KR102376567B1 - Resin composition and its manufacturing method, prepreg, resin sheet, laminated board, metal foil-clad laminated board, and printed wiring board - Google Patents
Resin composition and its manufacturing method, prepreg, resin sheet, laminated board, metal foil-clad laminated board, and printed wiring board Download PDFInfo
- Publication number
- KR102376567B1 KR102376567B1 KR1020187022415A KR20187022415A KR102376567B1 KR 102376567 B1 KR102376567 B1 KR 102376567B1 KR 1020187022415 A KR1020187022415 A KR 1020187022415A KR 20187022415 A KR20187022415 A KR 20187022415A KR 102376567 B1 KR102376567 B1 KR 102376567B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resin composition
- group
- resin
- mass
- carboxylic acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 151
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 57
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 57
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 49
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 78
- -1 maleimide compound Chemical class 0.000 claims abstract description 58
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 46
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 43
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 40
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 35
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 31
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 25
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 claims description 22
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 21
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 17
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 14
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 11
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 8
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XAZPKEBWNIUCKF-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[4-[2-[4-[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenoxy]phenyl]propan-2-yl]phenoxy]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound C=1C=C(OC=2C=CC(=CC=2)N2C(C=CC2=O)=O)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1N1C(=O)C=CC1=O XAZPKEBWNIUCKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)pyridine-3-carbonitrile Chemical compound ClCC1=NC=CC=C1C#N FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229940014800 succinic anhydride Drugs 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 32
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 11
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 9
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 7
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 4
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 4
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 4
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical class COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-N anhydrous cyanic acid Natural products OC#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 125000005439 maleimidyl group Chemical group C1(C=CC(N1*)=O)=O 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 1-methylpiperidine Chemical compound CN1CCCCC1 PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 2
- RNIPJYFZGXJSDD-UHFFFAOYSA-N 2,4,5-triphenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 RNIPJYFZGXJSDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- ZQMIGQNCOMNODD-UHFFFAOYSA-N diacetyl peroxide Chemical compound CC(=O)OOC(C)=O ZQMIGQNCOMNODD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 125000000467 secondary amino group Chemical class [H]N([*:1])[*:2] 0.000 description 2
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003258 trimethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- UFKLQICEQCIWNE-UHFFFAOYSA-N (3,5-dicyanatophenyl) cyanate Chemical compound N#COC1=CC(OC#N)=CC(OC#N)=C1 UFKLQICEQCIWNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDCUTCGACVVRIQ-UHFFFAOYSA-N (3,6-dicyanatonaphthalen-1-yl) cyanate Chemical compound N#COC1=CC(OC#N)=CC2=CC(OC#N)=CC=C21 YDCUTCGACVVRIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMDBGQBQDICTJC-UHFFFAOYSA-N (3-cyanatonaphthalen-1-yl) cyanate Chemical compound C1=CC=CC2=CC(OC#N)=CC(OC#N)=C21 UMDBGQBQDICTJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQZZMAPJAKOSNG-UHFFFAOYSA-N (3-cyanatophenyl) cyanate Chemical compound N#COC1=CC=CC(OC#N)=C1 QQZZMAPJAKOSNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUYRCFRAGLLTPO-UHFFFAOYSA-N (4-cyanatonaphthalen-1-yl) cyanate Chemical compound C1=CC=C2C(OC#N)=CC=C(OC#N)C2=C1 KUYRCFRAGLLTPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUGZCSAPOLLKNG-UHFFFAOYSA-N (4-cyanatophenyl) cyanate Chemical compound N#COC1=CC=C(OC#N)C=C1 GUGZCSAPOLLKNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQXJSKSVSXZXRU-UHFFFAOYSA-N (5-cyanatonaphthalen-2-yl) cyanate Chemical compound N#COC1=CC=CC2=CC(OC#N)=CC=C21 CQXJSKSVSXZXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRMQZYWARKKEQH-UHFFFAOYSA-N (6-cyanatonaphthalen-2-yl) cyanate Chemical compound C1=C(OC#N)C=CC2=CC(OC#N)=CC=C21 IRMQZYWARKKEQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFIWROJVVHYHLQ-UHFFFAOYSA-N (7-cyanatonaphthalen-2-yl) cyanate Chemical compound C1=CC(OC#N)=CC2=CC(OC#N)=CC=C21 OFIWROJVVHYHLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- ZBBLRPRYYSJUCZ-GRHBHMESSA-L (z)-but-2-enedioate;dibutyltin(2+) Chemical compound [O-]C(=O)\C=C/C([O-])=O.CCCC[Sn+2]CCCC ZBBLRPRYYSJUCZ-GRHBHMESSA-L 0.000 description 1
- QMTFKWDCWOTPGJ-KVVVOXFISA-N (z)-octadec-9-enoic acid;tin Chemical compound [Sn].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O QMTFKWDCWOTPGJ-KVVVOXFISA-N 0.000 description 1
- HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethane Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C=C1 HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAJPMKAQEUGECW-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(methoxymethyl)benzene Chemical group COCC1=CC=C(COC)C=C1 DAJPMKAQEUGECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHVCCCZZVQMAMT-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxy-3-phenylpyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1N(O)C(=O)C=C1C1=CC=CC=C1 HHVCCCZZVQMAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXFVIWBTKYFOCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,3-n,3-n-tetramethylbutane-1,3-diamine Chemical compound CN(C)C(C)CCN(C)C AXFVIWBTKYFOCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIDBROSJWZYGSZ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylpyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C1=CC=CC=C1 HIDBROSJWZYGSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical class N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLPURQSRCDKZNX-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris(oxiran-2-ylmethoxy)-1,3,5-triazine Chemical compound C1OC1COC(N=C(OCC1OC1)N=1)=NC=1OCC1CO1 BLPURQSRCDKZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003923 2,5-pyrrolediones Chemical class 0.000 description 1
- HYVGFUIWHXLVNV-UHFFFAOYSA-N 2-(n-ethylanilino)ethanol Chemical compound OCCN(CC)C1=CC=CC=C1 HYVGFUIWHXLVNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical group N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940090248 4-hydroxybenzoic acid Drugs 0.000 description 1
- JCJUKCIXTRWAQY-UHFFFAOYSA-N 6-hydroxynaphthalene-1-carboxylic acid Chemical compound OC1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 JCJUKCIXTRWAQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical class ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229920000271 Kevlar® Polymers 0.000 description 1
- YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N Lauroyl peroxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OOC(=O)CCCCCCCCCCC YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910005965 SO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001494 Technora Polymers 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000508 Vectran Polymers 0.000 description 1
- 239000004979 Vectran Substances 0.000 description 1
- SNYVZKMCGVGTKN-UHFFFAOYSA-N [4-(4-cyanatophenoxy)phenyl] cyanate Chemical compound C1=CC(OC#N)=CC=C1OC1=CC=C(OC#N)C=C1 SNYVZKMCGVGTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEJGXMCFSSDPOA-UHFFFAOYSA-N [4-(4-cyanatophenyl)phenyl] cyanate Chemical group C1=CC(OC#N)=CC=C1C1=CC=C(OC#N)C=C1 HEJGXMCFSSDPOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNUHQZDDTLOZRY-UHFFFAOYSA-N [4-(4-cyanatophenyl)sulfanylphenyl] cyanate Chemical compound C1=CC(OC#N)=CC=C1SC1=CC=C(OC#N)C=C1 CNUHQZDDTLOZRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUPOATPDNYBPMR-UHFFFAOYSA-N [4-(4-cyanatophenyl)sulfonylphenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1S(=O)(=O)C1=CC=C(OC#N)C=C1 BUPOATPDNYBPMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWVAOONFBYYRHY-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)phenyl]methanol Chemical compound OCC1=CC=C(CO)C=C1 BWVAOONFBYYRHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKUAGWJIYUEPHC-UHFFFAOYSA-N [4-[(4-cyanato-5,5-dimethylcyclohexa-1,3-dien-1-yl)methyl]-6,6-dimethylcyclohexa-1,3-dien-1-yl] cyanate Chemical compound CC1(CC(=CC=C1OC#N)CC=1CC(C(=CC=1)OC#N)(C)C)C VKUAGWJIYUEPHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUYQDAWLRQFANO-UHFFFAOYSA-N [4-[(4-cyanatophenyl)methyl]phenyl] cyanate Chemical compound C1=CC(OC#N)=CC=C1CC1=CC=C(OC#N)C=C1 AUYQDAWLRQFANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHZMUXQJTGRNHT-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-cyanatophenyl)propan-2-yl]phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OC#N)C=C1 AHZMUXQJTGRNHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- QPJDMGCKMHUXFD-UHFFFAOYSA-N cyanogen chloride Chemical compound ClC#N QPJDMGCKMHUXFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 1
- UQLDLKMNUJERMK-UHFFFAOYSA-L di(octadecanoyloxy)lead Chemical compound [Pb+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O UQLDLKMNUJERMK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQRUPWUPINJLMU-UHFFFAOYSA-N dioctyl(oxo)tin Chemical compound CCCCCCCC[Sn](=O)CCCCCCCC LQRUPWUPINJLMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N glycolonitrile Natural products N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000012784 inorganic fiber Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- DLAPQHBZCAAVPQ-UHFFFAOYSA-N iron;pentane-2,4-dione Chemical compound [Fe].CC(=O)CC(C)=O DLAPQHBZCAAVPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000654 isopropylidene group Chemical group C(C)(C)=* 0.000 description 1
- 239000004761 kevlar Substances 0.000 description 1
- GIWKOZXJDKMGQC-UHFFFAOYSA-L lead(2+);naphthalene-2-carboxylate Chemical compound [Pb+2].C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21.C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21 GIWKOZXJDKMGQC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- SGGOJYZMTYGPCH-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);naphthalene-2-carboxylate Chemical compound [Mn+2].C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21.C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21 SGGOJYZMTYGPCH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- JDEJGVSZUIJWBM-UHFFFAOYSA-N n,n,2-trimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1C JDEJGVSZUIJWBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-n'-phenylcarbamimidoyl chloride Chemical compound CN(C)C(Cl)=NC1=CC=CC=C1 GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- WYVAMUWZEOHJOQ-UHFFFAOYSA-N propionic anhydride Chemical compound CCC(=O)OC(=O)CC WYVAMUWZEOHJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M sodium;2-hydroxy-3-morpholin-4-ylpropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)CN1CCOCC1 WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004950 technora Substances 0.000 description 1
- MHSKRLJMQQNJNC-UHFFFAOYSA-N terephthalamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=C(C(N)=O)C=C1 MHSKRLJMQQNJNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 1
- 150000003739 xylenols Chemical class 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L zinc;octanoate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC([O-])=O CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G79/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing atoms other than silicon, sulfur, nitrogen, oxygen, and carbon with or without the latter elements in the main chain of the macromolecule
- C08G79/08—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing atoms other than silicon, sulfur, nitrogen, oxygen, and carbon with or without the latter elements in the main chain of the macromolecule a linkage containing boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
- C08J5/241—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres
- C08J5/244—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres using glass fibres
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/04—Layered products comprising a layer of synthetic resin as impregnant, bonding, or embedding substance
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
- B32B27/20—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives using fillers, pigments, thixotroping agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/04—Acids; Metal salts or ammonium salts thereof
- C08F220/06—Acrylic acid; Methacrylic acid; Metal salts or ammonium salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/08—Anhydrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G69/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain of the macromolecule
- C08G69/42—Polyamides containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen, and nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
- C08G73/106—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/22—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
- C08G77/26—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen nitrogen-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/04—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material
- C08J5/0405—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material with inorganic fibres
- C08J5/043—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material with inorganic fibres with glass fibres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/04—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material
- C08J5/046—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material with synthetic macromolecular fibrous material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
- C08J5/249—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs characterised by the additives used in the prepolymer mixture
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/28—Nitrogen-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/34—Silicon-containing compounds
- C08K3/36—Silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
- C08K5/0025—Crosslinking or vulcanising agents; including accelerators
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/04—Oxygen-containing compounds
- C08K5/15—Heterocyclic compounds having oxygen in the ring
- C08K5/151—Heterocyclic compounds having oxygen in the ring having one oxygen atom in the ring
- C08K5/1515—Three-membered rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
- C08K5/17—Amines; Quaternary ammonium compounds
- C08K5/175—Amines; Quaternary ammonium compounds containing COOH-groups; Esters or salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
- C08K5/22—Compounds containing nitrogen bound to another nitrogen atom
- C08K5/27—Compounds containing a nitrogen atom bound to two other nitrogen atoms, e.g. diazoamino-compounds
- C08K5/28—Azides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L33/02—Homopolymers or copolymers of acids; Metal or ammonium salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/0366—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement reinforced, e.g. by fibres, fabrics
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Reinforced Plastic Materials (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
본 발명은, 아미노 변성 실리콘 (A) 와, 말레이미드 화합물 (B) 와, 카르복실산 (C) 및 카르복실산 무수물 (D) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 반응시켜 얻어지는 반응 생성물 (P) 를 함유하는 수지 조성물을 제공한다.This invention is obtained by making an amino-modified silicone (A), a maleimide compound (B), and 1 type(s) or 2 or more types chosen from the group which consists of carboxylic acid (C) and carboxylic acid anhydride (D) react A resin composition containing a reaction product (P) is provided.
Description
본 발명은, 수지 조성물 및 그 제조 방법, 프리프레그, 레진 시트, 적층판, 금속박 피복 적층판, 그리고 프린트 배선판에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition and a method for manufacturing the same, a prepreg, a resin sheet, a laminate, a metal foil-clad laminate, and a printed wiring board.
최근, 전자 기기나 통신기, 퍼스널 컴퓨터 등에 널리 사용되고 있는 반도체 패키지의 고기능화, 소형화가 진행됨에 따라, 반도체 패키지용의 각 부품의 고집적화나 고밀도 실장화가 최근 더욱 가속되고 있다. 그 중에서도, 반도체 소자와 반도체 플라스틱 패키지용 프린트 배선판의 열 팽창률의 차에 의해 발생하는 반도체 플라스틱 패키지의 휨이 문제가 되고 있어, 여러 가지 대책이 강구되어 오고 있다.In recent years, as high-functionality and miniaturization of semiconductor packages widely used in electronic devices, communication devices, personal computers, and the like progress, high integration and high-density mounting of each component for semiconductor packages has been further accelerated in recent years. Especially, the curvature of the semiconductor plastic package which generate|occur|produces by the difference in the thermal expansion coefficient of a semiconductor element and the printed wiring board for semiconductor plastic packages has become a problem, and various countermeasures have been taken.
그 대책의 하나로서, 프린트 배선판에 사용되는 절연층의 저열 팽창화를 들 수 있다. 이것은, 프린트 배선판의 열 팽창률을 반도체 소자의 열 팽창률에 가깝게 함으로써 휨을 억제하는 수법으로, 현재 활발히 도입되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 ∼ 3 참조).As one of the countermeasures, low thermal expansion of the insulating layer used for a printed wiring board is mentioned. This is a method of suppressing curvature by making the thermal expansion coefficient of a printed wiring board close to the thermal expansion coefficient of a semiconductor element, and it is introduce|transduced actively now (for example, refer patent documents 1 - 3).
반도체 플라스틱 패키지의 휨을 억제하는 수법으로는, 프린트 배선판의 저열 팽창화 이외에도, 적층판의 강성을 높게 하는 것 (고강성화) 이나 적층판의 유리 전이 온도를 높게 하는 것 (고 Tg 화) 가 검토되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 4 및 5 참조).As a method of suppressing the warpage of the semiconductor plastic package, in addition to lowering the thermal expansion of the printed wiring board, increasing the rigidity of the laminated board (higher rigidity) and increasing the glass transition temperature of the laminated sheet (higher Tg) are being considered (e.g. For example, refer to Patent Documents 4 and 5).
그러나, 특허문헌 1 ∼ 5 에 기재되는 열 경화성 수지 조성물을 사용한 프린트 배선판이라도, 금속박을 적층한 적층판의 필 강도나 예를 들어 강알칼리성의 세정액에 대한 내약품성 (내디스미어성) 등의 다른 특성과의 양립이 어려운 점에서, 결과적으로 반도체 플라스틱 패키지에 휨이 발생하는 문제가 잔존하고 있다.However, even if it is a printed wiring board using the thermosetting resin composition described in Patent Documents 1 to 5, the peel strength of a laminated sheet laminated with metal foil, for example, chemical resistance to a strong alkaline cleaning liquid (desmear resistance), etc. The problem that warpage occurs in the semiconductor plastic package as a result remains because it is difficult to achieve compatibility.
여기서, 상기 열 팽창률의 차를 저감시키고, 상기 휨이 발생하는 문제를 해결하기 위해서, 수지 조성물에, 저탄성 성분으로서, 예를 들어, 아미노 변성 실리콘과 열 경화성 성분이 반응하여 생성하는 아미노 변성된 중합체를 함유시킬 수 있다. 그러나, 아미노 변성된 중합체는, 일반적으로, 중합체끼리, 또는 다른 수지 성분과, 추가로 중합 반응하는 성질을 갖고 있다. 이 때문에, 수지 조성물이나 프리프레그의 보존 중 또는 성형 중에, 아미노 변성된 중합체가 추가로 중합 반응을 일으키는 것에서 기인하여, 우수한 보존 안정성을 얻을 수 없는 경우가 있다.Here, in order to reduce the difference in the coefficient of thermal expansion and solve the problem of warpage, as a low elastic component in the resin composition, for example, amino-modified silicone produced by reacting an amino-modified silicone and a thermosetting component Polymers may be incorporated. However, the amino-modified polymer generally has a property of further polymerization-reacting with each other or with other resin components. For this reason, it originates in the amino-modified polymer causing a polymerization reaction further during storage or molding of a resin composition or a prepreg, and excellent storage stability may not be obtained.
그래서, 본 발명은, 상기 서술한 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 아미노 변성된 중합체를 함유하면서, 우수한 보존 안정성을 갖는 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.Then, this invention was made|formed in order to solve the subject mentioned above, and an object of this invention is to provide the resin composition which has the outstanding storage stability, containing the amino-modified polymer.
즉, 본 발명은 이하와 같다.That is, the present invention is as follows.
[1][One]
아미노 변성 실리콘 (A) 와,an amino-modified silicone (A);
말레이미드 화합물 (B) 와,A maleimide compound (B), and
카르복실산 (C) 또는 카르복실산 무수물 (D) 중 적어도 어느 것을 반응시켜 얻어지는 반응 생성물 (P) 를 함유하는, 수지 조성물.A resin composition comprising a reaction product (P) obtained by reacting at least any of carboxylic acid (C) or carboxylic acid anhydride (D).
[2] [2]
상기 수지 조성물의 아민가가, 2.0 ㎎KOH/g 이하인, [1] 에 기재된 수지 조성물.The resin composition according to [1], wherein the resin composition has an amine value of 2.0 mgKOH/g or less.
[3][3]
상기 반응 생성물 (P) 는, 상기 카르복실산 무수물 (D) 를 적어도 반응시켜 얻어지고,The reaction product (P) is obtained by reacting at least the carboxylic acid anhydride (D),
상기 카르복실산 무수물 (D) 는, 무수 말레산, 무수 프탈산, 무수 숙신산, 및 무수 아세트산으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상인, [1] 또는 [2] 에 기재된 수지 조성물.The resin composition according to [1] or [2], wherein the carboxylic acid anhydride (D) is one or more selected from the group consisting of maleic anhydride, phthalic anhydride, succinic anhydride, and acetic anhydride.
[4][4]
상기 반응 생성물 (P) 는, 상기 카르복실산 (C) 를 적어도 반응시켜 얻어지고,The reaction product (P) is obtained by at least reacting the carboxylic acid (C),
상기 카르복실산 (C) 는, 말레산, 프탈산, 숙신산, 및 아세트산으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상인, [1] ∼ [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the carboxylic acid (C) is one or more selected from the group consisting of maleic acid, phthalic acid, succinic acid, and acetic acid.
[5][5]
열 경화성 성분 (E) 를 추가로 함유하는, [1] ∼ [4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.The resin composition according to any one of [1] to [4], further comprising a thermosetting component (E).
[6][6]
상기 열 경화성 성분 (E) 는, 말레이미드 화합물 (B), 에폭시 수지 (F), 시안산에스테르 화합물 (G), 및 알케닐 치환 나디이미드 (H) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 함유하는, [5] 에 기재된 수지 조성물.The said thermosetting component (E) is 1 type or 2 types selected from the group which consists of a maleimide compound (B), an epoxy resin (F), a cyanate ester compound (G), and an alkenyl-substituted nadiimide (H). The resin composition according to [5], containing the above.
[7][7]
상기 반응 생성물 (P) 에 있어서의 상기 아미노 변성 실리콘 (A) 는, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하는, [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.The resin composition according to any one of [1] to [6], wherein the amino-modified silicone (A) in the reaction product (P) contains a compound represented by the following general formula (1).
[화학식 1] [Formula 1]
(식 (1) 중, 복수의 Ra 는, 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 페닐기를 나타내고, 복수의 Rb 는, 각각 독립적으로 단결합, 알킬렌기 또는 아릴기를 나타내고, n 은, 1 이상의 정수 (整數) 를 나타낸다)(in formula (1), a plurality of R a each independently represents a hydrogen atom, a methyl group or a phenyl group, a plurality of R b each independently represents a single bond, an alkylene group or an aryl group, and n is an integer of 1 or more (represents 整數)
[8][8]
상기 반응 생성물 (P) 에 있어서의 상기 아미노 변성 실리콘 (A) 의 아미노기 당량이, 130 이상 6000 이하인, [1] ∼ [7] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.The resin composition according to any one of [1] to [7], wherein the amino group equivalent of the amino-modified silicone (A) in the reaction product (P) is 130 or more and 6000 or less.
[9] [9]
상기 말레이미드 화합물 (B) 는, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)-페닐}프로판, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 폴리테트라메틸렌옥사이드-비스(4-말레이미드벤조에이트), 및 하기 일반식 (2) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 함유하는, [1] ∼ [8] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.Said maleimide compound (B) is bis(4-maleimidephenyl)methane, 2,2-bis{4-(4-maleimidephenoxy)-phenyl}propane, bis(3-ethyl-5-methyl- containing one or two or more selected from the group consisting of 4-maleimidephenyl)methane, polytetramethyleneoxide-bis(4-maleimidebenzoate), and a compound represented by the following general formula (2), [ The resin composition according to any one of 1] to [8].
[화학식 2] [Formula 2]
(식 (2) 중, 복수의 R5 는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n1 은, 1 이상의 정수를 나타낸다)(in formula (2), a plurality of R 5 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group, and n 1 represents an integer of 1 or more)
[10] [10]
충전재 (J) 를 추가로 함유하는, [1] ∼ [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.The resin composition according to any one of [1] to [9], further comprising a filler (J).
[11] [11]
상기 충전재 (J) 는, 실리카, 알루미나, 및 질화알루미늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 함유하는, [10] 에 기재된 수지 조성물.The resin composition according to [10], wherein the filler (J) contains one or more selected from the group consisting of silica, alumina, and aluminum nitride.
[12] [12]
상기 수지 조성물은, 상기 반응 생성물 (P) 및 열 경화성 성분 (E) 의 합계량 100 질량부에 대하여, 상기 충전재 (J) 를 50 질량부 이상 300 질량부 이하 함유하는, [10] 또는 [11] 에 기재된 수지 조성물.The resin composition contains 50 parts by mass or more and 300 parts by mass or less of the filler (J) with respect to 100 parts by mass of the total amount of the reaction product (P) and the thermosetting component (E), [10] or [11] The resin composition described in.
[13] [13]
기재와, 그 기재에 함침 또는 도포된 [1] ∼ [12] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 갖는, 프리프레그.A prepreg comprising a substrate and the resin composition according to any one of [1] to [12] impregnated or applied to the substrate.
[14] [14]
상기 기재는, E 유리 클로스, T 유리 클로스, S 유리 클로스, Q 유리 클로스 및 유기 섬유로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상인, [13] 에 기재된 프리프레그.The prepreg according to [13], wherein the substrate is one or more selected from the group consisting of E glass cloth, T glass cloth, S glass cloth, Q glass cloth and organic fibers.
[15] [15]
지지체와, 그 지지체의 표면에 배치된 [1] ∼ [12] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 갖는, 레진 시트.A resin sheet comprising a support and the resin composition according to any one of [1] to [12] disposed on the surface of the support.
[16] [16]
상기 지지체는, 수지 시트 또는 금속박인, [15] 에 기재된 레진 시트. The resin sheet according to [15], wherein the support is a resin sheet or metal foil.
[17] [17]
[13] 또는 [14] 에 기재된 프리프레그, 및 [15] 또는 [16] 에 기재된 레진 시트로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을, 복수 구비하는, 적층판.A laminate comprising a plurality of one or two or more types selected from the group consisting of the prepreg according to [13] or [14] and the resin sheet according to [15] or [16].
[18] [18]
[13] 또는 [14] 에 기재된 프리프레그, 및 [15] 또는 [16] 에 기재된 레진 시트로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상과, 금속박을 구비하는, 금속박 피복 적층판.A metal foil-clad laminate comprising one or two or more selected from the group consisting of the prepreg according to [13] or [14] and the resin sheet according to [15] or [16], and a metal foil.
[19] [19]
[1] ∼ [12] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 함유하는 절연층과, 그 절연층의 표면에 형성된 도체층을 구비하는, 프린트 배선판.A printed wiring board comprising an insulating layer containing the resin composition according to any one of [1] to [12], and a conductor layer formed on the surface of the insulating layer.
[20][20]
아미노 변성 실리콘 (A) 와, 말레이미드 화합물 (B) 를 반응시켜 1 차 폴리머를 얻는 제 1 반응 공정과,A first reaction step of reacting an amino-modified silicone (A) with a maleimide compound (B) to obtain a primary polymer;
상기 1 차 폴리머와 카르복실산 (C) 또는 카르복실산 무수물 (D) 중 적어도 어느 것을 반응시키는 제 2 반응 공정을 갖는, 수지 조성물의 제조 방법.The manufacturing method of the resin composition which has a 2nd reaction process of making the said primary polymer react at least either of a carboxylic acid (C) or a carboxylic acid anhydride (D).
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태 (이하,「본 실시형태」라고 한다) 에 대해 상세하게 설명한다. 이하의 본 실시형태는, 본 발명을 설명하기 위한 예시로, 본 발명을 이하의 내용에 한정하는 취지는 아니다. 본 발명은 그 요지의 범위 내에서, 적절히 변형하여 실시할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form (henceforth "this embodiment") for implementing this invention is demonstrated in detail. The following present embodiment is an illustration for explaining the present invention, and is not intended to limit the present invention to the following contents. The present invention can be implemented with appropriate modifications within the scope of the gist.
〔수지 조성물〕[resin composition]
본 실시형태의 수지 조성물은, 아미노 변성 실리콘 (A) 와, 말레이미드 화합물 (B) 와, 카르복실산 (C) 또는 카르복실산 무수물 (D) 중 적어도 어느 것을 반응시켜 얻어지는 반응 생성물 (P) (프레폴리머) 를 함유한다. 여기서, 반응 생성물 (P) 는, 상기 서술한 아미노 변성된 중합체의 1 종이다.The resin composition of the present embodiment is a reaction product (P) obtained by reacting an amino-modified silicone (A), a maleimide compound (B), and at least any one of a carboxylic acid (C) or a carboxylic acid anhydride (D) (prepolymer). Here, the reaction product (P) is one type of the above-mentioned amino-modified polymer.
본 실시형태의 수지 조성물은, 우수한 보존 안정성을 갖는다. 이 요인은, 다음과 같이 추찰된다 (단, 요인은 이것에 한정되지 않는다). 종래의 아미노 변성 실리콘과 열 경화성 성분을 함유하는 수지 조성물은, 그 수지 조성물에 함유되는 아미노 변성된 중합체 중에, 원료의 아미노 변성 실리콘의 반응기인 아미노기가 프레폴리머의 구조 중에 비교적 많이 잔존하고, 그 아미노기가 열 경화성 성분과 추가로 반응하는 것에서 기인하여, 그 수지 조성물 (바니시를 포함한다), 및 그 수지 조성물로부터 얻어지는 성형체 (예를 들어, 프리프레그 및 그 성형체) 에 있어서 우수한 보존 안정성이 얻어지지 않는다. 예를 들어, 수지 조성물을 상온에서 보존한 경우에 있어서, 잔존한 아미노기와 열 경화성 성분의 반응이 추가로 진행되는 것에서 기인하여, 그 수지 조성물은, 점도의 증가, 분자량의 증가에 의해, 우수한 보존 안정성을 얻을 수 없다. 또, 바니시의 경우에는 겔화를 일으키고, 프리프레그의 경우에는 프리프레그 점도의 상승에 의해 성형성이 나빠져, 우수한 보존 안정성을 얻을 수 없다. 한편, 본 실시형태의 수지 조성물은, 아미노 변성 실리콘 (A) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 반응으로 잔존한 아미노기가, 카르복실산 (C), 및/또는 카르복실산 무수물 (D) 와 반응한 반응 생성물 (P) 를 함유함으로써, 당해 수지 조성물 및 그 수지 조성물로부터 얻어지는 성형체에 있어서 우수한 보존 안정성이 얻어진다.The resin composition of this embodiment has the outstanding storage stability. This factor is estimated as follows (however, a factor is not limited to this). In the conventional resin composition containing an amino-modified silicone and a thermosetting component, in the amino-modified polymer contained in the resin composition, a relatively large amount of amino groups that are reactive groups of the amino-modified silicone of the raw material remain in the structure of the prepolymer, and the amino groups Due to further reaction with the heat-curable component, excellent storage stability is not obtained in the resin composition (including varnish) and the molded article obtained from the resin composition (for example, the prepreg and the molded article) . For example, when the resin composition is stored at room temperature, the reaction between the remaining amino group and the thermosetting component further proceeds, so that the resin composition is excellent in storage due to an increase in viscosity and increase in molecular weight. stability cannot be obtained. Moreover, in the case of a varnish, gelatinization is raise|generated, and in the case of a prepreg, moldability worsens by the raise of a prepreg viscosity, and the outstanding storage stability cannot be obtained. On the other hand, in the resin composition of this embodiment, the amino group which remained by reaction of an amino-modified silicone (A) and a maleimide compound (B) reacts with carboxylic acid (C) and/or carboxylic acid anhydride (D) By containing one reaction product (P), the storage stability excellent in the said resin composition and the molded object obtained from this resin composition is acquired.
수지 조성물의 아민가는, 1 급 아민 및 2 급 아민의 합계량으로서의 아민가이다. 아민가는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 2.0 ㎎KOH/g 이하이고, 보다 바람직하게는 1.0 ㎎KOH/g 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.5 ㎎KOH/g 이하이다. 아민가가 2.0 ㎎KOH/g 이하임으로써, 수지 조성물의 점도의 증가, 분자량의 증가, 바니시의 겔화, 프리프레그 점도의 상승을 억제할 수 있는 경향이 있다. 또, 아민가는, 작을수록 수지 조성물의 점도의 증가, 분자량의 증가 등을 억제할 수 있는 경향이 있다. 아민가의 하한치는, 바람직하게는 0 ㎎KOH/g 이다. 아민가는, JIS K 7237:1995 에 준거하는 방법에 의해 측정된다.The amine titer of the resin composition is the amine titer as the total amount of the primary amine and the secondary amine. Although the amine titer is not specifically limited, Preferably it is 2.0 mgKOH/g or less, More preferably, it is 1.0 mgKOH/g or less, More preferably, it is 0.5 mgKOH/g or less. When an amine value is 2.0 mgKOH/g or less, there exists a tendency which can suppress the increase of the viscosity of a resin composition, the increase of molecular weight, gelatinization of a varnish, and a raise of a prepreg viscosity. Moreover, there exists a tendency which can suppress the increase of the viscosity of a resin composition, the increase of molecular weight, etc., so that an amine titer is small. The lower limit of the amine titer is preferably 0 mgKOH/g. An amine titer is measured by the method based on JISK7237:1995.
〔반응 생성물 (P)〕[reaction product (P)]
본 실시형태의 반응 생성물 (P) 는, 아미노 변성 실리콘 (A) 와, 말레이미드 화합물 (B) 와, 카르복실산 (C) 또는 카르복실산 무수물 (D) 중 적어도 어느 것을 반응시켜 얻어진다.The reaction product (P) of this embodiment is obtained by making an amino-modified silicone (A), a maleimide compound (B), and at least any one of carboxylic acid (C) or carboxylic acid anhydride (D) react.
반응 생성물 (P) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.A reaction product (P) may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types.
반응 생성물 (P) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5000 이상 20000 이하이고, 보다 바람직하게는 10000 이상 15000 이하이다. 중량 평균 분자량이 5000 이상임으로써, 프리프레그의 열 팽창률이 저하되는 경향이 있고, 중량 평균 분자량이 20000 이하임으로써, 수지 조성물의 점도의 증가, 분자량의 증가, 바니시의 겔화, 프리프레그 점도의 상승을 억제할 수 있는 경향이 있다. 중량 평균 분자량이 5000 이상 20000 이하인 반응 생성물 (P) 를 얻기 위해서는, 온도 등의 반응 조건을 제어하면 된다. 중량 평균 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법으로 측정하고, 표준 폴리스티렌 검량선을 사용하여 환산한 값으로서 구할 수 있다. 구체적으로는, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된다.Although the weight average molecular weight (Mw) of a reaction product (P) is not specifically limited, Preferably it is 5000 or more and 20000 or less, More preferably, it is 10000 or more and 15000 or less. When the weight average molecular weight is 5000 or more, the thermal expansion coefficient of the prepreg tends to decrease, and when the weight average molecular weight is 20000 or less, the increase in the viscosity of the resin composition, increase in molecular weight, gelation of the varnish, increase in the viscosity of the prepreg tend to be restrained. What is necessary is just to control reaction conditions, such as temperature, in order to obtain the reaction product (P) whose weight average molecular weights are 5000 or more and 20000 or less. A weight average molecular weight can be measured by the gel permeation chromatography (GPC) method, and can be calculated|required as the value converted using the standard polystyrene analytical curve. Specifically, it is measured by the method described in Examples to be described later.
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서, 반응 생성물 (P) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 열 경화성 성분 (E) 와 조합하는 경우에, 당해 수지 조성물 중의 반응 생성물 (P) 및 열 경화성 성분 (E) 의 합계량 (100 질량% ; 용매·용제 성분, 충전재 (J) 는 함유하지 않는 고형분량으로서) 에 대하여, 바람직하게는 10 질량% 이상 80 질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 15 질량% 이상 70 질량% 이하이고, 20 질량% 이상 60 질량% 이하이다. 반응 생성물 (P) 의 함유량이 상기 범위 내임으로써, 충전재 충전시에 있어서도 성형성이 우수하고, 저열 팽창률, 열시 탄성률, 내디스미어성, 내약품성이 우수한 프린트 배선판이 되는 경향이 있다.In the resin composition of the present embodiment, the content of the reaction product (P) is not particularly limited, but when combined with the thermosetting component (E), the reaction product (P) and the thermosetting component (E) in the resin composition with respect to the total amount of (100 mass %; solvent/solvent components, as solid content not containing filler (J)), preferably 10 mass % or more and 80 mass % or less, more preferably 15 mass % or more and 70 mass % % or less, and are 20 mass% or more and 60 mass% or less. When content of a reaction product (P) is in the said range, also at the time of filler filling, it is excellent in a moldability, and there exists a tendency to become a printed wiring board excellent in low thermal expansion coefficient, thermal elasticity modulus, desmear resistance, and chemical-resistance.
<아미노 변성 실리콘 (A)><Amino-modified silicone (A)>
본 실시형태에 사용하는 아미노 변성 실리콘 (A) 는, 분자 중에 1 개 이상의 아미노기를 갖는 실리콘이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.The amino-modified silicone (A) used in the present embodiment is not particularly limited as long as it is a silicone having one or more amino groups in the molecule, but it is preferable to contain a compound represented by the following general formula (1).
[화학식 3] [Formula 3]
식 (1) 중, 복수의 Ra 는, 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 페닐기를 나타내고, 그 중에서도 메틸기가 바람직하다. 복수의 Rb 는, 각각 독립적으로 단결합, 알킬렌기 또는 아릴기를 나타내고, 그 중에서도 알킬렌기가 바람직하다. 알킬렌기의 탄소수는, 그 주사슬에 있어서 1 ∼ 4 인 것이 바람직하다. 구체적인 알킬렌기는 특별히 한정되지 않지만, 메틸렌기, 에틸렌기, 트리메틸렌기, 또는 테트라메틸렌기인 것이 보다 바람직하고, 트리메틸렌기인 것이 더욱 바람직하다. 식 (1) 중, n 은 1 이상의 정수를 나타낸다.In Formula (1), some R<a> represents a hydrogen atom, a methyl group, or a phenyl group each independently, and a methyl group is especially preferable. A plurality of R b each independently represents a single bond, an alkylene group, or an aryl group, and among these, an alkylene group is preferable. It is preferable that carbon number of an alkylene group is 1-4 in the principal chain. Although a specific alkylene group is not specifically limited, It is more preferable that it is a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, or a tetramethylene group, It is still more preferable that it is a trimethylene group. In formula (1), n represents an integer of 1 or more.
아미노 변성 실리콘 (A) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.An amino-modified silicone (A) may be used individually by 1 type, and may be used in mixture of 2 or more type.
아미노 변성 실리콘 (A) 의 아미노기 당량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 130 이상 6000 이하이고, 보다 바람직하게는 500 이상 3000 이하이고, 더욱 바람직하게는 600 이상 2500 이하이다. 아미노 변성 실리콘 (A) 의 아미노기 당량이 상기 범위 내임으로써, 금속박 필 강도 및 내디스미어성이 보다 우수한 프린트 배선판을 얻을 수 있다. 아미노기 당량은, JIS K 7237:1995 에 준거하는 방법에 의해 측정된다.Although the amino group equivalent of an amino-modified silicone (A) is not specifically limited, Preferably it is 130 or more and 6000 or less, More preferably, it is 500 or more and 3000 or less, More preferably, it is 600 or more and 2500 or less. When the amino group equivalent of an amino-modified silicone (A) exists in the said range, the printed wiring board excellent in metal foil peeling strength and desmear resistance can be obtained. An amino group equivalent is measured by the method based on JISK7237:1995.
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서, 아미노 변성 실리콘 (A) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 중의 반응 생성물 (P) 의 총량 (100 질량% ; 용매·용제 성분, 충전재 (J) 는 함유하지 않는 고형분량으로서) 에 대하여, 바람직하게는 5.0 질량% 이상 70 질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 10 질량% 이상 50 질량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 15 질량% 이상 45 질량% 이하이다. 또, 아미노 변성 실리콘 (A) 의 함유량은, 반응 생성물 (P) 와 열 경화성 성분 (E) 를 조합하는 경우에, 반응 생성물 (P) 의 제작에 사용되는 아미노 변성 실리콘 (A) 및 열 경화성 성분 (E) 로서 함유되는 아미노 변성 실리콘 (A) 의 합계량으로서, 그 수지 조성물 중의 반응 생성물 (P) 및 열 경화성 성분 (E) 의 합계량 (100 질량% ; 용매·용제 성분은 함유하지 않는 고형분량으로서) 에 대하여, 바람직하게는 1.0 질량% 이상 70 질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 3.0 질량% 이상 40 질량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 5.0 질량% 이상 20 질량% 이하이다. 또, 아미노 변성 실리콘 (A) 의 함유량이 상기 범위 내임으로써, 금속박 필 강도 및 내디스미어성이 보다 우수한 프린트 배선판을 얻을 수 있다. 또한, 여기서 말하는 아미노 변성 실리콘 (A) 의 함유량에는, 반응 생성물 (P) 의 제작에 사용된 아미노 변성 실리콘 (A) 에 더하여, 후술하는 열 경화성 성분 (E) 로서의 아미노 변성 실리콘 (A) 도 함유된다.In the resin composition of this embodiment, the content of the amino-modified silicone (A) is not particularly limited, but the total amount of the reaction product (P) in the resin composition (100% by mass; solvent/solvent component, filler (J) is not contained. As the amount of solid content not present), preferably 5.0 mass% or more and 70 mass% or less, more preferably 10 mass% or more and 50 mass% or less, and still more preferably 15 mass% or more and 45 mass% or less. In addition, content of amino-modified silicone (A) is amino-modified silicone (A) and thermosetting component used for preparation of reaction product (P), when combining reaction product (P) and thermosetting component (E). As the total amount of the amino-modified silicone (A) contained as (E), the total amount of the reaction product (P) and the thermosetting component (E) in the resin composition (100% by mass; the solvent/solvent component is not contained as a solid amount ), preferably 1.0 mass% or more and 70 mass% or less, more preferably 3.0 mass% or more and 40 mass% or less, and still more preferably 5.0 mass% or more and 20 mass% or less. Moreover, when content of an amino-modified silicone (A) exists in the said range, the printed wiring board excellent in metal foil peeling strength and desmear resistance can be obtained. In addition to the amino-modified silicone (A) used for preparation of the reaction product (P), the amino-modified silicone (A) as a thermosetting component (E) described later is also included in the content of the amino-modified silicone (A) here. do.
<말레이미드 화합물 (B)><Maleimide compound (B)>
본 실시형태에 사용하는 말레이미드 화합물 (B) 는, 분자 중에 1 개 이상의 말레이미드기를 갖는 화합물이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 그 구체예로는, 예를 들어, N-페닐말레이미드, N-하이드록시페닐말레이미드, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)-페닐}프로판, 비스(3,5-디메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3,5-디에틸-4-말레이미드페닐)메탄, 폴리테트라메틸렌옥사이드-비스(4-말레이미드벤조에이트), 하기 일반식 (2) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 이들 말레이미드 화합물의 프레폴리머, 및 말레이미드 화합물과 아민 화합물의 프레폴리머를 들 수 있다. 이들은 1 종 또는 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용할 수도 있다.The maleimide compound (B) used for this embodiment will not be specifically limited if it is a compound which has one or more maleimide groups in a molecule|numerator. Specific examples thereof include, for example, N-phenylmaleimide, N-hydroxyphenylmaleimide, bis(4-maleimidephenyl)methane, 2,2-bis{4-(4-maleimidephenoxy) -phenyl}propane, bis(3,5-dimethyl-4-maleimidephenyl)methane, bis(3-ethyl-5-methyl-4-maleimidephenyl)methane, bis(3,5-diethyl-4- Maleimidephenyl)methane, polytetramethyleneoxide-bis(4-maleimidebenzoate), a maleimide compound represented by the following general formula (2), a prepolymer of these maleimide compounds, and a prepolymer of a maleimide compound and an amine compound polymers. These can also be used 1 type or in mixture of 2 or more types suitably.
그 중에서도, 말레이미드 화합물 (B) 는, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)-페닐}프로판, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 폴리테트라메틸렌옥사이드-비스(4-말레이미드벤조에이트), 및 하기 일반식 (2) 로 나타내는 말레이미드 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 함유하는 것이 바람직하고, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)-페닐}프로판을 함유하는 것이 보다 바람직하다.Among them, the maleimide compound (B) is bis(4-maleimidephenyl)methane, 2,2-bis{4-(4-maleimidephenoxy)-phenyl}propane, and bis(3-ethyl-5- One or two or more selected from the group consisting of methyl-4-maleimidephenyl)methane, polytetramethyleneoxide-bis(4-maleimidebenzoate), and a maleimide compound represented by the following general formula (2) It is preferable to contain, and it is more preferable to contain 2,2-bis{4-(4-maleimidephenoxy)-phenyl}propane.
[화학식 4] [Formula 4]
식 (2) 중, 복수의 R5 는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n1 은, 1 이상의 정수를 나타낸다.In Formula (2), a plurality of R 5 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group, and n 1 represents an integer of 1 or more.
식 (2) 중, 복수의 R5 는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 그 중에서도 수소 원자를 나타내는 것이 바람직하다.In Formula (2), it is preferable that some R< 5 > represents a hydrogen atom or a methyl group each independently, and especially represents a hydrogen atom.
식 (2) 중, n1 은, 1 이상의 정수를 나타낸다. n1 의 상한치는, 바람직하게는 10, 보다 바람직하게는 7 이다.In formula (2), n 1 represents an integer of 1 or more. The upper limit of n1 becomes like this. Preferably it is 10, More preferably, it is 7.
말레이미드 화합물 (B) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.A maleimide compound (B) may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types.
본 실시형태의 반응 생성물 (P) 에 있어서, 아미노 변성 실리콘 (A) 에 대한 말레이미드 화합물 (B) 의 함유비는 특별히 한정되지 않지만, 질량 기준으로, 바람직하게는 1.0 이상 3.0 이하이고, 보다 바람직하게는 1.0 이상 2.5 이하이고, 더욱 바람직하게는 1.0 이상 2.0 이하이다. 함유비가 상기 범위 내임으로써, 반응 생성물 (P) 의 제조성이 보다 우수한 경향이 있다.In the reaction product (P) of this embodiment, the content ratio of the maleimide compound (B) to the amino-modified silicone (A) is not particularly limited, but on a mass basis, preferably 1.0 or more and 3.0 or less, more preferably Preferably it is 1.0 or more and 2.5 or less, More preferably, it is 1.0 or more and 2.0 or less. When the content ratio is within the above range, the productivity of the reaction product (P) tends to be more excellent.
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서, 말레이미드 화합물 (B) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 중의 반응 생성물 (P) 의 총량 (100 질량% ; 용매·용제 성분, 충전재 (J) 는 함유하지 않는 고형분량으로서) 에 대하여, 바람직하게는 10 질량% 이상 90 질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 30 질량% 이상 80 질량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 45 질량% 이상 75 질량% 이하이다. 또, 말레이미드 화합물 (B) 의 함유량은, 반응 생성물 (P) 와 열 경화성 성분 (E) 를 조합하는 경우에, 반응 생성물 (P) 의 제작에 사용되는 말레이미드 화합물 (B) 및 열 경화성 성분 (E) 로서 함유되는 말레이미드 화합물 (B) 의 합계량으로서, 반응 생성물 (P) 및 열 경화성 성분 (E) 의 합계량 (100 질량% ; 용매·용제 성분, 충전재 (J) 는 함유하지 않는 고형분량으로서) 에 대하여, 바람직하게는 10 질량% 이상 90 질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 20 질량% 이상 80 질량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 30 질량% 이상 70 질량% 이하이다. 말레이미드 화합물 (B) 의 함유량이 상기 범위 내임으로써, 성형성, 열시 탄성률, 내디스미어성 및 내약품성이 보다 우수한 프린트 배선판을 얻을 수 있는 경향이 있다. 또한, 여기서 말하는 말레이미드 화합물 (B) 의 함유량에는, 반응 생성물 (P) 에 사용된 말레이미드 화합물 (B) 에 더하여, 후술하는 열 경화성 성분 (E) 로서의 말레이미드 화합물 (B) 도 함유된다.In the resin composition of this embodiment, the content of the maleimide compound (B) is not particularly limited, but the total amount of the reaction product (P) in the resin composition (100% by mass; solvent/solvent component, filler (J) is not contained As the amount of solid content not present), preferably 10 mass % or more and 90 mass % or less, more preferably 30 mass % or more and 80 mass % or less, and still more preferably 45 mass % or more and 75 mass % or less. Moreover, when content of a maleimide compound (B) combines a reaction product (P) and a thermosetting component (E), the maleimide compound (B) and thermosetting component used for preparation of a reaction product (P) As the total amount of the maleimide compound (B) contained as (E), the total amount of the reaction product (P) and the thermosetting component (E) (100% by mass; the solvent/solvent component, the filler (J) does not contain the solid content ), Preferably it is 10 mass % or more and 90 mass % or less, More preferably, it is 20 mass % or more and 80 mass % or less, More preferably, it is 30 mass % or more and 70 mass % or less. When content of a maleimide compound (B) exists in the said range, there exists a tendency for the printed wiring board more excellent in moldability, thermal elastic modulus, desmear resistance, and chemical-resistance to be obtained. In addition, the maleimide compound (B) as a thermosetting component (E) mentioned later is also contained in content of the maleimide compound (B) here in addition to the maleimide compound (B) used for the reaction product (P).
<카르복실산 (C), 카르복실산 무수물 (D)><Carboxylic acid (C), Carboxylic anhydride (D)>
본 실시형태에 사용하는 카르복실산 (C) 는 특별히 한정되지 않지만, 말레산, 프탈산, 숙신산, 아세트산 및 프로피온산으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상인 것이 바람직하고, 말레산, 프탈산, 숙신산 및 아세트산으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상인 것이 보다 바람직하고, 말레산, 프탈산 및 숙신산으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또, 본 실시형태에 사용하는 카르복실산 무수물 (D) 는 특별히 한정되지 않지만, 무수 말레산, 무수 프탈산, 무수 숙신산, 무수 아세트산 및 무수 프로피온산으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상인 것이 바람직하고, 무수 말레산, 무수 프탈산, 무수 숙신산 및 무수 아세트산으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상인 것이 보다 바람직하고, 무수 말레산, 무수 프탈산 및 무수 숙신산으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상인 것이 더욱 바람직하다.Although the carboxylic acid (C) used in this embodiment is not specifically limited, It is preferable that it is 1 type or 2 or more types selected from the group which consists of maleic acid, phthalic acid, succinic acid, acetic acid, and propionic acid, Maleic acid, phthalic acid, succinic acid and more preferably 1 type or 2 or more types selected from the group consisting of acetic acid, and still more preferably 1 type or 2 or more types selected from the group consisting of maleic acid, phthalic acid and succinic acid. Moreover, although the carboxylic anhydride (D) used for this embodiment is not specifically limited, It is preferable that it is 1 type, or 2 or more types selected from the group which consists of maleic anhydride, phthalic anhydride, succinic anhydride, acetic anhydride, and propionic anhydride. and more preferably one or two or more selected from the group consisting of maleic anhydride, phthalic anhydride, succinic anhydride and acetic anhydride, and one or two selected from the group consisting of maleic anhydride, phthalic anhydride and succinic anhydride More preferably, it is more than a species.
카르복실산 (C) 및 카르복실산 무수물 (D) 는, 각각 상기 서술한 것 중에서도, 1 가의 카르복실산 및 1 가의 카르복실산 무수물, 또는, 2 가의 카르복실산 및 2 가의 카르복실산 무수물인 것이 바람직하고, 2 가의 카르복실산 및 2 가의 카르복실산 무수물인 것이 더욱 바람직하다. 카르복실산 (C), 및 카르복실산 무수물 (D) 는, 각각 2 가의 카르복실산 및 2 가의 카르복실산 무수물임으로써, 1 가의 카르복실산 및 1 가의 카르복실산 무수물인 경우와 비교하여, 수지 조성물의 보존 안정성이 보다 우수하고, 또, 프린트 배선판으로 하였을 때의 절연 신뢰성의 저하를 억제할 수 있는 경향이 있다. 이 요인은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 2 가의 카르복실산 또는 2 가의 카르복실산 무수물을 사용하면, 1 가의 카르복실산 및 1 가의 카르복실산 무수물을 사용하는 경우와 비교하여, 아미노 변성 실리콘 (A) 의 아미노기와 2 가의 카르복실산 또는 2 가의 카르복실산 무수물의 카르복실기가 반응한 경우에, 반응한 카르복실기와 쌍을 이루고 있던 카르복실기가 유리 카르복실산으로서 수지 조성물 중에 잔류하기 어려운 것에서 기인한다고 추찰된다.Carboxylic acid (C) and carboxylic acid anhydride (D) are monovalent|monohydric carboxylic acid and monovalent|monohydric carboxylic acid anhydride, or divalent carboxylic acid, and bivalent carboxylic acid anhydride, respectively among those mentioned above. It is preferable that it is, and it is more preferable that they are a divalent carboxylic acid and a divalent carboxylic acid anhydride. Carboxylic acid (C) and carboxylic acid anhydride (D) are divalent carboxylic acid and divalent carboxylic acid anhydride, respectively, compared with the case of monovalent carboxylic acid and monovalent carboxylic acid anhydride. , the storage stability of the resin composition is more excellent, and there exists a tendency which can suppress the fall of insulation reliability when it is set as a printed wiring board. Although this factor is not particularly limited, when a divalent carboxylic acid or a divalent carboxylic acid anhydride is used, compared with the case of using a monovalent carboxylic acid and a monovalent carboxylic acid anhydride, the amino-modified silicone (A ), when the carboxyl group of the divalent carboxylic acid or divalent carboxylic acid anhydride reacts with the amino group of .
카르복실산 (C) 및 카르복실산 무수물 (D) 는, 각각, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 또, 카르복실산 (C) 및 카르복실산 무수물 (D) 는, 각각을 단독으로 사용해도 되고, 병용해도 된다.Carboxylic acid (C) and carboxylic acid anhydride (D) may be used individually by 1 type, respectively, and may mix and use 2 or more types. Moreover, carboxylic acid (C) and carboxylic acid anhydride (D) may be used independently, respectively, and may use them together.
또, 본 실시형태에 있어서, 카르복실산 (C) 만을 사용하는 것과 비교하여, 카르복실산 무수물 (D) 만을 사용하는 것이 바람직하다. 이로써, 아미노 변성 실리콘 (A) 와의 반응성이 보다 우수함으로써, 보존 안정성이 보다 우수한 경향이 있다.Moreover, in this embodiment, compared with using only carboxylic acid (C), it is preferable to use only carboxylic acid anhydride (D). Thereby, when the reactivity with an amino-modified silicone (A) is more excellent, there exists a tendency for storage stability to be more excellent.
본 실시형태의 반응 생성물 (P) 에 있어서, 아미노 변성 실리콘 (A) 에 대한 카르복실산 (C) 및 카르복실산 무수물 (D) 의 함유비는 특별히 한정되지 않지만, 질량 기준으로, 바람직하게는 0.01 이상 0.4 이하이고, 보다 바람직하게는 0.01 이상 0.2 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.02 이상 0.1 이하이다. 함유비가 상기 범위 내임으로써, 반응 생성물 (P) 의 보존 안정성이 보다 우수한 경향이 있다.In the reaction product (P) of the present embodiment, the content ratio of the carboxylic acid (C) and the carboxylic acid anhydride (D) to the amino-modified silicone (A) is not particularly limited, but on a mass basis, preferably They are 0.01 or more and 0.4 or less, More preferably, they are 0.01 or more and 0.2 or less, More preferably, they are 0.02 or more and 0.1 or less. When the content ratio is within the above range, the storage stability of the reaction product (P) tends to be more excellent.
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서, 카르복실산 (C) 및 카르복실산 무수물 (D) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 반응 생성물 (P) 의 총량 (100 질량% ; 용매·용제 성분, 충전재 (J) 는 함유하지 않는 고형분량으로서) 에 대하여, 바람직하게는 0.5 질량% 이상 20 질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 0.5 질량% 이상 10 질량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 1.0 질량% 이상 5.0 질량% 이하이다. 또, 카르복실산 (C) 및 카르복실산 무수물 (D) 의 함유량은, 반응 생성물 (P) 와 열 경화성 성분 (E) 를 조합하는 경우에, 반응 생성물 (P) 및 열 경화성 성분 (E) 의 합계량 (100 질량% ; 용매·용제 성분, 충전재 (J) 는 함유하지 않는 고형분량으로서) 에 대하여, 바람직하게는 0.05 질량% 이상 10 질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 0.1 질량% 이상 5.0 질량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.2 질량% 이상 2.0 질량% 이하이다. 카르복실산 (C) 및 카르복실산 무수물 (D) 의 함유량이 상기 범위 내임으로써, 성형성, 열시 탄성률, 내디스미어성 및 내약품성이 보다 우수한 프린트 배선판을 얻을 수 있는 경향이 있다.In the resin composition of the present embodiment, the content of the carboxylic acid (C) and the carboxylic acid anhydride (D) is not particularly limited, but the total amount of the reaction product (P) (100% by mass; solvent/solvent component, filler ( J) is preferably 0.5 mass % or more and 20 mass % or less, more preferably 0.5 mass % or more and 10 mass % or less, further preferably 1.0 mass % or more and 5.0 mass % or more % or less. Moreover, when content of carboxylic acid (C) and carboxylic acid anhydride (D) combines reaction product (P) and thermosetting component (E), reaction product (P) and thermosetting component (E) with respect to the total amount of (100 mass %; solvent/solvent components, as solid content not containing filler (J)), preferably 0.05 mass % or more and 10 mass % or less, more preferably 0.1 mass % or more and 5.0 mass % % or less, and more preferably 0.2 mass% or more and 2.0 mass% or less. When content of a carboxylic acid (C) and a carboxylic acid anhydride (D) is in the said range, there exists a tendency for the printed wiring board more excellent in a moldability, the modulus of thermal elasticity, desmear resistance, and chemical-resistance to be obtained.
〔열 경화성 성분 (E)〕[thermosetting component (E)]
본 실시형태의 수지 조성물은, 열 경화성 성분 (E) 를 추가로 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the resin composition of this embodiment further contains a thermosetting component (E).
본 실시형태에 사용하는 열 경화성 성분 (E) 는, 열에 의해 경화되는 성분이면 특별히 한정되지 않는다. 열 경화성 성분 (E) 로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 상기 서술한 아미노 변성 실리콘 (A), 말레이미드 화합물 (B) 에 더하여, 후술하는 에폭시 수지 (F), 시안산에스테르 화합물 (G), 및 알케닐 치환 나디이미드 (H) 를 들 수 있다. 즉, 열 경화성 성분 (E) 로서 사용하는 아미노 변성 실리콘 (A), 및 말레이미드 화합물 (B) 는, 상기 서술한 아미노 변성 실리콘 (A), 및 말레이미드 화합물 (B) 와 동일한 것을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 열 경화성 성분 (E) 는, 말레이미드 화합물 (B), 에폭시 수지 (F), 시안산에스테르 화합물 (G), 및 알케닐 치환 나디이미드 (H) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 함유하는 것이 바람직하고, 말레이미드 화합물 (B) 를 함유하는 것이 보다 바람직하다.The thermosetting component (E) used for this embodiment will not be specifically limited if it is a component hardened|cured by heat. Although it does not specifically limit as a thermosetting component (E), For example, in addition to the amino-modified silicone (A) and a maleimide compound (B) mentioned above, the epoxy resin (F) mentioned later, a cyanate ester compound (G) and alkenyl-substituted nadiimide (H). That is, the amino-modified silicone (A) and maleimide compound (B) used as the thermosetting component (E) may be the same as those of the above-described amino-modified silicone (A) and maleimide compound (B). . Among them, the thermosetting component (E) is one selected from the group consisting of a maleimide compound (B), an epoxy resin (F), a cyanate ester compound (G), and an alkenyl-substituted nadiimide (H), or It is preferable to contain 2 or more types, and it is more preferable to contain a maleimide compound (B).
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서, 열 경화성 성분 (E) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 반응 생성물 (P) 와 열 경화성 성분 (E) 를 조합하는 경우에, 반응 생성물 (P) 및 열 경화성 성분 (E) 의 합계량 (100 질량% ; 용매·용제 성분, 충전재 (J) 는 함유하지 않는 고형분량으로서) 에 대하여, 바람직하게는 20 질량% 이상 85 질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 30 질량% 이상 85 질량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 40 질량% 이상 80 질량% 이하이다. 열 경화성 성분 (E) 의 함유량이 상기 범위 내임으로써, 충전재 충전시에 있어서도 성형성이 우수하고, 열시 탄성률, 내디스미어성, 내약품성이 우수한 프린트 배선판이 되는 경향이 있다.In the resin composition of this embodiment, although content of a thermosetting component (E) is not specifically limited, When combining a reaction product (P) and a thermosetting component (E), a reaction product (P) and a thermosetting component With respect to the total amount of (E) (100 mass %; solvent/solvent components, as solid content not containing filler (J)), Preferably it is 20 mass % or more and 85 mass % or less, More preferably, it is 30 mass %. It is 85 mass % or more, More preferably, it is 40 mass % or more and 80 mass % or less. When content of a thermosetting component (E) is in the said range, also at the time of filler filling, it is excellent in a moldability, and there exists a tendency to become a printed wiring board excellent in thermal elastic modulus, desmear resistance, and chemical-resistance.
<에폭시 수지 (F)><Epoxy resin (F)>
본 실시형태의 수지 조성물은, 에폭시 수지 (F) 를 함유함으로써, 접착성, 흡습 내열성, 가요성 등이 보다 우수한 경향이 있다. 에폭시 수지 (F) 는, 1 분자 중에 2 개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다. 그 구체예로는, 예를 들어, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 E 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 비스페놀 S 형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 자일렌 노볼락형 에폭시 수지, 다관능 페놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌 골격 변성 노볼락형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 페놀아르알킬형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 3 관능 페놀형 에폭시 수지, 4 관능 페놀형 에폭시 수지, 트리글리시딜시아누레이트, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐 노볼락형 에폭시 수지, 페놀아르알킬 노볼락형 에폭시 수지, 나프톨아르알킬 노볼락형 에폭시 수지, 아르알킬 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 나프톨아르알킬형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 폴리올형 에폭시 수지, 인 함유 에폭시 수지, 글리시딜아민, 부타디엔 등의 이중 결합을 에폭시화한 화합물, 수산기 함유 실리콘 수지류와 에피클로르하이드린의 반응에 의해 얻어지는 화합물, 및 이들의 할로겐화물을 들 수 있다.When the resin composition of this embodiment contains an epoxy resin (F), there exists a tendency which is more excellent in adhesiveness, moisture absorption heat resistance, flexibility, etc. An epoxy resin (F) will not be specifically limited if it is a compound which has two or more epoxy groups in 1 molecule. Specific examples thereof include, for example, bisphenol A epoxy resin, bisphenol E epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, bisphenol A novolak epoxy resin, biphenyl epoxy resin, phenol furnace Volak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, xylene novolak type epoxy resin, polyfunctional phenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthalene skeleton modified novolak type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, phenol are Alkyl type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, trifunctional phenol type epoxy resin, tetrafunctional phenol type epoxy resin, triglycidyl cyanurate, glycidyl ester type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, dicyclopentadiene novolac Type epoxy resin, biphenyl novolak type epoxy resin, phenol aralkyl novolak type epoxy resin, naphthol aralkyl novolak type epoxy resin, aralkyl novolak type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, naphthol aralkyl type epoxy resin Epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, polyol type epoxy resin, phosphorus containing epoxy resin, compound obtained by epoxidizing double bonds such as glycidylamine and butadiene, hydroxyl group containing silicone resin and epichlorhydrin compounds obtained by the above method, and halides thereof.
이 중에서도, 에폭시 수지 (F) 가, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 다관능 페놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상인 것이 바람직하다. 이와 같은 에폭시 수지 (F) 를 함유함으로써, 얻어지는 경화물의 난연성 및 내열성이 보다 향상되는 경향이 있다.Among these, it is preferable that an epoxy resin (F) is 1 or more types chosen from the group which consists of a biphenyl aralkyl type epoxy resin, a naphthylene ether type epoxy resin, a polyfunctional phenol type epoxy resin, and a naphthalene type epoxy resin. By containing such an epoxy resin (F), there exists a tendency for the flame retardance and heat resistance of the hardened|cured material obtained to improve more.
에폭시 수지 (F) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.An epoxy resin (F) may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types.
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서, 에폭시 수지 (F) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 반응 생성물 (P) 및 열 경화성 성분 (E) 의 합계량 (100 질량% ; 용매·용제 성분, 충전재 (J) 는 함유하지 않는 고형분량으로서) 에 대하여, 바람직하게는 1.0 질량% 이상 20 질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 1.0 질량% 이상 15 질량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 2.0 질량% 이상 10 질량% 이하이다. 에폭시 수지 (F) 의 함유량이 상기 범위 내임으로써, 접착성 및 가요성이 보다 우수한 경향이 있다.In the resin composition of the present embodiment, the content of the epoxy resin (F) is not particularly limited, but the total amount of the reaction product (P) and the thermosetting component (E) (100 mass%; solvent/solvent component, filler (J)) is preferably 1.0 mass% or more and 20 mass% or less, more preferably 1.0 mass% or more and 15 mass% or less, still more preferably 2.0 mass% or more and 10 mass% or less am. When content of an epoxy resin (F) exists in the said range, there exists a tendency which is more excellent in adhesiveness and flexibility.
<시안산에스테르 화합물 (G)><Cyanic acid ester compound (G)>
본 실시형태에 사용하는 시안산에스테르 화합물 (G) 로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 나프톨아르알킬형 시안산에스테르, 하기 일반식 (4) 로 나타내는 노볼락형 시안산에스테르, 비페닐아르알킬형 시안산에스테르, 비스(3,3-디메틸-4-시아나토페닐)메탄, 비스(4-시아나토페닐)메탄, 1,3-디시아나토벤젠, 1,4-디시아나토벤젠, 1,3,5-트리시아나토벤젠, 1,3-디시아나토나프탈렌, 1,4-디시아나토나프탈렌, 1,6-디시아나토나프탈렌, 1,8-디시아나토나프탈렌, 2,6-디시아나토나프탈렌, 2,7-디시아나토나프탈렌, 1,3,6-트리시아나토나프탈렌, 4,4'-디시아나토비페닐, 비스(4-시아나토페닐)에테르, 비스(4-시아나토페닐)티오에테르, 비스(4-시아나토페닐)술폰 및 2,2-비스(4-시아나토페닐)프로판을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as cyanate ester compound (G) used for this embodiment, For example, a naphthol aralkyl type cyanate ester represented by the following general formula (3), and a novolak type represented by the following general formula (4) Cyanate ester, biphenyl aralkyl cyanate ester, bis(3,3-dimethyl-4-cyanatophenyl)methane, bis(4-cyanatophenyl)methane, 1,3-dicyanatobenzene, 1, 4-dicyanatobenzene, 1,3,5-tricyanatobenzene, 1,3-dicyanatonaphthalene, 1,4-dicyanatonaphthalene, 1,6-dicyanatonaphthalene, 1,8-dicyana Tonaphthalene, 2,6-dicyanatonaphthalene, 2,7-dicyanatonaphthalene, 1,3,6-tricyanatonaphthalene, 4,4'-dicyanatobiphenyl, bis(4-cyanatophenyl)ether , bis(4-cyanatophenyl)thioether, bis(4-cyanatophenyl)sulfone, and 2,2-bis(4-cyanatophenyl)propane.
이 중에서도 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 나프톨아르알킬형 시안산에스테르 화합물, 하기 일반식 (4) 로 나타내는 노볼락형 시안산에스테르 및 비페닐아르알킬형 시안산에스테르가 난연성이 우수하고, 경화성이 높으며, 또한 경화물의 열 팽창 계수가 낮은 점에서 바람직하고, 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 나프톨아르알킬형 시안산에스테르 화합물 및 하기 일반식 (4) 로 나타내는 노볼락형 시안산에스테르로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상이 보다 바람직하다.Among these, the naphthol aralkyl-type cyanate ester compound represented by the following general formula (3), the novolac-type cyanate ester and the biphenyl aralkyl-type cyanate ester represented by the following general formula (4) are excellent in flame retardancy and have excellent curability. It is high, and it is preferable from the viewpoint of a low coefficient of thermal expansion of the cured product. The 1 type(s) or 2 or more types chosen are more preferable.
[화학식 5] [Formula 5]
식 (3) 중, 복수의 R6 은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n2 는, 1 이상의 정수를 나타낸다.In Formula (3), some R< 6 > represents a hydrogen atom or a methyl group, respectively independently, and n< 2 > represents 1 or more integer.
식 (3) 중, 복수의 R6 은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 그 중에서도 수소 원자를 나타내는 것이 바람직하다.In Formula (3), it is preferable that some R< 6 > represents a hydrogen atom or a methyl group each independently, and, especially, represents a hydrogen atom.
식 (3) 중, n2 는, 1 이상의 정수를 나타낸다. n2 의 상한치는, 바람직하게는 10, 보다 바람직하게는 6 이다.In formula (3), n 2 represents an integer of 1 or more. The upper limit of n2 becomes like this. Preferably it is 10, More preferably, it is 6.
[화학식 6] [Formula 6]
식 (4) 중, 복수의 R7 은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 복수의 R8 은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수가 1 ∼ 4 의 알킬기 혹은 알케닐기를 나타내고, n3 은, 1 이상의 정수를 나타낸다.In formula (4), a plurality of R 7 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group, a plurality of R 8 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group or alkenyl group having 1 to 4 carbon atoms, and n 3 is , represents an integer of 1 or more.
식 (4) 중, 복수의 R7 은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 그 중에서도 수소 원자를 나타내는 것이 바람직하다.In Formula (4), some R< 7 > represents a hydrogen atom or a methyl group each independently, and it is preferable to represent a hydrogen atom especially.
식 (4) 중, 복수의 R8 은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수가 1 ∼ 4 의 알킬기 혹은 알케닐기를 나타낸다.In Formula (4), some R< 8 > represents a hydrogen atom, a C1-C4 alkyl group, or an alkenyl group each independently.
식 (4) 중, n3 은, 1 이상의 정수를 나타낸다. n3 의 상한치는, 바람직하게는 10, 보다 바람직하게는 7 이다.In formula (4), n 3 represents an integer of 1 or more. The upper limit of n 3 becomes like this. Preferably it is 10, More preferably, it is 7.
이들의 시안산에스테르 화합물의 제법은 특별히 한정되지 않고, 시안산에스테르 합성법으로서 현존하는 어떠한 방법으로 제조해도 된다. 구체적으로 예시하면, 하기 일반식 (5) 로 나타내는 나프톨아르알킬형 페놀 수지와 할로겐화시안을 불활성 유기 용매 중에서, 염기성 화합물 존재하 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 또, 동일한 나프톨아르알킬형 페놀 수지와 염기성 화합물에 의한 염을, 물을 함유하는 용액 중에서 형성시키고, 그 후, 할로겐화시안과 2 상계 계면 반응을 실시하고, 합성하는 방법을 취할 수도 있다.The manufacturing method of these cyanate ester compounds is not specifically limited, You may manufacture by any existing method as a cyanate ester synthesis method. Specifically, it can be obtained by reacting a naphthol aralkyl type phenol resin represented by the following general formula (5) with a cyan halide in an inert organic solvent in the presence of a basic compound. Moreover, the same naphthol aralkyl type phenol resin and the salt by a basic compound are formed in the solution containing water, and the method of performing a two-phase interface reaction with cyanogen halide after that, and synthesizing can also be taken.
[화학식 7] [Formula 7]
식 (5) 중, 복수의 R6 은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n4 는, 1 이상의 정수를 나타낸다.In Formula (5), some R< 6 > represents a hydrogen atom or a methyl group, respectively independently, and n< 4 > represents 1 or more integer.
식 (5) 중, 복수의 R6 은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 그 중에서도 수소 원자가 바람직하다.In Formula (5), some R< 6 > represents a hydrogen atom or a methyl group each independently, and a hydrogen atom is especially preferable.
식 (5) 중, n4 는, 1 이상의 정수를 나타낸다. n4 의 상한치는, 바람직하게는 10, 보다 바람직하게는 6 이다.In formula (5), n 4 represents an integer of 1 or more. The upper limit of n 4 becomes like this. Preferably it is 10, More preferably, it is 6.
또, 나프톨아르알킬형 시안산에스테르 화합물은, α-나프톨 혹은 β-나프톨 등의 나프톨류와 p-자일릴렌글리콜, α,α'-디메톡시-p-자일렌, 1,4-디(2-하이드록시-2-프로필)벤젠 등의 반응에 의해 얻어지는 나프톨아르알킬 수지와 시안산을 축합시켜 얻어지는 것으로부터 선택할 수 있다.In addition, the naphthol aralkyl type cyanate ester compound includes naphthols such as α-naphthol or β-naphthol, p-xylylene glycol, α,α'-dimethoxy-p-xylene, 1,4-di(2 It can be selected from those obtained by condensing cyanic acid with a naphthol aralkyl resin obtained by reaction such as -hydroxy-2-propyl) benzene.
시안산에스테르 화합물 (G) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.A cyanate ester compound (G) may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types.
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서, 시안산에스테르 화합물 (G) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 반응 생성물 (P) 및 열 경화성 성분 (E) 의 합계량 (100 질량% ; 용매·용제 성분, 충전재 (J) 는 함유하지 않는 고형분량으로서) 에 대하여, 바람직하게는 0.005 질량% 이상 5.0 질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 0.005 질량% 이상 3.0 질량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.1 질량% 이상 1.0 질량% 이하이다. 시안산에스테르 화합물 (G) 의 함유량이 상기 범위 내임으로써, 성형성, 열시 탄성률, 내디스미어성 및 내약품성이 보다 우수한 프린트 배선판을 얻을 수 있는 경향이 있다.In the resin composition of the present embodiment, the content of the cyanate ester compound (G) is not particularly limited, but the total amount of the reaction product (P) and the thermosetting component (E) (100% by mass; solvent/solvent component, filler ( J) is preferably 0.005 mass% or more and 5.0 mass% or less, more preferably 0.005 mass% or more and 3.0 mass% or less, still more preferably 0.1 mass% or more and 1.0 mass% or more % or less. When content of a cyanate ester compound (G) exists in the said range, there exists a tendency for the printed wiring board more excellent in moldability, thermal elastic modulus, desmear resistance, and chemical-resistance to be obtained.
<알케닐 치환 나디이미드 (H)><Alkenyl-substituted nadiimide (H)>
본 실시형태에 사용하는 알케닐 치환 나디이미드 (F) 는, 분자 중에 1 개 이상의 알케닐 치환 나디이미드기를 갖는 화합물이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 그 구체예로는, 예를 들어, 하기 일반식 (6) 으로 나타내는 화합물을 들 수 있다.The alkenyl-substituted nadiimide (F) used for this embodiment will not be specifically limited if it is a compound which has one or more alkenyl-substituted nadiimide groups in a molecule|numerator. As the specific example, the compound represented by the following general formula (6) is mentioned, for example.
[화학식 8] [Formula 8]
식 (6) 중, 복수의 R1 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 나타내고, R2 는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 페닐렌기, 비페닐렌기, 나프틸렌기, 또는 하기 일반식 (7) 혹은 (8) 로 나타내는 기를 나타낸다.In formula (6), a plurality of R 1 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R 2 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, a phenylene group, a biphenylene group, or a naphthylene group. , or a group represented by the following general formula (7) or (8).
[화학식 9] [Formula 9]
식 (7) 중, R3 은, 메틸렌기, 이소프로필리덴기, CO, O, S, 또는 SO2 로 나타내는 치환기를 나타낸다.In Formula (7), R 3 represents a substituent represented by a methylene group, an isopropylidene group, CO, O, S, or SO 2 .
[화학식 10] [Formula 10]
식 (8) 중, 복수의 R4 는, 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬렌기, 또는 탄소수 5 ∼ 8 의 시클로알킬렌기를 나타낸다.In Formula (8), some R< 4 > represents a C1-C4 alkylene group or a C5-C8 cycloalkylene group each independently.
또, 식 (6) 으로 나타내는 알케닐 치환 나디이미드 (F) 는, 시판되는 것을 사용할 수도 있다. 시판되고 있는 것으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 하기 식 (9) 로 나타내는 화합물 (BANI-M (마루젠 석유 화학 (주) 제조)), 하기 식 (10) 으로 나타내는 화합물 (BANI-X (마루젠 석유 화학 (주) 제조)) 등을 들 수 있다.Moreover, a commercially available thing can also be used for the alkenyl-substituted nadiimide (F) represented by Formula (6). Although it does not specifically limit as what is marketed, For example, the compound represented by the following formula (9) (BANI-M (Maruzen Petrochemical Co., Ltd. product)), the compound represented by the following formula (10) (BANI-X) (Maruzen Petrochemical Co., Ltd. product)) etc. are mentioned.
알케닐 치환 나디이미드 (H) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.Alkenyl-substituted nadiimide (H) may be used individually by 1 type, and may be used in mixture of 2 or more type.
[화학식 11] [Formula 11]
[화학식 12] [Formula 12]
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서, 알케닐 치환 나디이미드 (H) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 반응 생성물 (P) 및 열 경화성 성분 (E) 의 합계량 (100 질량% ; 용매·용제 성분, 충전재 (J) 는 함유하지 않는 고형분량으로서) 에 대하여, 바람직하게는 5.0 질량% 이상 90 질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 10 질량% 이상 60 질량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 20 질량% 이상 40 질량% 이하이다. 알케닐 치환 나디이미드 (H) 의 함유량이 상기 범위 내임으로써, 성형성, 열시 탄성률, 내디스미어성 및 내약품성이 보다 우수한 프린트 배선판을 얻을 수 있는 경향이 있다.The resin composition of this embodiment WHEREIN: Although content of alkenyl-substituted nadiimide (H) is not specifically limited, The total amount of reaction product (P) and thermosetting component (E) (100 mass %; solvent/solvent component, filler) (J) is preferably 5.0 mass% or more and 90 mass% or less, more preferably 10 mass% or more and 60 mass% or less, still more preferably 20 mass% or more and 40 mass% or less. When content of an alkenyl-substituted nadiimide (H) is in the said range, there exists a tendency for the printed wiring board more excellent in moldability, thermal elasticity modulus, desmear resistance, and chemical-resistance to be obtained.
상기 서술한 에폭시 수지 (F), 시안산에스테르 화합물 (G), 및 알케닐 치환 나디이미드 (H) 는, 반응 생성물 (P) 의 원료로서 사용해도 된다.You may use the above-mentioned epoxy resin (F), a cyanate ester compound (G), and an alkenyl-substituted nadiimide (H) as a raw material of a reaction product (P).
열 경화성 성분 (E) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.A thermosetting component (E) may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types.
또, 본 실시형태의 수지 조성물에 있어서는, 소기의 특성이 저해되지 않는 범위에 있어서, 반응 생성물 (P) 및 열 경화성 성분 (E) 에 더하여, 다른 수지를 첨가하는 것도 가능하다. 당해 다른 수지의 종류에 대해서는 절연성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 열 가소성 수지를 들 수 있다. 열 가소성 수지를 적절히 병용함으로써, 금속 밀착성이나 응력 완화성과 같은 특성을 부여할 수 있다.Moreover, in the resin composition of this embodiment, in addition to the reaction product (P) and the thermosetting component (E), it is also possible to add other resin in the range which a desired characteristic is not impaired. Although it will not specifically limit if it has insulation about the kind of said other resin, For example, a thermoplastic resin is mentioned. By appropriately using a thermoplastic resin together, properties such as metal adhesion and stress relaxation properties can be imparted.
〔충전재 (J)〕[Filling material (J)]
본 실시형태의 수지 조성물은, 충전재 (J) 를 추가로 함유하는 것이 바람직하다. 충전재 (J) 로는, 절연성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 천연 실리카, 용융 실리카, 아모르퍼스 실리카, 중공 실리카 등의 실리카류;알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 베마이트, 산화몰리브덴, 산화티탄, 붕산아연, 주석산아연, 클레이, 카올린, 탤크, 소성 클레이, 소성 카올린, 소성 탤크, 마이카, 유리 단섬유 (E 유리나 D 유리 등의 유리 미분말류), 중공 유리 및 구상 유리 등의 무기계의 충전재, 실리콘 고무, 실리콘 복합 파우더 등의 유기계의 충전재를 들 수 있다. 이들은 1 종 또는 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용하는 것이 가능하다.It is preferable that the resin composition of this embodiment further contains a filler (J). The filler (J) is not particularly limited as long as it has insulating properties, and for example, silicas such as natural silica, fused silica, amorphous silica, and hollow silica; alumina, aluminum nitride, boron nitride, boehmite, molybdenum oxide, Inorganic materials such as titanium oxide, zinc borate, zinc stannate, clay, kaolin, talc, calcined clay, calcined kaolin, calcined talc, mica, short glass fibers (fine glass powders such as E glass and D glass), hollow glass and spherical glass Organic fillers, such as a filler, a silicone rubber, and silicone composite powder, are mentioned. These can be used 1 type or in mixture of 2 or more types suitably.
이들 중에서도, 충전재 (J) 는, 저열 팽창의 관점으로부터의 실리카, 고열 전도성의 관점으로부터의 알루미나 및 질화알루미늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 함유하는 것이 바람직하다.Among these, it is preferable that the filler (J) contains 1 type(s) or 2 or more types selected from the group which consists of silica from a viewpoint of low thermal expansion, alumina from a viewpoint of high thermal conductivity, and aluminum nitride.
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서의 충전재 (J) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 반응 생성물 (P) 와 열 경화성 성분 (E) 를 조합하는 경우에 있어서의 반응 생성물 (P) 및 열 경화성 성분 (E) 의 합계량 (100 질량부;용매·용제 성분, 충전재 (J) 는 함유하지 않는 고형분량으로서) 또는 반응 생성물 (P) 만을 사용하는 경우에 있어서의 반응 생성물 (P) 의 총량 (100 질량부;용매·용제 성분, 충전재 (J) 는 함유하지 않는 고형분량으로서) 에 대하여, 충전재 (J) 를 50 질량부 이상 300 질량부 이하 함유하는 것이, 저열 팽창이나, 고열 전도와 같은 특성의 관점에서 바람직하고, 그 중에서도, 100 질량부 이상 300 질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 100 질량부 이상 250 질량부 이하인 것이 더욱 바람직하다.Although content of the filler (J) in the resin composition of this embodiment is not specifically limited, When combining a reaction product (P) and a thermosetting component (E), the reaction product (P) and thermosetting component ( The total amount of the reaction product (P) in the case of using only the total amount of E) (100 parts by mass; as a solid content not containing the solvent/solvent component and the filler (J)) or the total amount of the reaction product (P) (100 parts by mass) ; The solvent/solvent component and the filler (J) are not contained in the solid content), containing 50 parts by mass or more and 300 parts by mass or less of the filler (J) from the viewpoint of characteristics such as low thermal expansion and high thermal conduction. Especially, it is more preferable that they are 100 mass parts or more and 300 mass parts or less, and it is still more preferable that they are 100 mass parts or more and 250 mass parts or less.
〔실란 커플링제, 습윤 분산제〕[Silane coupling agent, wetting and dispersing agent]
본 실시형태의 수지 조성물에는, 충전재의 미립자의 분산성, 수지와 미립자나 유리 클로스의 접착 강도를 향상시키기 위해서, 실란 커플링제 및/또는 습윤 분산제를 병용할 수도 있다. 이들의 실란 커플링제로는, 일반적으로 무기물의 표면 처리에 사용되고 있는 실란 커플링제이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 구체예로는, 예를 들어, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노실란계;γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 에폭시실란계;γ-아크릴록시프로필트리메톡시실란 등의 아크릴실란계;N-β-(N-비닐벤질아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란염산염 등의 카티오닉실란계;스티릴실란 등의 페닐아릴실란계의 실란 커플링제를 들 수 있고, 1 종 또는 2 종 이상을 적절히 조합하여 사용하는 것도 가능하다. 또 습윤 분산제로는, 도료용으로 사용되고 있는 분산 안정제이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 구체예로는, 예를 들어, 빅케미·재팬 (주) 제조의 상품명으로 DISPER-BYK 110, 111, 118, 180, 161, BYK-W996, W9010, W903 등의 습윤 분산제를 들 수 있다.In the resin composition of this embodiment, in order to improve the dispersibility of the microparticles|fine-particles of a filler, and adhesive strength between resin and microparticles|fine-particles or a glass cloth, a silane coupling agent and/or a wetting and dispersing agent can also be used together. As these silane coupling agents, if it is a silane coupling agent generally used for surface treatment of an inorganic substance, it will not specifically limit. Specific examples include, for example, aminosilane systems such as γ-aminopropyltriethoxysilane and N-β-(aminoethyl)-γ-aminopropyltrimethoxysilane; γ-glycidoxypropyltrimethoxy Epoxy silanes such as silane; Acrylic silanes such as γ-acryloxypropyltrimethoxysilane; Cationic silanes such as N-β-(N-vinylbenzylaminoethyl)-γ-aminopropyltrimethoxysilane hydrochloride ; Phenylaryl silane-based silane coupling agents, such as styryl silane, are mentioned, It is also possible to use 1 type or in combination of 2 or more type suitably. Moreover, as a wetting and dispersing agent, if it is a dispersion stabilizer used for coating materials, it will not specifically limit. As a specific example, wetting and dispersing agents, such as DISPER-BYK 110, 111, 118, 180, 161, BYK-W996, W9010, W903, are mentioned by the brand name of Bikchemi Japan Co., Ltd. product, for example.
〔경화 촉진제〕 [curing accelerator]
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서는, 소기의 특성이 저해되지 않는 범위에 있어서, 경화 촉진제를 병용하는 것도 가능하다. 경화 촉진제로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 과산화벤조일, 라우로일퍼옥사이드, 아세틸퍼옥사이드, 파라클로로벤조일퍼옥사이드, 디-tert-부틸-디-퍼프탈레이트 등으로 예시되는 유기 과산화물;아조비스니트릴 등의 아조 화합물;N,N-디메틸벤질아민, N,N-디메틸아닐린, N,N-디메틸톨루이딘, 2-N-에틸아닐리노에탄올, 트리-n-부틸아민, 피리딘, 퀴놀린, N-메틸모르폴린, 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 테트라메틸부탄디아민, N-메틸피페리딘 등의 제 3 급 아민류;페놀, 자일레놀, 크레졸, 레조르신, 카테콜 등의 페놀류;나프텐산납, 스테아르산납, 나프텐산아연, 옥틸산아연, 올레산주석, 디부틸주석말레이트, 나프텐산망간, 나프텐산코발트, 아세틸아세톤철 등의 유기 금속염;이들 유기 금속염을 페놀, 비스페놀 등의 수산기 함유 화합물에 용해시켜 이루어지는 것;염화주석, 염화아연, 염화알루미늄 등의 무기 금속염;디옥틸주석옥사이드, 그 밖의 알킬주석, 알킬주석옥사이드 등의 유기 주석 화합물, 및 트리페닐이미다졸 (TPIZ) 을 들 수 있다.In the resin composition of this embodiment, it is also possible to use a hardening accelerator together in the range in which an expected characteristic is not impaired. Although it does not specifically limit as a hardening accelerator, For example, Organic peroxides exemplified by benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, acetyl peroxide, parachlorobenzoyl peroxide, di-tert-butyl-di-perphthalate, etc.; azobis Azo compounds such as nitrile; N,N-dimethylbenzylamine, N,N-dimethylaniline, N,N-dimethyltoluidine, 2-N-ethylanilinoethanol, tri-n-butylamine, pyridine, quinoline, N- tertiary amines such as methylmorpholine, triethanolamine, triethylenediamine, tetramethylbutanediamine, and N-methylpiperidine; phenols such as phenol, xylenol, cresol, resorcinol, and catechol; lead naphthenate; Organometallic salts such as lead stearate, zinc naphthenate, zinc octylate, tin oleate, dibutyltin maleate, manganese naphthenate, cobalt naphthenate, and iron acetylacetone; These organometallic salts are dissolved in a hydroxyl group-containing compound such as phenol and bisphenol and inorganic metal salts such as tin chloride, zinc chloride and aluminum chloride; dioctyl tin oxide and other organic tin compounds such as alkyl tin and alkyl tin oxide; and triphenylimidazole (TPIZ).
〔유기 용제〕 [organic solvent]
본 실시형태의 수지 조성물은, 필요에 따라 용제를 함유하고 있어도 된다. 예를 들어, 유기 용제를 사용하면, 수지 조성물의 조제시에 있어서의 점도가 낮아져, 핸들링성이 향상됨과 함께 유리 클로스로의 함침성을 높일 수 있다. 용제의 종류는, 수지 조성물 중의 수지의 일부 또는 전부를 용해 가능한 것이면 특별히 한정되지 않는다. 그 구체예로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸셀로솔브 등의 케톤류;톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류;디메틸포름아미드 등의 아미드류;프로필렌글리콜모노메틸에테르 및 그 아세테이트를 들 수 있다. 용제는, 1 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The resin composition of this embodiment may contain the solvent as needed. For example, when an organic solvent is used, the viscosity at the time of preparation of a resin composition becomes low, while handling property improves, the impregnation property to a glass cloth can be improved. The kind of solvent will not be specifically limited if a part or all of resin in a resin composition can be melt|dissolved. Although it does not specifically limit as the specific example, For example, Ketones, such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve; Aromatic hydrocarbons, such as toluene and xylene; Amides, such as dimethylformamide; Propylene glycol monomethyl ethers and their acetates. A solvent can be used 1 type or in combination of 2 or more type.
〔그 밖의 성분〕 [Other ingredients]
본 실시형태의 수지 조성물에는, 소기의 특성이 저해되지 않는 범위에 있어서, 다른 열 경화성 수지, 열 가소성 수지 및 그 올리고머, 엘라스토머류 등의 여러 가지의 고분자 화합물;다른 난연성의 화합물;첨가제 등의 병용도 가능하다. 이들은 일반적으로 사용되고 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 난연성의 화합물에서는, 멜라민이나 벤조구아나민 등의 질소 함유 화합물, 옥사진 고리 함유 화합물을 들 수 있다. 첨가제로는, 자외선 흡수제, 산화 방지제, 광 중합 개시제, 형광 증백제, 광 증감제, 염료, 안료, 증점제, 활제, 소포제, 표면 조정제, 광택제, 중합 금지제 등을, 소망에 따라 적절히 조합하여 사용하는 것도 가능하다.In the resin composition of this embodiment, within the range in which the desired properties are not impaired, various high molecular compounds such as other thermosetting resins, thermoplastic resins and their oligomers and elastomers; other flame retardant compounds; combined use of additives, etc. is also possible These will not be specifically limited as long as they are generally used. For example, as a flame retardant compound, nitrogen-containing compounds, such as a melamine and benzoguanamine, and an oxazine ring containing compound are mentioned. As additives, ultraviolet absorbers, antioxidants, photopolymerization initiators, optical brighteners, photosensitizers, dyes, pigments, thickeners, lubricants, defoamers, surface conditioners, brighteners, polymerization inhibitors, etc. are used in appropriate combination as desired. It is also possible to
〔수지 조성물의 제조 방법〕 [Method for Producing Resin Composition]
본 실시형태의 수지 조성물의 제조 방법은, 아미노 변성 실리콘 (A) 와, 말레이미드 화합물 (B) 와, 카르복실산 (C) 또는 카르복실산 무수물 (D) 중 적어도 어느 것을 반응시켜 얻어진 반응 생성물 (P) 를, 그대로 수지 조성물로서 얻을 수 있다. 또, 얻어진 반응 생성물 (P) 와 열 경화성 성분 (B) 를 혼합시켜 수지 조성물을 얻을 수 있다. 또한 필요에 따라 그 밖의 임의 성분을 혼합시켜도 된다.The reaction product obtained by the manufacturing method of the resin composition of this embodiment by making an amino-modified silicone (A), a maleimide compound (B), and at least any one of carboxylic acid (C) or carboxylic anhydride (D) react (P) can be obtained as a resin composition as it is. Moreover, a resin composition can be obtained by mixing the obtained reaction product (P) and a thermosetting component (B). Moreover, you may mix other arbitrary components as needed.
본 실시형태의 수지 조성물의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 양태로서, 아미노 변성 실리콘 (A) 와, 말레이미드 화합물 (B) 를 반응시켜 1 차 폴리머를 얻는 제 1 반응 공정 (이하, 간단히「제 1 반응 공정」이라고도 한다) 과, 1 차 폴리머와, 카르복실산 (C) 또는 카르복실산 무수물 (D) 중 적어도 어느 것을 반응시키는 제 2 반응 공정 (이하, 간단히「제 2 반응 공정」이라고도 한다) 을 갖는 것이, 보다 우수한 반응 생성물 (P) 의 보존 안정성을 얻는 관점에서 바람직하다.Although the manufacturing method of the resin composition of this embodiment is not specifically limited, As a preferable aspect, the 1st reaction process (hereinafter simply " Also referred to as a first reaction step”) and a second reaction step in which the primary polymer and at least any of carboxylic acid (C) or carboxylic acid anhydride (D) are reacted (hereinafter also referred to simply as “second reaction step”) It is preferable from the viewpoint of obtaining more excellent storage stability of the reaction product (P).
제 1 반응 공정에 있어서의 반응 온도는, 아미노 변성 실리콘 (A) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 반응이 진행되는 온도이면 특별히 한정되지 않지만, 50 ℃ ∼ 200 ℃ 인 것이 바람직하고, 100 ℃ ∼ 150 ℃ 인 것이 보다 바람직하다.Although it will not specifically limit if the reaction temperature in a 1st reaction process is the temperature which reaction of an amino-modified silicone (A) and a maleimide compound (B) advance, It is preferable that it is 50 degreeC - 200 degreeC, and it is 100 degreeC - 150 It is more preferable that it is °C.
제 2 반응 공정에 제공되는, 제 1 반응 공정에 의해 얻어지는 1 차 폴리머의 점도는, 보다 우수한 반응 생성물 (P) 의 보존 안정성을 얻는 관점에서, 100 ∼ 500 mPa·s 인 것이 바람직하고, 150 mPa·s ∼ 400 mPa·s 인 것이 보다 바람직하다. 또한, 1 차 폴리머의 점도의 측정 방법은, 특별히 한정되는 것이 아니고, 일반적인 점도계를 사용하여 측정할 수 있다. 예를 들어, 콘 플레이트형 점도계 (예를 들어, ICI 점도계) 를 사용하여 측정할 수 있다.The viscosity of the primary polymer obtained by the first reaction step to be subjected to the second reaction step is preferably 100 to 500 mPa·s from the viewpoint of obtaining more excellent storage stability of the reaction product (P), and 150 mPa It is more preferable that they are *s - 400 mPa*s. In addition, the measuring method of the viscosity of a primary polymer is not specifically limited, It can measure using a general viscometer. For example, it can measure using a cone plate type viscometer (eg, ICI viscometer).
제 2 반응 공정에 있어서의 반응 온도는 특별히 한정되지 않지만, 50 ℃ ∼ 200 ℃ 인 것이 바람직하고, 100 ℃ ∼ 150 ℃ 인 것이 보다 바람직하다. 반응 시간은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.5 시간 ∼ 5 시간이고, 보다 바람직하게는 1.5 시간 ∼ 3.5 시간이다.Although the reaction temperature in a 2nd reaction process is not specifically limited, It is preferable that it is 50 degreeC - 200 degreeC, and it is more preferable that it is 100 degreeC - 150 degreeC. Although reaction time is not specifically limited, Preferably they are 0.5 hour - 5 hours, More preferably, they are 1.5 hours - 3.5 hours.
당연히, 본 실시형태의 수지 조성물의 제조 방법은, 아미노 변성 실리콘 (A) 와, 말레이미드 화합물 (B) 와, 카르복실산 (C) 또는 카르복실산 무수물 (D) 중 적어도 어느 것을 동시에 반응시켜도 된다. 즉, 제 1 반응 공정과 제 2 반응 공정을 동시에 실시해도 된다.Naturally, even if the manufacturing method of the resin composition of this embodiment makes an amino-modified silicone (A), a maleimide compound (B), and at least any one of carboxylic acid (C) or carboxylic acid anhydride (D) react simultaneously, do. That is, you may implement a 1st reaction process and a 2nd reaction process simultaneously.
제 1 공정 및 제 2 공정에 있어서, 아미노 변성 실리콘 (A), 말레이미드 화합물 (B), 카르복실산 (C) 또는 카르복실산 무수물 (D) 중 적어도 어느 것, 및 1 차 폴리머는, 이들의 핸들링성을 향상시키기 위해서 용제에 희석되어 있는 것이 바람직하다. 용제의 종류는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸셀로솔브 등의 케톤류;톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류;디메틸포름아미드 등의 아미드류;프로필렌글리콜모노메틸에테르 및 그 아세테이트를 들 수 있다. 용제는, 1 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.In the first step and the second step, at least any of the amino-modified silicone (A), the maleimide compound (B), the carboxylic acid (C) or the carboxylic acid anhydride (D), and the primary polymer are these It is preferable to dilute in a solvent in order to improve handling property. The kind of solvent is not particularly limited, For example, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; amides such as dimethylformamide; propylene glycol monomethyl ether and its acetate. A solvent can be used 1 type or in combination of 2 or more type.
수지 조성물의 제조시에는, 각 성분을 균일하게 용해 또는 분산시키기 위한 공지된 처리 (교반, 혼합, 혼련 처리 등) 를 실시할 수 있다. 충전재 (J) 등의 충전재의 균일 분산에 있어서, 적절한 교반 능력을 갖는 교반기를 부설한 교반조를 사용하여 교반 분산 처리를 실시함으로써, 수지 조성물에 대한 분산성이 높아진다. 상기의 교반, 혼합, 혼련 처리는, 예를 들어, 볼 밀, 비즈 밀 등의 혼합을 목적으로 한 장치, 또는, 공전 또는 자전형의 혼합 장치 등의 공지된 장치를 사용하여 적절히 실시할 수 있다.At the time of manufacture of the resin composition, a well-known process (stirring, mixing, kneading process, etc.) for dissolving or dispersing each component uniformly can be performed. Uniform dispersion of fillers, such as a filler (J), WHEREIN: The dispersibility with respect to a resin composition increases by performing a stirring dispersion process using the stirring tank which attached the stirrer which has suitable stirring ability. The above stirring, mixing, and kneading treatment can be appropriately carried out using, for example, an apparatus for the purpose of mixing such as a ball mill or a bead mill, or a known apparatus such as a revolving or autorotating mixing apparatus. .
〔프리프레그〕 [Prepreg]
본 실시형태의 프리프레그는, 기재와, 그 기재에 함침 또는 도포된 본 실시형태의 수지 조성물을 갖는다. 프리프레그의 제조 방법은, 통상적인 방법에 따라 실시할 수 있고 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기의 수지 조성물을 기재에 함침 또는 도포시킨 후, 100 ∼ 200 ℃ 의 건조기 중에서 1 ∼ 30 분 가열하거나 하여 반경화 (B 스테이지화) 시킴으로써, 프리프레그를 얻는 방법을 들 수 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 프리프레그의 총량 (100 질량%) 에 대한 상기의 수지 조성물의 함유량 (충전재, 첨가제 성분을 함유한다) 은 특별히 한정되지 않지만, 30 질량% 이상 90 질량% 이하의 범위인 것이 바람직하다.The prepreg of this embodiment has a base material and the resin composition of this embodiment impregnated or apply|coated to the base material. The manufacturing method of a prepreg can be implemented according to a conventional method, and is not specifically limited. For example, after impregnating or apply|coating said resin composition to a base material, the method of obtaining a prepreg is mentioned by heating in a 100-200 degreeC dryer for 1-30 minutes, or making it semi-hardened (B-staging). In addition, in this embodiment, although content of the said resin composition with respect to the total amount (100 mass %) of a prepreg (it contains a filler, an additive component) is not specifically limited, 30 mass % or more and 90 mass % or less range It is preferable to be
본 실시형태의 프리프레그로 사용되는 기재로는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 각종 프린트 배선판 재료에 사용되고 있는 공지된 것을, 목적으로 하는 용도나 성능에 의해 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 그 구체예로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, E 유리, D 유리, S 유리, Q 유리, 구상 유리, NE 유리, T 유리 등의 유리 섬유;쿼츠 등의 유리 이외의 무기 섬유;폴리파라페닐렌테레프탈아미드 (케블라 (등록 상표), 듀퐁사 제조), 코폴리파라페닐렌·3,4'옥시디페닐렌·테레프탈아미드 (테크노라 (등록 상표), 테이진 테크노 프로덕츠사 제조) 등의 전방향족 폴리아미드;2,6-하이드록시나프토산·파라하이드록시벤조산 (벡트란 (등록 상표), 쿠라레사 제조) 등의 폴리에스테르;폴리파라페닐렌벤즈옥사졸 (자이론 (등록 상표), 토요 방적 주식회사 제조), 폴리이미드 등의 유기 섬유를 들 수 있다.It does not specifically limit as a base material used for the prepreg of this embodiment, The well-known thing used for various printed wiring board materials can be selected suitably according to the intended use and performance, and can be used. Although it does not specifically limit as the specific example, For example, Glass fibers, such as E glass, D glass, S glass, Q glass, spherical glass, NE glass, T glass; Inorganic fiber other than glass, such as quartz; Polypara phenylene terephthalamide (Kevlar (registered trademark), manufactured by DuPont), copolyparaphenylene, 3,4'oxydiphenylene, terephthalamide (Technora (registered trademark), manufactured by Teijin Techno Products), etc. wholly aromatic polyamide; polyester such as 2,6-hydroxynaphthoic acid/parahydroxybenzoic acid (Vectran (registered trademark), manufactured by Kurare); polyparaphenylenebenzoxazole (Zylon (registered trademark); Organic fibers, such as Toyo Spinning Co., Ltd. product) and polyimide, are mentioned.
이들 중에서도 저열 팽창성의 관점에서, E 유리 클로스, T 유리 클로스, S 유리 클로스, Q 유리 클로스 및 유기 섬유로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상인 것이 바람직하다.Among these, from the viewpoint of low thermal expansibility, one or two or more selected from the group consisting of E glass cloth, T glass cloth, S glass cloth, Q glass cloth and organic fibers are preferable.
기재의 형상으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 직포, 부직포, 로빙, 촙드스트랜드 매트 및 서페이싱 매트를 들 수 있다. 직포의 직조 방법으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 평직, 수자직, 능직이 알려져 있고, 이들 공지된 것으로부터 목적으로 하는 용도나 성능에 따라 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 또, 이들을 개섬 처리한 것이나 실란 커플링제 등으로 표면 처리한 유리 직포가 바람직하게 사용된다. 기재의 두께나 질량은 특별히 한정되지 않지만, 통상은 0.01 ∼ 0.3 ㎜ 정도의 것이 바람직하게 사용된다. 특히, 강도와 흡수성의 관점에서, 기재는, 두께 200 ㎛ 이하, 질량 250 g/㎡ 이하의 유리 직포가 바람직하고, E 유리, S 유리 및 T 유리 등의 유리 섬유로 이루어지는 유리 직포가 보다 바람직하다.Although it does not specifically limit as a shape of a base material, For example, a woven fabric, a nonwoven fabric, roving, a chopped strand mat, and a surfacing mat are mentioned. Although it does not specifically limit as the weaving method of a woven fabric, For example, a plain weave, a hand-made weave, and a twill weave are known, From these well-known ones, depending on the intended use and performance, it can select and use it suitably. Moreover, the thing which carried out the opening process of these, and the glass woven fabric surface-treated with the silane coupling agent etc. are used preferably. Although the thickness and mass of a base material are not specifically limited, Usually, the thing of about 0.01-0.3 mm is used preferably. In particular, from the viewpoint of strength and water absorption, the substrate is preferably a glass woven fabric having a thickness of 200 μm or less and a mass of 250 g/m 2 or less, and more preferably a woven glass fabric made of glass fibers such as E glass, S glass and T glass. .
본 실시형태의 적층판은, 예를 들어, 상기 서술한 프리프레그를 복수 장 중첩하여 경화시켜 얻을 수 있다. 또, 본 실시형태의 금속박 피복 적층판은, 예를 들어, 상기 서술한 프리프레그와 금속박을 적층하고 경화시켜 얻을 수 있다.The laminated board of this embodiment can be obtained by overlapping and hardening a plurality of the prepregs mentioned above, for example. Moreover, the metal foil clad laminated board of this embodiment can be obtained by laminating|stacking and hardening the prepreg and metal foil mentioned above, for example.
본 실시형태의 금속박 피복 적층판은, 구체적으로는, 예를 들어, 상기 서술한 프리프레그를 적어도 1 장 이상 중첩하고, 그 편면 혹은 양면에 금속박을 배치하여 적층 성형함으로써 얻을 수 있다. 보다 구체적으로는, 상기 서술한 프리프레그를 1 장 또는 복수 장 이상을 중첩하고, 원하는 바에 따라 그 편면 혹은 양면에 구리나 알루미늄 등의 금속박을 배치한 구성으로 하고, 이것을 필요에 따라 적층 성형함으로써, 금속박 피복 적층판을 제조할 수 있다. 여기서 사용하는 금속박은, 프린트 배선판 재료에 사용되는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 압연 동박이나 전해 동박 등의 공지된 동박이 바람직하다. 또, 금속박의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1.0 ㎛ 이상 70 ㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.5 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하이다. 금속박 피복 적층판의 성형 방법 및 그 성형 조건에 대해서도 특별히 한정되지 않고, 일반적인 프린트 배선판용 적층판 및 다층판의 수법 및 조건을 적용할 수 있다. 예를 들어, 금속박 피복 적층판의 성형시에는 다단 프레스기, 다단 진공 프레스기, 연속 성형기, 오토클레이브 성형기 등을 사용할 수 있다. 또, 금속박 피복 적층판의 성형에 있어서, 온도는 100 ∼ 300 ℃, 압력은 면압 2.0 ∼ 100 ㎏f/㎠, 가열 시간은 0.05 ∼ 5 시간의 범위가 일반적이다. 또한 필요에 따라, 150 ∼ 300 ℃ 의 온도에서 후경화를 실시할 수도 있다. 또, 상기 서술한 프리프레그와, 별도 제조한 내층용의 배선판을 조합하여 적층 성형함으로써 다층판으로 하는 것도 가능하다.Specifically, the metal foil-clad laminate of the present embodiment can be obtained by, for example, stacking at least one or more of the above-mentioned prepregs, arranging metal foil on one side or both sides thereof, and laminating molding. More specifically, one or more of the above-mentioned prepregs are superimposed on top of each other, and a metal foil such as copper or aluminum is disposed on one or both sides as desired. A metal foil-clad laminate can be manufactured. Although the metal foil used here will not be specifically limited if it is used for a printed wiring board material, Well-known copper foils, such as a rolled copper foil and an electrolytic copper foil, are preferable. Moreover, although the thickness of metal foil is not specifically limited, 1.0 micrometer or more and 70 micrometers or less are preferable, More preferably, they are 1.5 micrometers or more and 35 micrometers or less. The forming method of the metal foil-clad laminate and the forming conditions thereof are not particularly limited, and the methods and conditions for general printed wiring board laminates and multilayer boards are applicable. For example, a multistage press machine, a multistage vacuum press machine, a continuous molding machine, an autoclave molding machine, etc. can be used at the time of shaping|molding of a metal foil clad laminated board. Moreover, in shaping|molding of a metal foil clad laminated board, temperature is 100-300 degreeC, a pressure is 2.0-100 kgf/cm<2> of surface pressure, and the range of 0.05 to 5 hours of heating time is common. Moreover, you can also perform post-curing at the temperature of 150-300 degreeC as needed. Moreover, it is also possible to set it as a multilayer board by combining and laminating|stacking the above-mentioned prepreg and the wiring board for inner layers manufactured separately.
본 실시형태의 금속박 피복 적층판은, 소정의 배선 패턴을 형성함으로써, 프린트 배선판으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 그리고, 본 실시형태의 금속박 피복 적층판은, 낮은 열 팽창률, 양호한 성형성, 금속박 필 강도 및 내약품성 (특히 내디스미어성) 을 갖고, 그러한 성능이 요구되는 반도체 패키지용 프린트 배선판으로서, 특히 유효하게 사용할 수 있다.The metal foil-clad laminate of the present embodiment can be suitably used as a printed wiring board by forming a predetermined wiring pattern. And, the metal foil-clad laminate of this embodiment has a low coefficient of thermal expansion, good formability, metal foil peel strength and chemical resistance (especially desmear resistance), and can be particularly effectively used as a printed wiring board for semiconductor packages requiring such performance. can
또, 본 실시형태에 있어서, 상기 서술한 프리프레그의 형태 이외에, 상기 서술한 수지 조성물을 금속박이나 필름에 도포한 형태의 매립 시트의 형태로 할 수도 있다.Moreover, in this embodiment, other than the form of the prepreg mentioned above, it can also be set as the form of the embedding sheet of the form which apply|coated the above-mentioned resin composition to metal foil or a film.
〔레진 시트〕 [resin sheet]
본 실시형태의 레진 시트는, 지지체와, 그 지지체의 표면에 배치된 본 실시형태의 수지 조성물을 갖는다. 상기 서술한 수지 조성물을 지지체의 편면 또는 양면에 도포한 레진 시트이다. 여기서, 레진 시트란, 박엽화의 하나의 수단으로서 사용되는 것으로, 예를 들어, 금속박이나 필름 등의 지지체에, 직접, 프리프레그 등에 사용되는 열 경화성 수지 (충전재를 포함한다) 를 도포 및 건조시켜 제조할 수 있다.The resin sheet of this embodiment has a support body and the resin composition of this embodiment arrange|positioned on the surface of this support body. It is the resin sheet which apply|coated the above-mentioned resin composition to the single side|surface or both surfaces of the support body. Here, the resin sheet is used as one means of thinning, and for example, a thermosetting resin (including a filler) used for a prepreg is directly applied to a support such as a metal foil or a film and dried, can be manufactured.
본 실시형태의 레진 시트를 제조할 때에 있어서 사용되는 지지체는 특별히 한정되지 않지만, 각종 프린트 배선판 재료에 사용되고 있는 공지된 것을 사용할 수 있고, 수지 시트 또는 금속박인 것이 바람직하다. 수지 시트 및 금속박으로는, 예를 들어, 폴리이미드 필름, 폴리아미드 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 (PBT) 필름, 폴리프로필렌 (PP) 필름, 폴리에틸렌 (PE) 필름 등의 수지 시트 및 알루미늄박, 동박, 금박 등의 금속박을 들 수 있다. 그 중에서도 전해 동박 및 PET 필름이 바람직하다.Although the support body used in manufacturing the resin sheet of this embodiment is not specifically limited, The well-known thing used for various printed wiring board materials can be used, It is preferable that they are a resin sheet or metal foil. Examples of the resin sheet and metal foil include polyimide film, polyamide film, polyester film, polyethylene terephthalate (PET) film, polybutylene terephthalate (PBT) film, polypropylene (PP) film, polyethylene ( PE) resin sheets, such as films, and metal foils, such as aluminum foil, copper foil, and gold foil, are mentioned. Among them, an electrolytic copper foil and a PET film are preferable.
본 실시형태의 레진 시트는, 상기 서술한 수지 조성물을 지지체에 도포 후, 반경화 (B 스테이지화) 시킨 것인 것이 바람직하다. 본 실시형태의 레진 시트의 제조 방법은 일반적으로 B 스테이지 수지 및 지지체의 복합체를 제조하는 방법이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 상기 수지 조성물을 동박 등의 지지체에 도포한 후, 100 ∼ 200 ℃ 의 건조기 중에서, 1 ∼ 60 분 가열시키는 방법 등에 의해 반경화시켜, 레진 시트를 제조하는 방법 등을 들 수 있다. 지지체에 대한 수지 조성물의 부착량은, 레진 시트의 수지 두께로 1.0 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하의 범위가 바람직하다.After apply|coating the resin composition mentioned above to a support body, as for the resin sheet of this embodiment, it is preferable that it semi-hardened (B-staging). As for the manufacturing method of the resin sheet of this embodiment, the method of manufacturing the composite_body|complex of generally B-stage resin and a support body is preferable. Specifically, for example, after applying the resin composition to a support such as copper foil, semi-cured by a method of heating for 1 to 60 minutes in a dryer at 100 to 200° C., a method of manufacturing a resin sheet, etc. can be heard As for the adhesion amount of the resin composition with respect to a support body, the range of 1.0 micrometer or more and 300 micrometers or less is preferable with the resin thickness of a resin sheet.
본 실시형태의 레진 시트는, 프린트 배선판의 빌드업 재료로서 사용 가능하다.The resin sheet of this embodiment can be used as a buildup material of a printed wiring board.
본 실시형태의 적층판은, 예를 들어, 상기 서술한 레진 시트를 1 장 이상 중첩하여 경화시켜 얻을 수 있다.The laminated board of this embodiment can be obtained by overlapping and hardening|curing 1 or more sheets of the above-mentioned resin sheet, for example.
또, 본 실시형태의 금속박 피복 적층판은, 예를 들어, 상기 서술한 레진 시트와 금속박을 적층하여 경화시켜 얻을 수 있다.Moreover, the metal foil clad laminated board of this embodiment can be obtained by laminating|stacking and hardening the above-mentioned resin sheet and metal foil, for example.
본 실시형태의 금속박 피복 적층판은, 구체적으로는, 예를 들어, 상기 서술한 레진 시트를 사용하여, 그 편면 또는 양면에 금속박을 배치하여 적층 형성함으로써 얻을 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 전술한 레진 시트를 1 장 또는 원하는 바에 따라 그 지지체를 박리한 것을 복수 장 중첩하고, 그 편면 또는 양면에 구리나 알루미늄 등의 금속박을 배치한 구성으로 하고, 이것을 필요에 따라 적층 성형함으로써 금속박 피복 적층판을 제조할 수 있다. 여기서 사용하는 금속박은, 프린트 배선판 재료에 사용되는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 압연 동박이나 전해 동박 등의 공지된 동박이 바람직하다. 금속박 피복 적층판의 성형 방법 및 그 성형 조건에 대해서도 특별히 한정되지 않고, 일반적인 프린트 배선판용 적층판 및 다층판의 수법 및 조건을 적용할 수 있다. 예를 들어, 금속박 피복 적층판의 성형시에는 다단 프레스기, 다단 진공 프레스기, 연속 성형기, 오토클레이브 성형기 등을 사용할 수 있다. 또, 금속박 피복 적층판의 성형시에 있어서, 온도는 100 ∼ 300 ℃, 압력은 면압 2.0 ∼ 100 ㎏f/㎠, 가열 시간은 0.05 ∼ 5 시간의 범위가 일반적이다. 또한 필요에 따라, 150 ∼ 300 ℃ 의 온도에서 후경화를 실시할 수도 있다.The metal foil-clad laminated board of this embodiment can be obtained by laminating|stacking and forming metal foil on the single side|surface or both surfaces specifically, using the resin sheet mentioned above, for example. More specifically, for example, one resin sheet or a plurality of sheets of which the support has been peeled as desired are superimposed, and a metal foil such as copper or aluminum is disposed on one or both surfaces thereof, and this A metal foil-clad laminated board can be manufactured by lamination|stacking as needed. Although the metal foil used here will not be specifically limited if it is used for a printed wiring board material, Well-known copper foils, such as a rolled copper foil and an electrolytic copper foil, are preferable. The forming method of the metal foil-clad laminate and the forming conditions thereof are not particularly limited, and the methods and conditions for general printed wiring board laminates and multilayer boards are applicable. For example, a multistage press machine, a multistage vacuum press machine, a continuous molding machine, an autoclave molding machine, etc. can be used at the time of shaping|molding of a metal foil clad laminated board. Moreover, at the time of shaping|molding of a metal foil clad laminated board, the temperature is 100-300 degreeC, the pressure is 2.0-100 kgf/cm<2> of surface pressure, and the range of 0.05 to 5 hours of heating time is common. Moreover, you can also perform post-curing at the temperature of 150-300 degreeC as needed.
본 실시형태의 적층판은, 레진 시트 및/또는 프리프레그를 복수 구비하는 적층판이어도 되고, 레진 시트 및/또는 프리프레그와 금속박을 구비하는 금속박 피복 적층판이어도 된다. 이들의 적층판은, 레진 시트, 프리프레그 및 금속박을 중첩하여 경화함으로써 얻어진다.The laminated board provided with two or more resin sheets and/or prepregs may be sufficient as the laminated board of this embodiment, and the metal foil clad laminated board provided with a resin sheet and/or a prepreg, and metal foil may be sufficient as it. These laminated boards are obtained by overlapping and hardening a resin sheet, a prepreg, and metal foil.
본 실시형태에 있어서, 회로가 되는 도체층을 형성하여 프린트 배선판을 제작할 때, 금속박 피복 적층판의 형태를 취하지 않는 경우, 무전해 도금의 수법을 사용할 수도 있다.In this embodiment, when forming the conductor layer used as a circuit and producing a printed wiring board, when not taking the form of a metal foil clad laminated board, the method of electroless plating can also be used.
〔프린트 배선판〕 [printed wiring board]
본 실시형태의 프린트 배선판은, 본 실시형태의 수지 조성물을 함유하는 절연층과, 그 절연층의 표면에 형성된 도체층을 구비한다.The printed wiring board of this embodiment is equipped with the insulating layer containing the resin composition of this embodiment, and the conductor layer formed in the surface of the insulating layer.
본 실시형태의 프린트 배선판은, 예를 들어, 절연층에 금속박이나 무전해 도금에 의해 회로가 되는 도체층이 형성되어 제작된다. 도체층은 일반적으로 구리나 알루미늄으로 구성된다. 도체층이 형성된 프린트 배선판용 절연층은, 소정의 배선 패턴을 형성함으로써, 프린트 배선판에 바람직하게 사용할 수 있다. 그리고 본 실시형태의 프린트 배선판은, 절연층이 상기 서술한 수지 조성물을 함유함으로써 반도체 실장시의 리플로 온도하에 있어서도 우수한 탄성률을 유지함으로써, 반도체 플라스틱 패키지의 휨을 효과적으로 억제하고, 금속박 필 강도 및 내디스미어성이 우수한 점에서, 반도체 패키지용 프린트 배선판으로서 특히 유효하게 사용할 수 있다.The printed wiring board of this embodiment forms the conductor layer used as a circuit by metal foil or electroless plating in an insulating layer, for example, and is produced. The conductor layer is generally composed of copper or aluminum. The insulating layer for printed wiring boards with a conductor layer can be used suitably for a printed wiring board by forming a predetermined wiring pattern. And the printed wiring board of this embodiment suppresses the curvature of a semiconductor plastic package effectively by maintaining the outstanding elastic modulus also under the reflow temperature at the time of semiconductor mounting by an insulating layer containing the above-mentioned resin composition, and metal foil peeling strength and desmear resistance Since it is excellent in property, it can use especially effectively as a printed wiring board for semiconductor packages.
본 실시형태의 프린트 배선판은, 구체적으로는, 예를 들어, 이하의 방법에 의해 제조할 수 있다. 먼저, 상기 서술한 금속박 피복 적층판 (구리 피복 적층판 등) 을 준비한다. 금속박 피복 적층판의 표면에 에칭 처리를 실시하여 내층 회로의 형성을 실시하고, 내층 기판을 제조한다. 이 내층 기판의 내층 회로 표면에, 필요에 따라 접착 강도를 높이기 위한 표면 처리를 실시하고, 이어서 그 내층 회로 표면에 상기 서술한 프리프레그를 필요한 장수 중첩하고, 또한 그 외측에 외층 회로용 금속박을 적층하고, 가열 가압하여 일체 성형한다. 이와 같이 하여, 내층 회로와 외층 회로용 금속박 사이에, 기재 및 열 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 절연층이 형성된 다층의 적층판이 제조된다. 이어서, 이 다층의 적층판에 스루홀이나 비어홀용의 천공 가공을 실시한 후, 경화물층에 포함되어 있는 수지 성분에서 유래하는 수지의 잔류물인 스미어를 제거하기 위해서 디스미어 처리가 실시된다. 그 후 이 구멍의 벽면에 내층 회로와 외층 회로용 금속박을 도통시키는 도금 금속 피막을 형성하고, 또한 외층 회로용 금속박에 에칭 처리를 실시하여 외층 회로를 형성하여, 프린트 배선판이 제조된다.The printed wiring board of this embodiment can be manufactured with the following method specifically, for example. First, the above-mentioned metal foil-clad laminated board (copper-clad laminated board etc.) is prepared. The surface of the metal foil-clad laminate is etched to form an inner-layer circuit, and an inner-layer substrate is produced. The surface of the inner circuit of this inner substrate is subjected to surface treatment to increase adhesive strength if necessary, and then the above-mentioned prepreg is superimposed on the surface of the inner circuit by a required number of sheets, and a metal foil for an outer circuit is laminated on the outside thereof. and integrally molded by heating and pressing. In this way, the multilayer laminated board in which the insulating layer which consists of a base material and the hardened|cured material of a thermosetting resin composition was formed between the metal foil for inner-layer circuits and outer-layer circuits is manufactured. Next, after perforating for through-holes or via-holes to this multilayer laminated board, in order to remove the smear which is a residue of resin derived from the resin component contained in the hardened|cured material layer, a desmear process is performed. Thereafter, a plated metal film is formed on the wall surface of the hole to conduct an inner circuit and a metal foil for an outer circuit, and the metal foil for an outer circuit is etched to form an outer circuit, and a printed wiring board is manufactured.
본 실시형태의 프린트 배선판에 있어서, 예를 들어, 상기 서술한 프리프레그 (기재 및 이것에 첨착 (添着) 된 상기 서술한 수지 조성물), 상기 서술한 레진 시트 (지지체 및 이것에 첨착된 상기 서술한 수지 조성물), 금속박 피복 적층판의 수지 조성물층 (상기 서술한 수지 조성물로 이루어지는 층) 이, 상기 서술한 수지 조성물을 함유하는 절연층을 구성하는 것이 된다.In the printed wiring board of this embodiment, for example, the above-mentioned prepreg (the base material and the above-mentioned resin composition affixed thereto), the above-mentioned resin sheet (the support body and the above-mentioned above-mentioned resin composition affixed thereto) Resin composition) and the resin composition layer (layer which consists of the above-mentioned resin composition) of a metal foil clad laminated board constitute the insulating layer containing the above-mentioned resin composition.
실시예Example
이하, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들의 실시예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate this invention concretely, this invention is not limited at all by these Examples.
[중량 평균 분자량] [Weight Average Molecular Weight]
반응 생성물의 중량 평균 분자량은, 하기 실시예 및 비교예에서 얻어진 수지 조성물을 시료로서, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법으로 측정하고, 표준 폴리스티렌 검량선을 사용하여 환산한 값으로서 산출하였다. 구체적으로는, 칼럼으로부터의 용출 시간과 분자량의 관계를 미리 구해 두고, 이것에 기초하여 용출 시간을 분자량으로 치환한다. 이 때에 사용하는「용출 시간과 분자량의 관계」를 나타내는 그래프를「교정 곡선」(또는 검량선) 이라고 한다. 「용출 시간과 분자량의 관계」는, 폴리머의 종류마다 상이하기 때문에, 원칙으로는, 측정 대상과 동일 구조로 분자량 기지 (旣知) 의 분자량 분포가 좁은 표준 폴리머를 사용할 필요가 있다. 그러나, 현실적으로는 곤란한 경우가 대부분이기 때문에, 실제는, 시판되는 표준 폴리머가 사용된다. 여기에서는, 표준 폴리머로서 폴리스티렌을 사용하고 있다. 이와 같이 얻어진 분자량은, 표준 환산 분자량이라고 한다. 이것으로부터 하기의 식으로부터 중량 평균 분자량 (Mw) 이 산출된다.The weight average molecular weight of the reaction product was measured by gel permeation chromatography (GPC) using the resin compositions obtained in the following Examples and Comparative Examples as samples, and was calculated as a value converted using a standard polystyrene calibration curve. Specifically, the relationship between the elution time from the column and the molecular weight is determined in advance, and the elution time is substituted for the molecular weight based on this. A graph showing the "relationship between dissolution time and molecular weight" used at this time is called a "calibration curve" (or calibration curve). Since the "relationship between elution time and molecular weight" differs for each type of polymer, in principle, it is necessary to use a standard polymer having the same structure as the measurement target and a known molecular weight distribution with a narrow molecular weight distribution. However, in practice, since it is difficult in most cases, a commercially available standard polymer is actually used. Here, polystyrene is used as a standard polymer. The molecular weight obtained in this way is called standard conversion molecular weight. From this, a weight average molecular weight (Mw) is computed from a following formula.
[수학식 1][Equation 1]
식 중, N 은, 폴리머 분자의 수를 나타내고, M 은, 분자량을 나타내고, C 는, 시료 농도를 나타낸다. 시료 농도 C 는, 모노머의 단위수에 비례하기 때문에, C = M × N 이 된다.In the formula, N represents the number of polymer molecules, M represents molecular weight, and C represents sample concentration. Since the sample concentration C is proportional to the number of monomer units, C = M x N.
[합성예 1] α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지의 합성[Synthesis Example 1] Synthesis of α-naphthol aralkyl type cyanate ester resin
온도계, 교반기, 적하 깔때기 및 환류 냉각기를 장착한 반응기를 미리 브라인에 의해 0 ∼ 5 ℃ 로 냉각시켜 두고, 그곳에 염화시안 7.47 g (0.122 ㏖), 35 % 염산 9.75 g (0.0935 ㏖), 물 76 ㎖ 및 염화메틸렌 44 ㎖ 를 주입하였다.A reactor equipped with a thermometer, a stirrer, a dropping funnel and a reflux condenser is previously cooled to 0-5°C with brine, and there, 7.47 g (0.122 mol) of cyanogen chloride, 9.75 g (0.0935 mol) of 35% hydrochloric acid, and 76 ml of water and 44 ml of methylene chloride were injected.
이 반응기 내의 온도를 -5 ∼ +5 ℃, pH 를 1 이하로 유지하면서, 교반 하, 식 (5) 에 있어서의 R6 이 모두 수소 원자를 나타내는 α-나프톨아르알킬형 페놀 수지 (SN485, OH 기 당량:214 g/eq. 연화점:86 ℃, 신닛테츠 화학 (주) 제조) 20 g (0.0935 ㏖), 및 트리에틸아민 14.16 g (0.14 ㏖) 을 염화메틸렌 92 ㎖ 에 용해한 용액을 적하 깔때기에 의해 1 시간에 걸쳐 적하하고, 적하 종료 후, 추가로 트리에틸아민 4.72 g (0.047 ㏖) 을 15 분간에 걸쳐 적하하였다.α-naphthol aralkyl type phenol resin (SN485, OH group in which all R 6 in Formula (5) represents a hydrogen atom under stirring while maintaining the temperature in this reactor at -5 to +5° C. and pH of 1 or less Equivalent: 214 g/eq. Softening point: 86° C., manufactured by Shin-Nitetsu Chemical Co., Ltd.) 20 g (0.0935 mol) and a solution obtained by dissolving 14.16 g (0.14 mol) of triethylamine in 92 ml of methylene chloride with a dropping funnel It was dripped over 1 hour, and triethylamine 4.72g (0.047mol) was further dripped after completion|finish of dripping over 15 minutes.
[화학식 13] [Formula 13]
n4 는, 1 이상의 정수를 나타낸다.n 4 represents an integer of 1 or more.
적하 종료 후, 동온도에서 15 분간 교반 후, 반응액을 분액하고, 유기층을 분취 (分取) 하였다. 얻어진 유기층을 물 100 ㎖ 로 2 회 세정한 후, 이배퍼레이터에 의해 감압하에서 염화메틸렌을 증류 제거하고, 최종적으로 80 ℃ 에서 1 시간 농축 건고시켜, α-나프톨아르알킬형 페놀 수지의 시안산에스테르화물 (α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지) 23.5 g 을 얻었다.After completion of the dropwise addition, after stirring at the same temperature for 15 minutes, the reaction liquid was separated and the organic layer was separated. The obtained organic layer was washed twice with 100 ml of water, then methylene chloride was distilled off under reduced pressure with an evaporator, and finally concentrated to dryness at 80°C for 1 hour, and cyanate ester of α-naphthol aralkyl phenol resin 23.5 g of a product (α-naphthol aralkyl type cyanate ester resin) was obtained.
[실시예 1] [Example 1]
말레이미드 화합물 (말레이미드기 당량 285 g/eq, 케이·아이 화성사 제조의 상품명「BMI-80」) 25 질량부를 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (KH 네오켐사 제조) 40 질량부에 가열 환류 온도 130 ℃ 의 조건하에 있어서 용해시킨 용액에, 디아미노 변성 실리콘 (X-22-161B, 아미노기 당량 1500 g/eq, 신에츠 화학 공업사 제조의 상품명「X-22-161B」) 15 질량부를 용해시켜, 1 차 폴리머를 조제하였다. 그 후, 가열 환류 온도 130 ℃ 의 조건하에서 교반을 계속하고, ICI 점도계 (콘 플레이트형 점도계, 토와 공업사 제조) 로 1 차 폴리머의 점도가 200 ∼ 300 mPa·s 까지 증가한 시점에서, 1 차 폴리머에, 무수 말레산 (토쿄 화성사 제조) 1.0 질량부를 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 (다우·케미컬사 제조) 22.5 질량부로 용해시킨 용액을 첨가하고, 가열 환류 온도 130 ℃ 의 조건하인 채, 수시간 반응시켜, 반응 생성물을 함유하는 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 수지 조성물의 일부를 시료로서, 반응 생성물의 중량 평균 분자량을 측정하였다. 또, 그 수지 조성물의 일부를 25 ℃ 의 조건하에 있어서 7 일간 보존하고, 보존 후의 반응 생성물의 중량 평균 분자량을 측정하였다. 결과는 표 1 에 나타낸다.25 parts by mass of a maleimide compound (maleimide group equivalent 285 g/eq, trade name "BMI-80" manufactured by K-I Chemicals Co., Ltd.) 40 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether (manufactured by KH Neochem) at a heating and reflux temperature of 130°C In a solution dissolved under the conditions of was prepared. Then, stirring is continued under the conditions of 130 degreeC of heating reflux temperature, and when the viscosity of a primary polymer increases to 200-300 mPa*s with an ICI viscometer (cone plate type viscometer, Towa Kogyo Co., Ltd. make), the primary polymer To this was added a solution obtained by dissolving 1.0 parts by mass of maleic anhydride (manufactured by Tokyo Chemical Company) in 22.5 parts by mass of propylene glycol monoethyl ether acetate (manufactured by Dow Chemical Corporation), followed by reaction for several hours under the condition of a heating and reflux temperature of 130°C. Thus, a resin composition containing a reaction product was obtained. Using a part of the obtained resin composition as a sample, the weight average molecular weight of the reaction product was measured. Moreover, a part of the resin composition was preserve|saved on 25 degreeC conditions for 7 days, and the weight average molecular weight of the reaction product after storage was measured. The results are shown in Table 1.
[실시예 2] [Example 2]
무수 말레산 1.0 질량부를 무수 아세트산 (토쿄 화성 공업사 제조) 1.0 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해, 중량 평균 분자량이 13200 인 반응 생성물을 함유하는 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 수지 조성물의 일부를 시료로서, 반응 생성물의 중량 평균 분자량을 측정하였다. 또, 그 수지 조성물의 일부를 25 ℃ 의 조건하에 있어서 7 일간 보존하고, 보존 후의 반응 생성물의 중량 평균 분자량을 측정하였다. 결과는 표 1 에 나타낸다.The resin composition containing the reaction product whose weight average molecular weight is 13200 was obtained by the method similar to Example 1 except having changed 1.0 mass part of maleic anhydride into 1.0 mass part of acetic anhydride (made by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.). Using a part of the obtained resin composition as a sample, the weight average molecular weight of the reaction product was measured. Moreover, a part of the resin composition was preserve|saved on 25 degreeC conditions for 7 days, and the weight average molecular weight of the reaction product after storage was measured. The results are shown in Table 1.
[실시예 3] [Example 3]
무수 말레산 1.0 질량부를 무수 프탈산 (토쿄 화성 공업사 제조) 1.0 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해, 중량 평균 분자량이 12500 인 반응 생성물을 함유하는 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 수지 조성물의 일부를 시료로서, 반응 생성물의 중량 평균 분자량을 측정하였다. 또, 그 수지 조성물의 일부를 25 ℃ 의 조건하에 있어서 7 일간 보존하고, 보존 후의 반응 생성물의 중량 평균 분자량을 측정하였다. 결과는 표 1 에 나타낸다.A resin composition containing a reaction product having a weight average molecular weight of 12500 was obtained in the same manner as in Example 1 except that 1.0 parts by mass of maleic anhydride was changed to 1.0 parts by mass of phthalic anhydride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.). Using a part of the obtained resin composition as a sample, the weight average molecular weight of the reaction product was measured. Moreover, a part of the resin composition was preserve|saved on 25 degreeC conditions for 7 days, and the weight average molecular weight of the reaction product after storage was measured. The results are shown in Table 1.
[실시예 4] [Example 4]
무수 말레산 1.0 질량부를 말레산 (토쿄 화성 공업사 제조) 1.0 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해, 중량 평균 분자량이 12000 인 반응 생성물을 함유하는 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 수지 조성물의 일부를 시료로서, 반응 생성물의 중량 평균 분자량을 측정하였다. 또, 그 수지 조성물의 일부를 25 ℃ 의 조건하에 있어서 7 일간 보존하고, 보존 후의 반응 생성물의 중량 평균 분자량을 측정하였다. 결과는 표 1 에 나타낸다.The resin composition containing the reaction product whose weight average molecular weight is 12000 was obtained by the method similar to Example 1 except having changed 1.0 mass part of maleic anhydride into 1.0 mass parts of maleic acid (made by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.). Using a part of the obtained resin composition as a sample, the weight average molecular weight of the reaction product was measured. Moreover, a part of the resin composition was preserve|saved on 25 degreeC conditions for 7 days, and the weight average molecular weight of the reaction product after storage was measured. The results are shown in Table 1.
[실시예 5] [Example 5]
무수 말레산 1.0 질량부를 무수 말레산 0.5 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해, 중량 평균 분자량이 11710 인 반응 생성물을 함유하는 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 수지 조성물의 일부를 시료로서, 반응 생성물의 중량 평균 분자량을 측정하였다. 또, 그 수지 조성물의 일부를 25 ℃ 의 조건하에 있어서 7 일간 보존하고, 보존 후의 반응 생성물의 중량 평균 분자량을 측정하였다. 결과는 표 1 에 나타낸다.The resin composition containing the reaction product whose weight average molecular weight is 11710 was obtained by the method similar to Example 1 except having changed 1.0 mass part of maleic anhydride into 0.5 mass parts of maleic anhydride. Using a part of the obtained resin composition as a sample, the weight average molecular weight of the reaction product was measured. Moreover, a part of the resin composition was preserve|saved on 25 degreeC conditions for 7 days, and the weight average molecular weight of the reaction product after storage was measured. The results are shown in Table 1.
[비교예 1] [Comparative Example 1]
무수 말레산 1.0 질량부 및 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 22.5 질량부를 사용하지 않았던 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해, 중량 평균 분자량이 13900 인 반응 생성물을 함유하는 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 수지 조성물의 일부를 시료로서, 반응 생성물의 중량 평균 분자량을 측정하였다. 또, 그 수지 조성물의 일부를 25 ℃ 의 조건하에 있어서 7 일간 보존하고, 보존 후의 반응 생성물의 중량 평균 분자량을 측정하였다. 결과는 표 1 에 나타낸다.The resin composition containing the reaction product whose weight average molecular weight is 13900 was obtained by the method similar to Example 1 except not having used 1.0 mass part of maleic anhydride and 22.5 mass parts of propylene glycol monoethyl ether acetate. Using a part of the obtained resin composition as a sample, the weight average molecular weight of the reaction product was measured. Moreover, a part of the resin composition was preserve|saved on 25 degreeC conditions for 7 days, and the weight average molecular weight of the reaction product after storage was measured. The results are shown in Table 1.
[비교예 2][Comparative Example 2]
무수 말레산 1.0 질량부를 사용하지 않았던 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해, 중량 평균 분자량이 14100 인 반응 생성물을 함유하는 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 수지 조성물의 일부를 시료로서, 반응 생성물의 중량 평균 분자량을 측정하였다. 또, 그 수지 조성물의 일부를 25 ℃ 의 조건하에 있어서 7 일간 보존하고, 보존 후의 반응 생성물의 중량 평균 분자량을 측정하였다. 결과는 표 1 에 나타낸다.The resin composition containing the reaction product whose weight average molecular weight is 14100 was obtained by the method similar to Example 1 except having not used 1.0 mass part of maleic anhydride. Using a part of the obtained resin composition as a sample, the weight average molecular weight of the reaction product was measured. Moreover, a part of the resin composition was preserve|saved on 25 degreeC conditions for 7 days, and the weight average molecular weight of the reaction product after storage was measured. The results are shown in Table 1.
표 1 중,「증가율」이란, 보존 전에 있어서의 수지 조성물의 중량 평균 분자량에 대한, 7 일간 보존 후에 있어서의 수지 조성물의 중량 평균 분자량의 비율 (%) 이다. 또한, 보존 전에 있어서의 수지 조성물의「중량 평균 분자량」은, 각 수지 조성물을 얻은 직후에 측정하여 얻어진 값이 아니고, 각 수지 조성물을 얻은 날에 측정하여 얻어진 값이었다. 따라서, 초기의 보존 안정성에 대해서는, 표 1 중의「중량 평균 분자량」의 결과로부터 비교할 수 있다.In Table 1, "increase rate" is the ratio (%) of the weight average molecular weight of the resin composition after 7-day storage with respect to the weight average molecular weight of the resin composition before storage. In addition, the "weight average molecular weight" of the resin composition before storage was not the value obtained by measuring immediately after obtaining each resin composition, but the value obtained by measuring on the day when each resin composition was obtained. Therefore, about the storage stability of an initial stage, it can compare from the result of "weight average molecular weight" in Table 1.
[실시예 6][Example 6]
실시예 1 에서 얻어진 수지 조성물 41.0 질량부와, 말레이미드 화합물 (말레이미드기 당량 186 g/eq, 오와 화성 공업사 제조의 상품명「BMI-2300」) 30 질량부와, 비페닐 노볼락형 에폭시 수지 (닛폰 화약사 제조의 상품명「NC-3000FH」) 4.5 질량부와, 비스디알릴나디이미드 (알케닐기 당량 286 g/eq, 마루젠 석유 화학사 제조의 상품명「BANI-M」) 25 질량부와, 상기 합성예 1 에서 얻어진 α-나프톨아르알킬형 페놀 수지의 시안산에스테르화물 0.5 질량부와, 슬러리 실리카 (아도마텍스사 제조의 상품명「SC-2050MB」) 200 질량부와, 에폭시실란 커플링제 (토오레·다우코팅사 제조의 상품명「Z6040」) 5 질량부와, 경화 촉진제의 트리페닐이미다졸 (토쿄 화성 공업사 제조) 0.5 질량부를 혼합하여, 수지 조성물을 얻었다. 41.0 parts by mass of the resin composition obtained in Example 1, 30 parts by mass of a maleimide compound (maleimide group equivalent: 186 g/eq, trade name "BMI-2300" manufactured by Owa Chemical Industry Co., Ltd.), and a biphenyl novolac-type epoxy resin (Brand name "NC-3000FH" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) 4.5 parts by mass, and 25 parts by mass of bisdialylnadiimide (alkenyl group equivalent: 286 g/eq, trade name "BANI-M" manufactured by Maruzen Petrochemical Corporation); 0.5 parts by mass of the cyanate ester of the α-naphthol aralkyl type phenol resin obtained in Synthesis Example 1, 200 parts by mass of slurry silica (trade name "SC-2050MB" manufactured by Adomatex Co., Ltd.), and an epoxysilane coupling agent ( 5 mass parts of Toray Dow Coatings brand name "Z6040") and 0.5 mass parts of triphenylimidazole (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. make) of a hardening accelerator were mixed, and the resin composition was obtained.
[비교예 3] [Comparative Example 3]
실시예 1 에서 얻어진 수지 조성물 41.0 질량부를 비교예 2 에서 얻어진 수지 조성물 40.0 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 6 과 동일한 방법에 의해 수지 조성물을 얻었다.A resin composition was obtained in the same manner as in Example 6 except that 41.0 parts by mass of the resin composition obtained in Example 1 was changed to 40.0 parts by mass of the resin composition obtained in Comparative Example 2.
[아민가] [Aminga]
실시예 6, 비교예 3 에서 얻어진 각 수지 조성물에 대하여, 아민가를 측정하였다. 구체적으로는, JIS K 7237:1995 에 준거하여, 수지 조성물의 1 급 아민 및 2 급 아민의 합계량으로서 아민가를 측정하였다. 결과는 표 2 에 나타낸다.About each resin composition obtained in Example 6 and Comparative Example 3, the amine value was measured. Specifically, based on JISK7237:1995, the amine value was measured as the total amount of the primary amine and secondary amine of a resin composition. The results are shown in Table 2.
[프리프레그의 제작][Production of prepreg]
실시예 6 및 비교예 3 에서 얻어진 각 수지 조성물을 메틸에틸케톤으로 희석함으로써 바니시를 얻었다. 이 바니시를 T 유리 클로스 (T2118) 에 함침 도공하고, 150 ℃ 에서 3 분간 가열 건조시키고, 하기의 적층판으로 하였을 때에 절연층의 두께가 100 ㎛ 가 되도록 수지 조성물의 함유량 (질량%) 을 조정하여, 프리프레그를 얻었다.The varnish was obtained by diluting each resin composition obtained in Example 6 and Comparative Example 3 with methyl ethyl ketone. This varnish is impregnated with T glass cloth (T2118), dried by heating at 150 ° C. for 3 minutes, and the thickness of the insulating layer is 100 µm when the following laminate is obtained. The content (mass%) of the resin composition is adjusted, got a prepreg.
[바니시 겔타임][Varnish Gel Time]
상기 서술한 프리프레그의 제조시에 얻은 각 바니시의 일부를 시료로서, 170 ℃ 에서의 겔타임 (초) 을 측정하였다. 또, 그 바니시의 일부를 25 ℃ 의 조건하에 있어서 7 일간 보존하고, 보존 후의 겔타임 (초) 을 상기 동일하게 측정하였다. 결과는 표 2 에 나타낸다.The gel time (seconds) in 170 degreeC was measured as a sample for a part of each varnish obtained at the time of manufacture of the above-mentioned prepreg. Moreover, a part of the varnish was preserve|saved on 25 degreeC conditions for 7 days, and the gel time (sec) after storage was measured similarly to the above. The results are shown in Table 2.
[프리프레그 점도] [Prepreg Viscosity]
상기 서술한 방법으로 제조한 프리프레그로부터 수지분을 취득하고, 동적 점탄성 측정 장치 (티·에이·인스툴먼트사 제조의 상품명「AR2000」) 를 사용하여, 각속도 1 rad/s, 지오메트리 갭 1 ㎜ 의 120 ℃ 의 측정 조건에 있어서의 점도 (mPa·s) 를 측정하였다. 또, 상기 서술한 프리프레그를 25 ℃ 의 조건하에 있어서 7 일간 보존하고, 보존 후의 프리프레그로부터 수지분을 취득하여, 전단 점도 (mPa·s) 를 상기 동일하게 측정하였다. 결과는 표 2 에 나타낸다.A resin component was obtained from the prepreg manufactured by the method described above, and using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (trade name "AR2000" manufactured by TAA Instruments), the angular velocity was 1 rad/s and the geometrical gap was 1 mm. The viscosity (mPa·s) under the measurement conditions of 120°C was measured. Moreover, the prepreg mentioned above was stored on 25 degreeC conditions for 7 days, the resin content was acquired from the prepreg after storage, and the shear viscosity (mPa*s) was measured similarly to the above. The results are shown in Table 2.
[적층판] [Laminate]
얻어진 프리프레그 1 장의 상하에, 12 ㎛ 두께의 전해 동박 (미츠이 금속 광업사 제조의 상품명「3EC-III」) 을 배치하고, 압력 30 ㎏f/㎠, 온도 220 ℃ 에서 120 분간의 적층 성형을 실시하여, 절연층 두께 100 ㎛ 의 구리 피복 적층판 (보존 전 성형) 을 얻었다. 또, 얻어진 프리프레그를 25 ℃ 의 조건하에 있어서 7 일간 보존하고, 보존 후의 프리프레그 1 장을 사용하고 상기와 동일한 방법에 의해 적층 성형을 실시하여, 절연층 두께 100 ㎛ 의 구리 피복 적층판 (보존 후 성형) 을 얻었다.Electrolytic copper foil with a thickness of 12 µm (trade name "3EC-III" manufactured by Mitsui Metals Mining Co., Ltd.) is placed above and below the obtained prepreg sheet, and lamination molding is performed at a pressure of 30 kgf/cm 2 and a temperature of 220° C. for 120 minutes. Thus, a copper-clad laminate (molding before storage) having an insulating layer thickness of 100 µm was obtained. In addition, the obtained prepreg was stored for 7 days under the conditions of 25°C, laminated molding was performed in the same manner as above using one prepreg after storage, and a copper clad laminate with an insulating layer thickness of 100 µm (after storage) molding) was obtained.
〔열 팽창률〕 [Coefficient of Thermal Expansion]
얻어진 각 구리 피복 적층판 (보존 전 성형 및 보존 후 성형) 을 전면 에칭함으로써 동박을 제거한 후, 열기계 분석 장치 (TA 인스툴먼트사 제조) 를 사용하여 40 ℃ 부터 340 ℃ 까지 매분 10 ℃ 로 승온시키고, 60 ℃ 부터 120 ℃ 에 있어서의 면방향의 선팽창 계수를 측정하고, 얻어진 값을 열 팽창률 (ppm/degC) 의 평가치로 하였다. 측정 방향은 적층판의 유리 클로스의 종방향 (Warp) 을 측정하였다. 결과는 표 3 에 나타낸다. After removing the copper foil by performing full etching of each obtained copper-clad laminate (molding before storage and molding after storage), using a thermomechanical analyzer (manufactured by TA Instruments), the temperature was raised from 40°C to 340°C at 10°C per minute, , the coefficient of linear expansion in the plane direction from 60°C to 120°C was measured, and the obtained value was made into the evaluation value of the coefficient of thermal expansion (ppm/degC). As for the measurement direction, the longitudinal direction (Warp) of the glass cloth of the laminate was measured. The results are shown in Table 3.
본 출원은, 2016년 4월 5일에 일본 특허청에 출원된 일본 특허출원 (일본 특허출원 2016-076144호), 및 2017년 1월 5일에 일본 특허청에 출원된 일본 특허출원 (일본 특허출원 2017-000666호) 에 기초하는 것으로, 그들의 내용은 여기에 참조로서 받아들여진다.This application is a Japanese Patent Application filed with the Japan Patent Office on April 5, 2016 (Japanese Patent Application No. 2016-076144), and a Japanese Patent Application filed with the Japan Patent Office on January 5, 2017 (Japanese Patent Application 2017) -000666), the contents of which are incorporated herein by reference.
산업상 이용가능성Industrial Applicability
본 발명의 수지 조성물 및 그 수지 조성물로부터 얻어지는 프린트 배선판은, 퍼스널 컴퓨터를 비롯한 여러 가지 전자 기기나 통신기의 부재로서 바람직하게 사용할 수 있다.The resin composition of the present invention and a printed wiring board obtained from the resin composition can be suitably used as members of various electronic devices and communication devices including personal computers.
Claims (20)
카르복실산 (C) 또는 카르복실산 무수물 (D) 중 적어도 어느 것을 반응시켜 얻어지는 반응 생성물 (P) 를 함유하는, 수지 조성물로서,
상기 수지 조성물의 아민가가, 2.0 mgKOH/g 이하인, 수지 조성물.A primary polymer obtained by reacting an amino-modified silicone (A) with a maleimide compound (B);
A resin composition comprising a reaction product (P) obtained by reacting at least any of carboxylic acid (C) or carboxylic acid anhydride (D), comprising:
The amine value of the resin composition is 2.0 mgKOH/g or less, the resin composition.
상기 반응 생성물 (P) 는, 상기 카르복실산 무수물 (D) 를 적어도 반응시켜 얻어지고,
상기 카르복실산 무수물 (D) 는, 무수 말레산, 무수 프탈산, 무수 숙신산, 및 무수 아세트산으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상인, 수지 조성물.The method of claim 1,
The reaction product (P) is obtained by reacting at least the carboxylic acid anhydride (D),
The said carboxylic acid anhydride (D) is 1 type(s) or 2 or more types chosen from the group which consists of maleic anhydride, phthalic anhydride, succinic anhydride, and acetic anhydride, The resin composition.
상기 반응 생성물 (P) 는, 상기 카르복실산 (C) 를 적어도 반응시켜 얻어지고,
상기 카르복실산 (C) 는, 말레산, 프탈산, 숙신산, 및 아세트산으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상인, 수지 조성물.The method of claim 1,
The reaction product (P) is obtained by reacting at least the carboxylic acid (C),
The said carboxylic acid (C) is 1 type(s) or 2 or more types selected from the group which consists of maleic acid, phthalic acid, succinic acid, and acetic acid, The resin composition.
열 경화성 성분 (E) 를 추가로 함유하는, 수지 조성물.The method of claim 1,
The resin composition which further contains a thermosetting component (E).
상기 열 경화성 성분 (E) 는, 말레이미드 화합물 (B), 에폭시 수지 (F), 시안산에스테르 화합물 (G), 및 알케닐 치환 나디이미드 (H) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 함유하는, 수지 조성물.6. The method of claim 5,
The said thermosetting component (E) is 1 type or 2 types selected from the group which consists of a maleimide compound (B), an epoxy resin (F), a cyanate ester compound (G), and an alkenyl-substituted nadiimide (H). The resin composition containing the above.
상기 반응 생성물 (P) 에 있어서의 상기 아미노 변성 실리콘 (A) 는, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하는, 수지 조성물.
[화학식 1]
(식 (1) 중, 복수의 Ra 는, 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 페닐기를 나타내고, 복수의 Rb 는, 각각 독립적으로 단결합, 알킬렌기 또는 아릴기를 나타내고, n 은, 1 이상의 정수를 나타낸다) The method of claim 1,
The resin composition wherein the amino-modified silicone (A) in the reaction product (P) contains a compound represented by the following general formula (1).
[Formula 1]
(in formula (1), a plurality of R a each independently represents a hydrogen atom, a methyl group or a phenyl group, a plurality of R b each independently represents a single bond, an alkylene group or an aryl group, and n is an integer of 1 or more represents)
상기 반응 생성물 (P) 에 있어서의 상기 아미노 변성 실리콘 (A) 의 아미노기 당량이, 130 이상 6000 이하인, 수지 조성물.The method of claim 1,
The amino group equivalent of the said amino-modified silicone (A) in the said reaction product (P) is 130 or more and 6000 or less, The resin composition.
상기 말레이미드 화합물 (B) 는, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)-페닐}프로판, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 폴리테트라메틸렌옥사이드-비스(4-말레이미드벤조에이트), 및 하기 일반식 (2) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 함유하는, 수지 조성물.
[화학식 2]
(식 (2) 중, 복수의 R5 는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n1 은, 1 이상의 정수를 나타낸다)The method of claim 1,
The maleimide compound (B) is bis(4-maleimidephenyl)methane, 2,2-bis{4-(4-maleimidephenoxy)-phenyl}propane, bis(3-ethyl-5-methyl- A resin containing one or two or more selected from the group consisting of 4-maleimidephenyl)methane, polytetramethyleneoxide-bis(4-maleimidebenzoate), and a compound represented by the following general formula (2) composition.
[Formula 2]
(in formula (2), a plurality of R 5 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group, and n 1 represents an integer of 1 or more)
충전재 (J) 를 추가로 함유하는, 수지 조성물.The method of claim 1,
The resin composition which further contains a filler (J).
상기 충전재 (J) 는, 실리카, 알루미나, 및 질화알루미늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 함유하는, 수지 조성물.11. The method of claim 10,
The said filler (J) contains the 1 type(s) or 2 or more types chosen from the group which consists of silica, an alumina, and aluminum nitride, The resin composition.
상기 수지 조성물은, 상기 반응 생성물 (P) 및 열 경화성 성분 (E) 의 합계량 100 질량부에 대하여, 상기 충전재 (J) 를 50 질량부 이상 300 질량부 이하 함유하는, 수지 조성물.11. The method of claim 10,
The said resin composition contains 50 mass parts or more and 300 mass parts or less of the said filler (J) with respect to 100 mass parts of total amounts of the said reaction product (P) and a thermosetting component (E).
상기 기재는, E 유리 클로스, T 유리 클로스, S 유리 클로스, Q 유리 클로스 및 유기 섬유로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상인, 프리프레그.14. The method of claim 13,
A prepreg, wherein the base material is one or more selected from the group consisting of E glass cloth, T glass cloth, S glass cloth, Q glass cloth and organic fiber.
상기 지지체는, 수지 시트 또는 금속박인, 레진 시트.16. The method of claim 15,
The support is a resin sheet or metal foil, a resin sheet.
상기 1 차 폴리머와 카르복실산 (C) 또는 카르복실산 무수물 (D) 중 적어도 어느 것을 반응시키는 제 2 반응 공정을 갖는, 수지 조성물의 제조 방법으로서,
상기 수지 조성물의 아민가가, 2.0 mgKOH/g 이하인, 수지 조성물의 제조 방법.A first reaction step of reacting an amino-modified silicone (A) with a maleimide compound (B) to obtain a primary polymer;
A method for producing a resin composition comprising a second reaction step of reacting the primary polymer with at least any one of carboxylic acid (C) or carboxylic acid anhydride (D),
The amine value of the said resin composition is 2.0 mgKOH/g or less, The manufacturing method of the resin composition.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016076144 | 2016-04-05 | ||
| JPJP-P-2016-076144 | 2016-04-05 | ||
| JPJP-P-2017-000666 | 2017-01-05 | ||
| JP2017000666 | 2017-01-05 | ||
| PCT/JP2017/012309 WO2017175614A1 (en) | 2016-04-05 | 2017-03-27 | Resin composition and method for producing same, prepreg, resin sheet, laminate, metal-foil-clad laminate, and printed wiring board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180134845A KR20180134845A (en) | 2018-12-19 |
| KR102376567B1 true KR102376567B1 (en) | 2022-03-21 |
Family
ID=60000455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020187022415A Active KR102376567B1 (en) | 2016-04-05 | 2017-03-27 | Resin composition and its manufacturing method, prepreg, resin sheet, laminated board, metal foil-clad laminated board, and printed wiring board |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (3) | JP7305349B2 (en) |
| KR (1) | KR102376567B1 (en) |
| CN (1) | CN108779247B (en) |
| TW (1) | TWI730075B (en) |
| WO (1) | WO2017175614A1 (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7443975B2 (en) * | 2020-07-29 | 2024-03-06 | 味の素株式会社 | resin composition |
| KR102688208B1 (en) * | 2021-08-05 | 2024-07-25 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | Curable compositions, prepregs, resin sheets, metal foil-clad laminates and printed wiring boards |
| CN118139742A (en) * | 2021-10-27 | 2024-06-04 | 株式会社力森诺科 | Metal foil with resin, printed wiring board and method for producing the same, and semiconductor package |
| JP7197047B1 (en) | 2022-05-27 | 2022-12-27 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Resin compositions, cured products, sealing materials, adhesives, insulating materials, paints, prepregs, multilayer bodies, and fiber-reinforced composite materials |
| JP7708862B2 (en) * | 2022-10-11 | 2025-07-15 | ションイー テクノロジー (スウジョウ) カンパニー リミテッド | Modified bismaleimide prepolymer, resin composition and use of resin composition |
| WO2025052997A1 (en) * | 2023-09-08 | 2025-03-13 | 株式会社レゾナック | Prepreg, laminate, printed wiring board, and semiconductor package |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004087897A (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Toray Ind Inc | Substrate for printed circuit and printed circuit board using the same |
| WO2012099133A1 (en) | 2011-01-18 | 2012-07-26 | 日立化成工業株式会社 | Modified silicone compound, and thermosetting resin composition, prepreg, laminate plate and printed wiring board using same |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61111121A (en) * | 1984-11-02 | 1986-05-29 | Toray Ind Inc | Composite membrane for separating gas |
| JPH06234916A (en) * | 1993-02-09 | 1994-08-23 | Central Glass Co Ltd | Low-stress polyimide composition and precursor composition solution |
| JP3570579B2 (en) * | 1995-07-11 | 2004-09-29 | 横浜ゴム株式会社 | Heat resistant adhesive |
| JPH09176309A (en) * | 1995-12-22 | 1997-07-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Thermosetting resin composition and thermosetting adhesive tape |
| JP2006083307A (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Kyocera Chemical Corp | Photosensitive polyimide-siloxane and its composition |
| WO2008153101A1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resin composition for forming heat-cured film |
| JP5024205B2 (en) | 2007-07-12 | 2012-09-12 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Prepreg and laminate |
| EP2530103A4 (en) * | 2010-01-25 | 2014-04-09 | Mitsui Chemicals Inc | POLYIMIDE RESIN COMPOSITION, ADHESIVE AGENT AND LAMINATE CONTAINING EACH COMPOSITION |
| TW201204548A (en) | 2010-02-05 | 2012-02-01 | Sumitomo Bakelite Co | Prepreg, laminate, printed wiring board, and semiconductor device |
| JP2013001807A (en) | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Panasonic Corp | Resin composition for electronic circuit board material, prepreg and laminated plate |
| JP3173332U (en) | 2011-11-17 | 2012-02-02 | 奇▲こう▼科技股▲ふん▼有限公司 | Oil-impregnated bearing fan structure |
| JP2013216884A (en) | 2012-03-14 | 2013-10-24 | Hitachi Chemical Co Ltd | Thermosetting resin composition, prepreg and laminated plate |
| US10721817B2 (en) | 2015-07-06 | 2020-07-21 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resin composition, prepreg or resin sheet comprising the resin composition, and laminate and printed circuit board comprising them |
-
2017
- 2017-03-27 WO PCT/JP2017/012309 patent/WO2017175614A1/en not_active Ceased
- 2017-03-27 KR KR1020187022415A patent/KR102376567B1/en active Active
- 2017-03-27 CN CN201780017274.3A patent/CN108779247B/en active Active
- 2017-03-27 JP JP2018510544A patent/JP7305349B2/en active Active
- 2017-03-29 TW TW106110410A patent/TWI730075B/en active
-
2021
- 2021-08-30 JP JP2021140205A patent/JP2022000506A/en active Pending
-
2023
- 2023-05-24 JP JP2023085673A patent/JP2023116516A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004087897A (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Toray Ind Inc | Substrate for printed circuit and printed circuit board using the same |
| WO2012099133A1 (en) | 2011-01-18 | 2012-07-26 | 日立化成工業株式会社 | Modified silicone compound, and thermosetting resin composition, prepreg, laminate plate and printed wiring board using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022000506A (en) | 2022-01-04 |
| KR20180134845A (en) | 2018-12-19 |
| CN108779247B (en) | 2021-01-15 |
| JP2023116516A (en) | 2023-08-22 |
| JPWO2017175614A1 (en) | 2019-02-14 |
| CN108779247A (en) | 2018-11-09 |
| TW201807063A (en) | 2018-03-01 |
| JP7305349B2 (en) | 2023-07-10 |
| TWI730075B (en) | 2021-06-11 |
| WO2017175614A1 (en) | 2017-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102382655B1 (en) | Resin composition, prepreg, metal-foil-clad laminated board, and printed circuit board | |
| TWI530526B (en) | Resin composition, prepreg and laminate | |
| KR102376567B1 (en) | Resin composition and its manufacturing method, prepreg, resin sheet, laminated board, metal foil-clad laminated board, and printed wiring board | |
| TWI485200B (en) | A preservation method of resin solution and manufacturing method of prepreg and laminate plate | |
| CN107709456B (en) | Resin composition, prepreg, resin sheet, metal foil-clad laminate and printed circuit board | |
| WO2014061812A1 (en) | Resin composition, prepreg, laminate, and printed wiring board | |
| WO2014061811A1 (en) | Resin composition, pre-preg, laminate, metal foil-clad laminate, and printed wiring board | |
| JP7116370B2 (en) | Resin composition, prepreg, resin sheet, laminate, and printed wiring board | |
| TWI769983B (en) | Resin composition, prepreg and resin sheet using the resin composition, laminate and printed wiring board using the same | |
| CN105900535A (en) | Insulating layer for printed wiring board and printed wiring board | |
| JP6639072B2 (en) | Resin composition for printed wiring board, prepreg, laminated board and printed wiring board | |
| JP7116927B2 (en) | Resin composition, prepreg, resin sheet, metal foil-clad laminate, printed wiring board, and method for producing resin composition | |
| JP6819019B2 (en) | Resin composition, prepreg, metal foil laminated board, resin sheet, and printed wiring board | |
| JP2018030974A (en) | Resin composition, prepreg, metal foil-clad laminate, laminate resin sheet, resin sheet, and printed wiring board |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0105 | International application |
Patent event date: 20180802 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20200131 Comment text: Request for Examination of Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20201230 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20210716 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20220128 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20220316 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20220316 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |