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KR102423617B1 - 광학식 지문 인식 센서 모듈 및 이를 적용한 전자 장치 - Google Patents

광학식 지문 인식 센서 모듈 및 이를 적용한 전자 장치 Download PDF

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KR102423617B1
KR102423617B1 KR1020200067791A KR20200067791A KR102423617B1 KR 102423617 B1 KR102423617 B1 KR 102423617B1 KR 1020200067791 A KR1020200067791 A KR 1020200067791A KR 20200067791 A KR20200067791 A KR 20200067791A KR 102423617 B1 KR102423617 B1 KR 102423617B1
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optical fingerprint
sensor module
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임정욱
윤재성
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(주)파트론
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Abstract

본 발명은 광학식 지문 인식 센서 모듈 및 이를 적용한 전자 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일례에 따른 광학식 지문 인식 센서 모듈은 신호 전달부와 안착부를 구비하되, 상기 안착부에는 개구부가 구비되고, 상기 신호 전달부에는 외부 회로와 연결되는 연결 부분이 구비되고, 전극이 상기 연결 부분으로부터 상기 안착부까지 패터닝되어 연장되는 연성 베이스 기판; 상기 연성 베이스 기판의 배면에 위치하되, 상기 개구부에 대응되는 부분에 위치하는 보강재; 지문 인식을 위해, 상기 보강재 위에 배치되어 상기 안착부의 개구부 내에 위치하는 센서부; 상기 센서부와 상기 전극을 전기적으로 서로 연결하는 연결 부재; 및 상기 연결 부재가 구비된 공간을 채우는 절연성 재질의 몰딩부;를 포함한다.

Description

광학식 지문 인식 센서 모듈 및 이를 적용한 전자 장치{Optical fingerprint recognition sensor module and electronic device using the same}
본 발명은 광학식 지문 인식 센서 모듈 및 이를 적용한 전자 장치에 관한 것이다.
광학식 지문 센서 모듈은 사용자의 지문을 감지하는 광학식 지문인식 센서 모듈로서, 스마트폰(smart phone)이나 웨어러블 기기(wearable device) 등과 같은 휴대용 기기나 출입문 등의 보안 장비로 이용되고 있다.
현재 이용되고 있는 광학식 지문인식 센서 모듈과 같은 광학식 센서 모듈은 빛을 이용하는 광학적 측정 방식을 이용하여 지문의 감지 기능을 수행한다.
광학적 측정 방식을 이용한 지문 센서 모듈인 광학식 지문인식 센서 모듈의 경우, 지문의 융선(ridge)과 융선 사이의 골(valley)에 의해 반사된 빛을 이미지 센서(image sensor)와 같은 광학식 지문인식 센서로 감지하는 원리로서, 광학식 지문인식 센서를 통해 해당 지문에 대한 지문 영상이 획득된다.
이와 같은 광학식 지문 인식 센서는 초점거리에 따른 화각을 결정하기 위한 광학계인 렌즈를 적용함으로써 센서의 소형화는 이루었지만 하우징의 구조물이 필요하기 때문에 모듈의 두께는 렌즈의 BFL(Back Focal Length)의 거리로 인하여 최소 두께가 제한된다.
이러한 문제를 해결하기 위해서 하우징 구조물을 이용하지 않고 지문 이미지를 인식할 수 있도록 더 낮은 두께의 구조를 구현하기 위한 연구가 진행되어 왔다.
종래의 광학식 지문 인식 센서 모듈은 지문 인식 센서가 휨이 적고 강성이 높은 PCB(Printed Circuit Board) 기판 상에 부착되고, 지문 인식 센서로부터 발생되는 신호를 외부의 신호 처리 회로로 전달하기 위한 연결 부분이 구비된 연성 인쇄 회로 기판(FPCB, Flexible Printed Circuit Board)이 PCB 기판에 이방성 도전 필름(ACF, Anisotropic Conductive Film)과 같은 접착제로 접착되어 사용되었다.
이와 같은 종래의 광학식 지문 인식 센서 모듈은 지문 인식 센서가 부착된 PCB 기판과 연결 부분이 구비된 FPCB 기판을 ACF 접착제로 접착시킨 구조를 이용하여, 상대적으로 공정이 복잡하고, 제조 비용이 상승하는 문제점이 있었다.
더불어, PCB 기판 상에 FPCB 기판을 중첩하여 접착시키는 구조는 광학식 지문 인식 센서 모듈의 두께를 상승시키는 하나의 요인으로 작용하여, 광학식 지문 인식 센서 모듈의 두께를 최소화하는데, 한계가 있었다.
KR 10-2018-0104818
본 발명은 구조를 단순화하여 제조 비용을 절감하고, 두께를 보다 최소화할 수 있는 구조를 갖는 광학식 지문 인식 센서 모듈 및 이를 적용한 전자 장치를 제공하는데, 그 목적이 있다.
본 발명의 일례에 따른 광학식 지문 인식 센서 모듈은 신호 전달부와 안착부를 구비하되, 상기 안착부에는 개구부가 구비되고, 상기 신호 전달부에는 외부 회로와 연결되는 연결 부분이 구비되고, 전극이 상기 연결 부분으로부터 상기 안착부까지 패터닝되어 연장되는 연성 베이스 기판; 상기 연성 베이스 기판의 배면에 위치하되, 상기 개구부에 대응되는 부분에 위치하는 보강재; 지문 인식을 위해, 상기 보강재 위에 배치되어 상기 안착부의 개구부 내에 위치하는 센서부; 상기 센서부와 상기 전극을 전기적으로 서로 연결하는 연결 부재; 및 상기 연결 부재가 구비된 공간을 채우는 절연성 재질의 몰딩부;를 포함한다.
상기 보강재는 판 형상으로 구비되되, 상기 개구부의 폭보다 크고, 상기 안착부를 형성하는 상기 연성 베이스 기판의 폭 이하일 수 있다.
상기 연성 베이스 기판은 290MPa ~ 350MPa 사이의 인장 강도(Tensile Strength)와 5.3Gpa ~ 5.7Gpa 사이의 영율(Young’s Modulus)을 가질 수 있다.
상기 안착부와 상기 개구부는 전체적으로 사각형 형상을 가지되, 상기 안착부의 사각형 형상을 형성하는 외곽 라인은 상기 개구부의 사각형 형상을 형성하는 라인과 엇갈릴 수 있다.
상기 센서부는 전체적으로 사각형 형상을 가지고, 상기 개구부 내에 위치하되, 상기 센서부의 사각형 형상을 형성하는 라인은 상기 안착부의 외곽 라인과 엇갈릴 수 있다.
상기 센서부는 상기 지문을 감지하는 활성 영역과 상기 활성 영역의 주변에 배치되고 상기 연결 부재와 연결되는 단자를 구비한 비활성 영역을 포함할 수 있다.
상기 연결 부재는 가늘고 긴 도전성 와이어 형태로 구비되고, 상기 센서부의 비활성 영역에 구비된 단자와 상기 안착부에 위치한 상기 전극의 끝단에 접속될 수 있다.
상기 몰딩부는 상기 연결 부재가 구비된 공간을 채워 밀봉하되, 상기 연결 부재가 접속된 상기 센서부의 일부, 상기 개구부에서 상기 센서부와 상기 연성 베이스 기판 사이로 노출되는 보강재의 일부 및 상기 연성 베이스 기판의 일부를 덮어 상기 센서부를 상기 연성 베이스 기판에 일체화시킬 수 있다.
상기 안착부 상에서 상기 개구부의 외곽 영역에 위치하는 주변 구조물;을 더 포함하고, 상기 주변 구조물의 상부 끝단은 상기 센서부 또는 상기 몰딩부의 상부 끝단보다 더 높이 위치할 수 있다.
여기서, 상기 주변 구조물은 절연성 재질의 완충 테이프를 포함할 수 있으며, 상기 주변 구조물의 상부에는 상기 센서부를 덮는 보호 필름부가 더 점착될 수 있다.
본 발명의 일례에 따른 전자 장치는 이미지가 표시되는 디스플레이 패널; 상기 디스플레이 패널의 하부면에 대향되되, 이격되어 위치하는 브라켓; 및 상기 브라켓의 상부면에 위치하는 제1 항의 광학식 지문 인식 센서 모듈;을 포함하고, 상기 광학식 지문 인식 센서 모듈 중 상기 보강재의 배면이 상기 브라켓에 접착된다.
또한, 본 발명의 다른 일례에 따른 전자 장치는 이미지가 표시되는 디스플레이 패널; 및 상기 디스플레이 패널의 하부에 배치되는 제1 항의 광학식 지문 인식 센서 모듈;을 포함하고, 상기 광학식 지문 인식 센서 모듈은 상기 안착부 상에서 상기 개구부의 외곽 영역에 위치하는 주변 구조물;을 포함하고, 상기 광학식 지문 인식 센서 모듈의 상기 주변 구조물이 상기 디스플레이 패널의 하부면에 부착된다.
본 발명에 일례에 따른 광학식 지문 인식 센서 모듈 및 이를 적용한 전자 장치는 연성 베이스 기판 상에 연결 부분과 함께 센서부도 위치하도록 함으로써, 상대적으로 휨이 작은 강성 재질의 PCB 기판의 사용을 생략하고, 구조를 보다 단순화하여, 제조 비용을 보다 절감할 수 있다.
아울러, 본 발명에 일례에 따른 광학식 지문 인식 센서 모듈 및 이를 적용한 전자 장치는 광학식 지문 인식 센서가 지문과 보다 근접하도록 얇은 구조를 갖도록 하여, 지문의 감지 범위의 영역을 상대적으로 넓힐 수 있고, 렌즈 Assembly 구조와 센서 주변에 구비되는 Housing 구조를 생략할 수 있어, 제조 공정을 보다 간소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 광학식 지문 인식 모듈을 위에서 바라본 형상이다.
도 2는 도 1에 도시된 광학식 지문 인식 센서 모듈의 분해 사시도이다.
도 3은 도 2에서 연성 베이스 기판을 설명하기 위한 도이다.
도 4는 도 2에서 센서부를 설명하기 위한 도이다.
도 5는 도 2에서 연성 베이스 기판에 센서부, 보강재 및 몰딩부가 결합된 형태를 설명하기 위한 도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 광학식 지문 인식 모듈이 디스플레이 패널의 배면에 설치된 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 광학식 지문 인식 모듈을 설명하기 위한 도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 광학식 지문 인식 모듈이 디스플레이 패널의 배면에 설치된 일례를 설명하기 위한 도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명하는데 있어서, 해당 분야에 이미 공지된 기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명을 부가하는 것이 본 발명의 요지를 불분명하게 할 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명에서 이를 일부 생략하도록 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 실시예들을 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 해당 분야의 관련된 사람 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
여기서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 ‘포함하는’의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
아울러, 이하에서 어떤 구성 요소의 두께나 폭 또는 길이가 동일하다는 의미는 공정 상의 오차를 고려하여, 어떤 제1 구성 요소의 두께나 폭 또는 길이가 다른 제2 구성 요소의 두께나 폭 또는 길이와 비교하여, 10%의 오차 범위에 있는 경우를 의미한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)을 설명하기 위한 도로서, 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 광학식 지문 인식 모듈을 위에서 바라본 형상이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)은 외부 회로와 연결되는 연결 부분(113)이 구비된 하나의 연성 베이스 기판(110)에 광학식 지문 인식 센서를 포함하는 센서부(120)가 함께 부착될 수 있다.
이와 같은 본 발명에 따른 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)은 연결 부분(113)이 구비된 연성 베이스 기판(110) 상에 센서부(120)도 함께 위치하도록 함으로써, 상대적으로 휨이 작은 강성 재질의 PCB 기판의 사용을 생략하고, 구조를 보다 단순화하여, 제조 비용을 보다 절감할 수 있다.
아울러, 본 발명에 따른 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)은 광학식 지문 인식 센서가 지문과 보다 근접하도록 얇은 구조를 갖도록 하여, 지문의 감지 범위의 영역을 상대적으로 넓힐 수 있고, 렌즈 Assembly 구조와 센서 주변에 구비되는 Housing 구조를 생략할 수 있어, 제조 공정을 보다 간소화할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)의 분해 사시도이고, 도 3은 도 2에서 연성 베이스 기판(110)을 설명하기 위한 도이고, 도 4는 도 2에서 센서부(120)를 설명하기 위한 도이다.
도 5는 도 2에서 연성 베이스 기판(110)에 센서부(120), 보강재(170) 및 몰딩부(130)가 결합된 형태를 설명하기 위한 도로서, 도 5의 (a)는 연성 베이스 기판(110)에 센서부(120), 보강재(170) 및 몰딩부(130)가 결합된 사시도를 도시한 것이고, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)에서 Y1-Y1 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일례에 따른 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)은 연성 베이스 기판(110), 센서부(120), 연결 부재(120W), 몰딩부(130), 보강재(170) 및 보호 필름부(150)를 포함할 수 있다.
도 2에서는 보호 필름부(150)가 구비된 경우를 일례로 도시하였으나, 보호 필름부(150)는 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)이 스마트폰과 같은 제품에 적용될 때, 제거된 이후 적용될 수 있다.
연성 베이스 기판(110)은 연성 인쇄 회로 기판(FPCB, Flexible Printed Circuit Board)일 수 있으며, 도 2에 지지된 바와 같이, 신호 전달부(110S2)와 안착부(110S1)를 구비할 수 있다.
신호 전달부(110S2)에는 외부 회로와 연결되는 연결 부분(113)이 구비될 수 있으며, 안착부(110S1)에는 센서부(120)가 안착될 수 있다.
여기서, 도 1에서는 신호 전달부(110S2)에 구비되는 연결 부분(113)은 외부 회로와 연결하기 위한 금속 패드(Pad)로 형성되는 경우를 일례로 도시하였으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 연결 부분(113)은 외부 회로와 연결될 수 있는 구성이면 어떠한 형태라도 무방하다. 따라서, 연결 부분(113)이 금속 패드(Pad) 대신 외부 회로와 연결 가능한 커넥터로 형성되는 것도 가능하다.
안착부(110S1)를 형성하는 연성 베이스 기판(110)의 외곽 라인은 제1 방향(x) 및 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 형성된 사각형의 면 형태를 가질 수 있다.
이와 같은 안착부(110S1)에는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 개구부(110H)가 구비될 수 있으며, 개구부(110H)는 전체적으로 사각형 형상을 가지되, 안착부(110S1)의 외곽 라인을 형성하는 제1, 2 방향(x, y)의 외곽 라인과 엇갈릴 수 있다. 여기서, 개구부(110H)의 폭(W2)는 안착부(110S1)의 외곽 폭(W1)보다 작을 수 있다.
보다 구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 안착부(110S1)에서 제1 방향으로의 외곽 라인은 개구부(110H)의 사각형 형상을 형성하는 라인과 θ만큼 엇갈리도록 형성될 수 있다.
여기서, 엇갈리는 각(θ)은 0°~15°사이일 수 있으며, 일례로, 6°정도로 엇갈릴 수 있다. 이와 같이, 안착부(110S1)의 외곽 라인과 개구부(110H)가 서로 엇갈리도록 구비될 수 있다.
도 2에서, 신호 전달부(110S2)는 안착부(110S1)로부터 연장된 연성 베이스 기판(110)의 다른 끝단에 구비된 경우를 일례로 도시하였으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 연성 베이스 기판(110) 상에는 비록 구체적으로 도시되지는 않았지만, 안착부(110S1)로부터 신호 전달부(110S2)까지 전극(110E)이 패터닝되어 연장될 수 있다.
이와 같은 본 발명의 연성 베이스 기판(110)은 안착부(110S1)에 센서부(120)가 배치되므로, 일반적인 연성 베이스 기판(110)보다 더 높은 강도를 요구할 수 있다.
이를 위해, 본 발명의 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)에 적용되는 연성 베이스 기판(110)은 높은 강도(High Stiffness)를 갖는 연성 동박 적층 필름(FCCL:Flexible Copper Clad Layer)을 포함할 수 있으며, 연성 베이스 기판(110)은 290MPa ~ 350MPa 사이의 인장 강도(Tensile Strength)와 5.3Gpa ~ 5.7Gpa 사이의 영율(Young’s Modulus)을 가질 수 있다. 일례로, 연성 베이스 기판(110)의 인장 강도는 대략 320MPa 내외의 인장 강도(Tensile Strength)와 5.5Gpa 내외의 영율(Young’s Modulus)을 가질 수 있는 재질로 형성될 수 있다.
보강재(170)는 도 2 및 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 연성 베이스 기판(110)에서 안착부(110S1)의 배면에 위치할 수 있다.
이와 같은 보강재(170)는 판 형상으로 구비되되, 개구부(110H)의 폭보다 크고, 안착부(110S1)를 형성하는 연성 베이스 기판(110)의 폭 이하일 수 있으며, 사각형 형상을 갖는 안착부(110S1)의 외곽 라인에 대응하는 형상을 가질 수 있다.
이와 같은 보강재(170)는 연성 베이스 기판(110)보다 더 높은 강도를 가지는 금속 재질로 형성될 수 있으며, 일례로 보강재(170)로 금속 재질의 스티프너(Stiffener)가 이용될 수 있으며, 안착부(110S1)의 배면에 부착될 수 있다.
센서부(120)는 광학식으로 지문을 인식하는 이미지 센서를 포함하며, 유기접착제인 DAF(die attach film)를 이용하여 보강재(170) 상부에 부착되되, 안착부(110S1)의 개구부(110H) 내에 위치할 수 있다. 여기서, 센서부(120)의 폭(W120)은 개구부(110H)의 폭(W2)보다 작을 수 있다.
이와 같은 센서부(120)는 도 4의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 활성 영역(120S1)과 비활성 영역(120S2)을 포함할 수 있다.
활성 영역(120S1)은 지문을 감지하고, 비활성 영역(120S2)은 활성 영역(120S1)의 주변에 배치되고 연결 부재(120W)와 연결되는 단자(120P)를 구비할 수 있다.
즉, 비활성 영역(120S2)은 활성 영역(120S1)의 둘레를 따라, 상대적으로 낮은 두께로 형성되어, 활성 영역(120S1)보다 낮은 높이를 갖는 단차를 형성할 수 있으며, 센서부(120)를 연성 베이스 기판(110)에 구비된 전극(110E)에 전기적으로 연결하기 위한 단자(120P)가 구비될 수 있으며, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 센서부(120)의 단자(120P)와 연성 베이스 기판(110)의 전극(110E)은 별도의 연결 부재(120W)에 의해 연결될 수 있다.
이와 같은 센서부(120)는 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 전체적으로 사각형 형상을 가지고, 도 5에 도시된 바와 같이, 개구부(110H) 내에 위치하되, 센서부(120)의 외곽 라인은 제1, 2 방향(x, y)으로 연장되는 안착부(110S1)의 외곽 라인에 엇갈려 배치될 수 있다. 즉, 센서부(120)는 개구부(110H)를 형성하는 라인에 나란하게 배치될 수 있다.
센서부(120)의 외곽 라인이 안착부(110S1)의 외곽 라인과 엇갈리고, 개구부(110H)와 나란하게 배치되어, 도 3에 도시된 개구부(110H)와 마찬가지로 센서부(120) 역시 안착부(110S1)의 외곽 라인과 θ만큼 엇갈리도록 형성될 수 있다.
여기서, 엇갈리는 각(θ)은 0°~15°사이일 수 있으며, 일례로, 6°정도로 엇갈릴 수 있다. 이에 따라, 센서부(120)가 지문을 인식할 때, 발생될 수 있는 모아레(Moire) 현상을 최소화하여, 인식된 지문 이미지의 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 연성 베이스 기판(110)의 안착부(110S1)에 배치된 센서부(120)는 연결 부재(120W)를 통하여 연성 베이스 기판(110)의 전극(110E)과 전기적으로 연결될 수 있다.
연결 부재(120W)는 센서부(120)와 전극(110E)을 전기적으로 서로 연결하는 기능을 하며, 이를 위해 연결 부재(120W)는 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 센서부(120)의 비활성 영역(120S2)에 구비된 단자(120P)와 안착부(110S1)에 위치한 전극(110E)의 끝단에 접속될 수 있다.
이와 같은 연결 부재(120W)는 가늘고 긴 도전성 와이어 형태의 금속으로 구비될 수 있으며, 일례로 백금(Au)을 포함하여 형성될 수 있다.
몰딩부(130)는 연결 부재(120W)를 덮도록 형성되되, 연결 부재(120W)가 구비된 공간을 채워, 연결 부재(120W)를 밀봉시키고, 연결 부재(120W)와 센서부(120)를 함께 연성 베이스 기판(110)의 안착부(110S1)에 캡슐화시킬 수 있다. 이와 같은 몰딩부(130)는 절연성 재질의 수지를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 도 5의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 몰딩부(130)는 센서부(120)의 비활성 영역의 일부, 개구부(110H)에서 센서부(120)와 연성 베이스 기판(110) 사이로 노출되는 보강재(170)의 일부 및 연성 베이스 기판(110)의 일부를 덮어, 센서부(120)를 연성 베이스 기판(110)에 일체화시킬 수 있다.
일례로, 몰딩부(130)는 센서부(120)의 둘레에 형성된 비활성 영역(120S2) 중, 단자(120P)가 위치한 센서부(120)의 일측에만 구비되는 것도 가능하고, 도 5에 도시된 바와 같이, 센서부(120)의 둘레에 구비된 비활성 영역(120S2)을 덮도록 구비되는 것도 가능하다.
아울러, 센서부(120)의 단자(120P)와 연결 부재(120W) 및 연성 베이스 기판(110)의 안착부(110S1)에 노출된 전극(110E)이 외부의 습기 등에 의해 부식되거나 산화되는 것을 방지하기 위해, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 몰딩부(130)가 센서부(120)의 단자(120P), 연결 부재(120W) 및 전극(110E)의 끝단을 완전히 덮도록 형성하여, 캡슐화(Encapsulation)시키는 것도 가능하다.
이와 같은 몰딩부(130)는 센서부(120)의 단자(120P)와 연성 베이스 기판(110)의 전극(110E)을 연결 부재(120W)로 접속시킨 이후, 몰딩부(130)를 형성하는 수지를 센서부(120)의 둘레를 따라 구비된 비활성 영역(120S2)을 덮도록 도포하되, 연결 부재(120W), 센서부(120)의 단자(120P) 및 전극(110E)의 끝단을 덮도록 몰딩부(130)를 형성하는 수지를 도포한 후, 건조 및 경화시켜 몰딩부(130)를 형성될 수 있다.
이와 같은 몰딩부(130)는 광반사 또는 빛샘을 차단하거나 Light Shielding을 위하여, 몰딩부(130)를 형성하는 수지는 검은색이거나, 검은색 안료를 포함할 수 있다.
보호 필름부(150)는 도 2 및 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 연성 베이스 기판(110)의 안착부(110S1)에서 센서부(120)가 위치하지 않는 주변 영역 상부에 점착되어 구비될 수 있다. 이와 같은 보호 필름부(150)는 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)이 제조된 이후, 디스플레이 패널을 구비한 전자 장치에 장착되기 이전까지, 센서부(120)의 표면을 이물질로부터 보호하는 역할을 수행할 수 있다.
이와 같은 보호 필름부(150)는 보호 필름(151)과 접착제(152)를 포함할 수 있다.
보호 필름(151)은 센서부(120)와 연성 베이스 기판(110)의 안착부(110S1)의 주변 영역을 덮도록 구비되고, 접착제는 안착부(110S1)의 주변 영역과 보호 필름(151)이 서로 접착되도록 안착부(110S1)에서 센서부(120)를 제외한 주변 영역에 위치할 수 있다.
이에 따라, 보호 필름부(150)는 사용자가 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)을 전자 장치에 장착하고자 하는 경우, 보호 필름부(150)를 안착부(110S1)로부터 분리하여 도 5의 (b)와 같은 상태로 전자 장치에 적용될 있다.
지금까지, 본 발명의 제1 실시예에 따른 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)의 구조에 대해서 설명하였다. 이하에서는 이와 같은 제1 실시예에 따른 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)이 전자 장치에 적용되는 일례에 대해 설명한다.
도 6 이하에서는 앞선 도 1 내지 도 5에서 설명한 내용과 동일한 부분에 대한 내용은 도 1 내지 도 5에 대해 설명한 내용으로 대체하고, 다른 부분을 위주로 설명한다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 광학식 지문 인식 모듈이 디스플레이 패널(200)의 배면에 설치된 일례를 설명하기 위한 도이다.
본 발명의 일례에 따른 전자 장치는 도 6에 도시된 바와 같이, 이미지가 표시되는 디스플레이 패널(200), 디스플레이 패널(200)의 하부면에 대향되되, 이격되어 위치하는 브라켓(300) 및 브라켓(300)의 상부면에 접착되는 제1 실시예에 따른 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)을 포함할 수 있다.
여기서, 광학식 지문 인식 센서 모듈(100) 중 보강재(170)의 배면은 브라켓(300)에 양면 테이프와 같은 접착제(310)에 의해 서로 접착될 수 있다.
이와 같은 본 발명의 일례에 따른 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)은 연성 베이스 기판(110) 상에 연결 부분과 함께 센서부(120)도 위치하도록 함으로써, 상대적으로 휨이 작은 강성 재질의 PCB 기판의 사용을 생략하고, 구조를 보다 단순화하여, 제조 비용을 보다 절감할 수 있다.
본 발명에 일례에 따른 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)을 적용한 전자 장치는 광학식 지문 인식 센서가 지문과 보다 근접하도록 얇은 구조를 갖도록 하여, 지문의 감지 범위의 영역을 상대적으로 넓힐 수 있고, 렌즈 Assembly 구조와 센서 주변에 구비되는 Housing 구조를 생략할 수 있어, 제조 공정을 보다 간소화할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 광학식 지문 인식 모듈을 설명하기 위한 도로서, 도 7의 (a)는 제2 실시예에 따른 광학식 지문 인식 모듈에서 보호 필름부가 제거된 상태의 평면도이도, 도 7의 (b)는 도 7의 (a)에서 Y2-Y2 라인에 따른 단면을 도시한 것이고, 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 광학식 지문 인식 모듈이 디스플레이 패널(200)의 배면에 설치된 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 7의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 광학식 지문 인식 모듈은 연성 베이스 기판(110), 센서부(120), 연결 부재(120W), 몰딩부(130), 보강재(170) 및 주변 구조물(140)(120)을 더 포함할 수 있다.
여기서, 연성 베이스 기판(110), 센서부(120), 연결 부재(120W), 몰딩부(130) 및 보강재(170)에 대해서는 앞선 제1 실시예에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
주변 구조물(140)은 도 7에 도시된 바와 같이, 안착부(110S1) 상에서 센서부(120)와 이격되되, 센서부(120)를 둘러싸도록 센서부(120) 및 몰딩부(130)의 외곽 영역에 위치할 수 있다.
즉, 센서부(120)는 보강재(170) 상부에 부착되어, 안착부(110S1)의 개구부(110H) 내에 배치될 수 있으나, 주변 구조물(140)은 센서부(120)로부터 이격되어 안착부(110S1)에서 연성 베이스 기판(110) 위에 위치할 수 있다.
이와 같은 주변 구조물(140)은 상부 끝단은 센서부(120) 또는 몰딩부(130)의 상부 끝단보다 높게 위치할 수 있다. 이와 같은 주변 구조물(140)은 외부로부터 입사되는 원하지 않는 빛을 차단하거나 지문에 의해 반사된 빛이 누설되는 것을 최소화하여 Light Leakage 특성을 개선할 수 있다.
아울러, Light Leakage 특성을 더욱 향상시키기 위하여, 주변 구조물(140)은 검은색으로 형성되거나, 검은색 안료를 포함할 수 있다.
또한, 주변 구조물(140)은 절연성 재질의 검은색의 완충 테이프를 포함하여 형성될 수 있으며, 상부면과 하부면에 접착제가 도포되어 접착력을 가질 수 있다. 이에 따라, 주변 구조물(140)의 상부면이 디스플레이 패널(200)의 하부면에 접촉하는 경우, 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)을 디스플레이 패널(200)의 하부면에 강하게 접착시킬 수 있다.
더불어, 주변 구조물(140)로 사용되는 완충 테이프는 두께 방향으로 쿠션을 가지고 있어, 디스플레이 모듈에 외부로부터 충격이 가해졌을 때, 완충 테이프가 디스플레이 모듈로부터 전해지는 충격을 완화시켜, 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)에 구비된 센서부(120)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 완충 테이프의 외곽 라인은 안착부(110S1)의 외곽 라인 형상과 동일하게 제1 방향(x) 및 제2 방향(y)으로 연장되어 형성되고, 완충 테이프의 내측 라인은 안착부(110S1)의 개구부(110H) 형성 라인에 나란하게 형성될 수 있다.
이와 같이, 주변 구조물(140)을 포함하는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광학식 지문 인식 모듈은 디스플레이 패널(200)의 배면에 부착되어, 전자 장치에 적용될 수 있다.
보다 구체적으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 광학식 지문 인식 모듈이 적용되는 전자 장치는 이미지가 표시되는 디스플레이 패널(200)의 하부에 전술한 제2 실시예에 따른 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)이 부착되어 구비될 수 있다.
여기서, 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)은 안착부(110S1) 상에서 센서부(120) 및 몰딩부(130)의 외곽 영역에 위치하는 주변 구조물(140)이 디스플레이 패널(200)의 하부면에 부착될 수 있다.
여기서, 주변 구조물(140)은 센서부(120)와 이격되되, 센서부(120)를 둘러싸도록 외곽 영역에 위치하는 절연성 재질의 완충 테이프를 포함하고, 완충 테이프가 디스플레이 패널(200)의 하부면에 부착될 수 있다.
이와 같이, 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)이 주변 구조물(140)에 의해 디스플레이 패널(200)의 배면에 부착되어 적용되는 경우, 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)은 디스플레이 패널(200)의 배면에 이격되어 위치하는 브라켓(300)으로부터 이격될 수 있다.
이와 같이 제2 실시예에 따른 광학식 지문 인식 센서 모듈(100)이 부착된 전자 장치는 주변 구조물(140)을 통하여 외부로부터 입사되는 원하지 않는 빛을 차단하거나 지문에 의해 반사된 빛이 누설되는 것을 최소화하여 Light Leakage 특성을 개선할 수 있다.
본 발명의 각 실시예에 개시된 기술적 특징들은 해당 실시예에만 한정되는 것은 아니고, 서로 양립 불가능하지 않은 이상, 각 실시예에 개시된 기술적 특징들은 서로 다른 실시예에 병합되어 적용될 수 있다.
따라서, 각 실시예에서는 각각의 기술적 특징을 위주로 설명하지만, 각 기술적 특징이 서로 양립 불가능하지 않은 이상, 서로 병합되어 적용될 수 있다.
본 발명은 상술한 실시예 및 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 관점에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 본 명세서의 청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 광학식 지문 인식 센서 모듈
110: 연성 베이스 기판 120: 센서부
120W: 연결 부재 130: 몰딩부
140: 주변 구조물 150: 보호 필름부
160: 보강재 200: 디스플레이 패널
300: 브라켓

Claims (13)

  1. 신호 전달부와 안착부를 구비하되, 상기 안착부에는 개구부가 구비되고, 상기 신호 전달부에는 외부 회로와 연결되는 연결 부분이 구비되고, 전극이 상기 연결 부분으로부터 상기 안착부까지 패터닝되어 연장되는 연성 베이스 기판;
    상기 연성 베이스 기판의 배면에 위치하되, 상기 개구부에 대응되는 부분에 위치하는 보강재;
    지문 인식을 위해, 상기 보강재 위에 배치되고, 상기 안착부의 개구부 내에 삽압되어 설치되며, 하단이 상기 개구부의 상단보다 아래에 위치하는 센서부;
    상기 센서부와 상기 전극을 전기적으로 서로 연결하는 연결 부재; 및
    상기 연결 부재가 구비된 공간을 채우는 절연성 재질의 몰딩부;를 포함하고,
    상기 센서부의 측면과 상기 개구부의 내측면 간에는 이격되어 있고, 상기 센서부와 상기 개구부 간에 이격되어 있는 부분의 하부에 상기 보강재가 위치하는 광학식 지문 인식 센서 모듈.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 보강재는 판 형상으로 구비되되, 상기 개구부의 폭보다 크고, 상기 안착부를 형성하는 상기 연성 베이스 기판의 폭 이하인 광학식 지문 인식 센서 모듈.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 연성 베이스 기판은 290MPa ~ 350MPa 사이의 인장 강도(Tensile Strength)와 5.3Gpa ~ 5.7Gpa 사이의 영율(Young’s Modulus)을 갖는 광학식 지문 인식 센서 모듈.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 안착부와 상기 개구부는 전체적으로 사각형 형상을 가지되,
    상기 안착부의 사각형 형상을 형성하는 외곽 라인은 상기 개구부의 사각형 형상을 형성하는 라인과 엇갈리는 광학식 지문 인식 센서 모듈.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 센서부는 전체적으로 사각형 형상을 가지고, 상기 개구부 내에 위치하되, 상기 센서부의 사각형 형상을 형성하는 라인은 상기 안착부의 외곽 라인과 엇갈리는 광학식 지문 인식 센서 모듈.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 센서부는
    상기 지문을 감지하는 활성 영역과 상기 활성 영역의 주변에 배치되고 상기 연결 부재와 연결되는 단자를 구비한 비활성 영역을 포함하는 광학식 지문 인식 센서 모듈.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 연결 부재는
    가늘고 긴 도전성 와이어 형태로 구비되고, 상기 센서부의 비활성 영역에 구비된 단자와 상기 안착부에 위치한 상기 전극의 끝단에 접속되는 광학식 지문 인식 센서 모듈.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 몰딩부는
    상기 연결 부재가 구비된 공간을 채워 밀봉하되,
    상기 연결 부재가 접속된 상기 센서부의 일부, 상기 개구부에서 상기 센서부와 상기 연성 베이스 기판 사이로 노출되는 보강재의 일부 및 상기 연성 베이스 기판의 일부를 덮어 상기 센서부를 상기 연성 베이스 기판에 일체화시키는 광학식 지문 인식 센서 모듈.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 안착부 상에서 상기 개구부의 외곽 영역에 위치하는 주변 구조물;을 더 포함하고,
    상기 주변 구조물의 상부 끝단은 상기 센서부 또는 상기 몰딩부의 상부 끝단보다 더 높이 위치하는 광학식 지문 인식 센서 모듈.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 주변 구조물은 절연성 재질의 완충 테이프를 포함하는 광학식 지문 인식 센서 모듈.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 주변 구조물의 상부에는 상기 센서부를 덮는 보호 필름부가 더 점착되는 광학식 지문 인식 센서 모듈.
  12. 이미지가 표시되는 디스플레이 패널;
    상기 디스플레이 패널의 하부면에 대향되되, 이격되어 위치하는 브라켓; 및
    상기 브라켓의 상부면에 위치하는 제1 항의 광학식 지문 인식 센서 모듈;을 포함하고,
    상기 광학식 지문 인식 센서 모듈 중 상기 보강재의 배면이 상기 브라켓에 부착되는 전자 장치.
  13. 이미지가 표시되는 디스플레이 패널; 및
    상기 디스플레이 패널의 하부에 배치되는 제1 항의 광학식 지문 인식 센서 모듈;을 포함하고,
    상기 광학식 지문 인식 센서 모듈은
    상기 안착부 상에서 상기 개구부의 외곽 영역에 위치하는 주변 구조물;을 포함하고,
    상기 광학식 지문 인식 센서 모듈의 상기 주변 구조물이 상기 디스플레이 패널의 하부면에 부착되는 전자 장치.
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JP2003288573A (ja) * 2002-03-27 2003-10-10 Seiko Epson Corp Ｉｃカード及びその製造方法
KR20150009481A (ko) * 2013-07-16 2015-01-26 주식회사 아이피시티 모바일 장치용 지문센서 모듈 및 이의 제조방법
KR20170126332A (ko) * 2016-05-09 2017-11-17 시그네틱스 주식회사 연성회로기판을 포함하는 지문인식센서 패키지
KR102197849B1 (ko) 2017-03-14 2021-01-04 한온시스템 주식회사 블로워 모듈의 듀티비 보정 장치 및 방법
KR20190085660A (ko) * 2018-01-11 2019-07-19 삼성전자주식회사 지문 센서 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR102492626B1 (ko) * 2018-03-20 2023-01-27 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈 및 이를 포함하는 광학 기기

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