[go: up one dir, main page]

KR102476136B1 - Led를 이용한 디스플레이 장치 - Google Patents

Led를 이용한 디스플레이 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102476136B1
KR102476136B1 KR1020170113362A KR20170113362A KR102476136B1 KR 102476136 B1 KR102476136 B1 KR 102476136B1 KR 1020170113362 A KR1020170113362 A KR 1020170113362A KR 20170113362 A KR20170113362 A KR 20170113362A KR 102476136 B1 KR102476136 B1 KR 102476136B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
pixels
cells
sub
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020170113362A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190026440A (ko
Inventor
김재윤
신용섭
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020170113362A priority Critical patent/KR102476136B1/ko
Priority to US15/955,894 priority patent/US10784308B2/en
Priority to CN201811031098.1A priority patent/CN109427824B/zh
Publication of KR20190026440A publication Critical patent/KR20190026440A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102476136B1 publication Critical patent/KR102476136B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H01L27/156—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
    • H01L33/06—
    • H01L33/501—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
    • H10D86/0214—Manufacture or treatment of multiple TFTs using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
    • H10D86/0221—Manufacture or treatment of multiple TFTs comprising manufacture, treatment or patterning of TFT semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/411—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by materials, geometry or structure of the substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/421—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/451—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by the compositions or shapes of the interlayer dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/018—Bonding of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H10H20/8513—Wavelength conversion materials having two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8514—Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/0312—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] characterised by the gate electrodes
    • H10D30/0316—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] characterised by the gate electrodes of lateral bottom-gate TFTs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/0321—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] comprising silicon, e.g. amorphous silicon or polysilicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H10D30/673—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the shapes, relative sizes or dispositions of the gate electrodes
    • H10D30/6732—Bottom-gate only TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6741—Group IV materials, e.g. germanium or silicon carbide
    • H10D30/6743—Silicon
    • H10D30/6745—Polycrystalline or microcrystalline silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6755—Oxide semiconductors, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide or cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/421—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H10D86/423—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer comprising semiconductor materials not belonging to the Group IV, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • H10H20/0137—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/032—Manufacture or treatment of electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/034—Manufacture or treatment of coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0363—Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H10H20/841—Reflective coatings, e.g. dielectric Bragg reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/882—Scattering means

Landscapes

  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 각각 복수의 서브 픽셀을 포함하는 픽셀들을 갖는 디스플레이 장치로서, 상기 복수의 서브 픽셀에 각각 제공되며 실질적으로 동일한 파장의 광을 방출하도록 구성된 복수의 LED 셀을 포함하는 LED 어레이 - 상기 복수의 LED 셀은 서로 반대에 위치한 제1 면 및 제2 면을 가짐 - 와, 상기 복수의 LED 셀의 제1 면에 각각 배치되며 각각 소스 및 드레인 영역들과 그 사이에 위치한 게이트 전극을 갖는 복수의 TFT 셀을 포함하는 TFT 회로와, 상기 복수의 LED 셀의 제2 면에 각각 배치되며 상기 복수의 서브 픽셀로부터 서로 다른 광이 방출되도록 구성된 양자점과 폴리머의 복합체로 이루어진 파장 변환 패턴과, 상기 복수의 서브 픽셀이 분리되도록 상기 복수의 LED 셀과 상기 파장 변환패턴 사이에 배치된 광차단벽을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

LED를 이용한 디스플레이 장치{DISPLAY DEVICE USING LIGHT EMITTING DIODE}
본 발명은 LED를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
반도체 발광다이오드(LED)는 조명 장치용 광원뿐만 아니라, 다양한 전자 제품의 광원으로 사용되고 있다. 특히, TV, 휴대폰, PC, 노트북 PC, PDA 등과 같은 각종 디스플레이 장치들을 위한 광원으로 널리 사용되고 있다.
종래의 디스플레이 장치는 주로 액정 디스플레이(LCD)로 구성된 디스플레이 패널과 백라이트로 구성되었으나, 최근에는 LED 소자를 그대로 하나의 픽셀로서 사용하여 백라이트가 별도로 요구되지 않는 형태로도 개발되고 있다. 이러한 디스플레이 장치는 컴팩트화할 수 있을 뿐만 아니라, 기존 LCD에 비해 광효율도 우수한 고휘도 디스플레이 장치를 구현될 수 있다.
본 발명의 해결하고자 하는 과제 중 하나는, 웨이퍼 레벨에서 구현 가능하면서 각 서브 픽셀에 적합한 파장 변환 수단을 구비한 디스플레이 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시예는, 각각 복수의 서브 픽셀을 포함하는 픽셀들을 갖는 디스플레이 장치로서, 상기 복수의 서브 픽셀에 각각 제공되며 실질적으로 동일한 파장의 광을 방출하도록 구성된 복수의 LED 셀을 포함하는 LED 어레이 - 상기 복수의 LED 셀은 서로 반대에 위치한 제1 면 및 제2 면을 가짐 - 와, 상기 복수의 LED 셀의 제1 면에 각각 배치되며 각각 소스 및 드레인 영역들과 그 사이에 위치한 게이트 전극을 갖는 복수의 TFT 셀을 포함하는 TFT 회로(circuitry)와, 상기 복수의 LED 셀의 제2 면에 각각 배치되며 상기 복수의 서브 픽셀로부터 서로 다른 광이 방출되도록 구성된 양자점과 폴리머의 복합체로 이루어진 파장 변환 패턴과, 상기 복수의 서브 픽셀이 분리되도록 상기 복수의 LED 셀과 상기 파장 변환패턴 사이에 배치된 광차단벽을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 각각 제1 내지 제3 서브 픽셀을 포함하는 픽셀들의 어레이와, 상기 각 픽셀들의 제1 내지 제3 서브 픽셀에 각각 위치하며 제1 파장의 광을 방출하도록 구성되고, 각각 서로 반대에 위치한 제1 면 및 제2 면을 갖는 복수의 LED 셀과, 상기 복수의 LED 셀의 제1 면에 각각 배치되며, 각각 소스 및 드레인 영역들과 그 사이에 위치한 게이트 전극을 갖는 복수의 TFT 셀과, 행 방향으로 상기 복수의 TFT 셀의 소스 영역을 연결하는 복수의 데이터 라인과, 열 방향으로 상기 복수의 TFT셀의 게이트 전극을 연결하는 게이트 라인과, 상기 각 픽셀들의 제1 서브 픽셀에 위치한 LED 셀의 제2 면에 각각 배치되며, 상기 제1 파장의 광을 제2 파장의 광으로 변환하는 제1 양자점과 폴리머의 복합체로 이루어진 제1 파장 변환 패턴과, 상기 각 픽셀들의 제2 서브 픽셀에 위치한 LED 셀의 제2 면에 각각 배치되며, 상기 제1 파장의 광을 제3 파장의 광으로 변환하는 제2 양자점과 폴리머의 복합체로 이루어진 제2 파장 변환 패턴;을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 각각 제1 내지 제3 서브 픽셀을 포함하는 픽셀들의 어레이와, 상기 각 픽셀들의 제1 내지 제3 서브 픽셀에 각각 위치하며 동일한 에피택셜층으로 이루어지고 각각 서로 반대에 위치한 제1 면 및 제2 면을 갖는 복수의 LED 셀과, 상기 복수의 LED 셀의 제1 면에 배치된 절연막과, 상기 복수의 LED 셀과 상기 절연막에 의해 전기적으로 절연되며, 상기 복수의 LED 셀의 제1 면의 일 영역에 각각 배치된 복수의 TFT 셀과, 상기 각 픽셀들의 적어도 제1 및 제2 서브 픽셀에 위치한 LED 셀의 제2 면에 각각 배치되며 서로 다른 파장의 광을 방출하도록 구성된 양자점과 감광성 수지 조성물로부터 얻어진 폴리머의 복합체로 이루어진 제1 및 제2 파장 변환 패턴을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
웨이퍼 레벨에서 TFT 회로를 구현하고, 셀 단위로 개별적인 전사공정 없이 마이크로 LED 셀로 구성된 고해상도 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. 서브 픽셀에 제공되는 파장 변환 수단을 포토레지스트와 같은 감광성 수지 조성물을 이용하여 리소그래피 공정에 의해 미세한 사이즈(예, 10㎛ 이하)로 형성될 수 있다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED를 이용한 디스플레이 장치의 평면도이다.
도2는 도1에 도시된 디스플레이 장치를 A-A'를 절개한 단면도이다.
도3은 도1에 도시된 디스플레이 장치에 구현된 구동회로도이다.
도4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 LED를 이용한 디스플레이 장치의 단면도이다.
도5는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED를 이용한 디스플레이 장치에 채용가능한 픽셀의 레이아웃이다.
도6 내지 도12는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타내는 공정 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예를 상세히 설명한다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED를 이용한 디스플레이 장치의 평면도이며, 도2는 도1에 도시된 디스플레이 장치를 Ⅰ-Ⅰ'를 절개한 단면도이다.
도1 및 도2를 참조하면, 디스플레이 장치(100)는 서로 다른 색의 광을 방출하도록 구성된 제1 내지 제3 서브 픽셀(S1,S2,S3)을 갖는 픽셀들(P)의 어레이를 포함한다.
본 실시예에 따른 픽셀들(P)의 어레이는 9×8로 예시되어 있으나, 행(column)과 열(row)은 임의의 적절한 개수(예, 1,024×768)로 구현될 수 있다. 예를 들어 원하는 해상도에 따른 다양한 형태의 픽셀들의 어레이를 가질 수 있다.
상기 디스플레이 장치(100)는 컬러 이미지를 디스플레이하기 위해서 제1 내지 제3 서브 픽셀(S1,S2,S3)에 서로 다른 색을 제공하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 내지 제3 서브 픽셀(S1,S2,S3)은 각각 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀로 제공될 수 있다.
도2을 참조하면, 본 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 지지 기판(160) 상에 배치된 복수의 LED 셀(C1,C2,C3)을 갖는 LED 어레이를 포함한다.
상기 디스플레이 장치(100)는 도1에 도시된 바와 같이 직사각형 형상이거나 다른 적합한 형상을 가질 수 있다. 디스플레이 장치(100)는 평면일 수 있으며, 특정 실시예에서, 지지 기판(160)을 플렉서블 기판을 채용하여 곡선 프로파일을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 지지 기판(160)은 폴리 이미드와 같은 플렉서블 기판일 수 있으나,이에 한정되지 않으며, 다른 실시예에서는, 상기 지지 기판(160)은 유리 기판 또는 메탈 기판일 수 있다.
상기 LED 어레이는 복수의 LED 셀(C1,C2,C3) 각각에 배치된 박막 트랜지스터(TFT) 셀(130)을 포함한다. 상기 TFT 셀(130)이 배치된 LED 어레이는 상기 지지 기판(160)에 접합 수지층(161)에 의해 접합될 수 있다. 상기 접합 수지층(161)은, 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리 아마이드(polyamide) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질일 수 있다.
도2에 도시된 단면 구조는 도1에 도시된 디스플레이 장치(100)의 하나의 픽셀(P)에 해당하는 부분을 나타내며, 도2에 도시된 LED 셀들은 각각 제1 내지 제3 서브 픽셀(S1,S2,S3)에 관련된 제1 내지 제3 LED 셀(C1,C2,C3)로 이해될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 LED 셀(C1,C2,C3)은 각각 제1 및 제2 도전형 반도체층(112,117)과 그 사이에 위치한 활성층(115)을 갖는 에피택셜층들(110)을 포함하며, 서로 반대에 위치한 제1 면(100A) 및 제2 면(100B)을 갖는다. 상기 제1 내지 제3 LED 셀(C1,C2,C3)은 마이크로 사이즈의 LED일 수 있다. 픽셀을 구성하는 서브 픽셀에 제공되므로, 예를 들어, 상기 제1 내지 제3 LED 셀(C1,C2,C3)은 한변의 길이 10㎛ 이하의 구조일 수 있다.
이러한 에피택셜층들(110)은 하나의 웨이퍼에서 동일한 공정에 의해 성장되며(도6 참조), 동일하게 성장된 에피택셜층들(110)은 서로 분리되어 제1 내지 제3 LED 셀(C1,C2,C3)로 제공될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 LED 셀(C1,C2,C3)의 활성층(115)은 실질적으로 동일한 광을 방출하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(115)은 청색 광(예, 440㎚∼460㎚) 또는 자외선이나 근자외선 광(예, 380㎚∼440㎚)을 방출할 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 상기 제1 내지 제3 LED 셀(C1,C2,C3)의 제1 면(100A)에는 각각 복수의 TFT 셀(130)을 배치될 수 있다. 도2에는 복수의 TFT 셀(130)은 상기 제1 내지 제3 LED 셀(C1,C2,C3)에 각각 대응된 3개의 TFT 셀이 도시되어 있다.
상기 LED 어레이와 상기 복수의 TFT 셀(130) 사이에 절연막(121)이 배치된다. 도2에 도시된 바와 같이, 상기 절연막(121)은 제1 내지 제3 LED 셀(C1,C2,C3)의 제1 면(110A)에 배치될 수 있다.
상기 복수의 TFT 셀(130)은 상기 절연막(121) 상에 배치된 반도체층(136)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 TFT 셀(130)을 구성하는 반도체층(136)은 폴리실리콘과 실리콘계 반도체, 인듐 갈륨 산화아연과 같은 반도체 산화물 또는 실리콘 저마늄과 같은 화합물 반도체를 포함할 수 있다.
상기 복수의 TFT 셀(130)은 채널영역을 제공하는 반도체층(132)과 함께, 상기 반도체층(132)의 제1 및 제2 영역(즉, 소스 및 드레인 영역)에 배치된 소스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b)과, 상기 제1 및 제2 영역 사이에 순차적으로 배치된 게이트 절연막(134) 및 게이트 전극(136)을 포함할 수 있다.
상기 복수의 TFT 셀(130)은 픽셀(구체적으로 서브 픽셀)의 구동을 제어하기 위한 TFT 회로(TFT circuitry)를 구성할 수 있다. 구체적으로, 각각 제1 내지 제3 서브 픽셀(S1,S2,S3)에서, 상기 복수의 TFT 셀(130)의 드레인 전극(135b)은 연결 배선(152)에 의해 관련 LED 셀(C1,C2,C3)의 제2 전극(119b)과 연결될 수 있다. LED 셀(C1,C2,C3)의 제1 전극(119a)은 공통 라인(158)에 연결되어 접지될 수 있다. 상기 복수의 TFT 셀(130)의 소스 전극(135a)은 제1 방향(예, 행방향)으로 데이터 라인(154)에 의해 연결되며, 상기 복수의 TFT 셀(130)의 게이트 전극(136)은 제1 방향과 교차하는 제2 방향(예, 열방향)으로 게이트 라인(156)에 의해 연결될 수 있다. 이러한 회로 구성과 작동은 도3을 참조하여 후술하기로 한다.
본 실시예에 채용된 TFT 회로와 달리, 다른 실시예에서는, 추가적인 TFT 및/또는 박막 캐패시터 등을 더 포함하여 구성될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, TFT로는 앞서 설명한 바와 같이, 실리콘 트랜지스터는 물론 반도체 산화물 트랜지스터가 사용될 수 있다. 반도체 산화물 트랜지스터는 실리콘 트랜지스터보다 낮은 누설 전류를 나타내는데 도움이 된다. 실리콘 트랜지스터는 반도체 산화물 트랜지스터보다 더 빨리 전환하는데 도움이 된다. 반도체 산화물 트랜지스터와 실리콘 트랜지스터인 적절한 선택에 의해서, 게이트 라인 및 데이터 라인과 다른 픽셀 회로를 구성함으로써 디스플레이 성능은 최적화될 수 있다.
제1 내지 제3 파장 변환 패턴(170R,170G,170B)은 제1 내지 제3 LED 셀(C1,C2,C3)의 제2 면(110B)에 배치된다. 상기 제1 내지 제3 파장 변환 패턴(170R,170G,170B)은 상기 제1 내지 제3 서브 픽셀(S1,S2,S3)로부터 서로 다른 광이 방출되도록 구성된 양자점과 폴리머의 복합체로 이루어질 수 있다. 이러한 폴리머는 양자점이 분산되는 호스트 매트릭스로 제공된다.
상기 폴리머는 감광성 수지 조성물로부터 포토 리소그래피(노광/현상) 공정 후에 얻어진 결과물일 수 있다. 상기 제1 내지 제3 파장 변환 패턴(170R,170G,170B)은 포토 리소그래피 공정을 이용하여 제조되므로, 미세하면서 정밀한 패턴으로 제공될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 파장 변환 패턴(170R,170G,170B)은 서브 픽셀에 해당되는 크기(예, 한 변의 길이 10㎛ 이하)의 미세한 패턴으로 구현될 수 있다.
본 실시예에서 채용된 양자점은 콜로이드 합성시 입자 크기를 비교적 자유롭게 조절할 수 있고, 입자 크기도 균일하게 조절할 수 있다. 예를 들어, 양자점이 10 ㎚ 이하의 크기를 가지는 경우, 크기가 작아질수록 밴드갭(band gap)이 커지는 양자 제한효과가 현저해지고, 이에 따라 에너지 밀도가 증가할 수 있다. 양자점은 이론적 양자 효율이 거의 100% 이고 높은 색순도의 광을 방출할 수 있으므로 증가된 발광 효율 및 향상된 색재현성을 달성할 수 있다. 또한, 감광성 수지 조성물과 혼합되어 파장 변환 물질인 양자점을 패턴화할 수 있으므로, 서브픽셀을 구성하는 LED 셀을 위한 파장 변환 구조로 유익하게 사용될 수 있다.
본 실시예에서, 제1 내지 제3 LED 셀(C1,C2,C3)은 자외선이나 근자외선의 광(예, 380㎚∼440㎚)을 방출하는 에피택셜층(110, 특히 활성층(115))을 포함하며, 각각 제1 내지 제3 서브 픽셀(S1,S2,S3)은 상기 제1 내지 제3 파장 변환 패턴(170R,170G,170B)과 결합하여 각각 적색 광, 녹색 광 및 청색 광을 방출할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 파장 변환 패턴(170R,170G,170B)은 각각 적색 양자점, 녹색 양자점 및 청색 양자점을 포함할 수 있다. 예를 들어, 이러한 양자점들은, Ⅱ족-Ⅵ족 화합물, Ⅲ족-Ⅴ족 화합물, Ⅳ족- Ⅵ족 화합물, Ⅳ족 화합물, I족-Ⅲ족-Ⅵ족 화합물, I족-Ⅱ족-Ⅳ족-Ⅵ족 화합물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 제1 내지 제3 파장 변환 패턴(170R,170G,170B)은 균일한 광분산을 위해서 광확산재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광확산재는 금속 산화물 입자, 금속 입자 및 그 조합일 수 있다.
상기 디스플레이 장치(100)는 제1 내지 제3 서브 픽셀(S1,S2,S3)과 각 픽셀(P)을 광학적으로 상호 분리시키기 위한 광차단벽(180)을 더 포함할 수 있다. 이러한 광차단벽(180)은 상기 복수의 LED 셀(C1,C2,C3) 사이 그리고 상기 파장 변환 패턴(170R,170G,170B) 사이에 배치될 수 있다. 광차단벽은 이에 한정되지는 않으나, 블랙 매트릭스(black matrix)를 포함할 수 있다.
한편, 지지 기판(160)과 LED 어레이의 접합을 위해서 제공되는 상기 접합 수지층(161)은 상기 지지 기판(160)의 방향으로의 빛샘을 방지하기 위해서 광반사성 분말을 함유할 수 있다. 예를 들어, 광반사성 분말은 이산화 티타늄(TiO2) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 산화물 또는 금속 입자일 수 있다.
광반사성 분말이 함유된 접합 수지층(161)을 사용하는 대신에 별도의 반사 구조가 채용될 수 있다. 예를 들어, 보호용 절연층(141)을 서로 다른 굴절률을 갖는 복수의 절연막들이 교대로 적층된 분산 브래그 반사(DBR: Distributed Bragg Reflector) 구조로 구현할 수 있다. 이러한 DBR 구조는 상기 굴절률이 서로 다른 복수의 절연막들이 2회 내지 100회 반복하여 적층된 구조일 수 있으며, 상기 복수의 절연막들은 SiO2, SiN, SiOxNy, TiO2, Si3N4, Al2O3, ZrO2, TiN, AlN, TiAlN, TiSiN 등의 산화물 또는 질화물로부터 선택될 수 있다.
도1에 도시된 디스플레이 장치(100)는 태블릿 컴퓨터, 랩탑 컴퓨터, 휴대 전화, 미디어 플레이어뿐만 아니라, 고해상도가 요구되는 웨어러블 장치의 디스플레이나, 가상현실(virtual reality: VR) 또는 증강현실(augmented reality: AR) 디스플레이에 유익하게 사용될 수 있다.
도3은 도1에 도시된 디스플레이 장치에 구현된 구동회로도이다.
도3을 참조하면, m×n의 서브 픽셀이 배열된 디스플레이 장치의 회로도가 예시되어 있다.
각 서브 픽셀(S1,S2,S3)은 수직방향(행방향)의 경로, 즉 데이터 라인(D1,D2,D3....Dm-2,Dm-1,Dm)에 통해서 데이터 신호를 수용할 수 있다. 각 서브 픽셀(22)은 수평방향(열방향) 경로, 즉 게이트 라인(G1,G2,G3....Gn-2,Gn-1,Gn)을 통해서 제어 신호(즉, 게이트 신호)를 수용할 수 있다.
상기 서브 픽셀(S1,S2,S3)은 직사각형 배열 또는 다른 형태로 배열될 수 있다. 각각 제1 내지 제3 서브 픽셀((S1,S2,S3))을 포함하는 복수의 픽셀들(P)의 어레이는 디스플레이를 위한 활성 영역(DA)을 형성하고, 사용자를 위한 이미지 표시에서 사용된다. 디스플레이 장치(100)의 비활성 영역(NA)은 활성 영역(AA)의 하나 이상의 에지를 따라 형성될 수 있다. 비활성 영역(NA)은 디스플레이 장치(100)를 위한 경계를 형성하고, 픽셀(P)이 존재하지 않는다.
드라이버 회로(210,220)는 픽셀(P), 즉 복수의 서브 픽셀(S1,S2,S3)의 작동을 제어하기 위해 채용될 수 있다. 드라이버 회로(210,220)는 집적 회로, 박막 트랜지스터 패널 회로 또는 다른 적합한 회로로 형성될 수 있고, 디스플레이 장치(100)의 비활성 영역(NA)에서 배치될 수 있다. 드라이버 회로(210,220)는 마이크로 프로세서와, 스토리지와 같은 메모리와, 처리 회로와 통신 회로를 포함할 수 있다. 작동하는 동안, 시스템 제어 회로는 디스플레이(100)에 디스플레이될 이미지에서 정보(IS)를 드라이버 회로(210,220)에 공급할 수 있다.
픽셀(P)상에 이미지를 표시하기 위해서, 제1 드라이버 회로(210)는 데이터 라인(D1,D2,D3....Dm-2,Dm-1,Dm)에 이미지 데이터를 공급하면서, 제2 드라이버 회로(220)('게이트 드라이버 회로'라고도 함)에 클럭 신호와 다른 제어 신호들을 발송할 수 있다.
상기 제2 드라이버 회로(220)는 집적 회로 및/또는 박막 트랜지스터 회로를 사용하여 구현될 수 있다. 디스플레이 장치(100)의 게이트 라인(G1,G2,G3....Gn-2,Gn-1,Gn)을 통해서 열 방향으로 배열된 서브 픽셀(S1,S2,S3)을 제어하기 위한 게이트 신호가 전송될 수 있다.
각각 서브 픽셀(S1,S2,S3)은 각각 LED 셀(C1,C2,C3)과 직렬로 연결된 TFT 셀(130, '구동 트랜지스터'라고도 함)를 포함할 수 있다. 각 서브 픽셀(S1,S2,S3)의 회로 구성에 한정되지 않으며, 각 서브 픽셀(S1,S2,S3)은 다른 소자를 더 포함하여 다양한 회로로 구현될 수 있다. 예를 들어, 각 서브 픽셀(S1,S2,S3)에는 계속적인 이미지 프레임 사이에서 적재 데이터(loaded date)를 저장하는데 사용되는 캐패시터나, 데이터 로딩 작동과 다른 작업을 지원하기 위한 하나 이상의 스위칭 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
도4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 LED를 이용한 디스플레이 장치의 단면도이다.
도4에 도시된 디스플레이 장치(100')는 LED 셀의 방출 파장과 제3 서브 픽셀의 구성만을 제외하고 도1에 도시된 디스플레이 장치(100)와 유사한 것으로 이해할 수 있다. 본 실시예의 구성요소에 대한 설명은 특별히 반대되는 설명이 없는 한 도1 내지 도3에 도시된 디스플레이 장치(100)의 동일하거나 유사한 구성요소에 대한 설명을 참조할 수 있다.
본 실시예에서, 제1 내지 제3 LED 셀(C1,C2,C3)은 청색 광을 방출하는 에피택셜층(110', 특히, 활성층(115'))을 포함한다. 제1 및 제2 서브 픽셀(S1,S2)은 도2에 도시된 디스플레이 장치(100)와 유사하게, 상기 제1 및 제2 파장 변환 패턴(170R,170G)과 결합하여 각각 적색 광 및 녹색 광을 방출할 수 있다. 반면에, 제3 LED 셀(C3)이 청색 광을 방출하도록 구성되므로, 제3 서브 픽셀(S3)은 별도의 파장변환구조를 포함하지 않을 수 있다. 다만, 광차단벽(180)을 형성하기 용이하도록 셀 간의 레벨을 맞추도록 투명 수지로 이루어진 광투과성 패턴(170T)을 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 광투과성 패턴(170)은 앞서 설명된 광확산재를 포함할 수 있다.
도1에서는, 적색, 녹색 및 청색(RGB)의 광을 방출하도록 구성된 제1 내지 제3 서브 픽셀은 장방형상을 가지며 나란히 배열된 형태로 예시되어 있다. 하지만, 상기 1 내지 제3 서브 픽셀의 배열은 이에 한정되지 않으며 다양한 배열을 가질 수 있다. 또한, 하나의 픽셀에 배열되는 일부 서브 픽셀은 다른 개수로 배열될 수 있다. 구체적으로, 도5를 참조하면, 하나의 픽셀에서 적색 및 청색에 각각 해당되는 서브 픽셀(SR,SB)은 일 대각선 방향으로 녹색에 해당되는 서브 픽셀(SG)을 2개로 제공되고 다른 대각선 방향으로 배열될 수 있다.
도6 내지 도12는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타내는 공정 단면도이다.
도6을 참조하면, 성장용 기판(101) 상에 LED를 위한 에피택셜층(110)을 형성할 수 있다. 상기 에피택셜층(110)는 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(115) 및 제2 도전형 반도체층(117)을 포함할 수 있다.
상기 성장용 기판(101)은 절연성, 도전성 또는 반도체 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 성장용 기판(101)은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. 상기 에피택셜층(110)의 각 층은 질화물 반도체일 수 있다. 상기 MOCVD, MBE, HVPE과 같은 공정을 이용하여 상기 성장용 기판(110) 상에 성장될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(112)은 n형 AlxInyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)을 만족하는 질화물 반도체일 수 있으며, n형 불순물은 Si일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 n형 GaN일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(117)은 p형 AlxInyGa1 -x- yN을 만족하는 질화물 반도체층일 수 있으며, p형 불순물은 Mg일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도전형 반도체층(117)은 p형 AlGaN/GaN일 수 있다. 상기 활성층(115)은 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조일 수 있다. 예를 들어, 질화물 반도체를 사용할 경우, 상기 활성층(35)은 GaN/InGaN MQW 구조일 수 있다. 상기 에피택셜층(110)은 상기 제2 도전형 반도체층(117) 및 제1 도전형 반도체층(112)에 의해 각각 제공되는 제1 면(110A) 및 제2 면(110B)을 갖는다.
도7을 참조하면, 상기 에피택셜층(110)의 일부 영역을 부분적으로 제거함으로써 제1 도전형 반도체층(112)의 일부 영역을 노출시키고, 제1 및 제2 전극을 형성할 수 있다.
본 제거 공정은 상기 제2 도전형 반도체층(117)과 상기 활성층(115)의 일부 영역을 제거하는 건식 에칭공정에 의해 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 건식 에칭 공정은 반응성 이온 식각(RIE) 공정일 수 있다. 노출된 제1 도전형 반도체층(112)의 일부 영역은 제1 전극을 위한 영역으로 제공될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(112)의 일 영역과 상기 제2 도전형 반도체층(117)의 일 영역에 각각 접속된 제1 및 제2 전극(119a,119b)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 전극(119a,119b)은 각각 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 2층 이상의 구조로 채용될 수 있다. 이러한 공정들을 통해서 LED 셀을 위한 구조체가 형성될 수 있다.
도8을 참조하면, LED 셀을 위한 구조체(즉, 에피택셜층(110)) 상에 절연막(121)을 형성하고, 상기 절연막(121) 상에 TFT 셀(130)을 형성한다.
상기 에피택셜층(110) 상에 상기 절연막(121)을 형성한다. 상기 절연막(121)은 SiO2, Si3N4, HfO2, SiON, TiO2, Ta2O3 또는 SnO2일 수 있다. 상기 절연막(121) 상에 채널영역을 제공할 반도체층(136)을 형성한다. 예를 들어, 상기 반도체층(136)은 폴리실리콘과 실리콘계 반도체, 인듐 갈륨 산화아연과 같은 반도체 산화물 또는 실리콘 저마늄과 같은 화합물 반도체일 수 있다. 상기 반도체층(136)의 채널영역에 게이트 절연막(134) 및 게이트 전극(136)을 순차적으로 형성하고, 상기 게이트 전극(136)의 양측 영역에는 각각 소스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b)을 형성한다. 이러한 공정들을 통해서 TFT 셀(130)을 제공할 수 있다.
도9를 참조하면, 연결 배선(152), 데이터 라인(154), 게이트 라인(156) 및 공통 라인(158)을 형성함으로써 TFT 회로를 제공할 수 있다.
우선, TFT 셀(130)이 형성된 구조체 상에 보호용 절연층(141)을 형성하고, TFT 회로를 구성하는 도전 라인과 접속될 영역을 부분적으로 개방시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 복수의 TFT 셀(130)의 소스 전극(135a), 드레인 전극(135b) 및 게이트 전극(136)과, LED 셀의 제1 및 제2 전극(119a,119b)을 부분적으로 노출시킬 수 있다. 예를 들어, 보호용 절연층(141)은 SiO2, Si3N4, HfO2, SiON, TiO2, Ta2O3 또는 SnO2일 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 상기 보호용 절연층(141)은 서로 다른 굴절률을 갖는 유전체막을 교대로 적층된 DBR 다층막일 수 있다.
상기 복수의 TFT 셀(130)의 드레인 전극(135b)과 상기 LED 셀의 제2 전극(119b)을 연결하는 연결 배선을 형성할 수 있다. 또한, 상기 복수의 TFT 셀(130)의 소스 전극(135a)을 행방향으로 연결하는 데이터 라인(154)을 형성하고, 상기 복수의 TFT 셀(130)의 게이트 전극(135b)을 열방향으로 연결하는 게이트 라인(156)을 형성할 수 있다. 또한, LED 셀의 제1 전극(119a)을 서로 연결하는 공통 라인(158)을 형성하여 접지시킬 수 있다. 이러한 공정들을 통해서 TFT 셀(130)을 포함한 TFT 회로를 제공할 수 있다.
도10을 참조하면, TFT 셀(130)이 형성된 LED 어레이를 지지 기판(160)을 접합시키고 상기 LED 어레이로부터 성장용 기판(101)을 제거한다.
접합 수지층(161)을 이용하여 TFT 셀(130)이 형성된 LED 어레이를 지지 기판(160)을 접합시킨다. 예를 들어, 상기 접합 수지층(161)은, 폴리아크릴레이트, 폴리이미드, 폴리 아마이드 및 벤조사이클로부텐으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질일 수 있다. 특정 실시예에서, 상기 접합 수지층(161)은 상기 지지 기판(160)의 방향으로의 빛샘을 방지하기 위해서 광반사성 분말을 함유할 수 있다. 예를 들어, 광반사성 분말은 이산화 티타늄(TiO2) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 산화물 또는 금속 입자일 수 있다.
상기 지지 기판(160)을 접합시킨 후에, LED 어레이로부터 성장용 기판(101)을 제거할 수 있다. 성장용 기판(101)의 제거는 습식, 건식 식각 또는 레이저 리프트 오프(laser lift-off, LLO) 공정에 의해 수행될 수 있다. 다른 실시예에서는 기계적 연마법이 이용될 수도 있다.
도11을 참조하면, LED 어레이를 구성하는 에피택셜층(110)을 개별 LED 셀로 분할한다.
아이솔레이션 공정을 이용하여 에피택셜층(110)을 분리함으로써 제1 내지 제3 LED 셀(C1,C2,C3)을 형성할 수 있다. 본 아이솔레이션(IS) 공정은 RIE와 같은 건식 에칭공정이 사용될 수 있다. 각각의 제1 내지 제3 LED 셀(C1,C2,C3)은 한변의 길이가 10 ㎛이하인 마이크로 LED일 수 있다.
도12를 참조하면, 제1 내지 제3 LED 셀(C1,C2,C3)의 제2 면(100B)에 각각 제1 내지 제3 파장 변환 패턴(170R,170G,170B)을 형성한다.
상기 제1 내지 제3 파장 변환 패턴(170R,170G,170B)은 각각 적색, 녹색 및 청색 양자점을 혼합한 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 파장 변환 패턴(170R,170G,170B)은 별도의 포토 리소그래피을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 파장 변환 패턴(170R,170G,170B)은 포토 리소그래피 공정을 이용하여 제조되므로, 미세하면서 정밀한 패턴으로 제공될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 파장 변환 패턴(170R,170G,170B)은 서브 픽셀에 해당되는 크기(예, 한 변의 길이 10㎛ 이하)의 미세한 패턴으로 구현될 수 있다.
감광성 수지 조성물에 혼합되는 양자점은 표면에 유기 리간드를 표면 갖는 양자점일 수 있다. 상기 감광성 수지 조성물은, 광개시제와, 유기 바인더와, 광중합성 모노머와, 용매를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광개시제는, 옥심 화합물, 포스핀옥사이드 화합물 및 아미노 케톤 화합물로부터 선택된 적어도 하나일 수 있다. 상기 유기 바인더는 카르복시기(-COOH)를 함유한 폴리머일 수 있다. 상기 광중합성 모노머는 탄소-탄소 이중 결합을 포함한 모노머일 수 있다.
포토리소그래피 공정 후에 얻어진 제1 내지 제3 파장 변환 패턴(170R,170G,170B)은 서로 다른 색의 양자점과 폴리머의 복합체로 이루어질 수 있다. 이러한 폴리머는 양자점이 분산되는 호스트 매트릭스로 제공되며, 상기 폴리머는 감광성 수지 조성물로부터 포토 리소그래피(노광/현상) 공정 후에 얻어진 결과물일 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
101: 성장용 기판
112: 제1 도전형 반도체층
115: 활성층
117: 제2 도전형 반도체층
121: 절연막
132: TFT 반도체층
134: 게이트 절연막
136: 게이트 전극
152: 연결 배선
154: 데이터 라인
156: 게이트 라인
158: 공통 라인

Claims (20)

  1. 각각 복수의 서브 픽셀을 포함하는 픽셀들을 갖는 디스플레이 장치로서,
    상기 복수의 서브 픽셀에 각각 제공되는 복수의 LED 셀을 포함하는 LED 어레이 - 상기 복수의 LED 셀은 각각 서로 반대에 위치한 제1 면 및 제2 면을 갖는 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층의 제1 면의 제1 영역 상에 순차적으로 배치된 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하며, 상기 활성층은 동일한 파장의 광을 방출하도록 구성됨 - ;
    상기 복수의 LED 셀에 각각 배치되며 상기 제1 도전형 반도체층의 제1 면의 제2 영역에 위치한 복수의 TFT 셀을 포함하며, 상기 복수의 TFT 셀 각각은 소스 및 드레인 영역들과 그 사이에 위치한 게이트 전극을 갖는 TFT 회로;
    상기 복수의 LED 셀 각각에서 상기 제1 도전형 반도체층의 제2 면에 배치되며, 상기 복수의 서브 픽셀로부터 서로 다른 광이 방출되도록 구성된 양자점과 폴리머의 복합체로 이루어진 파장 변환 패턴; 및
    상기 복수의 서브 픽셀이 분리되도록 상기 복수의 LED 셀과 상기 파장 변환 패턴 사이에 배치된 광차단벽;을 포함하는 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 서브 픽셀은, 적색 광을 방출하도록 구성된 제1 서브 픽셀과, 녹색 광을 방출하도록 구성된 제2 서브 픽셀과, 청색 광을 방출하도록 구성된 제3 서브 픽셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 LED 셀은 자외선 또는 근자외선 광을 방출하도록 구성된 LED 셀이며,
    상기 파장 변환 패턴은 상기 제1 내지 제3 서브 픽셀에 각각 배치된 제1 내지 제3 파장 변환 패턴을 포함하고, 상기 제1 내지 제3 파장 변환 패턴은 각각 적색, 녹색 및 청색 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 LED 셀은 청색 광을 방출하도록 구성된 LED 셀이며,
    상기 파장 변환 패턴은 상기 제1 및 제2 서브 픽셀에 각각 배치된 제1 및 제2 파장 변환 패턴을 포함하고, 상기 제1 및 제2 파장 변환 패턴은 각각 적색 및 녹색 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제3 서브 픽셀은, 해당 LED 셀의 제2 면에 상기 제1 및 제2 파장 변환 패턴에 대응되는 두께를 갖는 광투과성 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환 패턴의 폴리머는 감광성 수지 조성물로부터 얻어진 폴리머인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환 패턴은 금속 산화물 입자, 금속 입자 및 그 조합으로부터 선택된 광확산제를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 LED 어레이와 상기 복수의 TFT 셀 사이에 배치된 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 TFT 회로는 행 방향으로 상기 복수의 TFT 셀의 소스 영역을 연결하는 복수의 데이터 라인과, 열 방향으로 상기 복수의 TFT 셀의 게이트 전극을 연결하는 게이트 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 광차단벽은 블랙 매트릭스를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 LED 셀의 제1 면에 배치된 플렉서블 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  12. 각각 제1 내지 제3 서브 픽셀을 포함하는 픽셀들의 어레이;
    상기 각 픽셀들의 제1 내지 제3 서브 픽셀에 각각 위치하며, 제1 파장의 광을 방출하도록 구성되고, 각각 서로 반대에 위치한 제1 면 및 제2 면을 갖는 복수의 LED 셀;
    상기 복수의 LED 셀의 제1 면에 각각 배치되며, 각각 소스 및 드레인 영역들과 그 사이에 위치한 게이트 전극을 갖는 복수의 TFT 셀;
    행 방향으로 상기 복수의 TFT 셀의 소스 영역을 연결하는 복수의 데이터 라인;
    열 방향으로 상기 복수의 TFT 셀의 게이트 전극을 연결하는 게이트 라인;
    상기 각 픽셀들의 제1 서브 픽셀에 위치한 LED 셀의 제2 면에 각각 배치되며, 상기 제1 파장의 광을 제2 파장의 광으로 변환하는 제1 양자점과 폴리머의 복합체로 이루어진 제1 파장 변환 패턴;
    상기 각 픽셀들의 제2 서브 픽셀에 위치한 LED 셀의 제2 면에 각각 배치되며, 상기 제1 파장의 광을 제3 파장의 광으로 변환하는 제2 양자점과 폴리머의 복합체로 이루어진 제2 파장 변환 패턴;
    상기 복수의 LED 셀의 제1 면 상에 상기 복수의 TFT 셀을 덮도록 배치되며, 평면적 관점에서 상기 제1 내지 제3 서브 픽셀 각각의 사이에 위치한 리세스된 영역을 갖는 절연막; 및
    상기 제1 내지 제3 서브 픽셀이 서로 분리되도록 상기 복수의 LED 셀의 제2 면 상에 배치된 광차단벽;을 포함하고,
    상기 광차단벽은 상기 제1 및 제2 파장 변환 패턴 사이로부터 상기 절연막의 상기 리세스된 영역의 바닥면까지 연장된 디스플레이 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 LED 셀은, 각각 제1 및 제2 도전형 반도체층과 그 사이에 위치한 활성층을 포함하는 것을 특징으로 디스플레이 장치.
  14. 삭제
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제1 파장의 광은 청색 광이며, 상기 제2 파장의 광은 적색 광이며, 상기 제3 파장의 광은 녹색 광인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 각 픽셀들의 제3 서브 픽셀에 위치한 LED 셀의 제2 면에 각각 배치되며, 상기 제1 파장의 광을 제4 파장의 광으로 변환하는 제3 양자점과 폴리머의 복합체로 이루어진 제3 파장 변환 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 파장의 광은 자외선 또는 근자외선 광이며, 상기 제2 파장의 광은 청색 광이며, 상기 제3 파장의 광은 적색 광이며, 상기 제4 파장의 광은 녹색 광인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 LED 셀은 10㎛ 이하의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 TFT 셀은 폴리 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  20. 각각 제1 내지 제3 서브 픽셀을 포함하는 픽셀들의 어레이;
    상기 각 픽셀들의 제1 내지 제3 서브 픽셀에 각각 위치하며, 동일한 에피택셜층으로 이루어지며, 각각 서로 반대에 위치한 제1 면 및 제2 면을 갖는 복수의 LED 셀 - 상기 복수의 LED 셀 각각은 제1 도전형 반도체층과, 제2 도전형 반도체층과, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함함 - ;
    상기 복수의 LED 셀의 제1 면에 배치된 절연막;
    상기 복수의 LED 셀과 상기 절연막에 의해 전기적으로 절연되며, 상기 복수의 LED 셀의 제1 면의 일 영역에 각각 배치된 복수의 TFT 셀; 및
    상기 각 픽셀들의 적어도 제1 및 제2 서브 픽셀에 위치한 LED 셀의 제2 면에 각각 배치되며, 서로 다른 파장의 광을 방출하도록 구성되며, 양자점과 감광성 수지 조성물로부터 얻어진 폴리머의 복합체로 이루어진 제1 및 제2 파장 변환 패턴;을 포함하고,
    상기 복수의 TFT 셀 및 상기 활성층은 상기 제1 도전형 반도체층의 동일한 면의 서로 다른 영역들에 각각 배치되며, 상기 복수의 TFT 셀 각각은 그 전체 영역이 평면적 관점에서 상기 복수의 LED 셀 각각의 제1 도전형 반도체층에 의해 커버되도록 배치되는 디스플레이 장치.
KR1020170113362A 2017-09-05 2017-09-05 Led를 이용한 디스플레이 장치 Active KR102476136B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170113362A KR102476136B1 (ko) 2017-09-05 2017-09-05 Led를 이용한 디스플레이 장치
US15/955,894 US10784308B2 (en) 2017-09-05 2018-04-18 Display device including light emitting diode and method of manufacturing the same
CN201811031098.1A CN109427824B (zh) 2017-09-05 2018-09-05 包括发光二极管的显示装置及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170113362A KR102476136B1 (ko) 2017-09-05 2017-09-05 Led를 이용한 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190026440A KR20190026440A (ko) 2019-03-13
KR102476136B1 true KR102476136B1 (ko) 2022-12-09

Family

ID=65514856

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170113362A Active KR102476136B1 (ko) 2017-09-05 2017-09-05 Led를 이용한 디스플레이 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10784308B2 (ko)
KR (1) KR102476136B1 (ko)
CN (1) CN109427824B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210052626A (ko) * 2019-10-29 2021-05-11 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 제조방법
KR20220160652A (ko) * 2020-03-30 2022-12-06 플레세이 세미컨덕터스 리미티드 모놀리식 led 픽셀

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI611573B (zh) * 2017-06-09 2018-01-11 晶典有限公司 微發光二極體顯示模組的製造方法
TWI633681B (zh) * 2017-06-09 2018-08-21 美商晶典有限公司 微發光二極體顯示模組的製造方法
TWI739931B (zh) * 2017-10-18 2021-09-21 優顯科技股份有限公司 顯示裝置
US12100696B2 (en) 2017-11-27 2024-09-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode for display and display apparatus having the same
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US11282981B2 (en) 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
KR102603411B1 (ko) 2017-12-18 2023-11-16 엘지디스플레이 주식회사 마이크로led 표시장치
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) * 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
TWI852919B (zh) * 2018-01-23 2024-08-21 晶元光電股份有限公司 發光元件、其製造方法及顯示模組
CN110277420B (zh) * 2018-03-16 2021-11-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
KR102597018B1 (ko) 2018-08-23 2023-10-31 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
WO2020076452A1 (en) * 2018-10-10 2020-04-16 Glo Ab Vertical stacks of light emitting diodes and control transistors and method of making thereof
JP6990265B2 (ja) * 2019-03-08 2022-01-12 シャープ株式会社 画像表示素子
US11029782B2 (en) 2019-05-03 2021-06-08 Sigmasense, Llc. Light emitting diode (LED) touch display circuit
CN113994486A (zh) * 2019-05-10 2022-01-28 日亚化学工业株式会社 图像显示装置的制造方法以及图像显示装置
US11094530B2 (en) * 2019-05-14 2021-08-17 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer
WO2020246857A1 (ko) * 2019-06-05 2020-12-10 한양대학교 에리카산학협력단 마이크로 led 디스플레이 및 그 제조 방법
KR102827322B1 (ko) 2019-06-21 2025-07-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN112133811B (zh) * 2019-06-25 2022-03-29 成都辰显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
KR102221426B1 (ko) * 2019-07-02 2021-03-02 셀로코아이엔티 주식회사 발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR102877332B1 (ko) * 2019-08-23 2025-10-27 엘지디스플레이 주식회사 마이크로-led 표시장치
KR102825735B1 (ko) 2019-11-29 2025-06-27 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 어레이 기판, 디스플레이 패널, 접합된 디스플레이 패널 및 디스플레이 구동 방법
KR102824153B1 (ko) * 2020-02-06 2025-06-26 주식회사 루멘스 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈
CN111261658B (zh) * 2020-02-10 2023-02-28 Tcl华星光电技术有限公司 微型发光二极管显示面板及微型发光二极管的转印方法
KR102824152B1 (ko) * 2020-02-17 2025-06-27 주식회사 루멘스 마이크로 엘이디 디스플레이 장치
KR102794959B1 (ko) 2020-02-21 2025-04-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US11508795B2 (en) * 2020-03-06 2022-11-22 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20220007754A (ko) * 2020-07-09 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치
US11588078B2 (en) * 2020-07-17 2023-02-21 Lextar Electronics Corporation Light emitting device and module
KR20220068337A (ko) 2020-11-18 2022-05-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI747690B (zh) * 2020-12-28 2021-11-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製作方法
EP4207327A4 (en) 2021-06-22 2024-01-10 BOE Technology Group Co., Ltd. LIGHT EMITTING DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREOF AND DISPLAY DEVICE
KR20230016925A (ko) * 2021-07-27 2023-02-03 삼성전자주식회사 표시 패널 및 전자 장치
CN114695502B (zh) * 2021-09-16 2025-07-18 友达光电股份有限公司 显示面板
JP2023065839A (ja) * 2021-10-28 2023-05-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
WO2023121403A1 (ko) * 2021-12-24 2023-06-29 삼성전자 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 채용한 디스플레이 장치
CN117742036A (zh) 2022-09-13 2024-03-22 台湾扬昕股份有限公司 波长转换元件及背光模块
TWI824713B (zh) * 2022-09-13 2023-12-01 台灣揚昕股份有限公司 波長轉換元件及背光模組

Family Cites Families (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6372608B1 (en) 1996-08-27 2002-04-16 Seiko Epson Corporation Separating method, method for transferring thin film device, thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device manufactured by using the transferring method
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
US6818465B2 (en) 2001-08-22 2004-11-16 Sony Corporation Nitride semiconductor element and production method for nitride semiconductor element
JP4021194B2 (ja) * 2001-12-28 2007-12-12 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ装置の製造方法
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100557732B1 (ko) * 2003-12-26 2006-03-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광장치 및 그 제조방법
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101252083B1 (ko) 2005-12-22 2013-04-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP4391497B2 (ja) * 2006-05-19 2009-12-24 シャープ株式会社 カラーセンサー、カラーセンサーの製造方法、センサー、及び電子機器
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
JP5396709B2 (ja) * 2007-12-11 2014-01-22 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタ、電気光学装置および電子機器
TWI367465B (en) * 2008-02-15 2012-07-01 Foxsemicon Integrated Tech Inc Led display
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100025806A (ko) * 2008-08-28 2010-03-10 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
WO2010038419A1 (ja) * 2008-09-30 2010-04-08 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法ならびに表示装置
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
TWI476961B (zh) * 2010-10-12 2015-03-11 友達光電股份有限公司 發光二極體裝置
US8921872B2 (en) * 2011-12-09 2014-12-30 Sony Corporation Display unit and method of manufacturing the same, electronic apparatus, illumination unit, and light-emitting device and method of manufacturing the same
KR20130092896A (ko) * 2012-02-13 2013-08-21 엘지전자 주식회사 Ｌｅｄ 디스플레이 장치 및 그것의 제조 방법
KR101476207B1 (ko) 2012-06-08 2014-12-24 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR101452768B1 (ko) * 2012-08-21 2014-10-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US9159700B2 (en) 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display
KR101958419B1 (ko) * 2013-01-29 2019-03-14 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자
TW201438199A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 主動式固態發光顯示器
TWI574055B (zh) * 2013-08-14 2017-03-11 鴻海精密工業股份有限公司 顯示面板
JP6134236B2 (ja) * 2013-09-02 2017-05-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102093628B1 (ko) * 2013-10-10 2020-03-26 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
TWI580031B (zh) * 2013-12-26 2017-04-21 鴻海精密工業股份有限公司 顏色轉換層、有機電致發光顯示面板及液晶顯示面板
TWI769941B (zh) 2014-06-18 2022-07-01 愛爾蘭商艾克斯展示公司技術有限公司 微組裝發光二極體顯示器及照明元件
JP2016057533A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US9379166B2 (en) 2014-11-04 2016-06-28 Atom Nanoelectronics, Inc. Active matrix light emitting diodes display module with carbon nanotubes control circuits and methods of fabrication
KR20170094166A (ko) * 2014-12-15 2017-08-17 제이에스알 가부시끼가이샤 유기 el 소자, 경화성 수지 조성물, 파장 변환부의 형성 방법 및 유기 el 장치
CN107004699A (zh) * 2014-12-18 2017-08-01 Lg电子株式会社 有机发光二极管显示装置
KR101995930B1 (ko) * 2015-02-25 2019-07-03 동우 화인켐 주식회사 양자점을 포함하는 경화 조성물, 이를 이용하여 제조된 컬러필터 및 화상표시장치
US9793252B2 (en) 2015-03-30 2017-10-17 Emagin Corporation Method of integrating inorganic light emitting diode with oxide thin film transistor for display applications
CN104966725B (zh) 2015-05-07 2018-05-18 深圳市华星光电技术有限公司 一种量子点发光二极管显示器
CN105070720B (zh) * 2015-07-13 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 集成有传感器的显示面板及其制作方法和显示装置
EP3564750B1 (en) * 2015-08-21 2021-05-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive compositions, preparation methods thereof, and quantum dot polymer composite prepared therefrom
US10230021B2 (en) * 2015-09-30 2019-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
KR20170072418A (ko) * 2015-12-16 2017-06-27 삼성전자주식회사 컬러 필터, 그 제조 방법, 및 컬러 필터를 포함하는 표시 장치
US10079264B2 (en) 2015-12-21 2018-09-18 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Semiconductor devices with integrated thin-film transistor circuitry
KR102591388B1 (ko) * 2016-01-18 2023-10-19 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR102524805B1 (ko) * 2016-02-12 2023-04-25 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
KR102591412B1 (ko) * 2016-02-16 2023-10-19 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
WO2017146476A1 (ko) * 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
TWI696300B (zh) * 2016-03-15 2020-06-11 晶元光電股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
CN106773306B (zh) * 2017-01-03 2018-11-23 青岛海信电器股份有限公司 一种封装有量子点层的显示面板和液晶显示装置
CN106932943A (zh) * 2017-04-21 2017-07-07 惠科股份有限公司 显示面板和显示装置
CN108987423B (zh) * 2017-06-05 2023-09-12 三星电子株式会社 显示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210052626A (ko) * 2019-10-29 2021-05-11 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 제조방법
KR102737511B1 (ko) 2019-10-29 2024-12-05 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 제조방법
KR20220160652A (ko) * 2020-03-30 2022-12-06 플레세이 세미컨덕터스 리미티드 모놀리식 led 픽셀
KR102794661B1 (ko) 2020-03-30 2025-04-15 플레세이 세미컨덕터스 리미티드 모놀리식 led 픽셀

Also Published As

Publication number Publication date
CN109427824B (zh) 2023-09-22
US10784308B2 (en) 2020-09-22
KR20190026440A (ko) 2019-03-13
US20190074324A1 (en) 2019-03-07
CN109427824A (zh) 2019-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102476136B1 (ko) Led를 이용한 디스플레이 장치
JP7608569B2 (ja) 発光素子及びそれを有する表示装置
US11955505B2 (en) Systems and methods for coaxial multi-color LED
US12336346B2 (en) Method of manufacturing light emitting device package and method of manufacturing display panel using the same
CN109920813B (zh) 制造发光器件封装的方法
US10886327B2 (en) Light emitting stacked structure and display device having the same
EP3228157B1 (en) Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing thereof
US12191418B2 (en) Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate
EP4033532B1 (en) Display apparatus using semiconductor light emitting device
CN110556455A (zh) 利用led制造显示模块的方法
CN109962081A (zh) 发光器件封装和使用该发光器件封装的显示设备
EP3076442A1 (en) Display device using semiconductor light emitting device
KR20180133192A (ko) 디스플레이 장치
US20240243109A1 (en) Light-emitting device and image display apparatus
CN109935666B (zh) 发光装置
US12324277B2 (en) Nitride semiconductor light emitting device and display device using the same
CN116096148A (zh) 显示装置
HK40115556A (en) Systems and methods for coaxial multi-color led
HK40115804A (en) Systems and methods for coaxial multi-color led
HK40113312A (en) Systems and methods for coaxial multi-color led
KR20240010394A (ko) 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4