KR102411717B1 - 구리 복합 구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 구리 복합 구조체를 포함하는 에너지 저장 장치 및 라만 분광 기판 구조물 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2a 및 도 2b는 구리 기둥 구조물을 제조하기 위한 템플레이트 및 이를 이용한 구리 기둥 구조물의 제조공정을 설명하기 위한 단면도들이고, 도 2c는 구리 기둥 구조물에 대한 질소분위기 어닐링 공정에 의한 구리 기둥 구조물의 표면 몰폴로지 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 어닐링 전의 구리 기둥 구조물, 그리고 비교예 1, 실시예 1 및 2에 따라 어닐링된 후의 구리 복합 구조체에 대한 SEM 이미지들이다.
도 4는 비교예 1, 실시예 1 및 2에 따라 어닐링된 후의 구리 복합 구조체에 대한 SEM 이미지들이다.
도 5는 실시예 1에 따라 제조된 구리 복합 구조체의 상부면 및 측면 SEM 이미지들이다.
도 6은 실시예 1에 따라 구리 복합 구조체를 제조하는 전체 과정을 설명하는 SEM 이미지들이다.
| Annealing Temperature (℃) | Pressure (Torr) |
N2 flow rate (sccm) |
Annealing time (min) |
| 350, 375, 400 | 1 | 500 | 60 |
| Annealing Temperature (℃) | Pressure (Torr) |
N2 flow rate (sccm) |
Annealing time (min) |
| 375 | 0.2, 0.5, 1, 5, 50, 250 | 500 | 60 |
Claims (9)
- 구리 기둥 구조물을 제조하는 제1 단계; 및
상기 구리 기둥 구조물을 질소 분위기에서 어닐링하여 상기 구리 기둥 구조물의 표면에 나노 스케일의 크기를 갖는 미세 돌기들을 형성하는 제2 단계를 포함하는, 구리 복합 구조체의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 구리 기둥 구조물은 구리 또는 이의 합금으로 형성된 것을 특징으로 하는, 구리 복합 구조체의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1 단계의 구리 기둥 구조물은 홀이 형성된 템플레이트에 전해 또는 무전해 도금을 통해 상기 홀을 채우도록 구리를 도금함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는, 구리 복합 구조체의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 제2 단계의 어닐링은 360 내지 420℃의 온도 조건 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 구리 복합 구조체의 제조방법. - 제4항에 있어서,
상기 제2 단계의 어닐링은 1 내지 5 Torr의 압력 조건 하에서 30 내지 90분동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 구리 복합 구조체의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 구리 복합 구조체는 마이크로 스케일의 크기를 갖는 구리 기둥 구조물 및 이의 표면에 형성된 나노 스케일의 크기를 갖는 미세 돌기들을 포함하는 하이브리드 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 구리 복합 구조체의 제조방법. - 구리 복합 구조체를 음극 활물질로 포함하는 에너지 저장장치에 있어서,
상기 구리 복합 구조체는 마이크로 스케일의 크기를 갖는 구리 기둥 구조물 및 이의 표면에 형성된 나노 스케일의 크기를 갖는 미세 돌기들을 포함하는 하이브리드 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 에너지 저장장치. - 제7항에 있어서,
상기 에너지 저장 장치는 이차전지 또는 슈퍼 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는, 에너지 저장장치. - 분광 기판; 및
상기 분광 기판 표면에 배치된 플라즈모닉 나노필러 어레이를 포함하고,
상기 플라즈모닉 나노필러 어레이는 마이크로 스케일의 크기를 갖는 구리 기둥 구조물 및 이의 표면에 형성된 나노 스케일의 크기를 갖는 미세 돌기들을 포함하는 구리 복합 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는, 라만 분광 기판 구조물.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210061126A KR102411717B1 (ko) | 2021-05-12 | 2021-05-12 | 구리 복합 구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 구리 복합 구조체를 포함하는 에너지 저장 장치 및 라만 분광 기판 구조물 |
| US18/288,502 US20240141530A1 (en) | 2021-05-12 | 2022-03-08 | Method for producing copper composite structure, and energy storage device and substrate structure for raman scattering including copper composite structure produced thereby |
| PCT/KR2022/003241 WO2022239945A1 (ko) | 2021-05-12 | 2022-03-08 | 구리 복합 구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 구리 복합 구조체를 포함하는 에너지 저장 장치 및 라만 분광 기판 구조물 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210061126A KR102411717B1 (ko) | 2021-05-12 | 2021-05-12 | 구리 복합 구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 구리 복합 구조체를 포함하는 에너지 저장 장치 및 라만 분광 기판 구조물 |
Publications (2)
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|---|---|
| KR102411717B1 true KR102411717B1 (ko) | 2022-06-22 |
| KR102411717B9 KR102411717B9 (ko) | 2024-01-16 |
Family
ID=82217164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210061126A Active KR102411717B1 (ko) | 2021-05-12 | 2021-05-12 | 구리 복합 구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 구리 복합 구조체를 포함하는 에너지 저장 장치 및 라만 분광 기판 구조물 |
Country Status (3)
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|---|---|
| US (1) | US20240141530A1 (ko) |
| KR (1) | KR102411717B1 (ko) |
| WO (1) | WO2022239945A1 (ko) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TWI507569B (zh) * | 2013-08-30 | 2015-11-11 | 國立交通大學 | 單晶銅、其製備方法及包含其之基板 |
-
2021
- 2021-05-12 KR KR1020210061126A patent/KR102411717B1/ko active Active
-
2022
- 2022-03-08 WO PCT/KR2022/003241 patent/WO2022239945A1/ko not_active Ceased
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| US20240141530A1 (en) | 2024-05-02 |
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|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20210512 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20220114 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20220615 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20220616 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20220616 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
| PG1701 | Publication of correction |
Patent event code: PG17011E01I Patent event date: 20240109 Comment text: Request for Publication of Correction Publication date: 20240116 |