할라이드 램프, 저압 수은등을 사용할 수 있다.
〔1.8. 광학 이방성층〕
본 발명의 복층 필름에 있어서, 광학 이방성층은, 제1 기재의 연신에 의한 배향 방향과 대략 동일 방향을 따른 지상축을 갖는다. 구체적으로는, 광학 이방성층에 포함되는 경화 액정 분자가, 제1 기재의 배향 규제력에 의해 배향 규칙성을 나타내고, 그것에 의해 지상축의 방향이 제어된다. 경화 액정 분자는, 호모지니어스 배향 규칙성 또는 하이브리드 배향 규칙성을 가질 수 있다.
여기서, 「하이브리드 배향 규칙성을 갖는다」라는 것은, 제1 기재의 표면 가까이에 있어서는 분자가 당해 표면에 대하여 수평으로 배향하고, 표면으로부터 먼 공기 계면측의 분자일수록 수평 방향에 대하여 기울어지는 배향 규칙성을 갖는 것을 말한다. 본원의 어느 태양에 있어서는, 경화 액정 분자가 원반상 액정 화합물의 경화물이며, 당해 태양에 있어서는, 액정 분자는 하이브리드 배향할 수 있다.
하이브리드 배향의 구체예를, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1 및 도 2는, 원반상 액정 화합물의 하이브리드 배향의 상태를 모식적으로 나타내는 사시도 및 상면도이다. 도 1 및 도 2에 있어서는, 수평한 방향(화살표(22)와 직교하는 방향)으로 올려놓여진 제1 기재의 표면 상에, 원반상 액정 화합물(11)이 배향한 상태를 나타내고 있다. 제1 기재의 연신에 의한 배향 방향은, 화살표(21)로 나타내어진다. 원반상 액정 화합물(11)은, 하측 즉 제1 기재의 표면 가까이의 분자는 수평으로 배향하고 있는 한편, 상측의 분자일수록 화살표(15) 방향으로 기울어져 있다. 이러한 원반상 액정 화합물의 하이브리드 배향은, 광학 이방성층의 굴절률 이방성을, 편각(polar angle) 0°방향(화살표(22)의 방향) 및, 편각 0°방향으로부터, 화살표(31~34)에 나타내는 바와 같이 여러 가지 방위각 및 편각으로 기울어진 방향으로부터 측정함으로써 확인할 수 있다. 이와 같이 하이브리드 배향한 원반상 액정 화합물의 층은, 통상 화살표(15)가 기울어지는 방향에 지상축을 갖고, 따라서, 통상 화살표(21) 방향으로 지상축을 갖는다.
한편 「호모지니어스 배향 규칙성을 갖는다」라는 것은, 경화 액정 분자의 메소겐의 장축 방향을 제1 기재의 표면에 투영하여 얻어지는 선의 평균 방향이, 표면에 수평한 어느 한 방향(예를 들어 기재 필름의 표면 다이렉터의 방향)으로 정렬하는 것을 말한다. 또한, 어느 소정의 방향을 「따른」 호모지니어스 배향 규칙성이란, 당해 정렬 방향이, 상기 소정의 방향과 대략 동일 방향을 따르는 것을 말한다. 상기 소정의 방향은, 본원에 있어서는 제1 기재의 연신에 의한 배향 방향으로 할 수 있다. 경화 액정 분자가 호모지니어스 배향 규칙성을 갖고 있는지의 여부, 및 그 정렬 방향은, AxoScan(Axometrics사 제조)으로 대표되는 바와 같은 위상차계를 사용한 지상축 방향의 측정과, 지상축 방향 그리고 지상축과 직교 방향에 있어서의 입사각마다의 리타데이션 분포의 측정에 의하여 확인할 수 있다.
여기서, 경화 액정 분자가, 봉상의 분자 구조를 갖는 중합성 액정 화합물을 중합시켜 이루어지는 것인 경우에는, 통상은, 당해 중합성 액정 화합물의 메소겐의 장축 방향이, 경화 액정 분자의 메소겐의 장축 방향이 된다. 또한, 중합성 액정 화합물로서 역파장 분산 중합성 액정 화합물(후술)을 사용한 경우와 같이, 광학 이방성층 중에 배향 방향이 다른 복수 종류의 메소겐이 존재하는 경우에는, 그들 중 가장 긴 종류의 메소겐의 장축 방향이 정렬하는 방향이, 당해 정렬 방향이 된다.
본원에 있어서, 제1 기재의 연신에 의한 배향 방향과 「대략」 동일 방향을 따른 지상축이란, 제1 기재의 연신에 의한 배향 방향과, 당해 지상축이 이루는 각이 5°이내인 것을 말한다. 당해 각은, 바람직하게는 3°이내이고, 보다 바람직하게는 1°이내이다.
제1 기재로서 위에 설명한 소정의 것을 사용하고, 또한 광학 이방성층의 재료를 적당히 선택함으로써, 광학 이방성층에 제1 기재의 연신에 의한 배향 방향과 대략 동일 방향을 따른 배향 규칙성을 부여할 수 있고, 그 결과, 이러한 배향 규칙성을 갖는 광학 이방성층을 얻을 수 있다.
광학 이방성층의 두께는, 특별히 한정되지 않고, 리타데이션 등의 특성을 원하는 범위로 할 수 있도록 적당히 조정할 수 있다. 구체적으로는, 두께의 하한은 0.5 μm 이상인 것이 바람직하고, 1.0 μm 이상인 것이 보다 바람직하고, 한편 두께의 상한은 10 μm 이하인 것이 바람직하고, 7 μm 이하인 것이 보다 바람직하며, 5 μm 이하인 것이 보다 더 바람직하다.
광학 이방성층의 형상 그리고 길이 및 폭은, 제1 기재와 동일한 장척상의 필름상의 형상으로 할 수 있고, 이것을 필요에 따라 원하는 용도에 적합한 직사각형 등의 형상으로 재단할 수 있다.
광학 이방성층은, 역파장 분산성을 갖는 것이 바람직하다. 즉, 광학 이방성층은, 단파장보다 장파장의 투과광에 대하여 높은 면내 위상차를 나타내는 파장 분산을 갖는 것이 바람직하다. 광학 이방성층은, 적어도 가시광의 대역의 일부, 바람직하게는 전부에 있어서 그러한 역파장 분산성을 갖는 것이 바람직하다. 광학 이방성층이 역파장 분산성을 가짐으로써, λ/4 파장판 또는 λ/2 파장판과 같은 광학 용도에 있어서, 넓은 대역에 있어서 균일하게 기능을 발현할 수 있다.
바람직한 태양으로서, 광학 이방성층은, λ/4 파장판 또는 λ/2 파장판으로서 사용할 수 있는 광학 특성을 갖는다. 구체적으로는, 측정 파장 550 nm로 측정한 면내 리타데이션 Re가 108 nm~168 nm의 범위인 경우, λ/4 파장판으로서 사용할 수 있다. 또한 측정 파장 550 nm로 측정한 면내 리타데이션 Re가 245 nm~305 nm의 범위인 경우, λ/2 파장판으로서 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, λ/4 파장판의 경우, 측정 파장 550 nm로 측정한 면내 리타데이션 Re는, 바람직하게는 128 nm~148 nm, 보다 바람직하게는 133 nm~143 nm의 범위이다. 또한 λ/2 파장판의 경우, 측정 파장 550 nm로 측정한 면내 리타데이션 Re는, 바람직하게는 265 nm~285 nm, 보다 바람직하게는 270 nm~280 nm의 범위이다. 여기서, 면내 리타데이션 Re는, 하기 식에 따라 산출한다.
Re = (nx - ny) × d(식 중, nx는, 광학 이방성층의 면내의 지상축 방향의 굴절률(면내의 최대 굴절률)이고, ny는, 광학 이방성층의 면내의 지상축에 수직한 방향의 굴절률이며, d는, 광학 이방성층의 두께(nm)이다.)
광학 이방성층이, 이러한 λ/4 파장판 또는 λ/2 파장판으로서 사용할 수 있는 광학 특성을 갖는 경우, 그것을 이용하여, λ/4 파장판 또는 λ/2 파장판을 갖는 원 편광판 등의 광학 소자를 용이하게 제조할 수 있다.
광학 이방성층의 지상축과 광학 이방성층의 단척 방향이 이루는 각도는, 제1 기재의 연신에 의한 배향 방향과 제1 기재의 단척 방향이 이루는 각도와 동일하게 할 수 있다. 구체적으로는, 광학 이방성층의 지상축과 광학 이방성층의 단척 방향이 이루는 각도는, 구체적으로는 0°~90°로 할 수 있다. 또한, 어느 태양에 있어서, 광학 이방성층의 지상축과 광학 이방성층의 단척 방향이 이루는 각도가, 40°~50°인 것이 특히 바람직하다. 또한, 구체적으로는, 광학 이방성층의 지상축과 광학 이방성층의 단척 방향이 이루는 각도를, 바람직하게는 15°±5°, 22.5±5°, 45°±5°, 75°±5°, 보다 바람직하게는 15°±4°, 22.5±4°, 45°±4°, 75°±4°, 보다 더 바람직하게는 15°±3°, 22.5±3°, 45°±3°, 75°±3°와 같은 특정한 범위로 할 수 있다. 이러한 각도 관계를 가짐으로써, 본 발명의 복층 필름을, 특정한 원 편광판의 효율적인 제조를 가능하게 하는 재료로 할 수 있다.
〔1.9. 액정 조성물〕
본 발명의 복층 필름의 제조에 사용할 수 있는, 중합성 액정 화합물을 함유하는 액정 조성물(이하에 있어서, 당해 조성물을 「조성물(A)」이라고 약칭하는 경우가 있다.)에 대하여 설명한다.
본원에 있어서, 조성물(A)의 성분으로서의 액정 화합물이란, 조성물(A)에 배합하여 배향시켰을 때에, 액정상을 나타낼 수 있는 화합물이다. 중합성 액정 화합물이란, 이러한 액정상을 나타낸 상태에서 조성물(A) 중에서 중합하여, 액정상에 있어서의 분자의 배향을 유지한 채 중합체가 될 수 있는 액정 화합물이다. 또한, 역파장 분산 중합성 액정 화합물이란, 그와 같이 중합체로 한 경우, 얻어진 중합체가 역파장 분산성을 나타내는 중합성 액정 화합물이다.
또한, 본원에 있어서, 조성물(A)의 성분이며, 중합성을 갖는 화합물(중합성 액정 화합물 및 그 밖의 중합성을 갖는 화합물 등)을 총칭하여 간단히 「중합성 화합물」이라고 하는 경우가 있다.
〔1.9.1. 중합성 액정 화합물〕
중합성 액정 화합물의 예로는, 각종 원반상 액정 화합물, 및 봉상 액정 화합물을 들 수 있다.
원반상 액정 화합물의 예로는, 원반상 코어(디스코틱 코어) 및 중합성기를 갖고, 액정상을 나타낼 수 있는 각종 화합물을 들 수 있다. 원반상 액정 화합물은, 통상, 분자 자신이 광학적으로 마이너스의 일축성을 갖는다. 원반상 액정 화합물로는, 특히, 하이브리드 배향할 수 있는 것이 바람직하다. 원반상 액정 화합물을 사용하여 형성되고, 하이브리드 배향한 광학 이방성층은, 예를 들어, TN형 액정 셀의 시각 특성 개량에 유용하다. 원반상 액정 화합물로서, 측쇄 말단에 에폭시기나 아크릴레이트기와 같은 가교기를 갖는 것을 사용하여, 디스코틱 네마틱상 형성 온도 범위에 있어서 가교시킴으로써 그 배향 구조를 열적으로 안정적으로 유지할 수 있다.
원반상 액정 화합물의 보다 구체적인 예로는, 이하의 원반상 액정 화합물 D1~D3을 들 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112017068272580-pct00001
[화학식 2]
Figure 112017068272580-pct00002
[화학식 3]
Figure 112017068272580-pct00003
원반상 액정 화합물 D1~D3에 있어서, 치환기 R의 예로는, -O-C(=O)-CnH2n +1, -O-C(=O)-Ph-O-CnH2n+1, -O-C(=O)-CnH2n-O-C(=O)-CH=CH2, -O-C(=O)-CnH2n-O-C(=O)-C(CH3)=CH2, -O-C(=O)-CnH2n-O-CH=CH2, -O-C(=O)-CnH2n-O-C(CH3)=CH2, -O-C(=O)-Ph-O-CnH2n-O-C(=O)-CH=CH2, -O-C(=O)-Ph-O-CnH2n-O-C(=O)-C(CH3)=CH2, -O-C(=O)-Ph-O-CnH2n-O-CH=CH2, 및 -O-C(=O)-Ph-O-CnH2n-O-C(CH3)=CH2를 들 수 있다. 이들 중에서도, -O-C(=O)-CnH2n-O-C(=O)-CH=CH2, -O-C(=O)-Ph-O-CnH2n-O-C(=O)-CH=CH2, 및 -O-C(=O)-Ph-O-CnH2n-O-CH=CH2가 바람직하고, -O-C(=O)-Ph-O-CnH2n-O-C(=O)-CH=CH2가 더욱 바람직하다.
치환기 R에 있어서, n은, 바람직하게는 3~10의 자연수이고, 보다 바람직하게는 4~8의 자연수이다. 원반상 액정 화합물 D2에 있어서, X는, CH2, O, S 또는 NH이다. 그 중에서도, CH2 또는 O가 바람직하고, CH2가 더욱 바람직하다.
원반상 액정성 화합물의 다른 구체예로는, 일본 공개특허공보 평8-50206호, 및 문헌(C. Destrade et al., Mol. Cryst. Liq. Cryst., vol. 71, page 111(1981); 일본 화학회편, 계간 화학총설, No.22, 액정의 화학, 제5장, 제10장 제2절(1994); B. Kohne et al., Angew. Chem. Soc. Chem. Comm., page 1794(1985); J. Zhang et al., J. Am. Chem. Soc., vol. 116, page 2655(1994))에 기재되어 있는 것을 들 수 있다.
중합성 액정 화합물로서, 원반상 액정 화합물, 주쇄 골격에 방향족성을 갖는 방향족 폴리에스테르, 방향족 폴리카보네이트, 방향족 폴리이미드, 방향족 폴리아미드 등을 사용한 경우, 얻어지는 광학 이방성층을 마이너스의 일축성을 갖는 층으로 할 수 있다. 광학 이방성층의 마이너스의 일축성이란, 광학 이방성층의 3축 방향 굴절률을, 그 값이 작은 순으로 n1, n2, 및 n3으로 하였을 때, n1 < n2 = n3의 관계를 갖는 성질이다. 따라서, 마이너스의 일축성을 갖는 광학 이방성층에 있어서는, 광학축 방향의 굴절률이 가장 작다. 단, n2와 n3의 값은 엄밀하게 동등할 필요는 없고, 거의 동등한 경우는, 마이너스의 일축성을 갖는다고 할 수 있다. 구체적으로는,
(|n2 - n3|/|n2 - n1|) ≤ 0.2
인 것을, 마이너스의 일축성을 갖는 층으로서 실용에 제공할 수 있다. 또한, 트위스티드 네마틱형 액정 셀의 시야각 특성을 대폭 개량할 수 있는 광학 이방성층을 얻기 위해서는, 광학축은, 광학 이방성층의 면의 법선 방향으로부터의 기울기 β가 5°~60°인 것이 바람직하고, 10°~50°가 보다 바람직하며, 20°~40°가 가장 바람직하다. 또한 광학 이방성층은, 50 ≤ Re ≤ 400(nm)의 조건을 만족하는 것이 바람직하다.
봉상 액정 화합물의 예로는, 일본 공개특허공보 2002-030042호, 일본 공개특허공보 2004-204190호, 일본 공개특허공보 2005-263789호, 일본 공개특허공보 2007-119415호, 일본 공개특허공보 2007-186430호, 및 일본 공개특허공보 평11-513360호에 기재된 중합성기를 갖는 봉상 액정 화합물을 들 수 있다. 또한, 바람직한 액정 화합물의 예를 제품명으로 들면, BASF사 제조 「LC242」 등을 들 수 있다. 액정 화합물은, 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 된다.
봉상 액정 화합물의 굴절률 이방성 Δn은, 바람직하게는 0.02 이상, 보다 바람직하게는 0.05 이상이고, 바람직하게는 0.30 이하, 보다 바람직하게는 0.25 이하이다. 굴절률 이방성 Δn이 0.02 미만에서는 원하는 광학적 기능을 얻기 위하여 액정 수지층의 두께가 두꺼워져 배향 균일성이 저하될 가능성이 있고, 또한 경제 비용적으로도 불리하다. 굴절률 이방성 Δn이 0.30보다 크면 원하는 광학적 기능을 얻기 위하여 액정 수지층의 두께가 얇아져, 두께 정밀도에 대하여 불리하다. 또한, Δn이 0.30보다 큰 경우, 액정 수지층의 자외선 흡수 스펙트럼의 장파장측의 흡수단(吸收端)이 가시역에 이르는 경우가 있을 수 있으나, 그 스펙트럼의 흡수단이 가시역에 이르러도 원하는 광학적 성능에 악영향을 미치지 않는 한, 사용 가능하다. 액정층 형성용 조성물이 액정 화합물을 1종류만 포함하는 경우에는, 당해 액정 화합물의 굴절률 이방성을, 그대로 액정층 형성용 조성물에 있어서의 액정 화합물의 굴절률 이방성으로 한다. 또한, 액정층 형성용 조성물이 액정 화합물을 2종류 이상 포함하는 경우에는, 각 액정 화합물 각각의 굴절률 이방성 Δn의 값과 각 액정 화합물의 함유 비율로부터 구한 굴절률 이방성 Δn의 값을, 액정층 형성용 조성물에 있어서의 액정 화합물의 굴절률 이방성으로 한다. 굴절률 이방성 Δn의 값은, 세나르몬법(Senarmont Method)에 의해 측정할 수 있다.
이들 액정 화합물 및 이하에 설명하는 역파장 분산 중합성 액정 화합물은, 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 된다.
〔1.9.2. 역파장 분산 중합성 액정 화합물〕
중합성 액정 화합물의 일부 또는 전부로서, 역파장 분산 중합성 액정 화합물을 사용할 수 있다. 역파장 분산 중합성 액정 화합물을 사용함으로써, 역파장 분산성을 갖는 광학 이방성층을 용이하게 얻을 수 있다.
역파장 분산 중합성 액정 화합물의 예로는, 그 분자 중에 주쇄 메소겐과, 주쇄 메소겐에 결합한 측쇄 메소겐을 갖는 화합물을 들 수 있다. 이러한 역파장 분산 중합성 액정 화합물이 배향한 상태에 있어서, 측쇄 메소겐은, 주쇄 메소겐과 다른 방향으로 배향할 수 있다. 따라서, 광학 이방성층에 있어서, 주쇄 메소겐 및 측쇄 메소겐은 다른 방향으로 배향할 수 있다. 그러한 배향에 의해, 광학 이방성층이 역파장 분산 특성을 나타낼 수 있다.
〔1.9.2.1. 화합물(I)〕
역파장 분산 중합성 액정 화합물의 예로는, 하기 식(I)으로 나타내어지는 화합물(이하에 있어서 「화합물(I)」이라고 하는 경우가 있다)을 들 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112017068272580-pct00004
역파장 분산 중합성 액정 화합물이 화합물(I)인 경우, 기 -Y5-A4-Y3-A2-Y1-A1-Y2-A3-Y4-A5-Y6-가 주쇄 메소겐이 되고, 한편 기 >A1-C(Q1)=N-N(Ax)Ay가 측쇄 메소겐이 되며, 기 A1은, 주쇄 메소겐 및 측쇄 메소겐의 양방의 성질에 영향을 준다.
식 중, Y1~Y8은 각각 독립적으로, 화학적인 단결합, -O-, -S-, -O-C(=O)-, -C(=O)-O-, -O-C(=O)-O-, -NR1-C(=O)-, -C(=O)-NR1-, -O-C(=O)-NR1-, -NR1-C(=O)-O-, -NR1-C(=O)-NR1-, -O-NR1- 또는 -NR1-O-를 나타낸다.
여기서, R1은 수소 원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기를 나타낸다.
R1의 탄소수 1~6의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기 등을 들 수 있다.
R1로는, 수소 원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기가 바람직하다.
화합물(I)에 있어서는, Y1~Y8은, 각각 독립적으로, 화학적인 단결합, -O-, -O-C(=O)-, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-O-인 것이 바람직하다.
G1, G2는 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는, 탄소수 1~20의 2가의 지방족기를 나타낸다.
탄소수 1~20의 2가의 지방족기로는, 탄소수 1~20의 알킬렌기, 탄소수 2~20의 알케닐렌기 등의 사슬형 구조를 갖는 2가의 지방족기; 탄소수 3~20의 시클로알칸디일기, 탄소수 4~20의 시클로알켄디일기, 탄소수 10~30의 2가의 지환식 축합환기 등의 2가의 지방족기; 등을 들 수 있다.
G1, G2의 2가의 지방족기의 치환기로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등의 할로겐 원자; 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, sec-부톡시기, t-부톡시기, n-펜틸옥시기, n-헥실옥시기 등의 탄소수 1~6의 알콕시기; 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 불소 원자, 메톡시기, 에톡시기가 바람직하다.
또한, 상기 지방족기에는, -O-, -S-, -O-C(=O)-, -C(=O)-O-, -O-C(=O)-O-, -NR2-C(=O)-, -C(=O)-NR2-, -NR2- 또는 -C(=O)-가 개재하고 있어도 된다. 단, -O- 또는 -S-가 각각 2 이상 인접하여 개재하는 경우를 제외한다. 여기서, R2는, 상기 R1과 동일한, 수소 원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하다.
상기 지방족기에 개재하는 기로는, -O-, -O-C(=O)-, -C(=O)-O-, -C(=O)-가 바람직하다.
이들 기가 개재하는 지방족기의 구체예로는, -CH2-CH2-O-CH2-CH2-, -CH2-CH2-S-CH2-CH2-, -CH2-CH2-O-C(=O)-CH2-CH2-, -CH2-CH2-C(=O)-O-CH2-CH2-, -CH2-CH2-C(=O)-O-CH2-, -CH2-O-C(=O)-O-CH2-CH2-, -CH2-CH2-NR2-C(=O)-CH2-CH2-, -CH2-CH2-C(=O)-NR2-CH2-, -CH2-NR2-CH2-CH2-, -CH2-C(=O)-CH2- 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 보다 양호하게 발현시키는 관점에서, G1, G2는, 각각 독립적으로, 탄소수 1~20의 알킬렌기, 탄소수 2~20의 알케닐렌기 등의 사슬형 구조를 갖는 2가의 지방족기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기, 트리메틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 옥타메틸렌기, 데카메틸렌기〔-(CH2)10-〕 등의 탄소수 1~12의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 테트라메틸렌기〔-(CH2)4-〕, 헥사메틸렌기〔-(CH2)6-〕, 옥타메틸렌기〔-(CH2)8-〕 및 데카메틸렌기〔-(CH2)10-〕가 특히 바람직하다.
Z1, Z2는 각각 독립적으로, 비치환 또는 할로겐 원자로 치환된 탄소수 2~10의 알케닐기를 나타낸다.
그 알케닐기의 탄소수로는, 2~6이 바람직하다. Z1 및 Z2의 알케닐기의 치환기인 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등을 들 수 있고, 염소 원자가 바람직하다.
Z1 및 Z2의 탄소수 2~10의 알케닐기의 구체예로는, CH2=CH-, CH2=C(CH3)-, CH2=CH-CH2-, CH3-CH=CH-, CH2=CH-CH2-CH2-, CH2=C(CH3)-CH2-CH2-, (CH3)2C=CH-CH2-, (CH3)2C=CH-CH2-CH2-, CH2=C(Cl)-, CH2=C(CH3)-CH2-, CH3-CH=CH-CH2- 등을 들 수 있다.
그 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 보다 양호하게 발현시키는 관점에서, Z1 및 Z2로는, 각각 독립적으로, CH2=CH-, CH2=C(CH3)-, CH2=C(Cl)-, CH2=CH-CH2-, CH2=C(CH3)-CH2- 또는 CH2=C(CH3)-CH2-CH2-인 것이 바람직하고, CH2=CH-, CH2=C(CH3)- 또는 CH2=C(Cl)-인 것이 보다 바람직하며, CH2=CH-인 것이 특히 바람직하다.
Ax는, 방향족 탄화수소고리 및 방향족 복소환으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 방향고리를 갖는 탄소수 2~30의 유기기를 나타낸다.
본 발명에 있어서, 「방향고리」는, Huckel 규칙에 따른 광의의 방향족성을 갖는 고리형 구조, 즉, π 전자를 (4n + 2)개 갖는 고리형 공액 구조, 및 티오펜, 푸란, 벤조티아졸 등으로 대표되는, 황, 산소, 질소 등의 헤테로 원자의 고립 전자쌍이 π 전자계에 관여하여 방향족성을 나타내는 것을 의미한다.
Ax의 방향족 탄화수소고리 및 방향족 복소환으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 방향고리를 갖는 탄소수 2~30의 유기기는, 방향고리를 복수개 갖는 것이어도 되고, 방향족 탄화수소고리 및 방향족 복소환을 갖는 것이어도 된다.
상기 방향족 탄화수소고리로는, 벤젠고리, 나프탈렌고리, 안트라센고리 등을 들 수 있다. 상기 방향족 복소환으로는, 피롤고리, 푸란고리, 티오펜고리, 피리딘고리, 피리다진고리, 피리미딘고리, 피라진고리, 피라졸고리, 이미다졸고리, 옥사졸고리, 티아졸고리 등의 단환의 방향족 복소환; 벤조티아졸고리, 벤조옥사졸고리, 퀴놀린고리, 프탈라진고리, 벤조이미다졸고리, 벤조피라졸고리, 벤조푸란고리, 벤조티오펜고리, 티아졸로피리딘고리, 옥사졸로피리딘고리, 티아졸로피라진고리, 옥사졸로피라진고리, 티아졸로피리다진고리, 옥사졸로피리다진고리, 티아졸로피리미딘고리, 옥사졸로피리미딘고리 등의 축합환의 방향족 복소환; 등을 들 수 있다.
Ax가 갖는 방향고리는 치환기를 갖고 있어도 된다. 이러한 치환기로는, 불소 원자, 염소 원자 등의 할로겐 원자; 시아노기; 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 탄소수 1~6의 알킬기; 비닐기, 알릴기 등의 탄소수 2~6의 알케닐기; 트리플루오로메틸기 등의 탄소수 1~6의 할로겐화 알킬기; 디메틸아미노기 등의 치환 아미노기; 메톡시기, 에톡시기, 이소프로폭시기 등의 탄소수 1~6의 알콕시기; 니트로기; 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기; -C(=O)-R5; -C(=O)-OR5; -SO2R6; 등을 들 수 있다. 여기서, R5는 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 2~20의 알케닐기, 또는 탄소수 3~12의 시클로알킬기를 나타내고, R6은 후술하는 R4와 동일한, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 2~20의 알케닐기, 페닐기, 또는 4-메틸페닐기를 나타낸다.
또한, Ax가 갖는 방향고리는, 동일 또는 상이한 치환기를 복수 갖고 있어도 되고, 서로 이웃한 2개의 치환기가 하나가 되어 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다. 형성되는 고리는 단환이어도 되고, 축합 다환이어도 되며, 불포화 고리여도 되고, 포화 고리여도 된다.
한편, Ax의 탄소수 2~30의 유기기의 「탄소수」는, 치환기의 탄소 원자를 포함하지 않는 유기기 전체의 총 탄소수를 의미한다(후술하는 Ay에서 동일하다).
Ax의, 방향족 탄화수소고리 및 방향족 복소환으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 방향고리를 갖는 탄소수 2~30의 유기기로는, 방향족 탄화수소고리기; 방향족 복소환기; 방향족 탄화수소고리기 및 방향족 복소환기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 방향고리를 갖는 탄소수 3~30의 알킬기; 방향족 탄화수소고리기 및 방향족 복소환기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 방향고리를 갖는 탄소수 4~30의 알케닐기; 방향족 탄화수소고리기 및 방향족 복소환기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 방향고리를 갖는 탄소수 4~30의 알키닐기; 등을 들 수 있다.
Ax의 바람직한 구체예를 이하에 나타낸다. 단, 본 발명에 있어서는, Ax는 이하에 나타내는 것에 한정되는 것은 아니다. 한편, 하기 식 중, 「-」는 고리의 임의의 위치로부터 신장되는 결합손을 나타낸다(이하에서 동일하다.).
(1) 방향족 탄화수소고리기
[화학식 5]
Figure 112017068272580-pct00005
[화학식 6]
Figure 112017068272580-pct00006
(2) 방향족 복소환기
[화학식 7]
Figure 112017068272580-pct00007
[화학식 8]
Figure 112017068272580-pct00008
상기 식 중, E는, NR6a, 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다. 여기서, R6a는, 수소 원자; 또는 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 탄소수 1~6의 알킬기를 나타낸다.
[화학식 9]
Figure 112017068272580-pct00009
상기 식 중, X, Y, Z는, 각각 독립적으로, NR7, 산소 원자, 황 원자, -SO-, 또는 -SO2-를 나타낸다(단, 산소 원자, 황 원자, -SO-, -SO2-가 각각 인접하는 경우를 제외한다.). R7은, 상기 R6a와 동일한, 수소 원자; 또는 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 탄소수 1~6의 알킬기를 나타낸다.
[화학식 10]
Figure 112017068272580-pct00010
(상기 식 중, X는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)
(3) 방향족 탄화수소고리기 및 방향족 복소환기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 방향고리를 갖는 알킬기
[화학식 11]
Figure 112017068272580-pct00011
(4) 방향족 탄화수소고리기 및 방향족 복소환기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 방향고리를 갖는 알케닐기
[화학식 12]
Figure 112017068272580-pct00012
(5) 방향족 탄화수소고리기 및 방향족 복소환기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 방향고리를 갖는 알키닐기
[화학식 13]
Figure 112017068272580-pct00013
상기한 Ax 중에서도, 탄소수 6~30의 방향족 탄화수소기, 또는 탄소수 4~30의 방향족 복소환기인 것이 바람직하고, 하기에 나타내는 어느 하나의 기인 것이 보다 바람직하며,
[화학식 14]
Figure 112017068272580-pct00014
[화학식 15]
Figure 112017068272580-pct00015
하기에 나타내는 어느 하나의 기인 것이 더욱 바람직하다.
[화학식 16]
Figure 112017068272580-pct00016
Ax가 갖는 고리는 치환기를 갖고 있어도 된다. 이러한 치환기로는, 불소 원자, 염소 원자 등의 할로겐 원자; 시아노기; 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 탄소수 1~6의 알킬기; 비닐기, 알릴기 등의 탄소수 2~6의 알케닐기; 트리플루오로메틸기 등의 탄소수 1~6의 할로겐화 알킬기; 디메틸아미노기 등의 치환 아미노기; 메톡시기, 에톡시기, 이소프로폭시기 등의 탄소수 1~6의 알콕시기; 니트로기; 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기; -C(=O)-R8; -C(=O)-OR8; -SO2R6; 등을 들 수 있다. 여기서 R8은, 메틸기, 에틸기 등의 탄소수 1~6의 알킬기; 또는 페닐기 등의 탄소수 6~14의 아릴기;를 나타낸다. 그 중에서도, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1~6의 알킬기, 및 탄소수 1~6의 알콕시기가 바람직하다.
또한, Ax가 갖는 고리는, 동일 또는 상이한 치환기를 복수 갖고 있어도 되고, 서로 이웃한 2개의 치환기가 하나가 되어 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다. 형성되는 고리는 단환이어도 되고, 축합 다환이어도 된다.
한편, Ax의 탄소수 2~30의 유기기의 「탄소수」는, 치환기의 탄소 원자를 포함하지 않는 유기기 전체의 총 탄소수를 의미한다(후술하는 Ay에서 동일하다).
Ay는, 수소 원자, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3~12의 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알키닐기, -C(=O)-R3, -SO2-R4, -C(=S)NH-R9 또는, 방향족 탄화수소고리 및 방향족 복소환으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 방향고리를 갖는 탄소수 2~30의 유기기를 나타낸다. 여기서, R3은, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3~12의 시클로알킬기, 탄소수 5~12의 방향족 탄화수소기를 나타내고, R4는, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 2~20의 알케닐기, 페닐기, 또는 4-메틸페닐기를 나타내고, R9는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3~12의 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 5~20의 방향족기를 나타낸다.
Ay의 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알킬기의 탄소수 1~20의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, 1-메틸펜틸기, 1-에틸펜틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 이소헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-이코실기 등을 들 수 있다. 치환기를 가져도 되는 탄소수 1~20의 알킬기의 탄소수는, 1~12인 것이 바람직하고, 4~10인 것이 더욱 바람직하다.
Ay의 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알케닐기의 탄소수 2~20의 알케닐기로는, 비닐기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기, 이소부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기, 데세닐기, 운데세닐기, 도데세닐기, 트리데세닐기, 테트라데세닐기, 펜타데세닐기, 헥사데세닐기, 헵타데세닐기, 옥타데세닐기, 노나데세닐기, 이코세닐기 등을 들 수 있다.
치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알케닐기의 탄소수는, 2~12인 것이 바람직하다.
Ay의 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3~12의 시클로알킬기의 탄소수 3~12의 시클로알킬기로는, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로옥틸기 등을 들 수 있다.
Ay의 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알키닐기의 탄소수 2~20의 알키닐기로는, 에티닐기, 프로피닐기, 2-프로피닐기(프로파르길기), 부티닐기, 2-부티닐기, 3-부티닐기, 펜티닐기, 2-펜티닐기, 헥시닐기, 5-헥시닐기, 헵티닐기, 옥티닐기, 2-옥티닐기, 노나닐기, 데카닐기, 7-데카닐기 등을 들 수 있다.
Ay의 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알킬기, 및 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알케닐기의 치환기로는, 불소 원자, 염소 원자 등의 할로겐 원자; 시아노기; 디메틸아미노기 등의 치환 아미노기; 메톡시기, 에톡시기, 이소프로폭시기, 부톡시기 등의 탄소수 1~20의 알콕시기; 메톡시메톡시기, 메톡시에톡시기 등의, 탄소수 1~12의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~12의 알콕시기; 니트로기; 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기; 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 탄소수 3~8의 시클로알킬기; 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기 등의 탄소수 3~8의 시클로알킬옥시기; 테트라하이드로푸라닐기, 테트라하이드로피라닐기, 디옥소라닐기, 디옥사닐기 등의 탄소수 2~12의 고리형 에테르기; 페녹시기, 나프톡시기 등의 탄소수 6~14의 아릴옥시기; 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, -CH2CF3 등의, 적어도 1개가 불소 원자로 치환된 탄소수 1~12의 플루오로알콕시기; 벤조푸릴기; 벤조피라닐기; 벤조디옥솔릴기; 벤조디옥사닐기; -C(=O)-R7a; -C(=O)-OR7a; -SO2R8a; -SR10; -SR10으로 치환된 탄소수 1~12의 알콕시기; 수산기; 등을 들 수 있다. 여기서, R7a 및 R10은 각각 독립적으로, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 2~20의 알케닐기, 탄소수 3~12의 시클로알킬기, 또는 탄소수 6~12의 방향족 탄화수소기를 나타내고, R8a는 상기 R4와 동일한, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 2~20의 알케닐기, 페닐기, 또는 4-메틸페닐기를 나타낸다.
Ay의 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3~12의 시클로알킬기의 치환기로는, 불소 원자, 염소 원자 등의 할로겐 원자; 시아노기; 디메틸아미노기 등의 치환 아미노기; 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 탄소수 1~6의 알킬기; 메톡시기, 에톡시기, 이소프로폭시기 등의 탄소수 1~6의 알콕시기; 니트로기; 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기; 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 탄소수 3~8의 시클로알킬기; -C(=O)-R7a; -C(=O)-OR7a; -SO2R8a; 수산기; 등을 들 수 있다. 여기서 R7a, R8a는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
Ay의 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알키닐기의 치환기로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알킬기, 및 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알케닐기의 치환기와 동일한 치환기를 들 수 있다.
Ay의 -C(=O)-R3으로 나타내어지는 기에 있어서, R3은, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3~12의 시클로알킬기, 탄소수 5~12의 방향족 탄화수소기를 나타낸다. 이들의 구체예는, 상기 Ay의 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3~12의 시클로알킬기의 예로서 열기한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
Ay의 -SO2-R4로 나타내어지는 기에 있어서, R4는, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 2~20의 알케닐기, 페닐기, 또는 4-메틸페닐기를 나타낸다.
R4의 탄소수 1~20의 알킬기, 및 탄소수 2~20의 알케닐기의 구체예는, 상기 Ay의 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 2~20의 알케닐기의 예로서 열기한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
Ay의 방향족 탄화수소고리 및 방향족 복소환으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 방향고리를 갖는 탄소수 2~30의 유기기로는, 상기 Ax에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
이들 중에서도, Ay로는, 수소 원자, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3~12의 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알키닐기, -C(=O)-R3, -SO2-R4, 또는 방향족 탄화수소고리 및 방향족 복소환으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 방향고리를 갖는 탄소수 2~30의 유기기로 나타내어지는 기가 바람직하고, 수소 원자, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3~12의 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알키닐기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 6~12의 방향족 탄화수소기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3~9의 방향족 복소환기, -C(=O)-R3, -SO2-R4로 나타내어지는 기가 더욱 바람직하다. 여기서, R3, R4는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
Ay의 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알키닐기의 치환기로는, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1~20의 알콕시기, 탄소수 1~12의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~12의 알콕시기, 페닐기, 시클로헥실기, 탄소수 2~12의 고리형 에테르기, 탄소수 6~14의 아릴옥시기, 수산기, 벤조디옥사닐기, 페닐술포닐기, 4-메틸페닐술포닐기, 벤조일기, -SR10이 바람직하다. 여기서, R10은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
Ay의 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3~12의 시클로알킬기, 치환기를 가져도 되는 탄소수 6~12의 방향족 탄화수소기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3~9의 방향족 복소환기의 치환기로는, 불소 원자, 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 시아노기가 바람직하다.
또한, Ax와 Ay는 하나가 되어, 고리를 형성하고 있어도 된다. 이러한 고리로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 4~30의 불포화 복소환, 탄소수 6~30의 불포화 탄소고리를 들 수 있다.
상기 탄소수 4~30의 불포화 복소환, 탄소수 6~30의 불포화 탄소고리로는, 특별히 제약은 없으며, 방향족성을 갖고 있어도 되고 갖고 있지 않아도 된다. 예를 들어, 하기에 나타내는 고리를 들 수 있다. 한편, 하기에 나타내는 고리는, 식(I) 중의
[화학식 17]
Figure 112017068272580-pct00017
로서 나타내어지는 부분을 나타내는 것이다.
[화학식 18]
Figure 112017068272580-pct00018
[화학식 19]
Figure 112017068272580-pct00019
[화학식 20]
Figure 112017068272580-pct00020
(식 중, X, Y, Z는, 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)
또한, 이들 고리는 치환기를 갖고 있어도 된다. 이러한 치환기로는, Ax가 갖는 방향고리의 치환기로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
Ax와 Ay에 포함되는 π 전자의 총 수는, 본 발명의 원하는 효과를 보다 양호하게 발현시키는 관점에서, 4 이상 24 이하인 것이 바람직하고, 6 이상 20 이하인 것이 보다 바람직하며, 6 이상 18 이하인 것이 보다 더 바람직하다.
Ax와 Ay의 바람직한 조합으로는,
(α) Ax가 탄소수 4~30의 방향족 탄화수소기 또는 방향족 복소환기이고, Ay가 수소 원자, 탄소수 3~8의 시클로알킬기, (할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 혹은 탄소수 3~8의 시클로알킬기)를 치환기로서 갖고 있어도 되는 탄소수 6~12의 방향족 탄화수소기, (할로겐 원자, 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 시아노기)를 치환기로서 갖고 있어도 되는 탄소수 3~9의 방향족 복소환기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알키닐기이고, 당해 치환기가, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1~20의 알콕시기, 탄소수 1~12의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~12의 알콕시기, 페닐기, 시클로헥실기, 탄소수 2~12의 고리형 에테르기, 탄소수 6~14의 아릴옥시기, 수산기, 벤조디옥사닐기, 벤젠술포닐기, 벤조일기, -SR10의 어느 하나인 조합, 및,
(β) Ax와 Ay가 하나가 되어 불포화 복소환 또는 불포화 탄소고리를 형성하고 있는 것,
을 들 수 있다. 여기서, R10은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
Ax와 Ay의 보다 바람직한 조합으로는,
(γ) Ax가 하기 구조를 갖는 기의 어느 하나이고, Ay가 수소 원자, 탄소수 3~8의 시클로알킬기, (할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 혹은 탄소수 3~8의 시클로알킬기)를 치환기로서 갖고 있어도 되는 탄소수 6~12의 방향족 탄화수소기, (할로겐 원자, 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 시아노기)를 치환기로서 갖고 있어도 되는 탄소수 3~9의 방향족 복소환기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알키닐기이고, 당해 치환기가, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1~20의 알콕시기, 탄소수 1~12의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~12의 알콕시기, 페닐기, 시클로헥실기, 탄소수 2~12의 고리형 에테르기, 탄소수 6~14의 아릴옥시기, 수산기, 벤조디옥사닐기, 벤젠술포닐기, 벤조일기, -SR10의 어느 하나인 조합이다. 여기서, R10은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
[화학식 21]
Figure 112017068272580-pct00021
[화학식 22]
Figure 112017068272580-pct00022
(식 중, X, Y는, 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)
Ax와 Ay의 특히 바람직한 조합으로는,
(δ) Ax가 하기 구조를 갖는 기의 어느 하나이고, Ay가 수소 원자, 탄소수 3~8의 시클로알킬기, (할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 혹은 탄소수 3~8의 시클로알킬기)를 치환기로서 갖고 있어도 되는 탄소수 6~12의 방향족 탄화수소기, (할로겐 원자, 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 시아노기)를 치환기로서 갖고 있어도 되는 탄소수 3~9의 방향족 복소환기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~20의 알케닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2~20의 알키닐기이고, 당해 치환기가, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1~20의 알콕시기, 탄소수 1~12의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~12의 알콕시기, 페닐기, 시클로헥실기, 탄소수 2~12의 고리형 에테르기, 탄소수 6~14의 아릴옥시기, 수산기, 벤조디옥사닐기, 벤젠술포닐기, 벤조일기, -SR10의 어느 하나인 조합이다. 하기 식 중, X는 상기와 동일한 의미를 나타낸다. 여기서, R10은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
[화학식 23]
Figure 112017068272580-pct00023
A1은 치환기를 갖고 있어도 되는 3가의 방향족기를 나타낸다. 3가의 방향족기로는, 3가의 탄소환식 방향족기여도 되고, 3가의 복소환식 방향족기여도 된다. 본 발명의 원하는 효과를 보다 양호하게 발현시키는 관점에서, 3가의 탄소환식 방향족기가 바람직하고, 3가의 벤젠고리기 또는 3가의 나프탈렌고리기가 보다 바람직하며, 하기 식에 나타내는 3가의 벤젠고리기 또는 3가의 나프탈렌고리기가 더욱 바람직하다.
한편, 하기 식에 있어서는, 결합 상태를 보다 명확하게 하기 위하여, 치환기 Y1, Y2를 편의상 기재하고 있다(Y1, Y2는, 상기와 동일한 의미를 나타낸다. 이하에서 동일.).
[화학식 24]
Figure 112017068272580-pct00024
이들 중에서도, A1로는, 하기에 나타내는 식(A11)~(A25)로 나타내어지는 기가 보다 바람직하고, 식(A11), (A13), (A15), (A19), (A23)으로 나타내어지는 기가 더욱 바람직하며, 식(A11), (A23)으로 나타내어지는 기가 특히 바람직하다.
[화학식 25]
Figure 112017068272580-pct00025
A1의 3가의 방향족기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 상기 AX의 방향족기의 치환기로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다. A1로는, 치환기를 갖지 않는 것이 바람직하다.
A2, A3은 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 3~30의 2가의 지환식 탄화수소기를 나타낸다.
탄소수 3~30의 2가의 지환식 탄화수소기로는, 탄소수 3~30의 시클로알칸디일기, 탄소수 10~30의 2가의 지환식 축합환기 등을 들 수 있다.
탄소수 3~30의 시클로알칸디일기로는, 시클로프로판디일기; 시클로부탄-1,2-디일기, 시클로부탄-1,3-디일기 등의 시클로부탄디일기; 시클로펜탄-1,2-디일기, 시클로펜탄-1,3-디일기 등의 시클로펜탄디일기; 시클로헥산-1,2-디일기, 시클로헥산-1,3-디일기, 시클로헥산-1,4-디일기 등의 시클로헥산디일기; 시클로헵탄-1,2-디일기, 시클로헵탄-1,3-디일기, 시클로헵탄-1,4-디일기 등의 시클로헵탄디일기; 시클로옥탄-1,2-디일기, 시클로옥탄-1,3-디일기, 시클로옥탄-1,4-디일기, 시클로옥탄-1,5-디일기 등의 시클로옥탄디일기; 시클로데칸-1,2-디일기, 시클로데칸-1,3-디일기, 시클로데칸-1,4-디일기, 시클로데칸-1,5-디일기 등의 시클로데칸디일기; 시클로도데칸-1,2-디일기, 시클로도데칸-1,3-디일기, 시클로도데칸-1,4-디일기, 시클로도데칸-1,5-디일기 등의 시클로도데칸디일기; 시클로테트라데칸-1,2-디일기, 시클로테트라데칸-1,3-디일기, 시클로테트라데칸-1,4-디일기, 시클로테트라데칸-1,5-디일기, 시클로테트라데칸-1,7-디일기 등의 시클로테트라데칸디일기; 시클로에이코산-1,2-디일기, 시클로에이코산-1,10-디일기 등의 시클로에이코산디일기; 등을 들 수 있다.
탄소수 10~30의 2가의 지환식 축합환기로는, 데칼린-2,5-디일기, 데칼린-2,7-디일기 등의 데칼린디일기; 아다만탄-1,2-디일기, 아다만탄-1,3-디일기 등의 아다만탄디일기; 비시클로[2.2.1]헵탄-2,3-디일기, 비시클로[2.2.1]헵탄-2,5-디일기, 비시클로[2.2.1]헵탄-2,6-디일기 등의 비시클로[2.2.1]헵탄디일기; 등을 들 수 있다.
이들 2가의 지환식 탄화수소기는, 임의의 위치에 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로는, 상기 AX의 방향족기의 치환기로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
이들 중에서도, A2, A3으로는, 탄소수 3~12의 2가의 지환식 탄화수소기가 바람직하고, 탄소수 3~12의 시클로알칸디일기가 보다 바람직하고, 하기 식(A31)~(A34)
[화학식 26]
Figure 112017068272580-pct00026
로 나타내어지는 기가 더욱 바람직하며, 상기 식(A32)로 나타내어지는 기가 특히 바람직하다.
상기 탄소수 3~30의 2가의 지환식 탄화수소기는, Y1, Y3(또는 Y2, Y4)과 결합하는 탄소 원자의 입체 배치의 상이에 기초하는, 시스형, 트랜스형의 입체 이성체가 존재할 수 있다. 예를 들어, 시클로헥산-1,4-디일기의 경우에는, 하기에 나타내는 바와 같이, 시스형의 이성체(A32a)와 트랜스형의 이성체(A32b)가 존재할 수 있다.
[화학식 27]
Figure 112017068272580-pct00027
본 발명에 있어서는, 시스형이어도 되고 트랜스형이어도 되며, 혹은 시스형과 트랜스형의 이성체 혼합물이어도 되지만, 배향성이 양호한 점에서, 트랜스형 혹은 시스형인 것이 바람직하고, 트랜스형이 보다 바람직하다.
A4, A5는 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 6~30의 2가의 방향족기를 나타낸다.
A4, A5의 방향족기는 단환의 것이어도 되고, 다환의 것이어도 된다.
A4, A5의 바람직한 구체예로는, 하기의 것을 들 수 있다.
[화학식 28]
Figure 112017068272580-pct00028
상기 A4, A5의 2가의 방향족기는, 임의의 위치에 치환기를 갖고 있어도 된다. 당해 치환기로는, 할로겐 원자, 시아노기, 하이드록실기, 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 니트로기, -C(=O)-OR8b기; 등을 들 수 있다. 여기서 R8b는, 탄소수 1~6의 알킬기이다. 그 중에서도, 할로겐 원자, 탄소수 1~6의 알킬기, 알콕시기가 바람직하다. 또한, 할로겐 원자로는 불소 원자가, 탄소수 1~6의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기가, 알콕시기로는, 메톡시기, 에톡시기가 보다 바람직하다.
이들 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 보다 양호하게 발현시키는 관점에서, A4, A5는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 하기 식(A41), (A42) 및 (A43)으로 나타내어지는 기가 보다 바람직하고, 치환기를 갖고 있어도 되는 식(A41)로 나타내어지는 기가 특히 바람직하다.
[화학식 29]
Figure 112017068272580-pct00029
Q1은, 수소 원자, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~6의 알킬기를 나타낸다.
치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~6의 알킬기로는, 상기 AX에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
이들 중에서도, Q1은, 수소 원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기가 바람직하고, 수소 원자 및 메틸기가 보다 바람직하다.
화합물(I)은, 예를 들어, 국제 공개 제WO2012/147904호에 기재되는 하이드라진 화합물과 카르보닐 화합물의 반응에 의해 제조할 수 있다.
〔1.9.3. 중합성 모노머〕
조성물(A)이 중합성 액정 화합물로서 역파장 분산 중합성 액정 화합물을 함유하는 경우, 조성물(A)은, 임의의 성분으로서 중합성 모노머(a)를 함유할 수 있다. 본원에 있어서, 「중합성 모노머(a)」란, 중합능을 갖고 모노머로서 작용할 수 있는 화합물 중, 특히, 역파장 분산 중합성 액정 화합물 이외의 화합물을 말한다.
중합성 모노머(a)로는, 예를 들어, 1분자당 1 이상의 중합성기를 갖는 것을 사용할 수 있다. 그러한 중합성기를 가짐으로써, 광학 이방성층의 형성시에 중합을 달성할 수 있다. 중합성 모노머(a)가 1분자당 2 이상의 중합성기를 갖는 가교성 모노머인 경우, 가교적인 중합을 달성할 수 있다. 이러한 중합성기의 예로는, 화합물(I) 중의 기 Z1-Y7- 및 Z2-Y8-와 동일한 기 및 에폭시기를 들 수 있고, 보다 구체적으로는 예를 들어, 아크릴로일기, 메타크릴로일기 및 에폭시기를 들 수 있다.
중합성 모노머(a)의 예로는, 하기 일반식(M1)로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다.
ZM1-YM1-AM1-YM3-MM-YM4-AM2-YM2-ZM2 (M1)
식(M1) 중, 부호는 다음의 의미를 갖는다. ZM1 및 ZM2는 독립적으로, 중합을 야기할 수 있는 반응성기를 갖는 기를 나타낸다.
YM1~YM4는 독립적으로, 화학적 단결합, 산소, 황, -O-CO-, -CO-O-, -O-CO-O-, -CO-NRM-, -NRM-CO-, -O-CO-NRM-, -NRM-CO-O- 또는 -NRM-CO-NRM-를 나타낸다. 여기서 기 YM3 및 YM4 중 적어도 1개는, -O-CO-O-, -O-CO-NRM-, -NRM-CO-O- 또는 -NRM-CO-NRM-를 나타낸다.
AM1 및 AM2는 독립적으로, 2~30개의 C 원자를 갖는 스페이서를 나타내고, 이 경우 탄소사슬에는, 에테르 관능기 중의 산소, 티오에테르 관능기 중의 황 또는 인접하고 있지 않은 이미노기 혹은 C1~C4-알킬이미노기가 개재하고 있어도 된다.
MM은, 중합성 모노머(a)의 메소겐기를 나타낸다. RM은, C1~C4-알킬을 나타낸다. 중합성 모노머(a)에 2 이상의 RM이 존재하는 경우, 이들은 동일해도 되고, 달라도 된다.
ZM1 및 ZM2의 예로는, 하기 식으로 나타내어지는 기 및 에폭시기를 들 수 있다.
[화학식 30]
Figure 112017068272580-pct00030
[화학식 31]
Figure 112017068272580-pct00031
MM의 예로는, -(-T-Y5M-)r-T-로 나타내어지는 기를 들 수 있다. 여기서 T는, 2가의 포화 또는 불포화 이소환식기 또는 헤테로환식기를 나타내고, Y5M은, Y1M~Y4M, -CH2-O-, -O-CH2-, -CH=N-, -N=CH- 또는 -N=N-를 나타내고, r은, 0, 1, 2 또는 3을 나타내고, 이 경우 기 T 및 Y5는, r이 0보다 큰 경우에는, 동일해도 되고 달라도 된다. T의 구체적인 예로는, 하기 식으로 나타내어지는 기를 들 수 있다.
[화학식 32]
Figure 112017068272580-pct00032
[화학식 33]
Figure 112017068272580-pct00033
중합성 모노머(a)는, 그 자체가 액정성의 것이어도 되고, 비액정성의 것이어도 된다. 여기서, 그 자체가 「비액정성」이라는 것은, 당해 중합성 모노머(a) 그 자체를, 실온에서부터 200℃의 어느 온도에 둔 경우에도, 배향 처리를 한 제1 기재 상에서 배향을 나타내지 않는 것을 말한다. 배향을 나타내는지의 여부는, 편광 현미경의 크로스니콜 투과 관찰에서 러빙 방향을 면상으로 회전시킨 경우에, 명암의 콘트라스트가 있는지의 여부로 판단한다.
조성물(A)에 있어서, 중합성 모노머(a)의 배합 비율은, 역파장 분산 중합성 액정 화합물 100 중량부에 대하여, 통상, 1~100 중량부, 바람직하게는 5~50 중량부이다. 당해 범위 내에서, 중합성 모노머(a)의 배합 비율을 원하는 역파장 분산 특성을 나타내도록 적당히 조정함으로써, 역파장 분산 특성의 정밀한 제어가 용이해진다.
중합성 모노머(a)는, 기지의 제조 방법에 의해 제조할 수 있다. 또는, 화합물(I)과 유사한 구조를 갖는 것에 대해서는, 화합물(I)의 제조 방법에 준하여 제조할 수 있다.
〔1.9.4. 조성물(A)의 그 밖의 성분〕
조성물(A)은, 중합성 액정 화합물 및 위에 서술한 임의의 화합물(중합성 모노머(a) 등)에 더하여, 필요에 따라 이하에 예시하는 것 등의 임의의 성분을 포함할 수 있다.
조성물(A)은, 중합 개시제를 포함할 수 있다. 중합 개시제로는, 조성물(A) 중의 중합성 액정 화합물, 중합성 모노머(a) 및 그 밖의 중합성 화합물이 갖는 중합성기의 종류에 따라 적당히 선택할 수 있다. 예를 들어, 중합성기가 라디칼 중합성이면 라디칼 중합 개시제를, 음이온 중합성의 기이면 음이온 중합 개시제를, 양이온 중합성의 기이면 양이온 중합 개시제를 각각 사용할 수 있다.
라디칼 중합 개시제로는, 가열함으로써, 중합성 화합물의 중합을 개시할 수 있는 활성종이 발생하는 화합물인 열 라디칼 발생제; 및 가시광선, 자외선(i선 등), 원자외선, 전자선, X선 등의 노광 광의 노광에 의해, 중합성 화합물의 중합을 개시할 수 있는 활성종이 발생하는 화합물인 광 라디칼 발생제;를 어느 것이나 사용 가능하지만, 광 라디칼 발생제를 사용하는 것이 호적하다.
광 라디칼 발생제로는, 예를 들어, 국제 공개 제WO2012/147904호에 기재되는 아세토페논계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 트리아진계 화합물, O-아실옥심계 화합물, 오늄염계 화합물, 벤조인계 화합물, 벤조페논계 화합물, α-디케톤계 화합물, 다핵 퀴논계 화합물, 크산톤계 화합물, 디아조계 화합물, 이미드술포네이트계 화합물 등을 들 수 있다.
상기 음이온 중합 개시제로는, 예를 들어, 알킬리튬 화합물; 비페닐, 나프탈렌, 피렌 등의 모노리튬염 또는 모노나트륨염; 디리튬염이나 트리리튬염 등의 다관능성 개시제; 등을 들 수 있다.
또한, 상기 양이온 중합 개시제로는, 예를 들어, 황산, 인산, 과염소산, 트리플루오로메탄술폰산 등의 프로톤산; 3불화붕소, 염화알루미늄, 4염화티탄, 4염화주석과 같은 루이스산; 방향족 오늄염 또는 방향족 오늄염과 환원제의 병용계;를 들 수 있다.
중합 개시제로서 사용할 수 있는 시판의 제품의 예로는, 이르가큐어 907 및 이르가큐어 379(BASF 제조) 등의 광중합 개시제를 들 수 있다.
이들 중합 개시제는 1종 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
조성물(A)에 있어서, 중합 개시제의 배합 비율은, 중합성 화합물 100 중량부에 대하여, 통상 0.1~30 중량부, 바람직하게는 0.5~10 중량부이다.
조성물(A)은, 표면 장력을 조정하기 위한 계면 활성제를 포함할 수 있다. 당해 계면 활성제로는, 특별히 한정은 없지만, 통상 비이온계 계면 활성제가 바람직하다. 당해 비이온계 계면 활성제로는, 시판품을 사용할 수 있다. 예를 들어, 분자량이 수 천 정도의 올리고머인 비이온계 계면 활성제를 들 수 있다. 이들 계면 활성제로서 시판하는 것의 구체예로는, OMNOVA사 PolyFox의 「PF-151N」, 「PF-636」, 「PF-6320」, 「PF-656」, 「PF-6520」, 「PF-3320」, 「PF-651」, 「PF-652」; 네오스사 프터젠트의 「FTX-209F」, 「FTX-208G」, 「FTX-204D」; 세이미 케미컬사 서플론의 「KH-40」, 「S-420」 등을 사용할 수 있다. 또한, 계면 활성제는, 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 된다. 조성물(A)에 있어서, 계면 활성제의 배합 비율은, 중합성 화합물 100 중량부에 대하여, 통상 0.01~10 중량부, 바람직하게는 0.1~2 중량부이다.
조성물(A)은 또한, 표면 장력의 조정 등의 목적에서, 셀룰로오스계 고분자 화합물을 포함할 수 있다. 특히, 중합성 액정 화합물로서 원반상 액정 화합물을 사용할 때에는, 셀룰로오스계 고분자 화합물을 포함함으로써 도포하였을 때의 크레이터링의 방지 등의 효과를 발현할 수 있다. 셀룰로오스계 고분자 화합물은, 원반상 액정 화합물에 대하여 친화성이 좋아, 배향 상태를 흐트러뜨리는 경향이 낮다. 셀룰로오스계 고분자 화합물의 예로는, 셀룰로오스아세테이트부티레이트, 셀룰로오스아세테이트프로필레이트, 하이드록시프로필셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 및 카르복시메틸셀룰로오스를 들 수 있다. 조성물(A)에 있어서의 셀룰로오스계 고분자 화합물의 배합 비율은, 중합성 액정 화합물의 총량에 대한 중량 백분율로서, 바람직하게는 1~8%, 보다 바람직하게는 1.5~6%이다. 셀룰로오스계 고분자 화합물의 배합 비율을 상기 하한 이상으로 함으로써, 유효한 크레이터링 억제 효과를 얻을 수 있고, 8% 이하로 함으로써 원반상 액정 화합물의 배향 속도의 극단적인 저하를 회피할 수 있다.
조성물(A)은, 유기 용매 등의 용매를 포함할 수 있다. 이러한 유기 용매의 예로는, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 메틸에틸케톤, 아세톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류; 아세트산부틸, 아세트산아밀 등의 아세트산에스테르류; 클로로포름, 디클로로메탄, 디클로로에탄 등의 할로겐화 탄화수소류; 1,4-디옥산, 시클로펜틸메틸에테르, 테트라하이드로푸란, 테트라하이드로피란, 1,3-디옥소란, 1,2-디메톡시에탄 등의 에테르류; 및 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소를 들 수 있다. 용매의 비점은, 취급성이 우수한 관점에서, 60~250℃인 것이 바람직하고, 60~150℃인 것이 보다 바람직하다. 용매의 사용량은, 중합성 화합물 100 중량부에 대하여, 통상 100~1000 중량부이다.
조성물(A)은, 또한, 금속, 금속 착물, 염료, 안료, 형광 재료, 인광 재료, 레벨링제, 틱소제, 겔화제, 다당류, 자외선 흡수제, 적외선 흡수제, 항산화제, 이온 교환 수지, 산화티탄 등의 금속 산화물 등의 임의의 첨가제를 포함할 수 있다. 본 발명의 중합성 조성물에 있어서, 이러한 임의의 첨가제의 배합 비율은, 중합성 화합물 100 중량부에 대하여, 통상 각각 0.1~20 중량부이다.
조성물(A)은, 통상, 위에 서술한 성분을 혼합함으로써 조제할 수 있다.
조성물(A)은, 또한, 하기 식(M5)로 나타내어지는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 34]
Figure 112017068272580-pct00034
여기서, WM5는 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~10의 알콕시기, 염소 원자, 불소 원자, -CN 또는 -OCF3이고, Z는 단결합, -COO-, -OCO- 또는 -CH2CH2-이고; 그리고 qM은 1~20의 정수이다.
식(M5)로 나타내어지는 화합물의 보다 구체적인 예로는, 하기 식(M6)으로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 35]
Figure 112017068272580-pct00035
식(M6)으로 나타내어지는 화합물 등의, 식(M5)로 나타내어지는 화합물을 조성물(A)에 혼합함으로써, 예를 들어, 실온 하에 있어서의 호메오트로픽 배향 액정상의 안정성이 우수하고, 중합 전후에 있어서 균일한 배향성을 나타내는 등의 특징을 조성물(A)에 부여할 수 있다. 따라서, 조성물(A)로부터, 양호한 광학 이방성층을 형성할 수 있다.
조성물(A)은, 또한, 일본 공개특허공보 2006-307150호 기재의 중합성 액정 조성물을 구성하는 화합물을 포함할 수 있다. 이들 화합물을 포함함으로써, 호메오트로픽 배향 액정상의 안정성이 우수한 액정 조성물의 층을 형성할 수 있다.
〔2. 광학 보상 시트, 편광판, 및 액정 표시 장치〕
본 발명의 광학 보상 시트는, 상기 본 발명의 복층 필름으로부터 광학 이방성층을 박리하고, 이것을 장척상의 제2 기재에 첩합하여 이루어진다.
바람직한 태양에 있어서, 광학 보상 시트는, 광학 이방성층으로서, 경화 액정 분자가 원반상 액정 화합물의 경화물인 것을 구비한다. 또한, 특히 바람직한 태양에 있어서, 원반상 액정 화합물의 경화물은, 하이브리드 배향한 원반상 액정 화합물의 경화물이다. 이러한 광학 이방성층을 구비하는 광학 보상 시트에 의해, 트위스티드 네마틱형 액정 표시 장치 등의 액정 표시 장치의 시야각을 현저하게 개선하는 것이 가능하게 된다.
제2 기재의 일례로는, 광학 등방성의 기재 필름을 들 수 있다. 광학 등방성이란, 구체적으로는, 면내 리타데이션 Re가 10 nm 미만인 것이 바람직하고, 5 nm 미만인 것이 보다 바람직하다. 또한, 광학 등방성의 기재에서는, 두께 방향의 리타데이션 Rth도, 10 nm 미만인 것이 바람직하고, 5 nm 미만인 것이 보다 바람직하다. 면내 리타데이션 Re의 하한은, 0 nm로 할 수 있다. 두께 방향의 리타데이션 Rth의 하한은, -10 nm 초과인 것이 바람직하고, -5 nm 초과인 것이 보다 바람직하다. 두께 방향의 리타데이션 Rth는, 하기 식에 따라 산출한다.
Rth = [{(nx + ny)/2} - nz](식 중, nx는, 기재 필름 면내의 지상축 방향의 굴절률(면내의 최대 굴절률)이고, ny는, 기재 필름 면내의 지상축에 수직한 방향의 굴절률이고, nz는, 기재 필름의 두께 방향의 굴절률이며, d는, 기재 필름의 두께(nm)이다.)
광학 등방성의 기재 필름의 재료의 예로는, 위에 서술한 제1 기재 필름과 동일한 것 외에 셀룰로오스에스테르 등을 들 수 있다. 그러한 재료의 장척상 필름을 형성하여, 이것을 연신하지 않고, 그대로 제2 기재로서 사용할 수 있다. 제2 기재로서, 광학 등방성의 기재 필름을 구비하는 광학 보상 시트는, 그대로 표시 장치 등의 광학 장치에 결합하여, 광학 부재로서 사용할 수 있다.
본 발명의 광학 보상 시트의 제조에 있어서는, 복층 필름으로부터 광학 이방성층을 박리하고, 이것을 장척상의 제2 기재에 첩합하는 공정을 롤투롤의 조작으로 행할 수 있다.
본 발명의 광학 보상 시트는, 편광판 등의 구성 요소로서 사용할 수 있다. 또한, 당해 편광판은, 액정 표시 장치의 구성 요소로서 사용할 수 있다. 예를 들어, 광학 보상 시트를 장착한 편광판은, 트위스티드 네마틱형 액정 표시 장치의 편광판으로서 이용할 수 있다. 그러한 액정 표시 장치에 있어서, 광학 보상 시트는, 시인자측에서 본 표시 장치의 층 구성이 편광판/광학 보상 시트/액정 셀/광학 보상 시트/편광판이 되는 태양으로 형성할 수 있다.
〔3. λ/4 파장판〕
본 발명의 λ/4 파장판은, 상기 본 발명의 복층 필름으로부터 광학 이방성층을 박리하고, 이것을 장척상의 제2 기재에 첩합하여 이루어진다.
바람직한 태양에 있어서, λ/4 파장판은, 광학 이방성층으로서, 경화 액정 분자가 봉상 액정 화합물의 경화물인 것을 구비한다. 또한, 특히 바람직한 태양에 있어서, 봉상 액정 화합물의 경화물은, 호모지니어스 배향한 봉상 액정 화합물의 경화물이다. 보다 구체적으로는, λ/4 파장판에 있어서의 광학 이방성층은, 그 Re 및 지상축 방향 등의 광학 특성이, 위에 서술한 λ/4 파장판으로서 사용할 수 있는 광학 특성인 것이 바람직하다. 예를 들어, 바람직한 λ/4 파장판의 Nz 계수(= Rth/Re + 0.5)는 1.0 근방이다. 한편 λ/4 파장판을 구성하는 제2 기재로는, 위에 서술한 광학 보상 시트에 사용하는 것과 동일한 것을 사용할 수 있다.
본 발명의 λ/4 파장판의 제조에 있어서는, 복층 필름으로부터 광학 이방성층을 박리하고, 이것을 장척상의 제2 기재에 첩합하는 공정을 롤투롤의 조작으로 행할 수 있다.
〔4. 원 편광판 및 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치〕
본 발명의 원 편광판은, 상기 본 발명의 λ/4 파장판을 구비한다.
본 발명의 원 편광판의 구체적인 태양으로는, 하기의 두 가지 태양을 들 수 있다.
원 편광판(i): 장척상의 λ/4 파장판과, 장척상의 직선 편광자를 첩합하여 이루어지는 원 편광판.
원 편광판(ii): 장척상의 λ/4 파장판과, 장척상의 λ/2 파장판과, 장척상의 직선 편광자를 첩합하여 이루어지는 원 편광판.
원 편광판(ii)에 있어서, λ/2 파장판으로는, 본 발명의 복층 필름으로서, 광학 이방성층의 광학 특성이 λ/2 파장판으로서 사용할 수 있는 광학 특성이 되도록 조제한 것을 사용할 수도 있고, 그 이외의 기지의 λ/2 파장판을 사용할 수도 있다.
원 편광판(ii)에 있어서, λ/4 파장판의 지상축과, λ/2 파장판의 지상축과, 직선 편광자의 흡수축 또는 투과축의 관계는, 기지의 여러 가지 관계로 할 수 있다. 예를 들어, λ/4 파장판 및 λ/2 파장판의 양방으로서 본 발명의 복층 필름의 광학 이방성층을 사용하는 경우, 편광자의 흡수축 또는 투과축의 방향에 대한 λ/2 파장판의 지상축의 방향이 15°또는 그것에 가까운 각도(예를 들어 15°±5°, 바람직하게는 15°±4°, 보다 바람직하게는 15°±3°)이고, 편광자의 흡수축 또는 투과축의 방향에 대한 λ/4 파장판의 지상축의 방향이 75°또는 그것에 가까운 각도(예를 들어 75°±5°, 바람직하게는 75°±4°, 보다 바람직하게는 75°±3°)인 관계로 할 수 있다. 이러한 태양을 가짐으로써, 원 편광판을, 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치용의 광대역 반사 방지 필름으로서 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 어느 제품(복층 필름, 원 편광판, 표시 장치 등)에 있어서, 면내의 광학축(지상축, 투과축, 흡수축 등)의 방향 및 기하학적 방향(필름의 장척 방향 및 단척 방향 등)의 각도 관계는, 어느 방향의 시프트를 플러스, 다른 방향의 시프트를 마이너스로서 규정되고, 당해 플러스 및 마이너스의 방향은, 당해 제품 내의 구성 요소에 있어서 공통으로 규정된다. 예를 들어, 어느 원 편광판에 있어서, 「직선 편광자의 흡수축 또는 투과축의 방향에 대한 λ/2 파장판의 지상축의 방향이 15°이고 직선 편광자의 흡수축 또는 투과축의 방향에 대한 λ/4 파장판의 지상축의 방향이 75°이다」라는 것은, 하기의 두 가지 경우를 나타낸다:
·당해 원 편광판을, 그 어느 일방의 면으로부터 관찰하면, λ/2 파장판의 지상축의 방향이, 직선 편광자의 흡수축 또는 투과축의 방향으로부터 시계 방향으로 15°시프트되고, 또한 λ/4 파장판의 지상축의 방향이, 직선 편광자의 흡수축 또는 투과축의 방향으로부터 시계 방향으로 75°시프트되어 있다.
·당해 원 편광판을, 그 어느 일방의 면으로부터 관찰하면, λ/2 파장판의 지상축의 방향이, 직선 편광자의 흡수축 또는 투과축의 방향으로부터 반시계 방향으로 15°시프트되고, 또한 λ/4 파장판의 지상축의 방향이, 직선 편광자의 흡수축 또는 투과축의 방향으로부터 반시계 방향으로 75°시프트되어 있다.
원 편광판(i)의 보다 구체적인 태양으로는, 광학 이방성층으로서 λ/4 파장판을 1층 갖고, 직선 편광자의 흡수축 또는 투과축에 대한 λ/4 파장판의 지상축의 방향이 45°또는 그것에 가까운 각도(예를 들어 45°±5°, 바람직하게는 45°±4°, 보다 바람직하게는 45°±3°)인 관계의 태양을 들 수 있다. 이러한 태양을 가짐으로써, 원 편광판을 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치용의 반사 방지 필름으로서 사용할 수 있다.
원 편광판의 제조에 있어서는, 원 편광판을 구성하는 층을 롤투롤로 첩합함으로써, 효율적인 제조를 달성할 수 있다. 롤투롤에 의한 첩합이란, 장척상의 필름의 롤로부터 필름을 풀어내어, 이것을 반송하고, 반송 라인 상에서 다른 필름과의 첩합의 공정을 행하고, 또한 얻어진 첩합물을 권취하여 롤로 하는 태양의 첩합을 말한다.
직선 편광자로는, 액정 표시 장치, 및 그 밖의 광학 장치 등의 장치에 사용되고 있는 기지의 편광자를 사용할 수 있다. 직선 편광자의 예로는, 폴리비닐알코올 필름에 요오드 또는 2색성 염료를 흡착시킨 후, 붕산욕 중에서 1축 연신함으로써 얻어지는 것, 및 폴리비닐알코올 필름에 요오드 또는 2색성 염료를 흡착시켜 연신하고 또한 분자 사슬 중의 폴리비닐알코올 단위의 일부를 폴리비닐렌 단위로 변성함으로써 얻어지는 것을 들 수 있다. 직선 편광자의 다른 예로는, 그리드 편광자, 다층 편광자, 콜레스테릭 액정 편광자 등의 편광을 반사광과 투과광으로 분리하는 기능을 갖는 편광자를 들 수 있다. 이들 중 폴리비닐알코올을 함유하는 편광자가 바람직하다.
본 발명에 사용하는 편광자에 자연광을 입사시키면 일방의 편광만이 투과한다. 본 발명에 사용하는 편광자의 편광도는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 98% 이상, 보다 바람직하게는 99% 이상이다. 편광자의 평균 두께는 바람직하게는 5~80 μm이다.
본 발명의 원 편광판은, 필요에 따라 그 밖의 임의의 층을 갖고 있어도 된다. 임의의 층의 예로는, 다른 부재와 접착하기 위한 접착층, 필름의 미끄러짐성을 좋게 하는 매트층, 내충격성 폴리메타크릴레이트 수지층 등의 하드 코트층, 반사 방지층, 방오층 등을 들 수 있다.
본 발명의 원 편광판의 용도의 하나로서, 유기 일렉트로루미네센스 소자를 갖는 표시 장치의 반사 방지 필름으로서의 용도를 들 수 있다. 즉, 표시 장치의 표면에, 위에 서술한 구성을 갖는 원 편광판을, 직선 편광자측의 면이 시인측을 향하도록 형성함으로써, 장치 외부로부터 입사한 광이 장치 내에서 반사되어 장치 외부로 출사하는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 표시 장치의 표시면의 번쩍임 등의 원하지 않는 현상을 억제할 수 있다. 구체적으로는, 장치 외부로부터 입사한 광은, 그 일부의 직선 편광만이 직선 편광자를 통과하고, 다음으로 그것이 광학 이방성층을 통과함으로써 원 편광이 된다. 여기서 말하는 원 편광으로는, 실질적으로 반사 방지 기능을 발현하는 범위이면 타원 편광도 포함된다. 원 편광은, 장치 내의 광을 반사하는 구성 요소(유기 일렉트로루미네센스 소자 중의 반사 전극 등)에 의해 반사되고, 다시 광학 이방성층을 통과함으로써, 입사한 직선 편광의 편광축과 직교하는 방향으로 편광축을 갖는 직선 편광이 되어, 직선 편광자를 통과하지 않게 된다. 이에 의해, 반사 방지의 기능이 달성된다. 특히 위에 서술한 원 편광판(ii)이면, 광대역에서의 반사 방지의 기능이 달성된다. 본 발명의 원 편광판은, 광학 이방성층 중의 이물질 등에 의한 결함이 적기 때문에, 이러한 반사 방지의 효과를 특히 양호하게 얻을 수 있다. 또한, 광학 이방성층의 3차원 굴절률(nx, ny, nz)의 관계에 대하여, 예를 들어 「nx > ny = nz」 「nx > ny > nz」 「nx > nz > ny」 등의 관계를 갖는 광학 이방성층을 사용할 수 있다. 3차원 굴절률이 「nx > nz > ny」의 관계를 갖는 광학 이방성층으로 함으로써, 정면 방향의 반사 방지 기능뿐만 아니라, 경사 방향의 반사 방지 기능도 가질 수 있다.
실시예
이하, 실시예를 나타내어 본 발명에 대하여 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이하에 설명하는 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 청구범위 및 그 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에 있어서 임의로 변경하여 실시해도 된다.
이하의 설명에 있어서, 양을 나타내는 「%」 및 「부」는, 별도로 언급하지 않는 한 중량 기준이다. 또한, 이하에 설명하는 조작은, 별도로 언급하지 않는 한, 상온 및 상압의 조건에 있어서 행하였다.
<측정 방법>
(A) 제1 기재의 표면 장력
쿄와 계면 과학(주) 제조 Drop Master DM500을 사용하고, 각 실시예 및 비교예에서 조제한 제1 기재를 테이블에 세트하고, 표면 장력 측정용 액으로서 순수 A3(JIS K0557)을 사용하고, 액적법에 의해, 광학 이방성층을 형성하는 측의 표면의 접촉각 측정을 행하였다.
측정한 접촉각을 식 I에 대입함으로써, 제1 기재의 표면 장력을 구하였다.
cosθ = 0.0467·γS - 1.508 식 I
(θ: 순수의 접촉각(°), γS: 제1 기재의 표면 장력(mN/m))
(B) 액정 조성물의 표면 장력
쿄와 계면 과학(주) 제조 Drop Master DM500을 사용하고, 각 실시예 및 비교예에서 조제한 용액상의 액정 조성물을 표면 장력 측정용 액으로 하여, 표면 장력계를 사용하고, 현적법에 의해 상기 식 II를 이용하여 액정 조성물액의 표면 장력을 구하였다.
γL = g·ρ·(de)2H- 1 식 II
(γL: 액정 조성물의 표면 장력
g: 중력 가속도
ρ: 액 밀도
de: 최대 액적 직경
H-1: ds/de로부터 구해지는 보정항
ds: 액 하단에서 de 올라간 위치에서의 직경)
〔광학 특성의 평가 방법〕
실시예 및 비교예에서 얻어진 복층 필름의 광학 이방성층을 전사하고, 접착제(닛토덴코 제조, 상품명 「CS9621T」)를 개재하여 지환식 구조 함유 중합체 수지의 필름(제오노아 필름 ZF14-050, 주식회사 옵테스 제조)에 첩합하였다. 이에 의해 (지환식 구조 함유 중합체 수지의 필름)/(점착제층)/(광학 이방성층)의 층 구성을 갖는 광학 보상 시트 또는 λ/4 파장판을 제작하고, 이것을 이하의 평가에 사용하였다.
〔면내 리타데이션, 지상축 방향 및 배향 상태〕
광학 보상 시트 또는 λ/4 파장판을, AxoScan(Axometrics사 제조)을 사용하여, 측정 파장 550 nm로 측정하고, 배향 상태를 관찰하였다.
〔크로스니콜 투과율〕
광학 보상 시트 또는 λ/4 파장판을 2매의 직선 편광자(편광자 및 검광자) 사이에 두었다. 이 때, 상기의 직선 편광자는, 두께 방향에서 보았을 때, 서로의 편광 투과축이 수직이 되도록 방향을 설정하였다. 또한, 광학 이방성층의 지상축 방향은, 두께 방향에서 보았을 때, 직선 편광자의 편광 투과축과 평행 또는 수직이 되도록 설정하고, 이 샘플을 투과하는 광의 투과율(크로스니콜 투과율, 파장 550 nm)을, 닛폰 분광사 제조의 분광 광도계 「V7200」 및 자동 편광 필름 측정 장치 「VAP-7070S」를 사용하여 측정하였다.
〔액정 표시 장치에서의 평가〕
트위스티드 네마틱형 액정 셀(액정의 이상광과 정상광의 굴절률의 차와 액정 셀의 갭 사이즈의 곱 450 nm, 비틀림각 90°)에 장착된 2매의 편광판을 액정 셀로부터 박리하고, 실시예 1~3 그리고 비교예 1, 3, 4, 및 6에서 얻은 복층 필름을 사용하여 제작한 광학 보상 시트를 상기 박리한 편광판에 장착하고, 시인자측으로부터 편광판/광학 보상 시트/액정 셀/광학 보상 시트/편광판의 구성이 되도록 액정 셀에 장착하고, 액정 셀을 흑색 표시시켜, 이하의 평가 기준으로 평가하였다. 여기서 광학 보상 시트의 지환식 구조 함유 중합체 수지의 필름이 편광판측이 되도록 장착하였다.
양호: 흰 광 누출이 보이는 면적이, 전체 화면 중 10% 미만.
불량: 흰 광 누출이 보이는 면적이, 전체 화면 중 10% 이상.
〔유기 일렉트로루미네센스 표시 장치에서의 평가〕
편광 필름(산리츠사 제조, 상품명 「HLC2-5618S」, 두께 180 μm, 단척 방향에 대하여 90°의 방향으로 흡수축을 가짐)을 준비하였다. 이 일방의 면과, 실시예 4~6 그리고 비교예 2, 5 및 7에서 얻어진 복층 필름을 사용하여 제작한 λ/4 파장판을 첩합하였다. 첩합은 점착제층(닛토덴코 제조, 상품명 「CS9621T」)을 개재하여 행하였다. 이에 의해 (편광자)/(점착제층)/(제2 기재)/(λ/4 파장판)의 층 구성을 갖는 원 편광판을 얻었다. 실시예 7에 대해서는, 공정(7-6)에서 얻어진 원 편광판을 그대로 사용하였다.
시판의 RGB 발색의 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치 패널(SAMSUNG사 제조)로부터 터치 패널을 떼어냈다. 발광 패널 상에 상기에서 제작한 원 편광판을 배치하여, 흑색 표시, 명시야 하에서 관찰하고, 하기의 평가 기준으로 평가하였다.
양호: 흰 광 누출이 보이는 면적이, 전체 화면 중 10% 미만.
불량: 흰 광 누출이 보이는 면적이, 전체 화면 중 10% 이상.
〔실시예 1〕
(1-1. 제1 기재의 조제)
두께 100 μm, 폭 1330 mm의 장척의 지환식 구조 함유 중합체 수지의 필름(제오노아 필름 ZF14-100, 주식회사 옵테스 제조)에 코로나 처리(출력 0.2 kW, 전극폭 1600 mm, 처리 속도 20 m/min)를 실시하고, 그 후 텐터 연신기에 공급하여, 연신 온도 145℃, 연신 배율 1.5배로 경사 연신하였다. 이에 의해, 연신 방향(단척 방향에 대한 방향) 45°, 코로나 처리된 측의 면의 표면 장력 35.2 mN/m의 제1 기재를 얻었다.
(1-2. 액정 조성물의 조제)
셀룰로오스아세테이트부티레이트(코닥 케미컬사 제조, 상품명: CAB-531-1) 6 부, 일본 공개특허공보 평9-95467을 참조하여 합성한 원반상 화합물 D1(R은, 모두 -O-C(=O)-Ph-O-C4H8-O-C(=O)-CH=CH2) 100 부, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트(토쿄 화성사 제조) 10 부, 광중합 개시제로서 이르가큐어 907(BASF 제조) 2 부 및 메틸에틸케톤 400 부를 혼합하여, 액정 조성물을 조제하였다. 얻어진 액정 조성물에 대하여 표면 장력을 측정한 결과, 28.3 mN/m이었다.
(1-3. 광학 이방성층의 형성)
(1-1)에서 얻은 제1 기재의 코로나 처리된 측의 면에, (1-2)에서 얻은 액정 조성물을 바 코터에 의해 도포하여, 액정 조성물의 층을 형성하였다. 이것을 140℃의 가열 존에 넣어 가열 상태에서 2분간 방치 후, 질소 분위기 하, 적산 광량 100 mJ/cm2(조사 강도 10 mW/cm2를 조사 시간 10초) 이상의 자외선을 조사하여, 자외선 조사를 행함으로써 가교 반응시켰다. 이에 의해 막두께 2.0 μm의 광학 이방성층을 형성하여, (제1 기재)/(광학 이방성층)의 층 구성을 갖는 복층 필름을 얻었다.
(1-4. 평가)
얻어진 복층 필름의 광학 이방성층에 대하여, 지상축과 단척 방향이 이루는 각도의 측정, 크로스니콜 투과율의 측정, 및 액정 표시 장치에서의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 정리하여 나타낸다. 얻어진 광학 이방성층의 배향 상태는, 단척 방향에 대하여 45°의 하이브리드 배향이고, 면내 방향의 리타데이션 Re는 30 nm였다.
〔실시예 2〕
(2-1. 제1 기재의 조제)
두께 100 μm, 폭 1330 mm의 장척의 지환식 구조 함유 중합체 수지의 필름(제오노아 필름 ZF14-100, 주식회사 옵테스 제조)에 코로나 처리(출력 0.2 kW, 전극폭 1600 mm, 처리 속도 20 m/min)를 실시하였다. 이 코로나 처리된 면에 폴리비닐알코올(상품명 「PVA226」, 주식회사 쿠라레 제조)의 5 wt% 수용액을 #4 바로 도포하고, 120℃에서 5분간 건조하여, 폴리비닐알코올의 막을 형성하여, (폴리비닐알코올층)/(지환식 구조 함유 중합체 수지의 필름)의 층 구성을 갖는 연신 전 기재를 얻었다. 이것을 텐터 연신기에 공급하여, 연신 온도 145℃, 연신 배율 1.5배로 경사 연신하였다. 이에 의해, 연신 방향(단척 방향에 대한 방향) 45°, 폴리비닐알코올층측의 표면의 표면 장력 44.4 mN/m의 제1 기재를 얻었다. 배향막의 두께는 0.2 μm였다.
(2-2. 광학 이방성층의 형성)
(2-1)에서 얻은 제1 기재의 배향막측의 면에, 실시예 1의 (1-2)에서 얻은 액정 조성물을 바 코터에 의해 도포하여, 액정 조성물의 층을 형성하였다. 이것을 140℃의 가열 존에 넣어 가열 상태에서 2분간 방치 후, 자외선 조사를 행함으로써 가교 반응시켰다. 이에 의해 막두께 2.0 μm의 광학 이방성층을 형성하여, (제1 기재)/(광학 이방성층)의 층 구성을 갖는 복층 필름을 얻었다.
(2-3. 평가)
얻어진 복층 필름의 광학 이방성층에 대하여, 지상축과 단척 방향이 이루는 각도의 측정, 크로스니콜 투과율의 측정, 및 액정 표시 장치에서의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 정리하여 나타낸다. 얻어진 광학 이방성층의 배향 상태는, 단척 방향에 대하여 45°의 하이브리드 배향이고, 면내 방향의 리타데이션 Re는 35 nm였다.
〔실시예 3〕
(3-1. 제1 기재의 조제)
두께 80 μm, 폭 1330 mm의 장척의 TAC 필름(후지택 T-80)을, 40℃의 알칼리 온수 용액(0.1 M의 NaOH 수용액) 중에 4분간 침지시킨 후, 수세하고, 건조하여, 비누화 TAC 필름을 얻었다. 이것을 텐터 연신기에 공급하여, 연신 온도 185℃, 연신 배율 1.8배로 경사 연신하였다. 이에 의해, 연신 방향(단척 방향에 대한 방향) 45°, 표면 장력 37.4 mN/m의 제1 기재를 얻었다.
(3-2. 광학 이방성층의 형성)
(3-1)에서 얻은 제1 기재의 일방의 면에, 실시예 1의 (1-2)에서 얻은 액정 조성물을 바 코터에 의해 도포하여, 액정 조성물의 층을 형성하였다. 이것을 140℃의 가열 존에 넣어 가열 상태에서 2분간 방치 후, 자외선 조사를 행함으로써 가교 반응시켰다. 이에 의해 막두께 2.0 μm의 광학 이방성층을 형성하여, (제1 기재)/(광학 이방성층)의 층 구성을 갖는 복층 필름을 얻었다. 얻어진 광학 이방성층의 배향 상태는, 단척 방향에 대하여 45°의 하이브리드 배향이었다.
(3-3. 평가)
얻어진 복층 필름의 광학 이방성층에 대하여, 지상축과 단척 방향이 이루는 각도의 측정, 크로스니콜 투과율의 측정, 및 액정 표시 장치에서의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 정리하여 나타낸다. 얻어진 광학 이방성층의 배향 상태는, 단척 방향에 대하여 45°의 하이브리드 배향이고, 면내 방향의 리타데이션 Re는 40 nm였다.
〔실시예 4〕
(4-1. 액정 조성물의 조제)
식(B1)로 나타내어지는 역파장 분산 중합성 액정 화합물 21.25 부, 계면 활성제(상품명 「서플론 S420」, AGC 세이미 케미컬사 제조) 0.11 부, 중합 개시제(상품명 「이르가큐어 379」, BASF사 제조) 0.64 부, 및 용매(시클로펜타논, 닛폰 제온 주식회사 제조) 78.00 부를 혼합하여, 액정 조성물을 조제하였다. 얻어진 액정 조성물에 대하여, 표면 장력을 측정한 결과, 33.4 mN/m이었다.
[화학식 36]
Figure 112017068272580-pct00036
(4-2. 광학 이방성층의 형성)
실시예 1의 (1-1)에서 얻은 제1 기재의 코로나 처리된 측의 면에, (4-1)에서 얻은 액정 조성물을 다이 코터에 의해 도포하여, 액정 조성물의 층을 형성하였다. 이것을 110℃에서 2.5분간 배향 처리하였다. 그 후, 질소 분위기 하에서, 액정 조성물의 층에 적산 광량 100 mJ/cm2(조사 강도 10 mW/cm2를 조사 시간 10초) 이상의 자외선을 조사하여, 액정 조성물 중의 중합성 액정 화합물을 중합시켜, 경화 액정 분자를 형성하였다. 이에 의해, 건조 막두께 2.3 μm의 광학 이방성층을 얻어, (제1 기재)/(광학 이방성층)의 층 구성을 갖는 복층 필름을 얻었다.
(4-3. 평가)
얻어진 복층 필름의 광학 이방성층에 대하여, 지상축과 단척 방향이 이루는 각도의 측정, 크로스니콜 투과율의 측정, 및 OLED에서의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 정리하여 나타낸다. 얻어진 광학 이방성층의 배향 상태는, 단척 방향에 대하여 45°의 호모지니어스 배향이고, 면내 방향의 리타데이션 Re는 145 nm였다.
〔실시예 5 및 6〕
제1 기재로서, 실시예 1의 (1-1)에서 얻은 것 대신에, 실시예 2의 (2-1)에서 얻은 것(실시예 5), 또는 실시예 3의 (3-1)에서 얻은 것(실시예 6)을 사용한 것 외에는, 실시예 4와 동일하게 하여 복층 필름을 얻어 평가하였다. 제1 기재의 어느 면에 액정 조성물을 도포하는지에 대해서는, 실시예 2 및 3과 동일하게 하였다. 결과를 표 1에 정리하여 나타낸다. 얻어진 광학 이방성층의 배향 상태는, 실시예 5 및 6 모두, 단척 방향에 대하여 45°의 호모지니어스 배향이고, 면내 방향의 리타데이션 Re는 143 nm(실시예 5), 및 145 nm(실시예 6)였다.
〔실시예 7〕
(7-1. 제1 기재(75)의 조제)
연신 방향을 변경하고, 또한 연신 배율을 2.5배로 변경한 것 외에는, 실시예 2의 (2-1)과 동일하게 하여, 연신 방향(단척 방향에 대한 방향) 75°, 표면 장력 44.4 mN/m의 제1 기재(75)를 얻었다.
(7-2. 제1 기재(15)의 조제)
연신 방향을 변경한 것 외에는, 실시예 2의 (2-1)과 동일하게 하여, 연신 방향(단척 방향에 대한 방향) 15°, 표면 장력 44.4 mN/m의 제1 기재를 얻었다.
(7-3. 액정 조성물의 조제)
중합성 액정 화합물(상품명 「LC242」 BASF사 제조, 식(A1)로 나타내어지는 화합물) 24.15 부, 계면 활성제(상품명 「프터젠트 FTX-209F」, 네오스사 제조) 0.12 부, 중합 개시제(상품명 「이르가큐어 379」, BASF사 제조) 0.73 중량부, 및 용매(메틸에틸케톤) 75.00 부를 혼합하여, 액정 조성물을 조제하였다. 얻어진 액정 조성물에 대하여 표면 장력을 측정한 결과, 19.0 mN/m이었다.
[화학식 37]
Figure 112017068272580-pct00037
(7-4. 복층 필름(75)의 조제)
(7-1)에서 얻은 제1 기재(75)의 배향막측의 면에, (7-3)에서 얻은 액정 조성물을 바 코터에 의해 도포하여, 액정 조성물의 층을 형성하였다. 액정 조성물의 층은, 배향막 상에 있어서, 미세한 크레이터링에 기초하는 불균일이 발생하고 있었다. 이것을 110℃에서 2.5분간 배향 처리하였다. 그 후, 질소 분위기 하에서, 액정 조성물의 층에 적산 조도 100 mJ/cm2(조사 강도 10 mW/cm2를 조사 시간 10초) 이상의 자외선을 조사하여, 액정 조성물 중의 중합성 액정 화합물을 중합시켜, 경화 액정 분자를 형성하였다. 이에 의해, 건조 막두께 4.5 μm의 광학 이방성층을 얻어, (제1 기재)/(광학 이방성층)의 층 구성을 갖는 복층 필름(75)을 얻었다.
(7-5. 복층 필름(15)의 조제)
(7-2)에서 얻은 제1 기재(15)의 배향막측의 면에, (7-3)에서 얻은 액정 조성물을 바 코터에 의해 도포하여, 액정 조성물의 층을 형성하였다. 액정 조성물의 층은, 배향막 상에 있어서, 미세한 크레이터링에 기초하는 불균일이 발생하고 있었다. 이것을 110℃에서 2.5분간 배향 처리하였다. 그 후, 질소 분위기 하에서, 액정 조성물의 층에 적산 조도 100 mJ/cm2(조사 강도 10 mW/cm2를 조사 시간 10초) 이상의 자외선을 조사하여, 액정 조성물 중의 중합성 액정 화합물을 중합시켜, 경화 액정 분자를 형성하였다. 이에 의해, 건조 막두께 2.1 μm의 호모지니어스 배향한 광학 이방성층을 얻어, (제1 기재)/(광학 이방성층)의 층 구성을 갖는 복층 필름(15)을 얻었다.
(7-6. 원 편광판)
(7-4)에서 얻은 복층 필름(75)의 광학 이방성층을 λ/2 파장판으로서 사용하고, (7-5)에서 얻은 복층 필름(15)의 광학 이방성층을 λ/4 파장판으로서 사용하여, 원 편광판을 제조하였다.
먼저, 장척의 직선 편광자로서, 편광 필름(산리츠사 제조, 상품명 「HLC2-5618S」, 두께 180 μm, 단척 방향에 대하여 90°의 방향으로 흡수축을 가짐)을 준비하였다. 이 일방의 면과, 복층 필름(75)의 광학 이방성층(즉 λ/2 파장판)측의 면을 첩합하였다. 첩합은 점착제층(닛토덴코 제조, 상품명 「CS9621T」)을 개재하여 행하였다. 이에 의해 (편광자)/(점착제층)/(λ/2 파장판)/(제1 기재)의 층 구성을 갖는 적층체(7-i)를 얻었다.
다음으로, 적층체(7-i)로부터 제1 기재를 박리하여, (편광자)/(점착제층)/(λ/2 파장판)의 층 구성을 갖는 적층체(7-ii)를 얻었다.
다음으로, 적층체(7-ii)의 λ/2 파장판측의 면과, 복층 필름(15)의 광학 이방성층(즉 λ/4 파장판)측의 면을 첩합하였다. 첩합은 점착제층(닛토덴코 제조, 상품명 「CS9621T」)을 개재하여 행하였다. 이에 의해 (편광자)/(점착제층)/(λ/2 파장판)/(점착제층)/(λ/4 파장판)/(제1 기재)의 층 구성을 갖는 적층체(7-iii)를 얻었다.
다음으로, 적층체(7-iii)로부터 제1 기재를 박리하여, (편광자)/(점착제층)/(λ/2 파장판)/(점착제층)/(λ/4 파장판)의 층 구성을 갖는 원 편광판을 얻었다.
이들 첩합 및 박리의 조작은, 모두 롤투롤로 연속적으로 행하였다. 따라서, 첩합 조작은, 모두 장척의 필름의 장척 방향을 가지런히 한 상태에서 행하였다.
얻어진 원 편광판의 구성 요소의 광학축은, 도 3에 나타내는 각도 관계를 갖고 있었다. 즉, 편광자(304)측의 면으로부터 원 편광판(300)을 관찰한 경우에 있어서, 편광판의 흡수축(A34)은, 단척 방향(A31)과 90°의 각도를 이루고 있었다. λ/2 파장판(303)의 지상축(A33)은, 단척 방향(A31)으로부터 시계 방향으로 θ33 = 75°시프트되고, 또한, λ/4 파장판(302)의 지상축(A32)은, 단척 방향(A31)으로부터 시계 방향으로 θ32 = 15°시프트되어 있었다.
(7-7. 평가)
얻어진 복층 필름(75) 및 복층 필름(15)의 광학 이방성층에 대하여, 지상축과 단척 방향이 이루는 각도의 측정, 및 크로스니콜 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 표 1에 정리하여 나타낸다. 복층 필름(75)의 광학 이방성층의 배향 상태는, 단척 방향에 대하여 75°의 호모지니어스 배향이고, 복층 필름(15)의 광학 이방성층의 배향 상태는, 단척 방향에 대하여 15°의 호모지니어스 배향이었다. 복층 필름(75) 및 복층 필름(15)의 광학 이방성층의 어느 것에도, 실용상 문제 없지만, 미세한 크레이터링에 기초하는 불균일이 존재하였다. 복층 필름(75)의 광학 이방성층의 면내 방향의 리타데이션 Re는 275 nm였다. 복층 필름(15)의 광학 이방성층의 면내 방향의 리타데이션 Re는 143 nm였다.
또한 (7-6)에서 얻어진 원 편광판에 대하여, OLED에서의 평가를 행하였다. 평가시에, 도 3에 나타내는 바와 같이, 원 편광판(300)을 발광 패널(301) 상에 편광판(304)이 출광면측이 되도록 올려놓았다. 결과를 정리하여 표 1에 나타낸다.
〔실시예 8〕
(8-1. 제1 기재의 조제)
실시예 1과 동일하게 하여, 제1 기재를 얻었다.
(8-2. 액정 조성물의 조제)
중합성 액정 화합물(실시예 7에서 사용한 것과 동일한, 식(A1)로 나타내어지는 화합물) 68 부, 식(C1)로 나타내어지는 화합물 29 부, 광중합 개시제로서 이르가큐어 184(BASF 제조) 3 부 및 메틸에틸케톤 400 부를 혼합하여, 액정 조성물을 조제하였다. 얻어진 액정 조성물에 대하여 표면 장력을 측정한 결과, 25 mN/m이었다.
[화학식 38]
Figure 112017068272580-pct00038
(8-3. 광학 이방성층의 형성)
(8-1)에서 얻은 제1 기재의 코로나 처리된 측의 면에, (8-2)에서 얻은 액정 조성물을 바 코터에 의해 도포하여, 액정 조성물의 층을 형성하였다. 이것을 80℃의 가열 존에 넣어 가열 상태에서 2분간 방치 후, 질소 분위기 하, 적산 광량 100 mJ/cm2(조사 강도 10 mW/cm2를 조사 시간 10초) 이상의 자외선을 조사하여, 자외선 조사를 행함으로써 가교 반응시켰다. 이에 의해 막두께 2.0 μm의 광학 이방성층을 형성하여, (제1 기재)/(광학 이방성층)의 층 구성을 갖는 복층 필름을 얻었다.
(8-4. 평가)
얻어진 복층 필름의 광학 이방성층에 대하여, 지상축과 단척 방향이 이루는 각도의 측정, 크로스니콜 투과율의 측정, 및 액정 표시 장치에서의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 정리하여 나타낸다. 얻어진 광학 이방성층의 배향 상태는, 단척 방향에 대하여 45°의 하이브리드 배향이고, 면내 방향의 리타데이션 Re는 28 nm였다.
〔비교예 1 및 2〕
(1-1)의 제1 기재의 조제에 있어서 코로나 처리를 행하지 않은 것 외에는, 실시예 1과 동일(비교예 1) 또는 실시예 4와 동일(비교예 2)하게 하여, 복층 필름을 얻어 평가하였다. 코로나 처리를 행하지 않은 제1 기재의 표면의 표면 장력은 34.0 mN/m이었다. 결과를 표 2에 정리하여 나타낸다. 얻어진 광학 이방성층의 배향 상태는, 비교예 1에서는 무배향이고, 비교예 2에서는 단척 방향에 대하여 45°의 호모지니어스 배향이며, 광학 이방성층의 면내 방향의 리타데이션 Re는 139 nm였다.
〔비교예 3〕
(2-1)의 제1 기재의 조제에 있어서, 폴리비닐알코올을 폴리비닐알코올(상품명 「고세파이머 Z200」, 닛폰 합성 화학사 제조)로 변경한 것 외에는, 실시예 2와 동일하게 하여, 복층 필름을 얻어 평가하였다. 제1 기재의 배향막측의 표면의 표면 장력은 50.2 mN/m이었다. 결과를 표 2에 정리하여 나타낸다. 얻어진 광학 이방성층의 배향 상태는, 단척 방향에 대하여 대체로 45°의 하이브리드 배향이었지만, 면내 백화가 보이고 있고, 배향 방향이 불균일하여, 불량한 배향이었다. 광학 이방성층의 면내 방향의 리타데이션 Re는 50 nm였다.
〔비교예 4 및 5〕
(C4-1. 제1 기재의 조제)
두께 100 μm, 폭 1330 mm의 장척의 지환식 구조 함유 중합체 수지의 필름(제오노아 필름 ZF14-100, 주식회사 옵테스 제조)에 (코로나 처리 및 연신을 실시하지 않고), 단척 방향에 대하여 45°의 방향으로 러빙 처리를 실시하였다. 이에 의해, 러빙 처리된 측의 면의 표면 장력 31.7 mN/m의 제1 기재를 얻었다.
(C4-2. 광학 이방성층의 형성 및 평가)
제1 기재로서 (1-1)에서 얻은 것 대신에 (C4-1)에서 얻은 것을 사용하고, 러빙 처리된 측의 면에 광학 이방성층의 형성을 행한 것 외에는, 실시예 1과 동일(비교예 4) 또는 실시예 4와 동일(비교예 5)하게 하여, 복층 필름을 얻어 평가하였다. 결과를 표 2에 정리하여 나타낸다. 얻어진 광학 이방성층의 배향 상태는, 비교예 4에서는 단척 방향에 대하여 45°의 하이브리드 배향이고, 비교예 5에서는 단척 방향에 대하여 45°의 호모지니어스 배향이었다. 광학 이방성층의 면내 방향의 리타데이션 Re는 30 nm(비교예 4) 및 145 nm(비교예 5)였다.
〔비교예 6 및 7〕
TAC 필름을 비누화하지 않은 것 외에는, 실시예 3과 동일(비교예 6) 또는 실시예 6과 동일(비교예 7)하게 하여, 복층 필름을 얻어 평가하였다. 비누화하지 않은 TAC 필름의 표면의 표면 장력은 55.0 mN/m이었다. 결과를 표 2에 정리하여 나타낸다. 얻어진 광학 이방성층의 배향 상태는, 비교예 6에서는 무배향이고, 비교예 7에서는 단척 방향에 대하여 45°의 호모지니어스 배향이며, 광학 이방성층의 면내 방향의 리타데이션 Re는 139 nm였다.
[표 1]
Figure 112017068272580-pct00039
[표 2]
Figure 112017068272580-pct00040
표 1~2의 결과로부터, 본원 실시예에 있어서는, 표시 장치에 사용하였을 때에 표시 품질을 양호한 것으로 하기에 충분한 배향성이 얻어지는, 광학 이방성층을 갖는 복층 필름을, 기재의 연신 처리에 의한 배향 규제력 부여를 포함하는 효율적인 제조 공정으로 달성할 수 있는 것을 알 수 있다.
11: 원반상 액정 화합물
21: 제1 기재의 연신에 의한 배향 방향
22: 편각 0°방향
304: 편광자
300: 원 편광판
A34: 편광판의 흡수축
A31: 단척 방향
303: λ/2 파장판
A33: 지상축
302: λ/4 파장판
A32: 지상축
401: 세관
402: 액적

Claims (12)

  1. 장척상의 제1 기재와, 상기 제1 기재의 표면에 직접 형성된, 경화 액정 분자를 포함하는 광학 이방성층을 구비하는 복층 필름으로서,
    상기 제1 기재의 재료는 지환식 구조 함유 중합체를 포함하는 수지이고,
    상기 제1 기재의 상기 표면은, 그 표면 장력이 35~45 mN/m이고, 또한 연신에 의한 배향 규제력을 보유하고,
    상기 광학 이방성층이, 상기 제1 기재의 연신에 의한 배향 방향과 이루는 각이 5° 이내인 방향을 따른 지상축을 갖는, 복층 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기재가, 복수의 층으로 이루어지는, 복층 필름.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 경화 액정 분자가, 원반상 액정 화합물의 경화물인, 복층 필름.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 경화 액정 분자가, 봉상 액정 화합물의 경화물인, 복층 필름.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 복층 필름의 제조 방법으로서,
    경화성 액정 화합물을 포함하는 액정 조성물을 장척상의, 지환식 구조 함유 중합체를 포함하는 수지를 재료로 하는 제1 기재 상에 도포하여, 액정 조성물의 층을 형성하고,
    상기 액정 조성물의 층에 있어서의 경화성 액정 화합물을 상기 제1 기재의 연신에 의한 배향 방향과 이루는 각이 5° 이내인 방향을 따라 호모지니어스 배향 또는 하이브리드 배향시키고,
    상기 경화성 액정 화합물을 중합시켜, 경화 액정 분자를 형성하는
    것을 포함하는 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 액정 조성물이, 표면 장력 20~35 mN/m의 액체인, 제조 방법.
  7. 제1항, 제2항, 또는 제3항에 기재된 복층 필름으로부터 광학 이방성층을 박리하고,
    상기 광학 이방성층을 제2 기재에 첩합하여 이루어지는, 광학 보상 시트.
  8. 제1항, 제2항, 또는 제4항에 기재된 복층 필름으로부터 광학 이방성층을 박리하고,
    상기 광학 이방성층을 제2 기재에 첩합하여 이루어지는, λ/4 파장판.
  9. 제7항에 기재된 광학 보상 시트를 구비하는 편광판.
  10. 제8항에 기재된 λ/4 파장판을 구비하는 원 편광판.
  11. 제9항에 기재된 편광판을 구비하는 액정 표시 장치.
  12. 제10항에 기재된 원 편광판을 구비하는 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치.
KR1020177019883A 2015-01-30 2016-01-28 복층 필름, 그 용도 및 제조 방법 Active KR102535200B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-017335 2015-01-30
JP2015017335 2015-01-30
PCT/JP2016/052456 WO2016121856A1 (ja) 2015-01-30 2016-01-28 複層フィルム、その用途、及び製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170107445A KR20170107445A (ko) 2017-09-25
KR102535200B1 true KR102535200B1 (ko) 2023-05-19

Family

ID=56543461

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177019883A Active KR102535200B1 (ko) 2015-01-30 2016-01-28 복층 필름, 그 용도 및 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10712484B2 (ko)
JP (2) JP6790836B2 (ko)
KR (1) KR102535200B1 (ko)
CN (1) CN107209310B (ko)
TW (1) TWI672361B (ko)
WO (1) WO2016121856A1 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102297989B1 (ko) 2017-04-13 2021-09-02 엘지디스플레이 주식회사 액정캡슐을 포함하는 액정표시장치 및 그 제조방법
US11175443B2 (en) 2017-04-20 2021-11-16 Lg Chem, Ltd. Optical filter for anti-reflection and organic light-emitting device
US10890769B2 (en) * 2017-10-26 2021-01-12 Magic Leap, Inc. Augmented reality display having liquid crystal variable focus element and roll-to-roll method and apparatus for forming the same
JP7363484B2 (ja) * 2017-12-12 2023-10-18 日本ゼオン株式会社 液晶配向層及びその製造方法、光学フィルム及びその製造方法、１／４波長板、偏光板並びに有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
JP7353052B2 (ja) 2019-03-27 2023-09-29 日東電工株式会社 積層光学フィルムおよびその製造方法、偏光板、ならびに画像表示装置
CN110133864A (zh) * 2019-05-30 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 立体显示装置及其制造方法
TWI720883B (zh) * 2020-04-30 2021-03-01 明基材料股份有限公司 電激發光顯示器
KR102623956B1 (ko) * 2020-05-24 2024-01-10 루머스 리미티드 복합 도광 광학 요소의 제조 방법
JP7507039B2 (ja) 2020-08-21 2024-06-27 日東電工株式会社 光学フィルムの製造方法
JP6986615B1 (ja) 2020-11-16 2021-12-22 日東電工株式会社 光学フィルムの製造方法
JP7745340B2 (ja) 2020-11-16 2025-09-29 日東電工株式会社 光学フィルムの製造方法
WO2022255076A1 (ja) 2021-05-31 2022-12-08 日本ゼオン株式会社 基材フィルム、光学積層体及びその製造方法、並びに、偏光板の製造方法
JP7598297B2 (ja) 2021-06-28 2024-12-11 富士フイルム株式会社 光学フィルム、円偏光板、画像表示装置
CN116148966A (zh) * 2022-12-28 2023-05-23 福州恒美光电材料有限公司 一种补偿膜的制备方法、补偿膜以及显示设备
WO2024204065A1 (ja) * 2023-03-31 2024-10-03 富士フイルム株式会社 光学積層体、表示装置、センサー

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2631015B2 (ja) * 1989-06-06 1997-07-16 株式会社リコー 液晶性高分子の配向方法
JP2008209509A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Nippon Zeon Co Ltd 円偏光分離シート、製造方法及び液晶表示装置

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5250214A (en) * 1990-04-09 1993-10-05 Ricoh Company, Ltd. Liquid crystal color display device provided with a color filter film and an optical phase plate comprising liquid crystal polymer
DE4408171A1 (de) 1994-03-11 1995-09-14 Basf Ag Neue polymerisierbare flüssigkristalline Verbindungen
JP2587398B2 (ja) 1994-05-31 1997-03-05 富士写真フイルム株式会社 光学補償シート、液晶表示装置及びカラー液晶表示装置
JPH0995467A (ja) 1995-09-29 1997-04-08 Fuji Photo Film Co Ltd 円盤状化合物の製造方法
JPH1152131A (ja) 1997-08-01 1999-02-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd 位相差板及びそれを用いた偏光素子
JP2001091741A (ja) * 1999-09-22 2001-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 位相差板および円偏光板
JP4590663B2 (ja) * 1999-10-29 2010-12-01 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタの製造方法
US6531195B2 (en) 2000-03-29 2003-03-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Process for orienting rod-like liquid crystal molecules
JP4320129B2 (ja) 2000-03-29 2009-08-26 富士フイルム株式会社 棒状液晶性分子を配向させる方法、光学補償シートおよび偏光板
DE10016524A1 (de) 2000-04-03 2001-10-04 Basf Ag Polymerisierbare Flüssigkristalle
JP2002321302A (ja) 2001-04-26 2002-11-05 Nippon Zeon Co Ltd 脂環式構造含有重合体樹脂積層体
JP2003207641A (ja) 2001-11-08 2003-07-25 Dainippon Printing Co Ltd 位相差層積層体およびその製造方法
JP4169268B2 (ja) 2002-09-13 2008-10-22 日東電工株式会社 被膜シートの製造方法、光学機能層、光学素子および画像表示装置
JP4231269B2 (ja) * 2002-10-23 2009-02-25 積水化学工業株式会社 位相差補償フィルムの製造方法
JP4190275B2 (ja) * 2002-12-16 2008-12-03 富士フイルム株式会社 光学フィルム及びそれを用いた偏光板及び液晶表示装置
JP4507490B2 (ja) 2002-12-26 2010-07-21 チッソ株式会社 光重合性液晶組成物および液晶フィルム
TWI265325B (en) * 2003-01-23 2006-11-01 Nippon Oil Corp Manufacturing method of optically laminated body, elliptic polarization plate formed by the laminated body, circular polarization plate and liquid crystal display apparatus
JP2005017574A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Fuji Photo Film Co Ltd 光学補償シート、偏光板および液晶表示装置
JP4721721B2 (ja) 2004-02-18 2011-07-13 株式会社Adeka 重合性化合物及び該化合物を含有する重合性液晶組成物
TW200630716A (en) * 2004-12-24 2006-09-01 Matsushita Electric Works Ltd Liquid crystal display apparatus
JP4894258B2 (ja) 2005-03-29 2012-03-14 Ｊｎｃ株式会社 重合性液晶組成物および光学異方性薄膜
JP5377959B2 (ja) * 2005-06-10 2013-12-25 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ホメオトロピック配向の材料
JP2007119415A (ja) 2005-10-31 2007-05-17 Adeka Corp 縮合環を有する重合性液晶化合物並びに該重合性液晶化合物の単独重合物及び共重合物
JP4545095B2 (ja) 2006-01-11 2010-09-15 株式会社Adeka 新規重合性化合物
JP2008176304A (ja) * 2006-12-22 2008-07-31 Jsr Corp 液晶配向剤、液晶配向膜、液晶表示素子および光学部材
JP5045182B2 (ja) * 2007-03-27 2012-10-10 日本ゼオン株式会社 円偏光分離シート、製造方法及び液晶表示装置
JP4475305B2 (ja) * 2007-09-06 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 配向膜形成用組成物、液晶装置の製造方法
JP5294833B2 (ja) 2008-12-24 2013-09-18 富士フイルム株式会社 光学補償フィルムの製造方法
DK2251454T3 (da) * 2009-05-13 2014-10-13 Sio2 Medical Products Inc Coating og inspektion af beholder
US9138965B2 (en) * 2009-10-30 2015-09-22 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Conductive fibrous materials
JP5481306B2 (ja) * 2010-07-30 2014-04-23 富士フイルム株式会社 積層体、光学フィルムおよびそれらの製造方法、偏光板、画像晶表示装置、立体画像表示システム
JP5703187B2 (ja) * 2010-10-14 2015-04-15 富士フイルム株式会社 光学フィルム、偏光板、及び画像表示装置
KR101985943B1 (ko) 2011-04-27 2019-06-04 제온 코포레이션 중합성 화합물, 중합성 조성물, 고분자, 및 광학 이방체
TWI612379B (zh) * 2015-02-26 2018-01-21 Rohm And Haas Electronic Materials Llc 用於定向自組裝的共聚物調配物、其製造方法以及包括其的物件

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2631015B2 (ja) * 1989-06-06 1997-07-16 株式会社リコー 液晶性高分子の配向方法
JP2008209509A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Nippon Zeon Co Ltd 円偏光分離シート、製造方法及び液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20170363790A1 (en) 2017-12-21
JPWO2016121856A1 (ja) 2017-11-09
TW201638304A (zh) 2016-11-01
CN107209310A (zh) 2017-09-26
US10712484B2 (en) 2020-07-14
JP6790836B2 (ja) 2020-11-25
WO2016121856A1 (ja) 2016-08-04
KR20170107445A (ko) 2017-09-25
TWI672361B (zh) 2019-09-21
CN107209310B (zh) 2020-11-06
JP2020160465A (ja) 2020-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102535200B1 (ko) 복층 필름, 그 용도 및 제조 방법
US10895783B2 (en) Method for manufacturing a multilayer film comprising a step of directly applying a liquid crystal composition containing a polymerizable liquid crystal compound onto a surface of a fed-out first substrate
KR102617303B1 (ko) 광학 필름용 전사체, 광학 필름, 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치, 및 광학 필름의 제조 방법
KR20180096615A (ko) 광학 이방성층 및 그 제조 방법, 광학 이방성 적층체 그리고 원 편광판
JP2015111257A (ja) 樹脂フィルム、λ／４板、円偏光板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び製造方法
KR102581852B1 (ko) 복층 필름, 광학 이방성 적층체, 원편광판, 유기 일렉트로 루미네선스 표시 장치, 및 제조 방법
JP2017029917A (ja) 塗工装置、塗工フィルムの製造方法、及び、塗工フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20170717

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20210108

Comment text: Request for Examination of Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20221020

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20230427

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20230517

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20230517

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration