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KR102503578B1 - 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 - Google Patents

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 Download PDF

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KR102503578B1
KR102503578B1 KR1020170083703A KR20170083703A KR102503578B1 KR 102503578 B1 KR102503578 B1 KR 102503578B1 KR 1020170083703 A KR1020170083703 A KR 1020170083703A KR 20170083703 A KR20170083703 A KR 20170083703A KR 102503578 B1 KR102503578 B1 KR 102503578B1
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red
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Abstract

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 발광소자 모듈을 구비하며, 상기 발광소자 모듈은, 적색을 발광하는 적색 반도체 발광소자와, 상기 적색 반도체 발광소자의 상면에 배치되는 녹색 반도체 발광소자와, 상기 녹색 반도체 발광소자의 상면에 배치되는 청색 반도체 발광소자와, 상기 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자의 각각에 개별 신호를 공급하는 개별 전극부, 및 상기 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자에 공통 신호를 공급하는 공통 전극부를 포함한다.

Description

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치{DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않다는 취약점이 존재한다.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다.
이와 같이, 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이의 경우에 고정세의 디스플레이를 구현할 수 있다. 다만, 400ppi 이상의 고정세의 경우에는 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자를 배치하여, RGB 컬러를 구현하는 것이 기술적으로 어렵다. 이는 각각의 서브 셀 간의 피치 값이 극단적으로 작아져야 하기 때문이다. 따라서, 본 발명에서는 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자를 적층하는 구조를 제시하여 이러한 문제를 해결한다.
본 발명의 일 목적은 디스플레이 장치에서 반도체 발광소자를 이용하면서 고정세를 구현하는 구조를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 목적은, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광소자를 적층한 구조에서 적색, 녹색 및 청색의 광을 선택적으로 출력할 수 있는 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에서, 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자를 파장이 짧은 광원이 아래에 위치하도록 적층하여, 좁은 면적에서 적색, 녹색 및 청색의 광을 선택적으로 출력하는 발광소자 모듈을 구현한다. 또한, 이 경우에 분산 브레그 반사경을 반도체 발광소자와 함께 적층할 수 있다.
구체적으로, 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 발광소자 모듈을 구비하고, 상기 발광소자 모듈은, 적색을 발광하는 적색 반도체 발광소자와, 상기 적색 반도체 발광소자의 상면에 배치되는 녹색 반도체 발광소자와, 상기 녹색 반도체 발광소자의 상면에 배치되는 청색 반도체 발광소자와, 상기 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자의 각각에 개별 신호를 공급하는 개별 전극부, 및 상기 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자에 공통 신호를 공급하는 공통 전극부를 포함한다.
실시 예에 있어서, 상기 적색 반도체 발광소자와 상기 녹색 반도체 발광소자의 사이에는 적색은 투과하고 녹색은 반사하는 제1 분산 브레그 반사경(distributed Bragg reflectors, DBR)이 배치된다.
상기 녹색 반도체 발광소자와 상기 청색 반도체 발광소자의 사이에는 녹색 및 적색은 투과하고 청색은 반사하는 제2 분산 브레그 반사경이 배치될 수 있다. 상기 적색 반도체 발광소자의 하면에는 적색을 반사하는 제3 분산 브레그 반사경이나 금속 미러가 배치될 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 적색 반도체 발광소자를 덮도록 제1광투과성 접착층이 배치되며, 상기 제1광투과성 접착층에 상기 녹색 반도체 발광소자가 부착된다.
상기 개별 전극부는 상기 적색 반도체 발광소자와 전기적으로 연결되는 적색 전극부를 구비하고, 상기 적색 전극부는 상기 제1광투과성 접착층에 의하여 덮일 수 있다. 상기 녹색 반도체 발광소자를 덮도록 제2광투과성 접착층이 배치되며, 상기 제2광투과성 접착층에 상기 청색 반도체 발광소자가 부착될 수 있다. 상기 제2광투과성 접착층은 상기 제1광투과성 접착층을 덮도록 상기 적색 반도체 발광소자를 향하여 연장될 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 개별 전극부는 상기 녹색 반도체 발광소자와 전기적으로 연결되는 녹색 전극부를 구비하고, 상기 녹색 전극부는 상기 제1광투과성 접착층의 일면을 따라 연장된다. 상기 녹색 전극부는 상기 제2광투과성 접착층에 의하여 덮일 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 개별 전극부는 상기 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자에 각각 연결되는 적색 전극부, 녹색 전극부 및 청색 전극부를 구비하고, 상기 적색 전극부, 녹색 전극부 및 청색 전극부는 상기 발광모듈의 서로 다른 변에 배치된다. 상기 공통 전극부는 상기 발광모듈에서 상기 적색 전극부, 녹색 전극부 및 청색 전극부가 배치되지 않은 변에 배치될 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자의 순으로 면적이 작아질 수 있다. 상기 발광소자 모듈은 기판상에서 열과 행을 따라 순차적으로 배열되는 발광소자 모듈들 중 어느 하나가 될 수 있다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자를 파장이 짧은 광원이 아래에 위치하도록 적층하여, 적층형 RGB 발광소자 모듈을 제시한다. 또한, 이를 통하여 서브 셀의 크기에 대한 제한과 셀간 피치의 제한 문제를 해결하며, 따라서 고정세가 높은 디스플레이 장치가 구현될 수 있다.
또한, 본 발명에서는 분산 브레그 반사경을 서로 다른 색상이 반도체 발광소자의 사이에 배치하여, 컬러간의 혼색 문제를 해결한다. 즉, 녹색의 빛은 적색 반도체 발광소자를 여기하나, 녹색을 반사하는 분산 브레그 반사경이 하부에 배치되어 적색 반도체 발광소자로 향하는 빛을 상부로 반사시킨다. 반면에, 적색 반도체 발광소자의 적색 빛은 분산 드레그 반사경을 투과하여 상부로 방출될 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한 부분 사시도이다.
도 11은 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이다.
도 12는 도 10에 도시된 화소의 구성을 설명하기 위한 회로도이다.
도 13은 도 10의 발광소자 모듈을 나타내는 확대도이다.
도 14는 도 10의 발광소자 모듈을 나타내는 평면도이다.
도 15는 도 10의 발광소자 모듈에서 적색, 녹색, 청색의 빛이 출력되는 개념을 나타내는 개념도이다.
도 16은 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 다른 실시 예를 나타내는 개념도이다.
도 17은 도 16의 라인 F-F를 따라 취한 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다.
플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.
기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.
도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.
또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다.
발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.
이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.
이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.
그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.
그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.
마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.
이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.
이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.
수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다.
개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다.
제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.
만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.
만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.
또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
상기에서 설명된 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에서는 웨이퍼 상에서 성장되어, 메사 및 아이솔레이션을 통하여 형성된 반도체 발광소자가 개별 화소로 이용된다. 웨이퍼 상에서 성장된 반도체 발광소자를 배선기판으로 전사하는 방식이므로, 400ppi 이상 고정세가 높은 디스플레이에는 3종류의 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자를 배치하여 RGB 컬러를 구현하는 것은 기술적으로 대단히 어렵다. 각각의 서브 셀 간의 피치 값이 극단적으로 작아져야 하기 때문이며, 10 마이크로미터 미만의 micro LED 를 선택 전사하는 기술이 필요하게 된다. 나아가, 서브 셀 간의 크로스토크(color crosstalk) 등의 문제로 픽셀 간의 거리한계(spacing limit)가 존재한다.
본 발명에서는, 이러한 문제를 해결하기 위하여 마이크로 red/green/red LED를 적층하는 구조를 적용한다. 이하, 이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한 부분 사시도이고, 도 11은 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이며, 도 12는 도 10에 도시된 화소의 구성을 설명하기 위한 회로도이고, 도 13은 도 10의 발광소자 모듈을 나타내는 확대도이고, 도 14는 도 10의 발광소자 모듈을 나타내는 평면도이며, 도 15는 도 10의 발광소자 모듈에서 적색, 녹색, 청색의 빛이 출력되는 개념을 나타내는 개념도이다.
도 10, 도 11, 도 12, 도 13, 도 14 및 도 15의 도시에 의하면, 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)로서 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광소자에도 적용 가능하다.
도시에 의하면, 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)로서 액티브 매트릭스의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)를 예시한다.
디스플레이 장치(1000)는 기판(1010) 및 복수의 반도체 발광소자를 포함한다.
기판(1010)은 박막 트랜지스터 어레이 기판으로서, 유리 또는 플라스틱 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(1010)은 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
상기 복수의 반도체 발광소자는, 도 4를 참조하여 전술한 구조를 가지는 반도체 발광소자들이 적층되어, 발광소자 모듈(1050)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광소자 모듈(1050)은 적색을 발광하는 적색 반도체 발광소자(1051), 녹색을 발광하는 녹색 반도체 발광소자(1052) 및 청색을 발광하는 청색 반도체 발광소자(1053)을 구비할 수 있다.
상기 녹색 반도체 발광소자(1052) 및 청색 반도체 발광소자(1053)는 각각 도 4를 참조하여 전술한 구조를 가질 수 있으며, 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 녹색이나 청색의 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다. 이러한 예로서, 상기 복수의 반도체 발광소자(1050)는 n-Gan, p-Gan, AlGaN, InGan 등 다양한 계층으로 형성되는 질화갈륨 박막이 될 수 있으며, 구체적으로 상기 p형 반도체층은 P-type GaN 이고, 상기 n형 반도체층은 N-type GaN 이 될 수 있다. 다만, 적색 반도체 발광소자(1051)의 경우에는, 상기 p형 반도체층은 P-type GaAs 이고, 상기 n형 반도체층은 N-type GaAs 가 될 수 있다.
또한, 본 예시에서 p형 반도체층은 p 전극 쪽은 Mg가 도핑된 P-type GaN 이고, n형 반도체층은 n 전극 쪽은 Si가 도핑된 N-type GaN 인 경우가 될 수 있다. 이 경우에, 전술한 반도체 발광소자들은 활성층이 없는 반도체 발광소자가 될 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광소자는 마이크로 발광 다이오드 칩이 될 수 있다. 여기서, 마이크로 발광 다이오드 칩은 서브 화소에서 발광 영역의 크기보다 작은 단면적을 가질 수 있으며, 이러한 예로서, 1 내지 100 마이크로 미터의 스케일을 가질 수 있다.
상기 반도체 발광소자는 마이크로 엘이디로 지칭 될 수 있으며, 25 내지 250000 마이크로미터제곱의 면적의 범위를 가지며, 칩의 두께는 약 2 내지 10 마이크로 미터가 될 수 있다,
도 13을 참조하면, 상기 적색 반도체 발광소자(1051), 녹색 반도체 발광소자(1052) 및 청색 반도체 발광소자(1053)는 각각 제1도전형 전극(1156), 제1도전형 전극(1156)이 형성되는 제1도전형 반도체층(1155), 제1도전형 반도체층(1155) 상에 형성된 활성층(1154), 활성층(1154) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(1153) 및 제2도전형 반도체층(1153) 상에서 제1도전형 전극(1156)과 수평방향으로 이격 배치되는 제2도전형 전극(1152)을 포함한다. 이 경우에, 상기 제2도전형 전극은 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 배치되며, 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 타면에는 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)이 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제1도전형 반도체층(1155)은 각각 p형 전극 및 p형 반도체층이 될 수 있으며, 상기 제2도전형 전극(1152) 및 제2도전형 반도체층(1153)은 각각 n형 전극 및 n형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.
도시에 의하면, 상기 제1도전형 반도체층(1155)과 활성층(1154)은 일부가 메사 식각되어, 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일부만을 덮게 된다. 따라서, 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 상면 중 일부는 외부로 노출되고, 다른 일부는 상기 상기 제1도전형 반도체층(1155)과 활성층(1154)에 의하여 덮이게 된다. 이 경우에, 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 하면에는 언도프된(Undoped) 반도체층(미도시)이 형성될 수 있다.
도 13을 참조하면, 상기 제1도전형 반도체층(1155)과 제2도전형 반도체층(1153)의 상면은 상기 배선기판에 먼 면이 될 수 있고, 상기 제1도전형 반도체층(1155)과 제2도전형 반도체층(1153)의 하면은 상기 배선기판에 가까운 면이 될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 녹색 반도체 발광소자(1052)는 상기 적색 반도체 발광소자(1051)의 상면에 배치되고, 상기 청색 반도체 발광소자(1053)는 상기 녹색 반도체 발광소자(1052)의 상면에 배치된다.
보다 구체적으로, 상기 적색 반도체 발광소자(1051)는 접착층(1031)을 통하여 상기 기판에 부착될 수 있다. 이 경우에 앞선 실시예에서 설명한 전도성 접착층은 배제될 수 있다. 또한, 상기 녹색 반도체 발광소자(1052)는 상기 적색 반도체 발광소자(1051)의 상면에 부착된다. 이를 위하여, 상기 적색 반도체 발광소자(1051)를 덮도록 제1광투과성 접착층(1032)이 배치되며, 상기 제1광투과성 접착층(1032)에 상기 녹색 반도체 발광소자(1052)가 부착될 수 있다.
또한, 상기 청색 반도체 발광소자(1053)는 상기 녹색 반도체 발광소자(1052)의 상면에 부착된다. 이를 위하여, 상기 녹색 반도체 발광소자(1052)를 덮도록 제2광투과성 접착층(1033)이 배치되며, 상기 제2광투과성 접착층(1033)에 상기 청색 반도체 발광소자(1053)가 부착될 수 있다.
이와 같이, 적색 반도체 발광소자(1051), 녹색 반도체 발광소자(1052) 및 청색 반도체 발광소자(1053)를 파장이 짧은 광원이 아래에 위치하도록 적층하고, 광투과성 접착층을 이용하여 서로 부착함에 따라, 좁은 면적에서 적색, 녹색 및 청색의 광을 선택적으로 출력하는 발광소자 모듈(1050)이 구현된다.
이와 같이, RGB 적층을 통한 컬러 구현에서 중요한 문제는 컬러 간의 혼색이다. 상대적으로 에너지가 높은 즉 파장이 짧은 광원은 파장이 긴 광원을 여기할 수 있다. 예를 들어 녹색만 켜고 싶은 데, 녹색 반도체 발광소자는 하부의 적색 반도체 발광소자를 광학적으로 여기 하게 된다. 이러한 현상을 막기 위해서는 분산 브레그 반사경이 반도체 발광소자와 함께 적층될 수 있다.
도 13 및 도 15를 참조하면, 상기 적색 반도체 발광소자(1051)와 상기 녹색 반도체 발광소자(1052)의 사이에는 적색은 투과하고 녹색은 반사하는 제1 분산 브레그 반사경(distributed Bragg reflectors, DBR, 1041)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 녹색 반도체 발광소자(1052)와 상기 청색 반도체 발광소자(1053)의 사이에는 녹색 및 적색은 투과하고 청색은 반사하는 제2 분산 브레그 반사경(1042)이 배치될 수 있다.
상기 제1 분산 브레그 반사경(1041)과 제2 분산 브레그 반사경(1042)이 적색을 투과하므로, 가장 하부의 적색 반도체 발광소자(1051)가 켜진 경우에, 적색광은 상기 제1 분산 브레그 반사경(1041), 상기 녹색 반도체 발광소자(1052), 상기 제2 분산 브레그 반사경(1042) 및 상기 청색 반도체 발광소자(1053)를 차례로 투과하여, 외부로 방출될 수 있다. 이 경우에, 상기 적색 반도체 발광소자(1051)의 하면에는 적색을 반사하는 제3 분산 브레그 반사경(1043)이나 금속 미러가 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 분산 브레그 반사경(1041)이 녹색은 반사하고, 상기 제2 분산 브레그 반사경(1042)이 녹색을 투과하므로, 중간에 위치한 녹색 반도체 발광소자(1052)가 켜진 경우에, 녹색광은 상기 제1 분산 브레그 반사경(1041)에서 반사되고, 상기 제2 분산 브레그 반사경(1042) 및 상기 청색 반도체 발광소자(1053)를 투과하여, 외부로 방출될 수 있다. 따라서, 상기 녹색광은 적색 반도체 발광소자(1051)를 여기하지 못하게 된다.
마지막으로, 상기 제2 분산 브레그 반사경(1042)이 청색을 반사하므로 청색 반도체 발광소자(1053)의 청색광은 외부로 방출되면서 하부의 녹색 반도체 발광소자(1052)를 여기하지 못하게 된다.
한편, 도 10, 도 11, 도 12, 도 13 및 도 14를 참조하면, 상기 발광소자 모듈(1050)은 기판상에서 열과 행을 따라 순차적으로 배열되는 발광소자 모듈들 중 어느 하나가 될 수 있다.
상기 발광소자 모듈들은 각각 하나의 화소(SP)를 형성하며, 따라서 상기 기판에는 복수의 화소(SP)가 배열될 수 있다. 상기 화소(SP)는 전술한 바와 같이 청색, 녹색 및 적색 반도체 발광소자가 적층된 구조를 가져서, 청색광, 녹색광 및 적색광을 선택적으로 출력하게 된다. 이 경우에, 상기 복수의 화소(SP) 각각은 화소 회로(PC)를 구비하게 되며, 공통 전원 라인(CL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 화소 회로(PC)는 화소(SP) 하나당 3개씩 구비될 수 있다. 보다 구체적으로 청색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자와 각각 연결되는 3개의 화소 회로(PC)가 상기 화소(SP)와 인접하게 배치될 수 있다.
상기 화소 회로(PC)는 게이트 라인과 데이터 라인 및 구동 전원 라인에 연결된다. 또한, 상기 화소 회로(PC)는 구동 전원 라인에 공급되는 화소 구동 전원을 기반으로, 게이트 라인으로부터의 스캔 펄스에 응답하여 데이터 라인으로부터의 데이터 신호에 따라 발광 소자에 흐르는 전류를 제어한다. 일 예에 따른 화소 회로(PC)는 스위칭 트랜지스터(T1), 구동 트랜지스터(T2), 및 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
상기 스위칭 트랜지스터(T1)는 게이트 라인에 연결된 게이트 전극, 데이터 라인에 연결된 제1전극, 및 구동 트랜지스터(T2)의 게이트 전극(N1)에 연결된 제2전극을 포함한다. 여기서, 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 제1및 제2전극은 전류의 방향에 따라 소스 전극 또는 드레인 전극이 될 수 있다. 상기 스위칭 트랜지스터(T1)는 게이트 라인에 공급되는 스캔 펄스에 따라 스위칭되어 데이터 라인에 공급되는 데이터 신호를 구동 트랜지스터(T2)에 공급한다.
상기 구동 트랜지스터(T2)는 스위칭 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 전압 및/또는 커패시터(Cst)의 전압에 의해 턴-온됨으로써 구동 전원 라인으로부터 발광소자로 흐르는 전류량을 제어한다. 상기 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(T2)의 게이트 전극(N1)과 소스 전극 사이의 중첩 영역에 마련되어 구동 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압으로 구동 트랜지스터(T2)를 턴-온시킨다.
도시에 의하면, 발광 모듈은 각각의 청색, 녹색 및 적색에 해당하는 화소 회로(PC)들에 각각 전기적으로 연결되는 구조를 구비할 수 있다. 예를 들어, 도 10, 도 11, 도 12, 도 13 및 도 14를 참조하면, 본 발명의 발광 모듈은 상기 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자의 각각에 개별 신호를 공급하는 개별 전극부(1070)와, 상기 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자에 공통 신호를 공급하는 공통 전극부(1080)를 포함할 수 있다.
상기 적색 반도체 발광소자(1051), 녹색 반도체 발광소자(1052) 및 청색 반도체 발광소자(1053)가 적층되므로, 상기 개별 전극부(1070)의 배선을 위하여, 상기 발광 모듈은 상기 적색 반도체 발광소자(1051), 녹색 반도체 발광소자(1052) 및 청색 반도체 발광소자(1053)의 순으로 면적이 작아지도록 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 개별 전극부(1070)는 상기 적색 반도체 발광소자(1051)와 전기적으로 연결되는 적색 전극부(1071)와, 상기 녹색 반도체 발광소자(1052)와 전기적으로 연결되는 녹색 전극부(1072)와, 상기 청색 반도체 발광소자(1053)와 전기적으로 연결되는 청색 전극부(1073)를 구비할 수 있다. 상기 적색 전극부(1071), 녹색 전극부(1072) 및 청색 전극부(1073)는 각각 광투과성 전극으로 형성될 수 있으며, 이러한 예로서 ITO 전극이 될 수 있다.
상기 적색 전극부(1071), 녹색 전극부(1072) 및 청색 전극부(1073)는 각각 반도체 발광소자의 측면을 따라 연장되어 상기 기판(1010)으로 이어질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 적색 전극부(1071)는 상기 적색 반도체 발광소자(1051)의 제2도전형 반도체층에 배치되며, 제2도전형 전극과 전기적으로 연결된다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제2도전형 전극이 없이 상기 적색 전극부(1071)가 상기 제2도전형 반도체층에 직접 연결되는 것도 가능하다. 또한, 상기 적색 전극부(1071)는 상기 적색 반도체 발광소자(1051)의 측면을 따라 연장되어 화소 회로(PC)와 연결될 수 있다. 또한, 상기 제1광투과성 접착층(1032)이 상기 적색 전극부(1071)를 덮도록 형성된다.
상기 녹색 전극부(1072)는 상기 녹색 반도체 발광소자(1052)의 제2도전형 반도체층에 배치되며, 제2도전형 전극과 전기적으로 연결된다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제2도전형 전극이 없이 상기 녹색 전극부(1072)가 상기 제2도전형 반도체층에 직접 연결되는 것도 가능하다. 또한, 상기 녹색 전극부(1072)는 상기 녹색 반도체 발광소자(1052)의 측면을 따라 연장되며, 상기 녹색 반도체 발광소자(1052)의 하면에서 상기 제1광투과성 접착층(1032)의 일면을 따라 연장되어 화소 회로(PC)와 연결될 수 있다. 상기 청색 반도체 발광소자(1053)가 부착되는 상기 제2광투과성 접착층(1033)은 상기 제1광투과성 접착층(1032)을 덮도록 상기 적색 반도체 발광소자(1051)를 향하여 연장되며, 상기 녹색 전극부(1072)는 상기 제2광투과성 접착층(1033)에 의하여 덮이게 된다.
상기 청색 전극부(1073)는 상기 청색 반도체 발광소자(1053)의 제2도전형 반도체층(1153)에 배치되며, 제2도전형 전극(1156)과 전기적으로 연결되고, 연결된다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제2도전형 전극이 없이 상기 청색 전극부(1073)가 상기 제2도전형 반도체층에 직접 연결되는 것도 가능하다. 또한, 상기 청색 전극부(1073)는 상기 청색 반도체 발광소자(1053)의 측면을 따라 연장되며, 상기 제2광투과성 접착층(1033)의 일면으로 이어지게 된다. 상기 청색 전극부(1073)는 상기 제2광투과성 접착층(1033)의 일면을 따라 연장되어, 화소 회로(PC)와 전기적으로 연결된다.
상기 공통 전극부(1080)는 상기 적색 반도체 발광소자(1051)와 전기적으로 연결되는 제1전극부(1081), 상기 녹색 반도체 발광소자(1052)와 전기적으로 연결되는 제2전극부(1082), 및 상기 청색 반도체 발광소자(1053)와 전기적으로 연결되는 제3전극부(1083)를 구비할 수 있다. 상기 제1전극부(1081), 제2전극부(1082) 및 제3전극부(1083)는 각각 반도체 발광소자의 제1도전형 반도체층에 배치되며, 각각 반도체 발광소자의 측면을 따라 연장되어 상기 기판으로 이어질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제1전극부(1081)는 상기 적색 반도체 발광소자(1051)의 제1도전형 반도체층에 배치되며, 상기 적색 반도체 발광소자(1051)의 측면을 따라 연장되어 공통 전원 라인(CL)과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제1광투과성 접착층(1032)이 상기 제1전극부(1081)를 덮도록 형성된다.
상기 제2전극부(1082)는 상기 녹색 반도체 발광소자(1052)의 제2도전형 반도체층에 배치되며, 상기 녹색 반도체 발광소자(1052)의 측면을 따라 연장되며, 상기 녹색 반도체 발광소자(1052)의 하면에서 상기 제1광투과성 접착층(1032)의 일면을 따라 연장되어 공통 전원 라인(CL)과 연결될 수 있다. 상기 제2전극부(1082)는 상기 제2광투과성 접착층(1033)에 의하여 덮이게 된다.
상기 제3전극부(1083)는 상기 청색 반도체 발광소자(1053)의 제2도전형 반도체층에 배치되며, 상기 청색 반도체 발광소자의 측면을 따라 연장되며, 상기 제2광투과성 접착층(1033)의 일면으로 이어지게 된다. 상기 제3전극부(1083)는 상기 제2광투과성 접착층(1033)의 일면을 따라 연장되어, 상기 공통 전원 라인(CL)과 전기적으로 연결된다.
이 때에, 상기 제1전극부(1081), 제2전극부(1082) 및 제3전극부(1083)는 상기 적색 반도체 발광소자(1051)를 기판에 부착하는 접착층(1031)의 일면에서 서로 연결되어 하나의 배선 라인을 형성하며, 상기 배선 라인이 상기 공통 전원 라인(CL)으로 연장될 수 있다.
도 10 및 도 14의 도시에 의하면, 상기 적색 전극부(1071), 녹색 전극부(1072) 및 청색 전극부(1073)는 상기 발광 모듈(1050)의 서로 다른 변에 배치될 수 있다. 또한, 상기 공통 전극부(1080)는 상기 발광 모듈(1050)에서 상기 적색 전극부(1071), 녹색 전극부(1072) 및 청색 전극부(1073)가 배치되지 않은 변에 배치될 수 있다. 상기 발광 모듈(1050)은 직사각형 형태로 이루어지며, 직사각형의 사변 중 삼변에는 각각 상기 적색 전극부(1071), 녹색 전극부(1072) 및 청색 전극부(1073)가 배치되고, 나머지 일변에 상기 공통 전극부(1080)가 배치될 수 있다. 이러한 구조에 의하면, 본 발명의 발광 모듈에 대한 배선이 가능하게 된다.
이상에서 설명한 디스플레이 장치에서는, 적층형 RGB 발광소자 모듈을 제시하며, 이를 통하여 서브 셀의 크기에 대한 제한과 셀간 피치의 제한 문제를 해결하며, 따라서 고정세가 높은 디스플레이 장치가 구현될 수 있다.
한편, 본 발명의 디스플레이 장치는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 이러한 예로서, TSV 실리콘 웨이퍼 위에 적층 하여 RGB pixel을 만들어 다른 구동 보드에 적용하는 것도 가능하다. 이하, 이러한 구조에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 16은 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 다른 실시 예를 나타내는 개념도이고, 도 17은 도 16의 라인 F-F를 따라 취한 단면도이다.
도 16 및 도 17의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(2000)는 기판(2010) 및 복수의 발광 모듈(2050)를 포함한다.
기판(2010)은 제1전극(2020) 및 제2전극(2040)이 배치되는 배선기판이 될 수 있다. 따라서 상기 제1전극(2020) 및 제2전극(2040)은 기판(2010) 상에 위치할 수 있다. 이 때에, 상기 제1전극(2020) 및 제2전극(2040)은 배선전극이 될 수 있다.
상기 기판(2010)은 절연성은 있으나, 플렉서블이 아닌 재질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 기판(2010)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 기판(2010)의 일면에는 발광 모듈(2050)이 결합된다. 예를 들어, 발광 모듈(2050)의 전극이 솔더링 등에 의하여 배선전극에 결합될 수 있다. 이 경우에 앞선 실시예에서 설명한 전도성 접착층은 배제될 수 있다.
도시에 의하면 하나의 발광 모듈(2050)은 복수의 반도체 발광소자(2051, 2052, 2053) 및 지지기판(2090)을 구비한다.
복수의 반도체 발광소자(2051, 2052, 2053)는 각각, 적색 반도체 발광소자, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자가 될 수 있으며, 이에 대한 구조는 도 10 내지 도 15를 참조하여 전술한 반도체 발광소자의 구조가 될 수 있다. 따라서, 이에 대한 설명은 전술한 내용으로 갈음한다.
상기의 구조에 의하여 구현된 발광 모듈은 지지기판(2090)에 의하여 지지된다. 상기 지지기판(2090)은 실리콘 재질로 형성되며, 상기 지지기판(2090)에는 실리콘 관통전극(TSV: Through Silicon Via)이 형성된다.
상기 실리콘 관통전극(TSV)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다. 이와 같이, 실리콘 관통전극(TSV)을 구비하는 지지기판(2090)을 이용함에 따라, 웨이퍼 레벨에서 일대일 전사가 매우 용이하게 될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 지지기판(2090)이 식각이 가능한 실리콘 기판이므로, 상기 식각에 의하여 실리콘 관통전극(TSV)이 형성될 수 있다. 상기 실리콘 관통전극(TSV)은 상기 반도체 발광소자와 오버랩되는 위치에서 상기 지지기판(2090)을 관통한다.
상기 실리콘 관통전극(TSV)은 각각의 반도체 발광소자에 대응하도록 복수로 구비될 수 있다. 적색 반도체 발광소자(2051), 녹색 반도체 발광소자(2052) 및 청색 반도체 발광소자(2053)에 대응하도록 제1관통전극(TSV1), 제2관통전극(TSV2) 및 제3관통전극(TSV3)이 배치될 수 있다. 이 경우에, 상기 제1관통전극(TSV1), 제2관통전극(TSV2) 및 제3관통전극(TSV3)은 각각 적색 전극부(2071), 녹색 전극부 및 청색 전극부와 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 상기 지지기판에는 발광 모듈의 공통 전극부(2080)와 전기적으로 연결되는 제4관통전극(TSV4)이 구비될 수 있다. 상기 공통 전극부(2080)는 상기 적색 전극부(2071), 녹색 전극부(2072) 및 청색 전극부(2073)와 함께 도 10 내지 도 15를 참조하여 전술한 구조와 동일한 구조이므로, 전술한 설명으로 그 설명을 갈음한다.
상기 공통 전극부(2080)가 상기 제4관통전극(TSV4)으로 연장됨에 따라, 상기 적색 반도체 발광소자(2051), 녹색 반도체 발광소자(2052) 및 청색 반도체 발광소자(2053)의 제1도전형 전극은 상기 제4관통전극(TSV4)을 공통 관통전극으로 하여 상기 지지기판의 타측면으로 전기적으로 이어지게 된다. 상기 제1관통전극(TSV1), 제2관통전극(TSV2), 제3관통전극(TSV3) 및 제4관통전극(TSV4)의 하부에는 하부전극(2096)이 각각 배치될 수 있다.
상기에서 설명된 구조에 의하면, 상기 실리콘 관통전극들은 상기 공통전극과 연결되는 하나의 관통전극(TSV4)과, 상기 복수의 반도체 발광소자들의 제2도전형 전극들에 각각 연결되는 복수의 관통전극들(TSV1, TSV2, TSV3)을 구비하게 된다.
상기에서 설명된 구조에 의하면, 상기 발광 모듈은 지지기판(2090)을 단위기판으로 하여, 하나의 픽셀을 형성하게 된다. 즉, 상기 발광 모듈은 웨이퍼 상에서 다이싱 등을 통하여 면취한 것으로서, 픽 앤 플레이 등에 의하여 배선기판(2010)으로 이동될 수 있다.
예를 들어, 상기 배선기판(2010)과 상기 발광 모듈(2050)의 사이에는 상기 배선기판(2010)의 배선전극(2020, 2040)보다 저융점의 재질로 이루어지는 저융점부(2097)가 배치될 수 있다. 구체적인 예로서, 상기 배선기판(2010)의 배선전극(2020, 2040)과 상기 지지기판(2090)의 하부전극(2096)의 사이에 저용점부(2097)가 배치되어, 전기적 결합을 구현한다.
이러한 예로서, 상기 저융점부(2097)는 솔더 물질로 상기 배선전극에 도금될 수 있다. 상기 솔더 물질은 예를 들어, Sb, Pd, Ag, Au 및 Bi 중 적어도 하나가 될 수 있다. 이 경우에, 상기 배선전극에 솔더가 증착되고, 열에너지를 이용하여 솔더링이 실시될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 배선기판(2010)은 상기 지지기판(2090)보다 넓은 면적으로 이루어질 수 있다. 복수의 지지기판이 상기 배선기판(2010) 상에 기설정된 간격으로 배치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치가 구현될 수 있다. 상기 반도체 발광소자 패키지들의 사이는 도시된 바와 같이 빈 공간으로 형성될 수 있으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 빈 공간은 절연재질 등에 의하여 충전되거나, 상기 단위기판이 상기 빈 공간이 없도록 서로 접촉하도록 배치될 수 있다. 상기에서 설명한 구조에 의하면, 웨이퍼 상에서 RGB 픽셀을 구현하여 다른 구동 보드에 결합하는 구조의 디스플레이 장치가 구현될 수 있다.
이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

Claims (20)

  1. 제1 반도체층의 제1 영역 상에 배치되는 제1 발광 구조물을 포함하며, 적색을 발광하는 적색 반도체 발광소자;
    제2 발광 구조물을 포함하며, 상기 적색 반도체 발광소자의 상에 배치되는 녹색 반도체 발광소자;
    제3 발광 구조물을 포함하며, 상기 녹색 반도체 발광소자의 상에 배치되는 청색 반도체 발광소자;
    상기 적색 반도체 발광소자에 신호를 공급하는 적색 전극;
    상기 녹색 반도체 발광소자에 신호를 공급하는 녹색 전극;
    상기 청색 반도체 발광소자에 신호를 공급하는 청색 전극;
    상기 적색 반도체 발광소자, 상기 녹색 반도체 발광소자 및 상기 청색 반도체 발광소자에 각각 공통 신호를 공급하는 제1, 제2, 제3 공통 전극을 포함하는 공통 전극부;
    상기 적색 반도체 발광소자는 상기 제1 반도체층 상의 제2 영역에 상기 제1 발광구조물과 이격되어 배치되는 제1 도전형 전극을 포함하며,
    상기 적색 전극은 상기 제1 도전형 전극 상에 상기 제1 공통 전극과 같은 높이에 배치되며,
    상기 제1 반도체층은 서로 평행하게 배치된 제1, 제2 측면과 상기 제1, 제2 측면에 수직하고 서로 평행한 제3, 제4 측면을 포함하며,
    상기 적색전극은 상기 제1 측면에 배치되고,
    상기 녹색 전극은 상기 제2 측면에 배치되고,
    상기 청색 전극은 상기 제3 측면에 배치되는 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 적색 반도체 발광소자와 상기 녹색 반도체 발광소자의 사이에 적색은 투과하고 녹색은 반사하는 제1 분산 브레그 반사경(distributed Bragg reflectors, DBR)이 배치되는 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 녹색 반도체 발광소자와 상기 청색 반도체 발광소자의 사이에 녹색 및 적색은 투과하고 청색은 반사하는 제2 분산 브레그 반사경이 배치되는 디스플레이 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 적색 반도체 발광소자의 하면에는 적색을 반사하는 제3 분산 브레그 반사경이나 금속 미러가 배치되는 디스플레이 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 적색 반도체 발광소자의 서로 이격되어 배치되는 상기 제1 발광구조물과 상기 제1 도전형 전극에 의해 노출되는 상기 제1 반도체층의 상면을 덮도록 제1 광투과성 접착층이 배치되며,
    상기 제1광투과성 접착층에 상기 녹색 반도체 발광소자가 부착되는 디스플레이 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 광투과성 접착층은, 상기 적색 전극과 상기 제1 공통 전극을 덮으며, 상기 녹색 전극 및 상기 제2 공통 전극과 접하는 디스플레이 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 녹색 반도체 발광소자의 서로 이격되어 배치되는 제2 도전형 전극과 상기 제2 발광구조물에 의해 노출되는 제2 반도체층의 상면을 덮도록 제2 광투과성 접착층이 배치되며,
    상기 제2광투과성 접착층에 상기 청색 반도체 발광소자가 부착되는 디스플레이 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2광투과성 접착층은, 상기 녹색 전극과 상기 제2 공통 전극을 덮으며, 상기 청색 전극 및 상기 제3 공통 전극과 접하는 디스플레이 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 적색 반도체 발광소자, 상기 녹색 반도체 발광소자 및 상기 청색 반도체 발광소자 순으로 면적이 작아지는 디스플레이 장치.
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1, 제2 및 제3 공통 전극은 상기 제1 반도체층의 제4 측면에 배치되는 디스플레이 장치.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 제1 반도체층의 제1 영역 상에 배치되는 제1 발광 구조물을 포함하며 적색을 발광하는 적색 반도체 발광소자;
    제2 발광 구조물을 포함하며 상기 적색 반도체 발광소자의 상에 배치되는 녹색 반도체 발광소자;
    제3 발광 구조물을 포함하며 상기 녹색 반도체 발광소자의 상에 배치되는 청색 반도체 발광소자;
    상기 적색 반도체 발광소자에 신호를 공급하는 적색 전극;
    상기 녹색 반도체 발광소자에 신호를 공급하는 녹색 전극;
    상기 청색 반도체 발광소자에 신호를 공급하는 청색 전극; 및
    상기 적색 반도체 발광소자, 상기 녹색 반도체 발광소자 및 상기 청색 반도체 발광소자에 각각 공통 신호를 공급하는 제1, 제2, 제3 공통 전극을 포함하는 공통 전극부;를 포함하며,
    상기 적색 반도체 발광소자는 상기 제1 반도체층 상의 제2 영역에 상기 제1 발광구조물과 이격되어 배치되는 제1 도전형 전극을 포함하며,
    상기 적색 전극은 상기 제1 도전형 전극 상에 상기 제1 공통 전극과 같은 높이에 배치되며,
    상기 제1 반도체층은 서로 평행하게 배치된 제1, 제2 측면과 상기 제1, 제2 측면에 수직하고 서로 평행한 제3, 제4 측면을 포함하며,
    상기 적색전극은 상기 제1 측면에 배치되고,
    상기 녹색 전극은 상기 제2 측면에 배치되고,
    상기 청색 전극은 상기 제3 측면에 배치되는 발광소자 모듈.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 적색 반도체 발광소자와 상기 녹색 반도체 발광소자의 사이에는 적색은 투과하고 녹색은 반사하는 제1 분산 브레그 반사경(distributed Bragg reflectors, DBR)이 배치되는 발광소자 모듈.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 녹색 반도체 발광소자와 상기 청색 반도체 발광소자의 사이에는 녹색 및 적색은 투과하고 청색은 반사하는 제2 분산 브레그 반사경이 배치되는 발광소자 모듈.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 적색 반도체 발광소자의 서로 이격되어 배치되는 상기 제1 발광구조물과 상기 제1 도전형 전극에 의해 노출되는 상기 제1 반도체층의 상면을 덮도록 배치되는 제1 광투과성 접착층을 더 포함하며,
    상기 녹색 반도체 발광소자는 상기 제1광투과성 접착층에 부착되며,
    상기 적색 반도체 발광소자, 상기 녹색 반도체 발광소자, 상기 청색 반도체 발광소자 순으로 면적이 작아지는 발광소자 모듈.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025005663A1 (ko) * 2023-06-26 2025-01-02 서울바이오시스주식회사 디스플레이용 픽셀 소자 및 그것을 갖는 디스플레이 장치

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102503578B1 (ko) * 2017-06-30 2023-02-24 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US12100696B2 (en) 2017-11-27 2024-09-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode for display and display apparatus having the same
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10879419B2 (en) 2018-08-17 2020-12-29 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
KR102715637B1 (ko) * 2019-01-15 2024-10-14 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102717669B1 (ko) 2019-01-15 2024-10-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11362073B2 (en) 2019-02-08 2022-06-14 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device including multiple transparent electrodes for display and display apparatus having the same
CN109920814B (zh) * 2019-03-12 2022-10-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制造方法、显示装置
US11901397B2 (en) 2019-05-14 2024-02-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED chip having fan-out structure and manufacturing method of the same
US11756980B2 (en) 2019-05-14 2023-09-12 Seoul Viosys Co., Ltd. LED chip package and manufacturing method of the same
BR112021022877A2 (pt) * 2019-05-14 2022-01-04 Seoul Viosys Co Ltd Pacote emissor luz
US11855121B2 (en) 2019-05-14 2023-12-26 Seoul Viosys Co., Ltd. LED chip and manufacturing method of the same
EP3970203A4 (en) * 2019-05-14 2023-05-10 Seoul Viosys Co., Ltd Led chip package and manufacturing method of the same
CN113826219B (zh) 2019-05-14 2024-11-12 首尔伟傲世有限公司 发光芯片
KR102213343B1 (ko) 2019-07-01 2021-02-08 한국과학기술원 다색 픽셀 어레이를 갖는 마이크로 led 디스플레이 및 그의 구동 회로와 결합에 따른 제조 방법
EP4012765A4 (en) * 2019-08-07 2023-09-06 Seoul Viosys Co., Ltd Light-emitting diode display panel and display device including same
US11398462B2 (en) * 2019-09-18 2022-07-26 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device for display and light emitting package having the same
US11489002B2 (en) 2019-10-29 2022-11-01 Seoul Viosys Co., Ltd. LED display apparatus
US11476299B2 (en) * 2020-08-31 2022-10-18 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Double color micro LED display panel
CN115117211B (zh) * 2021-03-18 2025-07-01 隆达电子股份有限公司 半导体晶片与发光装置
CN115223457A (zh) * 2021-04-15 2022-10-21 群创光电股份有限公司 显示装置及拼接显示装置
US12477922B2 (en) 2021-06-22 2025-11-18 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method therefor, and display device
KR20230033056A (ko) * 2021-08-26 2023-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치와 그의 제조 방법
KR102752045B1 (ko) * 2021-10-05 2025-01-09 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자, 이를 포함하는 디스플레이 장치, 및 반도체 발광 소자를 제조하는 방법
US12046697B2 (en) * 2021-10-18 2024-07-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight unit including green and blue LEDs and associated distributed bragg reflectors
TWI777853B (zh) * 2021-11-17 2022-09-11 隆達電子股份有限公司 封裝結構及其形成方法
CN114967231B (zh) * 2022-05-16 2024-07-09 高创(苏州)电子有限公司 发光组件、背光模组及其驱动方法、显示装置
KR102668393B1 (ko) * 2022-08-10 2024-05-24 엘지전자 주식회사 디스플레이 화소용 반도체 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
WO2025010706A1 (en) * 2023-07-13 2025-01-16 Jade Bird Display (shanghai) Limited Micro led and micro led display panel
JP2025149204A (ja) * 2024-03-26 2025-10-08 沖電気工業株式会社 発光装置及び表示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332688A (ja) * 2006-07-10 2006-12-07 Rabo Sufia Kk Ｌｅｄチップ積層体及びｌｅｄチップ配列体
JP2010062351A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Oki Data Corp 積層半導体発光装置及び画像形成装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07254732A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Toshiba Corp 半導体発光装置
KR100298205B1 (ko) 1998-05-21 2001-08-07 오길록 고집적삼색발광소자및그제조방법
US6961190B1 (en) 1999-07-26 2005-11-01 Labosphere Institute Bulk lens, light emitting body, lighting device and optical information system
JP4619512B2 (ja) * 2000-09-29 2011-01-26 スタンレー電気株式会社 光半導体素子
KR100987451B1 (ko) 2003-12-04 2010-10-13 엘지전자 주식회사 면발광 소자
KR101316415B1 (ko) * 2005-10-17 2013-10-08 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
US8222116B2 (en) * 2006-03-03 2012-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101332794B1 (ko) * 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
TW201017863A (en) * 2008-10-03 2010-05-01 Versitech Ltd Semiconductor color-tunable broadband light sources and full-color microdisplays
KR101149859B1 (ko) 2008-12-30 2012-05-25 에피스타 코포레이션 수직형 교류 발광다이오드
KR101710358B1 (ko) 2010-11-16 2017-02-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광소자 패키지
KR102060018B1 (ko) * 2013-11-26 2019-12-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
KR102227085B1 (ko) 2014-03-05 2021-03-12 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR101529934B1 (ko) 2014-07-01 2015-06-18 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR102503578B1 (ko) * 2017-06-30 2023-02-24 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
WO2021247894A1 (en) * 2020-06-03 2021-12-09 Jade Bird Display (shanghai) Limited Systems and methods for multi-color led pixel unit with horizontal light emission

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332688A (ja) * 2006-07-10 2006-12-07 Rabo Sufia Kk Ｌｅｄチップ積層体及びｌｅｄチップ配列体
JP2010062351A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Oki Data Corp 積層半導体発光装置及び画像形成装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025005663A1 (ko) * 2023-06-26 2025-01-02 서울바이오시스주식회사 디스플레이용 픽셀 소자 및 그것을 갖는 디스플레이 장치

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Publication number Publication date
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